TW201932874A - 具有量子點閃爍器的輻射檢測器 - Google Patents

具有量子點閃爍器的輻射檢測器 Download PDF

Info

Publication number
TW201932874A
TW201932874A TW108101684A TW108101684A TW201932874A TW 201932874 A TW201932874 A TW 201932874A TW 108101684 A TW108101684 A TW 108101684A TW 108101684 A TW108101684 A TW 108101684A TW 201932874 A TW201932874 A TW 201932874A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
radiation detector
radiation
visible light
quantum dots
voltage
Prior art date
Application number
TW108101684A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI811286B (zh
Inventor
曹培炎
劉雨潤
Original Assignee
中國大陸商深圳幀觀德芯科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 中國大陸商深圳幀觀德芯科技有限公司 filed Critical 中國大陸商深圳幀觀德芯科技有限公司
Publication of TW201932874A publication Critical patent/TW201932874A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI811286B publication Critical patent/TWI811286B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
    • H01L31/118—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation of the surface barrier or shallow PN junction detector type, e.g. surface barrier alpha-particle detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20184—Detector read-out circuitry, e.g. for clearing of traps, compensating for traps or compensating for direct hits
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/02—Arrangements for diagnosis sequentially in different planes; Stereoscopic radiation diagnosis
    • A61B6/03—Computed tomography [CT]
    • A61B6/032—Transmission computed tomography [CT]
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/50—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment specially adapted for specific body parts; specially adapted for specific clinical applications
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/50—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment specially adapted for specific body parts; specially adapted for specific clinical applications
    • A61B6/51—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment specially adapted for specific body parts; specially adapted for specific clinical applications for dentistry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
    • G01N23/046—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material using tomography, e.g. computed tomography [CT]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
    • G01V5/00—Prospecting or detecting by the use of ionising radiation, e.g. of natural or induced radioactivity
    • G01V5/20—Detecting prohibited goods, e.g. weapons, explosives, hazardous substances, contraband or smuggled objects
    • G01V5/22—Active interrogation, i.e. by irradiating objects or goods using external radiation sources, e.g. using gamma rays or cosmic rays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
    • H01L31/035218—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum dots
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Pulmonology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Dentistry (AREA)
  • Oral & Maxillofacial Surgery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geophysics (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

本文所公開的是一種輻射檢測器，其包括：量子點層，配置成在吸收輻射微粒時發射可見光的脈衝；電子系統，配置成通過檢測可見光的脈衝來檢測輻射微粒。

Description

具有量子點閃爍器的輻射檢測器
本文的本公開涉及輻射檢測器，具體來說涉及包括量子點閃爍器的輻射檢測器。
輻射檢測器是測量輻射的性質的裝置。性質的示例可包括輻射的強度、相位和極化的空間分佈。輻射可以是與受檢者進行交互的輻射。例如，由輻射檢測器所測量的輻射可以是穿透受檢者或者從受檢者反射的輻射。輻射可以是電磁輻射，例如紅外光、可見光、紫外光、X射線或γ射線。輻射可屬於其他類型，例如α射線和β射線。
一種類型的輻射檢測器使用閃爍器。閃爍器與圖像增強器有點相似地進行操作，因為閃爍器(例如碘化鈉)吸收入射到檢測器上的輻射(例如X射線)，並且發射不同輻射(例如可見光)，其然後能夠由適當感測器來檢測。由於材料特性，傳統閃爍器可具有低光轉換效率和較慢轉換速度，這限制在要求大成像面積和快速輻射回應的輻射和X射線成像中的應用。
本文所公開的是一種輻射檢測器，其包括：量子點層，配置成在吸收輻射微粒時發射可見光的脈衝；電子系統，配置成通過檢測可見光的脈衝來檢測輻射微粒。
按照實施例，量子點從由碘化鉛(PbI)量子點、CdZnTe(CZT)量子點、碘化銫(CsI)量子點、鍺酸鉍(BGO)量子點、鎢酸鎘CdWO4量子點、鎢酸鈣(CaWO4)量子點、硫氧化釓(Gd2O2S)量子點、鈰摻雜溴化鑭(LaBr3(Ce))量子點、鈰摻雜氯化鑭(LaCl3(Ce))量子點、鎢酸鉛(PbWO4)量子點、矽酸鑥(Lu2SiO5 or LSO)量子點、Lu1.8Y0.2SiO5(Ce)(LYSO)量子點、鉈摻雜碘化鈉(NaI(Tl))量子點、釔鋁石榴石(YAG(Ce))量子點、硫化鋅(ZnS(Ag))量子點、鎢酸鋅(ZnWO4)量子點及其組合所組成的組中選取。
按照實施例，輻射檢測器還包括可見光吸收層，其配置成在吸收可見光的脈衝時生成電信號；其中電子系統配置成基於電信號來檢測可見光的脈衝。
按照實施例，電子系統配置成通過對可見光的脈衝數量進行計數對量子點層所吸收的輻射微粒的數量進行計數。
按照實施例，電子系統包括多個像素，其各自配置成檢測可見光的脈衝。
按照實施例，電子系統包括計數器，其配置成對多個像素的像素所接收的可見光的脈衝數量進行計數。
按照實施例，像素配置成並行地操作。
按照實施例，ADC是逐次近似寄存器(SAR)ADC。
按照實施例，輻射微粒是X射線光子。
按照實施例，可見光吸收層包括電極；其中電子系統包括：第一電壓比較器，配置成將電氣觸點的電壓與第一閾值進行比較；第二電壓比較器，配置成將電壓與第二閾值進行比較；計數器，配置成記錄 可見光吸收層所接收的可見光的脈衝的數量；控制器；其中，控制器配置成從第一電壓比較器確定電壓的絕對值等於或超過第一閾值的絕對值的時間開始時間延遲；控制器配置成在該時間延遲期間啟動第二電壓比較器；控制器配置成在第二電壓比較器關於電壓的絕對值等於或超過第二閾值的絕對值的確定時使計數器所記錄的數量增加一。
按照實施例，輻射檢測器還包括電容器模組，其電連接到電氣觸點，其中電容器模組配置成收集來自電氣觸點的載荷子。
按照實施例，控制器配置成在時間延遲開始或到期時啟動第二電壓比較器。
按照實施例，控制器配置成將電氣觸點連接到電接地。
按照實施例，電壓的變化率在時間延遲到期時基本上為零。
按照實施例，可見光吸收層包括二極體。
按照實施例，可見光吸收層包括矽或鍺。
本文所公開的是一種包括上述輻射檢測器以及輻射源的系統，其中該系統配置成對人體胸腔或腹部執行輻射射線照相。
本文所公開的是一種包括上述輻射檢測器以及輻射源的系統，其中該系統配置成對人體口腔和牙齒執行輻射射線照相。
本文所公開的是一種貨物掃描或者非侵入式檢查(NII)系統，包括上述輻射檢測器以及輻射源，其中貨物掃描或者非侵入式檢查(NII)系統配置成使用後向散射輻射來形成圖像。
本文所公開的是一種貨物掃描或者非侵入式檢查(NII)系統，包括上述輻射檢測器以及輻射源，其中貨物掃描或者非侵入式檢查(NII)系統配置成使用經過被檢查對象所透射的輻射來形成圖像。
本文所公開的是一種全身掃描器系統，包括上述輻射檢測器以及輻射源。
本文所公開的是一種輻射計算機斷層掃描(X射線CT)系統，包括上述輻射檢測器以及輻射源。
本文所公開的是一種電子顯微鏡，包括上述設備、電子源以及電子光學系統。
100‧‧‧輻射檢測器
105‧‧‧量子點層
110‧‧‧可見光吸收層
111‧‧‧第一摻雜區
112‧‧‧本征區
113‧‧‧第二摻雜區
114‧‧‧分立區
119A‧‧‧電氣觸點
119B‧‧‧電氣觸點
120‧‧‧電子層
121‧‧‧電子系統
130‧‧‧填充材料
131‧‧‧通孔
150‧‧‧像素
300‧‧‧二極體
301‧‧‧第一電壓比較器
302‧‧‧第二電壓比較器
305‧‧‧開關
306‧‧‧伏特計
309‧‧‧電容器模組
310‧‧‧控制器
320‧‧‧計數器
1201‧‧‧脈衝輻射源
1202‧‧‧對象
1301‧‧‧脈衝輻射源
1302‧‧‧對象
1401‧‧‧脈衝輻射源
1402‧‧‧對象
1501‧‧‧脈衝輻射源
1502‧‧‧行李
1601‧‧‧脈衝輻射源
1602‧‧‧人體
1701‧‧‧脈衝輻射源
1801‧‧‧電子源
1802‧‧‧樣本
1803‧‧‧電子光系統
RST‧‧‧復位期
t0、t1、t2、te、tr、ts、tm‧‧‧時間
TD1‧‧‧時間延遲
V1‧‧‧第一閾值
V2‧‧‧第二閾值
圖1A示意示出按照實施例的輻射檢測器的截面圖。
圖1B示意示出輻射檢測器的詳細截面圖。
圖1C示意示出輻射檢測器的備選詳細截面圖。
圖2示出按照實施例、圖1A中的檢測器的一部分的示範頂視圖。
圖3A和圖3B各示意示出按照實施例的檢測器的電子系統的組件圖。
圖4示意示出入射到與電氣觸點關聯的像素上的可見光的脈衝所生成的載荷子所引起的流經電氣觸點的電流的時間變化(上曲線)以及電氣觸點的電壓的對應時間變化(下曲線)。
圖5-圖11各示意示出包括本文所述輻射檢測器的系統。
圖1A示意示出按照實施例的輻射檢測器100的截面圖。輻射檢測器100可包括量子點層105、可見光吸收層110和電子層120(例如ASIC)，以用於處理或分析可見光吸收層110中生成的電信號。量子點層105可包括多個量子點，例如從由碘化鉛(PbI)量子點、CdZnTe(CZT)量子點、碘化銫(CsI)量子點、鍺酸鉍(BGO)量子點、鎢酸鎘CdWO4量 子點、鎢酸鈣(CaWO4)量子點、硫氧化釓(Gd2O2S)量子點、鈰摻雜溴化鑭(LaBr3(Ce))量子點、鈰摻雜氯化鑭(LaCl3(Ce))量子點、鎢酸鉛(PbWO4)量子點、矽酸鑥(Lu2SiO5 or LSO)量子點、Lu1.8Y0.2SiO5(Ce)(LYSO)量子點、鉈摻雜碘化鈉(NaI(Tl))量子點、釔鋁石榴石(YAG(Ce))量子點、硫化鋅(ZnS(Ag))量子點和鎢酸鋅(ZnWO4)量子點。量子點層105可在吸收入射到其上的輻射微粒時發射可見光的脈衝。可見光吸收層110可包括半導體材料，例如矽、鍺或者其組合。半導體材料可對於從量子點層105所發射的可見光具有高質量衰減係數。
如圖1B中的輻射檢測器100的詳細截面圖所示，按照實施例，量子點層105可包括分散在矩陣中的許多量子點。量子點層105可在量子點層105吸收入射到其上的輻射微粒時發射可見光的脈衝。用於可見光的脈衝的發射的機制的一個示例是螢光。輻射微粒可以是X射線光子。從量子點層105所發射的可見光的脈衝可定向到可見光吸收層110。可見光吸收層110可包括一個或多個二極體(例如p-i-n或p-n)，其通過第一摻雜區111以及第二摻雜區113的一個或多個分立區114所形成。第二摻雜區113可通過可選本征區112與第一摻雜區111分隔。分立部分114通過第一摻雜區111或本征區112相互分隔。第一摻雜區111和第二摻雜區113具有相反類型的摻雜(例如，區域111為p型，而區域113為n型，或者區域111為n型，而區域113為p型)。在圖1B的示例中，第二摻雜區113的分立區114的每個形成具有第一摻雜區111和可選本征區112的二極體。即，在圖1B的示例中，可見光吸收層110具有多個二極體，其具有作為共用電極的第一摻雜區111。第一摻雜區111還可具有分立部分。
當來自量子點層105的可見光的脈衝照射可見光吸收層110(其包括二極體)時，可見光可被吸收，並且通過多個機制來生成一個或多個載荷子。可見光的脈衝可生成1至100000個載荷子。載荷子可在電場下漂移到二極體之一的電極。該電場可以是外部電場。電氣觸點119B可包括分立部分，其每個與分立區114進行電接觸。在實施例中，載荷子可沿方向漂移，使得可見光的單個脈衝所生成的載荷子基本上沒有由兩個不同分立區114所共用(“基本上沒有共用”在這裏表示這些載荷子的不到2%、不到0.5%、不到0.1%或者不到0.01%流動到分立區114中與載荷子的其餘部分不同的分立區114)。與分立區114關聯的像素150可以是分立區114周圍的一個區域，其中入射到其上的可見光的脈衝所生成的基本上全部(超過98%、超過99.5%、超過99.9%或者超過99.99%)載荷子流動到分立區114。即，這些載荷子的不到2%、不到1%、不到0.1%或者不到0.01流動到像素之外。
如圖1C的輻射檢測器100的備選詳細截面圖所示，按照實施例，可見光吸收層110可包括半導體材料(例如矽、鍺或者其組合)的電阻器，但是沒有包括二極體。半導體可對於從量子點層105所發射的可見光具有高質量衰減係數。
當來自量子點層105的可見光的脈衝照射可見光吸收層110(其包括電阻器，但沒有包括二極體)時，它可被吸收，並且通過多個機制來生成一個或多個載荷子。可見光的脈衝可生成1至100000個載荷子。載荷子可在電場下漂移到電氣觸點119A和119B。該電場可以是外部電場。電氣觸點119B包括分立部分。在實施例中，載荷子可沿多個方向漂移，使得可見光的單個脈衝所生成的載荷子基本上沒有由電氣觸 點119B的兩個不同分立部分所共用(“基本上沒有共用”在這裏表示這些載荷子的不到2%、不到0.5%、不到0.1%或者不到0.01%流動到分立部分中與載荷子的其餘部分不同的分立部分)。與電氣觸點119B的分立部分關聯的像素150可以是分立部分周圍的一個區域，其中入射到其上的可見光的脈衝所生成的基本上全部(超過98%、超過99.5%、超過99.9%或者超過99.99%)載荷子流動到電氣觸點119B的分立部分。即，這些載荷子的不到2%、不到0.5%、不到0.1%或者不到0.01流動到與電氣觸點119B的一個分立部分關聯的像素之外。
電子層120可包括電子系統121，其適合於處理或解釋入射到可見光吸收層110上的可見光的脈衝所生成的電信號。按照實施例，電子系統121配置成通過對於從量子點層105所發射的可見光的脈衝數量進行計數對量子點層105所吸收的輻射微粒的數量進行計數。電子系統121可包括模擬電路(例如濾波器網路、放大器、積分器和比較器)或者數字電路(例如微處理器和記憶體)。電子系統121可包括像素所共用的組件或者專用於單個像素的組件。例如，電子系統121可包括專用於每個像素的放大器以及在全部像素之間共用的微處理器。電子系統121可通過通孔131電連接到電氣觸點119B。通孔之間的空間可填充有填充材料130，其可增加電子層120到可見光吸收層110的連接的機械穩定性。將電子系統121連接到像素而沒有使用通孔的其他接合技術是可能的。
圖2示意示出按照實施例、輻射檢測器100中的像素150可按照陣列來佈置。陣列可以是矩形陣列、蜂窩陣列、六邊形陣列或者任何其他適當陣列。可測量每個像素150中入射的可見光的脈衝的特性(例 如強度)。例如，在某個時間週期之內入射到每個像素150上的可見光的脈衝的數量可被計數。在同一時間週期之內入射到全部像素150上的可見光的脈衝的數量可被計數。模數轉換器(ADC)可配置成數字化表示入射到每個像素150上的可見光的脈衝的特性的模擬信號。像素150可配置成並行地操作。例如，當一個像素150具有入射到其上的可見光的脈衝時，另一個像素150可以具有或者可以沒有入射到其上的可見光的脈衝。像素150可以不必是單獨可尋址的。在示例中，像素150包括光電二極體，其配置成檢測來自量子點層105的可見光的脈衝。光電二極體可前照、側照或背照。
輻射檢測器100可具有至少100、2500、10000或者更多像素150。
圖3A和圖3B各示出按照實施例的電子系統121的組件圖。電子系統121可包括第一電壓比較器301、第二電壓比較器302、計數器320、開關305、伏特計306和控制器310。
第一電壓比較器301配置成將電氣觸點119B的電壓與第一閾值進行比較。第一電壓比較器301可配置成直接監測電壓，或者通過對某個時間週期對流經電氣觸點的電流求積分來計算電壓。第一電壓比較器301可由控制器310可控地啟動或停用。第一電壓比較器301可以是連續比較器。即，第一電壓比較器301可配置成連續被啟動，並且連續監測電壓。配置為連續比較器的第一電壓比較器301降低系統121缺失可見光的脈衝所生成的信號的機會。第一電壓比較器301可以是定時比較器，其具有更低功率消耗的有益效果。第一閾值可以是可見光的單個脈衝可對電氣觸點所生成的電壓的5-10%、10%-20%、20-30%、30-40%或40-50%。最大電壓可取決於可見光的脈衝的能量、 可見光吸收層110的材料和其他因素。例如，第一閾值可以是50mV、100mV、150mV或200mV。
第二電壓比較器302配置成將電壓與第二閾值進行比較。第二電壓比較器302可配置成直接監測電壓，或者通過對某個時間週期對流經二極體或電氣觸點的電流求積分來計算電壓。第二電壓比較器302可由控制器310可控地啟動或停用。當停用第二電壓比較器302時，第二電壓比較器302的功率消耗可小於啟動第二電壓比較器302時的功率消耗的1%、5%、10%或20%。第二閾值的絕對值大於第一閾值的絕對值。如本文所使用的術語實數x的“絕對值”或“模量” |x|是x的非負值，而不考慮其符號。即，。 第二閾值可以是第一閾值的200%-300%。第二閾值可以是可見光的一個脈衝可對電氣觸點119B所生成的最大電壓的至少50%。例如，第二閾值可以是100mV、150mV、200mV、250mV或300mV。第二電壓比較器302和第一電壓比較器301可以是同一組件。即，系統121可具有一個電壓比較器，其能夠在不同時間將電壓與兩個不同閾值進行比較。
第一電壓比較器301或者第二電壓比較器302可包括一個或多個op-amp或者任何其他適當電路。
計數器320配置成記錄到達像素的可見光的脈衝的數量。計數器320可以是軟體組件(例如電腦記憶體中存儲的數值)或硬體組件(例如4017 IC和7490 IC)。
控制器310可以是硬體組件，例如微控制器或者微處理器。控制器310配置成從第一電壓比較器301確定電壓的絕對值等於或超過第一閾值的絕對值(例如，電壓的絕對值從低於第一閾值的絕對值增加到等於或高於第一閾值的絕對值的值)的時間開始時間延遲。在這裏使用絕對值，因為電壓可以為負或正，這取決於是二極體的陰極還是陽極的電壓或者使用哪一個電氣觸點。控制器310可配置成在第一電壓比較器301確定電壓的絕對值等於或超過第一閾值的絕對值的時間之前保持停用第一電壓比較器301的操作不要求的計數器320和任何其他電路。時間延遲可在電壓變穩定、即電壓的變化率基本上為零之前或之後到期。詞語“電壓的變化率基本上為零”表示電壓的時間變化小於0.1%/ns。詞語“電壓的變化率基本上為非零”表示電壓的時間變化至少為0.1%/ns。
控制器310可配置成在該時間延遲期間(包括開始和到期)啟動第二電壓比較器。在實施例中，控制器310配置成在時間延遲開始時啟動第二電壓比較器。術語“啟動組件”表示使組件進入操作狀態(例如通過發送諸如電壓脈衝或邏輯電平之類的信號、通過提供電力等)。術語“停用組件”表示使組件進入非操作狀態(例如通過發送諸如電壓脈衝或邏輯電平之類的信號、通過切斷電力等)。操作狀態可具有比非操作狀態要高的功率消耗(例如高10倍、高100倍、高1000倍)。控制器310本身可停用，直到第一電壓比較器301的輸出在電壓的絕對值等於或超過第一閾值的絕對值時啟動控制器310。
控制器310可配置成在時間延遲期間、第二電壓比較器302確定電壓的絕對值等於或超過第二閾值的絕對值時，使計數器320所記錄的數量增加一。
控制器310可配置成在時間延遲到期時使伏特計306測量電壓。控制器310可配置成將電氣觸點連接到電接地，以便重置電壓，並且排放電氣觸點上累積的任何載荷子。在實施例中，電氣觸點在時間延遲到期之後連接到電接地。在實施例中，電氣觸點對有限重置時間週期連接到電接地。控制器310可通過控制開關305將電氣觸點連接到電接地。開關可以是電晶體(例如場效應電晶體(FET))。
在實施例中，系統121沒有模擬濾波器網路(例如RC網路)。在實施例中，系統121沒有模擬電路。
伏特計306可將所測量的電壓作為模擬或數字信號來饋送給控制器310。
系統121可包括電容器模組309，其電連接到二極體300的電極或者電氣觸點，其中電容器模組配置成收集來自電氣觸點的載荷子。電容器模組能夠包括放大器的回饋路徑中的電容器。這樣配置的放大器稱作電容互阻抗放大器(CTIA)。CTIA通過阻止放大器飽和而具有高動態範圍，並且通過限制信號路徑中的帶寬來改進信噪比。來自電極或電氣觸點的載荷子對某個時間週期(“積分週期”)(例如，如圖4所示，在t0與t1之間)在電容器上累積。在積分週期已經到期之後，電容器電壓被取樣，並且然後通過複位開關來複位。電容器模組能夠包括直接連接到電極或電氣觸點的電容器。
圖4示意示出入射到與電氣觸點119B關聯的像素150上的可見光的脈衝所生成的載荷子所引起的流經電氣觸點119B的電流的時間變化(上曲線)以及電氣觸點119B的電壓的對應時間變化(下曲線)。電壓可以是電流相對時間的積分。在時間t0，輻射微粒照射檢測器，可見光的脈衝通過量子點層105發出；可見光的脈衝在可見光吸收層110的像素150來吸收；載荷子開始在像素150中生成；電流開始流經電氣觸點119B；以及電氣觸點119B的電壓的絕對值開始增加。在時間t1，第一電壓比較器301確定電壓的絕對值等於或超過第一閾值V1的絕對值，以及控制器310開始時間延遲TD1，並且控制器310可在TD1開始時停用第一電壓比較器301。如果在t1之前停用控制器310，則在t1啟動控制器310。在TD1期間，控制器310啟動第二電壓比較器302。如這裏所使用的術語在時間延遲“期間”表示開始和到期(即，結束)以及它們之間的任何時間。例如，控制器310可在TD1到期時啟動第二電壓比較器302。如果在TD1期間，第二電壓比較器302確定電壓的絕對值在時間t2等於或超過第二閾值的絕對值，則控制器310等待電壓的穩定開始穩定。當可見光的脈衝所生成的全部載荷子漂移出可見光吸收層110時，電壓在時間te穩定。在時間ts，時間延遲TD1到期。在時間te或者之後，控制器310可配置成在時間延遲TD1到期時使伏特計306測量電壓。在實施例中，控制器310在電壓的變化率在時間延遲TD1到期後變成基本上為零之後使伏特計306測量電壓。在這個時刻的電壓與可見光的脈衝所生成的載荷子量成比例，其涉及輻射微粒的能量。控制器310可配置成基於伏特計306所測量的電壓來確定輻射微粒的能量。確定能量的一種方式是通過對電壓分箱來確 定能量。計數器320可具有每格的子計數器。當控制器310確定X射線光子的能量落入格中時，控制器310可使那一格的子計數器所記錄的數量增加一。
在TD1到期之後，控制器310對複位週期RST將電極連接到電接地，以允許電極上累積的載荷子流動到接地，並且重置電壓。在RST之後，系統121準備好檢測另一個入射X射線光子。
圖5示意示出包括本文所述輻射檢測器100的系統。該系統可用於醫療成像，例如胸腔X射線照相、腹部X射線照相等。該系統包括脈衝輻射源1201，其發射輻射。從脈衝輻射源1201所發射的輻射穿透對象1202(例如，人體部位，例如胸腔、肢體、腹部)，通過對象1202的內部結構(例如骨骼、肌肉、脂肪和器官等)不同程度地被衰減，並且投射到輻射檢測器100。輻射檢測器100通過檢測輻射的強度分佈來形成圖像。
圖6示意示出包括本文所述輻射檢測器100的系統。該系統可用於醫療成像，例如牙科X射線照相。該系統包括脈衝輻射源1301，其發射輻射。從脈衝輻射源1301所發射的輻射穿透對象1302，其是哺乳動物(例如人類)口腔的部分。對象1302可包括上頜骨、齶骨、牙齒、下頜骨或舌頭。輻射通過對象1302的不同結構不同程度地被衰減，並且投射到輻射檢測器100。輻射檢測器100通過檢測輻射的強度分佈來形成圖像。牙齒比蛀牙、感染、牙周膜要更多地吸收輻射。由牙科患者所接收的輻射的劑量通常較小(對全口系列為大約0.150mSv)。
圖7示意示出包括本文所述輻射檢測器100的貨物掃描或者非侵入式檢查(NII)系統。該系統可用於檢查和識別運輸系統(例如集裝箱、 車輛、船舶、行李等)中的商品。該系統包括脈衝輻射源1401。從脈衝輻射源1401所發射的輻射可從對象1402(例如集裝箱、車輛、船舶等)後向散射，並且投射到輻射檢測器100。對象1402的不同內部結構可不同地後向散射輻射。輻射檢測器100通過檢測後向散射輻射的強度分佈和/或後向散射輻射的能量來形成圖像。
圖8示意示出包括本文所述輻射檢測器100的另一個貨物掃描或者非侵入式檢查(NII)系統。該系統可用於公共交通車站和機場的行李檢查。該系統包括脈衝輻射源1501，其發射輻射。從脈衝輻射源1501所發射的輻射可穿透一件行李1502，通過行李的內容以不同方式衰減，並且投射到輻射檢測器100。輻射檢測器100通過檢測透射輻射的強度分佈來形成圖像。該系統可展現行李的內容，並且識別對公共交通所禁止的商品(例如火器、麻醉劑、銳器、易燃品)。
圖9示意示出包括本文所述輻射檢測器100的全身掃描器系統。全身掃描器系統可為了安檢而檢測人體上的對象，而無需物理上移開服裝或進行物理接觸。該全身掃描器系統可以能夠檢測非金屬對象。該全身掃描器系統包括脈衝輻射源1601。從脈衝輻射源1601所發射的輻射可從被檢查人體1602和其上的對象後向散射，並且投射到輻射檢測器100。對象和人體可不同地後向散射輻射。輻射檢測器100通過檢測後向散射輻射的強度分佈來形成圖像。輻射檢測器100和脈衝輻射源1601可配置成沿線性或旋轉方向來掃描人體。
圖10示意示出輻射計算機斷層掃描(輻射CT)系統。輻射CT系統使用電腦處理輻射來產生被掃描對象的特定區域的斷層掃描圖像(虛擬“層面”)。斷層掃描圖像可用於各種醫學學科中的診斷和治療目的 或者用於瑕疵檢測、故障分析、度量衡、組合件分析和逆向工程。輻射CT系統包括本文所述的輻射檢測器100以及發射輻射的脈衝輻射源1701。輻射檢測器100和脈衝輻射源1701可配置成沿一個或多個圓形或螺旋路徑同步地旋轉。
圖11示意示出電子顯微鏡。電子顯微鏡包括電子源1801(又稱作電子槍)，其配置成發射電子。電子源1801可具有各種發射機構，例如熱離子、光電陰極、冷發射或等離子體源。所發射電子經過電子光系統1803，其可配置成對電子進行整形、加速或聚焦。電子然後到達樣本1802，並且圖像檢測器可從其中形成圖像。電子顯微鏡可包括本文所述的輻射檢測器100，以用於執行能量擴散輻射光譜(EDS)。EDS是用於樣本的元素分析或化學表徵的分析技術。當電子入射到樣本時，它們引起特性輻射從樣本的發射。入射電子可激發樣本的原子的內核層中的電子，從而在創建電子所在的電子空穴的同時將它從殼層中逐出。來自更高能量外殼層的電子然後填充空穴，並且更高能量殼層與更低能量殼層之間的能量的差可採取輻射形式來釋放。從樣本所發射的輻射的數量和能量能夠由輻射檢測器100來測量。
雖然本文公開了各個方面和實施例，但是其他方面和實施例將是本領域的技術人員清楚知道的。本文所公開的各個方面和實施例是為了便於說明而不是要進行限制，其中真實範圍和精神通過以下權利要求書來指示。

Claims (24)

  1. 一種輻射檢測器，包括：量子點層，配置成在吸收輻射微粒時發射可見光的脈衝；電子系統，配置成通過檢測所述可見光的脈衝來檢測所述輻射微粒。
  2. 如申請專利範圍第1項之輻射檢測器，其中，所述量子點從由碘化鉛(PbI)量子點、CdZnTe(CZT)量子點、碘化銫(CsI)量子點、鍺酸鉍(BGO)量子點、鎢酸鎘CdWO4量子點、鎢酸鈣(CaWO4)量子點、硫氧化釓(Gd2O2S)量子點、鈰摻雜溴化鑭(LaBr3(Ce))量子點、鈰摻雜氯化鑭(LaCl3(Ce))量子點、鎢酸鉛(PbWO4)量子點、矽酸鑥(Lu2SiO5 or LSO)量子點、Lu1.8Y0.2SiO5(Ce)(LYSO)量子點、鉈摻雜碘化鈉(NaI(Tl))量子點、釔鋁石榴石(YAG(Ce))量子點、硫化鋅(ZnS(Ag))量子點、鎢酸鋅(ZnWO4)量子點及其組合所組成的組中選取。
  3. 如申請專利範圍第1項之輻射檢測器，還包括可見光吸收層，其配置成在吸收所述可見光的脈衝時生成電信號；其中所述電子系統配置成基於所述電信號來檢測所述可見光的脈衝。
  4. 如申請專利範圍第1項之輻射檢測器，其中，所述電子系統配置成通過對可見光的脈衝數量進行計數對所述量子點層所吸收的輻射微粒的數量進行計數。
  5. 如申請專利範圍第1項之輻射檢測器，其中，所述電子系統包括多個像素，其各自配置成檢測所述可見光的脈衝。
  6. 如申請專利範圍第5項之輻射檢測器，其中，所述電子系統包括計數器，其配置成對所述多個像素的像素所接收的可見光的脈衝數量進行計數。
  7. 如申請專利範圍第5項之輻射檢測器，其中，所述像素配置成並行地操作。
  8. 如申請專利範圍第3項之輻射檢測器，其中，所述電子系統包括模數轉換器(ADC)，其配置成數字化所述電信號。
  9. 如申請專利範圍第8項之輻射檢測器，其中，所述ADC是逐次近似寄存器(SAR)ADC。
  10. 如申請專利範圍第1項之輻射檢測器，其中，所述輻射微粒是X射線光子。
  11. 如申請專利範圍第3項之輻射檢測器，其中，所述可見光吸收層包括電氣觸點；其中所述電子系統包括：第一電壓比較器，配置成將所述電氣觸點的電壓與第一閾值進行比較；第二電壓比較器，配置成將所述電壓與第二閾值進行比較；計數器，配置成記錄所述可見光吸收層所接收的可見光的脈衝的數量；控制器；其中所述控制器配置成從所述電壓比較器確定所述電壓的絕對值等於或超過所述第一閾值的絕對值的時間開始時間延遲；所述控制器配置成在所述時間延遲期間啟動所述第二電壓比較器；所述控制器配置成在所述第二電壓比較器關於所述電壓的絕對值等於或超過所述第二閾值的絕對值的確定時，使所述計數器所記錄的所述數量增加一。
  12. 如申請專利範圍第11項之輻射檢測器，還包括電容器模組，其電連接到所述電氣觸點，其中所述電容器模組配置成收集來自所述電氣觸點的載荷子。
  13. 如申請專利範圍第11項之輻射檢測器，其中，所述控制器配置成在所述時間延遲開始或到期時啟動所述第二電壓比較器。
  14. 如申請專利範圍第11項之輻射檢測器，其中，所述控制器配置成將所述電氣觸點連接到電接地。
  15. 如申請專利範圍第11項之輻射檢測器，其中，所述電壓的變化率在所述時間延遲到期時基本上為零。
  16. 如申請專利範圍第11項之輻射檢測器，其中，所述可見光吸收層包括二極體。
  17. 如申請專利範圍第11項之輻射檢測器，其中，所述可見光吸收層包括矽或鍺。
  18. 一種包括如申請專利範圍第1-17項任一項之輻射檢測器以及輻射源的系統，其中，所述系統配置成對人體胸腔或腹部執行輻射射線照相。
  19. 一種包括如申請專利範圍第1-17項任一項之輻射檢測器以及輻射源的系統，其中，所述系統配置成對人體口腔或牙齒執行輻射射線照相。
  20. 一種貨物掃描或者非侵入式檢查(NII)系統，包括如申請專利範圍第1-17項任一項之輻射檢測器以及輻射源，其中所述貨物掃描或者非侵入式檢查(NII)系統配置成使用後向散射輻射來形成圖像。
  21. 一種貨物掃描或者非侵入式檢查(NII)系統，包括如申請專利範圍第1-17項任一項之輻射檢測器以及輻射源，其中所述貨物掃描或者非侵入式檢查(NII)系統配置成使用經過被檢查對象所透射的輻射來形成圖像。
  22. 一種包括如申請專利範圍第1-17項任一項之輻射檢測器以及輻射源的全身掃描器系統。
  23. 一種包括如申請專利範圍第1-17項任一項之輻射檢測器以及輻射源的電腦斷層掃描(輻射CT)系統。
  24. 一種包括如申請專利範圍第1-17項任一項之輻射檢測器以及電子源和電子光學系統的電子顯微鏡。
TW108101684A 2018-01-25 2019-01-16 具有量子點閃爍器的輻射檢測器 TWI811286B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2018/074150 WO2019144344A1 (en) 2018-01-25 2018-01-25 Radiation detector with quantum dot scintillator
??PCT/CN2018/074150 2018-01-25
WOPCT/CN2018/074150 2018-01-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201932874A true TW201932874A (zh) 2019-08-16
TWI811286B TWI811286B (zh) 2023-08-11

Family

ID=67394469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108101684A TWI811286B (zh) 2018-01-25 2019-01-16 具有量子點閃爍器的輻射檢測器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11417791B2 (zh)
EP (1) EP3743741A4 (zh)
CN (1) CN111656224B (zh)
TW (1) TWI811286B (zh)
WO (1) WO2019144344A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020173681A1 (en) * 2019-02-26 2020-09-03 Asml Netherlands B.V. Charged particle detector with gain element
US11610757B2 (en) * 2019-08-28 2023-03-21 Kla Corporation Sensor module for scanning electron microscopy applications
CN110687583B (zh) * 2019-11-05 2021-04-13 中国计量科学研究院 一种基于czt探测器的位置能量时间测试系统及装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070085010A1 (en) * 2005-06-14 2007-04-19 The Regents Of The University Of California Scintillator with a matrix material body carrying nano-material scintillator media
DE102006017291B4 (de) * 2006-02-01 2017-05-24 Paul Scherer Institut Fokus/Detektor-System einer Röntgenapparatur zur Erzeugung von Phasenkontrastaufnahmen, Röntgensystem mit einem solchen Fokus/Detektor-System sowie zugehöriges Speichermedium und Verfahren
GB2447054B (en) * 2007-02-27 2011-05-18 Toshiba Res Europ Ltd A photon detector
JP5670739B2 (ja) * 2007-12-20 2015-02-18 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 放射線感知型の検出器アレー及び放射線を感知する方法
DE102008029782A1 (de) * 2008-06-25 2012-03-01 Siemens Aktiengesellschaft Photodetektor und Verfahren zur Herstellung dazu
US9151668B1 (en) * 2011-01-12 2015-10-06 Radiation Monitoring Devices, Inc. Quantum dot radiation detection, systems and methods
US9279894B2 (en) * 2011-02-09 2016-03-08 Lawrence Livermore National Security, Llc Systems and methods for neutron detection using scintillator nano-materials
US9279891B2 (en) * 2011-03-29 2016-03-08 Georgia Tech Research Corporation Transparent glass scintillators, methods of making same and devices using same
DE102013226365A1 (de) * 2013-12-18 2015-06-18 Siemens Aktiengesellschaft Hybrid-organischer Röntgendetektor mit leitfähigen Kanälen
EP3197981A1 (en) * 2014-09-23 2017-08-02 Philips Lighting Holding B.V. Encapsulated materials in porous particles
US9651682B2 (en) * 2015-02-09 2017-05-16 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Device and method of scintillating quantum dots for radiation imaging
EP3281040B1 (en) * 2015-04-07 2021-11-24 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Semiconductor x-ray detector
EP3281039B1 (en) * 2015-04-07 2020-03-11 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Semiconductor x-ray detector
SG11201707510RA (en) * 2015-04-07 2017-10-30 Shenzhen Xpectvision Tech Co Ltd Methods of making semiconductor x-ray detector
CN107615095B (zh) * 2015-06-10 2020-04-14 深圳帧观德芯科技有限公司 用于x射线萤光的检测器
US10527739B2 (en) * 2015-08-07 2020-01-07 Koninklijke Philips N.V. Quantum dot based imaging detector
CN106206636B (zh) * 2016-08-16 2019-05-03 京东方科技集团股份有限公司 一种x射线探测面板及其制备方法
CN107356954A (zh) * 2017-06-26 2017-11-17 同济大学 一种具有方向性发光的光子晶体闪烁体器件

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019144344A1 (en) 2019-08-01
US20200335653A1 (en) 2020-10-22
EP3743741A1 (en) 2020-12-02
US11417791B2 (en) 2022-08-16
CN111656224B (zh) 2024-06-18
TWI811286B (zh) 2023-08-11
EP3743741A4 (en) 2021-08-04
CN111656224A (zh) 2020-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6385591B2 (ja) 半導体ｘ線検出器
TWI802553B (zh) Ｘ射線成像系統、ｘ射線系統、貨物掃描或非侵入性檢查（ｎｉｉ）系統、全身掃描儀系統、ｘ射線計算斷層攝影（ｘ射線ｃｔ）系統、電子顯微鏡及ｘ射線成像方法
TWI757354B (zh) 輻射檢測器中的暗雜訊補償
US20210172887A1 (en) Imaging method
US12011308B2 (en) Imaging system
WO2020047831A1 (en) An image sensor having radiation detectors of different orientations
US20210325319A1 (en) Imaging system having radiation detectors of different orientations
US11417791B2 (en) Radiation detector with quantum dot scintillator
US20210321962A1 (en) Image sensor having radiation detectors of different orientations
CN110892292B (zh) 辐射检测器和用于从该辐射检测器输出数据的方法
US20230258832A1 (en) Methods and systems for forming images with radiation
US20220128715A1 (en) Radiation detector with quantum dot scintillators
WO2018090162A1 (en) Imaging system configured to statistically determine charge sharing
TWI840416B (zh) 輻射成像的方法和系統及電腦程式產品
WO2024124397A1 (en) Semiconductor x-ray detector
WO2020142975A1 (en) Semiconductor radiation detector