CN111656224A - 具有量子点闪烁器的辐射检测器 - Google Patents

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Abstract

本文所公开的是一种辐射检测器(100)，其包括：量子点层(105)，配置成在吸收辐射粒子时发射可见光的脉冲；电子系统(121)，配置成通过检测可见光的脉冲来检测辐射粒子。

Description

具有量子点闪烁器的辐射检测器
【技术领域】
本公开涉及辐射检测器，具体来说涉及包括量子点闪烁器的辐射检测器。
【背景技术】
辐射检测器是测量辐射的性质的装置。性质的示例可包括辐射的强度、相位和极化的空间分布。辐射可以是与受检者进行交互的辐射。例如，由辐射检测器所测量的辐射可以是穿透受检者或者从受检者反射的辐射。辐射可以是电磁辐射，例如红外光、可见光、紫外光、X射线或γ射线。辐射可属于其他类型，例如α射线和β射线。
一种类型的辐射检测器使用闪烁器。闪烁器与图像增强器有点相似地进行操作，因为闪烁器(例如碘化钠)吸收入射到检测器上的辐射(例如X射线)，并且发射不同辐射(例如可见光)，其然后能够由适当传感器来检测。由于材料特性，传统闪烁器可具有低光转换效率和较慢转换速度，这限制在要求大成像面积和快速辐射响应的辐射和X射线成像中的应用。
【发明内容】
本文所公开的是一种辐射检测器，其包括：量子点层，配置成在吸收辐射粒子时发射可见光的脉冲；电子系统，配置成通过检测可见光的脉冲来检测辐射粒子。
按照实施例，量子点从由碘化铅(PbI)量子点、CdZnTe(CZT)量子点、碘化铯(CsI)量子点、锗酸铋(BGO)量子点、钨酸镉CdWO4量子点、钨酸钙(CaWO4)量子点、硫氧化钆(Gd2O2S)量子点、铈掺杂溴化镧(LaBr3(Ce))量子点、铈掺杂氯化镧(LaCl3(Ce))量子点、钨酸铅(PbWO4)量子点、硅酸镥(Lu2SiO5或LSO)量子点、Lu1.8Y0.2SiO5(Ce)(LYSO)量子点、铊掺杂碘化钠(NaI(Tl))量子点、钇铝石榴石(YAG(Ce))量子点、硫化锌(ZnS(Ag))量子点、钨酸锌(ZnWO4)量子点及其组合所组成的组中选取。
按照实施例，辐射检测器还包括可见光吸收层，其配置成在吸收可见光的脉冲时生成电信号；其中电子系统配置成基于电信号来检测可见光的脉冲。
按照实施例，电子系统配置成通过对可见光的脉冲数量进行计数对量子点层所吸收的辐射粒子的数量进行计数。
按照实施例，电子系统包括多个像素，其各自配置成检测可见光的脉冲。
按照实施例，电子系统包括计数器，其配置成对多个像素的像素所接收的可见光的脉冲数量进行计数。
按照实施例，像素配置成并行地操作。
按照实施例，ADC是逐次近似寄存器(SAR)ADC。
按照实施例，辐射粒子是X射线光子。
按照实施例，所述可见光吸收层包括电触点；其中电子系统包括：第一电压比较器，配置成将电触点的电压与第一阈值进行比较；第二电压比较器，配置成将电压与第二阈值进行比较；计数器，配置成记录可见光吸收层所接收的可见光的脉冲的数量；控制器；其中，控制器配置成从第一电压比较器确定电压的绝对值等于或超过第一阈值的绝对值的时间开始时间延迟；控制器配置成在该时间延迟期间启动第二电压比较器；控制器配置成在第二电压比较器确定电压的绝对值等于或超过第二阈值的绝对值时使计数器所记录的数量增加一。
按照实施例，辐射检测器还包括电容器模块，其电连接到电触点，其中电容器模块配置成收集来自电触点的载流子。
按照实施例，控制器配置成在时间延迟开始或到期时启动第二电压比较器。
按照实施例，控制器配置成将电触点连接到电接地。
按照实施例，电压的变化率在时间延迟到期时基本上为零。
按照实施例，可见光吸收层包括二极管。
按照实施例，可见光吸收层包括硅或锗。
本文所公开的是一种包括上述辐射检测器以及辐射源的系统，其中该系统配置成对人体胸腔或腹部执行辐射射线照相。
本文所公开的是一种包括上述辐射检测器以及辐射源的系统，其中该系统配置成对人体口腔和牙齿执行辐射射线照相。
本文所公开的是一种货物扫描或者非侵入式检查(NII)系统，包括上述辐射检测器以及辐射源，其中货物扫描或者非侵入式检查(NII)系统配置成使用背散射辐射来形成图像。
本文所公开的是一种货物扫描或者非侵入式检查(NII)系统，包括上述辐射检测器以及辐射源，其中货物扫描或者非侵入式检查(NII)系统配置成使用经过被检查对象所透射的辐射来形成图像。
本文所公开的是一种全身扫描仪系统，包括上述辐射检测器以及辐射源。
本文所公开的是一种辐射计算机断层扫描(X射线CT)系统，包括上述辐射检测器以及辐射源。
本文所公开的是一种电子显微镜，包括上述设备、电子源以及电子光学系统。
【附图说明】
图1A示意示出按照实施例的辐射检测器的截面图。
图1B示意示出辐射检测器的详细截面图。
图1C示意示出辐射检测器的备选详细截面图。
图2示出按照实施例、图1A中的检测器的一部分的示范顶视图。
图3A和图3B各示意示出按照实施例的检测器的电子系统的组件图。
图4示意示出入射到与电触点关联的像素上的可见光的脉冲所生成的载流子所引起的流经电触点的电流的时间变化(上曲线)以及电触点的电压的对应时间变化(下曲线)。
图5-图11各示意示出包括本文所述辐射检测器的系统。
【具体实施方式】
图1A示意示出按照实施例的辐射检测器100的截面图。辐射检测器100可包括量子点层105、可见光吸收层110和电子层120(例如ASIC)，以用于处理或分析可见光吸收层110中生成的电信号。量子点层105可包括多个量子点，例如碘化铅(PbI)量子点、CdZnTe(CZT)量子点、碘化铯(CsI)量子点、锗酸铋(BGO)量子点、钨酸镉CdWO4量子点、钨酸钙(CaWO4)量子点、硫氧化钆(Gd2O2S)量子点、铈掺杂溴化镧(LaBr3(Ce))量子点、铈掺杂氯化镧(LaCl3(Ce))量子点、钨酸铅(PbWO4)量子点、硅酸镥(Lu2SiO5或LSO)量子点、Lu1.8Y0.2SiO5(Ce)(LYSO)量子点、铊掺杂碘化钠(NaI(Tl))量子点、钇铝石榴石(YAG(Ce))量子点、硫化锌(ZnS(Ag))量子点和钨酸锌(ZnWO4)量子点。量子点层105可在吸收入射到其上的辐射粒子时发射可见光的脉冲。可见光吸收层110可包括半导体材料，例如硅、锗或者其组合。半导体材料可对于从量子点层105所发射的可见光具有高质量衰减系数。
如图1B中的辐射检测器100的详细截面图所示，按照实施例，量子点层105可包括分散在矩阵中的许多量子点。量子点层105可在量子点层105吸收入射到其上的辐射粒子时发射可见光的脉冲。用于可见光的脉冲的发射的机制的一个示例是荧光。辐射粒子可以是X射线光子。从量子点层105所发射的可见光的脉冲可定向到可见光吸收层110。可见光吸收层110可包括一个或多个二极管(例如p-i-n或p-n)，其通过第一掺杂区111以及第二掺杂区113的一个或多个分立区114所形成。第二掺杂区113可通过可选本征区112与第一掺杂区111分隔。分立部分114通过第一掺杂区111或本征区112相互分隔。第一掺杂区111和第二掺杂区113具有相反类型的掺杂(例如，区域111为p型，而区域113为n型，或者区域111为n型，而区域113为p型)。在图1B的示例中，所述第二掺杂区113的分立区114的每个与所述第一掺杂区111以及所述可选本征区112形成二极管。即，在图1B的示例中，所述可见光吸收层110具有多个二极管，其具有作为共享电极的所述第一掺杂区111。所述第一掺杂区111还可具有分立部分。
当来自量子点层105的可见光的脉冲照射可见光吸收层110(其包括二极管)时，可见光可被吸收，并且通过多个机制来生成一个或多个载流子。可见光的脉冲可生成1至100000个载流子。载流子可在电场下漂移到二极管之一的电极。该电场可以是外部电场。电触点119B可包括分立部分，其每个与分立区114进行电接触。在实施例中，载流子可沿这样的方向漂移，使得可见光的单个脉冲所生成的载流子基本上没有由两个不同分立区114所共享(“基本上没有共享”在这里表示这些载流子的不到2％、不到0.5％、不到0.1％或者不到0.01％流动到分立区114中与载流子的其余部分不同的分立区114)。与分立区114关联的像素150可以是分立区114周围的一个区域，其中入射到其上的可见光的脉冲所生成的基本上全部(超过98％、超过99.5％、超过99.9％或者超过99.99％)载流子流动到分立区114。即，这些载流子的不到2％、不到1％、不到0.1％或者不到0.01％流动到像素之外。
如图1C的辐射检测器100的备选详细截面图所示，按照实施例，可见光吸收层110可包括半导体材料(例如硅、锗或者其组合)的电阻器，但是没有包括二极管。半导体可对于从量子点层105所发射的可见光具有高质量衰减系数。
当来自量子点层105的可见光的脉冲照射可见光吸收层110(其包括电阻器，但没有包括二极管)时，它可被吸收，并且通过多个机制来生成一个或多个载流子。可见光的脉冲可生成1至100000个载流子。载流子可在电场下漂移到电触点119A和119B。该电场可以是外部电场。电触点119B包括分立部分。在实施例中，载流子可沿多个方向漂移，使得可见光的单个脉冲所生成的载流子基本上没有由电触点119B的两个不同分立部分所共享(“基本上没有共享”在这里表示这些载流子的不到2％、不到0.5％、不到0.1％或者不到0.01％流动到分立部分中与载流子的其余部分不同的分立部分)。与电触点119B的分立部分关联的像素150可以是分立部分周围的一个区域，其中入射到其上的可见光的脉冲所生成的基本上全部(超过98％、超过99.5％、超过99.9％或者超过99.99％)载流子流动到电触点119B的分立部分。即，这些载流子的不到2％、不到0.5％、不到0.1％或者不到0.01％流动到与所述电触点119B的所述一个分立部分关联的像素之外。
电子层120可包括电子系统121，其适合于处理或解释入射到可见光吸收层110上的可见光的脉冲所生成的电信号。按照实施例，电子系统121配置成通过对于从量子点层105所发射的可见光的脉冲数量进行计数对量子点层105所吸收的辐射粒子的数量进行计数。电子系统121可包括模拟电路(例如滤波器网络、放大器、积分器和比较器)或者数字电路(例如微处理器和内存)。电子系统121可包括像素所共享的组件或者专用于单个像素的组件。例如，电子系统121可包括专用于每个像素的放大器以及在全部像素之间共享的微处理器。电子系统121可通过通孔131电连接到电触点119B。通孔之间的空间可填充有填充材料130，其可增加电子层120到可见光吸收层110的连接的机械稳定性。将电子系统121连接到像素而没有使用通孔的其他接合技术是可能的。
图2示意示出按照实施例、辐射检测器100中的像素150可按照阵列来布置。阵列可以是矩形阵列、蜂窝阵列、六边形阵列或者任何其他适当阵列。可测量每个像素150中入射的可见光的脉冲的特性(例如强度)。例如，在某个时间段之内入射到每个像素150上的可见光的脉冲的数量可被计数。在同一时间段之内入射到全部像素150上的可见光的脉冲的数量可被计数。模数转换器(ADC)可配置成数字化表示入射到每个像素150上的可见光的脉冲的特性的模拟信号。像素150可配置成并行地操作。例如，当一个像素150具有入射到其上的可见光的脉冲时，另一个像素150可以具有或者可以没有入射到其上的可见光的脉冲。像素150可以不必是单独可寻址的。在示例中，像素150包括光电二极管，其配置成检测来自量子点层105的可见光的脉冲。光电二极管可前照、侧照或背照。
辐射检测器100可具有至少100、2500、10000或者更多像素150。
图3A和图3B各示出按照实施例的电子系统121的组件图。电子系统121可包括第一电压比较器301、第二电压比较器302、计数器320、开关305、伏特计306和控制器310。
第一电压比较器301配置成将电触点119B的电压与第一阈值进行比较。第一电压比较器301可配置成直接监测电压，或者通过对某个时间段对流经电触点的电流求积分来计算电压。第一电压比较器301可由控制器310可控地启动或停用。第一电压比较器301可以是连续比较器。即，第一电压比较器301可配置成连续被启动，并且连续监测电压。配置为连续比较器的第一电压比较器301降低系统121错过可见光的脉冲所生成的信号的机会。第一电压比较器301可以是钟控比较器，其具有更低功率消耗的有益效果。第一阈值可以是可见光的单个脉冲可对电触点所生成的电压的5-10％、10％-20％、20-30％、30-40％或40-50％。最大电压可取决于可见光的脉冲的能量、可见光吸收层110的材料和其他因素。例如，第一阈值可以是50mV、100mV、150mV或200mV。
第二电压比较器302配置成将电压与第二阈值进行比较。第二电压比较器302可配置成直接监测电压，或者通过对某个时间段对流经二极管或电触点的电流求积分来计算电压。第二电压比较器302可由控制器310可控地启动或停用。当停用第二电压比较器302时，第二电压比较器302的功率消耗可小于启动第二电压比较器302时的功率消耗的1％、5％、10％或20％。第二阈值的绝对值大于第一阈值的绝对值。如本文所使用的术语实数x的“绝对值”或“模量”|x|是x的非负值，而不考虑其符号。即，
Figure BDA0002581514810000081
第二阈值可以是第一阈值的200％-300％。第二阈值可以是可见光的一个脉冲可对电触点119B所生成的最大电压的至少50％。例如，第二阈值可以是100mV、150mV、200mV、250mV或300mV。第二电压比较器302和第一电压比较器301可以是同一组件。即，系统121可具有一个电压比较器，其能够在不同时间将电压与两个不同阈值进行比较。
第一电压比较器301或者第二电压比较器302可包括一个或多个运算放大器或者任何其他适当电路。
计数器320配置成记录到达像素的可见光的脉冲的数量。计数器320可以是软件组件(例如计算机内存中存储的数值)或硬件组件(例如4017IC和7490IC)。
控制器310可以是硬件组件，例如微控制器或者微处理器。控制器310配置成从第一电压比较器301确定电压的绝对值等于或超过第一阈值的绝对值(例如，电压的绝对值从低于第一阈值的绝对值增加到等于或高于第一阈值的绝对值的值)的时间开始时间延迟。在这里使用绝对值，因为电压可以为负或正，这取决于是二极管的阴极还是阳极的电压或者使用哪一个电触点。控制器310可配置成在第一电压比较器301确定电压的绝对值等于或超过第一阈值的绝对值的时间之前保持停用第一电压比较器301的操作不要求的计数器320和任何其他电路。时间延迟可在电压变稳定、即电压的变化率基本上为零之前或之后到期。词语“电压的变化率基本上为零”表示电压的时间变化小于0.1％/ns。词语“电压的变化率基本上为非零”表示电压的时间变化至少为0.1％/ns。
控制器310可配置成在该时间延迟期间(包括开始和到期)启动第二电压比较器。在实施例中，控制器310配置成在时间延迟开始时启动第二电压比较器。术语“启动组件”表示使组件进入操作状态(例如通过发送诸如电压脉冲或逻辑电平之类的信号、通过提供电力等)。术语“停用组件”表示使组件进入非操作状态(例如通过发送诸如电压脉冲或逻辑电平之类的信号、通过切断电力等)。操作状态可具有比非操作状态要高的功率消耗(例如高10倍、高100倍、高1000倍)。控制器310本身可停用，直到第一电压比较器301的输出在电压的绝对值等于或超过第一阈值的绝对值时启动控制器310。
控制器310可配置成在时间延迟期间、第二电压比较器302确定电压的绝对值等于或超过第二阈值的绝对值时，使计数器320所记录的数量增加一。
控制器310可配置成在时间延迟到期时使伏特计306测量电压。控制器310可配置成将电触点连接到电接地，以便重置电压，并且排放电触点上累积的任何载流子。在实施例中，电触点在时间延迟到期之后连接到电接地。在实施例中，电触点连接到电接地有限重置时间段。控制器310可通过控制开关305将电触点连接到电接地。开关可以是晶体管(例如场效应晶体管(FET))。
在实施例中，系统121没有模拟滤波器网络(例如RC网络)。在实施例中，系统121没有模拟电路。
伏特计306可将所测量的电压作为模拟或数字信号来馈送给控制器310。
系统121可包括电容器模块309，其电连接到二极管300的电极或者电触点，其中电容器模块配置成收集来自电触点的载流子。电容器模块能够包括放大器的反馈路径中的电容器。这样配置的放大器称作电容互阻抗放大器(CTIA)。CTIA通过阻止放大器饱和而具有高动态范围，并且通过限制信号路径中的带宽来改进信噪比。来自电极或电触点的载流子对某个时间段(“积分周期”)(例如，如图4所示，在t0与t1之间)在电容器上累积。在积分周期已经到期之后，电容器电压被取样，并且然后通过复位开关来复位。电容器模块能够包括直接连接到电极或电触点的电容器。
图4示意示出入射到与电触点119B关联的像素150上的可见光的脉冲所生成的载流子所引起的流经电触点119B的电流的时间变化(上曲线)以及电触点119B的电压的对应时间变化(下曲线)。电压可以是电流相对时间的积分。在时间t0，辐射粒子照射检测器，可见光的脉冲通过量子点层105发出；可见光的脉冲在可见光吸收层110的像素150来吸收；载流子开始在像素150中生成；电流开始流经电触点119B；以及电触点119B的电压的绝对值开始增加。在时间t1，第一电压比较器301确定电压的绝对值等于或超过第一阈值V1的绝对值，以及控制器310开始时间延迟TD1，并且控制器310可在TD1开始时停用第一电压比较器301。如果在t1之前停用控制器310，则在t1启动控制器310。在TD1期间，控制器310启动第二电压比较器302。如这里所使用的术语在时间延迟“期间”表示开始和到期(即，结束)以及它们之间的任何时间。例如，控制器310可在TD1到期时启动第二电压比较器302。如果在TD1期间，第二电压比较器302确定电压的绝对值在时间t2等于或超过第二阈值的绝对值，则控制器310等待电压的稳定开始稳定。当可见光的脉冲所生成的全部载流子漂移出可见光吸收层110时，电压在时间te稳定。在时间ts，时间延迟TD1到期。在时间te或者之后，控制器310可配置成在时间延迟TD1到期时使伏特计306测量电压。在实施例中，控制器310在电压的变化率在时间延迟TD1到期后变成基本上为零之后使伏特计306测量电压。在这个时刻的电压与可见光的脉冲所生成的载流子量成比例，其涉及辐射粒子的能量。控制器310可配置成基于伏特计306所测量的电压来确定辐射粒子的能量。确定能量的一种方式是通过对电压分箱来确定能量。计数器320可具有每格的子计数器。当控制器310确定X射线光子的能量落入格中时，控制器310可使那一格的子计数器所记录的数量增加一。
在TD1到期之后，控制器310将电极连接到电接地复位周期RST，以允许电极上累积的载流子流动到接地，并且重置电压。在RST之后，系统121准备好检测另一个入射X射线光子。
图5示意示出包括本文所述辐射检测器100的系统。该系统可用于医疗成像，例如胸腔X射线照相、腹部X射线照相等。该系统包括脉冲辐射源1201，其发射辐射。从脉冲辐射源1201所发射的辐射穿透对象1202(例如，人体部位，例如胸腔、肢体、腹部)，通过对象1202的内部结构(例如骨骼、肌肉、脂肪和器官等)不同程度地被衰减，并且投射到辐射检测器100。辐射检测器100通过检测辐射的强度分布来形成图像。
图6示意示出包括本文所述辐射检测器100的系统。该系统可用于医疗成像，例如牙科X射线照相。该系统包括脉冲辐射源1301，其发射辐射。从脉冲辐射源1301所发射的辐射穿透对象1302，其是哺乳动物(例如人类)口腔的部分。对象1302可包括上颌骨、腭骨、牙齿、下颌骨或舌头。辐射通过对象1302的不同结构不同程度地被衰减，并且投射到辐射检测器100。辐射检测器100通过检测辐射的强度分布来形成图像。牙齿比蛀牙、感染、牙周膜要更多地吸收辐射。由牙科患者所接收的辐射的剂量通常较小(对全口系列为大约0.150mSv)。
图7示意示出包括本文所述辐射检测器100的货物扫描或者非侵入式检查(NII)系统。该系统可用于检查和识别运输系统(例如集装箱、车辆、船舶、行李等)中的商品。该系统包括脉冲辐射源1401。从脉冲辐射源1401所发射的辐射可从对象1402(例如集装箱、车辆、船舶等)背散射，并且投射到辐射检测器100。对象1402的不同内部结构可不同地背散射辐射。辐射检测器100通过检测背散射辐射的强度分布和/或背散射辐射的能量来形成图像。
图8示意示出包括本文所述辐射检测器100的另一个货物扫描或者非侵入式检查(NII)系统。该系统可用于公共交通车站和机场的行李检查。该系统包括脉冲辐射源1501，其发射辐射。从脉冲辐射源1501所发射的辐射可穿透行李1502，通过行李的内容以不同方式衰减，并且投射到辐射检测器100。辐射检测器100通过检测透射辐射的强度分布来形成图像。该系统可展现行李的内容，并且识别对公共交通所禁止的商品(例如火器、麻醉剂、锐器、易燃品)。
图9示意示出包括本文所述辐射检测器100的全身扫描仪系统。全身扫描仪系统可为了安检而检测人体上的对象，而无需物理上移开服装或进行物理接触。该全身扫描仪系统可以能够检测非金属对象。该全身扫描仪系统包括脉冲辐射源1601。从脉冲辐射源1601所发射的辐射可从被检查人体1602和其上的对象背散射，并且投射到辐射检测器100。对象和人体可不同地背散射辐射。辐射检测器100通过检测背散射辐射的强度分布来形成图像。辐射检测器100和脉冲辐射源1601可配置成沿线性或旋转方向来扫描人体。
图10示意示出辐射计算机断层扫描(辐射CT)系统。辐射CT系统使用计算机处理辐射来产生被扫描对象的特定区域的断层扫描图像(虚拟“层面”)。断层扫描图像可用于各种医学学科中的诊断和治疗目的或者用于瑕疵检测、故障分析、度量衡、组合件分析和逆向工程。辐射CT系统包括本文所述的辐射检测器100以及发射辐射的脉冲辐射源1701。辐射检测器100和脉冲辐射源1701可配置成沿一个或多个圆形或螺旋路径同步地旋转。
图11示意示出电子显微镜。电子显微镜包括电子源1801(又称作电子枪)，其配置成发射电子。电子源1801可具有各种发射机构，例如热离子、光电阴极、冷发射或等离子体源。所发射电子经过电子光系统1803，其可配置成对电子进行整形、加速或聚焦。电子然后到达样本1802，并且图像检测器可从其中形成图像。电子显微镜可包括本文所述的辐射检测器100，以用于执行能量色散辐射光谱(EDS)。EDS是用于样本的元素分析或化学表征的分析技术。当电子入射到样本时，它们引起特征辐射从样本的发射。入射电子可激发样本的原子的内核层中的电子，从而在创建电子所在的电子空穴的同时将它从壳层中逐出。来自更高能量外壳层的电子然后填充空穴，并且更高能量壳层与更低能量壳层之间的能量的差可采取辐射形式来释放。从样本所发射的辐射的数量和能量能够由辐射检测器100来测量。
虽然本文公开了各个方面和实施例，但是其他方面和实施例对本领域的技术人员将是显而易见的。本文所公开的各个方面和实施例是为了便于说明而不是要进行限制，其真实范围和精神通过以下权利要求书来指示。

Claims (24)

1.一种辐射检测器，包括：
量子点层，配置成在吸收辐射粒子时发射可见光的脉冲；
电子系统，配置成通过检测所述可见光的脉冲来检测所述辐射粒子。
2.如权利要求第1项所述的辐射检测器，其中，所述量子点从由碘化铅(PbI)量子点、CdZnTe(CZT)量子点、碘化铯(CsI)量子点、锗酸铋(BGO)量子点、钨酸镉CdWO4量子点、钨酸钙(CaWO4)量子点、硫氧化钆(Gd2O2S)量子点、铈掺杂溴化镧(LaBr3(Ce))量子点、铈掺杂氯化镧(LaCl3(Ce))量子点、钨酸铅(PbWO4)量子点、硅酸镥(Lu2SiO5或LSO)量子点、Lu1.8Y0.2SiO5(Ce)(LYSO)量子点、铊掺杂碘化钠(NaI(Tl))量子点、钇铝石榴石(YAG(Ce))量子点、硫化锌(ZnS(Ag))量子点、钨酸锌(ZnWO4)量子点及其组合所组成的组中选取。
3.如权利要求第1项所述的辐射检测器，还包括可见光吸收层，其配置成在吸收所述可见光的脉冲时生成电信号；
其中所述电子系统配置成基于所述电信号来检测所述可见光的脉冲。
4.如权利要求第1项所述的辐射检测器，其中，所述电子系统配置成通过对可见光的脉冲数量进行计数对所述量子点层所吸收的辐射粒子的数量进行计数。
5.如权利要求第1项所述的辐射检测器，其中，所述电子系统包括多个像素，其各自配置成检测所述可见光的脉冲。
6.如权利要求第5项所述的辐射检测器，其中，所述电子系统包括计数器，其配置成对所述多个像素的像素所接收的可见光的脉冲数量进行计数。
7.如权利要求第5项所述的辐射检测器，其中，所述像素配置成并行地操作。
8.如权利要求第3项所述的辐射检测器，其中，所述电子系统包括模数转换器(ADC)，其配置成数字化所述电信号。
9.如权利要求第8项所述的辐射检测器，其中，所述ADC是逐次近似寄存器(SAR)ADC。
10.如权利要求第1项所述的辐射检测器，其中，所述辐射粒子是X射线光子。
11.如权利要求第3项所述的辐射检测器，
其中，所述可见光吸收层包括电触点；
其中所述电子系统包括：
第一电压比较器，配置成将所述电触点的电压与第一阈值进行比较；
第二电压比较器，配置成将所述电压与第二阈值进行比较；
计数器，配置成记录所述可见光吸收层所接收的可见光的脉冲的数量；
控制器；
其中所述控制器配置成从所述第一电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值的时间开始时间延迟；
其中所述控制器配置成在所述时间延迟期间启动所述第二电压比较器；
其中所述控制器配置成在所述第二电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第二阈值的绝对值时，使所述计数器所记录的所述数量增加一。
12.如权利要求第11项所述的辐射检测器，还包括电容器模块，其电连接到所述电触点，其中所述电容器模块配置成收集来自所述电触点的载流子。
13.如权利要求第11项所述的辐射检测器，其中，所述控制器配置成在所述时间延迟开始或到期时启动所述第二电压比较器。
14.如权利要求第11项所述的辐射检测器，其中，所述控制器配置成将所述电触点连接到电接地。
15.如权利要求第11项所述的辐射检测器，其中，所述电压的变化率在所述时间延迟到期时基本上为零。
16.如权利要求第11项所述的辐射检测器，其中，所述可见光吸收层包括二极管。
17.如权利要求第11项所述的辐射检测器，其中，所述可见光吸收层包括硅或锗。
18.一种包括如权利要求第1-17项任一项所述的辐射检测器以及辐射源的系统，其中，所述系统配置成对人体胸腔或腹部执行辐射射线照相。
19.一种包括如权利要求第1-17项任一项所述的辐射检测器以及辐射源的系统，其中，所述系统配置成对人体口腔以及牙齿执行辐射射线照相。
20.一种货物扫描或者非侵入式检查(NII)系统，包括如权利要求第1-17项任一项所述的辐射检测器以及辐射源，其中所述货物扫描或者非侵入式检查(NII)系统配置成使用背散射辐射来形成图像。
21.一种货物扫描或者非侵入式检查(NII)系统，包括如权利要求第1-17项任一项所述的辐射检测器以及辐射源，其中所述货物扫描或者非侵入式检查(NII)系统配置成使用经过被检查对象所透射的辐射来形成图像。
22.一种包括如权利要求第1-17项任一项所述的辐射检测器以及辐射源的全身扫描仪系统。
23.一种包括如权利要求第1-17项任一项所述的辐射检测器以及辐射源的计算机断层扫描(辐射CT)系统。
24.一种包括如权利要求第1-17项任一项所述的辐射检测器、电子源和电子光学系统的电子显微镜。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020173681A1 (en) * 2019-02-26 2020-09-03 Asml Netherlands B.V. Charged particle detector with gain element
US11610757B2 (en) * 2019-08-28 2023-03-21 Kla Corporation Sensor module for scanning electron microscopy applications
CN110687583B (zh) * 2019-11-05 2021-04-13 中国计量科学研究院 一种基于czt探测器的位置能量时间测试系统及装置

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070085010A1 (en) * 2005-06-14 2007-04-19 The Regents Of The University Of California Scintillator with a matrix material body carrying nano-material scintillator media
DE102006017291A1 (de) * 2006-02-01 2007-08-09 Siemens Ag Fokus/Detektor-System einer Röntgenapparatur zur Erzeugung von Phasenkontrastaufnahmen
WO2008104761A2 (en) * 2007-02-27 2008-09-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Photon detector
US20100246919A1 (en) * 2007-12-20 2010-09-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Radiation detector for counting or integrating signals
CN102077352A (zh) * 2008-06-25 2011-05-25 西门子公司 光电探测器以及其制造方法
US20120199747A1 (en) * 2011-02-09 2012-08-09 Lawrence Livermore National Security, Llc. Systems and methods for neutron detection using scintillator nano-materials
CN103597374A (zh) * 2011-03-29 2014-02-19 佐治亚技术研究公司 透明玻璃闪烁体，制备方法及应用装置
US9151668B1 (en) * 2011-01-12 2015-10-06 Radiation Monitoring Devices, Inc. Quantum dot radiation detection, systems and methods
US20160231440A1 (en) * 2015-02-09 2016-08-11 U.S.A. As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Device and method of scintillating quantum dots for radiation imaging
CN105980886A (zh) * 2013-12-18 2016-09-28 西门子公司 具有导电通道的杂化有机x射线探测器
WO2017025888A1 (en) * 2015-08-07 2017-02-16 Koninklijke Philips N.V. Quantum dot based imaging detector
CN107533146A (zh) * 2015-04-07 2018-01-02 深圳帧观德芯科技有限公司 半导体x射线检测器
CN107533145A (zh) * 2015-04-07 2018-01-02 深圳帧观德芯科技有限公司 制作半导体x射线检测器的方法
US20180017685A1 (en) * 2015-04-07 2018-01-18 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Semiconductor X-ray Detector
CN107615095A (zh) * 2015-06-10 2018-01-19 深圳帧观德芯科技有限公司 用于x射线萤光的检测器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3197981A1 (en) * 2014-09-23 2017-08-02 Philips Lighting Holding B.V. Encapsulated materials in porous particles
CN106206636B (zh) * 2016-08-16 2019-05-03 京东方科技集团股份有限公司 一种x射线探测面板及其制备方法
CN107356954A (zh) * 2017-06-26 2017-11-17 同济大学 一种具有方向性发光的光子晶体闪烁体器件

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070085010A1 (en) * 2005-06-14 2007-04-19 The Regents Of The University Of California Scintillator with a matrix material body carrying nano-material scintillator media
DE102006017291A1 (de) * 2006-02-01 2007-08-09 Siemens Ag Fokus/Detektor-System einer Röntgenapparatur zur Erzeugung von Phasenkontrastaufnahmen
WO2008104761A2 (en) * 2007-02-27 2008-09-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Photon detector
US20100246919A1 (en) * 2007-12-20 2010-09-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Radiation detector for counting or integrating signals
CN102077352A (zh) * 2008-06-25 2011-05-25 西门子公司 光电探测器以及其制造方法
US9151668B1 (en) * 2011-01-12 2015-10-06 Radiation Monitoring Devices, Inc. Quantum dot radiation detection, systems and methods
US20120199747A1 (en) * 2011-02-09 2012-08-09 Lawrence Livermore National Security, Llc. Systems and methods for neutron detection using scintillator nano-materials
CN103597374A (zh) * 2011-03-29 2014-02-19 佐治亚技术研究公司 透明玻璃闪烁体，制备方法及应用装置
CN105980886A (zh) * 2013-12-18 2016-09-28 西门子公司 具有导电通道的杂化有机x射线探测器
US20160231440A1 (en) * 2015-02-09 2016-08-11 U.S.A. As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Device and method of scintillating quantum dots for radiation imaging
CN107533146A (zh) * 2015-04-07 2018-01-02 深圳帧观德芯科技有限公司 半导体x射线检测器
CN107533145A (zh) * 2015-04-07 2018-01-02 深圳帧观德芯科技有限公司 制作半导体x射线检测器的方法
US20180017686A1 (en) * 2015-04-07 2018-01-18 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Semiconductor X-ray Detector
US20180017685A1 (en) * 2015-04-07 2018-01-18 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Semiconductor X-ray Detector
CN107615095A (zh) * 2015-06-10 2018-01-19 深圳帧观德芯科技有限公司 用于x射线萤光的检测器
WO2017025888A1 (en) * 2015-08-07 2017-02-16 Koninklijke Philips N.V. Quantum dot based imaging detector

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
曲颖;李玉锋;陈春英;: "同步辐射及相关核分析技术在纳米材料生物效应研究中的应用", 化学进展, no. 07, 24 July 2011 (2011-07-24), pages 1534 - 1546 *

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Publication number Publication date
WO2019144344A1 (en) 2019-08-01
US20200335653A1 (en) 2020-10-22
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CN111656224B (zh) 2024-06-18
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TW201932874A (zh) 2019-08-16

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