CN106206636B - 一种x射线探测面板及其制备方法 - Google Patents
一种x射线探测面板及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106206636B CN106206636B CN201610676275.6A CN201610676275A CN106206636B CN 106206636 B CN106206636 B CN 106206636B CN 201610676275 A CN201610676275 A CN 201610676275A CN 106206636 B CN106206636 B CN 106206636B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film layer
- quantum dots
- scintillator
- colloidal quantum
- detection panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000003491 array Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 9
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 8
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 claims description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 4
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BAZVSMNPJJMILC-UHFFFAOYSA-N triadimenol Chemical compound C1=NC=NN1C(C(O)C(C)(C)C)OC1=CC=C(Cl)C=C1 BAZVSMNPJJMILC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910005228 Ga2S3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017680 MgTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910019603 Rh2O3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 3
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N iridium(IV) oxide Inorganic materials O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000489 osmium tetroxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 9
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 abstract description 7
- 208000014674 injury Diseases 0.000 abstract description 7
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 65
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 56
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- BJELTSYBAHKXRW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-triallyloxy-1,3,5-triazine Chemical compound C=CCOC1=NC(OCC=C)=NC(OCC=C)=N1 BJELTSYBAHKXRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 6
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-M iodate Chemical compound [O-]I(=O)=O ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 description 2
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 description 2
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000011896 sensitive detection Methods 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000004237 Crocus Nutrition 0.000 description 1
- 241000596148 Crocus Species 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N Octadecylamine Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCCCCN REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012946 outsourcing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N terephthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=C(C=O)C=C1 KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- CMJCEVKJYRZMIA-UHFFFAOYSA-M thallium(i) iodide Chemical compound [Tl]I CMJCEVKJYRZMIA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
本发明实施例公开一种X射线探测面板及其制备方法，涉及探测仪器领域，提供一种使用不掺杂铊的闪烁体膜层作为闪烁体的X射线探测面板，能在避免铊及其碘化物对人体伤害的同时大大降低制备X射线探测面板的成本。该X射线探测面板：包括衬底基板；设置在衬底基板上的开关阵列；设置在开关阵列上的光电探测器件阵列；盖板；设置在盖板上的闪烁体膜层；闪烁体膜层和光电探测器件阵列之间设置有胶体量子点膜层；闪烁体膜层，用于将X射线转换为近紫外光；胶体量子点膜层，用于将闪烁体膜层转换的近紫外光转换为可见光输出；光电探测器件阵列，用于将波长转换单元转换的可见光转换为电信号输出。
Description
技术领域
本发明涉及探测仪器领域，尤其涉及X射线探测面板领域。
背景技术
X射线因为光子能量高、穿透力强的特点，广泛应用于医学透视检查，工业探伤及在地铁、机场、车站等地安检。目前市场上销售的X射线探测面板是以500～600微米厚的CsI:TlI(碘化铊掺杂的碘化铯)柱状晶体薄膜作为闪烁体材料，将高能量的X射线转化为可见光，再被非晶硅光电探测器阵列探测并转化为电压电流信号，最后被Array背板收集并用外围电路读出，输出至显示器上最终形成图像。该技术所使用的闪烁体利用了掺杂的碘化铯制成，但是掺杂的碘化铯含有的铊及其化合物碘化铊是剧毒物质，会对人体产生极大的危害，所以制备此种面板需要对安全方面投入极大的成本。另外，若是使用纯的不掺杂的碘化铯晶体则又达不到将X射线转换为可见光进行检测的目的。所以急需一种可以有一种新型X射线探测面板，危害小，成本低，又能达到检测目的。
发明内容
本发明实施例公开一种X射线探测面板及其制备方法，涉及探测仪器领域，提供一种使用不掺杂铊的闪烁体膜层作为为闪烁体的X射线探测面板，能在避免铊及其碘化物对人体伤害的同时大大降低制备所述X射线探测面板的成本。为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种X射线探测面板，包括衬底基板、设置在衬底基板上的开关阵列，设置在开关阵列上的光电探测器件阵列；还包括：盖板、设置在盖板上的闪烁体膜层；
其中盖板设置有闪烁体层的一侧与衬底基板设置有光电探测器件阵列的一侧对盒封装，其中闪烁体膜层和光电探测器件阵列之间设置有胶体量子点膜层；此处的闪烁体膜层，用于将X射线转换为近紫外光；而胶体量子点膜层，用于将闪烁体膜层转换的近紫外光转换为可见光输出；最后光电探测器件阵列则用于将胶体量子点膜层转换的可见光转换为电信号输出。
本发明实施例中，具有的闪烁体膜层包括不掺杂的纯碘化铯柱状晶体，闪烁体膜层厚度1微米至2000微米，柱状晶体直径0.1微米至100微米。
另外，本发明实施例中的胶体量子点膜层包含胶体量子点，这些胶体量子点呈球形由三部分组成，分别是核、壳和有机配体，其核和壳可以采用以下材料或者其任意组合的合金的任意两种：ZnO、ZnS、TiO2、NbOx、CuO、NiO、V2O5、Cr2O3、In2O3、SnO2、Ga2O3、MnO2、Fe2O3、CoO2、Al2O3、Tl2O、GeO2、PbO、ZrO2、MoO3、HfO2、Ta2O5、WO3、CdO、IrO2、Rh2O3、RuO2、OsO4、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、HgS、HgSe、HgTe、Se、C、Ge、Al4N3、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InP、InN、InAs、InSb、Tl3N、Tl3P、Tl3Sb、PbS、PbSe、PbTe、FeS、InSe、In2S3、Ga2S3、GaTe、SnSe、SnS、SnTe、MgS、MgSe、MgTe、CsTe、、CdZnSe、CdZnS、CuInS2、CuInSe2、Cd3P2、Cd3As2。
而胶体量子点上的有机配体材料则可以是：各种有机表面基团，例如：长链烷烃。
可选的，整个面板中的光电探测器可以是光电导型探测器、光伏型探测器、雪崩式探测器任一种，而制成这些光电探测器的材料可以是：非晶硅、氧化锌等半导体材料或者氮化镓、碳化硅、金刚石、类金刚石、氮化铝、砷化镓、氮化硼等宽禁带半导体材料。
可选的，对于衬底基板和盖板，其材料可以是厚度0.1毫米至1毫米的玻璃，也可以是常用的PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、TAC(三聚氰酸三烯丙酯)或PI(聚酰亚胺)透明柔性衬底，厚度1微米至500微米。
另一方面，提供一种X射线探测面板的制作方法，包括：
通过构图工艺在衬底基板上形成开关阵列；通过构图工艺在开关阵列上形成光电探测器件阵列；在电探测器件阵列上形成胶体量子点薄膜；在盖板上形成闪烁体膜层；将盖板设置有闪烁体膜层的一侧与衬底基板设置有光电探测器件阵列对盒后封装。
需要说明的是，其中光电探测器件阵列上形成胶体量子点薄膜的方法可以是采用涂布工艺将胶体量子点溶液涂布在电探测器件阵列上形成胶体量子点薄膜或者将含有胶体量子点材料的有机膜直接贴附在光电探测器件阵列上任一种。
可选的，涂布工艺可以是旋涂或喷墨打印或气溶胶打印或激光诱导转印或纳米压印等工艺的任一种。
另外，X射线探测面板的封装可以使用淀积工艺制成单层或多层封装薄膜进行封装，也可以使用Dam(坝状物)胶和Filler(填充物)胶方式进行封装，也可以是上下玻璃基板之间使用激光烧结frit(玻璃原料)方式进行封装，或者是这三者的混合或叠加进行封装。
上述方案中，提供的X射线探测面板包括：衬底基板、设置在衬底基板上的开关阵列，设置在开关阵列上的光电探测器件阵列；还包括：盖板、设置在盖板上的闪烁体膜层；其中盖板设置有闪烁体膜层的一侧与衬底基板设置有光电探测器件阵列的一侧对盒封装，其中闪烁体膜层和光电探测器件阵列之间设置有胶体量子点膜层；闪烁体层，用于将X射线转换为近紫外光；胶体量子点膜层，用于将闪烁体薄膜转换的近紫外光转换为可见光输出；光电探测器件阵列，用于将胶体量子点膜层转换的可见光转换为电信号输出。因为该面板使用不掺杂铊的闪烁体膜层作为闪烁体，并且在整个结构中加入胶体量子点膜层，所以在避免了铊及含铊碘化物对人体的巨大伤害和减少了在制造X射线探测面板时在安全方面付出的大量成本的同时，可以顺利完成对于X射线的探测。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的X射线探测面板结构示意图；
图2为现有技术提供的闪烁体特性示意图；
图3为本发明实施例提供的胶体量子点的特性示意图；
图4本发明实施例提供的胶体量子点结构示意图；
图5为本发明实施例提供的X射线探测面板制备方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种X射线探测面板，包括衬底基板6、设置在衬底基板6上的开关阵列5，设置在开关阵列5上的光电探测器件阵列4；还包括：盖板1、设置在盖板1上的闪烁体膜层2；
其中，盖板1设置有闪烁体膜层的2一侧与衬底基板6设置有光电探测器件阵列4的一侧对盒封装，其中闪烁体膜层2和光电探测器件阵列4之间设置有胶体量子点膜层3。
闪烁体膜层2，例如用于将X射线转换为近紫外光。
胶体量子点膜层3，例如用于将闪烁体膜层2转换的近紫外光转换为可见光输出。
光电探测器件阵列4，例如用于将胶体量子点膜层3转换的可见光转换为电信号输出。
其中，示例性的，为了清楚的说明上述结构，当然不限于如下方式，如图1所示，自下而上依次为衬底基板6、开关阵列5、光电探测器阵列4、胶体量子点膜层3、闪烁体膜层2、封装单元7和盖板1。
对于作为制备X射线探测面板时的底层基板衬底基板6而言，衬底基板采用的材料可以是以下任一种：玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、三醋酸纤维素和聚酰亚胺透明柔性衬底。
示例性的，其材料可以是0.1mm至1mm的玻璃，也可以是常用的PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、厚度1微米至500微米的TAC(三聚氰酸三烯丙酯)和PI(聚酰亚胺)透明柔性衬底。
示例性的，对于位于衬底基板6之上的作为收集电信号进行输出的开关阵列5而言，可以使用非晶体硅薄膜晶体管或非晶体氧化铟镓锌薄膜晶体管或低温多晶氧化铟镓锌薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管或氮氧化锌薄膜晶体管或氧化铟锌薄膜晶体管亦或是有机物薄膜晶体管等制备而成。
对于如图1所示的闪烁体膜层2而言，由于常见的由掺杂碘化铯含有铊及含铊碘化物，会对人体产生大量伤害，同时由于成本和安全问题，报废的X射线探测面板不能直接丢弃处理而是要对其中的贵金属铊进行回收处理，会造成很大的成本付出。
所以本发明实施例的闪烁体膜层由不掺杂的纯碘化铯制成的柱状晶体构成；另外，闪烁体膜层2厚度为1微米至2000微米，纯碘化铯柱状晶体的直径为0.1微米至100微米。
另外，如图2所示，含有杂质钠或者铊的碘化铯和不含杂质的碘化铯构成的闪烁体对于X射线的光致发光图谱的峰值和范围都是有较大差异，图2中横轴表示波长(Wavelength)单位为纳米(nm)，纵轴为强度(lntensity)其中纯碘化铯CsI的光致发光图谱的范围为200-600nm，含有杂质钠的碘化铯CsI(Na)的光致发光图谱的范围为300-600nm，含有杂质铊的碘化铯CsI(TI)的光致发光图谱的范围为350-700nm。由于可见光的光谱范围在390nm-780nm之间，因此常见的X射线探测面板为了能更好的对X射线经过闪烁体转换后的光进行有效监测，一般都是使用含铊的碘化铯制作的闪烁体将X射线准换为可见光后检测，但是本发明实施例为了能避免铊对人体的伤害，采用了纯的碘化铯作为制成闪烁体的原料，由于这种闪烁体会将X射线准换为近紫外光，所以本发明实施例还要在X射线探测面板结构中加入如图1的胶体量子点膜层3，通过光致发光原理将闪烁体膜层2转换的近紫外光再转换为可见光。这样，就避免了一般X射线探测面板存在的对人体伤害大和制作成本高的缺陷。
对于上述胶体量子点膜层3而言，本发明创新性的采用了和一般探测领域中不太一样的胶体量子点，一般的自组装InAs量子点的光致发光波长只能在1.2微米到1.6微米之间；而本发明实施例使用的胶体量子点膜层使用的胶体量子点包含:核、壳和有机配体；胶体量子点直径范围为：1纳米至50纳米；其主要由化学合成制备。
示例性的，如图4所示，胶体量子点一般呈球形由核401、壳402和有机配体403三部分构成，其直径范围一般的尺寸是2～6纳米，最常用的是2纳米至8纳米，小于或接近激子的玻尔半径，因此具有量子限域效应，相应地体材料中连续的能带结构变为分立的能级结构，导致发光颜色具有尺寸依赖性而且有高斯对称的窄带发射谱(半高宽30纳米左右)；核外包覆的壳结构由宽带隙半导体构成，可以钝化表面的非辐射复合中心，将激子限制在核结构中，远离表面缺陷态，可使其光致荧光效率达到90％以上。
进一步的，所述胶体量子点核和壳采用以下材料或者其任意组合的合金的任意两种：ZnO、ZnS、TiO2、NbOx、CuO、NiO、V2O5、Cr2O3、In2O3、SnO2、Ga2O3、MnO2、Fe2O3、CoO2、Al2O3、Tl2O、GeO2、PbO、ZrO2、MoO3、HfO2、Ta2O5、WO3、CdO、IrO2、Rh2O3、RuO2、OsO4、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、HgS、HgSe、HgTe、Se、C、Ge、Al4N3、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InP、InN、InAs、InSb、Tl3N、Tl3P、Tl3Sb、PbS、PbSe、PbTe、FeS、InSe、In2S3、Ga2S3、GaTe、SnSe、SnS、SnTe、MgS、MgSe、MgTe、CsTe、、CdZnSe、CdZnS、CuInS2、CuInSe2、Cd3P2、Cd3As2。所述胶体量子点的有机配体为有机表面基团材料；示例性的，其可以是长链烷烃，最常用的是十八胺。
如图3所示，该胶体量子点光致发光图谱涵盖了深蓝色、浅蓝色、绿色、橘黄色和红色五种光，通过化学合成时精确控制胶体量子点纳米晶体的尺寸就可以精确控制其光致发光波长。
对于位于开关阵列5之上的用来将胶体量子点膜层3转换的近紫外光转化为电信号的光电探测器阵列4选用的光电探测器要采用以下至少一种：光电导型探测器、光伏型探测器、雪崩式探测器。
示例性的，制备这些光电探测器可以使用非晶硅制备，也可以用别的如氧化锌等半导体材料制备，也可以使用诸如氮化镓、碳化硅、金刚石、类金刚石、氮化铝、砷化镓、氮化硼等宽禁带半导体薄膜制备。
需要说明的是，在选择组成光电探测器阵列4的光电探测器时应当考虑到其上的胶体量子点膜层3所转换出的光波长以及其材料因素，选择合适的与其配合组装。
对于在最上方的盖板1，其采用以下任一种材料：
玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、三醋酸纤维素和聚酰亚胺透明柔性衬底。
示例性的，盖板材料可以是0.1mm至1mm的玻璃，也可以是常用的PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、厚度1微米至500微米的TAC(三聚氰酸三烯丙酯)和PI(聚酰亚胺)透明柔性衬底。闪烁体膜层通过在盖板上采用真空蒸镀或磁控溅射或电子束蒸发或溶胶凝胶法或激光溅射或等离子体化学气相淀积或原子层沉积或金属有机化学气相淀积或分子束外延等工艺制备。
对于起封装固定作用的封装单元7，其可以使用淀积工艺制成的单层或多层封装薄膜(可有机薄膜或无机薄膜或者两者的叠层)封装，也可以使用Dam胶&Filler胶方式封装，也可以是上下玻璃基板之间使用激光烧结frit方式封装，或者是这三者的混合或叠加，在此不做具体限制。
参照图5所示，本发明实施例还提供一种X射线探测面板制备方法，包括如下步骤：
501、通过构图工艺在衬底基板上形成开关阵列。
具体的，在制作工艺中实施步骤501，首先要对衬底基板进行清洗，而后采用磁控溅射、曝光、显影、干法刻蚀、湿法刻蚀、等离子体化学气相淀积、清洗、退火等半导体工艺在衬底基板上制备开关阵列；
502、通过构图工艺在开关阵列上形成光电探测器件阵列。
具体的，步骤502的图工艺是指：采用磁控溅射、曝光、显影、干法刻蚀、湿法刻蚀、等离子体化学气相淀积、清洗、退火等半导体工艺在开关阵列上制备光电探测器。
503、在光电探测器件阵列上形成胶体量子点膜层。
具体的，在制作工艺中实施步骤503要在光电探测器阵列上采用旋涂或喷墨打印或气溶胶打印或激光诱导转印或纳米压印等涂布工艺涂布胶体量子点溶液形成胶体量子点膜层或者使用含胶体量子点的有机膜贴附在光电探测器上形成胶体量子点膜层。
504、在盖板上形成闪烁体膜层。
具体的，在制作工艺中实施步骤504，需要先清洗盖板，而后在其上采用真空蒸镀或磁控溅射或电子束蒸发或溶胶凝胶法或激光溅射或等离子体化学气相淀积或原子层沉积或金属有机化学气相淀积或分子束外延等工艺制备纯的不掺杂的碘化铯柱状晶体薄膜作为闪烁体膜层。
505、采用真空对盒工艺，将盖板设置有闪烁体膜层的一侧与衬底基板设置有光电探测器件阵列的一侧对盒后封装。
具体的，在制造工艺中，封装方式可以使用淀积工艺制成的单层或多层封装薄膜(可有机薄膜或无机薄膜或者两者的叠层)封装，也可以使用Dam胶&Filler胶方式封装，也可以是上下玻璃基板之间使用激光烧结frit方式封装，或者是这三者的混合或叠加。
上述方法中，闪烁体层可将X射线转换为近紫外光；胶体量子点膜层可将闪烁体薄膜转换的近紫外光转换为可见光输出；光电探测器件阵列可将胶体量子点膜层转换的可见光转换为电信号输出。因为形成的面板使用不掺杂铊的闪烁体膜层作为闪烁体，并且在整个结构中加入胶体量子点膜层，所以在避免了铊及含铊碘化物对人体的巨大伤害和减少了在制造X射线探测面板时在安全方面付出的大量成本的同时，可以顺利完成对于X射线的探测。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种X射线探测面板，其特征在于，
包括衬底基板、设置在衬底基板上的开关阵列，设置在所述开关阵列上的光电探测器件阵列；还包括：盖板、设置在所述盖板上的闪烁体膜层；
其中所述盖板设置有闪烁体膜层的一侧与所述衬底基板设置有光电探测器件阵列的一侧对盒封装，其中所述闪烁体膜层和所述光电探测器件阵列之间设置有胶体量子点膜层；
所述闪烁体膜层包括不掺杂的纯碘化铯柱状晶体；
采用不掺杂的纯碘化铯柱状晶体的闪烁体膜层将X射线转换为近紫外线，胶体量子点用于将所述闪烁体膜层转换的近紫外光转换为可见光。
2.根据权利要求1所述的X射线探测面板，其特征在于，所述闪烁体膜层厚度为1微米至2000微米，所述纯碘化铯柱状晶体的直径为0.1微米至100微米。
3.根据权利要求1所述的X射线探测面板，其特征在于，所述胶体量子点膜层包含胶体量子点，其中所述胶体量子点包含核、壳和有机配体。
4.根据权利要求3所述的X射线探测面板，其特征在于，所述胶体量子点的核和壳采用以下材料或者其任意组合的合金的任意两种：ZnO、ZnS、TiO2、NbOx、CuO、NiO、V2O5、Cr2O3、In2O3、SnO2、Ga2O3、MnO2、Fe2O3、CoO2、Al2O3、Tl2O、GeO2、PbO、ZrO2、MoO3、HfO2、Ta2O5、WO3、CdO、IrO2、Rh2O3、RuO2、OsO4、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、HgS、HgSe、HgTe、Se、C、Ge、Al4N3、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InP、InN、InAs、InSb、Tl3N、Tl3P、Tl3Sb、PbS、PbSe、PbTe、FeS、InSe、In2S3、Ga2S3、GaTe、SnSe、SnS、SnTe、MgS、MgSe、MgTe、CsTe、CdZnSe、CdZnS、CuInS2、CuInSe2、Cd3P2、Cd3As2。
5.根据权利要求3所述的X射线探测面板，其特征在于，所述有机配体为有机表面基团材料。
6.根据权利要求3所述的X射线探测面板，其特征在于，所述胶体量子点的直径范围为：1纳米至50纳米。
7.根据权利要求1所述的X射线探测面板，其特征在于，所述光电探测器阵列选用的光电探测器采用以下至少一种：光电导型探测器、光伏型探测器、雪崩式探测器。
8.根据权利要求1所述的X射线探测面板，其特征在于，所述衬底基板材料采用以下任一种材料：
玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、三醋酸纤维素和聚酰亚胺透明柔性衬底。
9.根据权利要求1所述的X射线探测面板，其特征在于，所述盖板材料采用以下任一种材料：
玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、三醋酸纤维素和聚酰亚胺透明柔性衬底。
10.一种X射线探测面板的制作方法，其特征在于，包括：
通过构图工艺在衬底基板上形成开关阵列；
通过构图工艺在所述开关阵列上形成光电探测器件阵列；
在所述电探测器件阵列上形成胶体量子点膜层；
在盖板上形成闪烁体膜层；
将所述盖板设置有闪烁体膜层的一侧与所述衬底基板设置有光电探测器件阵列的一侧对盒后封装；
所述闪烁体膜层包括不掺杂的纯碘化铯柱状晶体；
采用不掺杂的纯碘化铯柱状晶体的闪烁体膜层将X射线转换为近紫外线，胶体量子点用于将所述闪烁体膜层转换的近紫外光转换为可见光。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述光电探测器件阵列上形成胶体量子点膜层包括：
采用涂布工艺通过胶体量子点溶液在所述电探测器件阵列上形成胶体量子点膜层；
或者将含有胶体量子点材料的有胶体量子点膜层贴附在所述光电探测器件阵列上。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述涂布工艺至少包括：
旋涂或喷墨打印或气溶胶打印或激光诱导转印或纳米压印。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610676275.6A CN106206636B (zh) | 2016-08-16 | 2016-08-16 | 一种x射线探测面板及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610676275.6A CN106206636B (zh) | 2016-08-16 | 2016-08-16 | 一种x射线探测面板及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106206636A CN106206636A (zh) | 2016-12-07 |
| CN106206636B true CN106206636B (zh) | 2019-05-03 |
Family
ID=57521936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610676275.6A Active CN106206636B (zh) | 2016-08-16 | 2016-08-16 | 一种x射线探测面板及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106206636B (zh) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106298828B (zh) * | 2016-10-09 | 2019-04-05 | 上海科润光电技术有限公司 | 一种电致发光x射线柔性成像板 |
| CN106847986A (zh) * | 2017-02-23 | 2017-06-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | X射线平板探测器及其制备方法 |
| EP3399344B1 (en) * | 2017-05-03 | 2021-06-30 | ams International AG | Semiconductor device for indirect detection of electromagnetic radiation and method of production |
| CN111656224B (zh) | 2018-01-25 | 2024-06-18 | 深圳帧观德芯科技有限公司 | 具有量子点闪烁器的辐射检测器 |
| CN109346488B (zh) * | 2018-08-24 | 2021-05-04 | 中山大学 | 一种在闪烁体上直接制作冷阴极平板x射线探测器的方法及其结构 |
| CN109782330B (zh) * | 2019-01-11 | 2021-10-01 | 惠科股份有限公司 | X射线探测器及显像设备 |
| CN109830563B (zh) | 2019-02-26 | 2022-07-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 探测面板及其制作方法 |
| CN109727968A (zh) * | 2019-02-26 | 2019-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 平板探测器及制作方法 |
| CN110068854B (zh) * | 2019-03-26 | 2023-05-02 | 同济大学 | 一种具有嵌套式微球阵列光子结构表面的闪烁体器件 |
| CN110504377B (zh) * | 2019-08-22 | 2022-03-29 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种有机发光显示器件及其制备方法以及显示面板 |
| CN114252031B (zh) * | 2021-11-19 | 2023-01-31 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 直接型x射线影像探测器及其制备方法 |
| US20240248217A1 (en) * | 2022-01-25 | 2024-07-25 | Beijing Boe Sensor Technology Co., Ltd. | Detection substrate and ray detector |
| CN115632076A (zh) * | 2022-10-25 | 2023-01-20 | 国科大杭州高等研究院 | 一种具有宽频光电响应的探测器件及其制备方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5089195B2 (ja) * | 2006-03-02 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、シンチレータパネル、放射線検出システム及び放射線検出装置の製造方法 |
| CN101937095B (zh) * | 2009-06-30 | 2012-05-09 | 同方威视技术股份有限公司 | 双能x射线探测器及双能x射线探测器阵列装置 |
| CN107422361A (zh) * | 2010-01-22 | 2017-12-01 | 登克特有限公司 | 用于多照相机x射线平板检测器的方法和装置 |
| CN102306707A (zh) * | 2011-08-18 | 2012-01-04 | 北京理工大学 | 一种基于胶体量子点及石墨烯为光电极的光电探测器及其制备方法 |
| CN102683369A (zh) * | 2012-04-20 | 2012-09-19 | 广东普加福光电科技有限公司 | 用于增强硅基成像器件对紫外响应的量子点光转换膜的制备方法和用途 |
| JP5832966B2 (ja) * | 2012-07-17 | 2015-12-16 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置、放射線画像撮影システム、放射線の照射開始の検出感度制御方法およびプログラム |
| CN106662660A (zh) * | 2014-07-03 | 2017-05-10 | 皇家飞利浦有限公司 | 辐射探测器和用于生产辐射探测器的方法 |
-
2016
- 2016-08-16 CN CN201610676275.6A patent/CN106206636B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106206636A (zh) | 2016-12-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106206636B (zh) | 一种x射线探测面板及其制备方法 | |
| Yadav et al. | Recent advances in development of nanostructured photodetectors from ultraviolet to infrared region: A review | |
| Nasiri et al. | Nanoarchitechtonics of Visible‐Blind Ultraviolet Photodetector Materials: Critical Features and Nano‐Microfabrication | |
| CN105493295B (zh) | 来自溶液处理的无机半导体的空气稳定红外光探测器 | |
| EP2483925B1 (en) | Quantum dot-fullerene junction based photodetectors | |
| US20140225063A1 (en) | Quantum dot-fullerene junction based photodetectors | |
| US20140054540A1 (en) | Device including semiconductor nanocrystals & method | |
| KR101892694B1 (ko) | 자외선 검출기 | |
| WO2020003613A1 (ja) | 電磁波検出器および電磁波検出器アレイ | |
| KR20150072888A (ko) | 양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터와 그 제조방법 | |
| EP3864706B1 (en) | Multispectral photodetector array | |
| Salunkhe et al. | Performance evaluation of transparent self-powered n-ZnO/p-NiO heterojunction ultraviolet photosensors | |
| KR20220002454A (ko) | 반도체 입자들을 포함하는 안정화된 잉크 및 그 용도 | |
| US10274615B2 (en) | Detection panel and detection apparatus | |
| CN112823420B (zh) | 基于胶体量子点的成像装置 | |
| CN106847986A (zh) | X射线平板探测器及其制备方法 | |
| US11367799B2 (en) | Broadband multi-purpose optical device and methods of manufacturing and operating the same | |
| KR20220023548A (ko) | 포토 다이오드 | |
| Zou et al. | Pixellated perovskite photodiode on IGZO thin film transistor backplane for low dose indirect X-ray detection | |
| Kumar et al. | Fabrication of enhanced performance Visible-light photodetector based on Ag/ZnS/p-Si/Ag heterojunction grown by chemical bath deposition | |
| Wang et al. | Recent progress of quantum dot infrared photodetectors | |
| US20150303330A1 (en) | Photoelectric conversion device and method for manufacturing photoelectric conversion device | |
| KR101720308B1 (ko) | 금속나노 입자를 이용하는 고투명 다파장 센서 및 형성 방법 | |
| JP2022173791A (ja) | 電磁波検出器および電磁波検出器集合体 | |
| Yoon et al. | Polysilicon near-infrared photodetector with performance comparable to crystalline silicon devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |