TWI796364B - 雷射加工方法 - Google Patents

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Abstract

根據示例性實施例的一種雷射加工方法可包含：在工件上設定加工區域；利用雷射光束第一照射工件的加工區域中的第一加工區域；在不同於第一照射的照射條件下利用雷射光束第二照射工件的加工區域中的第二加工區域。

Description

雷射加工方法
本公開涉及一種雷射加工方法，且更確切地說涉及一種能夠減少工件上的加工誤差的雷射加工方法。
在製造主動陣列有機發光二極體(active matrix organic light-emitting diode；AMOLED)時，執行真空沉積製程來沉積若干有機材料層。另外，不同的有機材料應分別地沉積用於紅色、綠色以及藍色(red,green,and blue；RGB)像素。此時，精細金屬遮罩(fine metal mask；FMM)充當螢幕遮罩使得僅將所需有機材料沉積到所需像素，且不將有機材料沉積到其它區域。
一般來說，當製造精細金屬遮罩時，通過濕式蝕刻方法在用於沉積有機材料的精細金屬遮罩中形成孔。然而，當通過濕式蝕刻方法製造精細金屬遮罩時，隨著有機發光二極體的大小增大且解析度增大，精細金屬遮罩的大小和形成於精細遮罩中的孔的精確度達到極限。
另外，由於精細金屬遮罩具有極低熱膨脹係數，因此銦鋼(Invar)材料主要用於遮罩。然而，為製造不低於500PPI的 高解析度面板，應使用厚度不超過20微米的精細金屬遮罩。因此，應通過軋製方法製造銦鋼材料，且在通過軋製方法製造銦鋼材料時，出現大致±5%的厚度分散。此類厚度分散影響形成於精細金屬遮罩中的孔的精確度，例如，孔未形成於比其它部分相對更厚的部分中。因此，需要一種能夠減小由於銦鋼材料的厚度分散導致的加工誤差的方法。
在相關技術中，為減小由於銦鋼材料的厚度分散所致的加工誤差，通過濕式蝕刻方法在執行第一蝕刻的表面的對置表面(或相對表面)上執行第二蝕刻，從而孔部分形成於由於相對更大厚度而未形成孔部分的部分中。然而，由於傾斜突出部產生於執行第二蝕刻的表面上，因此此方法可由於在沉積有機材料時的突出部致使陰影產生，或由於雙表面蝕刻造成的未對準而可於開口部分的形狀產生偏差。
[相關技術檔]
[專利文獻]
(專利文獻1)韓國專利公開案第10-2011-0013244號
本公開提供一種雷射加工方法，所述方法能夠通過在具有不同照射條件的兩個階段中利用雷射光束照射工件來減小由於工件的每一區域上的厚度分散所致的加工誤差。
根據示例性實施例，一種雷射加工方法包含：設定工件 上的加工區域；利用雷射光束第一照射工件的加工區域中的第一加工區域；以及在不同於第一照射的照射條件下利用第二雷射光束照射工件的加工區域中的第二加工區域。
第二加工區域可包含於第一加工區域中。
在利用雷射光束的第一照射和利用雷射光束的第二照射中，第一加工區域和第二加工區域可通過使用相同坐標系分別利用雷射光束照射。
在利用雷射光束的第一照射和利用雷射光束的第二照射中，當沿包含平行於工件的長軸的掃描線和平行於工件的短軸的步線的掃描路徑移動利用雷射光束照射的位置時，可掃描加工區域。
在利用雷射光束的第一照射和利用雷射光束的第二照射中，當沿同一掃描線掃描加工區域時，可在第一加工區域和第二加工區域中的每一個中啟動雷射光束。
在利用雷射光束的第一照射中，可通過掃描多個掃描線來對第一加工區域進行加工，而在利用雷射光束的第二照射中，且可通過僅掃描多個掃描線當中穿過第一加工區域的中心部分的掃描線來對第二加工區域進行加工。
在利用雷射光束的第二照射中，雷射光束的強度可大於利用雷射光束的第一照射中的強度，或掃描線上的雷射光束的移動速度和雷射光束的掃描間距可小於利用雷射光束的第一照射中的移動速度和掃描間距。
在利用雷射光束的第一照射中，由於用於每一區域的雷射光束的能量累計在第一加工區域的中心部分中可為恒定的，且由於用於每一區域的雷射光束的第一加工區域的週邊部分中的能量累計可朝向第一加工區域的中心部分增大。
第二加工區域可與第一加工區域的中心部分重疊，且在利用雷射光束的第二照射中，由於用於每一區域的雷射光束的能量累計在第二加工區域中可為恒定的。
在利用雷射光束的第一照射中，可對第一加工區域的中心部分進行加工使得加工深度為恒定的，且可對第一區域的週邊部分進行加工使得越接近第一加工區域的中心部分，加工深度越大，且在利用雷射光束的第二照射中，對第二加工區域進行加工以穿過工件。
雷射加工方法可更包含檢查加工孔是否形成於加工區域中，其中在利用雷射光束的第二照射中，可利用雷射光束照射其中在是否形成加工孔的檢查中並未形成加工孔的加工區域。
在是否形成加工孔的檢查中，可通過使用高度感測器、圖像感測器、光感測器以及雷射感測器中的至少一個來檢查是否形成加工孔。
10:雷射光束
11:加工孔
20:掃描路徑
21、22:掃描線
100:工件
110:加工區域
111:中心部分
112:週邊部分
B-B’:線
H:垂直長度
S100、S200、S300:步驟
通過結合附圖進行的以下描述可更詳細地理解示例性實施例，其中： 圖1是繪示根據示例性實施例的雷射加工方法的流程圖。
圖2是通過根據示例性實施例的雷射加工方法加工的工件的透視圖。
圖3是通過根據示例性實施例的雷射加工方法加工的工件的截面圖。
圖4A和圖4B是用於描述根據示例性實施例的二階段雷射光束照射的示意性截面圖。
圖5A和圖5B是用於描述根據示例性實施例的雷射光束的掃描的概念圖。
圖6是用於描述根據示例性實施例的用於加工區域的每一區域的能量累計的概念圖。
下文中將參考附圖更詳細地描述示例性實施例。然而，本發明可以不同的形式來體現，且不應解釋為限於本文所陳述的實施例。而是，提供這些實施例是為了使得本公開將是透徹並且完整的，並且這些實施例將把本發明的範圍充分地傳達給所屬領域的技術人員。在實施方式中，相同附圖標號指代相同配置，為了清晰說明示例性實施例，可部分地放大圖式，且在圖式中相同附圖標號指代相同元件。
圖1是繪示根據示例性實施例的雷射加工方法的流程圖，且圖2是通過根據示例性實施例的雷射加工方法加工的工件 的透視圖。
參看圖1和圖2，根據示例性實施例的雷射加工方法可包含：設定工件100上的加工區域110(S100)；利用雷射光束10第一照射工件100的加工區域110當中的第一加工區域(S200)；以及在不同於第一照射的條件下利用雷射光束10第二照射工件100的加工區域110當中的第二加工區域(S300)。
一般來說，在製造電致發光或有機半導體元件時，示例性實施例中的工件100可以是用於真空沉積製程的精細金屬遮罩(fine metal mask，FMM)，但只要物體可利用雷射加工則可使用任何物體。具體來說，在半導體元件的封裝中，可以不同方式使用雷射加工方法，例如提供印刷電路板(printed circuit board，PCB)中的通孔或半導體基底的特定區域的加工圖案。
第一，設定工件100上的加工區域110(S100)。加工區域110可經配置成單個區域或多個區域，且設定為工件100上的虛擬區域。此時，加工區域110可包含第一加工區域和第二加工區域。
接著，利用雷射光束10第一照射工件100的加工區域110中的第一加工區域(S200)。此處，工件的一個表面可利用雷射光束10照射。可通過照射工件100的加工區域110中的第一加工區域來對工件100進行加工。舉例來說，加工孔11可形成於工件100中，且加工孔11可具有與加工區域110相同的大小或比加工區域110更小的大小。此時，由於雷射光束10的加工深度可經設定為 工件100的參考厚度，且工件100的加工區域110中的第一加工區域利用雷射光束10第一照射從而對工件100進行第一加工直到對應於工件100的參考厚度(例如，大約20微米)的厚度。此處，第一加工區域的面積可與加工區域110的面積相同。
接著，在不同於第一照射的條件下，利用雷射光束10第二照射工件100的加工區域110中的第二加工區域(S300)。可在不同於利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)的條件下利用雷射光束10照射加工區域110中的第二加工區域。此處，第二加工區域的面積可與加工區域110的面積相同且還可小於加工區域110的面積。當再次利用雷射光束10照射第一加工的加工區域110且產生厚度偏差時，由於相對較大厚度(即，比工件的參考厚度更厚)而未形成加工孔11的加工區域110經第二加工，從而加工孔11也可形成於其中通過利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)而未形成加工孔11的加工區域110中，且加工孔11可形成於整個加工區域110上且無未形成加工孔11的加工區域110。
同時，工件100可以由金屬材料(所謂的銦鋼)形成。銦鋼是通過添加大約64%的鐵(Fe)和大約36%的鎳(Ni)的具有極小熱膨脹係數的合金，且用於機械，諸如光學機械的精密機械或元件，以及手錶的元件，其中由於溫度改變所致的尺寸的改變導致誤差。由銦鋼形成的工件100可具有大約50皮秒(picoseconds，ps)的熱擴散時間，且可在軋製期間產生大約±5%的厚度偏差(或厚度發散)。即，工件100也可能根據情況具有針 對每一區域的厚度偏差。
第二加工區域可含於第一加工區域內，與整個第一加工區域重疊，且還可與第一加工區域的一部分重疊。
圖3是通過根據示例性實施例的雷射加工方法加工的工件的截面圖，圖4A和圖4B是用於描述根據示例性實施例的二階段雷射光束照射的示意性截面圖，圖4A是厚度不超過參考厚度的加工區域的視圖，且圖4B是比參考厚度更厚的加工區域的視圖。
參看圖3、圖4A和圖4B，第二加工區域的面積可小於第一加工區域的面積。此處，第一加工區域的面積可與加工區域110的面積相同，以及第二加工區域可位於加工區域110的中心部分111處。即，加工區域110可包含中心部分111和週邊部分112，且在利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)中，包含中心部分111和週邊部分112的第一加工區域可利用雷射光束10照射，而在利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)中，僅中心部分111(即，僅第二加工區域)可利用雷射光束10照射。換句話說，在利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)中(或當發射第二雷射光束時)，工件100的加工區域110中的利用雷射光束10照射的面積的面積可比利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)(或當發射第一雷射光束時)更小。在此情況下，利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)，由於週邊部分112未利用雷射光束10照射，因此加工孔11的周圍即使在二階段雷射加工期間也可不受影響，且可以阻止其中加工孔11的大小變得相對大於參考大小 的過度蝕刻。即，在利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)期間，已通過利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)進行第一加工的加工區域110可不受影響。
在利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)中，可對第一加工區域的中心部分111進行加工以具有某一加工深度，且可對第一加工區域的週邊部分112進行加工使得越接近第一加工區域的中心部分111，加工深度越大。可對第一加工區域的中心部分111進行加工以具有某一加工深度，且可通過相同照射條件(例如，雷射光束的強度和行進速度)對第一加工區域的中心部分111進行加工。
可對第一加工區域的週邊部分112進行加工使得越接近第一加工區域的中心部分111，加工深度越大(或越深)，且距工件100的一個表面越遠(或越深)，週邊部分112可以自加工區域的週邊集中到中心部分111的形狀(即，錐形形狀)傾斜更遠。此錐形形狀允許確保加工孔11的大小和形狀穩定，且沉積顆粒(諸如有機物)可在沉積製程中容易地穿過加工孔11，且因此在沉積製程中可減少由遮罩引起的陰影的出現。即，由於錐形形狀，沉積顆粒可圍繞加工孔11聚集，從而可減小陰影，其中沉積顆粒分佈(或擴散)到加工孔11的周圍。
另外，在利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)和利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)兩者中，工件100的一個表面可利用雷射光束10照射。在此情況下，由於在工件的單 個表面(即，一個表面)上執行二階段雷射加工，因此可防止由於雙表面加工的未對準。
第二加工區域可與第一加工區域110的中心部分111重疊。此處，加工孔11可形成於加工區域110的中心部分11中，且在利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)和/或利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)中，加工孔11可形成於工件100中。即，通過利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)，加工孔11可形成於其中尚未形成加工孔11的加工區域110中。
舉例來說，如圖4A中所繪示，在厚度不超過參考厚度的加工區域110中，加工孔11可通過雷射光束10的第一照射的步驟(S200)形成，且如圖4B中所繪示，在厚度大於參考厚度的加工區域110中，加工孔11可通過雷射光束10的第二照射的步驟(S300)形成。即，在雷射光束10的第一照射的步驟(S200)中，工件100的加工區域110中的第一加工區域是利用雷射光束10第一照射以第一加工直到工件100的參考厚度的深度，從而加工孔11可形成於厚度不超過參考厚度的加工區域110中。另外，在雷射光束10的第二照射的步驟(S300)中，其中第一加工區域已經第一加工的加工區域110利用雷射光束10再次(或第二)照射，從而加工區域110(其中第一加工區域已經第一加工)中的第二加工區域(例如比參考厚度更厚的部分或加工區域)經第二加工達工件100的最大厚度偏差的深度。因此，加工孔11可形成於厚度大於參考厚度的加工區域110中。因此，加工孔11可形成於整個 加工區域110中而無未形成加工孔11的加工區域。
在雷射光束10的第二照射的步驟(S300)中，可對第二加工區域進行加工以穿過工件100。此時，類似於加工區域110的中心部分111，可對第二加工區域進行加工使得加工深度為恒定的。即，在雷射光束10的第二照射的步驟(S300)中，可在垂直方向上(或垂直地)形成加工孔11。
換句話說，在雷射光束10的第二照射的步驟(S300)中，可形成加工孔11使得突出部分的內側表面變得近似為垂直的，所述突出部分是由於形成於比參考厚度更厚的加工區域110中的加工孔11的相對較大厚度而形成的。在此情況下，形成於比參考厚度更厚的加工區域110中的加工孔11的大小可實質上類似於形成於厚度不超過參考厚度的加工區域110中的加工孔11的大小。因此，沉積材料(例如，有機物)可沉積(或形成具有準確尺寸的膜)於具有準確尺寸的區域中，且可防止沉積材料在穿過加工孔11時分散，且因此，可相較於具有傾斜內側表面的突出部而減小陰影的出現。
同時，當針對工件100的每一區域的厚度偏差是大約±5%時，在利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)中，工件100的加工區域110利用雷射光束10第一照射且第一加工直到工件100的參考厚度的大約-5%的深度(即，工件100的最小厚度的深度)。另外，在利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)中，第二加工區域在垂直方向上第二加工直到工件100的參考厚度的 大約-5%到大約+5%(即，從工件100的最小厚度的深度到工件的最大厚度的深度)，從而也可形成加工孔11。當第一加工直到工件100的參考厚度的深度時，比工件100的參考厚度更薄的加工區域110中的加工孔11與厚度不低於工件的參考厚度的加工區域110中的加工孔11之間可產生極大差值。因此，所有加工孔11的大小可製成實質上類似於彼此，以此方式使得加工孔11經調節從而在最小可能厚度(例如工件的參考厚度的大約-5%)處具有所需大小且接著在垂直方向上在剩餘厚度(例如工件的參考厚度的大約-5%到5%)中第二形成加工孔11(或達剩餘厚度)。
另外，當工件100的每一區域的厚度偏差為大約±5%時，由於加工孔11中的相對更大厚度所致的突出部分的垂直長度H可為工件的參考厚度的大約-5%到大約10%。
另外，在利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)和利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)兩者中，第一加工區域和第二加工區域可通過使用相同坐標系利用雷射光束10照射。
在設定加工區域的步驟(S100)中，第一加工區域和第二加工區域可設定於工件100上設定的坐標系中。在利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)中，在坐標系中對應於第一加工區域的座標可利用雷射光束10照射，且在利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)中，在坐標系中對應於第二加工區域的座標可利用雷射光束10照射。在此情況下，雷射光束10可在對應於第一加工區域的座標(或座標部分)處和/或在對應於第二加工 區域的座標處啟動，且(僅)第一加工區域和第二加工區域可利用雷射光束10照射，從而其可易於執行加工。另外，還可易於將由雷射光束10照射的位置移動到第一加工區域(即，對應於第一加工區域的座標)和/或第二加工區域(即，對應於第二加工區域的座標)。
圖5A和圖5B是用於描述根據示例性實施例的雷射光束的掃描的概念圖，圖5A是掃描工件上的雷射光束的視圖，以及圖5B是沿線B-B'截取的截面圖。
參看圖5A和圖5B，在利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)中和在利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)中，當將雷射光束10的照射位置沿包含平行於工件100的長軸的掃描線21及平行於工件100的短軸的掃描線22的掃描路徑20移動時，可掃描加工區域110。掃描路徑20可包含平行於工件100的長軸的掃描線21和平行於工件100的短軸的掃描線22，且在掃描任何一個掃描線21之後，雷射光束10的照射位置沿步線22移動達步距(通過均勻地劃分步線22獲得)，從而可掃描其它掃描線21。掃描線21可平行於工件100的長軸，且可從一側到另一側(或從各掃描線21的另一側到一側)執行掃描。步線22可平行於工件100的短軸，在掃描任何一個掃描線21之後，雷射光束10的照射位置在朝向步線22的另一側(或一側)的方向上沿著步線22移動達步距(通過從一側到另一側均勻地劃分步線22獲得)，從而可掃描其它掃描線21。
此處，第一掃描線21和第二掃描線22可在相同方向上掃描且也可在相反方向上掃描。即，可反向地設定利用雷射光束10照射的位置的移動方向，以及第n-1(或奇數編號的)掃描線10和第n(或偶數編號的)掃描線10可經設定使得利用雷射光束10照射的位置在相同方向上或在相反方向上移動。然而，實施例並不限於此，且多個掃描線10可經設定在特定方向上、在其相反方向上或在其組合方向上。同時，當從任何一個掃描線21到另一掃描線21改變方向時，步距可經設定從而與任何一個掃描線21的雷射光束10的大小相同或更小，且因此，可允許執行均一圖案的加工。即，當從任何一個掃描線21到另一掃描線21改變方向時，步距可表徵為步距與任何一個掃描線21的雷射光束10的大小相同或更小。
另外，在利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)和利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)兩者中，可沿著相同掃描路徑20掃描加工區域110，且第一加工區域和第二加工區域可各自利用雷射光束10照射。舉例來說，可通過沿掃描路徑20移動發射雷射光束10的雷射頭(未繪示)的照射方向來掃描加工區域110。掃描路徑20經設定從而包含掃描區域內的所有(或整個)加工區域，從而可沿著掃描路徑20以一個掃描完成整個加工區域110的加工而無需將加工區域110分為若干次。因此，可解決相關技術中的問題，其中出現由將整個加工區域劃分成若干分裂區域來使用掃描器裝置(scanner device)加工區域造成的縫合 部(stitching)。同時，根據情況，也可允許通過經過相同掃描路徑20的n次掃描來完成整個加工區域110的加工。另外，可通過使用驅動部分(drive part)(未繪示)來移動利用雷射光束10照射的位置，且為形成加工孔11，可將利用雷射光束10照射的位置相對地移動到工件100的表面上的特定位置，且可移動工件100或利用雷射光束10照射的位置(例如雷射頭的位置)。舉例來說，驅動部分(未繪示)可包含掃描器(包含一或多個電流鏡(galvano mirrors))以允許固定工件100上的雷射光束10的絕對位置改變，或可提供驅動部分作為沿一或多個軸執行線性運動的工件台傳遞裝置(未繪示)，或形成為改變相對於固定雷射光束10的工件的絕對位置的卷軸式傳遞裝置(roll-to-roll transporting device)(未繪示)。或者，也可允許相關聯地操作改變雷射光束10的絕對位置和改變工件100的位置兩者。即，視需要，還可將電流鏡、工件台傳遞裝置和/或卷軸式傳遞裝置組合並使用。
此處，相同掃描路徑20可意味著加工區域110的掃描的起點和終點相同，且從起點到終點的路徑相同。在此情況下，由於在所有製程(即，利用雷射光束的第一照射和利用雷射光束的第二照射的製程)中，利用雷射光束10照射的位置是沿單一掃描路徑20移動，因此可減小利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)與利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)之間的誤差，或可減小任何一個工件100與另一工件100的雷射加工之間的利用雷射光束10照射的位置的誤差，以及可提高雷射加工的精 確度(例如加工孔的形成)。
此時，在利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)和利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)中，其中啟動雷射光束10的部分可彼此不同。在利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)期間，雷射光束10可在利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)中的雷射光束10的活化區域中的一部分處啟動。即，在利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)中，雷射光束10可從加工區域110的任何一個邊界(即第一加工區域的一個邊界)直到到達另一邊界(即第一加工區域的另一邊界)啟動，且在利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)中，雷射光束10可從加工區域110的中心部分111的任何一個邊界(即第二加工區域的一個邊界)直到到達加工區域110的中心部分111的另一邊界(即第二加工區域的另一邊界)啟動。換句話說，當沿掃描路徑20掃描包含整個加工區域110的掃描區域(例如工件的一個表面的全部)時，可僅在需要通過雷射光束10加工的加工區域110中和在加工區域110中的一部分區域(例如中心部分)中打開雷射光束，且可在不需要通過雷射光束10加工的其它區域中關閉雷射光束10。因此，由於工件100中僅需要雷射加工的部分被雷射光束10照射，因此存在可減少利用雷射光束10照射的工作時間，可減小雷射加工消耗的時間和成本以及加工孔11可形成於準確位置處的優點。
舉例來說，在利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200) 中，當到達加工區域110的任何一個邊界時，可將雷射光束10打開直到到達加工區域110的另一邊界，且當到達加工區域110的另一邊界時，可將雷射光束10關閉。另外，同樣在利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)中，當到達加工區域110的中心部分111的任何一個邊界時，可將雷射光束10打開直到到達加工區域110的中心部分111的另一邊界，且當到達加工區域110的中心部分111的另一邊界時，可將雷射光束10關閉。因此，在利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)中，雷射光束10可從加工區域110的任何一個邊界容易地啟動直到到達加工區域110的另一邊界，且在利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)中，雷射光束10可從加工區域110的中心部分111的任何一個邊界容易地啟動直到到達加工區域110的中心部分111的另一邊界。
在利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)中，可通過掃描多個掃描線21來對第一加工區域進行加工，且在利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)中，可通過僅掃描多個掃描線21當中的穿過第一加工區域的中心部分111的掃描線21來對第二加工區域進行加工。由於第一加工區域與加工區域110幾乎相同，因此可通過掃描多個掃描線21來掃描工件100的一個表面的全部，且由於第二加工區域對應於加工區域110的某一部分，因此可掃描掃描線21的僅一些部分。在此情況下，由於可僅掃描利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)中需要加工的部分，因此可減少掃描時間，且因此不僅可節約雷射加工消耗的總時間，且 還可節約用於掃描的驅動部分(未繪示)等等的驅動成本。
掃描線21可具有掃描間距(其為單位時間的雷射光束10的移動距離)，且步線22可各自具有步距(其為掃描線21之間的距離)步距。此處，間距掃描和步距可不大於雷射光束10的大小，且當掃描間距和步距大於雷射光束10的大小時，可在加工區域110中出現未加工的部分。舉例來說，當雷射光束10的大小為大約1微米時，可在大約0-1微米範圍內調節掃描間距和步距，且優選地，可在大約0.1-1微米範圍內調節掃描間距和步距。此處，可通過調節掃描間距和/或步距來調節表面(或加工凹槽或加工孔的內表面)的傾斜(或斜率)，且掃描間距和/或步距越小，待加工的表面的傾斜可能越大。此時，可通過使用雷射光束10的移動速度和雷射源的脈衝頻率(例如脈衝之間的間隔)來調節掃描間距，且可通過掃描線21之間的距離來調節步距。
同時，所有掃描線21的掃描間距可能相同，且還可根據掃描線的位置而不同。此時，步距可以為恒定的，且可根據掃描線21之間的距離來確定。舉例來說，當雷射光束10的大小為大約1微米時，步距可固定為大約1微米，且當步距固定為大約1微米且恒定時，掃描間距可根據掃描線21的位置而不同，且因此，即使在步進方向上未重疊時，可在步進方向上形成傾斜。另外，掃描間距可小於步距，且比在步進方向上加工的表面更接近平面的傾斜表面可通過減小掃描間距而形成於在掃描方向上加工的表面上。
另外，工件100可以是用於沉積製程的遮罩，沿掃描線21的掃描方向可以是直線沉積源(未繪示)的掃描方向，以及待加工的表面可經加工成至少在掃描方向和步進方向當中的掃描方向上傾斜。直線沉積源(未繪示)可形成以在步進方向上延伸且可在掃描方向上掃描工件100或基底(未繪示)。此時，可通過移動直線沉積源(未繪示)或基底(未繪示)來執行掃描，且工件100可與直線沉積源(未繪示)或基底(未繪示)一起移動或可與直線沉積源(未繪示)或基底(未繪示)一起固定。直線沉積源(未繪示)或基底(未繪示)沿步進方向上移動，使得沉積材料(或沉積顆粒)沉積於基底(未繪示)的整個表面上。因此，在掃描方向上而不是步進方向上產生陰影，且因此，可主要在掃描方向上將加工執行為傾斜的(或錐形的)。
在利用雷射光束10的第二照射的步驟(S300)中，雷射光束10的強度可大於利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)中的強度，且掃描線21上的雷射光束10的移動速度和雷射光束10的掃描間距也可小於利用雷射光束10的第一照射的步驟(S200)中的移動速度和掃描間距。
在利用雷射光束10的第二的步驟(S300)中，雷射光束10的強度可大於利用雷射光束10的第一輻射的步驟(S200)中的強度。通過雷射光束10來設定加工深度還可通過調節雷射光束10的強度來設定。此時，能量強度可經設定用於每一掃描線21，或能量強度可經設定用於甚至單一掃描線21中的雷射源的每一脈 衝，以及雷射光束10的強度也可通過兩種的組合來確定。即，在掃描線21上調節雷射光束10的能量強度來控制能量的積聚分佈，從而可設定加工深度。具體來說，當脈衝頻率的移動速度和值全部固定用於每一掃描線21(即，掃描間距為恒定的)時，以及當利用雷射光束10輻射的位置沿每一掃描線21相對地移動時，能量強度經不同地設定用於雷射源的每一脈衝或可經不同地設定用於每一掃描線21。
在利用雷射光束10的第二輻射的步驟(S300)中，為加工經加工表面使得經加工表面(或內表面)變得幾乎垂直(即，由於比參考厚度相對更大厚度所致的突出部分的內側表面變得幾乎垂直)，雷射光束10的強度可大於利用雷射光束10的第一輻射的步驟(S200)中的強度，其中執行加工使得經加工表面傾斜。即，為形成幾乎垂直的經加工表面，利用雷射光束10輻射的位置應同時打開，因為在雷射光束10打開時可加工的深度極大。因此，雷射光束10的強度可增大從而允許利用雷射光束10輻射的位置同時打開，且雷射光束10的強度可大於利用雷射光束10的第二輻射的步驟(S200)中的強度。
在利用雷射光束10的第二輻射的步驟(S300)中，掃描線21上的雷射光束10的移動速度和雷射光束10的掃描間距可小於利用雷射光束10的第一輻射的步驟(S200)中的移動速度和掃描間距。在通過雷射光束10設定加工深度的另一方法中，加工深度可通過控制在掃描線21上移動的雷射光束10的重疊率(重疊 率=(雷射光束大小-掃描間距)/雷射光束大小*100，掃描間距=v/f(v：雷射光束移動速度，f：雷射源的脈衝頻率))來設定。根據雷射光束10的重疊率設定加工深度包含：當固定雷射源的脈衝頻率時，針對每一掃描線21將雷射光束10的移動速度(或工件和雷射光束的相對速度)設定為不同的方法；和當針對每一掃描線21將雷射光束10的相對速度的值、脈衝頻率的值設定為不同的方法。即，雷射光束10的重疊率可通過根據雷射光束10的大小而控制掃描間距來設定。此時，在以上等式中，掃描間距=v/f，雷射光束10的移動速度的值和脈衝頻率的值經調節來控制用於每一掃描線21的雷射光束10的重疊程度，從而可設定加工深度，且雷射光束10的重疊率越大，利用雷射光束10的加工深度可越大。
為將待加工表面加工成幾乎垂直，在利用雷射光束10的第二輻射的步驟(S300)中，掃描線21上的雷射光束10的移動速度和雷射光束10的掃描間距可小於利用雷射光束10的第一輻射的步驟(S200)中的移動速度和掃描間距，其中待加工表面經加工成傾斜的。即，為使待加工表面形成為幾乎垂直的，利用雷射光束10輻射的位置應全部打開，因為在打開雷射光束10時可加工的深度極大。因此，掃描線21上的雷射光束10的移動速度和雷射光束10的掃描間距減小來增大雷射光束10的重疊率，從而利用雷射光束10輻射的位置可全部打開，且雷射光束10的移動速度和雷射光束10的掃描間距可小於利用雷射光束10的第一 輻射的步驟(S200)中的移動速度和掃描間距。
同時，在利用雷射光束10的第二輻射的步驟(S300)中，雷射光束10或掃描路徑20的重疊次數也可超過利用雷射光束10的第一輻射的步驟(S200)中的重疊次數。在用於設定雷射光束10的加工深度的又一方法中，雷射光束10或掃描路徑20的重疊次數經控制來調節加工深度。即，根據同一掃描路徑20上的雷射光束10的移動次數來控制積聚能量分佈，從而可設定雷射光束10的加工深度。具體來說，當用於每一掃描路徑20(即，用於每一掃描線和/或每一步線)的雷射光束10的移動速度和脈衝頻率的值全部固定(即，掃描間距為恒定的)時，可選擇性地在加工區域110內部的掃描路徑20上控制掃描路徑20的重疊數量。
圖6是用於描述根據示例性實施例的用於加工區域中的每一區域的能量累計的概念圖。
參看圖6，在利用雷射光束10的第一輻射的步驟(S200)中，第一加工區域的中心部分111可具有由於用於每一區域的雷射光束10的恒定能量累計，且在第一加工區域的週邊部分112中，越接近第一加工區域的中心部分111，由於用於每一區域的雷射光束10的能量累計可越大。在此情況下，在第一加工區域的週邊部分112中，加工深度朝向第一加工區域的中心部分111增大，且第一加工區域的週邊部分112可以待從週邊集中到加工區域110的中心部分111的形狀傾斜，且在第一加工區域的中心部分111中，可由於加工深度為恒定的而形成加工孔11或平底表面。即， 在第一加工區域的中心部分111中，為形成加工孔11或平底表面，由於用於每一區域的雷射光束10的能量累計可以為恒定的，且在第一加工區域的週邊部分112中，由於用於每一區域的雷射光束10的能量累計可朝向第一加工區域的中心部分111增大使得週邊部分形成為呈錐形形狀傾斜。
在利用雷射光束10的第二輻射的步驟(S300)中，由於用於第二加工區域的每一區域的雷射光束10的能量累計可以為恒定的。即，可形成加工孔11使得加工區域110的中心部分111中的經加工表面變得幾乎垂直。換句話說，在加工區域110的中心部分111中，為形成其中經加工表面是幾乎垂直的加工孔11，由於用於第二加工區域中的每一區域的雷射光束10的能量累計可以為恒定的。
另外，可通過在特定加工區域110中控制雷射光束10的脈衝能量強度、存在脈衝的開/關以及雷射光束10的重疊來確定通過雷射能量控制單元(未繪示)的雷射光束10和工件100的相對位置(即工件的表面)以及總能量累計分佈。
同時，雷射光束10可通過雷射分支構件(未繪示)分支成多個，且多個加工區域110也可通過多個分支雷射光束10來同時加工。即，允許在多個掃描路徑20上同時執行加工製程，從而可提高生產力。此處，繞射光學元件(diffractive optical element，DOE)或光束分裂光學系統可用作雷射分支構件(未繪示)。另外，雷射頭(未繪示)也可形成為多標頭，且允許將多個加工區域110 劃分為多個標頭的區域來允許可同時加工多個加工區域110，從而可進一步提高生產力。
根據示例性實施例的雷射加工方法可更包含檢查加工孔11是否形成於加工區域110中的步驟。
在利用雷射光束10的第一輻射的步驟(S200)之後，可檢查加工孔11是否形成於加工區域110中。當檢查加工孔11是否形成於加工區域110中時，在利用雷射光束10的第二輻射的步驟(S300)中，在步驟中經檢查為其中尚未形成加工孔的加工區域的加工區域110可利用雷射光束10輻射。因此，在利用雷射光束10的第二輻射的步驟(S300)中，加工區域110中的僅必須需要雷射加工的部分可利用雷射光束10輻射。因此，用於利用雷射光束10輻射的工作時間減少，雷射加工消耗的時間和成本可減小，且由於穿過已形成加工孔11的雷射光束所致的對於雷射加工設備中的其它元件，例如工件支撐件(未繪示)的損害可進一步減小。
在用於檢查是否形成加工孔11的步驟中，可通過使用高度感測器、圖像感測器、光感測器以及雷射感測器中的至少一個來檢查是否形成加工孔11。高度感測器(或z軸測量感測器)可測量工件100中形成的凹槽或孔的深度，且可測量孔的凹槽的深度，所述孔可安置於待通過雷射加工的工件的一個表面中且通過接收發射之後經反射的光而形成於工件100中。
圖像感測器可從工件100的上方或下方捕獲加工區域的 圖像110且接著分析圖像來檢查是否形成加工孔，且可通過辨別其中已形成加工孔11的加工區域110與其中尚未形成加工孔11的加工區域110的圖像的差值來檢查是否形成加工孔11。
光感測器可以是光接收/發射類型感測器，且可通過將光發射到加工區域110之後接收光來檢查是否形成加工孔11。此處，接收光的加工區域110可確定為其中尚未形成加工孔11的加工區域110，而不接收光的加工區域可確定為其中已形成加工孔11的加工區域。此時，工件100可以由材料(例如可反射光的金屬)形成，且光感測器可位於工件的一個表面上，所述表面面向利用雷射光束10輻射的另一表面。
雷射感測器可檢測入射於其上的雷射光束10，檢測已穿過形成的加工孔11的雷射光束10，以及檢查是否已形成加工孔11。此處，其中檢測到雷射光束10的加工區域110可確定為已形成加工孔的加工區域，而其中未檢測到雷射光束10的加工區域可確定為尚未形成加工孔的加工區域110。此處，可將雷射感測器提供於其上支撐工件的工件支撐件(未繪示)上。
在根據示例性實施例的雷射加工方法中，加工區域利用雷射光束以具有不同輻射條件的兩個階段輻射來加工工件，從而可解決由於工件的每一區域的厚度偏差的影響(或加工誤差)所致的問題，產生不完全執行工件的加工的部分(即其中未形成加工孔的部分)。另外，相較於第一加工區域的面積，第二加工區域的面積減小(即，相較於利用第一雷射光束輻射，在利用第二雷 射光束輻射時，工件的加工區域中的利用雷射光束輻射的面積減小)，從而工件的周圍可甚至不受二階段加工影響。另外，當利用第二雷射光束輻射時(即，在利用雷射光束第二輻射時)，雷射光束的強度、雷射光束的移動速度以及雷射光束的掃描間距等等經設定不同於利用雷射光束的第一輻射(即，在利用雷射光束的第一輻射時)中的強度、移動速度以及掃描間距等等且由此可允許由於加工孔中相對更大厚度所致的突出部分的內側表面是垂直的，從而相較於具有傾斜內側表面的突出部分，內表面可減小陰影。另外，在示例性實施例中，由於對工件的一個表面執行二階段加工，因此還可防止由於雙表面加工所致的未對準。因此，根據示例性實施例的雷射加工方法、由於工件中的每一區域的厚度偏差所致的加工誤差可減少，且相較於相關技術中的加工精確度，可提高工件的加工精確度。
在根據示例性實施例的雷射加工方法中，在具有不同輻射條件的兩個階段中，利用雷射光束輻射加工區域來對工件進行加工，從而可解決由於工件的每一區域的厚度偏差的影響(或加工誤差)所致的問題，產生不完全執行工件的加工的部分(即，其中未形成加工孔的部分)。
另外，使第二加工區域的面積小於第一加工區域的面積，從而加工孔的周圍甚至未受二階段加工影響，且在利用雷射光束的第二照射時，雷射光束的強度、雷射光束的移動速度、雷射光束的掃描間距等經設定不同於在利用雷射光束的第一照射時 的強度、移動速度、掃描間距等，從而在加工孔中，可使由於相對更大厚度所致的突出部分的內側表面為垂直的，且相較於具有傾斜內側表面的突出部，可減小陰影產生。
另外，在示例性實施例中，由於對工件的一個表面執行二階段加工，因此還可防止由於雙表面加工所致的未對準。
因此，根據示例性實施例的雷射加工方法、由於工件中的每一區域的厚度偏差所致的加工誤差可減少，且相較於相關技術中的加工精確度，可提高工件的加工精確度。
以上描述中使用的術語“在~上(on~)”的含義包含直接接觸的情況和儘管未直接地接觸所述部分，但面向上部部分或下部部分安置的情況，可不僅包含部分地面向整個上部表面或下部表面安置的情況，且還包含部分地面向表面安置的情況，且用作以面向與表面間隔開或直接地接觸表面的位置中的上部表面或下部表面的含義。因此，術語“在工件上”可意味工件的表面(上部表面或下部表面)，且還為沉積於工件的表面上的膜的表面。
到目前為止，已參考隨附圖式更詳細地描述優選實施例。然而，本發明不限於上述實施例，且本發明的所屬領域的技術人員將理解可在不脫離本發明的主題的情況下作出各種修改和其它等效實施例。因此，本發明的保護範圍將通過所附權利要求書的技術範圍確定。
S100、S200、S300‧‧‧步驟

Claims (9)

  1. 一種雷射加工方法，包括：設定工件上的加工區域；利用雷射光束第一照射與所述工件的加工區域具有相同面積的第一加工區域；以及在不同於所述第一照射的照射條件下，利用所述雷射光束第二照射所述工件的所述加工區域中的第二加工區域，所述第二加工區域與所述第一加工區域的中心部分重疊，其中在利用所述雷射光束的所述第一照射中以及在利用所述雷射光束的所述第二照射中，所述第一加工區域以及所述第二加工區域通過使用同一坐標系各自經所述雷射光束照射，其中在利用所述雷射光束的所述第一照射中，每一區域的所述雷射光束的能量累計朝向所述第一加工區域的所述中心部分增大，使得所述第一加工區域的週邊部分被傾斜加工，其中在利用所述雷射光束的所述第二照射中，每一區域的所述雷射光束的能量累計在所述第二加工區域中為恒定的，從而垂直加工所述第二加工區域。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的雷射加工方法，其中在利用所述雷射光束的所述第一照射中以及在利用所述雷射光束的所述第二照射中，當沿包括平行於所述工件的長軸的掃描線以及平行於所述工件的短軸的步線的掃描路徑移動所述雷射光束照射的位置時，掃描所述加工區域。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的雷射加工方法，其中在利用所述雷射光束的所述第一照射中以及在利用所述雷射光束的所 述第二照射中，當沿著同一掃描線掃描所述加工區域時，在所述第一加工區域以及所述第二加工區域中的每一個中啟動所述雷射光束。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的雷射加工方法，其中在利用所述雷射光束的所述第一照射中，通過掃描所述多個掃描線來對所述第一加工區域進行加工，以及在利用所述雷射光束的所述第二照射中，通過僅掃描所述多個掃描線當中穿過所述第一加工區域的中心部分的所述掃描線來對所述第二加工區域進行加工。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的雷射加工方法，其中在利用所述雷射光束的所述第二照射中，所述雷射光束的強度大於利用所述雷射光束的所述第一照射中的強度，或所述掃描線上的所述雷射光束的移動速度以及所述雷射光束的掃描間距小於利用所述雷射光束的所述第一照射中的移動速度以及掃描間距。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的雷射加工方法，其中在利用所述雷射光束的所述第一照射中，由於用於每一區域的所述雷射光束的能量累計在所述第一加工區域的所述中心部分中為恒定的。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的雷射加工方法，其中在利用所述雷射光束的所述第一照射中，將所述第一加工區域的所述中心部分進行加工使得加工深度為恒定的，以及將所述 第一區域的所述週邊部分進行加工使得越接近所述第一加工區域的所述中心部分，所述加工深度越大，以及在利用所述雷射光束的所述第二照射中，將所述第二加工區域進行加工從而穿過所述工件。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的雷射加工方法，更包括檢查加工孔是否形成於所述加工區域中，其中在利用所述雷射光束的所述第二照射中，其中利用所述雷射光束照射在是否形成所述加工孔的所述檢查中未形成所述加工孔的所述加工區域。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的雷射加工方法，其中在是否形成所述加工孔的所述檢查中，通過使用高度感測器、圖像感測器、光感測器以及雷射感測器中的至少一個來檢查是否形成所述加工孔。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102495826B1 (ko) * 2022-04-11 2023-02-06 에이피에스머티리얼즈(주) 멀티 레이어 레이저 조사 기반의 마스크 제조 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6574024B1 (en) * 2000-03-31 2003-06-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Laser beam homogenization by scanning a beam onto a mask
JP2012077328A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Mitsubishi Plastics Inc 蒸着用マスク、その製造方法及び蒸着方法
CN103071932A (zh) * 2013-01-14 2013-05-01 温州大学 一种激光微造型掩膜及利用掩膜的激光微造型方法
KR101267220B1 (ko) * 2011-10-06 2013-05-24 주식회사 엘티에스 레이저를 이용한 마스크 제조방법
CN103451598A (zh) * 2013-09-05 2013-12-18 中山新诺科技有限公司 一种oled显示面板生产用新型精细金属掩膜版及制作方法
TW201635614A (zh) * 2014-12-17 2016-10-01 Ap系统股份有限公司 使用雷射之立體圖案成形方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4046269B2 (ja) * 2001-05-24 2008-02-13 九州日立マクセル株式会社 有機ｅｌ素子用蒸着マスクと有機ｅｌ素子用蒸着マスクの製造方法
US6627844B2 (en) 2001-11-30 2003-09-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of laser milling
EP1810774A1 (de) 2006-01-24 2007-07-25 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung eines Loches
JP2011034681A (ja) 2009-07-29 2011-02-17 Hitachi Displays Ltd 金属加工方法、金属マスク製造方法及び有機ｅｌ表示装置製造方法
CN103014619A (zh) * 2012-12-26 2013-04-03 唐军 一种掩模板及其加工方法
JP6357312B2 (ja) * 2013-12-20 2018-07-11 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク
JP6536941B2 (ja) 2015-04-02 2019-07-03 大日本印刷株式会社 蒸着マスク製造方法
KR101674506B1 (ko) * 2015-08-10 2016-11-10 에이피시스템 주식회사 복합 가공 방법을 이용한 섀도우 마스크의 제조방법 및 이에 의해 제조된 섀도우 마스크

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6574024B1 (en) * 2000-03-31 2003-06-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Laser beam homogenization by scanning a beam onto a mask
JP2012077328A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Mitsubishi Plastics Inc 蒸着用マスク、その製造方法及び蒸着方法
KR101267220B1 (ko) * 2011-10-06 2013-05-24 주식회사 엘티에스 레이저를 이용한 마스크 제조방법
CN103071932A (zh) * 2013-01-14 2013-05-01 温州大学 一种激光微造型掩膜及利用掩膜的激光微造型方法
CN103451598A (zh) * 2013-09-05 2013-12-18 中山新诺科技有限公司 一种oled显示面板生产用新型精细金属掩膜版及制作方法
TW201635614A (zh) * 2014-12-17 2016-10-01 Ap系统股份有限公司 使用雷射之立體圖案成形方法

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