TWI792105B - 有機發光設備 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種有機發光設備，其包括：包括主動區、遮蔽區及墊區域之基板；設置在主動區域中，且包括薄膜電晶體、像素電極和一部分的共電極之顯示單元；設置在遮蔽區和墊區域並且電性連接共電極之第一電壓供應單元；跟共電極重疊，且與共電極分隔並絕緣之第二電壓供應單元；以及設置在共電極和第二電壓供應單元之間之絕緣層，其中跟第一電壓供應單元重疊的共電極部分比跟第二電壓供應單元重疊的共電極部分更靠近墊區域，且絕緣層的端部和跟主動區相鄰之第一電壓供應單元的端部接觸。
Description
相關申請案的交互參照
本文的申請書主張2015年5月1日向韓國智慧財產局提交之韓國專利申請號No.10-2015-0062271之優先權及效益，其全部內容在此如同描述於本文中地引入以作為參考。
例示性實施例係關於一種有機發光設備。更具體而言，例示性實施例係有關於在其中之共電極和電壓供應單元之間具有增加的接觸面積之有機發光設備。
有機發光設備是一個顯示裝置，其可包括像素和有機發光裝置。每一個有機發光裝置的發光或發光程度可以透過薄膜電晶體(TFT)來控制。有機發光裝置可包括像素電極、包括發光層之中間層及和像素電極相對的共電極。共電極可以一體地形成在像素電極和中間層上，且從電壓供應單元的電壓接收電壓，電壓供應單元可跟共電極電性接觸且排列在顯示影像之顯示區域外。
上述先前技術部分所提的資訊只是為了提升本發明概念背景之理解，且因此其可包含不構成在國內不被所屬技術領域中具有通常知識者已知之先前技術之資訊。
例示性實施例提供一種有機發光設備，其可以預防共電極和導電層之間不必要的接觸，且穩定地傳輸電壓給共電極。
其他態樣將會在下文中詳細敘述，且一部分可從本揭露顯而易見，或可從本發明概念的實際操作中習知。
例示性實施例揭露一種有機發光設備，其包括：包括主動區、圍繞主動區的遮蔽區及在遮蔽區的外部區域之墊區域之基板；設置在主動區域之顯示單元，顯示單元包括薄膜電晶體、像素電極和一部分的共電極；設置在遮蔽區和墊區域並且電性接觸共電極之第一電壓供應單元，第一電壓供應單元係設置以施加第一電壓給共電極；跟共電極重疊，且與其隔開並電性絕緣之第二電壓供應單元，第二電壓供應單元係設置以施加第二電壓給薄膜電晶體；以及設置在主動區及遮蔽區上且在共電極和第二電壓供應單元之間之絕緣層，其中跟第一電壓供應單元重疊的共電極之第一部分比跟第二電壓供應單元重疊的共電極之第二部分更靠近墊區域，而且相鄰於第一電壓供應單元之絕緣層的端部接觸相鄰於主動區之第一電壓供應單元的端部。
例示性實施例亦揭露一種有機發光設備，其包括：包括主動區、圍繞主動區的遮蔽區以及在遮蔽區的外部區域之墊區域之基板；設置在主動區中之至少一薄膜電晶體，該至少一薄膜電晶體包含主動圖案、閘極電極、源極電極和汲極電極；設置在主動區中且電性連結至源極電極及汲極電極中之其一之至少一像素電極；面對基板且並包括突起之共電極，突起被設置在相鄰於墊區域之共電極的端部且朝向墊區域延伸；設置在遮蔽區和墊區域上，並且接觸共電極的突起之第一電壓供應單元，第一電壓供應單元係設置以施加第一電壓給共電極；跟共電極重疊，且與其相隔開並電性絕緣之第二電壓供應單元；以及設置在主動區及遮蔽區上且在共電極和第二電壓供應單元之間之絕緣層，其中共電極設置在該至少一薄膜電晶體和該至少一像素電極上；且相鄰於第一電壓供應單元之絕緣層的端部和相鄰於主動區之第一電壓供應單元的端部接觸。
例示性實施例進一步揭露一種形成有機發光二極體設備之方法，其包含：形成主動區、圍繞主動區的遮蔽區以及在遮蔽區的外部區域之墊區域於基板上；形成薄膜電晶體在主動區中；形成第一電壓供應單元和第二電壓供應單元在遮蔽區中；形成絕緣層在主動區和遮蔽區中，該絕緣層覆蓋薄膜電晶體、第一電壓供應單元及第二電壓供應單元；形成像素電極在主動區中之絕緣層上；移除覆蓋第一電壓供應單元的絕緣層的部分；形成共電極在主動區和遮蔽區中，該共電極覆蓋像素電極、絕緣層和第一電壓供應單元的露出部分，其中像素電極、共電極和薄膜電晶體形成顯示單元；第一電壓供應單元施加第一電壓給共電極且第二電壓供應單元施加第二電壓給薄膜電晶體；且第一電壓供應單元跟第二電壓供應單元跟薄膜電晶體的源極電極和汲極電極設置在同一層上。
以上概括描述和接下來的詳細描述為例示性及說明性，且意圖提供所主張之標的之進一步理解。
在接下來的敘述，為了解釋上之目的，描述許多具體細節以提供對各種例示性實施例的完整了解。然而，顯而易見的是，各種例示性實施例可在沒有這些具體細節或以一或多個等效配置的情況下實施。在其他例子，已知的結構和裝置以方塊圖呈現，以避免不必要地模糊各種例示性實施例。
在附圖中，為了清楚及說明之目的，層、薄膜、面板、區域等之尺寸和相對尺寸可被誇大。再者，類似的附圖標記表示類似的元件。
當一元件或一層被稱為在另一元件或另一層「上(on)」或是「連接(connected to)」或「耦接(coupled to)」另一元件或另一層時，其可以是直接在另一元件或另一層上、或是直接連結或直接耦接另一元件或另一層，或可存在中間元件或中間層。然而，當一元件或一層被稱為「直接」在另一元件或另一層「上(directly on)」或是「直接連接(directly connected to)」或「直接耦接(directly coupled to)」另一元件或另一層時，不存在中間元件或中間層。為了本發明之目的「X、Y及Z 中之至少其一(at least one of X, Y, and Z)」和「選自由X、Y及Z所組成之群組中之至少其一(at least one selected from the group consisting of X, Y, and Z)」 可被解釋為僅X、僅Y、僅Z或是X、Y及Z中之其二或多個的任意組合，像是，例如：XYZ、XYY、YZ和ZZ。通篇中類似的附圖標記表示類似的元件。當說明書中使用詞彙「及/或(and/or)」時，其包含一或多個相關所列項目之任意及全部之組合。
雖然本文中可使用第一、第二等詞彙來描述各種元件、成分、區域、層及/或部分，這些元件、成分、區域、層及/或部分不應當被這些詞彙限制。這些詞彙被用於從另一個元件、成分、區域、層及/或部分區分出一個元件、成分、區域、層及/或部分。如此，以下討論的第一元件、第一成分、第一區域、第一層及/或第一部分也可以稱為第二元件、第二成分、第二區域、第二層及/或第二部分，而不悖離本發明的精神及範圍。
空間相對詞彙，例如「下部(beneath)」、「以下(below)」、「下(lower)」、「以上(above)」、「上(upper)」等，可為了描述之目的而用於本文中，且從而描述如圖所示的一個元件或特徵與跟另一個元件或特徵的關係。除了圖中所描繪的方位外，空間相對詞彙意圖囊括設備在使用、操作及/或製造上的不同方位。舉例來說，假如圖中的設備被翻轉，被描述為在其他元件或特徵「以下(below)」或「下部(beneath)」的元件將被定向為在其他元件或特徵「以上(above)」。因此，例示性詞彙「以下 (below)」可包含以上和以下的方位。再者，設備可被另外定向(例如被以90度或以其他的方向旋轉)，且因此本文中使用的空間相對詞彙據此解釋。
文中使用的詞彙是用於描寫具體實施例的目的，而不意圖為限制。除非上下文另有清楚地指示，否則當單數形式「一(a)」、「一(an)」和「該(the)」用於本文中時，其也意圖包括複數形式。另外，當說明書中使用「包含(comprises)」、「包含(comprising)」、「包括(includes)」及/或「包括(including)」這些詞彙時，其係特指所述特徵、整體、步驟、操作、元件、成分及/或其群組的存在，但是不排除一或多個特徵、整體、步驟、操作、元件、成分及/或其群組的存在或附加。
各種例示性實施例藉由參照截面示意圖來描述於本文中，這些截面示意圖為理想的例示性實例及/或中間結構的示意圖。因此，可以預期例如因為製造技術及/或容許誤差所造成之繪示形狀的偏差。因此，本文揭露的例示性實施例不解釋為侷限於具體繪示的區域形狀，而是包括例如製造所致之形狀偏差。舉例來說，繪示為長方形之植入區域，通常將具有圓形或彎曲的特徵及/或在其邊緣有植入濃度的梯度變化，而不是從植入到未植入區域的二元變化。同樣地，由植入形成的埋藏區域，可能在埋藏區域和植入發生的表面之間的區域造成一些植入。因此，圖中所繪示的區域為示意性性質，且他們的形狀不意圖繪示出裝置區域的真實形狀，且不意圖受此限制。
除非另外定義，否則本文使用的所有詞彙(包括技術和科學詞彙)與本發明所屬領域具有通常知識者之通常理解具有相同之意義。詞彙，例如定義在通用字典裡的詞彙，應該被解釋成，具有跟相關領域的內文意思有一致性的意思，而不應該以理想化或過於正式的意思詮釋，除非在此明確地定義。
第1圖係為描繪根據例示性實施例之有機發光設備1000的平面示意圖。第2圖是沿著第1圖的線II-II’截取的剖面圖。第3圖是沿著第1圖的線III-III’ 截取的剖面圖。
參考第1圖和第2圖，有機發光設備1000包括基板100，基板100包括為顯示區域之主動區AA和遮蔽區DA，主動區AA是顯示區域，遮蔽區DA是非顯示區域。
薄膜電晶體TFT1和跟薄膜電晶體TFT1電性連結的有機發光裝置(OLED)可排列在基板100的主動區AA中。OLED和薄膜電晶體TFT1之間的電性連結可意指像素電極231電性連結至薄膜電晶體TFT1。薄膜電晶體TFT2排列在圍繞基板100之主動區AA的遮蔽區DA。薄膜電晶體TFT2可為控制施加於主動區AA的電訊號之電路單元的一部分。
共電極233可設置在基板100的主動區AA和遮蔽區DA上，且面對基板100，使薄膜電晶體TFT1和像素電極231設置於其下。
各種導線和驅動單元可設置在基板100之遮蔽區DA中，其中驅動單元跟導線連結且施加電訊號和電壓給導線。尤其是，經由掃描線(未示出)傳輸掃描訊號給像素之掃描驅動器110以及經由資訊線(未示出)傳輸資料訊號給像素之資料驅動器120可設置在遮蔽區DA中。施加第一電壓給共電極233之第一電壓供應單元225以及施加第二電壓給主動區AA的薄膜電晶體TFT1之第二電壓供應單元226可設置在遮蔽區DA和墊區域PA中。
第二電壓線227跟第二電壓供應單元226連接且向基板100的遮蔽區DA延伸遍及(across)於整個基板100的主動區AA。第二電壓線227可於整個主動區AA中彼此平行排列，以均勻地施加第二電壓給每一個像素。第二電壓線227可與彼此連接，並具有網狀形式，從而可減少第二電壓的壓降。第一電壓供應單元225和第二電壓供應單元226往基板100的墊區域PA延伸且連接到墊區域PA的末端T。
與共電極233分離且圍繞共電極233之密封元件130可排列在基板100的遮蔽區DA中。密封元件130自共電極233的外部區域密封裝顯示區域(如：顯示區域)，且從而可避免外部水氣、氧氣、其他雜質等滲透進顯示區域。
密封元件130包括熔塊(frit)。尤其是，密封元件130可藉由在基板100的預定位置形成包含熔塊之糊劑，接著融化並硬化包含熔塊之糊劑。熔塊可包括氧化釩(vanadium oxide, VO2
)或氧化鉍(bismuth oxide, Bi2
O3
)，且可進一步包括各種材料，例如二氧化碲(tellurium dioxide,TeO2
)、氧化鋅(zinc oxide, ZnO)、氧化鋇(barium oxide, BaO)、五氧化二鈮(niobium pentoxide, Nb2
O5
)、二氧化矽(silicon oxide, SiO2
)、氧化鋁(aluminum oxide, Al2
O3
)、二氧化鋯(zirconium oxide, ZrO2
)、五氧化二磷(phosphorus pentoxide, P2
O5
)中的至少其一。密封元件130也可包括由各種材料組成的填充劑，以改善密封性質。
除了圍繞在顯示區域的密封元件130之外，有機發光設備1000可進一步包括密封介質，其中堆疊至少一絕緣層。密封介質可包括至少一有機層及/或至少一無機層，而至少一有機層及至少一無機層可交替堆疊。密封介質可有效地密封顯示區域且提供可撓性給有機發光設備。
以下，有機發光設備1000的結構將參照第2圖詳細描述。
當有機發光設備1000是底部發光型時，顯示之影像可透過基板100而被觀察到。因此，基板100由主要包含二氧化矽(SiO2
)之透明玻璃形成。另外，基板100可由包含絕緣有機材料之透明塑膠形成。
當有機發光設備1000是頂部發光型時，顯示之影像可在相對於基板100的方向執行。因此，基板100可不包含透明材料而是包含金屬。
薄膜電晶體TFT1可設置在基板100的主動區AA中，且分別包括主動圖案221、閘極電極222、源極電極223和汲極電極224。
緩衝層212可形成在基板100上。緩衝層212可防止雜質滲透進入基板100，且提供平坦表面給基板100。緩衝層212可包括無機材料或有機材料，且可由多層形成。
主動圖案221可由無機半導體(例如：矽)或是有機半導體形成，且設置在緩衝層212上。主動圖案221可包括源極區域、汲極區域和其間之通道區域。當主動圖案221由非晶矽形成時，非晶矽層可形成在整個基板100上，接著晶體化非晶矽層以形成結晶矽層。結晶矽層可被圖案化，且設置在主動圖案221邊緣的源極區域和汲極區域可摻雜有雜質，從而形成包括源極區域、汲極區域和其間之通道區域之主動圖案221。
閘極絕緣層213可形成在主動圖案221上。閘極絕緣層213可絕緣主動圖案221和閘極電極222，且可由無機材料形成，如氮化矽(silicon nitride, SiNX
)和二氧化矽(silicon dioxide, SiO2
)。
閘極電極222可形成在閘極絕緣層213的預定部分上。閘極電極222連結傳輸開/關訊號給薄膜電晶體TFT1等的掃描線(未示出)。閘極電極222可包含金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鋁(Al)及鉬(Mo)和其合金，例如：鋁釹合金(Al：Nd)、鉬鎢合金(Mo：W)。另外，基於設計上之考量，閘極電極222可由各種材料形成。
形成在閘極電極222上之中間絕緣層214可絕緣閘極電極222以及源極電極223與汲極電極224。中間絕緣層214可為包含無機材料，像是SiNX
或SiO2
之單層或多層。
源極電極223和汲極電極224可形成在中間絕緣層214上。尤其是，中間絕緣層214和閘極絕緣層213可形成以露出主動圖案221的源極區域和汲極區域，且源極電極223和汲極電極224可形成以接觸露出之主動圖案221的源極區域和汲極區域。
第一電壓供應單元225、第二電壓供應單元226以及和第二電壓供應單元226連接的第二電壓線227可和源極電極223以及汲極電極224形成在同一層上。資訊線(未示出)可形成為與第二電壓線227平行，且跟源極電極223和汲極電極224形成在同一層上。
第2圖描繪頂閘極型的薄膜電晶體TFT1，其依序包括主動圖案221、閘極電極222、源極電極223和汲極電極224。根據例示性實施例，閘極電極222可設置在主動圖案221下。
可佈置覆蓋薄膜電晶體TFT1之源極電極223和汲極電極224的絕緣層215來保護薄膜電晶體TFT1等。因此，跟源極電極223和汲極電極224形成在同一層上之資訊線和第二電壓線227，及和連結至第二電壓線227之第二電壓供應單元226，可藉由絕緣層215絕緣。絕緣層215可包括有機材料，例如：聚甲基丙烯酸甲酯 (poly(methyl methacrylate), PMMA)、酚類聚合物衍生物(phenol-based polymer derivative)、壓克力類聚合物(acryl-based polymer)、醯亞胺類聚合物(imide-based polymer)、伸芳基醚類聚合物(arylene ether-based polymer)、醯胺類聚合物(amide-based polymer)、氟類聚合物(fluorine-based polymer)、對二甲苯類聚合物(p-xylene-based polymer)、乙烯醇類聚合物(vinyl alcohol-based polymer)及其任意組合。另外，絕緣層215可由無機材料形成。當絕緣層215由無機材料形成時，絕緣層215包含二氧化矽(SiO2
)、氮化矽(SiNX
)、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(Al2
O3
)、二氧化鈦(TiO2
)、五氧化二鉭(Ta2
O5
)、氧化鉿(HfO2
)、氧化鋯(ZrO2
)、鈦酸鋇鍶(barium strontium titanate, BST)、鋯鈦酸鉛(lead zirconate titanate, PZT)等。絕緣層215可為其中堆疊無機層和有機層之疊層體。
孔洞230可形成在絕緣層215中，從而可露出一部分的汲極電極224或源極電極223。
像素電極231可形成在絕緣層215上且包含覆蓋一部分或整個孔洞230的內表面，或填充孔洞230的接觸插頭。像素電極231可經由形成在絕緣層215中的孔洞230電性連結到薄膜電晶體TFT1的汲極電極224或源極電極223。因此，由薄膜電晶體TFT1施加的驅動電流可流到OLED。
在基板100的主動區AA中，包含像素電極231、共電極233、以及設置於其間且包含發光層之中間層232的OLED可設置在絕緣層215之上。
像素電極231可為透明(半透明)電極或反射電極。當像素電極是透明(半透明)電極時，像素電極231可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2
O3
)、氧化銦鎵(IGO)或氧化鋅鋁(AZO)。當像素電極是反射電極時，像素電極231可包含由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)以及其化合物所形成的反射層，以及由ITO、 IZO、ZnO、In2
O3
、IGO或AZO所形成的層。像素電極231可具有單層結構或多層結構。
像素定義層216可設置在絕緣層215上。像素定義層216包括對應每一個像素的開口，也就是至少露出像素電極231的中央部分的開口，從而界定像素。如第2圖所繪示，像素定義層216可增加像素電極231的端部和設置在像素電極231上的共電極233之間的距離，其可防止在像素電極231的端部發生電弧(electric arcs)。像素定義層216設置在絕緣層215上，且像素定義層216可排列或可不排列在排列於主動區AA的外部區域之遮蔽區DA中。像素定義層216可由有機材料，包含聚醯亞胺(polyimide)、聚醯胺(polyamide)、丙烯酸樹脂(acryl resin)、苯並環丁烯(benzocyclobutene, BCB)和酚醛樹脂(phenol resin)中之至少其一，經由旋轉塗佈等形成。
OLED的中間層232可包含小分子材料(low-molecular material)或高分子材料。當中間層232包含小分子材料時，中間層232可具有包括電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發光層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等中之其一之單層結構及其多層結構。形成中間層232的有機材料可能變化，且包括如銅酞菁 (copper phthalocyanine,CuPc)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'- 二苯基-聯苯胺 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine, NPB)、三-(8-羥基喹啉)鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum, Alq3)等。上述層可藉由真空沉積法形成。
當中間層232包含高分子材料時，中間層232可具有包含HTL和EML之結構。在這個狀況， HTL可由高分子材料，例如：聚(3,4-乙撐二氧噻吩) (Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene), PEDOT)，且發光層可由高分子材料，例如：聚對苯乙烯(poly-phenylenevinylene, PPV)類高分子材料或聚芴(polyfluorene)類高分子材料，藉由噴墨印刷或雷射誘致熱成像(LITI)等方法形成。
共電極233可設置在主動區AA和遮蔽區DA上方。如第1圖所繪示，共電極233可覆蓋主動區AA。尤其是，共電極233一體地形成在每個OLED的像素電極231和中間層232上，且可為面向各像素電極231之相對電極。
共電極233可為透明(半透明)電極或反射電極。當共電極233是透明電極時，共電極233可包含含有低功函數的金屬之層，例如：鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF /Ca) 、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、鎂(Mg)或其組合，而透明(半透明)電極包含ITO、 IZO、ZnO、In2
O3
等。當共電極233是反射電極時，共電極233可包含含有鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF /Ca) 、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、鎂(Mg)或其組合之層。
下文中，將參照第1圖到第3圖詳細描述共電極233的形狀及排列。首先，將描述第一電壓供應單元225和第二電壓供應單元226。
和共電極233電性連接的第一電壓供應單元225可設置在基板100的主動區AA之外部區域上的遮蔽區DA。共電極233可設置在基板100的主動區AA和遮蔽區DA上，且至少接觸排列在遮蔽區DA中的第一電壓供應單元225之一部分，因此，接收來自第一電壓供應單元225的第一電壓。
如第2圖所繪示，共電極233的表面可與接觸區CA中之第一電壓供應單元225的表面直接接觸。另外，共電極233可經由設置於其間之導電層，間接接觸第一電壓供應單元225。
接觸區CA的面積越大，第一電壓可越順利地透過第一電壓供應單元225施加給共電極233。舉例來說，當第一電壓持續施加(constantly applied)至共電極233時或當共電極233接地時，共電極233的電位(electric potential)可為一致的。因此，增加第一電壓供應單元225和共電極233之間的接觸區CA的尺寸，可提供穩定的表面接觸，從而使共電極233的電位可為一致的。
參考第2圖，可執行接下來的製程以實現接觸區CA間之第一電壓供應單元225和共電極233的有效連結。在基板100的遮蔽區DA中，在第一電壓供應單元225跟第二電壓供應單元226跟源極電極223和汲極電極224形成在同一層上之後，可形成絕緣層215以覆蓋源極電極223、汲極電極224、第一電壓供應單元225和第二電壓供應單元226。然後，覆蓋第一電壓供應單元225之絕緣層215的部分，也就是，將被形成為接觸區CA之第一電壓供應單元225的上方區域，可以靠蝕刻等移除。在這個狀況，可以維持設置在第二電壓供應單元226上之絕緣層215的一部分，例如防止能導致短路和損壞像素電路之第二電壓供應單元226和共電極233間之接觸。因此，在第二電壓供應單元226和共電極233之間的絕緣層215可以預防或減少對像素電路的損壞。在像素電極231和中間層232形成在絕緣層215上後，共電極233設置在基板100的主動區AA和遮蔽區DA上。
如第2圖所繪示，透過上述製程，在基板100的遮蔽區DA中，相鄰於第一電壓供應單元225的絕緣層215的端部可接觸或部分重疊相鄰於主動區AA的第一電壓供應單元225的端部。相當大部分的第一電壓供應單元225的上表面可藉由移除設置於其上之絕緣層215的部分而露出時，共電極233可覆蓋第一電壓供應單元225的上表面。因此，透過充分地增加第一電壓供應單元225和共電極233之間的接觸區CA，可均勻地維持自第一電壓供應單元225接收第一電壓之共電極233的電位。
在比較性有機發光設備，在基板100的遮蔽區DA中，當共電極233的面積增加到線A-A’，以覆蓋大部分第一電壓供應單元225的上表面時，第二電壓供應單元226亦可被共電極233覆蓋至線A-A’。在此情況下，設置在共電極233和第二電壓供應單元226之間的絕緣層215的面積也會增加，以對應於共電極233至線A-A’的增加。然而，在朝向設置在遮蔽區DA相對最外圍區域的密封元件130的方向增加絕緣層的面積可能具有將在下文描述之缺點。
根據本例示性實施例，在基板100的遮蔽區DA中，第一電壓供應單元225上方的共電極233部分可具有不同於第二電壓供應單元226上方的共電極233之形狀。
詳言之，如第1圖和第3圖所示，在基板100的遮蔽區DA中，跟第一電壓供應單元225接觸的共電極233的部分可比跟第二電壓供應單元226重疊的共電極233的部分更靠近墊區域PA。跟第一電壓供應單元225接觸的共電極233的部分和跟第二電壓供應單元226重疊的共電極233的部分設置在不同層上。尤其是，絕緣層215設置在共電極233和第二電壓供應單元226之間。
如第1圖所示，朝向墊區域PA的突出的突起234可從相鄰於墊區域PA的第一電壓供應單元225上之共電極233的端部延伸。共電極233的突起234可從接觸第一電壓供應單元225之共電極233的部分延伸，但是突起234可不形成在跟第二電壓供應單元226重疊的共電極233的部分上。另一方面，絕緣層的突起部分可被設置在絕緣層的端部且朝向墊區域延伸。在一些實例中，突出部分係設置在第一電壓供應單元225之間或突起234之間。然而，突起234可延伸至線A-A’，同時突出部分可能未延伸到線A-A’。也就是說，從墊區域到突起234的距離短於從墊區域到突出部分的距離。在一些實例中，從墊區域到設置以和第一電壓供應單元重疊的共電極233的部分的距離短於從墊區域到絕緣層的突出部分的距離。在其他實例中，從墊區域到絕緣層的突出部分的距離短於從墊區域到設置於突出部分上的共電極233的部分的距離，如第1圖所繪示。再者，如第3圖所繪示，絕緣層215可不排列在跟第一電壓供應單元225接觸的共電極233的部分，而是排列在和第二電壓供應單元226重疊的共電極233的部分。因此，因為共電極233接觸第一電壓供應單元225，而不接觸第二電壓供應單元226，第一電壓可以穩定地施加在共電極233。
下文中將參考第4圖和第5圖詳細描述共電極233的形狀和排列的效果。
第4圖係為根據比較例之有機發光設備2000的一部分的平面示意圖。第5圖是沿著第4圖的線V-V’ 截取的剖面圖。
如上所述，可增加第一電壓供應單元225和共電極233之間的接觸區，以順利地施加第一電壓給共電極233，從而使共電極233的電位可為一致的。
在比較實施例中，如第4圖所繪示，共電極33覆蓋第一電壓供應單元25的和第二電壓供應單元26的上部至線A-A’。在基板10的遮蔽區DA'中，絕緣層15可形成至線A-A’，線A-A’可對應相鄰於墊區域PA'的第一電壓供應單元25的端部。然而，當絕緣層15延伸到線A-A’時，在形成設置在基板10的遮蔽區DA'中的絕緣層15外部之密封元件30時，絕緣層15可能會受損，其可能使形成在絕緣層15下的薄膜電晶體TFT1'劣化。
尤其是，絕緣層15可具有比絕緣層13和14還大的厚度，以平坦化在形成薄膜電晶體TFT1'期間產生的不平部分，從而絕緣層15可覆蓋和保護薄膜電晶體TFT1'。因此，絕緣層15可包含有機材料。然而，當形成密封元件30以圍繞在基板10的遮蔽區DA'之絕緣層15外側時，若絕緣層15跟密封元件30之間的距離小於最小距離，包含有機材料的絕緣層15可因為施加於熔塊之熱而輕易地劣化。因此，在基板10的遮蔽區DA'中，絕緣層15和圍繞絕緣層15外側的密封元件30應該彼此分開。
根據第4圖和第5圖的比較例，當絕緣層15形成到線A-A’，對應於相鄰於墊區域PA'的第一電壓供應單元25的端部，絕緣層15可能無法充分地與密封元件30分開，其可能會使絕緣層15受到損壞。
根據例示性實施例之有機發光設備1000包含第1圖和第2圖所繪示的結構，以增加第一電壓供應單元225和共電極233之間的接觸區CA，而不增加基板100的遮蔽區DA中之絕緣層215的區域。尤其是，接觸第一電壓供應單元225上部的共電極233的部分可朝向密封元件130突出，而接觸第二電壓供應單元226上部的共電極233的部分(其中絕緣層215設置於其間)跟密封元件彼此相對地分開。因此，第一電壓可透過第一電壓供應單元225順利地施加於共電極233。
因此，根據本發明概念的例示性實施例，可順利的建立共電極和電壓供應單元間的電性連接，從而有機發光設備可穩定地施加電壓給共電極。除此之外，有機發光設備可以避免共電極和導電層之間不必要的連接。
雖然一些例示性實施例和實施方式已經描述於此，其他實施例和變形例將從此敘述中顯而易見。因此，本發明概念不侷限於這些例示性實施例，而是本申請專利範圍更寬廣的範圍和各種明顯的變形例和等效配置。
AA:主動區CA:接觸區DA,DA':遮蔽區PA,PA':墊區域TFT1,TFT2,TFT1':薄膜電晶體OLED:有機發光二極體10,100:基板110:掃描驅動器120:資訊驅動器30,130:密封元件212:緩衝層213:閘極絕緣層214:中間絕緣層13,14,15,215:絕緣層216:像素定義層221:主動圖案222:閘極電極223:源極電極224:汲極電極25,225:第一電壓供應單元26,226:第二電壓供應單元227:第二電壓線230:孔洞231:像素電極232:中間層33,233:共電極234:突起1000,2000:有機發光設備
包含於本說明書中以提供對本發明概念之進一步理解的附圖，係整合於說明書中並夠成說明書的一部分以說明本發明概念的例示性實施例，且與說明書中之敘述一起用以解釋本發明概念的理論。
第1圖係為描繪根據例示性實施例之有機發光設備的平面示意圖。
第2圖是沿著第1圖的線II-II’截取的剖面圖。
第3圖是沿著第1圖的線III-III’ 截取的剖面圖。
第4圖係為根據比較例之有機發光設備一部分的平面示意圖。
第5圖是沿著第4圖的線V-V’ 截取的剖面圖。
AA:主動區
CA:接觸區
DA:遮蔽區
PA:墊區域
TFT1,TFT2:薄膜電晶體
OLED:有機發光二極體
100:基板
130:密封元件
212:緩衝層
213:閘極絕緣層
214:中間絕緣層
215:絕緣層
216:像素定義層
221:主動圖案
222:閘極電極
223:源極電極
224:汲極電極
225:第一電壓供應單元
226:第二電壓供應單元
230:孔洞
231:像素電極
232:中間層
233:共電極
Claims (33)
- 一種有機發光設備，其包含：一基板，包括一主動區、圍繞該主動區的一遮蔽區以及在該遮蔽區的外部區域之一墊區域；至少一薄膜電晶體，設置在該主動區中，該至少一薄膜電晶體包含一主動圖案、一閘極電極、一源極電極和一汲極電極；至少一像素電極，設置在該主動區中且電性連結至該源極電極及該汲極電極中之其一；一共電極，面對該基板且並包括一突起，該突起被設置在相鄰於該墊區域之該共電極的端部且朝向該墊區域延伸；一第一電壓供應單元，設置在該遮蔽區和該墊區域上，並且接觸該共電極的該突起，該第一電壓供應單元係設置以施加一第一電壓給該共電極；一第二電壓供應單元，跟該共電極重疊，且與該共電極相隔開並電性絕緣；以及一絕緣層，設置在該主動區及該遮蔽區上且在該共電極和該第二電壓供應單元之間，其中：該共電極設置在該至少一薄膜電晶體和該至少一像素電極上；且相鄰於該第一電壓供應單元之該絕緣層的端部和相鄰於該主動區之該第一電壓供應單元的端部接觸。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光設備，其進一步包括從該第二電壓供應單元延伸並遍及該主動區的複數個第二電壓線， 其中該第二電壓供應單元係設置以經由該複數個第二電壓線中之至少一第二電壓線施加第二電壓給該至少一薄膜電晶體。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光設備，其中設置在該遮蔽區中之該第二電壓供應單元的部分不跟該突起重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光設備，其中設置在該遮蔽區中之該第一電壓供應單元的部分不跟該絕緣層重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光設備，其中在該遮蔽區中，該突起係設置在該第一電壓供應單元上。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光設備，其中該絕緣層包含一有機材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光設備，其進一步包含設置在該遮蔽區的一密封元件，其中該密封元件跟該共電極和該絕緣層相隔開，並圍繞該共電極和該絕緣層。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光設備，其中該第一電壓供應單元及該第二電壓供應單元和該至少一薄膜電晶體的該源極電極以及該汲極電極設置在同一層上。
- 一種有機發光設備，其包含：一基板，包括一主動區及圍繞該主動區的外部區域之一墊區域；至少一薄膜電晶體，設置在該主動區中；至少一像素電極，設置在該主動區中且電性連結至該至少一薄膜電晶體；一共電極，面對該基板且並包括一突起，該突起被設置在相鄰於該 墊區域之該共電極的端部且朝向該墊區域延伸；一第一電壓供應單元，設置在該主動區和該墊區域之間，並且接觸該共電極的該突起，該第一電壓供應單元係設置以施加一第一電壓給該共電極；一第二電壓供應單元，跟該共電極重疊，且與該共電極相隔開並電性絕緣；以及一絕緣層，設置在該共電極和該第二電壓供應單元之間，其中該共電極設置在該至少一薄膜電晶體和該至少一像素電極上。
- 如申請專利範圍第9項所述之有機發光設備，其進一步包括從該第二電壓供應單元延伸並遍及該主動區的複數個第二電壓線，其中該第二電壓供應單元係設置以經由該複數個第二電壓線中之至少一第二電壓線施加第二電壓給該至少一薄膜電晶體。
- 如申請專利範圍第9項所述之有機發光設備，其中該第二電壓供應單元的部分係設置得不跟該突起重疊。
- 如申請專利範圍第9項所述之有機發光設備，其中該第一電壓供應單元的部分係設置得不跟該絕緣層重疊。
- 如申請專利範圍第9項所述之有機發光設備，其中該突起係設置在該第一電壓供應單元上。
- 如申請專利範圍第9項所述之有機發光設備，其中該絕緣層包含一有機材料。
- 如申請專利範圍第9項所述之有機發光設備，其進一步包含設置在該主動區外部的一密封元件， 其中該密封元件跟該共電極和該絕緣層相隔開，並圍繞該共電極和該絕緣層。
- 如申請專利範圍第9項所述之有機發光設備，其中該至少一薄膜電晶體包含一主動圖案、一閘極電極、一源極電極以及一汲極電極，其中該第一電壓供應單元及該第二電壓供應單元係設置在與該至少一薄膜電晶體之該源極電極以及該汲極電極的同一層上。
- 如申請專利範圍第9項所述之有機發光設備，其中相鄰於該第一電壓供應單元之該絕緣層的端部和相鄰於該主動區之該第一電壓供應單元的端部接觸。
- 如申請專利範圍第9項所述之有機發光設備，其中該突起包含一第一突起以及一第二突起，其中該絕緣層包含一絕緣突起，該絕緣突起係設置於該第一突起以及該第二突起之間。
- 一種有機發光設備，其包含：一基板，包括一主動區及圍繞該主動區的外部區域之一墊區域；至少一薄膜電晶體，設置在該主動區中；至少一像素電極，設置在該主動區中且電性連結至該至少一薄膜電晶體；一共電極，面對該基板且並包括一突起，該突起被設置在相鄰於該墊區域之該共電極的端部且朝向該墊區域延伸；一第一電壓供應單元，設置在該主動區和該墊區域之間，並且接觸該共電極的該突起，該第一電壓供應單元係設置以施加一第一電壓給該共電極；以及 一絕緣層，設置在該共電極和該至少一薄膜電晶體之間，其中該絕緣層包覆相鄰於該主動區的該第一電源供應單元的端部，其中該共電極設置在該至少一薄膜電晶體和該至少一像素電極上。
- 如申請專利範圍第19項所述之有機發光設備，其進一步包括一第二電壓供應單元，跟該共電極重疊，其中該絕緣層係設置在該第二電壓供應單元和該共電極之間。
- 如申請專利範圍第20項所述之有機發光設備，其進一步包括從該第二電壓供應單元延伸並遍及該主動區的複數個第二電壓線，其中該第二電壓供應單元係設置以經由該複數個第二電壓線中之至少一第二電壓線施加第二電壓給該至少一薄膜電晶體。
- 如申請專利範圍第19項所述之有機發光設備，其中在一平面圖中，該第二電壓供應單元係設置在該主動區和該第一電壓供應單元之間。
- 如申請專利範圍第19項所述之有機發光設備，其中相鄰於該墊區域之該第一電壓供應單元的端部不與該絕緣層重疊。
- 如申請專利範圍第19項所述之有機發光設備，其中該突起係設置在該第一電壓供應單元上。
- 如申請專利範圍第19項所述之有機發光設備，其中該絕緣層包含一有機材料。
- 如申請專利範圍第19項所述之有機發光設備，其進一步包含設置在該主動區外部的一密封元件， 其中該密封元件跟該共電極和該絕緣層相隔開，並圍繞該共電極和該絕緣層。
- 如申請專利範圍第19項所述之有機發光設備，其中該至少一薄膜電晶體包含一主動圖案、一閘極電極、一源極電極以及一汲極電極，其中該第一電壓供應單元係設置在與該至少一薄膜電晶體之該源極電極以及該汲極電極的同一層上。
- 如申請專利範圍第19項所述之有機發光設備，其中該突起包含一第一突起以及一第二突起，其中該絕緣層包含一絕緣突起，該絕緣突起係設置於該第一突起以及該第二突起之間。
- 一種有機發光設備，其包含：一基板，包括一主動區及圍繞該主動區的外部區域之一墊區域；至少一薄膜電晶體，設置在該主動區中；至少一像素電極，設置在該主動區中且電性連結至該至少一薄膜電晶體；一共電極，面對該基板且並包括一突起，該突起被設置在相鄰於該墊區域之該共電極的端部且朝向該墊區域延伸；一第一電壓供應單元，設置在該主動區和該墊區域之間，並且接觸該共電極的該突起，該第一電壓供應單元係設置以施加一第一電壓給該共電極；以及一絕緣層，設置在該共電極和該至少一薄膜電晶體之間，其中該突起包含一第一突起以及一第二突起，其中該絕緣層包含一絕緣突起，該絕緣突起係設置於該第一突起以 及該第二突起之間。
- 如申請專利範圍第29項所述之有機發光設備，其進一步包括一第二電壓供應單元，跟該共電極重疊，其中該絕緣層係設置在該第二電壓供應單元和該共電極之間。
- 如申請專利範圍第30項所述之有機發光設備，其進一步包括從該第二電壓供應單元延伸並遍及該主動區的複數個第二電壓線，其中該第二電壓供應單元係設置以經由該複數個第二電壓線中之至少一第二電壓線施加第二電壓給該至少一薄膜電晶體。
- 如申請專利範圍第30項所述之有機發光設備，其中在一平面圖中，該第二電壓供應單元係設置在該主動區和該第一電壓供應單元之間。
- 如申請專利範圍第29項所述之有機發光設備，其中該絕緣層包覆相鄰於該主動區的該第一電源供應單元的端部。
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