TW201421663A - 有機發光顯示設備及其製造方法 - Google Patents

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Young-Mo Koo
Jae-Goo Lee
Woo-Sik Jeon
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Abstract

在一態樣中，提供一種有機發光顯示設備，其包含﹕基板；在基板上的至少一彩色濾光片；覆蓋至少一彩色濾光片的覆蓋層；形成在覆蓋層上的第一鈍化層；形成在第一鈍化層上的光散射層；形成在光散射層上的第一電極；面向第一電極的第二電極；以及位於第一電極與第二電極之間的有機層。

Description

有機發光顯示設備及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2012年11月20日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2012-0131941號之優先權及效益，其全部內容係於此併入作為參考。
所描述之技術係有關於有機發光顯示設備及其製造方法，更特別的是，有關於含有光散射層的有機發光顯示設備。
通常，有機發光二極體（OLED）具有薄膜形狀之有機發光層位於陽極（正電極）與陰極（負電極）之間的結構。由於從陽極注入的電洞與從陰極注入的電子在有機發光層重組，使得有機發光二極體發光。
根據驅動方法，有機發光二極體可分類成具有被動驅動方法的被動矩陣（PM）型，以及具有主動驅動方法的主動矩陣（AM）型。在PM型有機發光二極體（PM-OLED）中，陽極與陰極係分别地配置成複數行與複數列，而掃描訊號可從列驅動電路（row driving circuit）供應至陰極，其造成選擇複數列中的其中一列。而且，數據訊號可輸入至行驅動電路（column driving circuit）之每一像素。相反地，主動矩陣型OLED（AM-OLED）可使用薄膜電晶體控制輸入至每一像素的訊號，且因為AM-OLED適合處理大量訊號，所以AM-OLED可用作顯示移動影像應用的顯示裝置。
頂發光型紅色、綠色與藍色（RGB）獨立沉積方法可用以製造出具有低電力消耗與高亮室對比度（CR）特性的AM-OLED。根據RGB獨立沉積方法，可使用微細金屬遮罩(minute metal mask)根據顏色配置圖案化。然而，由於配置微細金屬遮罩時需有精確性以及使用大尺寸遮罩所產生的偏轉現象（deflection phenomenon），用於大型AM-OLED時係難以控制RGB獨立沉積方法。相反地，形成RGB獨立發光層之複數個方法中的其中一種，噴墨方法，可使用於大基板，但是因為目前可溶解材料特性係差於沉積材料特性，所以需要預先取得材料特性。而且，可使用雷射引發熱成像（LITI）方法，其使用雷射光束以獨立地轉移形成在施體薄膜（donor film）上的發光層，但是有機發光二極體之使用壽命可能會降低。
白色有機發光二極體彩色濾光片（WOLED-CF）方法，其中彩色濾光片係應用於WOLED，因為其製程效率以及良率而逐漸受到注意。WOLED-CF方法係使用彩色濾光片來顏色圖案化，並施加覆蓋層（overcoat layer）用於平坦化。
本實施例係提供一種有機發光顯示設備及其製造方法。在一些實施例中，該設備係提供最佳化亮度特性以及光利用效率、改進的視角、以及防止在操作期間漏光現象。
一些實施例提供有機發光顯示設備，包含﹕基板；在基板上的至少一彩色濾光片；覆蓋至少一彩色濾光片的覆蓋層；在覆蓋層上形成的第一鈍化層；在第一鈍化層上形成的光散射層；形成在光散射層上的第一電極；面向第一電極的第二電極；以及位於第一電極與第二電極之間的有機層。
在一些實施例中，有機發光顯示設備可進一步包含在光散射層與第一電極之間的第二鈍化層。
在一些實施例中，有機發光顯示設備可進一步包含在基板與至少一彩色濾光片之間的保護層。
在一些實施例中，至少一彩色濾光片可為一紅色濾光片、一綠色濾光片與一藍色濾光片中的任何一種。
在一些實施例中，有機發光顯示設備可進一步包含在第二鈍化層上由像素區與非像素區組成的像素定義層。
在一些實施例中，第一鈍化層與第二鈍化層可包含含有氧化矽或氮化矽的合成物。在一些實施例中，以氧化矽為基礎之層可包含公式SiOx表示的合成物，而x數值可從大約0.1至大約2。在一些實施例中，氮化矽為基礎的層可包含公式SiNx表示的合成物，而x數值可從大約0.1至大約2。
在一些實施例中，光散射層之厚度可從1nm至100nm。
在一些實施例中，光散射層可包含高折射性金屬氧化物。
在一些實施例中，光散射層可用選自五氧化二鈮（Nb2O5）、氧化鋅（ZnO）、氧化銅（CuO）與氧化銦鎵鋅（InGaZnO4）所組成的群組中至少一材料來形成。
一些實施例提供製造有機發光顯示設備的方法，該方法含有﹕提供基板；在基板上形成至少一彩色濾光片；形成覆蓋層以覆蓋彩色濾光片；在覆蓋層上形成第一鈍化層；在第一鈍化層上形成光散射層；在光散射層上形成第一電極；在第一電極上形成有機層；以及在有機層上形成第二電極。
在一些實施例中，該方法進一步包含在提供基板之後以及在至少一彩色濾光片形成之前，在基板上形成保護層。
在一些實施例中，該方法可進一步包含在形成第一電極之後以及在形成有機層之前，在由像素區與非像素區組成的第二鈍化層上形成像素定義層。
在一些實施例中，第一鈍化層之形成可包含使用以氧化矽為基礎之層或以氮化矽為基礎之層來形成。在一些實施例中，以氧化矽為基礎之層可包含公式SiOx表示的合成物，而x數值可從大約0.1至大約2。在一些實施例中，以氮化矽為基礎之層可包含公式SiNx表示的合成物，而x數值可從大約0.1至大約2。
在一些實施例中，光散射層之形成可包含形成厚度從1nm至100nm的光散射層。
在一些實施例中，光散射層之形成可包含使用高折射性金屬氧化物形成光散射層。
在一些實施例中，光散射層之形成可包含使用選自五氧化二鈮（Nb2O5）、氧化鋅（ZnO）、氧化銅（CuO）與氧化銦鎵鋅（InGaZnO4）所組成的群組中至少一材料來形成光散射層。
在一些實施例中，光散射層之形成可包含經由化學沉積方法或濺射方法形成光散射層。
在一些實施例中，該方法可進一步包含在光散射層之形成與第一電極之形成之間，在光散射層上形成第二鈍化層。
在一些實施例中，第二鈍化層可用以氧化矽為基礎之層或以氮化矽為基礎之層來形成。
100．．．基板
112．．．保護層
113．．．覆蓋層
114、134．．．第一鈍化層
115、117、135．．．光散射層
116．．．第二鈍化層
118．．．鈍化層
120R．．．紅色濾光片
120G．．．綠色濾光片
120B．．．藍色濾光片
140．．．第一電極
150．．．有機層
160．．．第二電極
170．．．像素定義層
211．．．絕緣層
213．．．閘極絕緣薄膜
214．．．層間絕緣薄膜
221．．．主動層
222．．．閘極電極
223．．．源極電極與汲極電極
225．．．接觸孔
250．．．薄膜電晶體
R．．．紅色像素
G．．．綠色像素
B．．．藍色像素
DATA．．．數據線
SCAN．．．掃描線
PC．．．像素電路
M1．．．驅動薄膜電晶體
M2．．．開關薄膜電晶體
OLED．．．有機發光二極體
Cst．．．電容單元
Vdd．．．電源供應線
藉由參考附圖詳細描述例示性實施例將使本實施例之其他特性與優勢將變成更清楚明顯，其中﹕
第1圖係為根據實施例之主動矩陣型有機發光顯示設備之一像素的像素電路之電路圖；
第2圖係為示意性繪示根據實施例之有機發光顯示設備，其係實現第1圖之電路，之三個相鄰像素的剖面圖；
第3圖係為示意性繪示第2圖之驅動電路的剖面圖；
第4圖係為示意性繪示根據另一實施例之有機發光顯示設備，其係實現第1圖之電路，之三個相鄰像素的剖面圖；
第5圖係為示意性繪示根據另一實施例之有機發光顯示設備，其係實現第1圖之電路，之三個相鄰像素的剖面圖；以及
第6A圖至第6H圖係為描述製造根據另一實施例之有機發光顯示設備，其係實現第1圖之電路，的方法的剖面圖，其中:
第6A圖係為繪示提供基板後之狀態的剖面圖；
第6B圖係為繪示在第6A圖之基板上形成保護層後之狀態的剖面圖；
第6C圖係為繪示在第6B圖之鈍化層上形成至少一彩色濾光片後之狀態的剖面圖；
第6D圖係為繪示形成覆蓋第6C圖之彩色濾光片的覆蓋層後之狀態的剖面圖；
第6E圖係為繪示在第6D圖之覆蓋層上形成第一鈍化層後之狀態的剖面圖；
第6F圖係為繪示在第6E圖之第一鈍化層上形成光散射層後之狀態的剖面圖；
第6G圖係為繪示在第6F圖之光散射層上形成第二鈍化層後之狀態的剖面圖；以及
第6H圖係為繪示在第6G圖之第二鈍化層上形成區分像素區與非像素區的像素定義層、第一電極、有機層以及第二電極的剖面圖。
下文中，本發明揭露內容將參考繪示在附圖中的實施例以更詳細說明。本發明的範圍並不受限於以下描述的圖式或實施例。以下在圖式中描述與繪示的例示性實施例可包含各種等效範例與修改。將可理解的是，未脫離本發明之精神與技術範圍的所有改變、等效技術以及替代技術皆包含於本實施例中。
當使用“第一”、“第二”等等用語來以描述各種構件時，此構件應不限於上述用語。上述用語係僅用於區別一構件與另一構件。
用於本說明書中的用語係用以描述特定實施例，而非旨在限制本發明。當在此使用時，除非文中另行清楚地表示不同意義，否則「一(a)」、「一(an)」、「此(the)」等單數型式亦旨在包含複數型式。在本說明書中，應理解的是例如「含有(including)」或「具有(having)」等等用語係旨在表示說明書中所揭露之特性、數量、步驟、動作、構件、部分或及其結合的存在，而非旨在排除一個或更多個其他特性、數量、步驟、動作、構件、部分或及其結合的存在或可能增加之可能性。
當在此所使用，「及/或」之用語包含相關聯的所列項目之一個或更多個之任意結合或所有的結合。當表述如「至少一個(at least one of)」前綴於元件列表時，係修飾整個元件列表而非修飾列表中之個別元素。
下文中，揭露將參考附圖以詳細說明本發明的例示性實施例。
第1圖係為根據本發明的實施例之主動矩陣型有機發光顯示設備之一像素的像素電路之電路圖。
請參閱第1圖，根據實施例之有機發光顯示設備係連接至複數條訊號線且包含配置成近似矩陣形狀的複數個像素，其中每一像素包含一像素電路PC。
每一像素包含數據線DATA、掃描線SCAN、以及為有機發光二極體（OLED）之驅動電源供應的電源供應線Vdd。像素電路PC係電性連接至數據線DATA、掃描線SCAN以及電源供應線Vdd，並控制有機發光二極體之發光。
每一像素包含含有開關薄膜電晶體M2與驅動薄膜電晶體M1的至少二個薄膜電晶體(TFTs)、一個電容單元Cst、以及有機發光二極體。
在一些實施例中，開關薄膜電晶體M2可藉由施加至掃描線SCAN的掃描訊號而導通或關閉，藉此傳輸施加至數據線DATA的數據訊號給電容單元Cst與驅動薄膜電晶體M1。開關裝置係不限於第1圖之開關薄膜電晶體M2，而可為含有複數個薄膜電晶體與一電容的切換電路，或可進一步包含用於補償驅動薄膜電晶體M1之Vth值或電源供應線Vdd之電壓降的電路。
在一些實施例中，驅動薄膜電晶體M1係根據透過開關薄膜電晶體M2傳送之數據訊號而決定流入有機發光二極體的電流量。
在一些實施例中，電容單元Cst係儲存針對一訊框（frame）透過開關薄膜電晶體M2傳送之數據訊號。
在第1圖中，驅動薄膜電晶體M1與開關薄膜電晶體M2可為p型通道金屬氧化物半導體（PMOS）薄膜電晶體，但是另一選擇，驅動薄膜電晶體M1與開關薄膜電晶體M2的至少一個可為NMOS薄膜電晶體。而且，薄膜電晶體與電容單元的數量非受限於所描述之實施例，而其可包含更多數量。
第2圖係為示意性繪示根據實施例之有機發光顯示設備，其實現第1圖之電路，的三個相鄰像素的剖面圖。第3圖係為示意性繪示第2圖之驅動電路的剖面圖。
在一些實施例中，含有紅色像素R、綠色像素G與藍色像素B的三個相鄰像素可沿著一列及/或一行重複地配置，而且像素之配置可為變化。
請參閱第2圖，有機發光顯示設備可包含位於在基板100上的紅色像素R、綠色像素G與藍色像素B。而且，有機發光顯示設備可根據對應的像素包含紅色濾光片120R、綠色濾光片120G與藍色濾光片120B，其係選擇性吸收從每一像素發出的白光。
在一些實施例中，基板100可為透明基板，而且由主要含有氧化矽（SiO2）的玻璃材料形成。然而，基板100並不因此受限制，而可用塑膠或金屬形成。
在一些實施例中，第3圖所示之薄膜電晶體250可位於基板100上。在一些實施例中，頂部閘極型薄膜電晶體係繪示作為薄膜電晶體250之一舉例，但是具有另一結構的薄膜電晶體可作為另一選擇性應用。
在一些實施例中，在形成薄膜電晶體250之前，絕緣層211，例如阻障層及/或緩衝層，可形成在基板100上。在一些實施例中，絕緣層211可防止雜質離子擴散，以及濕氣或外部空氣滲透。在一些實施例中，絕緣層211可促進平坦化表面。在一些實施例中，絕緣層211可用二氧化矽及/或氮化矽（SiNx）形成。
在一些實施例中，薄膜電晶體250之主動層221可使用半導體材料形成在絕緣層211上，而閘極絕緣薄膜213可形成以覆蓋主動層221。在一些實施例中，主動層221可用無機半導體材料形成，例如非晶矽或多晶矽，或者有機半導體材料形成，並且包含源極區、汲極區與介於兩者之間的通道區。
在一些實施例中，主動層221可用多晶矽形成，而在此情況下，預設區域可摻雜有雜質。在一些實施例中，主動層221可用非晶矽代替多晶矽而形成，或者各種有機半導體材料中的任何一種，例如並五苯（pentacene）。
在一些實施例中，閘極絕緣薄膜213可用以將主動層221與閘極電極222彼此相絕緣。在一些實施例中，閘極絕緣薄膜213可用絕緣材料形成，例如氧化矽或氮化矽，或絕緣有機材料。
在一些實施例中，閘極電極222可形成在閘極絕緣薄膜213上，而層間絕緣薄膜214可形成以覆蓋閘極電極222。在一些實施例中，源極電極與汲極電極223可透過接觸孔225連接至在層間絕緣薄膜214上主動層221。
在一些實施例中，閘極電極222可用各種導電性材料的任何一種來形成。例如，閘極電極222可用鎂（Mg）、鋁（Al）、鎳（Ni）、鉻（Cr）、鉬（Mo）、鎢（W）、鎢鉬合金或金（Au）形成，且可具有單層或多層。
在一些實施例中，層間絕緣薄膜214可用絕緣材料形成，例如氧化矽或氮化矽，或絕緣有機材料。可選擇性移除層間絕緣薄膜214與閘極絕緣薄膜213以形成暴露源極區與汲極區的接觸孔225。然後，該源極電極與該汲極電極223可使用形成閘極電極222的材料以單層或多層形成在層間絕緣薄膜214上，藉此嵌入接觸孔225。
在一些實施例中，薄膜電晶體250之源極電極與汲極電極223可電性連接至像素之下電極。
在一些實施例中，因此形成的薄膜電晶體250可由保護層112保護。在一些實施例中，保護層112可為無機絕緣薄膜及/或有機絕緣薄膜。無機絕緣薄膜可包含氧化矽、氮化矽、氮氧化矽（SiON）、氧化鋁（Al2O3）、氧化鈦（TiO2）、氧化鉭（Ta2O5）、氧化鉿（HfO2）、氧化鋯（ZrO2）、鈦酸鍶鋇（BST）以及鋯鈦酸鉛（PZT），而有機絕緣薄膜可包含通用聚合物（聚甲基丙烯酸甲酯（polymethyl methacrylate，PMMA）或聚本乙烯（polystyrene，PS）），具有酚基（phenol group）的高分子衍生物、丙烯酸系（acryl-based）聚合物、醯亞胺系（imide-based）的聚合物、芳基醚系（arylether-based）聚合物、酰胺類聚合物（amide-based polymer）、氟系（fluorine-based）聚合物、p木聚醣系（p-xylan-based）聚合物、乙烯醇系（vinylalcohol-based）聚合物、及其混合物。在一些實施例中，保護層112可用無機絕緣薄膜與有機絕緣薄膜之複雜堆疊結構形成。
在一些實施例中，對應於紅色像素R的紅色濾光片120R，對應於綠色像素G的綠色濾光片120G，以及對應於藍色像素B的藍色濾光片120B可位於保護層112上。在一些實施例中，紅色濾光片120R、綠色濾光片120G與藍色濾光片120B可經由在塗佈之後進行圖案化形成。
在一些實施例中，紅色濾光片120R、綠色濾光片120G與藍色濾光片120B可用彩色濾光片陣列（color filter on array，COA）方法配置。在一些實施例中，紅色濾光片120R、綠色濾光片120G與藍色濾光片120B係藉由接收來自每一像素的白光而產生不同顏色光。
在一些實施例中，用於保護紅色濾光片120R、綠色濾光片120G與藍色濾光片120B且平坦化紅色濾光片120R、綠色濾光片120G與藍色濾光片120B所形成之層之表面的覆蓋層113可位於紅色濾光片120R、綠色濾光片120G與藍色濾光片120B上。在一些實施例中，覆蓋層113可用無機絕緣薄膜及/或有機絕緣薄膜形成。在一些實施例中，無機絕緣薄膜可包含氧化矽、氮化矽、氮氧矽、氧化鋁、二氧化鈦、五氧化二鈦、氧化鉿（HfO2）、氧化鋯（ZrO2）、BST與PZT，而有機絕緣薄膜可包含通用聚合物（PMMA或PS）、具有酚基之高分子衍生物、丙烯酸系（acryl-based）聚合物、醯亞胺系（imide-based）的聚合物、芳基醚系（arylether-based）聚合物、酰胺類聚合物（amide-based polymer）、氟系（fluorine-based）聚合物、p木聚醣系（p-xylan-based）聚合物、乙烯醇系（vinylalcohol-based）聚合物、及其混合物。在一些實施例中，覆蓋層113可用無機絕緣薄膜與有機絕緣薄膜之複雜堆疊結構形成。在一些實施例中，考量發光效率，覆蓋層113可用具有高透光率的材料形成。
在一些實施例中，第一鈍化層134可形成在覆蓋層113上。在一些實施例中，第一鈍化層134可經由化學氣相沉積（CVD）方法、濺射方法或塗佈方法形成。在一些實施例中，第一鈍化層134可用與保護層112相同的材料形成。
在一些實施例中，與無機薄膜，不同紅色、綠色與藍色彩色濾光片120R、120G與120B與覆蓋層113可能會有脫氣，如此由於有機發光層之劣化可能會產生像素收縮現象。因此，第一鈍化層134可形成在覆蓋層113上以防止脫氣(outgassing)。
在一些實施例中，光散射層135可形成在第一鈍化層134上。在一些實施例中，光散射層135可包含高折射性金屬氧化物。在一些實施例中，光散射層135可包含選自五氧化二鈮（Nb2O5）、氧化鋅（ZnO）、氧化銅（CuO）與氧化銦鎵鋅（InGaZnO4）所組成的群組中至少一材料。
在一些實施例中，光散射層135可用CVD方法或濺射方法形成。
在一些實施例中，為了連接薄膜電晶體250之第一電極140與源極電極與汲極電極223，光散射層135與第一鈍化層134可同步地蝕刻，如此光散射層135之厚度可為約1nm至約100nm。如果光散射層135具有高於100nm的厚度，則可執行雙倍蝕刻或併行執行濕蝕刻與乾蝕刻來形成連接薄膜電晶體250之第一電極140與源極電極與汲極電極223的孔洞。
其結果是，光散射層135可位於第一鈍化層134與第一電極140之間，從而幫助有機層150產生的光有效地射出。在一些實施例中，藉由在第一鈍化層134與第一電極140之間設置光散射層135，有機發光顯示設備之亮度特性與光利用效率可最佳化。在一些實施例中，藉由散射有機層150產生的光，可改進視角。在一些實施例中，藉由將有機層150產生之光中漏到紅色像素R、綠色像素G與藍色像素B外部的光散射，可防止漏光現象。
在一些實施例中，用於區分像素區與非像素區的像素定義層170可形成在光散射層135上。在一些實施例中，像素定義層170可包含暴露第一電極140之至少一部分的開口。在一些實施例中，像素定義層170之開口係定義出實際上產生光的發光區。
在一些實施例中，根據紅色濾光片120R、綠色濾光片120G與藍色濾光片120B，紅色像素R、綠色像素G與藍色像素B可分别地形成在光散射層135上。
在一些實施例中，每一紅色像素R、綠色像素G與藍色像素B包含第一電極140、有機層150與第二電極160。
在一些實施例中，第一電極140可用導電性材料形成，例如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅或氧化銦，而且經由光刻方法根據像素形成預設圖樣。在一些實施例中，第一電極140可電性連接至薄膜電晶體250下。在一些實施例中，第一電極140可藉由連接至外部電極端（圖中未顯示）而操作為陽極。
在一些實施例中，根據第一電極140之位置，第二電極160可形成在有機層150上。在一些實施例中，藉由遍及複數個像素上沉積導電性材料，例如鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、銀、鎂、鋇或其化合物，第二電極160可為共同電極，其係所有像素之第二電極160共同地連結。在一些實施例中，第二電極160可藉由連接至外部電極端（圖中未顯示）而操作為陰極。
在一些實施例中，第一電極140與第二電極160之極性可互換。
在一些實施例中，位於第一電極140與第二電極160之間的有機層150可用堆疊發光層與至少一功能層的單一結構或複雜結構而形成，功能層例如電洞傳輸層（HTL）、電洞注入層（HIL）、電子傳輸層（ETL）與電子注入層（EIL）。
在一些實施例中，有機層150可用低分子量有機材料或高分子量有機材料形成。低分子量有機材料之範例包含銅酞菁（copper phthalocyanine，CuPc）、N,N'雙（萘-1-基）-N,N'- 二苯基-聯苯胺（NPB)以及三-8-羥基喹啉鋁（tris-8-hydroxyquinoline aluminum，Alq3）。在一些實施例中，使用高分子量有機材料的高分子有機層可經由噴墨印刷方法或旋轉塗佈方法形成，其係使用聚-（3,4）-二氧乙基噻吩（PEDOT）或聚苯胺（polyaniline，PANI），而高分子有機發光層可用聚對苯乙炔（poly(p-phenylene vinylene，PPV)、可溶解的PPV、氰基聚對苯乙炔（cyano-PPV）或聚芴（polyfluorene）形成。
在一些實施例中，發光層可為堆疊類型或串聯類型。在一些實施例中，堆疊類型發光層可包含紅色子發光層、綠色子發光層與藍色子發光層，而堆疊順序係不特別限制。在堆疊類型發光層中，所有的紅色子發光層、綠色子發光層與藍色子發光層可為螢光性，或紅色子發光層、綠色子發光層與藍色子發光層中的至少一個可為磷光性。在串聯類型發光層中，所有的紅色子發光層、綠色子發光層與藍色子發光層可為螢光性，紅色子發光層、綠色子發光層與藍色子發光層中的至少一個可為磷光性。在串聯類型發光層中，橫越電荷產生層（CGL）堆疊的發光層可放射白色、不同顏色光、或相同顏色光，其中不同顏色光或相同顏色光可為單一顏色或多種顏色。
像素之複數個子發光層之結構可彼此不相同，而不管是不是紅色光、綠色光與藍色光，各種顏色光都可結合，只要是發出白光。
第4圖係為示意性繪示根據另一實施例之有機發光顯示設備，其係實現第1圖之電路，之三個相鄰像素的剖面圖。有關於第4圖之有機發光顯示設備之細節，與第2圖之有機發光顯示設備相同的部分將不再重複描述。
請參閱第4圖，第二鈍化層116可位於光散射層115與第一電極140之間。
在一些實施例中，第二鈍化層116可用與第一鈍化層114相同的材料形成。
在一些實施例中，不同於無機薄膜，紅色濾光片120R、綠色濾光片120G與藍色濾光片120B、以及覆蓋層113係會在材料中脫氣，如此由於有機發光層之劣化會產生像素收縮現象。在一些實施例中，第二鈍化層116可另外形成在光散射層115上，藉此形成兩層鈍化層，即，第一鈍化層114與第二鈍化層116，從而進一步有效地阻隔在紅色濾光片120R、綠色濾光片120G與藍色濾光片120B、以及覆蓋層113中產生的脫氣。如此，可避免由於有機發光層之劣化造成的像素收縮現象。
第5圖係為示意性繪示根據另一實施例之有機發光顯示設備，其實現第1圖之電路，的三個相鄰的紅色像素R、綠色像素G與藍色像素B的剖面圖。有關於第5圖之有機發光顯示設備之細節，與第2圖之有機發光顯示設備相同的部分將不再重複描述。
請參閱第5圖，鈍化層114、116與118，以及光散射層115與117係交替地堆疊在彼此之上，使得有三層鈍化層114、116與118，以及二層光散射層115與117。
然而，有機發光顯示設備之鈍化層114、116與118、以及光散射層115與117的堆疊結構並不因此受限制，且可變化。
以上描述的第2圖、第4圖、第5圖之有機發光顯示設備係為底發光型，其中光係射向基板100，但是另一選擇，其可為頂發光型。在此情形中，每一像素之下電極可為反射電極，而上電極可為透明電極。在一些實施例中，對應於每一像素的彩色濾光片可堆疊在透明電極上或是形成在獨立的基板上。
第6A圖至第6H圖係為描述製造根據另一實施例之有機發光顯示設備，其係實現第1圖之電路的方法的剖面圖。
請參閱第6A圖，係提供基板100。
請參閱第6B圖，保護層112係形成在基板100上。在一些實施例中，保護層112可用含有氧化矽或氮化矽的合成物形成。
請參閱第6C圖，紅色濾光片120R、綠色濾光片120G與藍色濾光片120B的至少一個可形成在保護層112上。
請參閱第6D圖，可形成覆蓋紅色濾光片120R、綠色濾光片120G與藍色濾光片120B的覆蓋層113。
請參閱第6E圖，第一鈍化層114可形成在覆蓋層113上。在一些實施例中，第一鈍化層114可包含化學式SiOx或化學式SiNx所表示的合成物。
請參閱第6F圖，光散射層115可形成在第一鈍化層114上。在一些實施例中，光散射層115可包含高折射性金屬氧化物。在一些實施例中，光散射層115可包含選自五氧化二鈮、氧化鋅、氧化銅與與氧化銦鎵鋅所組成的群組中的至少一材料。在一些實施例中，光散射層135可經由CVD方法或濺射方法形成。在一些實施例中，為了連接第3圖之薄膜電晶體250之第一電極140與源極電極與汲極電極223，光散射層115與第一鈍化層114必須同步地蝕刻。在一些實施例中，光散射層115之厚度可從約1nm至約100nm。藉由在第一鈍化層114上形成光散射層115，可改進光提取效率與視角，且可避免漏光現象。
請參閱第6G圖，第二鈍化層116可形成在光散射層115上。在一些實施例中，第二鈍化層116可包含化學式SiOx或化學式SiNx所表示的合成物。因為有二層鈍化層，即，第一鈍化層114與第二鈍化層116，可進一步有效地阻隔分别產生在紅色濾光片120R、綠色濾光片120G與藍色濾光片120B、以及覆蓋層113中的脫氣，如此可避免由於有機發光層之劣化而造成的像素收縮現象。
請參閱第6H圖，像素定義層170、第一電極140、有機層150、以及第二電極160可形成在第二鈍化層116上。在一些實施例中，在第一電極140形成在第二鈍化層116上之後，像素定義層170可形成在第二鈍化層116上，藉此區分像素區與非像素區。在一些實施例中，有機層150可形成在第一電極140上，而第二電極160可形成在有機層150上。
一些實施例係提供一種含有光散射層的有機發光顯示設備。因此，可藉由改進光提取效率與視角而改進影像品質。而且，可藉由避免漏光現象而改進產品可靠性。
雖然本實施例已參考其例示性實施例而特別地顯示及描述，此技術領域中的通常知識者要理解的是在未脫離下列的申請專利範圍定義的本複數個實施例之精神與範圍下形式與細節的各種改變皆為可行。
100．．．基板
112．．．保護層
113．．．覆蓋層
120R．．．紅色濾光片
120G．．．綠色濾光片
120B．．．藍色濾光片
134．．．第一鈍化層
135．．．光散射層
140．．．第一電極
150．．．有機層
160．．．第二電極
170．．．像素定義層
R．．．紅色像素
G．．．綠色像素
B．．．藍色像素

Claims (19)

  1. 一種有機發光顯示設備，包含﹕
    一基板；
    至少一彩色濾光片，係在該基板上；
    一覆蓋層，係覆蓋該至少一彩色濾光片；
    一第一鈍化層，係形成在該覆蓋層上；
    一光散射層，係形成在該第一鈍化層上；
    一第一電極，係形成在該光散射層上；
    一第二電極，係面向該第一電極；以及
    一有機層，係位於該第一電極與該第二電極之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，進一步包含位在該光散射層與該第一電極之間的一第二鈍化層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，進一步包含位於該基板與該至少一彩色濾光片之間的一保護層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該至少一彩色濾光片係為一紅色濾光片、一綠色濾光片與一藍色濾光片中的任何一種。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示設備，進一步包含在該第二鈍化層上由一像素區與一非像素區構成的一像素定義層。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示設備，其中該第一鈍化層與該第二鈍化層包含含有氧化矽（SiOx）或氮化矽（SiNx）的合成物，其中x係從大約0.1至大約2。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示設備，其中該光散射層之厚度係從1nm至100nm。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示設備，其中該光散射層包含一高折射性金屬氧化物。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之有機發光顯示設備，其中該光散射層係由選自五氧化二鈮（Nb2O5）、氧化鋅（ZnO）、氧化銅（CuO）與氧化銦鎵鋅（InGaZnO4）所組成的群組中至少一材料所形成。
  10. 一種製造一有機發光顯示設備的方法，該方法包含﹕
    提供一基板；
    在該基板上形成至少一彩色濾光片；
    形成一覆蓋層以覆蓋該至少一彩色濾光片；
    在該覆蓋層上形成一第一鈍化層；
    在該第一鈍化層上形成一光散射層；
    在該光散射層上形成一第一電極；
    在該第一電極上形成一有機層；以及
    在該有機層上形成一第二電極。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，進一步包含在提供該基板之後以及在形成該至少一彩色濾光片之前，在該基板上形成一保護層。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之方法，進一步包含在形成該第一電極之後以及在形成該有機層之前，在由一像素區與一非像素區組成的該第二鈍化層上形成一像素定義層。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該第一鈍化層之形成包含使用含有氧化矽（SiOx）或氮化矽（SiNx）的合成物形成該第一鈍化層，其中x係從大約0.1至大約2。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該光散射層係形成從1nm至100nm的厚度。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該光散射層之形成包含使用一高折射性金屬氧化物。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該光散射層之形成包含使用選自五氧化二鈮（Nb2O5）、氧化鋅（ZnO）、氧化銅（CuO）與氧化銦鎵鋅（InGaZnO4）所組成的群組中至少一材料。
  17. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該光散射層之形成包含一化學沉積方法或一濺射方法。
  18. 如申請專利範圍第10項所述之方法，進一步包含在形成該光散射層之後以及在形成該第一電極之前，在該光散射層上形成一第二鈍化層。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該第二鈍化層包含化學式SiOx或化學式SiNx所表示的合成物，其中x係從大約0.1至大約2。
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