TW201308590A - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種有機發光顯示裝置包含複數個子像素，每一個包括發光部、薄膜電晶體(TFT)及電容，此些子像素中的每一個發射一不同的顏色，其中複數個子像素中的至少一個的電容延伸至此些子像素中的至少一鄰接子像素中。

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法

相關專利申請的交互參照
此申請案主張於2011年8月9日向韓國智慧財產局所提交的韓國專利申請號10-2011-0079150的效益，其所揭露之內容全部在此被納入以供參考。

本實施例是有關一種有機發光顯示裝置。

一般而言，有機發光顯示裝置的單元像素包含三個子像素，也就是紅色、綠色與藍色子像素。需要的顏色藉由結合這三個子像素而實現。

根據一實施例，提供一種有機發光顯示裝置，其包含複數個子像素，每一個包括發光部、薄膜電晶體(TFT)及電容，每一子像素發射不同的顏色，其中複數個子像素中的至少一個的電容延伸至該些子像素中的至少一鄰接子像素中。

複數個子像素可包含紅色子像素、藍色子像素及綠色子像素。

藍色子像素的電容可延伸至紅色子像素及綠色子像素中的至少之一中。

複數個子像素中的每一個的電容可包含彼此面對之第一電極及第二電極。複數個子像素中的每一個的電容的第二電極可形成於每一子像素中。藍色子像素中的第一電極可延伸至紅色子像素及綠色子像素中的至少之一中。

第一電極可包含多晶矽材料。第二電極包含ITO、IZO、ZnO、In₂O₃、IGO及AZO中的至少之一。

藍色子像素的第一電極可包含面對藍色子像素的第二電極之第一對向部、面對紅色子像素及綠色子像素中的至少之一的第二電極之第二對向部、以及連接第一對向部與第二對向部之連接部。

發光部可包含有機發射層(EML)、像素電極及面對像素電極之反向電極，EML插入於像素電極與反向電極之間。TFT可包含與第一電極形成在同一平面上且由同一材料形成之主動層、與第二電極形成在同一平面上且由同一材料形成之閘極電極、以及連接主動層及像素電極之源極與汲極電極。

根據一實施例，提供一種製造有機發光顯示裝置的方法。此方法包含形成複數個子像素，每一個包含發光部、TFT及電容，複數個子像素中的每一個係配置以發射不同的顏色，其中複數個子像素中的至少一個的電容係形成以延伸至該些子像素中的至少一鄰接子像素中。

複數個子像素可包含紅色子像素、藍色子像素及綠色子像素。

藍色子像素的電容可被形成以延伸至紅色子像素及綠色子像素中的至少之一中。

此方法可進一步包含形成複數個子像素中的至少一個的電容以包含彼此面對之第一電極及第二電極。複數個子像素中的每一個的電容的第二電極可形成於每一子像素中。藍色子像素中的第一電極可被形成以延伸至紅色子像素及綠色子像素中的至少之一中。

第一電極可由多晶矽材料形成。第二電極可包含ITO、IZO、ZnO、In₂O₃、IGO及AZO中的至少之一。

此方法可進一步包含形成藍色子像素的第一電極以包含面對藍色子像素的第二電極之第一對向部、面對紅色子像素及綠色子像素中的至少之一的第二電極之第二對向部、以及連接第一對向部與第二對向部之連接部。

此方法可進一步包含形成與第一電極由同一材料形成且與第一電極在同一平面上之主動層，形成與第二電極由同一材料形成且與第二電極在同一平面上之閘極電極，以及形成連接主動層及像素電極之源極與汲極電極。

下文中，實施例是藉由解釋其例示性實施例並參考附圖來詳細描述。圖式中相似參考數字係指相似元件。

圖式中，層的厚度或大小可為清晰而誇大。此敘述中，當描述一層設置在另一層上時，該層可直接設置在該另一層上或可插入第三層於其間。

第1圖係為根據一實施例之有機發光顯示裝置之單元像素之平面示意圖。第2圖係為第1圖中的單元像素之主要部份的剖面圖。單元像素可包含三色子像素，也就是紅色(R)子像素、綠色(G)子像素及藍色(B)子像素。包含三色子像素的每一單元像素可重複地排列在有機發光顯示裝置的行與列方向。

參照第1圖，有機發光顯示裝置可包含三色子像素，係包含作為單元像素的元件之紅色(R)子像素、綠色(G)子像素以及藍色(B)子像素。紅色(R)子像素可包含發光部EL_R、薄膜電晶體(TFT) TFT_R以及電容Cst_R與Cvth_R。綠色(G)子像素可包含發光部EL_G、薄膜電晶體(TFT) TFT_G以及電容Cst_G與Cvth_G。藍色(B)子像素可包含發光部EL_B、薄膜電晶體(TFT) TFT_B以及電容Cst_B與Cvth_R。

當資料訊號被提供至薄膜電晶體TFT_R、TFT_B與TFT_G時，電容Cst_R、Cst_B與Cst_G可為用以儲存資料訊號的儲存電容。電容Cst_R、Cst_B與Cst_G可為用以補償臨界電壓之非均勻性的補償電容。儲存電容Cst_R、Cst_B與Cst_G補償發光效率。藍色(B)子像素可具有最低的發光效率，因而用以補償最低發光效率的儲存電容Cst_B必然可大於儲存電容Cst_R與Cst_G。

在當前的實施例中的儲存電容Cst_B可延伸至紅色(R)子像素中。儲存電容Cst_R與Cst_G可小於儲存電容Cst_B。因此，紅色(R)子像素或綠色(G)子像素可部分用於形成儲存電容Cst_B。雖然在當前的實施例中的儲存電容Cst_B延伸至紅色(R)子像素中，儲存電容Cst_B可延伸至綠色(G)子像素中。

在藍色(B)子像素中用以形成儲存電容Cst_B的面積可被減少，因而增加發光部EL_B的面積，且因此增加孔徑比。此外，由於藍色(B)子像素以及發光部EL_R、EL_B與EL_G的大小導致的儲存電容Cst_R與Cst_G之不必要的大空間可被減少。

第2圖係為儲存電容Cst_B延伸至其中的紅色(R)子像素與藍色(B)子像素的剖面圖。供作參考，除了沒有儲存電容Cst_B延伸至其中之外，在當前實施例中的綠色(G)子像素可具有與紅色(R)子像素相同的構造。第2圖的剖面圖顯示所有發光部EL_R與EL_B、薄膜電晶體TFT_R與TFT_B以及電容Cst_R、Cst_B、Cvth_R與Cvth_B。因此，第2圖沒有呈現以像是水平方向或垂直方向的直線方向截取之第1圖的有機發光顯示裝置。因此，第2圖的紅色(R)子像素與藍色(B)子像素的大小可略不同於在第1圖所示的那些。

薄膜電晶體TFT_R與TFT_B可包含主動層21、閘極電極20以及源極與汲極電極27與29。閘極電極20可包含底部閘極電極(gate bottom electrode)23與頂部閘極電極(gate top electrode)25。底部閘極電極23可由透明導電材料形成。第一絕緣層15可設置在閘極電極20與主動層21之間以絕緣彼此之間。注入高密度雜質之源極與汲極區域21a與21b可形成在主動層21的二邊緣，且可分別連接至源極與汲極電極27與29。

發光部EL_R與EL_B可包含連接至薄膜電晶體TFT_R與TFT_B的源極與汲極電極27與29之像素電極31、面對像素電極31的反向電極35以及設置在像素電極31與反向電極35之間的中間層33。像素電極31可由像是ITO的透明導電材料形成，以及可與薄膜電晶體TFT_R與TFT_B的閘極電極20同時形成。

電容Cst_R、Cst_B、Cvth_R與Cvth_B可包含第一電極41以及第二電極42與43，且第一絕緣層15可設置在其間。電容Cst_R、Cst_B、Cvth_R與Cvth_B的第二電極42與43可與薄膜電晶體TFT_R與TFT_B的閘極電極20以及發光部EL_R與EL_B的像素電極31同時形成。

在藍色(B)子像素的儲存電容Cst_B的結構中，第一電極41甚至可延伸至紅色(R)子像素中。也就是說，儲存電容Cst_B的第一電極41可設置在藍色(B)子像素中且可包含面對藍色(B)子像素的第二電極42與43之第一對向部41a。儲存電容Cst_B的第一電極41也可設置在紅色(R)子像素中且可包含面對紅色(R)子像素的第二電極42與43之第二對向部41b，以及連接第一對向部41a與第二對向部41b的連接部41c。因此，雖然第二電極42與43可分別地形成在紅色(R)子像素與藍色(B)子像素中，藍色(B)子像素的第一電極41延伸至紅色(R)子像素中且作用為儲存電容Cst_B。因此，可增加儲存電容Cst_B的大小，且也可增加發光部EL_B的面積。

第3A至3H圖係為製造第2圖的有機發光顯示裝置之製程的剖面圖。

參照第3A圖，阻止基板10平坦以及不純元素的滲透之緩衝層11可形成在基板10的頂部。

基板10可由像是具有SiO₂作為主成分的玻璃之透明材料形成。基板10也可由像是透明塑膠材料或金屬材料的各種其他材料形成。

薄膜電晶體TFT_R與TFT_B的主動層21以及電容Cst_R、Cst_B、Cvth_R與Cvth_B的第一電極41可形成在緩衝層11的頂部。使用第一光罩(未顯示)的光罩製程可被使用以圖案化薄膜電晶體TFT_R與TFT_B的主動層21以及電容Cst_R、Cst_B、Cvth_R與Cvth_B的第一電極41。主動層21及第一電極41可由多晶矽材料形成。

儲存電容Cst_B的第一電極41可包含第一對向部41a、第二對向部41b與連接部41c，使得第一電極41延伸至紅色(R)子像素與藍色(B)子像素中。

參照第3B圖，第一絕緣層15、第一導電層17與第二導電層19可依序沉積在主動層21與第一電極41形成於其上之基板10的整個表面上。

第一絕緣層15可使用像是電漿化學氣相沉積(PECVD)法、常壓化學氣相沉積 (APCVD)法、低壓化學氣相沉積法之各種沉積方法沉積為像是SiN_x或SiO₂的無機絕緣層。第一絕緣層15可設置在薄膜電晶體TFT_R與TFT_B的主動層21與閘極電極20之間。第一絕緣層15可作為閘極絕緣層，且也作為在第一電極41以及第二電極42與43之間的介電層。

第一導電層17可包含像是ITO、IZO、ZnO、In₂O₃、IGO及AZO的至少一透明材料。第一導電層17可依序被圖案化成像素電極31、底部閘極電極23與第二電極42。

第二導電層19可包含銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、鉬鎢(MoW)與鋁-銅(Al/Cu)中的至少之一。第二導電層19可依序被圖案化成頂部閘極電極25與第二電極43。

參照第3C圖，閘極電極20以及電極圖案30與40可形成在基板10上。

依序沉積在基板10的整個表面之第一導電層17與第二導電層19可使用利用第二光罩(未顯示)的光罩製程圖案化。

閘極電極20可形成在薄膜電晶體TFT_R與TFT_B的主動層21之頂部上。閘極電極20可包含是第一導電層17的一部分之底部閘極電極23以及是第二導電層19的一部分之頂部閘極電極25。

用以形成像素電極31之電極圖案30後來可形成在發光部EL_R與EL_B。用以形成電容Cst_R、Cst_B、Cvth_R與Cvth_B的第二電極42與43之電極圖案40可形成在第一電極41的頂部。

閘極電極20可對應於主動層21的中心。在主動層21的邊緣對應於閘極電極20的兩側之源極與汲極區域21a與21b以及其間的通道區域，可藉由使用閘極電極20作為光罩以摻雜n型或p型雜質於主動層21而形成。

第二絕緣層50可沉積在第3D圖中的基板10的整個表面上。

第二絕緣層50可使用選自於聚亞醯胺、聚醯胺、丙烯酸酯樹脂、苯環丁烯及酚樹脂中的至少之一有機絕緣材料且藉由使用像是旋轉塗佈法的方法而形成。第二絕緣層50可被形成以具有足夠的厚度，舉例來說，具有大於第一絕緣層15厚度的厚度，以致於第二絕緣層50可作為在閘極電極20以及源極與汲極電極27與29之間的介層絕緣層。第二絕緣層50不只可由上述的有機絕緣材料所形成，也可由像是第一絕緣層15的無機絕緣材料或藉由交替地包含有機絕緣材料與無機絕緣材料而形成。

參照第3E圖，包含暴露電極圖案30與40以及源極與汲極區域21a與21b之開口H1、H2、H3、H4與 H5的介層絕緣層51可被形成。

第二絕緣層50可使用利用第三光罩(未顯示)的光罩操作圖案化以形成開口H1、H2、H3、H4與 H5。

開口H1與H2可暴露部分源極與汲極區域21a與21b，開口H3與H4可暴露第二導電層19對應於發光部EL_R與EL_B的電極圖案30的頂部之部分。開口H5可暴露第二導電層19對應於電極圖案40的頂部之部分。

參照第3F圖，第三導電層53可沉積在第一基板10的整個表面上以覆蓋介層絕緣層51。

第三導電層53可由與上述的第一導電層17或第二導電層19相同的材料所形成。第三導電層53也可由其他的導電材料形成。第三導電層53的導電材料可被沉積以具有足夠的厚度，以致於開口H1、H2、H3、H4與 H5可被填滿。

參照第3G圖，第三導電層53可被圖案化以形成源極與汲極電極27與29。舉例來說，第三導電層53可在使用第四光罩(未顯示)的光罩操作中被圖案化以形成源極與汲極電極27與29。像素電極31以及第二電極42與43可藉由蝕刻而形成。

源極與汲極電極27與29的其中之一，例如第3G圖所示的汲極電極29，可被形成以通過第二導電層19的邊緣部的開口H3而接觸像素電極31，其為像素電極31欲形成其中的電極圖案30的頂部。

在源極與汲極電極27與29形成之後，像素電極31以及第二電極42與43也可藉由蝕刻而形成。在發光部EL_R與EL_B中的像素電極31也可藉由自電極圖案30移除通過開口H4暴露的第二導電層19而形成。

通過開口H5暴露的第二導電層19部分可自電極圖案40移除以在電容Cst_R、Cst_B、Cvth_R與Cvth_B形成第二電極42與43。在這方面，形成作為第一導電層17的第二電極42可保留，其中形成作為第二導電層19的第二電極43可以此方式被移除，以致第二電極42是通過第二電極43的另一部分而暴露。

之後，第一電極41可藉由通過開口H5注入n型或p型雜質而摻雜。當摻雜第一電極41時被注入的雜質可以是與使用在摻雜主動層21的那些相同或不同。在如上所述之電容Cst_R、Cst_B、Cvth_R與Cvth_B的結構中，藍色(B)子像素的儲存電容Cst_B甚至可延伸至紅色(R)子像素中，因而達到足夠的靜電容量，即使發光部EL_B的面積是增加的。也就是說，可增加孔徑比。

參照第3H圖，像素定義層55可形成在基板10上。

像素定義層55可沉積在像素電極31、源極與汲極電極27與29以及第二電極42與43形成於其上的基板10的整個表面上。

像素定義層55可使用選自於聚亞醯胺、聚醯胺、丙烯酸酯樹脂、苯環丁烯與酚樹脂中的至少之一有機絕緣材料且使用像是旋轉塗佈法的方法而形成。第三絕緣層55a不僅可由上述的有機絕緣材料形成，也可選自於由SiO₂、SiN_x、Al₂O₃、CuO_x、Tb₄O₇、Y₂O₃、Nb₂O₅及Pr₂O₃所組成之群組中的無機絕緣材料。此外，像素定義層55可以多層結構形成，其中有機絕緣材料與無機絕緣材料是交替地形成。

像素定義層55可藉由使用光罩操作而圖案化，其中第五光罩(未顯示)是被使用以形成暴露像素電極31的中心部分的開口H6且因此定義像素。

接著，如第2圖所示，包含有機發射層與反向電極35的中間層33可形成在暴露像素電極31的開口H6中。

中間層33可以堆疊結構形成，其中複數個像是有機發射層(EML)、電洞傳輸層(HTL)、電洞注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)的功能層的至少之一是以單層結構或多層結構堆疊。

中間層33可包含低分子量有機材料或高分子有機材料。

當中間層33是由低分子量有機材料形成時，中間層33可包含在朝向像素電極31的方向緊接有機發射層之HTL與HIL，以及在朝向反向電極35的方向的ETL與EIL。並且，其他層可根據需要而堆疊。有機材料的例子包含銅酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯胺(NPB)及三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)。

當中間層33是由高分子有機材料形成時，中間層33可只包含從有機發射層朝向像素電極31的方向之HTL。HTL可使用聚（3,4）-乙烯 - 二羥基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)藉由使用噴墨印刷法或旋轉塗佈法而形成在像素電極31上。這裡可使用之有機材料的例子包含像是聚苯基乙炔(PPV)與聚芴(polyfluorene)的高分子有機材料；中間層33可藉由使用像是噴墨印刷法、旋轉塗佈法或雷射熱轉印成像(LITI)法的方法來形成。

反向電極35可沉積在基板10的整個表面上作為共用電極。在根據當前實施例之有機發光顯示裝置中，像素電極31可使用作為陽極且反向電極35可使用作為陰極。然而，電極的極性也可被轉換。

當有機發光顯示裝置是底部發射型顯示裝置，其中影像以朝向基板10的方向形成時，像素電極31可為透明電極且反向電極35可為反射電極。反射電極可藉由使用像是銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰-鈣(LiF/Ca)、氟化鋰-鋁(LiF/Al)或這些的組合之具有小功函數的金屬來沉積薄層而形成。

用以保護有機EML免受外界水分或氧氣的密封構件(未顯示)與吸濕劑(未顯示)可進一步形成在反向電極35上。

在製造上述的有機發光顯示裝置的方法之每一光罩操作中，堆疊層可使用乾蝕刻法或濕蝕刻法而被移除。

此外，即使為了方便描述，只有一個TFT與一個電容描繪在圖式中，將被理解的是複數個TFT與複數個電容可根據需要而被包含。

作為總結與評論，子像素典型地可包含薄膜電晶體(TFT)、電容以及連接至薄膜電晶體與電容之發光部。此發光部接收自TFT與電容的適當驅動信號、發光且形成所想要的顏色。

藍色子像素典型地在紅色、綠色與藍色子像素之中具有最差的發光效率。為了補償貧乏的發光效率，藍色子像素典型地具有最大的電容。紅色與綠色子像素的大小典型地依據具有最大電容之藍色子像素的大小而定。

然而，若紅色與綠色子像素的大小是依據藍色子像素的大小而定，紅色與綠色子像素具有非必要的空間。也就是說，若藍色子像素的電容相對地是最大的以便補償發光效率，則電容佔據藍色子像素的主要部分，其中紅色與綠色子像素的電容可能沒有必要依據藍色子像素與發光部的大小而增加。在這種情況下，用以形成顏色的每一子像素的發光區域可因為用作電容的不必要空間而被減少，因而孔徑比可相對地減少且亮度可能較差。

根據實施例，藍色(B)子像素的儲存電容Cst_B延伸至紅色(R)子像素或綠色(G)子像素中，因而可提高有機發光顯示裝置的藍色子像素的發光部EL_B的面積，從而有效地增加孔徑比，且因此當採用該有機發光顯示裝置時達到更可靠的產品。

上述的有機發光顯示裝置與製造有機發光顯示裝置的方法可改善電容的結構且提高孔徑比，因而當採用該有機發光顯示裝置時提供更可靠的產品。

雖然實施例已參照其例示性實施例來特別地顯示與描述，該領域具有通常知識者將理解的是，此處可在未脫離如下述申請專利範圍所定義之其精神與範疇之下作各種形式與詳細的改變。

10．．．基板

11．．．緩衝層

15．．．第一絕緣層

17．．．第一導電層

19．．．第二導電層

20．．．閘極電極

21．．．主動層

21a．．．源極區域

21b．．．汲極區域

23．．．底部閘極電極

25．．．頂部閘極電極

27．．．源極電極

29．．．汲極電極

30、40．．．電極圖案

31．．．像素電極

33．．．中間層

35．．．反向電極

41．．．第一電極

41a．．．第一對向部

41b．．．第二對向部

41c．．．連接部

42、43．．．第二電極

50．．．第二絕緣層

51．．．介層絕緣層

53．．．第三導電層

55．．．像素定義層

B．．．藍色子像素

Cst_R、Cst_G、Cst_B、Cvth_R、Cvth_G、Cvth_B．．．電容

EL_R、EL_G、EL_B．．．發光部

G．．．綠色子像素

H1、H2、H3、H4、H5、H6．．．開口

R．．．紅色子像素

以及

TFT_R、TFT_G、TFT_B．．．薄膜電晶體

第1圖係為根據一實施例之有機發光顯示裝置之包含紅色(R)、綠色(G)、及藍色(B)子像素的單元像素之平面示意圖；
第2圖係為第1圖中的R與B子像素的剖面圖；以及
第3A至3H圖係為堆疊第2圖的R與B子像素之製程的剖面圖。

B．．．藍色子像素

Cst_R、Cst_G、Cst_B、Cvth_R、Cvth_G、Cvth_B．．．電容

EL_R、EL_G、EL_B．．．發光部

G．．．綠色子像素

R．．．紅色子像素

以及

TFT_R、TFT_G、TFT_B．．．薄膜電晶體

Claims (14)

1. 一種有機發光顯示裝置，其包括：
   複數個子像素，每一個包括一發光部、一薄膜電晶體(TFT)及一電容，該複數個子像素中的每一個發射一不同的顏色，其中該複數個子像素中的至少一個的該電容延伸至該複數個子像素中的至少一鄰接子像素中。
2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該複數個子像素包含一紅色子像素、一藍色子像素及一綠色子像素。
3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該藍色子像素的該電容延伸至該紅色子像素及該綠色子像素中的至少之一中。
4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示裝置，其中：
   該複數個子像素中的每一個的該電容包含彼此面對之一第一電極及一第二電極；
   該複數個子像素中的每一個的該電容的該第二電極形成於每一子像素中；以及
   該藍色子像素中的該電容的該第一電極延伸至該紅色子像素及該綠色子像素中的至少之一中。
5. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示裝置，其中：
   該第一電極包含一多晶矽材料；以及
   該第二電極包含ITO、IZO、ZnO、In₂O₃、IGO及AZO中的至少之一。
6. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示裝置，其中該藍色子像素的該第一電極包含一面對該藍色子像素的該第二電極之第一對向部、一面對該紅色子像素及該綠色子像素中的至少之一的該第二電極之第二對向部、以及一連接該第一對向部與該第二對向部之連接部。
7. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示裝置，其中：
   該發光部包含一有機發射層(EML)、一像素電極及一面對該像素電極之反向電極，該有機發射層插入於該像素電極與該反向電極之間；以及
   該薄膜電晶體包含一與該第一電極形成在同一平面上且由同一材料形成之主動層、一與該第二電極形成在同一平面上且由同一材料形成之閘極電極、以及一連接該主動層及該像素電極之源極與汲極電極。
8. 一種製造有機發光顯示裝置的方法，該方法包括：
   形成複數個子像素，每一個包括一發光部、一薄膜電晶體(TFT)及一電容，該複數個子像素中的每一個係配置以發射一不同的顏色，其中該複數個子像素中的至少一個的該電容係形成以延伸至該複數個子像素中的至少一鄰接子像素中。
9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該複數個子像素包含一紅色子像素、一藍色子像素及一綠色子像素。
10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該藍色子像素的該電容延伸至該紅色子像素及該綠色子像素中的至少之一中。
11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其更包含形成該複數個子像素中的至少一個的該電容以包含彼此面對之一第一電極及一第二電極，其中該複數個子像素中的每一個的該電容的該第二電極形成於每一子像素中，以及其中該藍色子像素中的該電容的該第一電極形成以延伸至該紅色子像素及該綠色子像素中的至少之一中。
12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中
    該第一電極是由一多晶矽材料形成；以及
    該第二電極包含ITO、IZO、ZnO、In₂O₃、IGO及AZO中的至少之一。
13. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其包含形成該藍色子像素的該第一電極以包含一面對該藍色子像素的該第二電極之第一對向部、一面對該紅色子像素及該綠色子像素中的至少之一的該第二電極之第二對向部、以及一連接該第一對向部與該第二對向部之連接部。
14. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其更包括：
    形成一與該第一電極由同一材料形成且與該第一電極在同一平面上之主動層；形成一與該第二電極由同一材料形成且與該第二電極在同一平面上之閘極電極；以及
    形成一連接該主動層及一像素電極之源極與汲極電極。