KR102508496B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는 표시부; 및 상기 표시부에 배치된 복수의 화소들;을 포함하고, 상기 복수의 화소들 각각은, 유기 발광 다이오드 및 화소 회로를 포함하는 제1 및 제2 서브 화소들을 포함하고, 상기 제1 및 제2 서브 화소들 각각의 화소 회로는, 한 프레임 내에서 상기 유기 발광 다이오드가 발광하는 시점 이전에 라이징 에지를 가지는 제1 제어 신호를 공급하는 제1 제어선과 제1 노드에서 연결되고, 상기 한 프레임 내에서 상기 유기 발광 다이오드가 발광하는 시점 이전에 폴링 에지를 가지는 발광 신호를 공급하는 발광 신호선과 제2 노드에서 연결되고, 상기 제1 서브 화소의 화소 회로는, 상기 제1 노드 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드를 연결하는 제1 타이밍 보정 커패시터를 포함하는, 유기 발광 표시 장치를 개시한다.

Description

유기 발광 표시 장치{Organic light emitting display}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 유기 발광 표시 장치 내 포함되는 각 화소들의 구동 회로에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display)는 전류에 의해 휘도가 달라지는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode)를 포함한다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 다양한 색을 표현하기 위하여, 하나의 화소(pixel)가 복수의 서브 화소(sub pixel)들을 포함하기도 한다. 이 경우, 하나의 화소 내에 포함되는 각각의 서브 화소들은 서로 다른 색을 표현할 수 있다.
한편, 서로 다른 색을 표현하는 서브 화소들의 유기 발광 다이오드들은 다양한 이유에 의하여 전기적 특성이 서로 상이하게 설계될 수 있다. 예를 들어, 하나의 화소에 적색, 녹색, 및 청색 서브 화소가 존재할 경우, 녹색 서브 화소의 유기 발광 다이오드에 형성되는 커패시턴스가 적색 및 청색 서브 화소의 유기 발광 다이오드에 형성되는 커패시턴스보다 클 수 있다. 이러한 커패시턴스의 차이 및 발광을 위해 요구되는 전류의 크기의 차이에 의하여, 각 서브 화소들의 유기 발광 다이오드에 발광을 위한 전류가 공급되는 시점에서부터, 실제로 해당 유기 발광 다이오드가 발광을 하는 시점까지 시간에 차이가 발생할 수 있다. 이러한 발광 시간의 차이는 색끌림 등의 현상으로 나타날 수 있다.
전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출을 위해 보유하고 있었거나, 본 발명의 도출 과정에서 습득한 기술 정보로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에게 공개된 공지기술이라 할 수는 없다.
본 발명의 실시예들은 서로 다른 색을 표현하기 위한 서브 화소들의 구동 회로가 서로 다른 형태로 구현된 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예들은 유기 발광 다이오드에 발광을 위한 전류가 공급되는 시점에서부터 유기 발광 다이오드가 실제로 발광하는 시점까지의 시간을 조절할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 본 발명의 기재로부터 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예는 표시부; 및 상기 표시부에 배치된 복수의 화소들;을 포함하고, 상기 복수의 화소들 각각은, 유기 발광 다이오드 및 화소 회로를 포함하는 제1 및 제2 서브 화소들을 포함하고, 상기 제1 및 제2 서브 화소들 각각의 화소 회로는, 한 프레임 내에서 상기 유기 발광 다이오드가 발광하는 시점 이전에 라이징 에지를 가지는 제1 제어 신호를 공급하는 제1 제어선과 제1 노드에서 연결되고, 상기 한 프레임 내에서 상기 유기 발광 다이오드가 발광하는 시점 이전에 폴링 에지를 가지는 발광 신호를 공급하는 발광 신호선과 제2 노드에서 연결되고, 상기 제1 서브 화소의 화소 회로는, 상기 제1 노드 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드를 연결하는 제1 타이밍 보정 커패시터를 포함하는, 유기 발광 표시 장치를 개시한다.
본 발명의 다른 실시예는 표시부; 및 상기 표시부에 배치된 복수의 화소들;을 포함하고, 상기 복수의 화소들 각각은, 유기 발광 다이오드 및 화소 회로를 포함하는 제1 및 제2 서브 화소들을 포함하고, 상기 제1 및 제2 서브 화소들 각각의 화소 회로는, 한 프레임 내에서 상기 유기 발광 다이오드가 발광하는 시점 이전에 라이징 에지를 가지는 제1 제어 신호를 공급하는 제1 제어선과 제1 노드에서 연결되고, 상기 한 프레임 내에서 상기 유기 발광 다이오드가 발광하는 시점 이전에 폴링 에지를 가지는 발광 신호를 공급하는 발광 신호선과 제2 노드에서 연결되고, 상기 제2 서브 화소의 화소 회로는, 상기 제2 노드 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드를 연결하는 제2 타이밍 보정 커패시터를 포함하는, 유기 발광 표시 장치를 개시한다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 다양한 실시예들에 따르면, 서로 다른 색을 표현하기 위한 서브 화소들의 구동 회로가 서로 다른 형태로 구현된 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 유기 발광 다이오드에 발광을 위한 전류가 공급되는 시점에서부터 유기 발광 다이오드가 실제로 발광하는 시점까지의 시간을 조절하여, 색끌림 현상이 개선된 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 화소의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3a 내지 도 3c는 일 실시예에 따른 서브 화소들의 배치 형태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 일 실시예에 따른 서브 화소의 화소 회로의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 유기 발광 다이오드의 발광 동작을 개략적으로 나타낸 타이밍도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 화소 회로에 포함되는 유기 발광 다이오드의 커패시턴스를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 일 실시예에 따른 서브 화소의 화소 회로의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 8a 내지 도 8d는 일 실시예에 따른 서브 화소의 화소 회로의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
본 발명은 다양하게 변형되고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 도시하고 상세한 설명을 통해 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들이 상세히 설명된다. 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용된다. 명세서 전체에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 블록도이다.
도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 표시부(10), 스캔 구동부(20), 데이터 구동부(30), 제어부(40) 및 전원 공급부(50)를 포함할 수 있다.
표시부(10)는 매트릭스 형태로 배열되는 복수의 화소(PX)들을 포함할 수 있다. 화소(PX)들은 스캔 라인들(SL1 내지 SLm) 중 대응하는 스캔 라인 및 데이터 라인들(DL1 내지 DLn) 중 대응하는 데이터 라인에 연결되어 제어 신호 및 데이터 전압을 공급 받을 수 있다. 도 1에서 스캔 라인들(SL1 내지 SLm) 각각은 하나의 선으로 도시되지만, 화소(PX)에 따라 복수의 제어 신호들을 병렬로 전달하기 위한 복수의 선들을 포함할 수 있다. 화소(PX)들은 전원 공급부(50)로부터 제1 구동 전압(ELVDD), 제2 구동 전압(ELVSS) 및 초기화 전압(VINIT)을 공급받을 수 있다. 제1 구동 전압(ELVDD)과 제2 구동 전압(ELVSS)은 화소(PX)의 유기 발광 다이오드를 발광시키기 위한 구동 전압이며, 제1 구동 전압(ELVDD)은 제2 구동 전압(ELVSS)보다 전압 레벨이 높을 수 있다. 초기화 전압(VINIT)은 화소(PX)의 올바른 동작에 필요한 전압이다. 도 1에서는 초기화 전압(VINIT)이 하나의 선으로 도시되지만, 본 발명의 유기 발광 표시 장치(100)는 복수의 초기화 전압(VINIT)들을 화소(PX)에 공급할 수도 있다. 초기화 전압(VINIT)은 제2 구동 전압(ELVSS)과 유사한 전압 레벨을 가질 수 있다.
제어부(40)는 외부로부터 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 클럭 신호(CLK), 데이터 신호(RGB)를 수신할 수 있다. 제어부(40)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(DE), 클럭 신호(CLK) 등의 타이밍 신호를 이용하여 스캔 구동부(20)와 데이터 구동부(30)의 동작 타이밍을 제어할 수 있다. 제어부(40)는 1 수평 주사 기간(horizontal scanning period)의 데이터 인에이블 신호(DE)를 카운트하여 프레임 기간을 판단할 수 있으므로 외부로부터 공급되는 수직 동기신호(Vsync)와 수평 동기신호(Hsync)는 생략될 수 있다. 데이터 신호(RGB)는 화소(PX)들의 휘도(luminance) 정보를 포함할 수 있다. 휘도는 정해진 수효, 예를 들어, 1024, 256, 또는 64개의 계조 값(graylevel)을 가질 수 있다.
제어부(40)는 스캔 구동부(20)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(30)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)를 포함하는 제어 신호들을 생성할 수 있다.
게이트 타이밍 제어신호(GDC)는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse, GSP), 게이트 시프트 클럭(Gate Shift Clock, GSC), 게이트 출력 인에이블(Gate Output Enable, GOE) 신호 등을 포함할 수 있다. 게이트 스타트 펄스(GSP)는 첫 번째 스캔신호가 발생하는 스캔 구동부(20)에 공급될 수 있다. 게이트 시프트 클럭(GSC)은 스캔 구동부(20)에 공통으로 입력되는 클럭 신호로써 게이트 스타트 펄스(GSP)를 시프트시키기 위한 클럭 신호일 수 있다. 게이트 출력 인에이블(GOE) 신호는 스캔 구동부(20)의 출력을 제어할 수 있다.
데이터 타이밍 제어신호(DDC)는 소스 스타트 펄스(Source, Start Pulse, SSP), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 소스 출력 인에이블(Source Output Enable, SOE) 신호 등을 포함할 수 있다. 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 구동부(30)의 데이터 샘플링 시작 시점을 제어하기 위한 신호일 수 있다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 라이징 에지, 폴링 에지, 또는 특정 플랫 전압에 기준하여 데이터 구동부(30) 내에서 데이터의 샘플링 동작을 제어하는 클럭신호일 수 있다. 소스 출력 인에이블신호(SOE)는 데이터 구동부(30)의 출력을 제어하기 위한 신호일 수 있다. 한편, 데이터 구동부(30)에 공급되는 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 전송 방식에 따라 생략될 수도 있다.
스캔 구동부(20)는 제어부(40)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 표시부(10)에 포함된 화소(PX)들의 트랜지스터들을 동작하기 위한 제어 신호들을 순차적으로 생성할 수 있다. 스캔 구동부(20)는 스캔라인들(SL1 내지 SLm)을 통해 제어 신호들을 표시부(10)에 포함된 화소(PX)들에 공급할 수 있다. 화소(PX)의 설계에 따라서, 하나의 화소(PX)에 복수의 제어 신호들이 제공될 수 있다. 예를 들면, 한 화소(PX)에 한 프레임 동안 제1 내지 제3 제어 신호들, 또는 그 이상의 제어 신호들이 정해진 순서에 따라 제공될 수 있다.
데이터 구동부(30)는 제어부(40)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 제어부(40)로부터 공급되는 디지털 형태의 데이터 신호(RGB)를 샘플링하고 래치하여 병렬 데이터 체계의 데이터로 변환할 수 있다. 데이터 구동부(30)는 병렬 데이터 체계의 데이터로 변환할 때, 디지털 형태의 데이터 신호(RGB)를 감마 기준전압으로 변환하여 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환할 수 있다. 데이터 구동부(30)는 데이터 라인들(DL1 내지 DLn)을 통해 데이터 전압을 표시부(10)에 포함된 화소(PX)들에 공급할 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 화소의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 화소(PX)는 복수의 서브 화소(SPX)들을 포함할 수 있다. 각각의 서브 화소(SPX)는 스캔 라인들(SL1 내지 SLm) 중 대응하는 스캔 라인(SL) 및 데이터 라인들(DL1 내지 DLn) 중 대응하는 데이터 라인(DL)에 연결될 수 있다. 스캔 라인들(SL1 내지 SLm) 각각은 스캔 구동부(20)로부터 출력되는 제어 신호들을 동일 행의 서브 화소(SPX)들에게 전달할 수 있고, 데이터 라인들(DL1 내지 DLn) 각각은 데이터 구동부(30)로부터 출력되는 데이터 전압을 동일 열의 서브 화소(SPX)들에게 전달할 수 있다.
서브 화소(SPX)는 대응하는 데이터 라인을 통해 전달되는 데이터 전압에 기초하여, 제1 구동 전압(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드를 경유하여 제2 구동 전압(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다. 데이터 전압은 대응하는 데이터 라인을 통해 전달되는 신호 또는 이의 전압 레벨을 의미할 수 있다. 화소(PX)의 유기 발광 다이오드는 데이터 전압에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다.
하나의 화소(PX)에 포함되는 복수의 서브 화소(SPX)들 중 적어도 일부는 서로 다른 색을 표현하기 위한 서브 화소(SPX)일 수 있다. 구체적으로, 각각의 서브 화소(SPX)들은 화소 회로 및 유기 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 이 때, 서브 화소(SPX)들 중 적어도 일부는 서로 다른 파장의 빛을 방출하는 유기 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 또는, 서브 화소(SPX)들 중 적어도 일부는 서로 다른 파장의 빛을 투과시키는 컬러 필터를 포함할 수도 있다.
도 2에는 하나의 화소(PX)에 세 개의 서브 화소(SPX)들이 포함된 것으로 도시되어 있으나, 이는 일 예시에 불과하다. 아래에서 다양한 서브 화소들의 배치 형태를 설명한다.
도 3a 내지 도 3c는 일 실시예에 따른 서브 화소들의 배치 형태를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3a를 참조하면, 하나의 화소(PX)는 제1 서브 화소(SPX1), 제2 서브 화소(SPX2), 및 제3 서브 화소(SPX3)들이 서로 평행하게 배열된 형태를 가지는 화소(PX), 즉 스트라이프(stripe) 형태의 화소(PX)일 수 있다. 이 때, 제1 내지 제3 서브 화소(SPX1 내지 SPX3)들은 서로 다른 파장의 빛을 방출하는 서브 화소들일 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 서브 화소(SPX1 내지 SPX3)들 각각이 방출하는 광은 적색, 녹색, 및 청색일 수 있다.
도 3b를 참조하면, 하나의 화소(PX)는 제1 내지 제4 서브 화소(SPX1 내지 SPX4)들이 각각 직사각형의 꼭지점 부분에 배치되는 형태를 가지는 화소(PX)일 수 있다. 이 때, 제1 내지 제4 서브 화소(SPX1 내지 SPX4)들은 서로 다른 빛을 방출하는 서브 화소들일 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제4 서브 화소(SPX1 내지 SPX4)들 각각이 방출하는 광은 적색, 녹색, 청색, 및 백색일 수 있다. 또는, 제1 내지 제4 서브 화소(SPX1 내지 SPX4)들 중 일부는 서로 동일한 색의 빛을 방출하는 서브 화소들일 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제4 서브 화소(SPX1 내지 SPX4)들 각각이 방출하는 광은 적색, 녹색, 제1 청색, 및 제2 청색일 수 있다. 이 경우, 제1 청색 및 제2 청색은 파장까지 동일한 청색일 수도 있고, 청색 범위의 파장(예컨대, 400nm에서 500nm 사이 길이의 파장)대 중 서로 다른 중심 파장을 가지는 서로 다른 청색일 수도 있다.
한편, 도 3c를 참조하면, 하나의 화소(PX)는 서로 다른 크기 또는 면적을 가지는 제1 내지 제4 서브 화소(SPX1)들을 포함하는 화소(PX)일 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제3 서브 화소(SPX1 및 SPX3)는 각각 제2 및 제4 서브 화소(SPX2 및 SPX4)보다 더 넓은 면적을 차지하는 서브 화소(SPX)일 수 있다. 이 때, 서브 화소(SPX)들은 각각의 서브 화소(SPX)에 포함되는 유기 발광 다이오드의 크기 차이에 의해서 그 크기가 다를 수도 있고, 각각의 서브 화소(SPX)에 포함되는 화로 회로가 배치되는 면적의 차이에 의해서 그 크기가 다를 수도 있다.
도 4는 일 실시예에 따른 서브 화소의 화소 회로의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 서브 화소(SPX)의 화소 회로는 유기 발광 다이오드(E), 제1 내지 제7 트랜지스터(T1 내지 T7), 및 저장 커패시터(CST)를 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 게이트 노드(NG)에 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극은 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 제1 구동 전압(ELVDD)을 공급하는 전선과 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극은 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기 발광 다이오드(E)의 애노드와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 소스 전극의 전압 차에 의해 유기 발광 다이오드(E)로 흐르는 전류가 결정될 수 있다. 유기 발광 다이오드(E)로 흐르는 전류량에 의하여 유기 발광 다이오드(E)의 발광 정도가 결정될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터로 지칭될 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제1 제어 신호(S1)를 공급하는 제1 제어선과 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 제1 전극은 데이터 전압(D1)을 공급하는 데이터선과 연결될 수 있고, 제2 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 제1 제어선을 통해 전달받은 제1 제어 신호(S1)에 따라 턴-온되어 데이터선으로 전달된 데이터 전압(D1)을 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극으로 전달할 수 있고, 동시에 턴-온되는 제3 트랜지스터(T3)에 의해 데이터 전압(D1)은 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극으로 전달될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 스위칭 트랜지스터로 지칭될 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 제1 제어선에 연결될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 제1 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극과 연결될 수 있고, 제2 전극은 게이트 노드(NG)에 연결될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 제1 제어선을 통해 전달받은 제1 제어 신호(S1)에 따라 턴-온되어 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 드레인 전극을 서로 연결하여 제1 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시켜 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)을 보상할 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 보상 트랜지스터로 지칭될 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 제2 제어 신호(S2)를 공급하는 제2 제어선과 연결될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)의 제1 전극은 초기화 전압(VINIT)을 공급하는 초기화 전압선과 연결될 수 있고, 제2 전극은 게이트 노드(NG)에 연결될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 제2 제어선으로부터 인가되는 제2 제어 신호(S2)에 따라 턴-온되어 초기화 전압(VINIT)을 게이트 노드(NG)에 전달하여 게이트 노드(NG)를 초기화할 수 있다. 초기화 전압(VINIT)은 제2 구동 전압(ELVSS)보다 높은 전압 또는 제2 구동 전압(ELVSS)으로 설정될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 게이트 초기화 트랜지스터로 지칭될 수 있다.
제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극은 발광 신호(EM)를 공급하는 발광 신호선과 연결될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)의 제1 전극은 제1 구동 전압(ELVDD)을 공급하는 전선과 연결될 수 있고, 제2 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극과 연결될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)의 제1 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극과 연결될 수 있고, 제2 전극은 유기 발광 다이오드(E)의 애노드와 전기적으로 연결될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)는 발광 신호선으로부터 인가되는 발광 신호(EM)에 따라 동시에 턴-온될 수 있다. 이 경우, 제1 구동 전압(ELVDD)이 제1 트랜지스터(T1)에 인가되어 유기 발광 다이오드(E)에 구동 전류가 공급될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)는 각각 제1 발광 제어 트랜지스터 및 제2 발광 제어 트랜지스터로 지칭될 수 있다.
제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극은 제3 제어 신호(S3)를 공급하는 제3 제어선과 연결될 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)의 제1 전극은 유기 발광 다이오드(E)의 애노드에 연결될 수 있고, 제2 전극은 초기화 전압(VINIT)을 공급하는 초기화 전압선에 연결될 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)는 제3 제어선으로부터 인가되는 제3 제어 신호(S3)에 의해 턴-온되어 유기 발광 다이오드(E)의 애노드를 초기화할 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)는 애노드 초기화 트랜지스터로 지칭될 수 있다.
저장 커패시터(CST)는 제1 구동 전압(ELVDD)을 공급하는 전선과 게이트 노드(NG) 사이에 연결될 수 있다. 저장 커패시터(CST)에는 제1 구동 전압(ELVDD)과 게이트 노드(NG) 간의 전압이 저장될 수 있다.
유기 발광 다이오드(E)의 애노드는 제6 트랜지스터(T6) 및 제7 트랜지스터(T7)의 일 전극과 연결될 수 있다. 유기 발광 다이오드(E)의 캐소드는 제2 구동 전압(ELVSS)을 인가하는 제2 전원선과 연결될 수 있다. 유기 발광 다이오드(E)는 제1 트랜지스터(T1)로부터 구동 전류를 전달받아 발광함으로써 영상을 표시할 수 있다. 제1 구동 전압(ELVDD)은 소정의 하이 레벨 전압일 수 있고, 제2 구동 전압(ELVSS)은 제1 구동 전압(ELVDD)보다 낮은 전압이거나 접지 전압일 수 있다.
이하에서 서브 화소(SPX)의 동작 과정을 설명한다. 초기화 기간 동안, 제2 제어선을 통해 로우 레벨의 제2 제어 신호(S2)가 제4 트랜지스터(T4) 공급될 수 있고, 제3 제어선을 통해 로우 레벨의 제3 제어 신호(S3)가 제7 트랜지스터(T7)에 공급될 수 있다. 그 결과, 제4 트랜지스터(T4) 및 제7 트랜지스터(T7)가 각각 턴-온될 수 있다. 초기화 전압선으로부터 인가되는 초기화 전압(VINIT)은 제4 트랜지스터(T4)를 통해 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 전달될 수 있고, 제7 트랜지스터(T7)를 통해 애노드에 전달될 수 있다. 이에 따라, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 애노드의 전압이 초기화될 수 있다.
이후, 데이터 기입 기간 동안, 제1 제어선을 통해 로우 레벨의 제1 제어 신호(S1)가 공급될 수 있고, 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 데이터선으로부터의 데이터 전압(D1)을 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극으로 전달할 수 있고, 제1 트랜지스터(T1)는 제3 트랜지스터(T3)에 의해 다이오드 연결될 수 있다. 그러면, 데이터 전압(D1)에서 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압만큼 감소한 보상 전압이 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 인가될 수 있다.
저장 커패시터(CST)의 양단에는 제1 구동 전압(ELVDD)과 보상 전압이 인가될 수 있고, 저장 커패시터(CST)에는 양단 전압 차에 대응하는 전하가 저장될 수 있다.
이후, 발광 기간 동안, 발광 신호선으로부터 공급되는 발광 신호(EM)가 하이 레벨에서 로우 레벨로 변경될 수 있고, 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)가 턴-온될 수 있다. 그러면, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극의 전압과 제1 구동 전압(ELVDD) 간의 전압 차에 따르는 구동 전류가 발생할 수 있고, 제6 트랜지스터(T6)를 통해 구동 전류가 유기 발광 다이오드(E)에 공급되어 발광할 수 있다.
한편, 이 경우 서브 화소(SPX)에 포함되는 모든 트랜지스터들은 p-type 트랜지스터일 수 있다.
아래에서, 이러한 서브 화소(SPX)에 발광 신호(EM)가 하이 레벨에서 로우 레벨로 변화되는 시점에서부터, 실제로 유기 발광 다이오드(E)가 발광하기까지의 시간을 타이밍도를 통하여 설명한다.
도 5는 유기 발광 다이오드의 발광 동작을 개략적으로 나타낸 타이밍도이다.
도 5를 참조하면, 발광 제어 시점(TS)에 발광 신호(EM)가 하리 레벨에서 로우 레벨로 변경될 수 있다. 이 경우, 유기 발광 다이오드(E)의 출력 밝기(luminance)는 초기 밝기(LS)에서 목표 밝기(LE)로 변화할 수 있다. 이러한 유기 발광 다이오드(E)의 출력 밝기가 목표 밝기(LE)에 도달한 시점을 발광 완료 시점(TE)이라고 할 경우, 발광 제어 시점(TS)에서부터 발광 완료 시점(TE)까지의 지연 시간(Td)은 하기의 수학식을 이용하여 계산될 수 있다.
Figure 112015114005113-pat00001
여기서, CEL은 유기 발광 다이오드(E)의 커패시턴스, Vthel은 유기 발광 다이오드(E)의 애노드와 캐소드 사이의 전압을 의미할 수 있다. 이 때, 동일한 계조 값(graylevel)을 출력하고자 하는 경우, 서로 다른 색을 나타내는 서브 화소(SPX)들 간의 지연 시간(Td)이 서로 달라질 수 있다. 이에 대하여 도 6을 통하여 상세히 설명한다.
도 6은 일 실시예에 따른 화소 회로에 포함되는 유기 발광 다이오드의 커패시턴스를 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참조하면, 서브 화소(SPX)의 화소 회로는 유기 발광 다이오드(E), 제1 내지 제7 트랜지스터(T1 내지 T7), 및 저장 커패시터(CST)를 포함할 수 있고, 이 때 유기 발광 다이오드(E)의 애노드와 캐소드 사이에는 유기 발광 다이오드(E)의 커패시턴스(CEL)가 발생할 수 있다. 이 때, 유기 발광 다이오드(E)의 커패시턴스(CEL)는 서브 화소(SPX)를 통하여 나타내고자 하는 색에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 녹색 서브 화소(SPX)의 유기 발광 다이오드(E)의 면적이 적색 서브 화소(SPX)의 유기 발광 다이오드(E)의 면적이나 청색 서브 화소(SPX)의 유기 발광 다이오드(E)의 면적에 비하여 큰 값을 가질 수 있다. 이에 따라서, 녹색 서브 화소(SPX)의 유기 발광 다이오드(E)의 커패시턴스(CEL) 값이 적색 또는 청색 서브 화소(SPX)의 유기 발광 다이오드(E)의 커패시턴스(CEL) 값보다 커질 수 있다. 이에 따라, 위의 수학식 1에서 확인할 수 있는 바와 같이, 녹색 서브 화소(SPX)의 지연 시간(Td)이 적색 또는 청색 서브 화소(SPX)의 지연 시간(Td)보다 길어질 수 있다. 그 결과, 모든 서브 화소(SPX)들에 동일한 계조 값(graylevel)의 인가를 시도하는 경우, 녹색이 다른 색에 비하여 늦게 방출될 수 있다. 그 결과, 적색 또는 청색이 앞서는 것처럼 인지되고, 녹색이 뒤쳐지는 것처럼 인지되는 색끌림 현상이 발생할 수 있다.
도 7은 일 실시예에 따른 서브 화소의 화소 회로의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 7을 참조하면, 하나의 화소(PX)는 제1 서브 화소(SPX1) 및 제2 서브 화소(SPX2)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 서브 화소(SPX1 및 SPX2) 각각은 화소 회로(PC) 및 유기 발광 다이오드(E)를 포함할 수 있다. 이 때, 제1 및 제2 서브 화소(SPX1)의 화소 회로(PC)는 한 프레임 내에서 유기 발광 다이오드가 발광하는 시점 이전에 라이징 에지를 가지는 제어 신호(CS)를 제1 노드(N1)를 통하여 공급 받을 수 있다. 또한, 제1 및 제2 서브 화소(SPX1)의 화소 회로(PC)는 한 프레임 내에서 유기 발광 다이오드가 발광하는 시점 이전에 폴링 에지를 가지는 발광 신호(EM)를 제2 노드(N2)를 통하여 공급 받을 수 있다.
이 경우, 제1 서브 화소(SPX1)의 화소 회로(PC)는, 제1 노드(N1) 및 유기 발광 다이오드(E)의 애노드를 연결하는 제1 타이밍 보정 커패시터(CTC1)를 포함할 수 있다. 즉, 제1 타이밍 보정 커패시터(CTC1)는 제1 노드(N1)와 유기 발광 다이오드(E)의 애노드를 커플링시킬 수 있다. 이 경우, 제어 신호(CS)는 유기 발광 다이오드가 발광하는 시점 이전에 라이징 에지를 가지므로, 제어 신호(CS)의 라이징 에지가 발생하는 시점 또는 라이징 에지 발생 후의 하이 플랫 전압이 인가되는 시간 동안 유기 발광 다이오드(E)의 애노드의 전압을 상승시킬 수 있다. 그 결과, 유기 발광 다이오드(E)가 발광하는 시점에서, 유기 발광 다이오드(E)의 애노드의 전압 레벨이 발광 목표가 되는 전압 레벨에 좀 더 빠르게 도달할 수 있다.
이 때, 제어 신호(CS)는 화소 회로(PC)에 데이터 전압을 인가하는 시점을 결정하는 신호일 수 있다. 즉, 제어 신호(CS)는 도 4를 통하여 설명한 제1 제어 신호(S1)일 수 있다. 또는, 제어 신호(CS)는 유기 발광 다이오드(E)에 구동 전류를 공급하기 위한 트랜지스터의 게이트 전압의 초기화 시점을 결정하는 신호일 수 있다. 즉, 제어 신호(CS)는 도 4를 통하여 설명한 제2 제어 신호(S2)일 수 있다. 또는, 제어 신호(CS)는 유기 발광 다이오드(E)의 애노드 전압의 초기화 시점을 결정하는 신호일 수 있다. 즉, 제어 신호(CS)는 도 4를 통하여 설명한 제3 제어 신호(S3)일 수 있다. 이하에서는, 제어 신호(CS)가 도 4를 통하여 설명한 제3 제어 신호(S3)인 경우를 예시로 설명한다.
제1 서브 화소(SPX1)는 방출되는 가시광의 중심 파장이 500nm 이상 600nm 이하인, 녹색 서브 화소(SPX)일 수 있다. 구체적으로, 도 6을 통하여 설명한 바와 같이, 녹색 서브 화소(SPX)의 유기 발광 다이오드(E)의 커패시턴스(CEL) 값이 적색 또는 청색 서브 화소(SPX)의 유기 발광 다이오드(E)의 커패시턴스(CEL) 값보다 클 수 있고, 서브 화소(SPX)들 간의 지연 시간의 차이에 따라 색끌림 현상이 발생할 수 있다. 이 때, 녹색 서브 화소(SPX)에 제1 노드(N1) 및 유기 발광 다이오드(E)의 애노드를 연결하는 제1 타이밍 보정 커패시터(CTC1)가 포함되는 경우, 발광 신호(EM)에 의하여 유기 발광 다이오드(E)가 발광하는 시점에서 유기 발광 다이오드(E)의 애노드의 전압 레벨은 초기화 전압(VINIT)의 레벨보다 조금 상승한 전압 레벨을 가질 수 있다. 그 결과, 녹색 서브 화소(SPX)에서 발광 제어 시점(TS)에서부터 발광 완료 시점(TE)까지의 지연 시간(TdG)은 하기의 수학식을 이용하여 계산될 수 있다.
Figure 112015114005113-pat00002
여기서, VD1은 제어 신호(CS)의 라이징 에지 또는 그 이후의 하이 플랫 전압에 의하여 상승된 전압일 수 있다. 그 결과, 녹색 서브 화소(SPX)의 지연 시간(TdG)이 감소할 수 있고, 색끌림 현상이 감소할 수 있다.
한편, 제2 서브 화소(SPX2)의 화소 회로(PC)는, 제2 노드(N2) 및 유기 발광 다이오드(E)의 애노드를 연결하는 제2 타이밍 보정 커패시터(CTC2)를 포함할 수 있다. 즉, 제2 타이밍 보정 커패시터(CTC2)는 제2 노드(N2)와 유기 발광 다이오드(E)의 애노드를 커플링시킬 수 있다. 이 경우, 발광 신호(EM)는 유기 발광 다이오드가 발광하는 시점 이전에 폴링 에지를 가지므로, 발광 신호(EM)의 폴링 에지가 발생하는 시점 또는 폴링 에지 발생 후의 로우 플랫 전압이 인가되는 시간 동안 유기 발광 다이오드(E)의 애노드의 전압을 하강시킬 수 있다. 그 결과, 유기 발광 다이오드(E)가 발광하는 시점에서, 유기 발광 다이오드(E)의 애노드의 전압 레벨이 발광 목표가 되는 전압 레벨에 좀 더 느리게 도달할 수 있다.
이 때, 발광 신호(EM)는 화소 회로(PC)의 유기 발광 다이오드(E)의 발광 시점을 결정하는 신호일 수 있다. 즉, 발광 신호(EM)는 도 4를 통하여 설명한 발광 신호(EM)로서, 제5 및 제6 트랜지스터(T5 및 T6)의 게이트에 인가되는 신호일 수 있다.
제2 서브 화소(SPX2)는 방출되는 가시광의 중심 파장이 500nm 이하이거나 600nm 이상인, 적색 또는 청색 서브 화소(SPX)일 수 있다. 구체적으로, 도 6을 통하여 설명한 바와 같이, 적색 또는 청색 서브 화소(SPX)의 유기 발광 다이오드(E)의 커패시턴스(CEL) 값이 녹색 서브 화소(SPX)의 유기 발광 다이오드(E)의 커패시턴스(CEL) 값보다 작을 수 있고, 서브 화소(SPX)들 간의 지연 시간의 차이에 따라 색끌림 현상이 발생할 수 있다. 이 때, 적색 또는 청색 서브 화소(SPX)에 제2 노드(N2) 및 유기 발광 다이오드(E)의 애노드를 연결하는 제2 타이밍 보정 커패시터(CTC1)가 포함되는 경우, 발광 신호(EM)에 의하여 유기 발광 다이오드(E)가 발광하는 시점에서 유기 발광 다이오드(E)의 애노드의 전압 레벨은 초기화 전압(VINIT)의 레벨보다 조금 하강한 전압 레벨을 가질 수 있다. 그 결과, 적색 또는 청색 서브 화소(SPX)에서 발광 제어 시점(TS)에서부터 발광 완료 시점(TE)까지의 지연 시간(TdRB)은 하기의 수학식을 이용하여 계산될 수 있다.
Figure 112015114005113-pat00003
여기서, VD2은 발광 신호(EM)의 폴링 에지 또는 그 이후의 로우 플랫 전압에 의하여 하강된 전압일 수 있다. 그 결과, 적색 또는 청색 서브 화소(SPX)의 지연 시간(TdRB)이 증가할 수 있고, 색끌림 현상이 감소할 수 있다.
도 8a 내지 도 8d는 일 실시예에 따른 서브 화소의 화소 회로의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 8a를 참조하면, 서브 화소(SPX)의 화소 회로는 유기 발광 다이오드(E), 제1 내지 제7 트랜지스터(T1 내지 T7), 및 저장 커패시터(CST)를 포함할 수 있고, 유기 발광 다이오드(E)의 애노드와 제3 제어 신호(S3)를 인가하는 제3 제어선 사이를 연결하는 제1 타이밍 보정 커패시터(CTC1)를 포함할 수 있다. 서브 화소(SPX)는 게이트 노드(NG)에 연결되는 게이트를 갖고, 게이트의 전압에 따라 상기 유기 발광 다이오드에 구동 전류를 공급하는 제1 트랜지스터(T1)를 포함할 수 있다. 또한, 서브 화소(SPX)는 제2 제어 신호(S2)에 응답하여 게이트 노드(NG)의 전압 레벨을 초기화 전압(VINIT) 레벨로 변경하는 제4 트랜지스터(T4)를 포함할 수 있다. 또한, 서브 화소(SPX)는 제3 제어 신호(S3)에 응답하여 유기 발광 다이오드(E)의 애노드의 전압 레벨을 초기화 전압(VINIT) 레벨로 변경하는 제7 트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다. 이 경우, 제7 트랜지스터(T7)는, 한 프레임 내에서 발광 신호(EM)에 의한 유기 발광 다이오드(E)의 발광 시점 이전에 제3 제어 신호(S3)의 라이징 에지 및 그 이후의 하이 플랫 전압 중 적어도 하나에 응답하여 턴 온 될 수 있고, 초기화 전압(VINIT)을 이용하여 유기 발광 다이오드(E)의 애노드의 전압을 초기화할 수 있다. 이 때, 제1 타이밍 보정 커패시터(CTC1)는 애노드의 전압이 초기화 전압(VINIT) 레벨보다 조금 상승한 전압 레벨을 가지도록 할 수 있다. 그 결과, 발광 신호(EM)에 의해 유기 발광 다이오드(E)가 발광하는 시점에서, 유기 발광 다이오드(E)의 애노드의 전압 레벨이 발광 목표가 되는 전압 레벨에 좀 더 빠르게 도달하게 될 수 있다.
하나의 화소(PX)에 속하는 서브 화소(SPX)들 중, 발광 제어 시점(TS)에서부터 발광 완료 시점(TE)까지의 지연 시간(Td)이 상대적으로 긴 서브 화소(SPX)에 도 8a와 같이 제1 타이밍 보정 커패시터(CTC1)를 포함시킬 경우, 지연 시간(Td)이 감소하는 효과를 얻을 수 있고, 그에 따라 색끌림 현상이 감소할 수 있다.
도 8b를 참조하면, 서브 화소(SPX)의 화소 회로는 유기 발광 다이오드(E), 제1 내지 제7 트랜지스터(T1 내지 T7), 및 저장 커패시터(CST)를 포함할 수 있고, 유기 발광 다이오드(E)의 애노드와 발광 신호(EM)를 인가하는 발광 신호선 사이를 연결하는 제2 타이밍 보정 커패시터(CTC2)를 포함할 수 있다. 서브 화소(SPX)는 게이트 노드(NG)에 연결되는 게이트를 갖고, 게이트의 전압에 따라 상기 유기 발광 다이오드에 구동 전류를 공급하는 제1 트랜지스터(T1)를 포함할 수 있다. 또한, 서브 화소(SPX)는 제2 제어 신호(S2)에 응답하여 게이트 노드(NG)의 전압 레벨을 초기화 전압(VINIT) 레벨로 변경하는 제4 트랜지스터(T4)를 포함할 수 있다. 또한, 서브 화소(SPX)는 제3 제어 신호(S3)에 응답하여 유기 발광 다이오드(E)의 애노드의 전압 레벨을 초기화 전압(VINIT) 레벨로 변경하는 제7 트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다. 이 경우, 한 프레임 내에서 발광 신호(EM)가 폴링 에지를 가지는 순간, 제5 및 제6 트랜지스터(T5 및 T6)가 개방되어 유기 발광 다이오드(E)로 발광을 위한 전류가 인가될 수 있다. 즉, 발광 신호(EM)의 폴링 에지는 유기 발광 다이오드(E)가 실제로 발광하는 시점보다 빠른 시점에 발생할 수 있다. 이 때, 제2 타이밍 보정 커패시터(CTC2)는 발광 신호(EM)의 폴링 에지 또는 폴링 에지 직후의 로우 플랫 전압으로 인하여 애노드의 전압이 초기화 전압(VINIT) 레벨보다 조금 하강한 전압 레벨을 가지도록 할 수 있다. 그 결과, 유기 발광 다이오드(E)의 애노드에 발광을 위한 구동 전류가 인가되는 시점에서, 유기 발광 다이오드(E)의 애노드의 전압 레벨이 발광 목표가 되는 전압 레벨에 좀 더 느리게 도달하게 될 수 있다.
하나의 화소(PX)에 속하는 서브 화소(SPX)들 중, 발광 제어 시점(TS)에서부터 발광 완료 시점(TE)까지의 지연 시간(Td)이 상대적으로 짧은 서브 화소(SPX)에 도 8b와 같이 제2 타이밍 보정 커패시터(CTC2)를 포함시킬 경우, 지연 시간(Td)이 증가하는 효과를 얻을 수 있고, 그에 따라 색끌림 현상이 감소할 수 있다.
한편, 서브 화소(SPX)의 화소 회로에는 두 개 이상의 초기화 전압이 인가될 수 있다. 도 8c를 참조하면, 서브 화소(SPX)의 화소 회로는 유기 발광 다이오드(E), 제1 내지 제7 트랜지스터(T1 내지 T7), 및 저장 커패시터(CST)를 포함할 수 있고, 유기 발광 다이오드(E)의 애노드와 제3 제어 신호(S3)를 인가하는 제3 제어선 사이를 연결하는 제1 타이밍 보정 커패시터(CTC1)를 포함할 수 있다. 서브 화소(SPX)는 게이트 노드(NG)에 연결되는 게이트를 갖고, 게이트의 전압에 따라 상기 유기 발광 다이오드에 구동 전류를 공급하는 제1 트랜지스터(T1)를 포함할 수 있다. 또한, 서브 화소(SPX)는 제2 제어 신호(S2)에 응답하여 게이트 노드(NG)의 전압 레벨을 제1 초기화 전압(VINIT1) 레벨로 변경하는 제4 트랜지스터(T4)를 포함할 수 있다. 또한, 서브 화소(SPX)는 제3 제어 신호(S3)에 응답하여 유기 발광 다이오드(E)의 애노드의 전압 레벨을 제2 초기화 전압(VINIT2) 레벨로 변경하는 제7 트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전압 레벨 및 유기 발광 다이오드(E)의 애노드 전압 레벨은 제2 구동 전압(ELVSS) 레벨로 초기화할 수 있다. 즉, 제4 트랜지스터(T4) 및 제7 트랜지스터(T7)에 공급되는 초기화를 위한 전압 레벨이 모두 제2 구동 전압(ELVSS) 레벨과 동일할 수 있다. 다만, 제2 구동 전압(ELVSS) 레벨은 소비 전력 저감 등의 목적에 의해서 그 값을 변화시키는 경우가 존재할 수 있다. 이 경우, 제2 구동 전압(ELVSS)을 초기화 전압으로 사용하는 경우, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전압 레벨의 초기화 전압 레벨이 영향을 받을 수 있고, 그에 따라 서브 화소(SPX) 별 유기 발광 다이오드(E)의 지연 시간(Td)이 증가되거나 감소되는 결과를 가져올 수 있다. 따라서, 도 8c에서와 같이 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전압 레벨 초기화를 위한 제1 초기화 전압(VINIT1)을 별도로 준비하여 서브 화소(SPX)의 지연 시간(Td)이 변화하지 않도록 할 수 있고, 유기 발광 다이오드(E)의 애노드 전압 레벨 초기화를 위한 제2 초기화 전압(VINIT2)은 제2 구동 전압(ELVSS)을 그대로 사용할 수 있다. 이를 통하여, 제2 구동 전압(ELVSS) 레벨의 변화에 따른 색끌림 현상이 감소할 수 있다.
유사하게, 도 8d를 참조하면, 서브 화소(SPX)의 화소 회로는 유기 발광 다이오드(E), 제1 내지 제7 트랜지스터(T1 내지 T7), 및 저장 커패시터(CST)를 포함할 수 있고, 유기 발광 다이오드(E)의 애노드와 발광 신호(EM)를 인가하는 발광 신호선 사이를 연결하는 제2 타이밍 보정 커패시터(CTC2)를 포함할 수 있다. 서브 화소(SPX)는 게이트 노드(NG)에 연결되는 게이트를 갖고, 게이트의 전압에 따라 상기 유기 발광 다이오드에 구동 전류를 공급하는 제1 트랜지스터(T1)를 포함할 수 있다. 또한, 서브 화소(SPX)는 제2 제어 신호(S2)에 응답하여 게이트 노드(NG)의 전압 레벨을 제1 초기화 전압(VINIT1) 레벨로 변경하는 제4 트랜지스터(T4)를 포함할 수 있다. 또한, 서브 화소(SPX)는 제3 제어 신호(S3)에 응답하여 유기 발광 다이오드(E)의 애노드 전압 레벨을 제2 초기화 전압(VINIT2) 레벨로 변경하는 제7 트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전압 레벨 및 유기 발광 다이오드(E)의 애노드 전압 레벨은 제2 구동 전압(ELVSS) 레벨로 초기화할 수 있다. 즉, 제4 트랜지스터(T4) 및 제7 트랜지스터(T7)에 공급되는 초기화를 위한 전압 레벨이 모두 제2 구동 전압(ELVSS) 레벨과 동일할 수 있다. 다만, 제2 구동 전압(ELVSS) 레벨은 소비 전력 저감 등의 목적에 의해서 그 값을 변화시키는 경우가 존재할 수 있다. 이 경우, 제2 구동 전압(ELVSS)을 초기화 전압으로 사용하는 경우, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전압 레벨의 초기화 전압 레벨이 영향을 받을 수 있고, 그에 따라 서브 화소(SPX) 별 유기 발광 다이오드(E)의 지연 시간(Td)이 증가되거나 감소되는 결과를 가져올 수 있다. 따라서, 도 8d에서와 같이 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전압 레벨 초기화를 위한 제1 초기화 전압(VINIT1)을 별도로 준비하여 서브 화소(SPX)의 지연 시간(Td)이 변화하지 않도록 할 수 있고, 유기 발광 다이오드(E)의 애노드 전압 레벨 초기화를 위한 제2 초기화 전압(VINIT2)은 제2 구동 전압(ELVSS)을 그대로 사용할 수 있다. 이를 통하여, 제2 구동 전압(ELVSS) 레벨의 변화에 따른 색끌림 현상이 감소할 수 있다.
이상 설명된 본 발명의 실시예들에 의해서, 서로 다른 색을 표현하기 위한 서브 화소들의 구동 회로의 형태를 서로 다르게 설계함으로써, 유기 발광 다이오드에 발광을 위한 전류가 공급되는 시점에서부터 유기 발광 다이오드가 실제로 발광하는 시점까지의 시간을 조절하여, 색끌림 현상이 개선된 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 방법을 구성하는 단계들에 대하여 명백하게 순서를 기재하거나 반하는 기재가 없다면, 상기 단계들은 적당한 순서로 행해질 수 있다. 반드시 상기 단계들의 기재 순서에 따라 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서 설명하는 특정 실행들은 일 실시 예들로서, 어떠한 방법으로도 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다. 명세서의 간결함을 위하여, 종래 전자적인 구성들, 제어 시스템들, 소프트웨어, 상기 시스템들의 다른 기능적인 측면들의 기재는 생략될 수 있다. 또한, 도면에 도시된 구성 요소들 간의 선들의 연결 또는 연결 부재들은 기능적인 연결 및/또는 물리적 또는 회로적 연결들을 예시적으로 나타낸 것으로서, 실제 장치에서는 대체 가능하거나 추가의 다양한 기능적인 연결, 물리적인 연결, 또는 회로 연결들로서 나타내어질 수 있다. 또한, '필수적인', '중요하게' 등과 같이 구체적인 언급이 없다면 본 발명의 적용을 위하여 반드시 필요한 구성 요소가 아닐 수 있다. 또한, 본 발명의 명세서(특히 특허청구범위에서)에서 '상기'의 용어 및 이와 유사한 지시 용어의 사용은 단수 및 복수 모두에 해당하는 것일 수 있다. 또한, 본 발명에서 범위(range)를 기재한 경우 상기 범위에 속하는 개별적인 값을 적용한 발명을 포함하는 것으로서(이에 반하는 기재가 없다면), 발명의 상세한 설명에 상기 범위를 구성하는 각 개별적인 값을 기재한 것과 같다.
따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 또는 이로부터 등가적으로 변경된 모든 범위는 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
100: 유기 발광 표시 장치
10: 표시부
20: 스캔 구동부
30: 데이터 구동부
40: 제어부
50: 전원 공급부

Claims (20)

  1. 표시부; 및
    상기 표시부에 배치된 복수의 화소들;을 포함하고,
    상기 복수의 화소들 각각은, 유기 발광 다이오드 및 화소 회로를 포함하는 제1 및 제2 서브 화소들을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 서브 화소들 각각의 화소 회로는,
    한 프레임 내에서 상기 유기 발광 다이오드가 발광하는 시점 이전에 라이징 에지를 가지는 제어 신호를 공급하는 제어선과 제1 노드에서 연결되고,
    상기 한 프레임 내에서 상기 유기 발광 다이오드가 발광하는 시점 이전에 폴링 에지를 가지는 발광 신호를 공급하는 발광 신호선과 제2 노드에서 연결되고,
    상기 제1 서브 화소의 화소 회로는 상기 제1 노드 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드를 연결하는 제1 타이밍 보정 커패시터를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제어 신호는, 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전압의 초기화 시점을 결정하는 제3 제어 신호이고,
    상기 발광 신호는, 상기 유기 발광 다이오드의 발광 시점을 결정하는 신호인, 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 서브 화소들 각각의 화소 회로는,
    게이트 노드에 연결되는 게이트를 갖고, 상기 게이트의 전압에 따라 상기 유기 발광 다이오드에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터;를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 서브 화소들 각각의 화소 회로는,
    제2 제어 신호에 응답하여 상기 게이트 노드의 전압 레벨을 제1 초기화 전압 레벨로 변경하는 게이트 초기화 트랜지스터; 및
    상기 제3 제어 신호에 응답하여 상기 유기 발광 다이오드의 애노드의 전압 레벨을 초기화하는 애노드 초기화 트랜지스터;를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소의 화소 회로는,
    상기 애노드 초기화 트랜지스터에 의하여 상기 제1 서브 화소의 상기 유기 발광 다이오드의 애노드의 전압 레벨을 상기 제1 초기화 전압 레벨로 변경하고,
    상기 제2 서브 화소의 화소 회로는,
    상기 애노드 초기화 트랜지스터에 의하여 상기 제2 서브 화소의 상기 유기 발광 다이오드의 애노드의 전압 레벨을 제2 초기화 전압 레벨로 변경하는, 유기 발광 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 초기화 전압 레벨은, 상기 제2 서브 화소의 상기 유기 발광 다이오드의 캐소드에 공급되는 구동 전압 레벨과 동일한, 유기 발광 표시 장치.
  7. 제4 항에 있어서,
    상기 애노드 초기화 트랜지스터는, 한 프레임 내에서, 상기 발광 신호에 의한 상기 유기 발광 다이오드의 발광 시점 이전에 상기 제3 제어 신호의 라이징 에지 및 하이 플랫 전압 중 적어도 하나에 응답하여 턴 온 되는, 유기 발광 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 타이밍 보정 커패시터는, 상기 제1 노드와 상기 제1 서브 화소의 상기 유기 발광 다이오드의 애노드를 커플링시키는, 유기 발광 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 서브 화소의 화소 회로는, 상기 제2 노드 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드를 연결하는 제2 타이밍 보정 커패시터를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제2 타이밍 보정 커패시터는, 상기 발광 신호선과 상기 제2 서브 화소의 상기 유기 발광 다이오드의 애노드를 커플링시키는, 유기 발광 표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소에서 방출되는 가시광의 중심 파장은 500nm 이상 600nm 이하이고,
    상기 제2 서브 화소에서 방출되는 가시광의 중심 파장은 500nm 이하이거나 600nm 이상인, 유기 발광 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소의 유기 발광 다이오드 및 상기 제2 서브 화소의 유기 발광 다이오드는 서로 다른 커패시턴스를 가지는, 유기 발광 표시 장치.
  13. 표시부; 및
    상기 표시부에 배치된 복수의 화소들;을 포함하고,
    상기 복수의 화소들 각각은, 유기 발광 다이오드 및 화소 회로를 포함하는 제1 및 제2 서브 화소들을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 서브 화소들 각각의 화소 회로는,
    한 프레임 내에서 상기 유기 발광 다이오드가 발광하는 시점 이전에 라이징 에지를 가지는 제어 신호를 공급하는 제어선과 제1 노드에서 연결되고,
    상기 한 프레임 내에서 상기 유기 발광 다이오드가 발광하는 시점 이전에 폴링 에지를 가지는 발광 신호를 공급하는 발광 신호선과 제2 노드에서 연결되고,
    상기 제2 서브 화소의 화소 회로는, 상기 제2 노드 및 상기 유기 발광 다이오드의 애노드를 연결하는 제2 타이밍 보정 커패시터를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제어 신호는, 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전압의 초기화 시점을 결정하는 제3 제어 신호이고,
    상기 발광 신호는, 상기 유기 발광 다이오드의 발광 시점을 결정하는 신호인, 유기 발광 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 서브 화소들 각각의 화소 회로는,
    게이트 노드에 연결되는 게이트를 갖고, 상기 게이트의 전압에 따라 상기 유기 발광 다이오드에 구동 전류를 공급하는 구동 트랜지스터;를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 서브 화소들 각각의 화소 회로는,
    제2 제어 신호에 응답하여 상기 게이트 노드의 전압 레벨을 제1 초기화 전압 레벨로 변경하는 게이트 초기화 트랜지스터; 및
    상기 제3 제어 신호에 응답하여 상기 유기 발광 다이오드의 애노드의 전압 레벨을 초기화하는 애노드 초기화 트랜지스터;를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소의 화소 회로는,
    상기 애노드 초기화 트랜지스터에 의하여 상기 제1 서브 화소의 상기 유기 발광 다이오드의 애노드의 전압 레벨을 상기 제1 초기화 전압 레벨로 변경하고,
    상기 제2 서브 화소의 화소 회로는,
    상기 애노드 초기화 트랜지스터에 의하여 상기 제2 서브 화소의 상기 유기 발광 다이오드의 애노드의 전압 레벨을 제2 초기화 전압 레벨로 변경하는, 유기 발광 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제2 초기화 전압 레벨은, 상기 제2 서브 화소의 상기 유기 발광 다이오드의 캐소드에 공급되는 구동 전압 레벨과 동일한, 유기 발광 표시 장치.
  19. 제16 항에 있어서,
    상기 애노드 초기화 트랜지스터는, 한 프레임 내에서, 상기 발광 신호에 의한 상기 유기 발광 다이오드의 발광 시점 이전에 상기 제3 제어 신호의 라이징 에지 및 하이 플랫 전압 중 적어도 하나에 응답하여 턴 온 되는, 유기 발광 표시 장치.
  20. 제13 항에 있어서,
    상기 제2 타이밍 보정 커패시터는, 상기 발광 신호선과 상기 제2 서브 화소의 상기 유기 발광 다이오드의 애노드를 커플링시키는, 유기 발광 표시 장치.
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