TWI736594B - 有機發光顯示裝置 - Google Patents

有機發光顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI736594B
TWI736594B TW106108411A TW106108411A TWI736594B TW I736594 B TWI736594 B TW I736594B TW 106108411 A TW106108411 A TW 106108411A TW 106108411 A TW106108411 A TW 106108411A TW I736594 B TWI736594 B TW I736594B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
opening
electrode
insulating layer
area
layer
Prior art date
Application number
TW106108411A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201735417A (zh
Inventor
金相基
金得鐘
李東炫
Original Assignee
南韓商三星顯示器有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商三星顯示器有限公司 filed Critical 南韓商三星顯示器有限公司
Publication of TW201735417A publication Critical patent/TW201735417A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI736594B publication Critical patent/TWI736594B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本發明揭露一種有機發光顯示裝置，包括基板，其係具有顯示區域和週邊區域；第一絕緣層，其係設置於包含整個顯示區域和週邊區域的基板之上；第一絕緣層，包括設置於週邊區域的第一開口；第一電極，其係設置於位於顯示區域的第一絕緣層之上；像素限定膜，其係設置於第一絕緣層之上，像素限定膜包括暴露部分第一電極的第二開口和在第一開口的位置處形成共用開口的第三開口；中間層，其係設置在第一電極上；以及第二電極，其係覆蓋中間層、像素限定膜、至少一部分的第三開口以及至少一部分的第一開口。

Description

有機發光顯示裝置
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2016年3月24日向韓國智慧財產局申請之韓國專利申請號第10-2016-0035547號之優先權及權益，其全部內容於此併入做為參考。
本發明所述的技術涉及一種有機發光顯示裝置。
有機發光顯示(OLED)裝置是自發光顯示裝置。OLED裝置包括複數個有機發光元件。複數個有機發光元件中的每一個包括電洞注入電極、電子注入電極和設置在其間的有機發射層。從電洞注入電極注入的電洞與從有機發光層中的電子注入電極注入的電子重新結合，產生激子。這些激子從激發態轉變為基態，從而產生光。
作為自發光顯示裝置的OLED裝置不需要單獨的光源。因此，OLED裝置可以以低電壓驅動，並且可以被製造成具有輕重量和細長的輪廓。此外，OLED裝置具有寬視角、高對比度和較短的響應時間。因此，OLED裝置廣泛地應用於各種領域，例如個人便攜式電子設備(例如MP3播放器或移動電話機)、電視等。諸如可折疊或可捲曲的OLED裝置的可撓性OLED裝置也已經應用於各種領域。
然而，從外部引入或在OLED裝置中包含的有機材料等中產生的雜質(例如：氣體或水分)可能滲透到OLED裝置中並且在製造過程或在使用過程中發生圖像品質的劣化。
本發明的一個或多個實施例包括能夠防止或降低圖像品質劣化的有機發光顯示裝置。
本發明的示例性實施例提供一種有機發光顯示裝置。有機發光顯示裝置包括基板、第一絕緣層、第一電極、像素限定膜、中間層和第二電極。基板包括顯示區域和週邊區域。第一絕緣層設置在基板上。第一絕緣層包括設置在週邊區域中的第一開口。第一電極設置在顯示區域中的第一絕緣層上。像素限定膜設置在第一絕緣層上。像素限定膜包括暴露第一電極的一部分的第二開口。像素限定膜更包括形成在第一開口的位置處以形成共用開口的第三開口。中間層設置在第一電極上。第二電極覆蓋中間層、像素限定膜、第三開口的至少一部分和第一開口的至少一部分。
有機發光顯示裝置更可以包括導電層。導電層可以設置在週邊區域中的第一絕緣層之上。導電層可以覆蓋第一開口。
像素限定膜可以包括複數個第四開口。複數個第四開口可以在至少一部分的導電層之上。
第二電極可以通過複數個第四開口接觸導電層。
像素限定膜可以由複數個第四開口分成複數個區域。
導電層可以包括複數個第五開口。複數個第五開口可以圍繞第一開口設置。
第二電極可以直接接觸設置在第一開口中的導電層。
第三開口的寬度可以大於第一開口的寬度。
有機發光顯示裝置更可以包括第二絕緣層。第二絕緣層可以設置在第一絕緣層的下方。第二絕緣層可以包括無機材料。第一開口可以延伸到第二絕緣層。
第二電極可以完全覆蓋第三開口和第一開口。
本發明的示例性實施例提供一種有機發光顯示裝置。有機發光顯示裝置包括基板、第一絕緣層、第一電極、像素限定膜和第二電極。基板包括顯示區域和週邊區域。第一絕緣層設置在基板上。第一絕緣層包括設置在週邊區域中的第一開口。第一電極設置在顯示區域中的第一絕緣層上。像素限定膜設置在第一絕緣層上。像素限定膜包括暴露一部分第一電極的第二開口。像素限定膜更包括形成在第一開口的位置處以形成共用開口的第三開口。第二電極覆蓋像素限定膜、第一電極、第三開口的至少一部分和第一開口的至少一部分。
第一絕緣層可以通過第一開口分成第一區域和第二區域。像素限定膜可以藉由第三開口分成至少兩個區域。
第一個開口可形成閉環。第二電極可以覆蓋第一開口。
第二電極的邊緣可以相對於顯示區域在第一開口外。第二電極的邊緣以及與顯示區域的一角落對應的一區域中的第一開口之間的距離，小於第二電極的邊緣以及不與顯示區域的角落對應的另一區域中的第一開口之間的距離。
閉環包括在與顯示區域的一角落對應的區域中朝向顯示區域凹陷的區域。
第二電極包括在與顯示區域的一角落對應的區域中朝遠離顯示區域的方向上突出的區域。
本發明的示例性實施例提供一種有機發光顯示裝置。有機發光顯示裝置包括基板、第一絕緣層、第一電極、像素限定膜和第二電極。基板包括顯示區域和週邊區域。第一絕緣層包括下部和上表面。第一絕緣層包括設置在週邊區域中的第一開口。第一電極佈置在顯示區域中的第一絕緣層上。像素限定膜佈置在整個第一絕緣層上。像素限定膜包括暴露第一電極的中心部分的第二開口。像素限定膜更包括第三開口，其中第一開口設置在第三開口中。第二電極覆蓋像素限定膜、第一電極、第三開口的至少一部分和第一開口的至少一部分。第一絕緣層的下部設置在基板上。共用開口延伸到第一絕緣層的下部。
有機發光顯示裝置更可以包括封蓋層。覆蓋層可以佈置在第二電極上。覆蓋層可以覆蓋第一開口。覆蓋層可以藉由第二電極與第三開口中的像素限定膜分離。
第一絕緣層、像素限定膜和覆蓋層中的每一個可以包括有機材料。
有機發光顯示裝置更可以包括封裝層。封裝層可以佈置在覆蓋層上。封裝層可以包括至少一無機層和至少一有機層。
d1、d2、d3、d4、d5、d6:距離
DA:顯示區域
G:雜質
P’:通道
PA、PA’:週邊區域
TFT1、TFT2:薄膜電晶體
W1、W2:寬度
1、1’、2、2’、3、4、5:有機發光顯示裝置
110、210、510:基板
111、211、511:緩衝層
113、213、513:閘極絕緣膜
115、115’、515:第二絕緣層
118、118’、218、318、418、518:第一絕緣層
118a、218a、518a:第一區域
118b、218b、518b:第二區域
518c:第三區域
118h1、118h1’、218h1、318h1、418h1、518h1、518h1a、518h1b:第一開口
119、119’、219、519:像素限定膜
119h2、219h2、519h2:第二開口
119h3、119h3’、219h3、519h3:第三開口
119h4、519h4:第四開口
122、222、522:半導體層
124、224、524:閘極電極
126D、226D、526D:汲極電極
126S、226S、526S:源極電極
130、230、530:有機發光元件
131、231、531:第一電極
133、233、533:中間層
135、135’、235、335、435、535:第二電極
140、140’、240、540:覆蓋層
150、150’、550:導電層
150h5、150h5’、250、550h5:第五開口
260:封裝層
261:第一無機層
263:有機層
265:第二無機層
結合附圖對本發明實施例的以下描述，這些及/或其他方面將變得顯而易見和更容易理解，其中：第1圖係繪示根據本發明示例性實施例之有機發光顯示裝置之平面示意圖；第2圖係繪示根據本發明示例性實施例之第1圖之有機發光顯示裝置之剖面示意圖；第3圖係繪示根據比較例之有機發光顯示裝置之剖面示意圖；第4圖係繪示根據本發明示例性實施例之有機發光顯示裝置之平面示意圖；第5圖係繪示根據本發明示例性實施例之第4圖之有機發光顯示裝置之剖面示意圖；第6圖係繪示根據本發明示例性實施例之有機發光顯示裝置之平面示意圖；第7圖係繪示根據本發明示例性實施例之有機發光顯示裝置之平面示意圖；以及，第8圖係繪示根據本發明示例性實施例之有機發光顯示裝置之剖面示意圖。
現在將詳細參照本發明之示例性實施例，附圖係繪示這些示例，其中相同的元件符號表示相同的元件。本發明的實施例可以具有不同態樣，並且不應僅被侷限於下述。因此，下面僅通過參考附圖來描述本發明的實施例以 解釋本說明書的態樣。如本文所用，術語「及/或」包括一或多個相關條列項目的任意組合和全部組合。
在下文中，將參照附圖詳細描述本發明的實施例。在附圖和說明書中，相同的元件符號被分配給相同的元件，並且可以省略其冗餘描述。
為了便於說明，附圖中的元件的尺寸可以被誇大。由於附圖中的部件的尺寸和厚度為了便於說明而被任意地繪示，所以本發明下述之示例性實施例不限於此。
第1圖係繪示根據本發明示例性實施例之有機發光顯示裝置1之平面示意圖。第2圖係繪示根據本發明示例性實施例之第1圖之有機發光顯示裝置1之剖面示意圖。
參照第1圖與第2圖，有機發光顯示裝置可包括基板110。基板110可包括顯示區域DA以及週邊區域PA。週邊區域PA可設置於顯示區域DA的周圍。週邊區域PA可為非顯示區域。基板110可以包括不同材料，例如玻璃材料、金屬材料或塑膠材料。根據本發明之示例性實施例，基板110可為可撓性基板。舉例來說，基板110可包括聚合物樹脂、例如聚醚碸(polyethersulphone,PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate,PAR)、聚醚醯亞胺(polyetherimide,PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide,PPS)、聚芳酯(polyarylate)、聚醯亞胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、或醋酸丙酸纖維素(cellulose acetate propionate,CAP)。
基板110上之顯示區域DA可為顯示圖像之區域。複數個薄膜電晶體TFT1可以設置在顯示區域DA中。複數個有機發光顯示元件130可設置於顯示 區域DA中。複數個有機發光顯示元件130可電性連接至複數個薄膜電晶體TFT1。複數個有機發光顯示元件130與複數個薄膜電晶體TFT1的電性連接可為複數個第一電極131與複數個薄膜電晶體TFT1的電性連接。複數個薄膜電晶體TFT2可以設置於基板110的週邊區域PA中。複數個薄膜電晶體TFT2可包括，例如配置為控制待施加於顯示區域DA的電訊號的部分電路。
每一薄膜電晶體TFT1可包括半導體層122、閘極電極124、源極電極126S，以及汲極電極126D。半導體層122可包括非晶矽(a-Si)、多晶矽(poly-Si)或有機半導體材料。閘極電極124可以設置在半導體層122上。源極電極126S和汲極電極126D可以根據施加到閘極電極124的訊號彼此電性連接。閘極電極124可以包括單層結構或多層結構，其包括選自由鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)所組成的群組中的一或多種材料。
為了使半導體層122和閘極電極124電絕緣，閘極絕緣膜113可以設置在半導體層122和閘極電極124之間。閘極絕緣膜113可以包括無機材料，例如：氧化矽、氮化矽，及/或氮氧化矽。第二絕緣層115可以佈置在閘極電極124的上方。第二絕緣層115可以包括無機材料，例如：氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽。源極電極126S和汲極電極126D可以設置在第二絕緣層115上。源極電極126S和汲極電極126D可以藉由形成在第二絕緣層115和閘極絕緣膜113中的接觸孔電性連接半導體層122。
源極電極126S和汲極電極126D可包括單層結構或多層結構。源極電極126S和汲極電極126D可包括選自由鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、 鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)所組成的群組中的一或多種材料。包括無機材料的第二絕緣層115可以藉由化學氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)形成。
緩衝層111可以設置在薄膜電晶體TFT1和基板110之間。緩衝層111可以包括諸如氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽的無機材料。緩衝層111可以增加基板110的上表面的平坦度。緩衝層111也可以防止或減少雜質從基板110等滲透到薄膜電晶體TFT1的半導體層122中。
第一絕緣層118可以設置在薄膜電晶體TFT1上。例如，當有機發光元件130設置在薄膜電晶體TFT1上方時，第一絕緣層118可以具有實質平坦的上表面，使得第一電極131可以為實質平坦成形。第一絕緣層118可以包括有機材料，例如丙烯酸(acryl)、苯並環丁烯(benzocyclobutene,BCB)、聚醯亞胺(polyimide,PI)或六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane,HMDSO)。參考第2圖，第一絕緣層118可以包括單層結構；然而，本發明的實施例不限於此。例如，第一絕緣層118可以包括多層結構。第一絕緣層118可設置在整個顯示區域DA和週邊區域PA的基板110的上方。第一絕緣層118可以包括設置在週邊區域PA中的第一開口118h1。第一絕緣層118可以藉由第一開口118h1物理地分成至少兩部分。因此，可以防止來自外部的雜質或在第一開口118h1外部的第一絕緣層118等中產生的雜質(即：氣體或濕氣)經由第一絕緣層118到達顯示區域DA。
在基板110的顯示區域DA中，有機發光元件130可以設置在第一絕緣層118之上。有機發光元件130可以包括第一電極131、第二電極135和設置在第一電極131和第二電極135之間的中間層133。中間層133可以包括發射層。
第一絕緣層118可以包括開口。開口可以暴露薄膜電晶體TFT1的源極電極126S和汲極電極126D中的一個。第一電極131可以經由開口接觸源極電極126S和汲極電極126D中的一個。第一電極131可以電性連接到薄膜電晶體TFT1。
第一電極131可以是透光性電極或透明電極。或者，第一電極131可以是反射電極。當第一電極131是透光電極或透明電極時，第一電極131可以包括透明導電層。透明導電層可以包括選自由氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鋅(indium zinc oxide,ZnO)、氧化銦(indium oxide,In2O3)、氧化銦鎵(indium gallium oxide,IGO)以及氧化鋅鋁(aluminum zinc oxide,AZO)組成的群組中的至少一種或多種材料。第一電極131更可以包括可以提高有機發光顯示裝置1的發光效率的半透明層。半透明層可以是具有幾奈米至幾十奈米厚度的薄膜。半透明層可以包括選自由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)和鐿(Yb)組成的群組中的至少一種或多種材料。當第一電極131是反射電極時，第一電極131可包括反射膜和透明導電層。反射膜可以包括銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其化合物。透明導電層可以設置在反射膜的上方及/或下方。透明導電層可以是選自由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)和氧化鋅鋁(AZO)。然而，本發明的實施例不限於此。第一電極131可以包括各種材料。第一電極131可以包括單層結構或多層結構。
像素限定膜119可設置於整個顯示區域DA和週邊區域PA的第一絕緣層118上。像素限定膜119可以經由包括對應於每個子像素的開口來定義像素。例如，第二開口119h2可以暴露至少第一電極131的中心部分。像素限定膜119可以增加第一電極131的邊緣和設置在第一電極131上的第二電極135之間的距離。因此，可以防止在第一電極131的邊緣處發生電弧(arc)。像素限定膜119可以包括諸如聚醯亞胺(PI)或六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane,HMDSO)的有機材料。像素限定膜119可以包括第三開口119h3。第三開口119h3可以暴露週邊區域PA中的第一絕緣層118的第一開口118h1。類似於第一開口118h1，第三開口119h3可以防止來自外部或像素限定膜119外部的第一開口118h1中的雜質(例如，氣體或濕氣)經由像素限定膜119滲透到顯示區域DA。第一絕緣層118以及像素限定膜119可以包括實質上相同的有機材料，然而，本發明的實施例不限於此。
有機發光元件130的中間層133可以包括低分子量材料或高分子量材料。當中間層133包括低分子量材料時，中間層133可以包括單層結構或多層結構。多層結構可包括電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發射層(EML)、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)。中間層133可包含各種有機材料，例如：銅酞菁(copper phthalocyanine,CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine,NPB)或三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum,Alq3)。多層結構的層可以透過真空沉積而形成。當中間層133包括高分子量材料時，中間層133可以包括具有電洞傳輸層(HTL)和發射層(EML)的結構。電洞傳輸層(HTL)可以包括聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)基(PEDOT,poly(3,4-ethylenedioxythiophene))。發射層(EML)可以包括聚亞苯基亞乙烯基(PPV,poly-phenylenevinylene)的聚合物或聚芴基 (PFO,polyfluorene)的聚合物。中間層133可以透過絲網印刷、噴墨印刷或雷射誘導熱成像(laser induced thermal imaging,LITI)形成。
然而，中間層133不限於此。中間層133可以包括各種不同的結構。中間層133可以包括整體在複數個第一電極131上的層。中間層133更可以包括對應於複數個第一電極131圖案化的層。
第二電極135可設置在顯示區域DA和週邊區域PA。第二電極135可設置於中間層133和像素限定膜119的第三開口119h3中的像素限定膜119之上。第二電極也可設置於第一絕緣層118的第一開口118h1之內。第二電極135可相對於複數個有機發光元件130一體成形。第二電極135可對應於複數個第一電極131。
第二電極135可為透明電極或透光電極。替代地，第二電極135可為反射電極。當第二電極135為透明電極或透光電極，第二電極135可包括選自由銀(Ag)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鋰(Li)、鈣(Ca)、銅(Cu)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、銀鎂(MgAg)和銀鈣(CaAg)所組成的群組中的一或多種材料。第二像素電極135可為厚度約數至數十奈米厚度的薄膜。當第二電極135為反射電極時，第二電極135可包括選自銀(Ag)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鋰(Li)、鈣(Ca)、銅(Cu)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰鋁(LiF/Al)，銀鎂(MgAg)和銀鈣(CaAg)所組成的群組中的一或多種材料。然而，第二電極135的結構和材料並不限於此。
第一絕緣層118以及像素限定膜119可設置遍及顯示區域DA和週邊區域PA的基板100之上。第一絕緣層118可包括設置於週邊區域PA的第一開口118h。像素限定膜119可包括設置於週邊區域PA的第三開口119h3。第一絕緣層 118中的第一開口118h1暴露第二絕緣層115。設置於像素限定膜119的第三開口119h3的寬度W2可大於設置於第一絕緣層118的第一開口118h1的寬度W1。因此，像素限定膜119可不設置於第一開口118h1之內。
導電層150可設置於位於週邊區域PA中的第一絕緣層118A之上。導電層150可設置於週邊區域PA中的第一開口118h1之內。導電層150可設置於與第一電極131實質相同的層上。至少一部分的導電層150可設置於第一絕緣層118以及像素限定膜119之間。導電層150可包括與第一電極131實質相同的材料。導電層150可完全覆蓋第一開口118h1。
根據本發明的實施例，導電層150可包括複數個第五開口150h5。複數個第五開口150h5可設置於第一開口118h1的周遭。像素限定膜119可包括複數個第四開口119h4。複數個第四開口119h4可暴露至少一部分的導電層150。像素限定膜119可藉由複數個第四開口119h4而區分為複數個區域。導電層150中的複數個第五開口150h5可設置於像素限定膜119的下方。複數個第五開口150h5可以用作通道，在包括有機材料的第一絕緣層118中產生的氣體可以藉由該通道排出到外部。因此，可以防止或減少由在第一絕緣層118中產生的氣體滲透到顯示區域DA中而引起的有機發光顯示裝置1中的圖像品質劣化。
像素限定膜119的複數個第四開口119h4可以暴露導電層150。設置在像素限定膜119上的第二電極135可以藉由複數個第四開口119h4與導電層150相接觸。導電層150可以是用於向第二電極135提供電壓的電壓供應線。或者，導電層150可以是用於將電壓供應線連接到第二電極135的連接線。
參照第1圖，第一絕緣層118中的第一開口118h1可圍繞顯示區域DA而設置。例如，第一開口118h1可以形成閉環以完全圍繞顯示區域DA。因此， 第一絕緣層118可以包括由第一開口118h1劃分的第一區域118a和第二區域118b。類似地，像素限定膜119可以藉由與第一開口118h1對應設置的第三開口119h3劃分成至少兩個區域。
導電層150可以設置在週邊區域PA中以圍繞顯示區域DA。導電層150可以覆蓋第一開口118h1。導電層150可以包括設置在第一開口118h1周圍的複數個第五開口150h5。第二電極135可以設置於整個顯示區域DA以及週邊區域PA中。第二電極135可以完全覆蓋第一開口118h1。例如，第二電極135可以完全覆蓋在顯示區域DA的角落處的第一開口118h1以及圍繞顯示區域DA設置的第一開口118h1。第二電極135可以直接接觸設置在第一開口118h1中的導電層150。
然而，本發明的實施例不限於此。導電層150可以覆蓋第三開口119h3的一部分並且完全覆蓋第一開口118h1。導電層150也可以覆蓋第一開口118h1的一部分和第三開口119h3的一部分。然而，導電層150可以覆蓋圍繞顯示區域DA的整個區域中的第一開口118h1的至少一部分和第三開口119h3的至少一部分。
覆蓋層140可以設置在第二電極135上。覆蓋層140可以提高有機發光顯示裝置1的發光效率。覆蓋層140也可以設置在整個顯示區域DA和週邊區域PA中。覆蓋層140也可以設置在第一開口118h1的內部。覆蓋層140可以包括有機材料。封裝層可以佈置在覆蓋層140的上方。封裝層可以包括至少一個無機膜和至少一個有機膜。
第3圖係繪示根據比較例的有機發光顯示裝置的剖面示意圖。
參照第3圖，有機發光顯示裝置1’可包括設置於週邊區域PA’的第二絕緣層115’。有機發光顯示裝置1’可進一步包括設置於第二絕緣層115’之上的 第一絕緣層118’。第一絕緣層118’可包括第一開口118h1’。導電層150’可設置於第一開口118h1’的內部。導電層150’可包括複數個第五開口150h5’。複數個第五開口150h5’可設置為圍繞第一開口118h1’。
像素限定膜119'可以設置在第一絕緣層118'之上。像素限定膜119'可以覆蓋導電層150'的至少一部分。像素限定膜119'可以包括第三開口119h3'。第三開口119h3'可以暴露第一開口118h1'。第二電極135'和覆蓋層140'可以設置在像素限定膜119'的上方。
根據比較例中的有機發光顯示裝置1’，第二電極135’可不設置於第一開口118h1’之內。覆蓋層140’可自第二電極135’的上部分延伸。覆蓋層140’可覆蓋第一開口118h1’。第一絕緣層118’、像素限定膜119’以及覆蓋層140’中的每一個可包括有機材料。因此，從外部引入或產生自像素限定膜119’的雜質G’(例如：氣體或水分)可沿著通道P’滲透，並沿著像素限定膜118’滲透到顯示區域DA。可滲透到顯示區域DA中的雜質G'(例如，氣體或水分)可能滲透到包括發射層的中間層133。因此，雜質G'可能導致有機發光顯示裝置1'中的圖像品質下降。
參照第2圖，第二電極135可設置於第一開口118h1之內。由於第二電極135、像素限定膜119以及覆蓋層140可在第一開口118h1和第三開口119h3中彼此完全分離。因此，第二電極135可阻擋由外部通過第一絕緣層118或像素限定膜119引入的或者在像素限定膜119中產生的雜質G(例如，氣體或水分)，使得雜質G不會滲入顯示區域DA。此外，第二電極135可阻擋通過覆蓋層140引入的雜質G(例如，氣體或水分)，使得雜質G不會滲透到中間層133。因此，可以防止或減少有機發光顯示裝置1的圖像品質劣化。
第4圖係繪示根據本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置2的平面示意圖。第5圖係繪示根據本發明示例性實施例的第4圖的有機發光顯示裝置2的剖面示意圖。
參照第4圖和第5圖，有機發光顯示裝置2可以包括基板210、第一絕緣層218、第一電極231、像素限定膜219、中間層233和第二電極235。基板210可以包括顯示區域DA和週邊區域PA。週邊區域PA可以在顯示區域DA的外部。第一絕緣層218可以設置在整個顯示區域DA和週邊區域PA的基板210的上方。第一絕緣層218可以包括第一開口218h1。第一開口218h1可以設置在週邊區域PA中。第一電極231可以設置在顯示區域DA中的第一絕緣層218的上方。像素限定膜219可以設置在整個顯示區域DA和週邊區域PA的第一絕緣層218之上。像素限定膜219可以包括第二開口219h2。第二開口219h2可以暴露第一電極231的中心部分。像素限定膜更可以包括第一開口218h1設置於其內的第三開口219h3。中間層233可以設置在第一電極231上。第二電極235可以覆蓋中間層233、像素限定膜219、第三開口219h3以及第一開口218h1。
緩衝層211可以設置在基板210之上。薄膜電晶體TFT1以及有機發光元件230可以設置在顯示區域DA中的緩衝層211的上方。有機發光元件230可以電性連接到薄膜電晶體TFT1。有機發光元件230可以包括第一電極231、中間層233和第二電極235。中間層233可以包括發射層。
薄膜電晶體TFT1可以包括半導體層222、閘極電極224、源極電極226S以及汲極電極226D。閘極絕緣膜213可以設置在半導體層222和閘極電極224之間。第二絕緣層215可以設置在閘極電極224上方。閘極絕緣膜213和第二絕緣 層215可以包括無機材料。閘極絕緣膜213和第二絕緣層215可以設置在整個顯示區域DA和週邊區域PA中。
第一絕緣層218可設置於薄膜電晶體TFT1之上。第一絕緣層218可設置於整個顯示區域DA以及週邊區域PA之中。第一絕緣層218可包括位於週邊區域的第一開口218h1。第一開口218h1可暴露第二絕緣層215。第一開口218h1可形成閉環以圍繞顯示區域DA。第一絕緣層218可藉由第一開口218而區分成第一區域218a以及第二區域218b。第一絕緣層218可包括有機材料例如聚醯亞胺(polyimide,PI)。
第一電極231可以設置在顯示區域DA中的第一絕緣層218的上方。導電層250可以設置在週邊區域PA中。與第2圖的導電層150不同，第5圖的導電層250可以不包括設置在第一開口218h1周圍的開口。像素限定膜219可以設置在第一絕緣層218之上。像素限定膜219可以包括第二開口219h2。第二開口219h2可以暴露第一電極231的中心部分。第三開口219h3也可以暴露出暴露第二絕緣層215的第一開口218h1。像素限定膜219可以設置在整個顯示區域DA和週邊區域PA之中。像素限定膜219可以覆蓋第一電極231的一部分。像素限定膜219可以覆蓋導電層250的一部分。暴露第一開口218h1的第三開口219h3可以比第一開口218h1寬，並且可以完全露出第一開口218h1。
包括發射層(EML)的中間層233可以設置於第一電極231之上。第二電極235可以設置在中間層233和像素限定膜219之上。第二電極235可以延伸到第一開口218h1的內部。由於像素限定膜219可以不設置在第一開口218h1的內部，所以導電層250可以接觸第一開口218h1中的第二電極235。導電層250可以是用於向第二電極235提供電壓的電壓供應線。或者，導電層250可以是用於 將電壓供應線連接到第二電極235的連接線。第二電極235可以完全覆蓋第一開口218h1。例如，第二電極235可以完全覆蓋形成閉環的整個第一開口218h1。因此，可以阻隔從外部引入或在像素限定膜219等的有機材料中產生的雜質(例如氣體或水分)等經由通道滲透到顯示區域DA。如第4圖所示，第二電極235的邊緣可以相對於顯示區域DA設置在第一開口218h1外。在與顯示區域DA的角落對應的區域中的第二電極235的邊緣與第一開口218h1之間的距離d2可以小於在其餘區域中的第二電極235的邊緣與第二電極235的第一開口218h1之間的距離d1。例如，與顯示區域DA的一側對應的區域。
覆蓋層240可以設置在第二電極235的上方。覆蓋層240可以包括有機材料。覆蓋層可以提高有機發光顯示裝置2的發光效率。封裝層260可以設置在覆蓋層240的上方。封裝層260可以覆蓋有機發光元件230。因此，封裝層260可以保護有機發光元件230免於受到外部雜質(例如水分或氧氣)的影響。封裝層260可以覆蓋顯示區域DA。封裝層260可以延伸到週邊區域PA。如第5圖所示，封裝層260可以包括第一無機層261、有機層263和第二無機層265。
第一無機層261可以覆蓋覆蓋層240。第一無機層261可包括氧化矽(silicon oxide)、氮化矽(silicon nitride)，及/或氮氧化矽(silicon oxynitride)。根據本發明的一個實施例，可以在第一無機層261和覆蓋層240之間設置諸如氟化鋰(LiF)層的其它層。由於第一無機層261可以沿其下部結構而被提供，如第5圖所示，第一無機層261的上表面可能實質上不平坦。有機層263可以覆蓋第一無機層261。有機層263的上表面可以是實質上平坦的。有機層263可以包括選自聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醯亞胺 (polyimide,PI)、聚乙烯磺酸鹽(polyethylene sulfonate)、聚甲醛(polyoxymethylene,POM)、聚芳酯(polyarylate)和六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane,HMDSO)中的一種或多種材料。第二無機層265可以覆蓋有機層263。第二無機層265可以包括氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽。第二無機層265可以在有機發光顯示裝置2的角落處與第一無機層261接觸，以便不暴露有機層263。
封裝層260可以包括第一無機層261、有機層263和第二無機層265。當封裝層260發生裂紋時，多層結構可以防止第一無機層261和有機層263之間或有機層263和第二無機層265之間的裂紋彼此連接。因此，可以防止或減少外部水分或氧氣經由所形成的通道滲入顯示區域DA。
第6圖係繪示根據本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置3的平面示意圖。除了第一絕緣層318和第二電極335，第6圖的有機發光顯示裝置3結構可與第2圖的有機發光顯示裝置1結構或第5圖的有機發光顯示裝置2結構相同。
參照第6圖，有機發光顯示裝置3可包括在顯示區域DA和週邊區域PA中的第一絕緣層318。第一絕緣層318可包括在週邊區域PA中的第一開口318h1。第一開口318h1可圍繞顯示區域DA。在平面圖中，第一開口318h1可以包括在角落凹陷的區域。例如，第一開口318h1可以形成圍繞顯示區域DA的閉環。閉環可以包括朝向顯示區域DA凹陷的區域。根據本發明的實施例，第一開口318h1可以包括在角落具有L形的凹陷區域。
第二電極335可完全覆蓋第一開口318h1。例如，第二電極335可為第二電極335可以完全覆蓋第一開口318h1。如，第二電極335的邊緣可以相對 於顯示區域DA位於第一開口318h1外。在與顯示區域DA的角落對應的區域中的第二電極335的邊緣和第一開口318h1間的距離d4可大於在其餘區域中的第二電極335的邊緣與第一開口318h1間的距離d3。例如，與顯示區域DA一側對應的區域。
如上述的第一開口318h1所構成的角落，第二電極335可設置為使得在第6圖的角落外的區域中的第二電極335的邊緣與第一開口318h1之間的距離d3小於在第4圖的角落外的區域中的第二電極235的邊緣與第一開口218h1之間的距離d1。因此，第二電極335的面積可以最小化。
第7圖係繪示本發明示例性實施方式的有機發光顯示裝置4的平面示意圖。除了第一絕緣層418和第二電極435。第7圖的有機發光顯示裝置4的結構與第2圖的有機發光顯示裝置1或第5圖的有機發光顯示裝置2的結構相同。
參照第7圖，有機發光顯示裝置4可以包括在顯示區域DA和週邊區域PA中的第一絕緣層418。第一絕緣層418可以包括在週邊區域PA中的第一開口418h1。第一開口418h1可圍繞顯示區域DA。第二電極435可以完全覆蓋第一開口418h1。例如，第二電極435的邊緣可以相對於顯示區域DA在第一開口418h1外。在與顯示區域DA的角落對應的區域中，第二電極435可以包括沿遠離顯示區域DA的方向突出的區域。
在與顯示區域DA的角落對應的區域中的第二電極435的邊緣與的第一開口418h1之間的距離d6可以基本上等於在剩下區域中的第二電極435的邊緣與第一開口418h1之間的距離d5。例如，與顯示區域DA的一側對應的區域。然而，本發明的實施例不限於此。在與顯示區域DA的角落對應的區域中的第二 電極435的邊緣與第一開口418h1之間的距離d6可以小於或大於在剩下區域中的第二電極435的邊緣與第一開口418h1之間的距離d5。
第8圖係繪示根據本發明示例性實施例的有機發光顯示裝置5的剖面示意圖。
參照第8圖，有機發光顯示裝置5可以包括基板510、第一絕緣層518、第一電極531、像素限定膜519、中間層533和第二電極535。基板510可以包括在顯示區域DA和顯示區域DA外的週邊區域PA。第一絕緣層518可以設置在整個顯示區域DA和週邊區域PA的基板510的上方。第一絕緣層518可以包括週邊區域PA中的第一開口518h1。第一電極531可以設置在顯示區域DA中的第一絕緣層518上。像素限定膜519可以設置在包括整個顯示區域DA和週邊區域PA的第一絕緣層518上。像素限定膜519可以包括第二開口519h2。第二開口519h2可以暴露第一電極531的中心部分。像素限定膜519也可以包括第一開口518h1設置於其內的第三開口519h3。中間層533可以設置在第一電極531上。第二電極535可以覆蓋中間層533、像素限定膜519、第三開口519h3和第一開口518h1。
緩衝層511可以設置在基板510上。薄膜電晶體TFT1和有機發光元件530可以設置在顯示區域DA中的緩衝層511的上方。有機發光元件530可以電性連接到薄膜電晶體TFT1。有機發光元件530可以包括第一電極531、中間層533和第二電極535。中間層533可以包括發射層。
薄膜電晶體TFT1可包括半導體層522、閘極電極524、源極電極526S以及汲極電極526D。閘極絕緣膜513可設置於半導體層522以及閘極電極524之間。第二絕緣層515可設置於閘極電極524的上方。閘極絕緣膜513和第二絕緣 層515可包括無機材料。閘極絕緣膜513和第二絕緣層515可設置於整個顯示區域DA和週邊區域PA中。
第一絕緣層518可以設置在薄膜電晶體TFT1上。第一絕緣層518可以設置在整個顯示區域DA和週邊區域PA中。第一絕緣層518可以包括週邊區域PA中的複數個第一開口518h1a和518h1b。複數個第一開口518h1a和518h1b可以暴露第二絕緣層515。複數個開口518h1a和518h1b可以是從一個開口而分支的開口，或者可以是彼此完全分離的開口。
由於複數個第一開口518h1a和518h1b，第一絕緣層518可分為第一區域518a、第二區域518b和第三區域518c。當複數個第一開口518h1a和518h1b為自一個開口分支出的開口時，第三區域518c可以具有矩形形狀。當複數個第一開口518h1a和518h1b是彼此完全分開的開口時，第三區域518c可以具有框架形狀。第一絕緣層518可以包括諸如聚醯亞胺(PI)的有機材料。
第一電極531可以設置在顯示區域DA中的第一絕緣層518上。導電層550可以在週邊區域PA中。導電層550可以包括複數個第五開口550h5。複數個第五開口550h5可以設置在第一絕緣層518的第三區域518c、第一區域518a和第二區域518b上。像素限定膜519可以設置在第一絕緣層518上。像素限定膜519可以包括複數個第四開口519h4。複數個第四開口519h4可以暴露導電層550的至少一部分。
包括發射層(EML)的中間層533可以設置在第一電極531上。第二電極535可以設置在中間層533上。第二電極535可以延伸到複數個第一開口518h1a和518h1b的內部。因為像素限定膜519可能不會設置在複數個第一開口518h1a和518h1b內，導電層550可以接觸複數個第一開口518h1a和518h1b中的第 二電極535。導電層550可以是用於向第二電極535提供電壓的電壓供應線。或者，導電層550可以是用於將電壓供應線連接到第二電極535的連接線。第二電極535可以完全覆蓋複數個第一開口518h1a和518h1b。覆蓋層540可以設置在第二電極535的上方。
第一絕緣層518可以包括複數個第一開口518h1a和518h1b。第二電極535可以完全覆蓋複數個第一開口518h1a和518h1b。因此，與第一絕緣層518相比，包括一個第一開口，可以更可靠地阻擋自外部經由像素限定膜519引入的或在像素限定膜519中產生的雜質(例如，氣體或水分)經由通道滲透至顯示區域DA。因此，可以防止或減少在製造過程或使用期間有機發光顯示裝置5的圖像品質劣化。
根據本發明的至少一個實施例，有機發光顯示裝置1、2、3、4和5可以包括第一絕緣層118、218、318、418和518，其包括在週邊區域中的第一開口118h1、218h1、318h1、418h1、518h1a和518h1b。可以防止雜質從第一開口118h1、218h1、318h1、418h1、518h1a和518h1b的外部經由通道引入到第一開口118h1、218h1、318h1、418h1a、518h1a和518h1b的內部。因此，可以防止或減少有機發光顯示裝置1、2、3、4和5中的圖像品質劣化。
應當理解，本文描述的本發明的實施例應僅在描述性意義上被考慮，而不是為了限制的目的。在本發明的其他實施例中，通常應該將本發明的每個實施例內的特徵或態樣的描述視為可用於其它類似特徵或態樣。
雖然已經參考附圖描述了本發明的一個或多個實施例，但是本技術領域中具有通常知識者將理解，在不脫離所定義的精神和範圍的情況，在申請專利範圍的定義下可以在形式和細節上進行各種變化。
DA:顯示區域
G:雜質
PA:週邊區域
TFT1、TFT2:薄膜電晶體
W1、W2:寬度
1:有機發光顯示裝置
110:基板
111:緩衝層
113:閘極絕緣膜
115:第二絕緣層
118:第一絕緣層
118a:第一區域
118b:第二區域
118h1:第一開口
119:像素限定膜
119h2:第二開口
119h3:第三開口
119h4:第四開口
122:半導體層
124:閘極電極
126D:汲極電極
126S:源極電極
130:有機發光元件
131:第一電極
133:中間層
135:第二電極
140:覆蓋層
150:導電層
150h5:第五開口

Claims (22)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包括：一基板，係具有一顯示區域和一顯示區域外的一週邊區域；一第一絕緣層，其係設置於在整個該顯示區域和該週邊區域的該基板之上，該第一絕緣層包含設置於該週邊區域的一第一開口；一第一電極，其係設置於該顯示區域中的該第一絕緣層之上；一像素限定膜，其係設置於該第一絕緣層之上，該像素限定膜包括暴露一部分該第一電極的一第二開口，以及於該第一開口的位置處形成一共用開口的一第三開口；一中間層，其係設置於該第一電極之上；以及一第二電極，其係覆蓋該中間層、該像素限定膜、至少一部分的該第三開口以及至少一部分的該第一開口；其更包括設置於在該週邊區域中的該第一絕緣層上方的一導電層，其中該導電層覆蓋該第一開口。
  2. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該像素限定膜包括在該導電層的至少一部分上的複數個第四開口。
  3. 如請求項2所述之有機發光顯示裝置，其中，該第二電極藉由該複數個第四開口接觸該導電層。
  4. 如請求項2所述之有機發光顯示裝置，其中，該像素限定膜藉由該複數個第四開口分成複數個區域。
  5. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中，該導電層包括圍繞該第一開口設置的複數個第五開口。
  6. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中，該第二電極與設置於該第一開口中的該導電層直接接觸。
  7. 一種有機發光顯示裝置，包括：一基板，係具有一顯示區域和一顯示區域外的一週邊區域；一第一絕緣層，其係設置於在整個該顯示區域和該週邊區域的該基板之上，該第一絕緣層包含設置於該週邊區域的一第一開口；一第一電極，其係設置於該顯示區域中的該第一絕緣層之上；一像素限定膜，其係設置於該第一絕緣層之上，該像素限定膜包括暴露一部分該第一電極的一第二開口，以及於該第一開口的位置處形成一共用開口的一第三開口；一中間層，其係設置於該第一電極之上；以及一第二電極，其係覆蓋該中間層、該像素限定膜、至少一部分的該第三開口以及至少一部分的該第一開口；其中，該第三開口的寬度大於該第一開口的寬度。
  8. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其更包括設置在該第一絕緣層下方的一第二絕緣層，其中該第二絕緣層包括無機材料，並且該第一開口延伸到該第二絕緣層。
  9. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中，該第二電極完全覆蓋該第三開口和該第一開口。
  10. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中，該第一開口圍繞該顯示區域。
  11. 如請求項10所述之有機發光顯示裝置，其中，該第一絕緣層藉由該第一開口分成一第一區域和一第二區域。
  12. 如請求項11所述之有機發光顯示裝置，其中，該像素限定膜藉由該第三開口分成至少兩個區域。
  13. 如請求項10所述之有機發光顯示裝置，其中，該第一開口形成一閉環，該第二電極完全覆蓋該第一開口。
  14. 一種有機發光顯示裝置，包括：一基板，係具有一顯示區域和一顯示區域外的一週邊區域；一第一絕緣層，其係設置於在整個該顯示區域和該週邊區域的該基板之上，該第一絕緣層包含設置於該週邊區域的一第一開口；一第一電極，其係設置於該顯示區域中的該第一絕緣層之上；一像素限定膜，其係設置於該第一絕緣層之上，該像素限定膜包括暴露一部分該第一電極的一第二開口，以及於該第一開口的位置處形成一共用開口的一第三開口；一中間層，其係設置於該第一電極之上；以及一第二電極，其係覆蓋該中間層、該像素限定膜、至少一部分的該第三開口以及至少一部分的該第一開口；其中，該第一開口圍繞該顯示區域；其中，該第一開口形成一閉環，該第二電極完全覆蓋該第一開口；其中，該第二電極的一邊緣相對於該顯示區域在該第一開口外，以及該第二電極的該邊緣以及與該顯示區域的一角落對應的一區域中的該第一開口之間的距離，小於該第二電極的該邊緣以及不與該顯示區域的該角落對應的另一區域中之間的該第一開口的距離。
  15. 一種有機發光顯示裝置，包括： 一基板，係具有一顯示區域和一顯示區域外的一週邊區域；一第一絕緣層，其係設置於在整個該顯示區域和該週邊區域的該基板之上，該第一絕緣層包含設置於該週邊區域的一第一開口；一第一電極，其係設置於該顯示區域中的該第一絕緣層之上；一像素限定膜，其係設置於該第一絕緣層之上，該像素限定膜包括暴露一部分該第一電極的一第二開口，以及於該第一開口的位置處形成一共用開口的一第三開口；一中間層，其係設置於該第一電極之上；以及一第二電極，其係覆蓋該中間層、該像素限定膜、至少一部分的該第三開口以及至少一部分的該第一開口；其中，該第一開口圍繞該顯示區域；其中，該第一開口形成一閉環，該第二電極完全覆蓋該第一開口；其中，該閉環包括在與該顯示區域的一角落對應的區域中朝向該顯示區域凹陷的區域。
  16. 一種有機發光顯示裝置，包括：一基板，係具有一顯示區域和一顯示區域外的一週邊區域；一第一絕緣層，其係設置於在整個該顯示區域和該週邊區域的該基板之上，該第一絕緣層包含設置於該週邊區域的一第一開口；一第一電極，其係設置於該顯示區域中的該第一絕緣層之上；一像素限定膜，其係設置於該第一絕緣層之上，該像素限定膜包括暴露一部分該第一電極的一第二開口，以及於該第一開口的位置處形成一共用開口的一第三開口； 一中間層，其係設置於該第一電極之上；以及一第二電極，其係覆蓋該中間層、該像素限定膜、至少一部分的該第三開口以及至少一部分的該第一開口；其中，該第一開口圍繞該顯示區域；其中，該第一開口形成一閉環，該第二電極完全覆蓋該第一開口；其中，該第二電極包括在與該顯示區域的一角落對應的區域中朝遠離該顯示區域的方向上突出的區域。
  17. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其更包括設置於該第二電極之上並覆蓋該第一開口的一覆蓋層。
  18. 如請求項17所述之有機發光顯示裝置，其中該覆蓋層藉由該第二電極與在該第三開口中的該像素限定膜分離。
  19. 如請求項17所述之有機發光顯示裝置，其中該第一絕緣層、該像素限定膜以及該覆蓋層中的每一個均包含有機材料。
  20. 如請求項17所述之有機發光顯示裝置，其更包括設置於該覆蓋層上的一封裝層，其中該封裝層包括至少一無機層以及至少一有機層。
  21. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該第一絕緣層包括至少兩個該第一開口。
  22. 如請求項21所述之有機發光顯示裝置，其中，該第一絕緣層包括由至少兩個第一開口彼此分開的一第一區域、一第二區域和一第三區域。
TW106108411A 2016-03-24 2017-03-14 有機發光顯示裝置 TWI736594B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160035547A KR102628849B1 (ko) 2016-03-24 2016-03-24 유기발광 디스플레이 장치
KR10-2016-0035547 2016-03-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201735417A TW201735417A (zh) 2017-10-01
TWI736594B true TWI736594B (zh) 2021-08-21

Family

ID=59898293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106108411A TWI736594B (zh) 2016-03-24 2017-03-14 有機發光顯示裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9966565B2 (zh)
KR (1) KR102628849B1 (zh)
CN (1) CN107230694B (zh)
TW (1) TWI736594B (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102457251B1 (ko) 2017-03-31 2022-10-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN107482042B (zh) * 2017-08-18 2020-04-03 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、oled显示装置
CN107393939B (zh) * 2017-08-30 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置
US10707282B1 (en) 2017-09-08 2020-07-07 Apple Inc. Organic light-emitting diode display panels
JP6935915B2 (ja) * 2017-10-27 2021-09-15 株式会社Ｊｏｌｅｄ 電子デバイス
KR102431788B1 (ko) 2017-12-13 2022-08-10 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
TWI671928B (zh) * 2018-06-19 2019-09-11 友達光電股份有限公司 顯示面板
TWI678009B (zh) * 2018-06-22 2019-11-21 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製作方法
KR102516722B1 (ko) * 2018-07-31 2023-03-30 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
WO2020079805A1 (ja) * 2018-10-18 2020-04-23 シャープ株式会社 表示装置
KR102607212B1 (ko) * 2018-11-22 2023-11-28 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
US11818912B2 (en) 2019-01-04 2023-11-14 Apple Inc. Organic light-emitting diode display panels with moisture blocking structures
KR20200094885A (ko) * 2019-01-30 2020-08-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US20200357869A1 (en) * 2019-05-10 2020-11-12 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
CN110085772A (zh) * 2019-06-04 2019-08-02 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制备方法
CN112714958A (zh) * 2019-08-27 2021-04-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法，电子设备
KR20210083917A (ko) * 2019-12-27 2021-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
EP4145517A4 (en) 2020-04-29 2023-06-14 BOE Technology Group Co., Ltd. SUBSTRATE FOR ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DEVICE FOR ORGANIC LIGHT-emitting DISPLAY
TWI729862B (zh) * 2020-06-22 2021-06-01 友達光電股份有限公司 有機發光面板及其製作方法
CN116782709A (zh) * 2022-03-07 2023-09-19 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1671255A (zh) * 2004-03-16 2005-09-21 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN104885250A (zh) * 2012-12-27 2015-09-02 乐金显示有限公司 透明有机发光显示装置及其制造方法
TW201601586A (zh) * 2003-08-29 2016-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
CN105336760A (zh) * 2014-08-05 2016-02-17 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100669710B1 (ko) * 2004-02-18 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치
KR100730156B1 (ko) * 2005-11-03 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치
JP4655942B2 (ja) * 2006-01-16 2011-03-23 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器
JP5017584B2 (ja) * 2007-08-02 2012-09-05 株式会社ジャパンディスプレイイースト 有機ｅｌ表示装置
KR100875103B1 (ko) * 2007-11-16 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101574210B1 (ko) 2008-09-25 2015-12-07 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
KR20120043438A (ko) * 2010-10-26 2012-05-04 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101255537B1 (ko) 2010-11-26 2013-04-16 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
KR101174884B1 (ko) 2010-12-23 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102001815B1 (ko) * 2011-11-29 2019-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 밀봉체의 제작 방법 및 발광 장치의 제작 방법
CN109994518B (zh) * 2013-05-30 2023-08-01 三星显示有限公司 有机发光显示设备
KR102151752B1 (ko) 2013-08-05 2020-09-04 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102114316B1 (ko) * 2013-10-02 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102279921B1 (ko) * 2014-02-12 2021-07-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102199216B1 (ko) 2014-06-09 2021-01-07 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201601586A (zh) * 2003-08-29 2016-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
CN1671255A (zh) * 2004-03-16 2005-09-21 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN104885250A (zh) * 2012-12-27 2015-09-02 乐金显示有限公司 透明有机发光显示装置及其制造方法
CN105336760A (zh) * 2014-08-05 2016-02-17 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20170279079A1 (en) 2017-09-28
KR20170113764A (ko) 2017-10-13
CN107230694A (zh) 2017-10-03
US9966565B2 (en) 2018-05-08
TW201735417A (zh) 2017-10-01
CN107230694B (zh) 2023-06-13
KR102628849B1 (ko) 2024-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI736594B (zh) 有機發光顯示裝置
US11233102B2 (en) Organic light-emitting display apparatus having protected emission layer
KR102643633B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US11476297B2 (en) Display apparatus
US9923167B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US10347706B2 (en) Organic light emitting display apparatus having shield layer
US10153336B2 (en) Semiconductor device and a display device including the same
TWI692891B (zh) 有機發光顯示設備
US8461591B2 (en) Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US11785833B2 (en) Display apparatus including an anti-crack projection