TWI791683B - 晶圓之檢查方法及晶圓 - Google Patents

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Abstract

本發明之晶圓具備：基板層；第1鏡面層，其具有二維配置之複數個第1鏡面部；及第2鏡面層，其具有二維配置之複數個第2鏡面部。於晶圓中，藉由於第1鏡面部與第2鏡面部之間形成空隙，而構成複數個法布里-佩洛干涉濾光器部。一實施形態之晶圓檢查方法包含下述步驟：進行複數個法布里-佩洛干涉濾光器部之各者之良否判定；對判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部之第2鏡面層中自對向方向觀察時與空隙重疊的部分之至少一部分塗佈墨水。

Description

晶圓之檢查方法及晶圓
本發明係關於一種用以獲得法布里-佩洛干涉濾光器之晶圓、及該晶圓之檢查方法。
作為先前之法布里-佩洛干涉濾光器，已知有具備基板、及於基板上介隔空隙互相對向之固定鏡面及可動鏡面者(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特表2013-506154號公報
[發明所欲解決之問題]
由於如上述之法布里-佩洛干涉濾光器係微細之構造體，故個別地處理並檢查經單片化之法布里-佩洛干涉濾光器並不容易，提高檢查效率較困難。又，於複數個法布里-佩洛干涉濾光器一體化之狀態下(例如晶圓狀態)，例如存在膜狀之可動鏡面破損之法布里-佩洛干涉濾光器之情形時，可知自該法布里-佩洛干涉濾光器之破損部分產生微粒，有該微粒飛散於其他法布里-佩洛干涉濾光器上，而造成不良影響之虞。
因此，本發明之目的在於提供一種謀求檢查效率之提高且可抑制破損之法布里-佩洛干涉濾光器對其他法布里-佩洛干涉濾光器造成不良影響之晶圓之檢查方法、及晶圓。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣之晶圓之檢查方法包含如下步驟：準備晶圓，該晶圓具備：具有互相對向之第1表面及第2表面之基板層；具有於第1表面二維配置之複數個第1鏡面部之第1鏡面層；及具有於第1鏡面層上二維配置之複數個第2鏡面部之第2鏡面層；且藉由於互相對向之第1鏡面層之至少包含第1鏡面部之部分、及第2鏡面層之至少包含第2鏡面部之部分之間形成空隙，而構成互相對向之第1鏡面部與第2鏡面部間之距離藉由靜電力而變化之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部；進行複數個法布里-佩洛干涉濾光器部之各者之良否判定；及對進行良否判定之步驟中判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部之第2鏡面層中、自第1鏡面部與第2鏡面部互相對向之方向觀察時與空隙重疊的部分之至少一部分塗佈墨水。
根據本發明之一態樣之晶圓之檢查方法，在分別成為法布里-佩洛干涉濾光器之預定之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部一體化之狀態下(即晶圓狀態)，進行各法布里-佩洛干涉濾光器部之檢查(良否判定)。因此，與個別地檢查藉由切斷晶圓而單片化之法布里-佩洛干涉濾光器之情形相比，可更有效地進行檢查。又，上述檢查方法中，於判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部中，對具有所謂膜構造之脆弱部分(即，第2鏡面層中，自第1鏡面部與第2鏡面部對向之方向觀察時與空隙重疊之部分。以下簡稱為「膜部」)之至少一部分，塗佈墨水。藉此，假設膜部破損之情形時，可抑制破損部分之捲起、自該破損部分之微粒之產生等。又，膜部未破損之情形時，亦藉由利用墨水強化該膜部，而可減低該膜部將來破損之可能性。根據以上，根據上述晶圓之檢查方法，可謀求檢查效率之提高，且抑制破損之法布里-佩洛干涉濾光器對其他法布里-佩洛干涉濾光器造成不良影響。
亦可為，於塗佈墨水之上述至少一部分，形成自第2鏡面層之與第1鏡面層為相反側之表面至空隙之貫通孔。藉此，可使墨水經由該貫通孔，自第2鏡面層滲透至內部。其結果，第2鏡面層藉由墨水而強化，可有效抑制該第2鏡面層之破損部分之捲起、自該破損部分之微粒之產生等。又，即使未於判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部之膜部產生破損之情形時，亦可藉由滲透至空隙之墨水，有效減低該膜部將來破損之可能性。
亦可為，於塗佈墨水之步驟中，於進行良否判定之步驟中完成所有的法布里-佩洛干涉濾光器部之良否判定後，對判定為不良之一個以上法布里-佩洛干涉濾光器部依序塗佈墨水。該情形時，由於對所有法布里-佩洛干涉濾光器部之檢查(良否判定)結束後，可對判定為不良之一個以上法布里-佩洛干涉濾光器部統一進行墨水之標記，故可有效進行標記。
亦可為，於塗佈墨水之步驟中，進行良否判定之步驟中，每當將1個法布里-佩洛干涉濾光器部判定為不良時，對該1個法布里-佩洛干涉濾光器部塗佈墨水。該情形時，每次發現藉由檢查判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部時，即時進行對該法布里-佩洛干涉濾光器部之標記。藉此，可對有對其他法布里-佩洛干涉濾光器部造成不良影響之可能性之法布里-佩洛干涉濾光器部(例如有破損而產生微粒之可能性之法布里-佩洛干涉濾光器部)即時塗佈墨水。其結果，可更有效抑制對其他法布里-佩洛干涉濾光器部造成不良影響。
墨水硬化前之狀態之黏度亦可為500 cP～50000 cP。藉由使用此種黏度之墨水，可較佳地抑制第2鏡面層之破損部分捲起、自該破損部分之微粒之產生等。
本發明之一態樣之晶圓具備：基板層，其具有互相對向之第1表面及第2表面；第1鏡面層，其具有於第1表面二維配置之複數個第1鏡面部；及第2鏡面層，其具有於第1鏡面層上二維配置之複數個第2鏡面部；且藉由於互相對向之第1鏡面層之至少包含第1鏡面部之部分與第2鏡面層之至少包含第2鏡面部之部分之間形成空隙，而構成互相對向之第1鏡面部與第2鏡面部間之距離藉由靜電力而變化之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部；於複數個法布里-佩洛干涉濾光器部中至少1個不良品之法布里-佩洛干涉濾光器部塗佈有墨水，於至少1個良品之法布里-佩洛干涉濾光器部未塗佈墨水。
本發明之一態樣之晶圓中，由於分別成為法布里-佩洛干涉濾光器之預定之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部成為一體化之狀態，故可有效進行對各法布里-佩洛干涉濾光器部之良否判定(檢查)。又，例如判定上述檢查結果為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部中，於上述膜部之至少一部分塗佈有墨水。藉此，假設膜部破損之情形時，可抑制破損部分之捲起、自該破損部分之微粒之產生等。又，膜部未破損之情形時，亦藉由利用墨水強化該膜部，而減低該膜部將來破損之可能性。由上，根據上述晶圓，可謀求檢查效率之提高，且抑制破損之法布里-佩洛干涉濾光器對其他法布里-佩洛干涉濾光器造成不良影響。
亦可為，於形成於不良品之法布里-佩洛干涉濾光器部之空隙滲透有墨水。該情形時，藉由滲透於空隙之墨水，第2鏡面層對第1鏡面層固定，可有效抑制該第2鏡面層之破損部分捲起、自該破損部分之微粒之產生等。又，即使未於判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部之膜部產生破損之情形時，亦可藉由滲透至空隙之墨水，有效減低該膜部將來破損之可能性。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種謀求檢查效率之提高且可抑制破損之法布里-佩洛干涉濾光器對其他法布里-佩洛干涉濾光器造成不良影響之晶圓之檢查方法及晶圓。
以下，參照圖式，針對本發明之實施形態進行詳細說明。再者，對各圖中相同或相當部分標註相同符號，省略重複說明。 [法布里-佩洛干涉濾光器及虛設濾光器之構成]
於說明一實施形態之晶圓之構成及該晶圓之檢查方法之前，針對自該晶圓切出之法布里-佩洛干涉濾光器及虛設濾光器之構成進行說明。
如圖1、圖2及圖3所示，法布里-佩洛干涉濾光器1具備基板11。基板11具有互相對向之第1表面11a及第2表面11b。於第1表面11a，依序積層有抗反射層21、第1積層體22、中間層23及第2積層體24。於第1積層體22與第2積層體24之間，藉由框狀之中間層23劃定出空隙(氣隙)S。
自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形(俯視)時之各部之形狀及位置關係為如下。基板11之外緣例如係矩形狀。基板11之外緣及第2積層體24之外緣互相一致。抗反射層21之外緣、第1積層體22之外緣及中間層23之外緣互相一致。基板11具有位於較中間層23之外緣相對於空隙S之中心更靠外側之外緣部11c。外緣部11c例如係框狀，自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時包圍中間層23。空隙S例如係圓形狀。
法布里-佩洛干涉濾光器1於劃定於其中央部之光透過區域1a，使具有特定波長之光透過。光透過區域1a例如係圓柱狀之區域。基板11例如包含矽、石英或玻璃等。基板11包含矽之情形時，抗反射層21及中間層23例如包含氧化矽。中間層23之厚度例如為數十nm～數十μm。
第1積層體22中對應於光透過區域1a之部分作為第1鏡面部31發揮功能。第1鏡面部31係固定鏡面。第1鏡面部31介隔抗反射層21配置於第1表面11a。第1積層體22係藉由複數個多晶矽層25與複數個氮化矽層26逐層交替積層而構成。法布里-佩洛干涉濾光器1中，多晶矽層25a、氮化矽層26a、多晶矽層25b、氮化矽層26b及多晶矽層25c依序積層於抗反射層21上。構成第1鏡面部31之多晶矽層25及氮化矽層26之各者之光學厚度較佳為中心透過波長之1/4之整數倍。再者，第1鏡面部31亦可不介隔抗反射層21而直接配置於第1表面11a上。
第2積層體24中對應於光透過區域1a之部分作為第2鏡面部32發揮功能。第2鏡面部32係可動鏡面。第2鏡面部32於相對於第1鏡面部31的基板11之相反側介隔空隙S與第1鏡面部31對向。第1鏡面部31與第2鏡面部32互相對向之方向與垂直於第1表面11a之方向平行。第2積層體24介隔抗反射層21、第1積層體22及中間層23而配置於第1表面11a。第2積層體24係藉由複數個多晶矽層27與複數個氮化矽層28逐層交替積層而構成。法布里-佩洛干涉濾光器1中，多晶矽層27a、氮化矽層28a、多晶矽層27b、氮化矽層28b及多晶矽層27c依序積層於中間層23上。構成第2鏡面部32之多晶矽層27及氮化矽層28之各者之光學厚度較佳為中心透過波長之1/4之整數倍。
再者，於第1積層體22及第2積層體24中，亦可取代氮化矽層，使用氧化矽層。又，作為構成第1積層體22及第2積層體24之各層之材料，亦可使用氧化鈦、氧化鉭、氧化鋯、氟化鎂、氧化鋁、氟化鈣、矽、鍺、硫化鋅等。又，此處，第1鏡面部31之空隙S側之表面(多晶矽層25c之表面)與第2鏡面部32之空隙S側之表面(多晶矽層27a之表面)介隔空隙S直接對向。但，亦可於第1鏡面部31之空隙S側之表面及第2鏡面部32之空隙S側之表面，形成(不構成鏡面之)電極層、保護層等。該情形時，第1鏡面部31及第2鏡面部32於使該等層介置於之間之狀態下，介隔空隙S互相對向。換言之，此種情形時，亦可第1鏡面部31與第2鏡面部32介隔空隙S之對向。
於第2積層體24中對應於空隙S之部分(自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時與空隙S重疊之部分)，形成有複數個貫通孔24b。各貫通孔24b自第2積層體24之與中間層23為相反側之表面24a到達空隙S。複數個貫通孔24b以對第2鏡面部32之功能實質不帶來影響之程度形成。複數個貫通孔24b係為了藉由蝕刻除去中間層23之一部分以形成空隙S而使用。
第2積層體24除了第2鏡面部32以外，進而具備被覆部33及周緣部34。第2鏡面部32、被覆部33及周緣部34以具有互相相同之積層構造之一部分且互相連續之方式，一體形成。被覆部33於自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時包圍第2鏡面部32。被覆部33被覆中間層23之與基板11為相反側之表面23a、以及中間層23之側面23b(外側之側面，即與空隙S側為相反側之側面)、第1積層體22之側面22a及抗反射層21之側面21a，並到達第1表面11a。即，被覆部33被覆中間層23之外緣、第1積層體22之外緣及抗反射層21之外緣。
周緣部34於自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時，包圍被覆部33。周緣部34位於外緣部11c之第1表面11a上。周緣部34之外緣於自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時，與基板11之外緣一致。周緣部34沿外緣部11c之外緣被薄化。即，周緣部34中沿外緣部11c之外緣之部分與周緣部34中除沿外緣之部分外之其他部分相比更薄。法布里-佩洛干涉濾光器1中，周緣部34係藉由將構成第2積層體24之多晶矽層27及氮化矽層28之一部分除去而薄化。周緣部34具有與被覆部33連續之非薄化部34a、及包圍非薄化部34a之薄化部34b。薄化部34b中，將直接設置於第1表面11a上之多晶矽層27a以外之多晶矽層27及氮化矽層28除去。
第1表面11a至非薄化部34a之與基板11為相反側之表面34c之高度低於第1表面11a至中間層23之表面23a之高度。第1表面11a至非薄化部34a之表面34c之高度例如為100 nm～5000 nm。第1表面11a至中間層23之表面23a之高度例如為500 nm～20000 nm。薄化部34b之寬度(自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時之非薄化部34a之外緣與外緣部11c之外緣間之距離)為基板11之厚度之0.01倍以上。薄化部34b之寬度例如為5 μm～400 μm。基板11之厚度例如為500 μm至800 μm。
於第1鏡面部31，以自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時包圍光透過區域1a之方式，形成有第1電極12。第1電極12係藉由於多晶矽層25c摻雜雜質進行低電阻化而形成。於第1鏡面部31，以自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時包含光透過區域1a之方式，形成有第2電極13。第2電極13係藉由於多晶矽層25c摻雜雜質進行低電阻化而形成。自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時，第2電極13之大小較佳為包含光透過區域1a整體之大小，但亦可與光透過區域1a之大小大致相同。
於第2鏡面部32，形成有第3電極14。第3電極14介隔空隙S與第1電極12及第2電極13對向。第3電極14係藉由於多晶矽層27a摻雜雜質進行低電阻化而形成。
一對端子15係以隔著光透過區域1a對向之方式設置。各端子15係配置於第2積層體24之表面24a至第1積層體22之貫通孔內。各端子15係經由配線12a與第1電極12電性連接。各端子15例如係藉由鋁或其合金等之金屬膜而形成。
一對端子16以隔著光透過區域1a對向之方式設置。各端子16配置於第2積層體24之表面24a至第1積層體22之貫通孔內。各端子16經由配線13a與第2電極13電性連接，且經由配線14a與第3電極14電性連接。端子16例如係藉由鋁或其合金等之金屬膜而形成。一對端子15對向之方向與一對端子16對向之方向正交(參照圖1)。
於第1積層體22之表面22b，設有複數個溝槽17、18。溝槽17以包圍配線13a中與端子16之連接部分之方式呈環狀延伸。溝槽17將第1電極12與配線13a電性絕緣。溝槽18沿第1電極12之內緣呈環狀延伸。溝槽18沿第1電極12之內緣呈環狀延伸。溝槽18將第1電極12與第1電極12內側之區域(第2電極13)電性絕緣。各溝槽17、18內之區域可為絕緣材料，亦可為空隙。
於第2積層體24之表面24a，設有溝槽19。溝槽19以包圍端子15之方式呈環狀延伸。溝槽19將端子15與第3電極14電性絕緣。溝槽19內之區域可為絕緣材料，亦可為空隙。
於基板11之第2表面11b，依序積層有抗反射層41、第3積層體42、中間層43及第4積層體44。抗反射層41及中間層43各自具有與抗反射層21及中間層23相同之構成。第3積層體42及第4積層體44各自具有以基板11為基準，與第1積層體22及第2積層體24對稱之積層構造。抗反射層41、第3積層體42、中間層43及第4積層體44具有抑制基板11之翹曲之功能。
第3積層體42、中間層43及第4積層體44沿外緣部11c之外緣薄化。即，第3積層體42、中間層43及第4積層體44中沿外緣部11c之外緣之部分與第3積層體42、中間層43及第4積層體44中除沿外緣之部分外之其他部相比更薄。法布里-佩洛干涉濾光器1中，第3積層體42、中間層43及第4積層體44係藉由於自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時與薄化部34b重疊之部分，將第3積層體42、中間層43及第4積層體44之全部除去而薄化。
於第3積層體42、中間層43及第4積層體44，以自垂直於第1表面11a之方向觀察之情形時包含光透過區域1a之方式，設有開口40a。開口40a具有與光透過區域1a之大小大致相同之直徑。開口40a於光出射側開口。開口40a之底面到達抗反射層41。
於第4積層體44之光出射側之表面，形成有遮光層45。遮光層45例如包含鋁等。於遮光層45之表面及開口40a之內表面，形成有保護層46。保護層46被覆第3積層體42、中間層43、第4積層體44及遮光層45之外緣，且被覆外緣部11c上之抗反射層41。保護層46例如包含氧化鋁。再者，藉由將保護層46之厚度設為1 nm～100 nm(較佳為30 nm左右)，而可忽視保護層46帶來之光學影響。
於如上構成之法布里-佩洛干涉濾光器1中，若經由一對端子15、16對第1電極12與第3電極14之間施加電壓，則於第1電極12與第3電極14之間產生對應於該電壓之靜電力。藉由該靜電力，第2鏡面部32被吸引至固定於基板11之第1鏡面部31側，而調整第1鏡面部31與第2鏡面部32間之距離。如此，於法布里-佩洛干涉濾光器1中，第1鏡面部31與第2鏡面部32間之距離藉由靜電力而變化。
透過法布里-佩洛干涉濾光器1之光之波長依存於光透過區域1a之第1鏡面部31與第2鏡面部32間之距離。因此，可藉由調整施加於第1電極12與第3電極14間之電壓，而適當選擇透過之光的波長。此時，第2電極13與第3電極14為相同電位。因此，第2電極13作為光透過區域1a中用以將第1鏡面部31及第2鏡面部32保持平坦之補償電極發揮功能。
於法布里-佩洛干涉濾光器1中，例如藉由一面使施加於法布里-佩洛干涉濾光器1之電壓變化(即，使法布里-佩洛干涉濾光器1中第1鏡面部31與第2鏡面部32間之距離變化)，一面藉由光檢測器檢測透過法布里-佩洛干涉濾光器1之光透過區域1a之光，而可獲得分光光譜。
如圖4所示，虛設濾光器2與上述之法布里-佩洛干涉濾光器1之不同點在於，於第2積層體24未形成複數個貫通孔24b，及於中間層23未形成空隙S。虛設濾光器2中，於第1鏡面部31與第2鏡面部32之間設有中間層23。即，第2鏡面部32未於空隙S上懸空，而配置於中間層23之表面23a。 [晶圓之構成]
繼而，針對一實施形態之晶圓之構成進行說明。如圖5及圖6所示，晶圓100具備基板層110。基板層110例如呈圓板狀之形狀，於其一部分形成有定向平面OF。基板層110例如包含矽、石英或玻璃等。以下，將自基板層110之厚度方向觀察之情形時通過基板層110之中心且與定向平面OF平行之假想直線稱為第1直線3，將自基板層110之厚度方向觀察之情形時通過基板層110之中心且與定向平面OF垂直之假想直線稱為第2直線4。
於晶圓100，設有有效區域101及虛設區域102。虛設區域102係沿基板層110之外緣110c(即，晶圓100之外緣100a)之區域。有效區域101係虛設區域102之內側之區域。虛設區域102於自基板層110之厚度方向觀察之情形時，包圍有效區域101。虛設區域102與有效區域101鄰接。
於有效區域101，設有二維配置之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A。複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A係設置於有效區域101之整體。於虛設區域102，設有二維配置之複數個虛設濾光器部2A。複數個虛設濾光器部2A係設置於虛設區域102中除一對區域102a外之區域。一區域102a係沿定向平面OF之區域。另一區域102a係沿基板層110之外緣110c中定向平面OF之相反側之部分之區域。於有效區域101與虛設區域102之交界部分，法布里-佩洛干涉濾光器部1A與虛設濾光器部2A鄰接。自基板層110之厚度方向觀察之情形時，法布里-佩洛干涉濾光器部1A之外形與虛設濾光器部2A之外形相同。複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A及複數個虛設濾光器部2A以相對於互相正交之第1直線3及第2直線4之各者對稱之方式配置。再者，複數個虛設濾光器部2A亦可設置於虛設區域102之整體。又，複數個虛設濾光器部2A亦可設置於虛設區域102中除任一區域102a外之區域。
複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A係藉由將晶圓100沿各線5切斷，而成為複數個法布里-佩洛干涉濾光器1之預定之部分。複數個虛設濾光器部2A係藉由將晶圓100沿各線5切斷，而成為複數個虛設濾光器2之預定之部分。自基板層110之厚度方向觀察之情形時，複數條線5以沿與定向平面OF平行之方向之方式延伸，複數條線5以沿與定向平面OF垂直之方向之方式延伸。作為一例，自基板層110之厚度方向觀察之情形時，各濾光器部1A、2A呈矩形狀時，各濾光器部1A、2A呈二維矩陣狀配置，複數條線5以通過相鄰之濾光器部1A、1A間、相鄰之濾光器部1A、2A間、及相鄰之濾光器部2A、2A間之方式，設定為格子狀。
圖7(a)係法布里-佩洛干涉濾光器部1A之剖視圖，圖7(b)係虛設濾光器部2A之剖視圖。如圖7(a)及(b)所示，基板層110係藉由將晶圓100沿各線5切斷，而成為複數個基板11之預定之層。基板層110具有互相對向之第1表面110a及第2表面110b。於基板層110之第1表面110a，設有抗反射層210。抗反射層210係藉由將晶圓100沿各線5切斷，而成為複數個抗反射層21之預定之層。於基板層110之第2表面110b，設有抗反射層410。抗反射層410係藉由將晶圓100沿各線5切斷，而成為複數個抗反射層41之預定之層。
於抗反射層210上，設有器件層200。器件層200具有第1鏡面層220、中間層230、及第2鏡面層240。第1鏡面層220係具有複數個第1鏡面部31之層，且係藉由將晶圓100沿各線5切斷而成為複數個第1積層體22之預定之層。複數個第1鏡面部31介隔抗反射層210而二維配置於基板層110之第1表面110a。中間層230係藉由將晶圓100沿各線5切斷，成為複數個中間層23之預定之層。第2鏡面層240係具有複數個第2鏡面部32之層，且係藉由將晶圓100沿各線5切斷，而成為複數個第2積層體24之預定之層。複數個第2鏡面部32經由中間層23，二維配置於第1鏡面層220上。
於抗反射層410上，設有應力調整層400。即，應力調整層400介隔抗反射層410設置於基板層110之第2表面110b。應力調整層400具有複數個層420、430、440。層420係藉由將晶圓100沿各線5切斷，成為複數個第3積層體42之預定之層。層430係藉由將晶圓100沿各線5切斷，成為複數個中間層43之預定之層。層440係藉由將晶圓100沿各線5切斷，成為複數個第4積層體44之預定之層。
於應力調整層400上，設有遮光層450及保護層460。遮光層450係藉由將晶圓100沿各線5切斷，成為複數個遮光層45之預定之層。保護層460係藉由將晶圓100沿各線5切斷，成為複數個保護層46之預定之層。
如圖7(a)所示，於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A中，於互相對向之第1鏡面層220之至少包含第1鏡面部31之部分與第2鏡面層240之至少包含第2鏡面部32之部分之間，形成有空隙S。即，於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A中，中間層23劃定出空隙S，第2鏡面部32於空隙S上懸空。如圖1所示，於本實施形態中，自第1鏡面部31與第2鏡面部32互相對向之方向(以下，簡稱為「對向方向」)觀察之情形時，空隙S形成較光透過區域1a大一圈之圓形區域。於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A中，與上述法布里-佩洛干涉濾光器1之構成同樣地，設有與第1電極12、第2電極13、第3電極14、複數個端子15、16及開口40a等相關之構成。因此，複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A即便對於晶圓100，若經由一對端子15、16對各法布里-佩洛干涉濾光器部1A施加電壓，則互相對向之第1鏡面部31與第2鏡面部32間之距離亦會藉由靜電力而變化。
如圖7(b)所示，於各虛設濾光器部2A中，於互相對向之第1鏡面部31與第2鏡面部32間設有中間層23。即，於虛設濾光器部2A中，中間層23未劃定空隙S，第2鏡面部32配置於中間層23之表面23a。因此，於各虛設濾光器部2A中，雖與上述虛設濾光器2之構成同樣地，設有與第1電極12、第2電極13、第3電極14、複數個端子15、16及開口40a等相關之構成，但互相對向之第1鏡面部31與第2鏡面部32間之距離不變化。再者，亦可不於各虛設濾光器部2A，設置與第1電極12、第2電極13、第3電極14、複數個端子15、16(構成各端子15、16之鋁等之金屬膜、用以配置各端子15、16之貫通孔等)及開口40a等相關之構成。
如圖6及圖7(a)所示，於器件層200，形成有於與基板層110為相反側開口之第1槽290。第1槽290係沿各線5形成。第1槽290係沿各線5形成。第1槽290於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A及各虛設濾光器部2A中，包圍第1鏡面部31、中間層23及第2鏡面部32。於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A中，第1鏡面部31、中間層23及第2鏡面部32係由呈環狀連續之第1槽290包圍。同樣地，於各虛設濾光器部2A中，第1鏡面部31、中間層23及第2鏡面部32係由呈環狀連續之第1槽290包圍。若著眼於相鄰之濾光器部1A、1A、相鄰之濾光器部1A、2A及相鄰之濾光器部2A、2A，則第1槽290與一濾光器部之周緣部34及另一濾光器部之周緣部34上之區域對應。第1槽290於有效區域101及虛設區域102中連接，自對向方向觀察之情形時，到達基板層110之外緣110c。再者，第1槽290於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A及各虛設濾光器部2A中，只要至少包圍第2鏡面部32即可。
如圖7(b)所示，於應力調整層400，形成有於與基板層110為相反側開口之第2槽470。第2槽470係沿各線5形成。即，第2槽470係以對應於第1槽290之方式形成。此處，所謂第2槽470對應於第1槽290，意指自對向方向觀察之情形時，第2槽470與第1槽290重疊。因此，第2槽470於有效區域101及虛設區域102中連接，自對向方向觀察之情形時，到達基板層110之外緣110c。 [晶圓之製造方法]
繼而，針對晶圓100之製作方法，參照圖8～圖13進行說明。圖8～圖13中，(a)係對應於法布里-佩洛干涉濾光器部1A之部分之剖視圖，(b)係對應於虛設濾光器部2A之部分之剖視圖。
首先，如圖8所示，於基板層110之第1表面110a形成抗反射層210，且於基板層110之第2表面110b形成抗反射層410。繼而，藉由於各抗反射層210、410上，交替積層複數個多晶矽層及複數個氮化矽層，而於抗反射層210上形成第1鏡面層220，且於抗反射層410上形成層420。
形成第1鏡面層220時，以藉由蝕刻，抗反射層210之表面露出之方式，將第1鏡面層220中沿各線5之部分除去。又，藉由雜質摻雜，使第1鏡面層220之特定之多晶矽層部分地低電阻化，從而每個對應於基板11之部分，形成第1電極12、第2電極13及配線12a、13a。再者，藉由蝕刻，每個對應於基板11之部分，於第1鏡面層220之表面形成溝槽17、18。
繼而，如圖9所示，於第1鏡面層220上，及露出之抗反射層210之表面，形成中間層230，且於層420上形成層430。於對應於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之部分中，中間層230包含對應於空隙S(參照圖3)之除去預定部50。繼而，以藉由蝕刻，基板層110之第1表面110a露出之方式，將中間層230及抗反射層210中沿各線5之部分除去。又，藉由該蝕刻，每個對應於基板11之部分，於中間層230中對應於各端子15、16(參照圖3)之部分，形成空隙。
繼而，如圖10所示，於基板層110之第1表面110a側及第2表面110b側之各者中，藉由將複數個多晶矽層及複數個氮化矽層交替積層，而於中間層230上及露出之基板層110之第1表面110a，形成第2鏡面層240，且於層430上形成層440。
形成第2鏡面層240時，將沿線5互相對向之中間層230之側面230a、第1鏡面層220之側面220a及抗反射層210之側面210a，以第2鏡面層240被覆。又，藉由雜質摻雜，使第2鏡面層240之特定之多晶矽層部分地低電阻化，從而每個對應於基板11之部分，形成第3電極14及配線14a。
繼而，如圖11所示，以藉由蝕刻，第2鏡面層240所含之多晶矽層27a(參照圖3)(即，位於最第1表面110a側之多晶矽層)之表面露出之方式，將第2鏡面層240中沿各線5之部分薄化。又，藉由該蝕刻，每個對應於基板11之部分，於第2鏡面層240中對應於各端子15、16(參照圖3)之部分，形成空隙。繼而，每個對應於基板11之部分，於該空隙形成各端子15、16，將各端子15及配線12a連接，且將各端子16、配線13a及配線14a之各者連接。
至此為止，於基板層110之第1表面110a，形成抗反射層210及器件層200，且於器件層200形成第1槽290。第1槽290係器件層200沿各線5部分地薄化之區域。
繼而，如圖12(a)所示，於對應於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之部分，藉由蝕刻，將第2積層體24之表面24a至除去預定部50之複數個貫通孔24b形成於第2積層體24。此時，如圖12(b)所示，於對應於各虛設濾光器部2A之部分，不將複數個貫通孔24b形成於第2積層體24。繼而，如圖12所示，於層440上形成遮光層450。繼而，以藉由蝕刻，抗反射層410之表面露出之方式，將遮光層450及應力調整層400(即，層420、430、440)中沿各線5之部分除去。又，藉由該蝕刻，每個對應於基板11之部分，形成開口40a。繼而，於遮光層450上，露出之抗反射層410之表面、及開口40a之內表面、面向第2槽470之應力調整層400之側面，形成保護層460。
至此為止，於基板層110之第2表面110b，形成抗反射層410、應力調整層400、遮光層450及保護層460，且於應力調整層400形成第2槽470。第2槽470係應力調整層400沿各線5部分地薄化之區域。
繼而，如圖13(a)所示，於對應於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之部分，藉由經由複數個貫通孔24b之蝕刻(例如，使用氟酸氣之氣相蝕刻)，將複數個除去預定部50自中間層230同時除去。藉此，於對應於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之部分，每個對應於基板11之部分，形成空隙S。此時，如圖13(b)所示，由於在對應於各虛設濾光器部2A之部分，複數個貫通孔24b未形成於第2積層體24，故未於中間層230形成空隙S。
由上，於有效區域101中，如圖7(a)所示，藉由於互相對向之第1鏡面部31與第2鏡面部32間形成空隙S，而構成複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A。另一方面，於虛設區域102中，如圖7(b)所示，藉由於互相對向之第1鏡面部31與第2鏡面部32間設置中間層23，而構成複數個虛設濾光器部2A。 [檢查裝置及檢查方法]
其次，針對實施一實施形態之晶圓之檢查方法之檢查裝置之構成進行說明。如圖14所示，檢查裝置500具備晶圓支持部510、攝像部520、標記部530及控制部540。晶圓支持部510、攝像部520及標記部530配置於暗箱(省略圖示)內。檢查裝置500之檢查對象係晶圓100。檢查裝置500作為一例，具有實施晶圓(具體而言，係晶圓100之表面)之各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之外觀檢查之功能；及於外觀檢查中判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部1A進行墨水之標記之功能。
晶圓支持部510以晶圓100之對向方向(即，第1鏡面部31與第2鏡面部32互相對向之方向)與基準線RL成平行之方式，支持晶圓100。晶圓支持部510例如係以能夠沿垂直於基準線RL之平面(至少沿與該平面平行且互相正交之2方向之各者)移動之方式構成之載台。再者，晶圓支持部510亦可以平行於基準線RL之線為中心可旋轉地構成。
攝像部520拍攝藉由晶圓支持部510支持之晶圓100(具體而言，係晶圓100之表面)。攝像部520例如係沿基準線RL出射觀察用之光，檢測於藉由晶圓支持部510支持之晶圓100之表面反射之光，將攝像資料輸出至控制部540之相機。攝像部520設定為例如以10倍以上之倍率拍攝晶圓100之各法布里-佩洛干涉濾光器部1A。再者，攝像部520配置於基準線RL上，但亦可例如藉由將改變觀察用光之行進方向之鏡面構件配置於基準線RL上，而攝像部520配置於與基準線RL上不同之位置。
標記部530例如係對基於攝像資料判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部1A執行墨水標記之裝置。如圖15所示，作為一例，標記部530具備墨水卡匣531、墨水532、燈絲533、金屬針534、及推桿535。
墨水卡匣531形成大致長方體狀。於墨水卡匣531之內部，填充有墨水532。於墨水卡匣531中互相對向之壁部531a、531b，分別形成有剖面圓形狀之貫通孔531c、531d。
墨水532例如係藉由自然乾燥而硬化之自然硬化型之墨水。但，墨水532亦可為加熱硬化型(例如，藉由以90℃～180℃，加熱幾十分(10分～40分)而硬化之類型)、藉由UV照射而硬化之UV硬化型、或藉由電子線之照射而硬化之電子線硬化型等。墨水532硬化前之狀態之黏度例如為500 cP(cps)～50000 cP(cps)，更佳為200 cP～5000 cP。墨水532例如具有黑色等可識別之顏色。又，如上述，墨水532具有一定黏度，具有接著功能。即，墨水532係作為具有識別性之接著劑發揮功能者。
燈絲533形成圓柱狀，並藉由吸收墨水532之素材形成。包含燈絲533之一端部533a之一部分係配置於墨水卡匣531內，包含燈絲533之另一端部533b之一部分係將貫通孔531c貫通，延伸至墨水卡匣531之外側。於燈絲533滲透有墨水532。
金屬針534係形成圓筒狀，與墨水卡匣531之一壁部531a之外側面531e連接。金屬針534以自燈絲533之延伸方向觀察，包圍貫通孔531c之方式，立設於該貫通孔531c之開口緣部。於金屬針534之內側，收納有包含燈絲533之另一端部533b之一部分。
推桿535具有貫通墨水卡匣531之貫通孔531d之圓柱狀之部分535a，該部分535a之前端與燈絲533之一端部533a連接。該部分535a可沿燈絲533之延伸方向於一定範圍內移動。藉由推桿535之上述移動，燈絲533相對於墨水卡匣531及金屬針534之位置變化。具體而言，藉由推桿535之上述移動，切換成燈絲533之另一端部533b位於較金屬針534之前端部534a更內側之初始狀態(參照圖15(a))，及燈絲533之另一端部533b較金屬針534之前端部534a更押出至外側之狀態(參照圖15(b))。
標記部530例如係藉由基於來自控制部540之控制信號動作之基體構件(未圖示)支持。基體構件基於來自控制部540之控制信號，於平行於基準線RL之方向(Z方向)，及垂直於基準線RL且互相正交之2方向(XY方向)可移動地構成。又，基體構件構成為基於來自控制部540之控制信號，可控制推桿535之移動(即，圖15(a)所示之狀態與(b)所示之狀態之切換)。
控制部540作為包含處理器、記憶體、儲存裝置及通信裝置等之電腦裝置構成。於控制部540中，處理器藉由執行讀入至記憶體等之特定之軟體(程式)，控制記憶體及儲存裝置之資料之讀出及寫入等而實現各種功能。例如，控制部540藉由控制各部(晶圓支持部510、攝像部520及標記部530)之動作，實現後述之晶圓之檢查方法。
於如上構成之檢查裝置500中，藉由控制部540控制各部之動作，從而如下實施晶圓之檢查方法。首先，準備檢查對象即晶圓100，並藉由晶圓支持部510予以支持。此時，以對向方向與基準線RL成平行之方式，藉由晶圓支持部510支持晶圓100。
繼而，執行藉由晶圓支持部510支持之晶圓100之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A之各者之良否判定。具體而言，為進行晶圓100之各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之良否判定，而實施一個以上檢查項目相關之檢查。本實施形態中，作為一例，基於藉由攝像部520拍攝之圖像(攝像資料)執行外觀檢查。具體而言，藉由攝像部520拍攝藉由晶圓支持部510支持之晶圓100。將藉由攝像部520拍攝之攝像資料輸出至控制部540。控制部540可基於攝像部520之位置及攝像資料，取得該攝像資料所含之法布里-佩洛干涉濾光器部1A之座標資訊。座標資訊係特定晶圓100之法布里-佩洛干涉濾光器部1A之位置之資訊。
又，控制部540基於對攝像資料之圖像處理結果，檢測藉由攝像部520拍攝之法布里-佩洛干涉濾光器部1A之表面之外觀異常。控制部540例如藉由將藉由攝像部520拍攝之法布里-佩洛干涉濾光器部1A、及預先記憶之圖案圖像(無外觀異常之法布里-佩洛干涉濾光器部之圖像)進行比較，判定所拍攝之法布里-佩洛干涉濾光器部1A之表面是否存在破損、裂縫、異物、髒污等外觀異常。控制部540將判定存在此種外觀異常之法布里-佩洛干涉濾光器部1A判定為不良(NG)。且，控制部540與特定判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部1A之資訊(例如座標資訊)建立對應，記憶表示該法布里-佩洛干涉濾光器部1A為不良之資訊(NG旗標)。
控制部540亦可取代執行如上述之圖像處理(本實施形態中，係與圖案圖像之比較)，將攝像資料顯示於檢查裝置500所具備之顯示器(未圖示)，使操作員以目視確認有無外觀異常。藉由目視確認發現外觀異常之情形時，操作員例如可使用檢查裝置500具備之鍵盤等輸入裝置(未圖示)，輸出表示發現外觀異常之資訊(例如對複選框之勾選等)。該情形時，控制部540只要與特定輸出有表示發現外觀異常之資訊之法布里-佩洛干涉濾光器部1A之資訊建立對應，記憶NG旗標即可。
再者，上述之外觀檢查例如係基於如下之判定基準而執行。 ＜判定基準＞ ・於第2鏡面層240中，於自對向方向觀察成為空隙S之部分，不存在破損、裂縫、異物或髒污。 ・於端子15、16中，形成有正常之圖案，不存在圖案缺陷或腐蝕部。 ・於法布里-佩洛干涉濾光器部1A之表面整體，不存在異物或髒污。
例如，控制部540於判定對象之法布里-佩洛干涉濾光器部1A全部滿足上述判定基準之情形時，判定該法布里-佩洛干涉濾光器部1A為良品。另一方面，該法布里-佩洛干涉濾光器部1A不滿足上述判定基準之至少一者之情形時，控制部540判定該法布里-佩洛干涉濾光器部1A為不良品(不良)。
控制部540藉由對晶圓100之各法布里-佩洛干涉濾光器部1A依序執行如上述之檢查(此處為外觀檢查)，而可特定出晶圓100之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A中判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部1A。例如，控制部540每當完成對1個法布里-佩洛干涉濾光器部1A之檢查時，藉由控制晶圓支持部510之動作，使下個法布里-佩洛干涉濾光器部1A移動至基準線RL上。然後，控制部540對該下個法布里-佩洛干涉濾光器部1A同樣地實施檢查。以下，同樣地，依序實施各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之檢查。
再者，用以進行各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之良否判定之檢查不限於上述之外觀檢查(表面之外觀檢查)，可包含其他各種觀點之檢查。例如，檢查裝置500亦可進而具備用以實施法布里-佩洛干涉濾光器部1A之背面(基板層110之第2表面110b側之表面)之外觀檢查之功能。該外觀檢查例如基於如下之判定基準而執行。 ＜背面之外觀檢查之判定基準＞ ・於光透過區域1a(開口40a內)，不存在異物或髒污。 ・於保護層46，不存在可看見基底層(遮光層45)之程度之缺陷。
又，檢查裝置500亦可具備用以實施是否將法布里-佩洛干涉濾光器部1A之特性(例如，施加電壓之大小與透過之光之波長(各電壓中檢測強度成為峰值之波長)之關係)納入預先規定之範圍相關之光檢查之機構。又，檢查裝置500亦可具備用以實施法布里-佩洛干涉濾光器部1A之電性檢查之機構。電性檢查例如係基於對端子15、16間施加電壓時之漏電流、或電容(相當於法布里-佩洛干涉濾光器部1A中產生於第1電極12與第3電極14間之靜電電容)之測定結果之檢查。
作為用以進行晶圓100之各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之良否判定之檢查，藉由檢查裝置500實施上述外觀檢查(表面、背面)、光檢查及電性檢查等複數個檢查項目相關之檢查之情形時，對於至少1個檢查項目相關之檢查中判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器，將NG旗標建立關聯。
繼而，控制部540於晶圓100之所有法布里-佩洛干涉濾光器部1A之良否判定結束後，對判定為不良之一個以上法布里-佩洛干涉濾光器部1A依序塗佈墨水532。具體而言，控制部540藉由控制標記部530之動作，對判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部1A之第2鏡面層240中，自對向方向觀察成為空隙S之部分(以下，簡稱為「膜部」)之至少一部分，塗佈墨水532。更具體而言，控制部540以標記部530之燈絲533之另一端部533b成為押出至較金屬針534之前端部534a更外側之狀態(參照圖15(b))，且形成於燈絲533之另一端部533b之墨水積存532a按壓於判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部1A之膜部之至少一部分之方式，控制標記部530之動作。
存在複數個判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部1A之情形時，控制部540例如每次對1個法布里-佩洛干涉濾光器部1A之標記結束時，使標記部530之位置移動至用以進行下個法布里-佩洛干涉濾光器部1A之標記之位置，同樣地實施對該下個法布里-佩洛干涉濾光器部1A之標記。以下，同樣地，依序實施對判定為不良之各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之標記。再者，標記部530與判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部1A間之對位，可如上述，藉由使標記部530移動而進行，可藉由使晶圓支持部510移動而進行，亦可藉由使標記部530及晶圓支持部510之兩者移動而進行。
藉由以上之處理，如圖16所示，獲得晶圓100A，其於複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A中，於至少1個不良品之法布里-佩洛干涉濾光器部1A(此處，為2個法布里-佩洛干涉濾光器部1Aa、1Ab)塗佈有墨水532，於至少1個良品之法布里-佩洛干涉濾光器部1A(此處，為法布里-佩洛干涉濾光器部1Aa、1Ab以外之法布里-佩洛干涉濾光器部1A)未塗佈墨水532。此處，所謂「不良品之法布里-佩洛干涉濾光器部1A」，係藉由用以進行如上述之良否判定之檢查，判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部1A。所謂「良品之法布里-佩洛干涉濾光器部1A」，係藉由用以進行如上述之良否判定之檢查，未判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部1A。
本實施形態中，作為一例，於圖17(a)所示之法布里-佩洛干涉濾光器部1Aa中，膜部未破損。此種法布里-佩洛干涉濾光器部1Aa例如係藉由上述之特性檢查(光檢查、電性檢查)判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部1A。
又，圖17(b)所示之法布里-佩洛干涉濾光器部1Ab中，膜部具有破損、裂縫等破損部C。此種法布里-佩洛干涉濾光器部1Ab例如係藉由上述之外觀檢查或特性檢查(或其兩者)，判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部1A。
圖17之例中，任一法布里-佩洛干涉濾光器部1Aa、1Ab中，皆於膜部之至少一部分(此處，作為一例，係與第2鏡面部32大致一致之圓形區域)形成墨水532之標記M。標記M之直徑(藉由標記部530塗佈之墨水532之點徑)例如為750 μm。 [法布里-佩洛干涉濾光器之製造方法]
繼而，針對自晶圓100切出法布里-佩洛干涉濾光器1之方法(法布里-佩洛干涉濾光器1之製造方法)，參照圖18及圖19進行說明。圖18及圖19中，(a)係對應於法布里-佩洛干涉濾光器部1A之部分之剖視圖，(b)係對應於虛設濾光器部2A之部分之剖視圖。
首先，如圖18所示，於保護層460上(即，第2表面110b側)貼附擴張片60。繼而，於第2表面110b側貼附有擴張片60之狀態下，自擴張片60之相反側照射雷射光L，使雷射光L之聚光點位於基板層110之內部，且使雷射光L之聚光點沿各線5相對移動。即，使雷射光L自擴張片60之相反側，經由第1槽290中露出之多晶矽層之表面入射至基板層110。
然後，藉由該雷射光L之照射，沿各線5於基板層110之內部形成改質區域7。改質區域7係指密度、折射率、機械強度、其他物理特性與周圍成為不同狀態之區域，係成為於基板層110之厚度方向伸展之龜裂之起點之區域。作為改質區域7，例如有熔融處理區域(意指暫時熔融後再固化之區域、熔融狀態中之區域及自熔融再固化之狀態中之區域中的至少任一者)、裂縫區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域等，亦有該等混合而成之區域。進而，作為改質區域7，有基板層110之材料中改質區域7之密度與非改質區域之密度相比產生變化之區域、形成有晶格缺陷之區域等。基板層110之材料為單結晶矽之情形時，改質區域7亦可稱為高錯位密度區域。再者，相對於各線5之基板層110之厚度方向所排列之改質區域7之行數根據基板層110之厚度而適當調整。
繼而，如圖19所示，藉由使貼附於第2表面110b側之擴張片60擴張，而使龜裂自形成於基板層110之內部之改質區域7於基板層110之厚度方向伸展，從而將基板層110沿各線5切斷成複數個基板11。此時，於第1槽290中將第2鏡面層240之多晶矽層沿各線5切斷，且於第2槽470中將抗反射層410及保護層460沿各線5切斷。藉此，獲得於擴張片60上互相分離狀態下之複數個法布里-佩洛干涉濾光器1及複數個虛設濾光器2。再者，將複數個法布里-佩洛干涉濾光器1中附加有標記M之法布里-佩洛干涉濾光器1以使用於後述之光檢測裝置10之製造之方式，自晶圓100切出後予以除去。 [光檢測裝置之構成]
其次，針對具備法布里-佩洛干涉濾光器1之光檢測裝置10之構成進行說明。如圖20所示，光檢測裝置10具備封裝71。封裝71係具有底座72及蓋73之CAN封裝。蓋73係由側壁74及頂壁75一體構成。底座72及蓋73係藉由金屬材料形成，互相氣密地接合。藉由金屬材料形成之封裝71中，側壁74之形狀係以線9為中心線之圓筒狀。底座72及頂壁75於平行於線9之方向上互相對向，分別蓋住側壁74之兩端。
於底座72之內表面72a，固定有配線基板76。作為配線基板76之基板材料，例如可使用矽、陶瓷、石英、玻璃、塑料等。於配線基板76，安裝有光檢測器(光檢測部)77、及熱敏電阻等溫度檢測器(省略圖示)。光檢測器77配置於線9上。更具體而言，光檢測器77係以其受光部之中心線與線9一致之方式配置。光檢測器77例如係使用InGaAs等之量子型感測器、使用熱電堆或輻射熱計等之熱型感測器等紅外線感測器。檢測紫外線、可見光、近紅外線之各波長區域之光之情形時，作為光檢測器77，例如可使用矽光電二極體等。再者，可於光檢測器77設置1個受光部，或亦可複數個受光部陣列狀設置。再者，複數個光檢測器77亦可安裝於配線基板76。為能夠檢測法布里-佩洛干涉濾光器1之溫度變化，亦可將溫度檢測器配置於例如接近法布里-佩洛干涉濾光器1之位置。
於配線基板76上，固定有複數個間隔件78。作為各間隔件78之材料，例如可使用矽、陶瓷、石英、玻璃、塑料等。於複數個間隔件78上，例如藉由接著劑固定有法布里-佩洛干涉濾光器1。法布里-佩洛干涉濾光器1係配置於線9上。更具體而言，法布里-佩洛干涉濾光器1係以光透過區域1a之中心線與線9一致之方式配置。再者，間隔件78亦可與配線基板76一體構成。又，法布里-佩洛干涉濾光器1亦可並非藉由複數個間隔件78支持，而藉由1個間隔件78支持。
於底座72，固定有複數個引線接腳81。更具體而言，各引線接腳81以維持與底座72間之電性絕緣性及氣密性之狀態，貫通底座72。於各引線接腳81，藉由導線82電性連接有設置於配線基板76之電極墊、光檢測器77之端子、溫度檢測器之端子、及法布里-佩洛干涉濾光器1之端子之各者。再者，光檢測器77、溫度檢測器及法布里-佩洛干涉濾光器1亦可經由配線基板76，與各引線接腳81電性連接。例如，亦可將各個端子及設置於配線基板76之電極墊電性連接，將電極墊及各引線接腳81藉由導線82連接。藉此，可對光檢測器77、溫度檢測器及法布里-佩洛干涉濾光器1之各者輸入輸出電性信號等。
於封裝71形成有開口71a。更具體而言，開口71a係以其中心線與線9一致之方式，形成於蓋73之頂壁75。自平行於線9之方向觀察之情形時，開口71a之形狀為圓形狀。於頂壁75之內表面75a，以蓋住開口71a之方式配置有光透過構件83。光透過構件83與頂壁75之內表面75a氣密接合。光透過構件83具有於平行於線9之方向互相對向之光入射面83a及光出射面(內表面)83b、以及側面83c。光透過構件83之光入射面83a於開口71a與頂壁75之外表面成為大致同一平面。光透過構件83之側面83c與封裝71之側壁74之內表面74a接觸。即，光透過構件83到達開口71a內及側壁74之內表面74a。此種光透過構件83係藉由將開口71a設為下側之狀態下於蓋73之內側配置玻璃顆粒，使該玻璃顆粒熔融而形成。即，光透過構件83係藉由熔合玻璃而形成。
於光透過構件83之光出射面83b，藉由接著構件85固定有帶通濾波器84。即，接著構件85經由接合於頂壁75之內表面75a之光透過構件83，而將帶通濾波器84固定於頂壁75之內表面75a。帶通濾波器84使透過光透過構件83之光中，光檢測裝置10之測定波長範圍之光(係特定之波長範圍之光，且係應入射於法布里-佩洛干涉濾光器1之光透過區域1a之光)選擇性透過(即，僅使該波長範圍之光透過)。帶通濾波器84之形狀為四角形板狀。更具體而言，帶通濾波器84具有於平行於線9之方向上互相對向之光入射面84a及光出射面84b、以及4個側面84c。帶通濾波器84係於藉由光透過性材料(例如矽、玻璃等)形成為四角形板狀之光透過構件之表面，形成有介電質多層膜(例如包含TiO2 、Ta2 O5 等高折射材料與SiO2 、MgF2 等低折射材料之組合之多層膜)者。
接著構件85具有配置於帶通濾波器84之光入射面84a之整個區域之第1部分85a。即，第1部分85a係接著構件85中配置於互相對向之光透過構件83之光出射面83b與帶通濾波器84之光入射面84a之間的部分。進而，接著構件85具有自平行於線9之方向觀察之情形時，自帶通濾波器84之外緣向外側突出之第2部分85b。第2部分85b到達側壁74之內表面74a，與側壁74之內表面74a接觸。又，第2部分85b與帶通濾波器84之側面84c接觸。
如上構成之光檢測裝置10中，若光自外部經由開口71a、光透過構件83及接著構件85入射至帶通濾波器84，則使特定之波長範圍之光選擇性透過。若透過帶通濾波器84之光入射至法布里-佩洛干涉濾光器1之光透過區域1a，則使特定之波長範圍之光中特定波長之光選擇性透過。透過法布里-佩洛干涉濾光器1之光透過區域1a之光入射至光檢測器77之受光部，並藉由光檢測器77進行檢測。即，光檢測器77將透過法布里-佩洛干涉濾光器1之光轉換成電性信號並輸出。例如，光檢測器77輸出與入射至受光部之光之強度對應之大小之電性信號。 [晶圓之檢查方法及晶圓之作用效果]
上述晶圓之檢查方法包含：進行複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A之各者之良否判定之步驟；對進行良否判定之步驟中判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部1A之第2鏡面層240中，自對向方向觀察與空隙S重疊之部分(膜部)之至少一部分，塗佈墨水532之步驟。
根據上述晶圓之檢查方法，在分別成為法布里-佩洛干涉濾光器1之預定之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A一體化之狀態下(即晶圓狀態)，進行各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之檢查(良否判定)。因此，與個別地檢查藉由切斷晶圓100而單片化之法布里-佩洛干涉濾光器1之情形相比，可更有效地進行檢查。又，上述檢查方法中，對判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部1A(本實施形態中，係法布里-佩洛干涉濾光器部1Aa、1Ab)中，對具有所謂膜構造之脆弱部分(膜部)之至少一部分，塗佈墨水532。藉此，如圖17(b)所示之法布里-佩洛干涉濾光器部1Ab，假設第2積層體24之膜部破損之情形時，可抑制破損部分(破損部C)之捲起、自該破損部分之微粒之產生等。具體而言，藉由經由具有黏性之墨水532，固定該破損部分彼此(或該破損部分及未破損之部分)，而可提高膜部之強度，抑制膜部之破損進展。又，如圖17(a)所示之法布里-佩洛干涉濾光器部1Aa，即使膜部未破損之情形時，亦藉由墨水532強化該膜部，從而可減低該膜部將來破損之可能性。藉此，根據上述晶圓之檢查方法，可謀求檢查效率之提高，且抑制破損之法布里-佩洛干涉濾光器對其他法布里-佩洛干涉濾光器造成不良影響。
又，於塗佈墨水532之膜部之至少一部分，形成第2鏡面層240之與第1鏡面層220為相反側之表面(藉由將晶圓100沿各線5切斷，而成為表面24a之部分)至空隙S之貫通孔(本實施形態中，係複數個貫通孔24b)。藉此，可經由貫通孔24b，使墨水532自第2鏡面層240之表面滲透至內部(空隙S)。其結果，藉由墨水532強化第2鏡面層240。因此，圖17(b)所示之法布里-佩洛干涉濾光器部1Ab中，可有效抑制該第2鏡面層240之破損部C之捲起、自該破損部C之微粒之產生等。又，如圖17(a)所示，即使未於判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部1Aa之膜部產生破損之情形時，亦可藉由滲透至空隙S之墨水532，有效減低該膜部將來破損之可能性。再者，對於法布里-佩洛干涉濾光器部1Ab，考慮墨水532經由形成於膜部之破損部C滲透至空隙S，但可藉由形成貫通孔24b，進而有效地使墨水532滲透至空隙S。
又，於上述晶圓之檢查方法中，塗佈墨水532之步驟中，進行良否判定之步驟中，所有法布里-佩洛干涉濾光器部1A之良否判定結束後，對判定為不良之一個以上法布里-佩洛干涉濾光器部1A依序塗佈墨水532。該情形時，由於對所有法布里-佩洛干涉濾光器部1A之檢查(良否判定)結束後，可對判定為不良之一個以上法布里-佩洛干涉濾光器部1A統一進行墨水532之標記，故可有效地進行標記。即，可藉由將進行對所有法布里-佩洛干涉濾光器部1A之良否判定之步驟，及對判定為不良之一個以上法布里-佩洛干涉濾光器部1A塗佈墨水之步驟完全分離，而簡化各步驟之處理之控制。再者，該情形時，執行墨水標記之裝置亦可為與執行用以良否判定之檢查之裝置不同之裝置。
另一方面，作為上述晶圓之檢查方法之變化例，亦可於塗佈墨水532之步驟中，進行良否判定之步驟中，每次將1個法布里-佩洛干涉濾光器部1A判定為不良時，對該1個法布里-佩洛干涉濾光器部1A塗佈墨水532。具體而言，亦可於某檢查(例如，上述之外觀檢查及特性檢查等中之1個檢查項目相關之檢查)中每次將1個法布里-佩洛干涉濾光器部1A判定為不良時，對該1個法布里-佩洛干涉濾光器部1A塗佈墨水532。該情形時，每次發現藉由某檢查項目相關之檢查判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部1A時，即時進行對該法布里-佩洛干涉濾光器部1A之標記。藉此，可對有對其他法布里-佩洛干涉濾光器部1A造成不良影響之可能性之法布里-佩洛干涉濾光器部(例如有破損而產生微粒之可能性之法布里-佩洛干涉濾光器部1Ab)即時塗佈墨水532。其結果，可更有效抑制對其他法布里-佩洛干涉濾光器部1A造成不良影響。
又，墨水532硬化前之狀態之黏度例如為500 cP～50000 cP，更佳為200 cP～5000 cP。藉由使用此種黏度之墨水532，可較佳地抑制第2鏡面層240(膜部)之破損部分捲起、自該破損部分之微粒之產生等。
又，於附加有墨水532之標記M之晶圓100A中，由於分別成為法布里-佩洛干涉濾光器1之預定之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A成為一體化之狀態，故可有效進行對各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之良否判定(檢查)。又，例如上述檢查之結果判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部1A中，於具有所謂膜構造之脆弱部分(膜部)之至少一部分，塗佈有墨水532。藉此，假設膜部破損之情形時，可抑制破損部分之捲起、自該破損部分之微粒之產生等。又，膜部未破損之情形時，亦藉由利用墨水532強化該膜部，而減低該膜部將來破損之可能性。由上，根據晶圓100A，可謀求檢查效率之提高，且抑制破損之法布里-佩洛干涉濾光器對其他法布里-佩洛干涉濾光器造成不良影響。又，藉由附加有墨水532之標記M，可容易確認晶圓100A之破損部位(破損之法布里-佩洛干涉濾光器部1Aa、1Ab)。
又，於晶圓100A中，於形成於不良品之法布里-佩洛干涉濾光器部1A之空隙S，滲透有墨水532。具體而言，由標記部530塗佈之墨水532之一部分經由形成於膜部之複數個貫通孔24b及破損部C之至少一者，滲透至空隙S。藉此，於圖17(b)所示之法布里-佩洛干涉濾光器部1Ab中，藉由滲透至空隙S之墨水532，第2鏡面層240對第1鏡面層220固定，可有效抑制該第2鏡面層240之破損部C之捲起、自該破損部C之微粒之產生等。又，如圖17(a)所示之法布里-佩洛干涉濾光器部1Aa，即使未於膜部產生破損之情形時，亦可藉由滲透至空隙S之墨水532，有效減低該膜部將來破損之可能性。
再者，於晶圓100中，成為複數個法布里-佩洛干涉濾光器1之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A係設置於有效區域101。另一方面，於沿基板層110之外緣110c且包圍有效區域101之虛設區域102，設有複數個虛設濾光器部2A，於各虛設濾光器部2A中，於互相對向之第1鏡面部31與第2鏡部32之間設有中間層23。藉此，充分確保晶圓100整體之強度。因此，對各法布里-佩洛干涉濾光器部1A實施上述檢查方法時之晶圓100之處理變容易。又，由於晶圓100不易翹曲，故可精度良好地實施對各法布里-佩洛干涉濾光器部1A之檢查，及對判定為不良之法布里-佩洛干涉濾光器部1A之墨水塗佈。
又，於晶圓100之製造方法中，保持複數個法布里-佩洛干涉濾光器部1A為晶圓100之狀態下，於各法布里-佩洛干涉濾光器部1A中形成空隙S。藉此，與以各晶片級實施空隙S之形成之情形相比，效率極其佳，可於第1鏡面部31與第2鏡面部32之間形成空隙S。並且，於有效區域101中，由於對二維配置之複數個除去預定部50同時實施中間層230之蝕刻等，於基板層110內之任意對應於基板11之部分、及包圍其之周圍之對應於基板11之部分，製程同時進展，故可減少基板層110之面內之應力偏差。藉此，根據晶圓100之製造方法，可獲得能夠穩定地量產高品質之法布里-佩洛干涉濾光器1之晶圓100。
又，藉由雷射光L之照射，沿各線5於基板層110之內部形成改質區域7，從而根據以下理由，沿各線5切斷晶圓100於製造法布里-佩洛干涉濾光器1之方面極其有效。即，於使用雷射光L之晶圓100之切斷中，由於無需水，故不會產生於空隙S上懸空之第2鏡面部32因水壓而破損，或水滲透至空隙S內而黏結(第2鏡面部32與第1鏡面部31接觸而無法移動之現象)。藉此，使用雷射光L之晶圓100之切斷於製造法布里-佩洛干涉濾光器1之方面極其其有效。 [變化例]
以上，雖已針對本發明之一實施形態進行說明，但本發明並不限定於上述實施形態。例如，各構成之材料及形狀不限於上述材料及形狀，可採用各種材料及形狀。
如圖18所示，於晶圓100中，亦可以對應於第1槽290之方式，於基板層110之內部形成改質區域7。此處，所謂改質區域7對應於第1槽290，意指自對向方向觀察之情形時，改質區域7與第1槽290重疊，尤其意指改質區域7沿各線5形成之狀態。藉此，可使龜裂自改質區域7向基板層110之厚度方向伸展，可容易且精度良好地自晶圓100切出複數個法布里-佩洛干涉濾光器1。該情形時，亦可於基板層110之第2表面110b側貼附擴張片60。此時，貼附於晶圓100之擴張片60之外緣部係藉由環狀之框保持。藉此，即使係於基板層110之內部形成有改質區域7之狀態，亦可容易處理晶圓100。再者，於基板層110之內部形成有改質區域7之晶圓100中，有龜裂自改質區域7意外伸展之虞。於晶圓100中，由於在虛設區域102中一對區域102a，未設置複數個虛設濾光器部2A以及第1槽290及第2槽470，故使龜裂之伸展藉由一對區域102a而停止。
又，於上述實施形態中，主要針對於切斷晶圓前進行對晶圓之檢查進行了說明，但亦可實施晶圓狀態之檢查(對晶圓之檢查)及單片化後之檢查(對經單片化之法布里-佩洛干涉濾光器之檢查)之兩者。
上述一實施形態或變化例之一部分構成可任意應用於其他實施形態之變化例之構成中。
1‧‧‧法布里-佩洛干涉濾光器 1A‧‧‧法布里-佩洛干涉濾光器部 1Aa‧‧‧法布里-佩洛干涉濾光器部 1Ab‧‧‧法布里-佩洛干涉濾光器部 1a‧‧‧光透過區域 2‧‧‧虛設濾光器 2A‧‧‧虛設濾光器部 2X‧‧‧鏡面除去部 3‧‧‧第1直線 4‧‧‧第2直線 5‧‧‧線 7‧‧‧改質區域 11‧‧‧基板 11a‧‧‧第1表面 11b‧‧‧第2表面 11c‧‧‧外緣部 12‧‧‧第1電極 12a‧‧‧配線 13‧‧‧第2電極 13a‧‧‧配線 14‧‧‧第3電極 14a‧‧‧配線 15‧‧‧端子 16‧‧‧端子 17‧‧‧溝槽 18‧‧‧溝槽 19‧‧‧溝槽 21‧‧‧抗反射層 21a‧‧‧側面 22‧‧‧第1積層體 22a‧‧‧側面 22b‧‧‧表面 23‧‧‧中間層 23a‧‧‧表面 24‧‧‧第2積層體 24a‧‧‧表面 24b‧‧‧貫通孔 25‧‧‧多晶矽層 25a‧‧‧晶矽層 25b‧‧‧多晶矽層 25c‧‧‧多晶矽層 26‧‧‧氮化矽層 26a‧‧‧氮化矽層 26b‧‧‧氮化矽層 27‧‧‧多晶矽層 27a‧‧‧多晶矽層 27b‧‧‧多晶矽層 27c‧‧‧多晶矽層 28‧‧‧氮化矽層 28a‧‧‧氮化矽層 28b‧‧‧氮化矽層 31‧‧‧第1鏡面部 32‧‧‧第2鏡面部 33‧‧‧被覆部 34‧‧‧周緣部 34a‧‧‧非薄化部 34b‧‧‧薄化部 34c‧‧‧表面 40a‧‧‧開口 41‧‧‧抗反射層 42‧‧‧第3積層體 43‧‧‧中間層 44‧‧‧第4積層體 45‧‧‧遮光層 46‧‧‧保護層 50‧‧‧除去預定部 60‧‧‧擴張片 71‧‧‧封裝 71a‧‧‧開口 72‧‧‧內表面 72a‧‧‧底座 73‧‧‧蓋 74‧‧‧側壁 75‧‧‧頂壁 75a‧‧‧內表面 76‧‧‧配線基板 77‧‧‧光檢測器 78‧‧‧間隔件 81‧‧‧引線接腳 82‧‧‧導線 83‧‧‧光透過構件 83a‧‧‧光入射面 83b‧‧‧光出射面 83c‧‧‧側面 84a‧‧‧光入射面 84b‧‧‧光出射面 84c‧‧‧側面 85‧‧‧接著構件 85a‧‧‧第1部分 85b‧‧‧第2部分 100‧‧‧晶圓 100A‧‧‧晶圓 100a‧‧‧ =外緣 101‧‧‧有效區域 102‧‧‧虛設區域 102a‧‧‧區域 110‧‧‧基板層 110a‧‧‧第1表面 110b‧‧‧第2表面 110c‧‧‧外緣 200‧‧‧器件層 210‧‧‧抗反射層 220‧‧‧第1鏡面層 230‧‧‧中間層 240‧‧‧第2鏡面層 290‧‧‧第1槽 400‧‧‧應力調整層 410‧‧‧抗反射層 420‧‧‧層 430‧‧‧層 440‧‧‧層 450‧‧‧遮光層 460‧‧‧保護層 470‧‧‧第2槽 500‧‧‧檢查裝置 510‧‧‧晶圓支持部 520‧‧‧攝像部 530‧‧‧標記部 531‧‧‧墨水卡匣 531a‧‧‧壁部 531b‧‧‧壁部 531c‧‧‧貫通孔 531d‧‧‧貫通孔 531e‧‧‧外側面 532‧‧‧墨水 532a‧‧‧墨水積存 533‧‧‧燈絲 533a‧‧‧一端部 533b‧‧‧另一端部 534‧‧‧金屬針 534a‧‧‧前端部 535‧‧‧推桿 535a‧‧‧圓柱狀之部分 540‧‧‧控制部 M‧‧‧標記 OF‧‧‧定向平面 RL‧‧‧基準線 S‧‧‧空隙
圖1係自一實施形態之晶圓切出之法布里-佩洛干涉濾光器之俯視圖。 圖2係圖1所示之法布里-佩洛干涉濾光器之仰視圖。 圖3係沿圖1所示之Ⅲ-Ⅲ線之法布里-佩洛干涉濾光器之剖視圖。 圖4係自一實施形態之晶圓切出之虛設濾光器之剖視圖。 圖5係一實施形態之晶圓之俯視圖。 圖6係圖5所示之晶圓之一部分之放大俯視圖。 圖7(a)、(b)係圖5所示之法布里-佩洛干涉濾光器部及虛設濾光器部之剖視圖。 圖8(a)、(b)係用以說明圖5所示之晶圓之製造方法之剖視圖。 圖9(a)、(b)係用以說明圖5所示之晶圓之製造方法之剖視圖。 圖10(a)、(b)係用以說明圖5所示之晶圓之製造方法之剖視圖。 圖11(a)、(b)係用以說明圖5所示之晶圓之製造方法之剖視圖。 圖12(a)、(b)係用以說明圖5所示之晶圓之製造方法之剖視圖。 圖13(a)、(b)係用以說明圖5所示之晶圓之製造方法之剖視圖。 圖14係實施一實施形態之檢查方法之檢查裝置之概略構成圖。 圖15(a)、(b)係圖14所示之標記部之概略剖視圖。 圖16係標記後之晶圓之俯視圖。 圖17(a)、(b)係已標記之法布里-佩洛干涉濾光器部之俯視圖。 圖18(a)、(b)係用以說明自圖5所示之晶圓切出法布里-佩洛干涉濾光器之方法之剖視圖。 圖19(a)、(b)係用以說明自圖5所示之晶圓切出法布里-佩洛干涉濾光器之方法之剖視圖。 圖20係具備法布里-佩洛干涉濾光器之光檢測裝置之剖視圖。
1A‧‧‧法布里-佩洛干涉濾光器部
1Aa‧‧‧法布里-佩洛干涉濾光器部
1Ab‧‧‧法布里-佩洛干涉濾光器部
2A‧‧‧虛設濾光器部
100A‧‧‧晶圓
100a‧‧‧外緣
101‧‧‧有效區域
102‧‧‧虛設區域
102a‧‧‧區域
110‧‧‧基板層
110c‧‧‧外緣
OF‧‧‧定向平面替代槽

Claims (8)

  1. 一種晶圓之檢查方法，其包含如下步驟：準備晶圓，該晶圓具備：具有互相對向之第1表面及第2表面之基板層；具有於上述第1表面二維配置之複數個第1鏡面部之第1鏡面層；及具有於上述第1鏡面層上二維配置之複數個第2鏡面部之第2鏡面層；且藉由於互相對向之上述第1鏡面層之至少包含上述第1鏡面部之部分、及上述第2鏡面層之至少包含上述第2鏡面部之部分之間形成空隙，而構成互相對向之上述第1鏡面部與上述第2鏡面部間之距離藉由靜電力而變化之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部；進行複數個上述法布里-佩洛干涉濾光器部之各者之良否判定；及對進行上述良否判定之步驟中判定為不良之上述法布里-佩洛干涉濾光器部之上述第2鏡面層中、自上述第1鏡面部與上述第2鏡面部互相對向之方向觀察時與上述空隙重疊的部分之至少一部分塗佈墨水，藉此而使上述墨水滲透至形成於不良品之上述法布里-佩洛干涉濾光器部之上述空隙。
  2. 如請求項1之晶圓之檢查方法，其中於塗佈上述墨水之上述至少一部分，形成自上述第2鏡面層之與第1鏡面層為相反側之表面至上述空隙之貫通孔。
  3. 如請求項1之晶圓之檢查方法，其中於塗佈上述墨水之步驟中，於進行上述良否判定之步驟中完成所有 的上述法布里-佩洛干涉濾光器部之良否判定後，對判定為不良之一個以上之上述法布里-佩洛干涉濾光器部依序塗佈墨水。
  4. 如請求項2之晶圓之檢查方法，其中於塗佈上述墨水之步驟中，於進行上述良否判定之步驟中完成所有的上述法布里-佩洛干涉濾光器部之良否判定後，對判定為不良之一個以上之上述法布里-佩洛干涉濾光器部依序塗佈墨水。
  5. 如請求項1之晶圓之檢查方法，其中於塗佈上述墨水之步驟中，於進行上述良否判定之步驟中每當將1個上述法布里-佩洛干涉濾光器部判定為不良時，對該1個法布里-佩洛干涉濾光器部塗佈墨水。
  6. 如請求項2之晶圓之檢查方法，其中於塗佈上述墨水之步驟中，於進行上述良否判定之步驟中每當將1個上述法布里-佩洛干涉濾光器部判定為不良時，對該1個法布里-佩洛干涉濾光器部塗佈墨水。
  7. 如請求項1至6中任一項之晶圓之檢查方法，其中上述墨水硬化前之狀態之黏度為500cP~50000cP。
  8. 一種晶圓，其具備：基板層，其具有互相對向之第1表面及第2表面； 第1鏡面層，其具有於上述第1表面二維配置之複數個第1鏡面部；及第2鏡面層，其具有於上述第1鏡面層上二維配置之複數個第2鏡面部，且藉由於互相對向之上述第1鏡面層之至少包含上述第1鏡面部之部分、與上述第2鏡面層之至少包含上述第2鏡面部之部分之間形成空隙，而構成互相對向之上述第1鏡面部與上述第2鏡面部間之距離藉由靜電力而變化之複數個法布里-佩洛干涉濾光器部，於上述複數個法布里-佩洛干涉濾光器部中至少1個不良品之上述法布里-佩洛干涉濾光器部塗佈有墨水，於至少1個良品之上述法布里-佩洛干涉濾光器部未塗佈上述墨水，於形成於不良品之上述法布里-佩洛干涉濾光器部之上述空隙滲透有上述墨水。
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