TWI791226B - 觸控模組及觸控裝置 - Google Patents

Abstract

一種觸控模組包括基板、第一與第二水平觸控電極、第一跨接電極以及第一垂直觸控電極。第一與第二水平觸控電極沿第一方向間隔設置於基板上。第一跨接電極連接第一水平觸控電極及第二水平觸控電極，且具有第一主體部以及與第一主體部相連的至少兩第一延伸部，其中第一主體部在第一方向上位於兩第一延伸部之間。兩第一延伸部分別對應於第一水平觸控電極及第二水平觸控電極設置，且每一個第一延伸部繞出至少一開孔。第一垂直觸控電極設置於基板上，在第一方向上位於第一水平觸控電極與第二水平觸控電極之間，且與第一跨接電極電性絕緣。

Description

觸控模組及觸控裝置

本揭露是有關於一種觸控模組以及包括上述觸控模組的裝置。

近年來，隨著觸控技術的發展，由於透明導體可同時讓光穿過並提供適當的導電性，因此常應用於許多顯示或觸控相關的裝置中。一般而言，透明導體可為各種金屬氧化物，例如氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鎘錫或摻鋁氧化鋅。然而，這些金屬氧化物所製成的薄膜並無法滿足顯示裝置的可撓性需求。因此，現今發展出多種可撓性的透明導體，例如使用金屬奈米線等材料所製作的透明導體。

然而，以金屬奈米線製成的顯示或觸控裝置尚有許多需要解決的問題。舉例而言，當使用金屬奈米線製作觸控電極，並使用金屬或金屬氧化物製作連接觸控電極的跨接電極(jumper)時，由於金屬奈米線是以絲狀的型態分布於觸控電極中，因此易導致觸控電極與跨接電極之間的接觸阻抗無法達到規格要求，而當透過增加跨接電極末端的體積來提升跨接電極與觸控電極之間的接觸面積時，容易導致跨接電極與觸控電極重疊的部分在觸控顯示裝置運作時被使用者觀看到，進而影響觸控顯示裝置在視覺上的清晰度。此外，當觸控電極中的金屬奈米線與使用金屬製作的跨接電極接觸時，容易使金屬奈米線聚集並堆積，進而造成金屬奈米線的可靠性不足而導致觸控裝置發生短路(short)或斷路(open)的情形。

根據本揭露一些實施方式，觸控模組包括基板、第一水平觸控電極、第二水平觸控電極、第一跨接電極及第一垂直觸控電極。第一水平觸控電極及第二水平觸控電極沿第一方向間隔設置於基板上。第一跨接電極連接第一水平觸控電極及第二水平觸控電極，且具有第一主體部以及與第一主體部相連的至少兩第一延伸部。第一主體部在第一方向上位於兩第一延伸部之間，兩第一延伸部分別對應於第一水平觸控電極及第二水平觸控電極設置，且每一個第一延伸部繞出至少一開孔。第一垂直觸控電極設置於基板上，並且在第一方向上位於第一水平觸控電極與第二水平觸控電極之間，且與第一跨接電極電性絕緣。

在本揭露一些實施方式中，開孔係封閉通孔，且封閉通孔的俯視輪廓包括三角形、矩形、圓形、橢圓形、多邊形或其組合。

在本揭露一些實施方式中，第一水平觸控電極及第二水平觸控電極各自具有至少一部分延伸至對應的兩第一延伸部的一者的側壁。

在本揭露一些實施方式中，第一主體部的寬度及每一個第一延伸部的寬度各自介於5µm至30µm之間，且第一水平觸控電極及第二水平觸控電極各自與對應的兩第一延伸部的一者的接觸面積介於0.01mm ²至0.3mm ²之間。

在本揭露一些實施方式中，第一水平觸控電極及第二水平觸控電極各自包括基質及分佈於基質中的複數個金屬奈米線。

在本揭露一些實施方式中，第一水平觸控電極及第二水平觸控電極各自與第一垂直觸控電極之間以至少一間隙間隔開，間隙的寬度介於20µm至30µm之間，且每一個金屬奈米線的線徑介於10nm至40nm之間。

在本揭露一些實施方式中，第一水平觸控電極及第二水平觸控電極各自具有由複數個電極線交錯而成的網格狀圖案。

在本揭露一些實施方式中，每一個電極線的寬度介於20µm至50µm之間，且任兩相鄰的電極線之間的距離介於20µm至30µm之間。

在本揭露一些實施方式中，每一個第一延伸部的至少一邊緣具有倒角、倒弧、圓弧或其組合的形狀。

在本揭露一些實施方式中，第一跨接電極的材料包括至少一金屬，且觸控模組更包括氧化物層，覆蓋第一跨接電極的至少一表面。

在本揭露一些實施方式中，基板的材料包括鹼性玻璃，且觸控模組更包括隔絕層，設置於基板與第一水平觸控電極及第二水平觸控電極之間。

在本揭露一些實施方式中，觸控模組更包括第三水平觸控電極、第二跨接電極以及第二垂直觸控電極。第三水平觸控電極沿第一方向與第二水平觸控電極間隔設置於基板上。第二跨接電極連接第二水平觸控電極及第三水平觸控電極，且具有第二主體部以及與第二主體部相連的至少兩第二延伸部。第二主體部在第一方向上位於兩第二延伸部之間，兩第二延伸部分別對應於第二水平觸控電極及第三水平觸控電極設置，每一個第二延伸部繞出至少一開孔，且對應於第二水平觸控電極的第一延伸部及第二延伸部彼此相連。第二垂直觸控電極設置於基板上，在第一方向上位於第二水平觸控電極與第三水平觸控電極之間，且與第二跨接電極電性絕緣。

根據本揭露一些實施方式，觸控模組包括基板、第一水平觸控電極、第二水平觸控電極、第一跨接電極及第一垂直觸控電極。第一水平觸控電極及第二水平觸控電極沿第一方向間隔設置於基板上。第一跨接電極連接第一水平觸控電極及第二水平觸控電極，第一跨接電極的至少一邊緣具有倒角、倒弧、圓弧或其組合的形狀。第一垂直觸控電極設置於基板上，並且在第一方向上位於第一水平觸控電極與第二水平觸控電極之間，且與第一跨接電極電性絕緣。

在本揭露一些實施方式中，第一水平觸控電極及第二水平觸控電極各自具有由複數個電極線交錯而成的網格狀圖案，且每一個電極線包括基質及分佈於基質中的複數個金屬奈米線。

在本揭露一些實施方式中，第一水平觸控電極及第二水平觸控電極各自與第一垂直觸控電極之間以至少一間隙間隔開，間隙的寬度介於20µm至30µm之間，且每一個金屬奈米線的線徑介於10nm至40nm之間。

在本揭露一些實施方式中，第一跨接電極的材料包括至少一金屬，且觸控模組更包括氧化物層，覆蓋第一跨接電極的至少一表面。

在本揭露一些實施方式中，基板的材料包括鹼性玻璃，且觸控模組更包括至少一隔絕層，設置於基板與第一水平觸控電極及第二水平觸控電極之間。

在本揭露一些實施方式中，第一跨接電極的寬度介於5µm至30µm之間。

在本揭露一些實施方式中，觸控模組更包括設置於第一水平觸控電極及第二水平觸控電極與第一跨接電極之間的絕緣層。

根據本揭露一些實施方式，觸控裝置包括前述觸控模組。

根據本揭露上述實施方式，本揭露的觸控模組包括彼此連接的觸控電極以及跨接電極。藉由跨接電極在結構上的特殊設計，可避免觸控電極中的金屬奈米線於跨接電極附近過度地聚集或沉降，並可滿足觸控模組的低接觸阻抗需求以及光學可視性需求，進而提升觸控模組及其裝置的可靠度，以達到產品的規格要求。

以下將以圖式揭露本揭露之複數個實施方式，為明確地說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本揭露。也就是說，在本揭露部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的，因此不應用以限制本揭露。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。另外，為了便於讀者觀看，圖式中各元件的尺寸並非依實際比例繪示。

應當理解，儘管術語「第一」、「第二」以及「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分彼此區分。因此，下文中所述的「第一元件」、「部件」、「區域」、「層」或「部分」亦可被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。

此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，若一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他組件的「下」側的組件將被定向在其他組件的「上」側。因此，示例性術語「下」可包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，若一個附圖中的裝置翻轉，被描述為在其它元件「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下方」可以包括上方和下方的取向。

本揭露內容提供一種觸控模組以及包括該觸控模組的觸控裝置，其中觸控模組包括彼此連接的觸控電極以及跨接電極。藉由跨接電極在結構上的特殊設計，可避免觸控電極中的金屬奈米線於跨接電極附近過度地聚集或沉降，並可滿足觸控模組的低接觸阻抗需求以及光學可視性需求，進而提升觸控裝置的可靠度，以達到產品的規格要求。

第1A圖繪示根據本揭露一些實施方式之觸控模組100的上視示意圖。第1B圖繪示第1A圖之觸控模組100沿線段a-a'截取的剖面示意圖。請同時參閱第1A圖以及第1B圖。本揭露提供的觸控模組100是一種單面架橋式(bridge)的觸控模組100。觸控模組100可包括基板110、水平觸控電極層120、垂直觸控電極層130以及跨接電極層140。在一些實施方式中，基板110具有可視區VA以及位於可視區VA周圍的周邊區PA，且水平觸控電極層120、垂直觸控電極層130及跨接電極層140設置於基板110的可視區VA。在一些實施方式中，基板110可例如是硬式透明基板或可撓式透明基板。具體而言，基板110的材料可例如包括但不限於聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、環烯烴聚合物、環烯烴共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、玻璃、壓克力、無色聚醯亞胺等透明材料或其組合。

在一些實施方式中，水平觸控電極層120可包括多個水平觸控電極，且多個水平觸控電極沿第一方向D1間隔地設置。舉例而言，水平觸控電極層120可包括第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124及第三水平觸控電極126，且第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124及第三水平觸控電極126沿第一方向D1間隔地設置。在一些實施方式中，跨接電極層140可包括多個跨接電極，且跨接電極在第一方向D1上設置於相鄰的水平觸控電極之間，以連接相鄰的水平觸控電極。舉例而言，跨接電極層140可包括第一跨接電極142及第二跨接電極144，其中第一跨接電極142設置於第一水平觸控電極122與第二水平觸控電極124之間，以連接第一水平觸控電極122與第二水平觸控電極124，並且第二跨接電極144設置於第二水平觸控電極124與第三水平觸控電極126之間，以連接第二水平觸控電極124與第三水平觸控電極126。基於上述，多個跨接電極將多個水平觸控電極彼此相連以形成沿第一方向D1延伸的電子傳遞路徑。在一些實施方式中，垂直觸控電極層130可包括多個垂直觸控電極，多個垂直觸控電極沿第一方向D1間隔地排列並沿第二方向D2延伸，且垂直觸控電極設置於相鄰的水平觸控電極之間，其中第一方向D1垂直於第二方向D2。舉例而言，垂直觸控電極層130可包括第一垂直觸控電極132及第二垂直觸控電極134，第一垂直觸控電極132及第二垂直觸控電極134沿第一方向D1間隔地排列並沿第二方向D2延伸，其中第一垂直觸控電極132設置於第一水平觸控電極122與第二水平觸控電極124之間，且第二垂直觸控電極134設置於第二水平觸控電極124與第三水平觸控電極126之間。基於上述，垂直觸控電極自身可形成沿第二方向D2延伸的電子傳遞路徑。在一些實施方式中，垂直觸控電極可沿第二方向D2由跨接電極的上方橫跨跨接電極，並透過絕緣層150的設置以使垂直觸控電極與跨接電極電性絕緣，進而使垂直觸控電極與水平觸控電極電性絕緣。換句話說，透過將絕緣層150設置於垂直觸控電極與跨接電極之間，可使垂直觸控電極與水平觸控電極各自實現不同方向的訊號傳遞。

在第1B圖的實施方式中，第一跨接電極142位於基板110與第一水平觸控電極122/第二水平觸控電極124/第一垂直觸控電極132之間，且第一跨接電極142的兩末端分別嵌入至相鄰的第一水平觸控電極122與第二水平觸控電極124中。換句話說，第一跨接電極142的兩末端在垂直於基板110的延伸方向上分別夾置於基板110與第一水平觸控電極122之間以及基板110與第二水平觸控電極124之間，並且分別接觸基板110與第一水平觸控電極122以及基板110與第二水平觸控電極124。請先參閱第1C圖，其繪示第1A圖之觸控模組100在另一些實施方式中的剖面示意圖，且其剖面位置相同於線段a-a'的剖面位置。在第1C圖的實施方式中，第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124及第一垂直觸控電極132位於基板110與第一跨接電極142之間，並且第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124及第一垂直觸控電極132位於相同的水平面上。換句話說，第一跨接電極142沿第一方向D1可由第一垂直觸控電極132的上方橫跨第一垂直觸控電極132，且第一跨接電極142的兩末端各自接觸第一水平觸控電極122背對於基板110的表面及第二水平觸控電極124背對於基板110的表面。另一方面，在第1C圖的實施方式中，絕緣層150的一部分嵌入至第一水平觸控電極122/第二水平觸控電極124與第一垂直觸控電極132之間。基於第1B圖及第1C圖的內容，在本揭露的觸控模組100中，水平觸控電極、垂直觸控電極以及跨接電極可具有至少兩種堆疊方式，以多元地實現水平觸控訊號以及垂直觸控訊號的傳遞。

在一些實施方式中，第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124及第一垂直觸控電極132可各自包括基質以及分佈於基質中的複數個金屬奈米線。基質可包括聚合物或其混合物，進而賦予水平觸控電極及垂直觸控電極特定的化學、機械以及光學特性。舉例而言，基質可提供水平觸控電極及垂直觸控電極與其他層別之間良好的黏著性。舉另一例而言，基質可提供水平觸控電極及垂直觸控電極良好的機械強度。在一些實施方式中，基質可包括特定的聚合物，以使水平觸控電極及垂直觸控電極具有額外的抗刮擦/磨損的表面保護，進而提升水平觸控電極及垂直觸控電極的表面強度。上述特定的聚合物可例如是環氧樹脂、聚矽氧、聚矽烷、聚(矽-丙烯酸)、聚丙烯酸酯、聚胺基甲酸酯或其組合。在一些實施方式中，基質還可包括交聯劑、介面活性劑、穩定劑(例如包括但不限於抗氧化劑或紫外光穩定劑)、聚合抑制劑或其組合，進而提升水平觸控電極及垂直觸控電極的抗紫外線性能並延長其使用壽命。

在一些實施方式中，金屬奈米線例如包括但不限於奈米銀線、奈米金線、奈米銅線、奈米鎳線或其組合。更詳細而言，本文中的「金屬奈米線」是一集合名詞，其是指包括多個金屬元素、金屬合金或金屬化合物(包括金屬氧化物)之金屬線的集合。此外，第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124以及第一垂直觸控電極132中各自所包括之金屬奈米線的數量並不用以限制本揭露。由於本揭露的金屬奈米線具有極佳的透光率，因此當觸控模組100配置以作為觸控顯示模組時，金屬奈米線可在不影響觸控顯示模組100之光學性質的前提下提供第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124及第一垂直觸控電極132良好的導電性。

如前文所述，在本揭露的觸控模組100中，第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124與第一跨接電極142彼此連接，而藉由第一跨接電極142在結構上的特殊設計，可避免第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124中的金屬奈米線於第一跨接電極142附近(尤其是第一跨接電極142的角落位置)過度地聚集或沉降，以滿足產品的規格要求。當第一跨接電極142包括金屬材料(例如，銅、鋁)，且該金屬材料的化學活性大於第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124中之金屬奈米線(例如奈米銀線)的化學活性時，第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124中已達成化學平衡的金屬離子(例如銀離子)容易被第一跨接電極142的金屬材料還原而過度地聚集或沉降於第一跨接電極142附近，而藉由將第一跨接電極142與第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124接觸的部分(例如，第一跨接電極142的兩末端)的至少一邊緣(例如至少一個角落)設計為具有倒角、倒弧、圓弧、波浪或其組合等非稜角的形狀，可避免第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124中的金屬離子於第一跨接電極142附近過量地被還原，以防止金屬奈米線於第一跨接電極142附近過度地聚集或沉降，進而避免短路、斷路或蝕刻不淨等的問題發生。

具體而言，請參見第2A圖至第2C圖，其分別繪示第1A圖之觸控模組100在不同實施方式中的區域R1的局部放大透視圖。詳細而言，在第2A圖至第2C圖的實施方式中，第一跨接電極142的至少一個邊緣143(例如第一跨接電極142之兩末端的邊緣143)分別依序具有倒角、倒弧及圓弧的形狀，以改善金屬奈米線過度聚集或沉降的問題。應瞭解到，第一跨接電極142的多個邊緣143(例如，多個角落)是否皆設計為具有倒角、倒弧、圓弧、波浪或其組合的形狀，可取決於第一跨接電極142的材料與金屬奈米線的材料之間的化學活性差異。更具體而言，當第一跨接電極142的材料與金屬奈米線的材料之間存在著較大的化學活性差異時，可將第一跨接電極142中所有可以具有稜角的邊緣143設計為具有倒角、倒弧、圓弧、波浪或其組合等的形狀，以較佳地改善金屬奈米線過度聚集或沉降的問題。在一些實施方式中，第一跨接電極142的寬度(線寬)W(例如在第二方向D2上的寬度W)可介於5µm至30µm之間，其中當第一跨接電極142的材料是金屬時，第一跨接電極142的寬度W較佳可介於5µm至10µm之間；而當第一跨接電極142的材料是金屬氧化物(例如，氧化銦錫)時，第一跨接電極142的寬度W較佳可介於10µm至30µm之間。如此一來，可確保第一跨接電極142與第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124以及第一垂直觸控電極132的重疊部分維持在非可視的狀態，並使第一跨接電極142穩定地電性連接相鄰的第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124。

除了針對第一跨接電極142的邊緣143進行特殊的形狀設計之外，還可藉由在第一跨接電極142的表面(例如，第一跨接電極142接觸第一水平觸控電極122的表面及第一跨接電極142接觸第二水平觸控電極124的表面)形成一氧化物層，以防止第一跨接電極142因其表面電子活性過大而將第一水平觸控電極122以及第二水平觸控電極124中的金屬離子過量地還原，進而避免金屬奈米線於第一跨接電極142附近過度聚集或沉降。具體而言，請參閱第3A圖，其繪示第1A圖之觸控模組100在一些實施方式中的剖面示意圖，且其剖面位置同線段a-a'的剖面位置。在第3A圖的實施方式中，觸控模組100更包括氧化物層160，且氧化物層160覆蓋第一跨接電極142的側壁145及第一跨接電極142背對基板110的表面141，以直接接觸第一水平觸控電極122以及第二水平觸控電極124。換句話說，第一跨接電極142與第一水平觸控電極122之間以及第一跨接電極142與第二水平觸控電極124之間間隔有氧化物層160，以適度地隔開第一跨接電極142與第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124中的金屬奈米線。另一方面，氧化物層160亦直接接觸絕緣層150，並將第一跨接電極142與絕緣層150彼此隔開。

在一些實施方式中，氧化物層160可例如是共形地(conformally)覆蓋第一跨接電極142的整個側壁145以及整個表面141，以較佳地改善金屬奈米線過度聚集或沉降的問題。需說明的是，此處的「共形地覆蓋」是指「以均勻且一致的厚度覆蓋」。在一些實施方式中，氧化物層160的厚度H1可介於5nm至20nm之間，以確保氧化物層160可適量地阻擋第一跨接電極142的表面電子以避免其將金屬離子過量地還原，並確保第一跨接電極142與第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124仍可彼此電性導通。詳細而言，若氧化物層160的厚度H1小於5nm，第一跨接電極142的表面電子仍可能過量地穿過氧化物層160而導致第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124中的金屬奈米線過度地被還原；而若氧化物層160的厚度H1大於20nm，則可能導致第一跨接電極142與第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124之間無法良好地電性導通，進而影響觸控模組100的電性功能。

在一些實施方式中，氧化物層160可透過例如是烘烤製程、電鍍製程或者暴露於高濃度氧氣的環境中等的方式來形成。烘烤製程是透過對第一跨接電極142的表面施加高溫，以將第一跨接電極142表面的金屬材料氧化而形成薄型的氧化物層160，亦即，透過烘烤製程所形成的氧化物層160是一金屬氧化物層，且該金屬氧化物層中的金屬原子來自於第一跨接電極142表面的金屬原子。在一些實施方式中，烘烤製程的溫度可介於200℃至250℃之間，且烘烤製程的時間可介於20分鐘至40分鐘之間，以良好地控制氧化物層160的厚度H1。電鍍製程是將金屬氧化物以外加的方式形成於第一跨接電極142的表面，進而形成氧化物層160。在一些實施方式中，電鍍製程的功率可介於2kW至15kW之間，以良好地控制氧化物層160的厚度H1。另一方面，透過將第一跨接電極142暴露於高濃度氧氣的環境中亦可於第一跨接電極142的表面形成薄型的氧化物層160，且以此方式形成氧化物層160亦是由第一跨接電極142表面的金屬材料所氧化而成的金屬氧化物層。在一些實施方式中，暴露時間可介於10sec至120sec單位之間，且通氧量可介於20sccm至50sccm之間，以良好地控制氧化物層160的厚度H1。

請接著參閱第3B圖，其繪示第1A圖之觸控模組100在另一些實施方式中的剖面示意圖，且其剖面位置同線段a-a'的剖面位置。在第3B圖的實施方式中，觸控模組100的第一跨接電極142是由三層導電層142a、142b及142c依序堆疊而成，其中三層導電層142a、142b及142c可各自包括不同的金屬材料(例如，導電層142a包括鉬，導電層142b包括鋁，且導電層142a包括鉬)，且氧化物層160整面地覆蓋第一跨接電極142背對於基板110的表面141(亦即導電層142c的上表面)以及第一跨接電極142的側壁145(亦即導電層142a、142b及142c各自的側壁)。在一些實施方式中，氧化物層160可具有多個部分，且每一個部分的氧化物材料各自對應於其所覆蓋之導電層的材料。舉例而言，氧化物層160中覆蓋導電層142a的部分160a可包括氧化鉬(MoO ₃)，而氧化物層160中覆蓋導電層142b的部分160b可包括氧化鋁(Al ₂O ₃)，且氧化物層160中覆蓋導電層142c的部分160c可包括氧化鉬氧化鉬(MoO ₃)。由於氧化物層160的各部分160a、160b及160c可各自包括不同的氧化物材料，因此氧化物層160的各部分160a、160b及160c彼此之間在微觀尺度下可觀察到界面，且氧化物層160的各部分160a、160b及160c可具有不同的材料密度(例如，氧化鋁的密度＞氧化鉬的密度＞氧化銅的密度)。應瞭解到，第一跨接電極142所包括的金屬材料並不用以限制本揭露。在其他實施方式中，第一跨接電極142亦可包括金屬銀或其他合金材料。

請參閱第4圖，其繪示第1A圖之觸控模組100在一些實施方式中的剖面示意圖，且其剖面位置同線段a-a'的剖面位置。在第4圖的實施方式中，基板110的材料可包括鹼性玻璃，例如鈉玻璃、鉀玻璃、鈣玻璃或其組合。當基板110包括上述材料時，觸控模組100可進一步包括設置於基板110與第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124之間的隔絕層170。隔絕層170可避免上述材料將第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124中已達到化學平衡的金屬離子(例如，銀離子)還原而於蝕刻線S(請參閱第1A圖)附近結晶，以防止金屬奈米線因可靠性不足而導致觸控模組100發生短路或斷路的情形。在一些實施方式中，隔絕層170可包括例如是矽氧化合物(如SiO ₂)、氮矽化合物(SiN _x)或其組合的無機材料，或者可包括非導電的樹脂或其他有機材料。非導電的樹脂或其他有機材料可例如但不限於聚丙烯酸酯、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯、聚矽烷、聚矽氧、聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯醇縮丁醛、聚碳酸酯、聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)、聚(苯乙烯磺酸)、聚(矽-丙烯酸)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、陶瓷材料或其組合。在一些實施方式中，隔絕層170的厚度H2可介於20nm至1.5μm之間，以有效地實現電性隔絕的功能，進而提升金屬奈米線的可靠性。更詳細而言，當隔絕層170包括無機材料時，隔絕層170的厚度H2較佳可介於20nm至60nm之間；而當隔絕層170包括非導電的樹脂或其他有機材料時，隔絕層170的厚度H2較佳可介於0.5μm至1.5μm之間。在一些實施方式中，隔絕層170亦可例如是由無機材料層以及有機材料層交替堆疊而成。

蝕刻線定義為：一欠缺導電材料的區域，乃是藉由將該區域中的導電材料(例如：ITO、金屬奈米線、分佈於基質中的金屬奈米線、或金屬奈米線與基質的複合導電材料)移除，而形成觸控電極的圖形(pattern)，如本揭露中的第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124的圖形形狀。而於有必要設置或存在虛擬圖形(dummy pattern)的情形中，蝕刻線亦藉由移除導電材料而形成虛擬圖形。因此，蝕刻線可用以分隔觸控電極與觸控電極、可用以分隔觸控電極與虛擬電極、也可用於分隔虛擬電極與虛擬電極。而該移除導電材料的手段，可以是藉由蝕刻液的蝕刻、或是藉由雷射的能量來進行。

如前文所述，在本揭露的觸控模組100中，第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124與第一跨接電極142彼此連接，而藉由第一跨接電極142在結構上的特殊設計，可使觸控模組100同時滿足低接觸阻抗需求以及光學可視性需求，進而提升觸控裝置的可靠度，以達到產品的規格要求。具體而言，請同時參閱第5A圖以及第5B圖，其中第5A圖繪示第1A圖之觸控模組100在一些實施方式中的區域R1的局部放大透視圖，而第5B圖繪示第5A圖之觸控模組100沿線段b-b'截取的剖面示意圖。

在第5A圖及第5B圖的實施方式中，觸控模組100的第一跨接電極142連接第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124，且第一跨接電極142具有第一主體部142A以及至少兩第一延伸部142B。第一主體部142A在第一方向D1上位於兩第一延伸部142B之間，並部分地嵌入至第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124中。兩第一延伸部142B分別連接第一主體部142A的兩末端，且分別受相鄰的第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124完全地覆蓋，亦即兩第一延伸部142B分別對應相鄰的第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124來設置。在一些實施方式中，兩第一延伸部142B分別夾置於基板110與第一水平觸控電極122之間以及基板110與第二水平觸控電極124之間，且分別接觸基板110與第一水平觸控電極122及基板110與第二水平觸控電極124。在一些實施方式中，第一延伸部142B可繞出至少一開孔O，且第一水平觸控電極122以及第二水平觸控電極124各自具有至少一部分延伸至該開孔O中，亦即，第一水平觸控電極122以及第二水平觸控電極124各自具有至少一部分延伸至與其對應的第一延伸部142B的側壁142S，並可進一步接觸基板110。藉由第一延伸部142B的設置，第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124各自與第一跨接電極142的接觸面積得以增加，以確保第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124各自與第一跨接電極142具有低的接觸阻抗，以進一步滿足觸控模組100的低接觸阻抗需求；而藉由開孔O的設置，可確保第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124各自與第一跨接電極142的重疊部分無法被使用者觀看到(即確保該重疊部分維持在非可視的狀態)，以滿足觸控模組100的光學可視性需求。在第5A圖的實施方式中，第一跨接電極142的第一延伸部142B具有不規則的波浪狀，且波浪狀的第一延伸部142B繞出多個開孔O。在其他實施方式中，第一跨接電極142的第一延伸部142B可具有啞鈴狀或不規則的分支狀(branch)，且啞鈴狀或分支狀的第一延伸部142B亦可繞出多個開孔O。

在一些實施方式中，第一跨接電極142之第一延伸部142B的寬度(例如線寬)W1可介於5µm至30µm之間，以在降低第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124與第一跨接電極142的接觸阻抗的同時，確保第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124與第一跨接電極142的重疊部分無法被使用者觀看到，進而同時滿足觸控模組100的低接觸阻抗需求以及光學可視性需求。詳細而言，若第一延伸部142B的寬度W1小於5µm，可能導致第一跨接電極142與第一水平觸控電極122/第二水平觸控電極124的接觸面積過小，而使接觸阻抗無法有效地降低；而若第一延伸部142B的寬度W1大於30µm，則可能導致第一跨接電極142與第一水平觸控電極122/第二水平觸控電極124的重疊面積過大，使得兩者的重疊部分在視覺上過於明顯。在一些實施方式中，當第一跨接電極142的材料是金屬時，第一延伸部142B的寬度W1較佳可介於5µm至10µm之間；而當第一跨接電極142的材料是金屬氧化物(例如氧化銦錫)時，第一延伸部142B的寬度W1較佳可介於10µm至30µm之間。另一方面，第一跨接電極142之第一主體部142A的寬度(線寬)W2亦可介於5µm至30µm之間，以確保第一主體部142A與第一垂直觸控電極132/第二水平觸控電極124的重疊部分無法被使用者觀看到，並使第一主體部142A可穩定地電性連接相鄰的第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124。在一些實施方式中，第一延伸部142B的寬度W1與第一主體部142A的寬度W2可相同，進而提升製程便利性。

在一些實施方式中，第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124各自與和其對應的第一延伸部142B的接觸面積可介於0.01mm ²至0.3mm ²之間，以兼顧觸控模組100的電性需求及光學可視性需求。詳細而言，若上述接觸面積小於0.01mm ²，可能導致第一跨接電極142與第一水平觸控電極122/第二水平觸控電極124之間的接觸阻抗無法有效地降低，以致無法符合觸控模組100的電性需求；若上述接觸面積大於0.3mm ²，可能無法確保第一跨接電極142與第一水平觸控電極122/第二水平觸控電極124的重疊部分維持在非可視的狀態。在一些實施方式中，當第一跨接電極142的材料是金屬時，第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124各自與和其對應的第一延伸部142B的接觸面積較佳可介於0.01mm ²至0.3mm ²之間；當第一跨接電極142的材料是金屬氧化物(例如，氧化銦錫)時，第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124各自與和其對應的第一延伸部142B的接觸面積較佳可介於0.01mm ²至0.03mm ²之間。

在第5A圖的實施方式中，第一跨接電極142之第一延伸部142B的至少一邊緣143B(例如，至少一角落或至少一彎折處)同樣可具有倒角、倒弧、圓弧、波浪或其組合等的形狀，進而改善金屬奈米線過度聚集或沉降的問題。在第5A圖的實施方式中，觸控模組100同樣可包括覆蓋第一跨接電極142之至少一表面的氧化物層160(請參見第3A圖)，以適度地隔開第一跨接電極142與第一水平觸控電極122以及第二水平觸控電極124中的金屬奈米線。在第5A圖的實施方式中，當基板110的材料包括鹼性玻璃時，觸控模組100同樣可包括位於基板110與第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124之間的隔絕層170(請參見第4圖)，以防止金屬奈米線因可靠性不足而導致觸控裝置發生短路或斷路的情形。詳細的配置請參照前文的內容，於此便不再贅述。

請接著參閱第5C圖，其繪示第5A圖之觸控模組100在另一些實施方式中的剖面示意圖，其剖面位置同線段b-b'的剖面位置。第5C圖的觸控模組100與第5B圖的觸控模組100的至少一差異是：在第5C圖的觸控模組100中，第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124及第一垂直觸控電極132是位於基板110與第一跨接電極142之間，且第一水平觸控電極122及第二水平觸控電極124部分地由第一跨接電極142之第一延伸部142B所繞出的開孔O裸露出來。換句話說，在第5C圖的實施方式中，第一跨接電極142的兩第一延伸部142B分別是位於第一水平觸控電極122背對於基板110的表面以及第二水平觸控電極124背對於基板110的表面。應瞭解到，其他元件及層別的設置可參照前文中有關於第1C圖以及第5B圖的說明，於此便不再贅述。

第5D圖至第5G圖分別繪示第5A圖中根據本揭露不同實施方式之第一跨接電極142的第一延伸部142B的上視示意圖。應瞭解到，第5D圖至第5G圖的第一跨接電極142可設置於如第5B圖或第5C圖的觸控模組100中。具體而言，在第5D圖至第5G圖中，第一跨接電極142的第一延伸部142B分別繞出具有不同俯視輪廓(即由第5D圖至第5G圖的視角觀看時的輪廓)的開孔O，且所述開孔O是一封閉通孔O1。在第5D圖至5G圖的實施方式中，封閉通孔O1的俯視輪廓分別是矩形、圓形、三角形及六邊形。然而，本揭露並不以此為限，在其他實施方式中，封閉通孔O1的俯視輪廓亦可以是橢圓形、其他多邊形或上述任意形狀的組合。在一些實施方式中，封閉通孔O1的數量可以是複數個，且多個封閉通孔O1可例如呈現陣列排列。在第5G圖的實施方式中，封閉通孔O1可呈現蜂巢狀的排列。另一方面，在第5A圖、第5D圖、第5F圖及第5G圖的實施方式中，第一跨接電極142之第一延伸部142B的線寬W1可各自是均勻且一致的。應瞭解到，第一跨接電極142的其他細節(例如，線寬W1、W2以及第一跨接電極142與第一水平觸控電極122/第二水平觸控電極124的接觸面積等)可參照前文的說明，於此便不再贅述。

第6A圖繪示第1A圖之觸控模組100在一些實施方式中的區域R2的局部放大透視圖。第6A圖進一步繪示出第三水平觸控電極126、第二跨接電極144及第二垂直觸控電極134之間的關係。具體而言，第二跨接電極144連接第二水平觸控電極124及第三水平觸控電極126，且具有第二主體部144A以及與第二主體部144A相連的至少兩第二延伸部144B，其中第二主體部144A在第一方向D1上位於兩第二延伸部144B之間，且兩第二延伸部144B分別對應於第二水平觸控電極124及第三水平觸控電極126來設置。換句話說，第二跨接電極144的第二延伸部144B的其中一者以及第一跨接電極142的第一延伸部142B的其中一者皆是對應於第二水平觸控電極124來設置。另一方面，第二垂直觸控電極134在第一方向D1上位於第二水平觸控電極124與第三水平觸控電極126之間，且與第二跨接電極144電性絕緣。在第6A圖的實施方式中，對應於第二水平觸控電極124的第一延伸部142B及對應於第二水平觸控電極124的第二延伸部144B彼此相連，使得包括第一跨接電極142及第二跨接電極144的跨接電極層140(見第1A圖)在第一方向D1上不間斷地延伸並依序經過第一水平觸控電極122、第一垂直觸控電極132、第二水平觸控電極124、第二垂直觸控電極134及第三水平觸控電極126。如此一來，可使跨接電極層140(見第1A圖)與水平觸控電極層120(見第1A圖)之間的接觸阻抗更加穩定，以滿足觸控模組100的電性需求。應瞭解到，在前述第5A圖的實施方式中，對應於第二水平觸控電極124的第一延伸部142B以及對應於第二水平觸控電極124的第二延伸部144B(未繪示於第5A圖中)彼此係相互斷開，亦即，在該實施方式中，包括第一跨接電極142及第二跨接電極144(未繪示於第5A圖中)的跨接電極層140(見第1A圖)在第一方向D1上係間斷地延伸並依序經過第一水平觸控電極122、第一垂直觸控電極132、第二水平觸控電極124、第二垂直觸控電極134(未繪示於第5A圖中)及第三水平觸控電極126(未繪示於第5A圖中)。

在本實施方式中，第一跨接電極142及第二跨接電極144的材料可包括例如是銀、銅或其合金的金屬。在本實施方式中，第一跨接電極142的第一主體部142A的寬度W2、第一跨接電極142的第一延伸部142B的寬度W1、第二跨接電極144的第二主體部144A的寬度W5以及第二跨接電極144的第二延伸部144B的寬度W6可各自介於3µm至5µm之間，以確保跨接電極層140與水平觸控電極層120的重疊部分維持在非可視的狀態。另一方面，在整個觸控模組100中，在第二方向D2上相鄰之第一跨接電極142的第一主體部142A之間的距離(線距)以及在第二方向D2上相鄰之第二跨接電極144的第二主體部144A之間的距離可介於0.5mm至5mm之間，以減少因莫瑞效應(Moire)所產生之干涉紋的問題，進而降低光學干涉的可能性。在一些實施方式中，第二跨接電極144的第二延伸部144B同樣可繞出至少一開孔O。如第6A圖所示，第二跨接電極144的第二延伸部144B可具有不規則的波浪狀，且波浪狀的第二延伸部144B繞出多個開孔O，又第二延伸部144B的形狀可與第一延伸部142B的形狀相同。

第6B圖至第6D圖分別繪示第6A圖中根據本揭露不同實施方式之第一跨接電極142及第二跨接電極144的上視示意圖。具體而言，在第6B圖的實施方式中，第一跨接電極142的第一延伸部142B及第二跨接電極144的第二延伸部144B各自具有多個啞鈴狀；在第6C圖的實施方式中，第一跨接電極142的第一延伸部142B及第二跨接電極144的第二延伸部144B各自具有不規則的分支狀；在第6D圖的實施方式中，第一跨接電極142的第一延伸部142B及第二跨接電極144的第二延伸部144B分別繞出具有六邊形俯視輪廓(即由第 6D圖的視角觀看時的輪廓)的封閉通孔O1，但本揭露並不以此為限，在其他實施方式中，封閉通孔O1的俯視輪廓亦可以是矩形、圓形、三角形、橢圓形、其他多邊形或其組合。有關於第一跨接電極142的第一延伸部142B及第二跨接電極144的第二延伸部144B各自的形狀說明可參照前文中與第5A圖至第5G圖相關的描述，於此便不再贅述。

請參閱表一，其透過各比較例及各實施例具體驗證第一跨接電極142及第二跨接電極144各自的線寬、第一跨接電極142的其中一個第一延伸部142B與和其對應的單一個水平觸控電極的接觸面積(或第二跨接電極144的其中一個第二延伸部144B與和其對應的單一個水平觸控電極)的接觸面積對於整個觸控模組100的電性表現的影響。在本驗證中所使用的電性測試方法是以線電阻方式量測兩組接觸阻抗，一組觸控電極阻抗以及一組跨接電極阻抗。由於電極阻抗為遠小於接觸阻抗之固定值，因此可將電阻變化視為不同接觸阻抗之貢獻。電性測試的結果如表一所示，其中「通過」代表所測量到的接觸阻抗介於10Ω至120Ω之間，而「未通過」代表所測量到的接觸阻抗落在上述範圍之外。

第7圖繪示第1A圖之觸控模組100在一些實施方式中的區域R1的局部放大透視圖。第7圖的觸控模組100與第5A圖的觸控模組100具有大致上相同的元件配置與連接關係、材料及功效，其至少一差異在於：在第7圖的觸控模組100中，第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124以及第一垂直觸控電極132各自具有由複數個電極線EL交錯而成的網格狀圖案，進而使得觸控模組100的可視區VA(請參見第1A圖)可具有較佳的光學特性。應瞭解到，為清楚呈現各元件的形狀，第7圖中所有的元件皆以實線繪製。在一些實施方式中，每一條電極線EL可包括基質及分佈於基質中的複數個金屬奈米線。在一些實施方式中，每一條電極線EL的寬度(線寬)W3可介於20µm至50µm之間，以提供第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124以及第一垂直觸控電極132較佳的光學特性，並且提供圖案化的便利性。詳細而言，當電極線EL的寬度W3大於50µm時，可能導致第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124以及第一垂直觸控電極132具有較差的透光率，進而影響觸控模組100之可視區VA的光學特性；而當電極線EL的寬度W3小於20µm時，則可能提升圖案化的困難度，進而導致製程上的不便利性。

在一些實施方式中，相鄰之電極線EL之間的距離(線距)X1可介於20µm至30µm之間，以提供第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124及第一垂直觸控電極132較佳的透光率及導電度。詳細而言，當距離X1大於30µm時，可能使網格狀圖案的排列過於稀疏，造成電子傳遞路徑不足，進而導致第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124及第一垂直觸控電極132的面電阻過大且導電度過低；而當距離X1小於20µm時，則可能使得網格狀圖案的排列過於緊密，而導致第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124及第一垂直觸控電極132的透光率過低，進而影響觸控模組100之可視區VA的光學特性。應瞭解到，前文中所述之各實施方式中的第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124及第一垂直觸控電極132皆可如同本實施方式具有由複數個電極線EL交錯而成的網格狀圖案。

另一方面，由於第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124及第一垂直觸控電極132是由金屬奈米線作為其電子傳遞途徑，因此不需額外設置IM層(index-matching layer)來使觸控模組100中蝕刻線S維持在非可視的狀態。在一些實施方式中，可進一步透過觸控模組100中蝕刻線S(亦即第一水平觸控電極122/第二水平觸控電極124與第一垂直觸控電極132之間的間隙S)的寬度W4與第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124以及第一垂直觸控電極132中每一根金屬奈米線的線徑之間的搭配，來使觸控模組100滿足光學可視性的需求。更具體而言，藉由蝕刻線S的寬度W4與金屬奈米線的線徑之間的搭配，可使蝕刻線S與第一水平觸控電極122、第二水平觸控電極124及第一垂直觸控電極132維持在非可視的狀態，進而使觸控模組100的可視區VA(請參見第1A圖)具有光學一致的視覺效果。在一些實施方式中，蝕刻線S的寬度W4可介於20µm至30µm之間，且每一根金屬奈米線的線徑可介於10nm至40nm之間，以確保觸控模組100滿足上述光學可視性需求。

請參閱表二，其透過各示例具體驗證蝕刻線S的寬度W4以及金屬奈米線的線徑對觸控模組100之光學可視性的影響。應瞭解到，在本驗證中所的使用光學測試方法是將包括本揭露之觸控模組100的產品在白光光源下目視檢驗。

表二

光學測試結果	金屬奈米線的線徑
10nm~20nm	20nm~30nm	30nm~40nm
蝕刻線的寬度	10µm	OK	OK	OK
15µm	OK	OK	OK
20µm	OK	OK	OK
25µm	OK	OK	NG
30µm	OK	NG	NG

本揭露之觸控模組可與其他電子裝置組裝，例如具觸控功能的顯示器。舉例而言，可將基板貼合於顯示元件(例如液晶顯示元件或有機發光二極體顯示元件)，且兩者之間可使用光學膠或其他黏合劑進行貼合，而觸控模組亦可利用光學膠與外蓋層(例如保護玻璃)進行貼合。本揭露之觸控模組亦可應用於可攜式電話、平板計算機以及筆記型電腦等的電子設備，亦可應用於可撓性產品。本揭露之觸控模組還可應用於偏光片、車用裝置(例如儀錶板、行車紀錄器、車用後視鏡及車窗等)以及穿戴式裝置(例如智慧衣服、智慧鞋、手錶及眼鏡等)。

根據本揭露上述實施方式，本揭露的觸控模組包括彼此連接的觸控電極以及跨接電極。藉由跨接電極在結構上的特殊設計，可避免觸控電極中的金屬奈米線於跨接電極附近過度地聚集或沉降，並可滿足觸控模組的低接觸阻抗需求以及光學可視性需求，進而提升觸控模組及其裝置的可靠度，以達到產品的規格要求。另一方面，藉由蝕刻線的與金屬奈米線的規格設計，可使觸控模組具有光學一致的視覺效果。

雖然本揭露已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100:觸控模組 110:基板 120:水平觸控電極層 122:第一水平觸控電極 124:第二水平觸控電極 126:第三水平觸控電極 130:垂直觸控電極層 132:第一垂直觸控電極 134:第二垂直觸控電極 140:跨接電極層 141:表面 142:第一跨接電極 142a,142b,142c:導電層 142A:第一主體部 142B:第一延伸部 144:第二跨接電極 144A:第二主體部 144B:第二延伸部 142S:側壁 143,143B:邊緣 145:側壁 150:絕緣層 160:氧化物層 160a,160b,160c:部分 170:隔絕層 VA:可視區 PA:周邊區 R1,R2:區域 D1:第一方向 D2:第二方向 H1,H2:厚度 W,W1,W2,W3,W4,W5,W6:寬度 X1:距離 S:蝕刻線 O:開孔 O1:封閉通孔 EL:電極線 a-a',b-b':線段

為讓本揭露之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下： 第1A圖繪示根據本揭露一些實施方式之觸控模組的上視示意圖； 第1B圖繪示第1A圖之觸控模組沿線段a-a'截取的剖面示意圖； 第1C圖繪示第1A圖之觸控模組在另一些實施方式中的剖面示意圖，其剖面位置同線段a-a'的剖面位置； 第2A圖至第2C圖分別繪示第1A圖之觸控模組在不同實施方式中的區域R1的局部放大透視圖； 第3A圖繪示第1A圖之觸控模組在一些實施方式中的剖面示意圖，其剖面位置同線段a-a'的剖面位置； 第3B圖繪示第1A圖之觸控模組在另一些實施方式中的剖面示意圖，其剖面位置同線段a-a'的剖面位置； 第4圖繪示第1A圖之觸控模組在一些實施方式中的剖面示意圖，其剖面位置同線段a-a'的剖面位置； 第5A圖繪示第1A圖之觸控模組在一些實施方式中的區域R1的局部放大透視圖； 第5B圖繪示第5A圖之觸控模組沿線段b-b'截取的剖面示意圖； 第5C圖繪示第5A圖之觸控模組在另一些實施方式中的剖面示意圖，其剖面位置同線段b-b'的剖面位置； 第5D圖至第5G圖分別繪示第5A圖中根據本揭露不同實施方式之第一跨接電極的第一延伸部的上視示意圖； 第6A圖繪示第1A圖之觸控模組在一些實施方式中的區域R2的局部放大透視圖； 第6B圖至第6D圖分別繪示第6A圖中根據本揭露不同實施方式之第一跨接電極及第二跨接電極的上視示意圖；以及 第7圖繪示第1A圖之觸控模組在一些實施方式中的區域R1的局部放大透視圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

122:第一水平觸控電極 124:第二水平觸控電極 132:第一垂直觸控電極 142:第一跨接電極 142A:第一主體部 142B:第一延伸部 143B:邊緣 150:絕緣層 R1:區域 D1:第一方向 D2:第二方向 W1,W2:寬度 O:開孔 b-b':線段

Claims (20)

1. 一種觸控模組，包括：一基板；一第一水平觸控電極及一第二水平觸控電極，沿一第一方向間隔設置於該基板上；一第三水平觸控電極，沿該第一方向與該第二水平觸控電極間隔設置於該基板上；一第一跨接電極，連接該第一水平觸控電極及該第二水平觸控電極，且具有一第一主體部以及與該第一主體部相連的至少兩第一延伸部，其中該第一主體部在該第一方向上位於該兩第一延伸部之間，該兩第一延伸部分別對應於該第一水平觸控電極及該第二水平觸控電極設置，且每一該兩第一延伸部繞出至少一開孔；一第二跨接電極，連接該第二水平觸控電極及該第三水平觸控電極；一第一垂直觸控電極，設置於該基板上，並且在該第一方向上位於該第一水平觸控電極與該第二水平觸控電極之間，且與該第一跨接電極電性絕緣；以及一第二垂直觸控電極，設置於該基板上，並且在該第一方向上位於該第二水平觸控電極與該第三水平觸控電極之間，且與該第二跨接電極電性絕緣。
2. 如請求項1所述的觸控模組，其中該開孔係一封閉通孔，且該封閉通孔的俯視輪廓包括三角形、矩 形、圓形、橢圓形、多邊形或其組合。
3. 如請求項1所述的觸控模組，其中該第一水平觸控電極及該第二水平觸控電極各自具有至少一部分延伸至對應的該兩第一延伸部的一者的側壁。
4. 如請求項1所述的觸控模組，其中該第一主體部的寬度以及每一該兩第一延伸部的寬度各自介於5μm至30μm之間，且該第一水平觸控電極及該第二水平觸控電極各自與對應的該兩第一延伸部的一者的接觸面積介於0.01mm²至0.30mm²之間。
5. 如請求項1所述的觸控模組，其中該第一水平觸控電極及該第二水平觸控電極各自包括一基質及分佈於該基質中的複數個金屬奈米線。
6. 如請求項5所述的觸控模組，其中該第一水平觸控電極及該第二水平觸控電極各自與該第一垂直觸控電極之間以至少一間隙間隔開，該間隙的寬度介於20μm至30μm之間，且每一該些金屬奈米線的線徑介於10nm至40nm之間。
7. 如請求項5所述的觸控模組，其中該第一水平觸控電極及該第二水平觸控電極各自具有由複數個電 極線交錯而成的網格狀圖案。
8. 如請求項7所述的觸控模組，其中每一該些電極線的寬度介於20μm至50μm之間，且任兩相鄰的該些電極線之間的距離介於20μm至30μm之間。
9. 如請求項1所述的觸控模組，其中每一該兩第一延伸部的至少一邊緣具有倒角、倒弧、圓弧或其組合的形狀。
10. 如請求項1所述的觸控模組，其中該第一跨接電極的材料包括至少一金屬，且該觸控模組更包括一氧化物層，覆蓋該第一跨接電極的至少一表面。
11. 如請求項1所述的觸控模組，其中該基板的材料包括鹼性玻璃，且該觸控模組更包括一隔絕層，設置於該基板與該第一水平觸控電極及該第二水平觸控電極之間。
12. 如請求項1所述的觸控模組，其中該第二跨接電極具有一第二主體部以及與該第二主體部相連的至少兩第二延伸部，該第二主體部在該第一方向上位於該兩第二延伸部之間，該兩第二延伸部分別對應於該第二水平觸控電極及該第三水平觸控電極設置，每一該兩第二延伸 部繞出至少一開孔，且對應於該第二水平觸控電極的該第一延伸部及該第二延伸部彼此相連。
13. 一種觸控模組，包括：一基板；一第一水平觸控電極及一第二水平觸控電極，沿一第一方向間隔設置於該基板上；一第三水平觸控電極，沿該第一方向與該第二水平觸控電極間隔設置於該基板上；一第一跨接電極，連接該第一水平觸控電極及該第二水平觸控電極，該第一跨接電極的至少一邊緣具有倒角、倒弧、圓弧或其組合的形狀；一第二跨接電極，連接該第二水平觸控電極及該第三水平觸控電極；一第一垂直觸控電極，設置於該基板上，並且在該第一方向上位於該第一水平觸控電極與該第二水平觸控電極之間，且與該第一跨接電極電性絕緣；以及一第二垂直觸控電極，設置於該基板上，並且在該第一方向上位於該第二水平觸控電極與該第三水平觸控電極之間，且與該第二跨接電極電性絕緣。
14. 如請求項13所述的觸控模組，其中該第一水平觸控電極及該第二水平觸控電極各自具有由複數個電極線交錯而成的網格狀圖案，且每一該些電極線包括一 基質及分佈於該基質中的複數個金屬奈米線。
15. 如請求項14所述的觸控模組，其中該第一水平觸控電極及該第二水平觸控電極各自與該第一垂直觸控電極之間以至少一間隙間隔開，該間隙的寬度介於20μm至30μm之間，且每一該些金屬奈米線的線徑介於10nm至40nm之間。
16. 如請求項13所述的觸控模組，其中該第一跨接電極的材料包括至少一金屬，且該觸控模組更包括一氧化物層，覆蓋該第一跨接電極的至少一表面。
17. 如請求項13所述的觸控模組，其中該基板的材料包括鹼性玻璃，且該觸控模組更包括至少一隔絕層，設置於該基板與該第一水平觸控電極及該第二水平觸控電極之間。
18. 如請求項13所述的觸控模組，其中該第一跨接電極的寬度介於5μm至30μm之間。
19. 如請求項13所述的觸控模組，更包括一絕緣層，設置於該第一水平觸控電極及該第二水平觸控電極與該第一跨接電極之間。
20. 一種包括如請求項1所述之觸控模組的觸控裝置。

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