TWI788473B - 增進具有多重厚度之玻璃物件的iox加工性之方法 - Google Patents
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Abstract
本案提供製造具有不同厚度區段之玻璃基底物件的方法,其中較薄區段中的最大中央張力小於較厚區段中的最大中央張力。方法包含減少玻璃基底物件包含自表面延伸至壓縮深度的壓縮應力層之區域的厚度,以形成具有多重厚度區域的玻璃基底物件,然後對該玻璃基底物件進行離子交換以在具有最大中央張力的較薄區域中形成應力輪廓,該最大中央張力小於較厚區域應力輪廓的最大中央張力。亦提供以該方法製造的玻璃物件。
Description
本申請案主張2017年11月30日申請之美國臨時申請案第62/592,698號的優先權權益,藉由全文引用依賴優先權案之內容並將優先權案之內容全文併入本文中。
揭示內容之實施例大致上是關於具有不同厚度區段的離子交換玻璃基底物件以及用於製造該物件的方法。
玻璃基底物件使用於各種產業中,包括消費性電子、運輸、建築、國防、醫療及封裝。就消費性電子而言,玻璃基底物件使用於電子裝置中作為攜帶式或移動式電子通訊及娛樂裝置(例如攜帶式電話、智慧型手機、平板電腦、影音播放器、資訊終端(IT)裝置、筆記型電腦、導航系統等等)的蓋板或窗。在建築中,玻璃基底物件包括在窗、淋浴柱以及檯面中;以及在運輸中,玻璃基底物件出現在自動車、火車、飛機以及船舶中。玻璃基底物件適合任何需要極佳破裂抗性但薄且輕量化之物件的應用。對各產業來說,玻璃基底物件的機械及/或化學可靠度通常藉由功能性、效能及成本來推動。改進該等物件的機械及/或化學可靠度為持續的目標。
化學處理是賦予所欲的/經設計的應力輪廓之強化方法,所欲的/經設計的應力輪廓具有下列參數中的一或更多者:壓縮應力(CS)、壓縮深度(DOC)以及最大中央張力(CT)。許多玻璃基底物件,包括具有經設計的應力輪廓之物件,具有壓縮應力,該壓縮應力在玻璃表面處為最高或為峰值,且該壓縮應力隨著移動遠離表面自峰值減小,以及在玻璃物件中的應力變為張力之前,在玻璃物件的某些內部位置處具有零應力。藉由含鹼金屬玻璃的離子交換(IOX)之化學強化為此領域中經驗證的方法學。
在消費性電子工業中,由於相較於塑膠的較佳美觀性及耐刮性,以及相較於非強化玻璃的較佳掉落表現加上較佳耐刮性,使用化學強化玻璃作為顯示器蓋體的較佳材料。在過去,蓋體玻璃的厚度大多為一致的。但現在,人們對非一致性厚度的蓋體玻璃設計感到興趣。
需要具有非一致性厚度的化學強化玻璃物件。
揭示內容的態樣是關於具有不同厚度區段的玻璃基底物件及其製造方法。
依據態樣(1),提供製造玻璃基底物件的方法。該方法包括:減少含有自表面延伸至壓縮深度並具有第一厚度t1
之壓縮應力層的玻璃基底物件部分的厚度,以形成含有具第二厚度t2
區域的玻璃基底物件;以及將該含有具第二厚度t2
區域的玻璃基底物件暴露至包括鹼金屬離子之浴中,以將該含有具第二厚度t2
區域的玻璃基底物件離子交換,以形成具有第一厚度t1
區域的第一應力輪廓以及具有第二厚度t2
區域的第二應力輪廓,該具有第一厚度t1
區域的第一應力輪廓包括第一中央張力區,該第一中央張力區包括第一最大中央張力(CT1
),該具有第二厚度t2
區域的第二應力輪廓包括第二中央張力區,該第二中央張力區包括第二最大中央張力(CT2
)。CT2
小於CT1
,以及t2
小於t1
。
依據態樣(2),提供態樣(1)的方法,進一步包括將玻璃基底基板暴露至包括鹼金屬離子的浴中,以將該玻璃基底基板離子交換並形成包括自表面延伸至壓縮深度之壓縮應力層的玻璃基底物件。
依據態樣(3),提供態樣(2)的方法,其中將該玻璃基底基板暴露至包括鹼金屬離子的第一浴中歷時第一時長,接著將該玻璃基底基板暴露至包括鹼金屬離子的第二浴中歷時第二時長。
依據態樣(4),提供態樣(2)或(3)的方法,其中該玻璃基底基板為含鋰鋁矽酸鹽,以及該浴包括鉀及鈉的離子。
依據態樣(5),提供態樣(1)至(4)中任一態樣的方法,其中該包括自表面延伸至壓縮深度之壓縮應力層的玻璃基底物件為積層物,該積層物包含具有不同熱膨脹係數的層,以及該玻璃基底物件經熱處理以產生該壓縮應力層。
依據態樣(6),提供態樣(1)至(5)中任一態樣的方法,其中減少該厚度包括切削以及拋光中的至少一者。
依據態樣(7),提供態樣(1)至(6)中任一態樣的方法,其中減少該厚度包括酸蝕刻。
依據態樣(8),提供態樣(1)至(7)中任一態樣的方法,其中該具有第一厚度t1
區域包括一第一壓縮應力(CS1
),以及該具有第二厚度t2
區域包括一第二壓縮應力(CS2
),其中CS2
小於CS1
。
依據態樣(9),提供態樣(1)至(8)中任一態樣的方法,其中該具有第一厚度t1
區域包括一第一壓縮深度(DOC1
),以及該具有第二厚度t2
區域包括一第二壓縮深度(DOC2
),其中其中DOC2
小於DOC1
。
依據態樣(10),提供態樣(1)至(9)中任一態樣的方法,其中該玻璃基底物件包括鹼石灰矽酸鹽、鹼金屬鋁矽酸鹽、含鹼金屬硼矽酸鹽、含鹼金屬鋁硼矽酸鹽或含鹼金屬磷矽酸鹽。
依據態樣(11),提供態樣(1)至(10)中任一態樣的方法,其中該玻璃基底物件包括含鋰鋁矽酸鹽。
依據態樣(12),提供態樣(1)至(11)中任一態樣的方法,其中該具有第二厚度t2
區域與該玻璃基底物件的所有邊緣錯開。
依據態樣(13),提供態樣(1)至(12)中任一態樣的方法,其中t2
比t1
小至少100微米。
依據態樣(14),提供態樣(1)至(13)中任一態樣的方法,進一步包括一或更多金屬,該一或更多金屬選自由以下金屬所組成的群組:銀、銅、鋅、鈦、銣及銫。
依據態樣(15),提供玻璃基底物件,玻璃基底物件由態樣(1)至(14)中任一態樣的方法製造。
依據態樣(16),提供消費性電子產品。該消費性電子產品包括:外殼,該外殼具有前表面、背表面以及側表面;電子部件,該電子部件至少部分提供在該外殼之內,該電子部件包含至少控制器、記憶體以及顯示器,該顯示器可提供於該外殼的該前表面處或鄰接該外殼的該前表面;以及蓋板,該蓋板安置在該顯示器上方。該外殼及該蓋板中至少一者的一部份包括態樣(15)的玻璃基底物件。
在說明數種示例性實施例之前,應理解並不將揭示內容限制為列舉於以下揭示內容中建構或處理步驟的細節。本文所提供的揭示內容能用於其他實施例並以各種方式實踐或實現。
此說明書通篇提及的「一個實施例」、「特定實施例」、「各式實施例」、「一或更多實施例」或「一實施例」是指在揭示內容的至少一個實施例中包含與實施例有關所描述的特定特徵、結構、材料或特性。因此,例如在此說明書通篇的各處中,「在一或更多實施例中」、「在特定實施例中」、「在各式實施例中」、「在一個實施例中」或「在一實施例中」的片語的出現無須參照至相同實施例。還有,在一或更多實施例中可以任何合適的手法組合特定特徵、結構、材料或特性。
使用用語「玻璃基底」來包含完全或部分由玻璃製成的任何物品,包含玻璃陶瓷(包含非晶相或結晶相)以及玻璃與非玻璃材料的積層物,例如玻璃與結晶材料的積層物。依據一或更多實施例的玻璃基底基板可選自鹼石灰矽酸鹽玻璃、鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃、含鹼金屬硼矽酸鹽玻璃、含鹼金屬鋁硼矽酸鹽玻璃以及含鹼金屬磷矽酸鹽。
「基底組合物」為基板在任何離子交換(IOX)處理前的化學構成方式。也就是說,基底組合物未被來自IOX的任何離子摻雜。本文所使用的「玻璃基底基板」是指在強化處理以形成壓縮應力層之前的前體。相似地,「玻璃基底物件」是指包含壓縮應力層的離子交換後物件。
應注意用語「實質上」及「約」可運用於本文來表現可歸因於任何量化比較、值、量測或其他表徵不確定性的固有程度。該等用語也運用在本文中表現量化表徵可自載明之基準改變,而不在討論中的申請標的基本功能上產生變化的程度。因此,舉例而言,「實質上不含MgO」的玻璃基底物件為玻璃基底物件不主動添加或不主動批次處理MgO至玻璃基底物件中,但可存在很小量作為汙染物,例如小於0.01 mol%量。如本文所運用的,當使用語「約」用來修飾值時,亦揭示了精確值。
「應力輪廓」是指有關玻璃基底物件或其任何部分內之位置的應力。壓縮應力區自物件的第一表面延伸至壓縮深度(DOC),其中物件處在壓縮應力下。中央張力區自DOC延伸至包含物件處在張應力下的區域。
如本文所使用的,壓縮深度(DOC)是指玻璃基底物件內之應力由壓縮改變為張應力處的深度。在DOC處,應力由正(壓縮)應力過渡到負(張力)應力,因此呈現出零的應力值。依據一般用於機械技藝中的慣例,將壓縮以負(< 0)應力表示,以及將張力以正(> 0)應力表示。然而,在整篇的此說明內容中,將壓縮應力(CS)以正值或絕對值表示──也就是如本文所記載的CS=│CS│。此外,本文將張應力以負(< 0)應力表示,或者在明確識別出張應力的一些情形中,以絕對值表示。中央張力(CT)是指在玻璃基底物件的中央區域或中央張力區中的張應力。最大中央張力(最大CT或CT最大
)發生在中央張力區中,並且經常位在0.5•t
處,其中t
為壓縮應力層為對稱之物件的物件厚度。
沿著物件厚度(t
)、第一區段厚度 (t1
)或第二區段厚度(t2
)之至少實質部分改變的非零鹼金屬氧化物濃度意指由於離子交換,已在物件、第一區段或第二區段中各自產生應力。本文金屬氧化物濃度的改變可參照為金屬氧化物濃度梯度。濃度非零且沿部分厚度改變的金屬氧化物可描述為在玻璃基底物件中產生應力。一或更多金屬氧化物的濃度梯度或變化藉由化學強化玻璃基底基板產生,其中將玻璃基底基板中複數個第一金屬離子以複數個第二金屬離子交換。
除非另有指名,本文的CT及CS以百萬帕斯卡(MPa)表示,而厚度及DOC則以毫米或微米(微公尺)表示。
CT及DOC使用技藝中已知的彼等手段量測,例如使用Glasstress (愛沙尼亞)的SCALP-5量測系統藉由散射偏光測定法量測。用於量測CT及DOC的其他可能技術包括使用市售儀器,例如折原製作所(日本)製的FSM-6000的表面應力計。表面應力量測依賴應力光學係數(SOC)的準確量測,SOC則關於玻璃的雙折射性。亦依照技藝中已知的彼等方法,例如描述於ASTM標準C770-16,名稱為「用於玻璃應力光學係數量測的標準測試方法(Standard Test Method for Measurement of Glass Stress-Optical Coefficient)」的流程C (玻璃盤法;Glass Disc Method)來量測SOC,藉由其全文引用將前述方法之內容併入本文。
先進的含鹼金屬玻璃離子交換(IOX)聚焦於厚度一致的玻璃基底物件。然而,現今玻璃基底物件經設計而在邊緣處及遠離邊緣的區域中皆具有非一致性厚度。一個示例性應用為在玻璃基底蓋體中形成凹部以容置指紋感測器,來取代傳統接收指紋感測器的通孔或貫穿槽。藉由在強化玻璃中容置指紋感測器,傳統的聚合物指紋感測器蓋體被移除了,因為在蓋體玻璃上沒有突出或開槽的特徵,能實現改善的耐刮性及較佳的使用者經驗。當具有非一致性厚度的基板在先進技藝的IOX方法下化學強化時,較薄區段可具有比較厚區段高的中央張力(CT)。這是由於力平衡對抵消物件中的壓縮應力是必要的。當厚區域及薄區域具有相同的壓縮應力層時,因為抗衡壓縮應力所需的總應力被侷限於小面積,薄區域必須具有較高CT。較薄區段中的較高CT對最終玻璃基底物件的可靠度是不利的,及在許多案例中,會使最終玻璃基底物件易碎,這是不理想的。由於玻璃基底物件不同區域之間的厚度差增加,較薄區段的較高CT防礙較厚區段具有所欲之壓縮應力及壓縮深度,同時也防礙維持較薄區段的非易碎性。基於此理由,理想的製造具有多重厚度之玻璃基底物件的方法為,其中較厚區域具有所欲之壓縮應力及壓縮深度特性,且如較薄區段中較低的最大CT所示,較薄區段為非易碎的。
本文所揭示的方法製造玻璃基底物件的優勢是在於其具有不同厚度區段,並且較厚區段具有較高壓縮應力與深壓縮深度,而同時薄區段具有夠低的最大中央張力,以避免不理想的破裂特性,例如易碎性。在一些實施例中,玻璃基底物件包含應力輪廓,該應力輪廓包含在具有第一厚度之第一區段中的第一中央張力以及在具有第二厚度的第二區段中的第二中央張力,其中第二厚度小於第一厚度,以及第二中央張力小於第一中央張力。玻璃基底物件由在基底組合物中具有一或更多鹼金屬的基板形成,該基板暴露至離子交換,使得該物件包括一或更多離子交換金屬。該一或更多離子交換金屬可包括下列一或更多者:鋰、鉀及鈉。另外的離子交換金屬可包括選自由包含銀、銅、鋅、鈦、銣及銫之群組的一或更多金屬。
可藉由單、雙或多步驟離子交換(IOX)強化玻璃基底基板。Douglas C. Allan等人在2013年10月22日獲准之名為「Glass with Compressive Surface for Consumer Application」的美國專利第8,561,429號描述了玻璃浸泡在多重離子交換浴中,且在浸泡之間具有清洗及/或退火步驟的離子交換製程之非限制性範例,其中藉由浸泡在不同濃度鹽浴中的連續多重離子交換處理來強化玻璃;以及Christopher M. Lee等人在2012年11月20日獲准之名為「Dual Stage Ion Exchange for Chemical Strengthening of Glass」的美國專利第8,312,739號中,藉由在以流出物離子稀釋的第一浴中離子交換,接著浸入具有比第一浴流出物離子濃度小的第二浴中來強化玻璃。美國專利第8,561,429號及第8,312,739號的內容藉由全文引用全部併入本文中。
也可藉由熱回火來強化玻璃基底基板。在一些實施例中,玻璃基底基板可為具有不同熱膨脹係數的多層積層物,使得熱處理後的玻璃基底物件形成具有自表面延伸至壓縮深度的壓縮層。
在玻璃基底物件中,具有鹼金屬氧化物,該鹼金屬氧化物具有沿著至少一部份t1
的第一區段及沿著至少一部份t2
的第二區段兩者獨立改變的非零濃度。由於沿著各厚度的部分改變之金屬氧化物非零濃度,因而產生在各區段中的應力輪廓。在一些實施例中,金屬氧化物的濃度為非零且沿著0•(t1
ort2
)至約0.3•(t1
ort2
)範圍的厚度兩者而改變。在一些實施例中,金屬氧化物的濃度為非零且沿著0•(t1
ort2
)至約0.35•(t1
ort2
)、0•(t1
ort2
)至約0.4•(t1
ort2
)、0•(t1
ort2
)至約0.45•(t1
ort2
)、0•(t1
ort2
)至約0.48•(t1
ort2
)或0•(t1
ort2
)至約0.50•(t1
ort2
)範圍的厚度而改變。濃度改變可沿著上述參考厚度範圍為連續。濃度改變可沿著約100微公尺的厚度片段包含約至少約0.2 mol%的金屬氧化物濃度改變。金屬氧化物濃度改變可沿著約100微公尺的厚度片段為至少約0.3 mol%、至少約0.4 mol%或至少約0.5 mol%。此改變可藉由包含微探針的技藝中已知之方法量測。
在一些實施例中,濃度改變可沿著約10微公尺至約30微公尺範圍的厚度片段為連續。在一些實施例中,金屬氧化物濃度自第一或第二區段的第一表面至第一表面與第二表面之間的點減少,且自該點至該第二表面增加。
金屬氧化物濃度可包含超過一種的金屬氧化物(例如:Na2
O及K2
O的組合)。在一些實施例中,當運用兩種金屬氧化物以及當離子半徑相互為不同時,在淺深度具有較大半徑的離子濃度比具有較小半徑的離子濃度大,然而在較深深度,具有較小半徑的離子濃度比具有較大半徑的離子濃度大。舉例而言,當在離子交換製程中使用單一含Na及含K浴時,在較淺深度處玻璃基底物件中的K+
離子濃度比Na+
離子濃度大,然而在較深深度處Na+
濃度比K+
離子濃度大。某種程度上,這是由於較小單價離子交換進入玻璃內的單價離子尺寸所導致。在此類玻璃基底物件中,由於在表面處或接近表面的較大離子(例如:K+
離子)的量較多,在表面處或接近表面的面積包括較大CS。還有,應力輪廓的斜率因為由於來自固定表面濃度的化學擴散所達成的濃度輪廓本質,典型地隨著離表面的距離而減少。
在一或更多個實施例中,金屬氧化物濃度梯度的改變延伸通過區段的厚度t1
或t2
實質部分或整個厚度t1
或t2
。在一些實施例中,金屬氧化物濃度可沿著第一及/或第二區段的整個厚度為約0.5 mol%或更大(例如:約1 mol%或更大),以及在第一表面及/或第二表面0•(t1
或t2
)處為最大並且至第一與第二表面之間的點實質上穩定地減小。在那點處,金屬氧化物濃度沿著整個厚度t1
或t2
為最小;然而,濃度在那點依然為非零。換句話說,特定金屬氧化物的非零濃度沿著厚度t1
或t2
實質部分(如本案所述)或整個厚度t1
或t2
延伸。在玻璃基底物件中特定金屬氧化物的總濃度可在約1 mol%至約20 mol%的範圍內。
金屬氧化物濃度可從玻璃基底基板中的金屬氧化物基準量來決定,該玻璃基底基板經離子交換以形成玻璃基底物件。玻璃基底基板中的金屬氧化物濃度可在約1 mol%至約20 mol%的範圍內。
在已形成由表面延伸至壓縮深度的壓縮應力層之後,本文所揭示的玻璃基底物件藉由減少玻璃基底物件部分的厚度製造。厚度減少亦移除壓縮應力層,因而減少必藉由中央張力所平衡的總壓縮應力。此在較薄區域中整體應力的減少會減小在經減少之厚度區域中的中央張力。然後能將玻璃物件離子交換而不提升經減少之厚度區域的中央張力至產生不理想破裂行為(例如易碎性)的點。
回到圖式,圖1說明依據實施例製造具有多重厚度之玻璃基底物件的示例性方法。如圖1中所示,方法包含減少厚度420,該厚度為具有壓縮應力層之玻璃基底物件部分的厚度,以製造具有經減少之厚度區域的玻璃基底物件。然後具有經減少之厚度區域的玻璃基底物件經受離子交換430,使得玻璃基底物件的壓縮應力及壓縮深度在經減少之厚度區域及厚度未減少之區域兩者中增加。這樣一來,若在單一離子交換步驟中完成非減少厚度區段的壓縮應力及壓縮深度,該非減少厚度區段的壓縮應力及壓縮深度可增加至會使經減少之厚度區段易碎的等級。方法可選地包含在厚度減少步驟之前,在玻璃基底物件中形成壓縮應力層410。
可藉由任何適當的方法執行厚度減少。在一些實施例中,藉由機械製程,例如拋光或研磨,來減少厚度。在一些其他實施例中,藉由化學製程,例如酸蝕刻,來減少厚度。在另外其他的實施例中,可運用機械及化學製程的組合來減少玻璃基底物件區域的厚度。
圖2A說明在厚度減少之前,具有自表面延伸至壓縮深度202之壓縮應力層的玻璃基底物件200之截面。處理玻璃基底物件200以減少遠離邊緣之中央區域的厚度,產生如圖2B中所示,具有經減少之厚度區域212的玻璃基底物件210。厚度減少亦自經減少之厚度區域212移除壓縮應力層。然後玻璃基底物件210經受離子交換處理,以提供具有壓縮應力層的玻璃基底物件220,該壓縮應力層具有包含經減少之厚度區域且圍繞玻璃基底物件整體周圍存在的壓縮深度222。如圖2C中所說明的,由於離子交換前在經減少之厚度區域212中的原始壓縮應力層移除,當經減少之厚度區域中壓縮深度222與非減少厚度區域比較時,壓縮深度222是減少。玻璃基底物件200處理之前就存在的壓縮深度202圖示於圖2C中做為比較用。
圖3A說明在厚度減少之前,具有自表面延伸至壓縮深度302之壓縮應力層的玻璃基底物件300之截面。處理玻璃基底物件300以減少邊緣區域的厚度,產生如圖3B中所示,具有經減少之厚度區域312的玻璃基底物件310。厚度減少亦自經減少之厚度區域312移除壓縮應力層。然後玻璃基底物件310經受離子交換處理,以提供具有壓縮應力層的玻璃基底物件320,該壓縮應力層具有包含經減少之厚度區域且圍繞玻璃基底物件整體周圍存在的壓縮深度322。如圖3C中所說明的,由於離子交換前在經減少之厚度區域中的原始壓縮應力層移除,當經減少之厚度區域312中壓縮深度322與非減少厚度區域比較時,壓縮深度322是減少的。玻璃基底物件300處理之前就存在的壓縮深度302圖示於圖3C中做為比較用。
圖4說明依據實施例製造具有多重厚度之玻璃基底物件的示例性方法。如圖4中所示,方法包含減少厚度420,該厚度為具有壓縮應力層的玻璃基底物件部分的厚度,以製造具有經減少之厚度區域的玻璃基底物件。然後具有經減少之厚度區域的玻璃基底物件經受離子交換430,使得玻璃基底物件的壓縮應力及壓縮深度在經減少之厚度區域及厚度未減少之區域兩者中增加。這樣一來,若在單一離子交換步驟中完成非減少厚度區段的壓縮應力及壓縮深度,該非減少厚度區段的壓縮應力及壓縮深度可增加至會使經減少之厚度區段易碎的等級。方法可選地包含在厚度減少步驟之前,在玻璃基底物件中形成壓縮應力層410。在減少厚度420 (該厚度為玻璃基底物件部分的厚度)之前,可切割玻璃基底物件至適當尺寸415。舉例而言,在減少厚度420 (該厚度為玻璃基底物件的厚度)之前,可切割具有壓縮層的大片玻璃至所欲的部件尺寸。
方法還包含將玻璃基底物件形成為3D或2.5D形狀。本文所使用的「2.5D形狀」是指具有至少一個主表面以及第二主表面的片狀物件,該至少一個主表面為至少部分非平面,該第二主表面為實質平面。本文所使用的「3D形狀」是指具有第一及第二相對主表面的物件,該第一及第二相對主表面至少部分非平面。此成形可發生在製程中的任何時間。在一些實施例中,此額外的成形可發生在減少玻璃基底物件部分的厚度之前。在其他實施例中,此成形可發生在厚度減少之後,例如在玻璃基底物件離子交換之前或之後。
在一些實施例中,玻璃基底物件經受厚度減少處理的壓縮應力層可藉由任何適當方法形成。在一些實施例中,壓縮應力層可藉由離子交換處理形成。在其他實施例中,壓縮應力層可藉由熱回火形成。
製造具有經減少之厚度區域的玻璃基底物件的方法可包含額外的離子交換處理。運用多重離子交換處理能使在單一離子交換處理中無法達成之具有獨特性應力輪廓的應力輪廓形成。方法還可包含多重處理步驟,在其中減少玻璃基底物件部分的厚度。該等額外的厚度減少可或不可藉由離子交換處理分開。運用多重厚度減少步驟使具有複數個不同厚度區域的玻璃基底物件製造成為可能。
圖5說明在一實施例中遠離邊緣具有非一致性厚度的玻璃基底物件100。第一區段102具有第一厚度(t1
)以及第一最大中央張力(CT1
)。線114表明物件100的中線。第二區段104具有第二厚度(t2
)以及第二最大中央張力(CT2
)。通常,t1
與t2
之間的差為至少100微米。在一或更多實施例中,t1
比t2
大至少100微米。t2
可在0.05•t1
至0.96•t1
的範圍。在一或更多實施例中,t2
相對於t1
減少超過或等於約20%,或者減少超過或等於約30%、超過或等於約40%、超過或等於約50%、超過或等於約60%、超過或等於約70%、超過或等於約80%、超過或等於約90%、超過或等於約95%以及前述範圍之間的所有值及子範圍。t1
可在0.3 mm至2.5 mm的範圍以及前述範圍之間的所有值及子範圍;以及t2
可在0.025 mm至2.4 mm的範圍以及前述範圍之間的所有值及子範圍。儘管在與第一區段相同的條件下經離子交換,CT2
小於CT1
有益於確保第二區段為非易碎。雖然圖式繪示與物件剩餘部份具有不同厚度的單一區段,應注意在相同物件中可具有不同深度的多重區段或凹穴。
在此實施例中,第二區段104與物件100的所有邊緣106、108、110及112錯開。也就是說,第二區段104不與邊緣106、108、110及112中的任一者相交。
圖6說明藉由側邊116、118、120及122界定的第二區段104。在此實施例中,第二區段104是一經設計以容納指紋感測器或類似物的薄凹穴。線124表明第二區段104的中線。圖7說明沿著圖6的線124的物件100之截面。側邊116、118、120及122提供自第二區段104的主體105至第一區段102的過渡。在一些實施例中,物件具有141.4毫米以68.4毫米的尺寸,以及第一區段為0.6毫米厚。在一些實施例中,凹穴具有5.6毫米以12.3毫米的尺寸,以及第二區段為0.3毫米厚。
圖8A說明沿著圖5的中線114的物件100之截面以及第二區段104的位置。圖8B說明具有過渡至第一區段102的側邊120及122之第二區段104截面的特寫。
可使用各式不同製程提供玻璃基底基板。舉例而言,示例性玻璃基底基板形成方法包含浮式玻璃製程以及下拉製程,例如熔融拉製及狹縫拉製。製備玻璃基底基板可藉由將熔融玻璃浮在熔融金屬床上,典型地為錫上,以製造特徵為表面光滑且厚度一致的浮式玻璃。在範例製程中,進料到熔融錫床表面上的熔融玻璃形成浮式玻璃帶。因為玻璃帶沿著錫床流動,溫度逐漸地降低直至玻璃帶固化成能從錫舉起至輥上的固態玻璃基底基板。一但離開浴,能將玻璃基底基板進一步冷卻、退火,以減少內應力,以及可選地拋光。
下拉製程產生擁有相對未受物染表面且具有一致厚度的玻璃基底基板。因為玻璃基底基板的平均彎曲強度藉由表面缺陷的量及尺寸控制,未受物染表面具有較高初始強度。當接著進一步(例如:化學地)強化此高強度玻璃基底基板時,產生的強度可比具有經研光或拋光表面的玻璃基底基板的強度高。可拉製下拉玻璃基底基板至小於約2 mm的厚度。此外,下拉玻璃基底基板具有非常平坦、光滑的表面,能使用在其最終應用中而無須昂貴的研磨或拋光。
舉例而言,熔融拉製製程使用具有用於接收熔融玻璃粗料之導槽的拉製槽。導槽具有在導槽兩側上沿著導槽長度在頂部處開口的堰。當導槽填滿熔融材料時,熔融玻璃溢流過堰。由於重力,熔融玻璃流下拉製槽的外側表面成為兩個流動玻璃膜。拉製槽的該等外側表面向下並向內延伸,因此該等外側表面在拉製槽下方的邊緣處接合。兩個流動玻璃膜在此邊緣處接合,以融合並形成單一流動玻璃基底基板。熔融拉製法提供優勢,因為兩個玻璃膜流過導槽融合在一起,生成的玻璃基底基板外側表面都沒有與設備的任何部件接觸。因此,熔融拉製玻璃基底基板的表面性質不被此類接觸影響。
狹縫拉製製程與熔融拉製法不同。在狹縫拉製製程中,提供熔融玻璃粗料玻璃至拉製槽。拉製槽的底部有開口狹縫,其具有延伸狹縫長度的噴嘴。熔融玻璃流過狹縫/噴嘴並向下拉製為連續基板以及進入退火區。
玻璃基底基板的示例性基底組合物可包括但不限定為:鹼石灰矽酸鹽、鹼金屬鋁矽酸鹽、含鹼金屬硼矽酸鹽、含鹼金屬鋁硼矽酸鹽或含鹼金屬磷矽酸鹽。玻璃基底基板可包括含鋰鋁矽酸鹽。
雖然考量到其他玻璃組合物,但可用作基板的玻璃範例可包括鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組合物或含鹼金屬鋁硼矽酸鹽玻璃組合物。此類玻璃組合物的特徵在於可離子交換。本文所使用的「可離子交換」是指包含可交換陽離子之組合物的基板,該可交換陽離子位在基板表面處或接近基板表面並在尺寸上為更大或更小的同價陽離子。
在一實施例中,基底玻璃組合物包括鹼石灰矽酸鹽玻璃。在一實施例中,鹼石灰矽酸鹽玻璃組合物以氧化物計為:73.5 wt% SiO2
;1.7 wt% Al2
O3
;12.28 wt% Na2
O;0.24 wt% K2
O;4.5 wt% MgO;7.45 wt% CaO;0.017 wt% ZrO2
;0.032 wt% TiO2
;0.002 wt% SnO2
;0.014 wt% SrO;0.093 wt% Fe2
O3
;0.001 wt% HfO2
;0.028 wt% Cl氧化物以及0.203 wt% SO3
。
在特定實施例中,適於基板的鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組合物包括氧化鋁、至少一種鹼金屬以及,在一些實施例中,大於50 mol% SiO2
,在其他實施例中,至少58 mol% SiO2
,以及在還有其他的實施例中至少60 mol% SiO2
,其中比值((Al2
O3
+ B2
O3
)/Ʃ修飾劑) > 1,在該比值中成分以mol%表示,以及修飾劑為鹼金屬氧化物。在特定實施例中,此玻璃組合物包括:58~72 mol% SiO2
;9~17 mol% Al2
O3
;2~12 mol% B2
O3
;8~16 mol% Na2
O;以及0~4 mol% K2
O,其中比值((Al2
O3
+ B2
O3
)/Ʃ修飾劑) > 1。
在還有另一個實施例中,基板可包含鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組合物,該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組合物包括:64~68 mol% SiO2
;12~16 mol% Na2
O;8~12 mol% Al2
O3
;0~3 mol% B2
O3
;2~5 mol% K2
O;4~6 mol% MgO;以及0~5 mol% CaO,其中: 66 mol% ≤ (SiO2
+ B2
O3
+ CaO) ≤ 69 mol% ;(Na2
O + K2
O + B2
O3
+ MgO + CaO + SrO) > 10 mol%;5 mol% < (MgO + CaO + SrO) ≤ 8 mol% ;(Na2
O + B2
O3
) < Al2
O3
< 2 mol% ;2 mol% < Na2
O < Al2
O3
< 6 mol%;以及4 mol.% < (Na2
O + K2
O) < Al2
O3
≤ 10 mol%。
在替代實施例中,基板可包括鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃。在一實施例中,鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃具有組合物,該組合物包括:2 mol%或更多的Al2
O3
及/或ZrO2
,或者4 mol%或更多的Al2
O3
及/或ZrO2
。
在另一個實施例中,基板可包括含鋰鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃。在一實施例中,含鋰鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃具有組合物,該組合物以mol%計包含約60%至約75%範圍之量的SiO2
、約12%至約20%範圍之量的Al2
O3
、約0%至約5%範圍之量的B2
O3
、約2%至約8%範圍之量的Li2
O、大於約4%之量的Na2
O、約0%至約5%範圍之量的MgO、約0%至約3%範圍之量的ZnO、約0%至約5%範圍之量的CaO以及非零量的P2
O5
;其中玻璃基板為可璃子交換且為非晶,其中組合物中的Al2
O3
及Na2
O總量大於約15 mol%。
藉由將可離子交換玻璃基板放置在含有擴散進入玻璃中之陽離子(K+
、Na+
、Ag+
等等)的熔融浴中來完成具有基底組合物之玻璃基板的化學強化,同時玻璃的較小鹼金屬離子(Na+
、Li+
)擴散出進入熔融浴中。較小陽離子被較大陽離子取代在接近玻璃頂表面產生壓縮應力。在玻璃內部中產生張應力以平衡近表面壓縮應力。
可將玻璃基底基板暴露至包含鹼金屬離子的第一浴經歷第一時長,接著暴露至包含鹼金屬離子的第二預經歷第二時長。在詳細的實施例中,玻璃基底基板為含鋰鋁矽酸鹽,以及浴包括鉀及鈉的離子。
對較佳耐刮性以及掉落表現而言較高壓縮應力(CS)是所欲的。較高DOC亦改善掉落表現,因此亦為較佳。然而,較高CS及DOC產生較高CT,這對裂縫傳播是不理想的,以及若CT太高,會導致樣品易碎性。
依據本文所述的方法製造的玻璃基底物件在低於易碎性極限的薄區段中可具有最大CT值。
物件在接近延伸超過約2~30微米,例如約2~20 um深度的表面可具有壓縮應力輪廓的高斜率(>10 MPa/um)區。>450 MPa以及較佳>650 MPa的峰值壓縮應力可存在表面處。此區域可稱作為尖峰。在一些實施例中,包含經減少之厚度區域的玻璃基底物件離子交換處理足以形成尖峰區,使得尖峰存在經減少之厚度區域以及非減少厚度區域兩者上。
易碎行為的特徵可於下列至少一者中:強化玻璃物件(例如:板或片)斷裂成多個小塊(例如:≤ 1 mm);玻璃物件每單位面積形成的碎塊數目;來自玻璃物件中初始裂縫的多個裂縫分支;至少一個碎塊從其原始位置猛烈噴出至指定距離(例如:約5 cm或約2吋);以及任意前述斷裂(尺寸及密度)、裂開以及噴出行為中的組合。本文使用的術語「易碎行為」以及「易碎性」是指彼等不存在任何外部約束,例如塗層、黏著層或類似物的強化玻璃物件猛烈或有力的碎裂模式。雖然可與本文所述的強化玻璃物件一同使用塗層、黏著層等等,並不使用這類外部約束決定玻璃物件的易碎性或易碎行為。
在一些實施例中,第一區段中的第一壓縮深度(DOC1
)位在0.15•t 1
或更深。DOC1
可在0.15•t 1
至0.23•t 1
的範圍中以及前述範圍之間的所有值及子範圍。
在一些實施例中,具有經減少之厚度的第二區段中的第二壓縮深度(DOC2
),DOC2
位在0.075•t 2
或更深處。DOC2
可在0.075•t 2
至0.15•t 2
的範圍中以及前述範圍之間的所有值及子範圍。
在一些實施例中,玻璃基底物件可具有在第一區段(CS1
)中450 MPa或更大的表面壓縮應力以及在第二區段(CS2
)中450 MPa或更大的表面壓縮應力。CS1
以及CS2
可獨立地在450 MPa至1.2GPa、700 MPa至950 MPa的範圍中、或約800 MPa以及前述範圍之間的所有值及子範圍。
本文所述的玻璃基底物件可併入另一物件中,例如具有顯示器的物件(或顯示器物件)(例如;消費性電子,包含攜帶式電話、平板電腦、電腦、導航系統、可穿戴裝置(例如;手錶)等等)、建築物件、運輸物件(例如:汽車、火車、飛機、船舶等等)、電器物件或需要某些透明度、耐刮性、耐磨性或前述特性之組合的任何物件。併入本文揭示的任何玻璃基底物件之示例性物件示於圖9A及9B中。明確而言,圖9A及9B顯示出包含外殼902、電子部件(未圖示出)以及蓋體基板912的消費性電子裝置900,外殼902具有前表面904、背表面906以及側表面908,該電子部件至少部分在該外殼內側或完全在該外殼之內且包含至少控制器、記憶體以及顯示器910於該外殼的該前表面處或鄰接該外殼的該前表面,蓋體基板912在該外殼的前表面處或上方,使其在該顯示器上方。在一些實施例中,蓋體基板912及外殼902中至少一者的至少部分可包含本文所揭示的任何玻璃基底物件。
雖然前述內容是關於各式實施例,可設計揭示內容的其他以及進一步的實施例而不背離其基本範疇,以及藉由下列申請專利範圍決定其範疇。
100‧‧‧物件102‧‧‧第一區段104‧‧‧第二區段105‧‧‧主體106‧‧‧邊緣108‧‧‧邊緣110‧‧‧邊緣112‧‧‧邊緣114‧‧‧線116‧‧‧側邊118‧‧‧側邊120‧‧‧側邊122‧‧‧側邊124‧‧‧線200‧‧‧玻璃基底物件202‧‧‧壓縮深度210‧‧‧玻璃基底物件212‧‧‧經減少之厚度區域220‧‧‧玻璃基底物件222‧‧‧壓縮深度300‧‧‧玻璃基底物件302‧‧‧壓縮深度310‧‧‧玻璃基底物件312‧‧‧經減少之厚度區域320‧‧‧玻璃基底物件322‧‧‧壓縮深度410‧‧‧形成壓縮應力層415‧‧‧切割玻璃基底物件至適當尺寸420‧‧‧減少厚度430‧‧‧經受離子交換900‧‧‧消費性電子裝置902‧‧‧外殼904‧‧‧前表面906‧‧‧背表面908‧‧‧側表面910‧‧‧顯示器912‧‧‧蓋體基板
附圖說明以下數個實施例,該附圖併入此說明書之部分中且構成此說明書之部分。
圖1為流程圖,依據實施例說明製造具有多重厚度之玻璃基底物件的方法。
圖2A為玻璃基底物件的截面示圖,該玻璃基底物件具有自表面延伸至壓縮深度的壓縮應力層。
圖2B為玻璃基底物件的截面示圖,該玻璃基底物件藉由減少圖2A的玻璃基底物件部分的厚度形成。
圖2C為玻璃基底物件的截面示圖,該玻璃基底物件藉由將圖2B的玻璃基底物件離子交換形成。
圖3A為玻璃基底物件的截面示圖,該玻璃基底物件具有自表面延伸至壓縮深度的壓縮應力層。
圖3B為玻璃基底物件的截面示圖,該玻璃基底物件藉由減少圖3A的玻璃基底物件邊緣部分的厚度形成。
圖3C為玻璃基底物件的截面示圖,該玻璃基底物件藉由將圖3B的玻璃基底物件離子交換形成。
圖4為流程圖,依據實施例說明製造具有多重厚度的玻璃基底物件的方法。
圖5說明示例性玻璃基底物件。
圖6說明示例性玻璃基底物件的凹穴。
圖7說明圖7凹穴的截面。
圖8A說明圖5物件的截面。
圖8B說明具有不同厚度之圖5物件部份的特寫截面。
圖9A為示例性電子裝置的平面圖,該電子裝置併入任何本文所述的玻璃基底物件。
圖9B為圖9A示例性電子裝置的透視圖。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
410‧‧‧形成壓縮應力層
420‧‧‧減少厚度
430‧‧‧經受離子交換
Claims (11)
- 一種製造一玻璃基底物件的方法,包括以下步驟:減少含有自一表面延伸至一壓縮深度並具有一第一厚度t 1的一壓縮應力層的玻璃基底物件部分的厚度,以形成含有具有一第二厚度t 2區域的一玻璃基底物件;將含有具有該第二厚度t 2區域的該玻璃基底物件暴露至包含鹼金屬離子的一熔融浴中,以將含有具有該第二厚度t 2區域的該玻璃基底物件離子交換,以形成具有該第一厚度t 1區域的一第一應力輪廓以及具有該第二厚度t 2區域的一第二應力輪廓,具有該第一厚度t 1區域的該第一應力輪廓包括一第一中央張力區,該第一中央張力區包括一第一最大中央張力(CT1),具有該第二厚度t 2區域的該第二應力輪廓包括一第二中央張力區,該第二中央張力區包括一第二最大中央張力(CT2),其中|CT2|小於|CT1|;其中t 2 小於t 1 。
- 如請求項1所述之方法,進一步包括以下步驟:將一玻璃基底基板暴露至包括鹼金屬離子的一浴中,以將該玻璃基底基板離子交換並形成包括自該表面延伸至該壓縮深度之該壓縮應力層的該玻璃基底物 件。
- 如請求項2所述之方法,其中將該玻璃基底基板暴露至包括鹼金屬離子的一第一浴中歷時一第一時長,接著將該玻璃基底基板暴露至包括鹼金屬離子的一第二浴中歷時一第二時長。
- 如請求項1至3中任一項所述之方法,其中減少該厚度包括切削、拋光及酸蝕刻中的至少一者。
- 如請求項1至3中任一項所述之方法,其中該具有該第一厚度t 1 區域包括一第一壓縮應力(CS1),以及該具有該第二厚度t 2 區域包括一第二壓縮應力(CS2),其中CS2小於CS1。
- 如請求項1至3中任一項所述之方法,其中該具有該第一厚度t 1 區域包括一第一壓縮深度(DOC1),以及該具有該第二厚度t 2 區域包括一第二壓縮深度(DOC2),其中DOC2小於DOC1。
- 如請求項1至3中任一項所述之方法,其中該具有該第二厚度t 2 區域與該玻璃基底物件的所有邊緣錯開。
- 如請求項1至3中任一項所述之方法,其中t 2 比t 1 小至少100微米。
- 一種玻璃基底物件,藉由請求項1至3中任一項所述之方法製造。
- 一種消費性電子產品,包含:一外殼,具有一前表面、一背表面以及側表面;電子部件,該電子部件至少部分提供在該外殼之內,該電子部件包含至少一控制器、一記憶體以及一顯示器,該顯示器提供於該外殼的該前表面處或鄰接該外殼的該前表面;以及一蓋板,該蓋板安置在該顯示器上方;其中該外殼及該蓋板中至少一者的一部份包括如請求項9所述之玻璃基底物件。
- 如請求項1所述之方法,在該暴露的步驟之前,進一步包括以下步驟:將一玻璃基底物件暴露至包含鹼金屬離子的一第一熔融浴中,以將該玻璃基底物件離子交換並形成包括自表面延伸至壓縮深度之一壓縮應力層的該玻璃基底物件;以及減少含有自該表面延伸至該壓縮深度並具有一第一厚度t 1的一壓縮應力層的玻璃基底物件部分的厚度,以形成含有具有一第二厚度t 2區域的一玻璃基底物件。
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