TWI787222B

TWI787222B - 發光元件、有機化合物、發光裝置、電子裝置、及照明裝置

Info

Publication number: TWI787222B
Application number: TW106144538A
Authority: TW
Inventors: 山口知也; 吉住英子; 木戶裕允; 高橋辰義; 瀬尾哲史
Original assignee: 日商半導體能源研究所股份有限公司
Priority date: 2016-12-28
Filing date: 2017-12-19
Publication date: 2022-12-21
Also published as: CN110073510A; TW201831650A; US20200152887A1; JP7120759B2; CN110073510B; JP2022159378A; KR20190099508A; JP7353440B2; KR102491829B1; WO2018122664A1; CN115275032A; JP2018110223A; KR102596129B1; KR20230018531A

Abstract

本發明提供一種新穎的化合物。另外，提供一種發光效率及元件壽命良好的發光元件。本發明提供一種新穎的化合物，該化合物具有苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架，該苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架中的苯環及吡嗪環分別獨立地具有總碳原子數為6至100的取代基。另外，提供一種包含該化合物的發光元件。

Description

發光元件、有機化合物、發光裝置、電子裝置、及照明裝置

[0001] 本發明的一個實施方式係關於一種包含苯并呋喃并吡嗪化合物或者苯并噻吩并吡嗪化合物的發光元件。另外，本發明的一個實施方式係關於一種新穎的有機化合物。另外，本發明的一個實施方式係關於一種苯并呋喃并吡嗪化合物或者苯并噻吩并吡嗪化合物。另外，本發明的一個實施方式係關於一種包含上述有機化合物的發光裝置、電子裝置及照明設備。　　[0002] 注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。本發明的一個實施方式係關於一種物體、方法或製造方法。另外，本發明係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或組成物(composition of matter)。尤其是，本發明的一個實施方式係關於一種半導體裝置、發光裝置、顯示裝置、照明設備、發光元件以及它們的製造方法。另外，本發明的一個實施方式係關於一種包含富p電子型芳雜環的苯并呋喃并吡嗪化合物或者苯并噻吩并吡嗪化合物的新穎的合成方法。因此，作為本說明書所公開的本發明的一個實施方式的具體例子，可以舉出含有該有機化合物的發光元件、發光裝置、電子裝置及照明設備以及它們的製造方法。

[0003] 近年來，利用使用有機化合物的電致發光(EL：Electroluminescence)的發光元件(有機EL元件)的實用化非常活躍。在這些發光元件的基本結構中，在一對電極之間夾有包含發光材料的有機化合物層(EL層)。藉由對該元件施加電壓，注入載子，利用該載子的再結合能量，可以獲得來自發光材料的發光。　　[0004] 這種發光元件是自發光型發光元件，當將其用於顯示器的像素時，有可見度高、不需要背光源等優勢。因此，該發光元件適用於平板顯示器元件。另外，採用該發光元件的顯示器可以被製造成薄且輕也是其一大優點。並且，回應速度極快也是其特徵之一。　　[0005] 因為這種發光元件的發光層可以在二維上連續地形成，所以可以獲得面狀發光。這是在以白熾燈或LED為代表的點光源或者以螢光燈為代表的線光源中難以得到的特徵。另外，藉由選擇材料可以使有機化合物的發光為不含有紫外光的發光，由此作為可應用於照明等的面光源也有較高的利用價值。　　[0006] 如上所述，雖然使用發光元件的顯示器或照明設備適用於各種各樣的電子裝置，但是為了追求具有更良好的效率及元件壽命的發光元件的研究開發日益活躍。尤其是，由於EL層主要使用有機化合物，有機化合物對提高發光元件的元件特性有較大影響，因此已開發出多種新穎的有機化合物。　　[0007] 影響到採用有機化合物的發光元件的元件壽命及特性的因素很多，有時主體材料或電子傳輸材料的特性對採用有機化合物的發光元件的影響較大。　　[0008] 作為主體材料使用具有各種骨架的物質。其中，二嗪骨架具有高三重激發能階，因此已報告了各種包含二嗪骨架的化合物。使用這些化合物的發光元件的特性及可靠性雖得到了提高但還不足以達到對以效率及耐久性為首的各種特性的高度的要求(例如，專利文獻1及專利文獻2)。　　[0009] 　　[專利文獻1] 日本專利申請公開第2014-209611號公報　　[專利文獻2] PCT國際申請日語譯文第2013-536196號公報

[0010] 鑒於上述問題，本發明的一個實施方式的目的是提供一種新穎的有機化合物。尤其是，本發明的一個實施方式的目的是提供一種新穎的苯并呋喃并吡嗪化合物或者苯并噻吩并吡嗪化合物。另外，本發明的一個實施方式的目的是提供一種新穎的具有電子傳輸性的有機化合物。另外，本發明的一個實施方式的目的是提供一種可靠性高的發光元件。另外，本發明的一個實施方式的目的是提供一種發光效率良好的發光元件。另外，本發明的一個實施方式的目的是提供一種驅動電壓低的發光元件。　　[0011] 另外，本發明的另一個實施方式的目的是提供一種可靠性高的發光元件、發光裝置及電子裝置。另外，本發明的另一個實施方式的目的是提供一種低功耗的發光元件、發光裝置及電子裝置。　　[0012] 注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。注意，本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。此外，上述以外的目的可明顯從說明書、圖式及申請專利範圍等的記載看出，且可以從說明書、圖式及申請專利範圍等的記載中衍生上述以外的目的。　　[0013] 本發明的一個實施方式是一種包括一對電極之間的EL層的發光元件，其中，該EL層包含具有苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架的物質，苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架中的苯環具有總碳原子數為6至100的第一取代基，苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架中的吡嗪環具有總碳原子數為6至100的第二取代基。　　[0014] 另外，本發明的其他實施方式是一種包括一對電極之間的EL層的發光元件，其中，該EL層包含具有苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架的物質，苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架中的苯環具有總碳原子數為10至100的第一取代基，苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架中的吡嗪環具有總碳原子數為10至100的第二取代基。此時，較佳為第一取代基及第二取代基分別獨立地具有碳原子數為10至30的芳香環或芳雜環。　　[0015] 另外，在上述結構中，較佳為第一取代基及第二取代基分別獨立地具有取代或未取代的苯環、取代或未取代的萘環、取代或未取代的菲環、取代或未取代的聯伸三苯環、取代或未取代的碳原子數為12至30的稠合芳雜環和取代或未取代的三芳基胺結構中的至少一個。另外，較佳為該稠合芳雜環包含二苯并呋喃環、二苯并噻吩環和咔唑環中的一個。　　[0016] 另外，在上述結構中，較佳為第二取代基具有電洞傳輸性骨架。電洞傳輸性骨架較佳為具有三芳基胺結構或者富p電子型芳雜環。電洞傳輸性骨架特別較佳為包含咔唑環、二苯并呋喃環和二苯并噻吩環中的一個的稠合芳雜環。　　[0017] 另外，較佳的是，EL層包括發光層，並且該發光層包含上述具有苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架的物質及能夠將三重激發能轉換為發光的物質。本結構在能夠將該三重激發能轉換為發光的物質為磷光性化合物的情況下特別有效。　　[0018] 另外，本發明的其他實施方式是由下述通式(G0)表示的有機化合物。　　[0019]

[0020] 在通式(G0)中，X表示氧或硫，A¹ 及A² 分別獨立地表示碳原子數為6至100的取代基。R¹ 至R⁴ 分別獨立地表示氫、碳原子數為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數為3至7的環烷基或者取代或未取代的碳原子數為6至25的芳基。　　[0021] 另外，在通式(G0)中，較佳為A¹ 及A² 分別獨立地表示碳原子數為10至100的取代基。此時，較佳為A¹ 及A² 分別獨立地具有碳原子數為10至30的芳香環或芳雜環。　　[0022] 另外，在由上述通式(G0)表示的化合物中，更佳的是，A¹ 及A² 分別獨立地具有取代或未取代的苯環、取代或未取代的萘環、取代或未取代的菲環、取代或未取代的聯伸三苯環、取代或未取代的碳原子數為12至30的稠合芳雜環和取代或未取代的三苯基胺結構中的至少一個。另外，較佳為該稠合芳雜環具有二苯并呋喃環、二苯并噻吩環和咔唑環中的一個。　　[0023] 在上述結構中，較佳為A² 具有包含咔唑環、二苯并呋喃環和二苯并噻吩環中的一個的稠合芳雜環。　　[0024] 另外，本發明的其他實施方式是由下述通式(G1)表示的有機化合物。　　[0025]

[0026] 在通式(G1)中，X表示氧或硫，A¹ 表示總碳原子數為6至100的取代基。Ht² 表示碳原子數為10至30的取代或未取代的芳香環或者碳原子數為10至30的取代或未取代的芳雜環。Ar² 表示取代或未取代的碳原子數為6至25的伸芳基，R¹ 至R⁴ 分別獨立地表示氫、碳原子數為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數為3至7的環烷基或者取代或未取代的碳原子數為6至25的芳基。m表示0至3的整數。　　[0027] 在上述結構中，較佳為A¹ 為總碳原子數為10至100的取代基。　　[0028] 較佳為Ht² 為包含咔唑環、二苯并呋喃環和二苯并噻吩環中的一個的取代或未取代的稠合芳雜環。　　[0029] 另外，本發明的其他實施方式是由下述通式(G2)表示的有機化合物。　　[0030]

[0031] 在通式(G2)中，X表示氧或硫，Ht¹ 及Ht² 分別獨立地表示碳原子數為10至30的芳香環或芳雜環。Ar¹ 及Ar² 分別獨立地表示取代或未取代的碳原子數為6至25的伸芳基，R¹ 至R⁴ 分別獨立地表示氫、碳原子數為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數為3至7的環烷基或者取代或未取代的碳原子數為6至25的芳基。n及m分別獨立地表示0至3的整數。　　[0032] 在上述結構中，較佳為Ht¹ 及Ht² 分別獨立地表示包含咔唑環、二苯并呋喃環和二苯并噻吩環中的一個的取代或未取代的稠合芳雜環。　　[0033] 在上述結構中，較佳為Ar¹ 或Ar² 為取代或未取代的伸苯基。另外，較佳為R¹ 至R⁴ 都是氫。　　[0034] 另外，本發明的其他實施方式是由下述通式(G3)表示的有機化合物。　　[0035]

[0036] 在通式(G3)中，X表示氧或硫，A¹ 表示總碳原子數為10至100的取代基。Ht² 表示包含咔唑環、二苯并呋喃環和二苯并噻吩環中的一個的取代或未取代的芳雜環。　　[0037] 另外，本發明的其他實施方式是由下述通式(G4)表示的有機化合物。　　[0038]

[0039] 在通式(G4)中，X表示氧或硫。Ht¹ 及Ht² 分別獨立地表示包含咔唑環、二苯并呋喃環和二苯并噻吩環中的一個的取代或未取代的芳雜環。　　[0040] 在上述結構中，較佳為Ht¹ 及Ht² 分別獨立地表示由下述通式(Ht-1)至(Ht-7)表示的基團。　　[0041]

[0042] 在通式(Ht-1)至(Ht-7)中，R¹⁰ 至R²² 分別獨立地表示氫、碳原子數為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數為3至7的環烷基和取代或未取代的碳原子數為6至25的芳基中的一個。　　[0043] 另外，本發明的其他實施方式是由下述通式(G5)表示的有機化合物。　　[0044]

[0045] 在通式(G5)中，X表示氧或硫，Z¹ 及Z² 分別獨立地表示氧或硫。　　[0046] 另外，本發明的其他實施方式是由下述結構式(100)或(101)表示的有機化合物。　　[0047]

[0048] 另外，本發明的其他實施方式是含有上述有機化合物中的任一個的發光元件。　　[0049] 另外，上述各發光元件在陽極與陰極之間包括EL層。EL層至少包括發光層、電洞傳輸層、電洞注入層、電子傳輸層和電子注入層中的任一個。EL層還可以包括其他功能層。　　[0050] 另外，在上述結構中，較佳為發光層含有發光材料。　　[0051] 另外，本發明的其他實施方式是一種顯示裝置，該顯示裝置包括：上述發光元件中的任一個；以及濾色片和電晶體中的至少一個。另外，本發明的其他實施方式是一種電子裝置，該電子裝置包括：上述顯示裝置；以及外殼和觸控感測器中的至少一個。另外，本發明的其他實施方式是一種照明設備，該照明設備包括：上述發光元件中的任一個；以及外殼和觸控感測器中的至少一個。另外，本發明的一個實施方式在其範疇內不僅包括具有發光元件的發光裝置，還包括具有發光裝置的電子裝置。因此，本說明書中的發光裝置是指影像顯示裝置或光源(包括照明設備)。另外，如下顯示模組也是本發明的一個實施方式：在發光裝置中安裝有連接器諸如FPC(Flexible Printed Circuit：撓性電路板)或TCP(Tape Carrier Package：捲帶式封裝)的顯示模組；在TCP端部中設置有印刷線路板的顯示模組；或者IC(積體電路)藉由COG(Chip On Glass：玻璃上晶片)方式直接安裝在發光元件上的顯示模組。　　[0052] 藉由本發明的一個實施方式，可以提供一種新穎的有機化合物。尤其是，可以提供一種新穎的苯并呋喃并吡嗪化合物或者苯并噻吩并吡嗪化合物。另外，可以提供一種新穎的具有電子傳輸性的有機化合物。另外，可以提供一種壽命長的發光元件。另外，可以提供一種發光效率良好的發光元件。另外，可以提供一種驅動電壓低的發光元件。另外，可以是提供一種可靠性高的發光元件、發光裝置及電子裝置。另外，可以提供一種低功耗的發光元件、發光裝置及電子裝置。　　[0053] 注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。注意，本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述效果。此外，上述以外的效果可明顯從說明書、圖式及申請專利範圍等的記載看出，且可以從說明書、圖式及申請專利範圍等的記載中衍生上述以外的效果。

[0055] 下面，參照圖式對本發明的實施方式進行說明。但是，所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解一個事實，就是本發明可以以多個不同形式來實施，其方式和詳細內容可以在不脫離本發明的精神及其範圍的條件下被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在實施方式所記載的內容中。　　[0056] 另外，在本說明書所說明的每一個圖式中，有時為了便於說明，誇大表示陽極、EL層、中間層、陰極等的尺寸或厚度。因此，各組件不侷限於圖式所示的大小，並不侷限於各組件之間的相對大小。　　[0057] 注意，在本說明書等中，為了方便起見，附加了第一、第二、第三等序數詞，而其並不表示製程順序或上下的位置關係等。因此，例如可以將“第一”適當地替換為“第二”或“第三”等來進行說明。此外，有時本說明書等所記載的序數詞與用來指定本發明的一個實施方式的序數詞不一致。　　[0058] 另外，在本說明書等所說明的本發明的結構中，在不同圖式之間共同使用同一符號表示同一部分或具有相同功能的部分而省略其重複說明。另外，有時使用同一陰影線表示具有相同功能的部分，而不特別附加元件符號。　　[0059] 注意，在本說明書中，顏色是由色相(相當於單色光的波長)、色度(彩度，亦即，沒有帶點白色的程度)及明度(亮度，亦即，光的強度)的三個要素規定的。在本說明書中，顏色也可以由只上述三個要素中的任一個或只任兩個規定。另外，在本說明書中，“兩個光的顏色不同”的情況是指上述三個要素中至少一個不同的情況，也包括兩個光的光譜的形狀或各峰值的相對強度比的分佈不同的情況。　　[0060] 另外，在本說明書中，根據情況或狀態，可以互相調換“膜”和“層”。例如，有時可以將“導電層”調換為“導電膜”。或者，有時可以將“絕緣膜”調換為“絕緣層”。　　[0061] 實施方式1 　　在本實施方式中，例如對本發明的一個實施方式的有機化合物及發光元件進行說明。　　[0062] 本發明的一個實施方式的有機化合物由下述通式(G0)表示。　　[0063]

[0064] 在通式(G0)中，X表示氧或硫，A¹ 及A² 分別獨立地表示碳原子數為6至100的取代基。R¹ 至R⁴ 分別獨立地表示氫、碳原子數為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數為3至7的環烷基、取代或未取代的碳原子數為6至25的芳基。　　[0065] 使用這種有機化合物的發光元件具有良好的發光效率，驅動電壓得到降低。另外，該有機化合物對氧化及還原的反復具有良好的耐性，激發態也穩定，所以可以實現可靠性高的發光元件。　　[0066] 當A¹ 的總碳原子數為6至100時，與A¹ 及R¹ 至R³ 都是氫的結構相比，發光元件的可靠性大幅度地提高。這尤其在作為發光層的主體材料使用由(G0)表示的有機化合物的情況下明顯。這可認為是因為當苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架中的苯環一側具有取代基時，該有機化合物的激發態下的穩定性或膜性質的穩定性得到提高。與吡嗪環等芳雜環相反一側的芳香環所具有的取代基帶來這樣的提高可靠性的效果是本發明人等的很大的發現之一。另一方面，如通式(G0)所示，藉由在吡嗪環一側引入由A² 表示的總碳原子數為6至100的第二取代基，容易保護吡嗪環上的碳和氮，所以可以提高傳輸電子時的電穩定性及激發態的穩定性。另外，在A² 具有芳香環或芳雜環的情況下，由於與吡嗪環的相互作用，LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，也稱為最低未佔分子軌域)得到擴大，有利於電子傳輸性。換言之，該有機化合物較佳為具有A¹ 及A² 的兩個取代基。　　[0067] 另外，本發明的一個實施方式的有機化合物是由上述通式(G0)表示的有機化合物，在通式(G0)中，X表示氧或硫，A¹ 及A² 分別獨立地表示碳原子數為10至100的取代基。R¹ 至R⁴ 分別獨立地表示氫、碳原子數為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數為3至7的環烷基、取代或未取代的碳原子數為6至25的芳基。　　[0068] 當A¹ 及A² 都是總碳原子數為10至100的取代基時，可以實現具有耐熱性高的分子結構，所以是較佳的。重要的是，除了耐熱性以外，激發態下的穩定性、膜性質的穩定性及傳輸電子時的電穩定性也變得更高。例如，碳原子數為6的取代基的典型例子為苯環(苯基)和具有類似尺寸的取代基，藉由將該取代基置換成具有稠合芳香環或稠合芳雜環的碳原子數為10以上的取代基，上述效果變得更明顯。　　[0069] 因此，在上述或下述通式(G0)至(G4)中，較佳為A¹ 及A² 都具有取代或未取代的碳原子數為10至30的芳香環或芳雜環。藉由採用這種結構，可以形成p共軛體系在整個分子上擴伸的結構，可以實現載子傳輸性高的分子結構，所以可以提供一種可靠性高且驅動電壓低的發光元件。另外，可以有效地改善電化學上的穩定性及膜性質，所以可以提高發光元件的可靠性。另外，可以在不降低昇華性的方式提高分子量，所以可以形成耐熱性高的材料。換言之，這種在苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架的苯環一側及吡嗪環一側上都具有總碳原子數為10以上的體積龐大的取代基的分子結構是本發明的一個實施方式的重要結構之一。　　[0070] 在上述結構中，作為碳原子數為10至30的芳香環或芳雜環，可以舉出包含多個苯環的取代基、萘環、茀環、菲環、聯伸三苯環等稠合芳香環。另外，還可以舉出包含咔唑環、二苯并呋喃環或二苯并噻吩環的稠合芳雜環(例如，咔唑環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、苯并萘并呋喃環、苯并萘并噻吩環、吲哚并咔唑環、苯并呋喃并咔唑環、苯并噻吩并咔唑環、茚并咔唑環、二苯并咔唑環等)。　　[0071] 注意，碳原子數為6至100的取代基也可以包含上述碳原子數為10至30的芳香環、芳雜環、稠合芳香環或稠合芳雜環，另外，還可以包含苯環。換言之，也可以組合取代或未取代的該稠合芳香環、取代或未取代的該稠合芳雜環及取代或未取代的苯環。例如，該稠合芳雜環也可以藉由伸苯基或聯苯二基鍵合到苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架。　　[0072] 另外，更佳的是，在上述或下述通式(G0)至(G4)中，A¹ 及A² 包含取代或未取代的苯環、取代或未取代的萘環、取代或未取代的菲環、取代或未取代的聯伸三苯環、取代或未取代的碳原子數為12至30的稠合芳雜環和取代或未取代的三芳基胺結構中的至少一個。藉由採用這種結構，合成變得容易。另外，這些取代基的電化學上的穩定性高，所以可以提供可靠性高的發光元件。另外，在上述結構中，從環的穩定性及耐熱性的觀點來看，稠合芳雜環較佳為包含二苯并呋喃環、二苯并噻吩環或咔唑環的環(例如，咔唑環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、苯并萘并呋喃環、苯并萘并噻吩環、吲哚并咔唑環、苯并呋喃并咔唑環、苯并噻吩并咔唑環、茚并咔唑環、二苯并咔唑環等)。另外，作為三芳基胺結構，較佳為使用三苯基胺結構，因為T1能階得到提高。另外，如果A¹ 和A² 中吡啶環等具有孤電子對的六員環的芳雜環過多，有機化合物在激發態下用作強力的鹼，穩定性下降。因此，A¹ 和A² 較佳為分別由上述環或結構中的一個或多個構成。　　[0073] 另外，本發明的一個實施方式的有機化合物由下述通式(G1)表示。　　[0074]

[0075] 在通式(G1)中，X表示氧或硫，A¹ 表示總碳原子數為6至100的取代基。Ht² 表示碳原子數為10至30的取代或未取代的芳香環或者碳原子數為10至30的取代或未取代的芳雜環。Ar² 表示取代或未取代的碳原子數為6至25的伸芳基，R¹ 至R⁴ 分別獨立地表示氫、碳原子數為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數為3至7的環烷基、取代或未取代的碳原子數為6至25的芳基。m表示0至3的整數。　　[0076] 在上述結構中，Ht² 較佳為具有電洞傳輸性骨架。藉由在苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架上引入電洞傳輸性骨架，可以形成氧化還原特性都良好的結構，從而可以提供可靠性高的發光元件。另外，載子(電子及電洞)傳輸性得到提高，所以可以提供驅動電壓低的發光元件。尤其是，Ht² 較佳為包含咔唑環、二苯并呋喃環和二苯并噻吩環中的一個的取代或未取代的稠合芳雜環。藉由採用這種結構，可以形成耐熱性高、激發態穩定且T1能階高的有機化合物。　　[0077] 另外，本發明的一個實施方式的有機化合物由下述通式(G2)表示。　　[0078]

[0079] 在通式(G2)中，X表示氧或硫，Ht¹ 及Ht² 分別獨立地表示碳原子數為10至30的芳香環或芳雜環。Ar¹ 及Ar² 分別獨立地表示取代或未取代的碳原子數為6至25的伸芳基，R¹ 至R⁴ 分別獨立地表示氫、碳原子數為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數為3至7的環烷基、取代或未取代的碳原子數為6至25的芳基。n及m分別獨立地表示0至3的整數。　　[0080] 在上述結構中，Ar¹ 或者Ar² 較佳為取代或未取代的伸苯基。另外，R¹ 至R⁴ 較佳為都是氫。藉由採用這種結構，合成變得容易。　　[0081] 在上述結構中，Ht¹ 及Ht² 較佳為分別獨立地包含咔唑環、二苯并呋喃環和二苯并噻吩環中的一個的取代或未取代的稠合芳雜環。藉由採用這種結構，可以形成耐熱性高、激發態穩定且T1能階高的有機化合物。　　[0082] 另外，本發明的一個實施方式的有機化合物由下述通式(G3)表示。　　[0083]

[0084] 在通式(G3)中，X表示氧或硫，A¹ 表示總碳原子數為10至100的取代基。Ht² 表示包含咔唑環、二苯并呋喃環和二苯并噻吩環中的一個的取代或未取代的芳雜環。　　[0085] 另外，本發明的一個實施方式的有機化合物由下述通式(G4)表示。　　[0086]

[0087] 在通式(G4)中，X表示氧或硫。Ht¹ 及Ht² 分別獨立地表示包含咔唑環、二苯并呋喃環和二苯并噻吩環中的一個的取代或未取代的芳雜環。藉由採用這種結構，可以形成耐熱性高、激發態穩定且T1能階高的有機化合物。　　[0088] 在上述結構中，Ht¹ 及Ht² 較佳為藉由苯基以間位鍵合到苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架。藉由採用這種結構，可以形成T1能階高的結構。另外，可以形成膜不容易晶化的結構。另外，苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架與Ht¹ 及Ht² 之間的藉由苯基的鍵合位置不侷限於間位。　　[0089] 另外，在上述結構中，Ht¹ 及Ht² 較佳為由下述通式(Ht-1)至(Ht-7)中的任一個表示的取代基。藉由採用這種取代基，可以形成T1能階高的電化學上的穩定性高的結構。　　[0090]

[0091] 另外，本發明的一個實施方式的有機化合物由下述通式(G5)表示。　　[0092]

[0093] 在通式(G5)中，X表示氧或硫，Z¹ 及Z² 分別獨立地表示氧或硫。　　[0094] 藉由採用二苯并呋喃骨架或二苯并噻吩骨架藉由苯基以間位鍵合到苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架的結構，可以形成T1能階高的結構，所以是較佳的。　　[0095] 另外，本發明的一個實施方式的有機化合物為由下述結構式(100)或(101)表示的有機化合物。　　[0096]

[0097] 另外，在通式(G1)及(G2)中，Ar¹ 及Ar² 分別獨立地表示取代或未取代的碳原子數為6至25的伸芳基，作為該伸芳基，例如可以舉出伸苯基、伸萘基、聯苯二基、茀二基、螺茀二基等。例如可以使用由下述結構式(Ar-1)至(Ar-27)表示的基團。由Ar¹ 及Ar² 表示的基團不侷限於此，也可以還具有取代基。　　[0098]

[0099] 另外，在通式(G0)至(G2)及通式(Ht-1)至(Ht-7)中，作為R¹ 至R⁴ 、R¹⁰ 至R²² ，可以舉出氫、碳原子數為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數為3至7的環烷基或者取代或未取代的碳原子數為6至25的芳基。明確而言，作為上述烷基，例如可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丙基、三級丁基、正己基等，作為上述環烷基，例如可以舉出環丙基、環丁基、環戊基、環己基等，作為上述芳基，可以舉出苯基、萘基、聯苯基、茀基、螺茀基等。更明確而言，例如，可以舉出由下述結構式(R-1)至(R-32)表示的基團。注意，由R¹ 至R⁴ 、R¹⁰ 至R²² 表示的基團不侷限於此。　　[0100]

[0101] 在上述本發明的一個實施方式的有機化合物中，在A¹ 、A² 、Ht¹ 、Ht² 、R¹ 至R⁴ 、R¹⁰ 至R²² 具有取代基的情況下，作為該取代基，可以舉出碳原子數為1至6的烷基，取代或未取代的碳原子數為3至7的環烷基或者取代或未取代的碳原子數為6至25的芳基。明確而言，作為上述烷基，例如可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丙基、三級丁基、正己基等，作為上述環烷基，例如可以舉出環丙基、環丁基、環戊基、環己基等，作為上述芳基，可以舉出苯基、萘基、聯苯基、茀基、螺茀基等。　　[0102] á化合物的具體例子ñ 　　作為由通式(G0)至(G5)表示的化合物的具體結構，可以舉出由下述結構式(100)至(267)表示的化合物等。注意，由通式(G0)至(G5)表示的化合物不侷限於以下例子。　　[0103]

[0104]

[0105]

[0106]

[0107]

[0108]

[0109]

[0110]

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[0119]

[0120]

[0121]

[0122]

[0123]

[0124]

[0125] 本發明的一個實施方式的有機化合物是具有苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架。該苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架中的苯環具有總碳原子數為6至100的取代基，該苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架中的吡嗪環具有總碳原子數為6至100的取代基。　　[0126] 使用這種有機化合物的發光元件具有良好的發光效率，驅動電壓得到下降。另外，該有機化合物對氧化及還原的反復具有良好的耐性，激發態也穩定，所以可以實現可靠性高的發光元件。　　[0127] 作為發光元件的主體材料和電子傳輸性材料通常使用以芳香化合物為典型的p共軛體系在整個分子上擴伸的化合物。尤其較佳為使用缺p電子型化合物。在缺p電子型化合物中，具有二嗪骨架的稠合雜環骨架具有高T1能階，穩定且可靠性高，所以是較佳的。其中，苯并呋喃并吡嗪骨架及苯并噻吩并吡嗪骨架具有較高的受體性，所以尤其是較佳的。　　[0128] 在此，本發明人等在苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架的苯環一側引入總碳原子數為6至100的第一取代基，並且，在該苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架的吡嗪環一側引入總碳原子數為6至100的第二取代基。本發明人等構想出該有機化合物適用於發光元件的主體材料，並且，使用該有機化合物作為主體材料的發光元件具有良好的發光效率、較低的驅動電壓以及較高的可靠性。　　[0129] 當該苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架中的苯環一側具有總碳原子數為6至100的第一取代基時，與未取代的結構相比，發光元件的可靠性大幅度地提高。這尤其在作為發光層的主體材料使用本發明的一個實施方式的有機化合物的情況下明顯。這可認為是因為當苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架中的苯環一側具有取代基時，該有機化合物的激發態下的穩定性或膜性質的穩定性得到提高。與吡嗪環等芳雜環相反一側的芳香環所具有的取代基帶來這樣的提高可靠性的效果是本發明人等的很大的發現之一。另一方面，藉由在該苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架中的吡嗪環一側也引入總碳原子數為6至100的第二取代基，容易保護吡嗪環上的碳和氮，所以可以提高傳輸電子時的電穩定性及激發態的穩定性。另外，在第二取代基具有芳香環或芳雜環的情況下，由於與吡嗪環的相互作用，LUMO得到擴大，有利於電子傳輸性。換言之，該有機化合物較佳為在該苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架中的苯環一側及吡嗪環一側都具有取代基。　　[0130] 另外，本發明的一個實施方式的具有苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架的有機化合物可以藉由使用具有吡嗪環的單元與具有苯環的單元獲得呋喃環或噻吩環的環化反應合成。藉由利用該反應，可以簡單且以低成本獲得目的物，所以是較佳的。　　[0131] 另外，在本發明的一個實施方式的有機化合物在苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架的吡嗪環一側的2位具有取代基的情況下，其T1能階增高，而在3位具有取代基的情況下，T1能階下降。該性質有利於使用能夠將三重激發能轉換為發光的發光物質時的主體材料。例如，在2位具有取代基時的T1能階在使用呈現藍色至綠色的該發光物質時合適，在3位具有取代基時的T1能階在使用呈現紅色的該發光物質時合適。這種設計彈性是在使用苯并呋喃并嘧啶時難以獲得的效果。　　[0132] 另外，本發明的一個實施方式的具有苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架的有機化合物具有較低的LUMO能階，具有高電子傳輸性，所以藉由使用該有機化合物，可以提供驅動電壓低的發光元件。另外，該有機化合物具有較低的LUMO能階，具有良好的氧化還原特性，所以可以提供可靠性高的發光元件。　　[0133] 當上述第一取代基及第二取代基都是總碳原子數為10至100的取代基時，本發明的一個實施方式的有機化合物具有耐熱性高的分子結構，所以是較佳的。再者，當該有機化合物具有上述取代基時，可以提高激發態下的穩定性、膜性質的穩定性及傳輸電子時的電穩定性。例如，碳原子數為6的取代基的典型例子為苯環(苯基)和具有類似尺寸的取代基，藉由將該取代基置換成具有稠合芳香環或稠合芳雜環的碳原子數為10以上的取代基，上述效果變得更明顯。　　[0134] 從上述觀點來看，尤其較佳的是上述第一取代基及第二取代基都具有碳原子數為10至30的芳香環或芳雜環。藉由採用這種結構，可以形成p共軛體系在整個分子上擴伸的結構，可以實現載子傳輸性高的分子結構，所以可以提供一種可靠性高且驅動電壓低的發光元件。換言之，這種在苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架的苯環一側及吡嗪環一側上都具有總碳原子數為10以上的體積龐大的取代基的分子結構是本發明的一個實施方式的重要結構之一。　　[0135] 在上述結構中，作為碳原子數為10至30的芳香環或芳雜環，可以舉出萘環、茀環、菲環、聯伸三苯環等稠合芳香環。另外，還可以舉出包含咔唑環、二苯并呋喃環或二苯并噻吩環的稠合芳雜環(例如，咔唑環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、苯并萘并呋喃環、苯并萘并噻吩環、吲哚并咔唑環、苯并呋喃并咔唑環、苯并噻吩并咔唑環、茚并咔唑環、二苯并咔唑環等)。　　[0136] 作為上述第一及第二取代基，例如可以舉出芳香烴基、芳雜烴基或具有芳香胺骨架的取代基。更明確而言，可以舉出包含取代或未取代的苯環、取代或未取代的萘環、取代或未取代的菲環、取代或未取代的聯伸三苯環、取代或未取代的碳原子數為12至30的稠合芳雜環和三芳基胺結構中的至少一個的取代基。這些取代基的電化學上的穩定性高，所以可以提供可靠性高的發光元件。另外，從環的穩定性及耐熱性的觀點來看，上述稠合芳雜環較佳為包含二苯并呋喃環、二苯并噻吩環或咔唑環的環(例如，咔唑環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、苯并萘并呋喃環、苯并萘并噻吩環、吲哚并咔唑環、苯并呋喃并咔唑環、苯并噻吩并咔唑環、茚并咔唑環、二苯并咔唑環等)。另外，作為三芳基胺結構，較佳為使用三苯基胺結構，因為T1能階得到提高。　　[0137] 另外，如果第一取代基和第二取代基中吡啶環等具有孤電子對的六員環的芳雜環過多，有機化合物在激發態下用作強力的鹼，穩定性下降。因此，第一取代基和第二取代基較佳為分別由上述環或結構中的一個或多個構成。　　[0138] 在此，第二取代基較佳為具有電洞傳輸性骨架。藉由在苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架上引入電洞傳輸性骨架，可以形成氧化還原特性都良好的結構，從而可以提供可靠性高的發光元件。另外，載子(電子及電洞)傳輸性得到提高，所以可以提供驅動電壓低的發光元件。　　[0139] 另外，該電洞傳輸性骨架較佳為具有三芳基胺結構或富p電子型芳雜環。具有三芳基胺結構或富p電子型芳雜環的有機化合物具有較高的電洞傳輸性，所以可以降低發光元件的驅動電壓。另外，作為該富p電子型芳雜環，例如可以舉出包含吡咯環、呋喃環和噻吩環中的一個的環。另外，當該富p電子型芳雜環包含二苯并呋喃環、二苯并噻吩環和咔唑環中的一個時，有機化合物的耐熱性得到提高，環的結構也穩定，T1能階變高，所以是較佳的。作為三芳基胺結構，較佳為使用三苯基胺結構，因為它具有較高的電洞傳輸性。注意，電洞傳輸性骨架不侷限於此。　　[0140] 另外，苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架的吡嗪環一側的取代基也可以具有一個或多個伸芳基及電洞傳輸骨架，但是該取代基的末端較佳為電洞傳輸性骨架。苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架的吡嗪環一側的取代基的結構較佳為吡嗪環與電洞傳輸性骨架直接鍵合的結構或者電洞傳輸性骨架與苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架藉由一個或多個伸芳基鍵合的結構。藉由採用這種結構，可以獲得具有較高的T1能階的有機化合物。　　[0141] 另外，較佳為在苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架的吡嗪環一側的2位具有取代基。藉由採用這種結構，可以獲得T1能階較高的有機化合物。注意，取代基的位置不侷限於2位。　　[0142] 另外，本發明的一個實施方式的有機化合物在一個分子內包含具有電子傳輸性的苯并呋喃并吡嗪骨架或者苯并噻吩并吡嗪骨架以及具有電洞傳輸性的取代基的兩者，所以可以視為雙極性材料。這種材料具有良好的載子傳輸性，所以藉由將這種材料用作發光元件的主體材料，可以提供驅動電壓低的發光元件，所以是較佳的。　　[0143] 本發明的一個實施方式的有機化合物具有富p電子型芳雜環(例如，二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架、咔唑骨架)及缺p電子型芳雜環(苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架)。因此，在分子中容易形成施體-受體型的激發態。再者，藉由使富p電子型芳雜環與缺p電子型芳雜環直接或藉由伸芳基鍵合，可以增強施體性及受體性。藉由增強分子中的施體性及受體性，可以縮小在化合物中HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital，也稱為最高佔據分子軌域)的分子軌域分佈的區域與LUMO的分子軌域分佈的區域重疊的部分，而可以減少化合物的單重激發能階與三重激發能階的激發能量差。此外，可以使化合物的三重激發能階保持為高能量。注意，“分子軌域”是指分子中的電子的空間分佈，可以示出找到電子的概率。可以由分子軌域詳細地描述分子的電子配置(電子的空間上分佈及能量)。　　[0144] 在單重激發能階與三重激發能階的能量差小時，可以使用100℃以下，較佳為室溫程度的微小的熱能將三重激發能上轉換為(反系間竄越)單重激發能。就是說，本發明的一個實施方式的化合物適合用作具有將三重激發能轉換為單重激發能的功能的化合物。此外，適合用作具有將三重激發能轉換為單重激發能後將其轉換為發光的功能的化合物。為了高效地發生反系間竄越，單重激發能階與三重激發能階的能量差較佳為大於0eV且為0.3eV以下，更佳為大於0eV且為0.2eV以下，進一步較佳為大於0eV且為0.1eV以下。　　[0145] 在HOMO的分子軌域分佈的區域與LUMO的分子軌域分佈的區域重疊，HOMO能階與LUMO能階之間的躍遷偶極矩大於0時，能夠從與HOMO能階及LUMO能階有關的激發態(例如最低單重激發態)得到發光。因此，本發明的一個實施方式的化合物適合用作具有將三重激發能轉換為單重激發能的功能的發光材料，亦即適合用作熱活化延遲螢光材料。　　[0146] 另外，如上所述，本發明的一個實施方式的有機化合物適用於使用能夠將三重激發能轉換為發光的發光物質時的主體材料。因此，如下發光元件也是本發明的一個實施方式：在一對電極之間包括EL層，該EL層包含具有上述苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架的物質，該EL層包括發光層，該發光層包含具有上述苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架的物質及能夠將三重激發能轉換為發光的物質。此時，該能夠將三重激發能轉換為發光的物質較佳為後述的磷光性化合物。　　[0147] 另外，本實施方式的有機化合物可以利用蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、噴墨法、塗佈法、凹版印刷法等的方法形成。　　[0148] 本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。　　[0149] 實施方式2 　　在本實施方式中，對本發明的一個實施方式的有機化合物，亦即由通式(G0)表示的苯并呋喃并吡嗪化合物或者苯并噻吩并吡嗪化合物的合成方法進行說明。作為該化合物的合成方法，可以使用各種反應。例如，可以藉由以下簡易的合成方案合成由通式(G0)表示的化合物。　　[0150]

[0151] 首先，作為通式(G0)的起始原料的由(M-1)表示的苯并呋喃并吡嗪化合物或者苯并噻吩并吡嗪化合物可以藉由以下合成方案(A-1)合成。藉由使被甲氧基或甲硫基取代的芳基硼酸(m-1)與被胺基及鹵素取代的吡嗪化合物(m-2)偶合獲得中間體(Am-3)，使其與亞硝酸三級丁基起環化反應，可以獲得苯并呋喃并吡嗪化合物或者苯并噻吩并吡嗪化合物(M-1)。　　[0152]

[0153] 在合成方案(A-1)中，X表示氧或硫，Y¹ 及Y² 分別獨立地表示鹵素。R¹ 至R⁴ 分別獨立地表示氫、碳原子數為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數為3至7的環烷基、取代或未取代的碳原子數為6至25的芳基。B₁ 表示硼酸、硼酸酯或環狀三醇硼酸鹽等。作為環狀三醇硼酸鹽，除了鋰鹽之外還可以使用鉀鹽或鈉鹽。　　[0154] 接著，如合成方案(A-2)所示，使藉由上述合成反應(A-1)獲得的(M-1)與硼酸化合物(M-2)及(M-3)偶合，由此可以獲得本發明的一個實施方式的有機化合物，亦即由通式(G0)表示的苯并呋喃并吡嗪化合物或者苯并噻吩并吡嗪化合物。另外，也可以藉由使(M-1)與硼酸化合物(M-3)偶合來獲得中間體並使該中間體與硼酸化合物(M-2)偶合來獲得由通式(G0)表示的苯并呋喃并吡嗪化合物或者苯并噻吩并吡嗪化合物。　　[0155]

[0156] 在合成方案(A-2)中，X表示氧或硫，A¹ 及A² 分別獨立地表示碳原子數為6至100的取代基。R¹ 至R⁴ 分別獨立地表示氫、碳原子數為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數為3至7的環烷基、取代或未取代的碳原子數為6至25的芳基。Y¹ 及Y² 分別獨立地表示鹵素，B₂ 及B₃ 分別獨立地表示硼酸、硼酸酯或環狀三醇硼酸鹽等。作為環狀三醇硼酸鹽，除了鋰鹽之外還可以使用鉀鹽或鈉鹽。　　[0157] 作為上述化合物(m-1)、(m-2)、(M-2)及(M-3)，在市場上銷售各種種類的化合物，或者能夠合成這些化合物，所以可以合成很多種類的由通式(G0)表示的苯并呋喃并吡嗪化合物或者苯并噻吩并吡嗪化合物。因此，本發明的一個實施方式的化合物具有種類豐富的特徵。　　[0158] 以上說明了本發明的一個實施方式的化合物的苯并呋喃并吡嗪化合物或者苯并噻吩并吡嗪化合物的合成方法的一個例子，但是本發明不侷限於此，也可以藉由任何其他的合成方法合成。　　[0159] 本實施方式所示的化合物可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而使用。　　[0160] 實施方式3 　　在本實施方式中，參照圖1A至圖1C說明本發明的一個實施方式的發光元件。　　[0161] á發光元件的結構例子1ñ 　　首先，下面將參照圖1A至圖1C說明本發明的一個實施方式的發光元件的結構。　　[0162] 圖1A是本發明的一個實施方式的發光元件150的剖面示意圖。　　[0163] 發光元件150包括一對電極(電極101及電極102)，並包括設置在該一對電極間的EL層100。EL層100至少包括發光層140。　　[0164] 此外，圖1A所示的EL層100除了發光層140以外還包括電洞注入層111、電洞傳輸層112、電子傳輸層118及電子注入層119等功能層。　　[0165] 注意，雖然在本實施方式中以一對電極中的電極101為陽極且以電極102為陰極來進行說明，但是發光元件150的結構並不侷限於此。也就是說，也可以將電極101用作陰極且將電極102用作陽極，倒序地層疊該電極間的各層。換言之，從陽極一側依次層疊電洞注入層111、電洞傳輸層112、發光層140、電子傳輸層118及電子注入層119即可。　　[0166] 注意，EL層100的結構不侷限於圖1A所示的結構，只要包括選自電洞注入層111、電洞傳輸層112、電子傳輸層118及電子注入層119中的至少一個即可。或者，EL層100也可以包括具有如下功能的功能層：能夠降低電洞或電子的注入能障；能夠提高電洞或電子的傳輸性；能夠阻礙電洞或電子的傳輸性；或者能夠抑制電極所引起的淬滅現象等。功能層既可以是單層又可以是層疊有多個層的結構。　　[0167] 發光元件150在EL層100中的任一個的層包含本發明的一個實施方式的有機化合物即可。該有機化合物較佳為包含在電子傳輸層118中，更佳為包含在發光層140中。另外，如上所述，較佳的是，作為發光層140的主體材料141使用本發明的一個實施方式的有機化合物，作為客體材料142使用能夠將三重激發能轉換為發光的發光物質(尤其是磷光性化合物)。　　[0168] 圖1B是示出圖1A所示的發光層140的一個例子的剖面示意圖。圖1B所示的發光層140包括主體材料141及客體材料142。主體材料141可以由一個有機化合物構成，也可以是包含有機化合物141_1及有機化合物141_2的co-host類。本發明的一個實施方式的有機化合物可被用作主體材料141或有機化合物141_1。　　[0169] 作為客體材料142，使用發光有機材料即可，作為該發光有機材料，可以舉出能夠發射螢光的材料(以下，也稱為螢光材料)或能夠發射磷光的材料(以下，也稱為磷光材料)。下面，說明作為客體材料142使用磷光材料的結構。注意，也可以將客體材料142換稱為磷光材料。　　[0170] 在圖1B所示的在發光層中包含有機化合物141_1及有機化合物141_2的兩種主體材料的情況(co-host類)下，通常作為兩種主體材料使用電子傳輸性材料及電洞傳輸性材料。藉由使用這種結構，可以降低電洞傳輸層112與發光層140之間的電洞注入能障及電子傳輸層118與發光層140之間的電子注入能障，從而可以降低驅動電壓，所以是較佳的。　　[0171] á發光元件的發光機制ñ 　　接著，下面將對發光層140的發光機制進行說明。　　[0172] 發光層140中的主體材料141所包括的有機化合物141_1及有機化合物141_2形成激態錯合物(Exciplex)。　　[0173] 圖1C示出發光層140中的有機化合物141_1、有機化合物141_2及客體材料142的能階相關。另外，下面示出圖1C中的用詞及元件符號。　　·Host(141_1)：有機化合物141_1(主體材料) 　　·Host(141_2)：有機化合物141_2(主體材料) 　　·Guest(142)：客體材料142(磷光性化合物) 　　·S_PH1 ：有機化合物141_1(主體材料)的S1能階　　·T_PH1 ：有機化合物141_1(主體材料)的T1能階　　·S_PH2 ：有機化合物141_2(主體材料)的S1能階　　·T_PH2 ：有機化合物141_2(主體材料)的T1能階　　·S_PG ：客體材料142(磷光性化合物)的S1能階　　·T_PG ：客體材料142(磷光性化合物)的T1能階　　·S_PE ：激態錯合物的S1能階　　·T_PE ：激態錯合物的T1能階　　[0174] 有機化合物141_1與有機化合物141_2形成激態錯合物，該激態錯合物的S1能階(S_PE )及T1能階(T_PE )成為互相相鄰的能階(參照圖1C的路徑E₁ )。　　[0175] 藉由有機化合物141_1和有機化合物141_2中的一個接收電洞，另一個接收電子，迅速地形成激態錯合物。或者，當其中一個成為激發態時，藉由與另一個起相互作用來迅速地形成激態錯合物。由此，發光層140中的大部分的激子都作為激態錯合物存在。激態錯合物的激發能階(S_PE 或T_PE )比形成激態錯合物的主體材料(有機化合物141_1及有機化合物141_2)的S1能階(S_PH1 及S_PH2 )低，所以可以以更低的激發能形成主體材料141的激發態。由此，可以降低發光元件的驅動電壓。　　[0176] 然後，藉由將激態錯合物(S_PE )及(T_PE )的兩者的能量轉移到客體材料142(磷光性化合物)的T1能階而得到發光(參照圖1C的路徑E₂ 、E₃ )。　　[0177] 激態錯合物的T1能階(T_PE )較佳為比客體材料142的T1能階(T_PG )高。由此，可以將所產生的激態錯合物的單重激發能及三重激發能從激態錯合物的S1能階(S_PE )及T1能階(T_PE )轉移到客體材料142的T1能階(T_PG )。　　[0178] 為了將激發能高效地從激態錯合物轉移到客體材料142，激態錯合物的T1能階(T_PE )較佳為等於或低於形成激態錯合物的各有機化合物(有機化合物141_1及有機化合物141_2)的T1能階(T_PH1 及T_PH2 )。由此，不容易產生各有機化合物(有機化合物141_1及有機化合物141_2)所導致的激態錯合物的三重激發能的淬滅，而高效地發生從激態錯合物向客體材料142的能量轉移。　　[0179] 在有機化合物141_1與有機化合物141_2的組合是具有電洞傳輸性的化合物與具有電子傳輸性的化合物的組合時，能夠藉由調整其混合比而容易地控制載子平衡。明確而言，具有電洞傳輸性的化合物：具有電子傳輸性的化合物的重量比較佳為在1:9至9:1的範圍內。另外，藉由採用該結構，可以容易地控制載子平衡，由此也可以容易地對載子再結合區域進行控制。　　[0180] 在本說明書等中，有時將上述路徑E₂ 、E₃ 的過程稱為ExTET(Exciplex-Triplet Energy Transfer：激態錯合物-三重態能量轉移)。換言之，在發光層140中，產生從激態錯合物到客體材料142的激發能的供應。在此情況下，未必需要使從T_PE 向S_PE 的反系間竄越的效率及由S_PE 的發光量子產率高，因此可以選擇的材料更多。　　[0181] 有機化合物141_1和有機化合物141_2的組合只要是能夠形成激態錯合物的組合即可，較佳的是其中一個的HOMO能階及LUMO能階分別低於另一個的HOMO能階及LUMO能階。　　[0182] á材料ñ 　　接著，對本發明的一個實施方式的發光元件的組件的詳細內容進行說明。　　[0183] áá發光層ññ 　　在發光層140中，主體材料141的重量比最高，客體材料142分散在主體材料141中。在客體材料142為螢光化合物的情況下，發光層140的主體材料141(有機化合物141_1及有機化合物141_2)的S1能階較佳為高於發光層140的客體材料(客體材料142)的S1能階。在客體材料142為磷光化合物的情況下，發光層140的主體材料141(有機化合物141_1及有機化合物141_2)的T1能階較佳為高於發光層140的客體材料(客體材料142)的T1能階。　　[0184] 有機化合物141_1較佳為具有含氮六元芳雜環骨架的化合物。尤其是，本發明的一個實施方式的有機化合物具有吡嗪骨架，所以適用於有機化合物141_1。作為其他的具體例子，可以舉出具有吡啶骨架、二嗪骨架(吡嗪骨架、嘧啶骨架及嗒𠯤骨架)及三嗪骨架的化合物。作為上述含有具有鹼性的含氮芳雜環骨架的化合物，例如可以舉出吡啶化合物、聯吡啶化合物、嘧啶化合物、三嗪化合物、喹㗁啉化合物、二苯并喹㗁啉化合物、啡啉化合物、嘌呤化合物等化合物。另外，作為有機化合物141_1，可以使用電子傳輸性比電洞傳輸性高的材料(電子傳輸性材料)，較佳為使用具有1´10^-6 cm² /Vs以上的電子移動率的材料。　　[0185] 明確而言，例如可以使用：紅啡啉(簡稱：BPhen)、浴銅靈(簡稱：BCP)等的具有吡啶骨架的雜環化合物；2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹㗁啉(簡稱：2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)聯苯-3-基]二苯并[f,h]喹㗁啉(簡稱：2mDBTBPDBq-II)、2-[3’-(9H-咔唑-9-基)聯苯-3-基]二苯并[f,h]喹㗁啉(簡稱：2mCzBPDBq)、2-[4-(3,6-二苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]二苯并[f,h]喹㗁啉(簡稱：2CzPDBq-III)、7-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹㗁啉(簡稱：7mDBTPDBq-II)及6-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹㗁啉(簡稱：6mDBTPDBq-II)、2-[3-(3,9’-聯-9H-咔唑-9-基)苯基]二苯并[f,h]喹㗁啉(簡稱：2mCzCzPDBq)、4,6-雙[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶(簡稱：4,6mPnP2Pm)、4,6-雙[3-(4-二苯并噻吩基)苯基]嘧啶(簡稱：4,6mDBTP2Pm-II)、4,6-雙[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]嘧啶(簡稱：4,6mCzP2Pm)等的具有二嗪骨架的雜環化合物；2-{4-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(簡稱：PCCzPTzn)等的具有三嗪骨架的雜環化合物；3,5-雙[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶(簡稱：35DCzPPy)、1,3,5-三[3-(3-吡啶基)苯基]苯(簡稱：TmPyPB)等的具有吡啶骨架的雜環化合物。在上述雜環化合物中，具有三嗪骨架、二嗪(嘧啶、吡嗪、嗒𠯤)骨架或吡啶骨架的雜環化合物穩定且可靠性良好，所以是較佳的。尤其是，具有該骨架的雜環化合物具有高電子傳輸性，也有助於驅動電壓的降低。此外，也可以使用高分子化合物諸如聚(2,5-吡啶二基)(簡稱：PPy)、聚[(9,9-二己基茀-2,7-二基)-co-(吡啶-3,5-二基)](簡稱：PF-Py)、聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-co-(2,2’-聯吡啶-6,6’-二基)](簡稱：PF-BPy)。這裡所述的物質主要為具有1´10^-6 cm² /Vs以上的電子移動率的物質。注意，只要是電子傳輸性高於電洞傳輸性的物質，就可以使用上述物質以外的物質。　　[0186] 作為有機化合物141_2較佳為使用具有含氮五元雜環骨架或三級胺骨架的化合物。明確而言，可以舉出具有吡咯骨架或芳香胺骨架的化合物。例如，可以舉出吲哚化合物、咔唑化合物、三芳基胺化合物等。另外，作為含氮五元雜環骨架可以舉出咪唑骨架、三唑骨架及四唑骨架。另外，作為有機化合物141_2，可以使用電洞傳輸性比電子傳輸性高的材料(電洞傳輸性材料)，較佳為使用具有1´10^-6 cm² /Vs以上的電洞移動率的材料。上述電洞傳輸性材料也可以是高分子化合物。　　[0187] 作為電洞傳輸性高的材料，明確而言，作為芳香胺化合物，可以舉出N,N’-二(對甲苯基)-N,N’-二苯基-對苯二胺(簡稱：DTDPPA)、4,4’-雙[N-(4-二苯胺基苯基)-N-苯胺基]聯苯(簡稱：DPAB)、N,N’-雙{4-[雙(3-甲基苯基)胺基]苯基}-N,N’-二苯基-(1,1’-聯苯)-4,4’-二胺(簡稱：DNTPD)、1,3,5-三[N-(4-二苯胺基苯基)-N-苯胺基]苯(簡稱：DPA3B)等。　　[0188] 另外，作為咔唑化合物，明確而言，可以舉出3-[N-(4-二苯胺基苯基)-N-苯胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzDPA1)、3,6-雙[N-(4-二苯胺基苯基)-N-苯胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzDPA2)、3,6-雙[N-(4-二苯胺基苯基)-N-(1-萘基)氨]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzTPN2)、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA1)、3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCN1)等。　　[0189] 另外，作為咔唑化合物，還可以舉出4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(簡稱：CBP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)、1,4-雙[4-(N-咔唑基)苯基]-2,3,5,6-四苯基苯等。　　[0190] 另外，還可以使用N,N-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：CzA1PA)、4-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：DPhPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：YGAPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：PCAPA)、N,9-二苯基-N-{4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基}-9H-咔唑-3-胺(簡稱：PCAPBA)、N,9-二苯基-N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCAPA)、9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：PCzPA)、3,6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：DPCzPA)、N,N,N’,N’,N”,N”,N’”,N’”-八苯基二苯并[g,p]䓛(chrysene)-2,7,10,15-四胺(簡稱：DBC1)等。　　[0191] 另外，也可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(簡稱：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(簡稱：PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯基胺基)苯基]苯基-N’-苯基胺基}苯基)甲基丙烯醯胺](簡稱：PTPDMA)、聚[N,N’-雙(4-丁基苯基)-N,N’-雙(苯基)聯苯胺](簡稱：Poly-TPD)等高分子化合物。　　[0192] 另外，作為電洞傳輸性高的材料，例如，可以使用4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺基]聯苯(簡稱：NPB或a-NPD)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-聯苯]-4,4’-二胺(簡稱：TPD)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(簡稱：TCTA)、4,4’,4”-三[N-(1-萘基)-N-苯胺基]三苯胺(簡稱：1’-TNATA)、4,4’,4”-三(N，N-二苯胺基)三苯胺(簡稱：TDATA)、4,4’,4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯胺基]三苯胺(簡稱：MTDATA)、4,4’-雙[N-(螺-9,9’-聯茀-2-基)-N-苯胺基]聯苯(簡稱：BSPB)、4-苯基-4’-(9-苯基茀-9-基)三苯胺(簡稱：BPAFLP)、4-苯基-3’-(9-苯基茀-9-基)三苯胺(簡稱：mBPAFLP)、N-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)-N-{9,9-二甲基-2-[N’-苯基-N’-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)氨]-9H-茀-7-基}苯基胺(簡稱：DFLADFL)、N-(9,9-二甲基-2-二苯胺基-9H-茀-7-基)二苯基胺(簡稱：DPNF)、2-[N-(4-二苯胺基苯基)-N-苯胺基]螺-9,9’-聯茀(簡稱：DPASF)、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBA1BP)、4,4’-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBANB)、4,4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBNBB)、4-苯基二苯基-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)胺(簡稱：PCA1BP)、N,N’-雙(9-苯基咔唑-3-基)-N,N’-二苯基苯-1,3-二胺(簡稱：PCA2B)、N,N’,N”-三苯基-N,N’,N”-三(9-苯基咔唑-3-基)苯-1,3,5-三胺(簡稱：PCA3B)、N-(4-聯苯)-N-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)-9-苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱：PCBiF)、N-(1,1’-聯苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9,9-二甲基-9H-茀-2-胺(簡稱：PCBBiF)、9,9-二甲基-N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]茀-2-胺(簡稱：PCBAF)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]螺-9,9’-聯茀-2-胺(簡稱：PCBASF)、2-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯胺基]螺-9,9’-聯茀(簡稱：PCASF)、2,7-雙[N-(4-二苯胺基苯基)-N-苯胺基]螺-9,9’-聯茀(簡稱：DPA2SF)、N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-(4-苯基)苯基苯胺(簡稱：YGA1BP)、N,N’-雙[4-(咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基-9,9-二甲基茀-2,7-二胺(簡稱：YGA2F)等芳香胺化合物等。另外，還可以使用3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(簡稱：PCPN)、3-[4-(9-菲基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(簡稱：PCPPn)、3,3’-雙(9-苯基-9H-咔唑)(簡稱：PCCP)、1,3-雙(N-咔唑基)苯(簡稱：mCP)、3,6-雙(3,5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(簡稱：CzTP)、3,6-二(9H-咔唑-9-基)-9-苯基-9H-咔唑(簡稱：PhCzGI)、2,8-二(9H-咔唑-9-基)-二苯并噻吩(簡稱：Cz2DBT)等的胺化合物、咔唑化合物等。在上述化合物中，具有吡咯骨架、芳香胺骨架的化合物穩定且可靠性良好，所以是較佳的。另外，具有上述骨架的化合物具有高電洞傳輸性，也有助於驅動電壓的降低。　　[0193] 另外，作為有機化合物141_2可以使用具有如咪唑骨架、三唑骨架及四唑骨架等的含氮五元雜環骨架的化合物。明確而言，例如可以使用3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-三級丁基苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：TAZ)、9-[4-(4,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑-3-基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzTAZ1)、2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(簡稱：TPBI)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑(簡稱：mDBTBIm-II)等。　　[0194] 在發光層140中，對客體材料142沒有特別的限制，作為螢光化合物較佳為使用蒽化合物、稠四苯化合物、䓛(chrysene)化合物、菲化合物、芘化合物、苝化合物、二苯乙烯化合物、吖啶酮化合物、香豆素化合物、啡㗁𠯤化合物、啡噻𠯤化合物等，例如可以使用如下物質。　　[0195] 明確而言，作為該材料，可以舉出5,6-雙[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-2,2’-聯吡啶(簡稱：PAP2BPy)、5,6-雙[4’-(10-苯基-9-蒽基)聯苯-4-基]-2,2’-聯吡啶(簡稱：PAPP2BPy)、N,N’-二苯基-N,N’-雙[4-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]芘-1,6-二胺(簡稱：1,6FLPAPrn)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙[3-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(簡稱：1,6mMemFLPAPrn)、N,N’-雙[4-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]-N,N’-雙(4-三級丁苯基)芘-1,6-二胺(簡稱：1,6tBu-FLPAPrn)、N,N’-二苯基-N,N’-雙[4-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]-3,8-二環己基芘-1,6-二胺(簡稱：ch-1,6FLPAPrn)、N,N’-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基二苯乙烯-4,4’-二胺(簡稱：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：YGAPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(9,10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(簡稱：2YGAPPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：PCAPA)、苝、2,5,8,11-四(三級丁基)苝(簡稱：TBP)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBAPA)、N,N”-(2-三級丁基蒽-9,10-二基二-4,1-伸苯基)雙[N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺](簡稱：DPABPA)、N,9-二苯基-N-[4-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCAPPA)、N-[4-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(簡稱：2DPAPPA)、N,N,N’,N’,N”,N”,N’”,N’”-八苯基二苯并[g,p]䓛(chrysene)-2,7,10,15-四胺(簡稱：DBC1)、香豆素30、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCAPA)、N-[9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCABPhA)、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(簡稱：2DPAPA)、N-[9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(簡稱：2DPABPhA)、9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(簡稱：2YGABPhA)、N,N,9-三苯基蒽-9-胺(簡稱：DPhAPhA)、香豆素6、香豆素545T、N,N’-二苯基喹吖酮(簡稱：DPQd)、紅螢烯、2,8-二-三級丁基-5,11-雙(4-三級丁苯基)-6,12-二苯基稠四苯(簡稱：TBRb)、尼羅紅、5,12-雙(1,1’-聯苯-4-基)-6,11-二苯基稠四苯(簡稱：BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲胺基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡稱：DCM1)、2-{2-甲基-6-[2-(2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱：DCM2)、N,N,N’,N’-四(4-甲基苯基)稠四苯-5,11-二胺(簡稱：p-mPhTD)、7,14-二苯基-N,N,N’,N’-四(4-甲基苯基)苊并[1,2-a]丙二烯合茀-3,10-二胺(簡稱：p-mPhAFD)、2-{2-異丙基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱：DCJTI)、2-{2-三級丁基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱：DCJTB)、2-(2,6-雙{2-[4-(二甲胺基)苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡稱：BisDCM)、2-{2,6-雙[2-(8-甲氧基-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱：BisDCJTM)、5,10,15,20-四苯基雙苯并(tetraphenylbisbenzo)[5,6]茚并[1,2,3-cd：1’,2’,3’-lm]苝等。　　[0196] 作為客體材料142(磷光化合物)，可以舉出銥、銠、鉑類有機金屬錯合物或金屬錯合物，其中較佳的是有機銥錯合物，例如銥類鄰位金屬錯合物。作為鄰位金屬化的配體，可以舉出4H-三唑配體、1H-三唑配體、咪唑配體、吡啶配體、嘧啶配體、吡嗪配體或異喹啉配體等。作為金屬錯合物可以舉出具有卟啉配體的鉑錯合物等。　　[0197] 作為在藍色或綠色的波長區域具有發光峰值的物質，例如可以舉出三{2-[5-(2-甲基苯基)-4-(2,6-二甲基苯基)-4H-1,2,4-三唑-3-基-kN2]苯基-kC}銥(III)(簡稱：Ir(mpptz-dmp)₃ )、三(5-甲基-3,4-二苯基-4H-1,2,4-三唑)銥(III)(簡稱：Ir(Mptz)₃ )、三[4-(3-聯苯)-5-異丙基-3-苯基-4H-1,2,4-三唑]銥(III)(簡稱：Ir(iPrptz-3b)₃ )、三[3-(5-聯苯)-5-異丙基-4-苯基-4H-1，2，4-三唑]銥(III)(簡稱：Ir(iPr5btz)₃ )等具有4H-三唑骨架的有機金屬銥錯合物；三[3-甲基-1-(2-甲基苯基)-5-苯基-1H-1,2,4-三唑]銥(III)(簡稱：Ir(Mptz1-mp)₃ )、三(1-甲基-5-苯基-3-丙基-1H-1,2,4-三唑)銥(III)(簡稱：Ir(Prptz1-Me)₃ )等具有1H-三唑骨架的有機金屬銥錯合物；fac-三[1-(2,6-二異丙基苯基)-2-苯基-1H-咪唑]銥(III)(簡稱：Ir(iPrpmi)₃ )、三[3-(2,6-二甲基苯基)-7-甲基咪唑并[1,2-f]菲啶根(phenanthridinato)]銥(III)(簡稱：Ir(dmpimpt-Me)₃ )等具有咪唑骨架的有機金屬銥錯合物；以及雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶根-N,C^2’ ]銥(III)四(1-吡唑基)硼酸鹽(簡稱：FIr6)、雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶根-N,C^2’ ]銥(III)吡啶甲酸鹽(簡稱：FIrpic)、雙{2-[3’,5’-雙(三氟甲基)苯基]吡啶根-N,C^2’ }銥(III)吡啶甲酸鹽(簡稱：Ir(CF₃ ppy)₂ (pic))、雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶根-N,C^2’ ]銥(III)乙醯丙酮(簡稱：FIr(acac))等以具有拉電子基團的苯基吡啶化合物為配體的有機金屬銥錯合物。在上述金屬錯合物中，由於具有4H-三唑骨架、1H-三唑骨架及咪唑骨架等含氮五元雜環骨架的有機金屬銥錯合物的三重激發能很高並具有優異的可靠性及發光效率，所以是特別較佳的。　　[0198] 作為在綠色或黃色的波長區域具有發光峰值的物質，例如可以舉出三(4-甲基-6-苯基嘧啶)銥(III)(簡稱：Ir(mppm)₃ )、三(4-三級丁基-6-苯基嘧啶)銥(III)(簡稱：Ir(tBuppm)₃ )、(乙醯丙酮根)雙(6-甲基-4-苯基嘧啶)銥(III)(簡稱：Ir(mppm)₂ (acac))、(乙醯丙酮根)雙(6-三級丁基-4-苯基嘧啶)銥(III)(簡稱：Ir(tBuppm)₂ (acac))、(乙醯丙酮根)雙[4-(2-降莰基)-6-苯基嘧啶]銥(III)(簡稱：Ir(nbppm)₂ (acac))、(乙醯丙酮根)雙[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-苯基嘧啶]銥(III)(簡稱：Ir(mpmppm)₂ (acac))、(乙醯丙酮根)雙{4,6-二甲基-2-[6-(2,6-二甲基苯基)-4-嘧啶基-kN3］苯基-kC}銥(III)(簡稱：Ir(dmppm-dmp)₂ (acac))、(乙醯丙酮根)雙(4,6-二苯基嘧啶)銥(III)(簡稱：Ir(dppm)₂ (acac))等具有嘧啶骨架的有機金屬銥錯合物；(乙醯丙酮根)雙(3,5-二甲基-2-苯基吡嗪)銥(III)(簡稱：Ir(mppr-Me)₂ (acac))、(乙醯丙酮根)雙(5-異丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪)銥(III)(簡稱：Ir(mppr-iPr)₂ (acac))等具有吡嗪骨架的有機金屬銥錯合物；三(2-苯基吡啶-N,C^2’ )銥(III)(簡稱：Ir(ppy)₃ )、雙(2-苯基吡啶根-N,C^2’ )銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(ppy)₂ (acac))、雙(苯并[h]喹啉)銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(bzq)₂ (acac))、三(苯并[h]喹啉)銥(III)(簡稱：Ir(bzq)₃ )、三(2-苯基喹啉-N,C^2’ )銥(III)(簡稱：Ir(pq)₃ )、雙(2-苯基喹啉-N,C^2’ )銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(pq)₂ (acac))等具有吡啶骨架的有機金屬銥錯合物；雙(2,4-二苯基-1,3-㗁唑-N,C^2’ )銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(dpo)₂ (acac))、雙{2-[4’-(全氟苯基)苯基]吡啶-N,C^2’ }銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(p-PF-ph)₂ (acac))、雙(2-苯基苯并噻唑-N，C^2’ )銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(bt)₂ (acac))等有機金屬銥錯合物；三(乙醯丙酮根)(單啡啉)鋱(III)(簡稱：Tb(acac)₃ (Phen))等稀土金屬錯合物。在上述物質中，由於具有嘧啶骨架的有機金屬銥錯合物也具有顯著優良的可靠性及發光效率，所以是尤其較佳的。　　[0199] 另外，作為在黃色或紅色的波長區域具有發光峰值的物質，例如可以舉出(二異丁醯甲烷根)雙[4,6-雙(3-甲基苯基)嘧啶根]銥(III)(簡稱：Ir(5mdppm)₂ (dibm))、雙[4,6-雙(3-甲基苯基)嘧啶根](二新戊醯基甲烷根)銥(III)(簡稱：Ir(5mdppm)₂ (dpm))、雙[4,6-二(萘-1-基)嘧啶根](二新戊醯基甲烷根)銥(III)(簡稱：Ir(d1npm)₂ (dpm))等具有嘧啶骨架的有機金屬銥錯合物；(乙醯丙酮根)雙(2,3,5-三苯基吡嗪根)銥(III)(簡稱：Ir(tppr)₂ (acac))、雙(2,3,5-三苯基吡嗪根)(二新戊醯基甲烷根)銥(III)(簡稱：Ir(tppr)₂ (dpm))、(乙醯丙酮根)雙[2,3-雙(4-氟苯基)喹㗁啉]合銥(III)(簡稱：Ir(Fdpq)₂ (acac))等具有吡嗪骨架的有機金屬銥錯合物；三(1-苯基異喹啉-N,C^2’ )銥(III)(簡稱：Ir(piq)₃ )、雙(1-苯基異喹啉-N,C^2’ )銥(III)乙醯丙酮(簡稱：Ir(piq)₂ (acac))等具有吡啶骨架的有機金屬銥錯合物；2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉鉑(II)(簡稱：PtOEP)等鉑錯合物；以及三(1,3-二苯基-1,3-丙二酮(propanedionato))(單啡啉)銪(III)(簡稱：Eu(DBM)₃ (Phen))、三[1-(2-噻吩甲醯基)-3,3,3-三氟丙酮](單啡啉)銪(III)(簡稱：Eu(TTA)₃ (Phen))等稀土金屬錯合物。在上述物質中，由於具有嘧啶骨架的有機金屬銥錯合物也具有顯著優良的可靠性及發光效率，所以是尤其較佳的。另外，具有吡嗪骨架的有機金屬銥錯合物可以實現色度良好的紅色光。　　[0200] 由於具有苯并呋喃并吡嗪骨架或苯并噻吩并吡嗪骨架的有機化合物具有較高的T1能階，所以適用於使用能夠將三重激發能轉換為發光的物質作為發光材料的發光層的主體材料。因此，作為發光層140所包含的發光材料，較佳為使用能夠將三重激發能轉換為發光的材料。作為該能夠將三重激發能轉換為發光的材料，除了上述磷光化合物之外，可以舉出熱活化延遲螢光(Thermally activated delayed fluorescence：TADF)材料。因此，可以將有關磷光化合物的記載看作有關熱活化延遲螢光材料的記載。注意，熱活化延遲螢光材料是指三重激發能階與單重激發能階的差較小且具有藉由反系間竄越將能量從三重激發態轉換為單重激發態的功能的材料。因此，能夠藉由微小的熱能量將三重激發態上轉換(up-convert)為單重激發態(反系間竄越)並能夠高效地呈現來自單重激發態的發光(螢光)。另外，可以高效地獲得熱活化延遲螢光的條件為如下：三重激發態能階與單重激態發能階的能量差大於0eV且為0.2eV以下，較佳為大於0eV且為0.1eV以下。作為熱活化延遲螢光材料，也可以使用實施方式1中說明的化合物。　　[0201] 當熱活化延遲螢光材料由一種材料構成時，例如可以使用如下材料。　　[0202] 首先，可以舉出富勒烯或其化合物、原黃素等吖啶化合物、曙紅(eosin)等。另外，可以舉出包含鎂(Mg)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、錫(Sn)、鉑(Pt)、銦(In)或鈀(Pd)等的含金屬卟啉。作為該含金屬卟啉，例如，也可以舉出原卟啉-氟化錫錯合物(簡稱：SnF₂ (Proto IX))、中卟啉-氟化錫錯合物(簡稱：SnF₂ (Meso IX))、血卟啉-氟化錫錯合物(簡稱：SnF₂ (Hemato IX))、糞卟啉四甲酯-氟化錫錯合物(簡稱：SnF₂ (Copro Ⅲ-4Me))、八乙基卟啉-氟化錫錯合物(簡稱：SnF₂ (OEP))、初卟啉-氟化錫錯合物(簡稱：SnF₂ (Etio I))以及八乙基卟啉-氯化鉑錯合物(簡稱：PtCl₂ OEP)等。　　[0203] 另外，作為由一種材料構成的熱活化延遲螢光材料，還可以使用具有富p電子型芳雜環及缺p電子型芳雜環的雜環化合物。明確而言，可以舉出2-(聯苯-4-基)-4,6-雙(12-苯基吲哚并[2,3-a]咔唑-11-基)-1,3,5-三嗪(簡稱：PIC-TRZ)、2-{4-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(簡稱：PCCzPTzn)、2-[4-(10H-啡㗁𠯤-10-基)苯基]-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(簡稱：PXZ-TRZ)、3-[4-(5-苯基-5,10-二氫啡𠯤-10-基)苯基]-4,5-二苯基-1,2,4-三唑(簡稱：PPZ-3TPT)、3-(9,9-二甲基-9H-吖啶-10-基)-9H-氧雜蒽-9-酮(簡稱：ACRXTN)、雙[4-(9,9-二甲基-9,10-二氫吖啶)苯基]碸(簡稱：DMAC-DPS)、10-苯基-10H,10’H-螺[吖啶-9,9’-蒽]-10’-酮(簡稱：ACRSA)等。該雜環化合物具有富p電子型芳雜環及缺p電子型芳雜環，因此電子傳輸性及電洞傳輸性高，所以是較佳的。尤其是，在具有缺p電子型芳雜環的骨架中，二嗪骨架(嘧啶骨架、吡嗪骨架、嗒𠯤骨架)或三嗪骨架穩定且可靠性良好，所以是較佳的。另外，在具有富p電子型芳雜環的骨架中，吖啶骨架、啡㗁𠯤骨架、噻吩骨架、呋喃骨架及吡咯骨架穩定且可靠性良好，所以具有選自該骨架中的任何一個或多個是較佳的。作為吡咯骨架，特別較佳為使用吲哚骨架、咔唑骨架及3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑骨架。另外，在富p電子型雜芳環與缺p電子型雜芳環直接鍵合的物質中，富p電子型雜芳環的施體性和缺p電子型雜芳環的受體性都強，而單重激發態的能階和三重激發態的能階之間的差異小，所以是特別較佳的。　　[0204] 另外，發光層140也可以包括主體材料141及客體材料142以外的材料。　　[0205] 對作為能夠用於發光層140的材料沒有特別的限定，例如，可以舉出蒽化合物、菲化合物、芘化合物、䓛化合物、二苯并[g,p]䓛化合物等的縮合多環芳香化合物，明確而言，可以舉出9,10-二苯基蒽(簡稱：DPAnth)、6,12-二甲氧基-5,11-二苯基䓛、9,10-雙(3,5-二苯基苯基)蒽(簡稱：DPPA)、9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：DNA)、2-三級丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：t-BuDNA)、9,9’-聯蒽(簡稱：BANT)、9,9’-(二苯乙烯-3,3’-二基)二菲(簡稱：DPNS)、9,9’-(二苯乙烯-4,4’-二基)二菲(簡稱：DPNS2)、1,3,5-三(1-芘)苯(簡稱：TPB3)等。另外，可以從上述物質及公知物質中選擇一種或多種具有比上述客體材料142的激發能階高的單重激發能階或三重激發能階的物質而使用。　　[0206] 另外，例如，可以將如㗁二唑化合物等的具有芳雜環骨架的化合物用於發光層140。明確而言，例如，可以舉出2-(4-聯苯基)-5-(4-三級丁基苯基)-1,3,4-㗁二唑(簡稱：PBD)、1,3-雙[5-(對三級丁基苯基)-1,3,4-㗁二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、9-[4-(5-苯基-1,3,4-㗁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CO11)、4,4’-雙(5-甲基苯并㗁唑-2-基)二苯乙烯(簡稱：BzOs)等的雜環化合物。　　[0207] 另外，可以將具有雜環的金屬錯合物(例如，鋅及鋁類金屬錯合物)等用於發光層140。例如，可以舉出包括喹啉配體、苯并喹啉配體、㗁唑配體或噻唑配體的金屬錯合物。明確而言，可舉出具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬錯合物等，例如三(8-羥基喹啉)鋁(III)(簡稱：Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(III)(簡稱：Almq₃ )、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹(II)(簡稱：BeBq₂ )、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(III)(簡稱：BAlq)、雙(8-羥基喹啉)鋅(II)(簡稱：Znq)等。另外，除此之外，還可以使用如雙[2-(2-苯并㗁唑基)苯酚]鋅(II)(簡稱：ZnPBO)、雙[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]鋅(II)(簡稱：ZnBTZ)等具有㗁唑基類或噻唑類配體的金屬錯合物等。　　[0208] 發光層140也可以由兩層以上的多個層形成。例如，在從電洞傳輸層一側依次層疊第一發光層和第二發光層來形成發光層140的情況下，可以將具有電洞傳輸性的物質用作第一發光層的主體材料，並且將具有電子傳輸性的物質用作第二發光層的主體材料。另外，第一發光層和第二發光層所包含的發光材料也可以是相同或不同的材料。另外，第一發光層和第二發光層所包含的發光材料既可以是具有呈現相同顏色的發光的功能的材料，又可以是具有呈現不同顏色的發光的功能的材料。藉由作為兩層的發光層分別使用具有呈現彼此不同顏色的發光的功能的發光材料，可以同時得到多個發光。尤其是，較佳為選擇用於各發光層的發光材料，以便藉由組合兩層發光層所發射的光而能夠得到白色發光。　　[0209] 另外，可以利用蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、噴墨法、塗佈法、凹版印刷等的方法形成發光層140。此外，除了上述材料以外，發光層140也可以包含量子點等無機化合物或高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)。　　[0210] áá電洞注入層ññ 　　電洞注入層111具有藉由降低從一對電極中的一個(電極101或電極102)的電洞的注入能障促進電洞注入的功能，並例如使用過渡金屬氧化物、酞青化合物或芳香胺等形成。作為過渡金屬氧化物可以舉出鉬氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物等。作為酞青化合物，可以舉出酞青或金屬酞青等。作為芳香胺，可以舉出聯苯胺化合物或伸苯基二胺化合物等。另外，也可以使用聚噻吩或聚苯胺等高分子化合物，典型的是：作為被自摻雜的聚噻吩的聚(乙基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)等。　　[0211] 電洞注入層111也可以包含電洞傳輸性材料和對該電洞傳輸性材料呈現電子接收性的材料的複合材料。或者，也可以使用包含呈現電子接收性的材料的層與包含電洞傳輸性材料的層的疊層。在定態或者在存在有電場的狀態下，電荷的授受可以在這些材料之間進行。作為呈現電子接收性的材料，可以舉出醌二甲烷化合物、四氯苯醌化合物、六氮雜聯伸三苯化合物等有機受體。明確而言，可以舉出7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(簡稱：F₄ -TCNQ)、氯醌、2,3,6,7,10,11-六氰-1,4,5,8,9,12-六氮雜聯伸三苯(簡稱：HAT-CN)等具有拉電子基團(鹵基或氰基)的化合物。此外，也可以使用過渡金屬氧化物、例如第4族至第8族金屬的氧化物。明確而言，可以使用氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、氧化錸等。特別較佳為使用氧化鉬，因為其在大氣中也穩定，吸濕性低，並且容易處理。　　[0212] 作為電洞傳輸性材料，可以使用電洞傳輸性比電子傳輸性高的材料，較佳為使用具有1´10^-6 cm² /Vs以上的電洞移動率的材料。明確而言，可以使用作為能夠用於發光層140的電洞傳輸性材料而舉出的芳香胺、咔唑化合物、芳烴、二苯乙烯化合物等。上述電洞傳輸性材料也可以是高分子化合物。　　[0213] 另外，作為電洞傳輸性材料還可以舉出芳烴，例如，可以舉出2-三級丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：t-BuDNA)、2-三級丁基-9,10-二(1-萘基)蒽、9,10-雙(3,5-二苯基苯基)蒽(簡稱：DPPA)、2-三級丁基-9,10-雙(4-苯基苯基)蒽(簡稱：t-BuDBA)、9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：DNA)、9,10-二苯基蒽(簡稱：DPAnth)、2-三級丁基蒽(簡稱：t-BuAnth)、9,10-雙(4-甲基-1-萘基)蒽(簡稱：DMNA)、2-三級丁基-9,10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽、9,10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽、2,3,6,7-四甲基-9,10-二(1-萘基)蒽、2,3,6,7-四甲基-9,10-二(2-萘基)蒽、9,9’-聯蒽、10,10’-二苯基-9,9’-聯蒽、10,10’-雙(2-苯基苯基)-9,9’-聯蒽、10,10’-雙[(2,3,4,5,6-五苯基)苯基]-9,9’-聯蒽、蒽、稠四苯、紅螢烯、苝、2,5,8,11-四(三級丁基)苝等。此外，還可以使用稠五苯、蔻等。如此，更佳為使用具有1´10^-6 cm² /Vs以上的電洞移動率且碳原子數為14至42的芳烴。　　[0214] 另外，芳烴可以具有乙烯基骨架。作為具有乙烯基的芳烴，例如，可以舉出4,4’-雙(2,2-二苯基乙烯基)聯苯(簡稱：DPVBi)、9,10-雙[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(簡稱：DPVPA)等。　　[0215] 另外，可以使用4-{3-[3-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(簡稱：mmDBFFLBi-II)、4,4’,4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并呋喃)(簡稱：DBF3P-II)、1,3,5-三(二苯并噻吩-4-基)苯(簡稱：DBT3P-II)、2,8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]二苯并噻吩(簡稱：DBTFLP-III)、4-[4-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(簡稱：DBTFLP-IV)、4-[3-(聯伸三苯-2-基)苯基]二苯并噻吩(簡稱：mDBTPTp-II)等的噻吩化合物、呋喃化合物、茀化合物、聯伸三苯化合物、菲化合物等。其中，具有吡咯骨架、呋喃骨架、噻吩骨架、芳香胺骨架的化合物穩定且可靠性良好，所以是較佳的。具有上述骨架的化合物具有高電洞傳輸性，也有助於驅動電壓的降低。　　[0216] áá電洞傳輸層ññ 　　電洞傳輸層112是包含電洞傳輸性材料的層，可以使用作為電洞注入層111的材料所例示的電洞傳輸性材料。電洞傳輸層112具有將注入到電洞注入層111的電洞傳輸到發光層140的功能，所以較佳為具有與電洞注入層111的HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital，也稱為最高佔據分子軌域)能階相同或接近的HOMO能階。　　[0217] 另外，較佳為使用具有1´10^-6 cm² /Vs以上的電洞移動率的物質。但是，只要是電洞傳輸性高於電子傳輸性的物質，就可以使用上述物質以外的物質。另外，包括高電洞傳輸性的物質的層不限於單層，還可以層疊兩層以上的由上述物質構成的層。　　[0218] áá電子傳輸層ññ 　　電子傳輸層118具有將從一對電極中的另一個(電極101或電極102)經過電子注入層119注入的電子傳輸到發光層140的功能。作為電子傳輸性材料，可以使用電子傳輸性比電洞傳輸性高的材料，較佳為使用具有1´10^-6 cm² /Vs以上的電子移動率的材料。作為容易接收電子的化合物(具有電子傳輸性的材料)，可以使用含氮雜芳族化合物等缺p電子型雜芳族化合物或金屬錯合物等。由於本發明的一個實施方式的有機化合物具有吡嗪骨架，所以適用於容易接收電子的化合物。作為其他的具體例子，可以舉出作為可用於發光層140的電子傳輸性材料舉出的吡啶化合物、聯吡啶化合物、嘧啶化合物、三嗪化合物、喹㗁啉化合物、二苯并喹㗁啉化合物、啡啉化合物、三唑化合物、苯并咪唑化合物、㗁二唑化合物等。另外，較佳為具有1´10^-6 cm² /Vs以上的電子移動率的物質。另外，只要是電子傳輸性高於電洞傳輸性的物質，就可以使用上述物質以外的物質。另外，電子傳輸層118不限於單層，還可以層疊兩層以上的由上述物質構成的層。　　[0219] 另外，還可以舉出具有雜環的金屬錯合物，例如，可以舉出可以舉出包括喹啉配體、苯并喹啉配體、㗁唑配體或噻唑配體的金屬錯合物。明確而言，可舉出具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬錯合物等，例如三(8-羥基喹啉)鋁(III)(簡稱：Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(III)(簡稱：Almq₃ )、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹(II)(簡稱：BeBq₂ )、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(III)(簡稱：BAlq)、雙(8-羥基喹啉)鋅(II)(簡稱：Znq)等。另外，除此之外，還可以使用如雙[2-(2-苯并㗁唑基)苯酚]鋅(II)(簡稱：ZnPBO)、雙[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]鋅(II)(簡稱：ZnBTZ)等具有㗁唑基類配體或噻唑類配體的金屬錯合物等。　　[0220] 另外，還可以在電子傳輸層118與發光層140之間設置控制電子載子的移動的層。該控制電子載子的移動的層是對上述電子傳輸性高的材料添加少量的電子俘獲性高的物質而成的層，藉由抑制電子載子的移動，可以調節載子平衡。這種結構對電子傳輸性材料的電子傳輸性比電洞傳輸性材料的電洞傳輸性高得多的情況下發生的問題(例如元件壽命的下降)的抑制發揮很大的效果。　　[0221] áá電子注入層ññ 　　電子注入層119具有藉由降低電子注入層119與電極102之間的介面處的電子注入能障促進電子注入的功能，例如可以使用第1族金屬、第2族金屬或它們的氧化物、鹵化物、碳酸鹽等。另外，也可以使用上述電子傳輸性材料和對該電子傳輸性材料呈現電子供給性的材料的複合材料。作為呈現電子供給性的材料，可以舉出第1族金屬、第2族金屬或它們的氧化物等。明確而言，可以使用氟化鋰(LiF)、氟化鈉(NaF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF₂ )及鋰氧化物(LiO_x )等鹼金屬、鹼土金屬或這些金屬的化合物。另外，可以使用氟化鉺(ErF₃ )等稀土金屬化合物。另外，也可以將電子鹽用於電子注入層119。作為該電子鹽，例如可以舉出對鈣和鋁的混合氧化物以高濃度添加電子的物質等。另外，也可以將能夠用於電子傳輸層118的物質用於電子注入層119。　　[0222] 另外，也可以將有機化合物與電子予體(施體)混合形成的複合材料用於電子注入層119。這種複合材料因為藉由電子予體在有機化合物中產生電子而具有優異的電子注入性和電子傳輸性。在此情況下，有機化合物較佳為在傳輸所產生的電子方面性能優異的材料，明確而言，例如，可以使用如上所述的構成電子傳輸層118的物質(金屬錯合物、雜芳族化合物等)。作為電子予體，只要是對有機化合物呈現電子供給性的物質即可。明確而言，較佳為使用鹼金屬、鹼土金屬和稀土金屬，可以舉出鋰、鈉、銫、鎂、鈣、鉺、鐿等。另外，較佳為使用鹼金屬氧化物或鹼土金屬氧化物，可以舉出鋰氧化物、鈣氧化物、鋇氧化物等。此外，還可以使用氧化鎂等路易士鹼。另外，也可以使用四硫富瓦烯(簡稱：TTF)等有機化合物。　　[0223] 另外，上述發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層及電子注入層分別可以藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、噴墨法、塗佈法、凹版印刷等方法形成。此外，作為上述發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層及電子注入層，除了上述材料之外，也可以使用量子點等無機化合物或高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)。　　[0224] áá量子點ññ 　　量子點是其尺寸為幾nm至幾十nm的半導體奈米晶，並由1´10³ 個至1濸10⁶ 個左右的原子構成。量子點的能量移動依賴於其尺寸，因此，即使是由相同的物質構成的量子點也根據尺寸具有互不相同的發光波長。所以，藉由改變所使用的量子點的尺寸，可以容易改變發光波長。　　[0225] 此外，量子點的發射光譜的峰寬窄，因此，可以得到色純度高的發光。再者，量子點的理論上的內部量子效率被認為大致是100%，亦即，大幅度地超過呈現螢光發光的有機化合物的25%，且與呈現磷光發光的有機化合物相等。因此，藉由將量子點用作發光材料，可以獲得發光效率高的發光元件。而且，作為無機材料的量子點在實質穩定性上也是優異的，因此，可以獲得壽命長的發光元件。　　[0226] 作為構成量子點的材料，可以舉出第十四族元素、第十五族元素、第十六族元素、包含多個第十四族元素的化合物、第四族至第十四族的元素和第十六族元素的化合物、第二族元素和第十六族元素的化合物、第十三族元素和第十五族元素的化合物、第十三族元素和第十七族元素的化合物、第十四族元素和第十五族元素的化合物、第十一族元素和第十七族元素的化合物、氧化鐵類、氧化鈦類、硫系尖晶石(spinel chalcogenide)類、半導體簇等。　　[0227] 明確而言，可以舉出硒化鎘、硫化鎘、碲化鎘、硒化鋅、氧化鋅、硫化鋅、碲化鋅、硫化汞、硒化汞、碲化汞、砷化銦、磷化銦、砷化鎵、磷化鎵、氮化銦、氮化鎵、銻化銦、銻化鎵、磷化鋁、砷化鋁、銻化鋁、硒化鉛、碲化鉛、硫化鉛、硒化銦、碲化銦、硫化銦、硒化鎵、硫化砷、硒化砷、碲化砷、硫化銻、硒化銻、碲化銻、硫化鉍、硒化鉍、碲化鉍、矽、碳化矽、鍺、錫、硒、碲、硼、碳、磷、氮化硼、磷化硼、砷化硼、氮化鋁、硫化鋁、硫化鋇、硒化鋇、碲化鋇、硫化鈣、硒化鈣、碲化鈣、硫化鈹、硒化鈹、碲化鈹、硫化鎂、硒化鎂、硫化鍺、硒化鍺、碲化鍺、硫化錫、硫化錫、硒化錫、碲化錫、氧化鉛、氟化銅、氯化銅、溴化銅、碘化銅、氧化銅、硒化銅、氧化鎳、氧化鈷、硫化鈷、氧化鐵、硫化鐵、氧化錳、硫化鉬、氧化釩、氧化鎢、氧化鉭、氧化鈦、氧化鋯、氮化矽、氮化鍺、氧化鋁、鈦酸鋇、硒鋅鎘的化合物、銦砷磷的化合物、鎘硒硫的化合物、鎘硒碲的化合物、銦鎵砷的化合物、銦鎵硒的化合物、銦硒硫化合物、銅銦硫的化合物以及它們的組合等，但是不侷限於此。此外，也可以使用以任意比例表示組成的所謂的合金型量子點。例如，因為鎘硒硫的合金型量子點可以藉由改變元素的含量比來改變發光波長，所以鎘硒硫的合金型量子點是有效於得到藍色光的方法之一。　　[0228] 作為量子點的結構，有核型、核殼(Core Shell)型、核多殼(Core Multishell)型等。可以使用上述任一個，但是藉由使用覆蓋核且具有更寬的能帶間隙的其他無機材料來形成殼，可以減少存在於奈米晶表面上的缺陷或懸空鍵的影響，從而可以大幅度地提高發光的量子效率。由此，較佳為使用核殼型或核多殼型的量子點。作為殼的材料的例子，可以舉出硫化鋅或氧化鋅。　　[0229] 此外，在量子點中，由於表面原子的比例高，因此反應性高而容易發生聚集。因此，量子點的表面較佳為附著有保護劑或設置有保護基。由此可以防止聚集並提高對溶劑的溶解性。此外，還可以藉由降低反應性來提高電穩定性。作為保護劑(或保護基)，例如可以舉出：月桂醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯硬脂酸酯(polyoxyethylene stearyl ether)、聚氧乙烯月桂醚(polyoxyethylene oleyl ether)等聚氧乙烯烷基醚類；三丙基膦、三丁基膦、三己基膦、三辛基膦等三烷基膦類；聚氧乙烯正-辛基苯基醚、聚氧乙烯正-壬基苯基醚等聚氧乙烯烷基苯基醚類；三(正-己基)胺、三(正-辛基)胺、三(正-癸基)胺等三級胺類；三丙基氧化膦、三丁基氧化膦、三己基氧化膦、三辛基氧化膦、三癸基氧化膦等有機磷化合物；聚乙二醇二月桂酸酯、聚乙二醇二硬脂酸酯等聚乙二醇二酯類；吡啶、二甲基吡啶、柯林鹼、喹啉類等含氮芳香化合物等有機氮化合物；己基胺、辛基胺、癸基胺、十二烷基胺、十四烷基胺、十六烷基胺、十八烷基胺等胺基鏈烷類；二丁基硫醚等二烷基硫醚類；二甲亞碸、二丁亞碸等二烷亞碸類；噻吩等含硫芳香化合物等有機硫化合物；棕櫚酸、硬脂酸、油酸等高級脂肪酸；乙醇類；失水山梨醇脂肪酸酯類；脂肪酸改性聚酯類；三級胺類改性聚氨酯類；聚乙烯亞胺類等。　　[0230] 量子點其尺寸越小能帶間隙越大，因此適當地調節其尺寸以獲得所希望的波長的光。隨著結晶尺寸變小，量子點的發光向藍色一側(亦即，向高能量一側)遷移，因此，藉由改變量子點的尺寸，可以在涵蓋紫外區域、可見光區域和紅外區域的光譜的波長區域中調節其發光波長。通常使用的量子點的尺寸(直徑)為0.5nm至20nm，較佳為1nm至10nm。另外，量子點其尺寸分佈越小發射光譜越窄，因此可以獲得色純度高的發光。另外，對量子點的形狀沒有特別的限制，可以為球狀、棒狀、圓盤狀、其他的形狀。另外，作為棒狀量子點的量子杆具有呈現具有指向性的光的功能，所以藉由將量子杆用作發光材料，可以得到外部量子效率更高的發光元件。　　[0231] 在有機EL元件中，通常藉由將發光材料分散在主體材料中來抑制發光材料的濃度淬滅，而提高發光效率。主體材料需要具有發光材料以上的單重激發能階或三重激發能階。特別是，在將藍色磷光材料用作發光材料時，需要具有藍色磷光材料以上的三重激發能階且壽命長的主體材料，這種材料的開發是極困難的。在此，量子點即使在只使用量子點而不使用主體材料來形成發光層的情況下，也可以確保發光效率，因此可以得到壽命長的發光元件。在只使用量子點形成發光層時，量子點較佳為具有核殼型結構(包括核多殼型結構)。　　[0232] 在將量子點用作發光層的發光材料的情況下，該發光層的厚度為3nm至100nm，較佳為10nm至100nm，發光層所包含的量子點的比率為1vol.%至100vol.%。注意，較佳為只由量子點形成發光層。另外，在形成將該量子點用作發光材料而將其分散在主體材料中的發光層時，可以將量子點分散在主體材料中或將主體材料和量子點溶解或分散在適當的液體介質中，並使用濕處理(旋塗法、澆鑄法、點膠塗佈法、刮塗法、輥塗法、噴墨法、印刷法、噴塗法、簾式塗佈法、朗繆爾-布羅基特(Langmuir Blodgett)法等)形成。使用磷光發光材料的發光層除了上述濕處理之外也可以採用真空蒸鍍法。　　[0233] 作為用於濕處理的液體介質，例如可以使用：甲乙酮、環己酮等酮類；乙酸乙酯等脂肪酸酯類；二氯苯等鹵化烴類；甲苯、二甲苯、均三甲苯、環己基苯等芳烴類；環己烷、十氫化萘、十二烷等脂肪族烴類；二甲基甲醯胺(DMF)、二甲亞碸(DMSO)等有機溶劑。　　[0234] 《一對電極》　　電極101及電極102被用作發光元件的陽極或陰極。電極101及電極102可以使用金屬、合金、導電性化合物以及它們的混合物或疊層體等形成。　　[0235] 電極101和電極102中的一個較佳為使用具有反射光的功能的導電材料形成。作為該導電材料，可以舉出鋁(Al)或包含Al的合金等。作為包含Al的合金，可以舉出包含Al及L(L表示鈦(Ti)、釹(Nd)、鎳(Ni)和鑭(La)中的一個或多個)的合金等，例如為包含Al及Ti的合金或者包含Al、Ni及La的合金等。鋁具有低電阻率和高光反射率。此外，由於鋁在地殼中大量地含有且不昂貴，所以使用鋁可以降低發光元件的製造成本。此外，也可以使用銀(Ag)、包含Ag、N(N表示釔(Y)、Nd、鎂(Mg)、鐿(Yb)、Al、Ti、鎵(Ga)、鋅(Zn)、銦(In)、鎢(W)、錳(Mn)、錫(Sn)、鐵(Fe)、Ni、銅(Cu)、鈀(Pd)、銥(Ir)和金(Au)中的一個或多個)的合金等。作為包含銀的合金，例如可以舉出如下合金：包含銀、鈀及銅的合金；包含銀及銅的合金；包含銀及鎂的合金；包含銀及鎳的合金；包含銀及金的合金；以及包含銀及鐿的合金等。除了上述材料以外，可以使用鎢、鉻(Cr)、鉬(Mo)、銅及鈦等的過渡金屬。　　[0236] 另外，從發光層獲得的光透過電極101和電極102中的一個或兩個被提取。由此，電極101和電極102中的至少一個較佳為使用具有透過光的功能的導電材料形成。作為該導電材料，可以舉出可見光穿透率為40%以上且100%以下，較佳為60%以上且100%以下，且電阻率為1´10^-2 W×cm以下的導電材料。　　[0237] 此外，電極101及電極102也可以使用具有透過光的功能及反射光的功能的導電材料形成。作為該導電材料，可以舉出可見光反射率為20%以上且80%以下，較佳為40%以上且70%以下，且電阻率為1´10^-2 W×cm以下的導電材料。例如，可以使用具有導電性的金屬、合金和導電性化合物中的一種或多種。明確而言，例如可以使用銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，以下稱為ITO)、包含矽或氧化矽的銦錫氧化物(簡稱：ITSO)、氧化銦-氧化鋅(Indium Zinc Oxide)、含有鈦的氧化銦-錫氧化物、銦-鈦氧化物、包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦等金屬氧化物。另外，可以使用具有透過光的程度的厚度(較佳為1nm以上且30nm以下的厚度)的金屬膜。作為金屬，例如可以使用Ag、Ag及Al、Ag及Mg、Ag及Au以及Ag及Yb等的合金等。　　[0238] 注意，在本說明書等中，作為具有透光的功能的材料，使用具有使可見光透過的功能且具有導電性的材料即可，例如有上述以ITO為代表的氧化物導電體、氧化物半導體或包含有機物的有機導電體。作為包含有機物的有機導電體，例如可以舉出包含混合有機化合物與電子予體(施體)而成的複合材料、包含混合有機化合物與電子受體(受體)而成的複合材料等。另外，也可以使用石墨烯等無機碳類材料。另外，該材料的電阻率較佳為1´10⁵ W×cm以下，更佳為1´10⁴ W×cm以下。　　[0239] 另外，可以藉由層疊多個上述材料形成電極101和電極102中的一個或兩個。　　[0240] 為了提高光提取效率，可以與具有透過光的功能的電極接觸地形成其折射率比該電極高的材料。作為這種材料，只要具有透過可見光的功能即可，可以為具有導電性的材料，也可以為不具有導電性的材料。例如，除了上述氧化物導電體以外，還可以舉出氧化物半導體、有機物。作為有機物，例如可以舉出作為發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層或電子注入層例示出的材料。另外，也可以使用無機碳類材料或具有透過光的程度的厚度的金屬薄膜，也可以層疊多個具有幾nm至幾十nm厚的層。　　[0241] 當電極101或電極102具有被用作陰極的功能時，較佳為使用功函數小(3.8eV以下)的材料。例如，可以使用屬於元素週期表中的第1族或第2族的元素(例如，鋰、鈉及銫等鹼金屬、鈣或鍶等鹼土金屬、鎂等)、包含上述元素的合金(例如，Ag及Mg或Al及Li)、銪(Eu)或Yb等稀土金屬、包含上述稀土金屬的合金、包含鋁、銀的合金等。　　[0242] 當電極101或電極102被用作陽極時，較佳為使用功函數大(4.0eV以上)的材料。　　[0243] 電極101及電極102也可以採用具有反射光的功能的導電材料及具有透過光的功能的導電材料的疊層。在此情況下，電極101及電極102具有調整光學距離的功能以便使來自各發光層的所希望的波長的光諧振而增強該波長的光，所以是較佳的。　　[0244] 作為電極101及電極102的成膜方法，可以適當地使用濺射法、蒸鍍法、印刷法、塗佈法、MBE (Molecular Beam Epitaxy：分子束磊晶)法、CVD法、脈衝雷射沉積法、ALD(Atomic Layer Deposition：原子層沉積)法等。　　[0245] áá基板ññ 　　另外，本發明的一個實施方式的發光元件可以在由玻璃、塑膠等構成的基板上製造。作為在基板上層疊的順序，可以從電極101一側依次層疊，也可以從電極102一側依次層疊。　　[0246] 另外，作為能夠形成本發明的一個實施方式的發光元件的基板，例如可以使用玻璃、石英或塑膠等。或者，也可以使用撓性基板。撓性基板是可以彎曲(flexible)的基板，例如由聚碳酸酯、聚芳酯製成的塑膠基板等。另外，可以使用薄膜、無機蒸鍍薄膜等。注意，只要在發光元件及光學元件的製造過程中起支撐物的作用，就可以使用其他材料。或者，只要具有保護發光元件及光學元件的功能即可。　　[0247] 例如，在本說明書等中，可以使用各種基板形成發光元件。對基板的種類沒有特別的限制。作為該基板的例子，例如可以使用半導體基板(例如，單晶基板或矽基板)、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑膠基板、金屬基板、不鏽鋼基板、具有不鏽鋼箔的基板、鎢基板、具有鎢箔的基板、撓性基板、貼合薄膜、包含纖維狀的材料的紙或者基材薄膜等。作為玻璃基板的例子，有鋇硼矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃等。作為撓性基板、貼合薄膜、基材薄膜等，可以舉出如下例子。例如，可以舉出以聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚碸(PES)、聚四氟乙烯(PTFE)為代表的塑膠。或者，作為例子，可以舉出丙烯酸樹脂等樹脂等。或者，作為例子，可以舉出聚丙烯、聚酯、聚氟化乙烯或聚氯乙烯等。或者，作為例子，可以舉出聚醯胺、聚醯亞胺、芳族聚醯胺、環氧樹脂、無機蒸鍍薄膜、紙類等。　　[0248] 另外，也可以作為基板使用撓性基板，並在撓性基板上直接形成發光元件。或者，也可以在基板與發光元件之間設置剝離層。當在剝離層上製造發光元件的一部分或全部，然後將其從基板分離並轉置到其他基板上時可以使用剝離層。此時，也可以將發光元件轉置到耐熱性低的基板或撓性基板上。另外，作為上述剝離層，例如可以使用鎢膜和氧化矽膜的無機膜的疊層結構或在基板上形成有聚醯亞胺等樹脂膜的結構等。　　[0249] 也就是說，也可以使用一個基板來形成發光元件，然後將發光元件轉置到另一個基板上。作為發光元件被轉置的基板的例子，除了上述基板之外，還可以舉出玻璃紙基板、石材基板、木材基板、布基板(包括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)或再生纖維(醋酯纖維、銅氨纖維、人造纖維、再生聚酯)等)、皮革基板、橡膠基板等。藉由採用這些基板，可以製造不易損壞的發光元件、耐熱性高的發光元件、實現輕量化的發光元件或實現薄型化的發光元件。　　[0250] 另外，也可以在上述基板上例如形成場效應電晶體(FET)，並且在與FET電連接的電極上製造發光元件150。由此，可以製造藉由FET控制發光元件150的驅動的主動矩陣型顯示裝置。　　[0251] 本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。　　[0252] 實施方式4 　　在本實施方式中，參照圖2對具有與實施方式3所示的發光元件的結構不同的結構的發光元件進行說明。注意，在圖2中，在具有與圖1A所示的元件符號相同功能的部分，使用相同的陰影，而有時省略元件符號。此外，具有與圖1A相同的功能的部分由相同的元件符號表示，有時省略其詳細說明。　　[0253] á發光元件的結構實例2ñ 　　圖2是發光元件250的剖面示意圖。　　[0254] 圖2所示的發光元件250在一對電極(電極101與電極102)之間具有多個發光單元(發光單元106和發光單元110)。多個發光單元中的一個較佳為具有與圖1A所示的EL層100同樣的結構。也就是說，圖1A所示的發光元件150較佳為具有一個發光單元，而發光元件250較佳為具有多個發光單元。注意，在發光元件250中，雖然對電極101為陽極且電極102為陰極時的情況進行說明，但是作為發光元件250的結構也可以採用與此相反的結構。　　[0255] 在圖2所示的發光元件250中，層疊有發光單元106和發光單元110，並且在發光單元106與發光單元110之間設置有電荷產生層115。另外，發光單元106和發光單元110可以具有相同結構或不同結構。例如，發光單元110較佳為採用與EL層100相同的結構。　　[0256] 發光元件250包括發光層120和發光層170。發光單元106除了發光層170之外還包括電洞注入層111、電洞傳輸層112、電子傳輸層113及電子注入層114。發光單元110除了發光層120之外還包括電洞注入層116、電洞傳輸層117、電子傳輸層118及電子注入層119。　　[0257] 電荷產生層115既可以是對電洞傳輸性材料添加有作為電子受體的受體性物質的結構，又可以是對電子傳輸性材料添加有作為電子予體的施體性物質的結構。另外，也可以層疊這兩種結構。　　[0258] 當電荷產生層115包含由有機化合物與受體性物質構成的複合材料時，作為該複合材料使用可以用於實施方式3所示的電洞注入層111的複合材料即可。作為有機化合物，可以使用芳香胺化合物、咔唑化合物、芳烴、高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)等各種化合物。另外，作為有機化合物，較佳為使用其電洞移動率為1´10^-6 cm² /Vs以上的物質。但是，只要是其電洞傳輸性高於電子傳輸性的物質，就可以使用這些以外的物質。因為由有機化合物和受體性物質構成的複合材料具有良好的載子注入性以及載子傳輸性，所以可以實現低電壓驅動以及低電流驅動。注意，在發光單元的陽極一側的表面接觸於電荷產生層115時，電荷產生層115還可以具有該發光單元的電洞注入層或電洞傳輸層的功能，所以在該發光單元中也可以不設置電洞注入層或電洞傳輸層。或者，在發光單元的陰極一側的表面接觸於電荷產生層115時，電荷產生層115還可以具有該發光單元的電子注入層或電子傳輸層的功能，所以在該發光單元中也可以不設置電子注入層或電子傳輸層。　　[0259] 注意，電荷產生層115也可以是組合包含有機化合物和受體性物質的複合材料的層與由其他材料構成的層的疊層結構。例如，也可以是組合包含有機化合物和受體性物質的複合材料的層與包含選自供電子性物質中的一個化合物和高電子傳輸性的化合物的層的結構。另外，也可以是組合包含有機化合物和受體性物質的複合材料的層與包含透明導電膜的結構。　　[0260] 夾在發光單元106與發光單元110之間的電荷產生層115只要具有在將電壓施加到電極101和電極102之間時，將電子注入到一個發光單元且將電洞注入到另一個發光單元的結構即可。例如，在圖3A中，在以使電極101的電位高於電極102的電位的方式施加電壓時，電荷產生層115將電子注入到發光單元106且將電洞注入到發光單元110。　　[0261] 從光提取效率的觀點來看，電荷產生層115較佳為具有可見光透射性(明確而言，可見光對於電荷產生層115的透射率為40%以上)。另外，電荷產生層115即使其導電率小於一對電極(電極101及電極102)也發揮作用。　　[0262] 藉由使用上述材料形成電荷產生層115，可以抑制在層疊發光層時的驅動電壓的增大。　　[0263] 雖然在圖2中說明了具有兩個發光單元的發光元件，但是可以將同樣的結構應用於層疊有三個以上的發光單元的發光元件。如發光元件250所示，藉由在一對電極之間以由電荷產生層將其隔開的方式配置多個發光單元，可以實現在保持低電流密度的同時還可以進行高亮度發光，並且壽命更長的發光元件。另外，還可以實現低功耗的發光元件。　　[0264] 另外，在上述各結構中，用於發光單元106及發光單元110的客體材料的發光顏色既可以相同又可以不同。當發光單元106和發光單元110包含具有發射相同顏色的發光的功能的客體材料時，發光元件250成為以較低的電流呈現高發光亮度的發光元件，所以是較佳的。另外，當發光單元106和發光單元110包含發射呈現彼此不同顏色的發光的功能的客體材料時，發光元件250發射多個顏色的發光，所以是較佳的。此時，當將發光波長不同的多個發光材料用於發光層120和發光層170中的一個或兩個時，合成具有不同的發光峰值的光，因此發光元件250的發射光譜具有至少兩個極大值。　　[0265] 上述結構適合獲得白色發光的情況。藉由使發光層120與發光層170的光為互補色的關係，可以獲得白色發光。尤其較佳為以實現演色性高的白色發光或至少具有紅色、綠色、藍色的發光的方式選擇客體材料。　　[0266] 另外，在層疊三個以上的發光單元的發光元件中，用於各發光單元的客體材料的發光顏色可以相同或不同。在發光元件包括發射相同顏色的發光的多個發光單元的情況下，這些發光單元可以以比其他的顏色低的電流值獲得高發光亮度的發光顏色。這種結構適於發光顏色的調整。尤其較佳為用於使用發光效率不同且呈現不同發光顏色的客體材料的情況。例如，在設置三個發光單元的情況下，藉由設置包含呈現相同發光顏色的螢光材料的兩個發光單元及包含呈現與該螢光材料不同的發光顏色的磷光材料的一個發光單元，可以調整螢光發光及磷光發光的發光強度。換言之，可以根據發光單元的個數調整各顏色的發光強度。　　[0267] 在採用上述包括兩個螢光發光單元及一個磷光發光單元的發光元件的情況下，為了高效地獲得白色發光，較佳為採用如下結構：發光單元包括包含藍色螢光材料的兩個發光單元及包含黃色磷光材料的一個發光單元的結構；發光單元包括包含藍色螢光材料的兩個發光單元及包含紅色磷光材料及綠色磷光材料的一個發光單元的結構；發光單元包括包含藍色螢光材料的兩個發光單元及包含紅色磷光材料、黃色磷光材料及綠色磷光材料的一個發光單元的結構。　　[0268] 此外，也可以將發光層120和發光層170中的至少一個進一步分割為層狀並使各層含有不同的發光材料。也就是說，發光層120和發光層170中的至少一個也可以由兩層以上的多個層形成。例如，在從電洞傳輸層一側依次層疊第一發光層和第二發光層來形成發光層的情況下，可以將具有電洞傳輸性的材料用於第一發光層的主體材料，並且將具有電子傳輸性的材料用於第二發光層的主體材料。在此情況下，第一發光層和第二發光層所包含的發光材料也可以是相同或不同的材料。另外，第一發光層和第二發光層所包含的發光材料可以是具有發射相同顏色的發光的功能的材料，也可以是具有發射不同顏色的發光的功能的材料。藉由採用具有發射彼此不同顏色的發光的功能的多個發光材料的結構，也可以得到由三原色或四種以上的發光顏色構成的演色性高的白色發光。　　[0269] 另外，發光單元110的發光層較佳為包含磷光性化合物。注意，當多個單元中的至少一個單元包含本發明的一個實施方式的有機化合物時，可以提供耐熱性及發光效率高的發光元件。本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。　　[0270] 實施方式5 　　圖3A是示出發光裝置的俯視圖，圖3B是沿圖3A中的A-B以及C-D切割的剖面圖。該發光裝置包括以虛線表示的用來控制發光元件的發光的驅動電路部(源極一側驅動電路)601、像素部602以及驅動電路部(閘極一側驅動電路)603。另外，元件符號604是密封基板，元件符號625是乾燥劑，元件符號605是密封劑，由密封劑605圍繞的內側是空間607。　　[0271] 另外，引導佈線608是用來傳送輸入到源極一側驅動電路601及閘極一側驅動電路603的信號的佈線，並且從用作外部輸入端子的FPC(軟性印刷電路板)609接收視訊信號、時脈信號、啟動信號、重設信號等。另外，雖然在此只圖示FPC，但是該FPC也可以安裝有印刷線路板(PWB：Printed Wiring Board)。本說明書中的發光裝置不僅包括發光裝置主體，並且還包括安裝有FPC或PWB的發光裝置。　　[0272] 接下來，參照圖3B說明上述發光裝置的剖面結構。在元件基板610上形成有驅動電路部及像素部，在此示出作為驅動電路部的源極一側驅動電路601及像素部602中的一個像素。　　[0273] 另外，在源極一側驅動電路601中，形成組合n通道TFT623和p通道TFT624的CMOS電路。此外，驅動電路也可以使用各種CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成。另外，在本實施方式中，雖然示出將驅動電路形成於基板上的驅動器一體型，但不需要必須採用該結構，也可以將驅動電路形成於外部而不形成於基板上。　　[0274] 此外，像素部602由包括開關用TFT611、電流控制用TFT612、電連接於該電流控制用TFT612的汲極的第一電極613的像素形成。另外，以覆蓋第一電極613的端部的方式形成有絕緣物614。絕緣物614可以使用正型光敏樹脂膜來形成。　　[0275] 另外，為了提高形成於絕緣物614上的膜的覆蓋率，將絕緣物614的上端部或下端部形成為具有曲率的曲面。例如，在作為絕緣物614的材料使用光敏丙烯酸樹脂的情況下，較佳為僅使絕緣物614的上端部具有曲面。該曲面的曲率半徑為0.2mm以上且3mm以下。此外，作為絕緣物614，可以使用負型光敏材料或正型光敏材料。　　[0276] 在第一電極613上形成有EL層616及第二電極617。在此，作為用作陽極的第一電極613的材料較佳為使用功函數大的材料。例如，除了ITO膜、包含矽的銦錫氧化物膜、包含2wt%以上且20wt%以下的氧化鋅的氧化銦膜、氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、Zn膜、Pt膜等的單層膜以外，還可以使用由氮化鈦膜和以鋁為主要成分的膜構成的疊層膜以及由氮化鈦膜、以鋁為主要成分的膜和氮化鈦膜構成的三層結構膜等。注意，當採用疊層結構時，佈線電阻也低，可以得到良好的歐姆接觸，並且可以將其用作陽極。　　[0277] 另外，EL層616藉由使用蒸鍍遮罩的蒸鍍法、噴墨法、旋塗法等各種方法形成。作為構成EL層616的材料，也可以使用低分子化合物、或者高分子化合物(包含低聚物、樹枝狀聚合物)。　　[0278] 另外，作為形成在EL層616上並用作陰極的第二電極617的材料，較佳為使用功函數小的材料(Al、Mg、Li、Ca、或它們的合金及化合物、MgAg、MgIn、AlLi等)。注意，當使產生在EL層616中的光透過第二電極617時，作為第二電極617較佳為使用由膜厚度減薄了的金屬薄膜和透明導電膜(ITO、包含2wt%以上且20wt%以下的氧化鋅的氧化銦、包含矽的銦錫氧化物、氧化鋅(ZnO)等)構成的疊層。　　[0279] 此外，發光元件618由第一電極613、EL層616、第二電極617形成。該發光元件618較佳為具有實施方式1及實施方式2所示的結構。另外，像素部包括多個發光元件，本實施方式的發光裝置也可以包括具有實施方式3及實施方式4所說明的結構的發光元件和具有其他結構的發光元件的兩者。　　[0280] 再者，藉由利用密封劑605將密封基板604與元件基板610貼合在一起，在由元件基板610、密封基板604及密封劑605圍繞的空間607中設置有發光元件618。另外，在空間607中填充有填充劑，除了填充有惰性氣體(氮、氬等)以外，還有時填充有樹脂或乾燥材料、或者樹脂與乾燥材料的兩者。　　[0281] 作為密封劑605，較佳為使用環氧類樹脂或玻璃粉。另外，這些材料較佳為儘量不使水分、氧透過的材料。此外，作為用於密封基板604的材料，除了玻璃基板、石英基板之外，還可以使用由FRP(Fiber Reinforced Plastics：玻璃纖維強化塑膠)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸樹脂等構成的塑膠基板。　　[0282] 藉由上述方法可以得到使用實施方式3及實施方式4中說明的發光元件的發光裝置。　　[0283] á發光裝置的結構實例1ñ 　　在圖4A和圖4B中，作為發光裝置的一個例子示出形成有呈現白色發光的發光元件及彩色層(濾色片)的發光裝置的例子。　　[0284] 圖4A示出基板1001、基底絕緣膜1002、閘極絕緣膜1003、閘極電極1006、1007、1008、第一層間絕緣膜1020、第二層間絕緣膜1021、周邊部1042、像素部1040、驅動電路部1041、發光元件的第一電極1024W、1024R、1024G、1024B、分隔壁1026、EL層1028、發光元件的第二電極1029、密封基板1031、密封劑1032等。　　[0285] 另外，在圖4A和圖4B中將彩色層(紅色彩色層1034R、綠色彩色層1034G、藍色彩色層1034B)設置於透明基材1033上。另外，還可以設置黑色層(黑矩陣)1035。對設置有彩色層及黑色層的透明基材1033進行對準將其固定在基板1001上。此外，彩色層及黑色層由覆蓋層1036覆蓋。另外，圖4A示出光不透過彩色層而透射到外部的發光層及光透過各顏色的彩色層而透射到外部的發光層，不透過彩色層的光成為白色光且透過彩色層的光成為紅色光、藍色光、綠色光，因此能夠以四個顏色的像素呈現影像。　　[0286] 圖4B示出將紅色彩色層1034R、綠色彩色層1034G、藍色彩色層1034B形成在閘極絕緣膜1003與第一層間絕緣膜1020之間的例子。如圖4B所示，也可以將彩色層設置在基板1001與密封基板1031之間。　　[0287] 另外，雖然作為上述說明的發光裝置採用從形成有TFT的基板1001一側取出發光的結構(底部發射型)的發光裝置，但是也可以採用從密封基板1031一側取出發光的結構(頂部發射型)的發光裝置。　　[0288] á發光裝置的結構實例2ñ 　　圖5示出頂部發射型發光裝置的剖面圖。在此情況下，基板1001可以使用不使光透過的基板。直到製造連接TFT與發光元件的陽極的連接電極為止的製程與底部發射型發光裝置同樣地進行。然後，以覆蓋電極1022的方式形成第三層間絕緣膜1037。該第三層間絕緣膜1037也可以具有平坦化的功能。第三層間絕緣膜1037可以使用與第二層間絕緣膜1021相同的材料或其他各種材料形成。　　[0289] 雖然發光元件的下部電極1025W、1025R、1025G、1025B在這裡都為陽極，但是也可以為陰極。另外，在圖5所示的頂部發射型的發光裝置中，較佳為下部電極1025W、1025R、1025G、1025B為反射電極。另外，較佳為第二電極1029具有發射光及使光透過的功能。另外，較佳為在第二電極1029與下部電極1025W、1025R、1025G、1025B間採用微腔結構，來放大特定波長的光。EL層1028的結構採用如實施方式2所說明那樣的結構，並且採用能夠得到白色發光的元件結構。　　[0290] 在圖4A、圖4B和圖5中，藉由使用多個發光層或者使用多個發光單元等來實現能夠得到白色發光的EL層的結構，即可。注意，獲得白色發光的結構不侷限於此。　　[0291] 在採用如圖5所示的頂部發射結構的情況下，可以使用設置有彩色層(紅色彩色層1034R、綠色彩色層1034G、藍色彩色層1034B)的密封基板1031進行密封。可以在密封基板1031上設置有位於像素與像素之間的黑色層(黑矩陣)1035。彩色層(紅色彩色層1034R、綠色彩色層1034G、藍色彩色層1034B)、黑色層(黑矩陣)也可以由覆蓋層覆蓋。另外，作為密封基板1031使用具有透光性的基板。　　[0292] 另外，雖然在此示出了以紅色、綠色、藍色、白色的四個顏色進行全彩色顯示的例子，但並不侷限於此，也可以以紅色、綠色、藍色的三個顏色進行全彩色顯示。另外，也可以以紅色、綠色、藍色和黃色的四個顏色進行全彩色顯示。　　[0293] 藉由上述方法可以得到使用實施方式3及實施方式4中說明的發光元件的發光裝置。　　[0294] 另外，本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。　　[0295] 實施方式6 　　在本實施方式中，說明本發明的一個實施方式的電子裝置。　　[0296] 藉由本發明的一個實施方式，可以製造具有平面且可靠性高的電子裝置。另外，藉由本發明的一個實施方式，可以製造具有曲面且可靠性高的電子裝置。另外，藉由本發明的一個實施方式，可以形成具有撓性且可靠性高的電子裝置。　　[0297] 作為電子裝置，例如可以舉出：電視機；桌上型或膝上型個人電腦；用於電腦等的顯示器；數位相機；數位攝影機；數位相框；行動電話機；可攜式遊戲機；可攜式資訊終端；音頻再生裝置；彈珠機等大型遊戲機等。　　[0298] 此外，本發明的一個實施方式的發光裝置不管外光的強度如何都可以實現高可見度。因此，適用於可攜式電子裝置、穿戴式電子裝置以及電子書閱讀器等。　　[0299] 圖6A和圖6B所示的可攜式資訊終端900包括外殼901、外殼902、顯示部903及鉸鏈部905等。　　[0300] 外殼901與外殼902藉由鉸鏈部905連接在一起。可攜式資訊終端900可以從折疊狀態(圖6A)轉換成如圖6B所示的展開狀態。由此，攜帶時的可攜性好，並且由於具有大顯示區域，所以使用時的可見度高。　　[0301] 可攜式資訊終端900跨著由鉸鏈部905連接的外殼901和外殼902設置有撓性顯示部903。　　[0302] 可以將使用本發明的一個實施方式製造的發光裝置用於顯示部903。由此，可以以高良率製造可攜式資訊終端。　　[0303] 顯示部903可以顯示文件資訊、靜態影像和動態影像等中的至少一個。當在顯示部中顯示文件資訊時，可以將可攜式資訊終端900用作電子書閱讀器。　　[0304] 當使可攜式資訊終端900展開時，顯示部903被保持為大幅度彎曲的狀態。例如，可以以包括以1mm以上且50mm以下，較佳為5mm以上且30mm以下的曲率半徑彎曲的部分的方式保持顯示部903。顯示部903的一部分跨著外殼901和外殼902連續地配置有像素，從而能夠進行曲面顯示。　　[0305] 顯示部903被用作觸控面板，可以用手指或觸控筆等進行操作。　　[0306] 顯示部903較佳為由一個撓性顯示器構成。由此，可以跨著外殼901和外殼902進行連續的顯示。此外，外殼901和外殼902也可以分別設置有顯示器。　　[0307] 為了避免在使可攜式資訊終端900展開時外殼901和外殼902所形成的角度超過預定角度，鉸鏈部905較佳為具有鎖定機構。例如，鎖定角度(達到該角度時不能再繼續打開)較佳為90°以上且小於180°，典型的是，可以為90°、120°、135°、150°或175°等。由此，可以提高可攜式資訊終端900的方便性、安全性和可靠性。　　[0308] 當鉸鏈部905具有上述鎖定機構時，可以抑制過大的力施加到顯示部903，從而可以防止顯示部903的損壞。由此，可以實現可靠性高的可攜式資訊終端。　　[0309] 外殼901和外殼902也可以包括電源按鈕、操作按鈕、外部連接埠、揚聲器、麥克風等。　　[0310] 外殼901和外殼902中的任一個可以設置有無線通訊模組，可以藉由網際網路、局域網(LAN)、無線保真(Wi-Fi：註冊商標)等電腦網路進行資料收發。　　[0311] 圖6C所示的可攜式資訊終端910包括外殼911、顯示部912、操作按鈕913、外部連接埠914、揚聲器915、麥克風916、照相機917等。　　[0312] 可以將利用本發明的一個實施方式製造的發光裝置用於顯示部912。由此，可以以高良率製造可攜式資訊終端。　　[0313] 在可攜式資訊終端910中，在顯示部912中具有觸控感測器。藉由用手指或觸控筆等觸摸顯示部912可以進行打電話或輸入文字等各種操作。　　[0314] 另外，藉由操作按鈕913，可以進行電源的ON、OFF工作或切換顯示在顯示部912上的影像的種類。例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。　　[0315] 另外，藉由在可攜式資訊終端910內部設置陀螺儀感測器或加速度感測器等檢測裝置，可以判斷可攜式資訊終端910的方向(縱向或橫向)，而對顯示部912的螢幕顯示方向進行自動切換。另外，螢幕顯示方向的切換也可以藉由觸摸顯示部912、操作操作按鈕913或者使用麥克風916輸入聲音來進行。　　[0316] 可攜式資訊終端910例如具有選自電話機、筆記本和資訊閱讀裝置等中的一種或多種功能。明確地說，可攜式資訊終端910可以被用作智慧手機。可攜式資訊終端910例如可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、動畫播放、網路通訊、電腦遊戲等各種應用程式。　　[0317] 圖6D所示的照相機920包括外殼921、顯示部922、操作按鈕923、快門按鈕924等。另外，照相機920安裝有可裝卸的鏡頭926。　　[0318] 可以將利用本發明的一個實施方式製造的發光裝置用於顯示部922。由此，可以以高良率製造照相機。　　[0319] 在此，雖然照相機920具有能夠從外殼921拆卸下鏡頭926而交換的結構，但是鏡頭926和外殼921也可以被形成為一體。　　[0320] 藉由按下快門按鈕924，照相機920可以拍攝靜態影像或動態影像。另外，也可以使顯示部922具有觸控面板的功能，藉由觸摸顯示部922進行攝像。　　[0321] 另外，照相機920還可以具備另外安裝的閃光燈裝置及取景器等。另外，這些構件也可以組裝在外殼921中。　　[0322] 圖7A至圖7E是示出電子裝置的圖。這些電子裝置包括外殼9000、顯示部9001、揚聲器9003、操作鍵9005(包括電源開關或操作開關)、連接端子9006、感測器9007(它具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風9008等。　　[0323] 可以將利用本發明的一個實施方式製造的發光裝置用於顯示部9001。由此，可以以高良率製造電子裝置。　　[0324] 圖7A至圖7E所示的電子裝置可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊(靜態影像、動態影像、文字影像等)顯示在顯示部上；觸控面板；顯示日曆、日期或時刻等；藉由利用各種軟體(程式)控制處理；進行無線通訊；藉由利用無線通訊功能來連接到各種電腦網路；藉由利用無線通訊功能，進行各種資料的發送或接收；讀出儲存在儲存媒體中的程式或資料來將其顯示在顯示部上等。注意，圖7A至圖7E所示的電子裝置所具有的功能不侷限於上述功能，而也可以具有其他的功能。　　[0325] 圖7A是示出手錶型可攜式資訊終端9200的立體圖，圖7B是示出手錶型可攜式資訊終端9201的立體圖。　　[0326] 圖7A所示的可攜式資訊終端9200可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、網路通訊、電腦遊戲等各種應用程式。另外，顯示部9001的顯示面彎曲，可沿著其彎曲的顯示面進行顯示。另外，可攜式資訊終端9200可以進行基於通訊標準的近距離無線通訊。例如，藉由與可進行無線通訊的耳麥相互通訊，可以進行免提通話。另外，可攜式資訊終端9200包括連接端子9006，可以藉由連接器直接與其他資訊終端進行資料的交換。另外，也可以藉由連接端子9006進行充電。另外，充電動作也可以利用無線供電進行，而不藉由連接端子9006。　　[0327] 圖7B所示的可攜式資訊終端9201與圖7A所示的可攜式資訊終端不同之處在於顯示部9001的顯示面不彎曲。此外，可攜式資訊終端9201的顯示部的外形為非矩形(在圖7B中為圓形狀)。　　[0328] 圖7C至圖7E是示出能夠折疊的可攜式資訊終端9202的立體圖。另外，圖7C是將可攜式資訊終端9202展開的狀態的立體圖，圖7D是將可攜式資訊終端9202從展開的狀態和折疊的狀態中的一個轉換成另一個時的中途的狀態的立體圖，圖7E是將可攜式資訊終端9202折疊的狀態的立體圖。　　[0329] 可攜式資訊終端9202在折疊狀態下可攜性好，而在展開狀態下因為具有無縫拼接較大的顯示區域所以顯示的一覽性強。可攜式資訊終端9202所包括的顯示部9001被由鉸鏈9055連結的三個外殼9000支撐。藉由鉸鏈9055使兩個外殼9000之間彎曲，可以使可攜式資訊終端9202從展開的狀態可逆性地變為折疊的狀態。例如，能夠使可攜式資訊終端9202以1mm以上且150mm以下的曲率半徑彎曲。　　[0330] 本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。　　[0331] 實施方式7 　　在本實施方式中，參照圖8A至圖9說明將本發明的一個實施方式的發光元件適用於各種電子裝置及照明設備的情況的例子。　　[0332] 藉由將本發明的一個實施方式的發光元件形成在具有撓性的基板上，能夠實現在曲面上具有發光區域的電子裝置或照明設備。　　[0333] 另外，還可以將應用了本發明的一個實施方式的發光元件的發光裝置適用於汽車的照明，其中該照明被設置於擋風玻璃、天花板等。　　[0334] 圖8A示出多功能終端3500的一個面的立體圖，圖8B示出多功能終端3500的另一個面的立體圖。在多功能終端3500中，外殼3502組裝有顯示部3504、照相機3506、照明3508等。可以將本發明的一個實施方式的發光裝置用於照明3508。　　[0335] 將包括本發明的一個實施方式的發光裝置的照明3508用作面光源。因此，不同於以LED為代表的點光源，能夠得到指向性低的發光。例如，在將照明3508和照相機3506組合使用的情況下，可以在使照明3508點亮或閃爍的同時使用照相機3506來進行拍攝。因為照明3508具有面光源的功能，可以獲得仿佛在自然光下拍攝般的照片。　　[0336] 注意，圖8A及圖8B所示的多功能終端3500與圖7A至圖7C所示的電子裝置同樣地可以具有各種各樣的功能。　　[0337] 另外，可以在外殼3502的內部設置揚聲器、感測器(該感測器具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風等。另外，藉由在多功能終端3500內部設置具有陀螺儀和加速度感測器等檢測傾斜度的感測器的檢測裝置，可以判斷多功能終端3500的方向(縱或橫)而自動進行顯示部3504的螢幕顯示的切換。　　[0338] 另外，也可以將顯示部3504用作影像感測器。例如，藉由用手掌或手指觸摸顯示部3504，來拍攝掌紋、指紋等，能夠進行個人識別。另外，藉由在顯示部3504中設置發射近紅外光的背光或感測光源，也能夠拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。注意，可以將本發明的一個實施方式的發光裝置適用於顯示部3504。　　[0339] 圖8C示出安全燈(security light)3600的立體圖。燈3600在外殼3602的外側包括照明3608，並且，外殼3602組裝有揚聲器3610等。可以將本發明的一個實施方式的發光元件用於照明3608。　　[0340] 燈3600例如在抓住或握住照明3608時可以進行發光。另外，可以在外殼3602的內部設置有能夠控制燈3600的發光方式的電子電路。作為該電子電路，例如可以為能夠實現一次或間歇性的多次發光的電路或藉由控制發光的電流值能夠調整發光的光量的電路。另外，也可以組裝在照明3608進行發光的同時從揚聲器3610發出很大的警報音的電路。　　[0341] 燈3600因為能夠向所有方向發射光，所以可以發射光或發出光和聲音來恐嚇歹徒等。另外，燈3600可以包括具有攝像功能的數碼靜態相機等照相機。　　[0342] 圖9是將發光元件用於室內照明設備8501的例子。另外，因為發光元件可以實現大面積化，所以也可以形成大面積的照明設備。另外，也可以藉由使用具有曲面的外殼來形成發光區域具有曲面的照明設備8502。本實施方式所示的發光元件為薄膜狀，所以外殼的設計的彈性高。因此，可以形成能夠對應各種設計的照明設備。並且，室內的牆面也可以設置有大型的照明設備8503。也可以在照明設備8501、照明設備8502、照明設備8503中設置觸控感測器，啟動或關閉電源。　　[0343] 另外，藉由將發光元件用於桌子的表面一側，可以提供具有桌子的功能的照明設備8504。另外，藉由將發光元件用於其他家具的一部分，可以提供具有家具的功能的照明設備。　　[0344] 如上所述，藉由應用本發明的一個實施方式的發光元件，能夠得到照明設備及電子裝置。注意，不侷限於本實施方式所示的照明設備及電子裝置，可以應用於各種領域的照明設備及電子裝置。　　[0345] 本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。實施例1 　　[0346] 在本實施例中，對本發明的一個實施方式的由通式(G0)表示的化合物之一的3,8-雙[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]苯并呋喃并[2,3-b]吡嗪(簡稱：3,8mDBtP2Bfpr) (結構式(100))的合成方法及該化合物的特性進行說明。　　[0347] á合成例1ñ á步驟1：6-氯-3-(5-氯-2-甲氧基苯基)吡嗪-2-胺的合成ñ 　　將3-溴-6-氯吡嗪-2-胺1.00g、5-氯-2-甲氧基苯基硼酸0.90g、氟化鉀0.93g及四氫呋喃17mL放入具備回流管的三頸燒瓶中，對其內部進行氮氣置換。在減壓下對燒瓶內的混合物進行攪拌以進行脫氣，然後加入三(二亞苄基丙酮)二鈀(0)0.088g及三-三級丁基膦0.8mL，在80℃下進行攪拌40小時來發生反應。經過指定時間之後，對所得到的混合物進行吸引過濾，濃縮濾液。藉由以二氯甲烷為展開溶劑的矽膠管柱層析法對所得到的殘渣進行純化，濃縮所得到的濾液，由此以71%的產率獲得目的物6-氯-3-(5-氯-2-甲氧基苯基)吡嗪-2-胺的黃白色粉末0.92g。以下(a-1)示出步驟1的合成方案。　　[0348]

[0349] á步驟2：3,8-二氯苯并呋喃并[2,3-b]吡嗪的合成ñ 　　將藉由上述步驟1獲得的6-氯-3-(5-氯-2-甲氧基苯基)吡嗪-2-胺1.37g、脫水四氫呋喃16mL及冰醋酸32mL放入三頸燒瓶中，對其內部進行氮氣置換。將燒瓶冷卻至-10℃之後，滴下亞硝酸三級丁基1.9mL，在-10℃下進行攪拌1小時，在0℃下進行攪拌20小時。經過指定時間之後，對所得到的懸浮液添加水100mL，進行吸引過濾。將所得到的固體溶解於二氯甲烷中，使用依次層疊矽藻土、礬土及矽藻土的助濾劑進行過濾，濃縮濾液，由此以70%的產率獲得目的物3,8-二氯苯并呋喃并[2,3-b]吡嗪的白色固體0.87g。以下(a-2)示出步驟2的合成方案。　　[0350]

[0351] á步驟3：3,8-雙[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]苯并呋喃并[2,3-b]吡嗪(簡稱：3,8mDBtP2Bfpr)的合成ñ 　　接著，將藉由上述步驟2獲得的3,8-二氯苯并呋喃并[2,3-b]吡嗪0.87g、3-(4-二苯并噻吩)苯基硼酸2.41g、磷酸三鉀4.57g、二甘醇二甲醚29mL及三級丁醇2.0mL放入三頸燒瓶中，對其內部進行氮氣置換。在減壓下對燒瓶內的混合物進行攪拌以進行脫氣，然後添加醋酸鈀(II)0.016g及二(1-金剛烷基)-正丁基膦(簡稱：CataCXiumA)0.054g，在140℃下進行攪拌8小時來發生反應。經過指定時間之後，對所得到的懸浮液進行吸引過濾，用水及乙醇進行洗滌。藉由以甲苯為展開溶劑的矽膠管柱層析法對所得到的固體進行純化之後，使用甲苯和己烷的混合溶劑進行再結晶，由此以52%的產率獲得目的物3,8mDBtP2Bfpr的黃白色固體1.25g。以下(a-3)示出步驟3的合成方案。　　[0352]

[0353] 對該黃白色固體1.14g使用梯度昇華法進行昇華純化。昇華純化條件為如下：壓力為2.6Pa，氬氣體的流量為5mL/min，在350℃下對黃白色固體進行加熱。在昇華純化後，以87%的回收率獲得目的物的黃白色固體0.99g。　　[0354] 以下示出所得到的固體的利用核磁共振法(¹ H NMR)的分析資料。　　[0355]¹ H-NMR.d(CD₂ Cl₂ )：7.49-7.54(m,4H)，7.62-7.65(m,4H)，7.69(t,1H)，7.74(t,1H)，7.80-7.84(m,3H)，7.89-7.91(m,3H)，8.03(dd,1H)，8.14(s,1H)，8.23-8.28 (m,5H)，8.56(d,1H)，8.59(s,1H)，9.26(s,1H)。　　[0356] 圖10A和圖10B示出所得到的固體的¹ H NMR譜。圖10B為圖10A中的7.0ppm至9.6ppm的範圍的放大圖。從測定結果可知獲得了目的物3,8mDBtP2Bfpr。　　[0357] á3,8mDBtP2Bfpr的特性ñ 　　[0358] 圖11示出甲苯溶液中的3,8mDBtP2Bfpr的吸收光譜及發射光譜。　　[0359] 當測定吸收光譜時，使用紫外可見分光光度計(由日本分光株式會社製造，V550型)。甲苯溶液中的3,8mDBtP2Bfpr的吸收光譜的測定方法為如下：將3,8mDBtP2Bfpr的甲苯溶液放入石英皿中並測定吸收光譜，從該吸收光譜減去使用石英皿進行測定時使用的溶劑(甲苯)的吸收光譜。當測定發射光譜時，使用PL-EL測定裝置(由日本濱松光子學株式會社製造)。甲苯溶液中的3,8mDBtP2Bfpr的發射光譜藉由將3,8mDBtP2Bfpr的甲苯溶液放入石英皿而測定。　　[0360] 如圖11所示，甲苯溶液中的3,8mDBtP2Bfpr在283nm及352nm附近具有吸收光譜的峰值，在386nm(激發波長：333nm)附近具有發射光譜的峰值。　　[0361] 接著，測定3,8mDBtP2Bfpr的固體薄膜的吸收光譜及發射光譜。藉由真空蒸鍍法在石英基板上製造固體薄膜。當測定吸收光譜時，使用紫外可見分光光度計(由Mabuchi S&T Inc.製造，U4100型)。當測定發射光譜時，使用螢光分光光度計(由日本濱松光子學株式會社製造，FS920)。圖12示出所得到的固體薄膜的吸收光譜和發射光譜的測定結果。橫軸表示波長，縱軸表示吸收強度及發光強度。　　[0362] 如圖12所示，3,8mDBtP2Bfpr的固體薄膜在247nm及354nm附近具有吸收光譜的峰值，在437nm(激發波長：355nm)附近具有發射光譜的峰值。實施例2 　　[0363] 在本實施例中，對本發明的一個實施方式的由通式(G0)表示的化合物之一的2,8-雙[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]苯并呋喃并[2,3-b]吡嗪(簡稱：2,8mDBtP2Bfpr) (結構式(101))的合成方法及該化合物的特性進行說明。　　[0364] á合成例2ñ á步驟1：5-氯-3-(5-氯-2-甲氧基苯基)吡嗪-2-胺的合成ñ 　　將3-溴-5-氯吡嗪-2-胺2.48g、5-氯-2-甲氧基苯基硼酸2.19g、氟化鉀2.26g及四氫呋喃43mL放入具備回流管的三頸燒瓶中，對其內部進行氮氣置換。在減壓下對燒瓶內的混合物進行攪拌以進行脫氣，然後加入三(二亞苄基丙酮)二鈀(0)0.44g及三-三級丁基膦4.0mL，在80℃下進行攪拌42小時來發生反應。經過指定時間之後，對所得到的混合物進行吸引過濾，濃縮濾液。藉由以甲苯：乙酸乙酯=10：1為展開溶劑的矽膠管柱層析法對所得到的殘渣進行純化，由此以31%的產率獲得目的物2,8-雙[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]苯并呋喃并[2,3-b]吡嗪1.00g。以下(b-1)示出步驟1的合成方案。　　[0365]

[0366] á步驟2：2,8-二氯苯并呋喃并[2,3-b]吡嗪的合成ñ 　　接著，將藉由上述步驟1獲得的5-氯-3-(5-氯-2-甲氧基苯基)吡嗪-2-胺1.00g、脫水四氫呋喃12mL及冰醋酸24mL放入三頸燒瓶中，對其內部進行氮氣置換。將燒瓶冷卻至-10℃之後，滴下亞硝酸三級丁基1.3mL，在-10℃下進行攪拌1小時，在0℃下進行攪拌20小時。經過指定時間之後，對所得到的懸浮液添加水100mL，進行吸引過濾。藉由以二氯甲烷為展開溶劑的矽膠管柱層析法對所得到的固體進行純化，由此以75%的產率獲得目的物2,8-二氯苯并呋喃并[2,3-b]吡嗪0.66g。以下(b-2)示出步驟2的合成方案。　　[0367]

[0368] á步驟3：2,8-雙[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]苯并呋喃并[2,3-b]吡嗪(簡稱：2,8mDBtP2Bfpr)的合成ñ 　　將藉由上述步驟2獲得的2,8-二氯苯并呋喃并[2,3-b]吡嗪0.66g、3-(4-二苯并噻吩)苯基硼酸1.90g、磷酸三鉀3.59g、二甘醇二甲醚23mL及三級丁醇1.6mL放入三頸燒瓶中，對其內部進行氮氣置換。在減壓下對燒瓶內的混合物進行攪拌以進行脫氣，然後添加醋酸鈀(II)0.026g及二(1-金剛烷基)-正丁基膦(簡稱：CataCXiumA)0.086g，在140℃下進行攪拌15小時來發生反應。經過指定時間之後，對所得到的懸浮液進行吸引過濾，用水及乙醇進行洗滌。藉由以甲苯為展開溶劑的矽膠管柱層析法對所得到的固體進行純化之後，使用甲苯和己烷的混合溶劑進行再結晶，由此以32%的產率獲得目的物2,8mDBtP2Bfpr的黃白色固體0.61g。以下(b-3)示出步驟3的合成方案。　　[0369]

[0370] 對該黃白色粉末固體0.60g使用梯度昇華法進行昇華純化兩次。昇華純化條件為如下：壓力為2.7Pa，氬氣體的流量為5mL/min，在355℃下對黃白色粉末固體進行加熱。在昇華純化後，以73%的回收率獲得目的物的黃白色固體0.44g。　　[0371] 以下示出所得到的固體的利用核磁共振法(¹ H NMR)的分析資料。　　[0372]¹ H-NMR.d(CD₂ Cl₂ )：7.32(s,1H)，7.46-7.52 (m,4H)，7.61-7.64(m,4H)，7.68(t,1H)，7.74(t,1H)，7.79-7.90(m,5H)，8.05(dd,1H)，8.13(s,1H)，8.22-8.26(m,5H)，8.56(s,1H)，8.62(d,1H)，8.95(s,1H)。　　[0373] 圖13A和圖13B示出所得到的固體的¹ H NMR譜。圖13B為圖13A中的7.0ppm至9.0ppm的範圍的放大圖。從測定結果可知獲得了目的物2,8mDBtP2Bfpr。　　[0374] á2,8mDBtP2Bfpr的特性ñ 　　圖14示出甲苯溶液中的2,8mDBtP2Bfpr的吸收光譜及發射光譜。注意，甲苯溶液中的2,8mDBtP2Bfpr的吸收光譜及發射光譜的測定方法與實施例1同樣。　　[0375] 如圖14所示，甲苯溶液中的2,8mDBtP2Bfpr在283nm及336nm附近具有吸收光譜的峰值，在383nm(激發波長：338nm)附近具有發射光譜的峰值。實施例3 　　[0376] 在本實施例中，對包含本發明的一個實施方式的有機化合物的發光元件的製造實例及該發光元件的特性進行說明。在本實施例中製造的元件的剖面圖與圖1A相同。此外，表1示出元件結構的詳細內容。此外，以下示出所使用的化合物的結構及簡稱。關於其他有機化合物可以參照上述實施例。　　[0377]

[0378]

[0379] 《發光元件1的製造》　　作為電極101，在基板200上形成厚度為70nm的ITSO膜。電極101的電極面積為4mm² (2mm´2mm)。　　[0380] 接著，作為電洞注入層111，在電極101上以厚度為60nm的方式進行共蒸鍍4,4’,4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并噻吩)(簡稱：DBT3P-II)與氧化鉬(MoO₃ )，並使重量比(DBT3P-II：MoO₃ )為1：0.5。　　[0381] 接著，作為電洞傳輸層112，在電洞注入層111上以厚度為20nm的方式蒸鍍4-苯基-4’-(9-苯基茀-9-基)三苯胺(簡稱：BPAFLP)。　　[0382] 接著，在電洞傳輸層112上作為發光層140(1)以厚度為20nm的方式共蒸鍍3,8mDBtP2Bfpr、N-(1,1’-聯苯-4-基)-9,9-二甲基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9H-茀-2-胺(簡稱：PCBBiF)及雙[2-(6-苯基-4-嘧啶基-kN³ )苯基-kC](2,4-丙二酮基-k² O,O’)銥(III)(簡稱：Ir(dppm)₂ (acac))，並使重量比(3,8mDBtP2Bfpr:PCBBiF:Ir(dppm)₂ (acac))為0.7:0.3:0.05，接著，作為發光層140(2)，以厚度為20nm的方式共蒸鍍上述材料，並使重量比(3,8mDBtP2Bfpr:PCBBiF:Ir(dppm)₂ (acac))為0.8:0.2:0.05。在發光層140中，Ir(dppm)₂ (acac)為發射磷光發光的客體材料。　　[0383] 接著，作為電子傳輸層118，在發光層140上依次以厚度分別為20nm及20nm的方式蒸鍍3,8mDBtP2Bfpr及紅啡啉(簡稱：BPhen)。接著，作為電子注入層119，在電子傳輸層118上以厚度為1nm的方式蒸鍍LiF。　　[0384] 接著，作為電極102，在電子注入層119上以200nm的厚度形成鋁(Al)。　　[0385] 接著，在氮氛圍的手套箱內使用有機EL用密封劑將基板220固定於形成有有機材料的基板200上，由此密封發光元件1。明確而言，將密封劑塗佈於形成在基板200上的有機材料的周圍，貼合該基板200和基板220，以6J/cm² 照射波長為365nm的紫外光，並且以80℃進行1小時的加熱處理。藉由上述製程獲得發光元件1。　　[0386] á發光元件的特性ñ 　　圖15示出所製造的發光元件1的電流效率-亮度特性。圖16示出電流密度-電壓特性。圖17示出外部量子效率-亮度特性。發光元件1的特性在室溫(保持為23℃的氛圍)下進行。另外，圖18示出以2.5mA/cm² 的電流密度使電流流過發光元件1時的電致發射光譜。注意，測定在室溫下進行。　　[0387] 另外，表2示出1000cd/m² 附近的發光元件1的元件特性。　　[0388]

[0389] 如圖15、圖17及表2所示，發光元件1示出較高的電流效率及外部量子效率。另外，在高亮度一側也示出效率降低(衰減)少的良好的結果。　　[0390] 另外，如表2所示，發光元件1的1000cd/m² 附近的驅動電壓低，為2.6V，示出良好的電力效率。　　[0391] 另外，如圖18所示，發光元件1發射橙色發光，其中電致發射光譜的峰值波長為584nm，半峰全寬為73nm。從所得到的電致發射光譜可知上述發光來源於客體材料Ir(dppm)₂ (acac)。　　[0392] á發光元件的可靠性ñ 　　接著，對發光元件1進行2mA下的恆流驅動測試。圖19示出其結果。從圖19可知發光元件1的亮度半衰期超過1000小時，發光元件1具有非常高的可靠性。　　[0393] 如上所述，藉由將本發明的一個實施方式的化合物用於發光層，可以製造示出高發光效率的發光元件。另外，可以製造驅動電壓低且功耗低的發光元件。另外，可以製造可靠性高的發光元件。實施例4 　　[0394] 在本實施例中，對與實施例3不同的包含本發明的一個實施方式的有機化合物的發光元件的製造實例及該發光元件的特性進行說明。在本實施例中製造的元件的剖面圖與圖1A相同。此外，表3示出元件結構的詳細內容。此外，以下示出所使用的化合物的結構及簡稱。關於其他有機化合物可以參照上述實施例。　　[0395]

[0396]

[0397] 《發光元件2的製造》　　作為電極101，在基板200上形成厚度為70nm的ITSO膜。電極101的電極面積為4mm² (2mm´2mm)。　　[0398] 接著，作為電洞注入層111，在電極101上以厚度為45nm的方式進行共蒸鍍DBT3P-II與氧化鉬(MoO₃ )，並使重量比(DBT3P-II：MoO₃ )為1:0.5。　　[0399] 接著，作為電洞傳輸層112，在電洞注入層111上以厚度為20nm的方式蒸鍍PCCP。　　[0400] 接著，在電洞傳輸層112上作為發光層140(1)以厚度為20nm的方式共蒸鍍2,8mDBtP2Bfpr、PCCP及Ir(ppy)₃ ，並使重量比(2,8mDBtP2Bfpr：PCCP：Ir(ppy)₃ )為0.5：0.5：0.1，接著，作為發光層140(2)，以厚度為20nm的方式共蒸鍍上述材料，並使重量比(2,8mDBtP2Bfpr：PCCP：Ir(ppy)₃ )為0.8：0.2：0.1。在發光層140中，Ir(ppy)₃ 為發射磷光發光的客體材料。　　[0401] 接著，作為電子傳輸層118，在發光層140上依次以厚度分別為15nm及10nm的方式蒸鍍2，8mDBtP2Bfpr及BPhen。接著，作為電子注入層119，在電子傳輸層118上以厚度為1nm的方式蒸鍍LiF。　　[0402] 接著，作為電極102，在電子注入層119上以200nm的厚度形成鋁(Al)。　　[0403] 接著，在氮氛圍的手套箱內使用有機EL用密封劑將基板220固定於形成有有機材料的基板200上，由此密封發光元件2。明確而言，將密封劑塗佈於形成在基板200上的有機材料的周圍，貼合該基板200和基板220，以6J/cm² 照射波長為365nm的紫外光，並且以80℃進行1小時的加熱處理。藉由上述製程獲得發光元件2。　　[0404] á發光元件的特性ñ 　　圖20示出所製造的發光元件2的電流效率-亮度特性。圖21示出電流密度-電壓特性。圖22示出外部量子效率-亮度特性。發光元件2的特性在室溫(保持為23℃的氛圍)下進行。另外，圖23示出以2.5mA/cm² 的電流密度使電流流過發光元件2時的電致發射光譜。注意，測定在室溫下進行。　　[0405] 另外，表4示出1000cd/m² 附近的發光元件2的元件特性。　　[0406]

[0407] 如圖20、圖22及表4所示，發光元件2示出較高的電流效率及外部量子效率。另外，在高亮度一側也示出效率降低(衰減)少的良好的結果。　　[0408] 另外，如圖21及表4所示，發光元件2的驅動電壓低，示出良好的電力效率。　　[0409] 另外，如圖23所示，發光元件2發射綠色發光，其中電致發射光譜的峰值波長為520nm，半峰全寬為72nm。從所得到的電致發射光譜可知上述發光來源於客體材料Ir(ppy)₃ 。　　[0410] á發光元件的可靠性ñ 　　接著，對發光元件2進行2mA下的恆流驅動測試。圖24示出其結果。從圖24可知發光元件2的亮度半衰期超過350小時，發光元件2具有高可靠性。　　[0411] 如上所述，藉由將本發明的一個實施方式的化合物用於發光層，可以製造示出高發光效率的發光元件。另外，可以製造驅動電壓低且功耗低的發光元件。另外，可以製造可靠性高的發光元件。

[0412]100‧‧‧EL層101‧‧‧電極102‧‧‧電極106‧‧‧發光單元110‧‧‧發光單元111‧‧‧電洞注入層112‧‧‧電洞傳輸層113‧‧‧電子傳輸層114‧‧‧電子注入層115‧‧‧電荷產生層116‧‧‧電洞注入層117‧‧‧電洞傳輸層118‧‧‧電子傳輸層119‧‧‧電子注入層120‧‧‧發光層130‧‧‧發光層140‧‧‧發光層141‧‧‧主體材料141_1‧‧‧有機化合物141_2‧‧‧有機化合物142‧‧‧客體材料150‧‧‧發光元件170‧‧‧發光層200‧‧‧基板220‧‧‧基板250‧‧‧發光元件601‧‧‧源極側驅動電路602‧‧‧像素部603‧‧‧閘極側驅動電路604‧‧‧密封基板605‧‧‧密封劑607‧‧‧空間608‧‧‧佈線610‧‧‧元件基板611‧‧‧開關用TFT612‧‧‧電流控制用TFT613‧‧‧電極614‧‧‧絕緣物616‧‧‧EL層617‧‧‧電極618‧‧‧發光元件623‧‧‧n通道TFT624‧‧‧p通道TFT900‧‧‧可攜式資訊終端901‧‧‧外殼902‧‧‧外殼903‧‧‧顯示部905‧‧‧鉸鏈部910‧‧‧可攜式資訊終端911‧‧‧外殼912‧‧‧顯示部913‧‧‧操作按鈕914‧‧‧外部連接埠915‧‧‧揚聲器916‧‧‧麥克風917‧‧‧照相機920‧‧‧照相機921‧‧‧外殼922‧‧‧顯示部923‧‧‧操作按鈕924‧‧‧快門按鈕926‧‧‧鏡頭1001‧‧‧基板1002‧‧‧基底絕緣膜1003‧‧‧閘極絕緣膜1006‧‧‧閘極電極1007‧‧‧閘極電極1008‧‧‧閘極電極1020‧‧‧層間絕緣膜1021‧‧‧層間絕緣膜1022‧‧‧電極1024B‧‧‧電極1024G‧‧‧電極1024R‧‧‧電極1024W‧‧‧電極1025B‧‧‧下部電極1025G‧‧‧下部電極1025R‧‧‧下部電極1025W‧‧‧下部電極1026‧‧‧分隔壁1028‧‧‧EL層1029‧‧‧電極1031‧‧‧密封基板1032‧‧‧密封劑1033‧‧‧基材1034B‧‧‧彩色層1034G‧‧‧彩色層1034R‧‧‧彩色層1035‧‧‧黑色層1036‧‧‧保護層1037‧‧‧層間絕緣膜1040‧‧‧像素部1041‧‧‧驅動電路部1042‧‧‧周邊部3500‧‧‧多功能終端3502‧‧‧外殼3504‧‧‧顯示部3506‧‧‧照相機3508‧‧‧照明3600‧‧‧燈3602‧‧‧外殼3608‧‧‧照明3610‧‧‧揚聲器8501‧‧‧照明設備8502‧‧‧照明設備8503‧‧‧照明設備8504‧‧‧照明設備9000‧‧‧外殼9001‧‧‧顯示部9003‧‧‧揚聲器9005‧‧‧操作鍵9006‧‧‧連接端子9007‧‧‧感測器9008‧‧‧麥克風9055‧‧‧鉸鏈9200‧‧‧可攜式資訊終端9201‧‧‧可攜式資訊終端9202‧‧‧可攜式資訊終端

[0054] 在圖式中：　　圖1A至圖1C是本發明的一個實施方式的發光元件的剖面示意圖及說明發光層中的能階相關的示意圖；　　圖2是本發明的一個實施方式的發光元件的剖面示意圖；　　圖3A和圖3B是本發明的一個實施方式的主動矩陣型發光裝置的示意圖；　　圖4A和圖4B是本發明的一個實施方式的主動矩陣型發光裝置的示意圖；　　圖5是本發明的一個實施方式的主動矩陣型發光裝置的示意圖；　　圖6A至圖6D是本發明的一個實施方式的電子裝置的示意圖；　　圖7A至圖7E是本發明的一個實施方式的電子裝置的示意圖；　　圖8A至圖8C是示出本發明的一個實施方式的電子裝置及照明設備的圖；　　圖9是示出本發明的一個實施方式的照明設備的圖；　　圖10A和圖10B示出有關實施例的化合物的NMR譜；　　圖11示出有關實施例的化合物的吸收光譜及發射光譜；　　圖12示出有關實施例的化合物的吸收光譜及發射光譜；　　圖13A和圖13B示出有關實施例的化合物的NMR譜；　　圖14示出有關實施例的化合物的吸收光譜及發射光譜；　　圖15是示出有關實施例的發光元件的電流效率-亮度特性的圖；　　圖16是示出有關實施例的發光元件的電流密度-電壓特性的圖；　　圖17是示出有關實施例的發光元件的外部量子效率-亮度特性的圖；　　圖18示出有關實施例的發光元件的發射光譜；　　圖19是示出有關實施例的發光元件的可靠性測試結果的圖；　　圖20是示出有關實施例的發光元件的電流效率-亮度特性的圖；　　圖21是示出有關實施例的發光元件的電流密度-電壓特性的圖；　　圖22是示出有關實施例的發光元件的外部量子效率-亮度特性的圖；　　圖23示出有關實施例的發光元件的發射光譜；　　圖24是示出有關實施例的發光元件的可靠性測試結果的圖。

100‧‧‧EL層

101‧‧‧電極

102‧‧‧電極

111‧‧‧電洞注入層

112‧‧‧電洞傳輸層

118‧‧‧電子傳輸層

119‧‧‧電子注入層

140‧‧‧發光層

150‧‧‧發光元件

Claims

一種由通式(G0)表示的有機化合物，
其中：X表示氧或硫；A¹表示碳原子數為6至100的取代基；A²包括包含咔唑環、二苯并呋喃環和二苯并噻吩環中的任一者之稠合芳雜環；及R¹至R⁴分別獨立地表示氫、碳原子數為1至6的烷基、經取代或未經取代之碳原子數為3至7的環烷基、或經取代或未經取代之碳原子數為6至25的芳基。
根據請求項1之有機化合物，其中A¹表示碳原子數為10至100的取代基。
根據請求項1之有機化合物，其中A¹包含碳原子數為10至30的芳香環或碳原子數為10至30的芳雜環。
根據請求項1之有機化合物，其中A¹包含經取代或未經取代的苯環、經取代或未經取代的萘環、經取代或未經取代的菲環、經取代或未經取代的聯伸三苯(triphenylene)環、經取代或未經取代之碳原子數為12至30的稠合芳雜環、和經取代或未經取代的三苯基胺結構中之至少一者，及其中該經取代或未經取代之稠合芳雜環包含二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、或咔唑環。
一種由通式(G1)表示的有機化合物，
其中：X表示氧或硫；A¹表示總碳原子數為6至100的取代基；Ht²表示經取代或未經取代之碳原子數為10至30的芳香環或經取代或未經取代之碳原子數為10至30的芳雜環；Ar²表示經取代或未經取代之碳原子數為6至25的伸芳基，R¹至R⁴分別獨立地表示氫、碳原子數為1至6的烷基、經取代或未經取代之碳原子數為3至7的環烷基、或經取代或未經取代之碳原子數為6至25的芳基；及m表示0至3的整數。
根據請求項5之有機化合物，其中A¹為總碳原子數為10至100的取代基。
根據請求項5之有機化合物，其中Ht²為包含咔唑環、二苯并呋喃環和二苯并噻吩環中的任一者之經取代或未經取代的稠合芳雜環。
根據請求項5之有機化合物，其中該有機化合物由通式(G2)表示：
其中：Ht¹及Ht²分別獨立地表示碳原子數為10至30的芳香環或碳原子數為10至30的芳雜環；Ar¹及Ar²分別獨立地表示經取代或未經取代之碳原子數為6至25的伸芳基；及n表示0至3的整數。
根據請求項8之有機化合物，其中Ht¹及Ht²分別獨立地表示包含咔唑環、二苯并呋喃環和二苯并噻吩環中的任一者之經取代或未經取代的稠合芳雜環。
根據請求項8之有機化合物，其中Ar¹或Ar²為經取代或未經取代的伸苯基。
根據請求項5之有機化合物，其中R¹至R⁴都是氫。
根據請求項5之有機化合物，其中該有機化合物由通式(G3)表示：
其中： A¹表示總碳原子數為10至100的取代基；及Ht²表示包含咔唑環、二苯并呋喃環和二苯并噻吩環中的任一者之經取代或未經取代的芳雜環。
根據請求項5之有機化合物，其中該有機化合物由通式(G4)表示：
其中：Ht¹及Ht²分別獨立地表示包含咔唑環、二苯并呋喃環和二苯并噻吩環中的任一者之經取代或未經取代的芳雜環。
根據請求項8之有機化合物，其中Ht¹及Ht²分別獨立地表示由通式(Ht-1)至(Ht-7)表示的基團中的任一者：
其中：R¹⁰至R²²分別獨立地表示氫、碳原子數為1至6的烷基、經取代或未經取代之碳原子數為3至7的環烷基、或經取代或未經取代之碳原子數為6至25的芳基。
根據請求項5之有機化合物，其中該有機化合物由通式(G5)表示：
其中：X表示氧或硫；及Z¹及Z²分別獨立地表示氧或硫。
根據請求項5之有機化合物，其中該有機化合物由結構式(100)或(101)表示：
一種發光元件，其包括請求項5之有機化合物。
一種顯示裝置，其包括：請求項17之發光元件；以及濾色片和電晶體中的至少一者。
一種電子裝置，其包括：請求項18之顯示裝置；以及外殼和觸控感測器中的至少一者。
一種照明裝置，其包括：請求項17之發光元件；以及外殼和觸控感測器中的至少一者。