CN112912461A - El器件用组成物 - Google Patents

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佐佐木俊毅
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Abstract

本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的EL器件用组成物。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种可以容易制造具有稳定特性的EL器件的EL器件用组成物。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种可以廉价地制造具有稳定特性的EL器件的EL器件用组成物。研讨了一种预先混合不同物质而成的EL器件用的组成物，其中在使用该组成物反复进行蒸镀时EL器件的特性也没有变化。其结果，提供一种在0.1Pa以下的压力下所包含的物质的5％失重温度之差为50℃以下的EL器件用组成物。

Description

EL器件用组成物
技术领域
本发明的一个方式涉及一种EL器件用组成物。注意，本发明的一个方式不限定于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的一个例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。
背景技术
使用有机化合物且利用电致发光(EL：Electroluminescence)的EL器件(有机EL器件)的实用化非常活跃。在这种EL器件的基本结构中，在一对电极之间夹有包含发光材料的有机化合物层(EL层)。通过对该器件施加电压，注入载流子，利用该载流子的再结合能量，可以获得来自发光材料的发光。
因为这种EL器件是自发光型EL器件，所以当用于显示器的像素时比起液晶有可见度更高、不需要背光源等优势。因此，该EL器件适合于平板显示器元件。另外，使用这种EL器件的显示器可以被制造成薄且轻，这也是极大的优点。再者，非常高速的响应也是该EL器件的特征之一。
此外，因为这种EL器件的发光层可以在二维上连续地形成，所以可以获得面发光。因为该特征是在利用以白炽灯或LED为代表的点光源或者以荧光灯为代表的线光源中难以得到的，所以作为可应用于照明等的面光源的利用价值也高。
这种EL器件通过以喷墨法等为代表的湿式法、以蒸镀法等为代表的干式法等制造，但是由于容易实现高清晰化、长寿命化等，现在主要通过蒸镀法制造。
在通过蒸镀法制造EL器件时，发光层通过共蒸镀发光中心物质及主体材料的至少两种物质来形成。共蒸镀是指从不同蒸镀源同时蒸镀不同物质的蒸镀法，但是为了发光层内部的载流子平衡的改善或由于其他理由而有时共蒸镀三种以上的物质。
在共蒸镀多个物质时，需要与该多个物质相同的数量的蒸镀源，有时蒸镀装置的成本及维修负担增加。
[先行技术文献]
[专利文献]
[非专利文献1]日本专利申请公开第2015-97201号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的EL器件用组成物。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种可以容易制造具有稳定特性的EL器件的EL器件用组成物。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种可以廉价地制造具有稳定特性的EL器件的EL器件用组成物。
注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。另外，本发明的一个方式并不一定需要达到所有上述目的。除上述目的外的目的从说明书、附图、权利要求书等的描述中是显而易见的，并且可以从说明书、附图、权利要求书等的描述中抽出。
本发明只要实现上述目的中的任一个即可。
解决技术问题的手段
本发明的一个方式是一种至少包含两种以上的有机化合物的EL器件用组成物，其中通过在0.1Pa以下的压力下进行热重分析而测得的上述两种以上的有机化合物间的5％失重温度之差为50度以下。
另外，本发明的其他一个方式是一种EL器件用组成物，包括：第一有机化合物；以及第二有机化合物，其中通过在0.1Pa以下的压力下进行热重分析而测得的上述第一有机化合物与上述第二有机化合物间的5％失重温度之差为50度以下。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，上述第一有机化合物具有电子传输性，并且上述第二有机化合物具有空穴传输性。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，上述第一有机化合物具有苯并呋喃并二嗪骨架或苯并噻吩并二嗪骨架。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，上述第一有机化合物具有萘并呋喃并吡嗪骨架、菲并呋喃并吡嗪(phenanthrofuropyrazine)骨架、萘并噻吩并吡嗪骨架和菲并噻吩并吡嗪骨架中的任一个。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，上述第一有机化合物以下述通式(G1)表示。
[化学式1]
Figure BDA0003032220430000041
在上述通式(G1)中，Q表示氧或硫。另外，Ar1表示取代或未取代的稠合芳香环。另外，R1和R2中的一方表示氢，另一方表示具有空穴传输性的骨架的总碳原子数为1至100的基。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，其中上述第一有机化合物以下述结构式(100)表示。
[化学式2]
Figure BDA0003032220430000042
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，上述第一有机化合物具有苯并呋喃并嘧啶骨架或苯并噻吩并嘧啶骨架。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，上述第一有机化合物以下述通式(G2)表示。
[化学式3]
Figure BDA0003032220430000051
式中，Q表示氧或硫。Ar1、Ar2、Ar3及Ar4分别独立地表示取代或未取代的芳烃环，该芳烃环的取代基为碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的烷氧基、碳原子数为5至7的单环饱和烃基、碳原子数为7至10的多环饱和烃基和氰基中的任一个，构成上述芳烃环的碳原子数为6以上且25以下。另外，m及n分别为0或1。另外，A是总碳原子数为12至100的基且具有包括苯环、萘环、芴环、菲环、三亚苯环、二苯并噻吩环的杂芳环、包括二苯并呋喃环的杂芳环、包括咔唑环的杂芳环、苯并咪唑环、三苯基胺结构中的一个或多个。另外，R1表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基或取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基。
另外，本发明的其他一个方式是一种EL器件用组成物，上述第一有机化合物以下述结构式(200)或下述结构式(201)表示。
[化学式4]
Figure BDA0003032220430000061
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，上述第二有机化合物具有芳香胺骨架。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，上述第二有机化合物具有咔唑骨架。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，上述第二有机化合物具有三芳基胺骨架。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，上述第二有机化合物具有联咔唑骨架。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，在上述联咔唑骨架中两个咔唑基在2位至4位中的任意处彼此键合。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，上述第二有机化合物具有三芳基胺骨架及咔唑骨架。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，上述三芳基胺中的氮原子与上述咔唑骨架通过亚苯基键合。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，上述咔唑骨架在2位至4位或9位键合。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，上述第二有机化合物至少具有一个芴骨架。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，上述第一有机化合物和上述第二有机化合物是形成激基复合物的组合。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，上述5％失重温度之差为40度以下。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，上述5％失重温度之差为30度以下。
在本说明书中，发光装置包括使用EL器件的图像显示器件。另外，EL器件有时还包括如下模块：EL器件安装有连接器诸如各向异性导电膜或TCP(Tape Carrier Package：带载封装)的模块；在TCP的端部设置有印刷线路板的模块；或者通过COG(Chip On Glass：玻璃覆晶封装)方式在发光器件上直接安装有IC(集成电路)的模块。而且，照明装置等有时包括发光装置。
发明效果
根据本发明的一个方式，可以提供一种新颖的EL器件用组成物。另外，根据本发明的一个方式可以提供一种可以容易制造具有稳定特性的EL器件的EL器件用组成物。另外，根据本发明的一个方式可以提供一种可以廉价地制造具有稳定特性的EL器件的EL器件用组成物。
注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。另外，本发明的一个方式并不一定需要具有所有上述效果。除上述效果外的效果从说明书、附图、权利要求书等的描述中是显而易见的，并且可以从说明书、附图、权利要求书等的描述中抽出。
附图简要说明
图1A至图1C是EL器件的示意图。
图2A及图2B是有源矩阵型发光装置的概念图。
图3A及图3B是有源矩阵型发光装置的概念图。
图4是有源矩阵型发光装置的概念图。
图5A及图5B是无源矩阵型发光装置的概念图。
图6A及图6B是示出照明装置的图。
图7A、图7B1、图7B2及图7C是示出电子设备的图。
图8A至图8C是示出电子设备的图。
图9是示出照明装置的图。
图10是示出照明装置的图。
图11是示出车载显示装置及照明装置的图。
图12A及图12B是示出电子设备的图。
图13A至图13C是示出电子设备的图。
图14A及图14B是示出蒸镀装置的示意图。
图15是示出EL器件1的亮度-电流密度特性的图。
图16是示出EL器件1的亮度-电压特性的图。
图17是示出EL器件1的电流-电压特性的图。
图18是示出EL器件1的外部量子效率-亮度特性的图。
图19是示出EL器件1的发射光谱的图。
图20是示出EL器件2的亮度-电流密度特性的图。
图21是示出EL器件2的亮度-电压特性的图。
图22是示出EL器件2的电流-电压特性的图。
图23是示出EL器件2的外部量子效率-亮度特性的图。
图24是示出EL器件2的发射光谱的图。
图25是示出EL器件3的亮度-电流密度特性的图。
图26是示出EL器件3的亮度-电压特性的图。
图27是示出EL器件3的电流-电压特性的图。
图28是示出EL器件3的外部量子效率-亮度特性的图。
图29是示出EL器件3的发射光谱的图。
图30是示出EL器件1的亮度-时间变化特性的图。
图31是示出EL器件2的亮度-时间变化特性的图。
图32是示出EL器件3的亮度-时间变化特性的图。
图33是示出EL器件4的亮度-电流密度特性的图。
图34是示出EL器件4的亮度-电压特性的图。
图35是示出EL器件4的电流-电压特性的图。
图36是示出EL器件4的外部量子效率-亮度特性的图。
图37是示出EL器件4的发射光谱的图。
图38是示出EL器件4的亮度-时间变化特性的图。
图39是示出EL器件2的高温下的亮度-时间变化特性的图。
实施发明的方式
以下，参照附图详细地说明本发明的一个方式。注意，本发明不局限于以下说明，所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。
(实施方式1)
一般来说，有机EL器件在一对电极间夹持包含有机化合物的EL层。EL层具有功能分离的叠层结构。如图1A所示的EL层103的那样，该叠层结构例如由空穴注入层111、空穴传输层112、发光层113、电子传输层114、电子注入层115等以及载流子阻挡层、电荷产生层等的各种功能层构成。
有些功能层由单一物质构成，有些功能层混合有多个物质。尤其是，为了抑制由于激子彼此的干渉而发生的猝灭现象或者调整发光区域的位置，发光层113在很多情况下具有主体-客体型结构。
一般来说，为了以将两种以上的不同物质均匀地混合的状态得到存在于一个层内的发光器件，在利用干式法制造有机EL器件时，选择按每个物质使用不同蒸镀源的共蒸镀法。这是因为：各物质具有不同升华温度及蒸发温度，所以需要将蒸镀源的温度调整为适于各物质及所要求的蒸镀速率的温度。
但是，在使用上述方法时需要按每个所使用的材料种类准备蒸镀源，所以发生如下问题：对装置的投资额增大；所混合的物质的数量取决于装置等。
另一方面，为了实现更高效且寿命长的EL器件，发光层113的结构从上述主体-客体型更进展，具有由主体、辅助、客体等的三种或者更多种物质构成的结构已实现实用化。
如上所述，可以在一个发光层内混合的物质的种类取决于装置的蒸镀源的个数，并且为了追加设置蒸镀源需要一定程度的投資。
在此，考虑预先混合多个物质在一个蒸镀源进行蒸镀来形成蒸镀源的个数以上的物质的膜的方法。图14是示出通过蒸镀形成混合有三种物质(化合物1、化合物2、掺杂剂)的层的情况的示意图。图14A示出将三种物质从不同蒸镀源蒸镀的情况，此时需要三个蒸镀源。另一方面，图14B示出将预先混合两种物质(化合物1、化合物2)而成的组成物从一个蒸镀源蒸镀的情况，此时可以使用两个蒸镀源蒸镀三种物质。但是，物质具有固有的蒸发温度及升华温度，所以即使使用预先混合了的材料进行成膜也不容易形成目的的膜厚度和组成的层。
并且，在考虑实现商品化而将多个商品出货时，该方法需要即使连续使用相同蒸镀源制造多个器件也可以提供没有特性变动的EL器件。
已说明了每个物质具有固有的蒸发温度及升华温度的值。在混合多个物质而使用一个蒸镀源进行蒸镀着时，有时上述多个物质中的温度较低的物质的分散量比其他物质多而蒸镀源内部的物质的组成逐渐变化。在蒸镀源内部的样品的组成变化时，随着反复进行蒸镀而膜的组成变化，其结果EL器件的特性变化。
于是，本发明者等研讨了一种预先混合不同物质而成的EL器件用的组成物，其中在使用该组成物反复进行蒸镀时EL器件的特性也没有变化。其结果，发现：在0.1Pa以下的压力下所包含的物质的5％失重温度之差为50℃以下的EL器件用组成物即使反复进行蒸镀也不容易发生组成变化，且使用该组成物而制造的EL器件的特性也不容易发生较大变化。
就是说，本发明的一个方式是一种至少包含两种以上的有机化合物的EL器件用组成物，其中通过在0.1Pa以下的压力下进行热重分析测得的上述两种以上的有机化合物间的5％失重温度之差都为50度以下。
5％失重温度可以通过进行热重-差热分析(TG-DTA：Thermogravimetry-Differential Thermal Analysis)得到的重量与温度的关系(热重分析)求出。注意，鉴于蒸镀操作在0.1Pa以下的压力环境下进行，测量优选在0.1Pa以下的气氛下进行。另外，在预先决定了进行蒸镀的压力时，优选使用在该压力下进行测量的值。
在采用由通过上述方法测量的5％失重温度之差为50℃以下的材料彼此混合而成的组成物构成的样品时，即使反复进行蒸镀也可以稳定地制造组成变化少且特性良好的EL器件。注意，5％失重温度之差优选为40℃以下，更优选为30℃以下，进一步优选为20℃以下。
在本发明的一个方式的EL器件用组成物由第一有机化合物和第二有机化合物的两种物质构成时，优选的是，该第一有机化合物具有电子传输性且该第二有机化合物具有空穴传输性。在此情况下，该EL器件用组成物作为用来形成EL器件中的发光层113的组成物很有用。另外，在第一有机化合物和第二有机化合物为形成激基复合物的组合时，该EL器件用组成物作为用来形成发光层113的组成物更有用。另外，以重量比表示的第一有机化合物：第二有机化合物混合比优选为1：9至9：1，更优选为2：8至8：2。
另外，通过作为第一有机化合物使用具有空穴传输性的材料且作为第二有机化合物使用对第一有机化合物呈现电子接收性的物质，本发明的一个方式的EL器件用组成物作为用来形成空穴注入层111的组成物很有用。另外，通过作为第一有机化合物使用具有电子传输性的材料且作为第二有机化合物使用对第一有机化合物呈现子接收性的物质，本发明的一个方式的EL器件用组成物作为用来形成电子传输层114的组成物很有用。
另外，在上述第一有机化合物具有电子传输性且第二有机化合物具有空穴传输性时，为了制造更稳定的EL器件，有效的是，第一有机化合物具有苯并呋喃并二嗪骨架或苯并噻吩并二嗪骨架。此时，第一有机化合物尤其更优选具有萘并呋喃并吡嗪骨架、菲并呋喃并吡嗪骨架、萘并噻吩并吡嗪骨架和菲并噻吩并吡嗪骨架中的任一个，进一步优选使用以下述通式(G1)表示的有机化合物。在此情况下，该EL器件用组成物作为用来形成EL器件中的发光层113的组成物很有用。
[化学式5]
Figure BDA0003032220430000131
在上述通式(G1)中，Q表示氧或硫。另外，Ar1表示取代或未取代的稠合芳香环。另外，R1和R2中的一方表示氢，另一方表示具有空穴传输性的骨架的总碳原子数为1至100的基。作为空穴传输性的骨架，可以举出吡咯骨架、呋喃骨架、噻吩骨架、咔唑骨架等的富π电子型杂芳环骨架、稠合芳烃环骨架、芳香胺骨架。
另外，本发明的其他一个方式是一种具有上述结构的EL器件用组成物，其中上述第一有机化合物以下述结构式(100)表示。
[化学式6]
Figure BDA0003032220430000132
另外，在上述第一有机化合物具有电子传输性且上述第二有机化合物具有空穴传输性时，为了制造更稳定的EL器件，第一有机化合物优选具有苯并呋喃并嘧啶骨架或苯并噻吩并嘧啶骨架，更优选使用以下述通式(G2)表示的有机化合物。
[化学式7]
Figure BDA0003032220430000141
式中，Q表示氧或硫。Ar1、Ar2、Ar3及Ar4分别独立地表示取代或未取代的芳烃环，该芳烃环的取代基为碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的烷氧基、碳原子数为5至7的单环饱和烃基、碳原子数为7至10的多环饱和烃基和氰基中的任一个，构成上述芳烃环的碳原子数为6以上且25以下。另外，m及n分别为0或1。另外，A是总碳原子数为12至100的基且具有包括苯环、萘环、芴环、菲环、三亚苯环、二苯并噻吩环的杂芳环、包括二苯并呋喃环的杂芳环、包括咔唑环的杂芳环、苯并咪唑环、三苯基胺结构中的一个或多个。另外，R1表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基或取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基。注意，在上述通式(G2)中，m及n优选为0。
另外，本发明的其他一个方式是一种EL器件用组成物，上述第一有机化合物以下述结构式(200)或下述结构式(201)表示。
[化学式8]
Figure BDA0003032220430000151
另外，在上述第一有机化合物具有电子传输性且第二有机化合物具有空穴传输性时，由于空穴传输性高且稳定性良好，所以第二有机化合物优选具有芳香胺骨架。另外，第二有机化合物优选具有三芳基胺骨架和咔唑骨架中的一方或双方。
另外，在第二有机化合物为具有上述三芳基胺骨架和咔唑骨架中的双方的骨架的有机化合物时，由于稳定且可靠性良好，所以优选使用该三芳基胺骨架中的氮原子与咔唑骨架通过亚苯基键合的有机化合物。另外，同样地，在第二有机化合物为具有上述三芳基胺骨架和咔唑骨架的双方的骨架的有机化合物时，从可靠性的观点来看，该咔唑骨架优选在2位至4位或者9位键合于上述胺。
在上述第二有机化合物为具有咔唑骨架的有机化合物时，由于空穴传输性良好且稳定性高，所以上述第二有机化合物优选为具有联咔唑骨架的有机化合物。此时，该联咔唑骨架优选具有两个咔唑基在2位至4位中的任意处彼此键合的结构。
具有上述结构的本发明的一个方式的EL器件用组成物即使连续地进行蒸镀也组成物本身或所形成膜的组成不容易发生较大变化。因此，使用该EL器件用组成物制造的EL器件可以为具有良好且稳定的特性的EL器件。
另外，可以在一个蒸镀源蒸镀多个有机化合物，所以不进行多余的或者追加的设备投资也可以制造具有良好特性的EL器件。就是说，可以廉价地制造具有良好特性的EL器件。
(实施方式2)
在本实施方式中，说明在实施方式1中说明的可以使用EL器件用组成物制造的EL器件的详细方式。图1示出在实施方式1中说明的可以使用EL器件用组成物制造的EL器件。图1A所示的EL器件包括阳极101、阴极102及EL层103。
在图1中，EL层103包括发光层113等各种功能层，也可以除了上述发光层以外还包括空穴注入层111、空穴传输层112、电子传输层114、电子注入层115等。发光层113包括发光材料，在本实施方式中说明的EL器件从该发光材料获得发光。作为发光层113也可以包括主体材料及其他材料。
接着，说明上述的EL器件的详细结构及材料的例子。
阳极101优选使用功函数大(具体为4.0eV以上)的金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等形成。具体地，例如可以举出氧化铟-氧化锡(ITO：Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡、氧化铟-氧化锌、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟(IWZO)等。虽然通常通过溅射法形成这些导电金属氧化物膜，但是也可以应用溶胶-凝胶法等来形成。作为形成方法的例子，可以举出使用对氧化铟添加有1wt％至20wt％的氧化锌的靶材通过溅射法形成氧化铟-氧化锌的方法等。另外，可以使用对氧化铟添加有0.5wt％至5wt％的氧化钨和0.1wt％至1wt％的氧化锌的靶材通过溅射法形成包含氧化钨及氧化锌的氧化铟(IWZO)。另外，可以举出金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)或金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等。也可以使用石墨烯。另外，通过将后面说明的复合材料用于EL层103中的接触于阳极101的层，可以在选择电极材料时无需顾及功函数。
EL层103优选具有叠层结构，对该叠层结构没有特别的限制，可以采用空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、载流子阻挡层、激子阻挡层、电荷产生层等各种层结构。在本实施方式中，说明如下两种结构：如图1A所示，包括空穴注入层111、空穴传输层112、发光层113、电子传输层114及电子注入层115的结构；以及如图1B所示，包括空穴注入层111、空穴传输层112、发光层113、电子传输层114及电子注入层115、电荷产生层116的结构。下面具体地示出构成各层的材料。
空穴注入层111可以使用具有电子接收性的物质形成。作为具有电子接收性的物质，可以举出钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等。尤其是，氧化钼是在大气中稳定，吸湿性低且容易处理，所以是很优选的物质。
另外，除了上述物质以外，还可以举出具有吸电子基团(卤素基或氰基)的有机化合物。因为其电子接收性非常高，所以具有吸电子基团(尤其是，如氟基等卤基、氰基)的[3]轴烯衍生物是适合用作具有电子接收性的物质的有机化合物。作为这种有机化合物，例如可以举出：7，7，8，8-四氰-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(简称：F4-TCNQ)、3，6-二氟-2，5，7，7，8，8-六氰基对醌二甲烷、氯醌、2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮杂三亚苯(简称：HAT-CN)、1，3，4，5，7，8-六氟四氰-萘醌二甲烷(简称：F6-TCNNQ)等、α，α’，α”-1，2，3-环烷三亚基三[4-氰-2，3，5，6-四氟苯乙腈]、α，α’，α”-1，2，3-环烷三亚基三[2，6-二氯-3，5-二氟-4-(三氟甲基)苯乙腈]、α，α’，α”-1，2，3-环烷三亚基三[2，3，4，5，6-五氟苯乙腈]等。作为具有电子接收性的有机化合物，优选使用如HAT-CN那样的吸电子基团键合于包含多个杂原子的稠合芳香环的化合物，因为该化合物具有热稳定性。
除此之外，还可以使用酞菁(简称：H2Pc)或铜酞菁(CuPc)等酞菁类配合物化合物、4，4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DPAB)、N，N’-双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-N，N’-二苯基-(1，1’-联苯)-4，4’-二胺(简称：DNTPD)等芳香胺化合物等。另外，也可以使用聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等高分子等。
这种具有电子接收性的物质可以通过施加电场从相邻的空穴传输层(或空穴传输性材料)抽出电子，通过抽出电子可以对相邻的空穴传输层(或空穴传输性材料)注入空穴(可以在使相邻的空穴传输层中发生空穴)。
另外，作为空穴注入层111也可以使用使具有空穴传输性的物质包含具有电子接收性的物质的复合材料。通过作为具有空穴传输性的物质使用包含具有电子接收性的物质的复合材料，可以在选择形成电极的材料时无需顾及功函数。换言之，除了功函数较大的材料以外，阳极101也可以使用功函数较小的材料。作为具有该电子接收性的物质，可以使用上述具有电子接收性的物质。
作为用于复合材料的具有空穴传输性的物质，可以使用各种有机化合物如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烃、高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)等。作为用于复合材料的具有空穴传输性的物质，优选使用空穴迁移率为1×10-6cm2/Vs以上的物质。以下，具体地列举可以用作复合材料中的具有空穴传输性的物质的有机化合物。
作为可以用于复合材料的芳香胺化合物，可以举出N，N’-二(对甲苯基)-N，N’-二苯基-对亚苯基二胺(简称：DTDPPA)、4，4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DPAB)、N，N'-双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-N，N'-二苯基-(1，1'-联苯)-4，4'-二胺(简称：DNTPD)、1，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(简称：DPA3B)、1，1-双-(4-双(4-甲基-苯基)-氨基-苯基)-环己烷(简称：TAPC)等。作为咔唑衍生物，可以具体地举出3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA1)、3，6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCN1)、4，4’-二(N-咔唑基)联苯(简称：CBP)、1，3，5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(简称：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：CzPA)、1，4-双[4-(N-咔唑基)苯基]-2，3，5，6-四苯基苯等。作为芳香烃，例如可以举出2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(简称：t-BuDNA)、2-叔丁基-9，10-二(1-萘基)蒽、9，10-双(3，5-二苯基苯基)蒽(简称：DPPA)、2-叔丁基-9，10-双(4-苯基苯基)蒽(简称：t-BuDBA)、9，10-二(2-萘基)蒽(简称：DNA)、9，10-二苯基蒽(简称：DPAnth)、2-叔丁基蒽(简称：t-BuAnth)、9，10-双(4-甲基-1-萘基)蒽(简称：DMNA)、2-叔丁基-9，10-双[2-(1-萘基)苯基]-2-蒽、9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(1-萘基)蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(2-萘基)蒽、9，9’-联蒽、10，10’-二苯基-9，9’-联蒽、10，10’-双(2-苯基苯基)-9，9’-联蒽、10，10’-双[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]-9，9'-联蒽、蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯等。另外，除此之外也可以使用并五苯、晕苯等。另外，也可以具有乙烯基骨架。作为具有乙烯基的芳烃，例如可以举出4，4’-双(2，2-二苯基乙烯基)联苯(简称：DPVBi)、9，10-双[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(简称：DPVPA)等。
另外，也可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(简称：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N’-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](简称：PTPDMA)、聚[N，N’-双(4-丁基苯基)-N，N’-双(苯基)联苯胺](简称：Poly-TPD)等高分子化合物。
空穴传输层112以包含具有空穴传输性的材料的方式形成。具有空穴传输性的材料优选具有1×10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率。
作为上述具有空穴传输性的材料，可以举出：4，4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称：NPB)、N，N'-双(3-甲基苯基)-N，N'-二苯基-[1，1'-联苯]-4，4'-二胺(简称：TPD)、4，4'-双[N-(螺-9，9’-二芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(简称：BSPB)、4-苯基-4'-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：BPAFLP)、4-苯基-3'-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：mBPAFLP)、4-苯基-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBA1BP)、4，4'-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBANB)、4，4'-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBNBB)、9，9-二甲基-N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(简称：PCBAF)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]螺-9，9'二芴-2-胺(简称：PCBASF)等具有芳香胺骨架的化合物；1，3-双(N-咔唑基)苯(简称：mCP)、4，4'-二(N-咔唑基)联苯(简称：CBP)、3，6-双(3，5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(简称：CzTP)、3，3'-双(9-苯基-9H-咔唑)(简称：PCCP)等具有咔唑骨架的化合物；4，4'，4”-(苯-1，3，5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：DBT3P-II)、2，8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]二苯并噻吩(简称：DBTFLP-III)、4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(简称：DBTFLP-IV)等具有噻吩骨架的化合物；以及4，4’，4”-(苯-1，3，5-三基)三(二苯并呋喃)(简称：DBF3P-II)、4-{3-[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(简称：mmDBFFLBi-II)等具有呋喃骨架的化合物。其中，具有芳香胺骨架的化合物、具有咔唑骨架的化合物具有高可靠性和高空穴传输性并有助于降低驱动电压，所以是优选的。注意，作为构成空穴传输层112的材料也可以适当地使用作为用于空穴注入层111的复合材料的具有空穴传输性的材料举出的物质。
发光层113是包含主体材料及发光材料的层。发光材料可以使用荧光发光物质、磷光发光物质、呈现热活化延迟荧光(TADF)的物质或其他发光材料。另外，发光层113可以为单层，也可以由包含不同发光材料的多个层构成。
在发光层113中，作为可以用作发光材料的荧光发光物质，可以举出如下物质。注意，除此之外，还可以使用其他荧光发光物质。
5，6-双[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-2，2'-联吡啶(简称：PAP2BPy)、5，6-双[4'-(10-苯基-9-蒽基)联苯-4-基]-2，2'-联吡啶(简称：PAPP2BPy)、N，N'-二苯基-N，N'-双[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-芘-1，6-二胺(简称：1，6FLPAPrn)、N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-双[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6mMemFLPAPrn)、N，N'-双[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N'-二苯基二苯乙烯-4，4'-二胺(简称：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称：YGAPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(简称：2YGAPPA)、N，9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：PCAPA)、二萘嵌苯、2，5，8，11-四-叔丁基二萘嵌苯(简称：TBP)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBAPA)、N，N”-(2-叔丁基蒽-9，10-二基二-4，1-亚苯基)双[N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺](简称：DPABPA)、N，9-二苯基-N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCAPPA)、N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPAPPA)、N，N，N'，N'，N”，N”，N”'，N”'-八苯基二苯并[g，p]
Figure BDA0003032220430000221
(chrysene)-2，7，10，15-四胺(简称：DBC1)、香豆素30、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCAPA)、N-[9，10-双(1，1'-联苯基-2-基)-2-蒽基]-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCABPhA)、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPAPA)、N-[9，10-双(1，1'-联苯-2-基)-2-蒽基]-N，N'，N'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPABPhA)、9，10-双(1，1'-联苯-2-基)-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(简称：2YGABPhA)、N，N，9-三苯基蒽-9-胺(简称：DPhAPhA)、香豆素545T、N，N'-二苯基喹吖酮、(简称：DPQd)、红荧烯、5，12-双(1，1'-联苯-4-基)-6，11-二苯基并四苯(简称：BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈(简称：DCM1)、2-{2-甲基-6-[2-(2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCM2)、N，N，N'，N'-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(简称：p-mPhTD)、7，14-二苯基-N，N，N'，N'-四(4-甲基苯基)苊并[1，2-a]荧蒽-3，10-二胺(简称：p-mPhAFD)、2-{2-异丙基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCJTI)、2-{2-叔丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCJTB)、2-(2，6-双{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈(简称：BisDCM)、2-{2，6-双[2-(8-甲氧基-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：BisDCJTM)、N，N’-二苯基-N，N’-(1，6-芘-二基)双[(6-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃)-8-胺](简称：1，6BnfAPrn-03)等。尤其是，以1，6FLPAPrn、1，6mMemFLPAPrn或1，6BnfAPrn-03等芘二胺化合物为代表的稠合芳族二胺化合物具有高空穴俘获性和良好的发光效率及可靠性，所以是优选的。
在发光层113中，作为可以用作发光材料的磷光发光物质，例如可以举出如下物质。
三{2-[5-(2-甲基苯基)-4-(2，6-二甲基苯基)-4H-1，2，4-三唑-3-基-κN2]苯基-κC}铱(III)(简称：Ir[(mpptz-dmp)]3)、三(5-甲基-3，4-二苯基-4H-1，2，4-三唑)铱(III)(简称：Ir[(Mptz)]3)、三[4-(3-联苯)-5-异丙基-3-苯基-4H-1，2，4-三唑]铱(III)(简称：Ir[(iPrptz-3b)]3)、等具有4H-三唑骨架的有机金属铱配合物；三[3-甲基-1-(2-甲基苯基)-5-苯基-1H-1，2，4-三唑]铱(III)(简称：Ir[(Mptz1-mp)]3)、三(1-甲基-5-苯基-3-丙基-1H-1，2，4-三唑)铱(III)(简称：Ir[(Prptz1-Me)]3)等具有1H-三唑骨架的有机金属铱配合物；fac-三[1-(2，6-二异丙基苯基)-2-苯基-1H-咪唑]铱(III)(简称：Ir[(iPrpmi)]3)、三[3-(2，6-二甲基苯基)-7-甲基咪唑并[1，2-f]菲啶根(phenanthridinato)]铱(III)(简称：Ir[(dmpimpt-Me)]3){κκ}等具有咪唑骨架的有机金属铱配合物；以及双[2-(4'，6'-二氟苯基)吡啶根-N，C2']铱(III)四(1-吡唑基)硼酸盐(简称：FIr6)、双[2-(4'，6'-二氟苯基)吡啶根-N，C2']铱(III)吡啶甲酸盐(简称：FIrpic)、双{2-[3'，5'-双(三氟甲基)苯基]吡啶根-N，C2'}铱(III)吡啶甲酸盐(简称：[Ir(CF3ppy)2(pic)])、双[2-(4'，6'-二氟苯基)吡啶根-N，C2']铱(III)乙酰丙酮(简称：FIr(acac))等以具有吸电子基团的苯基吡啶衍生物为配体的有机金属铱配合物。上述物质是发射蓝色磷光的化合物，并且在440nm至520nm具有发光的峰值。
另外，可以举出：三(4-甲基-6-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(mppm)3])、三(4-叔丁基-6-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(tBuppm)3])、(乙酰丙酮根)双(6-甲基-4-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(mppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双(6-叔丁基-4-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(tBuppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双[6-(2-降冰片基)-4-苯基嘧啶根]铱(III)(简称：[Ir(nbppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-苯基嘧啶根]铱(III)(简称：[Ir(mpmppm)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双(4，6-二苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(dppm)2(acac)])等具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物；(乙酰丙酮根)双(3，5-二甲基-2-苯基吡嗪根)铱(III)(简称：[Ir(mppr-Me)2(acac)])、(乙酰丙酮根)双(5-异丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪根)铱(III)(简称：[Ir(mppr-iPr)2(acac)])等具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物；三(2-苯基吡啶根-N，C2')铱(III)(简称：[Ir(ppy)3])、双(2-苯基吡啶根-N，C2')铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(ppy)2(acac)])、双(苯并[h]喹啉)铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(bzq)2(acac)])、三(苯并[h]喹啉)铱(III)(简称：[Ir(bzq)3])、三(2-苯基喹啉-N，C2']铱(III)(简称：[Ir(pq)3])、双(2-苯基喹啉-N，C2')铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(pq)2(acac)])等具有吡啶骨架的有机金属铱配合物；以及三(乙酰丙酮根)(单菲罗啉)铽(III)(简称：[Tb(acac)3(Phen)])等稀土金属配合物。上述物质主要是发射绿色磷光的化合物，并且在500nm至600nm具有发光峰。另外，由于具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物具有特别优异的可靠性及发光效率，所以是特别优选的。
另外，例如可以举出(二异丁酰甲烷根)双[4，6-双(3-甲基苯基)嘧啶根]铱(III)(简称：[Ir(5mdppm)2(dibm)])、双[4，6-双(3-甲基苯基)嘧啶根](二新戊酰甲烷)铱(III)(简称：[Ir(5mdppm)2(dpm)])、双[4，6-二(萘-1-基)嘧啶根](二新戊酰基甲烷根)铱(III)(简称：[Ir(d1npm)2(dpm)])等具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物；(乙酰丙酮根)双(2，3，5-三苯基吡嗪)铱(III)(简称：[Ir(tppr)2(acac)])、双(2，3，5-三苯基吡嗪)(二新戊酰甲烷)铱(III)(简称:[Ir(tppr)2(dpm)])、(乙酰丙酮根)双[2，3-双(4-氟苯基)喹喔啉合(quinoxalinato)]铱(III)(简称：[Ir(Fdpq)2(acac)])等具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物；三(1-苯基异喹啉-N，C2’)铱(III)(简称：[Ir(piq)3])、双(1-苯基异喹啉-N，C2')铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(piq)2(acac)])等具有吡啶骨架的有机金属铱配合物；2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉铂(II)(简称：[PtOEP])等铂配合物；以及三(1，3-二苯基-1，3-丙二酮(propanedionato))(单菲罗啉)铕(III)(简称：[Eu(DBM)3(Phen)])、三[1-(2-噻吩甲酰基)-3，3，3-三氟丙酮](单菲罗啉)铕(III)(简称：[Eu(TTA)3(Phen)])等稀土金属配合物。上述物质是发射红色磷光的化合物，并且在600nm至700nm具有发光的峰值。另外，具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物可以获得色度良好的红色发光。
另外，除了上述磷光化合物以外，还可以选择已知的磷光发光材料而使用。
作为可以在发光层113中使用的TADF材料，可以使用富勒烯及其衍生物、吖啶及其衍生物以及伊红衍生物等。此外，可以举出包含镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、铂(Pt)、铟(In)或钯(Pd)等的含金属卟啉。作为该含金属卟啉，例如，也可以举出由下述结构式表示的原卟啉-氟化锡配合物(SnF2(Proto IX))、中卟啉-氟化锡配合物(SnF2(Meso IX))、血卟啉-氟化锡配合物(SnF2(Hemato IX))、粪卟啉四甲酯-氟化锡配合物(SnF2(Copro III-4Me))、八乙基卟啉-氟化锡配合物(SnF2(OEP))、初卟啉-氟化锡配合物(SnF2(Etio I))以及八乙基卟啉-氯化铂配合物(PtCl2OEP)等。
[化学式9]
Figure BDA0003032220430000261
另外，还可以使用由下述结构式表示的2-(联苯-4-基)-4，6-双(12-苯基吲哚[2，3-a]咔唑-11-基)-1，3，5-三嗪(简称：PIC-TRZ)、9-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)-9’-苯基-9H，9’H-3，3’-联咔唑(简称：PCCzTzn)、2-{4-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：PCCzPTzn)、2-[4-(10H-吩恶嗪-10-基)苯基]-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：PXZ-TRZ)、3-[4-(5-苯基-5，10-二氢吩嗪-10-基)苯基]-4，5-二苯基-1，2，4-三唑(简称：PPZ-3TPT)、3-(9，9-二甲基-9H-吖啶-10-基)-9H-氧杂蒽-9-酮(简称：ACRXTN)、双[4-(9，9-二甲基-9，10-二氢吖啶)苯基]硫砜(简称：DMAC-DPS)、10-苯基-10H，10’H-螺[吖啶-9，9’-蒽]-10’-酮(简称：ACRSA)等具有富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环的一方或双方的杂环化合物。另外，该杂环化合物具有富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环，电子传输性和空穴传输性都高，所以是优选的。尤其是，在具有缺π电子型杂芳环的骨架中，吡啶骨架、二嗪骨架(嘧啶骨架、吡嗪骨架、哒嗪骨架)及三嗪骨架稳定且可靠性良好，所以是优选的。尤其是，苯并呋喃并嘧啶骨架、苯并噻吩并嘧啶骨架、苯并呋喃并吡嗪骨架、苯并噻吩并吡嗪骨架的受体性高且可靠性良好，所以是优选的。另外，在具有富π电子型杂芳环的骨架中，吖啶骨架、吩恶嗪骨架、吩噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架及吡咯骨架稳定且可靠性良好，所以优选具有上述骨架中的至少一个。另外，作为呋喃骨架优选使用二苯并呋喃骨架，作为噻吩骨架优选使用二苯并噻吩骨架。作为吡咯骨架，特别优选使用吲哚骨架、咔唑骨架、吲哚咔唑骨架、联咔唑骨架、3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑骨架。在富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环直接键合的物质中，富π电子型杂芳环的电子供给性和缺π电子型杂芳环的电子接收性都高而S1能级与T1能级之间的能量差变小，可以高效地获得热活化延迟荧光，所以是特别优选的。另外，也可以使用键合有如氰基等吸电子基团的芳香环代替缺π电子型杂芳环。此外，作为富π电子型骨架，可以使用芳香胺骨架、吩嗪骨架等。另外，作为缺π电子型骨架，可以使用氧杂蒽骨架、二氧化噻吨(thioxanthene dioxide)骨架、噁二唑骨架、三唑骨架、咪唑骨架、蒽醌骨架、苯基硼烷或boranthrene等含硼骨架、苯甲腈等具有腈基或氰苯等具有氰基的芳香环或杂芳环、二苯甲酮等羰骨架、氧化膦骨架、砜骨架等。如此，可以使用缺π电子型骨架及富π电子型骨架代替缺π电子型杂芳环以及富π电子型杂芳环中的至少一个。
[化学式10]
Figure BDA0003032220430000281
TADF材料是指S1能级和T1能级的差异较小且具有通过反系间窜越将三重激发能转换为单重激发能的功能的材料。因此，能够通过微小的热能量将三重激发能上转换(up-convert)为单重激发能(反系间窜越)并能够高效地产生单重激发态。此外，可以将三重激发能转换为发光。
以两种物质形成激发态的激基复合物(Exciplex)因S1能级和T1能级之差极小而具有将三重激发能转换为单重激发能的TADF材料的功能。
注意，作为T1能级的指标，可以使用在低温(例如，77K至10K)下观察到的磷光光谱。关于TADF材料，优选的是，在荧光光谱的短波长一侧的尾处划切线，将其外推线与X轴交叉的位置的波长的能量设定为S1能级，在磷光光谱的短波长一侧的尾处划切线，将其外推线的波长的能量设定为T1能级，此时的S1和T1之差是0.3eV以下，更优选是0.2eV以下。
此外，当使用TADF材料作为发光中心材料时，主体材料的S1能级优选比TADF材料的S1能级高。此外，主体材料的T1能级优选比TADF材料的T1能级高。
作为发光层的主体材料，可以使用具有电子传输性的材料或具有空穴传输性的材料、上述TADF材料等各种载流子传输材料。
作为具有空穴传输性的材料，可以适合使用上述的作为含在空穴传输层112中的具有空穴传输性的材料举出的物质，尤其是优选使用具有芳香胺骨架的有机化合物，该有机化合物具有高空穴传输性且稳定性良好。另外，在具有芳香胺骨架的有机化合物中，优选具有三芳基胺骨架和咔唑骨架中的一方或双方。
另外，在具有空穴传输性的材料为具有上述三芳基胺骨架和咔唑骨架中的双方的骨架的有机化合物时，由于稳定且可靠性良好，所以优选使用该三芳基胺骨架中的氮原子与咔唑骨架通过亚苯基键合的有机化合物。另外，同样地，在具有空穴传输性的材料具有上述三芳基胺骨架和咔唑骨架的双方的骨架的有机化合物时，从可靠性的观点来看，该咔唑骨架优选在2位至4位或者9位键合于上述胺。
另外，在上述具有空穴传输性的材料为具有咔唑骨架的有机化合物时，由于空穴传输性良好且稳定性高，所以上述具有空穴传输性的材料优选为具有联咔唑骨架的有机化合物。此时，该联咔唑骨架优选具有两个咔唑基在2位至4位中的任意处彼此键合的结构。
作为采用上述结构且具有空穴传输性的材料，可以举出以下材料。
[化学式11]
Figure BDA0003032220430000311
例如，作为具有电子传输性的材料，可以举出：双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(II)(简称：BeBq2)、双(2-甲基-8-喹啉)(4-苯基苯酚)铝(III)(简称：BAlq)、双(8-喹啉)锌(II)(简称：Znq)、双[2-(2-苯并噁唑基)苯酚]锌(II)(简称：ZnPBO)、双[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]锌(II)(简称：ZnBTZ)等金属配合物；2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(简称：PBD)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(简称：TAZ)、1，3-双[5-(对叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(简称：OXD-7)、9-[4-(5-苯基-1，3，4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(简称：CO11)、2，2'，2”-(1，3，5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(简称：TPBI)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑(简称：mDBTBIm-II){}等具有聚唑(polyazole)骨架的杂环化合物；2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mDBTBPDBq-II)、2-[3’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mCzBPDBq)、4，6-双[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶(简称：4，6mPnP2Pm)、4，6-双[3-(4-二苯并噻吩基)苯基]嘧啶(简称：4，6mDBTP2Pm-II)等具有二嗪骨架的杂环化合物；以及3，5-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶(简称：35DCzPPy)、1，3，5-三[3-(3-吡啶基)-苯基]苯(简称：TmPyPB)等具有吡啶骨架的杂环化合物。其中，具有二嗪骨架的杂环化合物或具有吡啶骨架的杂环化合物具有高可靠性，所以是优选的。尤其是，具有二嗪(嘧啶或吡嗪)骨架的杂环化合物具有高电子传输性，也有助于降低驱动电压。
另外，作为具有电子传输性的材料，尤其优选使用具有苯并呋喃并二嗪骨架或苯并噻吩并二嗪骨架的有机化合物，其中优选使用以下述通式(G1)表示的有机化合物。
[化学式12]
Figure BDA0003032220430000321
在上述通式(G1)中，Q表示氧或硫。另外，Ar1表示取代或未取代的稠合芳香环。另外，R1和R2中的一方表示氢，另一方表示具有空穴传输性的骨架的总碳原子数为1至100的基。作为空穴传输性的骨架，可以举出吡咯骨架、呋喃骨架、噻吩骨架、咔唑骨架等的富π电子型杂芳环骨架、稠合芳烃环骨架、芳香胺骨架。
另外，尤其优选使用以下述结构式(100)表示的有机化合物。
[化学式13]
Figure BDA0003032220430000331
另外，作为具有电子传输性的材料，也优选使用具有苯并呋喃并嘧啶骨架或苯并噻吩并嘧啶骨架的有机化合物，其中优选使用以下述通式(G2)表示的有机化合物。
[化学式14]
Figure BDA0003032220430000332
式中，Q表示氧或硫。Ar1、Ar2、Ar3及Ar4分别独立地表示取代或未取代的芳烃环，该芳烃环的取代基为碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的烷氧基、碳原子数为5至7的单环饱和烃基、碳原子数为7至10的多环饱和烃基和氰基中的任一个，构成上述芳烃环的碳原子数为6以上且25以下。另外，m及n分别为0或1。另外，A是总碳原子数为12至100的基且具有包括苯环、萘环、芴环、菲环、三亚苯环、二苯并噻吩环的杂芳环、包括二苯并呋喃环的杂芳环、包括咔唑环的杂芳环、苯并咪唑环、三苯基胺结构中的一个或多个。另外，R1表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基或取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基。注意，在上述通式(G2)中，m及n优选为0。
作为如上所述的可以适合用作具有电子传输性的材料的具有苯并呋喃并二嗪骨架或苯并噻吩并二嗪骨架的有机化合物或者具有苯并呋喃并嘧啶骨架或苯并噻吩并嘧啶骨架的有机化合物，例如可以举出以下材料。
[化学式15]
Figure BDA0003032220430000351
另外，在上述的有机化合物中，尤其优选使用以下述结构式(200)或(201)表示的有机化合物。
[化学式16]
Figure BDA0003032220430000361
在将荧光发光物质用作发光材料的情况下，作为主体材料，优选使用具有蒽骨架的材料。在将具有蒽骨架的物质用作荧光发光物质的主体材料时，可以实现发光效率及耐久性良好的发光层。具有蒽骨架的材料大多具有较深的HOMO能级，因此优选用于本发明的一个方式。在用作主体材料的具有蒽骨架的物质中，具有二苯基蒽骨架，尤其是9，10-二苯基蒽骨架的物质在化学上稳定，所以是优选的。另外，在主体材料具有咔唑骨架的情况下，空穴的注入/传输性得到提高，所以是优选的。尤其是，在包含苯环稠合到咔唑的苯并咔唑骨架的情况下，其HOMO能级比咔唑浅0.1eV左右，空穴容易注入，所以是更优选的。尤其是，在主体材料具有二苯并咔唑骨架的情况下，其HOMO能级比咔唑浅0.1eV左右，不仅空穴容易注入，而且空穴传输性及耐热性也得到提高，所以是优选的。因此，进一步优选用作主体材料的物质是具有9，10-二苯基蒽骨架及咔唑骨架(或者苯并咔唑骨架或二苯并咔唑骨架)的物质。注意，从上述空穴注入/传输性的观点来看，也可以使用苯并芴骨架或二苯并芴骨架代替咔唑骨架。作为这种物质的例子，可以举出9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：PCzPA)、3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(简称：PCPN)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：CzPA)、7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7H-二苯并[c，g]咔唑(简称：cgDBCzPA)、6-[3-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃(简称：2mBnfPPA)、9-苯基-10-{4-(9-苯基-9H-芴-9-基)-联苯-4’-基}-蒽(简称：FLPPA)等。尤其是，CzPA、cgDBCzPA、2mBnfPPA、PCzPA呈现非常良好的特性，所以是优选的。
另外，主体材料也可以是混合有多种物质的材料，当使用混合的主体材料时，优选混合具有电子传输性的材料和具有空穴传输性的材料。通过混合具有电子传输性的材料和具有空穴传输性的材料，可以使发光层113的传输性的调整变得更加容易，也可以更简便地进行再结合区域的控制。具有空穴传输性的材料和具有电子传输性的材料的含量比例可以为具有空穴传输性的材料:具有电子传输性的材料＝1:9至9:1。
另外，也可以使用混合了的材料形成激基复合物。作为该激基复合物，通过选择形成发射与发光材料的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的光的激基复合物的组合，可以使能量转移变得顺利，从而高效地得到发光，所以是优选的。另外，通过采用该结构可以降低驱动电压，因此是优选的。
因为发光层113在很多情况下具有在相同层中包括多个物质的结构，所以在制造时可以适合地使用本发明的一个方式的EL器件用组成物。本发明的一个方式的EL器件用组成物通过如下步骤得到：从上述材料中选择两种以上，以便通过以0.1Pa以下的压力进行热重分析而测得的该两种以上的有机化合物间的5％失重温度之差为50度以下；并且以任意比例混合该两种以上的有机化合物。该EL器件用组成物即使连续地进行蒸镀也在组成物本身或所形成膜的组成不容易发生较大变化。因此，使用该EL器件用组成物制造的EL器件可以为具有良好且稳定的特性的EL器件。
另外，可以在一个蒸镀源蒸镀多个有机化合物，所以不进行多余的或者追加的设备投资也可以制造具有良好特性的EL器件。就是说，可以廉价地制造具有良好特性的EL器件。
电子传输层114是包含具有电子传输性的物质的层。作为具有电子传输性的物质，可以使用以上所述的能够用于主体材料的具有电子传输性的物质。
另外，也可以在电子传输层114和阴极102之间设置由氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF2)等的碱金属、碱土金属或它们的化合物形成的层作为电子注入层115。电子注入层115可以使用将碱金属、碱土金属或它们的化合物包含在由具有电子传输性的物质构成的层中的层或电子盐(electride)。作为该电子盐，例如可以举出对钙和铝的混合氧化物以高浓度添加电子的物质等。
注意，作为电子注入层115，也可以使用对具有电子传输性的物质(优选为具有联吡啶骨架的有机化合物)包含上述碱金属或碱土金属的氟化物为微晶状态的浓度以上(50wt％以上)的层。该由于该层为折射率低的层，所以可以提供外部量子效率更良好的EL器件。
另外，可以设置电荷产生层116代替电子注入层115(参照图1B)。电荷产生层116是通过施加电位可以对阴极注入空穴并且对与阳极一侧接触的层注入电子的层。电荷产生层116至少包括P型层117。P型层117优选使用上述构成空穴注入层111的复合材料来形成。另外，P型层117也可以层叠包含作为构成复合材料的材料所述的受主材料的膜和包含空穴传输材料的膜来形成。通过对P型层117施加电位，电子和空穴分别注入到电子传输层114和阴极102，使得EL器件工作。
另外，电荷产生层116除了包括P型层117之外，优选还包括电子中继层118及电子注入缓冲层119中的任一个或两个。
电子中继层118至少包含具有电子传输性的物质，并且能够防止电子注入缓冲层119和P型层117的相互作用，并顺利地传递电子。优选将电子中继层118所包含的具有电子传输性的物质的LUMO能级设定在P型层117中的具有电子接收性的物质的LUMO能级与电子传输层114中的接触于电荷产生层116的层所包含的物质的LUMO能级之间。具体而言，电子中继层118中的具有电子传输性的物质的LUMO能级优选为-5.0eV以上，更优选为-5.0eV以上且-3.0eV以下。另外，作为电子中继层118中的具有电子传输性的物质，优选使用酞菁类材料或具有金属-氧键合和芳香配体的金属配合物。
电子注入缓冲层119可以使用碱金属、碱土金属、稀土金属以及这些物质的化合物(碱金属化合物(包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐)、碱土金属化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐)或稀土金属的化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐))等电子注入性高的物质。
另外，在电子注入缓冲层119包含具有电子传输性的物质及施主物质的情况下，作为施主物质，除了碱金属、碱土金属、稀土金属和这些物质的化合物(碱金属化合物(包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐)、碱土金属化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐)或稀土金属的化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐))以外，还可以使用四硫并四苯(tetrathianaphthacene)(简称：TTN)、二茂镍、十甲基二茂镍等有机化合物。另外，作为具有电子传输性的物质，可以使用与上面所说明的构成电子传输层114的材料同样的材料。
作为形成阴极102的物质，可以使用功函数小(具体为3.8eV以下)的金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等。作为这种阴极材料的具体例子，可以举出锂(Li)或铯(Cs)等碱金属、镁(Mg)、钙(Ca)或者锶(Sr)等的属于元素周期表中的第1族或第2族的元素、包含它们的合金(MgAg、AlLi)、铕(Eu)、镱(Yb)等稀土金属以及包含它们的合金等。然而，通过在阴极102和电子传输层114之间设置电子注入层，可以不顾及功函数的大小而将各种导电材料诸如Al、Ag、ITO、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡等用作阴极102。这些导电材料可以通过真空蒸镀法、溅射法等干式法、喷墨法、旋涂法等形成。另外，阴极102可以通过利用溶胶-凝胶法等湿式法或利用金属材料的膏剂的湿式法形成。
另外，作为EL层103的形成方法，不论干式法或湿式法，都可以使用各种方法。例如，也可以使用真空蒸镀法、凹版印刷法、胶版印刷法、丝网印刷法、喷墨法或旋涂法等。另外，在利用蒸镀法使多个物质存在于一个层时，通过使用本发明的一个方式的EL器件用组成物，可以制造具有良好且稳定的特性的EL器件。另外，可以抑制设备投资增大、维修负担增加，所以从成本的观点来看也很有利。
另外，也可以通过使用不同成膜方法形成上面所述的各电极或各层。
注意，设置在阳极101和阴极102之间的层的结构不局限于上述结构。但是，优选在远离阳极101及阴极102的部分设置空穴和电子再结合的发光区域，以抑制因发光区域和用于电极及载流子注入层的金属接近而产生猝灭。
另外，为了抑制从在发光层中产生的激子的能量转移，接触于发光层113的如空穴传输层和电子传输层，尤其是靠近发光层113中的再结合区域的载流子传输层优选使用如下物质构成，即具有比构成发光层的发光材料或者包含在发光层中的发光材料所具有的带隙大的带隙的物质。
接着，参照图1C说明具有层叠有多个发光单元的结构的EL器件(以下也称为叠层型器件或串联型器件)的方式。该EL器件是在阳极和阴极之间具有多个发光单元的EL器件。一个发光单元具有与图1A所示的EL层103大致相同的结构。就是说，可以说，图1C所示的EL器件是具有多个发光单元的EL器件，而图1A或图1B所示的EL器件是具有一个发光单元的EL器件。
在图1C中，在阳极501和阴极502之间层叠有第一发光单元511和第二发光单元512，并且在第一发光单元511和第二发光单元512之间设置有电荷产生层513。阳极501和阴极502分别相当于图1A中的阳极101和阴极102，并且可以应用与图1A的说明同样的材料。另外，第一发光单元511和第二发光单元512可以具有相同结构或不同结构。
电荷产生层513具有在对阳极501及阴极502施加电压时，对一个发光单元注入电子并对另一个发光单元注入空穴的功能。就是说，在图1C中，在以阳极的电位比阴极的电位高的方式施加电压的情况下，电荷产生层513只要是对第一发光单元511注入电子并对第二发光单元512注入空穴的层即可。
电荷产生层513优选具有与图1B所说明的电荷产生层116同样的结构。由于有机化合物和金属氧化物的复合材料具有优良的载流子注入性、载流子传输性，因此可以实现低电压驱动、低电流驱动。注意，在发光单元的阳极一侧的面接触于电荷产生层513的情况下，电荷产生层513可以具有发光单元的空穴注入层的功能，所以发光单元也可以不设置有空穴注入层。
另外，当在电荷产生层513中设置电子注入缓冲层119时，因为该电子注入缓冲层119具有阳极一侧的发光单元中的电子注入层的功能，所以在阳极一侧的发光单元中不一定必须设置电子注入层。
虽然在图1C中说明了具有两个发光单元的EL器件，但是可以将上述结构同样地应用于层叠三个以上的发光单元的EL器件。如根据本实施方式的EL器件，通过在一对电极之间将多个发光单元使用电荷产生层513隔开并配置，该元件可以在保持低电流密度的同时能实现高亮度发光，并且能够实现使用寿命长的EL器件。此外，可以实现能够进行低电压驱动且功耗低的发光装置。
另外，通过使各发光单元的发光颜色不同，可以以整个EL器件得到所希望的颜色的发光。例如，通过在具有两个发光单元的EL器件中获得来自第一发光单元的红色和绿色的发光颜色以及来自第二发光单元的蓝色的发光颜色，可以得到在整个EL器件中进行白色发光的EL器件。
(实施方式3)
在本实施方式中，对使用实施方式2所示的EL器件的发光装置进行说明。
在本实施方式中，参照图2对使用实施方式2所示的EL器件而制造的发光装置进行说明。注意，图2A是示出发光装置的俯视图，并且图2B是沿图2A中的线A-B及线C-D切断的截面图。该发光装置作为用来控制EL器件的发光的单元包括由虚线表示的驱动电路部(源极线驱动电路)601、像素部602、驱动电路部(栅极线驱动电路)603。另外，附图标记604是密封衬底，附图标记605是密封材料，由密封材料605围绕的内侧是空间607。
注意，引导布线608是用来传送输入到源极线驱动电路601及栅极线驱动电路603的信号的布线，并且从用作外部输入端子的FPC(柔性印刷电路)609接收视频信号、时钟信号、起始信号、复位信号等。注意，虽然在此只图示出FPC，但是该FPC还可以安装有印刷线路板(PWB)。本说明书中的发光装置不仅包括发光装置主体，而且还包括安装有FPC或PWB的发光装置。
下面，参照图2B说明截面结构。虽然在元件衬底610上形成有驱动电路部及像素部，但是在此示出作为驱动电路部的源极线驱动电路601和像素部602中的一个像素。
除了可以使用由玻璃、石英、有机树脂、金属、合金、半导体等构成的衬底以外，还可以使用由FRP(Fiber Reinforced Plastics：纤维增强塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸树脂等构成的塑料衬底，而制造元件衬底610。
对用于像素或驱动电路的晶体管的结构没有特别的限制。例如，可以采用反交错型晶体管或交错型晶体管。另外，顶栅型晶体管或底栅型晶体管都可以被使用。对用于晶体管的半导体材料没有特别的限制，例如可以使用硅、锗、碳化硅、氮化镓等。或者可以使用In-Ga-Zn类金属氧化物等的包含铟、镓、锌中的至少一个的氧化物半导体。
对用于晶体管的半导体材料的结晶性也没有特别的限制，可以使用非晶半导体或结晶半导体(微晶半导体、多晶半导体、单晶半导体或其一部分具有结晶区域的半导体)。当使用结晶半导体时可以抑制晶体管的特性劣化，所以是优选的。
在此，氧化物半导体优选用于设置在上述像素或驱动电路中的晶体管和用于在后面说明的触摸传感器等的晶体管等半导体装置。尤其优选使用其带隙比硅宽的氧化物半导体。通过使用带隙比硅宽的氧化物半导体，可以降低晶体管的关态电流(off-statecurrent)。
上述氧化物半导体优选至少包含铟(In)或锌(Zn)。另外，上述氧化物半导体更优选为包含以In-M-Zn类氧化物(M为Al、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce或Hf等金属)表示的氧化物的氧化物半导体。
在此，以下对能够用于本发明的一个方式的氧化物半导体进行说明。
氧化物半导体被分为单晶氧化物半导体和非单晶氧化物半导体。作为非单晶氧化物半导体，例如可以举出CAAC-OS(c-axis aligned crystalline oxide semiconductor)、多晶氧化物半导体、nc-OS(nano crystalline oxide semiconductor)、a-like OS(amorphous-like oxide semiconductor)及非晶氧化物半导体等。
CAAC-OS具有c轴取向性，其多个纳米晶在a-b面方向上连结而结晶结构具有畸变。畸变是指在多个纳米晶连结的区域中晶格排列一致的区域与其他晶格排列一致的区域之间的晶格排列的方向变化的部分。
纳米晶基本上为六角形，但是不局限于正六角形，有时为非正六角形。另外，纳米晶有时在畸变中具有五角形或七角形等晶格排列。另外，在CAAC-OS中，即使在畸变附近也难以观察到明确的晶界(也称为grain boundary)。即，可知由于晶格排列畸变，可抑制晶界的形成。这是由于CAAC-OS因为a-b面方向上的氧原子排列的低密度或因金属元素被取代而使原子间的键合距离产生变化等而能够包容畸变。
CAAC-OS有具有层状结晶结构(也称为层状结构)的倾向，在该层状结晶结构中层叠有包含铟及氧的层(下面称为In层)和包含元素M、锌及氧的层(下面称为(M，Zn)层)。另外，铟和元素M彼此可以取代，在用铟取代(M，Zn)层中的元素M的情况下，也可以将该层表示为(In，M，Zn)层。另外，在用元素M取代In层中的铟的情况下，也可以将该层表示为(In，M)层。
CAAC-OS是结晶性高的氧化物半导体。另一方面，在CAAC-OS中不容易观察明确的晶界，因此不容易发生起因于晶界的电子迁移率的下降。另外，氧化物半导体的结晶性有时因杂质的进入或缺陷的生成等而降低，因此可以说CAAC-OS是杂质或缺陷(氧空位(也称为VO(oxygen vacancy))等)少的氧化物半导体。因此，具有CAAC-OS的氧化物半导体的物理性质稳定。因此，包含CAAC-OS的氧化物半导体具有高耐热性及高可靠性。
在nc-OS中，微小的区域(例如1nm以上且10nm以下的区域，特别是1nm以上且3nm以下的区域)中的原子排列具有周期性。另外，nc-OS在不同的纳米晶之间观察不到结晶取向的规律性。因此，在膜整体中观察不到取向性。所以，有时nc-OS在某些分析方法中与a-likeOS或非晶氧化物半导体没有差别。
另外，在包含铟、镓和锌的氧化物半导体的一种的铟-镓-锌氧化物(以下，IGZO)有时在由上述纳米晶构成时具有稳定的结构。尤其是，IGZO有在大气中不容易进行晶体生长的倾向，所以有时与由大结晶(在此，几mm的结晶或者几cm的结晶)形成时相比由小结晶(例如，上述纳米结晶)形成时在结构上稳定。
a-like OS是具有介于nc-OS与非晶氧化物半导体之间的结构的氧化物半导体。a-like OS包含空洞或低密度区域。也就是说，a-like OS的结晶性比nc-OS及CAAC-OS的结晶性低。
氧化物半导体具有各种结构及各种特性。在此说明的氧化物半导体也可以包括非晶氧化物半导体、多晶氧化物半导体、a-like OS、nc-OS、CAAC-OS中的两种以上。
另外，除了上述氧化物半导体之外还可以使用CAC(Cloud-Aligned Composite)-OS。
另外，CAC-OS在材料的一部分中具有导电性的功能，在材料的另一部分中具有绝缘性的功能，作为材料的整体具有半导体的功能。此外，在将CAC-OS用于晶体管的半导体层的情况下，导电性的功能是使被用作载流子的电子(或空穴)流过的功能，绝缘性的功能是不使被用作载流子的电子流过的功能。通过导电性的功能和绝缘性的功能的互补作用，可以使CAC-OS具有开关功能(开启/关闭的功能)。通过在CAC-OS中使各功能分离，可以最大限度地提高各功能。
另外，CAC-OS具有导电性区域及绝缘性区域。导电性区域具有上述导电性的功能，绝缘性区域具有上述绝缘性的功能。此外，在材料中，导电性区域和绝缘性区域有时以纳米粒子级分离。另外，导电性区域和绝缘性区域有时在材料中不均匀地分布。此外，有时观察到其边缘模糊而以云状连接的导电性区域。
此外，在CAC-OS中，导电性区域和绝缘性区域有时以0.5nm以上且10nm以下，优选为0.5nm以上且3nm以下的尺寸分散在材料中。
此外，CAC-OS由具有不同带隙的成分构成。例如，CAC-OS由具有起因于绝缘性区域的宽隙的成分及具有起因于导电性区域的窄隙的成分构成。在该结构中，当使载流子流过时，载流子主要在具有窄隙的成分中流过。此外，具有窄隙的成分与具有宽隙的成分互补作用，与具有窄隙的成分联动地在具有宽隙的成分中载流子流过。因此，在将上述CAC-OS用于晶体管的沟道形成区域时，在晶体管的导通状态中可以得到高电流驱动力，即大通态电流及高场效应迁移率。
也就是说，也可以将CAC-OS称为基质复合材料(matrix composite)或金属基质复合材料(metal matrix composite)。
通过作为半导体层使用上述氧化物半导体材料，可以实现电特性的变动被抑制的可靠性高的晶体管。
另外，由于具有上述半导体层的晶体管的关态电流较低，因此能够长期间保持经过晶体管而储存于电容器中的电荷。通过将这种晶体管用于像素，能够在保持各显示区域所显示的图像的灰度的状态下，停止驱动电路。其结果是，可以实现功耗极低的电子设备。
为了实现晶体管的特性稳定化等，优选设置基底膜。作为基底膜，可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜并以单层或叠层制造。基底膜可以通过溅射法、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法(等离子体CVD法、热CVD法、MOCVD(Metal Organic CVD：有机金属化学气相沉积)法等)或ALD(Atomic LayerDeposition：原子层沉积)法、涂敷法、印刷法等形成。注意，基底膜若不需要则也可以不设置。
注意，FET623示出形成在驱动电路部601中的晶体管的一个。另外，驱动电路也可以利用各种CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路形成。另外，虽然在本实施方式中示出在衬底上形成有驱动电路的驱动器一体型，但是不一定必须采用该结构，驱动电路也可以形成在外部，而不形成在衬底上。
另外，像素部602由多个像素形成，该多个像素都包括开关用FET611、电流控制用FET612以及与该电流控制用FET612的漏极电连接的阳极613，但是并不局限于此，也可以采用组合三个以上的FET和电容器的像素部。
注意，形成绝缘物614来覆盖阳极613的端部。在此，可以使用正型感光丙烯酸树脂膜形成绝缘物614。
另外，将绝缘物614的上端部或下端部形成为具有曲率的曲面，以获得后面形成的EL层等的良好的覆盖性。例如，在使用正型感光丙烯酸树脂作为绝缘物614的材料的情况下，优选只使绝缘物614的上端部包括具有曲率半径(0.2μm至3μm)的曲面。另外，作为绝缘物614，可以使用负型感光树脂或者正型感光树脂。
在阳极613上形成有EL层616及阴极617。在此，优选使用具有高功函数的材料作为用于用作阳极的阳极613的材料。例如，除了可以使用诸如ITO膜、包含硅的铟锡氧化物膜、包含2wt％至20wt％的氧化锌的氧化铟膜、氮化钛膜、铬膜、钨膜、Zn膜、Pt膜等的单层膜以外，还可以使用由氮化钛膜和以铝为主要成分的膜构成的叠层膜以及由氮化钛膜、以铝为主要成分的膜和氮化钛膜构成的三层结构等。注意，如果这里采用叠层结构，由于布线的电阻值较低，因此可以得到良好的欧姆接触，另外，其可用作阳极。
另外，EL层616通过使用蒸镀掩模的蒸镀法、喷墨法、旋涂法等各种方法形成。EL层616包括实施方式2所示的结构。另外，作为构成EL层616的其他材料，也可以使用低分子化合物或高分子化合物(包含低聚物、树枝状聚合物)。
另外，作为用于形成在EL层616上且用作阴极的阴极617的材料，优选使用具有功函数小的材料(Al、Mg、Li、Ca、或它们的合金或化合物(MgAg、MgIn、AlLi等)等)。注意，当使产生在EL层616中的光透过阴极617时，优选使用由膜厚度减薄了的金属薄膜和透明导电膜(ITO、包含2wt％至20wt％的氧化锌的氧化铟、包含硅的铟锡氧化物、氧化锌(ZnO)等)构成的叠层作为阴极617。
另外，EL器件618由阳极613、EL层616、阴极617形成。该EL器件618是实施方式2所示的EL器件。另外，像素部由多个EL器件构成，本实施方式的发光装置也可以混有实施方式2所示的EL器件和具有其他结构的EL器件的双方。
另外，通过使用密封材料605将密封衬底604贴合到元件衬底610，将EL器件618设置在由元件衬底610、密封衬底604以及密封材料605围绕的空间607中。注意，空间607中填充有填料，作为该填料，可以使用惰性气体(氮或氩等)，还可以使用密封材料。通过在密封衬底中形成凹部且在其中设置干燥剂，可以抑制水分所导致的劣化，所以是优选的。
另外，优选使用环氧类树脂或玻璃粉作为密封材料605。另外，这些材料优选为尽可能地不使水或氧透过的材料。另外，作为用于密封衬底604的材料，除了可以使用玻璃衬底或石英衬底以外，还可以使用由FRP(Fiber Reinforced Plastics：玻璃纤维增强塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯、丙烯酸树脂等构成的塑料衬底。
虽然在图2没有示出，但是也可以在阴极上设置保护膜。保护膜可以由有机树脂膜或无机绝缘膜形成。另外，也可以以覆盖密封材料605的露出部分的方式形成保护膜。另外，保护膜可以覆盖一对衬底的表面及侧面、密封层、绝缘层等的露出侧面而设置。
作为保护膜可以使用不容易透过水等杂质的材料。因此，可以能够高效地抑制水等杂质从外部扩散到内部。
作为构成保护膜的材料，可以使用氧化物、氮化物、氟化物、硫化物、三元化合物、金属或聚合物等。例如，可以使用：包含氧化铝、氧化铪、硅酸铪、氧化镧、氧化硅、钛酸锶、氧化钽、氧化钛、氧化锌、氧化铌、氧化锆、氧化锡、氧化钇、氧化铈、氧化钪、氧化铒、氧化钒、氧化铟等的材料；包含氮化铝、氮化铪、氮化硅、氮化钽、氮化钛、氮化铌、氮化钼、氮化锆、氮化镓、含有钛及铝的氮化物等的材料；包含含有钛及铝的氧化物、含有铝及锌的氧化物、含有锰及锌的硫化物、含有铈及锶的硫化物、含有铒及铝的氧化物、含有钇及锆的氧化物等的材料。
保护膜优选通过台阶覆盖性(step coverage)良好的成膜方法来形成。这种方法之一是原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法。优选将可以通过ALD法形成的材料用于保护膜。通过ALD法可以形成致密且裂缝或针孔等缺陷被减少或具备均匀的厚度的保护膜。另外，可以减少当形成保护膜时加工部材受到的损伤。
例如，通过ALD法可以将均匀且缺陷少的保护膜形成在具有复杂的凹凸形状的表面或触摸面板的顶面、侧面以及背面上。
如上所述，可以得到使用实施方式2所示的EL器件制造的发光装置。
因为本实施方式中的发光装置使用实施方式2所示的EL器件，所以可以得到具有优良特性的发光装置。具体而言，实施方式2所示的EL器件的发光效率良好，由此可以实现低功耗的发光装置。
图3示出通过形成呈现白色发光的EL器件设置着色层(滤色片)等来实现全彩色化的发光装置的例子。图3A示出衬底1001、基底绝缘膜1002、栅极绝缘膜1003、栅电极1006、1007、1008、第一层间绝缘膜1020、第二层间绝缘膜1021、周边部1042、像素部1040、驱动电路部1041、EL器件的阳极1024W、1024R、1024G、1024B、分隔壁1025、EL层1028、EL器件的阴极1029、密封衬底1031、密封材料1032等。
另外，在图3A中，将着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)设置在透明基材1033上。另外，还可以设置黑矩阵1035。对设置有着色层及黑矩阵的透明基材1033进行对准而将其固定到衬底1001上。另外，着色层及黑矩阵1035被保护层1036覆盖。另外，图3A示出具有光不透过着色层而透射到外部的发光层及光透过各颜色的着色层而透射到外部的发光层，不透过着色层的光成为白色光且透过着色层的光成为红色光、绿色光、蓝色光，因此能够以四个颜色的像素呈现图像。
图3B示出将着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)形成在栅极绝缘膜1003和第一层间绝缘膜1020之间的例子。如上述那样，也可以将着色层设置在衬底1001和密封衬底1031之间。
另外，在以上说明的发光装置中，虽然说明了具有从形成有FET的衬底1001一侧取出光的结构(底部发射型)的发光装置，但是也可以采用具有从密封衬底1031一侧取出发光的结构(顶部发射型)的发光装置。图4示出顶部发射型发光装置的截面图。在此情况下，衬底1001可以使用不使光透过的衬底。到制造用来使FET与EL器件的阳极连接的连接电极为止的工序与底部发射型发光装置同样地进行。然后，以覆盖电极1022的方式形成第三层间绝缘膜1037。该绝缘膜也可以具有平坦化的功能。第三层间绝缘膜1037可以使用与第二层间绝缘膜相同的材料或其他公知材料形成。
虽然在此EL器件的阳极1024W、1024R、1024G、1024B都是阳极，但是也可以形成为阴极。另外，在采用如图4所示那样的顶部发射型发光装置的情况下，阳极优选为反射电极。EL层1028的结构采用实施方式2所示的EL层103的结构，并且采用能够获得白色发光的器件结构。
在采用图4所示的顶部发射结构的情况下，可以使用设置有着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)的密封衬底1031进行密封。密封衬底1031也可以设置有位于像素和像素之间的黑矩阵1035。着色层(红色着色层1034R、绿色着色层1034G、蓝色着色层1034B)、黑矩阵也可以被保护层1036覆盖。另外，作为密封衬底1031，使用具有透光性的衬底。另外，虽然在此示出了以红色、绿色、蓝色、白色的四个颜色进行全彩色显示的例子，但是并不局限于此，也可以以红色、黄色、绿色、蓝色的四个颜色或红色、绿色、蓝色的三个颜色进行全彩色显示。
在顶部发射型的发光装置中，可以优选地应用微腔结构。将反射电极用作阳极且将透反式电极用作阴极，由此可以得到具有微腔结构的EL器件。在反射电极与透反式电极之间至少含有EL层，并且至少含有成为发光区域的发光层。
注意，反射电极是其可见光反射率为40％至100％，优选为70％至100％，并且其电阻率为1×10-2Ωcm以下的膜。另外，透反式电极是其可见光反射率为20％至80％，优选为40％至70％，并且其电阻率为1×10-2Ωcm以下的膜。
从EL层所包含的发光层射出的光被反射电极和透反式电极反射，并且谐振。
在该EL器件中，通过改变透明导电膜、上述复合材料或载流子传输材料等的厚度而可以改变反射电极与透反式电极之间的光程。由此，可以在反射电极与透反式电极之间加强谐振的波长的光且使不谐振的波长的光衰减。
注意，被反射电极反射回来的光(第一反射光)会给从发光层直接入射到透反式电极的光(第一入射光)带来很大的干涉，因此优选将反射电极与发光层的光程调节为(2n-1)λ/4(注意，n为1以上的自然数，λ为要放大的光的波长)。通过调节该光程，可以使第一反射光与第一入射光的相位一致，由此可以进一步放大从发光层发射的光。
另外，在上述结构中，EL层可以含有多个发光层，也可以只含有一个发光层。例如，也可以采用如下结构：组合上述串联型EL器件的结构，在一个EL器件中夹着电荷产生层设置多个EL层，在每个EL层中形成一个或多个发光层。
通过采用微腔结构，可以加强指定波长的正面方向上的发光强度，由此可以实现低功耗化。注意，在为使用红色、黄色、绿色以及蓝色的四个颜色的子像素显示图像的发光装置的情况下，因为可以获得由于黄色发光的亮度提高效果，而且可以在所有的子像素中采用适合各颜色的波长的微腔结构，所以能够实现具有良好的特性的发光装置。
因为本实施方式中的发光装置使用实施方式2所示的EL器件，所以可以得到具有优良特性的发光装置。具体而言，实施方式2所示的EL器件的发光效率良好，由此可以实现低功耗的发光装置。
虽然到这里说明了有源矩阵型发光装置，但是下面说明无源矩阵型发光装置。图5示出通过使用本发明制造的无源矩阵型发光装置。注意，图5A是示出发光装置的立体图，并且图5B是沿图5A的X-Y切断而获得的截面图。在图5中，在衬底951上的电极952与电极956之间设置有EL层955。电极952的端部被绝缘层953覆盖。在绝缘层953上设置有隔离层954。隔离层954的侧壁具有如下倾斜，即越接近衬底表面，一个侧壁与另一个侧壁之间的间隔越窄。换句话说，隔离层954的短边方向的截面是梯形，底边(朝向与绝缘层953的面方向相同的方向并与绝缘层953接触的边)比上边(朝向与绝缘层953的面方向相同的方向并不与绝缘层953接触的边)短。如此，通过设置隔离层954，可以防止起因于静电等的EL器件的不良。另外，在无源矩阵型发光装置中，通过使用实施方式2所示的EL器件，也可以得到可靠性良好的发光装置或者低功耗的发光装置。
以上说明的发光装置能够控制配置为矩阵状的微小的多个EL器件中的每一个，所以该发光装置适用于进行图像显示的显示装置。
另外，本实施方式可以与其他实施方式自由地组合。
(实施方式4)
在本实施方式中，参照图6对将实施方式2所示的EL器件用于照明装置的例子进行说明。图6B是照明装置的俯视图，图6A是沿着图6B的e-f切断的截面图。
在本实施方式的照明装置中，在用作支撑体的具有透光性的衬底400上形成有阳极401。阳极401相当于实施方式2中的阳极101。当从阳极401一侧取出光时，阳极401使用具有透光性的材料形成。
在衬底400上形成用来对阴极404供应电压的焊盘412。
在阳极401上形成有EL层403。EL层403相当于实施方式2中的EL层103的结构或组合发光单元511、512以及电荷产生层513的结构等。作为它们的结构，参照各记载。
以覆盖EL层403的方式形成阴极404。阴极404相当于实施方式2中的阴极102。当通过阳极401一侧取出光时，阴极404使用反射率高的材料形成。阴极404在连接到焊盘412时被供应电压。
如上所述，本实施方式所示的照明装置具备包括阳极401、EL层403以及阴极404的EL器件。由于该EL器件是发光效率高的EL器件，所以本实施方式的照明装置可以提供低功耗的照明装置。
使用密封材料405、406将形成有具有上述结构的EL器件的衬底400和密封衬底407固定来进行密封，由此制造照明装置。可以仅使用密封材料405和406中的任一个。另外，也可以使内侧的密封材料406(在图6B中未图示)与干燥剂混合，由此可以吸收水分而提高可靠性。
另外，在焊盘412和阳极401的一部分延伸到密封材料405、406的外部时，该延伸的部分可以被用作外部输入端子。另外，也可以在外部输入端子上设置安装有转换器等的IC芯片420等。
以上，本实施方式所记载的照明装置在EL器件中使用实施方式2所示的EL器件，可以实现低功耗的发光装置。
(实施方式5)
在本实施方式中，对在其一部分包括实施方式2所示的EL器件的电子设备的例子进行说明。实施方式2所示的EL器件是发光效率良好且功耗低的EL器件。其结果是，本实施方式所记载的电子设备可以实现包括功耗低的发光部的电子设备。
作为采用上述EL器件的电子设备，例如可以举出电视装置(也称为电视机或电视接收机)、用于计算机等的显示器、数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机(也称为移动电话、移动电话装置)、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置、弹珠机等大型游戏机等。以下，示出这些电子设备的具体例子。
图7A示出电视装置的一个例子。在电视装置中，外壳7101中组装有显示部7103。另外，在此示出利用支架7105支撑外壳7101的结构。可以利用显示部7103显示图像，并且将实施方式2所示的EL器件排列为矩阵状而构成显示部7103。
可以通过利用外壳7101所具备的操作开关或另行提供的遥控操作机7110进行电视装置的操作。通过利用遥控操作机7110所具备的操作键7109，可以控制频道及音量，由此可以控制显示在显示部7103上的图像。另外，也可以在遥控操作机7110中设置用来显示从该遥控操作机7110输出的信息的显示部7107。
另外，电视装置采用具备接收机、调制解调器等的结构。可以通过接收机接收一般的电视广播。再者，通过调制解调器连接到有线或无线方式的通信网络，能够进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的信息通信。
图7B1示出计算机，该计算机包括主体7201、外壳7202、显示部7203、键盘7204、外部连接端口7205、指向装置7206等。另外，该计算机通过将实施方式2所示的EL器件排列为矩阵状并用于显示部7203而制造。图7B1中的计算机也可以为如图7B2所示的方式。图7B2所示的计算机设置有第二显示部7210代替键盘7204及指向装置7206。第二显示部7210是触摸面板，通过利用指头或专用笔操作显示在第二显示部7210上的输入用显示，能够进行输入。另外，第二显示部7210不仅能够显示输入用显示，而且可以显示其他图像。另外，显示部7203也可以是触摸面板。因为两个屏面通过铰链部连接，所以可以防止在收纳或搬运时发生问题如屏面受伤、破坏等。
图7C示出便携式终端的一个例子。移动电话机具备组装在外壳7401中的显示部7402、操作按钮7403、外部连接端口7404、扬声器7405、麦克风7406等。另外，移动电话机包括将实施方式2所示的EL器件排列为矩阵状而制造的显示部7402。
图7C所示的便携式终端也可以具有用指头等触摸显示部7402来输入信息的结构。在此情况下，能够用指头等触摸显示部7402来进行打电话或编写电子邮件等的操作。
显示部7402主要有三种屏面模式。第一是以图像的显示为主的显示模式，第二是以文字等的信息的输入为主的输入模式，第三是混合显示模式和输入模式的两个模式的显示输入模式。
例如，在打电话或编写电子邮件的情况下，可以采用将显示部7402主要用于输入文字的文字输入模式而输入在屏面上显示的文字。在此情况下，优选在显示部7402的屏面的大多部分中显示键盘或号码按钮。
另外，通过在便携式终端内部设置具有陀螺仪和加速度传感器等检测倾斜度的传感器的检测装置，可以判断便携式终端的方向(纵或横)而自动进行显示部7402的屏面显示的切换。
另外，通过触摸显示部7402或对外壳7401的操作按钮7403进行操作，来进行屏面模式的切换。或者，也可以根据显示在显示部7402上的图像的种类切换屏面模式。例如，当显示在显示部上的图像信号为动态图像的数据时，将屏面模式切换成显示模式，而当该图像信号为文字数据时，将屏面模式切换成输入模式。
另外，当在输入模式下通过检测出显示部7402的光传感器所检测的信号而得知在一定期间内没有显示部7402的触摸操作输入时，也可以进行控制以将屏面模式从输入模式切换成显示模式。
也可以将显示部7402用作图像传感器。例如，通过用手掌或指头触摸显示部7402，来拍摄掌纹、指纹等，能够进行个人识别。另外，通过在显示部中使用发射近红外光的背光源或发射近红外光的感测用光源，也能够拍摄指静脉、手掌静脉等。
另外，本实施方式所示的结构可以与实施方式2至实施方式4所示的结构适当地组合来使用。
如上所述，具备实施方式2所示的EL器件的发光装置的应用范围极为广泛，而能够将该发光装置用于各种领域的电子设备。通过使用实施方式2所示的EL器件，可以得到功耗低的电子设备。
图8A是示出扫地机器人的一个例子的示意图。
扫地机器人5100包括顶面上的显示器5101及侧面上的多个照相机5102、刷子5103及操作按钮5104。虽然未图示，但是扫地机器人5100的底面设置有轮胎和吸入口等。此外，扫地机器人5100还包括红外线传感器、超音波传感器、加速度传感器、压电传感器、光传感器、陀螺仪传感器等各种传感器。另外，扫地机器人5100包括无线通信单元。
扫地机器人5100可以自动行走，检测垃圾5120，可以从底面的吸入口吸引垃圾。
另外，扫地机器人5100对照相机5102所拍摄的图像进行分析，可以判断墙壁、家具或台阶等障碍物的有无。另外，在通过图像分析检测布线等可能会绕在刷子5103上的物体的情况下，可以停止刷子5103的旋转。
可以在显示器5101上显示电池的剩余电量和所吸引的垃圾的量等。可以在显示器5101上显示扫地机器人5100的行走路径。另外，显示器5101可以是触摸面板，可以将操作按钮5104显示在显示器5101上。
扫地机器人5100可以与智能手机等便携式电子设备5140互相通信。照相机5102所拍摄的图像可以显示在便携式电子设备5140上。因此，扫地机器人5100的拥有者在出门时也可以知道房间的情况。另外，可以使用智能手机等便携式电子设备确认显示器5101的显示内容。
可以将实施方式3所说明的发光装置用于显示器5101。
图8B所示的机器人2100包括运算装置2110、照度传感器2101、麦克风2102、上部照相机2103、扬声器2104、显示器2105、下部照相机2106、障碍物传感器2107及移动机构2108。
麦克风2102具有检测使用者的声音及周围的声音等的功能。另外，扬声器2104具有发出声音的功能。机器人2100可以使用麦克风2102及扬声器2104与使用者交流。
显示器2105具有显示各种信息的功能。机器人2100可以将使用者所希望的信息显示在显示器2105上。显示器2105可以安装有触摸面板。显示器2105可以是可拆卸的信息终端，通过将该信息终端设置在机器人2100的所定位置，可以进行充电及数据的收发。
上部照相机2103及下部照相机2106具有对机器人2100的周围环境进行摄像的功能。另外，障碍物传感器2107可以检测机器人2100使用移动机构2108前进时的前方的障碍物的有无。机器人2100可以使用上部照相机2103、下部照相机2106及障碍物传感器2107认知周囲环境而安全地移动。可以将实施方式3所说明的发光装置用于显示器2105。
图8C是示出护目镜型显示器的一个例子的图。护目镜型显示器例如包括外壳5000、显示部5001、扬声器5003、LED灯5004、操作键5005(包括电源开关或操作开关)、连接端子5006、传感器5007(它具有测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)、麦克风5008、显示部5002、支撑部5012、耳机5013等。
可以将实施方式3所说明的发光装置用于显示部5001及第二显示部5002。
图9示出将实施方式2所示的EL器件用于作为照明装置的台灯的例子。图9所示的台灯包括外壳2001和光源2002，并且作为光源2002使用实施方式3所记载的照明装置。
图10示出将实施方式2所示的EL器件用于室内的照明装置3001的例子。由于实施方式2所示的EL器件是发光效率高的EL器件，所以可以提供低功耗的照明装置。另外，因为实施方式2所示的EL器件能够实现大面积化，所以能够用于大面积的照明装置。另外，因为实施方式2所示的EL器件的厚度薄，所以能够制造实现薄型化的照明装置。
还可以将实施方式2所示的EL器件安装在汽车的挡风玻璃或仪表盘上。图11示出将实施方式2所示的EL器件用于汽车的挡风玻璃或仪表盘的一个方式。显示区域5200至显示区域5203是使用实施方式2所示的EL器件设置的显示区域。
显示区域5200和显示区域5201是设置在汽车的挡风玻璃上的安装有实施方式2所示的EL器件的显示装置。通过使用具有透光性的电极制造实施方式2所示的EL器件的阳极和阴极，可以得到能看到对面的景色的所谓的透视式显示装置。若采用透视式显示，即使设置在汽车的挡风玻璃上，也不妨碍视界。另外，在设置用来驱动的晶体管等的情况下，优选使用具有透光性的晶体管，诸如使用有机半导体材料的有机晶体管或使用氧化物半导体的晶体管等。
显示区域5202是设置在立柱部分的安装有实施方式2所示的EL器件的显示装置。通过在显示区域5202上显示来自设置在车厢上的成像单元的图像，可以补充被立柱遮挡的视界。另外，同样地，设置在仪表盘部分上的显示区域5203通过显示来自设置在汽车外侧的成像单元的图像，能够补充被车厢遮挡的视界的死角，而提高安全性。通过显示图像以补充不看到的部分，更自然且简单地确认安全。
显示区域5203还可以提供导航信息、速度表、转速表、行车距离、加油量、排档状态、空调的设定等各种信息。使用者可以适当地改变显示内容及布置。另外，这些信息也可以显示在显示区域5200至显示区域5202上。另外，也可以将显示区域5200至显示区域5203用作照明装置。
图12A和图12B示出可折叠的便携式信息终端5150。可折叠的便携式信息终端5150包括外壳5151、显示区域5152及弯曲部5153。图12A示出展开状态的便携式信息终端5150。图12B示出折叠状态的便携式信息终端5150。虽然便携式信息终端5150具有较大的显示区域5152，但是通过将便携式信息终端5150折叠，便携式信息终端5150变小而可便携性好。
可以由弯曲部5153将显示区域5152折叠成一半。弯曲部5153由可伸缩的构件和多个支撑构件构成，在折叠时，可伸缩的构件被拉伸。以弯曲部5153具有2mm以上，优选为3mm以上的曲率半径的方式进行折叠。
另外，显示区域5152也可以为安装有触摸传感器(输入装置)的触摸面板(输入输出装置)。可以将实施方式3所说明的发光装置用于显示区域5152。
此外，图13A至图13C示出能够折叠的便携式信息终端9310。图13A示出展开状态的便携式信息终端9310。图13B示出从展开状态和折叠状态中的一个状态变为另一个状态的中途的状态的便携式信息终端9310。图13C示出折叠状态的便携式信息终端9310。便携式信息终端9310在折叠状态下可携带性好，在展开状态下因为具有无缝拼接的较大的显示区域所以显示一览性强。
显示面板9311由铰链部9313所连接的三个外壳9315支撑。注意，显示面板9311也可以为安装有触摸传感器(输入装置)的触摸面板(输入输出装置)。另外，通过在两个外壳9315之间的铰链部9313处弯折显示面板9311，可以使便携式信息终端9310从展开状态可逆性地变为折叠状态。可以将实施方式3所说明的发光装置用于显示面板9311。
[实施例1]
在本实施例中，说明使用在实施方式中说明的本发明的一个方式的EL器件用组成物而制造的EL器件1及EL器件2、使用用来比较的EL器件用组成物而制造的EL器件3。以下示出本实施例中使用的有机化合物的结构式。
[化学式17]
Figure BDA0003032220430000631
[化学式18]
Figure BDA0003032220430000641
(EL器件1的制造方法)
首先，通过溅射法在玻璃衬底上形成含有氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)来形成阳极101。注意，其膜厚度为70nm，电极面积为2mm×2mm。
接着，作为在衬底上形成EL器件的预处理，用水对衬底表面进行洗涤而以200℃烘焙1小时，然后进行UV臭氧处理370秒。
然后，将衬底放入内部减压到10-4Pa左右的真空蒸镀装置中，在真空蒸镀装置内的加热室中以170℃进行真空烘焙30分钟，然后冷却衬底30分钟左右。
接着，以形成有阳极101的面朝下方的方式将形成有阳极101的衬底固定于设置在真空蒸镀装置内的衬底架上，并且在阳极101上通过利用电阻加热的蒸镀法将以上述结构式(i)表示的4，4’，4”-(苯-1，3，5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：DBT3P-II)与氧化钼(VI)以重量比为2：1(＝DBT3P-II：氧化钼)且厚度为75nm的方式进行共蒸镀，由此形成空穴注入层111。
接着，在空穴注入层111上以厚度为20nm的方式蒸镀以上述结构式(ii)表示的N-(1，1'-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称：PCBBiF)，由此形成空穴传输层112。
接着，将以重量比为0.8：0.2(＝9mDBtBPNfpr：PCBAF)的方式预先混合以上述结构式(iii)表示的9-[(3’-二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]萘并[1’，2’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪(简称：9mDBtBPNfpr)与以上述结构式(iv)表示的9，9-二甲基-N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(简称：PCBAF)而成的组成物和以上述结构式(v)表示的双{4，6-二甲基-2-[5-(5-氰基-2-甲基苯基)-3-(3，5-二甲基苯基)-2-吡啶基-κN]苯基-κC}(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮-κ2O，O’)铱(III)(简称：[Ir(dmdppr-m5CP)2(dpm)])以重量比为1：0.1(＝[混合9mDBtBPNfpr和PCBAF的组成物]：[Ir(dmdppr-m5CP)2(dpm)])且厚度为40nm的方式进行共蒸镀，由此形成发光层113。另外，在形成发光层113时，上述9mDBtBPNfpr和上述PCBAF作为预先混合而成的组成物的样品利用同一蒸镀源进行蒸镀。
接着，在发光层113上将9mDBtBPNfpr以厚度为30nm的方式进行蒸镀，然后将以上述结构式(vi)表示的2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：NBPhen)以厚度为15nm的方式进行蒸镀，由此形成电子传输层114。
形成电子传输层114后，以厚度为1nm的方式蒸镀氟化锂(LiF)来形成电子注入层115，接下来以厚度为200nm的方式蒸镀铝来形成阴极102，由此制造EL器件1。
注意，作为EL器件1制造了具有相同叠层结构的n＝1至n＝8的共8个器件，该器件通过不替换蒸镀源中的样品而连续地蒸镀发光层来制造。
(EL器件2的制造方法)
除了将EL器件1的发光层中的PCBAF替换为以上述结构式(vii)表示的N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-双(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)胺(简称：PCBFF)以外，EL器件2与EL器件1同样地制造。另外，在形成发光层113时，9mDBtBPNfpr和PCBFF作为以重量比为0.8：0.2(＝9mDBtBPNfpr：PCBFF)的方式预先混合而成的组成物的样品利用同一蒸镀源进行蒸镀。
注意，作为EL器件2制造了具有相同叠层结构的n＝1至n＝8的共8个器件，该器件通过不替换蒸镀源中的样品而连续地蒸镀发光层来制造。
(EL器件3的制造方法)
除了下述的步骤以外，EL器件3与EL器件1同样地制造：将EL器件1的空穴传输层112中的PCBBiF替换为以上述结构式(viii)表示的4，4’-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：PCBBi1BP)；将以重量比为0.7：0.3(＝8(βN2)-4mDBtPBfpm)：PCBNBF)的方式混合以上述结构式(ix)表示的8-(2，2’-联萘基-6-基)-4-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基-[1]苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶(简称：8(βN2)-4mDBtPBfpm)和以上述结构式(x)表示的9，9-二甲基-N-[4-(1-萘基)苯基]-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9H-芴-2-胺(简称：PCBNBF)而成的组成物与[Ir(dmdppr-m5CP)2(dpm)])以重量比为1：0.1(＝混合[8(βN2)-4mDBtPBfpm和PCBNBF而成的组成物]：[Ir(dmdppr-m5CP)2(dpm)])且厚度为40nm的方式进行共蒸镀来形成发光层113；将电子传输层114中的9mDBtBPNfpr替换为以上述结构式(xi)表示的9-[3-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)苯基]-9’-苯基-2，3’-联-9H-咔唑(简称：mPCCzPTzn-02)。另外，在形成发光层113时，8(βN2)-4mDBtPBfpm和PCBNBF作为预先混合而成的组成物的样品利用同一蒸镀源进行蒸镀。
注意，作为EL器件3制造了具有相同叠层结构的n＝1至n＝5的共5个器件，该器件通过不替换蒸镀源中的样品而连续地蒸镀发光层来制造。
下表示出EL器件1至EL器件3的器件结构。
[表1]
Figure BDA0003032220430000671
*1 9mDBtBPNfpr：PCBAF：Ir(dmdppr-m5CP)2(dpm)(0.8：0.2：0.10)
*2 9mDBtBPNfpr：PCBFF：[Ir(dmdppr-m5CP)2(dpm)](0.8：0.2：0.10)
*3 8(βN2)-4mDBtPBfpm：PCBNBF：[Ir(dmdppr-m5CP)2(dpm)](0.7：0.3：0.10)
在此，表2示出每个器件中的两种有机化合物的真空(1×10-2Pa左右)下的5％失重温度的测量结果，该器件在通过蒸镀形成EL器件1至EL器件3的发光层113时作为预先混合而成的组成物使用。5％失重温度可以通过进行热重-差热分析(TG-DTA：Thermogravimetry-Differential Thermal Analysis)得到的重量与温度的关系(热重分析)求出。测量使用高真空差动型热重分析仪(由BrukerAXS K.K.制造的TG-DTA2410SA)。
[表2]
Figure BDA0003032220430000681
如表2所示，EL器件1、EL器件2、EL器件3的含在预先混合而成的组成物的样品中的有机化合物的5％失重温度之差分别为43℃、21℃、66℃。
在氮气氛的手套箱中，以不使EL器件暴露于大气的方式使用玻璃衬底进行密封处理(将密封材料涂敷在器件的周围，在密封时进行UV处理并在80℃的温度下进行1小时的热处理)，然后对这些EL器件的初始特性进行测量。在亮度及CIE色度的测量中利用色彩亮度计(由拓普康公司制造的BM-5A)，并且在电致发射光谱的测量中，利用多通道光谱分析仪(由日本滨松光子学株式会社制造的PMA-11)。
图15示出EL器件1的亮度-电流密度特性，图16示出亮度-电压特性，图17示出电流-电压特性，图18示出外部量子效率-亮度特性，图19示出发射光谱，图20示出EL器件2的亮度-电流密度特性，图21示出亮度-电压特性，图22示出电流-电压特性，图23示出外部量子效率-亮度特性，图24示出发射光谱，图25示出EL器件3的亮度-电流密度特性，图26示出亮度-电压特性，图27示出电流-电压特性，图28示出外部量子效率-亮度特性，图29示出发射光谱。
另外，以下表示出各EL器件的亮度1000cd/cm2附近的主要特性。另外，除了上述的器件的特性以外，作为参考器件还示出在不同蒸镀源进行蒸镀的器件的特性。
[表3]
Figure BDA0003032220430000701
从图15至图29及表3可知EL器件1及EL器件2都呈现良好的初始特性。另一方面，还可知EL器件3成为特性不均匀较大的EL器件。
另外，图30至图32及图39是示出电流密度75mA/cm2下的相对于驱动时间的亮度变化的图表。图30示出EL器件1的结果，图31及图39示出EL器件2的结果，图32示出EL器件3的结果。另外，图39是示出85℃的高温下的相对于驱动时间的亮度变化的图表。从上述结果可知EL器件1及EL器件2都具有良好寿命。另一方面，EL器件3的寿命不均匀较大且器件特性不稳定。
从图30至图32可知：使用本发明的一个方式的组成物制造的EL器件1及EL器件2是通过连续进行蒸镀也特性劣化较少的EL器件，在本发明的一个方式的组成物中，构成用作蒸镀用样品的混合两种材料而成的组成物的材料中的高真空下的5％失重温度之差为50℃以下。另一方面，使用构成用作蒸镀用样品的组成物的材料的高真空下的5％失重温度之差为66℃的样品的EL器件3是特性劣化及不均匀较大的EL器件。
在此示出对在呈现良好特性的EL器件2的器件群中n＝1至n＝4的EL器件的发光层中的9mDBtBPNfpr和PCBFF的组成进行调査的结果。作为测量样品，使用切割成2mm的上述器件2的n＝1至n＝4及作为参考器件的将各器件溶解于40μl的混合溶剂(乙腈：氯仿＝7：3)而成的样品。另外，对使用2ml的氯仿将以蒸镀之前的重量比为0.8：0.2(＝9mDBtBPNfpr：PCBFF)的方式混合的样品0.5mg溶解而使用乙腈稀释为5倍的样品作为参考进行测量。另外，也对制造EL器件后残留在蒸镀源的样品与蒸镀之前的样品同样地进行测量。
测量使用沃特世(Waters)公司制造的Acquity UPLC(注册商标)进行。所使用的色谱柱为Acquity UPLC BEH C8(2.1×100mm 1.7μm)、柱温为40℃。作为流动相，流动相A使用乙腈且流动相B使用0.1％甲酸水溶液。另外，样品的注入量为5.0μL。以下表示出其结果。
[表4]
Figure BDA0003032220430000721
如此，使用本发明的一个方式的EL器件用组成物进行蒸镀的EL器件中的9mDBtBPNfpr与PCBFF的比例与预先混合而成的EL器件用组成物的组成大致相同，并且残留在蒸镀源的样品的组成也是同样的。就是说，可知本发明的一个方式的EL器件用组成物是反复进行蒸镀也在所蒸镀的膜中不容易发生组成变化的EL器件用组成物。另外，作为上述的结果可知在使用该组成物制造的EL器件的特性中不容易发生较大不均匀。
[实施例2]
在本实施例中，说明在实施方式中说明的使用本发明的一个方式的EL器件用组成物而制造的EL器件4。以下示出本实施例中使用的有机化合物的结构式。
[化学式19]
Figure BDA0003032220430000731
(EL器件4的制造方法)
首先，通过溅射法在玻璃衬底上形成含有氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)来形成阳极101。注意，其膜厚度为70nm，电极面积为2mm×2mm。
接着，作为在衬底上形成EL器件的预处理，用水对衬底表面进行洗涤而以200℃烘焙1小时，然后进行UV臭氧处理370秒。
然后，将衬底放入内部减压到10-4Pa左右的真空蒸镀装置中，在真空蒸镀装置内的加热室中以170℃进行真空烘焙30分钟，然后冷却衬底30分钟左右。
接着，以形成有阳极101的面朝下方的方式将形成有阳极101的衬底固定于设置在真空蒸镀装置内的衬底架上，并且在阳极101上通过利用电阻加热的蒸镀法将以上述结构式(i)表示的4，4’，4”-(苯-1，3，5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：DBT3P-II)与氧化钼(VI)以重量比为2：1(＝DBT3P-II：氧化钼)且厚度为45nm的方式进行共蒸镀，由此形成空穴注入层111。
接着，在空穴注入层111上以厚度为20nm的方式蒸镀以上述结构式(viii)表示的4，4’-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：PCBBi1BP)，由此形成空穴传输层112。
接着，将预先以重量比为0.5：0.5(＝8BP-4mDBtPBfpm：mBPCCBP)的方式混合以上述结构式(xii)表示的8-(1，1’-联苯-4-基)-4-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-[1]苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶(简称：8BP-4mDBtPBfpm)和以上述结构式(xiii)表示的9-(1，1’-联苯-3-基)-9’-(1，1’-联苯-4-基)-9H，9’H-3，3’-联咔唑(简称：mBPCCBP)而成的组成物与以上述结构式(xiv)表示的[2-(4-甲基-5-苯基-2-吡啶基-κN)苯基-κC]双[2-(2-吡啶基-κN)苯基-κC]铱(III)(简称：[Ir(ppy)2(mdppy)])以重量比为1：0.1(＝[混合8BP-4mDBtPBfpm和mBPCCBP而成的组成物]：[Ir(ppy)2(mdppy)])且厚度为40nm的方式进行共蒸镀，由此形成发光层113。另外，在形成发光层113时，8BP-4mDBtPBfpm和mBPCCBP作为预先混合而成的样品利用同一蒸镀源进行蒸镀。
接着，在发光层113上将8BP-4mDBtPBfpm以厚度为20nm的方式进行蒸镀，然后将以上述结构式(vi)表示的2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：NBPhen)以厚度为10nm的方式进行蒸镀，由此形成电子传输层114。
形成电子传输层114后，以厚度为1nm的方式进行蒸镀氟化锂(LiF)来形成电子注入层115，接下来以厚度为200nm的方式蒸镀铝来形成阴极102，由此制造EL器件4。
注意，作为EL器件4制造了具有相同叠层结构的n＝1至n＝4的共4个器件，该器件通过不替换蒸镀源中的样品而连续地蒸镀发光层来制造。
下表示出EL器件4的器件结构。
[表5]
Figure BDA0003032220430000751
*4 8BP-4mDBtPBfpm：mBPCCBP：[Ir(ppy)2(mdppy)](0.5：0.5：0.10)
在此，表5示出每个器件中的两种有机化合物的真空(1×10-2Pa左右)下的5％失重温度的测量结果，该器件在通过蒸镀形成EL器件4的发光层113时作为预先混合而成的组成物使用。5％失重温度通过进行热重-差热分析(TG-DTA：Thermogravimetry-DifferentialThermal Analysis)得到的重量与温度的关系(热重分析)求出。测量使用高真空差动型热重分析仪(由BrukerAXS K.K.制造的TG-DTA2410SA)。
[表6]
Figure BDA0003032220430000761
如表6所示，在制造EL器件4时使用的预先混合而成的组成物的样品中的有机化合物的5％失重温度之差为14℃。
在氮气氛的手套箱中，以不使EL器件4暴露于大气的方式使用玻璃衬底进行密封处理(将密封材料涂敷在器件的周围，在密封时进行UV处理并在80℃的温度下进行1小时的热处理)，然后对该EL器件的初始特性进行测量。测量方法与实施例1同样。
图33示出亮度-电流密度特性，图34示出亮度-电压特性，图35示出电流-电压特性，图36示出外部量子效率-亮度特性，图37示出发射光谱。
另外，以下表示出EL器件4的亮度1000cd/cm2附近的主要特性。另外，除了上述的器件的特性以外，作为参考器件还示出在不同蒸镀源进行蒸镀的器件的特性。
[表7]
Figure BDA0003032220430000762
从图33至图37及表7可知EL器件4都呈现良好初始特性。
另外，图38是示出电流密度50mA/cm2下的相对于驱动时间的亮度变化的图表。从图38可知各EL器件都是具有良好寿命的器件。
从图38可知：使用本发明的一个方式的组成物制造的EL器件4是通过连续进行蒸镀也特性劣化或寿命缩短较少的EL器件，在本发明的一个方式的组成物中，构成用作蒸镀用样品的混合两种材料而成的组成物的材料的高真空下的5％失重温度之差为50℃以下。
(参考例)
因为在实施例中使用的9mDBtBPNfpr、8(βN2)-4mDBtPBfpm及8BP-4mDBtPBfpm是未公开的物质，所以说明各物质的合成方法。
《9mDBtBPNfpr的合成方法》
说明在实施例1中以结构式(iii)表示的9-[(3’-二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]萘并[1’，2’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪(简称：9mDBtBPNfpr)的合成方法。另外，以下示出9mDBtBPNfpr的结构。
[化学式20]
Figure BDA0003032220430000771
<步骤1：6-氯-3-(2-甲氧基萘-1-基)吡嗪-2-胺的合成>
首先，将3-溴-6-氯吡嗪-2-胺4.37g、2-甲氧基萘-1-硼酸4.23g、氟化钾4.14g、脱水四氢呋喃75mL放入安装有回流管的三口烧瓶中，用氮气置换烧瓶内的空气。在减压下搅拌烧瓶内混合物以进行脱气，然后添加三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(简称：Pd2(dba)3)0.57g、三-叔丁基膦(简称：t-Bu3P)4.5mL在80℃下进行搅拌54小时，来起反应。
经过指定时间之后，对所得到的混合物进行抽滤，浓缩滤液。然后，通过以甲苯：乙酸乙酯＝9：1为展开溶剂的硅胶柱色谱法进行纯化，得到目的物的吡嗪衍生物(黄白色粉末，产量2.19g，收率36％％)。以下示出步骤1的合成方案。
[化学式21]
Figure BDA0003032220430000781
<步骤2：9-氯萘并[1’，2’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪的合成>
接着，将上述步骤1中得到的6-氯-3-(2-甲氧基萘-1-基)吡嗪-2-胺2.18g、脱水四氢呋喃63mL及冰醋酸84mL放入三口烧瓶内，用氮气置换烧瓶内的空气。在将烧瓶冷却到-10℃之后，滴加亚硝酸叔丁酯2.8mL，以-10℃搅拌30分钟且以0℃搅拌3小时。经过指定时间之后，对所得到的悬浮液添加水250mL并进行抽滤，来得到目的物的吡嗪衍生物(黄白色粉末，产量1.48g，收率77％％)。以下示出步骤2的合成方案。
[化学式22]
Figure BDA0003032220430000782
<步骤3：9-[(3’-二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]萘并[1’，2’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪(简称：9mDBtBPNfpr)的合成>
接着，将上述步骤2中得到的9-氯萘并[1’，2’：4，5]呋喃并[2，3-b]吡嗪1.48g、3’-(4-二苯并噻吩)-1，1’-联苯-3-硼酸3.41g、2M碳酸钾水溶液8.8mL、甲苯100mL及乙醇10mL放入三口烧瓶内，用氮气置换烧瓶内的空气。在减压下搅拌烧瓶内混合物以进行脱气，然后添加双(三苯基膦)钯(II)二氯化(简称：PdCl2(PPh3)2)0.84g，以80℃搅拌18小时以使其反应。
在经过规定的时间之后，对所得到的悬浮液进行抽滤，使用水、乙醇洗涤。将所得到的固体溶解于甲苯，经过依次层叠硅藻土、矾土、硅藻土的助滤剂进行过滤，然后使用甲苯及己烷的混合溶剂进行重结晶，来得到目的物(以82％的收率得到淡黄色固体2.66g)。
利用梯度升华法对所得到的淡黄色固体2.64g进行升华纯化。升华纯化条件为如下：在压力为2.6Pa且氩气体流量为15mL/分的条件下，以315℃对固体进行加热。在升华纯化之后，以89％的收率且2.34g的产量获得目的物的淡黄色固体。以下示出步骤3的合成方案。
[化学式23]
Figure BDA0003032220430000801
以下示出上述步骤3中得到的淡黄色固体的核磁共振光谱法(1H-NMR)的分析结果。由该结果可知获得9mDBtBPNfpr。
1H-NMR.δ(CD2Cl2)：7.47-7.51(m，2H)，7.60-7.69(m，5H)，7.79-7.89(m，6H)，8.05(d，1H)，8.10-8.11(m，2H)，8.18-8.23(m，3H)，8.53(s，1H)，9.16(d，1H)，9.32(s，1H).
《8(βN2)-4mDBtPBfpm的合成方法》
说明在实施例1中以结构式(ix)表示的8-[(2，2’-联萘)-6-基]-4-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基-[1]苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶(简称：8(βN2)-4mDBtPBfpm)的合成方法。以下示出8(βN2)-4mDBtPBfpm的结构。
[化学式24]
Figure BDA0003032220430000811
<8-[(2，2’-联萘)-6-基]-4-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基-[1]苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶的合成>
将8-氯-4-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-[1]苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶1.21g、[2，2’-联萘]-6-基硼酸0.857g、磷酸三钾1.67g、二甘醇二甲醚26mL、叔丁醇0.583g放在三口烧瓶中，在烧瓶中进行减压及搅拌来进行脱气，用氮气置换烧瓶内的空气。
将该混合物加热至60℃，加入醋酸钯(II)18.9mg、二(1-金刚烷)-正丁基膦61.1mg，以120℃进行搅拌10小时。对该反应液加入水，进行抽滤，利用水、乙醇及甲苯对所得到的滤渣进行洗涤。将该滤渣溶解于加热了的甲苯，使用依次填充硅藻土、矾土及硅藻土的助滤剂进行过滤。将所得到的溶液浓缩并干燥固化，得到目的物的白色固体。
将全部的所得到的固体、[2，2’-联萘]-6-基硼酸0.348g、磷酸三钾0.621g、二甘醇二甲醚13mL、叔丁醇0.239g放在三口烧瓶中，在烧瓶中进行减压及搅拌来进行脱气，用氮气置换烧瓶内的空气。将该混合物加热至60℃，加入醋酸钯(II)8.7mg、二(1-金刚烷)-正丁基膦25.1mg，在120℃进行搅拌18.5小时。对该反应液加入水，进行抽滤，利用水、乙醇及甲苯对所得到的滤渣进行洗涤。
将该滤渣溶解于加热了的甲苯，使用依次填充硅藻土、矾土及硅藻土的助滤剂进行过滤。将所得到的溶液浓缩并干燥固化，利用甲苯进行重结晶，由此以65％的收率且1.16g的产量得到目的物的白色固体。通过梯度升华法，使1.15g的所得到的白色固体升华纯化。在升华纯化中，在以10mL/min的流量使氩气体流过且压力为2.64Pa的条件下，以365℃对固体进行加热。在升华纯化之后，得到0.958g的本发明的8(βN2)-4mDBtPBfpm(回收率为83％，白色固体)。以下示出该合成方案。
[化学式25]
Figure BDA0003032220430000821
以下示出上述反应中得到的白色固体的利用核磁共振光谱法(1H-NMR)的分析结果。从该结果可知，得到8(βN2)-4mDBtPBfpm。
1H-NMR.δ(CDCl3)：7.50-7.7.57(m，4H)、7.64-7.67(m，2H)、7.82(t，1H)、7.86-8.00(m，9H)、8.05-8.09(m，2H)、8.14(d，1H)、8.22-8.26(m，5H)、8.69(s，1H)、8.74(d，1H)、9.07(s，1H)、9.35(s，1H)。
《8BP-4mDBtPBfpm的合成方法》
说明在实施例2中以结构式(xii)表示的8-(1，1’-联苯-4-基)-4-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-[1]苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶(简称：8BP-4mDBtPBfpm)的合成方法。以下示出8BP-4mDBtPBfpm的结构。
[化学式26]
Figure BDA0003032220430000831
<8-(1，1’-联苯-4-基)-4-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-[1]苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶的合成>
将8-氯-4-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-[1]苯并呋喃并[3，2-d]嘧啶1.37g、4-联苯硼酸0.657g，、磷酸三钾1.91g、二甘醇二甲醚30mL、叔丁醇0.662g放在三口烧瓶中，在烧瓶中进行减压及搅拌来进行脱气，用氮气置换烧瓶内的空气。
将该混合物加热至60℃，加入醋酸钯(II)23.3mg、二(1-金刚烷)-正丁基膦66.4mg，以120℃进行搅拌27小时。对该反应液加入水，进行抽滤，利用水、乙醇及甲苯对所得到的滤渣进行洗涤。将该滤渣溶解于加热了的甲苯，使用依次填充硅藻土、矾土及硅藻土的助滤剂进行过滤。将所得到的溶液浓缩并干燥固化，用甲苯重结晶，由此以74％的收率且1.28g的产量得到目的物的白色固体。
通过梯度升华法，使1.26g的所得到的白色固体升华纯化。升华纯化条件为如下：在压力为2.56Pa且氩气体流量为10mL/分的条件下，以310℃对固体进行加热。在升华纯化之后，以80％的回收率获得目的物的淡黄色固体1.01g。以下示出合成方案。
[化学式27]
Figure BDA0003032220430000841
以下示出上述反应中得到的淡黄色固体的利用核磁共振光谱法(1H-NMR)的分析结果。从该结果可知，得到8BP-4mDBtPBfpm。
1H-NMR.δ(CDCl3)：7.39(t，1H)、7.47-7.53(m，4H)、7.63-7.67(m，2H)、7.68(d，2H)、7.75(d，2H)、7.79-7.83(m，4H)、7.87(d，1H)、7.98(d，1H)、8.02(d，1H)、8.23-8.26(m，2H)、8.57(s，1H)、8.73(d，1H)、9.05(s，1H)、9.34(s，1H)。
[符号说明]
101：阳极、102：阴极、103：EL层、111：空穴注入层、112：空穴传输层、113：发光层、114：电子传输层、115：电子注入层、116：电荷产生层、117：P型层、118：电子中继层、119：电子注入缓冲层、400：衬底、401：阳极、403：EL层、404：阴极、405：密封材料、406：密封材料、407：封止衬底、412：焊盘、420：IC芯片、501：阳极、502：阴极、511：第一发光单元、512：第二发光单元、513：电荷产生层、601：驱动电路部(源极线驱动电路)、602：像素部、603：驱动电路部(栅极线驱动电路)、604：密封衬底、605：密封材料、607：空间、608：布线、609：FPC(柔性印刷电路)、610：元件衬底、611：开关用FET、612：电流控制用FET、613：阳极、614：绝缘物、616：EL层、617：阴极、618：EL器件、951：衬底、952：电极、953：绝缘层、954：隔离层、955：EL层、956：电极、1001衬底、1002基地绝缘膜、1003栅极绝缘膜、1006栅电极、1007栅电极、1008栅电极、1020第一层间绝缘膜、1021第二层间绝缘膜、1022电极、1024W阳极、1024R阳极、1024G阳极、1024B阳极、1025分隔壁、1028EL层、1029阴极、1031密封衬底、1032密封材料、1033透明基材、1034R红色着色层、1034G绿色着色层、1034B蓝色着色层、1035黑矩阵、1036保护层、1037第三层间绝缘膜、1040像素部、1041驱动电路部、1042周边部、2001：外壳、2002：光源、2100：机器人、2110：运算装置、2101：照度传感器、2102：麦克风、2103：上部照相机、2104：扬声器、2105：显示器、2106：下部照相机、2107：障碍物传感器、2108：移动机构、3001：照明装置、5000：外壳、5001：显示部、5002：第二显示部、5003：扬声器、5004：LED灯、5005：操作键、5006：连接端子、5007：传感器、5008：麦克风、5012：支撑部、5013：耳机、5100：扫地机器人、5101：显示器、5102：照相机、5103：刷子、5104：操作按钮、5150：便携式信息终端、5151：外壳、5152：显示区域、5153：弯曲部、5120：垃圾、5200：显示区域、5201：显示区域、5202：显示区域、5203：显示区域、7101：外壳、7103：显示部、7105：支架、7107：显示部、7109：操作键、7110：遥控操作机、7201：主体、7202：外壳、7203：显示部、7204：键盘、7205：外部连接端口、7206：指向装置、7210：第二显示部、7401：外壳、7402：显示部、7403：操作按钮、7404：外部连接端口、7405：扬声器、7406：麦克风、9310：便携式信息终端、9311：显示面板、9312：显示区域、9313：铰链部、9315：外壳

Claims (22)

1.一种至少包含两种以上的有机化合物的EL器件用组成物，
其中，通过在0.1Pa以下的压力下进行热重分析而测得的所述两种以上的有机化合物间的5％失重温度之差为50度以下。
2.一种EL器件用组成物，包括：
第一有机化合物；以及
第二有机化合物，
其中，通过在0.1Pa以下的压力下进行热重分析而测得的所述第一有机化合物与所述第二有机化合物间的5％失重温度之差为50度以下。
3.根据权利要求2所述的EL器件用组成物，
其中所述第一有机化合物具有电子传输性，
并且所述第二有机化合物具有空穴传输性。
4.根据权利要求2或3所述的EL器件用组成物，
其中所述第一有机化合物具有苯并呋喃并二嗪骨架或苯并噻吩并二嗪骨架。
5.根据权利要求2或3所述的EL器件用组成物，
其中所述第一有机化合物具有萘并呋喃并吡嗪骨架、菲并呋喃并吡嗪骨架、萘并噻吩并吡嗪骨架和菲并噻吩并吡嗪骨架中的任一个。
6.根据权利要求2或3所述的EL器件用组成物，
其中所述第一有机化合物以下述通式(G1)表示。
[化学式1]
Figure FDA0003032220420000011
(在上述通式(G1)中，Q表示氧或硫。另外，Ar1表示取代或未取代的稠合芳香环。另外，R1和R2中的一方表示氢，另一方表示具有空穴传输性的骨架的总碳原子数为1至100的基。)
7.根据权利要求2或3所述的EL器件用组成物，
其中所述第一有机化合物以下述结构式(100)表示。
[化学式2]
Figure FDA0003032220420000021
8.根据权利要求2或3所述的EL器件用组成物，
其中所述第一有机化合物具有苯并呋喃并嘧啶骨架或苯并噻吩并嘧啶骨架。
9.根据权利要求2或3所述的EL器件用组成物，
其中所述第一有机化合物以下述通式(G2)表示。
[化学式3]
Figure FDA0003032220420000022
(式中，Q表示氧或硫。Ar1、Ar2、Ar3及Ar4分别独立地表示取代或未取代的芳烃环，所述芳烃环的取代基为碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为1至6的烷氧基、碳原子数为5至7的单环饱和烃基、碳原子数为7至10的多环饱和烃基和氰基中的任一个，构成所述芳烃环的碳原子数为6以上且25以下。另外，m及n分别为0或1。另外，A是总碳原子数为12至100的基且具有包括苯环、萘环、芴环、菲环、三亚苯环、二苯并噻吩环的杂芳环、包括二苯并呋喃环的杂芳环、包括咔唑环的杂芳环、苯并咪唑环、三苯基胺结构中的一个或多个。另外，R1表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为5至7的单环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为7至10的多环饱和烃、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基或取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基。)
10.根据权利要求2或3所述的EL器件用组成物，
其中所述第一有机化合物以下述结构式(200)或(201)表示。
[化学式4]
Figure FDA0003032220420000031
11.根据权利要求2至10中任一项所述的EL器件用组成物，
其中所述第二有机化合物具有芳香胺骨架。
12.根据权利要求2至10中任一项所述的EL器件用组成物，
其中所述第二有机化合物具有咔唑骨架。
13.根据权利要求2至10中任一项所述的EL器件用组成物，
其中所述第二有机化合物具有三芳基胺骨架。
14.根据权利要求2至10中任一项所述的EL器件用组成物，
其中所述第二有机化合物具有联咔唑骨架。
15.根据权利要求14所述的EL器件用组成物，
其中在所述联咔唑骨架中两个咔唑基在2位至4位中的任意处彼此键合。
16.根据权利要求2至10中任一项所述的EL器件用组成物，
其中所述第二有机化合物具有三芳基胺骨架及咔唑骨架。
17.根据权利要求16所述的EL器件用组成物，
其中所述三芳基胺中的氮原子与所述咔唑骨架通过亚苯基键合。
18.根据权利要求16或17所述的EL器件用组成物，
其中所述咔唑骨架在2位至4位或9位键合。
19.根据权利要求2至18中任一项所述的EL器件用组成物，
其中所述第二有机化合物至少具有一个芴骨架。
20.根据权利要求2至19中任一项所述的EL器件用组成物，
其中所述第一有机化合物和所述第二有机化合物的组合形成激基复合物。
21.根据权利要求1至20中任一项所述的EL器件用组成物，
其中所述5％失重温度之差为40度以下。
22.根据权利要求1至20中任一项所述的EL器件用组成物，
其中所述5％失重温度之差为30度以下。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2022229780A1 (ja) * 2021-04-30 2022-11-03 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2564438B1 (en) * 2010-04-28 2016-10-19 Universal Display Corporation Depositing premixed materials
CN109608473B (zh) * 2013-03-26 2021-05-11 株式会社半导体能源研究所 用于发光元件的化合物及其合成方法
US9324949B2 (en) * 2013-07-16 2016-04-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20150097201A (ko) 2014-02-18 2015-08-26 주식회사 넥스다임 애플리케이션 개발 환경 제공 시스템
KR102287012B1 (ko) * 2014-05-28 2021-08-09 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20160140393A (ko) * 2015-05-29 2016-12-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기 및 조명 장치
TWI766884B (zh) * 2016-09-30 2022-06-11 德商麥克專利有限公司 具有二氮雜二苯并呋喃或二氮雜二苯并噻吩結構的化合物、其製法及其用途
CN110073510B (zh) * 2016-12-28 2022-07-19 株式会社半导体能源研究所 发光元件、有机化合物、发光装置、电子设备及照明装置
JP2018127402A (ja) * 2017-02-06 2018-08-16 国立大学法人山形大学 新規なベンゾフロピリミジン化合物、及びそれを用いた有機ｅｌ素子
JP6813882B2 (ja) * 2017-02-10 2021-01-13 国立大学法人山形大学 新規ベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体、それを用いた正孔輸送材料及び有機ｅｌ素子
US11495753B2 (en) * 2017-03-16 2022-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US20190031673A1 (en) * 2017-07-27 2019-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic Compound, Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device

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