TWI781890B - 液體供給裝置及液體供給方法 - Google Patents

液體供給裝置及液體供給方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI781890B
TWI781890B TW111108004A TW111108004A TWI781890B TW I781890 B TWI781890 B TW I781890B TW 111108004 A TW111108004 A TW 111108004A TW 111108004 A TW111108004 A TW 111108004A TW I781890 B TWI781890 B TW I781890B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
aforementioned
clc
chemical solution
pressure
Prior art date
Application number
TW111108004A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202226424A (zh
Inventor
豊増富士彦
國澤淳次
Original Assignee
日商荏原製作所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商荏原製作所股份有限公司 filed Critical 日商荏原製作所股份有限公司
Publication of TW202226424A publication Critical patent/TW202226424A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI781890B publication Critical patent/TWI781890B/zh

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K37/00Special means in or on valves or other cut-off apparatus for indicating or recording operation thereof, or for enabling an alarm to be given
    • F16K37/0075For recording or indicating the functioning of a valve in combination with test equipment
    • F16K37/0091For recording or indicating the functioning of a valve in combination with test equipment by measuring fluid parameters
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D11/00Control of flow ratio
    • G05D11/02Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
    • G05D11/13Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
    • G05D11/131Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by measuring the values related to the quantity of the individual components
    • G05D11/132Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by measuring the values related to the quantity of the individual components by controlling the flow of the individual components
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00Control of flow
    • G05D7/06Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0635Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F15FLUID-PRESSURE ACTUATORS; HYDRAULICS OR PNEUMATICS IN GENERAL
    • F15BSYSTEMS ACTING BY MEANS OF FLUIDS IN GENERAL; FLUID-PRESSURE ACTUATORS, e.g. SERVOMOTORS; DETAILS OF FLUID-PRESSURE SYSTEMS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F15B2211/00Circuits for servomotor systems
    • F15B2211/50Pressure control
    • F15B2211/505Pressure control characterised by the type of pressure control means
    • F15B2211/50554Pressure control characterised by the type of pressure control means the pressure control means controlling a pressure downstream of the pressure control means, e.g. pressure reducing valve
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F15FLUID-PRESSURE ACTUATORS; HYDRAULICS OR PNEUMATICS IN GENERAL
    • F15BSYSTEMS ACTING BY MEANS OF FLUIDS IN GENERAL; FLUID-PRESSURE ACTUATORS, e.g. SERVOMOTORS; DETAILS OF FLUID-PRESSURE SYSTEMS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F15B2211/00Circuits for servomotor systems
    • F15B2211/50Pressure control
    • F15B2211/57Control of a differential pressure
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/7722Line condition change responsive valves
    • Y10T137/7758Pilot or servo controlled
    • Y10T137/7759Responsive to change in rate of fluid flow
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/7722Line condition change responsive valves
    • Y10T137/7758Pilot or servo controlled
    • Y10T137/7761Electrically actuated valve

Abstract

本發明提供液體供給裝置以及液體供給方法,該液體供給裝置能夠判斷CLC是否能適當地使用。該液體供給裝置用於將來自液體源的液體向清洗裝置供給。該液體供給裝置具有:流量控制裝置,係測量來自前述液體源的液體的流量,並基於測量值控制流量;內側壓力計,係設置於前述液體源與前述流量控制裝置之間;以及外側壓力計,係設置在前述流量控制裝置與前述清洗裝置之間。

Description

液體供給裝置及液體供給方法
本發明涉及液體供給裝置以及液體供給方法。
CMP(Chemical Mechanical Polishing:化學機械拋光)裝置具有:抛光裝置,其用於對形成有半導體晶片的半導體基板的表面進行抛光;以及清洗裝置,其用於一邊對利用抛光裝置抛光後的半導體基板供给清洗藥液、一邊進行清洗。該清洗裝置通過對藥液混合DIW(De-Ionized Water:去離子水)等稀釋水而製成清洗藥液(稀釋的藥液),並使用清洗藥液進行半導體基板的清洗(例如參照專利文獻1)。
在使用清洗藥液的清洗裝置中,以往使用測量液體的流量並基於測量值控制流量的CLC(Closed Loop Controller:閉環控制器)。能夠通過該CLC控制藥液與DIW的流量,並以恆定比率將稀釋的藥液向清洗裝置供給。
作為CLC在內部具備的流量計,一般使用 差壓式流量計(孔板流量計)。差壓式流量計是在流體通過的路徑上配置孔板,並基於差壓測定該流體的體積流量(流速)。差壓式流量計的測定範圍即通過CLC可控制的流量範圍成為在構造上根據孔板的直徑預先確定的範圍,例如從30ml/min至300ml/min。另外,例如在具備超音波式流量計的CLC中,該可控制的流量範圍也設定為規定的範圍。
在現有的清洗藥液供給裝置中,在因步驟方法的變更等而變更清洗藥液的稀釋比率、或變更清洗藥液的供給流量時,存在所需的藥液以及DIW的流量偏離通過現已選定的CLC可控制的流量範圍的情況。在該情況下,通過更換為具有可控制的流量範圍的CLC,由此應對步驟方法的變更。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1:日本特開2009-54959號公報
通過CLC可控制的流量範圍成為上述那樣確定的範圍。然而,CLC實際能夠向清洗裝置供給的流量因CLC的內側壓力與外側壓力的差壓而變化。即,CLC的上述可控制的流量範圍是差壓足夠大時最大的流量範圍,在差壓不足的情況下,只能向清洗裝置供給比最大流量少 的流量。
在現有的清洗藥液供給裝置中,在伴隨步驟方法的變更等而變更CLC時,基於可控制的流量範圍選擇出CLC。在CLC的內側壓力與外側壓力的差壓足夠大時,能夠用所選擇的CLC將預期的流量的清洗藥液向清洗裝置供給。然而,如上述那樣,在差壓不足的情況下,即便選擇具有適當的流量範圍的CLC,也無法將預期流量的清洗藥液供給至清洗裝置。作為CLC無法供給預期流量的原因,考慮也可能是CLC發生故障。因此在無法供給預期的流量的情況下,無法判斷是CLC發生故障還是差壓不足。
本發明是鑒於上述問題所做出的。其目的之一在於提供能夠判斷CLC是否能適當使用的液體供給裝置。
根據本發明的一個方式,提供一種液體供給裝置,用於將來自液體源的液體向清洗裝置供給。該液體供給裝置具有:流量控制裝置,係測量來自前述液體源的液體的流量,並基於測量值控制流量;內側壓力計,係設置在前述液體源與前述流量控制裝置之間;以及外側壓力計,係設置在前述流量控制裝置與前述清洗裝置之間。
根據本發明的另一方式,提供一種液體供給方法,用於在液體供給裝置中將來自液體源的液體向清洗裝置供給,前述液體供給裝置具備測量來自前述液體源 的流量並基於測量值控制流量的流量控制裝置。該液體供給方法具有以下步驟:流量控制步驟,係測量來自前述液體源的流量,並基於測量值控制流量;第一測定步驟,係測定流入前述流量控制裝置的液體的壓力;以及第二測定步驟,係測定從前述流量控制裝置流出的液體的壓力。
10:DIW供給源
20:第一藥液供給源
30:第二藥液供給源
50:藥液實用箱
51:第一藥液入口閥
52:壓力計
53:手動閥
62:壓力計
72:第一直通式混合器
74:壓力計
75:壓力計
76:壓力計
77:DIW壓力調節器
78:合流部
79:合流部
81:DIW供給配管
82:DIW分支配管
83:第一DIW配管
86:DIW供給閥
87:DIW調壓器
88:DIW壓力計
91:配管
93:第一藥液配管
96:第一清洗藥液配管
100:藥液供給裝置
110:DIWCLC箱
111:CLC
112:第一DIW供給閥
120:第一藥液CLC箱
121:CLC
122:第一藥液供給閥
131:CLC
200:清洗裝置
210:DIW清洗部
220:藥液清洗部
230:清洗槽
第1圖是表示第一實施方式的藥液供給裝置的簡略前視圖。
第2圖是第一實施方式的藥液供給裝置的藥液供給流程圖。
第3圖是表示第二實施方式的藥液供給裝置的簡略前視圖。
第4圖是第二實施方式的藥液供給裝置的藥液供給流程圖。
以下,參照附圖說明本發明的實施方式。在以下說明的附圖中,對相同或相當的構成要素標注相同的附圖標記,並省略重複的說明。另外,以下作為液體供給裝置的一個例子,對藥液清洗裝置進行說明,但不限定於此,本發明包含能夠將液體向清洗裝置供給的任意的液體供給裝置。
<第一實施方式>
第1圖是表示第一實施方式的藥液供給裝置的簡略前 視圖。本實施方式的藥液供給裝置構成為能夠將酸性或者鹼性的第一藥液向清洗裝置供給。如第1圖所示,藥液供給裝置100具有:殼體101、DIWCLC箱110、以及第一藥液CLC箱120。DIWCLC箱110控制DIW(相當於稀釋水的一個例子)的供給。第一藥液CLC箱120控制第一藥液的供給。
藥液供給裝置100還具備藥液實用箱50,用於將來自第一藥液供給源20(參照第2圖)的第一藥液導入藥液供給裝置100。在圖示的例子中,六個藥液實用箱50設置於藥液供給裝置100,這是一個例子,藥液實用箱50的數量可根據清洗裝置的規格適當變更。
DIWCLC箱110、第一藥液CLC箱120以及藥液實用箱50收納於殼體101內。DIWCLC箱110構成為將來自後述的DIW供給源10的DIW向後述的第一直通式(in-line)混合器72(參照第2圖)供給。另外,DIWCLC箱110能夠將DIW的流量控制為通過回饋控制所設定的流量。
第一藥液CLC箱120構成為將來自第一藥液供給源20的第一藥液向後述第一直通式混合器72(參照第2圖)供給。另外,第一藥液CLC箱120能夠將第一藥液的流量控制為通過回饋控制所設定的流量。藥液供給裝置100雖未圖示,但具有用於輸送DIW或第一藥液的配管、閥以及壓力計等。詳細情況在第2圖中說明。
第2圖是第一實施方式的藥液供給裝置100 的藥液供給流程圖。如圖示般,藥液供給裝置100構成為:將用於供給DIW的DIW供給源10(相當於稀釋水供給源的一個例子)以及用於供給第一藥液的第一藥液供給源20分別經由配管而進行流體連通。另外,藥液供給裝置100構成為與清洗裝置200進行流體連通。具體而言,藥液供給裝置100將DIW以及稀釋後的第一藥液(第一清洗藥液)向清洗裝置200供給。
清洗裝置200具有:DIW清洗部210,其使用DIW對用拋光裝置拋光後的半導體基板等清洗對象物進行清洗;以及藥液清洗部220,其使用稀釋後的第一藥液(第一清洗藥液)對用拋光裝置拋光後的半導體基板等清洗對象物進行清洗。DIW清洗部210例如由超音波水清洗部或其他DIW清洗部等構成。藥液清洗部220例如由輥式清洗部等構成。該DIW清洗部210與藥液清洗部220共存於同一清洗槽230內。
藥液供給裝置100具備:第一直通式混合器72、第一藥液CLC箱120以及DIWCLC箱110。第一直通式混合器72將第一藥液與DIW混合而生成第一清洗藥液。第一藥液CLC箱120控制從第一藥液供給源20向第一直通式混合器72供給的第一藥液的流量。DIWCLC箱110控制從DIW供給源10向第一直通式混合器72供給的DIW的流量。
DIWCLC箱110具有第一DIW供給閥112、以及CLC 111(相當於稀釋水流量控制裝置的一個例子)。 第一DIW供給閥112切換從CLC 111向第一直通式混合器72供給DIW的接通、斷開。CLC 111測量向第一直通式混合器72供給的DIW的流量,並基於該測量值控制流量。具體而言,CLC 111基於測量出的DIW的流量來調節CLC 111內部的控制閥的開度(回饋控制),以使在CLC 111內流動的DIW的流量成為預期的流量。DIWCLC箱110通過打開第一DIW供給閥112將DIW,由此向第一直通式混合器72供給。
第一藥液CLC箱120具有第一藥液供給閥122、以及CLC 121(相當於藥液流量控制裝置的一個例子)。第一藥液供給閥122切換從CLC 121向第一直通式混合器72供給第一藥液的接通、斷開。CLC 121測量經由第一藥液供給閥122向第一直通式混合器72供給的第一藥液的流量,並基於該測量值控制流量。具體而言,CLC 121基於測量出的第一藥液的流量來調節CLC 121內部的控制閥的開度(回饋控制),以使在CLC 121內流動的第一藥液的流量成為預期的流量。
另外,藥液供給裝置100具備藥液實用箱50。藥液實用箱50將來自第一藥液供給源20的第一藥液導入第一藥液CLC箱120的CLC 121。藥液實用箱50設置在將第一藥液供給源20與第一藥液CLC箱120的CLC 121連接的配管91上。藥液實用箱50具備:手動閥53;第一藥液入口閥51,其切換向CLC 121供給第一藥液的接通、斷開;以及壓力計52(相當於藥液內側壓力計的一個例 子),其測量配管91內的流體壓力。第一藥液入口閥51例如由未圖示的控制裝置進行開閉控制。配管91與第一藥液CLC箱120的CLC 121連接,因此壓力計52構成為測定CLC 121的內側(一次側)的壓力。換言之,壓力計52測定流入CLC 121的第一藥液的壓力。
藥液供給裝置100具備DIW供給配管81,該DIW供給配管81的一端與DIW供給源10連接,並且另一端與清洗裝置200的DIW清洗部210連接。在DIW供給配管81設置有:DIW供給閥86、DIW調壓器87以及DIW壓力計88。DIW供給閥86通過開閉來控制DIW從DIW供給源10向DIW供給配管81的供給。DIW調壓器87調節DIW從DIW供給配管81向DIW清洗部210的供給壓力。DIW壓力計88測量在DIW供給配管81的內部通過的DIW的壓力。
在DIW供給配管81上的DIW供給閥86與DIW調壓器87之間連接有DIW分支配管82的一端。DIW分支配管82的另一端與DIWCLC箱110的CLC 111連接。在DIW分支配管82上設置有DIW壓力調節器77和壓力計76。第一DIW配管83的一端連接於CLC 111。第一DIW配管83的另一端在合流部78處與後述的第一藥液配管93連接,並與第一直通式混合器72進行流體連通。另外,如圖示般,合流部78是來自CLC 111的DIW與來自CLC 121的第一藥液進行合流的點。第一DIW供給閥112設置於第一DIW配管83上,並在向第一直通式混合器72 供給DIW時被控制開閉。
另外,在本實施方式的藥液供給裝置100中,壓力計76(相當於稀釋水內側壓力計的一個例子)設置於CLC111的內側。具體而言,在第2圖的例子中,壓力計76設置於DIW壓力調節器77與CLC 111之間。該壓力計76測定流入CLC 111的DIW的壓力。
在第一藥液CLC箱120的CLC 121連接有與第一直通式混合器72進行流體連通的第一藥液配管93。第一藥液供給閥122設置於第一藥液配管93上,並在向第一直通式混合器72供給第一藥液時被控制開閉。另外,在第一直通式混合器72連接有一端與藥液清洗部220連接的第一清洗藥液配管96。在第一直通式混合器72的外側(二次側)設置有壓力計74(相當於外側壓力計的一個例子)。來自DIWCLC箱110的CLC 111的DIW與來自第一藥液CLC箱120的CLC 121的第一藥液在合流部78合流,因此CLC 111的外側(二次側)的壓力與CLC 121的外側的壓力相同。因此,該壓力計74能夠測定CLC 111以及CLC 121的外側的壓力。換言之,壓力計74測定從CLC 111以及CLC 121流出的液體的壓力。
DIWCLC箱110的CLC111以及第一藥液CLC箱120的CLC 121構成為:能夠從未圖示的控制裝置接收表示規定的流量值的信號。基於該流量值控制CLC 111以及CLC 121的內部控制閥的開度。
接下來,說明在第2圖所示的藥液供給裝置 100中將第一清洗藥液向藥液清洗部220供給的藥液供給步驟。在將第一清洗藥液向藥液清洗部220供給時,首先,打開藥液實用箱50的第一藥液入口閥51,並且打開手動閥53。通過第一藥液CLC箱120的CLC 121測量第一藥液的流量,並基於該測量值控制流量。從第一藥液供給源20經由CLC 121以及合流部78向第一直通式混合器72供給規定流量的第一藥液。
若打開DIW供給配管81上的DIW供給閥86,則將DIW從DIW供給源10向DIWCLC箱110的CLC 111供給。CLC 111測量DIW的流量,並基於該測量值控制流量。通過打開第一DIW供給閥112,從而從DIWCLC箱110經由合流部78向第一直通式混合器72供給DIW。第一藥液與DIW在第一直通式混合器72中混合。由此生成的第一清洗藥液經由第一清洗藥液配管96向藥液清洗部220供給。
在向藥液清洗部220供給第一清洗藥液時,壓力計76、壓力計52以及壓力計74分別測定CLC 111的內側的壓力、CLC 121的內側的壓力以及CLC 111和CLC 121的外側的壓力。由此能夠獲得CLC 111的內側壓力與外側壓力的差壓、以及CLC 121的內側壓力與外側壓力的差壓。
如上述的那樣,通過CLC 111、121可控制的流量範圍基於在內部具備的流量計的構造設定。然而,CLC 111、121實際能夠向清洗裝置200供給的液體的流 量,因CLC 111、121的內側壓力與外側壓力的差壓而變化。即,CLC 111、121的可控制的流量範圍是差壓足夠大時最大的流量範圍,在差壓不足的情況下,只能向清洗裝置200供給比最大流量少的流量。
在現有的藥液供給裝置中,在伴隨步驟方法的變更等而變更CLC時,基於可控制的流量範圍選擇出CLC。因此在CLC的內側壓力與外側壓力的差壓足夠大時,能夠通過所選擇的CLC將預期的流量的清洗藥液向清洗裝置供給。然而,如上述的那樣,在差壓不足時,即便選擇具有適當的流量範圍的CLC,也無法將預期的流量的清洗藥液向清洗裝置供給。作為CLC無法供給預期的流量的原因,考慮也可能是CLC發生故障。因此在無法供給預期的流量的情況下,無法判斷是CLC發生故障還是差壓不足。
與此相對,在本實施方式中,如第2圖所示,能夠獲得CLC 111的內側壓力與外側壓力的差壓以及CLC 121的內側壓力與外側壓力的差壓。由此,假設在CLC 111或者CLC 121無法供給預期的流量的情況下,工作人員通過監視該差壓,從而能夠把握CLC 111或CLC 121是發生故障還是差壓不足。
另外,通過預先取得CLC 111的內側壓力與外側壓力的差壓以及CLC 121的內側壓力與外側壓力的差壓,由此在伴隨步驟方法的變更等而變更CLC 111或者CLC 121時,能夠容易地選擇適當的CLC。具體而言,在 可控制的流量範圍不同的各種CLC中,可以根據在當前時刻實現的差壓來選擇能夠供給預期的流量的CLC。另外,CLC作為其特性具有差壓與可控制的流量範圍的關係,該關係是預先得到的。
在本實施方式中,壓力計74設置於第一直通式混合器72的二次側,但不限定於此,只要是能夠測定CLC 111或者CLC 121的外側的壓力的位置,則可以設置於任何位置。例如,壓力計74可以設置於DIWCLC箱110的外側或者第一藥液CLC箱120的外側等。
<第二實施方式>
第3圖是表示第二實施方式的藥液供給裝置的簡略前視圖。本實施方式的藥液供給裝置與第一實施方式所示的藥液供給裝置相比較,不同點在於使用兩種藥液。即,本實施方式的藥液供給裝置構成為:能夠將例如作為鹼性藥液的第一藥液與例如作為酸性藥液的第二藥液向清洗裝置供給。因此第二實施方式的藥液供給裝置100除了具有第1圖所示的藥液供給裝置100的結構以外,還具有第二藥液CLC箱130。第二藥液CLC箱130控制第二藥液的供給。另外,藥液供給裝置100具備藥液實用箱60,用於將來自第二藥液供給源30(參照第4圖)的第二藥液導入藥液供給裝置100。
第4圖是第二實施方式的藥液供給裝置100的藥液供給流程圖。如圖示般,第二實施方式的藥液供給裝置100除了具備第一實施方式的藥液供給裝置100的結 構以外,還具備供給第二藥液的機構。具體而言,第二實施方式的藥液供給裝置100構成為:經由配管與用於供給第二藥液的第二藥液供給源30進行流體連通,並將稀釋後的第二藥液(第二清洗藥液)向清洗裝置200供給。
藥液供給裝置100具備第二直通式混合器73、以及第二藥液CLC箱130。第二直通式混合器73將第二藥液與DIW混合而生成第二清洗藥液。第二藥液CLC箱130控制從第二藥液供給源30向第二直通式混合器73供給的第二藥液的流量。
DIWCLC箱110具有第二DIW供給閥113。第二DIW供給閥113切換從CLC 111向第二直通式混合器73供給DIW的接通、斷開。CLC 111測定向第一直通式混合器72或者第二直通式混合器73供給的DIW的流量,並基於該測定值控制流量。
DIWCLC箱110通過關閉第二DIW供給閥113並打開第一DIW供給閥112,由此將DIW向第一直通式混合器72供給。另一方面,DIWCLC箱110通過關閉第一DIW供給閥112並打開第二DIW供給閥113,由此將DIW向第二直通式混合器73供給。
第二藥液CLC箱130具有第二藥液供給閥132、以及CLC 131(相當於藥液流量控制裝置的一個例子)。第二藥液供給閥132切換從CLC 131向第二直通式混合器73供給第二藥液的接通、斷開。CLC 131測量向第二直通式混合器73供給的第二藥液的流量,並基於該測量值控 制流量。具體而言,CLC 131基於測量出的第二藥液的流量來調節CLC 131內部的控制閥的開度(回饋控制),以使在CLC 131內流動的第二藥液的流量成為預期的流量。
另外,藥液供給裝置100具備藥液實用箱60。藥液實用箱60將來自第二藥液供給源30的第二藥液導入第二藥液CLC箱130的CLC 131。藥液實用箱60設置於將第二藥液供給源30與第二藥液CLC箱130的CLC 131連接的配管92上。藥液實用箱60具備:手動閥63;第二藥液入口閥61,其切換向CLC 131供給第二藥液的接通、斷開;以及壓力計62(相當於藥液內側壓力計的一個例子),其測量配管92內的流體壓力。第二藥液入口閥61例如由未圖示的控制裝置控制開閉。配管92與第二藥液CLC箱130的CLC 131連接,因此壓力計62構成為測定CLC 131的內側(第一側)的壓力。換言之,壓力計62測定流入CLC 131的第二藥液的壓力。
在DIWCLC箱110的CLC 111連接有與第二直通式混合器73進行流體連通的第二DIW配管84。在CLC 111連接有第二DIW配管84的一端。第二DIW配管84的另一端在合流部79處與後述的第二藥液配管94連接,並與第二直通式混合器73進行流體連通。另外如圖示那樣,合流部79是來自CLC 111的DIW與來自CLC 131的第二藥液進行合流的點。第二DIW供給閥113設置於第二DIW配管84上,並在向第二直通式混合器73供給DIW的情況下被控制開閉。
在第二藥液CLC箱130的CLC 131連接有與第二直通式混合器73進行流體連通的第二藥液配管94。第二藥液供給閥132設置於第二藥液配管94上,並在向第二直通式混合器73供給第二藥液的情況下被控制開閉。在第二直通式混合器73連接有一端與藥液清洗部220連接的第二清洗藥液配管97。在第二直通式混合器73的外側(二次側)設置有壓力計75(相當於外側壓力計的一個例子)。來自DIWCLC箱110的CLC 111的DIW與來自第二藥液CLC箱130的CLC 131的第二藥液在合流部79合流,因此CLC 111的外側(二次側)的壓力與CLC 131的外側的壓力相同。因此,該壓力計75能夠測定CLC 111以及CLC 131的外側(二次側)的壓力。換言之,壓力計75測定從CLC 111以及CLC 131流出的液體的壓力。
第二藥液CLC箱130的CLC 131構成為:能夠從未圖示的控制裝置接收表示規定的流量值的信號。基於該流量值控制CLC 131的內部控制閥的開度。
接下來,說明將第4圖所示的藥液供給裝置100中的第一清洗藥液以及第二清洗藥液向藥液清洗部220供給的藥液供給步驟。在將第一清洗藥液向清洗裝置200的藥液清洗部220供給時,首先,打開藥液實用箱50的第一藥液入口閥51,並且打開手動閥53。通過第一藥液CLC箱120的CLC 121來調節第一藥液的流量,從第一藥液供給源20向第一直通式混合器72供給規定流量的第一藥液。
若打開DIW供給配管81上的DIW供給閥86,則將DIW從DIW供給源10向DIWCLC箱110的CLC 111供給。通過打開第一DIW供給閥112,從而從DIWCLC箱110向第一直通式混合器72供給DIW。此時,預先關閉第二DIW供給閥113。
供給至第一直通式混合器72的第一藥液與DIW混合。由此生成的第一清洗藥液經由第一清洗藥液配管96向藥液清洗部220供給。在第一清洗藥液向藥液清洗部220供給期間,停止第二藥液向第二直通式混合器73的供給。具體而言,第二藥液CLC箱130的第二藥液供給閥132被關閉。由此不向藥液清洗部220供給第二清洗藥液,僅供給第一清洗藥液。
在向藥液清洗部220供給第一清洗藥液時,壓力計76、壓力計52以及壓力計74分別測定CLC 111的內側的壓力、CLC 121的內側的壓力以及CLC 111和CLC 121的外側的壓力。由此能夠獲得CLC 111的內側壓力與外側壓力的差壓、以及CLC 121的內側壓力與外側壓力的差壓。
在將第二清洗藥液向清洗裝置200的藥液清洗部220供給時,首先,打開藥液實用箱60的第二藥液入口閥61,並打開手動閥63。通過第二藥液CLC箱130的CLC 131來調節第二藥液的流量,從而從第二藥液供給源30向第二直通式混合器73供給規定流量的第二藥液。
若打開DIW供給配管81上的DIW供給閥 86,則將DIW從DIW供給源10向DIWCLC箱110的CLC 111供給。通過打開第二DIW供給閥113,從而從DIWCLC箱110向第二直通式混合器73供給DIW。此時,預先關閉第一DIW供給閥112。
第二藥液與DIW在第二直通式混合器73混合。由此生成的第二清洗藥液經由第二清洗藥液配管97向藥液清洗部220供給。在第二清洗藥液向藥液清洗部220供給期間,停止第一藥液向第一直通式混合器72的供給。具體而言,第一藥液CLC箱120的第一藥液供給閥122被關閉。由此不向藥液清洗部220供給第一清洗藥液,僅供給第二清洗藥液。
在向藥液清洗部220供給第二清洗藥液時,壓力計76、壓力計62以及壓力計75分別測定CLC 111的內側的壓力、CLC 131的內側的壓力以及CLC 111和CLC 131的外側的壓力。由此,能夠獲得CLC 111的內側壓力與外側壓力的差壓、以及CLC 131的內側壓力與外側壓力的差壓。
如上述那樣,在如第二實施方式那樣使用多個藥液的藥液供給裝置100中,也能夠分別獲得CLC 111、121、131的內側壓力與外側壓力的差壓。因此工作人員通過監視CLC 111、121、131的內側壓力與外側壓力的差壓,從而與第一實施方式同樣,能夠把握CLC 111、121、131是發生故障還是差壓不足。另外,通過預先取得CLC 111、121、131的內側壓力與外側壓力的差壓,在伴隨步驟 方法的變更而變更CLC 111、121、131的任一個時,能夠容易地選擇適當的CLC。
以上,對本發明的實施方式進行了說明,但上述本發明的實施方式是為了容易理解本發明,而不是對本發明進行限定。本發明不脫離其主旨能夠進行變更、改進,並且當然在本發明中包含其等價物。另外,在能夠解決上述課題的至少一部分的範圍內或者發揮效果的至少一部分的範圍內,能夠將權利要求書以及說明書記載的各構成要素任意地組合或者省略。
以下記載本說明書公開的幾個方式。
根據第一方式,提供用於將來自液體源的液體向清洗裝置供給的液體供給裝置。該液體供給裝置具有:流量控制裝置,其測量來自前述液體源的液體的流量,並基於測量值控制流量;內側壓力計,其設置在前述液體源與前述流量控制裝置之間;以及外側壓力計,其設置在前述流量控制裝置與前述清洗裝置之間。
根據第一方式,能夠獲得流量控制裝置的內側的壓力與外側的壓力的差壓。由此假設在流量控制裝置無法供給預期的流量的情況下,工作人員通過監視該差壓,能夠把握流量控制裝置是發生故障還是差壓不足。另外,在伴隨步驟方法的變更而變更流量控制裝置時,能夠容易地選擇適當的流量控制裝置。
根據第二方式,在第一方式的液體供給裝置中,前述液體源具有:稀釋水供給源和藥液供給源,前 述流量控制裝置具有:稀釋水流量控制裝置,其測量來自前述稀釋水供給源的稀釋水的流量,並基於測量值控制流量;以及藥液流量控制裝置,其測量來自前述藥液供給源的藥液的流量,並基於測量值控制流量;前述液體供給裝置還具有合流部,該合流部將來自前述稀釋水流量控制裝置的前述稀釋水和來自前述藥液流量控制裝置的前述藥液合流;前述內側壓力計具有設置在前述藥液供給源與前述藥液流量控制裝置之間的藥液內側壓力計,前述外側壓力計設置在前述藥液流量控制裝置與前述清洗裝置之間或者前述稀釋水流量控制裝置與前述清洗裝置之間。
根據第二方式,通過藥液內側壓力計能夠測定藥液流量控制裝置的內側壓力。另外,來自稀釋水流量控制裝置的稀釋水與來自藥液流量控制裝置的藥液在合流部合流,因此從稀釋水流量控制裝置流出的稀釋水的壓力與從藥液流量控制裝置流出的藥液的壓力相同。因此,通過將外側壓力計設置於藥液流量控制裝置或者稀釋水流量控制裝置與清洗裝置之間,從而能夠測定藥液流量控制裝置的外側壓力。由此能夠取得藥液流量控制裝置的內側壓力與外側壓力的差壓。
根據第三方式,在第二方式的液體供給裝置中,前述內側壓力計還具有設置在前述稀釋水供給源與前述稀釋水流量控制裝置之間的稀釋水內側壓力計。
根據第三方式,能夠測定稀釋水流量控制裝置的內側壓力。由於稀釋水流量控制裝置的外側壓力能 夠通過外側壓力計來測定,因此能夠獲得稀釋水流量控制裝置的內側壓力與外側壓力的差壓。
根據第四方式,提供一種液體供給方法,用於在液體供給裝置中將來自液體源的液體向清洗裝置供給,前述液體供給裝置具備測量來自前述液體源的流量並基於測量值控制流量的流量控制裝置。該方法具有以下步驟:流量控制步驟,測量來自前述液體源的流量,並基於測量值控制流量;第一測定步驟,測定流入前述流量控制裝置的液體的壓力;以及第二測定步驟,測定從前述流量控制裝置流出的液體的壓力。
根據第四方式,能夠獲得流量控制裝置的內側的壓力與外側的壓力的差壓。由此,在假設流量控制裝置無法供給預期的流量的情況下,工作人員通過監視該差壓,能夠把握流量控制裝置是發生故障還是差壓不足。另外,在伴隨步驟方法的變更而變更流量控制裝置時,能夠容易地選擇適當的流量控制裝置。
根據第五方式,在第四方式的液體供給方法中,前述流量控制裝置具有:稀釋水流量控制裝置,其測量來自稀釋水供給源的稀釋水的流量,並基於測量值控制流量;以及藥液流量控制裝置,其測量來自藥液供給源的藥液的流量,並基於測量值控制流量;前述流量控制步驟具有以下步驟:稀釋水流量控制步驟,測量來自前述稀釋水供給源的前述稀釋水的流量,並基於測量值控制流量;以及藥液流量控制步驟,測量來自前述藥液供給源的前述 藥液的流量,並基於測量值控制流量;前述液體供給方法還具有使流量被控制的前述稀釋水與流量被控制的前述藥液合流的步驟,前述第一測定步驟具有對流入前述藥液流量控制裝置的藥液的壓力進行測定的步驟,前述第二測定步驟具有對從前述藥液流量控制裝置流出的藥液、從前述稀釋水流量控制裝置流出的稀釋水、以及前述藥液與前述稀釋水的混合液的任一個的壓力進行測定的步驟。
根據第五方式,能夠測定藥液流量控制裝置的內側壓力。另外,由於稀釋水與藥液合流,因此從稀釋水流量控制裝置流出的稀釋水的壓力與從藥液流量控制裝置流出的藥液的壓力相同。因此,通過測定從藥液流量控制裝置流出的藥液、從稀釋水流量控制裝置流出的稀釋水以及藥液與稀釋水的混合液中的任一個的壓力,就能夠測定藥液流量控制裝置的外側壓力。由此能夠取得藥液流量控制裝置的內側壓力與外側壓力的差壓。
根據第六方式,在第五方式的液體供給方法中,前述第一測定步驟具有對流入前述稀釋水流量控制裝置的前述稀釋水的壓力進行測定的步驟。
根據第六方式,能夠測定稀釋水流量控制裝置的內側壓力。稀釋水流量控制裝置的外側壓力在第二測定步驟中測定,因此能夠獲得稀釋水流量控制裝置的內側壓力與外側壓力的差壓。
10:DIW供給源
20:第一藥液供給源
50:藥液實用箱
51:第一藥液入口閥
52:壓力計
53:手動閥
72:第一直通式混合器
74:壓力計
76:壓力計
77:DIW壓力調節器
78:合流部
81:DIW供給配管
82:DIW分支配管
83:第一DIW配管
86:DIW供給閥86
87:DIW調壓器
88:DIW壓力計
91:配管
93:第一藥液配管
96:第一清洗藥液配管
100:藥液供給裝置
110:DIWCLC箱
111:CLC
112:第一DIW供給閥
120:第一藥液CLC箱
121:CLC
122:第一藥液供給閥
200:清洗裝置
210:DIW清洗部
220:藥液清洗部
230:清洗槽

Claims (7)

  1. 一種液體供給裝置,用於將來自第一液體源的液體與第二液體源的液體混合而生成混合液體,前述液體供給裝置具有:流量控制裝置,係測量來自前述第一液體源的液體的流量,並基於測量值控制流量;內側壓力計,係設置在前述第一液體源與前述流量控制裝置之間;以及外側壓力計,係設置在前述流量控制裝置的下游側;且在前述外側壓力計與前述流量控制裝置之間設有合流部,前述合流部係來自前述第二液體源的液體與來自前述第一液體源的液體進行合流的點,並且在前述合流點混合之前述混合液體係被供給至前述外側壓力計;前述液體供給裝置係具有藥液供給閥,前述藥液供給閥係可在前述液體供給裝置的運作中切換從前述第一液體源向前述合流部供給前述液體的接通、斷開;前述流量控制裝置係構成為能夠以根據差壓所得之流量範圍,而控制來自前述第一液體源的液體的供給量,前述差壓係預先取得之前述內側壓力計所測定之壓力與前述外側壓力計所測定之壓力的壓力差。
  2. 如請求項1所述之液體供給裝置,更具有第一藥液CLC箱; 前述流量控制裝置係收容於前述第一藥液CLC箱的內部。
  3. 如請求項1或2所述之液體供給裝置,更具有藥液實用箱,前述內側壓力計係收容於前述藥液實用箱的內部。
  4. 如請求項3所述之液體供給裝置,其中,前述外側壓力計係設於前述藥液實用箱的外部。
  5. 如請求項1或2所述之液體供給裝置,係構成為向洗淨基板之洗淨裝置供給前述混合液體。
  6. 一種液體供給裝置,係具有:外殼;DIWCLC箱,係收容於前述外殼,且藉由收容於前述DIWCLC箱的內部之流量控制裝置,來控制從DIW供給源經由測定DIW的壓力之內側壓力計而供給來之DIW的流量,並同時向連接於吐出側之第一配管供給;第一藥液CLC箱,係收容於前述外殼,且控制從第一藥液供給源供給之第一藥液的流量,並同時向第二配管供給;合流部,係收容於前述外殼,供前述第一配管及前述第二配管進行合流;外側壓力計,係收容於前述外殼,測定在前述合流部由前述DIW與前述第一藥液混合而生成之混合液體的壓力;第三配管,係收容於前述外殼,將通過前述外側壓 力計之前述混合液體排出至前述外殼外;前述DIWCLC箱係構成為具有DIW供給閥,前述DIW供給閥係可在前述液體供給裝置的運作中切換從前述DIW供給源向前述合流部供給前述DIW的接通、斷開,且以根據差壓所得之流量範圍,而控制前述DIW的流量,前述差壓係預先取得之前述內側壓力計所測定之壓力與前述外側壓力計所測定之壓力的壓力差。
  7. 一種液體供給裝置,係具有:藥液實用箱,係具備測定從藥液供給源供給來之藥液的壓力之內側壓力計;藥液CLC箱,係連接於前述藥液實用箱的下游側,且具備控制前述藥液的流量之第一流量控制裝置;藥液吐出配管,係連接於前述藥液CLC箱的下游側;DIWCLC箱,係具備控制從DIW供給源供給來之DIW的流量之第二流量控制裝置;DIW吐出配管,係連接於前述DIWCLC箱的下游側;合流部,係供前述藥液吐出配管與前述DIW吐出配管合流;外側壓力計,係測定在前述合流部由前述DIW與前述藥液混合而生成之混合液體的壓力;吐出配管,係連接於前述外側壓力計;前述藥液CLC箱係構成為具有藥液供給閥,前述 藥液供給閥係可在前述液體供給裝置的運作中切換從前述藥液供給源向前述合流部供給前述藥液的接通、斷開,且以根據差壓所得之流量範圍,而控制前述藥液的流量,前述差壓係預先取得之前述內側壓力計所測定之壓力與前述外側壓力計所測定之壓力的壓力差。
TW111108004A 2017-04-03 2018-03-28 液體供給裝置及液體供給方法 TWI781890B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017073791A JP6486986B2 (ja) 2017-04-03 2017-04-03 液体供給装置及び液体供給方法
JP2017-073791 2017-04-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202226424A TW202226424A (zh) 2022-07-01
TWI781890B true TWI781890B (zh) 2022-10-21

Family

ID=63672448

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107110701A TWI760466B (zh) 2017-04-03 2018-03-28 液體供給裝置及液體供給方法
TW111108004A TWI781890B (zh) 2017-04-03 2018-03-28 液體供給裝置及液體供給方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107110701A TWI760466B (zh) 2017-04-03 2018-03-28 液體供給裝置及液體供給方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10343192B2 (zh)
JP (1) JP6486986B2 (zh)
KR (2) KR102513025B1 (zh)
CN (1) CN108695203A (zh)
SG (1) SG10201802767VA (zh)
TW (2) TWI760466B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7326003B2 (ja) * 2019-04-09 2023-08-15 株式会社荏原製作所 液体供給装置、洗浄ユニット、基板処理装置
AT526426B1 (de) * 2023-01-26 2024-03-15 Siconnex Customized Solutions Gmbh Behandlungsvorrichtung und Verfahren zur Behandlung von Halbleiterobjekten

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009141332A (ja) * 2007-12-06 2009-06-25 Semes Co Ltd オゾン水混合液供給装置及び方法、並びにこれを具備する基板処理装置
JP2016015469A (ja) * 2014-06-09 2016-01-28 株式会社荏原製作所 洗浄薬液供給装置、洗浄薬液供給方法、及び洗浄ユニット

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5331364A (en) 1992-07-20 1994-07-19 Thatcher Chemical Company Apparatus for diluting and mixing chemicals and automatically feeding the diluted chemicals to a photographic processor on demand
US5950645A (en) * 1993-10-20 1999-09-14 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US6152162A (en) * 1998-10-08 2000-11-28 Mott Metallurgical Corporation Fluid flow controlling
US6280300B1 (en) * 1998-11-25 2001-08-28 Ebara Corporation Filter apparatus
JP4127346B2 (ja) 1999-08-20 2008-07-30 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置及び方法
TW541230B (en) * 2000-10-06 2003-07-11 Ebara Corp Method for supplying slurry to polishing apparatus
US7216656B2 (en) * 2000-12-28 2007-05-15 Yoshiharu Yamamoto Semiconductor substrate cleansing apparatus
US6767877B2 (en) * 2001-04-06 2004-07-27 Akrion, Llc Method and system for chemical injection in silicon wafer processing
CN1602538A (zh) 2001-11-13 2005-03-30 Fsi国际公司 用于浸渍处理的高级处理控制
JP2004111668A (ja) 2002-09-19 2004-04-08 Citizen Watch Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP4406292B2 (ja) * 2004-01-20 2010-01-27 株式会社フジキン 流体通路のウォータハンマーレス開放方法及びこれを用いたウォータハンマーレス開放装置
US20060188412A1 (en) * 2005-02-24 2006-08-24 Dainippon Screen Mfg.Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method
JP2007141926A (ja) 2005-11-15 2007-06-07 Sony Corp 基板処理装置および基板処理方法
US7849505B2 (en) 2006-08-17 2010-12-07 At&T Intellectual Property I, Lp System and method of selecting a virtual private network access server
JP2008078322A (ja) * 2006-09-20 2008-04-03 Sony Corp 半導体ウェーハの処理方法及び処理装置
JP5079401B2 (ja) * 2007-06-25 2012-11-21 サーパス工業株式会社 圧力センサ、差圧式流量計及び流量コントローラ
JP5236231B2 (ja) 2007-08-29 2013-07-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5043696B2 (ja) 2008-01-21 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 処理液混合装置、基板処理装置および処理液混合方法並びに記憶媒体
JP5379621B2 (ja) 2009-09-17 2013-12-25 大日本スクリーン製造株式会社 検査レシピ自動生成装置、ならびに検査レシピ自動生成プログラムおよびそれを記録した記録媒体
JP5646956B2 (ja) 2010-11-04 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 液体流量制御装置、液体流量制御方法および記憶媒体
JP6005334B2 (ja) 2010-12-24 2016-10-12 株式会社堀場エステック 材料ガス制御システム
WO2012099895A1 (en) * 2011-01-18 2012-07-26 Flow Control Industries, Inc. Pressure compensated flow rate controller with btu meter
CN103502902B (zh) * 2011-05-10 2015-12-02 株式会社富士金 带有流量监测器的压力式流量控制装置、使用该装置的流体供给系统的异常检测方法及监测流量异常时的处置方法
JP2013138062A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Jet Co Ltd 薬液混合装置
JP6212253B2 (ja) 2012-11-15 2017-10-11 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP6378555B2 (ja) * 2014-06-26 2018-08-22 株式会社荏原製作所 洗浄ユニット
US10340159B2 (en) * 2014-06-09 2019-07-02 Ebara Corporation Cleaning chemical supplying device, cleaning chemical supplying method, and cleaning unit
CN106688082B (zh) * 2014-09-16 2019-08-30 奥加诺株式会社 稀释液制造方法以及稀释液制造装置
CN107799436B (zh) * 2016-08-29 2023-07-07 株式会社荏原制作所 基板处理装置及基板处理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009141332A (ja) * 2007-12-06 2009-06-25 Semes Co Ltd オゾン水混合液供給装置及び方法、並びにこれを具備する基板処理装置
JP2016015469A (ja) * 2014-06-09 2016-01-28 株式会社荏原製作所 洗浄薬液供給装置、洗浄薬液供給方法、及び洗浄ユニット

Also Published As

Publication number Publication date
US20180281026A1 (en) 2018-10-04
TWI760466B (zh) 2022-04-11
TW201842563A (zh) 2018-12-01
JP2018181883A (ja) 2018-11-15
TW202226424A (zh) 2022-07-01
US10343192B2 (en) 2019-07-09
KR20230047971A (ko) 2023-04-10
CN108695203A (zh) 2018-10-23
KR20180112705A (ko) 2018-10-12
US20190270125A1 (en) 2019-09-05
US10926301B2 (en) 2021-02-23
JP6486986B2 (ja) 2019-03-20
KR102555758B1 (ko) 2023-07-17
KR102513025B1 (ko) 2023-03-22
SG10201802767VA (en) 2018-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102555758B1 (ko) 액체 공급장치 및 액체 공급 방법
US7344298B2 (en) Method and apparatus for blending process materials
US10814455B2 (en) Slurry feed system and method of providing slurry to chemical mechanical planarization station
KR101751626B1 (ko) 유량 조정 기구, 희석 약액 공급 기구, 액처리 장치 및 그 운용 방법
JP2020514012A (ja) アンモニアガスをその中に溶解した脱イオン水を含む導電性液体を生成するためのシステム及び方法
JP6339954B2 (ja) 洗浄薬液供給装置、洗浄薬液供給方法、及び洗浄ユニット
US10340159B2 (en) Cleaning chemical supplying device, cleaning chemical supplying method, and cleaning unit
WO2020209064A1 (ja) 液体供給装置、洗浄ユニット、基板処理装置
JP6378555B2 (ja) 洗浄ユニット
KR101057704B1 (ko) 처리액의 제조 장치, 제조 방법 및 기판의 처리 장치
TW201832822A (zh) 用以控制於一基板配發的液體之溫度的使用點混合系統及方法
JP6654720B2 (ja) 液体供給装置及び液体供給方法
KR20220077077A (ko) 세정 약액 공급 장치 및 세정 약액 공급 방법
JP3801325B2 (ja) 研磨装置及び半導体ウエハの研磨方法
US20230249145A1 (en) Chemical supply apparatus, cleaning system, and chemical supply method
JP7393143B2 (ja) 液処理装置および流量検出部の校正方法
JP2007175690A (ja) 流体混合装置
CN115579310A (zh) 一种化学供应系统及其净化方法
TW201603951A (zh) 清洗藥液供給裝置、清洗藥液供給方法及清洗單元
JP2009114663A (ja) 漏水検知装置
KR20090120906A (ko) 밸브 일체형의 유량 측정 장치

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent