TWI781110B - 利用含鎢黏著層以致能鈷互連之用以增進互連可靠度性能的微電子裝置和方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之實施例包括微電子裝置，其包括：具有包括帶有凹部之特徵的介電材料層的基板；形成於特徵之凹部中的含鎢障壁襯墊層；及沈積於特徵之凹部中的含鎢障壁襯墊層上之鈷導電層。含鎢障壁襯墊層提供用於鈷導電層之黏著。
Description
本發明之實施例大致關於半導體裝置之製造。具體言之，本發明之實施例關於利用含鎢(W)黏著層以致能鈷(Co)互連之用以增進互連可靠度性能的微電子裝置和方法。
目前最佳技術的半導體材料為銅(Cu)。隨著裝置尺寸縮小，電阻率增加及電遷徙性能問題導致Cu金屬線較不受歡迎。
102‧‧‧操作
104‧‧‧操作
106‧‧‧操作
108‧‧‧操作
200‧‧‧裝置
202‧‧‧基板
206‧‧‧互連結構
210‧‧‧裝置
212‧‧‧裝置
214‧‧‧裝置
220‧‧‧金屬線路
222‧‧‧金屬線路
224‧‧‧金屬線路
230‧‧‧含鎢障壁襯墊層
232‧‧‧含鎢障壁襯墊層
234‧‧‧含鎢障壁襯墊層
250‧‧‧孔洞
252‧‧‧孔洞
254‧‧‧孔洞
260‧‧‧金屬線路
262‧‧‧金屬線路
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280‧‧‧介電層
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531‧‧‧金屬層
541‧‧‧孔洞
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592‧‧‧介電層
593‧‧‧介電層
600‧‧‧互連結構
631‧‧‧金屬層
641‧‧‧孔洞
651‧‧‧含鎢障壁襯墊層
661‧‧‧鈷金屬層
692‧‧‧介電層
693‧‧‧介電層
900‧‧‧計算裝置
902‧‧‧基板
904‧‧‧處理器
906‧‧‧通訊晶片
910‧‧‧動態隨機存取記憶體
911‧‧‧動態隨機存取記憶體
912‧‧‧唯讀記憶體
914‧‧‧晶片組
915‧‧‧功率放大器
916‧‧‧圖形處理器
920‧‧‧天線單元
922‧‧‧觸碰螢幕控制器
924‧‧‧羅盤
926‧‧‧全球定位系統(GPS)裝置
928‧‧‧揚聲器
930‧‧‧觸碰螢幕顯示器
932‧‧‧電池
940‧‧‧裝置
950‧‧‧相機
第1圖顯示依照一個實施例，利用含鎢(W)黏著層以致能微電子裝置之電晶體裝置(例如，積體電路晶 片)的鈷(Co)互連，以增進互連可靠度性能的過程。
第2圖顯示依照一個實施例之微電子裝置的電性互連結構，互連結構包括含W之障壁襯墊層。
第3圖顯示具有傳統TiN襯墊之互連結構500的剖面圖。
第4圖顯示依照一個實施例之具有含W襯墊的互連結構600之剖面圖。
第5圖顯示依照一個實施例之計算裝置900。
此處所述的是微電子裝置，其被設計以利用含鎢(W)黏著層以致能鈷(Co)互連來增進互連可靠度性能。於以下說明中，例示實現之各種態樣將使用所屬技術領域中具有通常知識者所通常使用的用語而被描述以將其工作的本質傳達至所屬技術領域中的其他人。然而，對於所屬技術領域中具有通常知識者將顯而易見的是，本發明之實施例可利用僅一些所描述的態樣而被實行。為了說明的目的，特定數量、材料與組態被提出以提供例示實現的完整了解。然而，對於所屬技術領域中具有通常知識者將顯而易見的是，本發明之實施例可再沒有特定細節的情況下被實行。於其他範例中，已知的特徵被省略或簡化以避免模糊例示實現。
各種操作將被描述(以最有助於本發明之實施例了解的方式)為多個離散操作，描述的順序不應被解釋 以暗示這些操作為必要地順序相關。具體言之，這些操作不需要被以所示次序來執行。
於積體電路(IC)晶片中的電子裝置(例如，電晶體)之間的電子連接目前被典型地使用銅金屬或銅金屬的合金來建立。於IC晶片中之裝置可被置於不只越過IC晶片的表面，且裝置亦可被堆疊於IC晶片上之複數個層中。在組成IC晶片的電子裝置之間的電性互連係使用以導電材料填充之孔洞與溝渠而被建立。絕緣材料(通常地，低k介電材料)之層分隔在IC晶片中之各種組件與裝置。基板(其上建有IC電路晶片之裝置)為例如矽晶圓或絕緣體上矽基板。矽晶圓為典型使用於半導體處理產業中之基板，雖然本發明之實施例不依靠所使用的基板類型。基板亦可包含鍺、銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、砷化鎵、銻化鎵、及/或其他III-V族材料，無論單獨或結合矽或二氧化矽或其他絕緣材料。組成晶片之IC裝置被建於基板表面上。
至少一介電層被沈積於基板上。介電材料包括(但不限於)二氧化矽(SiO2)、低k介電質、氮化矽、及/或氮氧化矽。介電層選項地包括小孔或其他空孔以進一步減少其介電常數。典型地，低k膜被考量為具有介電常數小於SiO2(其具有約4.0的介電常數)的任何膜。具有約1至約4.0的介電常數之低k膜為目前半導體製程的典型。積體電路裝置結構之生產亦通常包括置放二氧化矽膜或層、或在低k(低介電常數)ILD(層間介電質)膜之表面上蓋層。低k 膜可為例如硼、磷、或摻碳氧化矽。摻碳氧化矽亦可被稱為摻碳氧化物(CDO)及有機矽玻璃(OSG)。
要形成電性互連，介電層被圖案化以建立一或多個溝渠及/或孔洞(於其中，金屬互連將被形成)。用語溝渠與孔洞被使用於此，因為其為通常關聯於被使用以形成金屬互連之特徵的用語。通常，被使用以形成金屬互連之特徵為具有被形成於基板中或被沈積於基板上之層的任何形狀之凹部。特徵被以導電互連材料充填。溝渠及/或孔洞可使用傳統濕式或乾式蝕刻半導體處理技術而被圖案化(建立)。介電材料被使用以將金屬互連電性地隔離周圍組件。障壁襯墊層被使用於金屬互連與介電材料之間以避免金屬(例如銅)遷徙至周圍材料內。裝置失敗會發生於例如銅金屬接觸介電材料的情況中，因為銅金屬可離子化及穿透至介電材料內。被置於介電材料、矽、及/或其他材料及銅互連之間的障壁層亦可作用以提昇銅至其他材料的黏著。
由於Cu互連在縮小裝置尺寸之問題(例如，20-70奈米之最小線寬)，本設計將鈷(Co)互連結合至微電子裝置內以提供較低電阻率(相較於銅)及在有關裝置尺寸之改良的電遷徙性能(相較於銅)。為了將鈷結合至半導體裝置內，需要黏著層(襯墊)以避免在襯墊至Co(liner-to-Co)介面處之空孔形成。於半導體裝置中之空孔導致高電阻失敗(開路(open circuit))、及電遷徙失敗(短裝置壽命)。藉由增進Co之黏著至裝置及藉由限制在線路之間的 金屬擴散兩者，襯墊可減少空孔。
本設計使用含鎢(W)或氮化鎢(WN)襯墊以致能在半導體裝置中的襯墊與Co之間的黏著以用於增進的黏著及對於在線路之間的金屬擴散之保護兩者。襯墊之沈積可使用原子層沈積(ALD)、化學氣相沈積(CVD)或物理氣相沈積(PVD)而被完成。使用W/WN致能薄襯墊(例如，1-25埃)被使用以符合孔洞/線路(via/line)電阻目標。ALD/CVD的使用致能本設計以提供高縱橫比(aspect ratio)結構。
第1圖顯示依照一個實施例，利用含鎢(W)黏著層以致能微電子裝置之電晶體裝置(例如，積體電路晶片)的鈷(Co)互連，以增進互連可靠度性能的過程。於第1圖中，具有包括帶有凹部(例如，溝渠、孔洞)之特徵的介電材料層的基板(其係以導電金屬充填以形成導電互連)係被提供於操作102。溝渠或孔洞為凹部，其典型地被形成於介電層中，例如透過半導體產業中使用的蝕刻處理之ILD層。於操作104，溝渠或孔洞之壁與底部(凹部之側)可用薄障壁襯墊層(例如，含W黏著層，包括含W黏著層、過渡金屬層(例如，Ta、Hf、Mo、Zr、Ti)、及過渡金屬氮化物層的層之堆疊)而被沈積。襯墊層可被選擇地沈積於期望的區域中，例如溝渠或孔洞，或襯墊層可被沈積為在微電子裝置上之覆蓋層。薄金屬襯墊層藉由例如ALD、CVD、或PVD來沈積。於操作106，襯墊層被以電漿(例如，氫式電漿、氨式電漿等)來加以密實。操作104與106可被週期地重複直到達到期望的障壁襯墊層之厚度與密 實。於操作108，鈷層被沈積以充填包括溝渠或孔洞之凹部的特徵且亦形成互連層(例如，對於金屬線路)。鈷層藉由例如ALD、PVD、或CVD來沈積。於本發明之實施例中，障壁襯墊層具有1至25埃之平均厚度。
第2圖顯示依照一個實施例之微電子裝置的電性互連結構，互連結構包括含W之障壁襯墊層。裝置200包括基板202、裝置210、212、214(例如，電晶體、CMOS裝置、記憶體裝置等)、互連結構206、及介電層280(用於在互連結構之金屬線路220、222、224、260、262、264與孔洞250、252、及254之間的電性隔離)。含鎢障壁襯墊層230、232、及234提供黏著層以避免一旦沈積鈷以形成孔洞250、252、254及線路260、262、及264時的空孔形成。含鎢障壁襯墊層致能薄襯墊被使用以達成孔洞及線路電阻目標。ALD與CVD可被使用以沈積含鎢障壁襯墊層以用於高縱橫比結構(例如，x至y之縱橫比)。ALD與CVD處理可包括沈積含鎢障壁襯墊層與密實此襯墊層之週期的交替操作。密實可為電漿氫式操作或電漿氨式操作。於一範例中，摻雜物可被使用於含鎢障壁襯墊層(例如，W、WN以及W、過渡金屬、過渡金屬之氮化物之堆疊等)以修改黏著及擴散障壁性質。於一範例中，摻雜物藉由製造WX或WXN襯墊(例如，X為硼、磷、碳、矽、或鋁)來修改含鎢障壁襯墊層(例如，W、WN)之黏著及鈷擴散障壁性質。
CVD與ALD處理之先質可被使用以選擇性地(例如，導電膜對上非導電膜之選擇)沈積含鎢障壁襯墊層 於互連結構(例如，凹部、孔洞、溝渠、線路)之某些目標區域中或作為覆蓋膜。PVD襯墊亦可被使用於某些裝置尺寸(例如，20-70奈米之線寬)。
在對於含W襯墊之先質選擇的一個範例中，所產生的CVD/ALD W膜可為W、WN、WC、WCN或整個結合處理所需及有用之任何其他膜。所使用的W先質可採取許多形式中之一者。具有未經取代的及經取代的環戊二烯基配基之W先質可被使用及落於通式W(Cp)R3、W(Cp)2R2及W(Cp)3R中，其中「Cp」可為環戊二烯基、甲基環戊二烯基、乙基環戊二烯基、特丁基環戊二烯基、異丙基環戊二烯基、或任何其他經取代的環戊二烯基配基。於以上實施例中，「R」可為羰基、氫化物、亞硝基、三甲矽基、甲基三甲矽基、或醯胺基。
W先質亦可採取混合的胺基/亞胺基化合物，通式為W(NR1 2)2(NR2)2的形式。於此實施例中，R1與R2可為甲基、乙基、丙基、異丙基、特丁基、三甲矽基、甲基三甲矽基、或其他適合的基，但不需要是相同的基。另一實施例，通式W(NR1R2)2(NR3)2，其中，以上的成分(moiety)可被應用，但其中，沒有一個必須相同。
使用鈷以充填半導體裝置互連(線路與孔洞)可依照本設計被執行於高容量製造中，由於含W黏著層(襯墊)的使用以致能鈷互連。於一範例中，互連之鈷充填係使用鑲嵌技術(damascene technique)於此討論，於其中，金屬充填特徵已先前被圖案化於晶圓內且金屬接著被磨 平。鑲嵌特徵基本上包括兩個結構：線路(對於目前的金屬層之互連)與孔洞(對於目前的層以下之層的互連)。對於金屬充填線路與孔洞之兩個主要挑戰為結構與材料之縱橫比，其界定結構(亦即，結構之側與底部)。孔洞結構對於鈷空孔形成有挑戰性，因為孔洞互連至目前的層以下之層。依此方式，鈷孔洞會著落於不相容的材料上(例如，含鹵素[F、Cl等]之材料)。孔洞結構亦對於鈷空孔形成有挑戰性，由於孔洞結構的幾何，其增加毛細力且其暴露不好的襯墊至鈷黏著。
第3圖顯示具有傳統TiN襯墊之互連結構500的剖面圖。結構500包括金屬層531、孔洞541、鈷金屬層561、及介電層592-593(用於在金屬層與孔洞之間的電性隔離)。TiN障壁襯墊層551提供黏著層，其無法避免一旦沈積鈷金屬層561以形成孔洞與線路之空孔形成。區域571包括孔洞中之空孔581(由於不足夠的鈷金屬至TiN襯墊層黏著)。空孔將作用為對於想要的金屬層531與鈷金屬層561之間的電性連接之電性開口(electrical open)。於一範例中，金屬層531為與鈷金屬層561不同的金屬(例如，銅)。
第4圖顯示依照一個實施例之具有含W襯墊的互連結構600之剖面圖。結構600包括金屬層631、孔洞641、鈷金屬層661、及介電層692-693(用於在金屬層與孔洞之間的電性隔離)。含鎢障壁襯墊層651(例如，WN襯墊層)提供黏著層以避免一旦沈積鈷金屬層661以形成孔洞與 線路之空孔形成。孔洞包括無空孔，由於足夠的鈷金屬至含W襯墊層黏著。於一範例中，金屬層631為與鈷金屬層661不同的金屬(例如，銅)。
應了解的是，於系統單晶片實施例中，晶粒可包括處理器、記憶體、通訊電路及諸如此類。雖然單一晶粒被顯示，其可為被包括於晶圓的相同區域中之無、一或數個晶粒。
於一實施例中，微電子裝置可為使用塊體矽或絕緣體上矽次結構來形成的晶體基板。於其他實現中，微電子裝置可使用替代材料來被形成，其可或可不與矽結合，其包括(但不限於)鍺、銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、砷化鎵、砷化銦鎵、銻化鎵、或III-V族或IV族材料之其他組合。雖然材料(基板可自其形成)的一些範例係於此描述，可作為基礎(半導體裝置可製造於其上)的任何材料落於本發明之實施例的範疇內。
第5圖顯示依照本發明的一個實施例之計算裝置900。計算裝置900容置一基板902。基板902可包括數個組件，包括(但不限於)至少一處理器904及至少一通訊晶片906。至少一處理器904係實體地及電性地耦接至基板902。於一些實現中，至少一通訊晶片906亦實體地及電性地耦接至基板902。於進一步實現中，通訊晶片906為處理器904之一部分。於一範例中，計算裝置的組件中之任一者包括至少一具有互連結構(例如，互連結構400、500、600)及含W障壁襯墊層的微電子裝置(例如，微電子裝置 200)。計算裝置900亦可包括分開的微電子裝置940(例如，微電子裝置200)。
依照其應用，計算裝置900可包括可或可不實體地且電性地耦接至基板902之其他組件。這些其他組件包括(但不限於)揮發性記憶體(例如，DRAM 910、911)、非揮發性記憶體(例如，ROM 912)、快閃記憶體、圖形處理器916、數位訊號處理器、加密處理器、晶片組914、天線單元920、顯示器、觸碰螢幕顯示器930、觸碰螢幕控制器922、電池932、音訊編解碼器、視訊編解碼器、功率放大器915、全球定位系統(GPS)裝置926、羅盤924、陀螺儀、揚聲器、相機950、及大量儲存裝置(例如硬碟機、光碟(CD)、數位多功能光碟(DVD)、及諸如此類)。
通訊晶片906致能用於資料從(與至)計算裝置900之傳送的無線通訊。用語「無線(wireless)」與其衍生可被使用以說明電路、裝置、系統、方法、技術、通訊通道、等等，其可透過經調變的電磁輻射之使用透過非固體介質來通訊資料。該用語並未暗示相關聯的裝置不包含任何線路，即使某些實施例中其未包含。通訊晶片906可以任何無線標準或協定來實現，包含但不限於Wi-Fi(IEEE 802.11家族)、WiMAX(IEEE 802.16族)、WiGig、IEEE 802.20、長程演進(long term evolution；LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、Bluetooth、其衍生物以及指定為3G、4G、5G、及更先進者之任何其他無線協定。計算裝 置900可包括複數個通訊晶片906。例如，第一通訊晶片906可專用於較短範圍無線通訊(例如Wi-Fi、WiGig、及Bluetooth)而第二通訊晶片906可專用於較長範圍無線通訊(例如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO、5G、及其他)。
計算裝置900之至少一處理器904包括封裝於至少一處理器904內之積體電路晶粒。於本發明之實施例的一些實現中，處理器之積體電路晶粒包括依照本發明之實施例的實現之一或多個裝置，例如微電子裝置(例如，微電子裝置200等)。用語「處理器」可指任何裝置或裝置之部分，其處理來自暫存器及/或記憶體之電子資料以將該電子資料轉換成可被儲存於暫存器及/或記憶體之其他電子資料。
通訊晶片906亦包括被封裝於通訊晶片906內之積體電路晶粒。於本發明之實施例的另一實現中，通訊晶片之積體電路晶粒包括一或多個微電子裝置(例如，微電子裝置200等)。
以下範例係關於進一步實施例。範例1為微電子裝置，其包括：具有包括帶有凹部之特徵的介電材料層的基板；形成於特徵之凹部中的含鎢障壁襯墊層；及沈積於特徵之凹部中的含鎢障壁襯墊層上之鈷導電層，該含鎢障壁襯墊層用以提供用於鈷導電層的黏著。
於範例2中，範例1之標的可選項地包括：該含鎢障壁襯墊層包含氮化鎢層。
於範例3中，範例1-2中任一者之標的可選項地包括：該含鎢障壁襯墊層包含含鎢層，以及過渡金屬層與過渡金屬氮化物層中之至少一者。
於範例4中，範例1-3中任一者之標的可選項地包括：該鈷導電層在沒有形成空孔的情況下被沈積於該特徵之該凹部中的該含鎢障壁襯墊層上。
於範例5中，範例1-4中任一者之標的可選項地包括：該含鎢障壁襯墊層具有1至25埃的厚度。
於範例6中，範例1-5中任一者之標的可選項地包括：該含鎢障壁襯墊層包括至少一摻雜物以修改黏著與擴散障壁性質。
於範例7中，範例1-6中任一者之標的可選項地包括：該含鎢障壁襯墊層係利用有機金屬先質及無鹵素為基之先質以化學氣相沈積或原子層沈積來沈積。
範例8為微電子裝置，包含：具有包括帶有凹部之特徵的介電材料層的基板；於該特徵之該凹部中的含鎢障壁襯墊層之沈積；及沈積於該特徵之該凹部中的該含鎢障壁襯墊層上之鈷導電層，而用於該含鎢障壁襯墊層之該沈積的鎢先質係與鈷導電層相容。
於範例9中，範例8之標的可選項地包括：該含鎢障壁襯墊層包含氮化鎢層、碳化鎢層、及鎢碳化物氮化物層中之至少一者。
於範例10中，範例8-9中任一者之標的可選項地包括：用於該含鎢障壁襯墊層之該沈積的該鎢(W)先質 包含未經取代的及經取代的環戊二烯基配基。
於範例11中，範例8-10中任一者之標的可選項地包括：該環戊二烯基配基包含化學式W(Cp)R3、W(Cp)2R2及W(Cp)3R，其中Cp為環戊二烯基、甲基環戊二烯基、乙基環戊二烯基、特丁基環戊二烯基、異丙基環戊二烯基、或任何其他經取代的環戊二烯基配基，且R為羰基、氫化物、亞硝基、三甲矽基、甲基三甲矽基、或醯胺基。
於範例12中，範例8-12中任一者之標的可選項地包括：用於該含鎢障壁襯墊層之該沈積的該鎢(W)先質包含具有以下化學式之混合的胺基或亞胺基化合物：W(NR1 2)2(NR2)2，R1與R2為甲基、乙基、丙基、異丙基、特丁基、三甲矽基、甲基三甲矽基、或其他適合的基。
於範例13中，範例8-12中任一者之標的可選項地包括：R1與R2為非相同的基。
於範例14中，範例8-13中任一者之標的可選項地包括：用於該含鎢障壁襯墊層之該沈積的該鎢(W)先質包含化學式W(NR1R2)2(NR3)2，R1與R2為甲基、乙基、丙基、異丙基、特丁基、三甲矽基、甲基三甲矽基、或其他適合的基。
於範例15中，範例8-14中任一者之標的可選項地包括：該含鎢障壁襯墊層具有1至25埃的厚度。
於範例16中，範例8-15中任一者之標的可選 項地包括：該含鎢障壁襯墊層係利用有機金屬先質及無鹵素為基之先質以化學氣相沈積或原子層沈積來沈積。
範例17為一種方法，包含：提供具有包括帶有凹部之特徵的介電材料層的基板，其將以導電金屬充填以形成導電互連；沈積含鎢障壁襯墊層於該特徵上；及沈積鈷層以充填包括該凹部之該特徵且亦形成互連層。
於範例18中，範例17之標的可選項地包括：以氫式電漿或氨式電漿使該含鎢障壁襯墊層密實。
於範例19中，範例17-18中任一者之標的可選項地包括：該含鎢障壁襯墊層包含氮化鎢層。
於範例20中，範例17-19中任一者之標的可選項地包括：該含鎢障壁襯墊層包含含鎢層，以及過渡金屬層與過渡金屬氮化物層中之至少一者。
Claims (14)
- 一種微電子裝置，包含：具有包括帶有凹部之特徵的介電材料層的基板；形成於該特徵之該凹部中的含鎢障壁襯墊層，其中該含鎢障壁襯墊層包含含有磷的氮化鎢層；及沈積於該特徵之該凹部中於該含鎢障壁襯墊層上之鈷導電層，該含鎢障壁襯墊層用以提供用於鈷導電層之黏著。
- 如申請專利範圍第1項之微電子裝置，其中該含鎢障壁襯墊層包含含鎢層，以及過渡金屬層與過渡金屬氮化物層中之至少一者。
- 如申請專利範圍第1項之微電子裝置，其中該鈷導電層在沒有形成空孔的情況下被沈積於該特徵之該凹部中的該含鎢障壁襯墊層上。
- 如申請專利範圍第1項之微電子裝置，其中該含鎢障壁襯墊層具有1至25埃的厚度。
- 如申請專利範圍第1項之微電子裝置，其中含有該磷的該氮化鎢層作為摻雜物以修改黏著與擴散障壁性質。
- 如申請專利範圍第1項之微電子裝置，其中該含鎢障壁襯墊層係利用有機金屬先質及無鹵素為基之先質以化學氣相沈積或原子層沈積來沈積。
- 一種微電子裝置，包含：具有包括帶有凹部之特徵的介電材料層的基板；沈積於該特徵之該凹部中的含鎢障壁襯墊層，其中該含鎢障壁襯墊層包含含有磷的氮化鎢層；及沈積於該特徵之該凹部中的該含鎢障壁襯墊層上之鈷導電層。
- 如申請專利範圍第7項之微電子裝置，其中用於該含鎢障壁襯墊層之該沈積的鎢(W)先質包含未取代的及取代的環戊二烯基配基。
- 如申請專利範圍第8項之微電子裝置，其中該環戊二烯基配基包含W(Cp)R3,W(Cp)2R2，以及W(Cp)3R的化學式，其中Cp為環戊二烯基、甲基環戊二烯基、乙基環戊二烯基、特丁基環戊二烯基、異丙基環戊二烯基、或任何其他經取代的環戊二烯基配基，且R為羰基、氫化物、亞硝基、三甲矽基、甲基三甲矽基、醯胺基其中一者。
- 如申請專利範圍第7項之微電子裝置，其中用於該含鎢障壁襯墊層之該沈積的鎢(W)先質包含具有以下化學式 之混合的胺基或亞胺基化合物：W(NR1 2)2(NR2)2，R1與R2為甲基、乙基、丙基、異丙基、特丁基、三甲矽基、甲基三甲矽基、或其他適合的基。
- 如申請專利範圍第10項之微電子裝置，其中R1與R2為非相同的基。
- 如申請專利範圍第7項之微電子裝置，其中用於該含鎢障壁襯墊層之該沈積的鎢(W)先質包含化學式W(NR1R2)2(NR3)2，R1與R2為甲基、乙基、丙基、異丙基、特丁基、三甲矽基、甲基三甲矽基、或其他適合的基。
- 如申請專利範圍第7項之微電子裝置，其中該含鎢障壁襯墊層具有1至25埃的厚度。
- 如申請專利範圍第7項之微電子裝置，其中該含鎢障壁襯墊層係利用有機金屬先質及無鹵素為基之先質以化學氣相沈積或原子層沈積來沈積。
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