TWI780618B - 電漿處理裝置及電漿處理方法 - Google Patents

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Abstract

提供提升處理之良品率的電漿處理裝置和電漿處理方法。電漿處理裝置，係使用形成在處理室內的電漿對配置在真空容器內部的該處理室內的晶圓上的處理對象的膜層進行處理的電漿處理裝置，具備：檢測器，在前述晶圓之處理中，針對接收從配置在前述處理室外部的光源照射到前述處理室內而在前述晶圓上表面被反射的光而取得的第1波長之範圍內的多個波長之第1光、和從前述光源不經由前述處理室而傳輸的光之第2波長之範圍內的多個波長之第2光的強度進行檢測；及判斷器，針對在前述處理中取得的前述光的強度且是使用前述第2光的強度之變化率進行補正後的前述第1光的強度，與用來表示事先取得的以波長作為參數的光的強度和前述膜層之殘留膜厚度之相關性的圖案進行比較，並判斷該膜層之殘留膜厚度。

Description

電漿處理裝置及電漿處理方法
本發明關於在真空容器內部的處理室內使用形成在處理室內的電漿對半導體晶圓等的基板上的樣本進行處理的電漿處理裝置或電漿處理方法，尤其是在處理中使用針對樣本上的處理對象的膜之殘留厚度或處理的量進行檢測的結果來調節樣本的處理的電漿處理裝置或電漿處理方法及進行該檢測的檢測裝置或檢測方法。
在製造半導體裝置的工程中，在半導體晶圓等的基板上的樣本之表面上形成各種的零件或將彼等相互連接的配線等之電路的結構。在形成彼等零件或配線等之電路的結構之工程中，通常重複進行導體･半導體･絕緣體等各種材料的成膜或者不必要部分的除去。
這樣的除去不必要部分的工程中廣泛利用使用電漿的乾蝕刻。電漿蝕刻，係將處理用的氣體導入到構成蝕刻裝置的真空容器的內部所配置的處理室內，對處理室內供給來自高頻電源的高頻電力使氣體的原子、分子電漿化，使樣本暴露在該電漿中而進行。在使用電漿的蝕刻處理中，基於電漿中的離子的濺鍍或基於自由基的化學反應等而呈現處理的各向同性或者各向異性之差異，藉由適當地使用彼等，可以在晶圓表面上以高精度且期待的尺寸形成上述零件或配線的電路結構。
若因為蝕刻處理導致形成的電路的加工形状與所期待者具有大幅偏差的話，將損及製造的半導體裝置之功能，因此已知有提案能夠高精度地實施處理這樣地，高精度地檢測處理中之狀態，並將其結果反映到處理之條件之調節以便減低加工形狀之誤差使處理穩定化的檢測技術(製程監控技術)。例如，針對接受處理中之晶圓之表面所反射的光而取得的光的強度之變化進行檢測，而對晶圓表面的處理對象的膜之殘留厚度或形成在晶圓上的溝或孔之深度等之蝕刻量進行檢測的技術被利用作為膜厚･深度監控來判斷蝕刻處理之終點等。
作為這樣的已知之技術之例，已知有特開平11-260799號公報(專利文獻1)揭示者。該已知技術，係以電漿光作為光源來檢測半導體晶圓等之樣本上的處理對象的膜之殘留膜厚或者被蝕刻形成的溝或孔之深度，在檢測到處理對象的膜完全被除去的當下結束蝕刻處理。此外，揭示在之後針對處理對象之部分與非處理對象之部分切換為高選擇性蝕刻的條件而進行蝕刻處理，藉此來縮短整體的處理時間，並且減少晶圓面內方向上的處理之誤差。
此外，在特表2004-507070號公報(專利文獻2)揭示，使用外部光源來取代對半導體晶圓等之樣本照射的光源之電漿光，藉此來減少光源的光量變動而進行高精度的膜厚度或深度之檢測者。
另一方面，伴隨著裝置之高功能化，結構之微細化或佈局之複雜化被進行，先進裝置之蝕刻製程要求更高精度的加工。在先進裝置之蝕刻中，存在蝕刻處理的區域較少的(低開口率)情況，或蝕刻速度較低的(低蝕刻速率)情況。在彼等工程之終點判斷中，作為終點判斷使用的信號的每個波長的光量時間變化(干涉信號)變小。
此處，為了實現高精度的終點判斷而需要減低伴隨著時間之變化生成的光量之波動引起的雜訊之成分。作為該光量之波動引起的雜訊之原因可以舉出照射到樣本的光之光源的光量變動。針對這樣的課題作為減少雜訊之不良影響的技術，已知有如特開2007-234666號公報(專利文獻3)或特開2008-218898號公報(專利文獻4)揭示者。
在彼等之已知技術中揭示，在蝕刻處理中之每一個取樣時刻中對規定的多個波長檢測每個波長的光的強度而取得分光光譜，並將該取得的分光光譜與1取樣時刻前的分光光譜進行比較而檢測每個波長的光量之變化之大小，當判斷多個之中全部的波長中的光量之變化為同一方向且該變化的量大於預定的臨界值的情況下，判斷為產生了光量之變動之雜訊，而對取得的光量進行補正的技術。此外，光量之補正，係藉由在檢測到產生雜訊的取樣時刻中算出光量之變化倍率，並在當前時刻以後之測量資料中除以該變化倍率而進行。
使用這樣的技術，已知可以實現蝕刻處理之終點之判斷之高精度化。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：特開平11-260799號公報 專利文獻2：特表2004-507070號公報 專利文獻3：特開2007-234666號公報 專利文獻4：特開2008-218898號公報
上述已知技術中，存在針對以下之點考慮不充分的問題。亦即，來自外部之光源的光量之變動，除了階梯狀變動以外亦有可能包含脈衝狀之變化或緩慢的漂移狀之變動。彼等之變動認為是與光源之種類或劣化狀況對應而以各種的圖案存在。
圖4示出來自半導體晶圓等的基板狀的樣本(以下稱為晶圓)上的膜結構的干涉光的變化相對於時間變化之例。圖4、圖5示出在晶圓表面上事先配置的包含處理對象的膜層之多層的膜層所構成的膜結構之中的處理對象的膜層被蝕刻的處理中，針對在該膜結構中反射而形成的干涉光進行檢測而取得的干涉光的強度隨時間變化而變化的曲線圖。
圖4(a)中，特別針對蝕刻中干涉光之多個波長之中的3個波長(λ1、2、3)，示出在檢測到的光量中產生了脈衝狀雜訊的情況下用於表示光量的信號強度相對於時間變化而變化的強度之曲線圖。圖中，在時刻20sec(以下標記為s)附近出現急速的光量之變動(增大和減少)，且光量的實線及虛線具有尖銳的峰值。表示這樣的情況下的光量的信號之變動意味著，雜訊之成分成為降低由該信號應取得的膜厚度或深度之精度者。
另一方面，圖4(b)所示者為，使用專利文獻3揭示之技術從圖4(a)所示的表示光的強度的資料除去了該脈衝狀之雜訊者。圖4(a)所示的在時刻20s具有尖銳峰值的表示光量之變動的雜訊被減低，但並未完全被除去。因此，即使使用這樣補正的結果對殘留膜厚度或蝕刻深度進行檢測亦無法檢測到正確的值。
此外，引起光量變動的雜訊為階梯狀的情況下，若該變化量小的情況下，已知技術無法充分除去雜訊。圖5(a)示出干涉光的光量中出現小的階梯狀雜訊的情況係對該干涉光的強度進行檢測的結果。在取樣時刻15s至20s的附近產生小的階梯狀雜訊，在波長λ2及λ3中難以明確區分蝕刻引起的光量之變化或雜訊引起的光量之變化。
使用專利文獻3之技術針對這樣的階梯狀雜訊引起的光量變動所致的表示干涉光強度的信號中將雜訊 除去的結果係如圖5(b)所示。針對光量之變動中能夠明確分辨出為雜訊引起的變化成分的波長λ1之干涉光，其雜訊被除去，但是在λ2與λ3中除去了雜訊的結果λ2中光量變化呈向右上升，λ3中光量變化呈向右下降之失真。
此乃因為無法區分晶圓蝕刻引起的光量變化與階梯狀雜訊引起的光量變動，而將混合彼等的光量變化作為雜訊進行檢測並補正之故。因此，針對階梯狀雜訊，利用與已知的光量之變動相關的雜訊之補正技術是難以實現正確的光量變動雜訊之補正。
如上所述，在已知之技術中，從表示干涉光的強度的信號將表示光量之變動的雜訊成分正確地除去是困難的，因此在處理中在殘留膜厚度或蝕刻處理的量或者處理之終點之判斷精度會受到影響。因此存在損及處理之良品率的問題。本發明之目的在於提供可以高精度地實施殘留膜厚度或處理的量並提升處理之良品率的電漿處理裝置或電漿處理方法。
達成上述目的之電漿處理裝置，係使用形成在處理室內的電漿對配置在真空容器內部的該處理室內之晶圓上的處理對象的膜層進行處理的電漿處理裝置，具備：檢測器，在前述晶圓之處理中，針對接收從配置在前述處理室外部的光源照射到前述處理室內並在前述晶圓上表面被反射的光而取得的第1波長之範圍內的多個波長之第1光及從前述光源不經由前述處理室而傳輸的光之第2波長之範圍內的多個波長之第2光的強度進行檢測；及判斷器，針對在前述處理中取得的前述光的強度且為使用前述第2光的強度之變化率進行補正後的前述第1光的強度，與用來表示事先取得的以波長作為參數的光的強度和前述膜層之殘留膜厚度之相關性的圖案進行比較，並判斷該膜層之殘留膜厚度。
根據本發明的膜厚･深度測定，不受蝕刻中的光量變動雜訊之影響，始終能夠實現高精度的膜厚･深度之測定。
經由以下之實施形態之說明可以理解上述以外之課題、構成及效果。
在真空容器內部的處理室內使用形成在處理室內的電漿對處理對象之基板狀的樣本即半導體晶圓進行處理的電漿處理裝置中，欲使用檢測到來自晶圓表面上之光的結果，對晶圓的處理的量或殘留膜厚度進行檢測時，基於配置在真空容器之外部而對處理室內的晶圓照射光的光源的光量有所變動，導致損及光之檢測精度的問題。另一方面，即使這樣的光源的光量變化的情況下，使從配置在真空容器外側的外部光源放射的光分歧，並使分歧的一方照射到處理室內而對該照射的光(包含照射到晶圓上表面且被該上表面反射的光)進行檢測，使另一方不通過處理室並由另一檢測器進行檢測而檢測出來自光源的光量之變動量。接著，使用檢測另一方分歧的光的另一檢測器之檢測結果，對檢測來自處理室之光的一方之檢測器之檢測結果進行補正的技術可以被考慮。
但是，該技術中，針對來自作為對象的晶圓的光之檢測結果中包含的配置在處理室外部的光源的光量之變動無法正確地進行補正。其理由為，在上述之構成中，為了利用另一檢測器高精度地檢測光量之變動，因此，對來自處理室之光進行檢測的分光器等之檢測器，與接收被分歧而不通過處理室的光並將該光量之變動予以抽出的檢測器被要求針對同一時刻之光進行檢測。另一方面，各檢測器在各自的內部具備利用規定的時脈震盪器等輸出時刻並參照其的機構而動作，因此即使以來自檢測器之外部之共通信號作為觸發而動作，檢測器彼此亦無法完全測量同一時刻的光量資料。
此外，每個檢測器都持有各自的偏差，因此即使將露光時間或平均化次數等設定值統一的情況下基於感度特性之差異等而導致檢測的光量變動量產生差異，而無法使用彼等來補正光量之變動。例如，考慮使用和反射光之測量不同的另一分光器來測量光量變動的情況。
圖6係表示使用繞射光柵的分光器之檢測原理的方塊圖。分光器具有狹縫502、准直元件504、繞射光柵506、聚焦元件508、檢測器陣列510作為構成元件，入射至狹縫502的光依照上述順序輸入上述構成之後，入射的光之光譜被檢測。彼等之每個構成要件包含各自的偏差，因此，就每個分光器而言輸出用來表示光譜的信號的檢測器陣列510之各個檢測器與波長之關係是不同的，因此，利用在光量之變動檢測上所使用的分光器之資料，對使用在反射率之檢測上的分光器之資料進行補正是困難的。
此外，由於檢測器陣列510各自的偏差，就每個分光器而言入射光量與輸出電壓之相關性變為唯一。因此，分光器不同的情況下，同一光量之變動量取決於分光器而被觀測到不同的光量之變動量。在這點上，使用不同的分光器來補正測定資料的光量變動也是困難的。
本發明之目的係為了解決上述問題點，以下，參照圖面說明該實施之形態。以下，說明具備進行蝕刻處理的膜厚･深度測定手段的半導體製造裝置之構成，而對作為本發明之實施例的半導體製造裝置中的蝕刻處理中的膜厚･深度測定方法進行說明。 實施例1
以下使用圖1至3說明本發明之第1實施例。圖1係示意表示本發明之實施例的電漿處理裝置之構成之概略的圖。 圖1(a)係示意表示本實施例的電漿處理裝置之整體構成之概略。圖1(b)係示意表示本實施例的使用照射到電漿處理裝置之真空處理室內的光來檢測用於表示樣本的處理狀態的光量之構成之概略的方塊圖。
本實施例的電漿處理裝置之整體構成之概略如圖1(a)所示。電漿處理裝置100具備配置在真空容器內部的空間亦即處理室10。在處理室10的內部，使從省略圖示的氣體導入手段導入的蝕刻處理用的氣體的原子或分子，藉由來自省略圖示的高頻電源的高頻電場或利用磁控管震盪而傳輸的微波之電場或磁場的供給被激發、電離或解離而形成電漿12。該電漿12被載置於樣本台14上表面上而被供給到保持的半導體晶圓等之晶圓16上表面而對晶圓16上表面上的處理對象膜進行蝕刻處理(電漿處理)。
本實施例中，處理室10內的氣體的導入或生成電漿12的電場或磁場之生成和供給以及其強度或分布之控制，藉由從未圖示的高頻電源供給到樣本台14內部的電極的高頻電力而使形成於晶圓16上的偏壓電位之增減等之動作，係根據來自控制部40之指令信號而進行，該控制部40係與生成上述電場或磁場的電源或電極等的電漿處理裝置100之各部之各機器連接成為可以通信。藉由從控制部40發出的即時的指令信號，以能夠取得期待之蝕刻處理結果的方式在各機器間實施同步･時序調整。
本實施例之電漿12係在規定的每一周期間隔按照各個間隔重複進行點火和熄滅(消化)之狀態亦即所謂的開/關而被脈衝化。此時，電漿12係藉由使蝕刻氣體電漿化的高頻電源等的電壓施加、微波照射等之調變來切換彼等之開/關(On/Off)而使電漿脈衝化。本例之情況下，脈衝化的開/關之各個期間長度及開之期間中之電漿的強度或分布之調節亦由控制部40進行。此外，供給至處理室10內的處理用的氣體的導入係按照每個不同的流量、不同的期間供給，以彼等不同的期間之組合作為1個循環並藉由多次重複的時間調變來實施電漿12之脈衝化。
電漿處理裝置100具備對晶圓16的處理中的處理對象膜之殘留膜厚度或處理的量(蝕刻深度)進行檢測的機構。亦即，從配置在處理室10之外部的光源部18射出的光，係被導入光學系統50並通過光纖被傳輸至在晶圓16之上表面上方且配置在與其對向之處的導入透鏡20，接著，從其下端面朝向下方的樣本台14上保持的晶圓16被導入處理室10內。從作為照射體之導入透鏡20向下照射的來自光源部18之光，係作為處理室10內的照射光22而照射到晶圓16。本實施例中從光源部18射出的光，係使用連續性包含波長或頻率為紫外線至紅外線之範圍內的連續光，但是亦可以使用1個或多個特定波長來檢測膜厚度或深度，該情況下使用射出該特定波長的光源即可。
照射到晶圓16的照射光22，在晶圓16之表面的處理對象的膜層之表面及底面(處理對象的膜層之最下面或在該膜層之下方鄰接的另一膜層之境界面)被反射成為反射光24，該反射光24通過作為接收體之檢測透鏡26及與其光學連接的光纖傳輸到光學系統50，進一步被導入檢測部28。檢測部28係具備分光器之構成，導入的光被區分為(分光)每個特定的頻率或波長，針對區分的每個波長檢測光的強度或量。使用特定波長進行殘留膜厚度之檢測的情況下，檢測器不限定於分光器，亦可以使用光電檢測器等。該情況下，若是導入檢測部28的光僅是期待之特定波長，則可以直接使用光電檢測器，若是導入包含多個波長的連續光的情況下在光電檢測器前段配置單色儀等僅選擇特定波長之機構即可。
本例之晶圓16上表面的處理對象的膜層中的反射光24，係被至少在上下方向隔著距離的2個表面反射且其中一方與另一方之光引起干涉而作為干涉光被檢測透鏡26接收的光。在該干涉光中，隨著處理對象的膜層之蝕刻處理之進行和殘留膜厚度之減少，多個波長之干涉光的強度以週期函數分別反複增大和減少。本實施例中，檢測彼等多個波長之干涉光的強度變化相對於時間變化，藉此來檢測殘留膜厚度或蝕刻深度。
圖1(a)中所示本例中，將光導入處理室10的導入透鏡20與檢測反射光的檢測透鏡26係配置在圖上左右方向所示的水平方向上隔著距離分開的位置。該構成之情況下，為了以最高效率檢測反射光24，較好是使導入透鏡20與檢測透鏡26朝向同一光線上的方式傾斜配置。
導入透鏡20與檢測透鏡26之構成不限定於圖1所示者，將兩者設為同軸之構成使導入透鏡20及檢測透鏡26成為共用之1個透鏡亦可。該情況下，構成為共用之1個透鏡的光線方向與晶圓16上表面垂直而配置在晶圓16之上方，可以檢測垂直照射且垂直反射的光。
此外，圖1(a)中記載1對的外部光18之導入系統和反射光24之檢測系統，但是在晶圓16之多個位置測量膜厚･深度的情況下，配置多個彼等之對。此外，圖1(a)中說明將作為光源之外部之光源部18之光入射至處理室10的情況，但是若使用電漿12之光作為光源的情況下可以不使用光源部18。以電漿12作為光源使用的情況下，從電漿12放出的光被晶圓16反射，和使用光源部18的情況同樣地檢測反射光24。
此處，光學系統50構成為可以檢測反射光24以及供作為檢測光量之變動的光。亦即，圖1(b)所示光學系統50係由多個要素區塊構成，從光源部18射出的光被分歧部1010接收之後分歧為2個路徑，一方之光作為照射光22照射到處理室10內部的晶圓16之上表面被反射，反射的光作為反射光24並由檢測透鏡26導入光學系統50之後，輸入至第1波長選擇部1011進行濾波並取出第1波長之範圍。分歧的另一方之光，不被導入處理室10而是輸入至第2波長選擇部1012進行濾波並取出第2波長之範圍。來自彼等之波長選擇部之光被傳送至混波部1013，混波的結果之信號被輸入至檢測部28。
在這樣的構成中，分歧部1010使用例如半反射鏡或分支光纖，被分支為各具有同一光譜之分布的2個光。第1波長選擇部1011及第2波長選擇部1012使用波長濾波器，分別過濾特定波長範圍。混波部1013使用半反射鏡或分支光纖，由2個波長選擇部所輸出的不同波長之組合形成的光彼此成為合成之光。根據該構成，導入處理室10內而被晶圓16反射並傳輸的反射光24以及不經由處理室10接收的光，分別成為具有分布在不同的範圍的多個波長之光，彼等之光在混波部1013中混合之後由1個檢測部28檢測。
此外，本實施例中，在光學系統50中的分歧部1010與第2波長選擇部1012之間僅藉由光纖連接，因此從分歧部1010輸出的光實質上除該光纖引起者以外無劣化地被導入第2波長選擇部1012。同樣地從檢測透鏡26至第1波長選擇部1011之間亦僅藉由1個以上之光纖連結而達成光學式連接，在彼等之間傳輸的光實質上除該光纖引起者以外無劣化地被導入第1波長選擇部1011。
檢測部28中檢測到的結果之資料作為信號被傳送至膜厚･深度算出部30，膜厚･深度被檢測出。膜厚･深度算出部30之功能方塊之構成如圖2所示。圖2係示意表示圖1所示實施例的電漿處理裝置的膜厚･深度算出部之構成之概略的圖。該圖中，膜厚･深度算出部30係將分別執行規定的動作的每個部分以功能方塊連結而作為方塊圖示出。
從檢測部28傳送到膜厚･深度算出部30的表示每個波長的光量的時系列資料D1，係經由第1數位濾波器100實施平滑化處理之後作為第1平滑化時系列資料D2並供給到微分器102。在微分器102中使用例如所謂的S-G法(Savitzky-Golay Method)算出作為微分係數值(1階微分值或2階微分值)的微分時系列資料D3並將其供給到第2數位濾波器104。在第2數位濾波器104中對微分時系列資料D3實施平滑化處理而得第2平滑化時系列資料D4並供給至微分比較器106。
此處，對資料D2、D3、D4之算出進行說明。作為第1數位濾波器100係使用例如2階巴特沃斯低通濾波器(Secondary Butterworth type low-pass filter)。藉由2階巴特沃斯低通濾波器利用以下的公式計算第1平滑化時系列資料D2。
Figure 02_image001
此處，Dk(i)表示各資料Dk的時刻i的資料，係數b、a的數值因取樣頻率及截止頻率而不同。此外，數位濾波器之係數值例如a2=-1.143，a3=0.4128，b1=0.067455，b2= -0.013491，b3=0.067455(取樣頻率10Hz，截止頻率1Hz)。
藉由微分器102使用例如5點的時系列資料D2之多項式擬合平滑微分法(Polynomial fitted smoothing differential calculus)利用以下之公式算出微分係數值之時系列資料D3。
Figure 02_image003
此處之權重係數w，在1階微分計算中使用例如w-2= -2，w-1=-1，w0=0，w1=1，w2=2。此外，在2階微分計算中使用例如W-2=2，w-1=-1，w0=-2，w1=-1，w2=2。
作為使用微分係數值之時系列資料D3計算第2平滑化時系列資料D4的第2數位濾波器104，例如係使用2階巴特沃斯低通濾波器藉由以下之公式算出。
Figure 02_image005
導入微分比較器106的資料D4，與事先已取得的膜厚･深度和微分波形之圖案資料庫108進行比較。在微分波形比較器106中，針對由時刻i的光量D1(i)求出的表示微分波形的第2平滑化時系列資料D4(i)與上述微分波形圖案資料庫108內的以波長作為參數的光的強度之微分值之多個圖案進行比較，從彼等多個圖案之中求出與時刻i之時系列資料之圖案之差值為最小的例如兩者之標準偏差為最小的圖案，並從與該最接近的圖案事先被賦予了對應的殘留膜厚度之值來確定晶圓16的膜厚･深度。
例如將與最接近的圖案對應的殘留膜厚度判斷為計算上的時刻i之殘留膜厚度，並使用該計算上的膜厚度和作為時刻i以前之取樣時刻之殘留膜厚度而被記憶在控制部內部或記憶在連接成為可以與其通信的記憶裝置內的膜厚度的資料，利用迴歸分析等周知之數學方法，算出時刻i之殘留膜厚度，並將該殘留膜厚度與時刻i賦予對應而記憶在記憶裝置內。此外，以該確定的殘留膜厚度除以事先取得的晶圓16上的處理對象的膜層之初始的膜厚度而得的值作為蝕刻量(蝕刻深度)而檢測出。彼等的膜厚･深度被傳送至電漿處理裝置100具備的監控器或顯示器而在彼等上顯示、通知等，並由膜厚･深度算出部30供給至外部。
圖2示出在事先取得每個波長的光量變化相對於處理對象膜的膜厚的1階微分值或2階微分值的情況下，取得每個波長的光量相對於各檢測結果的時刻之1階微分值或2階微分值，將其與事先取得的資料進行比較並以差值最小者作為該時刻的膜厚進行檢測的例，但是殘留膜厚度或蝕刻深度之檢測之方法不限定於此。
例如事先取得晶圓16上的處理對象膜之殘留膜厚度或者蝕刻深度之值以及對應於各值的每個波長的反射率的資料，使用在任意時刻i中檢測到的來自晶圓16之反射光24的結果以及從光源部18照射的光之每個波長的光量來算出每個波長的反射率，將算出的每個波長的反射率與事先取得的資料進行比較，並將資料中之差值為最小者所對應的殘留膜厚度或深度確定為該時刻i中的膜厚･深度亦可。此外，事先取得處理對象膜之殘留膜厚度之值以及各值所對應的來自處理對象膜之光的每個波長的光量資料，在任意時刻i中從來自來自晶圓16之反射光24取得該每個波長的光量，將該每個波長的光量之結果與事先取得的資料進行比較，將事先取得的資料之中與時刻i的資料之差值為最小者所對應的殘留膜厚度判斷為時刻i之殘留膜厚度亦可。此外，事先取得處理對象膜之殘留膜厚度之值以及以光量針對各值所對應的反射光24的每個波長的光量之變化的1階微分值或2階微分值實施標準化而得的1階微分標準化值或2階微分標準化值的資料，從檢測結果取得每個波長的光量變化之1階微分標準化值或2階微分標準化值，將其與事先取得的資料進行比較，藉此來確定該時刻的膜厚的方法亦可。
使用圖3說明針對具備上述構成的電漿處理裝置100的光量之變動量進行補正而取得的膜厚･深度之檢測結果。圖3係表示在圖1所示實施例的電漿處理裝置中檢測到的來自晶圓的多個波長之光的強度的曲線圖。
本例中，光源部18使用LED，在光學系統50之第1波長選擇部1011中濾波除去或減低波長650nm以上的光，在第2波長選擇部1012中濾波除去或減低波長660 nm以下的光。亦即，在第1波長選擇部1011中將小於650nm者設為第1波長之範圍，在第2波長選擇部1012中將大於660nm者設為第2波長之範圍。此外，包含反射光24在光學系統50中的分光、分光後之各個信號的波長之選擇及混波、和檢測部28中之補正處理的處理以及膜厚･深度算出部30中之殘留膜厚度或深度之算出之動作之調節，係根據在彼等與連接成為可以通信的控制部40之間之監控信號或指令信號之傳遞來進行。
圖3(a)的曲線圖示出了光譜之任意時刻之例，該光譜表示在預定的每個規定期間中在多個取樣時刻的各個時刻經由第1波長選擇部1011及第2波長選擇部1012而被混波部1013合成的光的光量。該分光光譜以650nm之附近之波長為境界在前後被區分為作為反射光24被接收且通過第1波長選擇部1011而取得的第1波長之範圍的光和從光源部18通過第2波長選擇部1012而取得的第2波長之範圍的光，如該圖所示，確認了以通過彼等不同路徑的不同波長之範圍之光作為與同一取樣時刻被賦予對應的光量的資料而被檢測出。
本例中，首先，在不實施蝕刻處理的狀態下檢測出從光源部18射出的光之光譜作為每個時刻之時系列資料。為了檢測出光量之變動，將被分歧不經由處理室10並通過第2波長選擇部1012在檢測部中檢測到的第2波長之範圍之光的光量的總和隨著時間之經過而變化的結果描述如圖3(b)所示。如該圖所示，可以確認從光源部18射出的光的光量產生階梯狀或峰值狀變動。
在本實施例之檢測部28中，如圖3(b)所示以預定的任意之取樣時刻作為0將該時刻0附近設為基準光量值，針對其以後之每個取樣時刻算出光量相對於該基準光量值的變化率。該算出可以使用配置在檢測部28內部的半導體製之MPU等之運算器，或使用與檢測器28連接成為可以通信的控制部40內部配置的運算器。
圖3(c)示出反射光24的第1波長範圍內包含的波長550nm之光的光量伴隨著時間之經過而變化。如該圖所示，確認了反射光24的特定波長的光量和圖3(b)同樣地在同一時刻同一方向呈現增大或減少，亦即所謂按同樣之趨勢變動。在檢測部28中，將任意之取樣時刻中的如圖3(c)所示的反射光24的第1波長範圍內的多個波長之每個波長的光量之值(分光光譜之每個波長的值)除以使用圖3(b)的資料算出的該任意之取樣時刻中的光量變化率，依此而對反射光24的光量進行補正。
進行了該補正的結果，係在圖3(c)中作為反射光之補正結果被示出。如圖3(c)所示，藉由實施補正，確認了第1波長範圍的光的光量中包含的從光源部18射出的光的光量之變動被補正，在75s或110~125s等的時刻或期間所示的波長550nm之反射光24的光量之變化被抑制，在檢測到反射光24的0s以後之整體期間被抑制。
如上所述，發明人使用在檢測部28中與每個取樣時刻對應而檢測到的第2波長之範圍內的每個波長的光的光量之總和與作為基準的光量之值的比率(光量變化率)，針對蝕刻處理中從光源部18射出而在晶圓16上表面反射所取得的反射光24的光的光量進行了補正。此外，在膜厚･深度算出部30中使用該光量被補正後的分光光譜檢測殘留膜厚度或蝕刻深度。作為對象，針對矽製之晶圓上事先形成的SiO2 之單層膜進行蝕刻，比較膜厚100nm之檢測之精度並進行了評估。
確認了在不實施本實施例之補正的情況下，膜厚之推論之誤差為1nm左右，藉由使用補正時誤差成為0.1nm以下。由以上之結果可以確認，藉由使用本實施例的光量之補正，可以高精度地補正從光源部18射出的光的光量之變動，可以高精度地檢測殘留膜厚度或深度，可以提升處理之良品率。
此處，本實施例中使用的光源、分光測量、測量條件、晶圓條件僅為一例，並且清楚的是，本實施例之發明亦可以適用彼等以外之構成･條件。此外，上述實施例中示出，在檢測部28中，係使用從光源部18射出且不通過處理室10被導入第2波長選擇部1012而選擇的第2波長之範圍內的波長的光的光量之總和而取得的光量變化率，針對第1波長選擇部1011中選擇的反射光24的第1波長之範圍內的每個波長之光之分光光譜之值進行除法運算進行補正運算，藉此而對該值進行補正的例。另一方面，不僅針對第1波長之範圍內包含的每個波長之分光光譜進行補正之運算，對從混波部1013導入檢測部28的全部的波長之分光光譜實施補正亦可。
此外，在膜厚･深度算出部30中進行膜厚度或深度之判斷時使用的從分光光譜之各時系列資料算出的平滑化的微分波形時系列資料D4，可以由使用者適當地選擇僅使用由檢測部28傳送的第1波長之範圍內的波長之光，或使用包含第1及第2波長之範圍者。任一情況下，判斷時使用的微分波形之圖案資料庫108內的各圖案資料和微分波形時系列資料D4的波長範圍以及每個波長之值都設為相同者。
關於第1波長範圍與第2波長範圍的選擇，至少第1波長範圍包含蝕刻中晶圓16之反射率不呈現變化的波長範圍，第2波長範圍則包含蝕刻中晶圓反射率呈現變化的波長範圍。例如第1波長範圍與第2波長範圍以波長範圍不重疊的方式進行選擇。此時，使用第2波長範圍的光量變化率之算出時，可以使用第2波長範圍之整體或一部分。
此外，亦可以設定成為第2波長範圍具有與第1波長範圍重疊的波長範圍，但是具有至少不被包含於第1波長範圍內的波長範圍。此時，在使用第2波長範圍的光量變化率之算出時，可以使用第2波長範圍之中不包含在第1波長範圍內的波長範圍之全部或一部分。
此外，如下進行設定，第1波長範圍具有蝕刻中晶圓的反射率不呈現變化的波長範圍的情況下，第2波長範圍至少具有蝕刻中晶圓16之反射率呈現變化的波長範圍。該情況下，在使用第2波長範圍的光量變化率之算出時，可以使用第2波長範圍之中蝕刻中晶圓16的反射率不呈現變化的波長範圍之全部或一部分。
彼等第1波長範圍及第2波長範圍之選擇，係根據蝕刻對象或外部光源之特性來決定，依此則在不劣化作為目的的反射光24的信號之情況下，可以對光量之變動引起的雜訊進行補正。例如將第2波長範圍設定成為包含蝕刻對象之反射率之變化不存在或大致為零的波長範圍，並使用在光量變化率之算出。此時，將第1波長範圍設定成為包含具有蝕刻對象之反射率變化的波長範圍。藉此，可以取得能夠觀測到蝕刻對象之反射率變化的全部波長的信號，且可以對彼等的光量變動雜訊正確地進行補正。
此外，由於來自光源部18的光之光譜中的光量有高、低而存在有不必測量反射光24的波長，因此，將彼等波長設定成為包含於第2波長之範圍內，並使用於光量變化率之算出亦可。此時，設定成為第1波長範圍包含前述不良波長以外之波長。藉此，可以取得在蝕刻對象之反射率變化之觀測上必要的全部波長的信號，且可以正確地補正彼等的光量變動雜訊。
在算出第2波長範圍的光量變化率時，算出每個取樣時刻的光量相對於每個波長的基準光量之比率即可。例如將蝕刻開始時或任意時刻之每個波長光量設定為基準而算出每個時刻的光量變化率。此外，不使用該處理，而將另一處理中的特定的光量設為基準亦可。例如在同一裝置中處理多片晶圓16的情況下，在第1片的處理中取得基準光量，並使用該基準光量算出每個處理之每個時刻中的光量變化率亦可。該情況下，亦可以補正多個處理引起的外部光源之長期性的光量漂移。
使用光量變化率的第1波長範圍的光量補正之進行，係藉由將第1波長範圍之每個波長的光量除以該時刻的光量變化率而實施。此處，光量變動檢測光除了直接利用分光器測量分歧的外部光源之光的方法以外，還可以使用分光器測量作為基準的經由光學系統的光。例如以經由和晶圓照射光同樣的光傳輸路徑，且在與晶圓不同的光學反射面被反射的光作為光量變動檢測光而進行檢測。藉此，則在晶圓照射光之光傳輸路徑中產生的光量變動雜訊亦可以作為光量變動檢測光被測量，亦可以由晶圓反射光來補正在該光量傳輸路徑中產生的光量變動雜訊。
使用藉由彼等方法取得的第1波長範圍之補正光量來確定晶圓16上的處理對象的膜厚度･深度之特定方法，係針對事先取得有每個波長之補正光量的每個波長的光量和被與對象膜之殘留膜厚度･深度賦予了關連的資料進行比較而進行。在事先取得有處理對象的膜厚･深度與每個波長的光量之圖案被賦予了關連的資料的情況下，針對處理中之任意時刻之每個波長之補正光量與事先取得的資料進行比較，檢測出差異最小的圖案，並將該圖案所對應的膜厚度判斷為該時刻之殘留膜厚度，藉此來確定該時刻的膜厚･深度即可。
事先取得有處理對象的膜厚･深度與每個波長之反射率被賦予了關連的資料的情況下，使用每個波長之補正光量和照射的外部光之每個波長的光量來算出每個波長之反射率，針對算出的每個波長之反射率與事先取得的資料進行比較，檢測出差值最小者並將其判斷為殘留膜厚度，藉此來檢測該測量中的膜厚･深度。在事先取得有對處理對象的膜厚･深度與每個波長的光量變化之1階微分值或2階微分值已賦予了關連的資料的情況下，取得每個波長之補正光量之1階微分值或2階微分值，將其與事先取得的資料進行比較，藉此來確定該時刻的膜厚･深度即可。
事先取得有處理對象的膜厚･深度與每個波長的光量變化之1階微分值或2階微分值的光量中之標準化值被賦予了關連的資料的情況下，藉由取得每個波長之補正光量之1階微分值或2階微分值，並將其與事先取得的資料進行比較，藉此來確定該時刻的膜厚･深度即可。以上所述的外部光源的光量變動雜訊之補正方法，不限定於膜厚･深度測量方法，亦可以適用在使用外部光源的分光測量中。例如在吸光度測量、反射率測量、散射測量等各種測量中，亦可以針對外部光源本身的光量變動雜訊進行補正，可以實現彼等測量之高精度化。 實施例2
參照圖7說明本發明另一實施例之構成。圖7係示意表示本發明另一實施例的使用照射到電漿處理裝置之真空處理室內的光來檢測用於表示樣本的處理狀態的光量之構成之概略的方塊圖。
本實施例中，與圖1所示實施例的差異在於，光學系統50具備圖7所示構成，藉此來補正從光源部18射出的光的光量之變動。本實施例之彼等以外之構成係和實施例1相同。
本例中，從光源部18射出的光在分歧部1110中分歧為2路徑，一方被處理室10之晶圓反射，並在混波部1113中濾掉特定波長範圍。另一方則在混波部1113中濾掉特定波長範圍。彼等之光在混波部1113中合成，並射入檢測部28。
在這樣的構成中，分歧部1110例如使用半反射鏡或分支光纖，分歧為具有同一光譜的2個光。混波部1113使用波長選擇鏡，通過處理室10的光與不通過處理室10的光分別經由不同的光路射入波長選擇鏡，各自的排他性的波長範圍被混波並射入檢測部28。根據該構成，通過處理室10的晶圓反射光與不通過處理室的光量變動檢測光分別持有不同的波長範圍，彼等在同一檢測部28中進行檢測。
此外，本實施例中，在光學系統50的不經由處理室10的光之路徑中，在分歧部1010與混波部1013之間僅藉由光纖連接，從分歧部1010輸出的光實質上除該光纖引起者以外無劣化地被導入混波部1013。同樣地在檢測透鏡26至混波部1013之間亦僅利用1個以上之光纖連結而達成光學式連接，在彼等之間傳輸的光實質上除該光纖引起者以外無劣化地被導入混波部1013。
藉由該構成，使用光量變動檢測光來算出光量變動率，根據和實施例1同樣之動作、步驟，可以針對從反射光24取得的光的光量進行補正，和實施例1同樣地可以實現光量變動補正及高精度的膜厚･深度推論。
本實施例中使用的光源、分光測量、測量條件、晶圓條件僅為一例，清楚的是，本發明亦可以適用於彼等以外之構成･條件。 實施例3
接著，參照圖8說明本發明再另一實施例之構成。圖8係示意表示本發明再另一實施例的使用照射到電漿處理裝置之真空處理室內的光來檢測表示樣本的處理狀態的光量之概略構成的方塊圖。
本實施例中，和圖1所示實施例的差異在於，光學系統50具備如圖8(a)所示的構成，藉此來補正從光源部18射出的光的光量之變動。本實施例之彼等以外之構成係和實施例1相同。
本例中，從光源部18射出的光在分歧部1210中過濾掉特定波長範圍並分歧為2路徑，一方被處理室10之晶圓反射，另一方直接射入混波部1213進行混波之後射入檢測部28。在這樣的構成中，分歧部1210使用例如波長選擇鏡，分歧為具有不同光譜的2個光。混波部1213使用半反射鏡或分支光纖。根據該構成，經由處理室10的反射光24與不經由處理室10的光係分別具有不同波長之範圍，彼等在同一檢測部28中進行檢測。
此外，本實施例中，在光學系統50的不經由處理室10的光之路徑中，在分歧部1010與混波部1013之間僅藉由光纖連接，從分歧部1010輸出的光實質上除該光纖引起者以外無劣化地被導入混波部1013。同樣地，從圖8(a)所示檢測透鏡26至混波部1013之間，或者在圖8(b)所示檢測透鏡26與第1波長選擇部1211之間和在第1波長選擇部1211與混波部1213之間之路徑上亦僅利用1個以上之光纖連結而達成光學式連接，在彼等路徑上傳輸的光實質上除該光纖引起者以外無劣化地被導入混波部1013。
藉由該構成，使用不經由處理室10被導入混波部1013的光算出來自光源部18的光的光量變動率，而可以對反射光24進行補正，和實施例1同樣地可以實現光量變動補正及高精度的膜厚．深度推論。
此處，在處理室10中進行處理的情況下，若是在處理室10內產生的電漿12等之光具有不經由處理室10而在混波部1013中檢測到的特定波長之範圍之光的情況下，在從混波部1013輸出的不經由處理室10的特定波長之範圍之光中會觀測到由於處理室10內部的光量引起的晶圓16之反射率之變化，有可能會降低對光量變動進行補正的精度。在這樣的情況下，可以使用圖8(b)之光學系統50。和圖8(a)比較，在該圖中係利用第1波長選擇部1211再度對通過處理室10的反射光24實施波長選擇。由此，藉由對用 來算出光量變化率的波長進行濾波，可以不受處理室內產生的光之影響而實施高精度的光量變動補正，可以實現高精度的膜厚．深度推論。
本實施例中使用的光源、分光測量、測量條件、晶圓條件僅為一例，清楚的是，本發明亦可以適用於彼等以外之構成．條件。
實施例4
接著，參照圖9說明本發明再另一實施例之構成。圖9示意表示本發明再另一實施例的使用照射到電漿處理裝置之真空處理室內的光來檢測表示樣本的處理狀態的光量之概略構成的方塊圖。
本實施例中，與圖1所示實施例的差異在於，光學系統50具備如圖9(a)所示構成，根據該構成而對從光源部18射出的光的光量之變動進行補正。本實施例之彼等以外之構成係和實施例1相同。
本例中，從光源部18射出的光在分歧部1310中分歧為2路徑，一方在第1波長選擇部1311中過濾掉特定波長之後被處理室10之晶圓反射，另一方直接射入混波部1313。在混波部1313中混波的光射入檢測部28。
此外，本實施例中，在光學系統50的不經由處理室10的光之路徑中，在分歧部1310與混波部1313之間僅藉由光纖連接，從分歧部1310輸出的光實質上除該光纖引起者以外無劣化地被導入混波部1313。同樣地，圖9(a) 所示的從檢測透鏡26至混波部1313之間、或者圖9(b)所示的在檢測透鏡26與第1波長選擇部1311之間以及在第1波長選擇部1311與混波部1313之間之路徑亦僅利用1個以上之光纖連結而達成光學式連接，在彼等路徑上傳輸的光實質上除該光纖引起者以外無劣化地被導入混波部1313。
在這樣的構成中，分歧部1310例如使用半反射鏡或分支光纖，分歧為2個光。第1波長選擇部使用波長濾波器，對光量變化率之算出時使用的波長範圍進行濾波。混波部1313使用半反射鏡或分支光纖。
依據該構成，通過處理室10的晶圓反射光與不通過處理室的光量變動檢測光分別具有不同波長範圍，彼等在同一檢測部28中被檢測。此處，不通過處理室的光量變動檢測光具有通過處理室10的波長。因此，在光量變化率之算出中，使用光量變動檢測光之一部分波長。
藉由該構成，使用光量變動檢測光來算出光量變動率，可以對晶圓反射光進行補正，和實施例1同樣地可以實現光量變動補正及高精度的膜厚．深度推論。
此處，在處理室10中進行處理的情況下，若是處理室10內產生的電漿12等之光具有不通過處理室10而在混波部1313中檢測到的特定波長之範圍之光的情況下，在從混波部1313輸出的不經由處理室10的特定波長之範圍之光中有可能觀測到晶圓16之反射率之變化受到處理室10內部的光量的影響，而降低補正光量之變動的精度。在這樣的情況下可以使用圖9(b)之光學系統50。和圖9(a)比 較，圖9(b)中藉由第1波長選擇部1311再度對通過處理室10的反射光24實施波長選擇。由此，藉由對使用在光量變化率之算出的波長進行濾波，在不受處理室內產生的光之影響之情況下可以實施高精度的光量變動補正，可以實現高精度的膜厚．深度推論。
本實施例中使用的光源、分光測量、測量條件、晶圓條件僅為一例，清楚的是，本發明亦可以適用於彼等以外之構成．條件。
10:處理室
12:電漿
14:樣本台
16:晶圓
18:光源部
20:導入透鏡
22:照射光
24:反射光
26:檢測透鏡
28:檢測部
30:膜厚．深度算出部
40:控制部
50:光學系統
100:電漿處理裝置 1010:分歧部 1011:第1波長選擇部 1012:第2波長選擇部 1013:混波部 100:第1數位濾波器 102:微分器 104:第2數位濾波器 106:微分比較器 108:微分波形圖案資料庫 1110:分歧部 1113:混波部 1210:分歧部 1213:混波部 1211:第1波長選擇部 1310:分歧部 1311:第1波長選擇部 1313:混波部
[圖1]係示意表示本發明之實施例的電漿處理裝置之構成之概略的圖。 [圖2]係示意表示圖1所示實施例的電漿處理裝置的膜厚･深度算出部之構成之概略的圖。 [圖3]係表示在圖1所示實施例的電漿處理裝置中檢測到的來自晶圓的多個波長之光的強度的曲線圖。 [圖4]表示在晶圓表面上事先配置的包含處理對象的膜層之多層的膜層所構成的膜結構之中的處理對象的膜層被蝕刻的處理中，針對在該膜結構中反射而形成的干涉光進行檢測而取得的干涉光的強度隨時間變化而變化的曲線圖。 [圖5]表示在晶圓表面上事先配置的包含處理對象的膜層之多層的膜層所構成的膜結構之中的處理對象的膜層被蝕刻的處理中，針對在該膜結構中反射而形成的干涉光進行檢測而取得的干涉光的強度隨時間變化而變化的曲線圖。 [圖6]使用繞射光柵的分光器之檢測原理的方塊圖。 [圖7]係示意表示本發明另一實施例的使用照射到電漿處理裝置之真空處理室內的光來檢測用於表示樣本的處理狀態的光量之構成之概略的方塊圖。 [圖8]係示意表示本發明之再另一實施例的使用照射到電漿處理裝置之真空處理室內的光來檢測用於表示樣本的處理狀態的光量之構成之概略的方塊圖。 [圖9]係示意表示本發明之再另一實施例的使用照射到電漿處理裝置之真空處理室內的光來檢測用於表示樣本的處理狀態的光量之構成之概略的方塊圖。
10:處理室
12:電漿
14:樣本台
16:晶圓
18:光源部
20:導入透鏡
22:照射光
24:反射光
26:檢測透鏡
28:檢測部
30:膜厚．深度算出部
40:控制部
50:光學系統
100:電漿處理裝置
1010:分歧部
1011:第1波長選擇部
1012:第2波長選擇部
1013:混波部

Claims (10)

  1. 一種電漿處理裝置，係使用形成在處理室內的電漿對配置在真空容器內部的該處理室內的晶圓上的處理對象的膜層進行處理的電漿處理裝置，其特徵為具備： 檢測器，在前述晶圓之處理中，針對接收從配置在前述處理室外部的光源照射到前述處理室內並在前述晶圓上表面被反射的光而取得的第1波長之範圍內的多個波長之第1光及從前述光源不經由前述處理室而傳輸的光之第2波長之範圍內的多個波長之第2光的強度進行檢測；及判斷器，針對在前述處理中取得的前述光的強度且為使用前述第2光的強度之變化率進行補正後的前述第1光的強度，與用來表示事先取得的以波長作為參數的光的強度和前述膜層之殘留膜厚度之相關性的圖案進行比較，並判斷該膜層之殘留膜厚度。
  2. 如請求項1之電漿處理裝置，其中 具備混波器，用於將前述第1光與第2光合成的光向前述檢測器輸出。
  3. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中 具備：分歧部，其使來自前述光源的光分歧為第1路徑和第2路徑；前述第1路徑包含從前述分歧部至照射到前述處理室內且被前述晶圓反射之後作為前述第1光被導入的前述檢測器為止之路徑，前述第2路徑包含從前述分歧部通過前述處理室外部作為第2光被導入的前述檢測部為止之路徑。
  4. 如請求項3之電漿處理裝置，其中 具備：濾波器，其配置在前述處理室外部的前述第1路徑上，用於將來自前述光源的光的波長之範圍限定為前述第1波長之範圍。
  5. 如請求項3之電漿處理裝置，其中 具備：濾波器，其配置在前述處理室外部的前述第2路徑上，用於將來自前述光源的光的波長之範圍限定為前述第2波長之範圍。
  6. 一種電漿處理方法，係使用形成在處理室內的電漿對配置在真空容器內部的該處理室內的晶圓上的處理對象的膜層進行處理的電漿處理方法，其特徵為： 在前述晶圓之處理中，針對接收從配置在前述處理室外部的光源照射到前述處理室內並在前述晶圓上表面被反射的光而取得的第1波長之範圍內的多個波長之第1光及從前述光源不經由前述處理室而傳輸的光之第2波長之範圍內的多個波長之第2光的強度進行檢測；針對在前述處理中取得的前述光的強度且為使用前述第2光的強度之變化率進行補正後的前述第1光的強度，與用來表示事先取得的以波長作為參數的光的強度和前述膜層之殘留膜厚度之相關性的圖案進行比較，並判斷該膜層之殘留膜厚度。
  7. 如請求項6之電漿處理方法，其中 使用從合成前述第1光與第2光而取得的光檢測到前述第2光的量之變化率對前述第1光的強度進行補正。
  8. 如請求項6或7之電漿處理方法，其中 來自前述光源的光被分歧為第1路徑和第2路徑，通過前述第1路徑的光被分歧之後照射到前述處理室內且被前述晶圓反射之後作為前述第1光被檢測，通過前述第2路徑的光係從前述分歧部通過前述處理室外部作為第2光被檢測。
  9. 如請求項8之電漿處理方法，其中 在前述處理室外部的前述第1路徑上來自前述光源的光的波長之範圍係被限定為前述第1波長之範圍。
  10. 如請求項8之電漿處理方法，其中 在前述處理室外部的前述第2路徑上來自前述光源的光的波長之範圍係被限定為前述第2波長之範圍。
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