TWI776513B - 圖像感測器及其製造方法 - Google Patents

圖像感測器及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI776513B
TWI776513B TW110117731A TW110117731A TWI776513B TW I776513 B TWI776513 B TW I776513B TW 110117731 A TW110117731 A TW 110117731A TW 110117731 A TW110117731 A TW 110117731A TW I776513 B TWI776513 B TW I776513B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
sensor chip
sensor
addition
light
Prior art date
Application number
TW110117731A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202135335A (zh
Inventor
村松紀宏
野澤克徳
Original Assignee
日商濱松赫德尼古斯股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 filed Critical 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司
Publication of TW202135335A publication Critical patent/TW202135335A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI776513B publication Critical patent/TWI776513B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/041—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00
    • H01L25/042—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
    • H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
    • H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
    • H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
    • H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
    • H04N1/0318—Integral pick-up heads, i.e. self-contained heads whose basic elements are a light-source, a lens array and a photodetector array which are supported by a single-piece frame
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
    • H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
    • H04N1/191—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a one-dimensional array, or a combination of one-dimensional arrays, or a substantially one-dimensional array, e.g. an array of staggered elements
    • H04N1/192—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line
    • H04N1/193—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on one main scanning line using electrically scanned linear arrays, e.g. linear CCD arrays
    • H04N1/1934—Combination of arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N2201/00—Indexing scheme relating to scanning, transmission or reproduction of documents or the like, and to details thereof
    • H04N2201/024—Indexing scheme relating to scanning, transmission or reproduction of documents or the like, and to details thereof deleted
    • H04N2201/028—Indexing scheme relating to scanning, transmission or reproduction of documents or the like, and to details thereof deleted for picture information pick-up
    • H04N2201/03—Indexing scheme relating to scanning, transmission or reproduction of documents or the like, and to details thereof deleted for picture information pick-up deleted
    • H04N2201/031—Indexing scheme relating to scanning, transmission or reproduction of documents or the like, and to details thereof deleted for picture information pick-up deleted deleted
    • H04N2201/03104—Integral pick-up heads, i.e. self-contained heads whose basic elements are a light source, a lens and a photodetector supported by a single-piece frame
    • H04N2201/03108—Components of integral heads
    • H04N2201/03141—Photodetector lens
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N2201/00—Indexing scheme relating to scanning, transmission or reproduction of documents or the like, and to details thereof
    • H04N2201/024—Indexing scheme relating to scanning, transmission or reproduction of documents or the like, and to details thereof deleted
    • H04N2201/028—Indexing scheme relating to scanning, transmission or reproduction of documents or the like, and to details thereof deleted for picture information pick-up
    • H04N2201/03—Indexing scheme relating to scanning, transmission or reproduction of documents or the like, and to details thereof deleted for picture information pick-up deleted
    • H04N2201/031—Indexing scheme relating to scanning, transmission or reproduction of documents or the like, and to details thereof deleted for picture information pick-up deleted deleted
    • H04N2201/03104—Integral pick-up heads, i.e. self-contained heads whose basic elements are a light source, a lens and a photodetector supported by a single-piece frame
    • H04N2201/03108—Components of integral heads
    • H04N2201/03145—Photodetector
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)

Abstract

線性圖像感測器具備第1、第2感測器晶片11A、12A、第1、第2基板21、22、共通支持基板30、支持部60、分離圍堰部70、及密封部80。第1感測器晶片11A在第1基板21之一端側突出一部分而搭載。第2感測器晶片12A在第2基板22之一端側突出一部分而搭載。第1、第2基板21、22搭載於共通支持基板30上。支持部60設置於第1、第2基板21、22之端面之間之間隙中。分離圍堰部70包圍感測器晶片11A、12A而環狀地設置。密封部80在由分離圍堰部70包圍之區域內密封感測器晶片11A、12A。藉此，可實現容易地進行感測器晶片之高精度之配置及密封部之表面之平坦性之確保的構成。

Description

圖像感測器及其製造方法
本發明係關於一種線性圖像感測器及其製造方法。
具備具有一維狀地配列之複數個受光區域(光電二極體)之感測器晶片的線性圖像感測器之長條化，受到半導體晶圓之尺寸之制約或製造裝置及組裝裝置等之制約而有其界限。因此，業界乃進行藉由將複數個感測器晶片縱列配置而實現在整體上為長條之線性圖像感測器(參照專利文獻1、2)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2013-150311號公報 [專利文獻2]日本特開昭64-82851號公報
[發明所欲解決之問題] 在如上述般將複數個感測器晶片縱列配置而構成之線性圖像感測器中，在複數個感測器晶片之整體上以一定節距配列受光區域事屬重要，因此，高精度地配列複數個感測器晶片乃屬重要。又，為了保護複數個感測器晶片等而利用密封部進行密封，此時為了確保良好之光學特性而密封部之表面為平坦此點有其重要性。 然而，在專利文獻1、2記載之線性圖像感測器中，高精度地配列複數個感測器晶片並不容易，且，確保密封部之表面之平坦性亦不容易。 本發明係為了解決上述問題點而完成者，其目的在於提供一種可容易地進行複數個感測器晶片之高精度之配置及密封部之表面之平坦性之確保的線性圖像感測器及其製造方法。 [解決問題之技術手段] 本發明之線性圖像感測器具備：(1)第1感測器晶片，其具有一維狀地配列之複數個受光區域；(2)第2感測器晶片，其具有一維狀地配列之複數個受光區域；(3)第1基板，其使第1感測器晶片之一部分在一端側突出而搭載第1感測器晶片；(4)第2基板，其使第2感測器晶片之一部分在一端側突出而搭載第2感測器晶片；(5)共通支持基板，其以第1基板之一端側與第2基板之一端側為對向之狀態搭載第1基板及第2基板；(6)支持部，其在對向之第1基板之一端側與第2基板之一端側之間之間隙中夾著第1感測器晶片及第2感測器晶片而設置於兩側；(7)分離圍堰部，其在第1基板、第2基板及支持部之上包圍第1感測器晶片及第2感測器晶片而環狀地設置；及(8)密封部，其在由分離圍堰部包圍之區域內密封第1感測器晶片及第2感測器晶片。 本發明之線性圖像感測器製造方法具備下述步驟：即：(1)第1基板搭載步驟，其以使具有一維狀地配列之複數個受光區域之第1感測器晶片之一部分在第1基板之一端側突出之狀態將第1感測器晶片搭載於第1基板上；(2)第2基板搭載步驟，其以使具有一維狀地配列之複數個受光區域之第2感測器晶片之一部分在第2基板之一端側突出之狀態將第2感測器晶片搭載於第2基板上；(3)共通支持基板搭載步驟，其在第1基板搭載步驟及第2基板搭載步驟之後，在共通支持基板上使第1基板之一端側與第2基板之一端側對向，且基於第1感測器晶片及第2感測器晶片各自之受光區域之配列來調整第1基板及第2基板之配置，而搭載第1感測器晶片及第2感測器晶片；(4)支持部形成步驟，其在共通支持基板搭載步驟之後，在對向之第1基板之一端側與第2基板之一端側之間之間隙中形成夾著第1感測器晶片及第2感測器晶片而設置於兩側之支持部；(5)分離圍堰部形成步驟，其在支持部形成步驟之後，在第1基板、第2基板及支持部之上形成包圍第1感測器晶片及第2感測器晶片而環狀地設置之分離圍堰部；及(6)密封部形成步驟，其在分離圍堰部形成步驟之後，在由分離圍堰部包圍之區域內形成密封第1感測器晶片及第2感測器晶片之密封部。 [發明之效果] 本發明之線性圖像感測器可容易地進行複數個感測器晶片之高精度之配置，且可容易地進行密封部之表面之平坦性之確保。
以下，參照附圖，針對用以實施本發明之方式進行詳細地說明。並且，在圖式之說明中對相同之要素標注相同之符號，並省略重複之說明。本發明並不限定於該等之例示。 圖1係顯示本實施方式之線性圖像感測器1之概略構成的平面圖。線性圖像感測器1具備：感測器晶片11、感測器晶片12、第1基板21、第2基板22、共通支持基板30、連接器41、42及接合引線51、52等。 感測器晶片11、12分別係具有一維狀地以一定節距配列之複數個受光區域(光電二極體)的半導體晶片。感測器晶片11、12可分別不僅形成有受光區域，還可形成有蓄積相應於朝各受光區域之光入射而產生之電荷並輸出與該電荷蓄積量相應之電壓值的信號讀出電路等。感測器晶片11、12具有相同之構成。感測器晶片11、12分別係例如在矽基板上形成有CMOS電路者。 第1基板21搭載感測器晶片11。第2基板22搭載感測器晶片12。第1基板21及第2基板22各自之厚度為彼此相同。第1基板21及第2基板22分別為例如陶瓷或玻璃環氧樹脂之印刷基板。 第1基板21所搭載之感測器晶片11之個數可為1個，亦可為2個以上。第2基板22所搭載之感測器晶片12之個數可為1個，亦可為2個以上。在圖1所示之例中，第1基板21搭載縱列配置之3個感測器晶片11，第2基板22搭載縱列配置之3個感測器晶片12。 第1基板21除了3個感測器晶片11以外，還搭載3個連接器41。藉由將感測器晶片11之電極墊與第1基板21上之電極予以連接之接合引線51、及形成於第1基板21上之電氣配線而將感測器晶片11與連接器41電性連接。又，第1基板21所搭載之連接器41之個數可為1個或2個，亦可為4個以上。 第2基板22除了3個感測器晶片12以外，還搭載3個連接器42。藉由將感測器晶片12之電極墊與第2基板22上之電極予以連接之接合引線52、及形成於第2基板22上之電氣配線而將感測器晶片12與連接器42電性連接。又，第2基板22所搭載之連接器42之個數可為1個或2個，亦可為4個以上。 共通支持基板30搭載第1基板21及第2基板22。共通支持基板30包含：平板部31，其在一方向(各感測器晶片之受光區域之配列方向)上為長條狀；及定位部32，其設置於該平板部31之一個長邊之緣。第1基板21及第2基板22搭載於平板部31之平坦之上表面之上，由定位部32決定短邊方向之位置。 第1基板21上之3個感測器晶片11中之位於最靠近第2基板22之位置的感測器晶片(第1感測器晶片11A)，在第1基板21之一端側(與第2基板22對向之側)突出一部分而搭載。第2基板22上之3個感測器晶片12中之位於最靠近第1基板21之位置的感測器晶片(第2感測器晶片12A)，在第2基板22之一端側(與第1基板21對向之側)突出一部分而搭載。第1基板21及第2基板22以第1基板21之前述一端側與第2基板22之前述一端側為對向之狀態，搭載於共通支持基板30上。又，第1感測器晶片11A之複數個受光區域與第2感測器晶片12A之複數個受光區域係在一條直線上並排。 亦即，在平面觀察下，第1感測器晶片11A之一部分較第1基板21之側面更往第2基板22側突出，第2感測器晶片12A之一部分較第2基板22之側面更往第1基板21側突出。藉此，對向之第1感測器晶片11A及第2感測器晶片12A各自之端面之間之間隙，較第1基板21之一端側與第2基板22之一端側之間之間隙變得狹窄。 3個感測器晶片11及3個感測器晶片12各自之複數個受光區域存在於直線上，該等之複數個受光區域以一定節距配列。 圖2係顯示本實施方式之線性圖像感測器1之主要部分之第1構成例的圖。圖2(a)係將圖1所示之線性圖像感測器1之中央附近之部分放大而顯示之平面圖。圖2(b)顯示圖2(a)之AA剖面。以下使用圖1及圖2說明線性圖像感測器1之第1構成例。線性圖像感測器1亦具備支持部60、分離圍堰部70及密封部80。又，為了便於圖示，在圖1中未顯示支持部60及密封部80，在圖2(a)中未顯示密封部80。 支持部60在對向之第1基板21之一端側與第2基板22之一端側之間之間隙中，夾著第1感測器晶片11A及第2感測器晶片12A而設置於兩側。支持部60與共通支持基板30為個別構體。支持部60較佳的是與第1基板21及第2基板22各自之端面相接。支持部60較佳的是直至共通支持基板30之上表面而設置且與共通支持基板30之上表面相接。支持部60較佳的是直至高於第1基板21及第2基板22各自之上表面之位置而設置，一部分可在第1基板21及第2基板22各自之上表面之上。支持部60較佳的是包含塗佈後硬化之樹脂(例如矽酮樹脂)。 分離圍堰部70係在第1基板21、第2基板22及支持部60之上包圍感測器晶片11、12及接合引線51、52而環狀地設置之框體。分離圍堰部70直至高於由密封部80密封之對象物之最高點之位置而設置，在本構成例中直至較接合引線51、52之最高之位置更高的位置而設置。分離圍堰部70較佳的是包含塗佈後硬化之樹脂(例如矽酮樹脂)。又，即便在第1基板21及第2基板22各自之端面與支持部60之間有間隙，根據樹脂之黏性之程度，而可在其間隙上亦連續地設置分離圍堰部70。 密封部80在由分離圍堰部70包圍之區域內密封感測器晶片11、12及接合引線51、52。密封部80之上表面高於接合引線51、52之最高之位置，且低於分離圍堰部70之上表面。密封部80相對於檢測對象之光具有高透射率。密封部80較佳的是包含塗佈後硬化之樹脂(例如矽酮樹脂)。又，密封部80之樹脂較佳的是，在硬化前上表面為平坦，在硬化後仍可維持上表面之平坦性。又，即便在第1基板21及第2基板22各自之端面與支持部60之間存在有間隙，或者是，在共通支持基板30之上表面與支持部60之間存在有間隙，根據樹脂之黏性之程度，而可使密封部80之上表面平坦。 在第1構成例中，硬化前之密封部80之樹脂有朝對向之第1基板21及第2基板22各自之端面之間之間隙流入的可能性，但藉由設置於第1基板21及第2基板22各自之端面之間的支持部60而可抑制樹脂之流出。 圖3係顯示本實施方式之線性圖像感測器1之主要部分之第2構成例的圖。圖3(a)係將圖1所示之線性圖像感測器1之中央附近之部分放大而顯示之平面圖。圖3(b)顯示圖3(a)之AA剖面。以下使用圖1及圖3說明線性圖像感測器1之第2構成例。又，為了便於圖示，在圖3(a)中亦未顯示密封部80。 在圖2所示之第1構成例中，支持部60在對向之第1基板21之一端側與第2基板22之一端側之間之間隙中，夾著第1感測器晶片11A及第2感測器晶片12A而設置於兩側，但在第1感測器晶片11A及第2感測器晶片12A之下並未設置。相對於此，在圖3所示之第2構成例中，支持部60之一部分存在於第1感測器晶片11A及第2感測器晶片12A各自之下。 在第2構成例中亦然，支持部60較佳的是與第1基板21及第2基板22各自之端面相接。支持部60較佳的是直至共通支持基板30之上表面而設置且與共通支持基板30之上表面相接。支持部60較佳的是與第1感測器晶片11A及第2感測器晶片12A各自之下表面相接。支持部60較佳的是，在不存在第1感測器晶片11A及第2感測器晶片12A之區域內，直至高於第1基板21及第2基板22各自之上表面之位置而設置，一部分可在第1基板21及第2基板22各自之上表面之上。支持部60較佳的是包含塗佈後硬化之樹脂(例如矽酮樹脂)。 在第2構成例中，所謂在由分離圍堰部70包圍之區域內，硬化前之密封部80之樹脂具有朝對向之第1基板21及第2基板22各自之端面之間之間隙流入之可能性，係僅指對向之第1感測器晶片11A及第2感測器晶片12A各自之端面之間之狹窄間隙。因此，與第1構成例相比較，在第2構成例中，可更確實地抑制樹脂朝對向之第1基板21及第2基板22各自之端面之間之間隙之流入。因此，可在間隙部分，容易地確保密封部80之表面之平坦性，而可具有良好之光學特性。 圖4係顯示本實施方式之線性圖像感測器1之主要部分之第3構成例的圖。圖4(a)係將圖1所示之線性圖像感測器1之中央附近之部分放大而顯示之平面圖。圖4(b)顯示圖4(a)之AA剖面。以下使用圖1及圖4說明線性圖像感測器1之第3構成例。又，為了便於圖示，在圖4(a)中亦未顯示密封部80。 在圖2所示之第1構成例及圖3所示之第2構成例中，支持部60設置為在對向之第1基板21之一端側與第2基板22之一端側之間之間隙中分成2部分。相對於此，在圖4所示之第3構成例中，支持部60在第1基板21之一端側與第2基板22之一端側之間之間隙中，係相對於第1感測器晶片11A及第2感測器晶片12A自一側直到另一側而連續地設置。 在第3構成例中亦然，支持部60較佳的是與第1基板21及第2基板22各自之端面相接。支持部60較佳的是直至共通支持基板30之上表面而設置且與共通支持基板30之上表面相接。支持部60較佳的是與第1感測器晶片11A及第2感測器晶片12A各自之下表面相接。支持部60較佳的是，在不存在第1感測器晶片11A及第2感測器晶片12A之區域內，直至高於第1基板21及第2基板22各自之上表面之位置而設置，一部分可在第1基板21及第2基板22各自之上表面之上。支持部60較佳的是包含塗佈後硬化之樹脂(例如矽酮樹脂)。 在第3構成例中，在由分離圍堰部70包圍之區域內，硬化前之密封部80之樹脂不會朝對向之第1基板21及第2基板22各自之端面之間之間隙流入。因此，可在間隙部分確實地確保密封部80之表面之平坦性，而可具有良好之光學特性。 又，在第1至第3之構成例之任一情形下均相同，若支持部60、分離圍堰部70及密封部80由相同樹脂構成，則有無法識別該等之邊界之可能性。然而，支持部60、分離圍堰部70及密封部80可藉由所設置之區域等來區別。 亦即，分離圍堰部70係第1基板21及第2基板22之上之樹脂中周緣為高之部分。密封部80係第1基板21及第2基板22之上之樹脂中由分離圍堰部70包圍之低的部分。又，支持部60係位於分離圍堰部70之下方，且為位於第1基板21及第2基板22各自之端面之間的部分。另外，通常而言，係使密封部80低於分離圍堰部70而形成，但根據用作密封部80之樹脂之黏性等之條件，亦能夠使密封部80高於分離圍堰部70而形成。 其次，針對本實施方式之線性圖像感測器1之製造方法進行說明。圖5係本實施方式之線性圖像感測器1之製造方法的流程圖。 在第1基板搭載步驟S1中，在第1基板21上搭載3個感測器晶片11及3個連接器41。此時，調整搭載於第1基板21上之3個感測器晶片11之位置及方位，以在該等3個感測器晶片11之整體上使各受光區域以一定節距在一條直線上並排。針對搭載於第1基板21上之3個感測器晶片11中位於第1基板21之一端側之第1感測器晶片11A，使一部分自第1基板21突出而搭載。又，藉由接合引線51將感測器晶片11之電極墊與第1基板21上之電極予以連接。另外，連接器41亦可在其他步驟(S1～S6中任一步驟或其後)中搭載。 相同地，在第2基板搭載步驟S2中，在第2基板22上搭載3個感測器晶片12及3個連接器42。此時，調整搭載於第2基板22上之3個感測器晶片12之位置及方位，以在該等3個感測器晶片12之整體上使各受光區域以一定節距在一條直線上並排。針對在第2基板22上搭載之3個感測器晶片12中位於第2基板22之一端側之第2感測器晶片12A，使一部分自第2基板22突出而搭載。又，藉由接合引線52將感測器晶片12之電極墊與第2基板22上之電極予以連接。另外，連接器42亦可在其他步驟(S1～S6中任一步驟或其後)中搭載。 在第1基板搭載步驟S1及第2基板搭載步驟S2之後，進行共通支持基板搭載步驟S3。在共通支持基板搭載步驟S3中，在共通支持基板30上搭載第1基板21，該第1基板21搭載有3個感測器晶片11及3個連接器41；且搭載第2基板22，該第2基板22搭載有3個感測器晶片12及3個連接器42。此時，使第1基板21之前述一端側與第2基板22之前述一端側對向，調整第1基板21及第2基板22各自之位置及方位，以在共計6個感測器晶片11、12之整體上使各受光區域以一定節距在一條直線上並排。 在共通支持基板搭載步驟S3中，第1基板21及第2基板22各自之短邊方向之位置及方位可藉由使第1基板21及第2基板22抵接於共通支持基板30之定位部32而適切地設定。第1基板21及第2基板22各自之長邊方向之位置(亦即，第1感測器晶片11A與第2感測器晶片12A之間隔)，能夠藉由監視兩感測器晶片之受光區域之位置或兩感測器晶片之間隔來調整。該調整可基於目視以手動作業來進行，亦可基於圖像解析之結果而自動地進行。 在共通支持基板搭載步驟S3之後，進行支持部形成步驟S4。在支持部形成步驟S4中，於在共通支持基板30上對向而搭載之第1基板21及第2基板22之間之間隙中，夾著第1感測器晶片11A及第2感測器晶片12A而在兩側塗佈樹脂，藉由使該樹脂硬化而形成支持部60。 在支持部形成步驟S4中，支持部60較佳的是以與第1基板21及第2基板22各自之端面相接之方式形成。支持部60較佳的是直至共通支持基板30之上表面而設置且以與共通支持基板30之上表面相接之方式形成。支持部60較佳的是直至高於第1基板21及第2基板22各自之上表面之位置而設置，一部分可設置在第1基板21及第2基板22各自之上表面之上。又，支持部60亦可如第2構成例或第3構成例所示般而形成。 在支持部形成步驟S4之後，進行分離圍堰部形成步驟S5。在分離圍堰部形成步驟S5中，在第1基板21、第2基板22及支持部60之上，包圍感測器晶片11、12及接合引線51、52而環狀地塗佈樹脂，藉由使該樹脂硬化而形成分離圍堰部70。此時，使分離圍堰部70之高度高於接合引線51、52之最高位置。 在分離圍堰部形成步驟S5之後，進行密封部形成步驟S6。在密封部形成步驟S6中，在由分離圍堰部70包圍之區域內塗佈樹脂，藉由使該樹脂硬化而形成密封部80。此時，使密封部80之上表面高於接合引線51、52之最高之位置，且低於分離圍堰部70之上表面。 如以上所述般，在本實施方式中，使第1感測器晶片11A之一部分自第1基板21突出而搭載，且使第2感測器晶片12A之一部分自第2基板22突出而搭載，由於進行第1感測器晶片11A及第2感測器晶片12A之直接之位置調整而製造，故易於進行複數個感測器晶片11、12之高精度之配置。 其結果為，在本實施方式中，在第1基板21與第2基板22之間產生間隙，但由於在其間隙中設置支持部60，且不僅在第1基板21及第2基板22之上，還在支持部60之上包圍感測器晶片11、12而連續地設置分離圍堰部70，故可抑制密封部80之硬化前之樹脂朝間隙流出，而在間隙部分亦容易地確保密封部80之表面之平坦性，從而具有良好之光學特性。 另外，專利文獻1記載之線性圖像感測器係藉由第1基板及第2基板分別抵接於設置在共通支持基板上之凸部(間隔保持部)而分別定位第1基板及第2基板。該等之一般而言由樹脂或陶瓷成形之共通支持基板、第1基板及第2基板各自之形狀及寸法之精度，一般而言低於藉由半導體製造製程製作之感測器晶片之形狀及寸法之精度。因此，專利文獻1記載之線性圖像感測器不易進行複數個感測器晶片之高精度之配置。 本發明並非係限定於上述實施方式者，可進行各種變化。例如，搭載感測器晶片之基板(印刷基板)之個數在上述之實施方式中係2個，但亦可為3個以上。一般而言在N個基板位於共通支持基板上時，可行的是，與上述實施方式相同地確定任意之相鄰之2個基板之位置關係且在兩基板間之間隙設置支持部，在N個基板及支持部之上包圍全部感測器晶片而環狀地設置分離圍堰部。 在上述實施方式之線性圖像感測器中，採用具備下述部分之構成：(1)第1感測器晶片，其具有一維狀地配列之複數個受光區域；(2)第2感測器晶片，其具有一維狀地配列之複數個受光區域；(3)第1基板，其使第1感測器晶片之一部分在一端側突出而搭載第1感測器晶片；(4)第2基板，其使第2感測器晶片之一部分在一端側突出而搭載第2感測器晶片；(5)共通支持基板，其以第1基板之一端側與第2基板之一端側對向之狀態搭載第1基板及第2基板；(6)支持部，其在對向之第1基板之一端側與第2基板之一端側之間之間隙中夾著第1感測器晶片及第2感測器晶片而設置於兩側；(7)分離圍堰部，其在第1基板、第2基板及支持部之上包圍第1感測器晶片及第2感測器晶片而環狀地設置；及(8)密封部，其在由分離圍堰部包圍之區域內密封第1感測器晶片及第2感測器晶片。 在上述構成之線性圖像感測器中，亦可採用下述之構成，第1基板除了第1感測器晶片以外，還搭載具有一維狀地配列之複數個受光區域之其他感測器晶片(第3感測器晶片)，第2基板除了第2感測器晶片以外，還搭載具有一維狀地配列之複數個受光區域其他感測器晶片(第4感測器晶片)，分離圍堰部除了第1感測器晶片及第2感測器晶片以外還包圍該等其他感測器晶片(第3、第4感測器晶片)而環狀地設置，密封部在由分離圍堰部包圍之區域內除了第1感測器晶片及第2感測器晶片以外還密封該等其他感測器晶片(第3、第4感測器晶片)。 在上述構成之線性圖像感測器中，可採用支持部在間隙中相對於第1感測器晶片及第2感測器晶片自一側直到另一側而連續地設置之構成。 又，在上述構成之線性圖像感測器中，可採用支持部直至共通支持基板之上表面而設置之構成。 又，在上述構成之線性圖像感測器中，可採用支持部、分離圍堰部及密封部分別包含樹脂之構成。 又，在上述構成之線性圖像感測器中，可採用第1感測器晶片之複數個受光區域與第2感測器晶片之複數個受光區域在一條直線上並排之構成。 在上述實施方式之線性圖像感測器製造方法中，採用具備下述步驟之構成：(1)第1基板搭載步驟，其以使具有一維狀地配列之複數個受光區域之第1感測器晶片之一部分在第1基板之一端側突出之狀態將第1感測器晶片搭載於第1基板上；(2)第2基板搭載步驟，其以使具有一維狀地配列之複數個受光區域之第2感測器晶片之一部分在第2基板之一端側突出之狀態將第2感測器晶片搭載於第2基板上；(3)共通支持基板搭載步驟，其在第1基板搭載步驟及第2基板搭載步驟之後，在共通支持基板上使第1基板之一端側與第2基板之一端側對向，且基於第1感測器晶片及第2感測器晶片各自之受光區域之配列來調整第1基板及第2基板之配置，而搭載第1感測器晶片及第2感測器晶片；(4)支持部形成步驟，其在共通支持基板搭載步驟之後，在對向之第1基板之一端側與第2基板之一端側之間之間隙中形成夾著第1感測器晶片及第2感測器晶片而設置於兩側之支持部；(5)分離圍堰部形成步驟，其在支持部形成步驟之後，在第1基板、第2基板及支持部之上形成包圍第1感測器晶片及第2感測器晶片而環狀地設置之分離圍堰部；及(6)密封部形成步驟，其在分離圍堰部形成步驟之後，在由分離圍堰部包圍之區域內形成密封第1感測器晶片及第2感測器晶片之密封部。 在上述構成之線性圖像感測器製造方法中，亦可採用下述之構成，即：在第1基板搭載步驟中，在第1基板上除了第1感測器晶片以外，還搭載具有一維狀地配列之複數個受光區域之其他感測器晶片(第3感測器晶片)；在第2基板搭載步驟中，在第2基板上除了第2感測器晶片以外，還搭載具有一維狀地配列之複數個受光區域之其他感測器晶片(第4感測器晶片)；在分離圍堰部形成步驟中，形成除了第1感測器晶片及第2感測器晶片以外還包圍其他感測器晶片(第3、第4感測器晶片)而環狀地設置之分離圍堰部；在密封部形成步驟中，在由分離圍堰部包圍之區域內形成除了第1感測器晶片及第2感測器晶片以外還密封其他感測器晶片(第3、第4感測器晶片)之密封部。 在上述構成之線性圖像感測器製造方法中，在支持部形成步驟中，可採用在間隙中相對於第1感測器晶片及第2感測器晶片自一側直到另一側而連續地形成支持部之構成。 又，在上述構成之線性圖像感測器製造方法中，在支持部形成步驟中可採用直至共通支持基板之上表面而形成支持部之構成。 此外，在上述構成之線性圖像感測器製造方法中，可採用支持部、分離圍堰部及密封部分別使用樹脂之構成。 另外，在上述構成之線性圖像感測器製造方法中，在共通支持基板搭載步驟中，可採用以第1感測器晶片之複數個受光區域與第2感測器晶片之複數個受光區域在一條直線上並排之方式來調整第1基板及第2基板之配置之構成。 [產業上之可利用性] 本發明可作為容易高精度地配置複數個感測器晶片及確保密封部之表面之平坦性的線性圖像感測器及其製造方法而利用。
1:線性圖像感測器 11:感測器晶片 11A:第1感測器晶片 12:感測器晶片 12A:第2感測器晶片 21:第1基板 22:第2基板 30:共通支持基板 31:平板部 32:定位部 41:連接器 42:連接器 51:接合引線 52:接合引線 60:支持部 70:分離圍堰部 80:密封部 AA:線
圖1係顯示本實施方式之線性圖像感測器1之概略構成的平面圖。 圖2(a)、圖2(b)係顯示本實施方式之線性圖像感測器1之主要部分之第1構成例的圖。 圖3(a)、圖3(b)係顯示本實施方式之線性圖像感測器1之主要部分之第2構成例的圖。 圖4(a)、圖4(b)係顯示本實施方式之線性圖像感測器1之主要部分之第3構成例的圖。 圖5係本實施方式之線性圖像感測器1之製造方法之流程圖。
11A:第1感測器晶片
12A:第2感測器晶片
21:第1基板
22:第2基板
30:共通支持基板
31:平板部
32:定位部
41:連接器
42:連接器
51:接合引線
52:接合引線
60:支持部
70:分離圍堰部
80:密封部
AA:線

Claims (22)

  1. 一種圖像感測器，其具備：第1感測器晶片，其具有複數個受光區域；第2感測器晶片，其具有複數個受光區域；第1基板，其搭載前述第1感測器晶片；第2基板，其搭載前述第2感測器晶片；共通支持基板，其以前述第1基板之一端側與前述第2基板之一端側為對向之狀態搭載前述第1基板及前述第2基板；支持部，其在對向之前述第1基板之前述一端側與前述第2基板之前述一端側之間之間隙中夾著前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片而設置於兩側；分離圍堰部，其在前述第1基板、前述第2基板及前述支持部之上包圍前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片而環狀地設置；及密封部，其在由前述分離圍堰部包圍之區域內密封前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片。
  2. 如請求項1之圖像感測器，其中前述第1感測器晶片中之前述複數個受光區域之配列方向與前述第2感測器晶片中之前述複數個受光區域之配列方向一致。
  3. 如請求項1之圖像感測器，其中對向之前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片之端面之間之間隙窄於前述第1基板之前述一端側與前述第2基 板之前述一端側之間之間隙。
  4. 如請求項2之圖像感測器，其中對向之前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片之端面之間之間隙窄於前述第1基板之前述一端側與前述第2基板之前述一端側之間之間隙。
  5. 如請求項1之圖像感測器，其中前述第1基板除了前述第1感測器晶片以外，還搭載具有複數個受光區域之其他感測器晶片，前述第2基板除了前述第2感測器晶片以外，還搭載具有複數個受光區域之其他感測器晶片，前述分離圍堰部除了前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片以外還包圍該等其他感測器晶片而環狀地設置，前述密封部在由前述分離圍堰部包圍之區域內除了前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片以外還密封該等其他感測器晶片。
  6. 如請求項2之圖像感測器，其中前述第1基板除了前述第1感測器晶片以外，還搭載具有複數個受光區域之其他感測器晶片，前述第2基板除了前述第2感測器晶片以外，還搭載具有複數個受光區域之其他感測器晶片，前述分離圍堰部除了前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片以外還包圍該等其他感測器晶片而環狀地設置，前述密封部在由前述分離圍堰部包圍之區域內除了前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片以外還密封該等其他感測器晶片。
  7. 如請求項3之圖像感測器，其中前述第1基板除了前述第1感測器晶片以外，還搭載具有複數個受光區域之其他感測器晶片，前述第2基板除了前述第2感測器晶片以外，還搭載具有複數個受光區域之其他感測器晶片，前述分離圍堰部除了前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片以外還包圍該等其他感測器晶片而環狀地設置，前述密封部在由前述分離圍堰部包圍之區域內除了前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片以外還密封該等其他感測器晶片。
  8. 如請求項4之圖像感測器，其中前述第1基板除了前述第1感測器晶片以外，還搭載具有複數個受光區域之其他感測器晶片，前述第2基板除了前述第2感測器晶片以外，還搭載具有複數個受光區域之其他感測器晶片，前述分離圍堰部除了前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片以外還包圍該等其他感測器晶片而環狀地設置，前述密封部在由前述分離圍堰部包圍之區域內除了前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片以外還密封該等其他感測器晶片。
  9. 如請求項1至8中任一項之圖像感測器，其中前述支持部在前述間隙中相對於前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片自一側直到另一側而連續地設置。
  10. 如請求項1至8中任一項之圖像感測器，其中前述支持部直至前述共通支持基板之上表面而設置。
  11. 如請求項1至8中任一項之圖像感測器，其中前述支持部、前述分離圍堰部及前述密封部分別包含樹脂。
  12. 一種圖像感測器製造方法，該方法具備：第1基板搭載步驟，其將具有複數個受光區域之第1感測器晶片搭載於第1基板上；第2基板搭載步驟，其將具有複數個受光區域之第2感測器晶片搭載於第2基板上；共通支持基板搭載步驟，其在前述第1基板搭載步驟及前述第2基板搭載步驟之後，在共通支持基板上，使前述第1基板之一端側與前述第2基板之一端側對向，基於前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片各自之受光區域之配列來調整前述第1基板及前述第2基板之配置，而搭載前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片；支持部形成步驟，其在前述共通支持基板搭載步驟之後，在對向之前述第1基板之前述一端側與前述第2基板之前述一端側之間之間隙中形成夾著前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片而設置於兩側之支持部；分離圍堰部形成步驟，其在前述支持部形成步驟之後，在前述第1基板、前述第2基板及前述支持部之上形成包圍前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片而環狀地設置之分離圍堰部；及密封部形成步驟，其在前述分離圍堰部形成步驟之後，在由前述分 離圍堰部包圍之區域中形成密封前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片之密封部。
  13. 如請求項12之圖像感測器製造方法，其中前述第1感測器晶片中之前述複數個受光區域之配列方向與前述第2感測器晶片中之前述複數個受光區域之配列方向一致。
  14. 如請求項12之圖像感測器製造方法，其中對向之前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片之端面之間之間隙窄於前述第1基板之前述一端側與前述第2基板之前述一端側之間之間隙。
  15. 如請求項13之圖像感測器製造方法，其中對向之前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片之端面之間之間隙窄於前述第1基板之前述一端側與前述第2基板之前述一端側之間之間隙。
  16. 如請求項12之圖像感測器製造方法，其中在前述第1基板搭載步驟中，在前述第1基板上除了前述第1感測器晶片以外，還搭載具有複數個受光區域之其他感測器晶片；在前述第2基板搭載步驟中，在前述第2基板上除了前述第2感測器晶片以外，還搭載具有複數個受光區域之其他感測器晶片；在前述分離圍堰部形成步驟中，形成除了前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片以外還包圍前述其他感測器晶片而環狀地設置之前述分離圍堰部； 在前述密封部形成步驟中，在由前述分離圍堰部包圍之區域內形成除了前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片以外還密封前述其他感測器晶片之前述密封部。
  17. 如請求項13之圖像感測器製造方法，其中在前述第1基板搭載步驟中，在前述第1基板上除了前述第1感測器晶片以外，還搭載具有複數個受光區域之其他感測器晶片；在前述第2基板搭載步驟中，在前述第2基板上除了前述第2感測器晶片以外，還搭載具有複數個受光區域之其他感測器晶片；在前述分離圍堰部形成步驟中，形成除了前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片以外還包圍前述其他感測器晶片而環狀地設置之前述分離圍堰部；在前述密封部形成步驟中，在由前述分離圍堰部包圍之區域內形成除了前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片以外還密封前述其他感測器晶片之前述密封部。
  18. 如請求項14之圖像感測器製造方法，其中在前述第1基板搭載步驟中，在前述第1基板上除了前述第1感測器晶片以外，還搭載具有複數個受光區域之其他感測器晶片；在前述第2基板搭載步驟中，在前述第2基板上除了前述第2感測器晶片以外，還搭載具有複數個受光區域之其他感測器晶片；在前述分離圍堰部形成步驟中，形成除了前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片以外還包圍前述其他感測器晶片而環狀地設置之前述分離 圍堰部；在前述密封部形成步驟中，在由前述分離圍堰部包圍之區域內形成除了前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片以外還密封前述其他感測器晶片之前述密封部。
  19. 如請求項15之圖像感測器製造方法，其中在前述第1基板搭載步驟中，在前述第1基板上除了前述第1感測器晶片以外，還搭載具有複數個受光區域之其他感測器晶片；在前述第2基板搭載步驟中，在前述第2基板上除了前述第2感測器晶片以外，還搭載具有複數個受光區域之其他感測器晶片；在前述分離圍堰部形成步驟中，形成除了前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片以外還包圍前述其他感測器晶片而環狀地設置之前述分離圍堰部；在前述密封部形成步驟中，在由前述分離圍堰部包圍之區域內形成除了前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片以外還密封前述其他感測器晶片之前述密封部。
  20. 如請求項12至19中任一項之圖像感測器製造方法，其中在前述支持部形成步驟中，在前述間隙中相對於前述第1感測器晶片及前述第2感測器晶片自一側直到另一側而連續地形成前述支持部。
  21. 如請求項12至19中任一項之圖像感測器製造方法，其中在前述支持部形成步驟中，直至前述共通支持基板之上表面而形成前述支持部。
  22. 如請求項12至19中任一項之圖像感測器製造方法，其中前述支持部、前述分離圍堰部及前述密封部分別使用樹脂。
TW110117731A 2016-08-12 2017-08-02 圖像感測器及其製造方法 TWI776513B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP??2016-158527 2016-08-12
JP2016158527A JP6654116B2 (ja) 2016-08-12 2016-08-12 リニアイメージセンサおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202135335A TW202135335A (zh) 2021-09-16
TWI776513B true TWI776513B (zh) 2022-09-01

Family

ID=61162596

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110117731A TWI776513B (zh) 2016-08-12 2017-08-02 圖像感測器及其製造方法
TW106126023A TWI729179B (zh) 2016-08-12 2017-08-02 線性圖像感測器及其製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106126023A TWI729179B (zh) 2016-08-12 2017-08-02 線性圖像感測器及其製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10886316B2 (zh)
JP (1) JP6654116B2 (zh)
DE (1) DE112017004056T5 (zh)
TW (2) TWI776513B (zh)
WO (1) WO2018030147A1 (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI235752B (en) * 2001-04-13 2005-07-11 Vertex Pharma Inhibitors of c-JUN N-terminal kinases (JNK) and other protein kinases
JP2013150311A (ja) * 2011-12-22 2013-08-01 Canon Components Inc イメージセンサユニット、画像読取装置および画像形成装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
LU86925A1 (fr) 1987-06-19 1989-03-08 Glaverbel Article en verre transmettant la lumiere et presentant une faible reflexion speculaire
JPS6482851A (en) * 1987-09-25 1989-03-28 Seiko Instr & Electronics Image sensor module
JPH0548061A (ja) * 1991-08-13 1993-02-26 Sony Corp 密着型リニアセンサー
JP2008192853A (ja) * 2007-02-05 2008-08-21 Sharp Corp 複数の半導体素子を備える半導体装置、および半導体装置の製造方法
JP5732286B2 (ja) * 2011-03-16 2015-06-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI235752B (en) * 2001-04-13 2005-07-11 Vertex Pharma Inhibitors of c-JUN N-terminal kinases (JNK) and other protein kinases
JP2013150311A (ja) * 2011-12-22 2013-08-01 Canon Components Inc イメージセンサユニット、画像読取装置および画像形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE112017004056T5 (de) 2019-04-25
JP6654116B2 (ja) 2020-02-26
US11282880B2 (en) 2022-03-22
US20210028211A1 (en) 2021-01-28
TW201806176A (zh) 2018-02-16
TW202135335A (zh) 2021-09-16
TWI729179B (zh) 2021-06-01
WO2018030147A1 (ja) 2018-02-15
JP2018026491A (ja) 2018-02-15
US10886316B2 (en) 2021-01-05
US20190189660A1 (en) 2019-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI763783B (zh) 薄膜覆晶封裝、顯示面板及顯示裝置
KR100932824B1 (ko) 고체 촬상 장치 및 그의 제조 방법
US9887222B2 (en) Method of manufacturing optical apparatus
JP5295388B2 (ja) フォースセンサ及びその製造方法
US7481113B2 (en) Semiconductor sensor with projection for preventing proof mass from sticking to cover plate
JP2005180930A (ja) 半導体センサ装置及びその製造方法
JP2014048072A (ja) 圧力センサモジュール
TWI518886B (zh) 光感裝置及其製法
US9983081B2 (en) Pressure sensor
TWI776513B (zh) 圖像感測器及其製造方法
CN109844482B (zh) 压力传感器
US8987905B2 (en) Semiconductor package and method for manufacturing the same
US10260974B2 (en) Electronic part with sensor exposed to ambient air
US11444220B2 (en) Light detection device and method for manufacturing light detection device
US10991668B1 (en) Connection pad configuration of semiconductor device
WO2023058103A1 (ja) 気密パッケージ素子および素子モジュール
JP2007324566A (ja) 半導体歪みゲージ及びその製造方法
JP4548052B2 (ja) フローセンサおよびその製造方法
JP2006184013A (ja) 加速度センサ
CN113451275A (zh) 半导体元件以及固体摄像装置
TW202349732A (zh) 具有模組化封裝之光電子裝置
JP2005091312A (ja) 静電容量型加速度センサ
JP2014219334A (ja) 赤外線センサチップ

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent