JP6654116B2 - リニアイメージセンサおよびその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、リニアイメージセンサおよびその製造方法に関するものである。
一次元状に配列された複数の受光領域（フォトダイオード）を有するセンサチップを備えるリニアイメージセンサの長尺化は、半導体ウェハのサイズの制約や製造装置およびアセンブリ装置等の制約により限界がある。そこで、複数のセンサチップを縦列配置することで全体として長尺のリニアイメージセンサを実現することが行われる（特許文献１，２を参照）。
特開２０１３−１５０３１１号公報 特開昭６４−８２８５１号公報
上記のように複数のセンサチップを縦列配置して構成されるリニアイメージセンサにおいては、複数のセンサチップの全体において一定ピッチで受光領域が配列されていることが重要であり、それ故、複数のセンサチップが高精度に配列されていることが重要である。また、複数のセンサチップ等を保護する為に封止部で封止し、その際に良好な光学的特性を確保する為に封止部の表面が平坦であることが重要である。
しかし、特許文献１，２に記載されたリニアイメージセンサにおいては、複数のセンサチップを高精度に配列することは容易ではなく、また、封止部の表面の平坦性を確保することも容易ではない。
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、複数のセンサチップの高精度の配置および封止部の表面の平坦性の確保が容易なリニアイメージセンサおよびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明のリニアイメージセンサは、(1) 一次元状に配列された複数の受光領域を有する第１センサチップと、(2) 一次元状に配列された複数の受光領域を有する第２センサチップと、(3) 第１センサチップの一部を一端側において突出させて第１センサチップを搭載する第１基板と、(4) 第２センサチップの一部を一端側において突出させて第２センサチップを搭載する第２基板と、(5) 第１基板の一端側と第２基板の一端側とが対向した状態で第１基板および第２基板を搭載する共通支持基板と、(6) 対向している第１基板の一端側と第２基板の一端側との間の間隙において第１センサチップおよび第２センサチップを挟んで両側に設けられた支持部と、(7) 第１基板、第２基板および支持部の上において第１センサチップおよび第２センサチップを囲んで環状に設けられたダム部と、(8) ダム部により囲われた領域において第１センサチップおよび第２センサチップを封止する封止部と、を備える。
本発明のリニアイメージセンサにおいて、第１基板が、第１センサチップに加えて、一次元状に配列された複数の受光領域を有する他のセンサチップを搭載し、第２基板が、第２センサチップに加えて、一次元状に配列された複数の受光領域を有する他のセンサチップを搭載し、ダム部が、第１センサチップおよび第２センサチップに加えてこれら他のセンサチップを囲んで環状に設けられ、封止部が、ダム部により囲われた領域において第１センサチップおよび第２センサチップに加えてこれら他のセンサチップを封止するのが好適である。
本発明のリニアイメージセンサにおいて、支持部が、間隙において第１センサチップおよび第２センサチップに対して一方側から他方側にかけて連続して設けられているのが好適である。支持部が、共通支持基板の上面に至るまで設けられているのが好適である。また、支持部、ダム部および封止部それぞれが樹脂からなるのが好適である。
本発明のリニアイメージセンサ製造方法は、(1) 一次元状に配列された複数の受光領域を有する第１センサチップの一部を第１基板の一端側において突出させた状態で第１センサチップを第１基板上に搭載する第１基板搭載ステップと、(2) 一次元状に配列された複数の受光領域を有する第２センサチップの一部を第２基板の一端側において突出させた状態で第２センサチップを第２基板上に搭載する第２基板搭載ステップと、(3) 第１基板搭載ステップおよび第２基板搭載ステップの後に、共通支持基板上において、第１基板の一端側と第２基板の一端側とを対向させ、第１センサチップおよび第２センサチップそれぞれの受光領域の配列に基づいて第１基板および第２基板の配置を調整して、第１センサチップおよび第２センサチップを搭載する共通支持基板搭載ステップと、(4) 共通支持基板搭載ステップの後に、対向している第１基板の一端側と第２基板の一端側との間の間隙において第１センサチップおよび第２センサチップを挟んで両側に設けられた支持部を形成する支持部形成ステップと、(5) 支持部形成ステップの後に、第１基板、第２基板および支持部の上において第１センサチップおよび第２センサチップを囲んで環状に設けられたダム部を形成するダム部形成ステップと、(6) ダム部形成ステップの後に、ダム部により囲われた領域において第１センサチップおよび第２センサチップを封止する封止部を形成する封止部形成ステップと、を備える。
第１基板搭載ステップにおいて、第１センサチップに加えて、一次元状に配列された複数の受光領域を有する他のセンサチップを第１基板上に搭載し、第２基板搭載ステップにおいて、第２センサチップに加えて、一次元状に配列された複数の受光領域を有する他のセンサチップを第２基板上に搭載し、ダム部形成ステップにおいて、第１センサチップおよび第２センサチップに加えて他のセンサチップを囲んで環状に設けられたダム部を形成し、封止部形成ステップにおいて、ダム部により囲われた領域において第１センサチップおよび第２センサチップに加えて他のセンサチップを封止する封止部を形成するのが好適である。
支持部形成ステップにおいて、間隙において第１センサチップおよび第２センサチップに対して一方側から他方側にかけて連続して支持部を形成するのが好適である。支持部形成ステップにおいて、共通支持基板の上面に至るまで支持部を形成するのが好適である。また、支持部、ダム部および封止部それぞれとして樹脂を用いるのが好適である。
本発明のリニアイメージセンサは、複数のセンサチップの高精度の配置が容易であり、封止部の表面の平坦性の確保が容易である。
図１は、本実施形態のリニアイメージセンサ１の概略構成を示す平面図である。 図２は、本実施形態のリニアイメージセンサ１の要部の第１構成例を示す図である。 図３は、本実施形態のリニアイメージセンサ１の要部の第２構成例を示す図である。 図４は、本実施形態のリニアイメージセンサ１の要部の第３構成例を示す図である。 図５は、本実施形態のリニアイメージセンサ１の製造方法のフローチャートである。
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。本発明は、これらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
図１は、本実施形態のリニアイメージセンサ１の概略構成を示す平面図である。リニアイメージセンサ１は、センサチップ１１、センサチップ１２、第１基板２１、第２基板２２、共通支持基板３０、コネクタ４１，４２およびボンディングワイヤ５１，５２等を備える。
センサチップ１１，１２それぞれは、一次元状に一定ピッチで配列された複数の受光領域（フォトダイオード）を有する半導体チップである。センサチップ１１，１２それぞれは、受光領域だけでなく、各受光領域への光入射に応じて発生した電荷を蓄積して当該電荷蓄積量に応じた電圧値を出力する信号読出回路等が形成されていてもよい。センサチップ１１，１２は同様の構成を有する。センサチップ１１，１２それぞれは、例えばシリコン基板にＣＭＯＳ回路が形成されたものである。
第１基板２１はセンサチップ１１を搭載する。第２基板２２はセンサチップ１２を搭載する。第１基板２１および第２基板２２それぞれの厚みは互いに同じである。第１基板２１および第２基板２２それぞれは、例えばセラミックやガラスエポキシのプリント基板である。
第１基板２１が搭載するセンサチップ１１の個数は、１個でもよいし、２個以上であってもよい。第２基板２２が搭載するセンサチップ１２の個数は、１個でもよいし、２個以上であってもよい。図１に示される例では、第１基板２１は、縦列配置された３つのセンサチップ１１を搭載し、第２基板２２は、縦列配置された３つのセンサチップ１２を搭載している。
第１基板２１は、３個のセンサチップ１１に加えて、３個のコネクタ４１も搭載している。センサチップ１１とコネクタ４１とは、センサチップ１１のパッドと第１基板２１上の電極とを接続するボンディングワイヤ５１、および、第１基板２１上に形成された電気配線により、電気的に接続されている。なお、第１基板２１が搭載するコネクタ４１の個数は、１個または２個でもよいし、４個以上であってもよい。
第２基板２２は、３個のセンサチップ１２に加えて、３個のコネクタ４２も搭載している。センサチップ１２とコネクタ４２とは、センサチップ１２のパッドと第２基板２２上の電極とを接続するボンディングワイヤ５２、および、第２基板２２上に形成された電気配線により、電気的に接続されている。なお、第２基板２２が搭載するコネクタ４２の個数は、１個または２個でもよいし、４個以上であってもよい。
共通支持基板３０は、第１基板２１および第２基板２２を搭載する。共通支持基板３０は、一方向（各センサチップの受光領域の配列方向）に長尺の平板部３１と、この平板部３１の一方の長辺の縁に設けられた位置決め部３２と、を含む。第１基板２１および第２基板２２は、平板部３１の平坦な上面の上に搭載され、位置決め部３２により短辺方向の位置が決められる。
第１基板２１上の３個のセンサチップ１１のうち第２基板２２に最も近い位置にあるセンサチップ（第１センサチップ１１Ａ）は、第１基板２１の一端側（第２基板２２に対向する側）において一部を突出して搭載されている。第２基板２２上の３個のセンサチップ１２のうち第１基板２１に最も近い位置にあるセンサチップ（第２センサチップ１２Ａ）は、第２基板２２の一端側（第１基板２１に対向する側）において一部を突出して搭載されている。第１基板２１および第２基板２２は、第１基板２１の前記一端側と第２基板２２の前記一端側とが対向した状態で、共通支持基板３０上に搭載されている。すなわち、平面視において、第１基板２１の側面よりも第２基板２２側に向かって第１センサチップ１１Ａの一部が突出しており、第２基板２２の側面よりも第１基板２１側に向かって第２センサチップ１２Ａの一部が突出している。これにより、対向する第１センサチップ１１Ａおよび第２センサチップ１２Ａそれぞれの端面の間の間隙は、第１基板２１の一端側と第２基板２２の一端側との間の間隙よりも狭くなる。
３個のセンサチップ１１および３個のセンサチップ１２それぞれの複数の受光領域が直線上に存在しており、これらの複数の受光領域が一定ピッチで配列されている。
図２は、本実施形態のリニアイメージセンサ１の要部の第１構成例を示す図である。図２（ａ）は、図１に示されたリニアイメージセンサ１の中央付近の部分を拡大して示す平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）におけるＡＡ断面を示す。以下では、図１および図２を用いてリニアイメージセンサ１の第１構成例を説明する。リニアイメージセンサ１は、支持部６０、ダム部７０および封止部８０をも備える。なお、図示の都合上、図１では支持部６０および封止部８０は示されておらず、図２（ａ）では封止部８０は示されていない。
支持部６０は、対向している第１基板２１の一端側と第２基板２２の一端側との間の間隙において、第１センサチップ１１Ａおよび第２センサチップ１２Ａを挟んで両側に設けられている。支持部６０は共通支持基板３０と別体である。支持部６０は、第１基板２１および第２基板２２それぞれの端面に接しているのが好ましい。支持部６０は、共通支持基板３０の上面に至るまで設けられていて共通支持基板３０の上面に接しているのが好ましい。支持部６０は、第１基板２１および第２基板２２それぞれの上面より高い位置まで設けられているのが好ましく、一部が第１基板２１および第２基板２２それぞれの上面上にあってもよい。支持部６０は、塗布後に硬化する樹脂（例えばシリコーン樹脂）からなるのが好ましい。
ダム部７０は、第１基板２１、第２基板２２および支持部６０の上においてセンサチップ１１，１２およびボンディングワイヤ５１，５２を囲んで環状に設けられた枠体である。ダム部７０は、封止部８０により封止される対象物の最高点よりも高い位置まで設けられており、本構成例ではボンディングワイヤ５１，５２の最も高い位置より高い位置まで設けられている。ダム部７０は、塗布後に硬化する樹脂（例えばシリコーン樹脂）からなるのが好ましい。なお、第１基板２１および第２基板２２それぞれの端面と支持部６０との間に間隙があっても、樹脂の粘性の程度によっては、その間隙上においてもダム部７０を連続的に設けることができる。
封止部８０は、ダム部７０により囲われた領域においてセンサチップ１１，１２およびボンディングワイヤ５１，５２を封止する。封止部８０の上面は、ボンディングワイヤ５１，５２の最も高い位置より高く、ダム部７０の上面より低い。封止部８０は、検出対象の光に対して高い透過率を有する。封止部８０は、塗布後に硬化する樹脂（例えばシリコーン樹脂）からなるのが好ましい。また、封止部８０の樹脂は、硬化前に上面が平坦となり、硬化後においても上面の平坦性を維持できるのが好ましい。なお、第１基板２１および第２基板２２それぞれの端面と支持部６０との間に間隙があっても、或いは、共通支持基板３０の上面と支持部６０との間に間隙があっても、樹脂の粘性の程度によっては、封止部８０の上面を平坦にすることができる。
第１構成例では、対向する第１基板２１および第２基板２２それぞれの端面の間の間隙へ硬化前の封止部８０の樹脂が流れ込む可能性があるが、第１基板２１および第２基板２２それぞれの端面の間に設けられた支持部６０により樹脂の流出が抑制され得る。
図３は、本実施形態のリニアイメージセンサ１の要部の第２構成例を示す図である。図３（ａ）は、図１に示されたリニアイメージセンサ１の中央付近の部分を拡大して示す平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＡＡ断面を示す。以下では、図１および図３を用いてリニアイメージセンサ１の第２構成例を説明する。なお、図示の都合上、図３（ａ）でも封止部８０は示されていない。
図２に示された第１構成例では、支持部６０は、対向している第１基板２１の一端側と第２基板２２の一端側との間の間隙において、第１センサチップ１１Ａおよび第２センサチップ１２Ａを挟んで両側に設けられているが、第１センサチップ１１Ａおよび第２センサチップ１２Ａの下には設けられていない。これに対して、図３に示される第２構成例では、支持部６０の一部は、第１センサチップ１１Ａおよび第２センサチップ１２Ａそれぞれの下に存在している。
第２構成例においても、支持部６０は、第１基板２１および第２基板２２それぞれの端面に接しているのが好ましい。支持部６０は、共通支持基板３０の上面に至るまで設けられていて共通支持基板３０の上面に接しているのが好ましい。支持部６０は第１センサチップ１１Ａおよび第２センサチップ１２Ａそれぞれの下面に接しているのが好ましい。支持部６０は、第１センサチップ１１Ａおよび第２センサチップ１２Ａが存在しない領域では、第１基板２１および第２基板２２それぞれの上面より高い位置まで設けられているのが好ましく、一部が第１基板２１および第２基板２２それぞれの上面上にあってもよい。支持部６０は、塗布後に硬化する樹脂（例えばシリコーン樹脂）からなるのが好ましい。
第２構成例では、ダム部７０により囲われた領域において、対向する第１基板２１および第２基板２２それぞれの端面の間の間隙へ硬化前の封止部８０の樹脂が流れ込む可能性があるのは、対向する第１センサチップ１１Ａおよび第２センサチップ１２Ａそれぞれの端面の間の狭い間隙のみである。したがって、第１構成例と比較すると、第２構成例では、対向する第１基板２１および第２基板２２それぞれの端面の間の間隙への樹脂の流れ込みがより確実に抑制され得る。したがって、間隙部分において封止部８０の表面の平坦性の確保が容易となり、良好な光学的特性を有することができる。
図４は、本実施形態のリニアイメージセンサ１の要部の第３構成例を示す図である。図４（ａ）は、図１に示されたリニアイメージセンサ１の中央付近の部分を拡大して示す平面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるＡＡ断面を示す。以下では、図１および図４を用いてリニアイメージセンサ１の第３構成例を説明する。なお、図示の都合上、図４（ａ）でも封止部８０は示されていない。
図２に示された第１構成例および図３に示された第２構成例では、支持部６０は、対向している第１基板２１の一端側と第２基板２２の一端側との間の間隙において、２つに分かれて設けられている。これに対して、図４に示される第３構成例では、支持部６０は、第１基板２１の一端側と第２基板２２の一端側との間の間隙において、第１センサチップ１１Ａおよび第２センサチップ１２Ａに対して一方側から他方側にかけて連続して設けられている。
第３構成例においても、支持部６０は、第１基板２１および第２基板２２それぞれの端面に接しているのが好ましい。支持部６０は、共通支持基板３０の上面に至るまで設けられていて共通支持基板３０の上面に接しているのが好ましい。支持部６０は、第１センサチップ１１Ａおよび第２センサチップ１２Ａそれぞれの下面に接しているのが好ましい。支持部６０は、第１センサチップ１１Ａおよび第２センサチップ１２Ａが存在しない領域では、第１基板２１および第２基板２２それぞれの上面より高い位置まで設けられているのが好ましく、一部が第１基板２１および第２基板２２それぞれの上面上にあってもよい。支持部６０は、塗布後に硬化する樹脂（例えばシリコーン樹脂）からなるのが好ましい。
第３構成例では、ダム部７０により囲われた領域において、対向する第１基板２１および第２基板２２それぞれの端面の間の間隙へ硬化前の封止部８０の樹脂が流れ込むことがない。したがって、間隙部分において封止部８０の表面の平坦性の確保が確実となり、良好な光学的特性を有することができる。
なお、第１〜第３の構成例の何れの場合においても、支持部６０、ダム部７０および封止部８０が同じ樹脂から構成されていると、これらの境界を識別することができない可能性がある。しかし、支持部６０、ダム部７０および封止部８０は、設けられている領域等により区別することができる。すなわち、ダム部７０は、第１基板２１および第２基板２２の上の樹脂のうち周縁の高い部分である。封止部８０は、第１基板２１および第２基板２２の上の樹脂のうちダム部７０により囲われた低い部分である。また、支持部６０は、ダム部７０の下方にあって第１基板２１および第２基板２２それぞれの端面の間にある部分である。なお、通常は封止部８０をダム部７０よりも低く形成するが、封止部８０として使用する樹脂の粘性等の条件によっては封止部８０をダム部７０よりも高く形成することも可能である。
次に、本実施形態のリニアイメージセンサ１の製造方法について説明する。図５は、本実施形態のリニアイメージセンサ１の製造方法のフローチャートである。
第１基板搭載ステップＳ１では、第１基板２１上に３個のセンサチップ１１および３個のコネクタ４１を搭載する。このとき、第１基板２１上に搭載される３個のセンサチップ１１の位置および方位を調整して、これら３個のセンサチップ１１の全体において各受光領域が一定ピッチで一直線上に並ぶようにする。第１基板２１上に搭載される３個のセンサチップ１１のうち第１基板２１の一端側にある第１センサチップ１１Ａについては、一部を第１基板２１から突出させて搭載する。また、センサチップ１１のパッドと第１基板２１上の電極とをボンディングワイヤ５１により接続する。なお、コネクタ４１は他の工程（Ｓ１〜Ｓ６のいずれかの工程またはその後）に搭載してもよい。
同様にして、第２基板搭載ステップＳ２では、第２基板２２上に３個のセンサチップ１２および３個のコネクタ４２を搭載する。このとき、第２基板２２上に搭載される３個のセンサチップ１２の位置および方位を調整して、これら３個のセンサチップ１２の全体において各受光領域が一定ピッチで一直線上に並ぶようにする。第２基板２２上に搭載される３個のセンサチップ１２のうち第２基板２２の一端側にある第２センサチップ１２Ａについては、一部を第２基板２２から突出させて搭載する。また、センサチップ１２のパッドと第２基板２２上の電極とをボンディングワイヤ５２により接続する。なお、コネクタ４２は他の工程（Ｓ１〜Ｓ６のいずれかの工程またはその後）に搭載してもよい。
第１基板搭載ステップＳ１および第２基板搭載ステップＳ２の後に共通支持基板搭載ステップＳ３を行う。共通支持基板搭載ステップＳ３では、共通支持基板３０上に、３個のセンサチップ１１および３個のコネクタ４１が搭載された第１基板２１を搭載するとともに、３個のセンサチップ１２および３個のコネクタ４２が搭載された第２基板２２を搭載する。このとき、第１基板２１の前記一端側と第２基板２２の前記一端側とを対向させ、第１基板２１および第２基板２２それぞれの位置および方位を調整して、合計６個のセンサチップ１１，１２の全体において各受光領域が一定ピッチで一直線上に並ぶようにする。
共通支持基板搭載ステップＳ３では、第１基板２１および第２基板２２それぞれの短辺方向の位置および方位は、第１基板２１および第２基板２２を共通支持基板３０の位置決め部３２に当接させることにより適切に設定することが可能である。第１基板２１および第２基板２２それぞれの長辺方向の位置（すなわち、第１センサチップ１１Ａと第２センサチップ１２Ａとの間隔）は、両センサチップの受光領域の位置や両センサチップの間隔をモニタすることにより調整が可能である。この調整は、目視に基づいて手作業により行ってもよいし、画像解析の結果に基づいて自動的に行うようにしてもよい。
共通支持基板搭載ステップＳ３の後に支持部形成ステップＳ４を行う。支持部形成ステップＳ４では、共通支持基板３０上に対向して搭載された第１基板２１および第２基板２２の間の間隙において、第１センサチップ１１Ａおよび第２センサチップ１２Ａを挟んで両側に樹脂を塗布し、この樹脂を硬化させることで支持部６０を形成する。
支持部形成ステップＳ４では、支持部６０は、第１基板２１および第２基板２２それぞれの端面に接するよう形成されるのが好ましい。支持部６０は、共通支持基板３０の上面に至るまで設けられていて共通支持基板３０の上面に接するよう形成されるのが好ましい。支持部６０は、第１基板２１および第２基板２２それぞれの上面より高い位置まで設けられるのが好ましく、一部が第１基板２１および第２基板２２それぞれの上面上に設けられてもよい。また、支持部６０は、第２構成例または第３構成例のように形成されてもよい。
支持部形成ステップＳ４の後にダム部形成ステップＳ５を行う。ダム部形成ステップＳ５では、第１基板２１、第２基板２２および支持部６０の上において、センサチップ１１，１２およびボンディングワイヤ５１，５２を囲んで環状に樹脂を塗布し、この樹脂を硬化させることでダム部７０を形成する。このとき、ダム部７０の高さを、ボンディングワイヤ５１，５２の最も高い位置より高くする。
ダム部形成ステップＳ５の後に封止部形成ステップＳ６を行う。封止部形成ステップＳ６では、ダム部７０により囲われた領域に樹脂を塗布し、この樹脂を硬化させることで封止部８０を形成する。このとき、封止部８０の上面を、ボンディングワイヤ５１，５２の最も高い位置より高くし、ダム部７０の上面より低くする。
以上のように、本実施形態では、第１センサチップ１１Ａの一部を第１基板２１から突出させて搭載するとともに、第２センサチップ１２Ａの一部を第２基板２２から突出させて搭載して、第１センサチップ１１Ａおよび第２センサチップ１２Ａの直接の位置調整が行われて製造されるので、複数のセンサチップ１１，１２の高精度の配置が容易である。
この結果、本実施形態では、第１基板２１と第２基板２２との間に間隙が生じることになるが、その間隙に支持部６０が設けられ、第１基板２１および第２基板２２の上だけでなく支持部６０の上にもダム部７０がセンサチップ１１，１２を囲んで連続して設けられるので、封止部８０の硬化前の樹脂が間隙へ流れ出ることが抑制され、間隙部分においても封止部８０の表面の平坦性の確保が容易となり、良好な光学的特性を有することができる。
なお、特許文献１に記載されたリニアイメージセンサは、共通支持基板上に設けた凸部（間隔保持部）に第１基板および第２基板それぞれが当接されることで第１基板および第２基板それぞれが位置決めされている。これらの一般に樹脂またはセラミックにより成形される共通支持基板，第１基板および第２基板それぞれの形状および寸法の精度は、一般に半導体製造プロセスにより作製されるセンサチップの形状および寸法の精度と比べて低い。したがって、特許文献１に記載されたリニアイメージセンサは、複数のセンサチップの高精度の配置が容易でない。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、センサチップを搭載する基板（プリント基板）の個数は、上記の実施形態では２個であったが、３個以上であってもよい。一般にＮ個の基板が共通支持基板上にある場合、上記実施形態と同様に任意の隣り合う２個の基板の位置関係を決めるとともに両基板間の間隙に支持部を設け、Ｎ個の基板および支持部の上において全てのセンサチップを囲んで環状にダム部を設ければよい。
１…リニアイメージセンサ、１１…センサチップ、１１Ａ…第１センサチップ、１２…センサチップ、１２Ａ…第２センサチップ、２１…第１基板、２２…第２基板、３０…共通支持基板、４１，４２…コネクタ、５１，５２…ボンディングワイヤ、６０…支持部、７０…ダム部、８０…封止部。

Claims (10)

  1. 一次元状に配列された複数の受光領域を有する第１センサチップと、
    一次元状に配列された複数の受光領域を有する第２センサチップと、
    前記第１センサチップの一部を一端側において突出させて前記第１センサチップを搭載する第１基板と、
    前記第２センサチップの一部を一端側において突出させて前記第２センサチップを搭載する第２基板と、
    前記第１基板の前記一端側と前記第２基板の前記一端側とが対向した状態で前記第１基板および前記第２基板を搭載する共通支持基板と、
    対向している前記第１基板の前記一端側と前記第２基板の前記一端側との間の間隙において前記第１センサチップおよび前記第２センサチップを挟んで両側に設けられた支持部と、
    前記第１基板、前記第２基板および前記支持部の上において前記第１センサチップおよび前記第２センサチップを囲んで環状に設けられたダム部と、
    前記ダム部により囲われた領域において前記第１センサチップおよび前記第２センサチップを封止する封止部と、
    を備えるリニアイメージセンサ。
  2. 前記第１基板が、前記第１センサチップに加えて、一次元状に配列された複数の受光領域を有する他のセンサチップを搭載し、
    前記第２基板が、前記第２センサチップに加えて、一次元状に配列された複数の受光領域を有する他のセンサチップを搭載し、
    前記ダム部が、前記第１センサチップおよび前記第２センサチップに加えてこれら他のセンサチップを囲んで環状に設けられ、
    前記封止部が、前記ダム部により囲われた領域において前記第１センサチップおよび前記第２センサチップに加えてこれら他のセンサチップを封止する、
    請求項１に記載のリニアイメージセンサ。
  3. 前記支持部が、前記間隙において前記第１センサチップおよび前記第２センサチップに対して一方側から他方側にかけて連続して設けられている、
    請求項１または２に記載のリニアイメージセンサ。
  4. 前記支持部が、前記共通支持基板の上面に至るまで設けられている、
    請求項１〜３の何れか１項に記載のリニアイメージセンサ。
  5. 前記支持部、前記ダム部および前記封止部それぞれが樹脂からなる、
    請求項１〜４の何れか１項に記載のリニアイメージセンサ。
  6. 一次元状に配列された複数の受光領域を有する第１センサチップの一部を第１基板の一端側において突出させた状態で前記第１センサチップを前記第１基板上に搭載する第１基板搭載ステップと、
    一次元状に配列された複数の受光領域を有する第２センサチップの一部を第２基板の一端側において突出させた状態で前記第２センサチップを前記第２基板上に搭載する第２基板搭載ステップと、
    前記第１基板搭載ステップおよび前記第２基板搭載ステップの後に、共通支持基板上において、前記第１基板の前記一端側と前記第２基板の前記一端側とを対向させ、前記第１センサチップおよび前記第２センサチップそれぞれの受光領域の配列に基づいて前記第１基板および前記第２基板の配置を調整して、前記第１センサチップおよび前記第２センサチップを搭載する共通支持基板搭載ステップと、
    前記共通支持基板搭載ステップの後に、対向している前記第１基板の前記一端側と前記第２基板の前記一端側との間の間隙において前記第１センサチップおよび前記第２センサチップを挟んで両側に設けられた支持部を形成する支持部形成ステップと、
    前記支持部形成ステップの後に、前記第１基板、前記第２基板および前記支持部の上において前記第１センサチップおよび前記第２センサチップを囲んで環状に設けられたダム部を形成するダム部形成ステップと、
    前記ダム部形成ステップの後に、前記ダム部により囲われた領域において前記第１センサチップおよび前記第２センサチップを封止する封止部を形成する封止部形成ステップと、
    を備えるリニアイメージセンサ製造方法。
  7. 前記第１基板搭載ステップにおいて、前記第１センサチップに加えて、一次元状に配列された複数の受光領域を有する他のセンサチップを前記第１基板上に搭載し、
    前記第２基板搭載ステップにおいて、前記第２センサチップに加えて、一次元状に配列された複数の受光領域を有する他のセンサチップを前記第２基板上に搭載し、
    前記ダム部形成ステップにおいて、前記第１センサチップおよび前記第２センサチップに加えて前記他のセンサチップを囲んで環状に設けられた前記ダム部を形成し、
    前記封止部形成ステップにおいて、前記ダム部により囲われた領域において前記第１センサチップおよび前記第２センサチップに加えて前記他のセンサチップを封止する前記封止部を形成する、
    請求項６に記載のリニアイメージセンサ製造方法。
  8. 前記支持部形成ステップにおいて、前記間隙において前記第１センサチップおよび前記第２センサチップに対して一方側から他方側にかけて連続して前記支持部を形成する、
    請求項６または７に記載のリニアイメージセンサ製造方法。
  9. 前記支持部形成ステップにおいて、前記共通支持基板の上面に至るまで前記支持部を形成する、
    請求項６〜８の何れか１項に記載のリニアイメージセンサ製造方法。
  10. 前記支持部、前記ダム部および前記封止部それぞれとして樹脂を用いる、
    請求項６〜９の何れか１項に記載のリニアイメージセンサ製造方法。
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