TWI772607B - 顯示面板及其製備方法、顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供了一種顯示面板及其製備方法、顯示裝置。作為一個示例，所述顯示面板包括基板、形成於所述基板之上的功能層和形成於所述功能層之上的封裝層，所述封裝層包括位於所述功能層上的無機層，所述無機層包括第一類氧化物層和第二類氧化物層，所述第一類氧化物層與所述第二類氧化物層的原子層數比的範圍為3：1至1：4。
Description
本專利申請要求於2018年9月30日提交的、申請號為2018111582076、發明名稱為“顯示面板及其製備方法、顯示裝置”的中國專利申請的優先權，該申請的全文以引用的方式併入本文中。
本發明涉及一種顯示面板及其製備方法、顯示裝置。
柔性顯示裝置具有可彎曲或可折疊等特點，被廣泛用於移動通訊終端、平板電腦、電子書、導航設備等諸多電子設備中。
現有的柔性顯示裝置中，因封裝層中含有無機層，導致封裝層的耐彎折性能較差，影響柔性顯示裝置的顯示效果和使用壽命。
根據本發明實施例的第一方面，提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括：基板；位於所述基板上的功能層；和位於所述功能層上的封裝層，所述封裝層包括位於所述功能層上的無機層，所述無機層包括至少一層第一類氧化物層和至少一層第二類氧化物層的複合膜層，所述第一類氧化物層與所述第二類氧化物層的原子層數比的範圍為3：1至1：4。
在一個實施例中，所述第一類氧化物層包括氧化鋁膜層、氧化矽膜層和氮化矽膜層中的至少一種，所述第二類氧化物層包括氧化鈦膜層。
在一個實施例中，所述至少一層第一類氧化物層包括多層第一類氧化物層，和所述至少一層第二類氧化物層包括多層第二類氧化物層，所述多層第一類氧化物層與所述多層第二類氧化物層交替堆疊。
在一個實施例中，所述第一類氧化物層和第二類氧化物層的原子層數比的範圍為1：1至1：4。
在一個實施例中，所述第一類氧化物層和第二類氧化物層的原子層數比為1：3。
在一個實施例中，所述第一類氧化物層的透光率大於所述第二類氧化物層的透光率，和/或，所述第二類氧化物層的耐彎折能力高於所述第一類氧化物層的耐彎折能力。
在一個實施例中，所述第一類氧化物層包括氧化鋁膜層、氧化矽膜層或氮化矽膜層，所述第二類氧化物層包括氧化鈦膜層。
在一個實施例中，所述第一類氧化物層和所述第二類氧化物層的總原子層數的範圍為100層至1000層。
在一個實施例中，所述無機層的厚度範圍為20nm至100nm。
在一個實施例中，第一類氧化物層和第二類氧化物層採用原子層沉積工藝製備成所述複合膜層。
在一個實施例中，所述封裝層包括位於所述無極層上方的疊層，所述疊層包括氧化矽層、有機層、氮化矽層。
根據本發明實施例的第二方面，提供了一種顯示面板的製備方法，所述製備方法包括：提供基板；在所述基板上形成功能層；以及，在所述功能層上形成無機層，所述無機層包括至少一層第一類氧化物層和至少一層第二類氧化物層，所述第一類氧化物層與所述第二類氧化物層的原子層數比的範圍為3：1至1：4。
在一個實施例中，在所述功能層上形成無機層，包括採用原子層沉積工藝在所述功能層上形成無機層；所述第一類氧化物層的透光率大於所述第二類氧化物層的透光率，和/或所述第二類氧化物層的耐彎折能力高於所述第一類氧化物層的耐彎折能力。
在一個實施例中，至少一層第一類氧化物層和至少一層第二類氧化物層均包括多層，所述製備方法進一步包括：交替堆疊所述多層第一類氧化物層與所述多層第二類氧化物層。
根據本發明實施例的協力廠商面，提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的顯示面板。
本發明實施例提供的顯示面板及其製備方法、顯示裝置，位於功能層上的無機層包括至少一層第一類氧化物層和至少一層第二類氧化物層，第一類氧化物層和第二類氧化物層的比例範圍在3：1至1：4之間，可保證顯示面板的透光率滿足要求的同時改善顯示面板的耐彎折性能，進而改善顯示面板的使用壽命及顯示效果。
以上的一般描述和後文的細節描述僅是示例性和解釋性的，並不能限制本發明。
100:顯示面板
1:基板
2:功能層
3:封裝層
31,32,34:無機層
33:有機層
311:第一類氧化物層
312:第二類氧化物層
21:TFT層
22:OLED層
a:鈦原子
b:氧原子
c:鋁原子
501,502,503,5021,5022:步驟
第1圖為本發明實施例提供的一種顯示面板的結構示意圖。
第2圖為第1圖中所示的無機層的結構示意圖。
第3圖為第1圖中所示的無機層的原子結構示意圖。
第4圖為不同氧化物膜層的透光率的對比圖。
第5圖為本發明實施例提供的一種顯示面板的製備方法的流程圖。
第6圖為本發明實施例提供的功能層的製備方法的流程圖。
這裡將詳細地對示例性實施例進行說明，其示例表示在圖式中。下面的描述涉及圖式時，除非另有表示，不同圖式中的相同數字表示相同或相似的要素。以下示例性實施例中所描述的實施方式並不代表與本發明相一致的所有實施方式。相反，它們僅是與如所附申請專利範圍中所詳述的、本發明的一些方面相一致的裝置的例子。
下面結合圖式，對本發明實施例中的顯示面板及製備方法進行詳細說明。在不衝突的情況下，下述的實施例及實施方式中的特徵可以相互補充或相互組合。
在本發明實施例中，為描述方便，將由基板指向功能層的方向定義為上，將由功能層指向基板的方向定義為下，以此確定出上下方向。容易理解，不同的方向定義方式並不會影響工藝的實質操作內容以及產品的實際形態。
第1圖為本發明實施例提供的顯示面板100的結構示意圖。參見第1圖，顯示面板100包括基板1、功能層2和封裝層3。其中，功能層2位於基板1之上，封裝層3位於功能層2上，封裝層3包括位於功能層之上的無機層31。進一步參見第2圖，無機層31包括至少一層第一類氧化物層311和至少一層第二類氧化物層312，所述第一類氧化物層311與所述第二類氧化物層312的原子層數比的範圍為3：1至1：4，例如，原子層數比為2：1、1：1、1：3。可保證顯示面板的透光率滿足要求的同時改善顯示面板的耐彎折性能，進而延長顯示面板的使用壽命及有效改善顯示面板的顯示效果。
其中，無機層31位於功能層2上指的是無機層31與功能層2的上表面接觸，或者，無機層31以不與功能層2的上表面直接接觸的方式位於所述功能層2上方。
在一個實施例中，所述第一類氧化物層311的透光率大於所述第二類氧化物層312的透光率，和/或所述第二類氧化物層312的耐彎折能力高於所述第一類氧化物層311的耐彎折能力。無機層31的原子層數一定時，提高第一類氧化物層311的原子層數在無機層31的原子層數所占的比例可提高顯示面板100的透光率，提高第二類氧化物層312的原子層數在無機層31的原子層數所占的比例可提高顯示面板100的耐彎折性能。當所述第一類氧化物層311與所述第二類氧化物層312的原子層數比的範圍為3：1至1：4時，可保證顯示面板100的透光率滿足要求的同時，改善顯示面板100的耐彎折能力。
在一個實施例中，再次參見第2圖，第一類氧化物層311與第二類氧化物層312交替堆疊，可使得第一類氧化物層311與第二類氧化物層312在無機層31中分佈較為均勻，從而更利於優化無機層31的透光性和耐彎折能力。
其中，第2圖僅是示意性地示出了多層第一類氧化物層311與多層第二類氧化物層312交替堆疊的一種情況，但不限於第2圖中所示的排布情況。第一類氧化物層311與第二類氧化物層312交替堆疊，可以是具有多個原子層的第一類氧化物層311與具有多個原子層的第二類氧化物層312交替堆疊，或者具有一個原子層的第一類氧化物層311與具有多個原子層的第二類氧化物層312交替堆疊，或者具有一個原子層的第一類氧化物層311與具有一個原子層的第二類氧化物層312交替堆疊，或者具有多個原子層的第一類氧化物層311與具有一個原子層的第二類氧化物層312交替堆疊。第一類氧化物層311與第二類氧化物層312的原子層數比大於1：1時，例如原子層數比為1：2，優選具有一個原子層的第一類氧化物層311與具有二個原子層的第二類氧化物層312交替堆疊。
在一個實施例中，第一類氧化物層311包括氧化鋁膜層，第二類氧化物層312包括氧化鈦膜層。在其他實施例中，第一類氧化物層311也可包括其他氧化物膜層，例如氧化矽膜層、氮化矽膜層等。第二類氧化物層312也可包括其他型的膜層，只要其透光且耐彎折能力較佳，比如，耐彎折能力優於第一類氧化物層311。第一類氧化物層311與第二類氧化物層312交替堆疊也可以是具有一種或多種的第一類氧化物層311與具有一種或多種的第二類氧化物層312交替堆疊。
在一個實施例中，第一類氧化物層311和第二類氧化物層312可採用ALD(atomtic layer deposition，原子層沉積)工藝製備得到。採用ALD工藝製備得到的第一和第二類氧化物層為原子層級的膜層。原子層級的膜層對於下層膜層表面的孔隙具有很高的覆蓋性，可減少所述原子層級的膜層與下層膜層之間的間隙，且採用ALD工藝形成原子層級的膜層時以化學吸附的方式沉積在下層膜層上，所述原子層級的膜層與下層
膜層之間的粘附力較高，因而無機層31與位於其下層的功能層2之間具有較高的粘附力，可有效提升顯示面板100的封裝效果。如第3圖所示為採用ALD工藝形成的氧化鋁膜層和氧化鈦膜層的示意圖，其中原子a為鈦原子，原子b為氧原子，原子c為鋁原子。
採用ALD工藝製備無機層31時，通過控制前驅體的脈衝次數與比例，可以較為準確的控制第一類氧化物層311與第二類氧化物層312各自的原子層數、及二者的原子層數的比例。例如，在製備無機層31的過程中，第一類氧化物層311的前驅體的脈衝次數為50次，第二類氧化物層312的前驅體的脈衝次數為150次，即第一類氧化物層311的前驅體的脈衝次數與第二類氧化物層312的前驅體的脈衝次數的比例為1：3，則當形成的無機層31的原子層總數為200層時，無機層31中的第一類氧化物層311的原子層數與第二類氧化物層312的原子層數的比例為1：3。
具體地，無機層31的第一類氧化物層311為氧化鋁膜層、第二類氧化物層312為氧化鈦膜層時，需在製備無機層時調整氧化鋁膜層的原子層數與氧化鈦膜層的原子層數的比例，例如將氧化鋁膜層的原子層數與氧化鈦膜層的原子層數的比例調整成1：3，以使顯示面板100的透光率與耐彎折能力均滿足要求。
氧化鋁膜層與氧化鈦膜層的透光率存在一定差異。分別對採用PE-ALD(等離子體增強原子層沉積)工藝製備、thermal-ALD(熱原子層沉積)工藝及O3-ALD(臭氧作為氧源的ALD)工藝製備的三種氧化鋁膜層及採用PE-ALD工藝製備的氧化鈦膜層這四種氧化物膜層的透光率進行測試，這四種氧化物膜層每種包括多個原子層。測試結果如第4圖所示，其中，PE-Al2O3指採用PE-ALD工藝製備的氧化鋁膜層，thermal-Al2O3指採用thermal-ALD工藝製備的氧化鋁膜層，O3-Al2O3指採用O3-ALD工藝製備的氧化鋁膜層，PE-TiO2指採用PE-ALD工藝製備的氧化鈦膜層。從第4圖中可得知，當光的波長為380nm-760nm的範圍內，三種氧化鋁膜層的透光率均大於97%，而氧化鈦膜層的透光率的變化幅度較大，最低為73%，由此可知氧化鋁膜層的透光性能優於氧化鈦膜層的透光性
能。因此，在保證顯示面板100具有較好耐彎折能力的情況下，考慮到顯示面板具有較好透光率時，可將氧化鋁膜層的原子層數調整成大於氧化鈦膜層的原子層數，例如將氧化鋁膜層的原子層數與氧化鈦膜層的原子層數的比例調整成3：1。
通過控制氧化鋁膜層與氧化鈦膜層的原子層數比例，可製備得到多個顯示面板。分別測試多個顯示面板的耐彎折性能，發現當氧化鋁膜層與氧化鈦膜層的原子層數比例c
1：4時，顯示面板的透光率大於90%。在應用中，為了確保顯示面板100顯示性能較好，顯示面板100的透光率需在90%以上。
分別測試多個顯示面板的耐彎折性能，發現當氧化鋁膜層與氧化鈦膜層的原子層數比例c>1時，顯示面板在彎折兩萬次時，顯示面板的封裝效果開始變差；當氧化鋁膜層與氧化鈦膜層的原子層數比例c
1時，顯示面板彎折兩萬次甚至五萬次後，顯示面板的封裝效果仍較好。
綜合考慮顯示面板的透光率及耐彎折能力，可優選無機層31中氧化鋁膜層與氧化鈦膜層的原子層數比的範圍為1：1至1：4，該範圍內顯示面板的透光率及耐彎折性能均能滿足要求。當然，第一類氧化物層311和第二類氧化物層312為其他的氧化物膜層時，第一類氧化物層311和第二類氧化物層312的原子層數比的優選範圍也可以不同於1：1至1：4。
在一個示例中，第一類氧化物層311與第二類氧化物層312的原子層數比為1：3。第一類氧化物層311與第二類氧化物層312的原子層數比為1：3時，可使得顯示面板100的透光率較好，耐彎折性能也較佳。例如，當無機層31中氧化鋁膜層與氧化鈦膜層的原子層數比的範圍為1：3時，顯示面板的透光率及耐彎折性能較佳。
在一個實施例中，所述第一類氧化物層311和所述第二類氧化物層312的總原子層數的範圍為100層至1000層，例如該總原子層數為200層、300層、500層、800層等。在此條件下，可使得顯示面板
100的耐彎折性能及透光率滿足要求，同時顯示面板100的封裝性能也較佳。
在一個實施例中，所述無機層31的厚度範圍為20nm至100nm，例如無機層31的厚度為30nm、50nm、80nm、90nm等。此條件下，可使顯示面板100的耐彎折性能及透光率滿足要求，同時顯示面板100的封裝性能也較佳。
在一個實施例中，再次參見第1圖，封裝層3還可包括位於無機層31上方的若干無機層32、34及有機層33的疊層，疊層例如為氧化矽層、有機層、氮化矽層的三層結構。
在一個實施例中，功能層2可包括TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)層21及形成於TFT層21之上的OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發光二極體)層22。
其中，TFT層21可包括柵電極、源電極、漏電極和位於最上層的平坦化層。其中，柵電極、源電極和漏電極可以由金屬或者金屬合金製備，平坦化層上設有接觸孔。OLED層22可包括第一電極、形成於第一電極之上的有機發光層及形成於有機發光層之上的第二電極。其中，第一電極通過接觸孔與TFT層21的漏電極電連接，從而TFT層21的漏電極可通過第一電極來驅動OLED層22的有機發光層發光。
TFT層21具有中心區域以及圍合所述中心區域的邊緣區域，OLED層22位於TFT層21的中心區域上，封裝層3的無機層31覆蓋TFT層21的邊緣區域以及OLED層22。其中，TFT層21最上層的邊緣區域可以是無機層、有機層或者金屬層。封裝層3的無機層31與TFT層21最上層的邊緣區域接觸，無機層31以化學吸附的方式沉積在該邊緣區域，使得無機層31與該邊緣區域之間具有較高的粘附力，可有效提升顯示面板100的邊緣封裝效果。
對本發明實施例提供的顯示面板100以及現有的顯示面板進行高溫高濕(條件為60℃、90%RH，其中RH指空氣中水分含量)老化測試。其中，在顯示面板100的無機層31中，例如，第一類氧化物層
311為氧化鋁膜層，第二類氧化物層312為氧化鈦膜層；氧化鋁膜層與氧化鈦膜層採用ALD工藝製備；氧化鋁膜層與氧化鈦膜層的原子層數比為1：3，氧化鋁膜層與氧化鈦膜層的總原子層數為300層。現有的顯示面板的無機層通過化學氣相沉積工藝製備得到。在經過老化測試後，發現現有的顯示面板在測試時間大於360h時，顯示面板的邊緣區域出現較明顯的封裝失效現象，本發明實施例提供的顯示面板100在測試時間為960h時，仍未出現封裝失效現象。由此，本發明實施例提供的顯示面板100的封裝層對功能層的封裝效果較好，可延長顯示面板的使用壽命及提升顯示面板的顯示效果。
在一個實施例中，基板1可以是柔性基板，顯示面板100為柔性顯示面板。
本發明實施例提供的顯示面板100，封裝層3的無機層31包括至少一層第一類氧化物層311和至少一層第二類氧化物層312，第一類氧化物層311與第二類氧化物層312的原子層數比的範圍為3：1至1：4時，可使得顯示面板的透光率滿足要求，同時也保證顯示面板的耐彎折性能。
本發明實施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的顯示面板。在一個實施例中，顯示裝置還包括外殼，所述顯示面板諸如柔性顯示面板可固定在該外殼上。
本發明實施例中的顯示裝置可以為電子紙、手機、平板電腦、電視機、筆記型電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
第5圖是本發明實施例提供的顯示面板的製備方法的流程圖。參見第5圖，該製備方法包括如下步驟501至步驟503。
在步驟501中，提供基板。
在一個實施例中，該基板可以是柔性基板。柔性基板可以由PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、PI(聚醯亞胺)、PES(聚醚碸樹脂)、PC(聚碳酸酯)、PEI(聚醚醯亞
胺)中的一種或多種聚合物製備得到。在其他實施例中，該基板也可以包括剛性基板，在剛性基板上塗覆有機物以形成柔性基板，其中剛性基板例如可以是玻璃基板。
在步驟502中，在所述基板上形成功能層。
其中，如第6圖所示，所述步驟502可通過如下步驟5021和步驟5022實現。
在步驟5021中，在所述基板上形成TFT層，所述TFT層具有中心區域以及圍合所述中心區域的邊緣區域。
其中，TFT層可包括柵電極、源電極、漏電極和位於最上層的平坦化層。柵電極、源電極和漏電極等作為薄膜電晶體的組成部分主要形成在中心區域。平坦化層可以由有機絕緣材料製備，平坦化層上設有接觸孔。柵電極、源電極和漏電極可由金屬或者金屬合金材料形成。TFT層的邊緣區域可以是無機層、有機層或者金屬層。
在步驟5022中，在所述TFT層的中心區域上形成OLED層。
OLED層可包括多個像素，多個像素位於TFT層的中心區域。多個像素中的每個像素包括第一電極、形成於第一電極之上的有機發光層及形成於有機發光層之上的第二電極。第一電極通過TFT層的接觸孔與漏電極接觸。第一電極可由金屬或金屬氧化物形成。第二電極可由透明導電材料形成，例如金屬氧化物。
在步驟503中，在所述功能層上形成無機層，所述無機層包括第一類氧化物層和第二類氧化物層，所述第一類氧化物層與所述第二類氧化物層的原子層數比的範圍為3：1至1：4。
進一步地，所述第一類氧化物層與所述第二類氧化物層的原子層數比的範圍為1：1至1：4。優選地，所述第一類氧化物層與所述第二類氧化物層的原子層數比為1：3。
在一個實施例中，所述第一類氧化物層的透光率大於所述第二類氧化物層的透光率，和/或所述第二類氧化物層的耐彎折能力高於所述第一類氧化物層的耐彎折能力。
在一個實施例中，至少一層第一類氧化物層和至少一層第二類氧化物層均包括多層，第一類氧化物層311與第二類氧化物層312交替堆疊。
在一個實施例中，所述第一類氧化物層和所述第二類氧化物層採用ALD工藝形成。
在一個實施例中，所述第一類氧化物層包括氧化鋁膜層，所述第二類氧化物層包括氧化鈦膜層。
在一個實施例中，第一類氧化物層和第二類氧化物層的總層數的範圍為100層至1000層。
在一個實施例中，所述無機層的厚度範圍為20nm至100nm。
在一個實施例中，在步驟503之後，所述製備方法還包括：在無機層之上形成若干無機層及有機層的疊層，疊層和步驟503中形成的無機層共同作為顯示面板的封裝層。其中，疊層例如為氧化矽層、有機層、氮化矽層的三層結構。其中，疊層中的無機層可以採用物理氣相沉積或者化學氣相沉積法形成，有機層可以採用有機蒸鍍法形成。
本發明實施例提供的顯示面板的製備方法，在所述功能層上形成包括第一類氧化物層和第二類氧化物層的無機層，第一類氧化物層311與第二類氧化物層312的原子層數比的範圍為3：1至1：4時，可使顯示面板的透光率和耐彎折能力均較好，進而延長顯示面板的壽命及提升顯示面板的顯示效果。
需要指出的是，在圖式中，為了圖示的清晰可能誇大了層和區域的尺寸。而且可以理解，當元件或層被稱為在另一元件或層“上”時，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中間的層。另外，可以理解，當元件或層被稱為在另一元件或層“下”時，它可以直接在其他
元件下，或者可以存在一個以上的中間的層或元件。另外，還可以理解，當層或元件被稱為在兩層或兩個元件“之間”時，它可以為兩層或兩個元件之間唯一的層，或還可以存在一個以上的中間層或元件。通篇相似的參考標記指示相似的元件。
在本發明中，術語“第一”、“第二”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。術語“多個”指兩個或兩個以上，除非另有明確的限定。
本領域技術人員在考慮說明書及實踐後，將容易想到本發明的其它實施方案。本發明旨在涵蓋本發明的任何變型、用途或者適應性變化，這些變型、用途或者適應性變化遵循本發明的一般性原理並包括本發明未公開的本技術領域中的公知常識或慣用技術手段。說明書和實施例僅被視為示例性的，本發明的真正範圍和精神由下面的申請專利範圍指出。
應當理解的是，本發明並不局限於上面已經描述並在圖式中示出的精確結構，並且可以在不脫離其範圍進行各種修改和改變。本發明的範圍僅由所附的申請專利範圍來限制。
100‧‧‧顯示面板
1‧‧‧基板
2‧‧‧功能層
3‧‧‧封裝層
31,32,34‧‧‧無機層
33‧‧‧有機層
21‧‧‧TFT層
22‧‧‧OLED層
Claims (9)
- 一種顯示面板，其中，所述顯示面板包括：基板；位於所述基板上的功能層；和位於所述功能層上的封裝層，所述封裝層包括位於所述功能層上的無機層，所述無機層包括至少一層第一類氧化物層和至少一層第二類氧化物層的複合膜層，所述第二類氧化物層的耐彎折能力高於所述第一類氧化物層的耐彎折能力，且所述第一類氧化物層與所述第二類氧化物層的原子層數比的範圍為1：3至1：4。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中，所述第一類氧化物層包括氧化鋁膜層、氧化矽膜層和氮化矽膜層中的至少一種，所述第二類氧化物層包括氧化鈦膜層。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中，所述至少一層第一類氧化物層包括多層第一類氧化物層，所述至少一層第二類氧化物層包括多層第二類氧化物層，所述多層第一類氧化物層與所述多層第二類氧化物層交替堆疊。
- 如申請專利範圍第3項所述的顯示面板，其中，所述第一類氧化物層和第二類氧化物層的原子層數比為1：3。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中，所述第一類氧化物層的透光率大於所述第二類氧化物層的透光率。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中，所述第一類氧化物層和所述第二類氧化物層的總原子層數的範圍為100層至1000層，和/或，所述無機層的厚度範圍為20nm至100nm；所述第一類氧化物層和所述第二類氧化物層採用原子層沉積工藝製備成所述複合膜層。
- 一種顯示面板的製備方法，其中，所述方法包括：提供基板； 在所述基板上形成功能層；在所述功能層上形成無機層，所述無機層包括至少一層第一類氧化物層和至少一層第二類氧化物層，所述第二類氧化物層的耐彎折能力高於所述第一類氧化物層的耐彎折能力，且所述第一類氧化物層與所述第二類氧化物層的原子層數比的範圍為1：3至1：4。
- 如申請專利範圍第7項所述的製備方法，其中，在所述功能層上形成無機層，包括採用原子層沉積工藝在所述功能層上形成無機層。
- 如申請專利範圍第7項所述的製備方法，其中，至少一層第一類氧化物層和至少一層第二類氧化物層均包括多層，所述製備方法進一步包括：交替堆疊所述多層第一類氧化物層與所述多層第二類氧化物層。
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