TWI764808B - 溫度調節裝置 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種溫度調節裝置，其包含本體及抵壓構件。本體具有第一本體穿孔及第二本體穿孔。本體內部包含第一流道及第二流道，第一流道與第一本體穿孔相連通，第二流道與第二本體穿孔相連通。抵壓構件的一部分凸出於本體的一側設置，抵壓構件內具有流體容槽，流體容槽與第一流道相連通，流體容槽與第二流道相連通。具有預定溫度的流體能通過第一本體穿孔進入本體，並沿著第一流道進入流體容槽中，而使被抵壓構件抵靠的待測晶片位於預定溫度。位於流體容槽中的流體能沿著第二流道流動，並通過第二本體穿孔離開本體。

Description

溫度調節裝置

本發明涉及一種溫度調節裝置，特別是一種適合應用於對晶片進行檢測的檢測設備中的溫度調節裝置。

現有常見的晶片(例如IC晶片、記憶體等)檢測設備，其中兩項檢測方式是使晶片於高溫環境及低溫環境下運作，以測試晶片是否能在高溫環境及低溫環境下正常運作。

一般來說，使晶片於高溫環境進行測試的方式是：將設置有多個晶片的電路板，設置於烤箱中，而後利用熱風機使烤箱內部溫度上升至預定的高溫，藉此使晶片位於高溫環境中進行檢測。然，此種檢測方式，存在有諸多問題，其中一個最嚴重的問題是，利用熱風機進行加熱時，烤箱內各個區域的溫度可能不相同，從而容易發生部份晶片是在預定高溫中進行測試，部份晶片是在未到達預定高溫的環境中進行測試，甚至可能發生部份晶片是在高於預定溫度的狀況下進行測試，如此，將使得晶片檢測的結果不可靠。

同樣地，現有使晶片於低溫環境中進行測試的方式，是將設置有多個晶片的電路板，設置於冷凍庫或是冷藏室中，此種測試方式，同樣存在有上述問題。

本發明公開一種溫度調節裝置，主要用以改善習知使晶片處於高溫環境或是低溫環境中進行測試的方式，存在有各個晶片可能處於不完全相同的預定溫度中進行測試，而導致最終晶片檢測的結果不可靠的問題。

本發明的其中一實施例公開一種溫度調節裝置，其用以固定設置於一晶片測試機台，晶片測試機台包含至少一晶片測試座，晶片測試座用以承載一待測晶片，溫度調節裝置包含：一本體，其內部包含至少一第一流道及至少一第二流道，本體具有至少一第一本體穿孔及至少一第二本體穿孔，第一本體穿孔不與第二本體穿孔相連通；第一本體穿孔與第一流道相連通，第二本體穿孔與第二流道相連通；至少一抵壓構件，其一部分凸出於本體的一側設置，抵壓構件內具有一流體容槽，流體容槽與第一流道相連通，流體容槽與第二流道相連通；第一流道除了與流體容槽相連通的部分，其餘部分不與第二流道相連通；抵壓構件具有一壁部，壁部具有一抵壓面，壁部為形成流體容槽的端壁；其中，第一本體穿孔用以提供符合一預定溫度的一流體流入本體，由第一本體穿孔流入本體內的流體，將通過第一流道的導引進入流體容槽中，位於流體容槽中的流體，能進入第二流道，並沿著第二流道，由第二本體穿孔離開本體；其中，溫度調節裝置固定於晶片測試機台時，抵壓構件的抵壓面抵壓於設置於晶片測試座上的待測晶片的一表面，或者，所述抵壓面是鄰近待測晶片的表面設置，而位於流體容槽中的流體能通過壁部與待測晶片相互交換熱能。

綜上所述，本發明的溫度調節裝置，通過第一流道、第二流道、抵壓構件、流體容槽等設計，可以讓晶片是單獨地與流體容槽中的流體進行熱交換，如此，可以使確保晶片是處於正確的預定溫度中進行檢測作業。

為能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用來說明本發明，而非對本發明的保護範圍作任何的限制。

於以下說明中，如有指出請參閱特定圖式或是如特定圖式所示，其僅是用以強調於後續說明中，所述及的相關內容大部份出現於該特定圖式中，但不限制該後續說明中僅可參考所述特定圖式。

請一併參閱圖1至圖5，本發明的晶片檢測設備100包含：一晶片測試機台1、一晶片承載套件2、兩個溫度調節裝置3及一罩體4。關於晶片承載套件2、溫度調節裝置3及罩體4的數量，皆不以圖中所示為限。在不同的實施例中，晶片檢測設備100也可以是不包含晶片承載套件2；在不同的實施例中，晶片檢測設備100也可以是包含單一個溫度調節裝置3或者是包含三個以上的溫度調節裝置3。在實際應用中，晶片檢測設備100可以是連接一抽真空設備，或者，晶片檢測設備100也可以是包含有所述抽真空設備；另外，晶片檢測設備100的各個溫度調節裝置3可以是連接一流體供給設備，或者，晶片檢測設備100也可以是包含有所述流體供給設備。

晶片測試機台1可以包含一機台本體11、兩個基板12、32個晶片測試座13及一測試模組14。機台本體11泛指晶片測試機台1除了基板12、多個晶片測試座13及測試模組14以外，用以維持晶片測試機台1正常運作的相關機械、電子構件等，舉例來說，機台本體11可以包含殼體、電源供應模組等。基板12設置於機台本體11；所述基板12可以依據需求為各式硬式電路板。32個晶片測試座13設置於基板12，各個晶片測試座13用以承載一待測晶片C。關於晶片測試機台1所包含的基板12、晶片測試座13及測試模組14的數量，皆不以圖中所示為限。在實際應用中，各個晶片測試座13的種類可以是依據待測晶片C(如圖7所示)的種類決定，於此不加以限制。

測試模組14設置於機台本體11中，測試模組14電性連接各個晶片測試座13，測試模組14用以對設置於各個晶片測試座13上的待測晶片C進行一檢測作業。

在其中一個具體實施例中，晶片可以是各式記憶體(例如是NAND Flash等)，而測試模組14能對各個記憶體進行讀取測試、寫入測試及電性測試中的至少一個，且測試模組14可以是包含有圖形產生器(Pattern Generator, PG)、參數量測單元(Parametric Measurement Unit, PMU)、元件電源供應模組(Device Power Supplies, DPS)及驅動電路(Driver)，當然，在實際應用中，測試模組14具體所包含的單元、模組、電路等構件，可以是依據實際所欲測試的晶片進行調整，測試模組14不侷限於僅可包含上述單元、模組、電路等。

在不同的實施例中，晶片測試機台1可以是包含多個測試模組14，而多個晶片測試座13可以是分為不同群組，位於同一群組中的所有晶片測試座13則是連接同一個測試模組14，如此，將可以使各個測試模組14及其所連接的晶片測試座13上的多個晶片C，彼此間的訊號傳遞可以更快速且不易發生衰減。更具體來說，若設置有32個晶片測試座13的基板12僅連接一個訊號輸入源，則訊號輸入源所發出的訊號，由基板12的一側傳遞至基板12的另一側時，訊號將明顯發生衰減的問題，從而可能導致晶片測試結果不準確的問題。

如圖4至圖6所示，進一步來說，在實際應用中，晶片測試機台1還可以是包含一底板15、一中空框體16及4個輔助定位構件17。底板15設置於機台本體11的一側，兩個基板12設置於底板15的一側。底板15主要是用來固定兩個基板12及測試模組14，關於底板15的外型、尺寸等，皆可依據基板12的數量、基板12的外型、測試模組14的數量及測試模組14的外型等，加以選擇設計，圖中所示僅為其中一示範態樣。

中空框體16設置於底板15設置有基板12的一側，且中空框體16環繞兩個基板12設置，而兩個基板12是對應位於中空框體16中，且中空框體16與基板12共同形成一容槽1A，各基板12用以與各個晶片測試座13電性連接的電連接結構(例如pad)，則是對應位於容槽1A中。其中，各個晶片測試座13的高度不大於容槽1A的深度，而各個晶片測試座13固定於基板12時，各個晶片測試座13是不突出於中空框體16。

4個輔助定位構件17可拆卸地設置於基板12的一側，且各個輔助定位構件17位於容槽1A中。在實際應用中，各個輔助定位構件17例如可以是通過多個螺絲，可拆卸地固定於基板12的一側，但不以此為限。於本實施例中，是以中空框體16中設置有4個輔助定位構件17為例，但中空框體16中所設置的輔助定位構件17的數量，不以4個為限。

各個輔助定位構件17包含8個輔助穿孔171及4個定位結構172，各個輔助穿孔171貫穿輔助定位構件17，各個定位結構172貫穿輔助定位構件17。各個輔助定位構件17的4個定位結構172用以4個螺絲相互配合，以固定其中一個基板12上。關於各個輔助定位構件17所包含的輔助穿孔171的數量、各個輔助穿孔171的形式、定位結構172的數量、各個定位結構172的形式，於此皆不加以限制。當然，各個基板12是具有對應於各個定位結構172的鎖孔。

各個晶片測試座13是通過輔助定位構件17固定於基板12的一側，而各個晶片測試座13與基板12之間未通過其他方式相互固定。也就是說，當各個輔助定位構件17被拆卸，而不再與基板12相互固定時，各個晶片測試座13將不再固定於與基板12上，而相關人員或是機械設備可以直接將晶片測試座13由基板上12取下，如此設計，將可以便於相關人員或是設備進行晶片測試座13的更換、安裝。

各個晶片測試座13被輔助定位構件17固定設置於基板12的一側時，各個晶片測試座13的一連接部131將對應位於其中一個輔助穿孔171中，而待測晶片C的多個接腳，則可以通過設置於連接部131中的多個探針，與基板12的相關電連接結構電性連通。

在較佳的實施例中，基板12還可以是包含有兩個第一輔助限位結構121，而各個輔助定位構件17則可以是包含有兩個第二輔助限位結構173，各個第一輔助限位結構121能與其中一個第二輔助限位結構173相互卡合，而相關人員或是設備，安裝輔助定位構件17時，即可先使多個第二輔助限位結構173與多個第一輔助限位結構121相互卡合，以使輔助定位構件17及多個晶片測試座13先設置於基板12上的正確位置，而後，相關人員或是設備將可再利用多個螺絲，將輔助定位構件17及多個晶片測試座13固定於基板12的一側。於本實施例中，是以各個第一輔助限位結構121為凹孔，而各個第二輔助限位結構173為凸柱為例，但第一輔助限位結構121及第二輔助限位結構173的數量、形式、外型及其尺寸，皆可依據需求變化，不以圖中所示為限。

另外，各個晶片測試座13還可以是包含3個第一定位結構132，而各個輔助定位構件17可以是包含多個第二定位結構174，各個第一定位結構132用以與其中一個第二定位結構174相互卡合。輔助定位構件17設置於基板12的一側時，各個第一定位結構132及各個第二定位結構174將相互卡合，如此，各個晶片測試座13在相關人員或是設備，利用螺絲將輔助定位構件17固定於基板12的過程中，各個晶片測試座13將不易相對於基板12或輔助定位構件17移動。於本實施例中，是以各個第一定位結構132為貫穿晶片測試座13的穿孔，而各個第二定位結構174則是凸柱結構為例，但各第一定位結構132及各第二定位結構174的具體形式、數量，皆不以圖中所示為限。

如圖1、圖2、圖7至圖10所示，晶片承載套件2用以承載32個待測晶片C，承載有32個待測晶片C的晶片承載套件2設置於晶片測試機台1與溫度調節裝置3之間。關於晶片承載套件2所承載的待測晶片C的數量，不以32個為限，其可依據需求增減。在晶片檢測設備100不包含所述晶片承載套件2的實施例中，各個待測晶片C可以是直接安裝於各個所述晶片測試座13上。

進一步來說，晶片承載套件2可以包含一承載框體21及32個晶片承載構件22。承載框體21包含32個承載穿孔211及64個第一卡合結構212，各個承載穿孔211貫穿承載框體21，各個承載穿孔211中具有兩個第一卡合結構212。於本實施例圖中，是以每一個承載穿孔211內的對角位置設置有兩個第一卡合結構212為例，但每一個承載穿孔211內所設置的第一卡合結構212的數量，不以兩個為限。

各個晶片承載構件22包含一晶片容槽221、兩個第二卡合結構222及四個晶片限位結構223。晶片容槽221貫穿晶片承載構件22設置，兩個第二卡合結構222形成於晶片承載構件22的一側，四個晶片限位結構223突出於晶片容槽221中。各個晶片容槽221用以容置一個待測晶片C，設置於晶片容槽221中的待測晶片C，則是被四個晶片限位結構223限制，而無法通過四個晶片限位結構223離開晶片容槽221。各個晶片承載構件22設置於其中一個承載穿孔211中，且兩個第二卡合結構222與兩個第一卡合結構212相互卡合，相互卡合的第一卡合結構212及第二卡合結構222將限制晶片承載構件22相對於承載框體21的活動範圍。

在本實施例的圖式中，是以各個第一卡合結構212包含一圓形穿孔，而各個第二卡合結構222為一圓筒狀結構為例，但第一卡合結構212及第二卡合結構222的外型不以此為限。

在實際應用中，晶片承載套件2可以是被相關機械手臂，於不同設備之間移載，舉例來說，相關機械手臂可以是先將晶片承載套件2移動並置放於一晶片置放設備，而晶片置放設備則可以將多個待測晶片C設置於晶片承載套件2的多個晶片容槽221中，而後，相關機械手臂可以再將承載有多個待測晶片C的晶片承載套件2移載至本發明的晶片檢測設備100的中空框體16的一側。

請復參圖4，各個輔助定位構件17可以是包含一本體175、多個第一抵靠部176及多個第一限位結構177，本體175形成有多個輔助穿孔171，各個輔助穿孔171貫穿本體175，本體175的一側形成有多個第一抵靠部176，各個輔助穿孔171的至少兩側邊鄰近設置有第一抵靠部176。各個第一限位結構177設置於各個第一抵靠部176相反於本體175的一側。本體175、多個第一抵靠部176及多個第一限位結構177可以是一體成型地設置。各個輔助穿孔171的周圍可以是至少設置有兩個第一限位結構177，且鄰近同一個輔助穿孔171設置的兩個第一限位結構177可以是對角地設置。各個第一限位結構177例如可以是柱狀結構，但第一限位結構177的外型不以此為限。

如圖8所示，各個晶片承載構件22可以是包含有一第二抵靠部224、一伸入部225及兩個第二限位結構226，兩個第二卡合結構222形成於第二抵靠部224，伸入部225的外徑小於第二抵靠部224的外徑，4個晶片限位結構223則是形成伸入部225。兩個第二限位結構226形成於第二抵靠部224，各個第二限位結構226可以是凹孔或是貫穿第二抵靠部224的穿孔。

各個第二限位結構226用以與其中一個第一限位結構177相互卡合，而當晶片承載套件2設置於中空框體16的一側時，各個晶片承載構件22的兩個第二限位結構226將對應套設於輔助定位構件17的其中兩個第一限位結構177，如此，將可以使各個晶片承載構件22的晶片容槽221與其中一個輔助穿孔171正確地相互對位設置。

如圖12及圖13所示，當晶片承載套件2設置於中空框體16的一側時，承載框體21將抵靠於中空框體16的一側，且各個第二抵靠部224將對應抵靠於第一抵靠部176，而各個伸入部225將對應位於兩個第一抵靠部176之間，且各個伸入部225是面對其中一個輔助穿孔171設置，而位於晶片容槽221中的待測晶片C則是對應面對位於輔助穿孔171中的晶片測試座13設置。

請一併圖1至圖3、圖13及圖14，罩體4罩設兩個溫度調節裝置3，罩體4可以是包含有兩個穿孔41，各個穿孔41貫穿罩體4設置，各個穿孔41用以連接一管體接頭A，而抽真空設備能通過兩管體與設置於罩體4的兩個穿孔41上的兩個管體接頭A相連接。所述管體接頭A例如可以是各式快速接頭(quick connector)。罩體4所包含的穿孔41的數量、穿孔41的設置位置，皆不以圖中所示為限。

在實際應用中，晶片承載套件2可以是抵靠於晶片測試機台1的一側，罩設有罩體4的溫度調節裝置3則是抵靠於晶片承載套件2相反於抵靠晶片測試機台1的另一側，而罩體4、晶片承載套件2及晶片測試機台1之間共同形成一封閉空間S；抽真空設備則是用來將封閉空間S內的氣體向外抽出，以使封閉空間S呈現為負壓狀態。在晶片檢測設備100不包含晶片承載套件2的實施例中，罩體4則可以是抵靠於基板12，而罩體4與基板12可以是共同形成封閉空間S。

在實際應用中，當承載有多個待測晶片C的晶片承載套件2，設置於中空框體16的一側時，設置於各個晶片容槽221中的各個待測晶片C可以是已經與相鄰的晶片測試座13電性連接，即，各個待測晶片C的接腳已經與晶片測試座13的多個探針相接觸，但不以此為限。在不同的實施例中，設置於晶片容槽221中的各個待測晶片C的接腳，也可以是在抽真空設備作動時，才與相鄰的晶片測試座13的多個探針相接觸。

當抽真空設備將封閉空間S內的氣體抽出，而使封閉空間S呈負壓狀態時，各個待測晶片C的接腳將與相鄰的晶片測試座13的多個探針緊密地相接觸，而測試模組14將可以通過多個晶片測試座13對多個待測晶片C進行檢測作業。

在實際應用中，中空框體16與底板15之間、中空框體16與晶片承載套件2之間、及晶片承載套件2與罩體4之間都可以是設置有一環狀密封件B。當抽真空設備將封閉空間S內的氣體抽出時，各個環狀密封件B可以使封閉空間S保持與外封閉的狀態。

需特別說明的是，由於晶片測試座13所包含的各個探針，都連接有一彈性體(常見為壓縮彈簧)，因此，若欲使晶片承載套件2所承載的多個待測晶片C的多個接腳，直接與相鄰的多個晶片測試座13的探針相接觸，則需要施加強大的作用力於晶片承載套件2或是罩體4上，才可以使各個待測晶片C的各個接腳與相鄰的晶片測試座13的其中一個探針相接觸。相對地，通過抽真空設備與罩體4等相關構件的配合，使封閉空間S呈現為負壓狀態，將可以輕易地使各個待測晶片C的各個接腳與相鄰的晶片測試座13的探針相接觸。

如圖2、圖3、圖14至圖18所示，各個溫度調節裝置3包含一本體31及16個抵壓構件32。各個溫度調節裝置3所包含的抵壓構件32的數量可以是依據需求變化，不以圖中所示的數量為限。

本體31內部包含一第一流道L1(於後詳述)及一第二流道L2(於後詳述)。本體31彼此相反的兩個寬側面分別定義為一第一寬側面31A及一第二寬側面31B。本體31於第一寬側面31A形成一個第一本體穿孔3111及四個第二本體穿孔3112，各個第一本體穿孔3111不與第二本體穿孔3112相連通。第一本體穿孔3111與第一流道L1相連通，第二本體穿孔3112與第二流道L2相連通。

本體31所包含的第一本體穿孔3111及第二本體穿孔3112的數量，不以圖中所示為限。於本實施例中，是以第一本體穿孔3111與所有第二本體穿孔3112都位於本體31的第一寬側面31A為例，但各第一本體穿孔3111及第二本體穿孔3112不侷限於位於本體31的同一個寬側面。

各個抵壓構件32的一部分凸出於本體31的第二寬側面31B設置，抵壓構件32內具有一流體容槽32A，流體容槽32A與第一流道L1相連通，流體容槽32A與第二流道L2相連通，且第一流道L1除了與流體容槽32A相連通的部分，其餘部分不與第二流道L2相連通。抵壓構件32具有一壁部321，壁部321具有一抵壓面3211，壁部321是形成流體容槽32A的端壁。

第一本體穿孔3111用以提供符合一預定溫度的一流體流入本體31，由第一本體穿孔3111流入本體31內的流體，能通過第一流道L1的導引進入各個流體容槽32A中，並由流體容槽32A進入第二流道L2，再通過第二流道L2的導引，而由各個第二本體穿孔3112離開本體31。

溫度調節裝置3固定於晶片測試機台1時，各個抵壓構件32的一部分是對應位於其中一個晶片容槽221中，且抵壓構件32的抵壓面3211設置於晶片測試座13上的待測晶片C的一表面C1，而流動於流體容槽32A中的流體能通過壁部321相互交換熱能。在實際應用中，當抽真空設備未作動時，各個抵壓構件32的抵壓面3211可以是與相鄰的待測晶片C的表面C1之間存在有一間隙；當抽真空設備作動，而封閉空間S呈現為負壓狀態時，各抵壓構件32的抵壓面3211則可以是緊貼於相鄰的待測晶片C的表面C1。當然，在不同的實施例中，在抽真空設備未動作時，各抵壓構件32的抵壓面3211也可以是抵壓於相鄰的待測晶片C的表面C1。

在實際應用中，當溫度調節裝置3固定設置於晶片測試機台1時，相關處理裝置可以是先控制抽真空裝置作動，以使封閉空間S現負壓狀態，並使達到符合預定溫度的流體，通過第一本體穿孔3111流入本體31中，並進入各個流體容槽32A中，據以使各個待測晶片C處於預定溫度的環境中，最後，再控制測試模組14通過各個晶片測試座13對各個待測晶片C進行檢測作業，藉此，將可以使各個待測晶片C於預定溫度的環境中進行檢測作業。在各個待測晶片C在被測試模組14進行檢測的過程中，符合預定溫度的流體可以是持續地進入本體31，而使各個待測晶片C持續地維持在預定溫度的環境中，且原本位於各個流體容槽32A中的流體，將沿著第二流道L2由四個第二本體穿孔3112向外流出，而各個流體容槽32A中的流體將會持續地保持在預定溫度。

請一併參閱圖3、圖14至圖18，在實際應用中，各個溫度調節裝置3本體31可以包含一第一構件311、一第二構件312、一第三構件313及一支撐構件314，第一構件311、第二構件312、第三構件313及支撐構件314彼此相互連接，且第二構件312設置於第一構件311及第三構件313之間，第三構件313設置於第二構件312及支撐構件314之間。第一構件311、第二構件312、第三構件313及支撐構件314彼此間的連接方式，可以是依據需求加以變化，於此不加以限制，舉例來說，第一構件311、第二構件312、第三構件313及支撐構件314彼此間可以是通過黏膠黏合、螺絲鎖固等方式相互固定，當然，若是第一構件311、第二構件312、第三構件313及支撐構件314是通過螺絲等相關構件進行固定，則螺絲等相關構件，基本上是不會穿入第一暫存槽3123、第二暫存槽3132或流體容槽32A。在特殊的應用中，第一構件311、第二構件312、第三構件313及支撐構件314也可以是一體成型的設置，舉例來說，第一構件311、第二構件312、第三構件313及支撐構件314可以是通過3D列印的方式製成。

如圖3、圖15、圖16、圖19及圖20所示，各個第一構件311可以包含所述第一本體穿孔3111、四個所述第二本體穿孔3112及四個鎖孔3113。各個第一本體穿孔3111及第二本體穿孔3112分別貫穿第一構件311設置。第一本體穿孔3111可以是大致位於第一構件311的中央位置，而四個第二本體穿孔3112則是大致圍繞第一本體穿孔3111設置。關於第一本體穿孔3111及第二本體穿孔3112的設置位置、外型及其數量，皆不以圖中所示為限，其可依據第一構件311的尺寸、外型等需求加以設計。

各個鎖孔3113是不貫穿第一構件311的盲孔。罩體4可以具有8個貫穿孔42，而8個螺絲能通過罩體4的8個貫穿孔42與兩個溫度調節裝置3的兩個第一構件311所分別包含的四個鎖孔3113相互鎖固，據以使罩體4與兩個溫度調節裝置3的兩個第一構件311相互固定。關於第一構件311所包含的鎖孔3113的數量及其設置位置，皆可依據需求變化，不以圖中所示為限。

第二構件312包含16個第一構件穿孔3121、四個連通通孔3122、一第一暫存槽3123、四個環狀支撐結構3124及16個導引結構3125。各個第一構件穿孔3121貫穿第二構件312設置，各個連通通孔3122貫穿第二構件312設置，第一暫存槽3123由第二構件312的一側內凹形成，且各個第一構件穿孔3121是位於第一暫存槽3123中。四個環狀支撐結構3124位於第一暫存槽3123中，四個環狀支撐結構3124可以是由第一暫存槽3123的一底面3126向外凸出形成，各個環狀支撐結構3124的高度大致等於第一暫存槽3123的深度，各個環狀支撐結構3124環繞其中一個連通通孔3122設置。

各個導引結構3125設置於第二構件312相反於形成有第一暫存槽3123的另一側，各個導引結構3125的外型可以是大致呈現為中空矩形狀，而各個導引結構3125內形成有一第一導引通道3125A，各個第一導引通道3125A與其中一個第一構件穿孔3121相互連通，且各個第一導引通道3125A與第一暫存槽3123相互連通，而位於第一暫存槽3123中的流體，將能通過各個第一構件穿孔3121，流入各個抵壓構件32的第一導引通道3125A中，且位於第一暫存槽3123中的流體，將因為各個環狀支撐結構3124的阻擋，而不會流入連通通孔3122中。

四個環狀支撐結構3124的設置位置是對應於第一構件311的四個第二本體穿孔3112，而第一構件311固定於第二構件312形成有第一暫存槽3123的一側時，第一構件311的一底面3114是與四個環狀支撐結構3124的一端面3124A相互緊密地抵靠，且第一構件311的底面3114是與第二構件312形成第一暫存槽3123的環側壁3127的一端面3127A相互緊密地抵靠，而四個第二本體穿孔3112將對應與四個連通通孔3122相互連通，且各個第二本體穿孔3112被各個環狀支撐結構3124阻擋，而不與第一暫存槽3123相互連通，第一本體穿孔3111則是與第一暫存槽3123相互連通。

依上所述，第一構件311固定於第二構件312的一側，且流體由第一流體穿孔41進入時，流體將通過第一本體穿孔3111進入第一暫存槽3123中，且流體將會於第一暫存槽3123中流動，並通過16個第一構件穿孔3121流入16個導引結構3125內的第一導引通道3125A中，且於第一暫存槽3123中流動的流體，將受各個環狀支撐結構3124阻擋，而不會流入連通通孔3122中。

如圖17至圖19及圖21所示，第三構件313包含16個第二構件穿孔3131及一第二暫存槽3132。各個第二構件穿孔3131貫穿第三構件313，第二暫存槽3132由第三構件313的一側內凹形成，各個第二構件穿孔3131位於第二暫存槽3132中，且各個第二構件穿孔3131與第二暫存槽3132相互連通。16個第二構件穿孔3131對應於16個導引結構3125設置，且各個第二構件穿孔3131的孔徑大於各個導引結構3125的外徑，而各個第二構件穿孔3131用以供其中一個導引結構3125穿過。關於第三構件313所包含的第二構件穿孔3131的數量，是對應於第二構件312所包含的導引結構3125的數量，且各第二構件穿孔3131的外型是大致對應於各導引結構3125的外型。

值得一提的是，各個導引結構3125的縱向長度是大於第三構件313的厚度，而穿過各個第二構件穿孔3131的各個導引結構3125的一部分是對應位於第三構件313相反於第二構件312的一側。

如圖21所示，第一構件311固定於第一構件311形成有第一暫存槽3123的一側，且第二構件312固定設置於第三構件313形成有第二暫存槽3132的一側時，各個導引結構3125將對應穿設於其中一個第二構件穿孔3131，且各個導引結構3125與形成第二構件穿孔3131的側壁之間形成有一間隙D；各個第二本體穿孔3112則是通過連通通孔3122與第二暫存槽3132相互連通。

第三構件313相反於具有第二暫存槽3132的一側可以是具有16個卡合結構3133，各個卡合結構3133可以是由第三構件313的一側內凹形成的凹槽，且各個凹槽是與其中一個第二構件穿孔3131相互連通。各個抵壓構件32可以是包含一抵壓部322及一卡合部323，抵壓部322內形成有流體容槽32A，卡合部323與抵壓部322相連接，卡合部323位於抵壓部322相反於具有壁部321的一端，且卡合部323的外徑大於抵壓部322的外徑。

各個抵壓構件32的卡合部323與其中一個卡合結構3133相互卡合，而各個抵壓構件32據以固定於第三構件313的一側；各個抵壓構件32的流體容槽32A則是與相鄰的第二構件穿孔3131相互連通，而第二暫存槽3132則是通過各個第二構件穿孔3131與各個流體容槽32A相互連通。在實際應用中，各個抵壓構件32與第三構件313相互固定的方式，不以圖中所示為限。

值得一提的是，在其中一個具體應用中，支撐構件314與第三構件313可以是可拆卸地相互固定，且各個抵壓構件32的卡合部323可以是與卡合結構3133可拆卸地設置，如此，相關人員即可以是依據待測晶片C的種類、形式的不同，而對應更換不同尺寸、外型的抵壓構件32。

如圖17至圖19、圖22及圖23所示，第一構件311、第二構件312及第三構件313相互連接時，第二構件312設置於第三構件313具有第二暫存槽3132的一側，第二構件312的底面3126是與第三構件313形成第二暫存槽3132的一環側壁3134的一端面3134A相互緊密地抵靠，而各個導引結構3125穿過第二構件穿孔3131，且各個導引結構3125的一部分是對應位於流體容槽32A中。其中，各個導引結構3125的外徑小於各個流體容槽32A的孔徑，而位於流體容槽32A中的導引結構3125與形成流體容槽32A的側壁之間形成一第二導引通道33。

如圖17、圖18、圖22及圖23所示，支撐構件314為一板狀結構，支撐構件314包含16個限位孔3141，各個限位孔3141貫穿支撐構件314。支撐構件314固定設置於第三構件313形成有16個卡合結構3133的一側，而各個抵壓構件32的抵壓部322是對應穿過其中一個限位孔3141設置。各個限位孔3141的孔徑大於各個抵壓構件32的抵壓部322的外徑，且各個抵壓構件32的卡合部323的外徑大於各個限位孔3141的孔徑，而各個抵壓構件32的抵壓部322穿過其中一個限位孔3141時，卡合部323將對應抵靠於支撐構件314的一寬側面3142。

支撐構件314固定於第三構件313的一側時，支撐構件314的寬側面3142是與第三構件313形成有16個卡合結構3133的一寬側面3135相互抵靠，而支撐構件314與第三構件313之間是緊密地相連接。

如圖22及圖23所示，第一構件311的所述第一本體穿孔3111、第一暫存槽3123、多個個第一構件穿孔3121及多個第一導引通道3125A共同形成所述第一流道L1，而第一構件311的各個第二本體穿孔3112、第二暫存槽3132及多個第二導引通道33則是共同形成一個所述第二流道L2。

依上所述，達到預定溫度的流體沿本體31的第一流道L1流動至各個抵壓構件32的流體容槽32A中的流動路徑可以是：流體先由第一構件311的第一本體穿孔3111進入第二構件312的第一暫存槽3123中，再通過第二構件312的多個第二構件穿孔3131進入各個第一導引通道3125A中，並沿著第一導引通道3125A進入流體容槽32A中。

當流體持續地由第一流道L1進入各個流體容槽32A中時，位於各個流體容槽32A中的流體將會沿著第二導引通道33，流動至第二暫存槽3132中；當流體填滿第二暫存槽3132中時，流體將沿著第二構件312的連通通孔3122及第二本體穿孔3112流出本體31。

在實際應用中，流體供給設備可以是通過一條管體與設置於第一本體穿孔3111上的管體接頭A相連接，而流體供給設備可以是持續地通過所述管體提供流體至本體31中；設置於各個第二本體穿孔3112的管體接頭A可以是通過管體，與相關的流體回收設備相連接。在其中一個實施例中，所述流體回收設備例如可以是通過管體將位於本體31中的流體抽出。在另一個實施例中，流體回收設備及流體供給設備可以整合為同一設備。

值得一提的是，通過第一暫存槽3123的設計，可以讓所有的流體容槽32A大致在同一時間內流入具有預定溫度的流體，而可以使流體容槽32A中的流體溫度大致相同。通過第二暫存槽3132的設計，則可以使欲被回收的流體先匯流後，再一併通過數量相對較少的第二本體穿孔3112離開本體31。

如圖19所示，在較佳的實施例中，各個第一構件穿孔3121的外型可以是接近矩形，且各個第一構件穿孔3121的長度T2可以是寬度T1的3倍，舉例來說，寬度T1可以是3公釐，長度T2可以是6公釐；如圖23所示，於通過第一導引通道3125A的一中心軸線P的一截面(即圖23所示)中，導引結構3125位於流體容槽32A中的一端面與壁部321之間的間隙距離W1不小於1公釐(mm)，第二導引通道33的寬度介於1公釐(mm)至2公釐，如此，將可以使流體於第一導引通道3125A及第二導引通道33中順暢地流動，且可以使具有預定溫度的流體能夠於流體容槽32A的壁部321停留相對較長的時間。在其中一個具體應用中，間隙距離W1可以是1.5公釐(mm)，第二導引通道33的最大寬度W2可以是1.75公釐(mm)，第二導引通道33的最小寬度W5可以是0.75公釐(mm)，第一導引通道3125A的長度W3可以是31公釐(mm)。

在其中一個較佳的實施例中，抵壓構件32可以是金屬材質，如此，將可以使具有預定溫度的流體位於流體容槽32A中時，可以更好地與待測晶片C進行熱能交換。

需特別強調的是，上述兩個溫度調節裝置3及罩體4，或者，單一個溫度調節裝置3及罩體4，可以是單獨地被製造、販售、實施，而各個溫度調節裝置3不侷限於僅可與晶片檢測設備100所包含的其他構件一同製造、販售、實施。

依上所述，請復參圖1及圖2，利用本發明的晶片檢測設備100對多個待測晶片C進行檢測作業的流程可以是：

步驟一：先利用晶片置放設備將多個待測晶片C設置於晶片承載套件2中；

步驟二：先使罩體4及其連接的兩個溫度調節裝置3向遠離晶片測試機台1的方向移動，再使承載有多個待測晶片C的晶片承載套件2設置於中空框體16的一側；

步驟三：使罩體4及其連接的兩個溫度調節裝置3向靠近晶片測試機台1的方向移動，以使兩個溫度調節裝置3設置於晶片承載套件2相反於中空框體16的一側，並據以讓各個抵壓構件32的抵壓面3211鄰近於各個待測晶片C的表面C1設置；

步驟四：使抽真空設備作動，以使各個抵壓構件32的抵壓面3211緊貼於各個待測晶片C的表面C1；

步驟五：使達到預定溫度的流體由各個第一本體穿孔3111流入本體31中，並等待一預定時間，以使各個流體容槽32A中，充滿達到預定溫度的流體；

步驟六：使測試模組14通過多個晶片測試座13對多個待測晶片C進行檢測作業。

其中，於步驟六中，可以是使具有預定溫度的流體持續地通過第一本體穿孔3111進入本體31中，以使各個流體容槽32A中的流體的溫度能夠保持為所述預定溫度。

當測試模組14對多個待測晶片C完成檢測作業後，相關控制裝置(例如是工業電腦、伺服器等)將先控制抽真空設備停止作動，以使封閉空間S由負壓狀態回復至常壓狀態，而後，再控制罩體4與其所連接的兩個溫度調節裝置3向遠離晶片測試機台1的方向移動，最後，再控制相關機械手臂，將晶片承載套件2由中空框體16移動至下一個工作站。在實際應用中，罩體4及其連接的兩個溫度調節裝置3，與晶片測試機台1之間可以是通過線性滑軌等構件相互連接，而罩體4及其連接的兩個溫度調節裝置3，則能通過線性滑軌等構件，向靠近或遠離晶片測試機台1的方向移動。當然，罩體4及其連接的兩個溫度調節裝置3可以是通過各種方式相對於晶片測試機台1移動，於此不加以限制。

值得一提的是，一般來說，一個電子產品在大量組裝生產前，大致會先後通過兩階段測試，第一階段的測試通常是對電子產品的各個積體電路(integrated circuit, IC)單獨進行各項電氣檢測(即為俗稱的ATE測試)；若各積體電路皆通過第一階段的測試後，則會進行第二階段的測試；於第二階段的測試中，相關人員或是機械會將通過第一階段測試的積體電路組裝成電子產品，或者是組裝成近似於電子產品的狀態，而後，對該電子產品通電，以測試積體電路是否可以正常地運作，此種測試一般稱作系統級檢測(System Level Test , SLT)。在其中一個具體實施例中，本發明的晶片檢測設備100也可以是用來進行上述第二階段(俗稱的SLT測試)的測試作業。

綜上所述，本發明的晶片檢測設備通過溫度調節裝置等設計，可以讓各個待測晶片能於預定溫度的環境中，進行檢測作業，且由於各個待測晶片是直接與各個流體容槽中承載的達到預定溫度的流體，進行熱能交換，因此，各個待測晶片可以是位於大致相同的預定溫度的環境中進行檢測，如此，將可以確保各個待測晶片的檢測結果的準確性。

反觀習知將多個待測晶片設置於烤箱或是冷凍庫中，對多個待測晶片進行檢測的方式，存在有各個待測晶片因為位於烤箱或是冷凍庫中的不同位置，而使得不同的待測晶片是處於不同的環境溫度中進行檢測，如此，將導致最終的檢測結果不可靠。

以上僅為本發明的較佳可行實施例，非因此侷限本發明的專利範圍，故舉凡運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的保護範圍內。

100:晶片檢測設備 1:晶片測試機台 1A:容槽 11:機台本體 12:基板 121:第一輔助限位結構 13:晶片測試座 131:連接部 132:第一定位結構 14:測試模組 15:底板 16:中空框體 17:輔助定位構件 171:輔助穿孔 172:定位結構 173:第二輔助限位結構 174:第二定位結構 175:本體 176:第一抵靠部 177:第一限位結構 2:晶片承載套件 21:承載框體 211:承載穿孔 212:第一卡合結構 22:晶片承載構件 221:晶片容槽 222:第二卡合結構 223:晶片限位結構 224:第二抵靠部 225:伸入部 226:第二限位結構 3:溫度調節裝置 31:本體 31A:第一寬側面 31B:第二寬側面 311:第一構件 3111:第一本體穿孔 3112:第二本體穿孔 3113:鎖孔 3114:底面 312:第二構件 3121:第一構件穿孔 3122:連通通孔 3123:第一暫存槽 3124:環狀支撐結構 3124A:端面 3125:導引結構 3125A:第一導引通道 3126:底面 3127:環側壁 3127A:端面 313:第三構件 3131:第二構件穿孔 3132:第二暫存槽 3133:卡合結構 3134:環側壁 3134A:端面 3135:寬側面 314:支撐構件 3141:限位孔 3142:寬側面 32:抵壓構件 32A:流體容槽 321:壁部 3211:抵壓面 322:抵壓部 323:卡合部 33:第二導引通道 4:罩體 41:穿孔 42:貫穿孔 A:管體接頭 B:環狀密封件 C:待測晶片 C1:表面 D:間隙 S:封閉空間 P:中心軸線 W1:間隙距離 W2:最大寬度 W3:長度 W4:寬度 W5:最小寬度 L1:第一流道 L2:第二流道 T1:寬度 T2:長度

圖1為本發明的晶片檢測設備的示意圖。

圖2為本發明的晶片檢測設備的分解示意圖。

圖3為本發明的晶片檢測設備的罩體及兩個溫度調節裝置的分解示意圖。

圖4為本發明的晶片檢測設備的晶片測試機台的局部放大示意圖。

圖5為本發明的晶片檢測設備的晶片測試機台的局部分解示意圖。

圖6為本發明的晶片檢測設備的輔助定位構件及晶片測試座的分解示意圖。

圖7為本發明的晶片檢測設備的晶片承載套件及晶片的分解示意圖。

圖8為本發明的晶片檢測設備的晶片承載套件的局部分解示意圖。

圖9為本發明的晶片檢測設備的晶片承載套件的另一視角的示意圖。

圖10為圖9的局部放大示意圖。

圖11為本發明的晶片檢測設備的晶片測試機台設置有晶片承載套件的示意圖。

圖12為圖11沿剖線XII-XII的剖視示意圖。

圖13為圖11沿剖線XIII-XIII的剖視示意圖。

圖14為本發明的晶片檢測設備的局部剖面示意圖。

圖15至圖18分別為本發明的溫度調節裝置的不同視角的分解示意圖。

圖19為本發明的溫度調節裝置的第二構件、第三構件及第四構件的局部剖面分解示意圖。

圖20為本發明的晶片檢測設備的溫度調節裝置的第一構件及第二構件的局部剖面示意圖。

圖21為本發明的晶片檢測設備的溫度調節裝置的第一構件、第二構件及第三構件的局部剖面示意圖。

圖22為本發明的晶片檢測設備的溫度調節裝置的局部剖面示意圖。

圖23為圖2沿剖線XXIII-XXIII的剖面示意圖。

圖24為圖1沿剖線XXIV-XXIV的剖面示意圖。

12:基板

13:晶片測試座

15:底板

16:中空框體

21:承載框體

31:本體

311:第一構件

3111:第一本體穿孔

3112:第二本體穿孔

312:第二構件

3121:第一構件穿孔

3123:第一暫存槽

3125:導引結構

3125A:第一導引通道

313:第三構件

3132:第二暫存槽

32:抵壓構件

32A:流體容槽

33:第二導引通道

4:罩體

B:環狀密封件

C:待測晶片

C1:表面

S:封閉空間

L1:第一流道

L2:第二流道

Claims (10)

1. 一種溫度調節裝置，其用以固定設置於一晶片測試機台，所述晶片測試機台包含至少一晶片測試座，所述晶片測試座用以承載一待測晶片，所述溫度調節裝置包含： 一本體，其內部包含至少一第一流道及至少一第二流道，所述本體具有至少一第一本體穿孔及至少一第二本體穿孔，所述第一本體穿孔不與所述第二本體穿孔相連通；所述第一本體穿孔與所述第一流道相連通，所述第二本體穿孔與所述第二流道相連通； 至少一抵壓構件，其一部分凸出於所述本體的一側設置，所述抵壓構件內具有一流體容槽，所述流體容槽與所述第一流道相連通，所述流體容槽與所述第二流道相連通；所述第一流道除了與所述流體容槽相連通的部分，其餘部分不與所述第二流道相連通；所述抵壓構件具有一壁部，所述壁部具有一抵壓面，所述壁部為形成所述流體容槽的端壁； 其中，所述第一本體穿孔用以提供符合一預定溫度的一流體流入所述本體，由所述第一本體穿孔流入所述本體內的所述流體，將通過所述第一流道的導引進入所述流體容槽中，位於所述流體容槽中所述流體，能進入所述第二流道，並沿著所述第二流道，由所述第二本體穿孔離開所述本體； 其中，所述溫度調節裝置固定於所述晶片測試機台時，所述抵壓構件的所述抵壓面是抵壓於設置於所述晶片測試座上的所述待測晶片的一表面，或者，所述抵壓面是鄰近所述表面設置，而位於所述流體容槽中的所述流體能通過所述壁部與所述待測晶片相互交換熱能。
2. 如請求項1所述的溫度調節裝置，其中，所述本體內包含至少一導引結構，所述導引結構內具有一第一導引通道，所述第一導引通道為所述第一流道的一部分，所述導引結構的一端位於所述流體容槽中，位於所述流體容槽中的所述導引結構與形成所述流體容槽的側壁之間形成一第二導引通道，所述第二導引通道為所述第二流道的一部分。
3. 如請求項2所述的溫度調節裝置，其中，於通過所述導引通道的一中心軸線的一截面中，所述導引結構位於所述流體容槽中的一端面與所述壁部之間的間隙距離不小於1公釐，所述第二導引通道的寬度介於1公釐至2公釐。
4. 如請求項2所述的溫度調節裝置，其中，所述本體內包含一第一暫存槽及一第二暫存槽，所述第一暫存槽為所述第一流道的一部分，所述第二暫存槽為所述第二流道的一部分；所述第一暫存槽用以暫存由所述第一本體穿孔流入所述本體的所述流體，且所述第一暫存槽與所述第一導引通道相連通；所述第二暫存槽與所述第二導引通道相連通。
5. 如請求項4所述的溫度調節裝置，其中，所述本體包含一第一構件、一第二構件及一第三構件，所述第二構件設置於所述第一構件及所述第三構件之間；所述第一構件包含所述第一本體穿孔及所述第二本體穿孔；所述第二構件包含至少一第一構件穿孔、至少一連通通孔、所述第一暫存槽、至少一環狀支撐結構及至少一個所述導引結構，所述第一構件穿孔貫穿所述第二構件，所述連通通孔貫穿所述第二構件；所述第一暫存槽由所述第二構件的一側內凹形成，所述導引結構凸出設置於所述第二構件的另一側；所述第一構件穿孔位於所述第一暫存槽中，且所述第一暫存槽、所述第一構件穿孔及所述第一導引通道相互連通；所述環狀支撐結構位於所述第一暫存槽中；所述第一構件固定於所述第二構件具有所述第一暫存槽的一側，所述環狀支撐結構的端面與所述第一構件的一寬側面相互抵靠，而所述連通通孔與所述第二本體穿孔相互連通，且所述連通通孔不與所述第一暫存槽相連通；所述第三構件包含至少一第二構件穿孔及所述第二暫存槽，所述第二構件穿孔貫穿所述第三構件；所述第三構件相反於具有所述第二暫存槽的一側設置有所述抵壓構件，所述第二構件穿孔、所述抵壓構件的所述流體容槽及所述第二暫存槽相互連通；所述第二構件設置於所述第三構件具有所述第二暫存槽的一側，所述導引結構穿過所述第二構件穿孔，且所述導引結構的一部分位於所述流體容槽中，所述連通通孔與所述第二暫存槽相連通。
6. 如請求項5所述的溫度調節裝置，其中，所述環狀支撐結構環繞所述連通通孔設置，所述第一構件固定於所述第二構件的一側時，所述環狀支撐結構用以使所述連通通孔不與所述第一暫存槽相連通。
7. 如請求項6所述的溫度調節裝置，其中，所述本體還包含一支撐構件，所述支撐構件包含至少一限位孔，所述第三構件相反於形成有所述第二暫存槽的一側具有至少一卡合結構，所述抵壓構件具有一卡合部及一抵壓部，所述抵壓部內具有所述流體容槽，所述卡合部位於所述抵壓部相反於具有所述壁部的一端，所述抵壓部穿過所述限位孔，且所述卡合部抵靠於所述支撐構件的一側面，所述第三構件固定設置於所述支撐構件的一側，且所述卡合結構與所述卡合部相互卡合。
8. 如請求項7所述的溫度調節裝置，其中，所述第三構件相反於形成有所述第二暫存槽的一側，內凹形成所述卡合結構，所述卡合部卡合設置於所述卡合結構內，而所述第三構件形成有所述卡合結構的一側抵靠於所述環狀支撐結構的一側。
9. 如請求項5所述的溫度調節裝置，其中，所述第一構件穿孔的長度為所述第一構件穿孔的寬度的3倍。
10. 如請求項1所述的溫度調節裝置，其中，所述抵壓構件為金屬材質。

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