TWI761644B - 用於從裝置的組件中移除污染物粒子的裝置與方法 - Google Patents

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Abstract

一種用於自一裝置(140、MT)之一組件(202、204)移除污染物粒子(205)之裝置(300)，該等污染物粒子產生一環境電場(E)，該裝置包含：一收集區(301)，其用於吸附該等粒子，其中該環境電場至少在該組件與該收集區之間；及一電場產生器，其經組態以在該收集區與該組件之間建立一經施加電場以使該等粒子自該組件輸送至該收集區，其中該電場產生器經組態以基於該環境電場判定該經施加電場之極性。

Description

用於從裝置的組件中移除污染物粒子的裝置與方法
本發明係關於自裝置(視情況，度量衡裝置)移除污染物粒子的方法及裝置。
在微影程序中，頻繁地需要對所產生結構進行量測，例如用於程序控制及驗證。用以進行此類量測之工具通常被稱作度量衡工具(MET)。用於進行此類量測之不同類型的度量衡工具為吾人所知，包括掃描電子顯微鏡或各種形式之散射計度量衡工具。
散射計為通用儀器，其允許藉由在光瞳或與散射計之接物鏡之光瞳共軛的平面中具有感測器或藉由在影像平面中或與影像平面共軛之平面中具有感測器來量測微影程序之參數(量測通常被稱作以光瞳為基礎之量測)，在此狀況下量測通常被稱作以影像或場為基礎之量測。
以全文引用之方式併入本文中之專利申請案US20100328655、US2011102753A1、US20120044470A、US20110249244、US20110026032或EP1628164A中另外描述此類散射計及相關聯量測技術。前述散射計可使用來自軟x射線、極紫外線(EUV)及近IR波長範圍的可見光之輻射來量測光柵。
偶爾，污染物粒子，諸如聚酯或纖維素粒子/纖維可變為附接至度量衡工具中之組件，例如附接至形成散射計之一部分的光學接物鏡。度量衡工具內存在污染物粒子的若干可能來源，諸如在維護及維修工具期間所使用的清潔拭布。由於用於儲存及輸送晶圓的晶圓處置系統或前開式單元匣(FOUP)中之污染，含有經量測結構之半導體晶圓自身可將污染物粒子引入至度量衡工具中。
本發明人認識到，此類污染物粒子在某些情況下可導致度量衡工具引起對在量測之晶圓的損壞，此為不當的，因為其可引起較低良率。舉例而言，就準確度而言，污染物粒子亦可影響度量衡工具之效能。
因此，由本發明解決之問題為如何自裝置移除污染物粒子。該裝置可為度量衡工具。
根據本發明之一態樣，提供一種用於自一裝置之一組件移除污染物粒子的裝置，該等污染物粒子產生一環境電場，該裝置包含：一收集區，其用於吸附該等粒子，其中該環境電場至少在該組件與該收集區之間；及一電場產生器，其經組態以在該收集區與該組件之間建立一經施加電場以使得該等粒子自該組件輸送至該收集區，其中該電場產生器經組態以基於該環境電場判定該經施加電場之極性。
根據本發明之一另一態樣，提供一種用於自一裝置之一組件移除污染物粒子的裝置，該等污染物粒子產生一環境電場，該裝置包含：一收集區，其用於吸附該等粒子，其中該環境電場至少在該組件與該收集區之間；一電場產生器；及一處理器，其經組態以進行以下步驟：基於該環境電場判定該經施加電場之極性；及使該電場產生器在該收集區與 該組件之間建立一經施加電場以使該等粒子自該組件輸送至該收集區。
該經施加電場之極性可與該環境電場之極性相反。
該電場產生器可經組態以基於以下各者中之一或多者判定該經施加電場之一量值：該環境場之一量值；將該等粒子固持至該組件之一黏著力之一估計；及將該等粒子固持至該組件之凡得瓦爾力的一估計。
該收集區之至少部分可為導電的，且該電場產生器可包含一電壓源，其經配置以藉由將一電壓施加至該收集區之該至少部分而建立該經施加電場。
該裝置可進一步包含一場感測器，其在建立該經施加電場之前經組態以感測該環境電場之極性且視情況感測該環境電場之該量值。
該場感測器可包含一導電元件，且感測該環境電場可包含監視由該環境電場在該導電元件中誘發之一電壓。
該裝置可經組態以當感測該環境電場時允許該導電元件之一電壓為浮動的。
該經施加電場之該量值可基於經感測環境電場之一量值及該組件與該導電元件及/或該收集區之間的一距離中之至少一者而判定。
該收集區可包含該導電元件。
該裝置可進一步包含一場誘發器，其在建立該經施加電場之前經組態以當該收集區視情況觸碰該等污染物粒子時在該收集區與該組件之間的區中誘發一另一電場。
該組件可為一光學系統之一接物鏡。
經施加電壓之量值可在0V至10kV之範圍內。
經施加電壓之量值可經判定以便防止該組件與該收集區之 間的電崩潰。
該組件可保持在地面電位。
該裝置可進一步包含一檢測單元，其經組態以進行檢測該組件之粒子的一初始步驟，其中該電場產生器經組態以取決於在該組件上偵測到之粒子的一臨限數目建立該經施加電場。
該電場產生器可經組態以基於自實驗資料之一庫查詢及/或該裝置之一靜電有限元素模型判定該經施加電場之極性及/或量值，從而將該環境電場之極性及/或量值作為輸入。
在建立該經施加電場之前，該組件可平移以定位在該收集區正上方，或替代地該收集區可平移成在該組件正下方。
該裝置可進一步包含一粒子移除器，其經組態以自該收集區移除該等粒子。
該粒子移除器可包含一真空泵，其中自該收集區移除該等粒子係藉由吸力。
該裝置可進一步包含用於置放在該收集區上方之一蓋，該蓋具有與該真空泵流體連通之通風口，且該裝置經組態以在該真空泵之操作時橫越該收集區且朝向該真空泵將一氣體抽吸通過該等通風口。
該電場產生器可經組態以在該真空泵之操作之前或期間縮減該經施加電場之該量值。
該電場產生器可經組態以在該真空泵之操作之前或期間移除該經施加電場。
該電場產生器可經組態以在該真空泵之操作之前或期間使該經施加電場之極性反轉。
該裝置可進一步包含該收集區之一周邊處之一防護件，該防護件經組態以將該經施加電場固持在鄰近於該收集區之一區中。
該防護件之至少部分可為導電的且保持在地面電位。
該組件可為一度量衡裝置之一組件。
根據本發明之一另一態樣，提供一種用於自一裝置之一組件移除污染物粒子的方法，該等污染物粒子產生一環境電場且該裝置包含用於吸附該等粒子之一收集區，其中該環境電場至少在該組件與該收集區之間，該方法包含：藉由一電場產生器基於該環境電場判定一經施加電場之一極性；及藉由該電場產生器在該收集區與該組件之間建立具有經判定極性之一經施加電場以使該等粒子自該組件輸送至該收集區。
判定該經施加電場之極性及/或量值可基於以下各者中之至少一者：該環境電場之一量值；將該等粒子固持至該組件之一黏著力之一估計；及將該等粒子固持至該組件之該凡得瓦爾力之一估計。
該電場產生器可包含一電壓源，且建立該經施加電場可包含該電壓源將一電壓施加至該收集區的一導電部分。
在建立該經施加電場之前，該環境電場之極性及/或量值可由一場感測器感測。
該場感測器可包含一導電元件，且感測該環境電場可包含監視由該環境電場在該導電元件中誘發之一電壓。
當感測該環境電場時，可允許該導電元件之一電壓浮動。
該方法可進一步包含基於經感測環境電場之一量值及該組件與該導電元件及/或該收集區之間的一距離中之至少一者來判定該經施加電場之該量值。
該方法可進一步包含當視情況允許該收集區觸碰該等污染物粒子時藉由一場誘發器且在建立該經施加電場之前在該收集區與該組件之間的區中誘發一另一電場。
經施加電壓之量值可在0V至10kV之範圍內。
該方法可進一步包含判定經施加電壓之量值以便防止該組件與該收集區之間的電崩潰。
該方法可進一步包含將該組件保持在地面電位。
該方法可進一步包含藉由一檢測單元檢測該組件之粒子的一初始步驟，且該電場產生器取決於在該組件上偵測到之粒子之一臨限數目建立該經施加電場。
該方法可進一步包含該電場產生器基於自實驗資料之一庫查詢及/或該裝置之一靜電有限元素模型判定該經施加電場之極性及/或量值，從而將該環境電場之極性及/或量值作為輸入。
在建立該經施加電場之前，該組件可平移以定位在該收集區正上方，或替代地該收集區可平移以定位在該組件正下方。
該方法可進一步包含一粒子移除器自該收集區移除該等粒子。
該粒子移除器可包含一真空泵，其中自該收集區移除該等粒子係藉由吸力。
該方法可進一步包含：將一蓋置放在該收集區上方，該蓋具有與該真空泵流體連通之通風口；及操作該真空泵以橫越該收集區且朝向該真空泵將一氣體抽吸通過該等通風口。
該方法可進一步包含該電場產生器在該真空泵之操作之前 或期間縮減該經施加電場之該量值。
該方法可進一步包含在該真空泵之操作之前或期間移除該經施加電場。
該方法可進一步包含該電場產生器在該真空泵之操作之前或期間使該經施加電場之極性反轉。
該方法可進一步包含將位於該收集區之一周邊處之一防護件保持在地面電位以將該經施加電場固持在鄰近於該收集區之一區中。
根據本發明之一另一態樣，提供一種電腦程式，該電腦程式包含指令，該等指令在至少一個處理器上執行時使該至少一個處理器控制一裝置以實行根據本發明之以上態樣之一方法。
根據本發明之一另一態樣，提供一種載體，其含有根據本發明之以上態樣之電腦程式。該載體可為一電子信號、光學信號、無線電信號、或非暫時性電腦可讀儲存媒體中之一者。
根據本發明之一另一態樣，提供一種度量衡裝置，其包含根據本發明之以上態樣之裝置。
根據本發明之一另一態樣，提供一種微影裝置，其包含根據本發明之以上態樣之度量衡裝置。
根據本發明之一另一態樣，提供一種微影製造單元，其包含根據本發明之以上態樣之度量衡裝置。
本發明旨在使得能夠以一受控方式自諸如一度量衡裝置(或更特定言之一散射計)之一裝置的一組件移除污染物粒子且不具有實際上將其他污染物引入至該裝置中或將現有污染物擴散在該裝置內之其他地方的風險。
本發明旨在使得能夠以一非接觸式方式移除污染物粒子，從而降低損壞經清潔之該裝置的組件(例如藉助於清潔拭布等等刮擦光學組件)之風險。
本發明亦旨在提供一種自一裝置移除污染物粒子之快速且非侵入性方式，藉此縮減經清潔之該裝置之停工時間且因此中斷一生產循環遠小於已知技術，諸如使用清潔拭布。
本發明亦旨在提供一種自一裝置移除污染物粒子之低成本方式，此係由於並非必需打開將需要技術員或技術員小組在場的度量衡裝置。
140:裝置
201:平移載物台
202:接物鏡/組件
203:半導體晶圓
204:透鏡/組件
205:污染物粒子
206:缺陷
300:裝置
301:收集區
302:電絕緣層
303:防護件
304:經組合高電壓供應單元及電壓感測裝置
305:市電電源供電
306:電連接器
400:檢測單元
700:粒子移除器
701:蓋元件
702:噴嘴
703:真空泵
704:通風口
705:安全容器
B:輻射光束
BD:光束遞送系統
BK:烘烤板
C:目標部分
CH:冷卻板
CL:電腦系統
DE:顯影器
E:經施加電場
I/O1:輸入/輸出埠
I/O2:輸入/輸出埠
IF:位置量測系統
IL:照明系統/照明器
LA:微影裝置
LACU:微影控制單元
LB:裝載匣
LC:微影製造單元
M1:光罩對準標記
M2:光罩對準標記
MA:圖案化器件/光罩
MT:光罩支撐件/度量衡工具
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
PM:第一定位器
PS:投影系統
PW:第二定位器
RO:基板處置器或機器人
S0:步驟
S0a:決策
S1:步驟
S1a:步驟
S1b:步驟
S1c:步驟
S1d:步驟
S1e:步驟
S1f:步驟
S2:步驟
S3:步驟
SC:旋塗器
SC1:第一標度
SC2:第二標度
SC3:第三標度
SCS:監督控制系統
SO:輻射源
TCU:自動化光阻塗佈及顯影系統控制單元
W:基板
WT:基板支撐件/晶圓台
z0:分離
現在將參考隨附圖式而僅作為實例來描述實施例，其中：圖1說明微影裝置之示意性概述；圖2說明微影製造單元之示意性概述；圖3說明整體微影之示意性表示，其表示用以最佳化半導體製造之三種關鍵技術之間的合作；圖4a及圖4b說明度量衡裝置的組件；圖5為度量衡裝置之區的示意性表示；圖6a及圖6b說明用於自度量衡裝置之組件移除污染物粒子的裝置；圖7a至圖7c說明圖6a及圖6b之用於自度量衡裝置之組件移除污染物粒子之裝置的用途；圖8a及圖8b說明用於自圖6a及圖6b之裝置之粒子集合區移除粒子的粒子移除器700； 圖9a及圖9b說明圖8a及圖8b之用於自圖6a以及圖6b之裝置的粒子集合區移除粒子之粒子移除器的用途；圖10為對應於用於自度量衡裝置之組件移除污染物粒子之方法的流程圖；且圖11為對應於用於判定由圖6a及圖6b之裝置生成的經施加電場之極性及量值之方法的流程圖。
在詳細地描述本發明之前，呈現可供實施本發明之實例環境係指有導性的。
在本發明文檔中，術語「輻射」及「光束」用於涵蓋所有類型的電磁輻射，包括紫外線幅射(例如具有為365、248、193、157或126奈米之波長)及EUV(極紫外線輻射，例如具有在約5至100奈米範圍內之波長)。
如本文中所使用之術語「倍縮光罩」、「光罩」或「圖案化器件」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案。在此內容背景中亦可使用術語「光閥」。除經典光罩(透射或反射；二元、相移、混合式等等)以外，其他此類圖案化器件之實例包括可程式化鏡面陣列及可程式化LCD陣列。
圖1示意性地描繪微影裝置LA。微影裝置LA包括：照明系統(亦被稱作照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；光罩支撐件(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數準確地定 位圖案化器件MA之第一定位器PM；基板支撐件(例如，晶圓台)WT，其其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數準確地定位基板支撐件之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
在操作中，照明系統IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束。照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射之各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件，或其任何組合。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在圖案化器件MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。
本文中所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更一般之術語「投影系統」PS同義。
微影裝置LA可屬於以下類型：其中基板的至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋以便填滿投影系統PS與基板W之間的空間-其亦被稱作浸潤微影。以引用方式併入本文中之US6952253中給出關於浸浸技術之更多資訊。
微影裝置LA亦可屬於具有兩個或多於兩個基板支撐件WT(又名「雙載物台」)之類型。在此「多載物台」機器中，可並行地使用基板支撐件WT，及/或可對位於基板支撐件WT中之一者上的基板W進行準備基板W之後續曝光的步驟，同時將另一基板支撐件WT上之另一基板W 用於在另一基板W上曝光圖案。
除了基板支撐件WT以外，微影裝置LA亦可包含一量測級。量測級經配置以固持感測器及/或清潔器件。感測器可經配置以量測投影系統PS之屬性或輻射光束B之屬性。量測級可固持多個感測器。清潔器件可經配置以清潔微影裝置之一部分，例如投影系統PS之一部分或提供浸潤液體之系統之一部分。量測級可在基板支撐件WT遠離投影系統PS時在投影系統PS下移動。
在操作中，輻射光束B入射於圖案化器件(例如光罩)MA上且由存在於圖案化器件MA上之圖案(設計佈局)圖案化，該圖案化器件經固持在光罩支撐件MT上。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，該投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置量測系統IF，基板支撐件WT可準確地移動，例如，以便將不同目標部分C定位在輻射光束B之路徑中的經聚焦且對準位置處。類似地，第一定位器PM及可能另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。圖案化器件MA及基板W可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準。儘管如所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中。當基板對準標記P1、P2位於目標部分C之間時，此等基板對準標記P1、P2被稱為切割道對準標記。
如圖2中所展示，微影裝置LA可形成微影製造單元LC(有時亦被稱作微影製造單元或叢集)之部分，該微影製造單元LC通常亦包括用以對基板W執行曝光前程序及曝光後程序的裝置。習知地，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、 例如用於調節基板W之溫度(例如用於調節抗蝕劑層中之溶劑)的冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板W、在不同程序裝置之間移動基板W且將基板W遞送至微影裝置LA之裝載匣LB。微影製造單元中常常亦被集體地稱作自動化光阻塗佈及顯影系統之器件通常係在自動化光阻塗佈及顯影系統控制單元TCU之控制下，自動化光阻塗佈及顯影系統控制單元TCU自身可受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦可例如經由微影控制單元LACU而控制微影裝置LA。
為了正確且一致地曝光由微影裝置LA曝光之基板W，需要檢驗基板以量測經圖案化結構之屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等等。出於此目的，可在微影製造單元LC中包括檢測工具(圖中未繪示)。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光或對待對基板W執行之其他處理步驟進行例如調整，尤其是在同一批量或批次之其他基板W仍待曝光或處理之前進行檢測的情況下。
檢測裝置(亦即檢測工具)(其亦可被稱作度量衡裝置)係用於判定基板W之屬性，且尤其不同基板W之屬性如何變化或與同一基板W之不同層相關聯的屬性如何在層間變化。檢測裝置可替代地經建構以識別基板W上之缺陷，且可例如為微影製造單元LC之部分，或可整合至微影裝置LA中，或可甚至為單機器件。檢測裝置可量測潛影(在曝光之後在抗蝕劑層中之影像)上之屬性，或半潛像影像(在曝光後烘烤步驟PEB之後在抗蝕劑層中之影像)上之屬性，或經顯影抗蝕劑影像(其中抗蝕劑之曝光部分或未曝光部分已被移除)上之屬性，或甚至經蝕刻影像(在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後)上之屬性。
通常微影裝置LA中之圖案化程序為在處理中之最重要步驟中的一者，其需要基板W上之結構之尺寸標定及置放之高準確度。為了確保此高準確度，可將三個系統組合於所謂的「整體」控制環境中，如圖3示意性地所描繪。此等系統中之一者為微影裝置LA，其(實際上)連接至度量衡工具MT(第二系統)且連接至電腦系統CL(第三系統)。此「整體」環境之關鍵在於最佳化此等三個系統之間的合作以增強總體程序窗且提供嚴格控制迴路，從而有助於確保由微影裝置LA執行之圖案化保持在程序窗內。程序窗限定一系列程序參數(例如，劑量、焦點、疊對)，在該等程序參數內，特定製造程序產生經限定結果(例如，功能性半導體器件)-通常在該經限定結果內，允許微影程序或圖案化程序中之程序參數變化。
電腦系統CL可使用待圖案化之設計佈局(之一部分)以預測使用哪種解析度增強技術且執行計算微影模擬及計算以判定哪種光罩佈局及微影裝置設定達成圖案化程序之最大整個程序窗(由第一標度SC1中之雙箭頭在圖3中描繪)。通常，解析度增強技術經配置以匹配微影裝置LA之圖案化可能性。電腦系統CL亦可用於偵測微影裝置LA目前正在操作程序窗內之哪個位置(例如，使用來自度量衡工具MT之輸入)以預測缺陷是否可歸因於例如次佳處理而存在(由第二標度SC2中之指向「0」的箭頭在圖3中描繪)。
度量衡工具MT可將輸入提供至電腦系統CL以實現準確模擬及預測，且可將回饋提供至微影裝置LA以例如在微影裝置LA之校準狀態中識別可能漂移(由第三標度SC3中之多個箭頭在圖3中描繪)。
圖4a及圖4b說明裝置之一部分，諸如度量衡裝置/工具MT，諸如上文所描述的散射計。工具MT之組件(其在此狀況下為接物鏡 202)安裝在平移載物台201上，該平移載物台可沿著兩個方向x及z移動接物鏡。接物鏡202用於在量測下將照明輻射聚焦至半導體晶圓203之目標部分上，及/或在量測下聚集自半導體晶圓203之目標部分繞射/反射之輻射。半導體晶圓203通常經夾持在晶圓台WT上，該晶圓台WT可在y方向上平移以及可圍繞穿過晶圓203之中心的軸線旋轉。接物鏡202可為單一透鏡/鏡面204或含有多個透鏡之光學封裝，多個透鏡包含最外部透鏡元件204，其為在量測期間最接近半導體晶圓之接物鏡的一部分。透鏡204與半導體晶圓203之表面之間的分離經標示為z0且在典型散射量測期間可在100μm至500μm之區中。
本發明人已瞭解，污染物粒子205可偶爾存在於度量衡裝置MT內，該等污染物粒子可經吸附且保留在接物鏡202的底部或側部上的透鏡204處或接近透鏡204。污染物粒子205可為聚酯纖維或纖維素纖維。此類粒子之可能來源可為在維護度量衡裝置MT期間所使用的清潔拭布。粒子吸附且保留在度量衡裝置MT之組件(諸如接物鏡202)上所涉及的可能的力包括重力、黏著力(例如，凡得瓦爾力)，及靜電力。
透鏡204與半導體晶圓203之表面之間的分離z0可與存在於度量衡裝置MT內之典型污染物粒子205的大小大約為相同數量級。此在圖4a中說明，其中藉由例如靜電力保留在透鏡204上之污染物粒子205亦與半導體晶圓203之頂部表面刷塗接觸。當接物鏡202例如在x方向上藉助於平移載物台201移動時，倘若將粒子205固持至透鏡204之力大於藉由與半導體晶圓203之表面接觸施加在粒子205上之任何拖曳力，則粒子將保持附接至透鏡204且因此將藉由透鏡204輸送至橫越半導體晶圓的表面之新部位。然而，本發明人已瞭解，此將導致粒子205在半導體晶圓203之 表面上留下一系列缺陷，其由圖4b中之區206表示。已經發現此類缺陷206影響經製造半導體器件之完整性且明確為所不希望的。因此，本發明人已開發出用於移除此類污染物粒子205以便減少或根除缺陷206之情況且藉此增加良率之解決方案。
圖5說明典型的度量衡裝置MT之部分之示意性表示。具體言之，除了接物鏡202之外，亦展示三個區，該接物鏡202如上文所描述安裝在用於在各個區之間移動接物鏡202及其他相關聯元件(如由三個區之間的粗體箭頭表示)之平移載物台201上。第一區為晶圓台WT，其經組態以在晶圓的量測期間將半導體晶圓203固持在適當位置。第二區為用於自裝置之組件移除污染物粒子205之裝置300，該組件諸如接物鏡202且更特定言之接物鏡之透鏡204。第三區為用於檢測接物鏡202以判定是否存在污染物粒子205之檢測單元400。下文更詳細地描述用於自晶圓203移除污染物粒子之檢測單元400及裝置300。應理解，度量衡裝置MT可含有圖5中未說明之其他元件及區。此外，圖5僅為不同區之示意性表示且此等區可位於與所描繪不同之幾何結構中。亦應瞭解，在替代配置中，接物鏡可不安裝在平移載物台上且實情為度量衡裝置之其他元件可相對於接物鏡移動。舉例而言，晶圓台可相對於接物鏡充分平移，使得接物鏡可相對於該裝置之外殼固定地安裝。
圖6a說明用於自度量衡裝置MT之組件移除污染物粒子205之例示性裝置300。該組件可為接物鏡202，且更特定言之，形成上文所描述的度量衡裝置MT之一部分的接物鏡202之最外部透鏡204。該裝置包含用於吸附且視情況保留來自組件之污染物粒子205的收集區301，其在本文中被稱作粒子收集區301。在此實例中，粒子收集區301為由諸如金 屬之導電材料形成之實質上環形的圓盤，且可被稱為收集板。由例如聚四氟乙烯(PTFE)形成之電絕緣層302環繞粒子收集區301。電絕緣層302經配置以在三側上環繞粒子收集區301，從而僅使粒子收集區之頂部表面曝露。防護件303係在粒子收集區301之周邊處，其經組態以例如在收集區301與接物鏡202之間將經施加電場固持在鄰近粒子收集區301之區中。防護件303環繞電絕緣層302且經由電連接器306保持在地面電位。防護環較佳地由金屬製成且具有至地面電位之受控連接使得防護環在如本文中所描述之裝置300的操作期間(亦即當執行自接物鏡之粒子移除時)僅連接至地面。更特定言之，接物鏡接近收集區(或反之亦然)時防護環經較佳經配置為電浮動的，且僅在經施加電場被建立在接物鏡與粒子收集區之間之該區中幾乎同時被連接至地面。若防護環保持在地面電位而接物鏡接近收集區，則防護環可無意地以不可控方式吸附污染物粒子。在此不可控吸附中，幾乎或不瞭解粒子在收集區/防護環上之部位，使得不能保證成功地藉助於下文所描述之粒子移除器進一步永久性移除污染物粒子。下文較詳細描述防護件303及粒子收集區301之功能。粒子收集區301電連接至經組合高電壓供應單元及電壓感測裝置304。應理解，高電壓供應單元及電壓感測裝置304亦可經提供為兩個分離單元，其分別藉助於開關連接至粒子收集區301，使得在任何時候，電壓供應單元及電壓感測裝置中僅一者與粒子收集區301電接觸。在經組合高電壓供應單元及電壓感測裝置304的狀況下，在內部提供開關以在高電壓供應與電壓感測裝置之間切換粒子收集區301。經組合高電壓供應單元及電壓感測裝置304連接至外部電源供應器，諸如市電電源供電305。圖6b說明展示粒子收集區301、絕緣層302及防護件303之同心環狀幾何結構的裝置300之自上而下或平面視圖。
儘管在上文及以下段落中參考包含組件之度量衡裝置，但用於移除污染物粒子之裝置亦可適合用於任何裝置中，該裝置具有上面可能存在污染物粒子之組件。
參考圖7a至圖7c描述用於自度量衡裝置MT之組件移除污染物粒子205的裝置300之操作。在圖7a至圖7c中，接物鏡202之最外部透鏡204具有例如藉由黏著力與靜電力之組合附接至其之污染物粒子205。需要藉助於裝置300移除粒子205。因此，接物鏡202已經藉助於平移載物台201移動以位於裝置300之粒子收集區301正上方。理想地，接物鏡202位於粒子收集區301之中心正上方以用於移除污染物粒子205。應瞭解，可選擇裝置300之其他幾何結構及組態，諸如用於粒子收集區301之正方形或矩形形狀。
若污染物粒子205至少部分地藉由靜電力附接至透鏡204，則粒子205將必須展現產生圍繞粒子205之局域/環境電場的電荷分佈。本文中使用術語「環境電場」以指代由污染物粒子產生的電場，亦即由於粒子上之電荷分佈在環繞污染物粒子之區中產生的電場。此環境電場將具有取決於污染物粒子205上及透鏡204之表面上的電荷分佈之特定量值及極性。若粒子205置放於外部施加的電場E中，則預期粒子205將由於粒子之電荷分佈/環境電場與經施加電場E的相互作用而經受額外靜電力。本發明人已瞭解，此額外靜電力可用於藉由有效地克服靜電力連同將污染物粒子205固持至透鏡204之任何其他黏著力而自透鏡204之表面移除粒子205。
在圖7a至圖7c中，高電壓藉助於經組合高電壓供應單元及電壓感測裝置304施加於粒子收集區301。高電壓之量值通常在0至10kV範圍內。接物鏡202自包括殼體組件及用於固持透鏡之支架的複數個金屬 部分建構。通常，接物鏡202之金屬部分將保持在地面電位。因此，在高電壓施加於粒子收集區301之情況下，經施加電場E在粒子收集區301與接物鏡202之間建立在該區中，如示意性地藉助於圖7a至圖7c中之虛線箭頭所說明。如先前所提及，污染物粒子205具有電荷分佈且將與經施加電場E相互作用。經施加電場E之極性將直接取決於藉助於經組合高電壓供應單元及電壓感測裝置304施加於粒子收集區301之高電壓的極性。經組合高電壓供應單元及電壓感測裝置304可經組態以產生相對於地面電位之正或負高電壓。電絕緣層302將裝置300之其他組件及其中採用裝置300之較寬度量衡裝置與施加於粒子收集區301之高電壓隔離。由於防護件303保持在地面電位，因此防護件具有防止經施加電場E擴散至度量衡裝置MT之其他區的效應。換言之，防護件303有助於將經施加電場E限制至粒子收集區301與待清潔之組件(例如接物鏡202及透鏡204)之間的目前區。
為了最有效地移除粒子205，本發明人瞭解到經施加電場E之極性應與由粒子自身引起之環境電場之極性相反。此係因為由具有經施加向量電場E中之電荷q的粒子經受之靜電力係由F=qE給定。因此，為了使帶正電荷粒子經受負力(遠離組件)，經施加電場應在負方向上(遠離組件)，而為了使帶負電荷粒子經受負力(遠離組件)，經施加電場應在正方向上(朝向組件)。由於接物鏡通常保持在地面電位，因此經施加電場之方向在正電壓施加於粒子收集區301時將為正的，且在負電壓施加於粒子收集區時將為負的。此外，除經施加電場之極性以外，經施加電場E之量值亦應根據環境電場之量值來判定。舉例而言，較大環境電場意指將需要將污染物粒子固持至組件上之較大靜電力且因此需要具有較大量值之經施加電場來將粒子自組件吸附掉。本發明提供至少一種用於判定經施加電場E 之極性及量值(且因此亦相關聯地判定施加至粒子收集區301之電壓之量值及極性)以便藉由經施加靜電力自組件最有效地移除污染物粒子205的方法。
在以上描述中，粒子收集區301用作用於感測環境電場之感測元件及被施加高電壓以產生經施加電場之導電元件兩者。在圖11之上下文中較詳細地論述感測元件之操作。此係因為在以上實例中收集區為導電的。應瞭解，替代地，粒子收集區可包含用於執行感測環境電場及產生經施加電場之兩個功能的分離導電部分/元件。此外，可使用不形成粒子收集區之部分的導電元件來感測環境電場。
在以上描述中且亦在下文描述中，已經提及，經施加電場E之極性及量值可取決於圍繞粒子205之環境電場之極性及量值。應注意，並非必須根據圍繞粒子205之環境電場的極性及量值來判定經施加電場之量值。應注意，並非必須判定經施加電場E之極性以使得圍繞粒子205之環境電場之量值為已知的。換言之，至少經施加電場E之極性取決於圍繞粒子205之環境電場之極性，使得至污染物粒子之靜電力係朝向粒子收集區而非朝向組件。
圖8a及圖8b說明用於一旦粒子205藉助於如上文所描述之經施加電場E而被輸送至粒子收集區301而自粒子收集區301移除粒子205之例示性粒子移除器700。圖8a為粒子移除器700之側視圖且圖8b為自上而下視圖。粒子移除器700由連接至噴嘴702之頂部之大體圓柱形蓋元件701組成。噴嘴702與蓋元件701及真空泵703流體連通。該流體可為空氣、清潔空氣或存在於裝置中之任何其他氣體。蓋元件701經設定尺寸以便較佳地覆蓋粒子收集區301之整個表面。在操作中，真空泵703漿空氣 抽吸通過蓋元件701中之複數個通風口704且通過噴嘴702。以此方式產生之擾流氣流產生吸力，其可移除在粒子收集區301上收集之任何污染物粒子205。
圖9a及圖9b說明用於移除藉助於如上文所描述之經施加電場E吸附且保留在粒子收集區301處之粒子205的粒子移除器700之使用。在圖9a中，蓋元件701已經安裝在粒子收集區301之頂部上方，使得經捕獲污染物粒子205係在蓋元件下方。接物鏡202已經在置放蓋元件701之前移動遠離用於移除污染物粒子之裝置300。在圖9a中，尚未接通真空泵703。在此實例中，蓋元件具有一直徑使得其完全覆蓋粒子收集區及電絕緣區且使得其與防護件部分地重疊。以此方式，粒子移除器700亦有效移除稍微延伸至粒子收集區301外部之任何粒子205。經施加電場E可保持接通，而蓋元件701安裝在粒子收集區301上方。蓋元件可由電絕緣材料形成，使得其不顯著地干涉存在於粒子收集區301與接物鏡202之間的經施加電場E。
在圖9b中，真空泵703已經接通，且若尚未進行，則移除、反轉或縮減經施加電場E。建立氣流，如由蓋元件701之通風口704內之箭頭所指示。氣流在提供真空泵703之參數之粒子205上產生吸力，適當地選擇蓋元件701及通風口704將導致粒子205被向上抽吸離開粒子收集區301之表面且通過噴嘴702至安全容器705。
檢測單元400用於檢測接物鏡202，以判定是否存在污染物粒子205。檢測單元可包含攝像機系統，例如用於產生接物鏡之影像，其接著可由業者檢視或由軟體自動分析以判定污染物粒子在接物鏡上之存在。替代地，檢測單元可例如在橫越接物鏡之表面之2D掃描中將光線導 向朝向相對接物鏡移動之接物鏡。偵測器可監視經透射通過接物鏡或自接物鏡之表面反射之光的強度，且在無污染物粒子存在於接物鏡上之狀況下，將此光強度與經校準強度掃描比較。若光線由粒子阻擋或由粒子部分地散射，則由偵測器記錄之強度將下降-藉此指示污染物粒子在接物鏡上之存在。
用於自度量衡裝置MT之組件移除污染物粒子205之裝置300亦可包含場誘發器，其在建立經施加電場之前經組態以在收集區與組件之間的區中誘發另一電場。場誘發器可由用於產生經施加電場之相同組件形成，亦即經組合高電壓供應單元及電壓感測裝置304以及導電粒子收集區。可在產生經施加電場之前操作場誘發器，以便建立與污染物粒子相互作用之誘發電場。舉例而言，誘發電場可將電荷分佈賦予至污染物粒子上，藉此影響環境電場。此可藉由在施加誘發電場時將污染物粒子配置成與場誘發器接觸來進行。應注意，必須注意，污染物粒子205不接收來自其他電場之過高力，使得自組件202、204與收集區301之間的區移動離開。
現將參考圖10描述用於自度量衡裝置MT之組件202、204移除污染物粒子205之例示性方法。初始步驟S0需要使用檢測單元400來檢測組件的粒子。可取決於在組件上偵測到之粒子的臨限數目藉助於S0a處之決策來進行後續方法步驟。臨限數目可為1，亦即，若偵測到任何污染物粒子，則執行後續方法步驟，使得零容忍接物鏡上之污染物粒子。若未偵測到粒子，則度量衡裝置可繼續其正常操作，直至固定時間間隔過去或已由度量衡裝置進行某一數目個量測為止，此時重複以檢測組件的粒子之步驟S0開始之方法。此在無污染物粒子存在於組件上之情況下防止不必 要地執行整個方法，且因此最小化對生產時間之影響。然而，應瞭解，步驟S0及決策S0a係視情況選用的且該方法可實際上以步驟S1開始，使得不存在檢測組件的粒子之步驟。整個方法接著可在固定時間段或固定數目循環之後重複，再次以步驟S1開始且首先不檢測組件是否存在污染物粒子。
在步驟S1處，電場產生器基於環境電場判定經施加電場E之極性及量值。接著，一旦已經判定經施加電場之極性及量值，則在步驟S2處，電場產生器以經判定極性及量值建立經施加電場E。經施加電場建立在收集區301與組件之間以便使該等粒子自組件輸送至收集區。
一旦該等粒子已經輸送至收集區，則在步驟S3處，粒子移除器自收集區移除該等粒子。粒子移除器可為如上文參考圖8至圖9所描述之粒子移除器，其中粒子移除器700之蓋701置放在收集區上方且操作真空泵703以朝向真空泵將氣體抽吸通過蓋之通風口704。此具有藉由吸力自粒子收集區移除粒子之效應。在步驟S3期間，電場產生器將縮減經施加電場E之量值、反轉經施加電場E之極性，或完全移除經施加電場E，以便輔助藉由吸力移除粒子。此可藉由縮減高電壓之量值進行，該高電壓藉助於經組合高電壓供應單元及電壓感測裝置304施加於粒子收集區301。藉由以該方式縮減經施加電場之量值，預期粒子205仍將安全地固持在粒子收集區301處，但相較於經施加電場E之全量值保留一段延長的時間之狀況，組件之壽命可增加。同樣地，一旦已經收集粒子205或在已經收集粒子205不久之後，接物鏡202可自粒子收集區301移動離開。
圖10之方法可在固定時間間隔過去或已經進行某一數目個度量衡量測之後重複，其可與當檢測單元在步驟S0處未偵測到粒子且繞過步驟S1至S3時之狀況相同。以此方式，粒子移除方法在連續週期性基礎 上運行，但亦應瞭解，其亦可視需要根據業者請求手動地運行。
參考圖11進一步詳細描述基於環境電場判定經施加電場之極性及量值之步驟S1。首先，在步驟S1a處，斷開經組合高電壓供應單元及電壓感測裝置304之高電壓供應且粒子收集區301經配置以相對於地面電位電浮動。接著，在步驟S1b處，接物鏡202藉助於平移載物台201移動以位於裝置300之粒子收集區301正上方。接著感測由粒子205引起之環境電場以便判定其極性及量值。粒子收集區301及經組合高電壓供應單元以及電壓感測裝置304以類似於電荷板監視器之佈置使用以便感測環境電場之極性及量值。在執行此功能時，在步驟S1c處，粒子收集區301連接(例如，藉助於開關)至經組合高電壓供應單元及電壓感測裝置304之電壓感測裝置。在步驟S1d處，由環境電場在粒子收集區301上誘發之電壓的量值及極性藉助於電壓感測裝置量測。在步驟S1e處，環境電場之量值及極性根據在粒子收集區上誘發之電壓之量值及極性來推斷。舉例而言，由於接物鏡202保持在地面電位且已經量測在粒子收集區中誘發之電壓，因此環境電場可藉由將經誘發電壓除以粒子收集區301與接物鏡202之間的分離距離來推斷。最後在步驟S1f處，取決於環境電場之經推斷量值及極性判定經施加電場E之量值及極性。此涉及判定高電壓之量值及極性，其可再次包括解釋粒子收集區301與接物鏡202之間的分離距離，該高電壓在施加於粒子收集區301時產生經判定的經施加電場E。
可限定在步驟S1f中經判定之高電壓，以便不會使得在接物鏡202與粒子收集區301之間出現電崩潰。亦可在施加經施加電場E期間約束接物鏡202與粒子收集區301之間的最小分離距離以便進一步縮減電崩潰出現之機率。此外，判定高電壓及所得經施加電場E可包括自實驗資 料之庫查詢及/或該裝置之靜電有限元素模型的使用。此可包括亦考慮將該等粒子固持至組件之黏著力之估計；及/或將該等粒子固持至組件之凡得瓦爾力之估計。此係因為粒子不能僅藉助於由環境電場產生之靜電力固持至組件但會受例如黏著力影響。應克服此等額外力以及靜電力以便成功地將粒子自組件輸送至粒子收集區。電腦模型或庫資料可說明此等額外力貢獻以輔助準確判定經施加電場之量值及極性，該經施加電場將使該等粒子輸送至粒子收集區。
在步驟S1f中判定之產生經施加電場的電壓之極性將與由環境電場在粒子收集區中誘發之電壓的極性相反。此係為了建立經施加電場E，該經施加電場E與環境電場之極性相反以便朝向粒子收集區301吸附粒子205。若環境電場及經施加電場之極性相同，則粒子205可自粒子收集區301被排斥且經輸送至度量衡裝置之其他區，此為所不希望的。
一旦已根據上文參考圖11所描述的方法判定高電壓/經施加電場E之極性及量值，則以經判定高電壓接通經組合高電壓供應單元及電壓感測裝置304之高電壓供應。此在粒子收集區301與接物鏡202之間的區中建立經施加電場E，亦即如上文所描述的步驟S2。此在粒子205上引起靜電力，該靜電力克服將粒子固持至接物鏡202之總力(靜電力、黏著力及重力之總和)且藉此將粒子205自接物鏡202輸送至粒子收集區301之表面，如圖7b及圖7c中所說明。一旦粒子205已到達粒子收集區301之表面，圖7c，其由經施加電場E固持在適當位置直至後續移除步驟S3發生為止。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影裝置之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用。可能的其他應用包 括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。
儘管可在本文中特定參考在度量衡裝置之上下文中之本發明的實施例，但本發明的實施例可用於其他裝置中。本發明的實施例可形成以下各者之部分：光罩檢測裝置、偵測與預期圖案之偏離之晶圓檢測裝置、微影裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件的任何裝置。此等裝置可通常被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明在內容背景允許的情況下不限於光學微影且可用於其他應用(例如壓印微影)中。
電腦程式可經組態以提供以上所描述方法中之任一者。可將電腦程式提供於電腦可讀媒體上。電腦程式可為電腦程式產品。該產品可包含非暫時性電腦可用儲存媒體。該電腦程式產品可具有體現於經組態以執行方法之媒體中的電腦可讀程式碼。該電腦程式產品可經組態以致使至少一個處理器執行方法中之一些或全部。
本文中參考電腦實施方法、裝置(系統及/或器件)及/或電腦程式產品之方塊圖或流程圖說明來描述各種方法及裝置。應理解，方塊圖及/或流程圖說明之區塊及方塊圖及/或流程圖說明中之區塊之組合可藉由由一或多個電腦電路執行的電腦程式指令來實施。可將此等電腦程式指令提供至通用電腦電路、專用電腦電路及/或用以產生機器之其他可程式化資料處理電路之處理器電路，使得該等指令經由電腦之處理器及/或其他可程式化資料處理裝置、變換及控制電晶體執行儲存於記憶體位置及此電 路內之其他硬體組件中之值，以實施方塊圖及/或流程圖區塊中指定之功能/動作且藉此產生用於實施方塊圖及/或流程圖區塊中指定之該等功能/動作的構件(功能性)及/或結構。
亦可將電腦程式指令儲存於電腦可讀媒體中，該電腦可讀媒體可導引電腦或其他可程式化資料處理裝置以特定方式起作用，使得儲存於電腦可讀媒體中的指令產生包括實施方塊圖及/或流程圖區塊中指定之功能/動作之指令的製品。
有形的非暫時性電腦可讀媒體可包括電子、磁性、光學、電磁或半導體資料儲存系統、裝置或器件。電腦可讀媒體之更具體實例將包括以下各者：攜帶型電腦磁片、隨機存取記憶體(RAM)電路、唯讀記憶體(ROM)電路、可抹除可程式化唯讀記憶體(EPROM或快閃記憶體)電路、攜帶型緊密光碟唯讀記憶體(CD-ROM)，及攜帶型數位視訊光碟唯讀記憶體(DVD/藍光)。
電腦程式指令亦可被載入至電腦及/或其他可程式化資料處理裝置上，以致使對該電腦及/或其他可程式化裝置執行一系列操作步驟以產生電腦實施之程序，使得在該電腦或其他可程式化裝置上執行之指令提供用於實施方塊圖及/或流程圖區塊中所指定之功能/動作之步驟。
在後續經編號條項中提供其他實施例：
1.一種用於自一裝置之一組件移除污染物粒子之裝置，該等污染物粒子產生一環境電場，該裝置包含：一收集區，其用於吸附該等粒子，其中該環境電場至少在該組件與該收集區之間；及一電場產生器，其經組態以在該收集區與該組件之間建立一經施加 電場以使該等粒子自該組件輸送至該收集區，其中該電場產生器經組態以基於該環境電場判定該經施加電場之極性。
2.如條項1之裝置，其中該經施加電場之極性與該環境電場之極性相反。
3.如條項1或2之裝置，其中該電場產生器經組態以基於以下各者中之一或多者判定該經施加電場之一量值：該環境場之一量值；將該等粒子固持至該組件之一黏著力之一估計；及將該等粒子固持至該組件之凡得瓦爾力之一估計。
4.如任一前述條項之裝置，其中該收集區之至少部分係導電的，且其中該電場產生器包含一電壓源，其經配置以藉由將一電壓施加至該收集區之該至少部分來建立該經施加電場。
5.如任一前述條項之裝置，其進一步包含一場感測器，該場感測器在建立該經施加電場之前經組態以感測該環境電場之極性，其中在建立該經施加電場之前該場感測器視情況經組態以感測該環境電場之該量值。
6.如條項5之裝置，其中該場感測器包含一導電元件，且其中感測該環境電場包含監視由該環境電場在該導電元件中誘發之一電壓。
7.如條項6之裝置，其經組態以當感測該環境電場時允許該導電元件之一電壓為浮動的。
8.如條項5至7中任一項之裝置，其中該經施加電場之該量值係基於經感測環境電場之一量值及該組件與該導電元件及/或該收集區之間的一距離中之至少一者而判定。
9.如條項5至8中任一項之裝置，其中該收集區包含該導電元件。
10.如任一前述條項之裝置，其進一步包含一場誘發器，該場誘發器在建立該經施加電場之前經組態以當該收集區視情況觸碰該等污染物粒子時在該收集區與該組件之間的該區中誘發一另一電場。
11.如任一前述條項之裝置，其中該組件為一光學系統之一接物鏡。
12.如任一前述條項之裝置，當直接地或間接從屬於條項4時，其中經施加電壓之量值在0V至10kV之範圍內。
13.如條項12之裝置，其中經施加電壓之量值經判定以便防止該組件與該收集區之間的電崩潰。
14.如任一前述條項之裝置，其中該組件保持在地面電位。
15.如任一前述條項之裝置，其進一步包含一檢測單元，該檢測單元經組態以進行檢測該組件之粒子的一初始步驟，且其中該電場產生器經組態以取決於在該組件上偵測到之粒子之一臨限數目建立該經施加電場。
16.如任一前述條項之裝置，其中該電場產生器經組態以基於自實驗資料之一庫查詢及/或該裝置之一靜電有限元素模型來判定該經施加電場之極性及/或量值，從而將該環境電場之極性及/或量值作為輸入。
17.如任一前述條項之裝置，其中在建立該經施加電場之前，該組件經平移以定位在該收集區正上方或該收集區經平移以定位在該組件正下方。
18.如任一前述條項之裝置，其進一步包含經組態以自該收集區 移除該等粒子之一粒子移除器。
19.如條項18之裝置，其中該粒子移除器包含一真空泵且其中自該收集區移除該等粒子係藉由吸力。
20.如條項19之裝置，其進一步包含用於置放在該收集區上方之一蓋，該蓋具有與該真空泵流體連通之通風口，且該裝置經組態以在操作該真空泵時橫越該收集區且朝向該真空泵將一氣體抽吸通過該等通風口。
21.如條項18至20中任一項之裝置，其中該電場產生器經組態以在該真空泵之操作之前或期間縮減該經施加電場之該量值。
22.如條項21之裝置，其中該電場產生器經組態以在該真空泵之操作之前或期間移除該經施加電場。
23.如條項21之裝置，其中該電場產生器經組態以在該真空泵之操作之前或期間使該經施加電場之極性反轉。
24.如任一前述條項之裝置，其進一步包含在該收集區之一周邊處的一防護件，該防護件經組態以將該經施加電場固持在鄰近於該收集區之一區中。
25.如條項24之裝置，其中該防護件之至少部分係導電的且保持在地面電位。
26.如條項1至25之裝置，其中該組件屬於一度量衡裝置。
27.一種用於自一裝置之一組件移除污染物粒子之方法，該等污染物粒子產生一環境電場且該裝置包含用於吸附該等粒子之一收集區，其中該環境電場至少在該組件與該收集區之間，該方法包含：藉由一電場產生器基於該環境電場判定一經施加電場之一極性；及藉由該電場產生器在該收集區與該組件之間建立具有經判定極性之 該經施加電場以使該等粒子自該組件輸送至該收集區。
28.如條項27之方法，其中判定該經施加電場之該極性及量值係基於以下各者中之至少一者：該環境電場之一量值；將該等粒子固持至該組件之一黏著力之一估計；及將該等粒子固持至該組件之凡得瓦爾力之一估計。
29.如條項27或28之方法，其中該電場產生器包含一電壓源，且其中建立該經施加電場包含該電壓源將一電壓施加至該收集區之一導電部分。
30.如條項27至29中任一項之方法，其進一步包含在建立該經施加電場之前，藉由一場感測器感測該環境電場之該極性且進一步包含在建立該經施加電場之前藉由一場感測器感測該環境電場之該量值之視情況選用的階段。
31.如條項30之方法，其中該場感測器包含一導電元件，且其中感測該環境電場包含監視由該環境電場在該導電元件中誘發之一電壓。
32.如條項31之方法，其進一步包含當感測該環境電場時允許該導電元件之一電壓為浮動的。
33.如條項30至32中任一項之方法，其進一步包含基於經感測環境電場之一量值及該組件與該導電元件及/或該收集區之間的一距離中之至少一者判定該經施加電場之該量值。
34.如條項27至33中任一項之方法，其進一步包含當視情況允許該收集區觸碰該等污染物粒子時藉由一場誘發器且在建立該經施加電場之前在該收集區與該組件之間的該區中誘發一另一電場。
35.如條項27至34中任一項之方法，其中經施加電壓之量值在0V 至10kV之範圍內。
36.如條項35之方法，其進一步包含判定經施加電壓之量值以便防止該組件與該收集區之間的電崩潰。
37.如條項27至36中任一項之方法，其進一步包含將該組件保持在地面電位。
38.如條項27至37中任一項之方法，其進一步包含藉由一檢測單元檢測該組件之粒子之一初始步驟，且該電場產生器取決於在該組件上偵測到之粒子之一臨限數目建立該經施加電場。
39.如條項27至38中任一項之方法，其進一步包含該電場產生器基於自實驗資料之一庫查詢及/或該裝置之一靜電有限元素模型而判定該經施加電場之該極性及/或量值，從而將該環境電場之該極性及/或量值作為輸入。
40.如條項27至39中任一項之方法，其進一步包含在建立該經施加電場之前，將該組件平移成定位在該收集區正上方或替代地將該收集區平移成定位在該組件正下方。
41.如條項27至40中任一項之方法，其進一步包含一粒子移除器自該收集區移除該等粒子。
42.如條項41之方法，其中該粒子移除器包含一真空泵且其中自該收集區移除該等粒子係藉由吸力。
43.如條項42之方法，其進一步包含：將一蓋置放在該收集區上方，該蓋具有與該真空泵流體連通之通風口；及操作該真空泵以橫越該收集區且朝向該真空泵將一氣體抽吸通過該等通風口。
44.如條項41至43中任一項之方法，其進一步包含該電場產生器 在該真空泵之操作之前或期間縮減該經施加電場之該量值。
45.如條項44之方法，其進一步包含該電場產生器在該真空泵之操作之前或期間移除該經施加電場。
46.如條項44之方法，其進一步包含該電場產生器在該真空泵之操作之前或期間使該經施加電場之該極性反轉。
47.如條項27至46中任一項之方法，其進一步包含將位於該收集區之一周邊處之一防護件保持在地面電位以將該經施加電場固持在鄰近於該收集區之一區中。
48.如條項27至47中任一項之方法，其中該組件屬於一度量衡裝置。
49.一種電腦程式，其包含指令，該等指令在至少一個處理器上執行時使該至少一個處理器控制一裝置以實行一如條項27至48中任一項之方法。
50.一種含有如條項49之電腦程式的載體，其中該載體係一電子信號、光學信號、無線電信號或非暫時性電腦可讀儲存媒體中之一者。
51.一種度量衡裝置，其包含如條項1至26中任一項之裝置。
52.一種微影裝置，其包含如條項1至26中任一項或如條項51之裝置。
53.一種微影製造單元，其包含如條項52之裝置。
54.一種用於自一裝置之一組件移除污染物粒子之裝置，該等污染物粒子產生一環境電場，該裝置包含：一收集區，其用於吸附該等粒子，其中該環境電場至少在該組件與該收集區之間； 一電場產生器；及一處理器，其經組態以進行以下步驟：基於該環境電場判定經施加電場之極性；及使該電場產生器在該收集區與該組件之間建立一經施加電場以使該等粒子自該組件輸送至該收集區。
因此，本發明可以運行於處理器上之硬體及/或軟體(包括韌體、常駐軟體、微碼等)體現，該處理器可被集體地稱作「電路」、「模組」或其變體。
亦應注意，在一些替代實施中，區塊中所提及之功能/動作可按不同於流程圖中所提及之次序出現。舉例而言，取決於所涉及的功能性/動作，連續展示的兩個區塊實際上可實質上同時執行，或該等區塊有時可以相反次序執行。此外，可將流程圖及/或方塊圖的給定區塊之功能性分成多個區塊，及/或可至少部分整合流程圖及/或方塊圖之兩個或多於兩個區塊的功能性。最後，可在所說明之區塊之間添加/插入其他區塊。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性的，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
300‧‧‧裝置
301‧‧‧收集區
302‧‧‧電絕緣層
303‧‧‧防護件
304‧‧‧經組合高電壓供應單元及電壓感測裝置
305‧‧‧市電電源供電
306‧‧‧電連接器

Claims (22)

  1. 一種用於自一度量衡裝置(metrology apparatus)之一組件移除污染物粒子(contaminant particles)之裝置，該等污染物粒子產生(giving rise to)一環境電場(ambient electric field)，該裝置包含：一收集區(collection region)，其用於吸附該等粒子，其中該環境電場至少在該組件與該收集區之間；一電場產生器，其經組態以在該收集區與該組件之間建立一經施加(applied)電場以使該等粒子自該組件被輸送至該收集區；及一防護件(guard)，其環繞該收集區並包含至一地面電位之一受控連接，該防護件經組態以防止該經施加電場自鄰近於該收集區之一區擴散出，其中該電場產生器經組態以基於該環境電場判定該經施加電場之極性(polarity)。
  2. 如請求項1之裝置，其中該經施加電場之極性與該環境電場之極性相反。
  3. 如請求項1或2之裝置，其中該電場產生器經組態以基於以下各者中之一或多者判定該經施加電場之量值：該環境電場之一量值；將該等粒子固持至該組件之一黏著力之一估計；及將該等粒子固持至該組件之凡得瓦爾力之一估計。
  4. 如請求項1或2之裝置，其中該收集區之至少部分係導電的，且其中該電場產生器包含一電壓源，其經配置以藉由將一電壓施加至該收集區之該至少部分而建立該經施加電場。
  5. 如請求項1或2之裝置，其進一步包含一場感測器，該場感測器在建立該經施加電場之前經組態以感測該環境電場之極性。
  6. 如請求項5之裝置，其中該場感測器包含一導電元件，且其中感測該環境電場包含監視由該環境電場在該導電元件中誘發之一電壓。
  7. 如請求項6之裝置，其中該裝置經組態以當感測該環境電場時允許該導電元件之一電壓為浮動的(floating)。
  8. 如請求項5之裝置，其中該經施加電場之一量值係基於經感測環境電場之一量值及該組件與該導電元件及/或該收集區之間的一距離中之至少一者而判定。
  9. 如請求項1或2之裝置，其進一步包含一場誘發器(field inducer)，該場誘發器在建立該經施加電場之前經組態以在該收集區與該組件之間的區中誘發一另一電場。
  10. 如請求項9之裝置，其中該收集區觸碰該等污染物粒子。
  11. 如請求項1或2之裝置，其進一步包含一粒子移除器，該粒子移除器經組態以自該收集區移除該等粒子。
  12. 如請求項11之裝置，其中該粒子移除器包含一真空泵且其中自該收集區移除該等粒子係藉由吸力。
  13. 如請求項12之裝置，其進一步包含用於置放在該收集區上方之一蓋，該蓋具有與該真空泵流體連通之通風口，且該裝置經組態以在操作該真空泵時橫越該收集區且朝向該真空泵將一氣體抽吸通過該等通風口。
  14. 如請求項12之裝置，其中該電場產生器經組態以在該真空泵之操作之前或期間縮減該經施加電場之該量值，且其中該電場產生器經組態以在該真空泵之操作之前或期間移除該經施加電場。
  15. 如請求項12之裝置，其中該電場產生器經組態以在該真空泵之操作之前或期間縮減該經施加電場之該量值，且其中該電場產生器經組態以在該真空泵之操作之前或期間使該經施加電場之極性反轉(reverse)。
  16. 如請求項1或2之裝置，其中該防護件之至少部分係導電的且保持在地面電位。
  17. 如請求項1或2之裝置，其中該防護件經組態以在該經施加電場被建立之前係電浮動的。
  18. 如請求項1或2之裝置，其中該防護件經組態以僅在該經施加電場被建立在該收集區及該組件之間的實質上同時被連接至地面電位。
  19. 一種用於自一度量衡裝置之一組件移除污染物粒子之方法，該等污染物粒子產生一環境電場且該裝置包含用於吸附該等粒子之一收集區，其中該環境電場至少在該組件與該收集區之間，該方法包含：基於該環境電場判定一經施加電場之一極性；藉由該電場產生器在該收集區與該組件之間建立具有經判定極性之該經施加電場以使該等粒子自該組件被輸送至該收集區；及提供包含至一地面電位之一受控連接且環繞該收集區之一防護件以防止該經施加電場自鄰近於該收集區之一區擴散出。
  20. 如請求項19之方法，其中該判定包含使該防護件浮動。
  21. 如請求項20之方法，其中該建立包含將該防護件連接至地面電位。
  22. 一種度量衡裝置，其包含如請求項1至18中任一項之裝置。
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