TWI761274B - 電荷引導式放大電路及其控制方法 - Google Patents
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Abstract
本發明揭露了一種電荷引導式放大電路及其控制方法。電荷引導式放大電路用來放大一差動輸入訊號,包含:一取樣保持電路、一電荷引導式放大器、一參考電壓產生電路以及一開關電路。取樣保持電路用來取樣該差動輸入訊號以產生第一及第二取樣訊號。電荷引導式放大器具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端及一第二輸出端,其中,該第一及第二輸入端分別接收該第一及第二取樣訊號。參考電壓產生電路用來根據該差動輸入訊號產生一參考電壓。開關電路用來將該參考電壓耦接至該第一輸出端及該第二輸出端。
Description
本發明是關於電荷引導式(charge-steering)放大器,尤其是關於以電荷引導式放大器實作之放大電路。
圖1係習知電荷引導式放大器的電路圖。電荷引導式放大器100亦稱為動態放大器(dynamic amplifier),主要由電晶體110及電晶體120構成,另包含開關130、開關140、開關150、開關160、電容170、電容180及電容190。各元件的連接方式如圖所示。電荷引導式放大器100交替地操作於重置階段(開關130、開關140及開關160導通且開關150不導通,使得電容170及電容180充電且電容190放電)及放大階段(開關130、開關140及開關160不導通且開關150導通,使得電容170及電容180放電且電容190充電)。電荷引導式放大器100在放大階段放大差動輸入訊號Vi(從輸入端N1及輸入端N2輸入),並產生輸出訊號Vo(從輸出端N3及輸出端N4輸出)。電荷引導式放大器100的操作細節為本技術領域具有通常知識者所熟知,不再贅述。
然而,電晶體110及電晶體120容易受差動輸入訊號Vi之共模電壓上的擾動(perturbation)的影響,造成電荷引導式放大器100的效能降低(例如,有效位元數(effective number of bits, ENOB)變差,即,增益的線性度變差)。
鑑於先前技術之不足,本發明之一目的在於提供一種電荷引導式放大電路及其控制方法,以改善先前技術的不足。
本發明之一實施例提供一種電荷引導式放大電路,用來放大一差動輸入訊號,包含:一取樣保持電路、一電荷引導式放大器、一參考電壓產生電路以及一開關電路。取樣保持電路用來取樣該差動輸入訊號以產生一第一取樣訊號及一第二取樣訊號。電荷引導式放大器耦接該取樣保持電路,具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端及一第二輸出端,其中,該第一輸入端接收該第一取樣訊號,且該第二輸入端接收該第二取樣訊號。參考電壓產生電路用來根據該差動輸入訊號產生一參考電壓,該參考電壓係該差動輸入訊號之一共模電壓與一直流電壓之運算結果。開關電路耦接該電荷引導式放大器及該參考電壓產生電路,用來將該參考電壓耦接至該第一輸出端及該第二輸出端。
本發明之另一實施例提供一種電荷引導式放大電路的控制方法,該電荷引導式放大電路包含一電荷引導式放大器及一取樣保持電路,該電荷引導式放大電路操作於一重置階段或一放大階段,該電荷引導式放大器於該放大階段對一第一取樣訊號及一第二取樣訊號執行一放大操作。該方法包含:於該重置階段,取得一差動輸入訊號之一共模電壓;於該重置階段,將該共模電壓及一直流電壓提供至該電荷引導式放大器之一輸出端;於該重置階段,利用該取樣保持電路取樣該差動輸入訊號以產生該第一取樣訊號及該第二取樣訊號;以及於該放大階段,將該第一取樣訊號及該第二取樣訊號輸入至該電荷引導式放大器。
本發明之另一實施例提供一種電荷引導式放大電路,用來放大一差動輸入訊號,包含一取樣保持電路、一電荷引導式放大器、一共模電壓產生電路以及一開關電路。取樣保持電路用來取樣該差動輸入訊號以產生一第一取樣訊號及一第二取樣訊號。電荷引導式放大器耦接該取樣保持電路,包含一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端、一第二輸出端、一第一開關、一第二開關、一第三開關、一第四開關、一第一負載電容以及一第二負載電容。第一輸入端接收該第一取樣訊號。第二輸入端接收該第二取樣訊號。第一負載電容具有一第一端及一第二端,其中,該第一端透過該第一開關耦接該第一輸出端且透過該第二開關耦接一第一參考電壓。第二負載電容具有一第三端及一第四端,其中,該第三端透過該第三開關耦接該第二輸出端且透過該第四開關耦接該第一參考電壓。共模電壓產生電路用來根據該差動輸入訊號產生該差動輸入訊號之一共模電壓。開關電路耦接該電荷引導式放大器及該共模電壓產生電路,用來將該第二端及該第四端耦接至該共模電壓或一第二參考電壓。
本發明之另一實施例提供一種電荷引導式放大電路的控制方法。該電荷引導式放大電路包含一電荷引導式放大器及一取樣保持電路。該電荷引導式放大電路操作於一重置階段或一放大階段。該電荷引導式放大器於該放大階段對一第一取樣訊號及一第二取樣訊號執行一放大操作。該控制方法包含:於該重置階段,取得一差動輸入訊號之一共模電壓;於該重置階段,將該電荷引導式放大器之一負載電容的兩端分別耦接至一第一參考電壓及一第二參考電壓;於該重置階段,利用該取樣保持電路取樣該差動輸入訊號以產生該第一取樣訊號及該第二取樣訊號;於該放大階段,將該第一取樣訊號及該第二取樣訊號輸入至該電荷引導式放大器;以及於該放大階段,將該共模電壓提供至該負載電容的一端,其中,該端非耦接該電荷引導式放大器之一輸出端。
本發明之電荷引導式放大電路及其控制方法能夠減小共模電壓擾動所帶來的負面影響。相較於傳統技術,本發明之電荷引導式放大電路有較佳的表現。
有關本發明的特徵、實作與功效,茲配合圖式作實施例詳細說明如下。
以下說明內容之技術用語係參照本技術領域之習慣用語,如本說明書對部分用語有加以說明或定義,該部分用語之解釋係以本說明書之說明或定義為準。
本發明之揭露內容包含電荷引導式放大電路及其控制方法。由於本發明之電荷引導式放大電路所包含之部分元件單獨而言可能為已知元件,因此在不影響該裝置發明之充分揭露及可實施性的前提下,以下說明對於已知元件的細節將予以節略。
圖2是本發明電荷引導式放大電路之一實施例的功能方塊圖。電荷引導式放大電路200包含電荷引導式放大器210、取樣保持電路220、參考電壓產生電路230及開關電路240。電荷引導式放大電路200用來放大差動輸入訊號Vi(包含輸入訊號Vip及輸入訊號Vin),放大後的訊號(即,輸出訊號Vo)從電荷引導式放大器210的輸出端(由輸出端N3及輸出端N4所組成)輸出。取樣保持電路220用來取樣輸入訊號Vip及輸入訊號Vin,並且產生取樣訊號Vip'及取樣訊號Vin'。取樣保持電路220為本技術領域具有通常知識者所熟知,故不再贅述。取樣訊號Vip'及取樣訊號Vin'分別由電荷引導式放大器210的輸入端N1及輸入端N2接收。參考電壓產生電路230根據差動輸入訊號Vi產生參考電壓Vr。開關電路240(包含開關242及開關244)耦接於電荷引導式放大器210與參考電壓產生電路230之間,用來將參考電壓Vr耦接至電荷引導式放大器210的輸出端N3及輸出端N4。電荷引導式放大器210包含開關211、開關212、電晶體213、電晶體214、開關215、開關216、電容C1、電容C2及電容C3。電容C1及電容C2為電荷引導式放大器210的負載電容,電容C1耦接或電連接於輸出端N3與接地準位GND之間,而電容C2耦接或電連接於輸出端N4與接地準位GND之間。VDD為電源電壓。電荷引導式放大器210的操作原理為本技術領域具有通常知識者所熟知,故不再贅述。在圖2的實施例中,電晶體213及電晶體214為N型金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)(以下簡稱NMOS電晶體),輸入端N1及輸入端N2分別為電晶體213及電晶體214的閘極,而輸出端N3及輸出端N4分別為電晶體213及電晶體214的汲極。換言之,開關電路240將參考電壓Vr耦接至電晶體213及電晶體214的汲極(即,電容C1的其中一端及電容C2的其中一端)。
圖3顯示圖2之電荷引導式放大電路的操作時序的其中一種實施例。圖3顯示當時脈CK為第一準位(例如高準位)時,電荷引導式放大電路200操作於重置階段Phi_S(例如時間點t1與時間點t2之間,以及時間點t3與時間點t4之間),以及當時脈CK為第二準位(例如低準位)時,電荷引導式放大電路200操作於放大階段Phi_H(例如時間點t2與時間點t3之間)。換言之,電荷引導式放大電路200交替地操作於重置階段Phi_S及放大階段Phi_H。
圖4A~4C為參考電壓產生電路230之一實施例的電路圖。如圖4A所示,參考電壓產生電路230包含電容231、電容232、開關233、開關234、開關235、開關236、開關237、開關238以及緩衝單元239(此例中以運算放大器實作,但不以此為限)。在放大階段Phi_H,開關233、開關234及開關238不導通,並且開關235、開關236及開關237導通,形成如圖4B所示的電路,此時緩衝單元239為閒置狀態。放大階段Phi_H結束時,電容231及電容232的跨壓各為電壓Vb1與電壓Vb2的差值。在重置階段Phi_S,開關233、開關234及開關238導通,並且開關235、開關236及開關237不導通,形成如圖4C所示的電路。此時在節點N5的電壓即為差動輸入訊號Vi的共模電壓Vcm加上電壓Vb1與電壓Vb2的差值。換句話說,參考電壓產生電路230在重置階段Phi_S所輸出的參考電壓Vr(=Vcm+Vb2-Vb1)為共模電壓Vcm與直流電壓(Vb2-Vb1)的運算結果,即,參考電壓Vr與該差動輸入訊號Vi的共模電壓Vcm相關。在一些實施例中,電壓Vb1等於電壓Vb2,即,直流電壓為零。
圖5顯示本發明電荷引導式放大電路的控制方法之一實施例的流程圖,包含以下步驟。
步驟S510:於重置階段Phi_S,取得差動輸入訊號Vi之共模電壓Vcm。在一些實施例中,步驟S510可以使用圖4A之參考電壓產生電路230取得差動輸入訊號Vi之共模電壓Vcm。
步驟S520:於重置階段Phi_S,將該共模電壓Vcm及一直流電壓提供至電荷引導式放大器之一輸出端。舉例來說,如圖2所示,電荷引導式放大器210的輸出端是由輸出端N3及輸出端N4所構成,且輸出端N3及輸出端N4分別為電晶體213及電晶體214的汲極,亦分別是電容C1的其中一端及電容C2的其中一端。在一些實施例中,該直流電壓即圖4A之電壓Vb2與電壓Vb1的差值(可以為正數、負數或零)。步驟S520可以使用圖2之開關電路240提供參考電壓Vr至電荷引導式放大器210的輸出端N3及輸出端N4(即,電晶體213及電晶體214的汲極),換言之,開關242及開關244在重置階段Phi_S導通,並且在放大階段Phi_H不導通。
步驟S530:於重置階段Phi_S,利用取樣保持電路取樣該差動輸入訊號以產生取樣訊號。舉例來說,如圖2所示,步驟S530可以使用取樣保持電路220取樣差動輸入訊號Vi以產生取樣訊號Vip'及取樣訊號Vin'。
步驟S540:於放大階段Phi_H,將取樣訊號輸入至該電荷引導式放大器。舉例來說,如圖2所示,電荷引導式放大器210於放大階段Phi_H透過輸入端N1及輸入端N2接收取樣訊號Vip'及取樣訊號Vin',並且於放大階段Phi_H對取樣訊號Vip'及取樣訊號Vin'執行放大操作以產生輸出訊號Vo。
圖6是本發明電荷引導式放大電路之另一實施例的功能方塊圖。電荷引導式放大電路600包含電荷引導式放大器610、取樣保持電路220、共模電壓產生電路630及開關電路640(包含開關642、開關644、開關646及開關648)。
共模電壓產生電路630用來根據輸入訊號Vip及輸入訊號Vin產生共模電壓Vcm。在一些實施例中,共模電壓產生電路630可以由圖4A之電路實作,其中,當電壓Vb1等於電壓Vb2時,參考電壓Vr等於共模電壓Vcm。
電荷引導式放大器610與電荷引導式放大器210相似,差別在於電荷引導式放大器610更包含開關612、開關614、開關616及開關618。電容C1的第一端透過開關612耦接輸出端N3以及透過開關616耦接參考電壓Vb3;電容C1的第二端(即,節點N6)透過開關642耦接共模電壓產生電路630以及透過開關646耦接參考電壓Vb4。電容C2的第一端透過開關614耦接輸出端N4以及透過開關618耦接參考電壓Vb3;電容C2的第二端(即,節點N7)透過開關644耦接共模電壓產生電路630以及透過開關648耦接參考電壓Vb4。參考電壓Vb3可以等於或不等於參考電壓Vb4。
圖7顯示本發明電荷引導式放大電路的控制方法之另一實施例的流程圖,包含步驟S510、S525、S530、S540及S550。步驟S510、S530及S540已於上方討論過,故不再贅述。
步驟S525:於重置階段Phi_S,將電荷引導式放大器之負載電容(即,電容C1及電容C2)的兩端分別耦接至參考電壓Vb3及參考電壓Vb4。步驟S525可以使用開關612、開關614、開關616、開關618及圖6之開關電路640來實現。更明確地說,在重置階段Phi_S,開關616、開關618、開關646及開關648導通,並且開關612、開關614、開關642及開關644不導通。
步驟S550:於放大階段Phi_H,將共模電壓Vcm提供至負載電容的非耦接電荷引導式放大器610之輸出端的一端。更明確地說,步驟S550是在放大階段Phi_H將共模電壓Vcm提供至節點N6及節點N7;也就是說,於放大階段Phi_H,電容C1及電容C2分別透過開關642及開關644接收共模電壓Vcm。步驟S550可以使用開關612、開關614、開關616、開關618及圖6之開關電路640來實現。更明確地說,在放大階段Phi_H,開關612、開關614、開關642及開關644導通,並且開關616、開關618、開關646及開關648不導通。
圖6及圖7之實施例同樣可以讓電荷引導式放大電路600的輸出端追蹤(track)差動輸入訊號的共模電壓。
上述的方法可大幅提升電荷引導式放大電路的表現。舉例來說,一些模擬顯示,當電荷引導式放大電路的輸出端不追蹤差動輸入訊號的共模電壓時,其增益的範圍約為4.2~6.08;而當電荷引導式放大電路的輸出端追蹤差動輸入訊號的共模電壓時(即,本發明),其增益的範圍約為5.73~6.08。換言之,本發明之電荷引導式放大電路的增益更穩定,較不易受差動輸入訊號的影響(即,線性度較佳)。此外,當電晶體的臨界電壓(threshold voltage)變小時(例如受製程影響),上述的優點會更為顯著(增益的範圍由3.0~6.02變為5.62~5.97)。然而,將差動輸入訊號的共模電壓施加至電晶體的其他端點無法達成相同的效果。
在其他的實施例中,圖2的電荷引導式放大器210可以由圖8的電荷引導式放大器310或圖9的電荷引導式放大器410取代。電荷引導式放大器310是以P型MOSFET(以下簡稱PMOS電晶體)實作的電荷引導式放大器(也就是說電晶體313及電晶體314是PMOS電晶體),而電荷引導式放大器410是以PMOS電晶體(即,電晶體413P及電晶體414P)及NMOS電晶體(即,電晶體413N及電晶體414N)實作的電荷引導式放大器。如圖8所示,輸出端N3及輸出端N4分別是電晶體313及電晶體314的汲極。如圖9所示,輸出端N3是電晶體413P及電晶體413N的汲極,而輸出端N4是電晶體414P及電晶體414N的汲極。
電荷引導式放大器310及電荷引導式放大器410的操作原理為本技術領域具有通常知識者所熟知,故不再贅述。
在其他的實施例中,圖6的電荷引導式放大器610可以由圖10的電荷引導式放大器510或圖11的電荷引導式放大器610取代。電荷引導式放大器510及電荷引導式放大器610分別與電荷引導式放大器310及電荷引導式放大器410相似,故不再贅述。
綜上所述,本發明取出差動輸入訊號的共模電壓,並將該共模電壓傳送至電荷引導式放大器的輸出端(即,電晶體的汲極,亦即負載電容的其中一端)或是負載電容的其中一端。如此一來,電荷引導式放大器的輸出端能夠追蹤差動輸入訊號的共模電壓,因此減輕共模電壓的擾動對電荷引導式放大電路所造成的負面影響,且提升電荷引導式放大電路的增益的線性度。
由於本技術領域具有通常知識者可藉由本案之裝置發明的揭露內容來瞭解本案之方法發明的實施細節與變化,因此,為避免贅文,在不影響該方法發明之揭露要求及可實施性的前提下,重複之說明在此予以節略。請注意,前揭圖示中,元件之形狀、尺寸及比例僅為示意,係供本技術領域具有通常知識者瞭解本發明之用,非用以限制本發明。此外,在一些實施例中,前揭的流程圖中所提及的步驟可依實際操作調整其前後順序,甚至可同時或部分同時執行。
雖然本發明之實施例如上所述,然而該些實施例並非用來限定本發明,本技術領域具有通常知識者可依據本發明之明示或隱含之內容對本發明之技術特徵施以變化,凡此種種變化均可能屬於本發明所尋求之專利保護範疇,換言之,本發明之專利保護範圍須視本說明書之申請專利範圍所界定者為準。
100,210,310,410:電荷引導式放大器
110,120,213,214,313,314,413P,414P,413N,414N:電晶體
130,140,150,160,242,244,211,212,215,216,233,234,235,236,237,238,612,614,616,618,642,644,646,648:開關
170,180,190,C1,C2,C3,231,232:電容
Vi:差動輸入訊號
N1,N2:輸入端
Vo:輸出訊號
N3,N4:輸出端
GND:接地準位
VDD:電源電壓
200,600:電荷引導式放大電路
220:取樣保持電路
230:參考電壓產生電路
240:開關電路
Vip,Vin:輸入訊號
Vip',Vin':取樣訊號
Vr:參考電壓
CK:時脈
Phi_S:重置階段
Phi_H:放大階段
t1,t2,t3,t4:時間點
239:緩衝單元
Vb1,Vb2:電壓
N5,N6,N7:節點
510,610:電荷引導式放大器
630:共模電壓產生電路
640:開關電路
Vb3,Vb4:參考電壓
Vcm:共模電壓
S510,S520,S525,S530,S540,S550:步驟
圖1為習知電荷引導式放大器的電路圖;
圖2為本發明電荷引導式放大電路之一實施例的功能方塊圖;
圖3顯示圖2之電荷引導式放大電路的操作時序的其中一種實施例;
圖4A~4C為參考電壓產生電路之一實施例的電路圖;
圖5顯示本發明電荷引導式放大電路的控制方法之一實施例的流程圖;
圖6為本發明電荷引導式放大電路之另一實施例的功能方塊圖;
圖7為本發明電荷引導式放大電路的控制方法之另一實施例的流程圖;
圖8為電荷引導式放大器之另一實施例的電路圖;
圖9為電荷引導式放大器之另一實施例的電路圖;
圖10為電荷引導式放大器之另一實施例的電路圖;以及
圖11為電荷引導式放大器之另一實施例的電路圖。
200:電荷引導式放大電路
210:電荷引導式放大器
213,214:電晶體
211,212,215,216,242,244:開關
C1,C2,C3:電容
220:取樣保持電路
230:參考電壓產生電路
240:開關電路
N1,N2:輸入端
N3,N4:輸出端
Vi:差動輸入訊號
Vip,Vin:輸入訊號
Vip',Vin':取樣訊號
Vo:輸出訊號
Vr:參考電壓
GND:接地準位
VDD:電源電壓
Claims (8)
- 一種電荷引導式放大電路,用來放大一差動輸入訊號,包含: 一取樣保持電路,用來取樣該差動輸入訊號以產生一第一取樣訊號及一第二取樣訊號; 一電荷引導式放大器,耦接該取樣保持電路,具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端及一第二輸出端,其中,該第一輸入端接收該第一取樣訊號,且該第二輸入端接收該第二取樣訊號; 一參考電壓產生電路,用來根據該差動輸入訊號產生一參考電壓,該參考電壓係該差動輸入訊號之一共模電壓與一直流電壓之運算結果;以及 一開關電路,耦接該電荷引導式放大器及該參考電壓產生電路,用來將該參考電壓耦接至該第一輸出端及該第二輸出端。
- 如申請專利範圍第1項所述之電荷引導式放大電路,其中,該開關電路包含: 一第一開關,耦接於該參考電壓產生電路與該第一輸出端之間;以及 一第二開關,耦接於該參考電壓產生電路與該第二輸出端之間。
- 如申請專利範圍第2項所述之電荷引導式放大電路,其中,該電荷引導式放大電路操作於一重置階段或一放大階段,該電荷引導式放大器於該放大階段放大該第一取樣訊號及該第二取樣訊號,該取樣保持電路於該重置階段取樣該差動輸入訊號,以及該第一開關及該第二開關係於該重置階段導通。
- 一種電荷引導式放大電路的控制方法,該電荷引導式放大電路包含一電荷引導式放大器及一取樣保持電路,該電荷引導式放大電路操作於一重置階段或一放大階段,該電荷引導式放大器於該放大階段對一第一取樣訊號及一第二取樣訊號執行一放大操作,該方法包含: 於該重置階段,取得一差動輸入訊號之一共模電壓; 於該重置階段,將該共模電壓及一直流電壓提供至該電荷引導式放大器之一輸出端; 於該重置階段,利用該取樣保持電路取樣該差動輸入訊號以產生該第一取樣訊號及該第二取樣訊號;以及 於該放大階段,將該第一取樣訊號及該第二取樣訊號輸入至該電荷引導式放大器。
- 一種電荷引導式放大電路,用來放大一差動輸入訊號,包含: 一取樣保持電路,用來取樣該差動輸入訊號以產生一第一取樣訊號及一第二取樣訊號; 一電荷引導式放大器,耦接該取樣保持電路,包含: 一第一輸入端,接收該第一取樣訊號; 一第二輸入端,接收該第二取樣訊號; 一第一輸出端; 一第二輸出端; 一第一開關; 一第二開關; 一第三開關; 一第四開關; 一第一負載電容,具有一第一端及一第二端,其中,該第一端透過該第一開關耦接該第一輸出端且透過該第二開關耦接一第一參考電壓;以及 一第二負載電容,具有一第三端及一第四端,其中,該第三端透過該第三開關耦接該第二輸出端且透過該第四開關耦接該第一參考電壓; 一共模電壓產生電路,用來根據該差動輸入訊號產生該差動輸入訊號之一共模電壓;以及 一開關電路,耦接該電荷引導式放大器及該共模電壓產生電路,用來將該第二端及該第四端耦接至該共模電壓或一第二參考電壓。
- 如申請專利範圍第5項所述之電荷引導式放大電路,其中,該開關電路包含: 一第五開關,用來將該第二端耦接至該共模電壓; 一第六開關,用來將該第四端耦接至該共模電壓; 一第七開關,用來將該第二端耦接至該第二參考電壓;以及 一第八開關,用來將該第四端耦接至該第二參考電壓。
- 如申請專利範圍第6項所述之電荷引導式放大電路,其中,該電荷引導式放大電路操作於一重置階段或一放大階段,該電荷引導式放大器於該放大階段放大該第一取樣訊號及該第二取樣訊號,該取樣保持電路於該重置階段取樣該差動輸入訊號,該第一開關、該第三開關、該第五開關及該第六開關於該放大階段導通且於該重置階段不導通,以及該第二開關、該第四開關、該第七開關及該第八開關於該放大階段不導通且於該重置階段導通。
- 一種電荷引導式放大電路的控制方法,該電荷引導式放大電路包含一電荷引導式放大器及一取樣保持電路,該電荷引導式放大電路操作於一重置階段或一放大階段,該電荷引導式放大器於該放大階段對一第一取樣訊號及一第二取樣訊號執行一放大操作,該方法包含: 於該重置階段,取得一差動輸入訊號之一共模電壓; 於該重置階段,將該電荷引導式放大器之一負載電容的兩端分別耦接至一第一參考電壓及一第二參考電壓; 於該重置階段,利用該取樣保持電路取樣該差動輸入訊號以產生該第一取樣訊號及該第二取樣訊號; 於該放大階段,將該第一取樣訊號及該第二取樣訊號輸入至該電荷引導式放大器;以及 於該放大階段,將該共模電壓提供至該負載電容的一端,其中,該端非耦接該電荷引導式放大器之一輸出端。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI612769B (zh) * | 2017-01-04 | 2018-01-21 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 電荷引導式放大電路及其控制方法 |
US20190068130A1 (en) * | 2017-08-30 | 2019-02-28 | Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. | Dynamic amplification circuit |
US20200007085A1 (en) * | 2018-06-28 | 2020-01-02 | Novatek Microelectronics Corp. | Dynamic amplifier and related gain boosting method |
US20200358409A1 (en) * | 2019-05-09 | 2020-11-12 | Omni Design Technologies Inc. | Push-Pull Dynamic Amplifier Circuits |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6031480A (en) * | 1997-11-04 | 2000-02-29 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for implementing a pipelined A/D converter with inter-stage amplifiers having no common mode feedback circuitry |
US9590560B2 (en) | 2015-03-17 | 2017-03-07 | Realtek Semiconductor Corporation | Summing amplifier and method thereof |
-
2021
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-
2022
- 2022-04-14 US US17/720,786 patent/US11804806B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI612769B (zh) * | 2017-01-04 | 2018-01-21 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 電荷引導式放大電路及其控制方法 |
US20190068130A1 (en) * | 2017-08-30 | 2019-02-28 | Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. | Dynamic amplification circuit |
US20200007085A1 (en) * | 2018-06-28 | 2020-01-02 | Novatek Microelectronics Corp. | Dynamic amplifier and related gain boosting method |
US20200358409A1 (en) * | 2019-05-09 | 2020-11-12 | Omni Design Technologies Inc. | Push-Pull Dynamic Amplifier Circuits |
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