TWI760606B

TWI760606B - 用於重疊量測之非對稱重疊標記

Info

Publication number: TWI760606B
Application number: TW108113986A
Authority: TW
Inventors: 趙薇; 明浩唐; 陳睿; 楊東嶽; 海艇王; 艾瑞克吉斯; 史考特畢索爾
Original assignee: 美商科磊股份有限公司
Priority date: 2018-05-22
Filing date: 2019-04-22
Publication date: 2022-04-11
Also published as: TW202013662A; US20190363053A1; US10707175B2

Abstract

本文所揭露的重疊標記的一個例示範例包括四個象限(I-IV)。該標記的各個象限含有內周期性結構及外周期性結構。該等外周期性結構的各者均包括複數個外特徵。該等內周期性結構的各者均包括複數個第一內群組，該等第一內群組的各者均具有複數個第一內特徵，各個第一內群組被轉向，使得各個第一內群組與該等外特徵的選定一者之間有末端至末端間隔關係。

Description

用於重疊量測之非對稱重疊標記

一般而言，本揭露是關於半導體裝置的製作，並且尤是關於用於重疊測量的非對稱性重疊標記的各種實施例，其可在例如製造積體電路產品時使用。

積體電路(IC)產品的製作中的其中一個關鍵參數係關於準確的重疊定位-將現有層中的圖案特徵與先前形成的層中的先前圖案化特徵對準的準確度。傳統上，重疊是以相對大的測試結構測量，該測試結構位在半導體晶圓上所形成的生產晶粒之間的劃線(scribe line)中。在非常高水準的基礎上，IC產品藉由形成複數個圖案化材料層(一個在另一個上方)加以製造，其中，該圖案化材料層的各者均包括複數個特徵，例如，STI(淺溝槽隔離)區域、閘極結構、裝置階層接點結構、包括複數個導線和通孔的多個金屬化層等。先進IC產品中的這些圖案化材料層中所形成的圖案化特徵的臨界尺寸(也就是，最小特徵尺寸)隨著各個先進產品世代已經、並且穩定地減小。典型地，後續圖案化材料層中所形成的圖案化特徵對於先前形成的圖案化材料層中所形成的圖案化特徵具有相對空間關係。換言之，後續形成的圖案化材料層中的圖案化特徵必需在特定的登記餘裕 (registration tolerance)(其允許一些非重疊量)內，與先前形成的圖案化材料層中所形成的圖案化特徵在空間上對準。

第1圖示意地顯示例示先前技術對稱性先進成影計量(AIM；Advanced Imaging Metrology)標記10的上視圖。該對稱性AIM標記10在任何適合的半導體基底12的劃線內典型地製作，該半導體基底12承載形成於該基底12上的複數個生產晶粒(未顯示)。用於IC產品的實際的積體電路包括各種半導體裝置，例如，電晶體、電容器、電阻器等，這些半導體裝置形成在該等生產晶粒的各者內。該對稱性AIM標記10可參照傳統的笛卡兒座標系統加以描述，該笛卡兒座標系統具有中心18、第一方向X、以及與該方向X正交的第二方向Y。該對稱性AIM標記10包括複數個象限：I(+X，+Y)、II(-X，+Y)、III(-X，-Y)以及IV(+X，-Y)。該等象限I-IV的各者均包括複數個周期性結構，其能夠測量至少兩個獨立方向(X方向及Y方向)的重疊錯誤，如第1圖中所示。在此範例中，該AIM標記10包括四個內周期性結構13及四個外周期性結構15。在全體共同考量的情況下，該四個內周期性結構13一般稱為「內層」、或「先前層」，而該四個外周期性結構15的集合則一般稱為「外層」或「現有層」。在繪示的範例中，該等內周期性結構13的各者均包括六個例示的內特徵14。在該等內周期性結構13的各者中的這些六個內特徵14全是相同的，並且它們全體共同代表單一群組的結構，例如，閘極電極結構，其先前形成在該IC產品上。該四個外周期性結構15的各者均包括六個例示的外特徵16。該四個外周期性結構15中的該等外特徵16是與將形成在該現有(或外)材料層中的圖案化特徵相關聯，該現有材料層是形成在該先前圖案化材料層(該內層)上方。在此繪示的範例中，該四個內周期性結構13及該四個外周期性結構15是相對於該對稱性AIM標記10的中心18而對稱地設置。具體而言，象限II和IV中的該等內周期性結構13中的該特徵14相對於通過X-方向或Y-方向的該對稱性AIM標記10的該中心18的線是彼此相反的鏡面影像。類似地，象限I和III中的該等內周期性結構13中的該特徵14相對於通過Y-方向或X-方向的該對稱性AIM標記10的該中心18的線是彼此相反的鏡面影像。

本揭露是關於用於製造積體電路產品的重疊測量所用的非對稱性標記的各種實施例。

接下來呈現本文所揭露的標的事項的各種實施例的簡化概要，以為了提供本文所揭露的技術的一些態樣的基本了解。此概要並不是本文所揭露的技術的窮盡綜觀。它不意圖識別本文所揭露的關鍵或臨界元件或勾勒出本文所揭露的該標的事項的範圍。它的唯一目的是以簡化的形成呈現一些概念，以作為後續討論的更詳細描述的前序。

本文所揭露的重疊標記的一個例示範例包括四個象限(其將以數值I、I、III和IV分別參照)。該標記包括四個內周期性結構和四個外周期性結構，其中，該四個象限的各者均包括該四個內周期性結構的一者和該四個外周期性結構的一者。該等外周期性結構的各者均包括複數個外特徵。在此例示實施例，該等內周期性結構的各者均包括複數個第一內群組，該等第一內群組的各者均具有複數個第一內特徵，各個第一內群組被轉向，使得各個第一內群組與該等外特徵的選定一者之間有末端至末端間隔關係。

10‧‧‧對稱性先進成影計量標記、AIM標記

12‧‧‧半導體基底、基底

13‧‧‧內周期性結構

14‧‧‧內特徵、特徵

15‧‧‧外周期性結構

16‧‧‧外特徵

18‧‧‧中心

20‧‧‧非對稱性先進成影計量標記、非對稱性AIM標記

22‧‧‧半導體基底、基底

23‧‧‧內周期性結構

24‧‧‧外特徵

24A‧‧‧虛線區域

24X:材料

25:外周期性結構

26:中心

30、32、34、36:內特徵

30Y、32Y:中心線

31、33:絕緣材料

32A:目標CD、理想CD

35:末端-至-末端間隔

37:圖案化蝕刻遮罩、圖案化層的光阻、圖案化的遮罩層

37Y:中心線

37A、37B、37C:特徵、光阻特徵

38:群組、第一群組、第一內群組

40:第一中心線、X-中心線

41:群組、第二群組

42:第二中心線、Y-中心線

43:群組

44、48:製圖、相反左製圖

46、50:製圖、右製圖

51:目標中心線

53:目標邊緣至邊緣間隔

53X、53Y、55:邊緣至邊緣間隔

54:外特徵、特徵

70:第一層的材料、單一層的材料

72:第二層的材料

I、II、III、IV‧‧‧象限

X、Y‧‧‧方向

該揭露可參照接下來的描述並連同伴隨的圖式來加以了解，其中，相同的元件符號識別相同的元件，並且其中：第1圖是先前技術對稱性AIM(先進成影計量)重疊標記的簡化繪示；第2-16和20圖是各種視圖，其繪示本文所揭露的非對稱性重疊標記的各種實施例及這種非對稱性重疊標記的用途；第17圖是繪示導源於第2圖中所顯示的該非對稱性AIM標記的該例示實施例的重疊測量的波形的模擬的圖形；以及第18和19圖繪示先前技術對稱性AIM重疊標記的態樣和特徵。

雖然本文所揭露的該標的事項可容許各種修飾和替代形式，但其特定實施例已經藉由該圖式中的範例加以顯示，並且在本文中詳細描述。然而，應了解的是，本文的特定實施例的描述並不意圖將該發明限制至所揭露的特別形式，而是相反地，該意圖是涵蓋落在由該附加的申請專利範圍所定義的該發明的精神和範疇內的所有修飾、均等物和替代。

該發明的各種例示實施例在下方描述。為了簡潔起見，並非實際實作的所有特徵均在此說明書中描述。

當然可體會到在任何這種實際實施例的發展中，必需作出許多個實作-特定決定，以完成發展者的特定目標，例如，符合系統相關和企業相關的限制，其會隨著實作的不同而變化。此外，應體會到這種發展努力可能是複雜且耗時的，但將是受惠於此揭露的本領域中具有通常技術者所採行的例常事項。

本主題事項現在將參照該附加的圖式加以描述。各種結構、系統和裝置均是示意地繪示在該圖式中，以僅為了解釋的目的，並因此不以本領域中的熟習技術者均熟知的細節來模糊本揭露。不過，該附加的圖式予以包括以描述和解釋本揭露的例示範例。本文所使用的文字和詞句應了解並解釋為具有與本領域中的熟習技術者所了解的文字和詞句一致的意義。本文的術語和詞句的一致性用法不意圖暗指術語或詞句有特別的定義，也就是，不同於本領域中的熟習技術者所了解的通常和慣常意義不同的定義。就算術語或詞句意圖具有特別意義，也就是，不同於熟習技術者所了解的定義，這種特別定義也將會在說明書中以明確的方式明白地提出，該明確的方式將直接且無歧異地提供該術語或詞句的特別定義。

本揭露大致上是關於非對稱性重疊標記及使用這種非對稱性重疊標記的方法的各種實施例，該非對稱性重疊標記可於例如製造積體電路產品時用於重疊測量。第2圖示意地顯示本文所揭露的非對稱性先進成影計量(AIM)標記20的一個例示實施例的上視圖。如已知的，用於IC產品的積體電路包括各種半導體裝置，例如，電晶體、電容器、電阻器等，這些半導體裝置是形成在半導體基底22上所形成的複數個生產晶粒(未顯示)的各者內。本文所揭露的該非對稱性AIM標記20可參照傳統的笛卡兒座標系統加以描述，該笛卡兒座標系統具有中心26、第一方向X、以及與該方向X正交的第二方向Y。該非對稱性AIM標記20包括複數個象限：I(+X，+Y)、II(-X，+Y)、III(-X，-Y)及IV(+X，-Y)。該非對稱性AIM標記20包括朝該X方向延伸的第一中心線40(X-中心線)及朝該Y方向延伸的第二中心線42(Y-中心線)。集合地考量的象限I和II與集合地考量的象限III和IV是位在該第一(X)中心線40的相對側面上。集合地考量的象限 I和1V及集合地考量的象限II和III是位在該第二(Y)中心線42的相對側面上。

在一個例示範例中，本文所揭露的複數個該非對稱性AIM標記20可在該生產晶粒之間的該半導體基底22的劃線內的各種位置處加以製作。在其它實施例中，一個或更多個該非對稱性AIM標記20可形成在一個或更多個該生產晶粒內。在甚至其它實施例中，該非對稱性AIM標記20可形成在基底上的該劃線中及該生產晶粒內。

本文所揭露的該非對稱性AIM標記20包括複數個周期性結構，該等周期性結構致能在至少兩個獨立的方向-X方向及Y方向-的重疊錯誤的測量，如第2圖中所指示者。為了參照目的，該X及Y方向是指示在本申請案的其它圖式中。該X及Y方向彼此正交。該非對稱性AIM標記20包括四個象限(I-IV)。在此例示範例中，該非對稱性AIM標記20包括四個內周期性結構23及四個外周期性結構25。該等內周期性結構23的其中一者及該等外周期性結構25的其中一者是形成在象限I-IV的各者中。集合地考量，該四個內周期性結構23構成該「內層」或「先前層」，而該四個外周期性結構25的集合則構成該「外層」或「現有層」。寬廣地描述，該等內周期性結構23含有複數個內特徵(下方更完全地描述)，其對應於先前形成在該生產晶粒上的各種生產特徵。該內特徵與關聯的生產特徵是同時形成在該生產晶粒上。如下方更完全地描述，該等外周期性結構25含有對應於各種生產特徵的複數個外特徵(下方更完全地描述)，該生產特徵是於圖案化蝕刻遮罩(其將用來形成該等外特徵)相對於該先前形成的內特徵的適當對準或重疊已確認後，才形成在該生產晶粒上。該等外特徵與它們的關聯的生產特徵是同時形成在該生產晶粒上的該現有層中。

該等內周期性結構23包括形成在一個或更多個層的材料中的複數個不同內特徵30、32。該內特徵30是全部相同，並且它們集合地代表第一群組的先前形成的結構，例如，先前形成在該IC產品上的閘極電極結構。該內特徵32是全部相同，並且它們集合地代表第二群組的先前形成的結構，例如，先前形成在該IC產品上的導電金屬線、導電通孔等。該內特徵30、32可代表相同類型的特徵，例如，導電金屬線，其中，該內特徵30代表先前形成在M1金屬化層中的這種線，而該內特徵32則代表先前形成在M2金屬化層中的導電金屬線。當然，如上方所注意的，該內特徵30、32可代表不同類型的先前形成的特徵，例如，該內特徵30可代表先前形成的閘極電極結構，而該內特徵32則可代表先前形成的閘極接點結構等。該內特徵30、32可形成在相同實體層的材料中或它們可形成在不同層的材料中。該內特徵30、32可同時形成，例如，在相同圖案化程序中，或者它們可在不同時間形成。

在第2圖中所顯示的範例中，該非對稱性AIM標記20是繪示在處理中的一時間點處，在該時間點中，該等內周期性結構23的該內特徵30、32及該等外周期性結構25的該等外特徵24已經實體形成在該非對稱性AIM標記20的該四個象限I-IV中。實際上，將被圖案化的一層材料(未顯示)-該現有層-將形成在該整個基底及該先前形成的內周期性結構23之上。在那時間點上，圖案化蝕刻遮罩(未顯示)(例如，包括複數個圖案化的蝕刻特徵(未顯示)的圖案化層的光阻(或類似者))將形成在將被圖案化的該現有層的材料之上。接著，相對於該等內周期性結構23中所形成的該先前形成的內特徵30、32的該中心線，將決定該圖案化蝕刻遮罩中的該圖案化的遮罩特徵的該中心線的位置，典型地藉由視覺觀察。如果決定該圖案化蝕刻遮罩的圖案化的遮罩特徵與該等內周期性結構23中所形成的先前形成的內特徵30、32之間的該中心線-至-中心線間隔或重疊是可接受的(例如，基於預先建立的準則)，則該現有層的材料是圖案化的，例如，該現有層是使用該圖案化蝕刻遮罩來加以蝕刻。如果決定該圖案化蝕刻遮罩中圖案化的蝕刻特徵與該等內周期性結構23中所形成的該先前形成的內特徵30、32之間的該中心線-至-中心線間隔或重疊是不可接受的，則移除該初始圖案化蝕刻遮罩。在那時間點上，第二圖案化蝕刻遮罩接著形成在該現有層(其將被圖案化)之上，並且，再次測量該重疊。重覆此程序，直到這次該重疊(也就是，該最近一次的圖案化蝕刻遮罩中的該圖案化的蝕刻特徵與該等內周期性結構23中的該先前形成的內特徵30、32之間的該中心線-至-中心線間隔)經決定是可接受的，在這次蝕刻該現有層。

在第2圖中的該繪示範例中，該等內周期性結構23的各者均包括複數個內特徵，也就是，複數個第一圖案化內特徵30及複數個第二圖案化內特徵32。這種例示的非對稱性AIM標記20可用於各種處理應用，例如，舉例來說，涉及雙重圖案化程序的程序。在第2圖中所顯示的該例示範例中，該等內周期性結構23的各者均包括六個群組38的該先前形成的內特徵30、32，其中，各個群組38均包括兩個該第一內特徵30及兩個該第二內特徵32。在其它可能的實施例中，各個群組38均可只具有一個內特徵30及一個內特徵32。如上方所注意的，該四個內周期性結構23是關聯於一個或更多個先前圖案化層的材料中所形成的該生產晶粒中的先前形成的特徵。在一個實施例中，該內特徵30是全部相同，並且它們集合地代表先前形成在該IC產品上的第一群組的結構，而該內特徵32是全部相同，並且它們集合地代表先前形成在該IC產品上的第二群組的結構。當然，如本領域中的熟習技術者於完全閱讀本申請後將體會到的，本文所揭露的該新穎性非對稱性AIM標記20可具有任何期望數目的該等內周期性結構23及外周期性結構25。額外地，該等內周期性結構23可包括任何期望數目的先前形成的內特徵，例如，2-7個該圖案化的內特徵，而不是第2圖中所顯示的該例示的兩個內特徵30、32。

繼續參照第2圖，在此例示範例中，該四個外周期性結構25各者均包括六個例示的外特徵24。於決定該圖案化蝕刻遮罩中的該圖案化的遮罩特徵與該內周期性結構23的該內特徵30、32(也就是，於確認該等外特徵24將形成在相對於該內層中的該先前形成的內特徵30、32的期望位置後)之間有適合或可接受的重疊(也就是，中心線-至-中心線間隔)後，在該現有層的材料上透過適當對準的蝕刻遮罩實施蝕刻程序，藉此形成鄰近該內周期性結構23(該內層)的該先前形成的內特徵30、32的該等外特徵24(在該四個外周期性結構25中)。

不像先前技術的對稱性重疊標記，在本文所揭露的該非對稱性AIM標記20中，該四個內周期性結構23相對於該非對稱性AIM標記20的該中心26是非對稱性地設置。也就是，象限IV中的該內周期性結構23與象限II中的該內周期性結構23具有朝相同相對方向(朝Y-方向)而配置的相同構圖(composition)。更特定言之，參照第2圖中所顯示的平面視圖，在象限II中所形成的該內周期性結構23中，在各個群組38內的該內特徵30比那個群組38內的該內特徵32更接近該X-中心線40。對比之下，在象限IV中所形成的該內周期性結構23中，各個群組38內的該內特徵32比那個群組38內的該內特徵30更接近該X-中心線。換種說法，當如第2圖中所顯示的觀看時，在各個群組38內，該內特徵32是位在該內特徵30之上。因此，象限II和IV中的該等內周期性結構23彼此並非鏡面影像。也就是，象限II和IV中的該等內周期性結構23相對於該非對稱性AIM標記20的該中心26和該X-中心線40是非對稱性地設置。

類似地，象限I中的該內周期性結構23與象限III中的該內周期性結構23具有相同的相對配置(朝X方向)及相同構圖的內特徵30、32。更特定言之，參照第2圖中所顯示的平面視圖，在象限I中所形成的該內周期性結構23中，各個群組38內的該內特徵30比那個群組38內的該內特徵32更接近該Y-中心線42。對比之下，在象限III中所形成的該內周期性結構23中，各個群組38內的該內特徵32比那個群組38內的該內特徵30更接近該Y-中心線42。換種說法，當如第2圖中所顯示的觀看時，在各個群組38內，該內特徵32是位於該內特徵30的右邊。因此，象限I和III中的該等內周期性結構23彼此並非鏡面影像。也就是，象限I和III中的該等內周期性結構23相對於該非對稱性AIM標記20的該中心26和該Y-中心線42是非對稱性地設置。

也應注意到，在該內周期性結構23內的各個(內特徵的)群組38與該鄰近的外周期性結構25中所形成的立即鄰近的外特徵24之間有末端-至-末端間隔35關係。舉例來說，參照第2圖，在象限II中，虛線38內的該群組38與虛線區域24A內的該外特徵24有末端至末端間隔關係。此末端-至-末端(或尖端-至-尖端)間隔35在所有四個象限中是相對地小。注意，不像先前技術的對稱性AIM標記，各個群組38均包括至少兩個個別的內特徵。在第2圖中所繪示的範例中，各個群組38均包括四個內特徵-兩個該內特徵30及兩個該內特徵32。也注意到，就該標記的設計而言，由各個群組38的內特徵所占據的實體空間(或X-Y占晶面積(footprint))可為大約相同於對應的特徵24所占據的實體空間，其具有該末端-至-末端間隔35關係。然而，實際上，由各個群組38的內特徵所占據的實體空間與由該對應的外特徵24所占據的實體空間可因程序變化而變化。

如下方更完全地描述，本文所揭露的該非對稱性AIM標記20的此非對稱性本質允許測量多個層的材料(例如，2、3、4、5或更多層)中所形成的多個特徵的重疊錯誤。

一般而言，該內特徵30、32可關聯於該生產晶粒中所形成的一個或更多個圖案化層的材料(包括該基底22)中所形成的各種生產特徵(未顯示)。該內特徵30、32可代表IC產品的不同層的材料或不同階層中所形成的各種類型的生產特徵。舉例來說，該內特徵30、32可關聯於各種金屬化層等中所形成的生產特徵(例如，閘極結構、STI區域、接點結構、導線及/或通孔)。該內特徵30可代表第一類型的結構，例如，至電晶體的源極/汲極區域的接點結構，而該內特徵32可代表與該第一類型的結構不同的第二類型的結構，例如，該內特徵32可代表該M1金屬化層中的一個或更多個導電通孔(V0)。在其它案例中，該內特徵30、32可代表相同類型的結構，例如，形成在IC產品上的不同金屬化層(在該基底22之上的不同階層處)的導電金屬線。

一般而言，該等內周期性結構23中的該內特徵30、32形成在該非對稱性AIM標記20的時間與關聯於該內特徵30、32的該生產特徵(未顯示)形成在該生產晶粒的時間相同。然而，該等內周期性結構23的該個別內特徵30、32與該生產晶粒中所形成的該關聯的生產特徵可不依據相同的設計規則來形成，也就是，該非對稱性AIM標記20的該個別內特徵30、32相較於該生產晶粒中所形成的該關聯的生產特徵可形成為顯著較大的尺寸，以增強偵測該內及外周期性結構23和25之間的任何偏移(offset)(失準(misalignment))的能力。

該等象限的各者均包括內周期性結構23及外周期性結構25。象限II和IV中的該外周期性結構25中的該等外特徵24被轉向，使得該等外特徵24的長軸朝X-方向延伸。位在象限II和IV中的該等內周期性結構23中的該內特徵30、32也被轉向，使得該內特徵30、32的長軸朝X-方向延伸。象限II和IV中的該等內周期性結構23的各者中的各個群組38內的該內特徵30、32之間也有空間(朝Y-方向)。如下方更完全地描述，對於該等內群組38的各者及其對應的外特徵24(其與它具有末端至末端間隔關係)而言，象限II和IV中的該內特徵30、32的各者與該對應的外特徵24之間的該中心線-至-中心線間隔決定Y-方向中的重疊錯誤(如果有的話)。相較於該內層或先前層中的該等群組38的內特徵30、32，第2圖中所顯示的象限II和IV中的該等群組38的各者內的該內特徵30、32與它們對應的外特徵24之間的該中心線-至-中心線間隔反映出在該現有層中的該等外特徵24之間理想化的(或完美的)重疊(朝Y-方向)。

類似地，象限I和III中的該外周期性結構25中的該等外特徵24及位在象限I和III中的該等內周期性結構23中的該內特徵30、32被轉向，使得該等外特徵24及該內特徵30、32的長軸朝Y-方向延伸。象限I和III中的該等內周期性結構23的各者中的各個群組38內的該內特徵30、32之間也有空間(朝X-方向)。如下方更完全地描述，就該等內群組38的各者及其對應的外特徵24(其與它具有末端至末端間隔關係)而言，象限I和III中的該內特徵30、32的各者與該對應的外特徵24之間的該中心線-至-中心線間隔決定X-方向中的重疊錯誤(如果有的話)。相較於該內層或先前層中的該等群組38的內特徵30、32，第2圖中所顯示的象限I和III中的該等群組38的各者內的該內特徵30、32與它們對應的外特徵24之間的該中心線-至-中心線間隔反映出在該現有層中的該等外特徵24之間理想化的(或完美的)重疊(朝X-方向)。

因此，該等內周期性結構23(其包括該內特徵30、32)及該等外周期性結構25(其包括該等外特徵24)是以不同的圖案化層的材料形成，使得組合的非對稱性AIM標記20含有該兩個(或更多個)圖案化層的材料相對於X-及Y-方向的重疊準確性的資訊。

第3圖是本文所揭露的非對稱性AIM標記20的一個例示實施例的平面視圖。第3圖指示該非對稱性AIM標記20的各種部分平面視圖(第4、5和9圖)所取用處。第4和5圖是該非對稱性AIM標記20的不同的可能實施例的放大視圖。第9圖是該等內周期性結構23的各者靠近該非對稱性AIM標記20的該中心26的部分的放大視圖。

第4圖是本文所揭露的新穎性非對稱性AIM標記20的一個例示實施例的一部分的部分平面視圖。如第4圖中所顯示的，第5和6圖為該非對稱性AIM標記20的不同例示實施例在X-方向中通過象限I中的該內周期性結構23的該內特徵30、32所取用的剖面視圖。第7圖是在X-方向中通過象限I中的該外周期性結構25的該等外特徵24所取用的剖面視圖。第8圖是在Y-方向中通過該外周期性結構25的該等外特徵24的一者及該內周期性結構23的該內特徵32的一者所取用的剖面視圖。第4-8圖繪示象限I和III中所形成的該內特徵30、32與該等外特徵24之間的關係。此關係與象限II和IV中所形成的該內特徵30、32與該等外特徵24相同，除了該視圖應該旋轉90度外。

第5圖繪示本文所揭露的非對稱性AIM標記20的一個例示實施例，其中，所有該複數個內特徵30、32均形成在單一層的材料70上。更特定言之，所有該圖案化內特徵30、32均藉由一個或更多個蝕刻程序通過一個或更多個圖案化蝕刻遮罩(未顯示)而初始地形成在單一層的材料中。舉例來說，該內特徵30、32可藉由在實體層的材料(未顯示)(將被圖案化以形成該內特徵30、32，例如，將最終被圖案化以形成用於電晶體裝置的複數個多晶矽閘極結構的一層多晶矽)之上形成單一圖案化蝕刻遮罩(未顯示)來加以形成。該圖案化蝕刻遮罩可使用各種技術的任何一者來加以形成，例如，傳統的單一圖案化技術、雙重圖案化技術(例如，LELE)、多重圖案化技術等。之後，該圖案化蝕刻遮罩就定位，該內特徵30、32可藉由透過該圖案化蝕刻遮罩同時實施一個或更多個蝕刻程序來加以形成。之後，該圖案化蝕刻遮罩可予以移除，並且絕緣材料31(例如，矽二氧化物)可形成在該內特徵30、32之間的該空間中，並且可實施CMP程序以移除過量的該絕緣材料31。繼續參照第5圖，在那時間點，一層材料24X-該現有層(該等外特徵24將從其形成)-(例如，一層導電材料或絕緣材料)係形成跨越整個基底22並在該基底22上的所有該生產晶粒及所有該劃線之上。

第6圖是本文所揭露的非對稱性AIM標記20的替代例示實施例，其中，複數個該第一內特徵30是形成在該第一層的材料70中，而複數個第二內特徵32是形成在位於該第一層的材料70之上的第二層的材料72中。一開始，該第一層的材料70是毯狀沉積跨越該整個基底22及在該基底22上的所有該生產晶粒及所有該劃線之上。之後，第一圖案化蝕刻遮罩(未顯示)是形成在該第一層的材料70之上。接著，該內特徵30是藉由透過該第一圖案化蝕刻遮罩實施一個或更多個蝕刻程序來形成在該單一層的材料70中。在那時間點，移除該第一圖案化蝕刻遮罩，絕緣材料31是形成在該等特徵30之間，並且，實施CMP程序，以移除位於該內特徵30的上表面之上過量的該材料31。之後，第二層的材料72(該內特徵32將從其形成)毯狀沉積跨越該層70(其包括該內特徵30)之上的該整個基底22。接著，第二圖案化蝕刻遮罩是形成在該第二層的材料72之上。接著，該第二層的材料72被圖案化，以藉由透過該第二圖案化蝕刻遮罩實施一個或更多個蝕刻程序來形成該圖案化的內特徵32。之後，移除該第二圖案化蝕刻遮罩，將例如矽二氧化物的絕緣材料33沉積在該第二層的材料72中的該內特徵32之間的該空間中，並且，實施CMP程序，以移除過量的該絕緣材料33。如第6圖中所指示的，在那時間點，該層材料24X(該等外特徵24將從其形成)(例如，一層導電材料或絕緣材料)是形成跨越包括該內特徵32的該第二層的材料72之上的該整個基底22。

由本領域中的熟習技術者於完整閱讀本申請後將體會到的，該內特徵(其為該等內周期性結構23的部件)可以一個或更多個層的材料加以形成。舉例來說，在下方更完全地描述的一個實施例中，在各個內周期性結構23內的該等群組38的各者可包括四個不同的內特徵。在那情況下，在一個例示實施例中，這些四個內特徵的各者可全部以單一層加以形成。在另一個範例中，這些四個內特徵的各者可以其自身層的材料加以形成，也就是，四個分別層的材料，其中各者均具有一個內特徵形成於其中。在又一個範例中，該四個內特徵的其中二者可形成在第一層中，沒有任何該內特徵形成在位於該第一層之上的第二層中，並且，兩個剩餘的內特徵可形成在位於該第二層之上的第三層中。因此，形成在任何特別實體層或多層的材料中的該等內周期性結構23的內特徵的數目(如果有的話)可依據特別的應用而變化。

第7和8圖繪示第6圖中所顯示的該替代配置，其中，該複數個該第一內特徵30是形成在該第一層的材料70中，而該複數個第二內特徵32是形成在第二層的材料72中。如第5和6圖，第7和8圖繪示處理中的時間點，在該時間點處，該層材料24X(該現有層，該等外特徵24將從其形成)是形成跨越包括該內特徵32的該第二層的材料72之上的該整個基底22，然而，該層材料24X並沒有繪示在第8圖中，以便於不過度複雜化該圖式，並且有利於各種概念的揭露。如上方所注意的，第7圖是通過象限I中的該外周期性結構25的該等外特徵24將被形成在該層的材料24X中的位置在X-方向所取用的剖面視圖。也如第7圖中所繪示的是圖案化蝕刻遮罩37(例如，圖案化層的光阻)，具有對應於該等外特徵24的三個例示特徵37A-C，該等外特徵24將藉由在該層的材料24X上透過該圖案化蝕刻遮罩37實施蝕刻程序，而從該層的材料24X形成。

第8圖是不包括該層的材料24X的平面視圖，以利於說明。如所繪示的，具有該複數個圖案化的光阻特徵37A-C的該圖案化層的光阻37是形成在該層的材料24X之上。在實際蝕刻該層的材料24X前，將決定該光阻特徵37A-C的該中心線37Y與該內特徵30、32的中心線30Y和32Y之間的X-方向中的相對中心線間隔。也就是，就該圖案化的遮罩層37中的該特徵37A-C的各者而言，決定該圖案化的遮罩層中的該特徵的該中心線37Y與形成在該等內周期性結構23中的該鄰近內特徵30、32的各者的該中心線(30Y和32Y)之間的該中心線-至-中心線間隔，典型地藉由視覺觀察。如果該各種特徵37A-C的該中心線與該對應的特徵30、32的該中心線之間的該中心線-至-中心線間隔或重疊經決定是可接受的(例如，基於預先建立的準則)，則該現有層的材料(也就是，在此範例中的該層的材料24X)使用該圖案化蝕刻遮罩37加以蝕刻。如果該各種特徵的該中心線之間的該中心線-至-中心線間隔或重疊經決定是不可接受的，則移除該初始圖案化蝕刻遮罩37。在那時間點，另一個圖案化蝕刻遮罩(未顯示)接著形成在該層的材料24X(將被圖案化的)之上，並且，再次測量該各種特徵的該中心線之間的該中心線-至-中心線間隔或重疊(在X方向)。重覆此程序，直到這次的最近一次圖案化蝕刻遮罩中的該蝕刻遮罩特徵的該中心線與該等內周期性結構23中的該先前形成的內特徵30、32的該中心線之間的該中心線-至-中心線間隔或重疊(在X-方向)是可接受的為止。相對於該圖案化層的光阻37中所形成的該圖案化特徵的該中心線及該等內周期性結構23中所形成的該鄰近內特徵30、32的該中心線，在該Y-方向重覆此程序。在該圖案化層的光阻37中的該特徵與該內周期性結構中的該先前形成的內特徵30、32之間的該重疊為可接受的後，該層的材料24X將接著藉由透過該最近一次的圖案化蝕刻遮罩實施一個或更多個蝕刻程序(其相對於該先前形成的內特徵30、32展現可接受的重疊(在X及Y方向))加以蝕刻。

第9圖是本文所揭露的非對稱性AIM標記20的一個例示實施例的中心部分的放大視圖，其中，該等內周期性結構23包括形成在該非對稱性AIM標記20上的一個或更多個先前層的材料中的兩個例示的內特徵30和32。此圖式再次顯示象限II和IV中所形成的該特徵30、32之間的該非對稱性關係及象限I和III上所形成的該內特徵30、32之間的該非對稱性關係。

第10圖是包括複數個該等群組38的內特徵30、32的內周期性結構23的一個例示實施例的一部分的放大視圖。在此實施例中，該等群組38的各者均包括兩個該內特徵30及兩個該內特徵32。

第11、12和13圖繪示本文所揭露的非對稱性AIM標記20的另一個例示實施例。在此例示範例中，該等內周期性結構23包括三個例示的特徵：複數個第一內特徵30、複數個第二內特徵32以及複數個第三內特徵34。這種例示的非對稱性AIM標記20可在各種處理應用中使用，例如，舉例來說，涉及三重圖案化程序的程序。在此例示範例中，該等內周期性結構23的各者均包括複數個第一群組38的內特徵及複數個第二群組41的內特徵。和之前一樣，該等群組38的各者均包括兩個例示的內特徵30及兩個例示的內特徵32。在此範例中，該等群組41的各者均包括複數個(例如，四個)僅該例示的內特徵34。相較於該等群組38中所形成的該內特徵30、32的一者或兩者，該內特徵34可為相同或不同類型的特徵。在該等內周期性結構23的各者中的群組38、41的數目可依據該特別的應用而變化。在第11圖中所顯示的該範例中，該等內周期性結構23的各者均包括四個該等群組38及兩個該等群組41。第11圖指示第11圖中所顯示的該非對稱性AIM標記20的各種部分平面視圖(第12和13圖)所取用的地方。第12圖是繪示該內特徵30、32和34以及該等外特徵24之間的關係的部分平面視圖，該內特徵30、32和34是先前形成在對稱性標記20上的該內層或先前層中，而該等外特徵24是形成在象限I和III中。除了視圖應該旋轉90度外，此關係對於該內特徵30、32、34及象限II和IV中所形成的該等外特徵24是相同的。

第13圖是本文所揭露的內周期性結構23的一個例示實施例的一部分的放大視圖。如上方所注意的，該等內周期性結構23的各者均包括複數個群組38的內特徵和複數個群組41的內特徵。該等群組38包括兩個例示的內特徵30和兩個例示的內特徵32，而該等群組41的各者則包括四個例示的內特徵34。

第14、15及16圖繪示本文所揭露的非對稱性AIM標記20的另一個例示實施例。在此例示範例中，該等內周期性結構23包括四個例示的特徵：複數個第一內特徵30、複數個第二內特徵32、複數個第三內特徵34以及複數個第四內特徵36。這種例示的非對稱性AIM標記20可在各種處理應用中使用，例如，舉例來說，涉及四重圖案化程序的程序。在此例示範例中，該等內周期性結構23的各者均包括三個例示的群組38的內特徵和三個例示的群組43的內特徵。和之前一樣，該等群組38的各者均包括兩個例示的內特徵30和兩個例示的內特徵32。在此範例中，該等群組43的各者均包括兩個該第三內特徵34和兩個該第四內特徵36。相較於上方所描述的該內特徵30、32、34的任何一者，該內特徵36可為相同或不同類型的特徵。該等內周期性結構23的各者中的群組38、43的數目可依據特別的應用而變化。在該繪示的範例中，該等內周期性結構23的各者均包括三個該等群組38和三個該等群組43。

第14圖指示第14圖中所顯示的該非對稱性AIM標記20的各種部分平面視圖(第15和16圖)所取用的地方。第15圖是繪示該內特徵30、32、34和36以及該等外特徵24之間的關係的部分平面視圖，該內特徵30、32、34和36是先前形成在該非對稱性標記20上的該內層或先前層中，而該等外特徵24則是形成在象限I和III中。除了視圖應該旋轉90度外，此關係對於該內特徵30、32、34、36及形成在象限II和IV中的該等外特徵24而言是相同的。

第16圖是本文所揭露的內周期性結構23的一個例示實施例的一部分的放大視圖。如上方所注意的，該等內周期性結構23的各者均包括複數個群組38的內特徵及複數個群組43的內特徵。該等群組38包括兩個例示的內特徵30及兩個例示的內特徵32，而該等群組43的各者則包括兩個該第三內特徵34及兩個該第四內特徵36。

使用本文所揭露的該非對稱性AIM標記20的一個好處是相較於使用具有對稱性設計的先前技術AIM標記10所實施的重疊測量(如第1圖中所顯示者)，該重疊測量具有較小雜訊(less noisy)。第17圖是繪示導源於第2圖中所顯示的該非對稱性AIM標記20的該例示實施例的重疊測量(也就是，該實施例)的波形的模擬的圖形，其中，各個群組38均包括兩個該內特徵30和兩個該內特徵32。第18圖是反映使用對稱性先前技術AIM標記10(如第1圖中所顯示者)所實施的重疊測量程序的類似圖形。在第17和18圖中，水平軸代表於透過該圖案化蝕刻遮罩實施蝕刻程序前，圖案化蝕刻遮罩中的該內特徵以及該蝕刻遮罩特徵的位置(或座標)，而垂直軸則代表空中(aerial)影像強度。如本領域中的熟習技術者將認識到的，第17圖中的製圖44和46分別為「相反左(reverse left)」和「右」製圖，其用來決定或計算重疊。類似地，第18圖中的製圖48和50分別為「相反左」和「右」製圖。參照第17圖，當使用本文所揭露的該非對稱性AIM標記20時，該相反左製圖44和該右製圖46具有基本上相同的組構。該「相反左」與「右」製圖之間的此類似性，是對比於當使用先前技術對稱性配置的標記時，第18圖中所顯示的該「相反左」製圖48與該「右」製圖50之間的不類似本質。因此，當使用本文所揭露的該非對稱性AIM標記20時，當特定重疊偏移發生在第一方向(例如，Y方向)中時，使用本文所揭露的該非對稱性標記20，位在象限II和IV(X-中心線40的相對側面上)中的該等群組38、41、43(如該案例所可能的-其包括該各種特徵，例如，在不同實施例中的30、32、34、36)將偵測Y-方向中的任何偏移，並且提供一致性測量，只要該波形44、46是類似的。類似地，當使用本文所揭露的該非對稱性AIM標記20時，當特定重疊偏移已經發生在X方向(正交於Y方向)中時，位於象限I和III(在Y-中心線42的相對側面上)中的該等群組38、41、43(如該案例所可能的-其包括該各種特徵，例如，不同實施例中的30、32、34、36)將偵測到X-方向中的偏移。

第19和20圖提供該新穎性非對稱性標記20是如何用來補償各種生產特徵中的CD(臨界尺寸)錯誤的範例。在一個實施例中，此是藉由使用邊緣佈局策略(edge placement strategy)(如第20圖中所顯示的)來加以達成，相較於聚焦於用於該特徵的中心對準策略(center aligned stragegy)(如第19圖中所顯示的)，該邊緣佈局策略用來對準該特徵。在此範例中，將討論使用包括兩個例示的內特徵30、32(見第2圖)的非對稱性AIM標記20的例示實施例。

第19圖的上部分繪示該先前形成的內特徵30和32(在該內層中)以及在圖案化蝕刻遮罩(未顯示)中適當對準該光阻特徵經確認後將形成在該現有層中的外特徵54(相對於該先前形成的內特徵30、32)，該圖案化蝕刻遮罩對應於該外特徵54。該特徵是形成在目標中心線51上，並且所有該特徵30、32和54是形成以達到CD尺寸。內特徵32的理想CD是32A。在這種情況下，該特徵具有目標邊緣至邊緣間隔53。第19圖的下部分繪示該內特徵32是形成具有大於該內特徵32的該目標CD 32A的CD 32Y的情況。其結果就是，該內特徵32與該外特徵54之間的該邊緣至邊緣間隔現在是53X，其為小於在這種特徵之間的該目標邊緣至邊緣間隔53的尺寸。

對比之下，第20圖繪示使用邊緣佈局策略來對準該特徵以對照上方所描述的中心對準策略的情況。和之前一樣，第20圖的上部分繪示該先前形成的內特徵30和32以及在圖案化蝕刻遮罩(未顯示)中適當對準該光阻特徵經確認後將形成在該現有層中的外特徵54(相對於該先前形成的內特徵30、32)，該圖案化蝕刻遮罩對應於該外特徵54。第20圖的上部分繪示形成在該目標中心線51上的該特徵，其中，所有該特徵30、32和54均是形成至它們個別的目標CD尺寸。內特徵32的理想CD是32A。在這種情況下，該特徵具有目標邊緣至邊緣間隔53。第20圖的下部分繪示該內特徵32是形成具有大於該內特徵32的該目標CD 32A的CD 32Y。該外特徵54的虛線位置反映將使用中心對準策略形成該外特徵54的位置。和之前一樣，由於該內特徵32的增加的CD 32Y，因此，使用中心對準方案將在該外特徵54與內特徵32之間導致不可接受的邊緣至邊緣間隔53X。然而，使用本文所揭露的新穎性邊緣佈局策略，該外特徵54(以實線指示)主要地偏移至第20圖的左方。此導致該邊緣至邊緣間隔53Y小於該目標邊緣至邊緣間隔53，但仍是可接受的。注意該邊緣至邊緣間隔53Y是大於該不可接受的邊緣至邊緣間隔53X(其產生於使用中心對準策略時)。額外地，該邊緣至邊緣間隔55也小於該目標邊緣至邊緣間隔53，但仍在程序限制內。其結果就是，該內特徵32與該外特徵54之間的該邊緣至邊緣間隔現在是53X，其是小於這些特徵之間的該目標邊緣至邊緣間隔53的尺寸。

如本領域中的熟習技術者於完全閱讀本申請後將體會到的，有一些本文所揭露的新穎性發明。本文所揭露的重疊標記的一個例示範例包括四個象限(I-IV)及朝第一方向延伸的第一中心線40，其中，集合地考量的象限I和II與集合地考量的象限III和IV是位在該第一中心線40與第二中心線42(其朝與該第一方向正交的第二方向延伸)的相對側面上，其中，集合地考量的象限I和1V與集合地考量的象限II和III是位在該第二中心線42的相對側面上。在此範例中，該重疊標記也包括形成在該四個象限的各者中的內周期性結構23及外周期性結構25，其中，該外周期性結構25包括複數個外特徵24，其中，該內周期性結構23包括複數個第一內群組38，該等第一內群組38的各者均包含複數個第一內特徵30，各個第一內群組38被轉向，使得各個第一內群組38與該等外特徵24的選定一者之間有末端至末端間隔關係。

在其它實施例中，象限II和IV中的該等內周期性結構23相對於該第一中心線40及該重疊標記的中心26是非對稱性地設置，而象限I和III中的該等內周期性結構23相對於該第二中心線42及該重疊標記的該中心26是非對稱性地設置。

在另外其它實施例中，本文所揭露的重疊標記包括四個象限(I-IV)、朝第一方向延伸的第一中心線40，其中，集合地考量的象限I和II與集合地考量的象限III和IV是位在該第一中心線40與第二中心線42(其朝與該第一方向正交的第二方向延伸)的相對側面上，其中，集合地考量的象限I和1V與集合地考量的象限II和III是位在該第二中心線42的相對側面上。在此範例中，該標記復包括內周期性結構23及形成在該四個象限的各者中的外周期性結構25，其中，該外周期性結構25包括複數個外特徵24，其中，該內周期性結構23包括複數個第一內群組38，該等第一內群組38的各者均包括複數個第一內特徵30，並且其中，象限II和IV中的該等內周期性結構23相對於該重疊標記的該第一中心線40是非對稱性地設置，而象限I和III中的該等內周期性結構23相對於該重疊標記的該第二中心線42是非對稱性地設置。

在該重疊標記的另外實施例中，象限II和IV中的該等內周期性結構23相對於該第一中心線40(當繞著該中心線40旋轉並且彼此相對並列時)是彼此的非鏡面影像，而象限I和III中的該等內周期性結構23相對於該第二中心線42(當繞著該中心線42旋轉並且彼此相對並列時)是彼此的非鏡面影像。

上方所揭露的該特別實施例僅是例示的，因為該發明可以對於具有本文的教示的利益的本領域中的熟習技術者是明顯的不同但均等的方式加以修飾及實踐。上方所提出的該程序步驟可以不同次序實施。再者，不意圖限制本文所顯示的建構或設計的細節，除了下方申請專利範圍中所描述的外。因此，明確地，上方所揭露的該特別實施例可加以改變或修飾，並且所有這種變化均應視為在該發明的範圍和精神內。注意術語的使用，例如，用來在說明書中及在該附加的申請專利範圍中用來描述各種程序或結構的「第一」、「第二」、「第三」或「第四」，僅是用作這些步驟/結構的速記參照，而不必然暗示這種步驟/結構就是以那種循序的順序加以實施/形成。當然，視精確的申請專利範圍用語而定，可能需要或可能不需要這種程序的循序順序。因此，本文所尋求的保護是提出在下方的申請專利範圍中。

20‧‧‧非對稱性先進成影計量標記、非對稱性AIM標記

22‧‧‧半導體基底、基底

23‧‧‧內周期性結構

24‧‧‧外特徵

24A‧‧‧虛線區域

25‧‧‧外周期性結構

26‧‧‧中心

30、32‧‧‧內特徵

35‧‧‧末端-至-末端間隔

38‧‧‧群組、第一群組、第一內群組

40‧‧‧第一中心線

42‧‧‧第二中心線

I、II、III、IV‧‧‧象限

X、Y‧‧‧方向

Claims

一種重疊標記，包含由數值I、II、III和IV所分別參照的四個象限，該重疊標記包含：第一中心線，朝第一方向延伸，其中，集合地考量的象限I和II以及集合地考量的象限III和IV是位在該第一中心線的相對側面上；第二中心線，朝正交於該第一方向的第二方向延伸，其中，集合地考量的象限I和IV以及集合地考量的象限II和III是位在該第二中心線的相對側面上；以及四個內周期性結構及四個外周期性結構，其中，該四個象限的各者均包括該四個內周期性結構的一者以及該四個外周期性結構的一者，並且其中，該等外周期性結構的各者均包含複數個外特徵，其中，該等內周期性結構的各者均包含複數個第一內群組，該等第一內群組的各者均包含複數個第一內特徵，該等第一內群組的各者被轉向，使得該等第一內群組的各者與該等外特徵的一者之間有末端至末端間隔關係，其中，在象限II和IV中的該等內周期性結構是相對於該第一中心線和該重疊標記的中心而非對稱性地設置。
如申請專利範圍第1項所述之重疊標記，其中，該複數個第一內群組的各者進一步包含複數個第二內特徵。
如申請專利範圍第2項所述之重疊標記，其中，該複數個第一內特徵代表生產晶粒中所形成的複數個第一結構，而該複數個第二內特徵代表該生產晶粒中所形成的複數個第二結構。
如申請專利範圍第3項所述之重疊標記，其中，該複數個第一結構和該複數個第二結構為相同類型的結構。
如申請專利範圍第2項所述之重疊標記，其中，該複數個第一內特徵是位在第一層中，而該複數個第二內特徵是位在第二層中，該第二層是位在該第一層之上。
如申請專利範圍第2項所述之重疊標記，其中，該複數個第一內特徵和該複數個第二內特徵是在實質上相同時間形成。
如申請專利範圍第1項所述之重疊標記，其中，在象限I和III中的該等內周期性結構是相對於該第二中心線和該重疊標記的該中心而非對稱性地設置。
如申請專利範圍第1項所述之重疊標記，其中，該等內周期性結構的各者進一步包含複數個第二內群組，該等第二內群組的各者均包含複數個第三內特徵，該等第二內群組的各者被轉向，使得該等第二內群組的各者與該等外特徵的一者之間有末端至末端間隔關係。
如申請專利範圍第8項所述之重疊標記，其中，該複數個第二內群組的各者進一步包含複數個第四內特徵。
如申請專利範圍第8項所述之重疊標記，其中，該複數個第三內特徵代表生產晶粒中所形成的複數個第三結構，其中，相較於該第一和第二結構，該第三結構為不同類型的結構，並且其中，該第一內特徵是形成在第一層中，該第二內特徵是形成在位在該第一層之上的第二層中，並且該第三內特徵是形成在位在該第二層之上的第三層中。
如申請專利範圍第8項所述之重疊標記，其中，該複數個第三內特徵代表生產晶粒中所形成的複數個第三結構，其中，相較於該第一和第二結構，該第三結構為相同類型的結構。
如申請專利範圍第8項所述之重疊標記，其中，該複數個第二內特徵和該複數個第三內特徵在實質上相同時間形成。
一種重疊標記，包含由數值I、II、III和IV所分別參照的四個象限，該重疊標記包含：第一中心線，朝第一方向延伸，其中，集合地考量的象限I和II以及集合地考量的象限III和IV是位在該第一中心線的相對側面上；第二中心線，朝正交於該第一方向的第二方向延伸，其中，集合地考量的象限I和IV以及集合地考量的象限II和III是位在該第二中心線的相對側面上；以及四個內周期性結構和四個外周期性結構，其中，該四個象限的各者均包括該四個內周期性結構的一者和該四個外周期性結構的一者，並且其中，該等外周期性結構的各者均包含複數個外特徵，其中，該等內周期性結構的各者均包含複數個第一內群組，該等第一內群組的各者均包含複數個第一內特徵，並且其中，在象限II和IV中的該等內周期性結構是相對於該重疊標記的該第一中心線而非對稱性地設置，而象限I和III中的該等內周期性結構是相對於該重疊標記的該第二中心線而非對稱性地設置。
如申請專利範圍第13項所述之重疊標記，其中，在象限II和IV中的該等內周期性結構相對於該第一中心線是彼此的非鏡面影像，而象限I和III中的該等內周期性結構相對於該第二中心線是彼此的非鏡面影像。
如申請專利範圍第14項所述之重疊標記，其中，該等第一內群組的各者被轉向，使得該等第一內群組的各者與該等外特徵的一者之間有末端至末端間隔關係。
如申請專利範圍第13項所述之重疊標記，其中，該複數個第一內群組進一步包含複數個第二內特徵。
如申請專利範圍第16項所述之重疊標記，其中，該內周期性結構進一步包含複數個第二內群組，該等第二內群組的各者均包含複數個第三內特徵，該等第二內群組的各者被轉向，使得該等第二內群組的各者與該等外特徵的一者之間有末端至末端間隔關係。
如申請專利範圍第17項所述之重疊標記，其中，該複數個第二內群組的各者進一步包含複數個第四內特徵。
如申請專利範圍第17項所述之重疊標記，其中，該複數個第三內特徵是在該複數個第一內特徵形成後及該複數個第二內特徵形成後形成。