TWI760059B - 電子裝置之電路的修補方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種電子裝置之電路的修補方法，其包括以下步驟： (a)面對面地對應鍵合一線路載板之一線路圖案上的複數電氣接點及一電子裝置上的複數電極，該電子裝置具有一元件載板、一配置於該元件載板上的電子元件，及該等電連接於該電子元件之電極；及(b)於彼此對應鍵合之電氣接點與電極間的一間隙處引入一含有複數奈米金屬粒子的導電性流體，以令該等奈米金屬粒子分別填充該等間隙且接觸各自所對應的電氣接點與電極。

Description

電子裝置之電路的修補方法
本發明是有關於一種電子裝置之修補方法，特別是指一種電子裝置之電路的修補方法。
電路的完整性與否將嚴重地影響著電子裝置的運作能力，而隨著近幾年電子裝置之輕薄短小化的進展趨勢，電子裝置之電路的線寬亦隨之下降，其所相應衍生的電路不完整性等問題亦更受到業界的重視。
如中華民國第200744413公開號發明專利案(以下稱前案1)便公開一種電路板之線路修補方法。前案1所揭示的技術手段，是利用微陽極電鍍法(microanode electroplating)或微沉積等技術來修補一電路板10上的線路。詳細來說，該前案1之線路修補方法可分成兩種條件。
如圖1所示，當該電路板10上已依序配置有一導電層11與一線路層12，且該線路層12內形成有一影響電性導通並裸露出該導電層11的開路缺陷120時，該開路缺陷120是利用將一對分別位於該線路層12與鄰近該開口缺陷120處的微電極13來實施微陽極電鍍法，從而在該開口缺陷120處修補出一線路段121。
如圖2與圖3所示，當該電路板10上未配置有該導電層11而僅配置有該線路層12，且該線路層12內形成有該影響電性導通的開路缺陷120時，是先在該開路缺陷120處使用一含有金屬離子、還原劑、催化劑、錯合劑、安定劑、緩衝劑、濕潤劑與光澤劑的微液滴(micro-droplat)14來進行微沉積(化學鍍)，以在該開路缺陷120處先形成該導電層11，並利用該對微電極13繼續於該導電層11與該線路層12上實施微陽極電鍍以修補出該線路段121。
雖然前案1的做法能夠修補該線路層12中的開口缺陷120，以提供該線路層12的完整性。然而，不論是微陽極電鍍或是利用微液滴實施微沉積等技術手段，皆須使用到顯微尺度的相關設備才足以準確地對該線路層12之開口缺陷120進行修補。對於所屬技術領域中的相關技術人員而言，其修補手段不僅所需設備較為繁複之外，所須耗費的時間成本也相對高，對於量產化的修補的貢獻度來說相當有限。
經上述說明可知，簡化電子裝置之線路的修補方法並降低修補方法的設備成本與時間成本，是本案所屬技術領域中的相關技術人員有待解決的課題。
因此，本發明的目的，即在提供一種修補手段簡化且成本低廉之電子裝置之電路的修補方法。
於是，本發明電子裝置之電路的修補方法，包括以下步驟：一步驟(a)，面對面地對應鍵合一線路載板之一線路圖案上的複數電氣接點及一電子裝置上的複數電極，該電子裝置具有一元件載板、一配置於該元件載板上的電子元件，及該等電連接於該電子元件之電極；及一步驟(b)，於彼此對應鍵合之電氣接點與電極間的一間隙處引入一含有複數奈米金屬粒子的導電性流體，以令該等奈米金屬粒子分別填充該等間隙且接觸各自所對應的電氣接點與電極。
本發明的功效在於：利用該含有奈米金屬粒子之導電性流體、各自所對應鍵合之電極與電氣接點，及其間隙之間所構成的毛細現象，令該導電性流體得以藉由其自身的附著力自發性地被引進間隙內使其奈米金屬粒子一併被帶入間隙中來填補間隙，無需使用到微米尺度等相關設備，從而節省設備成本與時間成本。
本發明電子裝置之電路的修補方法的一實施例，包括一步驟(a)及一步驟(b)。
參閱圖8與圖9，該步驟(a)是面對面地對應鍵合一線路載板2之一線路圖案21上的複數電氣接點(見圖4與圖5)22及一電子裝置3上的複數電極33(見圖6與圖7)；其中，該電子裝置3具有一元件載板31、一配置於該元件載板31上的電子元件32，及該等電連接於該電子元件32之電極33。細部地說，如圖10所示，在實施該步驟(a)時，部分各自彼此對應鍵合的電氣接點22與電極33間形成有一影響電性導通的間隙4。在本發明該實施例中，該元件載板31上的電子元件32只是以一微發光二極體陣列(以下稱MicroLEDs array)為例作說明，但本發明該實施例之電子元件32並不以此為限。
參閱圖11，該步驟(b)是於彼此對應鍵合之電氣接點22與電極33間的間隙4處引入一含有複數奈米金屬粒子511的導電性流體5，以令該等奈米金屬粒子511分別填充該等間隙4且接觸各自所對應的電氣接點22與電極33。此處須說明的是，本發明該實施例之步驟(b)是以毛細現象來引入該等奈米金屬粒子511。換句話說，含有該等奈米金屬粒子511的導電性流體5可以是液態或氣態，該等奈米金屬粒子511可透過該流體作為載體以利用載體自身的附著力自發性地引進各自對應之電氣接點22與電極33間的間隙4內，並藉此填補各間隙4令該等奈米金屬粒子511上下接觸各電氣接點22與電極33。
較佳地，本發明該實施例於該步驟(b)後還包含一烘乾該導電性溶液的步驟(c)；該步驟(b)之導電性流體5是一導電性溶液51，且該導電性溶液51具有一至少小於10000 cP之黏滯係數(η)。更佳地，該步驟(b)之導電性溶液51的黏滯係數(η)至少小於6000 cP，且該步驟(b)之導電性溶液51中的奈米金屬粒子511具有一介於10 nm至100 nm間的平均粒徑，該步驟(b)之導電性溶液51的固含量介於10%至40%間；該步驟(c)是以一介於100 ˚C至200 ˚C間的溫度範圍與一介於10分鐘至120分鐘間的時間範圍來固化實施。在本發明該實施例中，該導電性溶液51是使用產自Electroninks Inc.之型號為EI-914的銀基墨水(Ag-based ink)。具體來說，該導電性溶液51是被填置於如圖11所示的一針筒6內，並透過該針筒6將該導電性溶液51引入到各間隙4處使該等奈米金屬粒子511填充於各間隙4後，再對該導電性溶液51施予120 ˚C持溫30分鐘的固化。
由圖12顯示可知，本發明該實施例在實施該步驟(b)前，彼此面對面鍵合的該線路載板2與該電子裝置3之MicroLEDs array經輸入一電源後，仍有多數像素點無法被該電源點亮。反觀圖13可知，本發明該實施例在實施完該步驟(b)與該步驟(c)後，該MicroLEDs array中的像素點幾乎被該電源點亮。
經圖12與圖13所顯示之電性檢測結果可知，本發明該實施例利用該含有奈米金屬粒子511之導電性流體5、各自所對應鍵合之電極33與電氣接點22，及其間隙4之間所構成的毛細現象，可令該導電性流體5藉由其自身的附著力自發性地被引進間隙4內使其奈米金屬粒子511一併被帶入間隙4中來填補間隙4，無需使用到微米尺度等相關設備，不僅能節省設備成本，亦能降低時間成本。
綜上所述，本發明電子裝置之電路的修補方法僅須透過毛細現象即可完成線路的修補程序，無需使用到微米尺度等相關設備，不僅能節省設備成本，亦能降低時間成本，故確實能達成本發明的目的。
惟以上所述者，僅為本發明的實施例而已，當不能以此限定本發明實施的範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋的範圍內。
2:線路載板 21:線路圖案 22:電氣接點 3:電子裝置 31:元件載板 32:電子元件 33:電極 4:間隙 5:導電性流體 51:導電性溶液 511:奈米金屬粒子 6:針筒
本發明的其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中： 圖1是一正視示意圖，說明中華民國第200744413公開號發明專利案(以下稱前案1)所公開的電路板之線路修補方法的一實施例； 圖2是一正視示意圖，說明該前案1之線路修補方法的另一實施例； 圖3是一正視示意圖，說明該前案1之線路修補方法的該另一實施例； 圖4是一立體圖，說明本發明電子裝置之電路的修補方法的一實施例所使用之一線路載板； 圖5是圖4的一正視圖； 圖6是一立體圖，說明本發明該實施例之修補方法所使用的一電子裝置； 圖7是圖6的一正視圖； 圖8是一立體圖，說明本發明該實施例之修補方法的一步驟(a)； 圖9是圖8的一局部正視圖； 圖10是圖9的一局部放大圖； 圖11是一正視示意圖，說明本發明該實施例之修補方法的一步驟(b)； 圖12一影像圖，說明本發明該實施例於修補前之電子裝置通電後的實施態樣；及 圖13一影像圖，說明本發明該實施例於修補後之電子裝置通電後的實施態樣。
2:線路載板
21:線路圖案
22:電氣接點
33:電極
4:間隙
5:導電性流體
51:導電性溶液
511:奈米金屬粒子
6:針筒

Claims (8)

  1. 一種電子裝置之電路的修補方法，其包含以下步驟：一步驟(a)，面對面地對應鍵合一線路載板之一線路圖案上的複數電氣接點及一電子裝置上的複數電極，該電子裝置具有一元件載板、一配置於該元件載板上的電子元件，及該等電連接於該電子元件之電極，該電子元件是一微發光二極體陣列；及一步驟(b)，於彼此對應鍵合之電氣接點與電極間的一間隙處引入一含有複數奈米金屬粒子的導電性流體，以令該等奈米金屬粒子分別填充該等間隙且接觸各自所對應的電氣接點與電極；其中，該步驟(b)之導電性流體是一導電性溶液，且該導電性溶液是銀基墨水。
  2. 如請求項1所述的電子裝置之電路的修補方法，其中，該導電性溶液具有一至少小於10000cP之黏滯係數(η)。
  3. 如請求項2所述的電子裝置之電路的修補方法，其中，該步驟(b)之導電性溶液的黏滯係數(η)至少小於6000cP。
  4. 如請求項2所述的電子裝置之電路的修補方法，其中，該步驟(b)之導電性溶液中的奈米金屬粒子具有一介於10nm至100nm間的平均粒徑。
  5. 如請求項2所述的電子裝置之電路的修補方法，其中，該步驟(b)之導電性溶液的固含量介於10%至40%間。
  6. 如請求項1所述的電子裝置之電路的修補方法，其中，該步驟(b)是以毛細現象來引入該等奈米金屬粒子。
  7. 如請求項2所述的電子裝置之電路的修補方法，於該步驟(b)後還包含一步驟(c)，該步驟(c)是烘乾該導電性溶液。
  8. 如請求項7所述的電子裝置之電路的修補方法，其中，該步驟(c)是以一介於100℃至200℃間的溫度範圍與一介於10分鐘至120分鐘間的時間範圍來固化實施。
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