TWI759552B - 濺鍍靶 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種不易產生異常放電的濺鍍靶。一種濺鍍靶，其具有Lab表色系中的明度L超過27且為51以下的濺鍍面。

Description

濺鍍靶
本發明是有關於一種濺鍍靶。
近年來，作為可均勻地大面積成膜的方法，濺鍍得到使用。濺鍍是構成液晶顯示器、有機電致發光(Electroluminescence，EL)顯示器等的薄膜或光記錄領域、半導體領域中的配線膜等的製作的主流。於濺鍍中，使用被稱為濺鍍靶的、被加工成平板形等形狀的材料。
作為濺鍍中的課題，存在成膜過程中產生的異常放電。尤其於為了提升成膜速度而對靶施加有高電壓的情況下容易產生異常放電；若產生異常放電，則存在靶表面熔融、飛散、飛散的粒子附著於基板的情況。結果，產品良率下降。尤其是，若產生被稱為強電弧(hard arc)的顯著大的異常放電，則存在用以避免對裝置的過大的負荷的聯鎖(interlock)進行動作，而陷入成膜製程停止的狀態；或強電弧發生後，繼續產生異常放電的狀態的情況。
先前，作為導致異常放電的產生的因素(parameter)，考慮到濺鍍靶的表面凹凸。例如，藉由將濺鍍靶的表面凹凸設定為規定的值來防止異常放電並防止靶表面的熔融(專利文獻1)。 若具體敘述，則於利用日本工業標準(Japanese industrial standard，JIS)B0601(2001)中規定的方法對濺鍍靶的濺鍍面的表面粗糙度進行測定時，算術平均粗糙度Ra為1.50μm以下，最大高度Rz為10μm以下，並且，於將粗糙度曲線中自中心線至波峰或波谷的高度超過(0.5×Rz)的峰值高度分別設為P或Q，並於基準長度100mm中依次計數P及Q時，P、緊隨其後出現的Q及緊隨其後出現的P之間的間隔L的平均值為0.4mm以上。藉此，防止了靶表面的熔融。
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-127189號公報
然而，於先前的濺鍍靶中，即使為了有效果地減少表面凹凸的異常放電，而以使與靶表面的凹凸相關聯的算術平均粗糙度Ra等成為規定的範圍的方式對濺鍍靶進行製造，仍無法充分地減少強電弧。
本發明是為了解決所述課題而成，目的在於提供一種不易產生異常放電尤其是強電弧的濺鍍靶。
為了解決所述課題，本發明的濺鍍靶具有Lab表色系中的明度L超過27且為51以下的濺鍍面。
根據本發明的濺鍍靶，即使為了提升成膜速度而對靶施加高電壓，亦可一面防止異常放電一面進行濺鍍。
而且，於一實施方式的濺鍍靶中，濺鍍面的500nm的波長下的正反射率為3.0%以下。
所述實施方式的濺鍍靶可適度地殘留成為濺鍍的契機的凸部，並可於施加有高電壓時或濺鍍初始階段穩定地進行濺鍍。
而且，於一實施方式的濺鍍靶中，濺鍍面的1000nm的波長下的正反射率為5.0%以下。
所述實施方式的濺鍍靶可適度地殘留成為濺鍍的契機的凸部，並可於施加有高電壓時或濺鍍初始階段穩定地進行濺鍍。
而且，於一實施方式的濺鍍靶中，濺鍍面為研磨面。
所述實施方式的濺鍍靶可將濺鍍面設為藉由研磨加工而得的研磨面，所以可容易地進行製造。
而且，於一實施方式的濺鍍靶中，靶材包括純Al或Al合金。
由於異常放電的產生，自靶表面飛出熔融的靶材而使數μm的大小的粒子附著於基板上的「飛濺(splash)」容易於低熔點的金屬中產生。因此，於由純Al或Al合金等熔點比較低的材料形成濺鍍靶時，擔心飛濺的發生，但根據本發明，於靶材使用純Al或Al合金的濺鍍靶中，可有效果地減少飛濺的發生。
根據本發明，提供一種不易產生異常放電的濺鍍靶。
1:濺鍍靶
2:靶材
3:濺鍍面
4:研磨材
6:背板
A:箭頭
圖1是本發明的一實施方式的濺鍍靶的自上方觀察的透視圖。
圖2A是對濺鍍靶的製造方法進行說明的說明圖。
圖2B是對濺鍍靶的製造方法進行說明的說明圖。
本發明者鑒於所述課題，對導致濺鍍靶中的異常放電的產生的除表面凹凸以外的因素進行了研究，結果新發現：於濺鍍靶的表面的Lab表色系的明度L與異常放電的產生之間存在相關。並且，進而，對不易產生異常放電的濺鍍靶的表面的Lab表色系的明度L的範圍進行了研究，結果發現：於明度L處於超過27且為51以下的範圍時，強電弧的產生得到減少。
本發明中，藉由將明度L設定為所述值而能夠獲得不易產生異常放電的濺鍍靶的原因，詳細而言尚不明確，但認為是：不造成表面粗糙度的濺鍍面的微細的凹凸的有無、凹凸形狀等產生了影響。認為：藉由將濺鍍靶的濺鍍面的明度L設為51以下，能夠抑制濺鍍面的凹凸，尤其是凸部導致的異常放電的產生。而且，認為：藉由濺鍍靶的濺鍍面的明度L超過27，而於濺鍍面殘留微細的凹凸，藉此，能夠維持濺鍍開始時的放電穩定性。
以下，藉由圖示的實施方式對本發明進行更詳細的說明。
圖1是本發明的一實施方式的濺鍍靶的自上方觀察的透視圖。圖2A及圖2B是對濺鍍靶的製造方法進行說明的說明圖。
如圖1所示，本發明的一實施方式的濺鍍靶1具有靶材2及接合於靶材2的下表面的背板6。靶材2形成為長條狀的板狀。濺鍍面3包括由短邊及長邊規定的上表面，濺鍍面3的Lab表色系中的明度L超過27且為51以下。本案發明中的明度L既可為濺鍍面3的多個任意的點的明度L的平均值，亦可為任意的一點的明度L的值，尤其，較佳為濺鍍面3整個面的明度L的最小值超過27，最大值為51以下，更佳為28以上且50以下，尤佳為32以上且48以下，特佳為35以上且46以下。此處，本案發明的明度L是漢特(Hunter)表色系中的明度L，例如表示利用Z-300A(日本電色工業股份有限公司製造)等色差儀所測定的明度。
靶材2的形狀及尺寸並無特別限制，可使用具有適合於各種用途的任意形狀及尺寸的靶材2。如圖1所示，於靶材2形成為具有長方形的濺鍍面3的板狀的情況下，長方形的濺鍍面3的長邊方向的長度及短邊方向的長度既可相同，亦可不同。
於靶材2形成為具有長方形的濺鍍面3的板狀的情況下，背板6與靶材2同樣地形成為具有長方形的上表面的板狀。此時，背板6的短邊及長邊的長度並無特別限定，亦可分別較靶材2的短邊及長邊長。而且，亦可如圖1中所示的靶材2與背板6的短邊般，背板6的短邊及長邊的長度分別與靶材2的短邊及長邊為相同的長度。而且，背板6的短邊及長邊的長度亦可分別較 靶材2的短邊及長邊的長度稍短。
另外，濺鍍靶1亦可形成為具有圓形的濺鍍面3的圓板狀。此時，靶材2形成為圓板狀。於將靶材2形成為圓板狀的情況下，靶材2的形狀及尺寸並無特別限制，可使用具有適合於各種用途的任意形狀及尺寸的靶材2。而且，於將靶材2形成為圓板狀的情況下，背板6可形成為具有圓形的上表面的圓板狀，所述圓形的上表面具有較靶材2的上表面大或相同或者稍小的直徑。
而且，於另一實施方式中，濺鍍靶為圓筒形。圓筒形的濺鍍靶包括圓筒形的靶材及插入至所述靶材的內部的圓筒形的背管(backing tube)，或者包括圓筒形的靶材及安裝於其兩端的凸緣(flange)或蓋(cap)構件或接頭(adapter)構件。於為圓筒形的靶的情況下，圓筒的外周部成為濺鍍面。
而且，於另一實施方式中，濺鍍靶為相當於背板的部分與相當於靶材的部分由相同的材料形成為一體的一體型。於一體型的濺鍍靶中，背板與靶材是由相同的材料一體形成，所以無需進行接合步驟，可使製造步驟簡易化。
靶材2的材料並無特別限定，例如可使用Al、Cu、Cr、Fe、Ta、Ti、Zr、W、Mo、Nb、Ag、Co、Ru、Pt、Pd、Ni及含有該些金屬的合金等。尤其，可將鋁(純度99.99%(4N)以上、較佳為純度99.999%(5N)以上的純Al)、鋁合金(作為添加元素，可列舉Si、Cu、Nd、Mg、Fe、Ti、Mo、Ta、Nb、W、Ni、Co等，較佳為含有Si、Cu作為添加元素，而且，除去添加元素的母材的 Al純度為99.99以上%，較佳為99.999%以上)，或銅(純度99.99%(4N)以上)較佳地用作形成靶材2的材料。
對於背板6，較佳為使用具有較靶材2的硬度大的硬度的金屬，例如可使用Cu、Cr、Al、Ti、W、Mo、Ta、Nb、Fe、Co、Ni及含有該些金屬的合金等。尤其，可將銅(無氧銅)、鉻銅合金、鋁合金等較佳地用作形成背板6的材料。
於為純Al或Al合金般低熔點的金屬的情況下，若發生異常放電，則容易產生自靶表面飛出熔融的金屬成分而數μm的大小的粒子附著於基板上的被稱為「飛濺(splash)」的現象。但是，根據本發明，即便於將純Al或Al合金般低熔點的金屬用於靶材的情況下，亦可有效率地減少異常放電或強電弧。
於濺鍍時，藉由濺鍍而離子化的惰性氣體衝撞靶材2的濺鍍面3。自衝撞有離子化的惰性氣體的濺鍍面3會叩擊出靶材2中所含的靶原子。所述叩擊出的靶原子堆積於與濺鍍面3相向配置的基板上，於所述基板上形成薄膜。為了提升所述薄膜的成長速度，通常需要對靶施加高電壓，但藉由本案發明中濺鍍面3的明度L超過27且為51以下，可減少施加高電壓所導致的異常放電、尤其是強電弧的產生，所以可改善產品良率。進而，於本案發明的濺鍍靶的製造中應控制的因素只有明度L，所以製造及良品檢查容易。
而且，本案的濺鍍靶的濺鍍面的500nm的波長下的正反射率較佳為3.0%以下。藉由濺鍍面的500nm的波長下的正反 射率為3.0%以下，可於濺鍍靶的製造步驟中藉由研磨加工來進行精加工，所以可容易地進行製造。而且，藉由將500nm的波長下的正反射率設為3.0%以下，可適度地殘留成為濺鍍的契機的凸部，從而可於施加有高電壓時或濺鍍初始階段穩定地進行濺鍍。
而且，本案發明的濺鍍靶的濺鍍面的1000nm的波長下的正反射率較佳為5.0%以下。藉由濺鍍面的1000nm的波長下的正反射率為5.0%以下，可於濺鍍靶的製造步驟中藉由研磨加工來進行精加工，所以可容易地進行製造。而且，藉由將1000nm的波長下的正反射率設為5.0%以下，可適度地殘留成為濺鍍的契機的凸部，從而可於施加有高電壓時或濺鍍初始階段穩定地進行濺鍍。
而且，本案發明的濺鍍靶的濺鍍面的算術平均粗糙度Ra為大於0μm且小於等於2.0μm，較佳為0.05μm以上且1.0μm以下，更佳為0.08μm以上且0.5μm以下，尤佳為0.1μm以上且0.4μm以下。若濺鍍面的算術平均粗糙度Ra為所述範圍，則可進一步減少施加高電壓所導致的異常放電尤其是強電弧產生的風險，而且，可於濺鍍初始階段穩定地進行濺鍍。此處，所述算術平均粗糙度Ra可藉由JIS B0601(2001)中規定的方法來測定。
而且，本案發明的濺鍍靶的濺鍍面的最大高度Rz為大於0μm且小於等於10.0μm，較佳為0.25μm以上且8.0μm以下，更佳為0.5μm以上且5.0μm以下，尤佳為1.0μm以上且3.0μm以下。若濺鍍面的最大高度Rz為所述範圍，則可進一步減少施加 高電壓所導致的異常放電尤其是強電弧產生的風險，而且，可於濺鍍初始階段穩定地進行濺鍍。此處，所述最大高度Rz可藉由JIS B0601(2001)中規定的方法來測定。
其次，對圖1中所示的平板形的濺鍍靶1的製造方法進行詳細說明。首先如圖2A所示，準備靶材2及對該靶材2進行固定的背板6。對靶材2，可使用利用壓延法、鍛造法、擠出法等將利用溶解鑄造法、噴射成形(spray forming)法、粉末冶金法等製作的金屬塊形成為板狀者。而且，靶材2較佳為成為濺鍍面的面平滑，較佳為實施利用銑刀(fraise)、車床等的機械加工或利用研削盤的研削加工。
其次，將靶材2固定於背板6。具體而言，進行將靶材2與背板6予以接合的接合。接合的溫度依存於接合方法、所使用的靶材2以及構成背板6的材料的種類而可多種多樣，例如，於藉由包括銦、錫或含有該些的合金的焊材來接合(焊接)利用純Al(純度99.999%)製成的靶材2與利用無氧銅(純度99.99%)製成的背板6的情況下，較佳為於150℃以上且300℃以下的溫度來實施。作為接合方法，亦可利用使用熱壓(hot press)或熱均壓法的擴散接合方法。而且，於靶材2為圓板狀的情況下，亦可使用主要由用以配置靶材2的圓環部構成的支撐構件。所述支撐構件較佳為具有使向濺鍍裝置的固定成為可能的凸緣部。靶材2可藉由鎢極鈍氣熔接(Tungsten Inert Gas welding，TIG熔接)或電子束熔接(Electron Beam welding，EB熔接)安裝於所述圓環狀 的支撐構件。
此處，亦可將靶材2與背板6由相同的材料形成為一體。一體型的濺鍍靶以如下方式獲得，即：針對利用壓延法、鍛造法、擠出法等將利用溶解鑄造法、噴射成形法、粉末冶金法等製作的金屬塊形成為板狀者，藉由機械加工將其成形為具有相當於背板的部分及相當於靶材的部分的形狀。一體型的濺鍍靶的、相當於靶材的部分的成為濺鍍面的面較佳為平滑，較佳為實施利用銑刀、車床等的機械加工或利用研削盤的研削加工。於一體型的濺鍍靶中，不需要所述接合步驟。
其次，如圖2B所示，對靶材2的濺鍍面3進行研磨。所述研磨是使用粒度號彼此不同的多個研磨材自小的粒度號至大的粒度號依次分多級進行。具體而言，於進行兩級研磨的情況下，於第一級的研磨中，沿著靶材2的長邊方向(箭頭A的方向)使研磨材4一面研磨一面移動。而且，於第二級的研磨中，使用具有較第一級的研磨材4的粒度號大的粒度號的研磨材，以與第一級同樣的方式進行研磨。另外，於進行三級以上的研磨的情況下，與前一級的研磨材的粒度號相比，加大後一級的研磨材的粒度號來進行研磨。於沿著長邊方向進行研磨時，既可使研磨材4上下移動、左右移動，亦可使其旋轉移動。而且，研磨的方向並不限定於長邊方向，亦可於其他方向進行研磨。
研磨中所使用的研磨材並無特別限定，例如可使用於紙或纖維基材塗佈有研磨顆粒的研磨材。尤其是較佳為使用思高布 萊特(Scotch Brite)(3M日本(3M Japan)股份有限公司製造)或科馬隆(kenmaron)(三共理化學股份有限公司製造)等使研磨顆粒含浸於尼龍等合成纖維的不織布中的研磨材。藉由使用不織布等氣孔率高且具有彈性的基材的研磨材，可防止自研磨材脫落的研磨顆粒引起的傷痕的產生，而且易於適應研磨面，從而易於抑制研磨的不均。而且，對於研磨顆粒並無特別限制，只要針對靶材的材質選擇具有充分的研磨力、硬度的研磨顆粒即可，於靶材為Al或Cu的情況下，例如可使用SiC或氧化鋁。另外，於本發明中，研磨材的研磨顆粒的粒度分佈及粒度號(粒度)的相關內容是依據JIS R 6001。研磨較佳為一面藉由抽吸或排氣以及吹氣(air blow)將研磨屑或脫落的研磨顆粒去除一面進行。藉此，可於不使研磨屑、脫落的研磨顆粒殘存於研磨面的情況下對靶材2進行研磨，所以可進一步防止產生深的傷痕或研磨面的粗糙，並進一步提升濺鍍面3的明度L的均勻性。藉由抽吸進行的研磨屑或脫落的研磨顆粒的除去，可藉由於集塵機中或集塵機附近實施或者使用帶集塵機構的研磨機來進行。
另外，研磨除了手工作業，亦可使用安裝有研磨材的研磨機來進行。作為研磨機較佳為使用軌道式砂磨機(Orbital sander)，但並不限定於此，亦可使用小角度砂磨機(mini angle sander)、盤式研磨機(Disc grinder)、帶式砂磨機(belt sander)等任意的研磨機。
其次，進行研磨後的表面的清洗。表面的清洗較佳為藉 由吹氣及利用醇(alcohol)進行的擦拭來進行。用於擦拭的溶劑並無特別限定，例如可使用乙醇、甲醇、異丙醇、丙酮、己烷、甲苯、二甲苯、二氯甲烷、乙酸乙酯等有機溶劑或市售的清洗劑等。藉此，製造圖1所示的濺鍍靶1。
另外，本發明的製造方法亦可包括所述步驟之外的任意的步驟。例如亦可於接合步驟與研磨步驟之間包括超音波探傷檢查(UT檢查)步驟或背板6的研磨步驟等。
根據所述製造方法，隨著靶材2的濺鍍面3的研磨中所使用的研磨材的粒度號推進至大的粒度號，靶材2的表面的明度下降。而且，可獲得濺鍍面3整體的明度的不均小且不易產生異常放電的濺鍍靶1。
如上所述，本案發明的濺鍍靶是以將算術平均粗糙度Ra、最大高度Rz及峰值高度的間隔L調整為規定的範圍的方式進行製造，與精加工後需要對該些進行測定的引用文獻1相比，可非常簡易地進行製造。
濺鍍靶1的評價是如下進行：使用色差儀及分光光度計分別對濺鍍面3的多個任意點的表面的明度L及正反射率進行測定，算出所測定的多個明度L及正反射率的平均值及標準偏差。本說明書中的標準偏差是指無偏變異u2的平方根即無偏標準偏差σn-1，藉由以下式表示：
Figure 107134106-A0305-02-0014-1
於所述內容中對圖1所示的平板形的濺鍍靶的製造方法進行了說明，關於圓筒形的濺鍍靶，亦可藉由同樣的方法製造於濺鍍中不易產生異常放電的濺鍍靶。以下，對本發明的一實施方式的圓筒形的濺鍍靶的製造方法進行說明。
準備包括金屬的圓筒形的靶材。圓筒形的靶材可藉由擠出法等自利用溶解鑄造法、噴射成形法、粉末冶金法等製作的金屬塊而成形。靶材較佳為成為濺鍍面的外周面不具有形變，較佳為實施利用車床的機械加工或利用研削盤的研削加工。於為使用背管的濺鍍靶的情況下，將靶材接合於背管。接合的溫度依存於接合方法、所使用的靶材以及構成背管的材料的種類而可多種多樣，例如，於藉由包括銦、錫或含有該些的合金的接合材來接合(焊接)利用高純度Al(純度99.99%~99.999%)製成的靶材及利用SUS 304製成的背管的情況下，較佳為於150℃以上且300℃以下的溫度來實施。
而且，於為安裝凸緣或蓋構件的濺鍍靶的情況下，藉由TIG熔接(Tungsten Inert Gas welding)或EB熔接(Electron Beam welding)將蓋或凸緣安裝於靶材的兩端。
關於研磨步驟、研磨後的表面的清洗步驟、其他任意的 步驟，能夠以與平板形的靶時同樣的方式實施。關於研磨步驟，可使用對紙或纖維基材塗佈有研磨顆粒的研磨材，並與平板形的靶時同樣地手工作業或使用研磨機來實施。所述研磨亦可使用粒度號互不相同的多個研磨材，自小的粒度號至大的粒度號依次分多級進行。具體而言，沿著靶材2的軸向使研磨材一面研磨一面移動。此時，既可一面使靶材旋轉一面使研磨材移動，亦可於固定著靶材的狀態下使研磨材移動。而且，進行研磨時，靶材的軸向既可成為水平，亦可相對於地面垂直。進而，亦能夠以易於進行研磨的角度傾斜。而且，於第二級的研磨中，使用具有較第一級的研磨材的粒度號大的粒度號的研磨材，與第一級同樣地進行研磨。另外，於進行三級以上的研磨的情況下，與前一級的研磨材的粒度號相比，加大後一級的研磨材的粒度號來進行研磨。沿著軸向進行研磨時，既可使研磨材上下移動，亦可使其左右移動，亦可使其旋轉移動。研磨的方向並不限定於軸向，亦可於其他方向進行研磨。
藉由所述步驟而製造的圓筒形濺鍍靶的評價與平板形的靶時相同，是如下進行：使用色差儀及分光光度計分別對多個任意點的表面的明度L及正反射率進行測定，算出所測定的多個明度L及正反射率的平均值及標準偏差。隨著靶材的濺鍍面的研磨中所使用的研磨材的粒度號推進至大的粒度號，靶材2的表面的明度下降，而且，可獲得濺鍍面3整體的明度的不均小且不易產生異常放電(尤其是強電弧)的濺鍍靶1。
(實施例1~實施例3、比較例1~比較例3)
將具有直徑2吋的圓形的濺鍍面、厚度3mm的靶材2與包括無氧銅(純度：99.99%)的背板6於200。℃下焊接，形成了濺鍍靶1。作為靶材2，使用由維氏硬度為16的鋁(純度：99.999%)形成並於濺鍍面實施有車床加工的靶材2。
其次，作為靶材2的濺鍍面3的精加工，使用粒度號互不相同的多個研磨材自小的粒度號至大的粒度號依次進行了多級研磨。研磨是使用安裝有110mm×180mm大小的各種粒度號(粒度)的科馬隆(kenmaron)(三共理化學股份有限公司製造)的軌道式砂磨機(SV12SG，日立工機股份有限公司製造)來進行，並藉由一面將搖動的研磨材按至靶材2的濺鍍面3一面使所述研磨材移動來進行。此時，研磨是於集塵機之中進行，藉此一面清除研磨屑一面進行研磨。研磨後，對靶材2的濺鍍面3進行吹氣，並進行了乙醇擦拭，藉此進行了精加工。將實施例1~實施例3及比較例1~比較例3中多級研磨所使用的研磨材的粒度號及研磨所需要的時間示於以下的表1。例如，於實施例1中，於利用粒度號#400的研磨材進行了20秒鐘的研磨後，利用#800的研磨材進行20秒鐘的研磨，最後利用#1200的研磨材進行了20秒鐘的研磨。而且，於比較例2中，不進行研磨，而是使用車床來形成濺鍍面，並以與其他實施例及比較例相同的方式實施了精加工。
[表1]
Figure 107134106-A0305-02-0017-2
其次，利用以下流程對經精加工的實施例1~實施例3及比較例1~比較例3的靶的濺鍍面進行了評價。
首先，使用色差儀(Z-300A，日本電色工業股份有限公司製造)，利用反射法於以下條件下進行濺鍍面3的色差測定，求出了明度L。測定是針對濺鍍面3上的任意的三點測定點，於以各測定點為圓心的直徑10mm左右的圓的範圍內進行。進而，算出了三個測定點所對應的三個明度L的平均值及標準偏差。
<分析條件>
測定直徑：10mm
分光感度：2°視野
光源：C光源
色差式：L=10(Y)1/2
另外，實施例1~實施例3及比較例1~比較例3的濺鍍面3的評價是使用了固定型的色差儀，但於為了測定明度L而對濺鍍面3的測定中可使用移動型的色差儀或反射率儀。藉由使用該些，可直接對研磨後的濺鍍面的色差或反射率進行測定而無需使濺鍍靶移動至固定型的色差儀。而且，例如，即便是長邊方 向的長度1000mm~3500mm、短邊方向的長度180mm~1900mm般大尺寸的靶材，亦可進行測定。
其次，使用分光光度計(日立高科技(Hitachi High Technologies)股份有限公司製造，U-4100型)，對正反射率進行了測定。詳細而言，使用U-4100型分光光度計用5度正反射附屬裝置，對試樣照射入射角5度的入射光，對反射角5度所反射的光相對於入射光的反射率進行了測定。測定是針對濺鍍面3上的任意三點測定點，於以各測定點為圓心的直徑20mm左右的圓的範圍內進行。進而，算出了三個測定點所對應的三個反射率的平均值及標準偏差。
進而，使用三豐(Mitutoyo)股份有限公司製造的小型表面粗糙度計薩福泰斯特(Surftest)SJ-301基於JIS B0601 2001對靶材的濺鍍面的算術平均粗糙度Ra及最大高度Rz進行了測定。測定是針對濺鍍面3上的任意三點測定點而進行。進而，算出了三個測定點所對應的三個測定值的平均值及標準偏差。
將自實施例1~實施例3及比較例1~比較例3的靶的濺鍍面中所測定的明度L、反射率、算術平均粗糙度Ra及最大高度Rz所算出的平均值及標準偏差示於表2。
Figure 107134106-A0305-02-0018-3
Figure 107134106-A0305-02-0019-4
根據表2，可知：濺鍍面的500nm、1000nm的波長下的正反射率於藉由使用粒度號互不相同的多個研磨材自小的粒度號至大的粒度號依次分多級研磨而進行精加工的情況下，分別為3.0%以下、5.0%以下。
繼而，將實施例1及比較例1的靶安裝於濺鍍裝置(E-200S，佳能安內華(Canon anelva)股份有限公司製造)進行濺鍍，並藉由電弧監視器(μArcMonitor(MAM Genesis)，藍瑪科技(landmark technology)股份有限公司製造)對強電弧及微電弧(micro arc)次數進行了測定。關於濺鍍，濺鍍電力為200W，氬氣壓力為0.2Pa，濺鍍時間為3分鐘。濺鍍時，將電壓低於500V的時間為5μs以上的次數測定為強電弧次數，將電壓低於500V的時間不足5μs的次數測定為微電弧次數。實施例2~實施例3及比較例2~比較例3的靶，除了將氬氣壓力設為了1.0Pa以外，以與實施例1、比較例1相同的條件進行了濺鍍，並進行了強電弧及微電弧次數的測定。另外，對於濺鍍，使用了以與進行了濺鍍面的評價的實施例1~實施例3及比較例1~比較例3的靶相同的研磨條件製作的另一靶。
將所述濺鍍中所測定的強電弧及微電弧的次數示於表3。另外，表3中一併記載有實施例1~實施例3及比較例1~比 較例3的靶的濺鍍面中所測定的、表2所記載的明度L。
Figure 107134106-A0305-02-0020-5
如表3所示，於明度L的範圍超過27且為51以下的濺鍍靶中，未產生強電弧及微電弧。
關於所述實施例，針對平板形靶材進行了說明，但即便於靶材為圓筒形的情況下，只要濺鍍面的明度L的範圍超過27且為51以下，便可獲得同樣的結果。
1‧‧‧濺鍍靶
2‧‧‧靶材
3‧‧‧濺鍍面
6‧‧‧背板

Claims (6)

  1. 一種濺鍍靶，其具有Lab表色系中的明度L超過27且為51以下的濺鍍面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的濺鍍靶，其中所述濺鍍面的500nm的波長下的正反射率為3.0%以下。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的濺鍍靶，其中所述濺鍍面的1000nm的波長下的正反射率為5.0%以下。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的濺鍍靶，其中所述濺鍍面為研磨面。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的濺鍍靶，其包括純Al或Al合金。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的濺鍍靶，其包括純Al或Al合金。
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