TWI755977B - 顯示面板及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種顯示面板包括：基板，包含發光區和非發光區；輔助電極，置於非發光區中，並被施加有用於驅動顯示面板的電力；保護層，置於輔助電極上；接觸孔，穿過保護層並曝露輔助電極；連接電極，以與接觸孔內的輔助電極接觸的方式安置；電子輔助層，置於連接電極上；陰極電極，置於電子輔助層上；以及突起，形成從連接電極突出，其中，突起以在連接電極上形成遮蔽區的方式來形成，而且陰極電極在遮蔽區中與連接電極接觸。
Description
本發明關於一種顯示面板、以及一種製造該顯示面板的方法。
顯示面板包括能輸出光的像素。顯示面板的例子包括：液晶顯示(LCD)面板、電漿顯示面板(PDP)、以及有機發光二極體(OLED)顯示面板。
構成OLED面板的有機發光二極體能自行發光，不需要另外的光源。因此，包含OLED面板的顯示裝置的厚度和重量可以相對減少。另外，包含OLED面板的顯示裝置可以具有高品質特性，如低耗電、高亮度、高反應率等。
上述內容旨在協助理解本發明的技術背景，不表示本發明在所屬技術領域中具有通常知識者已知的先前技術範圍內。
因此，本發明旨在提供一種顯示面板、以及一種製造該顯示面板的方法，其中，電力會穩定地供應給發光元件，且顯示面板具有優秀的操作特性。
根據本發明的態樣，提供一種顯示面板，包括：基板，包含發光區和非發光區域；輔助電極，置於非發光區中，並供應有用於驅動顯示面板的電力；保護層，置於輔助電極上；接觸孔，穿過保護層並曝露輔助電極；連接電極，以與接觸孔內的輔助電極接觸方式安置；電子輔助層，置於連接電極上；陰極電極，置於電子輔助層上；以及突起，形成從連接電極突出，其中，突起以在連接電極上形成遮蔽區的方式來形成，而且陰極電極在遮蔽區中與連接電極接觸。
根據本發明的態樣，提供一種製造顯示面板的方法，該方法包
括：形成輔助電極，該輔助電極置於基板的非發光區中並供應有用於驅動顯示面板的電力；在輔助電極上形成保護層；在保護層中形成接觸孔，該接觸孔曝露輔助電極；形成連接電極，該連接電極以與接觸孔內的輔助電極接觸的方式安置；形成從連接電極突出的突起，並在連接電極上形成遮蔽區；在連接電極上形成電子輔助層；以及以與遮蔽區中的連接電極接觸的方式形成陰極電極。
根據本發明的態樣，對應於發光元件的陰極電極的電極可透過連接電極連接至輔助導線，如此一來，透過輔助導線提供的電力可穩定地供應給陰極電極。
因此，電力可穩定地供應給本發明態樣的發光元件，以提升操作特性。
1000:顯示裝置
100,100A:顯示面板
110:基板
120:第一導電層
121:下導線
123:輔助導線
125:緩衝層
130:主動層
131:主動圖案
133:電容器電極
135:第一絕緣層
140:第二導電層
141:焊墊
143:閘極電極
145:第二絕緣層
150:第三導電層
151:焊墊電極
153:源極電極
155:汲極電極
157:輔助電極
160:保護層
161:第一保護層
163:第二保護層
171:陽極電極
173:連接電極
173a:第一電極
173b:第二電極
173c:第三電極
175:突起
175a:主幹
175b:冠狀頂部
177:分隔壁
181:發光材料層
183:電子輔助層
183a,183b:電子輔助層的部分
185:陰極電極
191:封裝層
193:上基板
195:濾色器
200:控制器
300:源極驅動器
400:閘極驅動器
500:電源電路
CH1:第一接觸孔
CH2:第二接觸孔
CS:控制訊號
CST:儲存電容器
DL1~DLm:資料線
GL1~GLn:閘極線
DS~DSm:資料訊號
GS1~GSn:閘極訊號
DATA:影像資料
DCS1:第一驅動控制訊號
DCS2:第二驅動控制訊號
DCS3:第三驅動控制訊號
DR1:第一方向
DR2:第二方向
DT:驅動電晶體
DV:驅動電壓
EA:發光區
EH:曝露孔
ELVDD:高電位驅動電壓
ELVSS:低電位驅動電壓
LD:發光元件
NEA:非發光區
N1:第一節點
N2:第二節點
PX,PXij:像素
RGB:影像訊號
RVL:參考電壓線
SST:感測電晶體
SL:感測線
SR:遮蔽區
ST:開關電晶體
透過下文的詳細說明，並搭配所附圖式，可更清楚地理解本發明的上述技術特徵和其他優點，其中：
圖1為顯示根據本發明態樣的顯示裝置的示意圖；
圖2為顯示根據本發明態樣的像素的示意圖；
圖3為根據本發明態樣的顯示面板的剖面圖；
圖4為顯示圖3中所示之AA部分的放大圖；以及
圖5至圖27為顯示根據本發明之製造顯示面板的方法的示意圖。
下文將參照所附圖式，描述本發明的態樣。
圖1為顯示根據本發明態樣的顯示裝置的示意圖。參照圖1，顯示裝置1000可以包括顯示面板100、控制器200、源極驅動器300、閘極驅動器400、以及電源電路500。
顯示裝置1000可以是能顯示影像和視訊的裝置。舉例來說，顯示裝置1000可指電視、智慧型手機、桌上型個人電腦(PC)、手機、視訊電話、電子書閱讀器、電腦、攝影機、穿戴式裝置等，但不受限於此。
顯示面板100可以包含多個像素(或子像素)PX，其以行和列的方式佈置。根據本發明的態樣，圖1所示的多個像素PX可以佈置為網格結構，該結構由n行和m列組成(n和m為自然數)。
舉例來說，顯示面板100可以由液晶顯示器(LCD)、發光二極體(LED)顯示器、有機發光二極體(OLED)顯示器、主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)顯示器、電致變色顯示器(ECD)、數位鏡面裝置(DMD)、致動鏡面裝置(AMD)、柵狀光閥(GLV)、電漿顯示器(PDP)、電致發光顯示器(ELD)、以及真空螢光顯示器(VFD)中的其中之一來實施，但不受限於此。
根據本發明的態樣，顯示面板100可以包含：n條閘極線GL1到GLn，佈置為n行；以及m條資料線DL1到DLm，佈置為m列。像素PX可安置在閘極線GL1到GLn和資料線DL1到DLm的交會點。
像素PX可以是用於輸出光的基本單位。每一個像素PX可以包含一個驅動元件。根據本發明的態樣，從每一個像素PX輸出的光可以是紅色、綠色和藍色中的任一個，但不受此限。舉例來說，白光可從像素PX輸出。
根據本發明的態樣，像素PX可以包含：發光元件，其配置以發光；以及發光元件驅動電路，其驅動發光元件。發光元件驅動電路可以連接至一條閘極線和一條資料線。發光元件可以位於發光元件驅動電路與電源電壓(如接地電壓)之間的位置以便連接。
根據本發明的態樣，發光元件可以是發光二極體(LED)、有機發光二極體(OLED)、量子點發光二極體(QLED)、或微發光二極體(mLED)，但本發明的態樣不受限於發光元件的類型。
顯示面板100的像素PX可以根據每條閘極線來驅動。舉例來說，佈置在一條閘極線上的像素可以在第一期間驅動，而佈置在另一條閘極線上的像素可以在第一期間後的第二期間驅動。下文中，驅動像素PX的單位時間期間稱為一個水平週期(即1水平(1H)時間)。
發光元件驅動電路可以包含連接至閘極線GL1到GLn的開關元件，例如薄膜電晶體(TFT)。當透過閘極線GL1到GLn提供閘極觸發訊號，且開關元件開啟時，發光元件驅動電路將透過連接至發光元件驅動電路的資料線DL1到DLm所接收的資料訊號(或像素訊號)傳輸至發光元件。發光元件可輸出對應於影像訊號的光。
控制器200可從外部接收影像訊號RGB，並可對影像訊號RGB進行影像處理或轉換，以使影像訊號適用於顯示面板100的結構，從而產生影像資
料DATA。控制器200D將影像資料DATA傳輸至源極驅動器300。
控制器200可從外部主機裝置接收控制訊號CS。控制訊號CS可以包含水平同步訊號、垂直同步訊號、以及時脈訊號，但不受此限。
控制器200可基於所接收的控制訊號CS產生用於控制源極驅動器300的第一驅動控制訊號DCS1、用於控制閘極驅動器400的第二驅動控制訊號DCS2、以及用於控制電源電路500的第三驅動控制訊號DCS3。
控制器200可將第一驅動控制訊號DCS1傳輸至源極驅動器300、可將第二驅動控制訊號DCS2傳輸至閘極驅動器400、並可將第三驅動控制訊號DCS3傳輸至電源電路500。
源極驅動器300可基於影像資料DATA和第一驅動控制訊號DCS1，產生對應於顯示在顯示面板100上的影像的資料訊號DS1到DSm，並可將產生的資料訊號DS1和DSm傳輸至顯示面板100。資料訊號DS1和DSm可分別傳輸至像素PX。舉例來說，在1H期間，源極驅動器300可透過資料訊號線DL1到DLm，將要在1H期間中顯示的資料訊號DS1到DSm提供給在1H期間中驅動的像素PX。
閘極驅動器400可依序將閘極訊號GS1到GSn提供給多條閘極線GL1到GLn，以回應第二驅動控制訊號DCS2。閘極訊號GL1到GLn中的每一個都是啟動連接至閘極線GL1到GLn中的每一條的像素PX的訊號，並可應用至包含在每一個像素PX中的電晶體的閘極終端。
電源電路500可基於第三驅動控制訊號DCS3產生要供應給顯示面板100的驅動電壓DV，並可將產生的驅動電壓DV傳輸至顯示面板100。驅動電壓DV可以包含低電位驅動電壓和高電位驅動電壓，而高電位驅動電壓的電位高於低電位驅動電壓。根據本發明的態樣，電源電路500可透過單獨的電力線分別將低電位驅動電壓和高電位驅動電壓傳輸給每一個像素PX。
在本說明書中，源極驅動器300和閘極驅動器400可稱為面板驅動電路。
根據本發明的態樣，控制器200、源極驅動器300和閘極驅動器400中的至少兩個可以實施為一個積體電路。另外，根據本發明的態樣，源極驅動器300或閘極驅動器400可以實施為安裝在顯示面板100上。另外，根據本發明的態樣，電源電路500可位於顯示面板100外部。
圖2為顯示根據本發明態樣的像素的示意圖。圖2顯示連接至第i條閘極線GLi(1
i
n)和第j條資料線DLj(1
j
m)的像素PXji，作為一示例。
參照圖1和圖2，像素PX可以包含開關電晶體ST、驅動電晶體DT、儲存電容器CST、感測電晶體SST、以及發光元件LD。開關電晶體ST和驅動電晶體DT可稱為驅動元件。
開關電晶體ST的第一電極(如源極電極)電性連接至第j條資料線DLj，而開關電晶體ST的第二電極(如汲極電極)電性連接至第一節點N1。開關電晶體ST的閘極電極電性連接至第i條閘極線GLi。當透過第i條閘極線GLi供應閘極啟動位準的閘極訊號時，開關電晶體ST開啟，並將透過第j條資料線DLj供應的資料訊號傳輸至第一節點N1。
儲存電容器CST的第一電極電性連接至第一節點N1，而儲存電容器CST的第二電極則接收高電位驅動電壓ELVDD。儲存電容器CST可用施加至第一節點N1的電壓與高電位驅動電壓ELVDD之間的電壓差來充電。
驅動電晶體DT的第一節點(如源極電極)接收高電位驅動電壓ELVDD，而驅動電晶體DT的第二節點(如汲極電極)電性連接至發光元件LD的第一節點(如陽極電極)。驅動電晶體DT的閘極電極電性連接至第一節點N1。當透過第一節點N1施加閘極啟動位準的電壓時，電極驅動電晶體DT接通，並可根據施加給閘極電極的電壓，控制流動至發光元件LD的驅動電流量。
感測電晶體SST的第一電極(如源極電極)電性連接至第二節點N2，而感測電晶體SST的第二電極(如汲極電極)電性連接至參考電壓線RVL。感測電晶體SST的閘極電極電性連接至感測線SL。感測電晶體SST可基於透過感測線SL傳輸的感測電壓來接通，並可通過第二節點N2將透過參考電壓線RVL傳輸的參考電壓施加至驅動電晶體DT的第二電極(如汲極電極)。
另外，感測電晶體SST可檢測像素PX(或驅動電晶體DT)的劣化程度，並可將檢測結果傳輸至源極驅動器300。舉例來說，感測電晶體SST可以感測像素PXji的臨界電壓，以識別像素PXij的劣化程度。具體而言，感測電晶體SST可藉由檢測第二節點N2的電壓，來感測臨界電壓。
發光元件LD輸出對應於驅動電流的光。發光元件LD可輸出對應於紅色、綠色、藍色和白色中的任一顏色的光。發光元件LD可以是有機發光二極體(OLED)或尺寸介於微米尺度到奈米尺度的超小無機發光二極體，但亦不
受此限制。下文將描述本發明中發光元件LD是有機發光二極體的態樣。
另外，本文所述的像素PX的架構不應解釋為受限於參照圖2所述之像素PXij的架構。根據本發明的態樣，像素PX可以進一步包含至少一個元件，其用於補償驅動電晶體DT的臨界電壓，或是將驅動電晶體DT的閘極電極的電壓及/或發光元件LD的陽極電極的電壓初始化。
圖2顯示開關電晶體ST和驅動電晶體DT是NMOS電晶體的示例，但不受此限。舉例來說，構成每個像素PX的電晶體的至少其中一部分或全部可配置為PMOS電晶體。在各態樣中，開關電晶體ST和驅動電晶體DT中的每一個可實施為低溫多晶矽(LTPS)薄膜電晶體、氧化薄膜電晶體(oxide TFT)、或低溫多晶氧化(LTPO)薄膜電晶體，但不受此限。
圖3為根據本發明態樣的顯示面板的剖面圖。參照圖1到圖3，顯示面板100可以包含基板110。基板110是顯示面板100的基礎構件，並可以是光透射基板。基板110可以是包含玻璃或鋼化玻璃的堅固基板，也可以是由塑膠材料製成的可撓性基板。舉例來說，基板110可由玻璃或塑膠材料製成，諸如聚醯亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)等，但基板110的材料不受此限。
在基板110上，可安置包含下導線121的第一導電層120、以及輔助導線123。
下導線121可以是具遮光功能的導電金屬。根據本發明的態樣，下導線121可使顯示面板100的驅動元件免於外部光照射。
輔助導線123可安置為與下導線121間隔開。根據本發明的態樣，輔助導線123可透過施加的低電位驅動電壓ELVSS連接至供電線。如下所述，低電位驅動電壓ELVSS可透過輔助導線123傳輸至發光元件LD。
根據本發明的態樣，第一導電層120可以具有雙層結構，其包含至少兩層金屬層，但不受此限。
在基板110上，可安置緩衝層125。根據本發明的態樣，緩衝層125可安置在第一導電層120上。
緩衝層125可防止離子或雜質從基板110擴散，並可防止水氣穿透基板110。
緩衝層125可設置在包含至少兩層的多層結構中。根據本發明的
態樣，緩衝層125的層可以包含：如氧化物、氮化物等的無機材料；有機材料；或有機無機化合物。舉例來說，緩衝層125可以是氧化矽或氮化矽。
在緩衝層125上，可安置包含主動圖案131的主動層130和電容器電極133。
主動圖案131可以包含矽基半導體材料或氧化物半導體材料。舉例來說，矽基半導體材料可包含非晶矽或多晶矽。氧化物半導體材料可以包含：四價金屬氧化物，如銦錫鎵鋅氧化物(InSnGaZnO)；三價金屬氧化物，如銦鋁鋅氧化物(InGaZnO)、銦錫鋅氧化物(InSnZnO)、銦鋁鋅氧化物(InAlZnO)、錫鎵鋅氧化物(SnGaZnO)、鋁鎵鋅氧化物(AlGaZnO)、或錫鋁鋅氧化物(SnAlZnO)；或二價金屬氧化物，如銦鋅氧化物(InZnO)、錫鋅氧化物(SnZnO)、鋁鋅氧化物(AlZnO)、鋅鎂氧化物(SnMgO)、銦鎂氧化物(InMgO)、銦鎵氧化物(InGaO)、銦氧化物(InO)、錫氧化物(SnO)、或鋅氧化物(ZnO)。
主動圖案131可以是驅動電晶體DT的主動區。根據本發明的態樣，主動圖案131可以包含汲極區、源極區、以及汲極區與源極區之間的通道區。舉例來說，源極區和汲極區可含有p型或n型雜質。電子或電洞可從源極區流出、可通過通道區，並可引入汲極區中。
可設置電容器電極133，因而電容器電極133的至少一部分與下導線121重疊。儲存電容器CST可形成在電容器電極133與下導線121之間。
第一絕緣層135可安置在主動層130上。根據本發明的態樣，第一絕緣層135可安置在主動圖案131與閘極電極143之間，這部分將在以下說明。舉例來說，第一絕緣層135可安置在閘極電極143與主動圖案131的通道區之間。
第一絕緣層135可以是氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或含有氧化矽和氮化矽兩者的多層結構。
在第一絕緣層135上，可安置包含焊墊141和閘極電極143的第二導電層140。根據本發明的態樣，閘極電極143可安置在對應於主動圖案131的通道區的位置處。
焊墊141可透過設置在顯示面板100的焊墊區中的導線電性連接至控制器200、源極驅動器300、閘極驅動器400和電源電路500中的至少其中之一。
閘極電極143可由選自由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、
鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)組成的群組中之任一種或兩種以上的合金製成。另外，閘極電極143可以是由選自由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)組成的群組中之任一種或兩種以上的合金所構成的多層結構。舉例來說，閘極電極143可以是由鉬和鋁釹組成的兩層，或是由鉬和鋁組成的兩層。
焊墊141可由與閘極電極143相同的材料製成，並可透過與閘極電極143相同的製程製成。然而，本發明的態樣不受此限。
在焊墊141和閘極電極143上，可安置第二絕緣層145。第二絕緣層145覆蓋焊墊141和閘極電極143。第二絕緣層145可以是氧化矽膜(SiOx)、氮化矽膜(SiNx)或含有氧化矽膜和氮化矽膜兩者的多層結構。
在第二絕緣層145上，可安置包含焊墊電極151、源極電極153、汲極電極155和輔助電極157的第三導電層150。
焊墊電極151可電性連接至焊墊141。根據本發明的態樣，焊墊電極151可透過穿過第二絕緣層145的接觸孔與焊墊141接觸。
彼此間隔開的源極電極153和汲極電極155可安置在第二絕緣層145上。源極電極153和汲極電極155可分別連接至主動圖案131的源極區和汲極區。根據本發明的態樣，源極電極153可透過穿過第二絕緣層145的接觸孔連接至主動圖案131的源極區。汲極電極155可透過穿過第二絕緣層145的接觸孔連接至主動圖案131的汲極區，並可連接至下導線121。
儘管圖未顯示，根據本發明的態樣，源極電極153可連接至電源線，而顯示面板100的驅動電源(如高電位驅動電壓ELVDD)透過該電源線供應。
源極電極153和汲極電極155可形成為由選自由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)組成的群組中之任一種或兩種以上的合金所構成的單層或多層。在源極電極153和汲極電極155為多層的情況下，兩者的組成可以是由：鉬和鋁釹的雙層，或鈦、鋁、鈦的三層；鉬、鋁、鉬的三層；或鉬、鋁釹、鉬的三層。同時，圖3顯示源極電極153和汲極電極155具有單層結構，但本發明的態樣不受此限。
主動圖案131、閘極電極143、源極電極153和汲極電極155可構成一電晶體。根據本發明的態樣，舉例來說，該電晶體可以是驅動電晶體DT或開關電晶體ST。圖3顯示主動圖案131、閘極電極143、源極電極153和汲極電極
155構成驅動電晶體DT的示例，但這不是強制限制的。
同時，圖3顯示反相交錯電晶體(DT)作為示例，其中源極電極153和汲極電極155安置在閘極電極143上方，但本發明的態樣不受此限。舉例來說，閘極電極143、源極電極153和汲極電極155可安置在一個層上。
輔助電極157可電性連接至輔助導線123。根據本發明的態樣，輔助電極157可透過穿過第二絕緣層145和緩衝層125的接觸孔與輔助導線123接觸。輔助電極157可由與源極電極153和汲極電極155相同的材料製成，並可形成為單層或多層。
根據本發明的態樣，輔助電極157可以具有斜面的方式安置。亦即，輔助電極157可以包含：第一部分，安置在輔助導線123上；以及第二部分，安置在緩衝層125和第二絕緣層145上。第一部分和第二部分可彼此成一角度。
在第三導電層150上，可安置保護層160。保護層160可覆蓋第三導電層150。保護層160可以是包含具有絕緣功能、平坦化(planarizing)功能或防水功能的有機模和無機模中的至少其中一種。
保護層160可包含第一保護層161；以及安置在第一保護層161上的第二保護層163。第一保護層161可使第三導電層150絕緣。根據本發明的態樣，第一保護層161可以包含氧化矽膜(SiOx)、氮化矽膜(SiNx)、以及含有氧化矽膜和氮化矽膜兩者的多層膜。舉例來說，第一保護層161可以是鈍化層。
根據本發明的態樣，第一保護層161可以包含多層，而其他導電層可以進一步形成在包含在第一保護層161中的多層之間。形成在第一保護層161的導電層可進一步包含電路元件的電極，例如電晶體DT和ST的輔助閘極電極、儲存電容器CST的上電極等、以及驅動線。舉例來說，第一保護層161可以是鈍化層。
第二保護層163可安置在第一保護層161上。第二保護層163可以是平坦膜，用於減少在第二保護層163下方的層之間的位準差。根據本發明的態樣，第二保護層163可以包含有機材料，如聚醯亞胺、苯環丁烯屬樹脂、丙烯酸酯等。舉例來說，第二保護層163可以是覆蓋層。
根據本發明的態樣，可省略第一保護層161和第二保護層163中的任一個。在這種情況下，除了省略的層外，保護層160可僅形成一層。
第一接觸孔CH1可形成在保護層160中。根據本發明的態樣，第
一接觸孔CH1可形成貫穿第一保護層161和第二保護層163，並可曝露汲極電極155的至少一部分。
第二接觸孔CH2可形成在保護層160中。根據本發明的態樣，第二接觸孔CH2可形成貫穿第一保護層161和第二保護層163，並可曝露輔助電極157的至少一部分。
在保護層160上，可安置陽極電極171和連接電極173。
陽極電極171可透過第一接觸孔CH1連接至汲極電極155。從主動圖案131的汲極區傳輸的訊號可通過汲極電極155，並可傳輸至下導線121。另外，訊號可從汲極電極155傳輸至陽極電極171。
另外，陽極電極171可電性連接至其上的發光材料層181，並可提供電洞給發光材料層181。
根據本發明的態樣，陽極電極171可以是透射電極，其使從發光材料層181輸出的光透射，或可以是反射光的反射電極。舉例來說，在顯示面板100是底部發光型的情況下，陽極電極171可以是透射電極，而在顯示面板100是頂部發光型的情況下，陽極電極171可以是反射電極。另外，在顯示面板100是雙發光類型的情況下，陽極電極171可以是透射電極。下文將假設顯示面板100為頂部發光型來敘述。
陽極電極171可由透明導電材料製成，如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)等。另外，陽極電極171可包含反射層，其包含金屬材料，例如鋁(Al)、銅(Au)、銀(Ag)、鎳(Ni)或上述金屬之合金。根據本發明的態樣，陽極電極171可由依序堆疊透明導電層、反射層和透明導電層而成的三層組成。舉例來說，陽極電極171可由包含依序的氧化銦錫、銅和氧化銦錫的三層組成。
連接電極173可透過第二接觸孔CH2連接至輔助電極157。從輔助電極157傳輸的低電位驅動電壓ELVSS可傳輸至連接電極173。
連接電極173可與陽極電極171間隔開，並可電性連接至陰極電極185。根據本發明的態樣，連接電極173可安置在非發光區NEA中。
連接電極173可由透明導電材料製成，如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)等。另外，連接電極173可包含反射層，其包含金屬材料，例如鋁(Al)、銅(Au)、銀(Ag)、鎳(Ni)或上述金屬之合
金。根據本發明的態樣，類似於陽極電極171，連接電極173可由包含依序的氧化銦錫、銅和氧化銦錫的三層組成。
根據本發明的態樣，連接電極173可以包含：第一電極173a；第二電極173b，置於第一電極173a下方；以及第三電極173c，置於第二電極173b下方並與輔助電極157接觸。第一電極173a到第三電極173c可彼此電性連接。
舉例來說，第一電極173a和第三電極173c可以包含透明導電材料，而第二電極173b可以包含金屬。
根據本發明的態樣，顯示面板100可以包含突起175，其從連接電極173延伸。突起175可形成從連接電極173的一表面突出。根據本發明的態樣，突起175可形成從連接電極173的複數個表面中的該表面突出，該表面相對於與輔助電極157接觸的表面。
如下文所述，由於突起175從連接電極173突出，因此連接電極173的一部分不會被電子輔助層183覆蓋，因此可與陰極電極185直接接觸。
在保護層160上，可安置分隔壁177。分隔壁177可界定像素PX的發光區EA。分隔壁177可以包含曝露陽極電極171的至少一部分的開口，並可以覆蓋陽極電極171之未曝露的剩餘部分(如邊緣)的方式來形成。陽極電極171的曝露部分可界定為像素PX的發光區EA。
根據本發明的態樣，分隔壁177可以進一步包含開口，其曝露保護層160的一部分。亦即，分隔壁177可安置在保護層160的一部分上，而非整個保護層160上。
分隔壁177可由能阻擋光的材料(例如有色材料)製成。因此，光不會穿過分隔壁177的開口以外的層，而光只會穿過分隔壁177的開口。
分隔壁177可以包含有機材料，如聚醯亞胺、苯環丁烯屬樹脂、丙烯酸酯等。另外，分隔壁177可以包含無機材料，包含氧化矽和氮化矽。根據本發明的態樣，分隔壁177可以是包含有機材料和無機材料的多層結構。
在陽極電極171上，可安置發光材料層181。根據本發明的態樣，發光材料層181可安置在分隔壁177之間陽極電極171被曝露的部分上。舉例來說，發光材料層181可安置在陽極電極171上，並由分隔壁177圍繞。
根據本發明的態樣，分隔壁177可以高於發光材料層181的方式來形成。
發光材料層181可輸出光，以回應從陽極電極171傳輸的電訊號。根據本發明的態樣，從發光材料層181輸出的光可以是紅光、綠光、藍光和白光中的任一種，但本發明的態樣不受此限。舉例來說，從發光材料層181輸出的光色可以是洋紅色、青色和黃色中的任一種。
發光材料層181可透過在基板上噴塗含有有機材料的溶液的噴墨製程來形成，但本發明的態樣不受此限。舉例來說，發光材料層181亦可由沉積製程或雷射轉移製程來形成。根據本發明的態樣，在透過噴墨製程形成發光材料層181的情況下，發光材料層181的表面可以是曲面。舉例來說，發光材料層181的頂面可以是凹形或凸形。
在發光材料層181上，可安置輔助層183和陰極電極185。陰極電極185可將電子提供給發光材料層181，而電子輔助層183可順暢地將從陰極電極185釋放的電子傳輸至發光材料層181。發光元件LD可以包含發光材料層181、電子輔助層183、以及陰極電極185。
電子輔助層183可沿著發光材料層181的一表面安置，而陰極電極185可沿著電子輔助層183的一表面安置。
根據本發明的態樣，電子輔助層183可以包含電子注入層(EIL)和電子傳輸層(ETL)中的至少一種。從陰極電極185釋放的電子會注入電子注入層(EIL)中。電子傳輸層(ETL)會將注入的電子傳輸至發光材料層181。
電子輔助層183可以覆蓋發光材料層181的方式來安置。根據本發明的態樣，電子輔助層183可沿著發光材料層181、分隔壁177和保護層160的表面安置。
根據本發明的態樣，電子輔助層183可安置在連接電極173上，且在連接電極173上可中斷。根據本發明的態樣，電子輔助層183可包含連接電極173上彼此間隔開的兩個部分。由於突起175形成從連接電極173突出，因此電子輔助層183可在連接電極173上由突起175分開。換句話說，連接電極173的一部分可不完全地被電子輔助層183覆蓋，且可在電子輔助層183彼此間隔開的兩個部分之間曝露。
根據本發明的態樣，電子輔助層183的一部分可安置在突起175上。
根據本發明的態樣，陰極電極185可以作為陰極(正)電極的功
能。舉例來說，陰極電極185可包含能傳輸光的透明導電材料(TCO)，或是包含鉬(Mo)、鎢(W)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(AL)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)和上述金屬之合金的半透明導電材料。
陰極電極185可安置在電子輔助層183上。根據本發明的態樣，陰極電極185可以覆蓋電子輔助層183的方式安置在連接電極173上方。
根據本發明的態樣，陰極電極185可與連接電極173接觸。根據本發明的態樣，陰極電極185可在第二接觸孔CH2內與連接電極173接觸。如上所述，電子輔助層183可包含連接電極173上彼此間隔開的兩個部分，且陰極電極185可以覆蓋電子輔助層183彼此間隔開的兩個部分的方式來安置。因此，陰極電極185可與連接電極173直接接觸。亦即，陰極電極185可與連接電極173位於電子輔助層183彼此間隔開的兩個部分之間的曝露部分直接接觸。
根據上述連接結構，陰極電極185可透過輔助電極157和連接電極173從輔助導線123接收電力。舉例來說，透過輔助電極123提供的低電位驅動電壓ELVSS可施加至陰極電極185。
根據本發明的態樣，陰極電極185的一部分可安置在位於突起175上的電子輔助層183上。
根據本發明的態樣，由於陰極電極185可透過輔助電極157連接至輔助導線123，因此透過輔助導線123提供的電力會穩定地供應給陰極電極185，從而可提升發光元件LD的驅動特性。
根據本發明的態樣，在發光元件LD中，電洞注入層(HIL)和電洞傳輸層(HTL)可進一步安置在發光材料層181與陽極電極171之間，電洞從陽極電極171注入到電洞注入層(HIL)中，電洞傳輸層(HTL)安置在電洞注入層上並協助注入的電洞移動。
封裝層191可安置在陰極電極185上。封裝層191可防止氧氣、水氣或異物穿透封裝層191下方的層(如陰極電極185和更下方的層)。根據本發明的態樣，封裝層191可形成為多層結構，其包含至少一層無機層和至少一層有機層。舉例來說，封裝層191可以是多層結構，其中無機層、有機層和無機層依序堆疊。
根據本發明的態樣，有機層可比無機層厚，以防止異物穿透陰
極電極185和更下方的層。另外，有機層可由能使發光材料層181輸出的光透射的透明材料製成，但不受此限。
無機層可以包含氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化矽、氧化鋁和氧化鈦中的至少其中一種。有機層可以包含丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚醯胺樹脂、苯環丁烯樹脂和聚醯亞胺樹脂中的至少其中一個。
在封裝層191上，可形成上基板193。上基板193可由與基板110相同的材料製成。上基板193可透過黏著劑等附接到封裝層191上。然而，上基板193的黏合方式不受此限。
在本發明的各態樣中，於封裝層191與上基板193上之間，可進一步形成濾色器195。濾色器195可安置在發光區EA中。濾色器195是波長選擇濾光器，其藉由透射特定波長帶的光以及阻擋其他特定波長帶的光，來選擇性地僅透射入射光的部分波長帶。濾色器195可由含有著色劑的感光性樹脂製成，如顏料、染料等。從發光元件輸出並穿過濾色器195的光可具有紅光、綠光和藍光中的任一種。在發光元件LD輸出白光的情況下，可省略白光的濾色器195。
圖4為圖3中所示之AA部分的放大圖。參照圖1至圖4，連接電極173可安置在輔助電極157上。根據本發明的態樣，連接電極173可沿第一方向DR1安置在輔助電極157上。第一方向DR1可以是水平方向，但不受此限。
在連接電極173中，可安置形成在第一電極173a中的曝露孔EH。曝露孔EH可穿過第一電極173a的一部份，從而可露出第二電極173b。
突起175可從第二電極173b延伸，並可突出穿過曝露孔EH。根據本發明的態樣，突起175可從第二電極173b沿第二方向DR2延伸，並可形成突出穿過曝露孔EH，該曝露孔EH是第一電極173a中的空間(間隙)。舉例來說，第二方向可以是垂直方向，但不受此限。第二方向可以是與第一方向DR1交叉的任意方向。
根據本發明的態樣，突起175可在連接電極173上形成遮蔽區SR。
突起175的一部分可從連接電極173突出，並沿第一方向DR1延伸，而連接電極173安置在該方向上。因為這部分的緣故，被突起175遮擋的遮蔽區SR可形成在連接電極173上。
在本發明中，可將突起175描述為類似樹狀。根據本發明的態
樣，突起175可以具有：主幹175a，置於第一電極173a中並從第二電極173b突出；以及從主幹175a延伸的冠狀頂部175b，其一部分沿第一方向DR1延伸。冠狀頂部175b的一部分可從連接電極173所在的方向上(如第一方向DR1)延伸。因為這部分的緣故，遮蔽區SR可形成在連接電極173上。
如以下所述，在電子輔助層183沉積在連接電極173上的情況下，遮蔽區SR可代表因突起175而無電子輔助層183沉積的區域。亦即，在遮蔽區SR中，電子輔助層183可能不會沉積，而第一電極173a可能會露出。
電子輔助層183可安置在連接電極173上。根據本發明的態樣，電子輔助層183可安置在連接電極173上除遮蔽區SR以外的區域中。舉例來說，電子輔助層183可以不與遮蔽區SR重疊的方式安置。
另外，電子輔助層183可安置在突起175上。舉例來說，電子輔助層183可安置在突起175的冠狀頂部175b的頂面上。
陰極電極185可安置在連接電極173上，並可以覆蓋電子輔助層183的方式安置。另外，陰極電極185可安置在遮蔽區SR中，並可與遮蔽區SR中的第一電極173a接觸。如上所述，遮蔽區SR中的連接電極173的第一電極173a被曝露，而沒有被電子輔助層183覆蓋，因此陰極電極185可與第一電極173a直接接觸，並可接收從輔助電極157傳輸的低電位驅動電壓ELVSS。
另外，陰極電極185可安置在位於突起175上的電子輔助層183上。
根據本發明的態樣，由於陰極電極185可透過輔助電極157連接至輔助導線123，因此透過輔助導線123提供的電力會穩定地供應給陰極電極185，從而可提升發光元件LD的操作特性。
圖5至圖24為顯示根據本發明態樣之製造顯示面板的方法的示意圖。下文參照圖1到圖24，將描述製造顯示面板100的方法。
參照圖5，可設置基板110，且第一導電層120可形成在基板110上。第一導電層120可以包含下導線121和輔助導線123。如圖5所示，第一導電層120可設置為包含至少兩層金屬層的多層結構，但本發明的態樣不受此限。
第一導電層120可透過圖案化製程來形成。根據本發明的態樣，可藉由在基板110上塗敷(或沉積)金屬材料，然後用利用遮罩進行圖案化，來形成下導線121和輔助導線123，但這不是強制限制的。
在第一導電層120上，可形成緩衝層125。緩衝層125可透過沉積製程來形成。
參照圖6，在緩衝層125上，可形成包含主動圖案131和電容器電極133的主動層130。根據本發明的態樣，氧化物半導體材料或矽半導體材料可塗敷在緩衝層125上，並可使用光罩來圖案化，從而形成主動圖案131。
根據本發明的態樣，可藉由在氧化物半導體材料或矽半導體材料上進行熱處理或離子植入，來形成主動圖案131的源極區和汲極區，但這不是強制限制的。
在緩衝層125上，可形成第一絕緣層135。根據本發明的態樣，第一絕緣層135可以覆蓋緩衝層125和主動層130的方式來安置。根據本發明的態樣，第一絕緣層135可選擇性地形成在其中要安置焊墊141和閘極電極143的區域中。舉例來說，包含氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)的無機層可形成在緩衝層125和主動層130上，接著可選擇性地將無機層圖案化，從而形成第一絕緣層135。
在第一絕緣層135上，可形成包含焊墊141和閘極電極143的第二導電層140。根據本發明的態樣，導電材料可塗敷在第一絕緣層135上，然後所塗的導電材料可經過圖案化，從而形成焊墊141和閘極電極143。
參照圖7，第二絕緣層145可形成在第一絕緣層135和第二導電層140上。第二絕緣層145可形成以覆蓋第一絕緣層135和第二導電層140。根據本發明的態樣，第二絕緣層145可以透過沉積製程來形成。
在第二絕緣層145上，可形成包含焊墊電極151、源極電極153、汲極電極155和輔助電極157的第三導電層150。根據本發明的態樣，藉由在第二絕緣層145上選擇性地進行圖案化，來分別形成曝露焊墊141、主動圖案131、下導線121和輔助導線123的接觸孔，而焊墊電極151、源極電極153、汲極電極155和輔助電極157可分別形成在接觸孔中。
源極電極153、閘極電極143、主動圖案131和汲極電極155可構成驅動電晶體DT。
因此，焊墊電極151可與焊墊141接觸。源極電極153可與主動圖案131的源極區接觸。汲極電極155可與主動圖案131的汲極區和下導線121接觸。輔助電極157可與輔助導線123接觸。
參照圖8，保護層160可形成在第二絕緣層145和第三導電層150上。保護層160可形成以覆蓋第二絕緣層145和第三導電層150。根據本發明的態樣，在形成第一保護層161之後，第二保護層163可形成在第一保護層161上。舉例來說，保護層160可透過沉積製程來形成。
參照圖9，在保護層160中，可形成穿透保護層160的接觸孔CH1和CH2。根據本發明的態樣，接觸孔CH1和CH2可藉由蝕刻保護層160來形成。
可藉由蝕刻保護層160來形成第一接觸孔CH1，從而露出汲極電極155的至少一部分。可藉由蝕刻保護層160來形成第二接觸孔CH2，從而露出輔助電極157的至少一部分。
陽極電極171可形成在保護層160上。根據本發明的態樣，陽極電極171可以沿著第一接觸孔CH1安置陽極電極171的至少一部分的方式來形成。因此，陽極電極171可與穿過第一接觸孔CH1露出的汲極電極155接觸。
根據本發明的態樣，陽極電極171可藉由在依序堆疊透明導電層、反射層和透明導電層而成的三層上進行圖案化來形成。舉例來說，陽極電極171可由包含依序的氧化銦錫、銅和氧化銦錫的三層組成。
連接電極173可形成在保護層160上，並與陽極電極171間隔開。根據本發明的態樣，連接電極173可以沿著第二接觸孔CH2安置連接電極173的至少一部分的方式來形成。因此，從輔助電極157傳輸的低電位驅動電壓ELVSS可傳輸至連接電極173。
根據本發明的態樣，關於連接電極173，藉由對以依序堆疊透明導電層、反射層和透明導電層而成的三層進行圖案化，可形成連接電極173的第一電極173a、第二電極173b和第三電極173c。
舉例來說，陽極電極171和連接電極173可在相同的製程中一起形成，但這不是強制限制的。
參照圖10和圖11，連接電極173的上部會經過圖案化。根據本發明的態樣，連接電極173的第一電極173a的一部分可經過圖案化，而曝露孔EH可形成在第一電極173a中。第二電極173b的一部分可透過第一接觸孔CH1露出。
根據本發明的態樣，藉由在第一電極173a的一部分上進行微影製程或雷射轉移，可形成曝露孔EH。同時，可設置多個曝露孔EH。
參照圖12到圖14，突起175可形成從連接電極173突出。根據本
發明的態樣，突起175可形成從透過第一接觸孔CH1露出的第二電極173b突出。
根據本發明的態樣，在第二電極173b透過曝露孔EH露出時，基板110曝露於室溫下，以高溫、臭氧(O3)硫化氫(H2S)處理，讓離子反應可在曝露的第二電極173b處進行。由於離子反應的緣故，突起175可形成從第二電極173b突出。舉例來說，在第二電極173b包含銀(Ag)的情況下，被曝露孔EH曝露的銀(Ag)可與硫化氫(H2S)反應並生成，從而形成突起175。突起175的主幹175a可先從生成的銀(Ag)形成，而冠狀頂部175b可進一步從主幹175a形成。
突起175可以不規則的方式來形成。根據本發明的態樣，主幹175a可從接觸孔EH沿第二方向DR2形成，而冠狀頂部175b可從主幹175a延伸並可具有形成在第一方向DR1上的一部分舉例來說，冠狀頂部175b的至少一部分可以是倒錐形。
遮蔽區SR可因突起175的形狀(如冠狀頂部175b的形狀)形成在連接電極173上。根據本發明的態樣，遮蔽區SR可因突起175的冠狀頂部175b形成在連接電極173的第一電極173a上。
參照圖14，分隔壁177可形成在陽極電極171上。根據本發明的態樣，分隔壁177可以露出陽極電極171的一部分並覆蓋其餘部分的方式形成在陽極電極171上。另外，分隔壁177可以露出輔助電極157的一部分並覆蓋其餘部分的方式形成在第二接觸孔CH2中。
根據本發明的態樣，分隔壁177可不安置在第二接觸孔CH2中。亦即，分隔壁177可露出第二接觸孔CH2。
有機材料或無機材料可塗敷在保護層160，而且可藉由使用光罩來選擇性地進行圖案化，從而形成分隔壁177。在本發明中，可透過圖案化製程形成露出陽極電極171至少一部分的開口和第二接觸孔CH2。
根據本發明的態樣，分隔壁177表面的至少一部分可以具有疏水性。舉例來說，可以在施加有機絕緣材料和如氟等疏水材料的混合物的溶液之後，透過光刻製程來形成分隔壁177。由於光刻製程中發出的光，因此如氟等疏水材料可移動至分隔壁177的頂面，從而讓分隔壁177的頂面具有疏水性，而其餘部分可具有親水性。然而，本發明的態樣不受此限。分隔壁177的整體可具疏水性。
參照圖15，可形成發光材料層181和電子輔助層183。藉由沉積有機材料(沉積製程)、施加含有有機材料的溶液(噴墨製程)或用雷射照射含有機材料的膜(雷射轉移製程)，可形成發光材料層181，但本發明的態樣不受此限。然而，本發明係假設發光材料層181透過噴墨製程而形成來描述。
發光材料層181可形成在曝露的陽極電極171上，位於被分隔壁177圍繞的發光區EA中。透過分隔壁177，可防止發光材料層181溢出到發光區EA外部。
根據本發明的態樣，由於發光材料層181與分隔壁177之間的力，當透過噴墨製程形成發光材料層181時，發光材料層181的中央區與邊緣區(相鄰於分隔壁177)之間可能會有高度差。舉例來說，發光材料層181的頂面可以是中央部分最薄的表面，也可以是邊緣最厚的表面，但本發明的態樣不受此限。
電子輔助層183可形成在發光材料層181上。根據本發明的態樣，電子輔助層183可透過沉積製程來形成。舉例來說，電子輔助層183可透過垂直沉積法來沉積，但這不是強制限制的。
電子輔助層183可以覆蓋發光材料層181、分隔壁177和保護層160的方式來沉積在表面上。
參照圖15和圖16，在第二接觸孔CH2內，當電子輔助層183沉積在連接電極173上時，擴散離子會被突起175的形狀阻擋，且無法觸及遮蔽區SR。因此，電子輔助層183可能不會沉積在遮蔽區SR中。換句話說，藉由將電子輔助層183沉積在突起175上，可形成其中未形成電子輔助層183的遮蔽區SR。
根據本發明的態樣，電子輔助層183可以在第二接觸孔CH2內中斷的方式來形成，並可包含彼此間隔開的兩個部分183a和183b。亦即，彼此間隔開的兩個部分183a和183b可安置在中間的突起175的相對側。
由於電子輔助層183以在第二接觸孔CH2內中斷的方式來形成，因此電子輔助層183不會覆蓋遮蔽區SR。因此，連接電極173的一部分可露出。
根據本發明的態樣，電子輔助層183可安置在突起175上。
參照圖17和圖18，陰極電極185可形成在輔助電極183上。根據本發明的態樣，陰極電極185可透過沉積製程來形成。舉例來說，陰極電極185可透過垂直沉積製程或濺鍍製程來形成。
陰極電極185可以覆蓋電子輔助層183和保護層160的方式來沉積在表面上。根據本發明的態樣，陰極電極185可以安置在遮蔽區SR中的方式來形成。舉例來說，陰極電極185可藉由使用濺鍍等沉積方法來形成在遮蔽區SR中。
如上所述，由於電子輔助層183未形成在遮蔽區SR中，因此連接電極173的第一電極173a會曝露在遮蔽區SR中，而不會被電子輔助層183覆蓋。由於陰極電極185可形成在遮蔽區SR中，因此陰極電極185可與遮蔽區SR中的第一電極173a接觸。
因此，陰極電極185可透過連接電極173連接至輔助電極157，從此可穩定地將低電位驅動電壓ELVSS施加至陰極電極185。
陰極電極185可包含以在接觸孔CH2中彼此間隔開的方式安置的兩個部分。舉例來說，陰極電極185可安置在位於突起175上的電子輔助層183上。
陰極電極185可以在接觸孔CH2中不中斷的方式形成，而非以彼此分離的方式形成。舉例來說，如圖19中所示，陰極電極185可以完全覆蓋突起175的方式安置。
參照圖20，封裝層191可形成在陰極電極185上。封裝層191可形成為多層結構，其包含無機層和有機層。根據本發明的態樣，可形成能防止外部的異物或水氣穿過的無機層，而將下方結構的不平整狀平坦化的有機層可形成在無機層上。舉例來說，有機層可以比無機層更厚的方式來形成。
在封裝層191上，可安置上基板193。根據本發明的態樣，上基板193可藉由使用黏著劑等來附接到封裝層191上。
另外，在上基板193與封裝層191之間，可形成濾色器195。根據本發明的態樣，濾色器195可藉由進行圖案化，來形成在上基板193的一表面上，而其上形成濾色器195的上基板193的表面和封裝層191可彼此附接在一起。然而，本發明的態樣不受此限。
圖21為顯示根據本發明態樣之顯示面板的示意圖。圖22為圖21中之AA部分的放大圖。圖21的顯示面板100A的突起175的形狀與圖3的顯示面板100的突起175的形狀不同。
參照圖1至圖22，連接電極173可沿第一方向安置在輔助電極157上。第一方向DR1可以是水平方向，但不受此限。
在連接電極173中，可安置形成在第一電極173a中的曝露孔EH。
曝露孔EH可穿過第一電極173a的一部份，從而可露出第二電極173b。
突起175可從第二電極173b延伸，並可突出穿過曝露孔EH。根據本發明的態樣，突起175可沿第二方向DR2從第二電極173b延伸，並可形成突出穿過曝露孔EH，曝露孔EH是第一電極173a中的空間(間隙)。舉例來說，第二方向可以是垂直方向，但不受此限。第二方向可以是與第一方向DR1交叉的任意方向。
根據本發明的態樣，突起175可在連接電極173上形成遮蔽區SR。
突起175的一部分可從連接電極173突出，並在第一方向DR1上延伸，而連接電極173安置在該方向上。因為這部分的緣故，被突起175遮擋的遮蔽區SR可形成在連接電極173上。
突起175可具有：主幹175a，置於第一電極173a中並從第二電極173b突出；以及從主幹175a延伸的冠狀頂部175b，其一部分沿第一方向DR1延伸。冠狀頂部175b的一部分可在連接電極173所在的方向上(如第一方向DR1)延伸。因為這部分的緣故，遮蔽區SR可形成在連接電極173上。
突起175的冠狀頂部175b可包含多個輻射狀凸出。同時，應當理解的是本發明的態樣不受突起175的形狀所限制，能形成遮蔽區SR的突起175無論是什麼形狀都包含在本發明的態樣中。
如下所述，在電子輔助層183沉積在連接電極173上的情況下，遮蔽區SR可代表因突起175而無電子輔助層183沉積的區域。亦即，在遮蔽區SR中，電子輔助層183可能不會沉積，而第一電極173a可能會露出。
電子輔助層183可安置在連接電極173上除遮蔽區SR以外的區域中。舉例來說，電子輔助層183可以不與遮蔽區SR重疊的方式設置。
陰極電極185可安置在連接電極173上，並可以覆蓋電子輔助層183的方式安置。另外，陰極電極185可安置在遮蔽區SR中，並可與遮蔽區SR中的第一電極173a接觸。如上所述，遮蔽區SR中的連接電極173的第一電極173a被曝露，而沒有被電子輔助層183覆蓋，因此陰極電極185可與第一電極173a直接接觸，並可接收從輔助電極157傳輸的低電位驅動電壓ELVSS。
根據本發明的態樣，由於陰極電極185可透過輔助電極157連接至輔助導線123，因此透過輔助導線123提供的電力會穩定地供應給陰極電極185，從而可提升發光元件LD的操作特性。
圖23至圖27為顯示在圖21中所示之製造顯示面板的方法的示意圖。圖23顯示藉由在連接電極173的上部進行圖案化而在其上形成曝露孔EH的基板110。
參照圖23和圖24，突起175可形成從通過曝露孔EH露出的第二電極173b突出。
突起175可以不規則的方式形成。根據本發明的態樣，主幹175a可從接觸孔EH沿第二方向DR2形成，而冠狀頂部175b可從主幹175a延伸並可具有形成在第一方向DR1上的一部分舉例來說，冠狀頂部175b的一部分可包含在第一方向DR1上延伸的多個凸出。
藉由包含突起175的凸出的冠狀頂部175b，遮蔽區SR可形成在連接電極173的第一電極173a上。
參照圖25到圖27，可形成發光材料層181，而電子輔助層183可形成在發光材料層181上。根據本發明的態樣，電子輔助層183可透過沉積製程來形成。
當電子輔助層183沉積在第二接觸孔CH2內的連接電極173時，電子輔助層183可不會沉積在遮蔽區SR中。根據本發明的態樣，電子輔助層183可以在第二接觸孔CH2內中斷的方式來形成，並可包含彼此間隔開的兩個部分183a和183b。亦即，彼此間隔開的兩個部分183a和183b可安置在中間的突起175的相對側。
由於電子輔助層183以在第二接觸孔CH2內中斷的方式形成，因此電子輔助層183不會覆蓋遮蔽區SR。因此，連接電極173的一部分可露出。
陰極電極185可形成在電子輔助層183上。根據本發明的態樣，陰極電極185可透過沉積製程來形成。陰極電極185可以覆蓋電子輔助層183和保護層160的方式來沉積在表面上。根據本發明的態樣，陰極電極185可以安置在遮蔽區SR中的方式來形成。
因此，陰極電極185可透過連接電極173連接至輔助電極157，因此可穩定地將低電位驅動電壓ELVSS施加至陰極電極185。
陰極電極185可包含以在接觸孔CH2中彼此間隔開的方式安置的兩個部分。舉例來說，陰極電極185可安置在突起175的多個凸出之間。
陰極電極185可以在接觸孔CH2中不中斷的方式形成，而非以彼
此分離的方式形成。舉例來說，如圖27中所示，陰極電極185可以完全覆蓋突起175的凸出的方式安置。
根據本發明的態樣，發光元件LD的陰極電極185可透過連接電極173連接至輔助導線123，如此一來，透過輔助導線123提供的電力可穩定地供應給陰極電極185。
因此，本發明態樣的發光元件可穩定地驅動。
本發明參照圖式所示的態樣來描述以說明本發明的目的，而所屬技術領域中具有通常知識者能輕易理解，本發明可用各種方式和其他相同態樣來修改。因此，本發明的範疇應由所附申請專利範圍的技術想法來決定。
本發明主張於2019年12月31日提出之韓國專利申請第10-2019-0179742號的優先權，該案作為引用併入本文中。
157:輔助電極
173a:第一電極
173b:第二電極
173c:第三電極
175:突起
175a:主幹
175b:冠狀頂部
183:電子輔助層
185:陰極電極
EH:曝露孔
SR:遮蔽區
DR1:第一方向
DR2:第二方向
Claims (15)
- 一種顯示面板，包括：一基板，包含一發光區和一非發光區；一輔助電極，置於該非發光區中，並被施加有用於驅動該顯示面板的電力；一保護層，置於該輔助電極上；一接觸孔，穿過該保護層並曝露該輔助電極；一連接電極，與該接觸孔內的該輔助電極接觸；一電子輔助層，置於該連接電極上；一陰極電極，置於該電子輔助層上；以及一突起，從該連接電極突出，其中，該突起具有在該連接電極上的一遮蔽區，其中，該陰極電極與該連接電極在該遮蔽區中接觸，其中，該連接電極包含：一第一電極；一第二電極，置於該第一電極下方；以及一曝露孔，形成在該第一電極中，以及其中，該突起從該第二電極延伸並突出穿過該曝露孔。
- 如請求項1的顯示面板，其中，該電子輔助層包含置於該連接電極上並彼此間隔開的兩個部分。
- 如請求項2的顯示面板，其中，該突起置於該電子輔助層的該兩個部分之間。
- 如請求項1的顯示面板，其中，該電子輔助層不與該遮蔽區重疊。
- 如請求項1的顯示面板，其中，該陰極電極覆蓋該突起。
- 該請求項1的顯示面板，其中，該陰極電極與該遮蔽區中的該第一電極接觸。
- 該請求項1的顯示面板，其中，該第一電極包含透明且導電的金屬氧化物，而該第二電極包含金屬。
- 如請求項1的顯示面板，其中，該突起包含：一主幹，從該連接電極延伸；以及一冠狀頂部，從該主幹延伸，並配置以形成該遮蔽區。
- 如請求項8的顯示面板，其中，該冠狀頂部為倒錐形。
- 如請求項8的顯示面板，其中，該電子輔助層置於該冠狀頂部上。
- 如請求項8的顯示面板，其中，該冠狀頂部包含多個形成為輻射狀的凸出。
- 如請求項11的顯示面板，其中，該電子輔助層和該陰極電極置於該複數個凸出之間的區域中。
- 一種製造顯示面板的方法，該方法包括：形成一輔助電極，該輔助電極置於一基板的一非發光區中並被施加有用於驅動該顯示面板的電力；在該輔助電極上形成一保護層；在該保護層中形成一接觸孔，以曝露該輔助電極；形成一連接電極，該連接電極與該接觸孔內的該輔助電極接觸；形成一突起，該突起從該連接電極突出，並在該連接電極上形成一遮蔽區；在該連接電極上形成一電子輔助層；以及形成一陰極電極，該陰極電極與該連接電極在該遮蔽區中接觸，其中，該連接電極包括：一第一電極；一第二電極，置於該第一電極下方；以及一曝露孔，形成在該第一電極中，以及其中，該突起從該第二電極延伸並突出穿過該曝露孔。
- 如請求項13的方法，其中，該電子輔助層的形成包括在該連接電極的該遮蔽區外的區域中形成該電子輔助層。
- 如請求項13的方法，其中，該突起的形成包括：曝露該第二電極的一部分；以及藉由在該第二電極產生離子反應來形成該突起。
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3188274A1 (en) * | 2015-12-29 | 2017-07-05 | LG Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of fabricating the same |
| US20180166015A1 (en) * | 2016-12-14 | 2018-06-14 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device |
Family Cites Families (10)
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|---|---|---|---|---|
| KR102020805B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2019-09-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR102227455B1 (ko) * | 2013-10-08 | 2021-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US9478591B2 (en) * | 2013-12-23 | 2016-10-25 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and repair method thereof |
| US9806279B2 (en) * | 2014-07-08 | 2017-10-31 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device comprising auxiliary electrode having void therein and manufacturing method thereof |
| US9570471B2 (en) * | 2014-08-05 | 2017-02-14 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| KR101795579B1 (ko) * | 2015-11-10 | 2017-11-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102612040B1 (ko) * | 2016-08-31 | 2023-12-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 격벽을 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| CN110447107B (zh) * | 2018-03-12 | 2022-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管阵列基板、显示面板和显示设备、及制造方法 |
| KR102688180B1 (ko) * | 2018-04-20 | 2024-07-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 보조 전극을 포함하는 디스플레이 장치 |
| CN109599429B (zh) * | 2018-12-25 | 2021-11-02 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3188274A1 (en) * | 2015-12-29 | 2017-07-05 | LG Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of fabricating the same |
| US20180166015A1 (en) * | 2016-12-14 | 2018-06-14 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device |
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