CN113130560B - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示面板。该显示面板包括：包括发光区域和非发光区域的基板；放置在非发光区域中的辅助电极，并且辅助电极被提供有用于驱动显示面板的电力；放置在辅助电极上的保护层；穿透保护层并且露出辅助电极的接触孔；以在接触孔内与辅助电极接触的方式放置的连接电极；放置在连接电极上的电子辅助层；放置在电子辅助层上的阴极电极；以及从连接电极突起形成的突起部，其中，突起部以在连接电极上形成掩盖区域的方式形成，并且阴极电极在掩盖区域中与连接电极接触。

Description

显示面板及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年12月31日提交的韩国专利申请第10-2019-0179742号的优先权，出于所有的目的，其全部内容通过引用被并入本文。
技术领域
本公开内容的实施方式涉及显示面板及其制造方法。
背景技术
显示面板包括能够输出光的像素。显示面板的示例包括液晶显示(LCD)面板、等离子显示面板(PDP)和有机发光二极管(OLED)显示面板。
构成OLED面板的有机发光二极管是自发光的，并且不需要分立的光源。因此，可以相对地减小包括OLED面板的显示装置的厚度和重量。另外，包括OLED面板的显示装置可以具有高质量特性，例如，低功耗、高亮度、高响应率等。
前述内容仅旨在帮助理解本公开内容的背景，并且不旨在意味着本公开内容落入本领域技术人员已知的相关技术的范围内。
发明内容
本公开内容的目的是提供显示面板及其制造方法，其中，电力被稳定地提供至发光元件，并且显示面板具有优异的操作特性。
根据本公开内容的实施方式，提供了一种显示面板，其包括：包括发光区域和非发光区域的基板；放置在非发光区域中的辅助电极，并且辅助电极被提供有用于驱动显示面板的电力；放置在辅助电极上的保护层；穿透保护层并且露出辅助电极的接触孔；以在接触孔内与辅助电极接触的方式放置的连接电极；放置在连接电极上的电子辅助层；放置在电子辅助层上的阴极电极；以及从连接电极突起形成的突起部，其中，突起部以在连接电极上形成掩盖区域的方式形成，并且阴极电极在掩盖区域中与连接电极接触。
根据本公开内容的实施方式，提供了一种制造显示面板的方法，该方法包括：形成放置在基板的非发光区域中的辅助电极，并且辅助电极被提供有用于驱动显示面板的电力；在辅助电极上形成保护层；在保护层中，形成露出辅助电极的接触孔；形成以与辅助电极在接触孔内接触的方式放置的连接电极；形成突起部，其从连接电极突起，并且在连接电极上形成掩盖区域；在连接电极上沉积电子辅助层；以及以在掩盖区域中与连接电极接触的方式形成阴极电极。
根据本公开内容的实施方式，与发光元件的阴极电极相对应的电极可以通过连接电极连接至辅助布线，使得通过辅助布线提供的电力可以稳定地提供至阴极电极。
因此，电力可以被稳定地提供至本公开内容的实施方式的发光元件，使得可以增强操作特性。
附图说明
根据以下当结合附图时进行的详细描述将更清晰地理解本公开内容的上述及其他目的、特征和其他优点，在附图中：
图1是示出了根据本公开内容的实施方式的显示装置的图；
图2是示出了根据本公开内容的实施方式的像素的图；
图3是根据本公开内容的实施方式的显示面板的截面图；
图4是图3中所示的部分AA的放大图；以及
图5至图27是示出了根据本公开内容的实施方式的制造显示面板的方法的图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述本公开内容的实施方式。
图1是示出了根据本公开内容的实施方式的显示装置的图。参照图1，显示装置1000可以包括显示面板100、控制器200、源极驱动器300、栅极驱动器400和电源电路500。
显示装置1000可以是能够显示图像和视频的装置。例如，显示装置1000可以表示TV、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动电话、视频电话、电子书阅读器、计算机、相机、可穿戴装置等，但是不限于此。
显示面板100可以包括以行和列布置的多个像素(或子像素)PX。根据实施方式，图1中所示的多个像素PX可以布置成由n行和m列组成的网格结构(n和m是自然数)。
例如，显示面板100可以被实现为液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)显示器、有机发光二极管(OLED)显示器、有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器、电致变色显示器(ECD)、数字镜装置(DMD)、致动镜装置(AMD)、光栅光阀(GLV)、等离子显示面板(PDP)、电致发光显示器(ELD)和真空荧光显示器(VFD)中的一个，但是不限于此。
根据实施方式，显示面板100可以包括：布置成n行的n条栅极线GL1至GLn；以及布置成m列的m条数据线DL1至DLm。像素PX可以被放置在栅极线GL1至GLn与数据线DL1至DLm的交叉处。
像素PX可以是用于输出光的基本单位。每个像素PX可以包括驱动元件。根据实施方式，从每个像素PX输出的光可以具有红色、绿色和蓝色中的任何一种，但是不限于此。例如，可以从像素PX输出白色光。
根据实施方式，像素PX可以包括被配置成发光的发光元件以及驱动发光元件的发光元件驱动电路。发光元件驱动电路可以连接至一条栅极线和一条数据线。发光元件可以位于发光元件驱动电路与用于连接的电源电压(例如，接地电压)之间。
根据实施方式，发光元件可以是发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(QLED)或微发光二极管(LED)，但是本公开内容的实施方式不限于发光元件的类型。
可以基于每条栅极线驱动显示面板100的像素PX。例如，在第一时段期间可以驱动布置在一条栅极线中的像素，并且在第一时段之后的第二时段期间可以驱动布置在另一栅极线中的像素。在本文中，其中驱动像素PX的单位时间段可以被称为一个水平时段(1个水平(1H)时间)。
发光元件驱动电路可以包括连接至栅极线GL1至GLn的开关元件，例如，薄膜晶体管(TFT)。当通过栅极线GL1至GLn施加栅极导通信号并且开关元件导通时，发光元件驱动电路将通过连接至发光元件驱动电路的数据线DL1至DLm接收到的数据信号(或像素信号)提供至发光元件。发光元件可以输出与图像信号相对应的光。
控制器200可以从外部接收图像信号RGB，并且可以对图像信号RGB执行图像处理，或者进行转换以使图像信号适合于显示面板100的结构，从而生成图像数据DATA。控制器200可以将图像数据DATA传输至源极驱动器300。
控制器200可以从外部主机装置接收控制信号CS。控制信号CS可以包括水平同步信号、垂直同步信号和时钟信号，但是不限于此。
基于接收到的控制信号CS，控制器200可以生成用于控制源极驱动器300的第一驱动控制信号DCS1、用于控制栅极驱动器400的第二驱动控制信号DCS2以及用于控制电源电路500的第三驱动控制信号DCS3。
控制器200可以将第一驱动控制信号DCS1传输至源极驱动器300，可以将第二驱动控制信号DCS2传输至栅极驱动器400，并且可以将第三驱动控制信号DCS3传输至电源电路500。
源极驱动器300可以基于图像数据DATA和第一驱动控制信号DCS1，生成与显示面板100上显示的图像相对应的数据信号DS1至DSm，并且可以将生成的数据信号DS1至DSm传输至显示面板100。数据信号DS1至DSm可以分别传输至像素PX。例如，在1H时段期间，源极驱动器300可以通过数据线DL1至DLm将要在1H时段显示的数据信号DS1至DSm提供至在1H时段驱动的像素PX。
栅极驱动器400可以响应于第二驱动控制信号DCS2，将栅极信号GS1至GSn依次提供至多条栅极线GL1至GLn。栅极信号GS1至GSn中的每一个是用于使连接至栅极线GL1至GLn中的每一个的像素PX导通的信号，并且可以被施加至包括在每个像素PX中的晶体管的栅极端子。
电源电路500可以基于第三驱动控制信号DCS3，生成要提供至显示面板100的驱动电压DV，并且可以将生成的驱动电压DV传输至显示面板100。驱动电压DV可以包括低电位驱动电压和具有比低电位驱动电压高的电位的高电位驱动电压。根据实施方式，电源电路500可以通过分立的电力线将低电位驱动电压和高电位驱动电压分别传输至像素PX中的每一个。
在本说明书中，源极驱动器300和栅极驱动器400可以被称为面板驱动电路。
根据实施方式，控制器200、源极驱动器300和栅极驱动器400中的至少两个可以被实现为一个集成电路。另外，根据实施方式，源极驱动器300或栅极驱动器400可以被实现为安装在显示面板100上。另外，根据实施方式，电源电路500可以位于显示面板100的外部。
图2是示出了根据本公开内容的实施方式的像素的图。作为示例，图2示出了连接至第i栅极线GLi(1≤i≤n)和第j数据线DLj(1≤j≤m)的像素PXij。
参照图1和图2，像素PX可以包括开关晶体管ST、驱动晶体管DT、存储电容器CST、感测晶体管SST和发光元件LD。开关晶体管ST和驱动晶体管DT可以被称为驱动元件。
开关晶体管ST的第一电极(例如，源极电极)电连接至第j数据线DLj，而开关晶体管ST的第二电极(例如，漏极电极)电连接至第一节点N1。开关晶体管ST的栅电极电连接至第i栅极线GLi。当通过第i栅极线GLi施加栅极导通电平处的栅极信号时，开关晶体管ST导通，并且将通过第j数据线DLj施加的数据信号传输至第一节点N1。
存储电容器CST的第一电极电连接至第一节点N1，而存储电容器CST的第二电极接收高电位驱动电压ELVDD。可以使用与施加至第一节点N1的电压与高电位驱动电压ELVDD之间的差相对应的电压来对存储电容器CST进行充电。
驱动晶体管DT的第一电极(例如，源极电极)接收高电位驱动电压ELVDD，而驱动晶体管DT的第二电极(例如，漏极电极)电连接至发光元件LD的第一电极(例如，阳极电极)。驱动晶体管DT的栅电极电连接至第一节点N1。当通过第一节点N1施加栅极导通电平处的电压时，驱动晶体管DT导通，并且可以根据提供至栅电极的电压来控制流至发光元件LD的驱动电流的量。
感测晶体管SST的第一电极(例如，源极电极)电连接至第二节点N2，而感测晶体管SST的第二电极(例如，漏极电极)电连接至参考电压线RVL。感测晶体管SST的栅电极电连接至感测线SL。开关晶体管ST可以基于通过感测线SL传输的感测电压而导通，并且可以通过第二节点N2将通过参考电压线RVL传输的参考电压施加至驱动晶体管DT的第一电极(例如，源极电极)。
另外，感测晶体管SST可以检测像素PX(或驱动晶体管DT)的劣化的程度，并且可以将检测的结果传输至源极驱动器300。例如，感测晶体管SST可以感测像素PXij的阈值电压，以确认像素PXij的劣化的程度。具体地，感测晶体管SST可以通过检测第二节点N2的电压来感测阈值电压。
发光元件LD输出与驱动电流相对应的光。发光元件LD可以输出与红色、绿色、蓝色和白色中的任何一种相对应的光。发光元件LD可以是有机发光二极管(OLED)或者具有在微米至纳米级范围内的尺寸的超小型无机发光二极管，但是不限于此。在下文中，将描述其中发光元件LD是有机发光二极管的本公开内容的实施方式。
另外，本公开内容中描述的像素PX的结构不应被解释为局限于参照图2描述的像素PXij的结构。根据实施方式，像素PX还可以包括至少一个元件，用于补偿驱动晶体管DT的阈值电压，或者初始化驱动晶体管DT的栅电极的电压和/或发光元件LD的阳极电极的电压。
图2示出了其中开关晶体管ST和驱动晶体管DT是NMOS晶体管的示例，但是不限于此。例如，构成每个像素PX的晶体管中的至少一些或全部可以被配置成PMOS晶体管。在各种实施方式中，开关晶体管ST和驱动晶体管DT中的每一个可以被实现为低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管(氧化物TFT)或低温多晶氧化物(LTPO)薄膜晶体管，但是不限于此。
图3是根据本公开内容的实施方式的显示面板的截面图。参照图1至图3，显示面板100可以包括基板110。基板110是显示面板100的基底构件，并且可以是透光基板。基板110可以是包括玻璃或钢化玻璃的刚性基板，或者可以是由塑料材料制成的柔性基板。例如，基板110可以由玻璃或塑料材料，例如，聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)等制成，但是基板110的材料不限于此。
在基板110上，可以放置包括下布线121和辅助布线123的第一导电层120。
下布线121可以是具有阻光功能的导电金属。根据实施方式，下布线121可以保护显示面板100的驱动元件免受外部光的影响。
辅助布线123可以与下布线121间隔开放置。根据实施方式，辅助布线123可以连接至籍其施加低电位驱动电压ELVSS的电源线。如后面将描述的，低电位驱动电压ELVSS可以通过辅助布线123传输至发光元件LD。
根据实施方式，第一导电层120可以具有包括至少两个金属层的两层结构，但是不限于此。
在基板110上，可以放置缓冲层125。根据实施方式，缓冲层125可以被放置在第一导电层120上。
缓冲层125可以防止离子或杂质从基板110扩散，并且可以阻止水分从基板110渗透。
缓冲层125可以设置成包括至少两层的多层结构。根据实施方式，缓冲层125可以包括包含以下材料的层：无机材料，例如氧化物、氮化物等；有机材料；或有机无机化合物。例如，缓冲层125可以是硅氧化物或硅氮化物。
在缓冲层125上，可以放置包括有源图案131和电容器电极133的有源层130。
有源图案131可以包括基于硅的半导体材料或基于氧化物的半导体材料。例如，基于硅的半导体材料可以包括非晶硅或多晶硅。基于氧化物的半导体材料可以包括四元金属氧化物，例如，铟锡镓锌氧化物(InSnGaZnO)；三元金属氧化物，例如，铟镓锌氧化物(InGaZnO)、铟锡锌氧化物(InSnZnO)、铟铝锌氧化物(InAlZnO)、锡镓锌氧化物(SnGaZnO)、铝镓锌氧化物(AlGaZnO)或锡铝锌氧化物(SnAlZnO)；或二元金属氧化物，例如，铟锌氧化物(InZnO)、锡锌氧化物(SnZnO)、铝锌氧化物(AlZnO)、锌镁氧化物(ZnMgO)、锡镁氧化物(SnMgO)、铟镁氧化物(InMgO)、铟镓氧化物(InGaO)；或一元金属氧化物，例如，铟氧化物(InO)、锡氧化物(SnO)或锌氧化物(ZnO)。
有源图案131可以是驱动晶体管DT的有源区。根据实施方式，有源图案131可以包括漏极区域、源极区域以及漏极区域与源极区域之间的沟道区域。例如，源极区域和漏极区域可以包含p型或n型杂质。电子或空穴可以从源极区域流出，可以穿过沟道区域，并且可以被引入至漏极区域中。
电容器电极133可被放置成使得电容器电极133的至少一部分与下布线121交叠。在电容器电极133与下布线121之间，可以形成存储电容器CST。
第一绝缘层135可以放置在有源层130上。根据实施方式，第一绝缘层135可以放置在有源图案131与后面描述的栅极电极143之间。例如，第一绝缘层135可以放置在有源图案131的沟道区域与栅极电极143之间。
第一绝缘层135可以是硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或者以包括它们的多层结构。
在第一绝缘层135上，可以放置包括焊盘141和栅极电极143的第二导电层140。根据实施方式，栅极电极143可以被放置在与有源图案131的沟道区域相对应的位置处。
焊盘141可以通过设置在显示面板100的焊盘区域中的布线电连接至时序控制器200、源极驱动器300、栅极驱动器400和电源电路500中的至少一个。
栅极电极143可以由以下材料制成：选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)组成的组中的任何一种金属或者两种或更多种金属的合金。另外，栅极电极143可以是由选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)组成的组中的任何一种金属或者两种或更多种金属的合金所组成的多个层。例如，栅极电极143可以是钼和铝或者钼和铝-钕的两层。
焊盘141可以由与栅极电极143相同的材料制成，并且可以通过与栅极电极143相同的工艺形成。然而，本公开内容的实施方式不限于此。
在焊盘141和栅极电极143上，可以放置第二绝缘层145。第二绝缘层145覆盖焊盘141和栅极电极143。第二绝缘层145可以是硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)或它们的多层。
在第二绝缘层145上，可以放置包括焊盘电极151、源极电极153、漏极电极155和辅助电极157的第三导电层150。
焊盘电极151可以电连接至焊盘141。根据实施方式，焊盘电极151可以通过穿透第二绝缘层145的接触孔与焊盘141接触。
源极电极153和漏极电极155可以彼此间隔开地放置在第二绝缘层145上。源极电极153和漏极电极155可以分别连接至有源图案131的源极区域和漏极区域。根据实施方式，源极电极153可以通过穿透第二绝缘层145的接触孔连接至有源图案131的源极区域。漏极电极155可以通过穿透第二绝缘层145的接触孔连接至有源图案131的漏极区域，并且可以连接至下布线121。
尽管未示出，但是根据实施方式，源极电极153可以连接至籍其提供显示面板100的驱动电力(例如，高电位驱动电压ELVDD)的电源布线。
源极电极153和漏极电极155可以形成为由选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)组成的组中的任何一种金属或者两种或更多种金属的合金构成单层或多层。在源极电极153和漏极电极155是多层的情况下，它们可以由钼和铝-钕的两层组成，或者由钛和铝和钛；钼和铝和钼；或钼和铝-钕和钼的三层组成。同时，图3示出了源极电极153和漏极电极155具有两层结构，但是本公开内容的实施方式不限于此。
有源图案131、栅极电极143、源极电极153和漏极电极155可以构成晶体管。根据实施方式，晶体管可以是例如，驱动晶体管DT或开关晶体管ST。图3示出了由有源图案131、栅极电极143、源极电极153和漏极电极155构成驱动晶体管DT的示例，但是不限于此。
同时，作为示例，图3示出了源极电极153和漏极电极155被放置在栅极电极143上方的翻转交错晶体管(DT)，但是本公开内容的实施方式不限于此。例如，栅极电极143、源极电极153和漏极电极155可以放置在一个层上。
辅助电极157可以电连接至辅助布线123。根据实施方式，辅助电极157可以通过穿透第二绝缘层145的接触孔与辅助布线123接触。辅助电极157可以由与源极电极153和漏极电极155相同的材料制成，并且可以形成为单层或多层。
根据实施方式，辅助电极157可以以具有斜率的方式放置。也就是说，辅助电极157可以包括放置在辅助布线123上的第一部分，以及放置在辅助布线123和第二绝缘层145上的第二部分。第一部分和第二部分可以彼此成角度。
在第三导电层150上，可以放置保护层160。保护层160可以覆盖第三导电层150。保护层160可以是包括具有绝缘功能、平坦化功能或防水功能的有机膜和无机膜中的至少一个的层。
保护层160可以包括第一保护层161和放置在第一保护层161上的第二保护层163。第一保护层161可以使第三导电层150绝缘。根据实施方式，第一保护层161可以包括硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)以及包括它们的多个膜。例如，第一保护层161可以是钝化层。
根据实施方式，第一保护层161可以包括多层，并且另外的导电层还可以形成在第一保护层161中包括的多层之间。形成在第一保护层161中的导电层还可以包括电路元件的电极和驱动线，例如，晶体管DT和ST的辅助栅电极、存储电容器CST的上电极等。例如，第一保护层161可以是钝化层。
第二保护层163可以放置在第一保护层161上。第二保护层163可以是用于减小第二保护层163下方的层之间的水平差的平坦化膜。根据实施方式，第二保护层163可以包括有机材料，例如，聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂、丙烯酸酯等。例如，第二保护层163可以是涂覆层。
根据实施方式，可以省略第一保护层161和第二保护层163中的任一个。在这种情况下，保护层160可以仅由除了省略的层之外的一个层形成。
第一接触孔CH1可以形成在保护层160中。根据实施方式，第一接触孔CH1可以穿透第一保护层161和第二保护层163而形成，并且可以露出保护层160和漏极电极155的至少一部分。
第二接触孔CH2可以形成在保护层160中。根据实施方式，第二接触孔CH2可以穿透第一保护层161和第二保护层163而形成，并且可以露出保护层160和辅助电极157的至少一部分。
在保护层160上，可以放置阳极电极171和连接电极173。
阳极电极171可以通过第一接触孔CH1连接至漏极电极155。从有源图案131的漏极区域传输的信号可以穿过漏极电极155，并且可以传输至下布线121。另外，信号可以从漏极电极155传输至阳极电极171。
另外，阳极电极171可以电连接至其上的发光材料层181，并且可以向发光材料层181提供孔。
根据实施方式，阳极电极171可以是透射从发光材料层181输出的光的透射电极，或者可以是反射光的反射电极。例如，在显示面板100是底部发光型的情况下，阳极电极171可以是透射电极，并且在显示面板100是顶部发光型的情况下，阳极电极171可以是反射电极。另外，在显示面板100是双发光型的情况下，阳极电极171可以是透射电极。在下文中，将假定显示面板100是顶部发光型来给出描述。
阳极电极171可以由透明导电材料制成，例如，铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)等。另外，阳极电极171可以包括反射层，该反射层包括金属材料，例如，铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)或它们的合金。根据实施方式，阳极电极171可以由三层组成，此三层是以如下顺序堆叠的透明导电层、反射层和透明导电层。例如，阳极电极171可以由三层组成，此三层包括如下顺序的ITO、Ag和ITO。
连接电极173可以通过第二接触孔CH2连接至辅助电极157。从辅助电极157传输的低电位驱动电压ELVSS可以传输至连接电极173。
连接电极173可以与阳极电极171间隔开放置，并且可以电连接至阳极电极171。根据实施方式，连接电极173可以放置在非发光区域NEA中。
连接电极173可以由透明导电材料制成，例如，铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)等。另外，连接电极173可以包括反射层，该反射层包括金属材料，例如，铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)或它们的合金。根据实施方式，类似于阳极电极171，连接电极173可以由三层组成，此三层包括如下顺序的ITO、Ag和ITO。
根据实施方式，连接电极173可以包括第一电极173a、放置在第一电极173a下方的第二电极173b以及放置在第二电极173b下方并且与辅助电极157接触的第三电极173c。第一电极173a至第三电极173c可以电连接至彼此。
例如，第一电极173a和第三电极173c可以包括透明导电材料，并且第二电极173b可以包括金属。
根据本公开内容的实施方式，显示面板100可以包括从连接电极173延伸的突起部175。突起部175可以形成为从连接电极173的表面突起。根据实施方式，突起部175可以形成为从连接电极173的表面中的、与同辅助电极157接触的表面相对的表面处突起。
如稍后将描述的，由于突起部175从连接电极173突起，因此连接电极173的一部分未被电子辅助层183覆盖，并且因此可以与阴极电极185直接接触。
在保护层160上，可以放置分隔壁177。分隔壁177可以限定像素PX的发光区域EA。分隔壁177可以包括露出阳极电极171的至少一部分的开口，并且可以以覆盖未露出的阳极电极171的剩余部分(例如，边缘)的方式形成。阳极电极171的露出的部分可以被限定为像素PX的发光区域EA。
根据实施方式，分隔壁177还可以包括露出保护层160的一部分的开口。也就是说，分隔壁177可以放置在保护层160的一部分上，而不是整个保护层160上。
分隔壁177可以由能够阻挡光的材料(例如，有色材料)制成。因此，除了分隔壁177的开口之外，光不穿过各层，而是光仅穿过分隔壁177的开口。
分隔壁177可以包括有机材料，例如，聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂、丙烯酸酯等。另外，分隔壁177可以包括包含硅氧化物和硅氮化物的无机材料。根据实施方式，分隔壁177可以是包括有机材料和无机材料的多层结构。
在阳极电极171上，可以放置发光材料层181。根据实施方式，在分隔壁177之间，发光材料层181可以被放置在其中露出阳极电极171的部分上。例如，发光材料层181可以被放置在阳极电极171上，并且可以被分隔壁177包围。
根据实施方式，分隔壁177可以以高于发光材料层181的方式形成。
发光材料层181可以响应于从阳极电极171传输的电信号而输出光。根据实施方式，从发光材料层181输出的光可以是红色光、绿色光、蓝色光和白色光中的任一种，但是本公开内容的实施方式不限于此。例如，从发光材料层181输出的光的颜色可以是品红色、青色和黄色中的一种。
发光材料层181可以通过将包含有机材料的溶液施加至基板上的喷墨工艺来形成，但是本公开内容的实施方式不限于此。例如，发光材料层181也可以通过沉积工艺或激光转移工艺来形成。根据实施方式，在通过喷墨工艺形成发光材料层181的情况下，发光材料层181的表面可以是弯曲表面。例如，发光材料层181的顶表面可以具有凹形或凸形。
在发光材料层181上，可以放置电子辅助层183和阴极电极185。阴极电极185可以向发光材料层181提供电子，并且电子辅助层183可以将从阴极电极185释放的电子平稳地传输至发光材料层181。发光元件LD可以包括发光材料层181、电子辅助层183和阴极电极185。
电子辅助层183可以沿着发光材料层181的表面放置，并且阴极电极185可以沿着电子辅助层183的表面放置。
根据实施方式，电子辅助层183可以包括电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)中的至少一个。从阴极电极185释放的电子被注入至电子注入层(EIL)中。电子传输层(ETL)将注入的电子传输至发光材料层181。
电子辅助层183可以以覆盖发光材料层181的方式放置。根据实施方式，电子辅助层183可以沿着发光材料层181、分隔壁177和保护层160的表面放置。
根据本公开内容的实施方式，电子辅助层183可以放置在连接电极173上，但是可以在连接电极173上不连续。根据实施方式，电子辅助层183可以包括在连接电极173上彼此间隔开的两个部分。由于突起部175形成为从连接电极173突起，因此电子辅助层183可以在连接电极173上由突起部175分开。换句话说，连接电极173的一部分可以完全由电子辅助层183覆盖，并且可以在电子辅助层183彼此间隔开的两个部分之间露出。
根据实施方式，电子辅助层183的一部分可以被放置在突起部175上。
根据实施方式，阴极电极185可以用作阴极(正极)电极。例如，阴极电极185可以包括能够透射光的透明导电材料(TCO)，或者半透射导电材料，包括钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)以及它们的合金。
阴极电极185可以放置在电子辅助层183上。根据实施方式，阴极电极185可以以覆盖电子辅助层183的方式放置在连接电极173上方。
根据本公开内容的实施方式，阴极电极185可以与连接电极173接触。根据实施方式，阴极电极185可以在第二接触孔CH2内与连接电极173接触。如上所述，电子辅助层183可以包括在连接电极173上彼此间隔开的两个部分，并且阴极电极185可以以覆盖电子辅助层183的彼此间隔开的两个部分的方式放置。因此，阴极电极185可以与连接电极173直接接触。也就是说，阴极电极185可以与电子辅助层183彼此间隔开的两个部分之间的连接电极173的露出的部分直接接触。
通过上述连接结构，阴极电极185可以通过辅助电极157和连接电极173从辅助布线123接收电力。例如，通过辅助布线133提供的低电位驱动电压ELVSS可以被提供至阴极电极185。
根据实施方式，阴极电极185的一部分可以放置在电子辅助层183上，电子辅助层183位于突起部175上。
根据本公开内容的实施方式，由于阴极电极185可以通过辅助电极157连接至辅助布线123，因此通过辅助布线123提供的电力被稳定地提供至阴极电极185，从而可以增强发光元件LD的驱动特性。
根据实施方式，在发光元件LD中，空穴从阳极电极171注入至其中的空穴注入层(HIL)以及放置在空穴注入层上并且帮助注入的空穴移动的空穴传输层(HTL)还可以放置在发光材料层181与阳极电极171之间。
封装层191可以放置在阴极电极185上。封装层191可以防止氧气、水分或异物渗透至封装层191以下的层(例如，阴极电极185和下层)中。根据实施方式中，封装层191可以形成为包括至少一层无机层和至少一层有机层的多层结构。例如，封装层191可以是多层结构，其中无机层、有机层和无机层以该顺序堆叠。
根据实施方式，有机层可以比无机层厚，以便防止异物渗透至阴极电极185和下层中。另外，有机层可以由能够透射从发光有机材料层181输出的光的透明材料制成，但是不限于此。
无机层可以包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物和钛氧化物中的至少一种。有机层可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、苯并环丁烯树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
在封装层191上，可以形成上基板193。上基板193可以由与基板110相同的材料制成。上基板193可以通过粘合剂等附接在封装层191上。然而，上基板193的结合方法不限于此。
在各种实施方式中，在封装层191与上基板193之间，还可以形成滤色器195。滤色器195可以放置在发光区域EA中。滤色器195是波长选择滤光器，其通过透射特定波长带中的光并且阻挡其他特定波长带中的光，来选择性地透射入射光的仅部分的波长带。滤色器195可以由感光树脂制成，感光树脂包含着色剂，例如颜料、染料等。从发光元件LD输出并且穿过滤色器195的光可以具有红色、绿色和蓝色中的任何一种。在发光元件LD输出白色光的情况下，可以省略用于白色光的滤色器195。
图4是图3中所示的部分AA的放大图。参照图1至图4，连接电极173可以被放置在辅助电极157上。根据实施方式，连接电极173可以沿第一方向放置在辅助电极157上。第一方向DR1可以是水平方向，但是不限于此。
在连接电极173中，可以放置在第一电极173a中形成的露出孔EH。露出孔EH可以穿透第一电极173a的一部分，并且因此可以露出第二电极173b。
突起部175可以从第二电极173b延伸，并且可以通过露出孔EH突起。根据实施方式，突起部175可以沿第二方向DR2从第二电极173b延伸，并且可以形成为通过露出孔EH突起，露出孔EH是第一电极173a中的空间(间隙)。例如，第二方向可以是垂直方向，但是不限于此。第二方向可以是与第一方向DR1相交的任何方向。
根据本公开内容的实施方式，突起部175可以在连接电极173上形成掩盖区域SR。
突起部175可以具有从连接电极173突起并且沿第一方向DR1延伸的部分，连接电极173沿第一方向DR1放置。因为该部分，所以可以在连接电极173上形成由突起部175遮挡的掩盖区域SR。
在本公开内容中，可以将突起部175描述成类似于树。根据实施方式，突起部175可以具有放置在第一电极173a中并且从第二电极173b突起的主干175a；以及从主干175a延伸并且具有沿第一方向DR1延伸的部分的冠状部(CNP)175b。冠状部175b可以具有沿其中放置连接电极173的方向(例如，第一方向DR1)延伸的部分。因为该部分，可以在连接电极173上形成掩盖区域SR。
如稍后将描述的，在电子辅助层183沉积在连接电极173上的情况下，掩盖区域SR可以指代由于突起部175而没有沉积电子辅助层183的区域。也就是说，在掩盖区域SR中，可以不沉积电子辅助层183，并且可以露出第一电极173a。
电子辅助层183可以被放置在连接电极173上。根据实施方式，电子辅助层183可以被放置在连接电极173上除了掩盖区域SR之外的区域中。例如，电子辅助层183可以以不与掩盖区域SR交叠的方式放置。
另外，电子辅助层183可以放置在突起部175上。例如，电子辅助层183可以放置在突起部175的冠状部175b的顶表面上。
阴极电极185可以放置在连接电极173上，并且可以以覆盖电子辅助层183的方式放置。另外，阴极电极185可以放置在掩盖区域SR中，并且可以在掩盖区域SR中与第一电极173a接触。如上所述，掩盖区域SR中连接电极173的第一电极173a被露出，而没有被电子辅助层183覆盖，使得阴极电极185可以与第一电极173a直接接触，并且可以接收从辅助电极157传输的低电位驱动电压ELVSS。
另外，阴极电极185可以放置在电子辅助层183上，电子辅助层183位于突起部175上。
根据本公开内容的实施方式，由于通过辅助电极157，阴极电极185可以连接至辅助布线123，因此通过辅助布线123提供的电力被稳定地提供至阴极电极185，从而可以增强发光元件LD的操作特性。
图5至图24是示出了根据本公开内容的实施方式的制造显示面板的方法的图。在下文中。参照图1至图24，将描述制造显示面板100的方法。
参照图5，可以提供基板110，并且可以在基板110上形成第一导电层120。第一导电层120可以包括下布线121和辅助布线123。如图5中所示，第一导电层120可以提供为包括至少两个金属层的多层结构，但是本公开内容的实施方式不限于此。
第一导电层120可以通过图案化工艺形成。根据实施方式，下布线121和辅助布线123可以通过以下方式形成：在基板110上施加(或沉积)金属材料，并且然后使用掩模执行图案化，但是不限于此。
在第一导电层120上，可以形成缓冲层125。可以通过沉积工艺来形成缓冲层125。
参照图6，在缓冲层125上，可以形成包括有源图案131和存储电极133的有源层130。根据实施方式，可以在缓冲层125上施加基于氧化物的半导体材料或基于硅的半导体材料，并且可以通过使用掩模执行图案化，从而形成有源图案131。
根据实施方式，通过对基于氧化物的半导体材料或基于硅的半导体材料执行热处理或离子注入，可以形成有源图案131的源极区域和漏极区域，但是不限于此。
在缓冲层125上，可以形成第一绝缘层135。根据实施方式，第一绝缘层135可以以覆盖缓冲层125和有源层130的方式放置。根据实施方式，要放置在焊盘141和栅极电极143的区域中，可以选择性地形成第一绝缘层135。例如，包括硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的无机层可以形成在缓冲层125和有源层130上，并且然后无机层可以选择性地进行图案化，从而形成第一绝缘层135。
在第一绝缘层135上，可以形成包括焊盘141和栅极电极143的第二导电层140。根据实施方式，可以在第一绝缘层135上施加导电材料，并且然后，可以对施加的导电材料进行图案化，从而形成焊盘141和栅极电极143。
参照图7，第二绝缘层145可以形成在第一绝缘层135和第二导电层140上。第二绝缘层145可以形成为覆盖第一绝缘层135和第二导电层140两者。根据实施方式，第二绝缘层145可以通过沉积工艺形成。
在第二绝缘层145上，可以形成包括焊盘电极151、源极电极153、漏极电极155和辅助电极157的第三导电层150。根据实施方式，通过在第二绝缘层145上选择性地执行图案化，形成了分别露出焊盘141、有源图案131、下布线121和辅助布线123的接触孔，并且在各个接触孔中，可以形成焊盘电极151、源极电极153、漏极电极155和辅助电极157。
源极电极153、栅极电极143、有源图案131和漏极电极155可以构成驱动晶体管DT。
因此，焊盘电极151可以与焊盘141接触。源极电极153可以与有源图案131的源极区域接触。漏极电极155可以与下布线121和有源图案131的漏极区域接触。辅助电极157可以与辅助布线123接触。
参照图8，保护层160可以形成在第二绝缘层145和第三导电层150上。可以形成保护层160，以覆盖第二绝缘层145和第三导电层150两者。根据实施方式，在形成第一保护层161之后，可以在第一保护层161上形成第二保护层163。例如，可以通过沉积工艺来形成保护层160。
参照图9，在保护层160中，可以形成穿透保护层160的接触孔CH1和CH2。根据实施方式，通过蚀刻保护层160，可以形成接触孔CH1和CH2。
通过蚀刻保护层160，可以形成第一接触孔CH1，使得露出漏极电极155中的至少一部分。通过蚀刻保护层160，可以形成第二接触孔CH2，使得露出辅助电极157中的至少一部分。
阳极电极171可以形成在保护层160上。根据实施方式，阳极电极171可以以阳极电极171的至少一部分沿着第一接触孔CH1放置的方式形成。因此，阳极171可以与通过第一接触孔CH1露出的漏极电极155接触。
根据实施方式，可以通过在三层上执行图案化来形成阳极电极171，此三层是以如下顺序堆叠的透明导电层、反射层和透明导电层。例如，阳极电极171可以由三层组成，此三层包括如下顺序的ITO、Ag和ITO。
连接电极173可以形成在保护层160上，与阳极电极171间隔开。根据实施方式，连接电极173可以以连接电极173的至少一部分被沿着第二接触孔CH2放置的方式形成。因此，从辅助电极157传输的低电位驱动电压ELVSS可以被传输至连接电极173。
根据实施方式，关于连接电极173，通过对该顺序堆叠的透明导电材料层、金属层和透明导电材料层的三层执行图案化，可以形成连接电极173的第一电极173a、第二电极173b、第三电极173c。
例如，阳极电极171和连接电极173可以在同一工艺中一起形成，但是不限于此。
参照图10和图11，连接电极173的上部分被进行图案化。根据实施方式，可以对连接电极173的第一电极173a的一部分进行图案化，并且可以在第一电极173a中形成露出孔EH。通过露出孔EH，可以露出第二电极173b的一部分。
根据实施方式，可以通过在第一电极173a的一部分上执行光刻法或激光转移来形成露出孔EH。同时，可以设置多个露出孔EH。
参照图12至图14，突起部175可以形成为从连接电极173突起。根据实施方式，突起部175可以形成为从通过露出孔EH露出的第二电极173b突起。
根据实施方式，当第二电极173b通过露出孔EH露出时，基板110暴露于室温，基板110使用高温或臭氧(O3)或硫化氢(H2S)进行处理，使得在露出的第二电极173b处可能发生离子反应。由于离子反应，突起部175可能形成为从第二电极173b突起。例如，在第二电极173b包含银(Ag)的情况下，通过露出孔EH露出的银(Ag)可以与硫化氢(H2S)反应并生长，从而形成突起部175。从生长的银(Ag)中，可以首先形成突起部175的主干175a，并且从主干175a可以进一步形成冠状部175b。
突起部175可以以不规则的方式形成。根据实施方式，主干175a可以从露出孔EH沿第二方向DR2形成，并且冠状部175b可以从主干175a延伸，并且可以具有沿第一方向DR1形成的一部分。例如，冠状部175b的至少部分可以呈倒锥形形状。
通过突起部175的形状(例如，冠状部175b的形状)，可以在连接电极173上形成掩盖区域SR。根据实施方式，通过突起部175的冠状部175b，可以在连接电极173的第一电极173a上形成掩盖区域SR。
参照图14，分隔壁177可以形成在阳极电极171上。根据实施方式，分隔壁177可以以露出阳极电极171的一部分并且覆盖剩余部分的方式形成在阳极电极171上。另外，分隔壁177可以以露出辅助电极147的一部分并且覆盖剩余部分的方式形成在第二接触孔157中。
根据实施方式，分隔壁177可以不放置在第二接触孔CH2中。也就是说，分隔壁177可以露出第二接触孔CH2。
可以在保护层160上施加有机材料或无机材料，并且可以通过使用掩模选择性地执行图案化，从而形成分隔壁177。在本文中，通过图案化工艺，可以形成露出阳极电极171的至少一部分的开口，并且可以形成第二接触孔CH2。
根据实施方式，分隔壁177的表面中的至少一部分可以是疏水的。例如，在施加有机绝缘材料与疏水材料例如，氟(F)的混合物的溶液之后，可以通过光刻工艺形成分隔壁177。由于光刻工艺期间发出的光，疏水材料例如，氟可能移动至分隔壁177的顶部，并且因此，分隔壁177的顶表面具有疏水性，并且剩余部分可能具有亲水性。然而，本实施方式不限于此。分隔壁177的整个部分可以是疏水的。
参照图15，可以形成发光材料层181和电子辅助层183。可以通过以下方式形成发光材料层181：沉积有机材料(沉积工艺)、施加包含有机材料的溶液(喷墨工艺)或者使用激光照射包含有机材料的膜(激光转移工艺)，但是本公开内容的实施方式不限于此。然而，假设通过喷墨工艺形成发光材料层181来描述本公开内容。
在由分隔壁177包围的发光区域EA中，发光材料层181可以形成在露出的阳极电极171上。通过分隔壁177，可以防止发光材料层181溢出到发光区域EA的外部。
根据实施方式，当通过喷墨工艺形成发光材料层181时，发光材料层181的中心区域与边缘区域(与分隔壁177相邻)之间可能存在高度差，这是由于发光材料层181与分隔壁177之间的力。例如，发光材料层181的顶表面可能在中心部分处最薄，并且可能在边缘处最厚，但是本公开内容的实施方式不限于此。
电子辅助层183可以形成在发光材料层181上。根据实施方式，电子辅助层183可以通过沉积工艺形成。例如，可以通过垂直沉积来沉积电子辅助层183，但是不限于此。
电子辅助层183可以以覆盖发光材料层181、分隔壁177和保护层160的方式沉积在表面上。
参照图15和图16，在第二接触孔CH2内，当电子辅助层183沉积在连接电极173上时，扩散的离子被突起部175的形状阻挡，并且没有到达掩盖区域SR。因此，电子辅助层183可能不沉积在掩盖区域SR中。换句话说，通过在突起部175上沉积电子辅助层183，可以形成其中未形成电子辅助层183的掩盖区域SR。
根据实施方式，电子辅助层183可以以在第二接触孔CH2内不连续的方式形成，并且可以包括彼此间隔开放置的两个部分183a和183b。也就是说，彼此间隔开的两个部分183a和183b可以被放置在相对的侧面上，其中突起部175处于中心。
由于电子辅助层183以在第二接触孔CH2内不连续的方式形成，因此电子辅助层183不覆盖掩盖区域SR。因此，可以露出连接电极173的一部分。
根据实施方式，电子辅助层183可以被放置在突起部175的顶部上。
参照图17和图18，可以在电子辅助层183上形成阴极电极185。根据实施方式，可以通过沉积工艺来形成阴极电极185。例如，可以通过垂直沉积工艺或溅射工艺来形成阴极电极185。
阴极电极185可以以覆盖电子辅助层183和保护层160的方式沉积在表面上。根据实施方式，阴极电极185可以以被放置在掩盖区域SR中的方式形成。例如，通过使用例如溅射的沉积方法，在掩盖区域SR中可以形成阴极电极185。
如上所述，由于在掩盖区域SR中未形成电子辅助层183，因此连接电极173的第一电极173a在掩盖区域SR中露出，而不被电子辅助层183覆盖。由于阴极电极185形成在掩盖区域SR中，因此掩盖区域SR中阴极电极185可以与第一电极173a直接接触。
因此，通过连接电极173，阴极电极185可以连接至辅助电极157，使得低电位驱动电压ELVSS可以稳定地提供至阴极电极185。
阴极电极185可以包括以在第二接触孔CH2中彼此分离的方式放置的两个部分。例如，阴极电极185可以被放置在电子辅助层183上，电子辅助层183位于突起部175上。
阴极电极185可以以在第二接触孔CH2中连续的方式形成，而不是彼此分离。例如，如图19中所示，阴极电极185可以以完全覆盖突起部175的方式放置。
参照图20，封装层191可以形成在阴极电极185上。封装层191可以形成为包括无机层和有机层的多层结构。根据实施方式，可以形成能够防止异物或水分从外部渗透的无机层，并且在无机层上可以形成使下部结构的不规则性平坦化的有机层。例如，有机层可以以比无机层厚的方式形成。
在封装层191上，可以放置上基板193。根据实施方式，通过使用粘合剂等，上基板193可以附接在封装层191上。
另外，在上基板193与封装层191之间，可以形成滤色器195。根据实施方式，通过进行图案化，滤色器195可以形成在上基板193的表面上，并且上基板193其上形成滤色器195的表面以及封装层191可以附接至彼此。然而，本公开内容的实施方式不限于此。
图21是示出了根据本公开内容的实施方式的显示面板的图。图22是图21的部分AA的放大图。图21的显示面板100A的突起部175的形状与图3的显示面板100的突起部175的形状不同。
参照图1至图22，连接电极173可以沿第一方向放置在辅助电极157上。第一方向DR1可以是水平方向，但是不限于此。
在连接电极173中，可以放置在第一电极173a中形成的露出孔EH。露出孔EH可以穿透第一电极173a的一部分，并且因此，可以露出第二电极173b。
突起部175可以从第二电极173b延伸，并且可以通过露出孔EH突起。根据实施方式，突起部175可以从第二电极173b沿第二方向DR2延伸，并且可以形成为通过露出孔EH突起，露出孔EH是第一电极173a中的空间(间隙)。例如，第二方向可以是垂直方向，但是不限于此。第二方向可以是与第一方向DR1相交的任何方向。
根据本公开内容的实施方式，突起部175可以在连接电极173上形成掩盖区域SR。
突起部175可以具有从连接电极173突起并且沿第一方向DR1延伸的部分，连接电极173沿第一方向DR1放置。因为该部分，所以可以在连接电极173上形成由突起部175遮挡的掩盖区域SR。
突起部175可以具有放置在第一电极173a中并且从第二电极173b突起的主干175a；以及从主干175a延伸并且具有沿第一方向DR1延伸的部分的冠状部175b。冠状部175b可以具有沿其中放置连接电极173的方向(例如，第一方向DR1)延伸的部分。因为该部分，可以在连接电极173上形成掩盖区域SR。
突起部175的冠状部175b可以包括多个放射突出部。同时，应当理解，本公开内容的实施方式不被突起部175的形状限制，并且能够形成掩盖区域SR的突起部175的任何形状都包括在本公开内容的实施方式中。
如稍后将描述的，在电子辅助层183沉积在连接电极173上的情况下，掩盖区域SR可以指代由于突起部175而没有沉积电子辅助层183的区域。也就是说，在掩盖区域SR中，可以不沉积电子辅助层183，并且可以露出第一电极173a。
电子辅助层183可以被放置在连接电极173上除了掩盖区域SR之外的区域中。例如，电子辅助层183可以以不与掩盖区域SR交叠的方式放置。
阴极电极185可以放置在连接电极173上，并且可以以覆盖电子辅助层183的方式放置。另外，阴极电极185可以放置在掩盖区域SR中，并且可以在掩盖区域SR中与第一电极173a接触。如上所述，掩盖区域SR中连接电极173的第一电极173a被露出，而没有被电子辅助层183覆盖，使得阴极电极185可以与第一电极173a直接接触，并且可以接收从辅助电极157传输的低电位驱动电压ELVSS。
根据本公开内容的实施方式，由于通过辅助电极157，阴极电极185可以连接至辅助布线123，因此通过辅助布线123提供的电力被稳定地提供至阴极电极185，从而可以增强发光元件LD的操作特性。
图23至图27是示出了图21中所示的显示面板的制造方法的图。图23示出了基板100，通过在连接电极173的上部分上执行图案化，来在基板100上形成露出孔EH。
参照图23和图24，突起部175可以形成为从通过露出孔EH露出的第二电极173b突起。
突起部175可以以不规则的方式形成。根据实施方式，主干175a可以从露出孔EH沿第二方向DR2形成，并且冠状部175b可以从主干175a延伸，并且可以具有沿第一方向DR1形成的一部分。例如，冠状部175b的一部分可以包括沿第一方向DR1延伸的多个突出部。
通过包括突起部175的突起部的冠状部175b，可以在连接电极173的第一电极173a上形成掩盖区域SR。
参照图25至图27，可以形成发光材料层181，并且可以在发光材料层181上形成电子辅助层183。根据实施方式，可以通过沉积工艺来形成电子辅助层183。
当电子辅助层183沉积在第二接触孔CH2内的连接电极173上时，电子辅助层183可以不沉积在掩盖区域SR中。根据实施方式，电子辅助层183可以以在第二接触孔CH2内不连续的方式形成，并且可以包括彼此间隔开放置的两个部分183a和183b。也就是说，彼此间隔开的两个部分183a和183b可以被放置在相对的侧面上，其中突起部175处于中心。
由于电子辅助层183以在第二接触孔CH2内不连续的方式形成，因此电子辅助层183不覆盖掩盖区域SR。因此，可以露出连接电极173的一部分。
可以在电子辅助层183上形成阴极电极185。根据实施方式，可以通过沉积工艺来形成阴极电极185。阴极电极185可以以覆盖电子辅助层183和保护层160的方式沉积在表面上。根据实施方式，阴极电极185可以以被放置在掩盖区域SR中的方式形成。
因此，通过连接电极173，阴极电极185可以连接至辅助电极157，使得低电位驱动电压ELVSS可以稳定地提供至阴极电极185。
阴极电极185可以包括以在第二接触孔CH2中彼此分离的方式放置的两个部分。例如，阴极电极185可以放置在突起部175的突出部之间。
阴极电极185可以以在第二接触孔CH2中连续，而不是彼此分离的方式形成。例如，如图27中所示，阴极电极185可以以完全覆盖突起部175的突出部的方式放置。
根据本公开内容的实施方式，通过连接电极173，发光元件LD的阴极电极185可以连接至辅助布线123，使得通过辅助布线123提供的电力可以被稳定地提供至阴极电极185。
因此，可以稳定地驱动本公开内容的实施方式的发光元件LD。
为了说明的目的，已经参照附图中示出的实施方式描述了本公开内容，并且本公开内容所属领域的技术人员将容易理解，可以以各种方式修改本公开内容，并且其他等效的实施方式是可能的。因此，本公开内容的范围应当由所附权利要求的技术思想来确定。

Claims (13)

1.一种显示面板，包括：
包括发光区域和非发光区域的基板；
放置在所述非发光区域中的辅助电极，并且所述辅助电极被提供有用于驱动所述显示面板的电力；
放置在所述辅助电极上的保护层；
穿透所述保护层并且露出所述辅助电极的接触孔；
以在所述接触孔内与所述辅助电极接触的方式放置的连接电极；
放置在所述连接电极上的电子辅助层；
放置在所述电子辅助层上的阴极电极；以及
从所述连接电极突起形成的突起部，
其中，所述突起部以在所述连接电极上形成掩盖区域的方式形成，以及
所述阴极电极在所述掩盖区域中与所述连接电极接触，
其中，所述连接电极包括：
第一电极；
放置在所述第一电极下方的第二电极；以及
在所述第一电极中形成的露出孔，
其中，所述突起部从所述第二电极延伸，并且突起穿过所述露出孔。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述电子辅助层包括放置在所述连接电极上并且彼此间隔开的两个部分，并且
所述突起部被放置在所述电子辅助层的所述两个部分之间。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述电子辅助层以不与所述掩盖区域交叠的方式放置。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述阴极电极以完全覆盖所述突起部的方式放置。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述阴极电极在所述掩盖区域内与所述第一电极接触。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一电极包括透明导电金属氧化物，以及
所述第二电极包括金属。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述突起部包括：
从所述连接电极延伸的主干；以及
从所述主干延伸并且配置成形成所述掩盖区域的冠状部。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述冠状部至少部分具有倒锥形形状。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述电子辅助层被放置在所述冠状部上。
10.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述冠状部包括形成为放射状的多个突出部。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述电子辅助层和所述阴极电极被放置在所述多个突出部之间的区域中。
12.一种显示面板的制造方法，所述方法包括：
形成放置在基板的非发光区域中的辅助电极，并且所述辅助电极被提供有用于驱动所述显示面板的电力；
在所述辅助电极上形成保护层；
在所述保护层中，形成露出所述辅助电极的接触孔；
形成以与所述辅助电极在所述接触孔内接触的方式放置的连接电极；
形成突起部，所述突起部从所述连接电极突起，并且在所述连接电极上形成掩盖区域；
在所述连接电极上沉积电子辅助层；以及
以在所述掩盖区域中与所述连接电极接触的方式形成阴极电极，
其中，所述连接电极包括第一电极和放置在所述第一电极下方的第二电极，以及
所述突起部的形成包括：
露出所述第二电极的一部分；以及
通过使得在所述第二电极处发生离子反应来形成所述突起部。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述电子辅助层的沉积包括：
在所述连接电极的掩盖区域以外的区域中沉积所述电子辅助层。
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