TWI755683B

TWI755683B - 光罩之修正方法、光罩之製造方法、光罩、及顯示裝置之製造方法

Info

Publication number: TWI755683B
Application number: TW109104655A
Authority: TW
Inventors: 今敷修久
Original assignee: 日商Ｈｏｙａ股份有限公司
Priority date: 2019-03-07
Filing date: 2020-02-14
Publication date: 2022-02-21
Also published as: JP2020149047A; CN111665680A; KR102349891B1; TW202036154A; KR20200107811A; CN111665680B; JP7437959B2

Abstract

本發明提供一種即便輔助圖案產生缺陷，亦不會產生顯示裝置等電子器件之製造良率或生產效率降低的光罩之修正方法。轉印用圖案係藉由曝光於被轉印體上形成具有所期望之CD值之孔圖案者，且包含：主圖案11，其由透光部構成；輔助圖案12，其配置於主圖案11之附近，具有不被曝光解像之寬度且具有相位偏移作用；及低透光部13，其形成於除主圖案11與輔助圖案12以外之區域。藉由進行特定步驟與修正步驟而對光罩進行修正，上述特定步驟係當輔助圖案12產生缺陷時，藉由使主圖案11之CD值增減，而特定出如於被轉印體上具有所期望之CD值之修正轉印用圖案之形狀，上述修正步驟係基於上述特定步驟中獲得之形狀，實施使主圖案11之CD值增減而對主圖案111進行修正之修正加工。

Description

光罩之修正方法、光罩之製造方法、光罩、及顯示裝置之製造方法

本發明係關於一種光罩之修正方法、包含該修正方法之光罩之製造方法、包含上述光罩之製造方法之顯示裝置之製造方法及修正光罩，該光罩用以製造電子器件，尤其適於製造以液晶或有機EL(Electro-luminescence，電致發光)為代表之顯示裝置。

於專利文獻1中記載有一種光罩，其具備形成於透明基板上之轉印用圖案，且上述轉印用圖案具有特定直徑之主圖案、配置於上述主圖案附近之輔助圖案、以及配置於形成上述主圖案及上述輔助圖案以外之區域之低透光部。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2016-071059號公報

[發明所欲解決之問題]

包含液晶顯示裝置或EL顯示裝置等之顯示裝置係使用複數個光罩，利用微影法而製造。對於該等顯示裝置，近年來，亮度更亮且省電力，並且期望高精細、高速顯示、廣視角等顯示性能之提高。

然，於與顯示裝置相比積體度較高且圖案之微細化明顯進展之半導體裝置(LSI(Large Scale Integration，大型積體電路))製造用光罩之領域中，為了獲得較高之解像性，而對曝光裝置應用使用較高之數值孔徑(例如NA(Numerical Aperture，數值孔徑)超過0.2)之光學系統的縮小曝光，並且存在曝光之光之短波長化得以進展之經過。其結果，於該領域中，利用KrF或ArF之準分子雷射(分別為248 nm、193 nm之單一波長)。

然而，於顯示裝置製造用之微影法領域中，一般不應用如上所述之方法。例如，於曝光裝置中使用等倍之投影曝光裝置，其光學系統之NA(數值孔徑)為0.08～0.15左右。又，曝光光源主要使用i光線、h光線或g光線之光源，多數情形時，使用包含該等波長之寬波長區域之光源。藉此，獲得用以照射大面積(例如，主表面為一邊300～2000 mm之四邊形)之光量等生產效率或成本上之優點得到重視。

目前，於顯示裝置之製造中，亦產生對圖案微細化之要求。然而，將LSI製造用之技術直接轉用於顯示裝置製造用存在若干個問題。例如，將具有高NA(數值孔徑)之高解像度之曝光裝置直接應用於大面積之光罩或以單一波長使用ArF準分子雷射之類之短波長作為曝光波長於技術上及成本上均存在困難。

即，作為顯示裝置，追求先前不存在之圖案之微細化，另一方面，無法單純地轉用LSI製造用之技術，上述情況成為顯示裝置製造用光罩之問題。

例如，就用於顯示裝置之薄膜電晶體(Thin Film Transistor，「TFT」)而言，構成TFT之複數個圖案中，形成於層間絕緣膜之接觸孔用於使層間絕緣膜之上層與層間絕緣膜之下層導通。此處，為了製造明亮且省電力之顯示裝置，必須使液晶顯示裝置之開口率儘可能地大。如此一來，要求接觸孔之直徑充分小。即，伴隨顯示裝置圖案之高密度化之要求，期望顯示面板基板上之孔圖案之直徑之微細化(例如，孔圖案之直徑未達3 μm)。例如，需要直徑為0.8 μm以上2.5 μm以下、進而直徑為2.0 μm以下之孔圖案，具體而言，預估具有0.8～1.8 μm之直徑之孔圖案之形成亦會成為課題。

於專利文獻1中記載有一種光罩，其具有：主圖案，其由透光部構成；輔助圖案，其配置於上述主圖案之附近且具有使i光線～g光線之光偏移大致180度之相位偏移量；及低透光部，其形成於上述主圖案與輔助圖案以外之區域。又，於專利文獻1中記載有如下內容，即，根據該光罩，可控制透過主圖案與輔助圖案之兩者之曝光之光之相互干涉而大幅度改善透過光之空間圖像。因此，認為專利文獻1記載之光罩可於顯示裝置用之曝光裝置之曝光環境下，於顯示面板基板等被轉印體上穩定地形成微細之孤立孔圖案。

上述專利文獻1記載之轉印用圖案係於主圖案之附近配置不直接解像於被轉印體上之適當之設計之輔助圖案，使主圖案之轉印性提高。輔助圖案係精緻地設計之微細圖案，另一方面，例如於由半透光部構成之該輔助圖案產生缺陷之情形時之對策成為課題。

一般而言，於光罩之製造過程中，使圖案缺陷之產生為零極其困難。例如，因殘留無用膜或混入異物(顆粒)等而導致產生透過率低於設定值之多餘缺陷(亦稱為黑缺陷)於現實中無法避免。又，因必需之膜之缺失等而導致產生透過率大於設定值之缺失缺陷(亦稱為白缺陷)於現實中亦無法避免。

設想此種情形，利用檢查檢測光罩中產生之缺陷並利用修正裝置進行修正(修復)之方法以前便已實施。作為修正之方法，針對白缺陷，一般使修正膜沈積，針對黑缺陷，一般藉由能量線之照射將多餘部分去除，並視需要進而使修正膜沈積。作為修正裝置，主要使用FIB(Focused Ion Beam，聚焦離子束)裝置或雷射CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)裝置，可進行修正膜之沈積或多餘膜之去除而對白缺陷及黑缺陷進行修正。

對光罩中產生之缺陷進行修正膜之形成之情形時，首先，藉由缺陷檢查裝置檢測缺陷，決定要進行修正之對象部分。形成修正膜之對象係光罩具有之轉印用圖案之遮光膜或半透光膜(以下，亦分別稱為正常之遮光膜、正常之半透光膜)中所產生之白缺陷、或者因意圖去除黑缺陷而形成之白缺陷等。此處，正常之膜係指光罩製造時，按照該光罩之設計，以具有特定之光學物性(若為遮光膜則為遮光性，若為半透光膜則為透光率、相位偏移特性等)般之材料、膜厚、膜質形成之膜。半透光膜係使一部分曝光之光透過之膜，於構成轉印用圖案中之半透光部時使用。

例如使用雷射CVD裝置，於對象部分形成局部之修正膜(亦稱為CVD膜)而進行修正(雷射CVD法)。此時，向光罩表面供給成為修正膜之原料之原料氣體，形成原料氣體氛圍。作為修正膜之原料，例如使用金屬羰基化合物。具體而言，例示羰基鉻(Cr(CO)₆ )、羰基鉬(Mo(CO)₆ )、羰基鎢(W(CO)₆ )等。其中，較佳地使用耐藥性較高之羰基鉻。

於修正膜之原料使用羰基鉻之情形時，例如，將六羰基鉻(Cr(CO)₆ )加熱使之昇華，將昇華物與載氣(Ar氣體等)一起作為原料氣體導引至修正對象部分。並且，向該原料氣體氛圍中照射雷射光，藉由雷射之熱/光能反應而使原料氣體分解，使產物沈積於基板上，形成以鉻為主材料之修正膜。

於使用FIB修正裝置之情形時，採用將鎵離子等形成之離子束照射至對象位置而使碳系之修正膜(亦稱為FIB膜)沈積等方法。

於任一情形時，於遮光膜中產生之缺陷形成上述修正膜之情形時，均可形成具有與缺陷附近為同等程度以上之遮光性之修正膜(以下，亦稱為補充膜)而進行修正。

另一方面，於半透光部之修正欲使用上述CVD膜之情形時，必須於修正步驟中進行沈積之修正膜之膜厚調整，使形成之修正膜之透光率與正常之膜所具有之目標值一致。然而，進行修正膜之膜厚調整而使膜之透過率與目標值完全一致並不容易。

又，修正膜之素材與構成光罩之轉印用圖案之正常之半透光膜之素材不同，其成膜方法亦不同，因此，膜質亦不同。因此，於正常之半透光膜具有相位偏移作用之情形時，藉由修正膜而同時滿足該正常之半透光膜具有之透過率與相位偏移作用之兩者更難。

除了上述以外，作為正常之半透光膜應用之膜材有其透過率或相位偏移特性具有波長相依性(透過率或相位偏移量根據光之波長而變化之性質)之情形，難以於修正膜中使與正常之半透光膜同等之波長相依性完全復原。因此，如上述般於曝光時使用寬波長區域之顯示裝置製造用之曝光環境下，已實施修正之部分未必體現與具有正常之半透光膜之部分相同之轉印結果。

於專利文獻1中記載有一種輔助圖案，其係於透明基板上形成具有相位偏移作用之半透光膜而成，並且係不使用該半透光膜，於透明基板之主表面形成刻蝕部而成。於具有藉由刻蝕形成之輔助圖案之光罩中，於輔助圖案之部分亦殘留有遮光膜或者該刻蝕部未形成至特定深度而成為缺陷之情形等時，難以藉由上述修正膜使其功能恢復。

本發明之目的在於提供一種光罩之修正方法，其係於包含具有相位偏移作用之輔助圖案之孔圖案形成用之轉印用圖案中，即便輔助圖案產生缺陷，亦能夠高效率地以穩定之條件對缺陷轉印用圖案進行修正，使得不產生顯示裝置等電子器件之製造良率或生產效率之降低。又，本發明之目的在於提供一種包含上述修正方法之光罩之製造方法、包含上述製造方法之顯示裝置之製造方法、及修正光罩。 [解決問題之技術手段]

(第1態樣) 本發明之第1態樣係一種光罩之修正方法，其係對在透明基板上具備轉印用圖案之光罩之上述轉印用圖案中產生之缺陷進行修正者，上述轉印用圖案係藉由使用曝光裝置之曝光而於被轉印體上形成具有所期望之CD值之孔圖案者，且包含：主圖案，其由透光部構成；輔助圖案，其配置於上述主圖案之附近，具有不被上述曝光裝置解像之寬度；及低透光部，其形成於除上述主圖案與上述輔助圖案以外之區域；上述輔助圖案具有對於曝光之光中包含之代表波長之光之透過率T1(%)，並且上述輔助圖案之透過光相對於上述主圖案之透過光，具有對於上述代表波長之光之大致180度之相位差，上述低透光部具有對於上述代表波長之光之透過率T2(%)(其中，T2＜T1)，且該光罩之修正方法具有：特定步驟，其係於上述輔助圖案產生缺陷時，藉由使上述主圖案之CD值增減，而特定出如利用上述曝光裝置進行曝光時於被轉印體上形成具有上述所期望之CD值之上述孔圖案的修正轉印用圖案之形狀；及修正步驟，其係基於上述特定步驟中獲得之形狀，實施使上述主圖案之CD值增減之修正加工。

(第2態樣) 本發明之第2態樣係一種光罩之修正方法，其係對在透明基板上具備轉印用圖案之光罩之上述轉印用圖案中產生之缺陷進行修正者，上述轉印用圖案係藉由使用曝光裝置之曝光於被轉印體上形成X-CD為Xp1(μm)且Y-CD為Yp1(μm)之孔圖案者，且包含：主圖案，其由X-CD為Xm1(μm)且Y-CD為Ym1(μm)之透光部構成；輔助圖案，其配置於上述主圖案之附近，具有不被上述曝光裝置解像之寬度d(μm)；及低透光部，其形成於除上述主圖案與上述輔助圖案以外之區域；上述輔助圖案具有對於曝光之光中包含之代表波長之光之透過率T1(%)，並且上述輔助圖案之透過光相對於上述主圖案之透過光，具有對於上述代表波長之光之大致180度之相位差，上述低透光部具有對於上述代表波長之光之透過率T2(%)(其中，T2＜T1)，且該光罩之修正方法具有：特定步驟，其係於上述輔助圖案產生缺陷時，使上述主圖案之X-CD及Y-CD之至少一者增減，而特定出修正轉印用圖案之形狀，該修正轉印用圖案係具有如X-CD為Xm2(μm)且Y-CD為Ym2(μm)之主圖案之修正轉印用圖案，且對該修正轉印用圖案利用上述曝光裝置進行曝光時於被轉印體上形成X-CD等於Xp1且Y-CD等於Yp1之孔圖案；及修正步驟，其係基於上述特定步驟中獲得之形狀，實施使上述主圖案之X-CD及Y-CD之至少一者增減之修正加工。

(第3態樣) 本發明之第3態樣係如上述第2態樣之光罩之修正方法，其中上述特定步驟包含計算步驟，該計算步驟係算出用以於對上述修正轉印用圖案利用上述曝光裝置進行曝光時於被轉印體上形成X-CD等於Xp1且Y-CD等於Yp1之孔圖案的Xm2與Ym2之組合。

(第4態樣) 本發明之第4態樣係如上述第2態樣之光罩之修正方法，其中於上述特定步驟之前，具有類型參照步驟，該類型參照步驟係參照對於上述輔助圖案之複數種缺陷類型、與對該缺陷類型之各者預先計算並建立對應之Xm2與Ym2之組合，於上述特定步驟中，自上述複數種缺陷類型中選定與上述缺陷對應之缺陷類型，且基於與所選定之上述缺陷類型建立對應之Xm2與Ym2之組合，特定出上述修正轉印用圖案之形狀。

(第5態樣) 本發明之第5態樣係如上述第1至第4中任一態樣之光罩之修正方法，其中上述輔助圖案係於上述透明基板上形成相對於上述主圖案之透過光具有對於上述代表波長之光之大致180度之相位偏移作用之半透光膜而成。 (第6態樣) 本發明之第6態樣係如上述第1至第5中任一態樣之光罩之修正方法，其中上述低透光部係實質上不使曝光之光透過者。

(第7態樣) 本發明之第7態樣係如上述第1至第6中任一態樣之光罩之修正方法，其中於上述修正步驟之前，對產生上述缺陷之上述輔助圖案進行使用低透光性之補充膜之預加工，使殘存之上述輔助圖案之形狀一致。

(第8態樣) 本發明之第8態樣係如上述第1至第7中任一態樣之光罩之修正方法，其中對產生上述缺陷之上述輔助圖案不實施使用具有相位偏移作用之修正膜之修正。

(第9態樣) 本發明之第9態樣係如上述第1至第7中任一態樣之光罩之修正方法，其中對產生上述缺陷之上述輔助圖案實施基於半透光性之修正膜之預修正。

(第10態樣) 本發明之第10態樣係如上述第1至第9中任一態樣之光罩之修正方法，其中於上述修正步驟之前，於由透光部構成之上述主圖案之整個區域形成低透光性之補充膜。

(第11態樣) 本發明之第11態樣係如上述第1至第10中任一態樣之光罩之修正方法，其中上述缺陷係黑缺陷。

(第12態樣) 本發明之第12態樣係如上述第1至第10中任一態樣之光罩之修正方法，其中上述缺陷係白缺陷，於上述特定步驟後且上述修正步驟之前，對產生缺陷之上述輔助圖案實施基於半透光性之修正膜之預修正。

(第13態樣) 本發明之第13態樣係如上述第1至第10中任一態樣之光罩之修正方法，其中上述缺陷係黑缺陷，且上述黑缺陷係對上述轉印用圖案之上述輔助圖案中產生之白缺陷形成低透光性之補充膜而產生的黑缺陷。

(第14態樣) 本發明之第14態樣係如上述第2至第13中任一態樣之光罩之修正方法，其中於上述修正步驟中，形成藉由使用上述曝光裝置之曝光於被轉印體上形成X-CD為Xp2(μm)且Y-CD為Yp2(μm)之孔圖案的修正轉印用圖案，且上述轉印用圖案同時滿足下述兩式，即， 0.9Xp1≦Xp2≦1.1Xp1 0.9Yp1≦Yp2≦1.1Yp1。

(第15態樣) 本發明之第15態樣係如上述第1至第14中任一態樣之光罩之修正方法，其中於上述轉印用圖案中，上述主圖案係由上述透明基板之表面露出而成，上述輔助圖案係於上述透明基板上形成具有對於上述代表波長之透過率Tf(%)之半透光膜而成，並且上述半透光膜具有對於上述代表波長之相位偏移量ϕ1(度)，且 30≦Tf≦80%，並且ϕ1為大致180(度)。

(第16態樣) 本發明之第16態樣係如上述第1至第15中任一態樣之光罩之修正方法，其中於上述轉印用圖案中，上述輔助圖案介隔上述低透光部而配置於上述主圖案之附近。

(第17態樣) 本發明之第17態樣係如上述第1至第16中任一態樣之光罩之修正方法，其中於上述轉印用圖案中，上述輔助圖案係介隔上述低透光部包圍上述主圖案之周圍之正多邊形帶或圓形帶。

(第18態樣) 本發明之第18態樣係如上述第2至第17中任一態樣之光罩之修正方法，其中同時滿足下述兩式，即， 0.8≦Xm1≦4.0 0.8≦Ym1≦4.0。

(第19態樣) 本發明之第19態樣係如上述第1至第18中任一態樣之光罩之修正方法，其中於上述轉印用圖案中，上述輔助圖案形成為介隔上述低透光部包圍上述主圖案之周圍之寬度d之圖案，並且滿足下述式，即，

。

(第20態樣) 本發明之第20態樣係如上述第2至第19中任一態樣之光罩之修正方法，其中同時滿足下述兩式，即， 0.8≦Xp1≦4.0 0.8≦Yp1≦4.0。

(第21態樣) 本發明之第21態樣係如上述第1至第20中任一態樣之光罩之修正方法，其中於上述轉印用圖案中，上述輔助圖案形成為介隔上述低透光部包圍上述主圖案之周圍之寬度d之圖案，且將上述主圖案之寬度方向之中心與上述輔助圖案之寬度方向之中心之間隔設為P(μm)時，滿足下述式，即， 1.0＜P≦5.0。

(第22態樣) 本發明之第22態樣係如上述第1至第21中任一態樣之光罩之修正方法，其中於上述轉印用圖案中，上述輔助圖案形成為介隔上述低透光部包圍上述主圖案之周圍之寬度d之圖案，且上述輔助圖案之形狀係於上述主圖案之形狀之重心位置具有重心之多邊形帶。

(第23態樣) 本發明之第23態樣係如上述第1至第22中任一態樣之光罩之修正方法，其中上述孔圖案係孤立孔圖案。

(第24態樣) 本發明之第24態樣係一種光罩之製造方法，其包含如上述第1至第23中任一態樣之光罩之修正方法。

(第25態樣) 本發明之第25態樣係一種顯示裝置之製造方法，其包含如下步驟：準備藉由如上述第24態樣之光罩之製造方法獲得之光罩；及將包含i光線、h光線及g光線之至少一個之曝光之光照射至上述修正轉印用圖案，於上述被轉印體上進行圖案轉印。

(第26態樣) 本發明之第26態樣係一種修正光罩，其係包含用以於透明基板上形成孔圖案之轉印用圖案、及對上述轉印用圖案中產生之缺陷實施修正後之修正轉印用圖案者，上述轉印用圖案係藉由使用曝光裝置之曝光於被轉印體上形成X-CD為Xp1(μm)且Y-CD為Yp1(μm)之孔圖案者，且包含：主圖案，其由X-CD為Xm1(μm)且Y-CD為Ym1(μm)之透光部構成；輔助圖案，其配置於上述主圖案之附近，具有不被上述曝光裝置解像之寬度d(μm)；及低透光部，其形成於除上述主圖案與上述輔助圖案以外之區域；上述輔助圖案具有對於曝光之光中包含之代表波長之光之透過率T1(%)，並且上述輔助圖案之透過光相對於上述主圖案之透過光，對於上述代表波長之光之相位差為大致180度，上述低透光部係於上述透明基板上具有對於上述代表波長之光之透過率T2(%)(其中，T2＜T1)，上述修正轉印用圖案中包含之修正主圖案係由藉由利用低透光性之補充膜對上述轉印用圖案之主圖案進行加工而X-CD為Xm2(μm)且YCD為Ym2(μm)(其中，將Xm1＝Xm2且Ym1＝Ym2之情形除外)的透光部構成，上述修正轉印用圖案中包含之修正輔助圖案構成介隔上述低透光部包圍上述修正主圖案之正多邊形帶或圓形帶之一部分區域，並且於上述正多邊形帶或圓形帶之除上述一部分以外之區域形成低透光膜或素材與上述低透光膜不同之低透光性之上述補充膜，上述修正轉印用圖案係藉由使用曝光裝置之曝光於被轉印體上形成X-CD為Xp2(μm)且Y-CD為Yp2(μm)之孔圖案者，且同時滿足下述兩式，即， 0.9Xp1≦Xp2≦1.1Xp1 0.9Yp1≦Yp2≦1.1Yp1。

(第27態樣) 本發明之第27態樣係如上述第26態樣之修正光罩，其中上述修正輔助圖案係於上述正多邊形帶或圓形帶之除上述一部分以外之區域具有基於半透光性之修正膜之修正半透光部。 [發明之效果]

根據本發明，於光罩之轉印用圖案產生缺陷時，可高效率地以穩定之條件進行對於該缺陷之修正。

如上所述，於如專利文獻1記載之具有精緻構成之轉印用圖案中產生缺陷時，難以藉由既有之修正裝置之修正膜使其成為原樣之構成。然而，若於未實施缺陷修正之狀態下進行轉印，則產生形成於被轉印體上之圖案不滿足設計規格而導致欲獲得之顯示裝置之動作不良等風險。因此，此處，對當具有圖1及圖2所示之轉印用圖案之光罩(以下，有時分別稱為第1光罩及第2光罩)產生缺陷時對其進行修正之情形進行例示。

於本說明書中，「轉印用圖案」係基於欲使用光罩而獲得之器件所設計之圖案，指形成於光罩基板表面者。轉印用圖案產生缺陷之圖案有時稱為「缺陷轉印用圖案」。對缺陷轉印用圖案實施修正後，有時稱為「修正轉印用圖案」。再者，欲於修正後獲得之「修正轉印用圖案」及實際於修正步驟後獲得者有時均稱為「修正轉印用圖案」。關於「修正主圖案」亦同樣。

＜第1光罩之構成＞以下，例示本發明之第1光罩。第1光罩係用以製造以液晶或有機EL為代表之顯示裝置之光罩。再者，本說明書中言及之顯示裝置包含用以構成顯示裝置之器件。並且，第1光罩係藉由顯示裝置製造用之曝光裝置進行曝光，將其轉印用圖案轉印至被轉印體上。被轉印體例如可列舉於顯示器件製造用之基板等形成成為加工對象之薄膜並於最上層形成抗蝕劑膜所得者。作為抗蝕劑膜，可較佳地使用正型光阻。

對於曝光之光，較佳地使用波長為300～500 nm左右之光，例如可使用包含i光線、h光線或g光線之光。尤其是，可有利地使用包含複數個波長之光者(亦稱為「寬波長光」)，可例示包含i光線之寬波長光等。於使用寬波長光之情形時，較佳為將曝光之光中包含之任一波長設為代表波長。例如，可設為具有曝光之光之波長範圍之任一波長作為代表波長之光。於以下之說明中，將h光線設為代表波長。

第1光罩於透明基板上具備轉印用圖案。該轉印用圖案係用以於被轉印體上形成孔圖案者。尤其是，於形成孤立孔圖案時，本發明體現優異之作用。

透明基板係由石英等透明材料構成且表面被研磨加工成平坦且平滑者。透明基板例如主表面具有一邊300～2000 mm左右之四邊形，且該透明基板具有5～15 mm左右之厚度。

使用透明基板15上依次形成有半透光膜16及低透光膜17之光罩基底，對該等膜分別實施特定之圖案化，藉此，可形成圖1(a)所示之轉印用圖案1。

轉印用圖案1具有主圖案11、輔助圖案12及低透光部13。於本態樣中，低透光部13係於透明基板15上積層半透光膜16與低透光膜17而成。輔助圖案12係於透明基板15上形成半透光膜16而成。

主圖案11由透光部構成。透光部係對於曝光之光之透過率最高之部分，較佳為使透明基板15之表面露出而成。主圖案11之透光部具有X方向之寬度(以下，稱為X-CD)Xm1(μm)、及與該X方向垂直之Y方向之寬度(以下，稱為Y-CD)Ym1(μm)。如圖1(a)所示，第1光罩之主圖案11較佳為正方形(即，Xm1＝Ym1)。再者，CD係Critical Dimension(臨界尺寸)之簡稱，此處，指圖案寬度(尺寸)。又，於光罩上之轉印用圖案1中，將X方向之寬度設為X-CD，將與上述X方向垂直之Y方向之寬度設為Y-CD。並且，於對該轉印用圖案進行曝光而形成於被轉印體上之轉印後圖案中，作為與上述對應者，亦將X方向之寬度設為X-CD，將與上述X方向垂直之Y方向之寬度設為Y-CD。

於本態樣中，較佳為滿足以下之式(1)、式(2)。 0.8≦Xm1≦4.0 式(1) 0.8≦Ym1≦4.0 式(2)

其原因在於，若Xm1(即，透光部之X方向之CD值)未達0.8 μm，則基於曝光裝置之於被轉印體上之解像性變難，且若直徑超過4.0 μm，則藉由既有之光罩相對容易獲得解像性，第1光罩之作用效果相對地並不明顯。即，當欲藉由具備具有上述範圍之尺寸之轉印用圖案1之光罩，於被轉印體上形成如下述之Xp、Yp般之微細尺寸之孔圖案時，第1光罩非常有利。

輔助圖案12設置於主圖案11之附近。輔助圖案12具有當藉由曝光裝置對第1光罩進行曝光時不解像於被轉印體(顯示面板基板等)上之寬度d(μm)。於本態樣之第1光罩(圖1(a))中，輔助圖案12與主圖案11之間介隔下述之低透光部13而配置。並且，輔助圖案12之形狀為具有相互平行之外周與內周之多邊形帶(具有特定寬度之多邊形)，且外周與內周之距離具有固定之值d(將其設為輔助圖案12之寬度d)。再者，此處，多邊形帶係指內周及外周為相互相似形之多邊形且具有特定之寬度d者。

於第1光罩中，輔助圖案為正八邊形帶，但亦可為其他正多邊形帶(例如，正四邊形帶、正12邊形帶、正16邊形帶等)或並非正多邊形帶之多邊形帶。進而，亦可為外周與內周呈直徑不同之圓形且內周與外周之距離具有固定之值d之圓形帶。又，圖1(a)中之第1光罩之輔助圖案12呈介隔低透光部13連續地包圍主圖案11之形狀，但亦可為構成輔助圖案12之多邊形帶或圓形帶之一部分缺失之不連續形狀。

輔助圖案12相對於曝光之光中包含之代表波長之光，具有透過率T1(%)。此處，較佳為於透過率T1與輔助圖案12之寬度d之間，以下之式(3)成立。

式(3) 更佳為以下之式(4)或式(5)可成立。

式(4)

式(5)

當上述式(3)、式(4)或式(5)成立時，有利地控制輔助圖案12之透過光與主圖案11之透過光之干涉，使得用以形成被轉印體上形成之孔圖案之光學影像(光強度分佈)為更有利之形狀。藉此，例如可獲得焦深(Depth of Focus)、曝光裕度(Exposure Latitude、EL、容許之曝光量之誤差)之增大或MEEF(Mask Error Enhancement Factor，光罩誤差增大係數)之降低等中的一個以上之轉印性能之提高效果。即，與不具有輔助圖案12之先前之孔形成用之轉印用圖案相比，可獲得優異之轉印性。

此處，關於輔助圖案12之寬度d(μm)，較佳為以下之式(6)成立。 d≧0.7 式(6) 更佳為以下之式(7)成立。 d≧0.8 式(7) 進而較佳為以下之式(8)成立。 1.0≦d≦1.5 式(8)

若寬度d之值過大，則產生於曝光時解像於被轉印體上之風險，又，若寬度d之值過小，則產生於被轉印體上形成孔圖案時之上述有利之效果變得不充分之傾向。

輔助圖案12可設為於透明基板上形成半透光膜而成之半透光部。又，輔助圖案12之透過光相對於主圖案11之透過光而言，對於代表波長之光之相位偏移量ϕ1為大致180度。再者，於本說明書中，大致180度係指180度±20度之範圍內。即，可表示為 160+360M≦ϕ1≦200+360M(度)(M為非負整數) 式(9)。作為半透光膜之相位偏移量，較佳為180±10度之範圍內，更佳為180±5度之範圍內。

輔助圖案12之透過率T1(%)較佳為設為 30≦T1≦100 式(10)。此處，T1係將透明基板之透過率設為基準(100%)時之數值，以下同樣。

圖1(b)係圖1(a)之A-A箭視剖視圖。如圖1(b)所示，第1光罩之輔助圖案12係於透明基板15上形成半透光膜16而成。此時，可將對於上述代表波長之半透光膜16之相位偏移量ϕ1設為大致180度。又，關於輔助圖案12之透過率T1(%)，更佳為滿足 30≦T1≦80 式(11)，進而較佳為可滿足 40≦T1≦70 式(12)。於本態樣中，輔助圖案12係於透明基板上形成具有對於曝光之光之透過率Tf(%)之半透光膜16而成。因此，半透光膜16具有之對於曝光之光之代表波長之透過率Tf(%)較佳為30≦Tf≦80，更佳為40≦Tf≦70。

輔助圖案12之位置於將主圖案11之寬度方向之中心與輔助圖案12之寬度方向之中心之間隔設為P(μm)時，較佳為如下之式(13)之關係成立， 1.0＜P≦5.0 式(13)。更佳為間隔P可設為 1.5＜P≦4.5 式(14)。此時，可更有利地控制上述之輔助圖案12之透過光與主圖案11之透過光之相互作用。並且，使得用以形成被轉印體上形成之孔圖案之光學影像(光強度分佈)為更有利之形狀，而可獲得使上述轉印性能提高之效果。

低透光部13配置於轉印用圖案1中形成有主圖案11與輔助圖案12以外之區域。較佳為轉印用圖案1中除主圖案11與輔助圖案12以外之區域僅由低透光部13構成。

低透光部13可使用透明基板15上例如形成有低透光膜17者。於圖1(b)中，低透光部13係於半透光膜16上積層低透光膜17而形成。低透光部13具有之對於代表波長之光之透過率T2(%)小於輔助圖案12之透過率T1。透過率T2較佳為未達30(%)，更佳為設為20(%)以下。又，低透光膜17較佳為可為實質上不使曝光之光透過之遮光膜。於低透光膜17為遮光膜之情形時，較佳為光學密度OD(Optical Density)為3以上之膜。即，此處言及之低透光部包含使曝光之光以相對較低之透過率透過之情形(具體而言，未達30%)，進而包含為實質上不使曝光之光透過之遮光部之情形。於前者之情形時，對於上述代表波長之光之低透光部之相位偏移量為90度以下，較佳為60度以下。

轉印用圖案1係用以於被轉印體上形成如X-CD為Xp1(μm)且Y-CD為Yp1(μm)之孔圖案者。即，Xp1及Yp1係藉由不存在缺陷之正常之轉印用圖案1而形成於被轉印體上之孔圖案之X-CD及Y-CD。尤其係指作為被轉印體之構成要素之抗蝕劑膜之底部CD值(將位於被轉印體之表面之抗蝕劑膜圖案化而成為抗蝕圖案時，與孔圖案對應之開口最下部之X-CD及Y-CD)。此處，於Xp1及Yp1同時滿足下述之式(15)及式(16)之情形時，發明之效果明顯。 0.6≦Xp1≦3.0 式(15) 0.6≦Yp1≦3.0 式(16)

尤佳為Xp1及Yp1同時滿足下述之式(17)及式(18)之情形。 0.6≦Xp1≦2.5 式(17) 0.6≦Yp1≦2.5 式(18)

第1光罩係具有相位偏移作用之輔助圖案與由透光部構成之主圖案介隔遮光部而相隔，輔助圖案之透過光形成之光強度分佈與透光部之透過光形成之光強度分佈產生干涉。各光強度分佈於其外緣側設為振幅之正負反轉之部分，藉此，例如帶來提高光強度分佈曲線之峰值之功效、使轉印圖像之焦深增加之功效、使曝光裕度增加之用途及降低MEEF(光罩誤差增大係數)之功效中之1個以上之功效。

＜第2光罩之構成＞圖2(a)表示第2光罩之轉印用圖案2之一部分。圖2(b)係圖2(a)之B-B箭視剖視圖。第2光罩亦為顯示裝置製造用之光罩。第2光罩之轉印用圖案2與第1光罩之轉印用圖案1不同，輔助圖案22藉由將透明基板25之表面刻蝕特定深度而形成。於本說明書中，包含如此於透明基板之一主表面形成有伴有刻蝕之轉印用圖案2之態樣，表現為「於透明基板上具備轉印用圖案」之光罩。於第2光罩中，亦與第1光罩同樣地，輔助圖案之透過光相對於主圖案之透過光而言，具有對於上述代表波長之光之大致180度之相位差。

於第2光罩之情形時，輔助圖案22之透過率T1(%)與透明基板之透過率相同，實質上成為100%。又，第1光罩中之較佳之關係式即上述式(1)～(9)、(13)～(18)於第2光罩中亦同樣地適用。第1光罩及第2光罩均藉由使用等倍之投影曝光裝置進行曝光，而可獲得上述之優異之作用。

＜光罩中產生之缺陷＞以下，以於第1光罩產生缺陷之情形為例進行說明，但關於在第2光罩產生缺陷之情形亦同樣。圖3表示於第1光罩之輔助圖案12產生黑缺陷14之狀態。因黑缺陷14而輔助圖案12之作用至少局部受損。因此，若對此種缺陷轉印用圖案3進行曝光，則不於被轉印體上形成按照設計之光強度分佈。即，有將作為被轉印體之構成要素之抗蝕劑膜於曝光後顯影所獲得之抗蝕圖案之底部CD於X方向或Y方向上不按照設計值形成之虞。抗蝕圖案之底部CD決定將該抗蝕圖案作為蝕刻遮罩進行蝕刻加工之圖案之CD。因此，若抗蝕圖案之底部CD不按照設計值形成，則產生電子器件內之圖案之CD不按照設計值形成之風險。

缺陷轉印用圖案3中之缺陷產生無法充分發揮應由精緻地組裝之光罩之構成獲得之性能之損失。然而，根據上述理由，即便對輔助圖案12中產生之黑缺陷14以利用半透光性之修正膜使半透光部復原之方式利用既有之修正裝置進行修正，亦難以將輔助圖案12復原為與正常圖案完全相同之狀態。因此，當於輔助圖案12產生黑缺陷14時，對主圖案11之尺寸進行修正而形成修正轉印用圖案。

藉此，即便不對輔助圖案12之黑缺陷14利用半透光性之修正膜使半透光部復原，亦可於被轉印體之表面形成具有按照設計之CD值之孔圖案。

以下，藉由各實施例對光罩之修正方法進行說明。於以下之實施例中，以第1光罩為前提進行說明，但即便為第2光罩，亦可應用同樣之修正方法。 [實施例1]

於圖4中利用流程圖表示光罩之修正方法之一例。首先，進行特定出修正轉印用圖案之形狀及尺寸之特定步驟30，其後，基於特定步驟30中特定出之修正轉印用圖案之形狀及尺寸，進行修正步驟40。此處，並非必須對產生缺陷之輔助圖案實施修正，而進行對於主圖案11之加工。例如，對於產生黑缺陷之輔助圖案，並非必須實施利用半透光性之修正膜之修正來使之復原。但，亦可於對輔助圖案實施利用半透光性之修正膜之修正之後，對主圖案11之尺寸進行修正。關於該方面，將於實施例4之後進行說明。

＜特定出修正轉印用圖案之形狀之步驟(特定步驟)＞對作為特定步驟30之一方法之算出修正主圖案之CD值之計算步驟進行說明。於計算步驟中可使用光學模擬。作為模擬條件，例如使用以下資訊。 (1)對光罩之曝光應用之曝光條件(投影曝光裝置之光學系統具有之數值孔徑NA、同調因子σ、曝光波長等) (2)與設為修正對象之光罩相關之設定條件(轉印用圖案之設計構思或膜之光學物性、輔助圖案中產生之缺陷之位置或缺陷面積等) (3)用於被轉印體表面之光阻膜之素材或特性及膜厚

對主圖案實施修正時之目標在於藉由對修正轉印用圖案進行曝光並轉印至被轉印體上而可進行顯示裝置之製造，抑制於該顯示裝置中產生動作不良等不良情況。此處，於對主圖案實施之修正時，使主圖案之X-CD及Y-CD之至少一者增減。

具體而言，形成具有如X-CD為Xm2(μm)且Y-CD為Ym2(μm)之主圖案之修正轉印用圖案。該修正轉印用圖案係用以於藉由上述曝光裝置進行曝光時於被轉印體上形成具有特定尺寸之孔圖案的上述修正轉印用圖案，求出上述之Xm2、Ym2(μm)之值(計算步驟)。

增減係指增加或減少。可使X-CD及Y-CD之一者增加並且使另一者減少，亦可使兩者增加。或者，包含僅使一者增加而另一者將增減尺寸設為零(即，不增減)之情形。較佳為X-CD與Y-CD之至少一者增加。此於彌補因黑缺陷所致之輔助圖案之功能降低而使形成於被轉印體上之孔圖案之CD恢復的方面有利。

此處，算出將主圖案之尺寸(X-CD及Y-CD)設為何種數值才能藉由利用曝光裝置對修正轉印用圖案進行曝光而於被轉印體上形成X-CD等於Xp1且Y-CD等於Yp1的孔圖案。即，以如下方式決定X-CD、Y-CD之增減：能夠形成由被轉印體上之抗蝕劑膜形成之抗蝕圖案，且就其底部CD而言，X-CD等於Xp1且Y-CD等於Yp1之孔圖案。又，曝光條件(Dose量(劑量)等)亦設為與使用正常之轉印用圖案時之條件相同。

根據上述計算結果，決定修正轉印用圖案中之主圖案之X-CD及Y-CD、即Xm2及Ym2之值。再者，於上述計算步驟中，藉由修正轉印用圖案形成於被轉印體上之孔圖案之X-CD等於Xp1或者Y-CD等於Yp1之表達包含產生±5 nm以內之誤差之情形。即，若相對於Xp1或Yp1於±5 nm之範圍內能夠獲得解，則可特定出修正轉印用圖案之形狀。此處，藉由修正轉印用圖案形成於被轉印體上之孔圖案之X-CD等於Xp1或者Y-CD等於Yp1之表達包含產生±5 nm以內之誤差之情形。

當使X-CD及Y-CD之至少一者增加或減少時，較佳為不使主圖案之重心位置變化。即，用以使形成於被轉印體上之孔圖案之X-CD及Y-CD分別等於Xp1及Yp1的缺陷轉印用圖案之修正方法較佳為不移動主圖案之重心位置而進行計算。

＜對主圖案實施修正之步驟(修正步驟)＞對修正步驟40進行說明。對第1光罩藉由上述光學模擬特定出修正轉印用圖案之形狀後，基於該形狀對缺陷轉印用圖案之主圖案實施修正，以上述之X-CD成為Xm2且Y-CD成為Ym2之方式形成主圖案。

於本實施例1中，欲於被轉印體上獲得之孔圖案之X-CD等於Y-CD，即Xp1＝Yp1。又，如上所述，Xm1＝Ym1。於圖5中表示對圖3之缺陷轉印用圖案3進行修正所得之修正轉印用圖案4之一例。修正後之主圖案111(實線)之開口寬度係Xm2(X-CD)及Ym2(Y-CD)，至少一者取較修正前之主圖案11(單點鏈線)之開口寬度Xm1及Ym1大之值。

關於CD值之修正，於Xm2＜Xm1之情形時，實施使轉印用圖案中由透光部構成之主圖案之X-CD減少之修正。例如，可於透光部之邊緣附近形成CVD膜或FIB膜等修正膜且具有與附近之低透光部同等程度之透過率之膜(補充膜)，而將開口寬度縮減。於低透光部為實質上不使曝光之光透過之遮光膜之情形時，形成遮光性之補充膜而使X-CD之數值減少。

另一方面，於Xm2＞Xm1之情形時，與上述相反，可藉由雷射熔斷或離子束蝕刻等將主圖案之邊緣部分去除，而將開口寬度擴大，從而使X-CD增加。關於Y-CD之增減亦同樣。

於該情形時，於主圖案111之邊緣至少局部具有補充膜之雷射熔斷剖面或基於離子束蝕刻等形成之剖面，以代替正常之低透光膜之蝕刻剖面(大部分為濕式蝕刻剖面)。然而，不會因該情況而產生特別之不良情況。

又，詳情將於下文進行敍述，亦可針對產生黑缺陷之轉印用圖案，在使主圖案11之X-CD或Y-CD之至少一者增減之前(或增減之後)，於由透光部構成之主圖案11之整個區域形成上述補充膜，將開口暫時填埋。於該情形時，尤其於進行X-CD與Y-CD之一者增加且另一者減少之修正時容易正確地形成位置與尺寸之方面有利。

藉由以上步驟而形成修正轉印用圖案4。然後，對具有修正轉印用圖案4之光罩藉由顯示裝置製造用之曝光裝置進行曝光而製造顯示裝置。藉此，可有助於顯示裝置製造之效率或良率之提高。

於顯示裝置製造用之光罩產生缺陷之情形時，最嚴重之一個風險係顯示面板基板上之孔圖案未形成為按照設計值之尺寸。例如，於具有多個孔圖案形成用之轉印用圖案之光罩中，其一部分產生缺陷之情形時，於被轉印體上，其一部分孔圖案未形成按照設計之孔，由此無法保證作為器件之動作。

一般而言，形成於被轉印體上之圖案尺寸(CD)根據曝光時之照射光量而變化。然而，無法僅對形成於光罩面內之轉印用圖案之一部分中產生之缺陷之位置應用與其他不同之曝光量。針對此種問題，根據本實施例1，於轉印用圖案產生缺陷之情形時，亦不會產生上述不良情況，可於被轉印體上形成等於設計值之尺寸之孔圖案，從而有助於顯示裝置製造之效率或良率。並且，設計相等之孔圖案成為於被轉印體上具有實質上全部均勻之尺寸之孔圖案。

修正轉印用圖案之主圖案尺寸即Xm2及Ym2係於對修正轉印用圖案4進行曝光時，理論上於被轉印體上形成分別具有Xp1及Yp1之值作為X-CD及Y-CD之孔圖案。

對藉由修正步驟40獲得之修正轉印用圖案4利用曝光裝置進行曝光時，於形成於被轉印體上之孔圖案中，將X-CD及Y-CD分別設為Xp2(μm)及Yp2(μm)時，最佳為其等分別等於Xp1及Yp1。然而，於應用之修正裝置(CVD修正裝置或FIB修正裝置等)之加工精度產生誤差之情形時，有對藉由修正步驟獲得之修正轉印用圖案4利用曝光裝置進行曝光時Xp2(μm)及Yp2(μm)分別與Xp1及Yp1不一致之情形。

於此種情形時，若滿足如下之式(19)、式(20)，則亦充分獲得本發明之作用效果， 0.9Xp1≦Xp2≦1.1Xp1 式(19) 0.9Yp1≦Yp2≦1.1Yp1 式(20)。即，根據上述範圍之Xp2及Yp2，於顯示裝置製造中不會產生實質性問題。藉由上述修正方法，可不進行對於產生缺陷之輔助圖案之直接修正而使第1光罩之性能恢復。 [實施例2]

參照圖6及圖7，對當於第1光罩之轉印用圖案產生黑缺陷時對其進行修正之方法進行說明。如圖3所示，對輔助圖案12中產生黑缺陷14之轉印用圖案，按照以下之要領進行修正。

於圖6(a)中表示於輔助圖案52之一部分產生黑缺陷54之缺陷轉印用圖案5。缺陷轉印用圖案5包含由透光部構成之主圖案51、由半透光部構成之輔助圖案52及表示其等以外之區域之遮光部53(OD＞3)，於輔助圖案52中包含黑缺陷54。透光部係X-CD為Xm1＝2.0 μm且Y-CD為Ym1＝2.0 μm之正方形。輔助圖案52由寬度d為1.3 μm且間隔P為3.25 μm之八邊形帶構成，輔助圖案52之透過率T1為45%，相位偏移量ϕ1為180度。缺陷轉印用圖案5係用以若不存在缺陷則使用顯示裝置製造用曝光裝置進行曝光時於被轉印體(顯示面板基板)上形成作為X-CD而Xp1為1.50 μm且作為Y-CD而Yp1為1.50 μm之孔圖案者。

首先，進行特定出藉由修正應達成之修正轉印用圖案6之形狀之特定步驟30。此處，特定步驟30係與實施例1同樣地，藉由算出修正主圖案之CD值之計算步驟進行。於本實施例2中，亦於計算步驟中使用光學模擬。光學模擬時，可於模擬條件下輸入黑缺陷之形狀(包含位置、面積)作為與光罩相關之設定條件。

本實施例2之模擬係如圖6(b)般，以對輔助圖案52進行預加工50後之形狀為前提而進行。關於預加工之詳情，將於下文進行敍述。

藉由光學模擬可知，假設於圖6(b)之狀態下直接對轉印用圖案進行曝光，則於被轉印體上形成X-CD＝0.96 μm且Y-CD＝0.93 μm之孔圖案。此對於目標值即Xp1＝Yp1(＝1.5 μm)而言不足。

因此，基於上述前提，藉由光學模擬算出針對圖6(b)所示之殘存輔助圖案將主圖案之X-CD及Y-CD設為何種值才能夠於被轉印體上形成Xp1＝Yp1(＝1.5 μm)之孔圖案(計算步驟)。

作為推算方法之一例，於轉印用圖案之設計構思上，對可能之數值範圍內之任意之X-CD，使Y-CD於可能之數值範圍內變化並進行組合時，對形成於被轉印體上之轉印圖像進行解析，自該等組合中求出能夠獲得目標之Xp1與Yp1之值之Xm2與Ym2之組合。X-CD及Y-CD之可能之數值範圍係指於修正轉印用圖案6中主圖案與輔助圖案不接觸之範圍。

其結果，於上述例中，特定出如下內容，即，藉由在修正轉印用圖案6中，作為X-CD而設為Xm2＝1.82 μm且作為Y-CD而設為Ym2＝2.44 μm，可於被轉印體上形成具有目標值之X-CD、Y-CD之孔圖案(特定步驟)。此時，於修正之前後，主圖案之重心位置不變化。

如上述中所提及般，為了更有效率地進行模擬，可進行預加工50，即，使產生黑缺陷54之輔助圖案52之缺陷形狀一致。例如，為了避免於特定步驟30中模擬條件變得複雜，例如以複雜形狀產生黑缺陷之情形等，可藉由補充膜使該黑缺陷形狀一致(即，使產生缺陷之輔助圖案所殘存之部分之形狀一致)。可考慮預加工後之形狀，以此為前提而決定上述模擬之條件。

具體而言，於圖6(a)中殘存之輔助圖案52形成遮光性之補充膜58並加工成圖6(b)之形狀。補充膜可參照低透光部之光學特性而使用低透光性(此處為遮光性)者。以預加工後之輔助圖案之形狀為前提(設想)而進行特定步驟30之模擬。

於本實施例2中，於特定步驟30之後進行預加工50，但預加工50亦可於特定步驟30之前進行，還可同時進行。

繼而，為了形成藉由特定步驟30特定出之修正轉印用圖案6而實施修正步驟40。首先，按照上述模擬之前提，進行對輔助圖案52施加形狀加工之預加工50，製成圖6(b)之形狀。再者，用於形狀加工之補充膜藉由例如CVD法形成。於該情形時，補充膜58可使用Cr系之CVD膜。

繼而，實施使主圖案之X-CD、Y-CD增減之修正。再者，此處，暫時於缺陷轉印用圖案中之主圖案51之整個區域形成遮光性之補充膜，將開口利用補充膜填埋(參照圖6(c))。以下，有時將於主圖案之整個開口形成低透光性(遮光性)之補充膜並將開口利用補充膜填埋稱為「填孔」。然後，照射雷射將補充膜(及所需部分之遮光膜)去除，以成為正如特定步驟中所特定之形狀之方式形成主圖案51之X-CD、Y-CD。如此對主圖案51進行填孔之後形成目標尺寸之主圖案511的方法於容易正確地形成修正後之主圖案511之位置與尺寸之方面有利。

繼而，獲得圖6(d)所示之修正轉印用圖案6。即，形成具有如Xm2為1.82 μm且Ym2為2.44 μm之長方形之主圖案511的修正轉印用圖案之形狀。

於修正之過程中，亦可進行對結果不造成影響之步驟順序之調換。於以下之實施例中亦同樣。例如，本實施例2中圖6(b)所示之輔助圖案之預加工50與圖6(c)所示之主圖案51之填孔亦可將處理之順序顛倒，還可同時進行處理。

於實施例2中，對輔助圖案52中產生之黑缺陷54之形狀，以進行使輔助圖案52之形狀一致之預加工50為前提進行了模擬，以簡化特定步驟之推算。再者，輔助圖案52之預加工並非必須進行，當然亦可根據保持產生狀態之黑缺陷54之形狀進行模擬。 [實施例3]

作為實施例3，以下對有效率地進行特定步驟30之方法進行說明。於本實施例3中，進行類型參照步驟代替計算步驟。

對作為特定步驟30之另一種方法之類型參照步驟進行說明。圖8係將第1光罩之輔助圖案中產生之黑缺陷之類型排列所得者。即，圖8所示之缺陷類型之一覽係以八邊形帶之輔助圖案為例，根據構成該八邊形帶之各傾斜45度之不同之8個區塊中缺失之區塊之數量，將缺陷類型分類為(1)列～(8)列。進而，根據缺失之區塊之位置之組合之情形之數量，將缺陷類型排列為(a)行～(m)行。但，關於以輔助圖案之重心為中心旋轉90度時成為相同之複數個類型、及相互處於鏡像關係之類型，僅揭示該等中之1個代表。再者，於圖8中，低透光部以較其他圖更濃之顏色塗滿，此係為了提高作為圖之視認性，並非表示於該圖之低透光部與其他圖之低透光部之間存在光學密度等物性之差異。關於下述之圖9之低透光部亦同樣。

如此，可掌握會產生之缺陷類型，預先對該等缺陷類型藉由模擬算出適當之Xm2及Ym2之數值。並且，預先將對於各缺陷類型之Xm2與Ym2之組合以相互建立對應之狀態保存於電子機器或附屬於其之記憶媒體等作為資料庫。然後，於特定步驟中參照缺陷類型，選定應適用之缺陷類型，參照與所選定之缺陷類型建立對應之Xm2與Ym2之組合。藉此，特定出修正轉印用圖案之形狀。

亦可進行預加工50，以使產生缺陷之轉印用圖案之形狀與所選定之缺陷類型相同。如上所述，預加工50藉由在產生黑缺陷之輔助圖案形成補充膜而進行。進行預加工時，考慮使殘存之輔助圖案儘可能多地殘留，並且使該殘存之輔助圖案之形狀與任一缺陷類型相同。

圖8中，自(1)列至(8)列，殘存之輔助圖案之面積逐漸變小(最後之(8)列不存在殘存部分)。因此，當進行預加工時，較佳為以藉由預加工儘可能與位於圖8之上方之類型之形狀相同之方式選擇形狀之加工方法。但，於與實際之缺陷形狀相同之形狀存在於缺陷類型中之情形時，亦可不進行預加工。

特定步驟30之後之修正步驟40可與實施例1、2同樣地進行。

圖9表示使用上述修正方法對3種缺陷類型特定出修正轉印用圖案之形狀之例。示出了建立對應之3種缺陷類型(缺陷例1～3)與以正常之轉印用圖案構成之正常部相關之各CD值。Panel X-CD及Panel Y-CD表示藉由光學模擬求出將正常之轉印用圖案及缺陷例1～3所示之各缺陷類型之缺陷轉印用圖案轉印至被轉印體上時之孔圖案之X-CD及Y-CD者。其他CD值如上所述。圖9之缺陷例3係利用實施例2中說明之修正方法特定出之修正轉印用圖案之形狀。

此處所示之3個缺陷例係藉由預加工使輔助圖案之黑缺陷與圖8之任一種類型一致，因此，可參照預先推算出之主圖案之CD值(Xm2、Ym2)而獲得修正轉印用圖案。再者，圖9表示修正前之正方形之主圖案，根據Xm2、Ym2之數值可知，修正轉印用圖案均成為Ym2大於Xm2之長方形。圖9中記載之模擬條件表示將曝光裝置之數值孔徑NA設為0.1，將同調因子σ設為0.5，使用之曝光之光包含i光線、h光線、g光線，其強度比如所記載般。 [實施例4]

上述實施例1～實施例3中之修正方法係不實施對於產生黑缺陷之輔助圖案之修正而僅藉由主圖案之修正形成修正轉印用圖案的方法。於實施例4中，進行於輔助圖案形成修正膜之預修正。

例如，考慮欲對產生黑缺陷之輔助圖案藉由半透光性之修正膜而實施修正之情形。但，如上所述，難以使修正膜之光學物性與正常之半透光膜一致，因此，難以將正常之轉印用圖案完全復原。然而，藉由與基於上述修正膜之輔助圖案之修正同時地應用本發明之修正方法，而可於被轉印體上獲得按照設計之CD值。

參照圖10及圖11，對在第1光罩之轉印用圖案中產生黑缺陷時對其進行修正之方法進行說明。圖10(a)表示與圖6(a)同樣地包含產生黑缺陷54之輔助圖案52之缺陷轉印用圖案5。圖11表示實施例4之缺陷修正流程。於本實施例4中，設想對具有輔助圖案52之黑缺陷54之轉印用圖案於該輔助圖案52形成半透光性之修正膜而進行預修正60，實施用以特定出修正轉印用圖案之形狀之特定步驟。然後，實施上述預修正60，並且進行主圖案之X-CD、Y-CD之增減。

再者，於本實施例4中，於預修正60之前，於圖10(b)中，與上述圖6(c)同樣地，進行將主圖案51利用遮光性之補充膜填埋之填孔。當然，如上所述，主圖案51之填孔並非必需之步驟，亦可不進行填孔而進行使主圖案51之CD值增減之加工。又，於進行主圖案51之填孔之情形時，亦可於下述之預修正60之後進行填孔。藉由如圖10般於預修正60之前進行主圖案51之填孔，有當進行預修正60時修正膜成分等異物不會附著於主圖案51之開口部的優點。

繼而，於圖10(c)中，將形成黑缺陷54之遮光膜去除，並且以與輔助圖案52相同之寬度使透明基板露出，可謂是人為地形成白缺陷541。藉此，使形成修正膜之區域之形狀一致。

於圖10(d)中，進行於上述中形成之白缺陷541形成半透光性之修正膜542作為修正半透光部之預修正60。

用於預修正60之修正膜542可為CVD膜，或者亦可為FIB膜，其材料可使用與上述修正膜相同者。修正膜542可為由與將主圖案填埋時使用之上述補充膜相同之材料構成者，或者，亦可為由不同材料構成者。

如上所述，難以形成具有與正常之半透光膜相同之光學特性之修正膜，但理想的是修正膜542於可能之範圍內具有與正常之半透光膜接近之光學特性。

例如，修正膜542之曝光之光之透過率T4(%)較佳為 30≦T4≦80 式(21)，更佳為 40≦T4≦70 式(22)。

但，修正膜542之透過率T4更佳為不超過輔助圖案52之透過率T1之值。於該情形時，可防止於曝光時修正後之輔助圖案解像於被轉印體上之風險。

進而，較佳為修正膜542具有對於曝光之光之代表波長之相位偏移量ϕ2(度)，且ϕ2為180±40度之範圍內。即，較佳為 140≦ϕ2＜220 式(23)。該修正膜542有為如下式之情形，即， ϕ2＜160 式(24) 或 ϕ2＞200 式(25)。

即，根據形成修正膜542後之輔助圖案52之形狀(包含半透光膜、修正膜各自之位置、面積)及其光學特性，於上述特定步驟30中求出用以於被轉印體上形成按照設計值之孔圖案之主圖案512之形狀(Xm2、Ym2)。即，藉由使用實施預修正60後之輔助圖案52作為光學模擬之條件，推算與該預修正後之輔助圖案52一起設為何種形狀(尺寸)之主圖案512才能夠於被轉印體上獲得具有目標值X-CD、Y-CD之孔圖案即可(計算步驟)。

較佳為如本實施例4般進行特定步驟30之後進行預修正60。但，亦可於特定步驟30之前進行預修正60，還可同時進行特定步驟30與預修正60。

於圖10(e)中進行修正步驟40。即，形成特定出之形狀之主圖案512。作為用以重新形成由補充膜填埋之主圖案之方法，可應用雷射熔斷或離子束蝕刻等。於圖10(e)中表示已完成修正之修正轉印用圖案。於未進行主圖案51之填孔之情形時，實施使主圖案51之X-CD、Y-CD增減之修正，形成具有適當之CD值之主圖案512。 [實施例5]

於實施例4中，列舉了如下例，即，以對產生黑缺陷之輔助圖案藉由半透光性之修正膜實施修正為前提，然後考慮到基於此獲得之修正效果不充分，而進行特定步驟30、即算出主圖案之X-CD、Y-CD之增減之計算步驟，基於計算步驟之計算結果實施修正。本實施例5係為了更有效率地進行缺陷修正而使用預修正類型之修正方法。

即，於本實施例5中，預先決定應用之修正膜之透過率T4(%)與相位偏移量ϕ2(度)，預先將基於該修正膜之預修正後之形狀與伴隨於此之主圖案之X-CD、Y-CD之增減類型化並加以掌握，藉此，確實地進行有效率之修正轉印用圖案之形成。

此處，修正膜之形成寬度設為與正常之輔助圖案之寬度d相同，但亦可設為與正常之輔助圖案不同之寬度。於該情形時，與T4、ϕ2一起作為模擬條件之參數反映即可。

於圖12(a)中表示圖8之(3)-(c)所示之缺陷類型81，於圖12(b)中表示對該缺陷使用修正膜911進行修正後之預修正類型91。又，於圖13(a)中表示圖8(4)-(g)所示之缺陷類型82，於圖13(b)中表示對該缺陷使用修正膜912進行修正後之預修正類型92。如該等中所例示般，可對各缺陷類型預先決定修正膜之形成方法。

進而，為了於此種預修正後(或預修正前)設為預先求出之Xm2、Ym2，對主圖案進行必要之X-CD、Y-CD之增減而形成主圖案，藉此，修正轉印用圖案完成。

再者，示出根據2種缺陷類型決定2種預修正類型之例，但可針對圖8中例示之所有缺陷類型，對各輔助圖案之黑缺陷實施基於上述中選擇之規定之修正膜之修正，預先決定其修正方法。

此時，修正膜形成部分之形狀係與上述實施例3同樣地，使殘存之輔助圖案儘可能地殘留，並且考慮模擬之效率，仿照圖8中之例進行決定。藉此，可掌握對於圖8中例示之各缺陷類型之預修正類型，可與圖8同樣地排列並加以保存(未圖示)。

進而，預先對該預修正類型分別獲得已對主圖案51之X-CD、Y-CD實施必需之增減時之正確之Xm2、Ym2。如此一來，預先將與各預修正類型對應之適當之Xm2、Ym2建立對應地掌握並進行保存即可。

然，若觀察圖12(b)、圖13(b)之預修正類型，則所形成之修正膜911、912之外緣不位於連結輔助圖案之多邊形帶之外周頂點與內周頂點之直線上。其原因在於，於修正裝置之規格上，修正膜區域藉由長方形之組合而形成。另一方面，於圖12(a)、圖13(a)所示之缺陷類型81、82中，基於連結多邊形帶之外周頂點與內周頂點之直線而設定各區塊，於預修正類型91、92與缺陷類型81、82之間，各缺陷區域與修正區域不嚴格一致。因此，於使用藉由長方形之組合而形成修正膜區域之規格之修正裝置之情形時，根據藉由該修正裝置能夠形成之修正膜之形狀，對缺陷類型各自之形狀進行微調整即可。於修正裝置對修正膜區域之形狀不具有特別限制之情形時，不調整缺陷類型之形狀而形成與缺陷類型對應之修正膜區域即可。

實際於轉印用圖案中於輔助圖案產生黑缺陷之情形時，首先，自圖8之一覽所示之缺陷類型群中求出與該缺陷對應之缺陷類型，並且求出與該缺陷類型對應之預修正類型，進而，為了設為與該預修正類型建立對應之Xm2、Ym2而進行必需之X-CD、Y-CD之增減即可。可高效率地進行此種一連串之修正步驟。 [實施例6]

於實施例1～5中，對輔助圖案中產生之黑缺陷進行了修正。另一方面，於輔助圖案中產生白缺陷之情形時對其進行修正之方法亦包含於本發明。例如，藉由對於應形成於轉印用圖案之輔助圖案之正常之半透光膜因某些原因而缺失之白缺陷(例如圖10(c)所示之狀態)進行預加工或預修正，可形成為修正轉印用圖案。若對白缺陷實施形成低透光性(或遮光性)之補充膜之預加工，則與黑缺陷之修正(實施例1～實施例3)同樣地可進行主圖案之修正。又，若對白缺陷進行形成半透光性之修正膜之預修正，則與預修正後之缺陷轉印用圖案之修正(實施例4～5)同樣地可進行主圖案之修正。

上述之各實施例係對第1光罩之缺陷修正方法進行說明者，但亦可對第2光罩應用同樣之修正方法。

＜關於具有修正轉印用圖案之光罩之製造方法＞本發明包括包含上述修正方法之光罩之製造方法。例如，第1光罩可藉由準備於透明基板上依次積層半透光膜及低透光膜並塗佈抗蝕劑膜而成之光罩基底，並對各膜適用應用繪圖、顯影、蝕刻之光微影法而製造。於繪圖時，例如可使用雷射繪圖裝置。

又，半透光膜或低透光膜之材料並無特別限制。作為半透光膜之膜材料，例如可使用包含Zr、Nb、Hf、Ta、Mo、Ti之至少一種與Si之材料、或包含該等材料之氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物或碳氮氧化物之材料。作為低透光膜(較佳為遮光膜)，可為Cr或其化合物(氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物或碳氮氧化物)，或者，亦可為包含Mo、W、Ta、Ti之至少一種之金屬之矽化物或該矽化物之上述化合物。

光罩基底之低透光膜之材料較佳為與半透光膜同樣地可進行濕式蝕刻且相對於半透光膜之材料具有蝕刻選擇性的材料。即，理想的是低透光膜相對於半透光膜之蝕刻劑具有耐性，另一方面，半透光膜相對於低透光膜之蝕刻劑具有耐性。

第2光罩可藉由準備於透明基板上形成低透光膜並塗佈抗蝕劑膜而成之光罩基底，對該低透光膜與透明基板之表面實施特定之圖案化而製造。關於低透光膜之材料，可設為與對上述第1光罩列舉之材料相同。

作為第1光罩、第2光罩中半透光膜或低透光膜之成膜方法，可應用濺鍍法等公知之方法。

上述第1光罩或第2光罩中例示之光罩可應用包括當其輔助圖案產生缺陷時對其利用上述修正方法進行修正的光罩之製造方法。

＜關於顯示裝置之製法＞又，本發明係包含如下步驟之顯示裝置之製造方法，即，準備已利用上述修正方法實施修正之光罩，將包含i光線、h光線及g光線之至少一個之曝光之光照射至所準備之光罩，於被轉印體上進行圖案轉印。亦可使用包含i光線、h光線及g光線之全部之寬波長之曝光之光進行轉印。

＜關於修正光罩＞進而，本發明包含已利用上述修正方法實施修正之光罩。即，例如第1光罩或第2光罩具有之修正轉印用圖案對主圖案實施修正之結果為，其透光部(形成於低透光膜之開口)之邊緣至少局部具有上述補充膜之剖面。即，修正轉印用圖案可具有雷射熔斷剖面或離子束蝕刻剖面。

又，雖然該修正光罩於被轉印體上形成X-CD等於Y-CD之孔圖案，但其修正轉印用圖案所具有之主圖案並不限於為正方形，亦可成為長方形(即Xm2≠Ym2)。

又，對第1光罩實施本發明之修正時，有時形成除了上述以外還具有以下特徵之修正轉印用圖案。即，於該修正轉印用圖案，於其輔助圖案之區域中之至少一部分形成有半透光性之修正膜。進而，亦有於其輔助圖案之區域中之另外一部分形成有正常之半透光膜之情形。

又，本發明之修正光罩包含用以於透明基板上形成孔圖案之轉印用圖案、及對上述轉印用圖案之一部分中產生之缺陷轉印用圖案實施修正後之修正轉印用圖案。上述之本發明之光罩對在被轉印體上形成接觸孔等孔圖案之用途極其有用。

一般而言，作為圖案之種類，將藉由多個圖案具有固定之規則性地排列而其等相互產生光學性影響之密集(Dense)圖案與周圍不存在此種規則性排列之圖案之孤立圖案區別稱呼之情況較多。本發明之光罩於欲在被轉印體上形成孤立孔圖案時可較佳地應用。

較佳為對本發明之光罩應用光學系統之NA(數值孔徑)為0.08～0.15左右且σ(同調因子)為0.4～0.7之等倍之投影曝光裝置。亦可使用縮小倍率2倍以內之縮小光學系統或放大倍率2倍以內之放大光學系統。曝光光源較佳為利用i光線、h光線及g光線之任一者或者包含全部者。

本發明不受上述實施例任何限定，可於不脫離本發明之主旨之範圍內進行各種改良變更，例如，對上述實施例之一部分進行設計變更或將複數個實施例組合或者變更實施例之數值等。

1:轉印用圖案 2:轉印用圖案 3:缺陷轉印用圖案 4:修正轉印用圖案 5:缺陷轉印用圖案 6:修正轉印用圖案 11:(修正前之)主圖案 12:輔助圖案 13:低透光部 14:黑缺陷 15:透明基板 16:半透光膜 17:低透光膜 18:補充膜 22:輔助圖案 25:透明基板 30:特定步驟 40:修正步驟 50:預加工 51:(修正前之)主圖案 52:輔助圖案 53:遮光部 54:黑缺陷 58:補充膜 60:預修正 81:缺陷類型 82:缺陷類型 91:預修正類型 92:預修正類型 111:(修正後之)主圖案 511:(修正後之)主圖案 512:(修正後之)主圖案 541:白缺陷 542:修正膜 911:修正膜 912:修正膜 d:寬度

圖1係表示第1光罩之轉印用圖案之一例之圖，(a)係俯視圖，(b)係(a)之A-A箭視剖視圖。圖2係表示第2光罩之轉印用圖案之一例之圖，(a)係俯視圖，(b)係(a)之A-A箭視剖視圖。圖3係表示包含黑缺陷之缺陷轉印用圖案之一例之俯視圖。圖4係表示光罩之修正方法之實施例1之流程圖。圖5係表示對圖3之缺陷轉印用圖案進行修正後之修正轉印用圖案之一例之俯視圖。圖6(a)～(d)係表示實施例2之各步驟中之轉印用圖案之俯視圖。圖7係表示光罩之修正方法之實施例2之流程圖。圖8係利用俯視圖表示缺陷類型一覽之一例之圖。圖9係表示對3個缺陷類型特定出修正轉印用圖案之形狀之例之圖。圖10(a)～(e)係表示實施例4之各步驟中之轉印用圖案之俯視圖。圖11係表示光罩之修正方法之實施例4之流程圖。圖12(a)係表示缺陷類型之一例之俯視圖，(b)係表示對該缺陷類型進行修正後之預修正類型之俯視圖。圖13(a)係表示缺陷類型之一例之俯視圖，(b)係表示對該缺陷類型進行修正後之預修正類型之俯視圖。

4:修正轉印用圖案

11:(修正前之)主圖案

12:輔助圖案

13:低透光部

14:黑缺陷

111:(修正後之)主圖案

Claims

一種光罩之修正方法，其特徵在於，對在透明基板上具備轉印用圖案之光罩之上述轉印用圖案中產生之缺陷進行修正，上述轉印用圖案係藉由使用曝光裝置之曝光於被轉印體上形成具有所期望之CD值之孔圖案者，且包含：主圖案，其由透光部構成；輔助圖案，其配置於上述主圖案之附近，具有不被上述曝光裝置解像之寬度；及低透光部，其形成於除上述主圖案與上述輔助圖案以外之區域；上述輔助圖案具有對於曝光之光中包含之代表波長之光之透過率T1%，並且上述輔助圖案之透過光相對於上述主圖案之透過光，具有對於上述代表波長之光之大致180度之相位差，上述低透光部具有對於上述代表波長之光之透過率T2%(其中，T2＜T1)，且該光罩之修正方法具有：特定步驟，其係於上述輔助圖案產生缺陷時，藉由使上述主圖案之CD值增減，而特定出如利用上述曝光裝置進行曝光時於被轉印體上形成具有上述所期望之CD值之上述孔圖案的修正轉印用圖案之形狀；及修正步驟，其係基於上述特定步驟中所獲得之形狀，實施使上述主圖案之CD值增減之修正加工。
一種光罩之修正方法，其特徵在於，對在透明基板上具有轉印用圖案之光罩之上述轉印用圖案中產生之缺陷進行修正，上述轉印用圖案係藉由使用曝光裝置之曝光於被轉印體上形成X-CD為Xp1 μm且Y-CD為Yp1 μm之孔圖案者，且包含：主圖案，其由X-CD為Xm1 μm且Y-CD為Ym1 μm之透光部構成；輔助圖案，其配置於上述主圖案之附近，具有不被上述曝光裝置解像之寬度d μm；及低透光部，其形成於除上述主圖案與上述輔助圖案以外之區域；上述輔助圖案具有對於曝光之光中包含之代表波長之光之透過率T1%，並且上述輔助圖案之透過光相對於上述主圖案之透過光，具有對於上述代表波長之光之大致180度之相位差，上述低透光部具有對於上述代表波長之光之透過率T2%(其中，T2＜T1)，且該光罩之修正方法具有：特定步驟，其係於上述輔助圖案產生缺陷時，使上述主圖案之X-CD及Y-CD之至少一者增減，特定出修正轉印用圖案之形狀，該修正轉印用圖案係具有如X-CD為Xm2 μm且Y-CD為Ym2 μm之主圖案之修正轉印用圖案，且對該修正轉印用圖案利用上述曝光裝置進行曝光時於被轉印體上形成X-CD等於Xp1且Y-CD等於Yp1之孔圖案；及修正步驟，其係基於上述特定步驟中所獲得之形狀，實施使上述主圖案之X-CD及Y-CD之至少一者增減之修正加工。
如請求項2之光罩之修正方法，其中上述特定步驟包含計算步驟，該計算步驟係算出用以於對上述修正轉印用圖案利用上述曝光裝置進行曝光時於被轉印體上形成X-CD等於Xp1且Y-CD等於Yp1之孔圖案的Xm2與Ym2之組合。
如請求項2之光罩之修正方法，其中於上述特定步驟之前，具有類型參照步驟，該類型參照步驟係參照對於上述輔助圖案之複數種缺陷類型、與對該缺陷類型之各者預先算出並建立對應之Xm2與Ym2之組合，於上述特定步驟中，自上述複數種缺陷類型中選定與上述缺陷對應之缺陷類型，基於與所選定之上述缺陷類型建立對應之Xm2與Ym2之組合，特定出上述修正轉印用圖案之形狀。
如請求項1至4中任一項之光罩之修正方法，其中上述輔助圖案係於上述透明基板上形成相對於上述主圖案之透過光具有對於上述代表波長之光之大致180度之相位偏移作用之半透光膜而成。
如請求項1至4中任一項之光罩之修正方法，其中上述低透光部係實質上不使曝光之光透過者。
如請求項1至4中任一項之光罩之修正方法，其中於上述修正步驟之前，對產生上述缺陷之上述輔助圖案進行使用低透光性之補充膜之預加工，使殘存之上述輔助圖案之形狀一致。
如請求項1至4中任一項之光罩之修正方法，其中對產生上述缺陷之上述輔助圖案，不實施使用具有相位偏移作用之修正膜之修正。
如請求項1至4中任一項之光罩之修正方法，其中對產生上述缺陷之上述輔助圖案，實施基於半透光性之修正膜之預修正。
如請求項1至4中任一項之光罩之修正方法，其中於上述修正步驟之前，於由透光部構成之上述主圖案之整個區域形成低透光性之補充膜。
如請求項1至4中任一項之光罩之修正方法，其中上述缺陷係黑缺陷。
如請求項1至4中任一項之光罩之修正方法，其中上述缺陷係白缺陷，於上述特定步驟後且上述修正步驟之前，對產生缺陷之上述輔助圖案實施基於半透光性之修正膜之預修正。
如請求項1至4中任一項之光罩之修正方法，其中上述缺陷係黑缺陷，且上述黑缺陷係對上述轉印用圖案之上述輔助圖案中產生之白缺陷形成低透光性之補充膜而產生之黑缺陷。
如請求項2至4中任一項之光罩之修正方法，其中於上述修正步驟中，形成藉由使用上述曝光裝置之曝光於被轉印體上形成X-CD為Xp2 μm且Y-CD為Yp2 μm之孔圖案的修正轉印用圖案，且上述修正轉印用圖案同時滿足下述兩式，即， 0.9Xp1≦Xp2≦1.1Xp1 0.9Yp1≦Yp2≦1.1Yp1。
如請求項1至4中任一項之光罩之修正方法，其中於上述轉印用圖案中，上述主圖案係由上述透明基板之表面露出而成，上述輔助圖案係於上述透明基板上形成具有對於上述代表波長之透過率Tf%之半透光膜而成，並且上述半透光膜具有對於上述代表波長之相位偏移量ϕ1度，且 30≦Tf≦80%，並且ϕ1為大致180度。
如請求項1至4中任一項之光罩之修正方法，其中於上述轉印用圖案中，上述輔助圖案係介隔上述低透光部而配置於上述主圖案之附近。
如請求項1至4中任一項之光罩之修正方法，其中於上述轉印用圖案中，上述輔助圖案係介隔上述低透光部包圍上述主圖案之周圍之正多邊形帶或圓形帶。
如請求項2至4中任一項之光罩之修正方法，其中同時滿足下述兩式，即， 0.8≦Xm1≦4.0 0.8≦Ym1≦4.0。
如請求項1至4中任一項之光罩之修正方法，其中於上述轉印用圖案中，上述輔助圖案形成為介隔上述低透光部包圍上述主圖案之周圍之寬度d之圖案，並且滿足下述式，即，
。
如請求項2至4中任一項之光罩之修正方法，其中同時滿足下述兩式，即， 0.8≦Xp1≦4.0 0.8≦Yp1≦4.0。
如請求項1至4中任一項之光罩之修正方法，其中於上述轉印用圖案中，上述輔助圖案形成為介隔上述低透光部包圍上述主圖案之周圍之寬度d之圖案，且當將上述主圖案之寬度方向之中心與上述輔助圖案之寬度方向之中心之間隔設為P μm時，滿足下述式，即， 1.0＜P≦5.0。
如請求項1至4中任一項之光罩之修正方法，其中於上述轉印用圖案中，上述輔助圖案形成為介隔上述低透光部包圍上述主圖案之周圍之寬度d之圖案，且上述輔助圖案之形狀係於上述主圖案之形狀之重心位置具有重心之多邊形帶。
如請求項1至4中任一項之光罩之修正方法，其中上述孔圖案係孤立孔圖案。
一種光罩之製造方法，其包含如請求項1至4中任一項之光罩之修正方法。
一種顯示裝置之製造方法，其包含如下步驟：準備藉由如請求項24之製造方法獲得之光罩；及將包含i光線、h光線及g光線之至少一個之曝光之光照射至上述修正轉印用圖案，於上述被轉印體上進行圖案轉印。
一種修正光罩，其係包含用以於透明基板上形成孔圖案之轉印用圖案、及對上述轉印用圖案中產生之缺陷實施修正後之修正轉印用圖案者，上述轉印用圖案係藉由使用曝光裝置之曝光於被轉印體上形成X-CD為Xp1 μm且Y-CD為Yp1 μm之孔圖案者，且包含：主圖案，其由X-CD為Xm1 μm且Y-CD為Ym1 μm之透光部構成；輔助圖案，其配置於上述主圖案之附近，具有不被上述曝光裝置解像之寬度d μm；及低透光部，其形成於除上述主圖案與上述輔助圖案以外之區域；上述輔助圖案具有對於曝光之光中包含之代表波長之光之透過率T1%，並且上述輔助圖案之透過光相對於上述主圖案之透過光，對於上述代表波長之光之相位差為大致180度，上述低透光部係於上述透明基板上具有對於上述代表波長之光之透過率T2%(其中，T2＜T1)，上述修正轉印用圖案中包含之修正主圖案係由藉由利用低透光性之補充膜對上述轉印用圖案之主圖案進行加工而X-CD為Xm2 μm且Y-CD為Ym2 μm(其中，將Xm1＝Xm2且Ym1＝Ym2之情形除外)的透光部構成，上述修正轉印用圖案中包含之修正輔助圖案構成介隔上述低透光部包圍上述修正主圖案之正多邊形帶或圓形帶之一部分區域，並且於上述正多邊形帶或圓形帶之除上述一部分以外之區域形成低透光膜或素材與上述低透光膜不同之低透光性之補充膜，上述修正轉印用圖案係藉由使用曝光裝置之曝光於被轉印體上形成X-CD為Xp2 μm且Y-CD為Yp2 μm之孔圖案者，且同時滿足下述兩式，即， 0.9Xp1≦Xp2≦1.1Xp1 0.9Yp1≦Yp2≦1.1Yp1。
如請求項26之修正光罩，其中上述修正輔助圖案係於上述正多邊形帶或圓形帶之除上述一部分以外之區域具有基於半透光性之修正膜之修正半透光部。