CN111665680A

CN111665680A - 光掩模的修正方法、光掩模的制造方法、光掩模以及显示装置的制造方法

Info

Publication number: CN111665680A
Application number: CN202010141996.3A
Authority: CN
Inventors: 今敷修久
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 2019-03-07
Filing date: 2020-03-04
Publication date: 2020-09-15
Anticipated expiration: 2040-03-04
Also published as: JP2020149047A; TWI755683B; TW202036154A; JP7437959B2; KR20200107811A; KR102349891B1; CN111665680B

Abstract

提供光掩模的修正方法、光掩模的制造方法、光掩模和显示装置的制造方法，提供即使辅助图案产生缺陷也不发生显示装置等电子器件的制造成品率或生产效率降低的光掩模的修正方法。转印用图案通过曝光而在被转印体上形成具有期望CD值的孔图案，包含由透光部构成的主图案(11)；配置在主图案(11)附近且具有利用曝光分辨不出的宽度且具有相移作用的辅助图案(12)；和在主图案(11)和辅助图案(12)以外的区域形成的低透光部(13)。通过进行下述步骤修正光掩模：确定步骤，辅助图案(12)产生了缺陷时，通过增减主图案(11)CD值，确定在被转印体上具有期望CD值的修正转印用图案的形状；和修正步骤，基于确定步骤中得到的形状，实施增减主图案(11)的CD值来修正为主图案(111)的修正加工。

Description

光掩模的修正方法、光掩模的制造方法、光掩模以及显示装置的制造方法

技术领域

本发明涉及用于制造电子器件的光掩模、特别是适于制造以液晶或有机EL(电致发光，Electro-luminescence)为代表的显示装置的光掩模的修正方法、包含该修正方法的光掩模的制造方法、包含上述光掩模的制造方法的显示装置的制造方法以及修正光掩模。

背景技术

专利文献1中记载了一种光掩模，其是具备在透明基板上形成的转印用图案的光掩模，上述转印用图案具有规定直径的主图案、配置在上述主图案附近的辅助图案、以及配置在形成上述主图案和上述辅助图案以外的区域的低透光部。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-071059号公报

发明内容

发明所要解决的课题

包括液晶显示装置、EL显示装置等的显示装置可使用多个光掩模，利用平版印刷进行制造。对于这些显示装置，近年来期望在更为明亮且省电的同时实现高精细、高速显示、广视角这样的显示性能的提高。

另外，在与显示装置相比集成度更高、图案的微细化显著进展的半导体装置(LSI)制造用光掩模的领域中，为了获得高分辨率，经过了在曝光装置中使用了应用高数值孔径(例如NA大于0.2)的光学系统的缩小曝光并且推进了曝光光的短波长化的过程。其结果，在该领域中，使用KrF、ArF的准分子激光器(分别为248nm、193nm的单一波长)。

但是，在显示装置制造用的平版印刷领域中，通常不进行上述方法的应用。例如，在曝光装置中使用等倍的投影曝光装置，该光学系统的NA(数值孔径)为0.08～0.15左右。另外，在曝光光源中主要使用i线、h线或g线的光源，多数情况下使用包含这些波长的宽波长区域的光源。由此重视了得到用于照射大面积(例如主表面是一边为300～2000mm的四边形)的光量等的生产效率、成本上的优点。

目前，在显示装置的制造中也产生了针对图案的微细化的需求。但是，将LSI制造用的技术直接转用至显示装置制造用途存在数个问题。例如，将具有高NA(数值孔径)的高分辨率的曝光装置直接应用于大面积的光掩模、或将ArF准分子激光这样的短波长以单一波长用作曝光波长时，伴有技术上、成本上的困难。

即，作为显示装置追求以往未达到的图案的微细化，但另一方面，显示装置制造用光掩模无法简单地转用LSI制造用的技术成为其问题。

例如，就显示装置中使用的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，“TFT”)而言，构成TFT的多个图案之中的形成于层间绝缘膜的接触孔是为了导通层间绝缘膜的上层与层间绝缘膜的下层而使用的。此处，为了制成明亮、省电的显示装置，必须要尽量增大液晶显示装置的开口率。这样，要求接触孔的孔径足够小。即，随着显示装置图案的高密度化的要求，期望显示面板基板上的孔图案的孔径微细化(例如，孔图案的孔径小于3μm)。例如，需要孔径为0.8μm以上2.5μm以下、进而孔径为2.0μm以下的孔图案，具体地说，预计形成具有0.8～1.8μm的孔径的孔图案也成为课题。

在专利文献1中记载了一种光掩模，其具有：由透光部构成的主图案；配置在其附近且具有使i线～g线的光大致偏移180度的相移量的辅助图案；以及在这些以外的区域形成的低透光部。专利文献1中还记载了，利用该光掩模，能够控制透过主图案和辅助图案这两者的曝光光的相互干涉，能够大幅改善透射光的空间像。因此认为，专利文献1所记载的光掩模能够在显示装置用的曝光装置的曝光环境下在显示面板基板等被转印体上稳定地形成微细的孤立孔图案。

上述专利文献1中所记载的转印用图案中，在主图案的附近配置在被转印体上直接分辨不出的适当设计的辅助图案，提高主图案的转印性。辅助图案是精致设计的微细图案，另一方面，例如在由半透光部构成的该辅助图案产生缺陷的情况下的应对成为课题。

通常，在光掩模的制造过程中，图案缺陷的发生为零的情况是非常困难的。例如，在实际过程中无法避免由于不需要的膜的残留或异物(颗粒)的混入等而产生透射率低于设定值的剩余缺陷(也称为黑缺陷)的情况。另外，在实际过程中也无法避免由于所需要的膜的脱落等而产生透射率大于设定值的脱落缺陷(也称为白缺陷)的情况。

以往实施下述方法：假定这样的情况，经检查而检测出光掩模中产生的缺陷，利用修正装置进行修正(修复)。作为修正的方法，对于白缺陷，通常堆积修正膜；对于黑缺陷，通常通过能量射线的照射而除去剩余部分，根据需要进一步堆积修正膜。作为修正装置，主要使用FIB(聚焦离子束，Focused Ion Beam)装置或者激光CVD(化学气相沉积，ChemicalVapor Deposition)装置，进行修正膜的堆积或者剩余膜的除去，能够对白缺陷和黑缺陷进行修正。

在针对光掩模中产生的缺陷进行修正膜的形成的情况下，首先利用缺陷检查装置检测出缺陷，确定进行修正的对象部分。形成修正膜的对象为光掩模所具有的转印用图案的遮光膜或半透光膜(以下也分别称为正常的遮光膜、正常的半透光膜)中产生的白缺陷、或者通过有意地除去黑缺陷而形成的白缺陷等。此处，正常的膜是指，在光掩模制造时，根据该光掩模的设计，由具有规定的光学物性(若为遮光膜则为遮光性；若为半透光膜则为光透射率、相移特性等)的材料、膜厚、膜质而形成的膜。半透光膜是部分透过曝光光的膜，在构成转印用图案中的半透光部时使用。

例如使用激光CVD装置在对象部分形成局部的修正膜(也称为CVD膜)来进行修正(激光CVD法)。此时，向光掩模表面供给作为修正膜的原料的原料气体，形成原料气体气氛。作为修正膜的原料，例如使用羰络金属。具体地说，可例示出羰络铬(Cr(CO)₆)、羰络钼(Mo(CO)₆)、羰络钨(W(CO)₆)等。其中，优选使用耐药性高的羰络铬。

在修正膜的原料中使用羰络铬的情况下，例如将六羰基铬(Cr(CO)₆)加热使其升华，将升华物与载气(Ar气体等)一起作为原料气体导向修正对象部分。并且，将激光照射至该原料气体气氛中，通过激光的热/光能量反应使原料气体分解，使生成物堆积在基板上，形成以铬作为主材料的修正膜。

在使用FIB修正装置的情况下，采用将基于镓离子等的离子束照射至对象位置，使碳系的修正膜(也称为FIB膜)堆积等的方法。

在任一情况下，在遮光膜中产生的缺陷上形成上述修正膜的情况下，可以形成与缺陷附近具有同等程度以上的遮光性的修正膜(以下也称为补充膜)来进行修正。

另一方面，在半透光部的修正中使用上述CVD膜的情况下，在修正步骤中，需要进行堆积的修正膜的膜厚调整，使所形成的修正膜的光透射率与正常膜所具有的目标值一致。但是，进行修正膜的膜厚调整使膜的透射率与目标值完全一致并不容易进行。

另外，修正膜的材料与构成光掩模的转印用图案的正常的半透光膜的材料不同，其成膜方法也不同，因而膜质也不同。因此，在正常的半透光膜具有相移作用的情况下，更难以利用修正膜同时满足该正常的半透光膜所具有的透射率和相移作用这两者。

除上述以外，作为正常的半透光膜应用的膜材中，其透射率、相移特性可能具有波长依赖性(透射率、相移量根据光的波长而发生变化的性质)，修正膜中难以完全复原与正常的半透光膜同等的波长依赖性。因此，在如上所述将宽波长区域用于曝光的显示装置制造用的曝光环境中，实施了修正的部分未必显示出与具有正常的半透光膜的部分相同的转印结果。

在专利文献1中记载了在透明基板上形成具有相移作用的半透光膜而成的辅助图案，同时记载了不使用该半透光膜而在透明基板的主表面形成挖除部而成的辅助图案。具有由挖除部形成的辅助图案的光掩模中，在辅助图案的部分残留有遮光膜、或者该挖除部未形成至规定深度而成为缺陷的情况下等，难以利用上述修正膜恢复其功能。

本发明的目的在于提供一种光掩模的修正方法，在具有辅助图案(其具有相移作用)的孔图案形成用的转印用图案中，即使辅助图案中产生缺陷，也能够在高效稳定的条件下对缺陷转印用图案进行修正而不会产生显示装置等电子器件的制造成品率或生产效率的降低。

本发明的目的还在于提供包含上述修正方法的光掩模的制造方法、包含上述制造方法的显示装置的制造方法以及修正光掩模。

用于解决课题的手段

(第1方式)

本发明的第1方式涉及一种光掩模的修正方法，其是对于在透明基板上具备转印用图案的光掩模的上述转印用图案中产生的缺陷进行修正的光掩模的修正方法，其中，

上述转印用图案是通过使用曝光装置的曝光而在被转印体上形成具有所期望的CD值的孔图案的图案，其包含：

由透光部构成的主图案；

配置在上述主图案的附近且具有利用上述曝光装置分辨不出的宽度的辅助图案；以及

在上述主图案和上述辅助图案以外的区域形成的低透光部，

上述辅助图案具有对于曝光光中包含的代表波长的光的透射率T1(％)，并且

相对于上述主图案的透射光，上述辅助图案的透射光具有对于上述代表波长的光的大致180度的相位差，

上述低透光部具有对于上述代表波长的光的透射率T2(％)(其中T2<T1)，

该修正方法具有下述步骤：

确定步骤，在上述辅助图案中产生了缺陷时，通过增减上述主图案的CD值，确定出在利用上述曝光装置曝光的情况下在被转印体上形成具有上述所期望的CD值的上述孔图案这样的修正转印用图案的形状；以及

修正步骤，基于上述确定步骤中得到的形状，实施增减上述主图案的CD值的修正加工。

(第2方式)

本发明的第2方式涉及一种光掩模的修正方法，其是对于在透明基板上具备转印用图案的光掩模的上述转印用图案中产生的缺陷进行修正的光掩模的修正方法，其中，

上述转印用图案是通过使用曝光装置的曝光而在被转印体上形成X-CD为Xp1(μm)、Y-CD为Yp1(μm)的孔图案的图案，其包含：

由X-CD为Xm1(μm)、Y-CD为Ym1(μm)的透光部构成的主图案；

配置在上述主图案的附近且具有利用上述曝光装置分辨不出的宽度d(μm)的辅助图案；以及

在上述主图案和上述辅助图案以外的区域形成的低透光部，

该修正方法具有下述步骤：

确定步骤，在上述辅助图案中产生了缺陷时，增减上述主图案的X-CD和Y-CD中的至少一者，确定出具有X-CD为Xm2(μm)、Y-CD为Ym2(μm)的主图案的修正转印用图案的形状，该修正转印用图案利用上述曝光装置进行曝光的情况下，在被转印体上形成X-CD与Xp1相等、Y-CD与Yp1相等的孔图案；以及

修正步骤，基于上述确定步骤中得到的形状，实施增减上述主图案的X-CD和Y-CD中的至少一者的修正加工。

(第3方式)

本发明的第3方式涉及上述第2方式中记载的光掩模的修正方法，其中，上述确定步骤包括计算步骤，计算出Xm2与Ym2的组合，以用于在将上述修正转印用图案利用上述曝光装置曝光的情况下，在被转印体上形成X-CD与Xp1相等、Y-CD与Yp1相等的孔图案。

(第4方式)

本发明的第4方式涉及上述第2方式中记载的光掩模的修正方法，其中，

该修正方法具有类型参照步骤，在上述确定步骤之前，参照针对上述辅助图案的多个缺陷类型、以及针对该缺陷类型分别预先计算出且建立了对应的Xm2与Ym2的组合，

在上述确定步骤中，从上述多个缺陷类型中选定与上述缺陷对应的缺陷类型，

基于与所选定的上述缺陷类型建立了对应的Xm2与Ym2的组合，确定上述修正转印用图案的形状。

(第5方式)

本发明的第5方式涉及上述第1～第4任一方式中记载的光掩模的修正方法，其中，

上述辅助图案是在上述透明基板上形成半透光膜而成的，相对于上述主图案的透射光，该半透光膜具有对于上述代表波长的光的大致180度的相移作用。

(第6方式)

本发明的第6方式涉及上述第1～第5中任一方式中记载的光掩模的修正方法，其中，上述低透光部实质上不透过曝光光。

(第7方式)

本发明的第7方式涉及上述第1～第6中任一方式中记载的光掩模的修正方法，其中，在上述修正步骤之前，对于产生了上述缺陷的上述辅助图案，进行使用低透光性的补充膜的预加工，整理残留的上述辅助图案的形状。

(第8方式)

本发明的第8方式涉及上述第1～第7中任一方式中记载的光掩模的修正方法，其中，对于产生了上述缺陷的上述辅助图案，不实施使用具有相移作用的修正膜的修正。

(第9方式)

本发明的第9方式涉及上述第1～第7中任一方式中记载的光掩模的修正方法，其中，对于产生了上述缺陷的上述辅助图案实施利用半透光性的修正膜的预修正。

(第10方式)

本发明的第10方式涉及上述第1～第9中任一方式中记载的光掩模的修正方法，其中，在上述修正步骤之前，在由透光部构成的上述主图案的整个区域形成低透光性的补充膜。

(第11方式)

本发明的第11方式涉及上述第1～第10中任一方式中记载的光掩模的修正方法，其中，上述缺陷为黑缺陷。

(第12方式)

本发明的第12方式涉及上述第1～第10中任一方式中记载的光掩模的修正方法，其中，上述缺陷为白缺陷，在上述确定步骤之后、上述修正步骤之前，对于产生了缺陷的上述辅助图案，实施利用半透光性的修正膜的预修正。

(第13方式)

本发明的第13方式涉及上述第1～第10中任一方式中记载的光掩模的修正方法，其中，上述缺陷为黑缺陷，且上述黑缺陷为对上述转印用图案的上述辅助图案中产生的白缺陷形成低透光性的补充膜而生成的黑缺陷。

(第14方式)

本发明的第14方式涉及上述第2～第13中任一方式中记载的光掩模的修正方法，其中，

在上述修正步骤中，形成通过使用上述曝光装置的曝光而在被转印体上形成X-CD为Xp2(μm)、且Y-CD为Yp2(μm)的孔图案的修正转印用图案，

上述修正转印用图案满足下述两式。

0.9Xp1≦Xp2≦1.1Xp1

0.9Yp1≦Yp2≦1.1Yp1

(第15方式)

本发明的第15方式涉及上述第1～第14中任一方式中记载的光掩模的修正方法，其中，

在上述转印用图案中，

上述主图案是上述透明基板的表面露出而成的，上述辅助图案是在上述透明基板上形成具有对于上述代表波长的透射率Tf(％)的半透光膜而成的，并且上述半透光膜具有对于上述代表波长的相移量φ1(度)，

30≦Tf≦80％，并且φ1为大致180(度)。

(第16方式)

本发明的第16方式涉及上述第1～第15中任一方式中记载的光掩模的修正方法，其中，

上述转印用图案中，上述辅助图案隔着上述低透光部配置在上述主图案的附近。

(第17方式)

本发明的第17方式涉及上述第1～第16中任一方式中记载的光掩模的修正方法，其中，

上述转印用图案中，上述辅助图案是隔着上述低透光部包围上述主图案的周围的正多边形带或圆形带。

(第18方式)

本发明的第18方式涉及上述第2～第17中任一方式中记载的光掩模的修正方法，其满足下述两式。

0.8≦Xm1≦4.0

0.8≦Ym1≦4.0

(第19方式)

本发明的第19方式是上述第1～第18中任一方式中记载的光掩模的修正方法，其中，

上述转印用图案中，上述辅助图案被形成为隔着上述低透光部包围上述主图案的周围的宽度d的图案，并且满足下述式。

(第20方式)

本发明的第20方式涉及上述第2～第19中任一方式中记载的光掩模的修正方法，其满足下述两式。

0.8≦Xp1≦4.0

0.8≦Yp1≦4.0

(第21方式)

本发明的第21方式涉及上述第1～第20中任一方式中记载的光掩模的修正方法，其中，

上述转印用图案中，上述辅助图案被形成为隔着上述低透光部包围上述主图案的周围的宽度d的图案，

设上述主图案的宽度方向的中心与上述辅助图案的宽度方向的中心的间隔为P(μm)时，满足下述式。

1.0<P≦5.0

(第22方式)

本发明的第22方式涉及上述第1～第21中任一方式中记载的光掩模的修正方法，其中，

上述辅助图案的形状是在上述主图案的形状的重心位置具有重心的多边形带。

(第23方式)

本发明的第23方式涉及上述第1～第22中任一方式中记载的光掩模的修正方法，其中，上述孔图案为孤立孔图案。

(第24方式)

本发明的第24方式涉及一种光掩模的制造方法，其包括对上述第1～第23中任一方式中记载的光掩模的修正方法。

(第25方式)

本发明的第25方式涉及一种显示装置的制造方法，其包括：

准备利用上述第24方式中记载的光掩模的制造方法得到的光掩模的步骤，以及

将包含i线、h线以及g线中的至少一者的曝光光照射至上述修正转印用图案，在上述被转印体上进行图案转印。

(第26方式)

本发明的第26方式涉及一种修正光掩模，其是在透明基板上包含用于形成孔图案的转印用图案以及对上述转印用图案中产生的缺陷实施了修正的修正转印用图案的修正光掩模，其中，

由X-CD为Xm1(μm)、Y-CD为Ym1(μm)的透光部构成的主图案；

在上述主图案和上述辅助图案以外的区域形成的低透光部，

相对于上述主图案的透射光，上述辅助图案的透射光对于上述代表波长的光的相位差为大致180度，

上述低透光部在上述透明基板上具有对于上述代表波长的光的透射率T2(％)(其中T2<T1)，

上述修正转印用图案中包含的修正主图案由下述透光部构成，该透光部是通过利用低透光性的补充膜对上述转印用图案的主图案进行加工而使X-CD为Xm2(μm)、Y-CD为Ym2(μm)(其中不包括Xm1＝Xm2且Ym1＝Ym2的情况)的透光部，

上述修正转印用图案中包含的修正辅助图案构成隔着上述低透光部包围上述修正主图案的正多边形带或圆形带的一部分的区域，并且在上述正多边形带或圆形带的上述一部分以外的区域形成低透光膜、或者与上述低透光膜的材料不同的低透光性的上述补充膜，

上述修正转印用图案是通过使用曝光装置的曝光而在被转印体上形成X-CD为Xp2(μm)、Y-CD为Yp2(μm)的孔图案的图案，且满足下述两式。

0.9Xp1≦Xp2≦1.1Xp1

0.9Yp1≦Yp2≦1.1Yp1

(第27方式)

本发明的第27方式涉及上述第26方式中记载的修正光掩模，其中，上述修正辅助图案在上述正多边形带或圆形带的上述一部分以外的区域具有利用半透光性的修正膜得到的修正半透光部。

发明的效果

根据本发明，在光掩模的转印用图案中产生了缺陷时，能够在高效稳定的条件下对于该缺陷进行修正。

附图说明

图1是示出第1光掩模的转印用图案的一例的图，图1的(a)为俯视图、图1的(b)为图1的(a)的A-A向视截面图。

图2为示出第2光掩模的转印用图案的一例的图，图2的(a)为俯视图、图2的(b)为图2的(a)的A-A向视截面图。

图3为示出包含黑缺陷的缺陷转印用图案的一例的俯视图。

图4为示出光掩模的修正方法的实施例1的流程图。

图5为示出对图3的缺陷转印用图案进行了修正的修正转印用图案的一例的俯视图。

图6为示出实施例2的各步骤中的转印用图案的俯视图。

图7为示出光掩模的修正方法的实施例2的流程图。

图8为通过俯视图示出缺陷类型一览的一例的图。

图9为示出对于3种缺陷类型来确定修正转印用图案的形状的示例的图。

图10为示出实施例4的各步骤中的转印用图案的俯视图。

图11为示出光掩模的修正方法的实施例4的流程图。

图12的(a)为示出缺陷类型的一例的俯视图，图12的(b)为示出对该缺陷类型进行了修正的预修正类型的俯视图。

图13的(a)为示出缺陷类型的一例的俯视图，图13的(b)为示出对该缺陷类型进行了修正的预修正类型的俯视图。

具体实施方式

如上所述，在专利文献1所记载的具有精致的构成的转印用图案中产生了缺陷时，难以通过基于现有修正装置的修正膜而使其成为原样的构成。但是，若不实施缺陷修正而直接进行转印，则会产生在被转印体上形成的图案不满足设计规格、招致所要得到的显示装置的动作不良等风险。

因此，此处例示出在具有图1和图2所示的转印用图案的光掩模(以下有时分别称为第1光掩模以及第2光掩模)中产生缺陷时对其进行修正的情况。

本说明书中，“转印用图案”是指基于使用光掩模所要得到的器件而设计的图案，其是在光掩模基板表面形成的图案。转印用图案中产生了缺陷的图案有时被称为“缺陷转印用图案”。在对缺陷转印用图案实施了修正后有时称为“修正转印用图案”。需要说明的是，在修正后所要得到的“修正转印用图案”以及在修正步骤后实际得到的图案有时均被称为“修正转印用图案”。对于“修正主图案”也是同样的。

<第1光掩模的构成>

以下例示出本发明的第1光掩模。第1光掩模是用于制造以液晶或有机EL为代表的显示装置的光掩模。需要说明的是，本说明书中所说的显示装置包括用于构成显示装置的器件。并且，第1光掩模利用显示装置制造用的曝光装置进行曝光，将其转印用图案转印至被转印体上。关于被转印体，例如可以举出在显示装置制造用的基板等上形成作为加工对象的薄膜并在最上层形成抗蚀剂膜的被转印体。作为抗蚀剂膜，可以适当地使用正型的光致抗蚀剂。

曝光光适于使用波长为300～500nm左右的光，例如可以使用包含i线、h线或g线的光。特别是能够有利地使用包含多种波长的光(也称为“宽波长光”)，可例示出包含i线的宽波长光等。在使用宽波长光的情况下，优选以曝光光中包含的任一波长作为代表波长。例如，作为代表波长，可以为具有曝光光的波长范围中的任一波长的光。在以下的说明中，以h线作为代表波长。

第1光掩模在透明基板上具备转印用图案。该转印用图案用于在被转印体上形成孔图案。特别是在形成孤立孔图案时，本发明显示出优异的作用。

透明基板由石英等透明材料形成，是将表面研磨加工得平坦且平滑的基板。透明基板中，例如主表面具有一边为300～2000mm左右的四边形，具有5～15mm左右的厚度。

使用在透明基板15上依序形成有半透光膜16和低透光膜17的光掩模坯料，针对这些膜分别实施规定的图案化，由此可以形成图1的(a)所示的转印用图案1。

转印用图案1具有主图案11、辅助图案12和低透光部13。本方式中，低透光部13是在透明基板15上层积半透光膜16和低透光膜17而成的。辅助图案12是在透明基板15上形成半透光膜16而成的。

主图案11由透光部构成。透光部是对于曝光光的透射率最高的部分，优选透明基板15的表面露出而成。主图案11的透光部具有X方向的宽度(以下称为X-CD)Xm1(μm)、与该X方向垂直的Y方向的宽度(以下称为Y-CD)Ym1(μm)。如图1的(a)所示，第1光掩模的主图案11优选为正方形(即Xm1＝Ym1)。需要说明的是，CD是临界尺寸(Critical Dimension)的简写，这里指图案宽(尺寸)。另外，在光掩模上的转印用图案1中，设X方向的宽度为X-CD、与上述X方向垂直的Y方向的宽度为Y-CD。并且，即使对于将该转印用图案曝光而在被转印体上所形成的转印后图案，也与上述对应，设X方向的宽度为X-CD、与上述X方向垂直的Y方向的宽度为Y-CD。

本方式中，优选满足下述式(1)、式(2)。

0.8≦Xm1≦4.0···式(1)

0.8≦Ym1≦4.0···式(2)

这是由于，Xm1(即，透光部的X方向的CD值)小于0.8μm时，难以达到被转印体上的基于曝光装置的分辨率；并且，该值大于4.0μm时，利用现有的光掩模相对容易获得分辨率，第1光掩模的作用效果相对不显著。即，在通过利用具有转印用图案1(其具有上述范围的尺寸)的光掩模在被转印体上形成后述的Xp、Yp这样的微细尺寸的孔图案时，第1光掩模是非常有利的。

辅助图案12设于主图案11的附近。辅助图案12具有在利用曝光装置将第1光掩模曝光时在被转印体(显示面板基板等)上分辨不出的宽度d(μm)。本方式的第1光掩模(图1的(a))中，辅助图案12与主图案11之间隔着后述的低透光部13进行配置。并且，辅助图案12的形状具有相互平行的外周和内周，为多边形带(具有规定宽度的多边形)，外周与内周的距离为固定值d(将其作为辅助图案12的宽度d)。需要说明的是，关于多边形带，这里是指内周和外周为彼此相似形状的多边形且具有规定的宽度d的带。

第1光掩模中，辅助图案为正八边形带，但也可以为其他的正多边形带(例如正四边形带、正十二边形带、正十六边形带等)或不是正多边形带的多边形带。此外，也可以为外周与内周为直径不同的圆形、且内周与外周的距离具有固定值d的圆形带。另外，图1的(a)中的第1光掩模的辅助图案12是隔着低透光部13连续地包围主图案11的形状，但也可以为构成辅助图案12的多边形带或圆形带的一部分脱落的不连续形状。

辅助图案12具有对于曝光光中包含的代表波长的光的透射率T1(％)。在此处的透射率T1与辅助图案12的宽度d之间，优选下述式(3)成立。

更优选下述式(4)或式(5)可以成立。

上述式(3)、式(4)或式(5)成立时，可有利地控制辅助图案12的透射光与主图案11的透射光的干涉，使在被转印体上形成的用于孔图案形成的光学像(光强度分布)成为更有利的形状。由此能够得到例如聚焦深度(Depth of Focus)、曝光宽容度(ExposureLatitude、EL、所容许的曝光量的误差)的增大、MEEF(掩模误差增强因子)的降低等中的一种以上的转印性能的提高效果。即，与不具有辅助图案12的现有的孔形成用的转印用图案相比，得到了更优异的转印性。

此处，对于辅助图案12的宽度d(μm)，优选的是下述式(6)成立。

d≧0.7···式(6)

更优选下述式(7)成立。

d≧0.8···式(7)

进一步优选下述式(8)成立。

1.0≦d≦1.5···式(8)

宽度d的值若过大，则在曝光时会产生在被转印体上分辨出的风险；另外，该值若过小，则会产生在被转印体上形成孔图案时的上述有利效果不充分的倾向。

辅助图案12可以为在透明基板上形成半透光膜而成的半透光部。另外，相对于主图案11的透射光，辅助图案12的透射光对于代表波长的光的相移量

为大致180度。需要说明的是，本说明书中的大致180度是指180度±20度的范围内。

即，可以表示为下述式：

作为半透光膜的相移量，优选为180±10度的范围内、更优选为180±5度的范围内。

辅助图案12的透射率T1(％)优选为：

30≦T1≦100···式(10)。

此处，T1是以透明基板的透射率作为基准(100％)时的数值，以下同样。

图1的(b)是图1的(a)的A-A向视截面图。如图1的(b)所示，第1光掩模的辅助图案12是在透明基板15上形成半透光膜16而成的。此时，使对于上述代表波长的半透光膜16的相移量

为大致180度即可。

另外，关于辅助图案12的透射率T1(％)，更优选满足

30≦T1≦80···式(11)，

进一步优选可以满足下式即可：

40≦T1≦70···式(12)。

本方式中，辅助图案12是在透明基板上形成具有对于曝光光的透射率Tf(％)的半透光膜16而成的。因此，半透光膜16所具有的对于曝光光的代表波长的透射率Tf(％)优选为30≦Tf≦80、更优选为40≦Tf≦70。

关于辅助图案12的位置，在设主图案11的宽度方向的中心与辅助图案12的宽度方向的中心的间隔为P(μm)时，优选下式关系成立。

1.0<P≦5.0···式(13)

更优选间隔P可以为1.5<P≦4.5···式(14)。

此时，能够更有利地控制上述的辅助图案12的透射光与主图案11的透射光的相互作用。并且，可使被转印体上形成的用于孔图案形成的光学像(光强度分布)成为更有利的形状，得到提高上述转印性能的效果。

低透光部13在转印用图案1中配置在形成了主图案11和辅助图案12的区域以外的区域。优选的是，在转印用图案1中，主图案11和辅助图案12以外的区域仅由低透光部13构成。

低透光部13可以使用在透明基板15上形成例如低透光膜17而成的部分。图1的(b)中，低透光部13是在半透光膜16上层积低透光膜17而形成的。低透光部13所具有的对于代表波长的光的透射率T2(％)小于辅助图案12的透射率T1。透射率T2优选小于30(％)、更优选为20(％)以下。另外，低透光膜17优选可以为实质上不透过曝光光的遮光膜。低透光膜17为遮光膜的情况下，优选光密度OD(Optical Density)为3以上的膜。

即，此处所说的低透光部包括曝光光以较低的透射率透射的情况(具体地说，小于30％)，进而包括其为曝光光实质上不透过的遮光部的情况。在前者的情况下，相对于上述代表波长的光，低透光部的相移量为90度以下、优选为60度以下。

转印用图案1用于在被转印体上形成X-CD为Xp1(μm)、Y-CD为Yp1(μm)这样的孔图案。即，Xp1和Yp1是利用无缺陷的正常的转印用图案1在被转印体上形成的孔图案的X-CD和Y-CD。特别是指作为被转印体的构成要素的抗蚀剂膜的底部CD值(位于被转印体的表面的抗蚀剂膜被图案化而形成抗蚀剂图案时，与孔图案对应的开口最下部的X-CD和Y-CD)。此处，Xp1和Yp1满足下述式(15)和式(16)两式的情况下，发明的效果显著。

0.6≦Xp1≦3.0···式(15)

0.6≦Yp1≦3.0···式(16)

特别优选Xp1和Yp1满足下述式(17)和式(18)两者的情况。

0.6≦Xp1≦2.5···式(17)

0.6≦Yp1≦2.5···式(18)

第1光掩模中，具有相移作用的辅助图案和由透光部构成的主图案夹着遮光部而分开，辅助图案的透射光所形成的光强度分布干涉透光部的透射光所形成的光强度分布。各光强度分布通过在其外缘侧反转振幅的正负的部分而带来例如提高光强度分布曲线的峰的效用、增加转印像的聚焦深度的效用、增加曝光宽容度的效用和降低MEEF(掩模误差增强因子)的效用中的1种以上的效用。

<第2光掩模的构成>

图2的(a)示出了第2光掩模的转印用图案2的一部分。图2的(b)为图2的(a)的B-B向视截面图。第2光掩模也为显示装置制造用的光掩模。与第1光掩模的转印用图案1不同，第2光掩模的转印用图案2中，辅助图案22是通过将透明基板25的表面挖除规定深度的量而形成的。本说明书中，将像这样伴有挖除部的转印用图案2与在透明基板的一个主表面形成的方式一起表示为“在透明基板上具备转印用图案的”光掩模。

第2光掩模中，与第1光掩模同样地，相对于主图案的透射光，辅助图案的透射光具有对于上述代表波长的光的大致180度的相位差。

第2光掩模的情况下，辅助图案22的透射率T1(％)与透明基板的透射率相同，实质上为100％。另外，作为第1光掩模中的优选关系式的上述式(1)～(9)、(13)～(18)也同样适用于第2光掩模中。第1光掩模和第2光掩模均通过使用等倍的投影曝光装置进行曝光来得到上述优异的作用。

<光掩模中产生的缺陷>

以下以第1光掩模中产生了缺陷的情况为例进行说明，但在第2光掩模中产生了缺陷的情况下也是同样的。图3示出了在第1光掩模的辅助图案12产生了黑缺陷14的状态。由于黑缺陷14而使辅助图案12的作用至少部分受损。因此，将这样的缺陷转印用图案3曝光时，在被转印体上不能形成依据设计的光强度分布。即，将作为被转印体的构成要素的抗蚀剂膜曝光后进行显影而得到的抗蚀剂图案的底部CD可能在X方向或Y方向上未能依据设计值来形成。抗蚀剂图案的底部CD决定以该抗蚀剂图案作为蚀刻掩模进行蚀刻加工的图案的CD。由此，在抗蚀剂图案的底部CD未能依据设计值来形成时，会产生电子器件内的图案的CD未能依据设计值来形成的风险。

缺陷转印用图案3中的缺陷会产生未能充分发挥出应该由精致装配的光掩模的构成得到的性能的不利状况。但是，基于上述理由，对于在辅助图案12产生的黑缺陷14，即使按照利用半透光性的修正膜使半透光部复原的方式利用现有的修正装置进行修正，也难以将辅助图案12完全复原至与正常图案相同的状态。因此，在辅助图案12产生黑缺陷14时，对主图案11的尺寸进行修正来形成修正转印用图案。

由此，对于辅助图案12的黑缺陷14，即使利用半透光性的修正膜未能使半透光部复原，也能够在被转印体的表面形成具有依据设计的CD值的孔图案。

以下通过各实施例对光掩模的修正方法进行说明。以下的实施例中，以第1光掩模为前提进行说明，但即使为第2光掩模也可适用同样的修正方法。

[实施例1]

图4中以流程图示出了光掩模的修正方法的一例。首先进行确定修正转印用图案的形状和尺寸的确定步骤30，其后基于确定步骤30中所确定的修正转印用图案的形状和尺寸进行修正步骤40。此处，对于产生了缺陷的辅助图案，在不一定必须实施修正的情况下进行对于主图案11的加工。例如，对于产生了黑缺陷的辅助图案，为了使其复原，并非必须要实施利用半透光性的修正膜的修正。但是，可以在对于辅助图案实施了利用半透光性的修正膜的修正后进行主图案11的尺寸的修正。关于这一点在实施例4以后进行说明。

<确定修正转印用图案的形状的步骤(确定步骤)>

对作为确定步骤30的一个方法的计算修正主图案的CD值的计算步骤进行说明。计算步骤中使用光学模拟即可。作为模拟条件，例如使用以下的信息。

(1)适用于光掩模的曝光的曝光条件(投影曝光装置的光学系统所具有的数值孔径NA、相干系数σ、曝光波长等)；

(2)与作为修正对象的光掩模相关的设定条件(转印用图案的设计图案、膜的光学物性、辅助图案中产生的缺陷的位置、缺陷面积等)；

(3)被转印体表面所使用的光致抗蚀剂膜的材料、特性和膜厚。

对主图案实施修正时的目标在于，能够通过将修正转印用图案曝光而转印至被转印体上来进行显示装置的制造，抑制该显示装置中的动作不良等不适状况的发生。此处，在对主图案实施修正时，增减主图案的X-CD和Y-CD中的至少一者。

具体地说，形成具有X-CD为Xm2(μm)、Y-CD为Ym2(μm)这样的主图案的修正转印用图案。该修正转印用图案为用于在利用上述曝光装置进行曝光的情况下在被转印体上形成具有规定的尺寸的孔图案的上述修正转印用图案，求出上述的Xm2、Ym2(μm)的值(计算步骤)。

增减是指增加或减少。可以使X-CD和Y-CD中的一者增加并使另一者减少，也可以使两者增加。或者还包括仅使一者增加、另一者的增减尺寸为零(即不增减)的情况。优选使X-CD和Y-CD中的至少一者增加。这对于弥补因黑缺陷所致的辅助图案的功能降低、恢复在被转印体上形成的孔图案的CD是有利的。

此处，计算出在使主图案的尺寸(X-CD和Y-CD)为何数值时，通过将修正转印用图案利用曝光装置进行曝光，可在被转印体上形成X-CD与Xp1相等、Y-CD与Yp1相等的孔图案。即，按照能够形成由被转印体上的抗蚀剂膜形成的抗蚀剂图案的底部CD中X-CD与Xp1相等、Y-CD与Yp1相等的孔图案的方式来确定X-CD、Y-CD的增减。另外，曝光条件(剂量等)也与使用正常的转印用图案时的条件相同。

根据上述计算结果确定修正转印用图案中的主图案的X-CD和Y-CD、即Xm2和Ym2的值。需要说明的是，在上述计算步骤中，利用修正转印用图案在被转印体上形成的孔图案的X-CD与Xp1相等、或者Y-CD与Yp1相等的表达包括产生±5nm以内的误差的情况。即，只要相对于Xp1或Yp1以±5nm的范围得到解，即可确定修正转印用图案的形状。此处，通过修正转印用图案在被转印体上形成的孔图案的X-CD与Xp1相等、或者Y-CD与Yp1相等的表达包括产生±5nm以内的误差的情况。

在增加或减少X-CD和Y-CD中的至少一者时，优选不改变主图案的重心位置。即，在用于使被转印体上形成的孔图案的X-CD和Y-CD分别与Xp1和Yp1相等的缺陷转印用图案的修正方法中，优选在不移动主图案的重心位置的情况下进行计算。

<对主图案实施修正的步骤(修正步骤)>

对于修正步骤40进行说明。对于第1光掩模，利用上述光学模拟确定了修正转印用图案的形状后，基于该形状对于缺陷转印用图案的主图案实施修正，按照上述的X-CD为Xm2、Y-CD为Ym2的方式形成主图案。

本实施例1中，要在被转印体上得到的孔图案的X-CD与Y-CD相等，即，Xp1＝Yp1。另外，如上所述，Xm1＝Ym1。图5中示出了对图3的缺陷转印用图案3进行了修正的修正转印用图案4的一例。修正后的主图案111(实线)的开口宽为Xm2(X-CD)和Ym2(Y-CD)，至少一者取比修正前的主图案11(点划线)的开口宽Xm1和Ym1大的值。

关于CD值的修正，在Xm2<Xm1的情况下，实施减少转印用图案中的由透光部构成的主图案的X-CD的修正。例如，可以在透光部的边缘附近形成基于CVD膜或FIB膜等的修正膜且该修正膜是具有与附近的低透光部同等程度的透射率的膜(补充膜)，来缩减开口宽。在低透光部为实质上不透过曝光光的遮光膜的情况下，形成遮光性的补充膜，减少X-CD的数值。

另一方面，在Xm2>Xm1的情况下，与上述相反地，可以将主图案的边缘部分通过激光烧熔或者离子束蚀刻等除去，扩展开口宽，增加X-CD。关于Y-CD的增减也是同样的。

这种情况下，在主图案111的边缘至少部分地具有补充膜的激光烧熔截面或者基于离子束蚀刻等的截面来代替正常的低透光膜的蚀刻截面(多数为湿蚀刻截面)。但是，不会由此发生特殊的不适状况。

另外，如下文所详述，对于产生了黑缺陷的转印用图案，可以在增减主图案11的X-CD或Y-CD中的至少一者之前(或者增减之后)、在由透光部构成的主图案11的整个区域形成上述补充膜，将开口暂时掩埋。这种情况下，特别是在进行增加X-CD和Y-CD中的一者、减少另一者的校正时，容易准确地形成位置和尺寸，从这方面出发是有利的。

通过以上的步骤形成修正转印用图案4。之后，将具有修正转印用图案4的光掩模利用显示装置制造用的曝光装置进行曝光，制造显示装置。由此能够有助于显示装置制造的效率、成品率的提高。

在显示装置制造用的光掩模中产生了缺陷的情况下，最深刻的风险之一是显示面板基板上的孔图案未能形成为依据设计值的尺寸。例如，在具有多个孔图案形成用的转印用图案的光掩模中，在其一部分发生了缺陷的情况下，在被转印体上，在其一部分的孔图案中未能形成依据设计的孔，由此无法保证作为器件的运行。

通常，在被转印体上形成的图案尺寸(CD)根据曝光时的照射光量而变化。但是，无法仅对于在光掩模面内所形成的转印用图案的一部分产生了缺陷的位置应用与其他不同的曝光量。针对这样的问题，根据本实施例1，即使在转印用图案中产生了缺陷的情况下，也可在被转印体上形成与设计值相等的尺寸的孔图案而不会产生上述不适状况，能够有助于显示装置制造的效率和成品率。并且，设计相同的孔图案在被转印体上会成为实质上全部具有均一的尺寸的孔图案。

关于作为修正转印用图案的主图案尺寸的Xm2和Ym2，在将修正转印用图案4曝光时，理论上来说，在被转印体上形成分别具有Xp1和Yp1的值作为X-CD和Y-CD的孔图案。

将通过修正步骤40得到的修正转印用图案4利用曝光装置曝光时，在被转印体上形成的孔图案中，在设X-CD和Y-CD分别为Xp2(μm)和Yp2(μm)时，最优选它们分别与Xp1和Yp1相等。但是，在所应用的修正装置(CVD修正装置、或者FIB修正装置等)的加工精度产生了误差的情况下，在将通过修正步骤得到的修正转印用图案4利用曝光装置进行曝光时，可能出现Xp2(μm)和Yp2(μm)分别与Xp1和Yp1不一致的情况。

即使在这样的情况下，只要满足下式(19)、式(20)即可充分得到本发明的作用效果。

0.9Xp1≦Xp2≦1.1Xp1···式(19)

0.9Yp1≦Yp2≦1.1Yp1···式(20)，

即，通过为上述范围的Xp2和Yp2，在显示装置的制造中不会产生实质性的问题。

通过上述的修正方法，能够在不针对产生了缺陷的辅助图案进行直接修正的情况下恢复第1光掩模的性能。

[实施例2]

参照图6和图7说明在第1光掩模的转印用图案中产生黑缺陷时对其进行修正的方法。如图3所示，对于在辅助图案12中产生了黑缺陷14的转印用图案，按以下要点进行修正。

图6的(a)中示出了在辅助图案52的一部分产生了黑缺陷54的缺陷转印用图案5。缺陷转印用图案5包含由透光部构成的主图案51、由半透光部形成的辅助图案52和表示它们以外的区域的遮光部53(OD>3)，在辅助图案52中包含黑缺陷54。透光部是X-CD为Xm1＝2.0μm、Y-CD为Ym1＝2.0μm的正方形。辅助图案52由宽度d为1.3μm、间隔P为3.25μm的八边形带形成，辅助图案52的透射率T1为45％、相移量

为180度。缺陷转印用图案5若没有缺陷，则用于在使用显示装置制造用曝光装置进行曝光时，在被转印体(显示面板基板)上形成作为X-CD的Xp1为1.50μm、作为Y-CD的Yp1为1.50μm的孔图案。

首先进行对通过修正应实现的修正转印用图案6的形状进行确定的确定步骤30。此处，确定步骤30与实施例1同样地通过计算修正主图案的CD值的计算步骤来进行。本实施例2中，在计算步骤中也使用光学模拟。在光学模拟时，在模拟条件中，可以将黑缺陷的形状(包括位置、面积)作为光掩模相关的设定条件来输入。

如图6的(b)所示，本实施例2的模拟以对辅助图案52进行预加工50后的形状为前提来进行。关于预加工的详情如下文所述。

通过光学模拟可知，假使在保持图6的(b)的状态将转印用图案曝光时，在被转印体上形成X-CD＝0.96μm、Y-CD＝0.93μm的孔图案。这相对于目标值、即Xp1＝Yp1(＝1.5μm)不足。

于是，以上述前提为基础，对于图6的(b)所示的残留辅助图案，通过光学模拟计算出，主图案的X-CD以及Y-CD为什么样的值时，在被转印体上能够形成Xp1＝Yp1(＝1.5μm)的孔图案(计算步骤)。

作为计算方法的一例，相对于转印用图案的设计图案上的可能的数值范围中的任意X-CD，在可能的数值范围内改变Y-CD进行组合，此时对于在被转印体上形成的转印像进行分析，由这些组合中求出可得到目标Xp1和Yp1值的Xm2与Ym2的组合。X-CD和Y-CD的可能的数值范围是修正转印用图案6中的主图案与辅助图案不接触的范围。

其结果，在上述例中，确定出：在修正转印用图案6中，通过使作为X-CD的Xm2＝1.82μm、作为Y-CD的Ym2＝2.44μm，能够在被转印体上形成具有目标值X-CD、Y-CD的孔图案(确定步骤)。此时，使修正之前和之后的主图案的重心位置不发生变化。

如上所述，为了更有效地进行模拟，可以进行对产生了黑缺陷54的辅助图案52的缺陷形状进行整理的预加工50。例如，在产生了复杂形状的黑缺陷的情况下等，为了避免使确定步骤30中的模拟条件变得复杂，可以利用补充膜对该黑缺陷形状进行整理(即对于产生了缺陷的辅助图案的残留部分的形状进行整理)。可以考虑预加工后的形状，并以此为前提来确定上述模拟的条件。

具体地说，在图6的(a)中残留的辅助图案52上形成遮光性的补充膜58，加工成图6的(b)的形状。补充膜可以参照低透光部的光学特性，使用低透光性(此处为遮光性)的膜。以预加工后的辅助图案的形状为前提(进行预估)，进行确定步骤30的模拟。

本实施例2中，在确定步骤30之后进行预加工50，但预加工50也可以在确定步骤30之前进行、还可以同时进行。

接着，为了形成通过确定步骤30确定的修正转印用图案6，实施修正步骤40。首先，如上述模拟的前提所述，对于辅助图案52进行施加形状加工的预加工50，形成图6的(b)的形状。需要说明的是，形状加工中使用的补充膜通过例如CVD法来形成。这种情况下，补充膜58可以使用Cr系的CVD膜。

接着实施增减主图案的X-CD、Y-CD的修正。需要说明的是，此处，暂且在缺陷转印用图案中的主图案51的整个区域形成遮光性的补充膜，利用补充膜掩埋开口(参照图6的(c))。以下，有时将在主图案的整个开口形成低透光性(遮光性)的补充膜而利用补充膜掩埋开口的情况称为“孔填埋(孔埋め)”。之后照射激光除去补充膜(和必要的部分的遮光膜)，按照成为由确定步骤所确定那样的形状的方式形成主图案51的X-CD、Y-CD。像这样将主图案51进行孔填埋后来形成目标尺寸的主图案511的方法容易精确地形成经修正的主图案511的位置和尺寸，从这方面出发是有利的。

于是，如图6的(d)所示得到修正转印用图案6。即，形成具有Xm2为1.82μm、Ym2为2.44μm这样的长方形的主图案511的修正转印用图案的形状。

在修正的过程中，也可以进行不会对结果带来影响的步骤顺序的更改。在以下的实施例中也是同样的。例如，本实施例2中，图6的(b)所示的辅助图案的预加工50和图6的(c)所示的主图案51的孔填埋的处理顺序可以相反，也可以同时处理。

实施例2中，为了针对辅助图案52所产生的黑缺陷54的形状简化确定步骤的计算，以进行预加工50(其整理辅助图案52的形状)为前提进行了模拟。需要说明的是，辅助图案52的预加工不是必须的，不消说，也可以直接以所产生那样的黑缺陷54的形状为基础进行模拟。

[实施例3]

作为实施例3，下面对于有效地进行确定步骤30的方法进行说明。本实施例3中，进行类型参照步骤来代替计算步骤。

对于作为确定步骤30的另一个方法的类型参照步骤进行说明。图8中排列出了在第1光掩模的辅助图案中产生的黑缺陷的类型。即，图8所示的缺陷类型的一览中，以八边形带的辅助图案为例，在构成该八边形带的每隔45度倾斜的不同的8个分区中，利用丢失的分区数将缺陷类型分类成(1)行～(8)行。进一步根据丢失的分区的位置组合的状态的数目将缺陷类型排列成(a)列～(m)列。其中，对于以辅助图案的重心为中心旋转90度时为相同的2个以上的类型以及相互处于镜像关系的类型，仅记载它们中的1个代表。需要说明的是，图8中，将低透光部以比其他图更深的颜色涂满，但这是为了提高作为图的辨认性，不表示该图的低透光部与其他图的低透光部之间存在光密度等物性的差异。对于后述图9的低透光部也是同样的。

如此，可以把握可能产生的缺陷类型，预先对于这些缺陷类型通过模拟计算出适当的Xm2和Ym2的数值。并且，将针对各个缺陷类型的Xm2与Ym2的组合以相互建立了对应的状态作为数据库保存在电子设备或其中附带的记忆介质等中。之后，在确定步骤中，参照缺陷类型，选择所要应用的缺陷类型，参照与所选择的缺陷类型建立了对应的Xm2与Ym2的组合。由此来确定修正转印用图案的形状。

为了使产生了缺陷的转印用图案的形状与所选择的缺陷类型相同，可以进行预加工50。如上所述，预加工50通过在产生了黑缺陷的辅助图案上形成补充膜来进行。在进行预加工时，在考虑尽可能多地保留所残留的辅助图案的情况下，使该残留的辅助图案的形状与任一种缺陷类型相同。

图8中，从(1)行到(8)行，残留的辅助图案的面积逐渐减小(最后的(8)行中，无残留部分)。因此，在进行预加工时，优选选择形状的加工方法，以使得通过预加工尽可能与位于图8的上方的类型的形状相同。其中，在缺陷类型中存在与实际的缺陷形状相同的形状的情况下，也可以不进行预加工。

确定步骤30之后的修正步骤40可以与实施例1、2同样地进行。

图9中示出了使用上述的修正方法对于3种缺陷类型确定修正转印用图案的形状的示例。示出了与建立了对应的3种缺陷类型(缺陷例1～3)和由正常的转印用图案构成的正常部相关的各CD值。面板(panel)X-CD和面板Y-CD表示通过光学模拟求出将正常的转印用图案和缺陷例1～3中示出的各缺陷类型的缺陷转印用图案转印至被转印体上时的孔图案的X-CD和Y-CD所得到的值。其他的CD值如上所述。图9的缺陷例3为利用实施例2中说明的修正方法确定的修正转印用图案的形状。

这里示出的3个缺陷例中，通过预加工，使辅助图案的黑缺陷与图8类型中的任一者一致，因此可以参照预先计算出的主图案的CD值(Xm2、Ym2)得到修正转印用图案。需要说明的是，图9中示出了修正前的正方形的主图案，但由Xm2、Ym2的数值可知，修正转印用图案均为Ym2大于Xm2的长方形。图9中记载的模拟条件如下示出：设曝光装置的数值孔径NA为0.1、相干系数σ为0.5，所使用的曝光光包含i线、h线、g线，其强度比如图9所记载(i：h：g＝1.0：0.8：1.0)。

[实施例4]

上述实施例1～实施例3中的修正方法为对于产生了黑缺陷的辅助图案不实施修正、仅通过主图案的修正来形成修正转印用图案的方法。在实施例4中，对于辅助图案进行形成修正膜的预修正。

例如，考虑要对产生了黑缺陷的辅助图案利用半透光性的修正膜实施修正的情况。但是，如上所述，由于难以使修正膜的光学物性与正常的半透光膜一致，因此难以完全复原正常的转印用图案。但是，通过将本发明的修正方法与上述基于修正膜的辅助图案的修正一起使用，可以在被转印体上得到依据设计的CD值。

参照图10和图11说明在第1光掩模的转印用图案产生了黑缺陷时对其进行修正的方法。图10的(a)与图6的(a)同样地示出了包含产生了黑缺陷54的辅助图案52的缺陷转印用图案5。图11示出了实施例4的缺陷修正流程。本实施例4中，对于具有辅助图案52的黑缺陷54的转印用图案，假定在该辅助图案52上形成半透光性的修正膜来进行预修正60，实施用于确定修正转印用图案的形状的确定步骤。之后实施上述预修正60，同时进行主图案的X-CD、Y-CD的增减。

需要说明的是，本实施例4中，在预修正60之前，利用图10的(b)与上述图6的(c)同样地进行利用遮光性的补充膜掩埋主图案51的孔填埋。如上所述，主图案51的孔填埋当然并非为必须的步骤，也可以在不进行孔填埋的情况下进行增减主图案51的CD值的加工。另外，在进行主图案51的孔填埋的情况下，可以在后述的预修正60之后进行孔填埋。如图10所示，通过在预修正60之前进行主图案51的孔填埋，具有在进行预修正60时在主图案51的开口部不会附着修正膜成分等异物的优点。

接着，在图10的(c)中，除去形成黑缺陷54的遮光膜，同时以与辅助图案52相同宽度使透明基板露出，可以说人为地形成白缺陷541。由此对形成修正膜的区域的形状进行整理。

图10的(d)中进行在上述形成的白缺陷541上形成半透光性的修正膜542作为修正半透光部的预修正60。

预修正60中使用的修正膜542可以为CVD膜、或者可以为FIB膜，其材料可以使用与上述的修正膜同样的材料。修正膜542可以由与掩埋主图案时所使用的上述补充膜相同的材料形成，或者也可以由不同的材料形成。

如上所述，难以形成与正常的半透光膜具有相同的光学特性的修正膜，但修正膜542优选尽可能具有与正常的半透光膜接近的光学特性。

例如，修正膜542的曝光光的透射率T4(％)优选为30≦T4≦80···式(21)，

更优选为下式即可：

40≦T4≦70···式(22)。

其中，修正膜542的透射率T4更优选不大于辅助图案52的透射率T1的值。这种情况下，可防止在曝光时修正后的辅助图案在被转印体上被分辨出的风险。

此外，修正膜542具有对于曝光光的代表波长的相移量

(度)，

优选为180±40度的范围内。即，优选

该修正膜542有时为

或者

即，基于形成修正膜542所致的辅助图案52的形状(包括半透光膜、修正膜各自的位置、面积)和其光学特性，在上述确定步骤30中求出用于在被转印体上形成依据设计值的孔图案的主图案512的形状(Xm2,Ym2)。即，通过使用实施了预修正60的辅助图案52作为光学模拟的条件，与该经预修正的辅助图案52一起算出为何种形状(尺寸)的主图案512时能够在被转印体上形成具有目标值X-CD、Y-CD的孔图案即可(计算步骤)。

如本实施例4所示，优选在进行确定步骤30后进行预修正60。但是预修正60也可以在确定步骤30之前进行，还可以同时进行确定步骤30和预修正60。

在图10的(e)中进行修正步骤40。即，形成特定形状的主图案512。作为用于重新形成被补充膜掩埋的主图案的手段，可以应用激光烧熔或离子束蚀刻等。图10的(e)中示出了完成了修正的修正转印用图案。在不进行主图案51的孔填埋的情况下，实施增减主图案51的X-CD、Y-CD的修正，形成具有合适的CD值的主图案512。

[实施例5]

在实施例4中举出了下述示例：以对于产生了黑缺陷的辅助图案利用半透光性的修正膜实施修正为前提，并且考虑到基于此的修正效果不充分，进行确定步骤30、即计算出主图案的X-CD、Y-CD的增减的计算步骤，并基于计算步骤的计算结果来实施修正。本实施例5中是为了更有效地进行缺陷修正而使用预修正类型的修正方法。

即，本实施例5中，预先确定所应用的修正膜的透射率T4(％)和相移量

(度)，对利用该修正膜进行预修正后的形状以及与此相伴的主图案的X-CD、Y-CD的增减预先进行类型化来掌握，由此确实有效地进行修正转印用图案的形成。

此处，修正膜的形成宽度与正常的辅助图案的宽度d相同，但也可以与正常的辅助图案为不同的宽度。这种情况下，将其与T4、

一起反映为模拟条件的参数即可。

图12的(a)中示出了图8的(3)-(c)所示的缺陷类型81，图12的(b)中示出了使用修正膜911对该缺陷进行修正的预修正类型91。另外，图13的(a)中示出了图8(4)-(g)所示的缺陷类型82，图13的(b)中示出了使用修正膜912对该缺陷进行修正的预修正类型92。如这些中所例示，可以针对各缺陷类型来预先确定修正膜的形成方法。

此外，在这样的预修正后(或预修正前)，为了制成预先求出的Xm2、Ym2，对于主图案进行必要的X-CD、Y-CD的增减，来形成主图案，由此完成修正转印用图案。

需要说明的是，示出了由2种缺陷类型确定2种预修正类型的示例，但是对于图8中例示的全部缺陷类型，也可以对于各自的辅助图案的黑缺陷利用上述选择的规定的修正膜实施修正，来预先确定其修正方法。

此时，与上述实施例3同样地尽可能保留残留的辅助图案，并且考虑模拟的效率，根据图8中的示例来确定修正膜形成部分的形状。由此，能够把握针对图8中例示出的各个缺陷类型的预修正类型，能够与图8同样地进行排列并保存(未图示)。

进而会预先得到对于该预修正类型分别实施主图案51的X-CD、Y-CD中所需要的增减时的正确的Xm2、Ym2。这样预先将适当的Xm2、Ym2与预修正类型分别相应地建立对应并进行把握、保存即可。

另外，在观察图12的(b)、图13的(b)的预修正类型时，所形成的修正膜911、912的外缘不在将辅助图案的多边形带的外周顶点与内周顶点连结的直线上。这是由于，在修正装置的规格上，修正膜区域是通过长方形的组合而形成的。另外，在图12的(a)、图13的(a)所示的缺陷类型81、82中，基于将多边形带的外周顶点与内周顶点连结的直线设定各分区，在预修正类型91、92与缺陷类型81、82之间，各自的缺陷区域与修正区域并不严格一致。因此，在使用通过长方形的组合形成修正膜区域的规格的修正装置的情况下，基于能够由该修正装置形成的修正膜的形状对于缺陷类型各自的形状进行微调整即可。修正装置对于修正膜区域的形状没有特别限制的情况下，在不进行缺陷类型的形状的调整的情况下形成与缺陷类型对应的修正膜区域即可。

实际上，在转印用图案中，在辅助图案中产生了黑缺陷的情况下，首先由图8一览示出的缺陷类型组中求出与该缺陷对应的缺陷类型，并且求出与该缺陷类型对应的预修正类型，进一步进行必要的X-CD、Y-CD的增减，以获得与该预修正类型建立了对应的Xm2、Ym2即可。这样的一系列的修正步骤可高效地进行。

[实施例6]

在实施例1～5中，对于辅助图案中产生的黑缺陷进行了修正。另一方面，在辅助图案中产生了白缺陷的情况下对其进行修正的方法也包含在本发明中。例如，应该在转印用图案的辅助图案中形成的正常的半透光膜会由于某种原因而发生脱落，对于这样得到的白缺陷(例如图10的(c)中示出的状态)，可以通过进行预加工或预修正而形成修正转印用图案。对于白缺陷，若实施形成低透光性(或遮光性)的补充膜的预加工，则能够与黑缺陷的修正(实施例1～实施例3)同样地进行主图案的修正。另外，若对于白缺陷进行形成半透光性的修正膜的预修正，则能够与预修正后的缺陷转印用图案的修正(实施例4～5)同样地进行主图案的修正。

上述各实施例对于第1光掩模的缺陷修正方法进行了说明，但同样的修正方法也可应用于第2光掩模中。

<关于具有修正转印用图案的光掩模的制造方法>

本发明包含包括上述修正方法的光掩模的制造方法。例如，可以准备在透明基板上依序层积半透光膜和低透光膜、涂布有抗蚀剂膜的光掩模坯料，对于各个膜进行描绘、显影、使用蚀刻的光刻，由此制造出第1光掩模。在描绘时，例如可以使用激光描绘装置。

另外，半透光膜和低透光膜的材料没有特别限制。作为半透光膜的膜材料，例如可以使用包含Zr、Nb、Hf、Ta、Mo、Ti中的至少一者和Si的材料、或者包含这些材料的氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物或氮氧碳化物的材料。作为低透光膜(优选遮光膜)，可以为Cr或其化合物(氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、或者氮氧碳化物)，或者可以为包含Mo、W、Ta、Ti中的至少一者的金属的硅化物或该硅化物的上述化合物。

光掩模坯料的低透光膜的材料优选为与半透光膜同样地可以进行湿蚀刻、且对于半透光膜的材料具有蚀刻选择性的材料。即，优选低透光膜对于半透光膜的蚀刻剂具有耐性、另外优选半透光膜对于低透光膜的蚀刻剂具有耐性。

第2光掩模可以如下制造：准备在透明基板上形成低透光膜、涂布有抗蚀剂膜的光掩模坯料，对于该低透光膜和透明基板的表面实施规定的图案化，来制造该第2光掩模。关于低透光膜的材料，可以与上述第1光掩模中举出的材料相同。

第1光掩模、第2光掩模中，作为半透光膜或低透光膜的成膜方法，可以应用溅射法等公知的方法。

在上述第1光掩模或第2光掩模中例示的光掩模中，在其辅助图案中产生了缺陷时，可应用包括利用上述的修正方法对其进行修正的光掩模的制造方法。

<关于显示装置的制法>

另外，本发明涉及一种显示装置的制造方法，其包括：准备利用上述修正方法实施了修正的光掩模；以及将包含i线、h线以及g线中的至少一者的曝光光照射至所准备的光掩模，在被转印体上进行图案转印。可以使用包含i线、h线和g线的全部的宽波长的曝光光进行转印。

<关于修正光掩模>

此外，本发明包括利用上述修正方法实施了修正的光掩模。即，例如第1光掩模或第2光掩模所具有的修正转印用图案中，作为对主图案实施了修正的结果，在其透光部(在低透光膜形成的开口)的边缘至少部分地具有上述补充膜的截面。即，修正转印用图案可以具有激光烧熔截面或离子束蚀刻截面。

另外，尽管该修正光掩模会在被转印体上形成X-CD与Y-CD相等的孔图案，但该修正转印用图案所具有的主图案并不限于正方形，也可以为长方形(即Xm2≠Ym2)。

另外，在对第1光掩模实施了本发明的修正时，除了上述以外，有时还形成具有下述特征的修正转印用图案。即，在该修正转印用图案中，在其辅助图案的区域中，在至少一部分形成了半透光性的修正膜。此外，有时还在其辅助图案的区域中的另一部分形成正常的半透光膜。

另外，本发明的修正光掩模中，在透明基板上包含用于形成孔图案的转印用图案、以及对于在上述转印用图案的一部分产生的缺陷转印用图案实施了修正的修正转印用图案。上述本发明的光掩模对于在被转印体上形成接触孔等孔图案的用途极为有用。

通常，作为图案的种类，多数将图案区分地称为通过以具有一定规则性的方式排列多个图案而使他们相互产生光学影响的密集(Dense)图案、以及周围不存在这样的规则排列的图案的孤立图案。本发明的光掩模适合在希望在被转印体上形成孤立孔图案时使用。

本发明的光掩模中适合应用光学系统的NA(数值孔径)为0.08～0.15左右、σ(相干系数)为0.4～0.7的等倍的投影曝光装置。也可以使用缩小倍率为2倍以内的缩小光学系统或者放大倍数为2倍以内的放大光学系统。曝光光源适合利用i线、h线以及g线中的任一者或者包含i线、h线和g线的全部的光源。

本发明并不受上述实施例的任何限定，例如，可以对上述实施例的一部分进行设计变更、将2个以上的实施例进行组合、或者变更实施例的数值等，在不脱离本发明的宗旨的范围内进行各种改良变更。

符号的说明

1、2：转印用图案

3、5：缺陷转印用图案

11、51：(修正前的)主图案

12、22、52：辅助图案

13：低透光部

14、54：黑缺陷

15：透明基板

16：半透光膜

17：低透光膜

18、58：补充膜

30：确定步骤

40：修正步骤

50：预加工

60：预修正

81：缺陷类型

91：预修正类型

111、511、512：(修正后的)主图案

541：白缺陷

542、911、912：修正膜

Claims

1.一种光掩模的修正方法，其是对于在透明基板上具备转印用图案的光掩模的所述转印用图案中产生的缺陷进行修正的光掩模的修正方法，其特征在于，

所述转印用图案是通过使用曝光装置的曝光而在被转印体上形成具有所期望的CD值的孔图案的图案，

所述转印用图案包含：

由透光部构成的主图案；

配置在所述主图案的附近且具有利用所述曝光装置分辨不出的宽度的辅助图案；以及

在所述主图案和所述辅助图案以外的区域形成的低透光部，

所述辅助图案具有对于曝光光中包含的代表波长的光的透射率T1％，并且

相对于所述主图案的透射光，所述辅助图案的透射光具有对于所述代表波长的光的大致180度的相位差，

所述低透光部具有对于所述代表波长的光的透射率T2％，其中T2<T1，

该修正方法具有下述步骤：

确定步骤，在所述辅助图案中产生了缺陷时，通过增减所述主图案的CD值，确定出修正转印用图案的形状，该修正转印用图案在利用所述曝光装置进行曝光的情况下在被转印体上形成具有所述所期望的CD值的所述孔图案；以及

修正步骤，基于所述确定步骤中得到的形状，实施增减所述主图案的CD值的修正加工。

2.一种光掩模的修正方法，其是对于在透明基板上具备转印用图案的光掩模的所述转印用图案中产生的缺陷进行修正的光掩模的修正方法，其特征在于，

所述转印用图案是通过使用曝光装置的曝光而在被转印体上形成X-CD为Xp1μm、Y-CD为Yp1μm的孔图案的图案，

所述转印用图案包含：

由X-CD为Xm1μm、Y-CD为Ym1μm的透光部构成的主图案；

配置在所述主图案的附近且具有利用所述曝光装置分辨不出的宽度dμm的辅助图案；以及

在所述主图案和所述辅助图案以外的区域形成的低透光部，

该修正方法具有下述步骤：

确定步骤，在所述辅助图案中产生了缺陷时，增减所述主图案的X-CD和Y-CD中的至少一者，确定出具有X-CD为Xm2μm、Y-CD为Ym2μm的主图案的修正转印用图案的形状，该修正转印用图案利用所述曝光装置进行曝光的情况下，在被转印体上形成X-CD与Xp1相等、Y-CD与Yp1相等的孔图案；以及

修正步骤，基于所述确定步骤中得到的形状，实施增减所述主图案的X-CD和Y-CD中的至少一者的修正加工。

3.如权利要求2所述的光掩模的修正方法，其特征在于，所述确定步骤包括计算步骤，计算出Xm2与Ym2的组合，以用于在将所述修正转印用图案利用所述曝光装置曝光的情况下，在被转印体上形成X-CD与Xp1相等、Y-CD与Yp1相等的孔图案。

4.如权利要求2所述的光掩模的修正方法，其特征在于，

该修正方法具有类型参照步骤，在所述确定步骤之前，参照针对所述辅助图案的多个缺陷类型、以及针对该缺陷类型分别预先计算出且建立了对应的Xm2与Ym2的组合，

在所述确定步骤中，从所述多个缺陷类型中选定与所述缺陷对应的缺陷类型，

基于与所选定的所述缺陷类型建立了对应的Xm2与Ym2的组合，确定所述修正转印用图案的形状。

5.如权利要求1～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其中，

所述辅助图案是在所述透明基板上形成半透光膜而成的，相对于所述主图案的透射光，该半透光膜具有对于所述代表波长的光的大致180度的相移作用。

6.如权利要求1～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其中，所述低透光部实质上不透过曝光光。

7.如权利要求1～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其特征在于，在所述修正步骤之前，对于产生了所述缺陷的所述辅助图案，进行使用低透光性的补充膜的预加工，整理残留的所述辅助图案的形状。

8.如权利要求1～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其特征在于，对于产生了所述缺陷的所述辅助图案，不实施使用具有相移作用的修正膜的修正。

9.如权利要求1～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其特征在于，对产生了所述缺陷的所述辅助图案实施利用半透光性的修正膜的预修正。

10.如权利要求1～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其特征在于，在所述修正步骤之前，在由透光部构成的所述主图案的整个区域形成低透光性的补充膜。

11.如权利要求1～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其特征在于，所述缺陷为黑缺陷。

12.如权利要求1～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其特征在于，所述缺陷为白缺陷，在所述确定步骤之后、所述修正步骤之前，对于产生了缺陷的所述辅助图案，实施利用半透光性的修正膜的预修正。

13.如权利要求1～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其特征在于，所述缺陷为黑缺陷，且所述黑缺陷为对所述转印用图案的所述辅助图案中产生的白缺陷形成低透光性的补充膜而生成的黑缺陷。

14.如权利要求2～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其特征在于，

在所述修正步骤中，形成修正转印用图案，该修正转印用图案通过使用所述曝光装置的曝光而在被转印体上形成X-CD为Xp2μm、且Y-CD为Yp2μm的孔图案，

所述修正转印用图案满足下述两式，

0.9Xp1≦Xp2≦1.1Xp1

0.9Yp1≦Yp2≦1.1Yp1。

15.如权利要求1～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其特征在于，

在所述转印用图案中，

所述主图案是所述透明基板的表面露出而成的，

所述辅助图案是在所述透明基板上形成具有对于所述代表波长的透射率Tf％的半透光膜而成的，并且所述半透光膜具有对于所述代表波长的相移量φ1度，

30≦Tf≦80％，并且φ1为大致180度。

16.如权利要求1～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其特征在于，

所述转印用图案中，所述辅助图案隔着所述低透光部配置在所述主图案的附近。

17.如权利要求1～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其特征在于，所述转印用图案中，所述辅助图案是隔着所述低透光部包围所述主图案的周围的正多边形带或圆形带。

18.如权利要求2～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其特征在于，其满足下述两式，

0.8≦Xm1≦4.0

0.8≦Ym1≦4.0。

19.如权利要求1～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其特征在于，所述转印用图案中，所述辅助图案被形成为隔着所述低透光部包围所述主图案的周围的宽度d的图案，并且满足下述式，

20.如权利要求2～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其特征在于，其满足下述两式，

0.8≦Xp1≦4.0

0.8≦Yp1≦4.0。

21.如权利要求1～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其特征在于，

所述转印用图案中，所述辅助图案被形成为隔着所述低透光部包围所述主图案的周围的宽度d的图案，

设所述主图案的宽度方向的中心与所述辅助图案的宽度方向的中心的间隔为Pμm时，满足下述式，

1.0<P≦5.0。

22.如权利要求1～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其特征在于，

所述辅助图案的形状是在所述主图案的形状的重心位置具有重心的多边形带。

23.如权利要求1～4中任一项所述的光掩模的修正方法，其特征在于，所述孔图案为孤立孔图案。

24.一种光掩模的制造方法，其中，该制造方法包括权利要求1～4中任一项所述的光掩模的修正方法。

25.一种显示装置的制造方法，其中，该制造方法包括：

准备利用权利要求24所述的制造方法得到的光掩模的步骤；以及

将包含i线、h线和g线中的至少一者的曝光光照射至所述修正转印用图案，在所述被转印体上进行图案转印。

26.一种修正光掩模，其是在透明基板上包含用于形成孔图案的转印用图案以及对所述转印用图案中产生的缺陷实施了修正的修正转印用图案的修正光掩模，其特征在于，

所述转印用图案包含：

由X-CD为Xm1μm、Y-CD为Ym1μm的透光部构成的主图案；

在所述主图案和所述辅助图案以外的区域形成的低透光部，

相对于所述主图案的透射光，所述辅助图案的透射光对于所述代表波长的光的相位差为大致180度，

所述低透光部在所述透明基板上具有对于所述代表波长的光的透射率T2％，其中T2<T1，

所述修正转印用图案中包含的修正主图案由下述透光部构成，该透光部是通过利用低透光性的补充膜对所述转印用图案的主图案进行加工而使X-CD为Xm2μm、Y-CD为Ym2μm的透光部，其中不包括Xm1＝Xm2且Ym1＝Ym2的情况，

所述修正转印用图案中包含的修正辅助图案构成隔着所述低透光部包围所述修正主图案的正多边形带或圆形带的一部分的区域，并且在所述正多边形带或圆形带的所述一部分以外的区域形成低透光膜、或者与所述低透光膜的材料不同的低透光性的补充膜，

所述修正转印用图案是通过使用曝光装置的曝光而在被转印体上形成X-CD为Xp2μm、Y-CD为Yp2μm的孔图案的图案，

该修正转印用图案满足下述两式，

0.9Xp1≦Xp2≦1.1Xp1

0.9Yp1≦Yp2≦1.1Yp1。

27.如权利要求26所述的修正光掩模，其特征在于，所述修正辅助图案在所述正多边形带或圆形带的所述一部分以外的区域具有利用半透光性的修正膜得到的修正半透光部。