TWI754639B - 阻劑底層膜形成組成物及其製造方法 - Google Patents

阻劑底層膜形成組成物及其製造方法 Download PDF

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Abstract

提供一種在常溫的保存穩定性為優異的阻劑底層膜形成組成物。
一種微影用阻劑底層膜形成組成物，其係包含：含氮化合物、聚合物、促進交聯反應的化合物及有機溶劑，前述含氮化合物係1分子中具有2至6個與氮原子鍵結的下述式(1)所表示之取代基。1分子中具有2至6個前述式(1)所表示之取代基的含氮化合物，例如為下述式(1A)所表示之甘脲衍生物。
Figure 106113312-A0305-02-0002-8
 (式中，R1係分別獨立地表示甲基或乙基，R2及R3係分別獨立地表示氫原子、碳原子數1至4之烷基、或苯基)。

Description

阻劑底層膜形成組成物及其製造方法
本發明為關於經改善保存穩定性的微影用阻劑底層膜形成組成物、及其製造方法、以及該阻劑底層膜形成組成物中所包含的甘脲(glycoluril)衍生物。
專利文獻1揭示了一種微影用阻劑底層膜形成組成物，其係包含：在主鏈上具有二硫鍵(即，“S-S鍵”)的聚合物、及溶劑，並進而包含交聯性化合物及磺酸化合物。
專利文獻2揭示了一種阻劑底層膜形成組成物，其係含有：(A)樹脂、(B)具有丁醚基的交聯劑、及(C)溶劑，該(B)具有丁醚基的交聯劑係具有至少2個丁醚基的含氮環狀化合物，該含氮環狀化合物係具有甘脲骨架或三嗪骨架的化合物。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2009/096340號
[專利文獻2]國際公開第2008/143302號
阻劑底層膜形成組成物，不僅是由該組成物所得之阻劑底層膜之穩定性，近年來有關於該組成物本身之保存穩定性所應符合之基準亦日趨嚴格。因此，要求著阻劑底層膜形成組成物的保存穩定性之進一步之提升，並要求即使是長期間保管後，藉由凝膠滲透層析法(以下本說明書中簡稱為GPC)分析所得之該組成物的GPC圖譜的波峰等亦未產生變化，即，分子量分布未產生變化。
例如，作為阻劑底層膜形成組成物之成分的交聯性化合物及溶劑，若分別使用具有烷氧基的含氮化合物、及含有具有羥基之醇類的有機溶劑時，在磺酸化合物之存在下，該烷氧基與該具羥基之醇類會計劃外地產生反應。其結果，前述阻劑底層膜形成組成物之保存穩定性有劣化之情形。
本發明之第一樣態為一種微影用阻劑底層膜形成組成物，其係包含：含氮化合物、聚合物、促進交聯 反應的化合物及有機溶劑，前述含氮化合物係1分子中具有2至6個與氮原子鍵結的下述式(1)所表示之取代基，
Figure 106113312-A0202-12-0003-2
 (式中，R1係表示甲基或乙基)。
1分子中具有2至6個前述式(1)所表示之取代基的含氮化合物，係例如為下述式(1A)所表示之甘脲衍生物。
Figure 106113312-A0202-12-0003-3
 (式中，4個R1係分別獨立地表示甲基或乙基，R2及R3係分別獨立地表示氫原子、碳原子數1至4之烷基、或苯基)。
本發明之第二樣態為本發明之第一樣態之微影用阻劑底層膜形成組成物之製造方法，其係由下述而成，將1分子中具有2至6個與氮原子鍵結的下述式(2)所表示之取代基的含氮化合物、與下述式(3)所表示之至少1種的化合物反應，來合成1分子中具有2至6個前述式(1)所表示之取代基的含氮化合物，將該1分子中具有2至6個式(1)所表示之取代基的含氮化合物、前述聚合物、與前述促進交聯反應的化合物溶解於前述有機溶劑中，
Figure 106113312-A0202-12-0004-4
 (式中，R1係表示甲基或乙基，R4係表示碳原子數1至4之烷基)。
1分子中具有2至6個前述式(2)所表示之取代基的含氮化合物，係例如為下述式(2A)所表示之甘脲衍生物。
Figure 106113312-A0202-12-0005-5
 (式中，R2及R3係分別獨立地表示氫原子、碳原子數1至4之烷基、或苯基，R4係分別獨立地表示碳原子數1至4之烷基)。
本發明之第三樣態為一種下述式(1A)所表示之甘脲衍生物。
Figure 106113312-A0202-12-0005-6
 (式中，4個R1係分別獨立地表示甲基或乙基，R2及R3係 分別獨立地表示氫原子、碳原子數1至4之烷基、或苯基)。
本發明之阻劑底層膜形成組成物，在常溫(20℃±15℃之範圍)的保存穩定性為優異。進而，由本發明之阻劑底層膜形成組成物所形成的阻劑底層膜，可作為抗反射膜使用，可於該阻劑底層膜上形成所期望的阻劑圖型。
[圖1]圖1為表示將阻劑圖型形成於阻劑底層膜上之結果的斷面SEM影像，該阻劑底層膜為使用實施例1調製的阻劑底層膜形成用組成物而形成於基板上。
[圖2]圖2為表示將阻劑圖型形成於阻劑底層膜上之結果的斷面SEM影像，該阻劑底層膜為使用實施例2調製的阻劑底層膜形成用組成物而形成於基板上。
[圖3]圖3為表示將阻劑圖型形成於阻劑底層膜上之結果的斷面SEM影像，該阻劑底層膜為使用實施例3調製的阻劑底層膜形成用組成物而形成於基板上。
[實施發明之最佳形態] [甘脲衍生物]
作為本發明之阻劑底層膜形成組成物中所包含的1分子中具有2至6個前述式(1)所表示之取代基的含氮化合物，可舉例如前述式(1A)所表示之甘脲衍生物。該式(1A)中，當R2及R3為表示碳原子數1至4之烷基時，作為該烷基，不限定為直鏈狀，亦可為分支鏈狀，可舉例如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基及tert-丁基。
作為前述式(1A)所表示之甘脲衍生物，可舉例如下述式(1A-1)至式(1A-6)所表示之化合物。
Figure 106113312-A0202-12-0008-7
前述式(1A)所表示之甘脲衍生物之含有量，相對於後述的聚合物，例如為1質量%至80質量%，較佳為10質量%至50質量%。前述式(1A)所表示之甘脲衍生物以外的1分子中具有2至6個前述式(1)所表示之取代基的含氮化合物之含有量之範圍，亦與此相同。
前述式(1A)所表示之甘脲衍生物，可藉由將前述式(2A)所表示之甘脲衍生物、與前述式(3)所 表示之至少1種的化合物反應而得到。作為該式(2A)所表示之甘脲衍生物，可舉例如下述式(2A-1)至式(2A-4)所表示之化合物。進而，作為該式(3)所表示之化合物，可舉例如下述式(3-1)及式(3-2)所表示之化合物。
Figure 106113312-A0202-12-0009-8
Figure 106113312-A0202-12-0009-9
[三聚氰胺衍生物]
又，作為本發明之阻劑底層膜形成組成物中所包含的 1分子中具有2至6個前述式(1)所表示之取代基的含氮化合物，亦可使用三聚氰胺衍生物來取代前述甘脲衍生物。作為該三聚氰胺衍生物，可舉例如下述式(1B-1)及式(1B-2)所表示之化合物。
Figure 106113312-A0202-12-0010-10
[聚合物]
作為本發明之阻劑底層膜形成組成物中所包含的聚合物，可採用以往以來阻劑底層膜形成組成物中所使用的聚合物。當該聚合物為共聚物時，可任意為交替共聚物、嵌段共聚物、或無規共聚物，亦可任意為將2種單體聚合而成的共聚物、將3種單體聚合而成的三元共聚物、或將4種單體聚合而成的四元共聚物。將本發明之阻劑底層膜形成組成物中所包含的聚合物之重複構造單位，例示於下述式(4A)至式(4N)及式(5A)至式(5E)，但不限定於該等之例。
Figure 106113312-A0202-12-0011-11
Figure 106113312-A0202-12-0012-12
Figure 106113312-A0202-12-0013-13
[促進交聯反應的化合物]
作為本發明之阻劑底層膜組成物中所包含的促進交聯反應的化合物，可舉例如4-甲基苯磺酸、p-甲苯磺酸吡啶鎓、4-羥基苯磺酸及5-磺柳酸。前述促進交聯反應的化合物之含有量，相對於前述聚合物，例如為0.01質量%至15質量%。
[有機溶劑]
作為本發明之阻劑底層膜組成物中所包含的有機溶劑，可舉例如丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丙基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、甲基乙基酮、乳酸乙 酯、環己酮、γ-丁內酯、3-乙氧基丙酸乙酯、4-甲基-2-戊醇、及選自該等有機溶劑之2種以上的混合物。本發明之阻劑底層膜組成物中所包含的該有機溶劑之含有量，例如為40質量%至99.9質量%。
[其他成分]
本發明之阻劑底層膜形成組成物，可進而包含界面活性劑來作為任意成分。界面活性劑係用於提升對基板之塗佈性之添加物。可使用如非離子系界面活性劑、氟系界面活性劑般周知的界面活性劑，本發明之阻劑底層膜組成物中所包含的該界面活性劑之含有量，相對於前述聚合物，例如為0.01質量%至5質量%。
本發明之阻劑底層膜形成組成物，可適用於半導體裝置之製造過程中的微影步驟。以至少經過下述步驟，而可形成阻劑圖型：將本發明之阻劑底層膜形成組成物塗佈於半導體基板上並烘烤，以形成阻劑底層膜之步驟；將阻劑膜形成於前述阻劑底層膜上之步驟；將前述阻劑膜進行曝光之步驟；於曝光後使用顯影液來將前述阻劑膜進行顯影之步驟；於顯影後以除去前述顯影液之進行淋洗處理之步驟。
上述曝光，可使用例如ArF準分子雷射來進行。亦可使用EUV(波長13.5nm)或電子線來取代ArF準分子雷射。“EUV”為超紫外線之簡稱。用來形成阻劑膜的阻劑，可任意為正型、或負型。可使用對於ArF準分子雷 射、EUV或電子線會感光的化學增幅型阻劑。
上述半導體基板係以矽晶圓為代表，但亦可使用SOI(Silicon on Insulator)基板、或砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等的化合物半導體晶圓。亦可使用已形成氧化矽膜、含氮之氧化矽膜(SiON膜)、含碳之氧化矽膜(SiOC膜)等的絕緣膜的半導體基板，該情形時，將本發明之阻劑底層膜形成組成物塗佈於該絕緣膜上。
[實施例]
以下藉由合成例及實施例，對於本發明進行具體的說明。但本發明並不限定於下述合成例及實施例之記載。
在本說明書的下述合成例1於1H NMR測定中所使用的NMR裝置為500MHz-NMR(日本電子(股)製、JNM-ECA系列)，氘代溶劑為CDCl3。又，下述合成例2至合成例4中記載的重量平均分子量為藉由凝膠滲透層析法(以下稱為GPC)所致之測定結果。測定為用Tosoh(股)製GPC裝置，測定條件等如同下述。
GPC管柱：Shodex〔註冊商標〕‧Asahipak〔註冊商標〕(昭和電工(股))
管柱溫度：40℃
溶劑：N,N-二甲基甲醯胺(DMF)
流量：0.6mL/分
標準試樣：聚苯乙烯(Tosoh(股))
<合成例1>
於2000mL燒瓶中裝入四甲氧基甲基甘脲(Nihon Cytec Industries(股)製、商品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174，以下在本說明書中簡稱為PL-LI)60g(0.188mol)、丙二醇單甲基醚(以下在本說明書中簡稱為PGME)1200g、及經洗淨的觸媒用離子交換樹脂120g(商品名：Amberlyst〔註冊商標〕15JWET、Dow Chemical公司製，以下在本說明書中簡稱為15JWET)，以25℃攪拌使溶解後，以減壓下(80Torr至100Torr)、60℃加熱攪拌7小時。之後，使前述燒瓶內恢復氣壓，冷卻到25℃後，將15JWET進行過濾，得到目的之化合物(以下在本說明書中簡稱為PGME-PL)。將所得之化合物以1H NMR進行鑑定。其結果確認可得到PL-LI所具有的甲氧基的波峰(31.9ppm)為消失，且相對於1分子的PL-LI為導入約4分子的PGME而成的前述式(1A-1)所表示之甘脲衍生物(以下在本說明書中簡稱為PGME-PL)。
[1.0~1.1ppm(3H,-CH3),3.2~3.3ppm(20H,-OCH3and-CH2O-),3.6~3.8ppm(4H,-OCH<)]
<參考例1>
將4-甲基苯磺酸0.015g混合至上述合成例1所得之PGME-PL 10g中，對於該混合物添加丙二醇單甲基醚 50g，來製作溶解有該混合物的溶液。
<參考例2>
將p-甲苯磺酸吡啶鎓0.015g混合至上述合成例1所得之PGME-PL 10g中，對於該混合物添加丙二醇單甲基醚50g，來製作溶解有該混合物的溶液。
<參考例3>
將4-羥基苯磺酸0.015g混合至上述合成例1所得之PGME-PL 10g中，對於該混合物添加丙二醇單甲基醚50g，來製作溶解有該混合物的溶液。
<參考例4>
將5-磺柳酸0.015g混合至上述合成例1所得之PGME-PL 10g中，對於該混合物添加丙二醇單甲基醚50g，來製作溶解有該混合物的溶液。
<比較例1>
混合四甲氧基甲基甘脲(Nihon Cytec Industries(股)製、商品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174)0.59g與4-甲基苯磺酸0.015g，對於該混合物添加丙二醇單甲基醚59g，來製作溶解有該混合物的溶液。
<比較例2>
混合四甲氧基甲基甘脲(Nihon Cytec Industries(股)製、商品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174)0.59g與p-甲苯磺酸吡啶鎓0.015g，對於該混合物添加丙二醇單甲基醚59g，來製作溶解有該混合物的溶液。
<比較例3>
混合四甲氧基甲基甘脲(Nihon Cytec Industries(股)製、商品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174)0.59g與4-羥基苯磺酸0.015g，對於該混合物添加丙二醇單甲基醚59g，來製作溶解有該混合物的溶液。
<比較例4>
混合四甲氧基甲基甘脲(Nihon Cytec Industries(股)製、商品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174)0.59g與5-磺柳酸0.015g，對於該混合物添加丙二醇單甲基醚59g，來製作溶解有該混合物的溶液。
以GPC分析來確認，在促進交聯反應的化合物之存在下是否會產生交聯劑(甘脲衍生物)與有機溶劑的丙二醇單甲基醚之交換反應。將參考例1至參考例4及比較例1至比較例4所調製的溶液，在該溶液調製後立即將該溶液以23℃保管1星期後，及以35℃保管該溶液1星期後，分別以GPC進行測定。如下述表1所示，與溶液調製後立即之狀態做比較，當GPC圖譜具有變動時，則以“具有變動”來表示；當未變動時，則以“未變動”來表示。其結果 得到下述教示：前述式(1A)所表示之甘脲衍生物與丙二醇單甲基醚未產生交換反應，但前述式(2A)所表示之甘脲衍生物與丙二醇單甲基醚產生了交換反應。
Figure 106113312-A0202-12-0019-14
<合成例2>
將單烯丙基二縮水甘油基異氰脲酸(四國化成工業(股)、商品名：MADGIC)6.3g、3,3’-二硫代二丙酸(堺化學工業(股)、商品名：DTDPA)5.0g、及作為觸媒的乙基三苯基溴化鏻(東京化成工業(股))0.20g添加於丙二醇單甲基醚45.9g中，使在反應容器中溶解。將該反應容器以氮取代後，以105℃使反應24小時，得到聚合物溶液。進行所得之聚合物溶液之GPC分析之結果，聚合物的重量平均分子量以標準聚苯乙烯換算為4000。
<合成例3>
將單甲基二縮水甘油基異氰脲酸(四國化成工業(股)、商品名：MeDGIC)10.0g、3,3’-二硫代二丙酸(堺化學工業(股)、商品名：DTDPA)4.4g、及作為觸媒的乙基三苯基溴化鏻(東京化成工業(股))0.37g添加於丙二醇單甲基醚33.37g中，使在反應容器中溶解。將該反應容器以氮取代後，以105℃使反應24小時，得到聚合物溶液。進行所得之聚合物溶液之GPC分析之結果，聚合物的重量平均分子量以標準聚苯乙烯換算為3000。
<合成例4>
將甲基丙烯酸苄酯(東京化成工業(股))10g、甲基丙烯酸羥基丙酯(東京化成工業(股))19.2g、及γ-丁內酯甲基丙烯酸酯(大阪有機化學工業(股))10.8g溶解於128g的丙二醇單甲基醚中，之後將燒瓶內以氮取代並昇溫至80℃。之後，將1.6g的2,2’-偶氮雙異丁酸甲酯溶解於30.4g的丙二醇單甲基醚中，於氮加壓下進行添加，以80℃使反應24小時而得到聚合物。所得之聚合物(樹脂)的重量平均分子量以標準聚苯乙烯換算為10000。
<實施例1>
將上述合成例1所得之PGME-PL 5.95g、與4-羥基苯磺酸0.03g混合至上述合成例2所得之聚合物溶液7.09g中，對該混合物添加丙二醇單甲基醚122.08g及丙二醇單甲基醚 乙酸酯14.85g，來製作溶解有該混合物的微影用阻劑底層膜形成組成物。
<實施例2>
將上述合成例1所得之PGME-PL 0.97g、與5-磺柳酸0.01g混合至上述合成例3所得之聚合物溶液1.25g中，對該混合物添加丙二醇單甲基醚24.80g及丙二醇單甲基醚乙酸酯2.97g，來製作溶解有該混合物的微影用阻劑底層膜形成組成物。
<實施例3>
將上述合成例1所得之PGME-PL 17.02g、與p-甲苯磺酸吡啶鎓0.05g混合至上述合成例4所得之聚合物溶液17.17g中，對該混合物添加丙二醇單甲基醚101.19g及丙二醇單甲基醚乙酸酯14.57g，來製作溶解有該混合物的微影用阻劑底層膜形成組成物。
<比較例5>
將四甲氧基甲基甘脲(Nihon Cytec Industries(股)製、商品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174)0.29g、與4-羥基苯磺酸0.03g混合至上述合成例2所得之聚合物溶液7.09g中，對該混合物添加丙二醇單甲基醚124.82g及丙二醇單甲基醚乙酸酯14.85g，來製作溶解有該混合物的微影用阻劑底層膜形成組成物。
<比較例6>
將四甲氧基甲基甘脲(Nihon Cytec Industries(股)製、商品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174)0.05g、與5-磺柳酸0.01g混合至上述合成例3所得之聚合物溶液1.25g中，對該混合物添加丙二醇單甲基醚25.12g及丙二醇單甲基醚乙酸酯2.97g，來製作溶解有該混合物的微影用阻劑底層膜形成組成物。
<比較例7>
將四甲氧基甲基甘脲(Nihon Cytec Industries(股)製、商品名：POWDERLINK〔註冊商標〕1174)0.29g、與4-羥基苯磺酸0.03g混合至上述合成例4所得之聚合物溶液7.09g中，對該混合物添加丙二醇單甲基醚124.82g及丙二醇單甲基醚乙酸酯14.85g，來製作溶解有該混合物的微影用阻劑底層膜形成組成物。
將實施例1至實施例3及比較例5至比較例7所調製的溶液，在該溶液調製後立即將該溶液以23℃保管1星期後，及以35℃保管該溶液1星期後，分別以GPC進行測定。如下述表2所示，與溶液調製後立即之狀態做比較，當GPC圖譜具有明顯變動時，則以“具有變動”來表示；當幾乎未變動時，則以“未變動”來表示。其結果得到下述教示：本發明之阻劑底層膜形成組成物係保存穩定性為優異，相反地，包含前述式(2A)所表示之甘脲衍生物 的阻劑底層膜形成組成物係保存穩定性劣化。
Figure 106113312-A0202-12-0023-15
〔光學參數之測定〕
將實施例1至實施例3及比較例5至比較例7所調製的阻劑底層膜形成用組成物，藉由旋塗機分別塗佈於矽晶圓上。將塗佈有前述阻劑底層膜形成用組成物的矽晶圓，在加熱板上以205℃烘烤1分鐘，來形成阻劑底層膜。對於該等6種的阻劑底層膜，使用分光橢圓測厚儀(J.A.Woollam公司製、VUV-VASE VU-302)來測定在波長193nm的n值(折射率)及k值(衰減係數或吸光係數)。其結果如下述表3中所示。有關所有的阻劑底層膜皆對於波長193nm為具有有效的n值及k值，表現出可得到作為抗反射膜之效果。又，對比實施例1與比較例5之結果，阻劑底層膜的n值及k值為幾乎未變化。對比實施例2與比較例6時之結果，及對比實施例3與比較例7時之結果，亦相同 地，阻劑底層膜的n值及k值為幾乎未變化。
〔接觸角之測定〕
將實施例1至實施例3及比較例5至比較例7所調製的阻劑底層膜形成用組成物，藉由旋塗機分別塗佈於矽晶圓上。將塗佈有前述阻劑底層膜形成用組成物的矽晶圓，在加熱板上以205℃烘烤1分鐘，來形成阻劑底層膜。然後，使用協和界面科學(股)製、DropMaster700，作為液體試樣為使用水及二碘甲烷，來測定所形成的6種的阻劑底層膜的表面的接觸角。其結果如下述表3中所示。所有的阻劑底層膜的表面皆對於水及二碘甲烷表現出潤濕性為良好(親液性)。又，對比實施例1與比較例5之結果，阻劑底層膜的表面對於水及二碘甲烷的接觸角為幾乎未變化。對比實施例2與比較例6時之結果，及對比實施例3與比較例7時之結果，亦相同地，阻劑底層膜的表面對於水及二碘甲烷的接觸角為幾乎未變化。
Figure 106113312-A0202-12-0024-16
〔阻劑圖型之形成及評估〕
將實施例1至實施例3所調製的阻劑底層膜形成用組成物，藉由旋塗機分別塗佈於基板上，該基板係於矽晶圓上形成有厚度0.05μm的SiON膜(含氮之氧化矽膜)而成的基板。之後，將塗佈有前述阻劑底層膜形成用組成物的基板，在加熱板上以205℃烘烤1分鐘，來形成膜厚20nm至30nm的阻劑底層膜。將市售的光阻劑溶液(住友化學(股)製、商品名：PAR855)，藉由旋塗機塗佈於該等6種的阻劑底層膜上，在加熱板上以105℃烘烤1分鐘，來形成光阻劑膜。接下來，使用掃瞄機[(股)Nikon製、NSRS307E(波長193nm、NA：0.85)]，通過光罩，係設定為顯影後形成有光阻劑的線寬度及該光阻劑的線間寬度分別為0.065μm(即，0.065μmL/S)的圖型，來對於前述光阻劑膜進行曝光。之後，在加熱板上以100℃進行60秒鐘的曝光後加熱(PEB)，冷卻後，使用作為顯影液的0.26當量的氫氧化四乙銨水溶液來進行顯影，進而進行淋洗處理。經由上述過程，而形成阻劑圖型。對於所得之阻劑圖型，以掃瞄型電子顯微鏡(SEM)來觀察與基板呈垂直方向之斷面，確認到形成目的之阻劑圖型。將該結果表示於圖1至圖3。

Claims (8)

  1. 一種微影用阻劑底層膜形成組成物，其特徵為包含：含氮化合物、聚合物、促進交聯反應的化合物及有機溶劑，前述含氮化合物係1分子中具有2至6個與氮原子鍵結的下述式(1)所表示之取代基，
    Figure 106113312-A0305-02-0029-2
     (式中，R1係表示甲基或乙基)。
  2. 如請求項1之微影用阻劑底層膜形成組成物，其中，1分子中具有2至6個前述式(1)所表示之取代基的含氮化合物，係下述式(1)所表示之甘脲衍生物，
    Figure 106113312-A0305-02-0029-3
     (式中，4個R1係分別獨立地表示甲基或乙基，R2及R3係分別獨立地表示氫原子、碳原子數1至4之烷基、或苯 基)。
  3. 如請求項1或請求項2之微影用阻劑底層膜形成組成物，其中，前述有機溶劑係選自由丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丙基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、甲基乙基酮、乳酸乙酯、環己酮、γ-丁內酯、3-乙氧基丙酸乙酯及4-甲基-2-戊醇所成之群之1種、或2種以上的混合物。
  4. 如請求項1或請求項2之微影用阻劑底層膜形成組成物，其中，1分子中具有2至6個前述式(1)所表示之取代基的含氮化合物之含有量，相對於前述聚合物為1質量%至80質量%。
  5. 如請求項1或請求項2之微影用阻劑底層膜形成組成物，其中，前述促進交聯反應的化合物係4-甲基苯磺酸、p-甲苯磺酸吡啶鎓、4-羥基苯磺酸或5-磺柳酸。
  6. 一種如請求項1至請求項5中任一項之微影用阻劑底層膜形成組成物之製造方法，其特徵係由下述而成，將1分子中具有2至6個與氮原子鍵結的下述式(2)所表示之取代基的含氮化合物、與下述式(3)所表示之至少1種的化合物反應，來合成1分子中具有2至6個前述式(1)所表示之取代基的含氮化合物，將該1分子中具有2至6個式(1) 所表示之取代基的含氮化合物、前述聚合物、與前述促進交聯反應的化合物溶解於前述有機溶劑中，
    Figure 106113312-A0305-02-0031-4
    Figure 106113312-A0305-02-0031-5
     (式中，R1係表示甲基或乙基，R4係表示碳原子數1至4之烷基)。
  7. 如請求項6之微影用阻劑底層膜形成組成物之製造方法，其中，1分子中具有2至6個前述式(2)所表示之取代基的含氮化合物，係下述式(2A)所表示之甘脲衍生物，
    Figure 106113312-A0305-02-0031-6
     (式中，R2及R3係分別獨立地表示氫原子、碳原子數1至4之烷基、或苯基，R4係分別獨立地表示碳原子數1至4之烷基)。
  8. 一種下述式(1A)所表示之甘脲衍生物，
    Figure 106113312-A0305-02-0032-7
     (式中，4個R1係分別獨立地表示甲基或乙基，R2及R3係分別獨立地表示氫原子、碳原子數1至4之烷基、或苯基，但不包括同時R1為甲基、R2及R3為氫原子之情形)。
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