TWI754080B - 構件、容器、藥液收容體、藥液的純化裝置、製造槽 - Google Patents

構件、容器、藥液收容體、藥液的純化裝置、製造槽 Download PDF

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Abstract

本發明的課題為提供一種構件、容器、藥液收容體、藥液 的純化裝置及製造槽，該構件在應用於藥液的純化裝置和/或收容藥液之容器的接液部等之情形下，能夠長時間保持所獲得之藥液的缺陷抑制性能。一種構件，其含有含氟聚合物及含氟界面活性劑，該構件中，在構件的至少一部分表面中，將表面的含氟界面活性劑的質量基準的含量設為M1，且以構件的表面為基準，將位於構件的深度方向10nm的位置上之含氟界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2為0.50~0.90，表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數的含有原子數比X1為0.50~3.0。

Description

構件、容器、藥液收容體、藥液的純化裝置、製 造槽
本發明係有關一種構件、容器、藥液收容體、藥液的純化裝置及製造槽。
製造半導體元件時，使用含有溶劑之藥液。
近年來，要求進一步減少上述溶劑中所含有之金屬成分等雜質。又，正在研究10nm節點以下的半導體元件的製造並進一步加強了上述要求。
通常，上述藥液使用藥液的純化裝置而被純化，並收容於容器中，該藥液的純化裝置具備製造槽、過濾器單元及連結它們之管路。
在專利文獻1中記載有“一種ETFE(乙烯/四氟乙烯系共聚物)襯覆(lining)構件，其係依次積層基材、底漆層及表面層而成，該ETFE襯覆構件的特徵為，基材係由金屬或陶瓷形成者，底漆層係由ETFE(A)和黏合劑成分形成者，表面層係由ETFE(B)形成者，ETFE(B)係氟含有率為ETFE(A)的氟含有率以上者。”。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2003/068499號
專利文獻1中所記載之構件為與基材的密合性優異者，但是存在當暴露於溶劑時，雜質的溶出多的問題。依據本發明人等的研究發現，若將專利文獻1中所記載之構件用於容器的接液部，並將藥液收容於上述容器中而進行保管，則藥液的缺陷抑制性能隨時間而劣化。
因此，本發明的課題為提供一種構件，其在應用於藥液的純化裝置和/或收容藥液之容器的接液部等之情形下，能夠長時間保持所獲得之藥液的缺陷抑制性能(以下，亦稱為“具有本發明的效果”。)。
又，本發明的課題亦為提供一種容器、藥液收容體、藥液的純化裝置及製造槽。
為了實現上述課題，本發明人等進行深入研究之結果，發現了依據以下結構，能夠實現上述課題。
(1)一種構件，其含有含氟聚合物和含有氟原子之界面活性劑，其中在構件的至少一部分表面中，將表面的界面活性劑的質量基準的含量設為M1，且以表面為基準，將位於構件的深度方向10nm的位置上之界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2為0.50~0.90， 表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數的含有原子數比X1為0.5~3.0。
(2)如(1)所述之構件，其中含氟聚合物的重量平均分子量為40000~600000。
(3)如(1)或(2)所述之構件，其中表示界面活性劑的辛醇/水分配係數之LogPow為8.0以下。
(4)如(1)~(3)中任一項所述之構件，其中M2為0.0010~5.0質量%。
(5)如(1)~(4)中任一項所述之構件，其中含氟聚合物係在末端具有全氟烷基之含氟聚合物。
(6)如(1)~(5)中任一項所述之構件，其中界面活性劑係選自包含後述由式(1)表示之化合物及後述由式(2)表示之化合物之群組中之至少1種，表示界面活性劑的辛醇/水分配係數之LogPow為3.7以下。
(7)如(1)~(6)中任一項所述之構件，其還含有後述由式(3)表示之化合物，相對於構件總質量，由式(3)表示之化合物的含量為0.01質量ppt~100質量ppb。
式(3) CH2=CXa(CF2)nYa
Xa及Ya分別獨立地表示氫原子或氟原子，n表示1~8的整數。
(8)如(7)所述之構件，其中將表面的由式(3)表示之化 合物的質量基準的含量設為M3，且以表面為基準，將位於構件的深度方向10nm的位置上之由式(3)表示之化合物的質量基準的含量設為M4時，M3/M4為0.50~1.50。
(9)如(8)所述之構件，其中M1/M3為0.01~100。
(10)如(1)~(9)中任一項所述之構件，其還含有聚合起始劑，相對於構件總質量，聚合起始劑的含量為0.01質量ppt~200質量ppb。
(11)如(1)~(10)中任一項所述之構件，其還含有鏈轉移劑，相對於構件總質量，鏈轉移劑的含量為0.01質量ppt~100質量ppb。
(12)如(1)~(11)中任一項所述之構件，其還含有塑化劑，相對於構件總質量，塑化劑的含量為0.01質量ppt~100質量ppb。
(13)如(1)~(12)中任一項所述之構件，其用於選自包含半導體製造用藥液的製造、儲存、運輸及移送之群組中之至少1種。
(14)如(1)~(13)中任一項所述之構件，其中含氟聚合物係選自包含聚四氟乙烯、全氟烷氧基烷烴、四氟乙烯．六氟丙烯共聚物、乙烯．四氟乙烯共聚物、乙烯．三氟氯乙烯共聚物、聚三氟 氯乙烯、聚偏二氟乙烯及聚氟乙烯之群組中之至少1種。
(15)如(1)~(14)中任一項所述之構件，其中構件滿足後述要件1。
(16)如(1)~(15)中任一項所述之構件，其中構件滿足後述要件2。
(17)如(1)~(16)中任一項所述之構件，其中構件滿足後述要件3。
(18)如(1)~(17)中任一項所述之構件，其中構件滿足後述要件4。
(19)如(1)~(18)中任一項所述之構件，其含有基材和配置於基材上之被覆層，被覆層含有含氟聚合物及界面活性劑。
(20)如(1)~(19)中任一項所述之構件，其用於選自包括含有有機溶劑之藥液的製造、儲存、運輸及移送之群組中之至少1種，該有機溶劑為選自包含丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、環戊酮、環己酮、γ-丁內酯、二異戊基醚、乙酸丁酯、乙酸異戊酯、異丙醇、4-甲基-2-戊醇、二甲基亞碸、N-甲基-2-吡咯啶酮、二乙二醇、乙二醇、二丙二醇、丙二醇、碳酸乙烯酯(ethylene carbonate)、碳酸丙烯酯(propylene carbonate)、環丁碸、環庚酮及2-庚酮之群組中之至少1種。
(21)一種容器，其由(1)~(20)中任一項所述之構件形成。
(22)一種藥液收容體，其具有(21)所述之容器和收容於容器中之藥液。
(23)如(22)所述之藥液收容體，其中藥液含有有機溶劑，有機溶劑為選自包含丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、環戊酮、環己酮、γ-丁內酯、二異戊基醚、乙酸丁酯、乙酸異戊酯、異丙醇、4-甲基-2-戊醇、二甲基亞碸、N-甲基-2-吡咯啶酮、二乙二醇、乙二醇、二丙二醇、丙二醇、碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、環丁碸、環庚酮及2-庚酮之群組中之至少1種。
(24)一種藥液的純化裝置，其用於獲得對被純化物進行純化之藥液，該藥液的純化裝置具備：製造槽，儲存被純化物；過濾器單元，對被純化物進行純化；及管路，連結製造槽與過濾器單元，選自包含製造槽、過濾器單元及管路之群組中之至少1種接液部由(1)~(20)中任一項所述之構件形成。
(25)一種製造槽，其由(1)~(20)中任一項所述之構件形成。
(26)如(22)所述之藥液收容體，其還具有：蓋，覆蓋容器的口部；及O型環，配置於容器與蓋之間。
(27)如(26)所述之藥液收容體，其中O型環包括含氟聚合物。
依據本發明，能夠提供一種構件，其在應用於藥液的純化裝置和/或收容藥液之容器的接液部等之情形下，能夠長時間保持所獲得之藥液的缺陷抑制性能。又，依據本發明，還能夠提供一種容器、藥液收容體、藥液的純化裝置及製造槽。
10、20:附蓋容器
11、52:容器
12、51:蓋
13:口部
14:側部
15:內壁面
16:外壁面
21:基材
22:被覆層
23:外側表面
30、70:純化裝置
31:製造槽
32:過濾器單元
33、71、72:管路
34:填充裝置
35:泵
36、37、83:閥
40:過濾器
41:過濾材料
42:芯部
43:罩體
44:液體出口
50:殼體
53:液體流入口
54:液體流出口
55、56:內部管路
71:蒸餾塔
80:製造裝置
81:反應槽
82:原料投入部
L:空穴
F0、F1、F2、F3、F4:方向
圖1係具有本發明的實施形態之容器和蓋之附蓋容器的示意圖。
圖2係具有本發明的實施形態之容器和蓋之附蓋容器的變形例的示意圖。
圖3係本發明的實施形態之藥液的純化裝置的示意圖。
圖4係去除過濾器單元所具備之典型過濾器的局部而得之立體圖。
圖5係過濾器單元所具備之殼體的立體圖。
圖6係過濾器單元所具備之殼體的局部剖面圖。
圖7係本發明的其他實施形態之純化裝置的示意圖。
圖8係本發明的實施形態之製造裝置的示意圖。
以下，對本發明進行詳細說明。
關於以下所記載之構成要件的說明，有時依據本發明的代表性的實施形態來進行，但是本發明並不限定於該種實施形態。
另外，本說明書中，利用“~”表示之數值範圍係指將記載於“~”前後之數值作為下限值及上限值而包含之範圍。
又，在本發明中，當稱為“準備”時，係指不僅包含合成或製備特定的材料而具備之情形，還包含藉由購買等來採購既定者之情形。
又，本發明中，“ppm”係指“parts-per-million(10-6)：百萬分點”，“ppb”係指“parts-per-billion(10-9)：十億分點”，“ppt”係指“parts-per-trillion(10-12)：兆分點”，“ppq”係指“parts-per-quadrillion(10-15)：千兆分點”。
又，本發明中，1Å(埃)相當於0.1nm。
又，在本發明中的基團(原子團)的標記中，未標有取代及未取代之標記在不損害本發明的效果之範圍內不僅包含不具有取代基者，還包含具有取代基者。例如，所謂“烴基”，不僅包含不具有取代基之烴基(未取代烴基)，還包含具有取代基之烴基(取代烴基)。關於該內容，其含義對於各化合物亦相同。
又，所謂本發明中的“放射線”，例如係指遠紫外線、極紫外線(EUV光；Extreme ultraviolet lithography：極紫外光刻)、X射線或電子束等。又，在本發明中，所謂“光”係指光化射線或放射線。所謂本發明中的“曝光”，除非另有說明，否則不僅包括利用遠紫外線、X射線或EUV光等之曝光，還包括利用電子束或離子束等粒子束之描繪。
[構件]
本發明的實施形態之構件(以下，亦簡稱為“構件”)係含有含氟聚合物及含有氟原子之界面活性劑(以下，亦稱為“含氟界面活性劑”。)之構件，且在構件的至少一部分表面上滿足以下要件A。
要件A：將表面的含氟界面活性劑的質量基準的含量設為M1(質量%)，且以構件表面為基準，將位於構件的深度方向10nm的位置上之含氟界面活性劑的質量基準的含量設為M2(質量%)時，M1/M2為0.50~0.90，表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數的含有原子數比X1為0.50~3.0。
另外，亦可以為如下形態：上述構件含有基材和配置於基材上之被覆層，被覆層含有含氟聚合物及含氟界面活性劑。在該情形下，上述構件的表面相當於被覆層的表面。
作為被覆層的厚度，並無特別限制，但是通常係0.01μm以上為較佳，0.1μm以上為更佳，5μm以上為進一步較佳，50μm以下為較佳。
作為構成基材之材料，依據用途適當選擇即可，可以為有機材料，亦可以為無機材料。作為有機材料，後述含氟聚合物(其中，為與被覆層中所含有之含氟聚合物不同之聚合物)為較佳。又，作為無機材料，玻璃及金屬(不銹鋼及耐腐蝕性鎳合金等)為較佳。
另外，作為基材的形狀，並無特別限制，能夠依據用途適當選擇。
又，基材可以為後述耐腐蝕材料。
在本說明書中，所謂構件的表面，係指構件與其他相(典 型地，為氣體和/或液體)之間的界面。上述構件用於如後述那樣與液體接觸之用途為較佳，在上述構件的表面中，滿足上述要件A之表面係與上述液體接觸之表面(接液部)為較佳。
另外，構件的至少一部分表面滿足上述要件A即可，但是接液部的一部分表面滿足上述要件A為更佳，接液部的整個表面滿足上述要件A為進一步較佳，構件的整個表面滿足上述要件A為尤佳。
[含氟聚合物]
構件含有含氟聚合物。作為含氟聚合物，只要係含有氟原子之聚合物，則並無特別限制，能夠使用公知的含氟聚合物。作為含氟聚合物，並無特別限制，但是可以具有以下由式(1)表示之單元(以下，亦稱為“單元1”。)，並且還可以具有由式(2)表示之單元(以下，亦稱為“單元2”。)。
Figure 107123036-A0305-02-0012-4
式(1)中，R1~R4分別獨立地表示氫原子、氟原子、氯原子或全氟烷基，R1~R4可以彼此相同，亦可以彼此不同，但是R1~R4中的至少1個表示氟原子或全氟烷基。
其中，就可獲得具有更加優異之本發明的效果之構件之觀點而言，R1~R4分別獨立地係氟原子或全氟烷基為較佳。
又，就可獲得具有進一步優異之本發明的效果之構件之觀點而言，含氟聚合物包含由式(1)表示之單元為較佳。另外，即使在該情形下，含氟聚合物亦可以僅含有1種由式(1)表示之單元，還可以含有2種以上由式(1)表示之單元。作為僅含有1種由式(1)表示之單元之含氟聚合物，可舉出聚四氟乙烯等，作為含有2種以上由式(1)表示之單元之含氟聚合物，可舉出全氟烷氧基烷烴、四氟乙烯．六氟丙烯共聚物等。
作為單元1及單元2在含氟聚合物中的含量(莫耳%)，並無特別限制，依據構件的用途適當選擇即可。
作為如上述那樣的含氟聚合物，係選自包含聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基烷烴(PFA)、四氟乙烯．六氟丙烯共聚物(全氟乙烯丙烯共聚物，FEP)、乙烯．四氟乙烯共聚物(乙烯四氟乙烯共聚物，ETFE)、乙烯．三氟氯乙烯共聚物(ECTFE)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)及聚氟乙烯(PVF)之群組中之至少1種為較佳，就可獲得具有更加優異之本發明的效果之構件之觀點而言，被完全氟化之含氟聚合物為較佳，PTFE、PFA或FEP為更佳，後述末端穩定化之PFA或PTFE為進一步較佳。
通常，在大多數情形下，上述含氟聚合物在其聚合鏈末端上殘留有源自聚合性基和/或分子量調節劑之-CH2OH及-COOH等基團。如上述那樣的基團不穩定，並在成形時熱分解而生成-COF。本發明人發現該-COF進一步水解而成為使氟化物離子等溶出至藥液之原因。
上述含氟聚合物係在末端具有全氟烷基之含氟聚合物為較佳。換言之，係聚合鏈末端被全氟烷基所取代處理的(末端穩定化)經處理之含氟聚合物為較佳。作為全氟烷基，並無特別限制，但是-CF2-CF3或-CF3為較佳。
作為取代處理的方法，並無特別限制，能夠使用公知的方法。例如，能夠採用日本特開昭60-240713號、日本特開昭62-104822號及日本特開平3-250008號等中所記載之公知的方法。
另外，相對於經處理之含氟聚合物的106個碳數，經處理之含氟聚合物中的-CH2OH、-COOH及-COF的含量(個數)的總計係50個以下為較佳，30個以下為更佳。
以往，認為含氟聚合物穩定，而無需如上述那樣利用全氟烷基對末端進行取代處理。但是，由本發明人等首次發現了：將上述構件用於選自包含半導體製造用藥液的製造、儲存、運輸及移送之群組中之至少1種時，如上述那樣對末端的影響特別大。
含氟聚合物的重量平均分子量並無特別限制，例如可舉出10000~6500000，就本發明的效果更加優異之觀點而言，係40000~600000為較佳。
[含氟界面活性劑]
構件(或被覆層)含有含氟界面活性劑。作為含氟界面活性劑，並無特別限制，能夠使用公知的含氟界面活性劑。另外，在本說明書中，所謂含氟界面活性劑，係指含有至少1個氟原子且分子量為100~1500的非離子界面活性劑、陽離子界面活性劑、陰離子 界面活性劑或兩性界面活性劑。
另外，作為含氟界面活性劑，在分子內含有選自包含羧基或其鹽、羥基及磺酸基或其鹽之群組中之至少1種來作為親水性部分，且在分子內含有選自包含直鏈狀或支鏈狀烷基及芳基之群組中之至少1種來作為疏水性部分之化合物為較佳。
通常，含氟聚合物具有優異之耐熱性，相反地，在大多數情形下難以熔融成形，在該種情形下，能夠藉由如下方式形成含有含氟聚合物和含氟界面活性劑之構件：將含氟聚合物和含氟界面活性劑分散於水和/或有機溶劑等溶劑中，以製成分散液的狀態，並將上述分散液塗佈於基材上，從而形成具有含有含氟聚合物和含氟界面活性劑之被覆層之構件；或對藉由對上述分散液施加剪切力，並使含氟聚合物的粒子凝聚，對其進行乾燥來獲得之粉體以漿料擠出成形。
作為如上述那樣的含氟界面活性劑，例如可舉出由以下式(1)及(2)表示之化合物。
式(1) A-CH2-OH
式(2) A-COO-M+
式中，M+表示陽離子，式(1)及(2)中的A相同，A表示由式(A1)表示之基團： 式(A1) Rf-[O]p-[CXY]m-[O-(CX’Y’)n]r-*
式中，*表示鍵結位置，Rf表示可以含有1個以上的氧原子之氟化烷基，p為1或0，m及n分別獨立地為1以上的整數，r為0或1以上的整數，X、X’、Y及Y’分別獨立地為H、F、CF3或C2F5，複數個X、X’、Y及Y’可以相同，亦可以不同，其中，並不是X、X’、Y及Y’全部為H，或A表示由式(A2)表示之基團：式(A2) R-[CFX]t-*
式中，*表示鍵結位置，X為氫原子、鹵素原子或可以含有1個以上的氟原子且可以含有1個以上的氧原子之烷基、烯基、環烷基或者芳基，R為氫原子或可以含有除氟原子以外的鹵素原子且可以含有1個以上的氧原子之烷基、烯基、環烷基或者芳基，t為1以上的整數。
作為Rf，並無特別限制，但是例如可舉出可以為直鏈狀、環狀或支鏈狀之全氟烷基、全氟烷氧基、部分氟化烷基及部分氟化烷氧基等。在上述各基團中可以包含氧原子。
另外，所謂“全氟烷基”及“全氟烷氧基”，表示所有氫原子均被氟原子取代之基團。所謂“部分氟化烷基”及“部分氟化烷氧基”，表示氫原子的一部分被氟原子取代之基團。
Rf可以含有1~14個碳原子。作為Rf的更具體的例子，並無特別限制，但是可舉出F3C-、F3CO-、F3CFHC-、F5C2-、F3COF2C-、F3COF2CO-、F7C3-、F9C4-、F11C5-及F2HC-等。
其中，X及Y中的至少一者係F、CF3或C2F5為較佳，X及Y這兩者分別獨立地選自包含F、CF3及C2F5之群組(例如，X及Y均為F、或X為F且Y為CF3)為更佳。
其中，並不是X、X’、Y及Y’全部為H。換言之，X、X’、Y及Y’中的至少1個不係H。
另外，X、X’、Y及Y’中的1個或2個以上係H為較佳。
又，以如下方式進行選擇：較佳為X及Y中的至少一者不係H，更佳為X及Y這兩者不係H，進一步較佳為X及Y係F。
作為由式(1)及式(A1)表示之含氟界面活性劑，例如，可以為完全不包含除*-CH2OH基的氫原子以外的氫原子之化合物，且亦可以為除了含有-CH2OH基的氫原子以外還含有氫原子、較佳為2個以下或1個以下的氫原子之化合物。
上述式(A2)中，X表示氫原子、鹵素原子、烷基、烯基、環烷基或芳基，X的上述烷基、上述烯基、上述環烷基及上述芳基可以含有1個以上的氟原子，亦可以含有1個以上的氧原子。
又，R表示氫原子或可以含有除氟原子以外的鹵素原子且可以含有1個以上的氧原子之烷基、烯基、環烷基或者芳基，t表示1以上的整數。
式(A2)的一實施形態中，X可以為氫原子或鹵素原子 (例如，氟原子、氯原子或溴原子)等原子。
另一實施形態中，X可以為烷基、環烷基及芳基等，該些基團所包含之碳數係1~20左右為較佳。該些基團可以含有氟原子，亦可以高度地被氟化(亦即，鍵結於碳原子之氫原子的至少80%、90%、95%或進而100%被氟原子取代)。該些基團可以含有1個以上的氧原子(亦即，醚鍵)。又，該些基團可以為直鏈狀或支鏈狀，亦可以為飽和或不飽和。關於該些基團，只要該些官能基不會被不必要地氧化，並且不會成為氧化反應的立體位阻，則可以被其他官能基(例如，胺、硫化物、酯等)取代。
R可以為氫原子或除氟原子以外的鹵素原子。另一實施形態中，作為R可舉出可以為直鏈狀、環狀或支鏈狀之烷基、芳基、烷氧基、氧烷基(oxyalkyl)、聚氧烷基及聚氧烷氧基等。
作為R的具體例，可舉出H3C-及H5C6-等。
作為由式(1)表示之含氟界面活性劑的具體例，作為上述式(1)中的A由式(A1)表示者：可舉出CF3CF2-O-CF2CF2-OCF2-CH2OH、CHF2(CF2)5-CH2OH、CF3(CF2)6-CH2OH、CF3(CF2)3(CH2CF2)2CF2CF2CF2-CH2OH、CF3(CF2)2CH2(CF2)2-CH2OH、CF3(CF2)2-CH2OH、CF3-O-(CF2)3-OCF(CF3)-CH2OH、CF3CF2CH2-O-CF2CH2-OCF2-CH2OH、CF3-O-(CF2)3-OCHFCF2-CH2OH、CF3-O-(CF2)3-OCF2-CH2OH、CF3(CF2)2-O-CF(CF3)CF2)-OCF(CF3)-CH2OH、CF3(CF2)2-O-CF2CF2-(OCF2CF2)3-OCF(CF3)-CH2OH及CF3CF2-O-CF2CF2-(O-CF2CF2)2- O-CF2-CH2OH，又，可舉出Rf-O-CHF-CH2OH、Rf-O-CHFCF2-CH2OH、Rf-O-CF2CHF-CH2OH、Rf-O-CF2CHFCF2-CH2OH、Rf-O-CF2CF2-CH2OH、Rf-O-CF2CF2CF2-CH2OH、Rf-O-CHFCF2-O-CF2-CH2OH、Rf-CHFCF2-O-CF2-CH2OH、Rf-O-(CF2)n-CH2OH、Rf-(CF2)n1-CH2OH、Rf-O-CF2-(O-CF2)n1-1-O-(CF2)m1-CH2OH、Rf-O-CF2CF2-(O-CF2CF2)n1-1-O-(CF2)m1-CH2OH、Rf-O-CF(CF3)CF2-(O-CF(CF3)CF2)n1-1-O-(CF2)m1-CH2OH及Rf-O-CF2CF(CF3)-(O-CF2CF(CF3))n1-1-O-(CF2)m1-CH2OH(其中，Rf為可以含有1個以上的氧原子的直鏈狀或支鏈狀的部分氟化烷基或全氟烷基，n1表示1~10，m1表示1~10)。
又，作為上述式(1)中的A由式(A2)表示者，可舉出C6H5-CHF-CH2OH及CH3-CHF-CH2OH等。
由式(1)表示之含氟界面活性劑能夠藉由將-CH2OH基氧化成-COO-M+基來轉換為所對應之由式(2)表示之化合物(羧酸或其鹽)。
式(2) A-COO-M+
式中，M+例如表示氫離子(H+)、金屬陽離子及有機陽離子等陽離子。作為代表性的金屬陽離子，可舉出Na+及K+。作為代表性的有機陽離子，可舉出銨(NH4 +)、烷基銨及烷基鏻等。式(2)的基團A不受由氧化產生之影響，因此具有包括其較佳的實施形態在內與式(1)的A相同的含義。
另外，式(2)的說明中的“羧酸”的術語中包含羧酸及羧酸鹽。作為由式(2)表示之化合物之氟化羧酸，可舉出全氟羧酸或部分氟化羧酸。全氟羧酸係除了-COOH基的氫原子以外完全不包含氫原子之基於式(2)之羧酸。
部分氟化羧酸係除了-COOH基的氫原子以外還含有至少1個氟原子及1個氫原子之基於式(2)之羧酸。
作為由式(2)表示之含氟界面活性劑的具體例，作為上述式(2)中的A由式(A1)表示者：可舉出CF3CF2-O-CF2CF2-O-CF2-COOH、CHF2(CF2)4-CF2-COOH、CF3(CF2)5-CF2-COOH、CF3-O(CF2)3-O-CF(CF3)-COOH、CF3CF2CH2-O-CF2CH2-O-CF2-COOH、CF3-O-(CF2)3-O-CHFCF2-COOH、CF3-O-(CF2)3-O-CF2-COOH、CF3(CF2)3(CH2CF2)2CF2CF2-CF2-COOH、CF3(CF2)2CH2CF2-CF2-COOH、CF3CF2-CF2-COOH、CF3(CF2)2-OCF(CF3)CF2-O-CF(CF3)-COOH、CF3(CF2)2-OCF2CF2-(OCF2CF2)3-OCF(CF3)-COOH、CF3CF2-O-CF2CF2-(O-CF2CF2)2-O-CF2-COOH及它們的鹽(例如，全氟辛酸銨(結構式CF3(CF2)6COONH4等)，又，可舉出Rf-O-CHF-COO-M+、Rf-O-CHFCF2-COO-M+、Rf-O-CF2CHF-COO-M+、Rf-O-CF2CHFCF2-COO-M+、Rf-O-CF2CF2-COO-M+、Rf-O-CF2CF2CF2-COO-M+、Rf-O-CHFCF2-O-CF2-COO-M+、Rf-CHFCF2-O-CF2-COO-M+、Rf-O-(CF2)n1-COO-M+、Rf-(CF2)n1-COO-M+、Rf-O-CF2-(O-CF2)n1-1-O-(CF2)m-COO-M+、Rf-O-CF2CF2-(O- CF2CF2)n1-1-O-(CF2)m-COO-M+、Rf-O-CF(CF3)CF2-(O-CF(CF3)CF2)n1-1-O-(CF2)m-COO-M+及Rf-O-CF2CF(CF3)-(O-CF2CF(CF3))n1-1-O-(CF2)m-COO-M+、(其中，Rf為可以含有1個以上的氧原子之直鏈狀或支鏈狀的部分氟化烷基或全氟烷基，n1表示1~10，m1表示1~10，M+為H+或如在上述所定義那樣的陽離子)。
又，作為上述式(2)中的A由(A2)表示者，可舉出CH3-CHF-COOH及C6H5CHFCOOH等。
又，作為含氟界面活性劑，能夠使用日本特開2015-045030號公報的0045段、日本特開2016-065259號公報的0029~0031段、日本特開2016-164273號公報的0030~0033段、美國專利申請公開第2007/0015864號說明書、美國專利申請公開第2007/0015865號說明書、美國專利申請公開第2007/0015866號說明書、美國專利申請公開第2007/0276103號說明書、美國專利申請公開第2007/0117914號說明書、美國專利申請公開第2007/142541號說明書、美國專利申請公開第2008/0015319號說明書、美國專利第3250808號說明書、美國專利第3271341號說明書、日本特開2003-119204號公報、國際公開第2005/042593號、國際公開第2008/060461號、國際公開第2007/046377號、國際公開第2007/119526號、國際公開第2007/046482號及國際公開第2007/046345號中所記載者等。
表示含氟界面活性劑的辛醇/水分配係數之LogPow係8.0 以下為較佳，7.0以下為更佳，4.9以下為進一步較佳，3.7以下為尤佳，3.4以下為最佳。在本說明書中，辛醇/水分配係數(LogPow)係1-辛醇與水的分配係數，且由LogP[式中，P表示含有含氟界面活性劑之辛醇/水(1：1)混合液發生相分離時的辛醇中的含氟界面活性劑的含量/水中的含氟界面活性劑含量]表示。
關於由LogPow表示之辛醇/水分配係數，在管柱：TOSOH ODS-120T管柱(φ4.6mm×250mm)、溶析液：乙腈/0.6質量%HClO4水=1/1(vol/vol%)、流速：1.0ml/分鐘、樣品量：300μL、管柱溫度：40℃、檢測光：UV210nm的條件下，對具有已知的辛醇/水分配係數之標準物質(庚酸、辛酸、壬酸及癸酸)進行HPLC(high performance liquid chromatography：高效液相層析)，並製成各溶出時間與已知的辛醇/水分配係數的校準曲線，依據該校準曲線，由試樣液中的HPLC的溶出時間算出。
作為LogPow為3.7以下的含氟界面活性劑，選自包含如下之群組中之至少1種含氟界面活性劑為較佳：通式：CF3-(CF2)4-COO-X+
(式中，X+表示氫離子、NH4或鹼金屬離子。)；通式：CF3CF2CF2-O-CF(CF3)-COO-X+
(式中，X+表示氫離子、NH4 +或鹼金屬離子。)；通式：CF3-O-CF(CF3)CF2-O-CF(CF3)-COO-X+
(式中，X+表示氫離子、NH4 +或鹼金屬離子。)；及通式：CF3CF2-O-CF2CF2-O-CF2-COO-X+
(式中，X+表示氫離子、NH4 +或鹼金屬離子。)。
作為LogPow為3.7以下的含氟界面活性劑，還可舉出如下等：通式：CF3-O-CF2CF2-O-CF2CF2-COO-X+
(式中，X表示氫離子、NH4 +或鹼金屬離子。)；通式：CF3-O-CF2CF2CF2-O-CHFCF2-COO-X+
(式中，X表示氫離子、NH4 +或鹼金屬離子。)。
在上述含氟界面活性劑為鹽之情形下，作為形成鹽之相對離子，可舉出鹼金屬離子及NH4+等，作為鹼金屬離子，例如可舉出Na+及K+等。
作為LogPow為3.7以下的含氟界面活性劑的具體例，可舉出CF3-O-CF(CF3)CF2-O-CF(CF3)-COOH、CF3-O-CF(CF3)CF2-OCF(CF3)-COO-NH4 +、CF3CF2-O-CF2CF2-O-CF2-COOH、CF3CF2-O-CF2CF2-O-CF2-COO-NH4 +、CF3-O-CF2CF2CF2-O-CHFCF2-COOH、CF3-O-CF2CF2CF2-O-CHFCF2-COO-NH4 + 、CF3-(CF2)4-COOH、CF3-(CF2)4-COO-NH4 +、CF3CF2CF2-O-CF(CF3)-COO-NH4 +及CF3CF2CF2-O-CF(CF3)-COOH等。
上述含氟界面活性劑有用於成形含有含氟聚合物之構件，相反地，依據本發明人等的研究發現：依據構件中的上述含氟界面活性劑的含量的分佈狀態，藥液的缺陷抑制性能有時隨時間而劣化。
構件可以含有除上述含氟聚合物及含氟界面活性劑以外 的成分。
例如，就本發明的效果更加優異之觀點而言，構件還可以含有由式(3)表示之化合物(以下，亦記載為“化合物3”。)。化合物3係合成含氟聚合物時使用之原料。
式(3) CH2=CXa(CF2)nYa
式(3)中，Xa及Ya分別獨立地表示氫原子或氟原子，n表示1~8的整數。
化合物3的含量並無特別限制，但是相對於構件總質量，0.0001~0.05質量%為較佳。
又，就本發明的效果更加優異之觀點而言，構件還可以含有聚合起始劑。
聚合起始劑的種類並無特別限制，可舉出偶氮雙異丁腈等偶氮系化合物；二異丙基過氧化二碳酸酯等過氧化碳酸酯系化合物；過氧化新戊酸三級丁酯、過氧化異丁酸三級丁酯及過氧化乙酸三級丁酯等過氧化酯系化合物；過氧化異丁醯、過氧化辛醯、過氧化苯甲醯及過氧化月桂醯等非氟系二醯基過氧化物系化合物；(Z(CF2)pCOO)2(其中，Z為氫原子、氟原子或氯原子，p為1~10的整數。)等含氟二醯基過氧化物系化合物；過硫酸鉀、過硫酸鈉、過硫酸銨等無機過氧化物。
聚合起始劑的含量並無特別限制，但是相對於構件總質量， 0.01質量ppt~100質量ppb為較佳。
又，就本發明的效果更加優異之觀點而言，構件還可以含有鏈轉移劑。
鏈轉移劑的種類並無特別限制，可舉出乙醇等醇；1,3-二氯-1,1,2,2,3-五氟丙烷及1,1-二氯-1-氟乙烷等氯氟烴類；戊烷、己烷及環己烷等烴類。
鏈轉移劑的含量並無特別限制，但是相對於構件總質量，0.01質量ppt~100質量ppb為較佳。
又，就本發明的效果更加優異之觀點而言，構件還可以含有塑化劑。
另外，在塑化劑中不包含上述含氟界面活性劑。
塑化劑的種類並無特別限制，可舉出酞酸酯系化合物。
塑化劑的含量並無特別限制，但是相對於構件總質量，0.01質量ppt~100質量ppb為較佳。
[M1及M2]
關於本發明的實施形態之構件，將至少一部分(較佳為整個)表面(在具有被覆層之情形下，為被覆層的至少一部分(較佳為整個)表面)中的含氟界面活性劑的質量基準的含量設為M1，且以表面為基準，將位於構件的深度方向10nm的位置上之含氟界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2為0.50~0.90。
若M1/M2為0.50以上，則可抑制含氟界面活性劑在與藥液接觸時在藥液中的游離，作為結果，可保持藥液的缺陷抑制性能。另 一方面，若M1/M2為0.90以下，則表面的界面特性成為容易保持有機雜質和/或金屬雜質之形狀，因此可抑制有機雜質和/或金屬雜質在與藥液接觸時在藥液中的游離，作為結果，可保持藥液的缺陷抑制性能。
另外，關於構件，在至少一部分表面上滿足上述關係為較佳，在接液部的一部分表面上滿足上述關係為更佳，在接液部的整個表面上滿足上述關係為進一步較佳，在整個表面上滿足上述關係為尤佳。
本說明書中，M1/M2表示使用飛行時間二次離子質譜儀(TOF-SIMS)(ION-TOF公司製，商品名稱“TOF-SIMS5”)測量之數值。TOF-SIMS的測量條件如下。
一次離子：Bi3 2+
一次離子加速電壓：25kV
測量面積：150μm
角度測量溫度：-100℃以下
另外，對於深度方向上的分析，使用如下方法：為了蝕刻而照射Ar-GCIB(Ar氣體團簇離子束)，照射Bi3+來作為一次離子源，並使用飛行時間型質譜儀來分析所獲得之二次離子，藉此獲得光譜。
在Ar-GCIB中進行蝕刻時，自表面沿深度方向不會損壞分子結構，因此能夠獲得關於界面的鍵結狀態的準確的訊息。由於所獲得之測量值為atom/cm2，因此由該數值算出莫耳數，並乘以原子 數(分子數)，藉此轉換成質量。
Ar-GCIB投入壓力：3MPa
測量表面：150μm見方
測量模式：高質量解析度
作為M1，並無特別限制，但是0.0001質量%以上為較佳，0.0006質量%以上為更佳，0.002質量%以上為進一步較佳，0.04質量%以上為尤佳，10質量%以下為較佳，8.0質量%以下為更佳，1.5質量%以下為進一步較佳，1.0質量%以下為尤佳，0.1質量%以下為最佳。
若M1為0.0006質量%以上，則構件(例如，容器等)的形成充分地進行，可獲得更加堅固的構件。若為該種構件，則雜質更加難以溶出至藥液中，所獲得之藥液具有更加優異之缺陷抑制性能。
另一方面，若M1為1.5質量%以下，則可進一步抑制含氟界面活性劑本身作為雜質而溶出至藥液中。
作為M2，並無特別限制，但是0.0005質量%以上為較佳，0.0010質量%以上為更佳，0.005質量%以上為進一步較佳，0.05質量%以上為尤佳，20質量%以下為較佳，10質量%以下為更佳，5.0質量%以下為進一步較佳，1.8質量%以下為尤佳，0.21質量%以下為最佳。就可獲得具有更加優異之本發明的效果之藥液收容體之觀點而言，作為M2，M2係0.0010~5.0質量%為較佳。
若M2為0.0010質量%以上，則構件(例如，容器等)的形成充分地進行，可獲得更加堅固的構件。若為該種構件，則雜質更加 難以溶出至藥液中，所獲得之藥液具有更加優異之缺陷抑制性能。
另一方面，若M2為1.2質量%以下，則可進一步抑制含氟界面活性劑本身作為雜質而溶出至藥液中。
關於本發明的實施形態之構件，將至少一部分(較佳為整個)表面(在具有被覆層之情形下，為被覆層的至少一部分(較佳為整個)表面)中的化合物3的質量基準的含量設為M3，且以表面為基準，將位於構件的深度方向10nm的位置上之化合物3的質量基準的含量設為M4時，M3/M4並無特別限制，但是就本發明的效果更加優異之觀點而言，0.50~1.50為較佳。
關於M3/M4的算出方法，可舉出與M1/M2的算出方法相同的方法。
作為M3，並無特別限制，但是0.0001質量%以上為較佳，0.0006質量%以上為更佳，0.002質量%以上為進一步較佳，10質量%以下為較佳，1質量%以下為更佳，0.1質量%以下為進一步較佳。
作為M3，並無特別限制，但是0.0005質量%以上為較佳，0.0010質量%以上為更佳，10質量%以下為較佳，1質量%以下為更佳，0.1質量%以下為尤佳。
在本發明的實施形態之構件中，M1/M3並無特別限制，但是就本發明的效果更加優異之觀點而言，0.01~100為較佳。
[X1]
關於本實施形態之構件，構件的至少一部分(較佳為整個)表 面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數的含有原子數比X1為0.5~3.0。X1受構件中所含有之含氟聚合物及含氟界面活性劑的種類和量、以及含氟聚合物的熱分解產物及含氟界面活性劑的熱分解產物在構件中的分佈的影響。
若X1為0.5以上，則可觀察到基板上的耐化學性的提高，因此雜質向藥液中的溶出變少，作為結果，可保持藥液的缺陷抑制性能。另一方面，若X1為3.0以下，則在表面上沒有過多的氟原子，因此沒有游離或接近游離狀態的氟原子，該些元素及離子的溶出變少，作為結果，可保持藥液的缺陷抑制性能。
就可獲得具有更加優異之本發明的效果之構件之觀點而言，作為X1，0.8以上為較佳，1.0以上為更佳，1.5以上為進一步較佳，1.8以上為尤佳，超過1.8為最佳，且作為X1，2.5以下為較佳，2.0以下為更佳，小於2.0為進一步較佳。
另外，關於構件，在至少一部分表面上滿足上述關係為較佳，在接液部的一部分表面上滿足上述關係為更佳，在接液部的整個表面上滿足上述關係為進一步較佳，在整個表面上滿足上述關係為尤佳。
本說明書中，X1係指藉由計算氟原子的含量(atm%)相對於利用X射線光電子光譜法測量之碳原子的含量(atm%)來求出之數值。又，所謂構件的表面，係指構件與其他相之間的界面。
[要件1]
就具有更加優異之本發明的效果之觀點而言，構件滿足以下 試驗(以下，亦稱為“特定試驗”。)中的要件1為較佳。
特定試驗：以構件的質量(g)與含有99.99質量%以上的異丙醇之試驗溶劑的質量(g)之質量比(構件的質量(g)/試驗溶劑的質量(g))在將試驗溶劑的液溫設為25℃時成為0.1之條件，經48小時將構件浸漬於液溫為25℃的試驗溶劑中。
要件1：在浸漬後的試驗溶劑中含有1種有機雜質之情形下，1種有機雜質的含量在浸漬前後的增加量為1000質量ppb以下，在浸漬後的試驗溶劑中含有2種以上的有機雜質之情形下，2種以上的有機雜質的總含量在浸漬前後的增加量為1000質量ppb以下。
作為浸漬前後的增加量的下限值，並無特別限制，雖然取決於定量下限，但是通常係0.01質量ppt以上為較佳。另外，在試驗溶劑中含有2種以上的有機雜質之情形下，它們的總含量在上述範圍內為較佳。
本說明書中，所謂要件1中所規定之有機雜質，係指除試驗溶劑中所含有之異丙醇以外的有機化合物。關於有機雜質的含量的測量，使用氣相色譜質譜裝置(製品名稱為“GCMS-QP2020”，Shimadzu Corporation製)。另外，測量條件如實施例所記載。又，並無特別限制，但是在有機雜質為高分子量化合物之情形下，可以利用Py-QTOF/MS(熱分解(pyrolyzer)四極飛行時間型質譜)、Py-IT/MS(熱分解離子阱型質譜)、Py-Sector/MS(熱分解磁場型質譜)、Py-FTICR/MS(熱分解傅立葉轉換離子迴旋加速型質譜)、 Py-Q/MS(熱分解四極型質譜)及Py-IT-TOF/MS(熱分解離子阱飛行時間型質譜)等方法自分解產物中進行結構的識別或濃度的定量。例如，Py-QTOF/MS能夠使用Shimadzu Corporation製等的裝置。
試驗溶劑含有異丙醇，且使用其含量為99.99質量%以上者。上述溶劑可作為半導體製造用高純度異丙醇而市售。
以如下步驟實施特定試驗。在試驗用容器中收容構件和試驗溶劑，並將整個構件浸漬於試驗溶劑中，試驗溶劑的液溫成為25℃，且保持48小時，以免試驗溶劑濃縮。此時，將試驗溶劑的液溫設為25℃時，構件的質量(g)與試驗溶劑的質量(g)之質量比為0.1(10%)。例如，使10g的構件浸漬於100g(25℃)的試驗溶劑中。
關於在特定試驗中所使用之試驗用容器，預先將上述試驗溶劑用作清洗液，並使用已用上述清洗液清洗者。又，試驗用容器使用不會自其本身溶出有機雜質者為較佳，但是在有可能自試驗用容器溶出有機雜質之情形下，藉由以下方法進行空白試驗，自結果中減去自試驗用容器的有機雜質的溶出量。
(空白試驗)
在試驗用容器中收容與在特定試驗中所使用者相同的質量的試驗溶劑，試驗溶劑的液溫成為25℃，且保持48小時，以免試驗溶劑濃縮。此時，將經過48小時前後的試驗溶劑中的有機雜質的增加量設為自試驗用容器的溶出量。
[要件2]
就具有更加優異之本發明的效果之觀點而言，構件滿足特定試驗中的要件2為較佳。
要件2：在浸漬後的試驗溶劑中含有1種金屬離子之情形下，1種金屬離子的含量在浸漬前後的增加量為10質量ppb以下，在浸漬後的試驗溶劑中含有2種以上的金屬離子之情形下，2種以上的金屬離子的總含量在浸漬前後的增加量為10質量ppb以下。
作為浸漬前後的增加量的下限值，並無特別限制，雖然取決於定量下限，但是通常係0.01質量ppt以上為較佳。另外，在試驗溶劑中含有2種以上的金屬離子之情形下，它們的總含量在上述範圍內為較佳。
本說明書中，金屬離子的含量係指利用SP-ICP-MS法(Single Nano Particle Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry：單奈米粒子感應耦合電漿質譜法)測量之金屬離子的含量。
在此，在SP-ICP-MS法中所使用之裝置與通常的ICP-MS法(感應耦合電漿質譜法)(以下，亦簡稱為“ICP-MS”)中所使用之裝置相同，只有資料分析不同。作為SP-ICP-MS的資料分析能夠藉由市售的軟體來實施。
ICP-MS中，對於成為測量對象之金屬成分的含量，與其存在形態無關地進行測量。因此，確定成為測量對象之金屬粒子和金屬離子的總質量來作為金屬成分的含量。
另一方面，SP-ICP-MS中，測量金屬粒子的含量。因此，若自試樣中的金屬成分的含量中減去金屬粒子的含量，則能夠算出試樣中的金屬離子的含量。
作為SP-ICP-MS法的裝置，例如可舉出Agilent Technologies公司製，Agilent 8800三重四極ICP-MS(inductively coupled plasma mass spectrometry：感應耦合電漿質譜法，用於半導體分析，選項#200)，能夠藉由實施例中所記載之方法來進行測量。作為除上述以外的其他裝置，除PerkinElmer公司製NexION350S以外，還可舉出Agilent Technologies公司製Agilent 8900。
具體而言，金屬離子在浸漬前後的增加量藉由以下方法來算出。
提取浸漬後的試驗溶劑(25℃)，並測量金屬離子的含量MI2。此時，在浸漬後的試驗溶劑中含有2種以上的金屬離子之情形下，MI2為它們的總量。
在此，使用預先測量之浸漬前的試驗溶劑中所含有之金屬離子的含量MI1(在試驗前的試驗溶劑中含有2種以上的金屬離子之情形下，MI1為它們的總量。)，將金屬離子在浸漬前後的增加量計算為MI2-MI1。另外，關於特定試驗的方法，如上說明。
若金屬離子的含量在浸漬前後的增加量為10質量ppb以下，則可獲得具有更加優異之本發明的效果之構件。又，作為金屬離子的含量在浸漬前後的增加量，就可獲得具有進一步優異之本發明的效果之構件之觀點而言，0.01質量ppt~1質量ppm為進一 步較佳。
[要件3]
就具有更加優異之本發明的效果之觀點而言，構件滿足特定試驗中的要件3為較佳。
要件3：在浸漬後的試驗溶劑中含有1種金屬粒子之情形下，1種金屬粒子的含量在浸漬前後的增加量為10質量ppb以下，在浸漬後的試驗溶劑中含有2種以上的金屬粒子之情形下，2種以上的金屬粒子的總含量在浸漬前後的增加量為10質量ppb以下。
作為浸漬前後的增加量的下限值，並無特別限制，雖然取決於定量下限，但是通常係0.001質量ppt以上為較佳。另外，在試驗溶劑中含有2種以上的金屬粒子之情形下，它們的總含量在上述範圍內為較佳。
關於金屬粒子的含量的測量方法、浸漬前後的增加量的計算方法及特定試驗的方法，如上說明。
若金屬粒子的含量在浸漬前後的增加量為10質量ppb以下，則可獲得具有更加優異之本發明的效果之構件。又，作為金屬粒子的含量在浸漬前後的增加量，就可獲得具有更加優異之本發明的效果之構件之觀點而言，0.01ppt~1質量ppm為進一步較佳。
[要件4]
就具有更加優異之本發明的效果之觀點而言，構件滿足特定試驗中的要件4為較佳。
要件4：在浸漬後的試驗溶劑中含有1種氟化物離子之情形 下，1種氟化物離子的含量在浸漬前後的增加量為10質量ppm以下，在浸漬後的試驗溶劑中含有2種以上的氟化物離子之情形下，2種以上的氟化物離子的總含量在浸漬前後的增加量為10質量ppm以下。
作為浸漬前後的增加量的下限值，並無特別限制，雖然取決於定量下限，但是通常係0.001質量ppt以上為較佳。另外，在試驗溶劑中含有2種以上的氟化物離子之情形下，它們的總含量在上述範圍內為較佳。
關於浸漬前後的試驗溶劑中的氟化物離子的含量的測量，藉由離子色譜法來進行。離子色譜法以如下裝置及條件進行。
規格裝置：Shimadzu Corporation製HIC-SP抑制器離子色譜儀
使用管柱：離子交換樹脂(內徑：4.0mm，長度：25cm)
移動相：碳酸氫鈉溶液(1.7mmol/L)-碳酸鈉溶液(1.8mmol/L)
流量：1.5mL/min
試樣植入量：25μL
管柱溫度：40℃
抑制器：電滲析型
檢測器：導電率檢測器(30℃)
關於浸漬前後的增加量的計算方法及特定試驗的方法，如上說明。
若氟化物離子的含量在浸漬前後的增加量為10質量ppb以 下，則可獲得具有更加優異之本發明的效果之構件。又，作為氟化物離子的含量在浸漬前後的增加量，就可獲得具有進一步優異之本發明的效果之構件之觀點而言，0.01質量ppt~0.5質量ppm為進一步較佳。
[構件的較佳的機械特性]
作為構件的機械特性並無特別限制，但是作為硬度，利用JIS K6253型的D型硬度計測量之硬度係D55以上為較佳，58以上為更佳。
作為上限，並無特別限制，但是通常係65以下為較佳。
又，作為抗拉強度，並無特別限制，但是係25MPa以上為較佳，28以上為更佳。作為上限，並無特別限制，但是通常係40以下為較佳。
又，作為熱線膨張係數，並無特別限制，但是係10×10-5(1/K)以下為較佳，10×10-6(1/K)以下為更佳。作為下限，並無特別限制，但是通常係10×10-8(1/K)以上為較佳。
[構件的用途]
上述構件用於含有有機溶劑之藥液的製造(包括純化)、儲存、運輸或移送為較佳。上述構件具有至目前為止說明之特徵，因此例如在應用於進行藥液的儲存及運輸之容器之情形下，難以將雜質(有機雜質、金屬離子、金屬粒子及氟化物離子等)溶出至被收容之藥液中，因此作為結果，容易保持藥液的缺陷抑制性能。
又，在應用於製造藥液之製造裝置(包括移送液體之配管)的 接液部之情形下，即使長時間使用，自構件的雜質的流出亦不易增加，因此能夠經長期製造具有優異之缺陷抑制性能之藥液。
[容器]
本發明的實施形態之容器為藉由上述構件形成之容器。在圖1中示出了本發明的實施形態之具有容器和蓋之附蓋容器的示意圖。
附蓋容器10具有中空的容器11和蓋12，能夠藉由設置於容器11的口部13的外側之未圖示之外螺紋和配置於蓋12的側部14的內側之未圖示之內螺紋而嵌合。藉由被嵌合之容器11和蓋12，在附蓋容器10的內部形成空穴L，藉此能夠在上述空穴L中收容液體(例如，含有有機溶劑之藥液，其中，用於半導體製造為較佳。)。
另外，雖然在圖1中未圖示，但是附蓋容器還可以具備O型環。亦即，可以以填充容器與蓋之間的間隙之方式配置有O型環。換言之，蓋可以經由O型環而卡合於容器。
O型環的種類並無特別限制，但是O型環包括含氟聚合物為較佳。更具體而言，O型環中，接液部由含氟聚合物構成為較佳。例如，O型環本身可以由含氟聚合物構成，亦可以為含有O型環本體和被覆層之附被覆層之O型環，該O型環本體由除含氟聚合物以外的樹脂(例如，聚矽氧樹脂)形成，該被覆層配置成覆蓋該O型環本體且含有含氟聚合物。
另外，含氟聚合物的種類如上所述。
上述附蓋容器10的接液部由上述構件形成。亦即，作為 附蓋容器10的接液部之內壁面15含有含氟聚合物及含氟界面活性劑，且為具有既定的特性之構件。另外，附蓋容器10的內壁面15由上述構件形成，但是作為本發明的實施形態之容器，並不限制於上述，該接液部的至少一部分可以由上述構件形成。
關於上述容器，在內部收容藥液時，接液部(為與被收容物接觸之面，且係指即使實際上沒有接觸，亦有其可能性之部分。較佳為容器的整個表面。)中的M1/M2係0.50~0.90，X1係0.5~3.0為較佳。其結果，即使收容並保管藥液，藥液的缺陷抑制性能亦不會隨時間而劣化。
換言之，本發明的容器含有含氟聚合物和含有氟原子之界面活性劑，該容器中，在容器的至少一部分表面(內壁面)中，將表面的界面活性劑的質量基準的含量設為M1，且以表面為基準，將位於深度方向10nm的位置上之界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2係0.50~0.90，上述表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數之含有原子數比X1係0.5~3.0之容器(以下，亦稱為“特定容器1”。)為較佳。
如上所述，上述特定容器1可以含有化合物3、聚合起始劑、鏈轉移劑或塑化劑。各成分的含量如上所述，但是在該情形下，可將構件總質量換稱為容器總質量。具體而言，在上述特定容器1中含有化合物3之情形下，化合物3的含量並無特別限制，但是相對於容器總質量，0.0001~0.05質量%為較佳。在上述特定容器1中含有聚合起始劑之情形下，聚合起始劑的含量並無特別限制，但 是相對於容器總質量，0.01質量ppt~100質量ppb為較佳。在上述特定容器1中含有鏈轉移劑之情形下，鏈轉移劑的含量並無特別限制，但是相對於容器總質量，0.01質量ppt~100質量ppb為較佳。在上述特定容器1中含有塑化劑之情形下，塑化劑的含量並無特別限制，但是相對於容器總質量，0.01質量ppt~100質量ppb為較佳。
關於特定容器1，在內部收容藥液時，接液部(為與被收容物接觸之面，且係指即使實際上沒有接觸，亦有其可能性之部分。較佳為容器的整個表面。)中的M1/M2係0.50~0.90，X1係0.5~3.0為較佳。
又，在特定容器1的接液部(較佳為容器的整個表面)中，上述M3、M4、M3/M4及M1/M3在上述範圍內為較佳。
另外，在上述特定容器1之情形下，以如下方式實施上述特定試驗。
特定試驗1：以容器的質量(g)與含有99.99質量%以上的異丙醇之試驗溶劑的質量(g)之質量比(容器的質量(g)/試驗溶劑的質量(g))在將試驗溶劑的液溫設為25℃時成為0.1之條件，經48小時將構件浸漬於液溫為25℃的試驗溶劑中。
另外，在上述附蓋容器10中，在內壁面15中M1/M2及X1滿足既定的範圍，但是在外壁面16中M1/M2及X1亦滿足既定的範圍為較佳。
將本發明的實施形態之具有容器和蓋之附蓋容器的變形 例示於圖2中。附蓋容器20具有容器11及蓋12，並使它們嵌合，藉此能夠在內部形成空穴L。圖2中示出了將蓋12嵌合於容器11之前之狀態。若將蓋12嵌合於容器11，則容器11的接液部與蓋12的接液部被連結，以包圍空穴之方式形成接液部。
關於附蓋容器20，容器11及蓋12分別具有基材21和形成於基材21上之被覆層22，基材21和被覆層22形成已進行說明之構件。
由於附蓋容器20在其接液部具有被覆層22，因此雜質難以溶出至收容於空穴中之藥液中。其結果，即使收容並保管藥液，藥液的缺陷抑制性能亦不會隨時間而劣化。
關於上述附蓋容器20，在內部收容藥液時，接液部(為與被收容物接觸之面，且係指即使實際上沒有接觸，亦有其可能性之部分。較佳為被覆層表面。)中的M1/M2為0.50~0.90，X1為0.5~3.0。
換言之，上述容器具有容器本體和形成於容器本體上之被覆層，該容器(以下，亦稱為“特定容器2”。)中，被覆層含有含氟聚合物和含有氟原子之界面活性劑，在容器(被覆層)的至少一部分表面(內壁面)中，將表面的界面活性劑的質量基準的含量設為M1，且以表面為基準，將位於深度方向10nm的位置上之界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2係0.50~0.90，上述表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數之含有原子數比X1係0.5~3.0為較佳。
在該情形下，如上所述，被覆層可以含有化合物3、聚合起始劑、鏈轉移劑或塑化劑。各成分的含量如上所述，但是在該情形下，將構件總質量換稱為被覆層總質量。具體而言，在上述被覆層中含有化合物3之情形下，化合物3的含量並無特別限制，但是相對於被覆層總質量，0.0001~0.05質量%為較佳。在上述被覆層中含有聚合起始劑之情形下，聚合起始劑的含量並無特別限制，但是相對於被覆層總質量，0.01質量ppt~100質量ppb為較佳。在上述被覆層中含有鏈轉移劑之情形下，鏈轉移劑的含量並無特別限制，但是相對於被覆層總質量，0.01質量ppt~100質量ppb為較佳。在上述被覆層中含有塑化劑之情形下，塑化劑的含量並無特別限制，但是相對於被覆層總質量，0.01質量ppt~100質量ppb為較佳。
關於特定容器2，在內部收容藥液時，接液部(為與被收容物接觸之面，且係指即使實際上沒有接觸，亦有其可能性之部分。較佳為被覆層的整個表面。)中的M1/M2係0.50~0.90，X1係0.5~3.0為較佳。
又，在特定容器2的被覆層的接液部(較佳為被覆層表面)中，上述M3、M4、M3/M4及M1/M3在上述範圍內為較佳。
另外，在上述特定容器2之情形下，以如下方式實施上述特定試驗。
特定試驗2：以被覆層的質量(g)與含有99.99質量%以上的異丙醇之試驗溶劑的質量(g)之質量比(被覆層的質量(g)/試 驗溶劑的質量(g))在將試驗溶劑的液溫設為25℃時成為0.1之條件，經48小時將容器浸漬於液溫為25℃的試驗溶劑中。
另外，附蓋容器20在其接液部具有含有含氟聚合物及含氟界面活性劑之被覆層22，但是作為本發明的實施形態之容器並不限制於此，還可以在容器11及蓋12的外側表面23側具有被覆層。
作為本發明的實施形態之容器的製造方法，並無特別限制，但是例如可舉出如下方法：藉由公知的方法來成形由基材形成之容器，並使用含有含氟聚合物及含氟界面活性劑之組成物，在上述容器形成被覆層。
作為基材(容器本體)的形態，如上說明，但是作為基材(容器本體)的材料，以下耐腐蝕材料為較佳。
[耐腐蝕材料]
耐腐蝕材料係選自包括含氟聚合物及被電解拋光之金屬材料之群組中之至少1種。
<被電解拋光之金屬材料(經電解拋光之金屬材料)>
在製造上述被電解拋光之金屬材料時所使用之金屬材料含有選自包含鉻及鎳之群組中之至少1種，且相對於金屬材料的總質量，鉻及鎳的總含量超過25質量%之金屬材料為較佳，例如可舉出不銹鋼及鎳-鉻合金等。
相對於金屬材料總質量，金屬材料中的鉻及鎳的總含量係25質量%以上為較佳，30質量%以上為更佳。
另外，作為金屬材料中的鉻及鎳的總含量的上限值，並無特別限制，但是通常係90質量%以下為較佳。
作為不銹鋼，並無特別限制，能夠使用公知的不銹鋼。
其中，含有8質量%以上的鎳之合金為較佳，含有8質量%以上的鎳之沃斯田鐵系不銹鋼為更佳。作為沃斯田鐵系不銹鋼，例如可舉出SUS(Steel Use Stainless：不鏽鋼)304(Ni含量為8質量%，Cr含量為18質量%)、SUS304L(Ni含量為9質量%，Cr含量為18質量%)、SUS316(Ni含量為10質量%，Cr含量為16質量%)及SUS316L(Ni含量為12質量%，Cr含量為16質量%)等。
另外，上述括號中的Ni含量及Cr含量係相對於金屬材料的總質量之含量。
作為鎳-鉻合金，並無特別限制，能夠使用公知的鎳-鉻合金。其中，相對於金屬材料的總質量，鎳含量係40~75質量%，且鉻含量係1~30質量%之鎳-鉻合金為較佳。
作為鎳-鉻合金，例如可舉出HASTELLOY(商品名稱，以下相同。)、MONEL(商品名稱，以下相同)及INCONEL(商品名稱，以下相同)等。更具體而言，可舉出HASTELLOYC-276(Ni含量為63質量%，Cr含量為16質量%)、HASTELLOY-C(Ni含量為60質量%，Cr含量為17質量%)、HASTELLOYC-22(Ni含量為61質量%，Cr含量為22質量%)等。
又，關於鎳-鉻合金，依據需要，除了上述合金以外，還可以 含有硼、矽、鎢、鉬、銅及鈷等。
作為將金屬材料進行電解拋光之方法，並無特別限制，能夠使用公知的方法。例如，能夠使用日本特開2015-227501號公報的<0011>-<0014>段及日本特開2008-264929號公報的<0036>-<0042>段等中所記載之方法。
推測為：金屬材料藉由被電解拋光而表面的鈍化層中的鉻的含量變得比母相的鉻的含量多。因此，金屬成分難以自由被電解拋光之金屬材料被覆之內壁或由被電解拋光之金屬材料形成之基材流出到藥液中。
另外，可以將金屬材料進行拋光。拋光的方法並無特別限制，能夠使用公知的方法。在拋光的最後加工中使用之拋光磨粒的尺寸並無特別限制，但是就金屬材料的表面的凹凸更容易變小之觀點而言，#400以下為較佳。
另外，在電解拋光之前進行拋光為較佳。
又，基材由經電解拋光之金屬材料形成，經電解拋光之金屬材料含有鉻及鐵時，作為基材表面的Cr原子的含量與Fe原子的含量之含有質量比(Cr/Fe)，並無特別限制，但是0.60以上為較佳，0.80以上為更佳，1.0以上為進一步較佳，1.5以上為尤佳，超過1.5為最佳，3.5以下為較佳，3.2以下為更佳，3.0以下為進一步較佳，小於2.5為尤佳。
另外，本說明書中的上述表面的Cr/Fe係指藉由以下方法測量之Cr/Fe。
測量方法：同時使用了Ar離子蝕刻之X射線光電子光譜分析
<測量條件>
X射線源：Al-Kα
X射線束直徑：φ200μm
訊號的捕獲角度：45°
<離子蝕刻條件>
離子種類：Ar電壓：2kV，面積：2×2mm，速度：6.3nm/min(SiO2換算)
<計算方法>
自最表面5nm的深度方向上按每0.5nm獲取測量資料，按每一資料算出Cr/Fe，並對其進行算數平均。
<含氟聚合物>
作為上述含氟聚合物，並無特別限制，能夠使用已進行說明之含氟聚合物。
作為用於將M1/M2及X1調節在既定的範圍內之方法，可舉出調節成形時的構件的溫度之方法和/或已進行說明之由全氟烷基取代含氟聚合物的分子鏈末端之方法。依據上述，能夠調節含氟界面活性劑的分散度，且能夠調節X1。
作為成形構件之方法，典型地，可舉出如下方法：將含有含氟聚合物和含氟界面活性劑之被覆層形成用組成物塗佈於基材上，而形成塗膜，並對上述塗膜進行加熱而在基材上形成被覆層。
關於被覆層形成用組成物，若含有含氟聚合物和含氟界面活 性劑，則作為其他成分並無特別限制，可以含有水和/或有機溶劑。又，被覆層形成用組成物可以為粉末狀，在被覆層形成用組成物為粉末狀之情形下，在基材上靜電塗佈上述被覆層形成用組成物而形成塗膜為較佳。
此時，作為對塗膜進行加熱之溫度，並無特別限制，但是就可獲得具有更加優異之本發明的效果之構件之觀點而言，100℃以上為較佳，150℃以上為更佳。
上限並無特別限制，但是380℃以下為較佳。藉由嚴格地控制加熱時的溫度，能夠將M1/M2及X1調節在既定的範圍內。
另外，作為成形構件之方法，並不限制於上述，可舉出如下方法：藉由柱塞擠出成形、對料擠出成形及等壓成形等粉體成形法，將上述組成物進行臨時成形，加熱並保持所獲得之臨時成形體之後，進行燒成。此時，藉由嚴格控制各製程中的溫度，能夠將M1/M2及X1調節在既定的範圍內。
[藥液收容體]
本發明的實施形態之藥液收容體具有已進行說明之容器和收容於上述容器中之藥液。關於本發明的實施形態之藥液收容體，由於容器的接液部由構件形成，因此依據上述藥液收容體，即使在長時間保管之情形下，被收容之藥液的缺陷抑制性能亦難以劣化。
[藥液]
藥液係減少了金屬雜質及有機雜質之藥液為較佳。雖然沒有限定，但是可舉出用於製造半導體之拋光材料、包含抗蝕劑組成物 之液、預濕液、顯影液、沖洗液及剝離液等中的高純度者，在用於製造半導體以外的其他用途中，可舉出聚醯亞胺、感測器用抗蝕劑、透鏡用抗蝕劑等顯影液及沖洗液等中的高純度者。另外，作為較佳形態中的1種，藥液含有有機溶劑。
作為藥液中的有機溶劑的含量，並無特別限制，但是通常相對於藥液的總質量，97.0~99.999質量%為較佳，99.90~99.99質量%為更佳。有機溶劑可以單獨使用1種，亦可以同時使用2種以上。在同時使用2種以上的有機溶劑之情形下，總含量在上述範圍內為較佳。
另外，本說明書中，所謂有機溶劑，係指相對於上述藥液的總質量，以超過10000質量ppm之含量含有每1種成分之液態有機化合物。亦即，本說明書中，相對於上述藥液的總質量，超過10000質量ppm而含有之液態有機化合物相當於有機溶劑。
另外，本說明書中，所謂液態，係指在25℃、大氣壓下為液體。
<有機溶劑>
作為有機溶劑的種類，並無特別限制，能夠使用公知的有機溶劑。作為有機溶劑，例如可舉出伸烷基二醇單烷基醚羧酸酯、伸烷基二醇單烷基醚、乳酸烷基酯、烷氧基丙酸烷基酯、環狀內酯(較佳為碳數4~10)、可以具有環之單酮化合物(較佳為碳數4~10)、伸烷基碳酸酯、烷氧基乙酸烷基酯及丙酮酸烷基酯等。
又，作為有機溶劑，例如可以使用日本特開2016-57614號公 報、日本特開2014-219664號公報、日本特開2016-138219號公報及日本特開2015-135379號公報中所記載者。
其中，作為有機溶劑，選自包含丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、環戊酮、環己酮、γ-丁內酯、二異戊基醚、乙酸丁酯、乙酸異戊酯、異丙醇、4-甲基-2-戊醇、二甲基亞碸、N-甲基-2-吡咯啶酮、二乙二醇、乙二醇、二丙二醇、丙二醇、碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、環丁碸、環庚酮及2-庚酮之群組中之至少1種為較佳。
<其他成分>
藥液可以含有除有機溶劑以外的其他成分。作為其他成分，例如可舉出金屬雜質、有機雜質、含氟界面活性劑及水等。
(金屬雜質)
藥液可以含有金屬雜質(金屬粒子及金屬離子)。金屬離子的定義及測量方法如上說明。
．金屬粒子
作為藥液中的金屬粒子的含量，並無特別限制，但是通常相對於藥液的總質量，100質量ppt以下為較佳，50質量ppt以下為更佳，30質量ppt以下為進一步較佳。下限並無特別限制，但是通常係1質量ppt以上為較佳。關於金屬粒子，可以在藥液中單獨含有1種，亦可以含有2種以上。在藥液中含有2種以上的金屬粒子之情形下，總含量在上述範圍內為較佳。
．金屬離子
作為藥液中的金屬離子的含量，並無特別限制，但是通常相對於藥液的總質量，100質量ppt以下為較佳，50質量ppt以下為更佳，30質量ppt以下為進一步較佳。下限並無特別限制，但是通常係1質量ppt以上為較佳。關於金屬離子，可以在藥液中單獨含有1種，亦可以含有2種以上。在藥液中含有2種以上的金屬離子之情形下，總含量在上述範圍內為較佳。
(有機雜質)
藥液可以含有有機雜質。
所謂上述有機雜質，係與在藥液中所含有之有機溶劑不同之有機化合物，且係指相對於上述藥液的總質量，以10000質量ppm以下的含量含有之有機化合物。亦即，本說明書中，相對於上述藥液的總質量，以10000質量ppm以下的含量含有之有機化合物相當於有機雜質，而並不相當於有機溶劑。
作為藥液中的有機雜質的含量，並無特別限制，但是就可獲得具有更加優異之本發明的效果之藥液之觀點而言，相對於藥液的總質量，10質量ppb以下為較佳，3質量ppb以下為更佳，1質量ppb以下為更佳。下限並無特別限制，但是不含有有機雜質為較佳。
在藥液中含有有機雜質之情形下，有機雜質相對於金屬表現為配位體，並與金屬形成錯合物。該種錯合物的疏水性高，且容易殘留於使用藥液已進行處理之半導體基板表面上，其結果容易形成缺陷。
(氟化物離子)
藥液可以含有氟化物離子。關於氟化物離子的定義及測量方法，如上說明。
作為藥液中的氟化物離子的含量，並無特別限制，但是就可獲得具有更加優異之本發明的效果之藥液之觀點而言，相對於藥液的總質量，1質量ppm以下為較佳，0.8質量ppm以下為更佳，0.5質量ppm以下為更佳。下限並無特別限制，但是不含有氟化物離子為較佳。
[藥液的用途]
上述實施形態之藥液可較佳地用於半導體的製造。具體而言，在包含微影製程、蝕刻製程、離子植入製程及剝離製程等之半導體元件的製造製程中，在結束各製程之後或轉移至下一個製程之前，用於處理有機物，具體而言，較佳地用作預濕液、顯影液、沖洗液及剝離液等。例如還能夠用於塗佈抗蝕劑前後的半導體基板的邊緣線的沖洗。
又，上述藥液還能夠用作在抗蝕劑液(在後面進行敘述)中所含有之樹脂的稀釋液。又，亦可以藉由其他有機溶劑和/或水等來進行稀釋。
又，上述藥液還能夠較佳地用於除用於製造半導體以外的其他用途，還能夠用作聚醯亞胺、感測器用抗蝕劑、透鏡用抗蝕劑等顯影液及沖洗液等。
又，上述藥液還能夠用作醫療用途或清洗用途的溶劑。尤其，能夠較佳地用於容器、配管及基板(例如，晶圓及玻璃等)等的清 洗。
其中，上述實施形態之藥液用於預濕為更佳。亦即，上述實施形態之藥液用作預濕液為較佳。
[純化裝置]
本發明的實施形態之純化裝置為一種藥液的純化裝置，其對含有有機溶劑之被純化物進行純化而獲得含有有機溶劑之藥液，該藥液的純化裝置具備：製造槽，儲存被純化物；過濾器單元，對被純化物進行純化；及管路，連結製造槽與過濾器單元，選自包含製造槽、過濾器單元及管路之群組中之至少1種接液部由上述構件形成。
圖3表示本發明的實施形態之藥液的純化裝置的示意圖。藥液的純化裝置30具備製造槽31、過濾器單元32及填充裝置34(以下，亦將它們分別稱為“單元”。)，它們分別藉由管路33而連結。管路33具備泵35、閥36及37，且形成為：能夠藉由運行或打開/關閉它們來在各單元之間移送純化裝置30內部的被純化物或藥液。
過濾器單元32具備過濾器殼體和容納於過濾器殼體中之過濾器。關於過濾器，並無特別限制，能夠使用作為用於純化藥液者而公知的深層過濾器及篩濾機(screen filter)等。另外，亦可以為具備褶襉之過濾器。過濾器的材質的較佳形態將在後面進行敘述。
圖3的藥液的純化裝置30具備1個過濾器單元32，但是 作為本發明的實施形態之藥液的純化裝置，並非限制於此，可以具備複數個過濾器單元，關於其排列，可以與管路串聯，亦可以與管路並聯，還可以同時使用該些排列。
填充裝置34具有將藥液填充於容器中之功能。作為其形態，並無特別限制，能夠使用公知的填充裝置。
關於本發明的實施形態之藥液的製造裝置，選自包含製造槽、過濾器單元及連結它們之管路之群組中之至少1種接液部由上述構件形成。其中，就能夠對經長期具有優異之缺陷抑制性能之藥液進行純化之觀點而言，製造槽、過濾器單元及連結它們之管路這所有接液部由上述構件形成為較佳。另外，關於構件的形態，如上說明。
換言之，在上述藥液的製造裝置中，製造槽可以為如下：其含有含氟聚合物和含有氟原子之界面活性劑，該製造槽中，在製造槽的至少一部分表面(較佳為製造槽的接液部的表面)中，將表面的界面活性劑的質量基準的含量設為M1，且以表面為基準，將位於深度方向10nm的位置上之界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2為0.50~0.90，表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數之含有原子數比X1為0.5~3.0。
另外，上述製造槽可以為如下：其具有槽本體和形成於槽本體上之被覆層，該製造槽中，被覆層含有含氟聚合物和含有氟原子之界面活性劑，在製造槽(被覆層)的至少一部分表面(較佳為製造槽的接液部的表面)中，將表面的界面活性劑的質量基準的含量設 為M1，且以表面為基準，將位於深度方向10nm的位置上之界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2為0.50~0.90，表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數之含有原子數比X1為0.5~3.0。
作為構成槽本體之材料，可舉出在上述基材中所例示之材料。
又，在上述藥液的製造裝置中，過濾器單元可以為如下：其含有含氟聚合物和含有氟原子之界面活性劑，該過濾器單元中，在過濾器單元的至少一部分表面(較佳為過濾器單元的接液部的表面)中，將表面的界面活性劑的質量基準的含量設為M1，且以表面為基準，將位於深度方向10nm的位置上之界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2為0.50~0.90，表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數之含有原子數比X1為0.5~3.0。
又，在上述藥液的製造裝置中，管路可以為如下：其含有含氟聚合物和含有氟原子之界面活性劑，該管路中，在管路的至少一部分表面(較佳為管路的接液部的表面)中，將表面的界面活性劑的質量基準的含量設為M1，且以表面為基準，將位於深度方向10nm的位置上之界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2為0.50~0.90，表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數之含有原子數比X1為0.5~3.0。
另外，上述管路可以為如下：其具有管本體和形成於管本體上之被覆層，該管路中，被覆層含有含氟聚合物和含有氟原子之界面活性劑，在管路(被覆層)的至少一部分表面(較佳為管路的接液 部的表面)中，將表面的界面活性劑的質量基準的含量設為M1，且以表面為基準，將位於深度方向10nm的位置上之界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2為0.50~0.90，且表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數之含有原子數比X1為0.5~3.0。
作為構成管本體之材料，可舉出在上述基材中所例示之材料。
另外，本說明書中，在過濾器單元的接液部中不包含過濾器所具備之過濾材料。
關於過濾器單元的接液部，使用圖4~圖6進行說明。
圖4係去除過濾器單元所具備之典型過濾器的局部而得之立體圖。關於過濾器40，圓筒狀過濾材料41和支撐該過濾器41之圓筒狀芯部42配置於圓筒狀過濾材料的內側。圓筒狀芯部42形成為網格狀，以使液體能夠容易地通過。過濾材料41與芯部42為同心圓狀。又，在圓筒狀過濾材料41和芯部42的上部配置有罩體43，以免液體自上部侵入。又，在過濾材料41和芯部42的下部配置有用於自芯部42的內側提取液體之液體出口44。
由於流入到過濾器40之液體(被純化物)受到罩體43的妨礙，因此通過過濾材料41、芯部42，並流入到芯部42的內側，藉此自液體出口44流出到過濾器40的外部。
另外，過濾器40中，在過濾材料41的內側配置有芯部42，但是作為過濾器，並不限制於上述形態，在過濾材料41的外側可以具有保護器(Protector)(形態與芯部42相同，但是半徑不同)。
圖5係過濾器單元所具備之殼體50的立體圖，圖6係上述殼體的局部剖面圖。殼體50由蓋51和主體52構成，且能夠使蓋51與主體52嵌合。若蓋51與主體52嵌合，則在內部形成空穴L，藉此能夠在空穴L中容納過濾器40。
殼體50具有液體流入口53和液體流出口54，過濾器40的液體出口44與殼體的液體流出口54藉由設置於蓋51的內部之內部管路55而連接。被純化物的流向由F1表示。自液體流入口53流入之被純化物經由設置於蓋51內部之內部管路56，流入到主體52內部，並自過濾器40的外側表面通過過濾材料及芯部而流入到芯部內側，在該過程中被純化。
流入到芯部的內側之純化後的液體自過濾器40的液體出口經由內部管路55，並自液體流出口54提取到殼體50外(依據圖3中由F2表示之流向)。
在圖5及圖6中，液體流入口53及液體流出口54配置於殼體50的蓋51上，但是作為本發明的實施形態之過濾器單元所具備之殼體，並不限制於此，液體流入口53及液體流出口54能夠配置於殼體50的任意位置上。此時，液體流入口53可以以使被純化物自過濾器40的外側流入到過濾器40之方式配置，液體流出口54可以以自過濾器40的芯部的內側提取純化後的被純化物之方式配置。
在上述典型的過濾器單元中，所謂“過濾器單元的接液部”，係除過濾材料41以外的部分，且係指與被純化物相接觸之 部位。具體而言，係殼體50的內壁面、罩體43、芯部42及液體出口44等。
另外，關於構件的形態，如上說明。
另外，過濾器單元可以為如下，其含有殼體和配置於殼體內部之過濾器，殼體具有殼體本體和形成於殼體本體上之被覆層，該殼體中，被覆層含有含氟聚合物和含有氟原子之界面活性劑，在殼體(被覆層)的至少一部分表面(較佳為殼體的接液部的表面)中，將表面的界面活性劑的質量基準的含量設為M1，且以表面為基準，將位於深度方向10nm的位置上之界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2為0.50~0.90，表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數之含有原子數比X1為0.5~3.0。
[藥液的純化方法]
以下，對使用本發明的實施形態之藥液的純化裝置30對含有有機溶劑之藥液進行純化之方法進行說明。作為使用純化裝置對藥液進行純化之方法，並無特別限制，但是具有使用過濾器單元所具備之過濾器對被純化物進行過濾之製程(純化製程)為較佳。
<純化製程>
首先，將含有有機溶劑之被純化物儲存於製造槽31。
製造槽的形狀及容量並無特別限制，能夠依據所製造之藥液的量和/或種類等而適當變更。
另外，製造槽還可以具備攪拌被收容之被純化物等之攪拌葉片等，但是在該情形下，上述攪拌葉片等接液部亦藉由構件形成為 較佳。
若打開閥36，則收容於製造槽31中之被純化物藉由泵35沿F1方向在管路33中移動，並導入至過濾器單元32。導入至過濾器單元32中之被純化物藉由通過過濾器40所具備之過濾材料41而被純化。以下，對過濾器單元所具備之過濾器的較佳形態進行說明。
．過濾器
作為過濾器所具備之過濾材料，並無特別限制，能夠使用公知的過濾材料，其形態亦可以為深層過濾器及篩濾機中的任一種且亦可以具有褶襉。
作為過濾材料的材料，選自包含尼龍、聚乙烯(包含高密度及高分子量者)、聚丙烯(包含高密度及高分子量者)、多氟烴(Polyfluorocarbon)(例如，聚四氟乙烯：PTFE等)、纖維素、矽藻土、聚苯乙烯及玻璃之群組中之至少1種為較佳。
在純化裝置具備2個以上的過濾器單元之情形下，各過濾器單元所具備之過濾器的過濾材料分別由疏水性材料及親水性材料形成為較佳。另外，在本說明書中，所謂疏水性材料，係指過濾材料表面在25℃下的水接觸角為45°以上，所謂親水性材料，係指過濾材料表面在25℃下的水接觸角小於45°。
在使用2個以上的過濾器單元之情形下，被純化物最後通過之過濾器具備包含由親水性材料形成之過濾材料之過濾器(以下，亦稱為“親水性過濾器”。)為較佳。親水性過濾器與被純 化物所含有之雜質、尤其係與金屬成分的相互作用更強，並更容易吸附上述者。因此，變得容易將純化後的被純化物中的金屬粒子及金屬離子的含量控制在所希望的範圍內。
在使用2個以上的過濾器單元之情形下，作為通過各過濾器單元前後的差壓(以下，亦稱為“過濾差壓”。)，並無特別限制，但是250kPa以下為較佳，200kPa以下為較佳。作為下限，並無特別限制，但是50kPa以上為較佳。若過濾差壓為250kPa以下，則能夠防止對過濾器施加過大的壓力，因此能夠減少溶出物。
各過濾材料的孔徑之間的關係並無特別限制，但是不同為較佳。
與被純化物首先通過之過濾器(以下，亦稱為“第1過濾器”。)所具備之過濾材料(以下，亦稱為“第1過濾材料”。)的孔徑相比，被純化物在其之後通過之過濾器(以下，亦稱為“第2過濾器”。)所具備之過濾材料(以下，亦稱為“第2過濾材料”。)的孔徑相同或小為較佳。另外，本說明書中，所謂過濾材料的孔徑，能夠參閱過濾器製造商的標稱值。作為市售的過濾器，例如能夠選自Nihon Pall Ltd.、Toyo Roshi Kaisha，Ltd.、Nihon Entegris K.K.(原Nippon Mykrolis Corporation)或KITZ MICRO FILTER CORPORATION等所提供之各種過濾器中。又，還能夠使用聚醯胺製的“P-尼龍過濾器(孔徑為0.02μm，臨界表面張力為77mN/m)”；(Nihon Pall Ltd.製)、高密度聚乙烯製的“PE．Kleen過濾器(孔徑為0.02μm)”； (Nihon Pall Ltd.製)及高密度聚乙烯製的“PE．Kleen過濾器(孔徑為0.01μm)”；(Nihon Pall Ltd.製)。
在使用第2過濾材料的孔徑小於第1過濾材料者之情形下，第2過濾材料的孔徑與第1過濾材料的孔徑之比(第2過濾材料的孔徑/第1過濾材料的孔徑)係0.01~0.99為較佳，0.1~0.9為更佳，0.2~0.9為進一步較佳。藉由將第2過濾材料的孔徑設在上述範圍內，混入含有有機溶劑之藥液中之微細的異物更確實地被去除。
就保管所純化之藥液時，抑制藥液中的金屬粒子及金屬離子的增加之觀點而言，藥液與過濾材料的材料之間的關係為滿足設為自過濾材料的材料導出之漢森溶解度參數空間中的相互作用半徑(R0)及自藥液中所含有之有機溶劑導出之漢森空間的球體半徑(Ra)時的Ra與R0之間的關係式(Ra/R0)
Figure 107123036-A0305-02-0059-1
1之組合，且利用滿足該些關係式之過濾器材質被純化之藥液為較佳。(Ra/R0)
Figure 107123036-A0305-02-0059-2
0.98為較佳，(Ra/R0)
Figure 107123036-A0305-02-0059-3
0.95為更佳。作為下限，0.5以上為較佳，0.6以上為更佳，0.7為進一步較佳。雖然機制尚不明確，但是若在該範圍內，則可抑制長期保管時的藥液中的金屬粒子及金屬離子含量的增加。
作為該些過濾材料及有機溶劑的組合，並無特別限定，但是可舉出美國US2016/0089622號公報者。
由於過濾壓力會對過濾精度有所影響，因此過濾時的壓力的脈動盡可能少者為較佳。
過濾速度並無特別限定，但是就可獲得具有更加優異之本發明的效果之藥液之觀點而言，1.0L/分鐘/m2以上為較佳，0.75L/分鐘/m2以上為更佳，0.6L/分鐘/m2以上為進一步較佳。
在過濾器中設定有保障過濾器性能(過濾器不受損)之耐差壓，該值大時，能夠藉由提高過濾壓力來提高過濾速度。亦即，上述過濾速度上限通常依賴於過濾器的耐差壓，但是通常係10.0L/分鐘/m2以下為較佳。另一方面，能夠藉由降低過濾壓力來有效地降低溶解於藥液中之粒子狀異物或雜質的量，能夠依據目的來調節壓力。
關於過濾壓力，就發揮更加優異之本發明的效果之觀點而言，0.001~1.0MPa為較佳，0.003~0.5MPa為更佳，0.005~0.3MPa為進一步較佳。尤其，在使用孔徑小的過濾材料之情形下，能夠藉由降低過濾的壓力來有效地降低溶解於藥液中之粒子狀異物或雜質的量。在使用孔徑小於20nm之過濾材料之情形下，過濾的壓力係0.005~0.3MPa為尤佳。
又，若過濾材料的孔徑變小，則過濾速度下降。但是，藉由並聯連接複數個相同種類的過濾器，過濾面積增大且過濾壓力下降，藉此能夠保障過濾速度的下降。
純化製程具有以下各製程為更佳。另外，純化製程可以具有1次以下各製程，亦可以具有複數次。又，以下各製程的順序並無特別限制。
1.粒子去除製程
2.金屬離子去除製程
3.有機雜質去除製程
以下，對上述製程分別進行說明。
(粒子去除製程)
純化製程可以具有粒子去除製程。粒子去除製程為使用粒子去除過濾器來去除含有有機溶劑之藥液中的粒子之製程。
作為粒子去除過濾器的形態，並無特別限制，但是例如可舉出具備孔徑為20nm以下的過濾材料之過濾器。
另外，作為過濾材料的孔徑，1~15nm為較佳，1~12nm為更佳。若孔徑為15nm以下，則能夠去除更加微細的粒子，若孔徑為1nm以上，則過濾效率得到提高。
作為粒子去除過濾器所具備之過濾材料的材料，例如可舉出6-尼龍及6,6-尼龍等尼龍、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺以及多氟烴等。
聚醯亞胺和/或聚醯胺醯亞胺可以具有選自包含羧基、鹽型羧基及-NH-鍵之群組中之至少1個。關於耐溶劑性，多氟烴、聚醯亞胺和/或聚醯胺醯亞胺優異。又，就吸附金屬離子之觀點而言，6-尼龍及6,6-尼龍等尼龍為尤佳。
在純化製程具有粒子去除製程之情形下，可以使用複數個粒子去除過濾器。在使用複數個粒子去除過濾器之情形下，進而，作為其中1個過濾器，具備孔徑為50nm以上的過濾材料(例如，孔徑為50nm以上的微粒去除用微量濾膜(microfiltration membrane))之過濾器為較佳。在含有有機溶劑之藥液中存在經膠體化之雜質等微粒之情形下，在使用具備孔徑為20nm以下的過濾材料之過濾器(例如，孔徑為20nm以下的微量濾膜)進行過濾之前，使用具備孔徑為50nm以上的過濾材料之過濾器(例如，孔徑為50nm以上的微粒去除用微量濾膜)實施含有有機溶劑之藥液的過濾，藉此具備孔徑為20nm以下的過濾材料之過濾器(例如，孔徑為20nm以下的微量濾膜)的過濾效率得到提高，從而粒子的去除性能得到進一步提高。
(金屬離子去除製程)
純化製程可以具有金屬離子去除製程。金屬離子去除製程係使含有有機溶劑之藥液通過金屬離子吸附過濾器之製程為較佳。
作為金屬離子吸附過濾器，並無特別限制，可舉出公知的金屬離子吸附過濾器。
其中，作為金屬離子吸附過濾器，能夠進行離子交換之過濾器為較佳。
在此，關於成為吸附對象之金屬離子，可舉出含有特定金屬之離子及含有除此以外的金屬之離子。關於金屬離子吸附過濾器所具備之過濾材料，就金屬離子的吸附性能得到提高之觀點而言，在表面含有酸基為較佳。作為酸基，可舉出磺酸基及羧基等。
作為金屬離子吸附過濾器所具備之過濾材料的材料，可舉出纖維素、矽藻土、尼龍、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯及多氟烴等。就吸附金屬離子之效率的觀點而言，尼龍為尤佳。
(有機雜質去除製程)
純化製程可以具有有機雜質去除製程。作為有機雜質去除製程，使含有有機溶劑之藥液通過有機雜質吸附過濾器之製程為較佳。
作為有機雜質吸附過濾器，並無特別限制，可舉出公知的有機雜質吸附過濾器。
作為有機雜質吸附過濾器所具備之過濾材料，就有機雜質的吸附性能得到提高之觀點而言，在表面具有能夠與有機雜質進行相互作用之有機物骨架(換言之，藉由能夠與有機雜質進行相互作用之有機物骨架修飾表面)為較佳。作為能夠與有機雜質進行相互作用之有機物骨架，例如可舉出如藉由與有機雜質進行反應而能夠將有機雜質捕獲到有機雜質吸附過濾器之化學結構。更具體而言，在被純化物含有n-長鏈烷基醇(將1-長鏈烷基醇用作有機溶劑時的結構異構體)來作為有機雜質之情形下，可舉出烷基來作為有機物骨架。又，在被純化物含有二丁基羥基甲苯(BHT)來作為有機雜質之情形下，可舉出苯基來作為有機物骨架。
作為有機雜質吸附過濾器所具備之過濾材料的材料，可舉出載持有活性碳之纖維素、矽藻土、尼龍、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯及多氟烴等。
又，對於有機雜質吸附過濾器，還能夠使用日本特開2002-273123號公報及日本特開2013-150979號公報中所記載之活性碳黏著在不織佈上之過濾器。
作為有機雜質吸附過濾器，除了上述所示之化學吸附(使用了在表面具有能夠與有機雜質進行相互作用之有機物骨架之有機雜質吸附過濾器之吸附)以外，還能夠應用物理吸附方法。
例如，在被純化物含有BHT來作為有機雜質之情形下，BHT的結構大於10埃(=1nm)。因此，藉由使用具備孔徑為1nm的過濾材料之有機雜質吸附過濾器，BHT無法通過過濾材料的孔。亦即，BHT藉由過濾器以物理的方式被捕獲，因此將其自含有有機溶劑之藥液中去除。如此，關於有機雜質的去除，不僅能夠應用化學性相互作用，還能夠應用物理性去除方法。其中，在該情形下，將具備3nm以上的孔徑的過濾材料之過濾器用作“粒子去除過濾器”，將具備小於3nm之孔徑的過濾材料之過濾器用作“有機雜質吸附過濾器”。
(清洗製程：清洗過濾器之製程)
本發明的實施形態之藥液的純化方法還具有清洗過濾器之製程為較佳。作為清洗過濾器之方法，並無特別限制，但是可舉出將過濾器浸漬於清洗液中、使清洗液通過過濾器及組合它們之方法。
藉由清洗過濾器，變得容易控制自過濾器萃取之成分的量，以便滿足上述試驗液之各要件，作為結果，可獲得具有更加優異之本發明的效果之藥液。
作為清洗液，並無特別限制，能夠使用公知的清洗液。作為清洗液，並無特別限制，可舉出水及有機溶劑等。作為有機溶劑，可以為藥液能夠含有之有機溶劑、例如伸烷基二醇單烷基醚羧酸 酯、伸烷基二醇單烷基醚、乳酸烷基酯、烷氧基丙酸烷基酯、環狀內酯(較佳為碳數4~10)、可以具有環之單酮化合物(較佳為碳數4~10)、伸烷基碳酸酯、烷氧基乙酸烷基酯及丙酮酸烷基酯等。
更具體而言，作為清洗液，例如可舉出丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、二甲基亞碸、N-甲基吡咯啶酮、二乙二醇、乙二醇、二丙二醇、丙二醇、碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、環丁碸、環己烷、環己酮、環庚酮、環戊酮、2-庚酮及γ-丁內酯以及它們的混合物等。
通過過濾器單元而被純化之經純化之被純化物，藉由打開閥37並使泵35運行，向F2及F3方向流動，並在填充裝置34中作為藥液而收容於容器中。
又，藉由閥37的操作，可以自F2流向F4方向，並使經純化之被純化物再次循環到製造槽31。在該情形下，能夠再次利用過濾器單元來對經純化之被純化物進行純化，從而可獲得具有更加優異之缺陷抑制性能之藥液。
填充裝置34的接液部並無特別限制，但是接液部由上述構件形成或者具有上述被覆層為較佳。另外，在填充裝置的接液部由上述構件形成之情形下，至少接液部可以形成為滿足上述要件A之表面，而且，不係接液部之外側亦可以形成為滿足上述要件A之表面。
又，在填充裝置具有被覆層之情形下，以覆蓋整個接液部之方式設置被覆層。
[純化裝置的其他實施形態]
利用圖7對本發明的其他實施形態之純化裝置進行說明。純化裝置70係蒸餾塔71通過管路73而與圖3的純化裝置30的製造槽31連結之純化裝置。
在純化裝置70中，被純化物經由管路72而自蒸餾塔71的下部導入至蒸餾塔71內部。導入至蒸餾塔71內部之被純化物被蒸餾，經蒸餾之被純化物向F0方向流動並被導入至製造槽31中。關於其之後的純化製程，如上說明。
作為蒸餾塔的接液部，並無特別限制，但是由上述構件形成為較佳。另外，在蒸餾塔的接液部由構件形成之情形下，至少接液部可以形成為滿足上述要件A之表面，而且，不係接液部之外側亦可以形成為滿足上述要件A之表面。又，在蒸餾塔具有被覆層之情形下，以覆蓋整個接液部之方式設置被覆層。
另外，蒸餾塔可以為如下：其具有塔本體和形成於塔本體上之被覆層，該蒸餾塔中，被覆層含有含氟聚合物和含有氟原子之界面活性劑，在蒸餾塔(被覆層)的至少一部分表面(較佳為蒸餾塔的接液部的表面)中，將表面的界面活性劑的質量基準的含量設為M1，且以表面為基準，將位於深度方向10nm的位置上之界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2為0.50~0.90，表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數之含有原子數比X1為0.5~3.0。
作為構成塔本體之材料，可舉出在上述基材中所例示之材料。
作為使用上述實施形態之藥液的純化裝置來對藥液進行純化之方法，除了已進行說明之藥液的純化方法以外，還具有使用蒸餾塔蒸餾被純化物之蒸餾製程為較佳。
[製造裝置]
使用本發明的實施形態之製造裝置的圖8進行說明。圖8表示藥液的製造裝置的示意圖。關於藥液的製造裝置80，藉由具備閥83之管路72，在圖7中已進行說明之純化裝置70的蒸餾塔71連接有具有原料投入部82之反應槽81(亦將它們統稱為“反應部”。)。另外，圖8的藥液的製造裝置具有蒸餾塔71，但是作為製造裝置，並不限制於此，可以不具有蒸餾塔71。在該情形下，例如可舉出如下形態：藉由具備閥83之管路72，連接圖3中所示之純化裝置30的製造槽31與具備原料投入部82之反應槽81。
反應部具有如下功能：使由原料投入部82供給之原材料(依據需要，在觸媒的存在下)在反應槽81中進行反應而獲得含有有機溶劑之反應物。
作為反應槽81及原料投入部82的接液部，並無特別限制，但是由構件形成為較佳。另外，在反應槽由構件形成之情形下，至少接液部可以形成為滿足上述要件A之表面，而且，不係接液部之外側亦可以形成為滿足上述要件A之表面。又，在反應槽具有被覆層之情形下，以覆蓋整個接液部之方式設置被覆層。
另外，反應槽可以為如下：其具有槽本體和形成於槽本體上之被覆層，該反應槽中，被覆層含有含氟聚合物和含有氟原子之 界面活性劑，在反應槽(被覆層)的至少一部分表面(較佳為反應槽的接液部的表面)中，將表面的界面活性劑的質量基準的含量設為M1，且以表面為基準，將位於深度方向10nm的位置上之界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2為0.50~0.90，表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數之含有原子數比X1為0.5~3.0。
作為構成槽本體之材料，可舉出在上述基材中所例示之材料。
<藥液的製造方法>
作為使用上述製造裝置製造藥液之方法，並無特別限制，但是具有以下製程為較佳。
．反應製程
．純化製程
其中，純化製程與已進行說明之形態相同，因此省略說明，並在以下對反應製程進行說明。
反應製程係使原料進行反應而獲得反應物之製程。
作為反應物，並無特別限制，但是例如可舉出含有上述有機溶劑之被純化物。亦即，可舉出為了獲得含有有機溶劑之被純化物而合成有機溶劑之製程。
作為獲得反應物之方法，並無特別限制，能夠使用公知的方法。例如，可舉出在觸媒的存在下，使1種或複數種原料進行反應而獲得反應物之方法。
更具體而言，例如可舉出：在硫酸的存在下使乙酸與正丁醇進 行反應而獲得乙酸丁酯之製程；在Al(C2H5)3的存在下使乙烯、氧及水進行反應而獲得1-己醇之製程；在Ipc2BH(二異松蒎烯基硼烷：Diisopinocampheylborane)的存在下使順式-4-甲基-2-戊烯進行反應而獲得4-甲基-2-戊醇之製程；在硫酸的存在下使環氧丙烷、甲醇及乙酸進行反應而獲得PGMEA(丙二醇1-單甲醚2-乙酸酯)之製程；在氧化銅-氧化鋅-氧化鋁的存在下使丙酮及氫進行反應而獲得IPA(isopropyl alcohol：異丙醇)之製程；以及使乳酸及乙醇進行反應而獲得乳酸乙酯之製程等。
[實施例]
以下，依據實施例對本發明進行進一步詳細的說明。關於以下實施例中所示之材料、使用量、比例、處理內容及處理步驟等，只要不脫離本發明的宗旨，則能夠進行適當變更。因此，本發明的範圍並不被以下所示之實施例作限定性解釋。
[實施例1]
藉由以下方法準備容器，並在所準備之容器中收容含有作為有機溶劑的丙二醇單甲醚(PGMM)之藥液，而製造了藥液收容體。
另外，關於容器，使用藉由以下方法在基材上形成有被覆層之構件來製作。
[基材的準備]
製作容器時使用之基材藉由以下方法來準備。首先，對與圖1的容器11為相同形狀的SUS316製基材(容量為1000ml)進行拋光，而且，以如下條件進行電解拋光以製作經電解拋光之基材。
(電解拋光條件)
電解拋光液：SASAKI CHEMICAL CO.,LTD.製“S-CLEAN EP”
溫度：60℃
時間：10分鐘
電流密度：20A/dm3
極間距離：25cm
[被覆層的形成]
關於被覆層，使用藉由以下方法製備之含有PTFE和含氟界面活性劑之被覆層形成用組成物來形成。
首先，在內容量為1L的附攪拌器之玻璃製反應器中，添加了530g的去離子水、30g的石蠟。而且，以在最終所獲得之被覆層中所含有之全氟己酸(相當於含氟界面活性劑1。)成為0.1質量%之方式進行調節並添加了全氟己酸。接著，一邊將反應器的內容物加熱至85℃一邊進行吸入，與此同時，利用四氟乙烯單體進行吹掃而去除了反應器內部的氧。然後，將0.03g的乙烷氣體添加到反應器中，並對內容物以540rpm進行了攪拌。在反應器中添加了四氟乙烯單體，直至壓力達到0.73MPaG。將溶解於20g的去離子水中之0.11g的過硫酸銨植入到反應器中，並將反應器的壓力設為0.83MPaG。在植入起始劑之後，引起壓力的下降並觀察到聚合的開始。將四氟乙烯單體添加到反應器中並保持壓力，持續了聚合，直至約140g的四氟乙烯單體的反應結束。然後，進行排氣，直至反應器內部的壓力成為常壓，自反應器中提取內容物並進行 了冷卻。自PTFE水性分散液中去除了上清液的石蠟。
將PTFE水性分散液放入冷凍庫並進行了冷凍。將所冷凍之PTFE水性分散液放置直至達到25℃而獲得了凝固之粉末。將所凝固之濕潤粉末以150℃乾燥18小時而製成了被覆層形成用組成物。
將藉由上述獲得之被覆層形成用組成物靜電塗佈於經電解拋光之基材上，以使所獲得之塗膜的厚度達到200μm，以表1中所記載之溫度(在表中記載為“燒成溫度”)燒成15分鐘，並進行了氣冷。藉由上述，在基材上形成了含有PTFE及含氟界面活性劑之被覆層。另外，被覆層的厚度為20μm。
<M1/M2、M3/M4的測量>
對於所獲得之被覆層的接液部，使用飛行時間二次離子質譜儀(TOF-SIMS)(ION-TOF公司製，商品名稱為“TOF-SIMS5”)測量了M1/M2。將測量條件示於以下。
另外，對於M3/M4，以相同的方法進行了測量。
一次離子：Bi3 2+
一次離子加速電壓：25kV
測量面積：150μm
角度測量溫度：-100℃以下
另外，為了蝕刻而照射Ar-GCIB(Ar的氣體團簇離子束)，照射Bi3+來作為一次離子源，並使用飛行時間型質譜儀來分析所獲得之二次離子，藉此獲得了光譜。在Ar-GCIB中進行蝕刻時，自表面沿深度方向不會損壞分子結構，因此能夠獲得關於界面的 鍵結狀態的準確的訊息。由於所獲得之測量值為atom/cm2，因此由該數值算出莫耳數，並乘以原子數(分子數)，藉此轉換成質量。
Ar-GCIB投入壓力：3MPa
測量面積：150μm
角度測量模式：高質量解析度
<X1的測量>
藉由以下方法來測量了被覆層的表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數之含有原子數比X1。
．裝置：PHI公司製Quantera-SXM(商品名稱)裝置
．X射線源：單色化Al Kα射線(1486.6eV、25W、15kV、光束直徑200μmφ)
．測量區域：200μmφ
．測量條件：通能(Pass Energy)=140eV、step=0.1eV、累積次數為4~8次
．測量方法：將該測量試樣設置於上述裝置，並將光電子提取角設為10度而進行測量。
使用藉由上述獲得之碳原子的含量(原子%)和氟原子的含量(原子%)，計算了X1。將結果示於表1。
<溶出試驗>
又，與上述不同地，將以相同的方法製作之被覆層在以質量比(g/g)計成為0.1之條件下以25℃的液溫、經48小時浸漬於含有99.99質量%以上的異丙醇之試驗溶劑(FUJIFILM Ultra Pure Solutions公司製)中。對於在浸漬前後的試驗溶劑中所含有之各雜質的含量的增加量，藉由以下方法進行測量，並將結果示於表1。
(金屬粒子、金屬離子)
測量時，使用了Agilent 8800三重四極ICP-MS(用於半導體分析，選項#200)。依據測量結果，分別求出了金屬粒子及金屬離子的含量。
．測量條件
樣品導入系使用了與石英的炬為同軸型PFA(全氟烷氧基烷烴)霧化器(自吸用)及鉑錐接口。冷電漿條件的測量參數如下。
．RF(Radio Frequency：射頻)輸出(W)：600
．載體氣體流量(L/min)：0.7
．輔助氣體流量(L/min)：1
．採樣深度(mm)：18
(有機雜質)
測量時，使用了氣相色譜質譜裝置(製品名稱為“GCMS-2020”，Shimadzu Corporation製，測量條件如下)。
．測量條件： 毛細管柱：InertCap 5 MS/NP 0.25mmI.D.×30m df=0.25μm
試樣導入法：分流75kPa壓力恆定
氣化室溫度：230℃
管柱烘箱溫度：80℃(2min)-500℃(13min)
升溫速度：15℃/min
載體氣體：氦
隔墊吹掃流量：5mL/min
分流比：25：1
接口溫度：250℃
離子源溫度：200℃
測量模式：Scan m/z=85~500
試樣導入量：1μL
(氟化物離子)
測量時，使用了Shimadzu Corporation製HIC-SP抑制器離子色譜儀。測量條件如下。
．測量條件
使用管柱：離子交換樹脂(內徑為4.0mm，長度為25cm)
移動相：碳酸氫鈉溶液(1.7mmol/L)-碳酸鈉溶液(1.8mmol/L)
流量：1.5mL/min
試樣植入量：25μL
管柱溫度：40℃
抑制器：電滲析型
檢測器：導電率檢測器(30℃)
<藥液的缺陷抑制性能的評價>
藉由以下方法，對收容於藥液收容體中之藥液的缺陷抑制性能進行了評價。
首先，準備了直徑為300mm的氧化矽膜基板。
接著，使用晶圓上表面檢測裝置(SP-5；KLA Tencor製)，對存在於上述基板上之直徑為32nm以上的粒子(以下，將其稱為“缺陷”。)數量進行了測量(將其設為初始值。)。接著，將上述基板設置於旋轉噴射裝置，一邊使基板進行旋轉，一邊對基板的表面，以1.5L/分鐘的流速噴射了各藥液。然後，對基板進行了旋轉乾燥。
接著，使用上述裝置(SP-5)，對存在於塗佈藥液之後的基板上之缺陷數量進行了測量(將其設為測量值。)。接著，對初始值與測量值之差(測量值-初始值)進行了計算。
依據下述基準，對所獲得之結果進行了評價。
對於剛製造藥液收容體之後的藥液，實施上述試驗，作為“初始缺陷抑制性能”，記載於表1。接著，將藥液收容體在25℃下保管一個月，然後，提取被收容之藥液並實施上述評價，作為“保管一個月之後的缺陷抑制性能”，將結果示於表1。
“AA”：缺陷數量的初始值與測量值之差為100個以下。
“A”：缺陷數量的初始值與測量值之差超過100個，且為300個以下。
“B”：缺陷數量的初始值與測量值之差超過300個，且為500個以下。
“C”：缺陷數量的初始值與測量值之差超過500個，且為1000個以下。
“D”：缺陷數量的初始值與測量值之差超過1000個。
[實施例2~實施例35、實施例37~實施例70]
使用由表1中所記載之含氟聚合物及含氟界面活性劑，以與實施例1相同的方法製備之被覆層形成用組成物，在與實施例1相同的基材上，形成厚度為20μm的被覆層，以製作了容器。另外，關於實施例26的PFA，使用了用-CF3對分子鏈末端進行末端穩定化處理而得(表1中，在“末端穩定化”欄中“1”係經末端穩定化處理者。)者。在所製作之容器中收容含有表1中所記載之有機溶劑之藥液，以製造了藥液收容體。另外，對於各容器，實施溶出試驗，並將結果示於表1。
另外，在表中的“燒成溫度”欄中，記載為“片材”之實施例67~實施例70中，製作含有顯示表1中所示之特性之PTFE及含氟界面活性劑之片材，並以120℃貼合於與圖1的容器11為相同形狀的HDPE(高密度聚乙烯)製基材(容量為1000ml)上，以製造了既定的容器。
[比較例1~比較例8]
使用表1中所示之組成物，以與實施例1相同之方法製作容器，在所製作之容器中收容表1中所記載之藥液，以製造了藥液收容體、另外，對於各容器，實施溶出試驗，並將結果示於表1。
另外，表1中所記載之縮寫表示以下含氟聚合物。
．PTFE：聚四氟乙烯
．PFA：全氟烷氧基烷烴
．FEP：四氟乙烯．六氟丙烯共聚物
．ETFE：乙烯．四氟乙烯共聚物(乙烯：四氟乙烯=1：4(莫耳比))
．ECTFE：乙烯．三氟氯乙烯共聚物(乙烯：三氟氯乙烯=6：4(莫耳比))
．PCTFE：聚三氟氯乙烯
．PVDF：聚偏二氟乙烯
．PVF：聚氟乙烯
．PTFE/PE：聚四氟乙烯/聚乙烯
另外，表1中所示之縮寫表示以下。
．PE：聚乙烯
又，所使用之含氟界面活性劑如下。另外，“1~5”的數字與表1中的界面活性劑的種類相對應。
．1：CF3(CF2)4COOH(LogPow：3.15)
．2：CF3CF2CF2OCF(CF3)COOH(LogPow：4.98)
．3：CF3OCF(CF3)CF2OCF(CF3)COOH(LogPow：6.37)
．4：CF3CF2OCF2CF2OCF2COOH(LogPow：6.29)
．5：CF3(CF2)6COOH(LogPow：3.62)
又，所示使用之不含有氟原子之界面活性劑如下。另外，數字“6”與表1中的界面活性劑的種類相對應。
．6：CH3(CH2)8COOH(LogPow：3.27)
另外，表1中，含氟界面活性劑及不含有氟原子之界面活性劑均記載於“界面活性劑”欄中。因此，比較例2中的M1及M2等表示界面活性劑6的含量等。
另外，表1中，“-”表示未使用該材料或未實施該處理。
表1中，“容器形狀”欄中的“瓶”係指圖1所示之形狀的容器，“Tote罐”係指長方體形狀的容器(尺寸：200kg~1ton(作為製造商，由SUN FLUORO SYSTEM CO.,LTD.、Entegris公司等供應業界的標準品))。
表1中，“O型環”欄表示在用蓋分別關閉瓶及Tote罐的口部時是否使用了O型環，“-”表示未使用。又，“PTFE”表示O型環本體係由PTFE構成之O型環，“HDPE”表示O型環本體係由HDPE(高密度聚乙烯)構成之O型環，“PE”表示O型環本體係由PE(聚乙烯)構成之O型環。
表1中，“聚合起始劑”欄的各符號表示以下化合物。
Az：偶氮系聚合起始劑
Pe：過氧化酯系聚合起始劑
Di：二醯基過氧化物系聚合起始劑
表1中，“化合物3”欄表示化合物3相對於被覆層總質量之含量。
表1中，“聚合起始劑”欄表示聚合起始劑相對於被覆層總質量之含量。
表1中，“鏈轉移劑”欄表示鏈轉移劑相對於被覆層總質量之含量。
表1中，“塑化劑”欄表示塑化劑相對於被覆層總質量之含量。
另外，表1中，各實施例及比較例之資料示於表1[其1] <1>~<4>或表1[其2]<1>~<4>的各行。例如，若為實施例1，則關於藥液收容體的容器，如表1[其1]<1>所示，被覆層中所含之含氟聚合物為PTFE，如表1[其1]<2>所示，在被覆層中含有0.005質量%之化合物3，如表1[其1]<3>所示，在容器中收容PGMM來作為藥液，如表1[其1]<4>所示，初始缺陷抑制性能的結果為“A”。關於其他實施例及比較例，亦相同。
Figure 107123036-A0305-02-0079-5
Figure 107123036-A0305-02-0080-6
Figure 107123036-A0305-02-0081-7
Figure 107123036-A0305-02-0082-8
Figure 107123036-A0305-02-0083-10
Figure 107123036-A0305-02-0084-11
Figure 107123036-A0305-02-0085-12
Figure 107123036-A0305-02-0086-13
另外，在實施例中，在容器的接液部的整個表面中示出了各實施例的M1、M2、M3、M4及X1的值。
依據表1中所記載之結果，在X1為1.5以上且小於2.0之情形下，效果優異。尤其，關於具有使用X1超過1.8之實施例34的構件而形成之容器之藥液收容體，與使用實施例1的構件而形成之藥液收容體相比，被收容之藥液具有更加優異之初始缺陷抑制性能及更加優異之保管一個月之後的缺陷抑制性能。推測這是因為：若X1超過1.8，則構件表面的耐化學性得到提高，有機雜質及氟化物離子自構件表面的溶出變得更少。
又，如實施例1~實施例20所示，關於具有使用浸漬後的試驗溶劑中所含有之有機雜質的含量係1000質量ppb以下之實施例1的構件而形成之容器之藥液收容體，與具有使用實施例11的構件而形成之容器之藥液收容體相比，被收容之藥液具有更加優異之初始缺陷抑制性能，且具有更加優異之保管一個月之後的缺陷抑制性能。又，關於具有使用浸漬後的試驗溶劑中所含有之金屬離子的含量係10質量ppb以下之實施例1的構件而形成之容器之藥液收容體，與具有使用實施例12的構件而形成之容器之藥液收容體相比，被收容之藥液具有更加優異之初始缺陷抑制性能，且具有更加優異之保管一個月之後的缺陷抑制性能。又，關於具有使用浸漬後的試驗溶劑中所含有之金屬粒子的含量係10質量ppb以下之實施例1的構件而形成之容器之藥液收容體，與具有使用實施例13的構件而形成之容器之藥液收容體相比，被收容之藥液具有更加優異之初始缺陷抑制性能，且具有更加優異之保管一個月之後的缺陷抑制性能。又，關於具有使用浸漬後的試驗溶劑中所含有之氟化物離子的含量係10質量ppm以下之實施例1的構件而形成之容器之藥液收容體，與具有使用實施例14的構件而形成之容器之藥液收容體相比，被收容之藥液具有更加優異之初始缺陷抑制性能，且具有更加優異之保管一個月之後的缺陷抑制性能。
又，關於具有使用組成物中所含有之含氟界面活性劑的LogPow係3.7以下之實施例34的構件而形成之容器之藥液收容體，與具有使用實施例21~實施例23的構件而形成之容器之藥液 收容體相比，被收容之藥液具有更加優異之初始缺陷抑制性能及更加優異之保管一個月之後的缺陷抑制性能。
又，關於具有使用組成物中所含有之含氟界面活性劑的LogPow係3.4以下之實施例34的構件而形成之容器之藥液收容體，與具有使用實施例24的構件而形成之容器之藥液收容體相比，被收容之藥液具有更加優異之初始缺陷抑制性能及更加優異之保管一個月之後的缺陷抑制性能。
又，關於具有使用含氟聚合物為PTFE之實施例34的構件及作為經末端穩定化處理之PFA的實施例26的構件而形成之容器之藥液收容體，與具有使用實施例21及實施例27~實施例32的構件而形成之容器之藥液收容體相比，被收容之藥液具有更加優異之初始缺陷抑制性能及更加優異之保管一個月之後的缺陷抑制性能。
又，關於具有使用X1小於2.0之實施例34的構件而形成之容器之藥液收容體，與使用實施例35的構件而形成之容器相比，被收容之藥液具有更加優異之保管一個月之後的缺陷抑制性能。認為這是因為：若X1小於2.0，則存在於構件的表面上之含氟界面活性劑的分解產物等游離氟化合物比較少，因此即使在將藥液收容體保管了一個月之情形下，亦可抑制溶出至藥液中之游離氟化合物。
又，關於具有使用M2係5.0質量%以下之實施例34的構件而形成之容器之藥液收容體，與使用實施例43的構件而形成之藥液 收容體相比，被收容之藥液具有更加優異之初始缺陷抑制性能及更加優異之保管一個月之後的缺陷抑制性能。
又，由實施例64和實施例66確認到，在由PTFE形成O型環之情形下，效果更加優異。
又，由實施例52~實施例53與其他實施例的比較確認到，在M3/M4為0.50~1.50之情形下，效果更加優異。
又，由實施例50、實施例56及其他實施例的比較確認到，在M1/M3係0.01~100之情形下，效果更加優異。
又，由實施例57~實施例61的比較確認到，在含氟聚合物的重量平均分子量係40000~600000之情形下，效果更加優異。
[實施例100]
在所拋光之SUS316的表面，利用與實施例1中所使用之被覆層相同的材料形成被覆層，藉此獲得了構件。對圖8中所示之藥液的製造裝置進行了維修，以使上述被覆層成為各單元的接液部。接著，利用該裝置，在氧化銅-氧化鋅-氧化鋁的存在下使丙酮及氫進行反應，獲得含有IPA之反應物，並對上述反應物進行純化以製造了藥液。連續運行了上述單元。藉由上述方法，對剛維修之後製造之藥液和經過一個月之後製造之藥液的缺陷抑制性能進行評價，並將結果示於表2。
[實施例101~實施例105、比較例2-1]
使用對既定的單元的接液部進行了拋光之SUS316來代替上述構件，除此以外，以與實施例38相同的方式製造藥液，並將對 缺陷抑制性能進行評價而得之結果示於表2。另外，表2中，作為接液部的材料，“1”表示由上述構件形成，“0”表示由SUS316形成。
Figure 107123036-A0305-02-0090-14
依據實施例100所示之結果，作為各單元的接液部，使用以與實施例1中所使用之被覆層相同的材料形成了被覆層之構件時，在剛維修上述製造裝置之後使用上述製造裝置獲得之藥液具有優異之缺陷抑制性能。又，對於連續運行上述製造裝置，自維修經過一個月之後獲得之藥液，亦保持其優異之缺陷抑制性能。
另一方面，在使用了對各單元的接液部進行了拋光之SUS316之比較例2-1的製造裝置中，剛製造之後及經過一個月之後，均未獲得具有所希望的缺陷抑制性能之藥液。
又，與實施例101~實施例105的製造裝置相比，使用上述構件形成反應部、蒸餾塔、製造槽、過濾器單元及填充裝置這所有單元的接液部之實施例100的製造裝置，在連續運行後經過一個月之後所獲得之藥液具有優異之缺陷抑制性能。
10:附蓋容器
11:容器
12:蓋
13:口部
14:側部
15:內壁面
16:外壁面
L:空穴

Claims (31)

  1. 一種容器，其由含有含氟聚合物和含有氟原子之界面活性劑的構件形成，其中在該構件的至少一部分表面中，將該表面的該界面活性劑的質量基準的含量設為M1，且以該表面為基準，將位於該構件的深度方向10nm的位置上之該界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2為0.50~0.90，該表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數的含有原子數比X1為0.5~3.0。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之容器，其中該含氟聚合物的重量平均分子量為40000~600000。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之容器，其中表示該界面活性劑的辛醇/水分配係數之LogPow為8.0以下。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之容器，其中該M2為0.0010~5.0質量%。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之容器，其中該含氟聚合物係在末端具有全氟烷基之含氟聚合物。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之容器，其中該界面活性劑係選自包含由式(1)表示之化合物及由式(2)表示之化合物之群組中之至少1種，表示該界面活性劑的辛醇/水分配係數之LogPow為3.7以下， 式(1) A-CH2-OH 式(2) A-COO-M+式中，M+表示陽離子，式(1)及式(2)中的A表示由式(A1)表示之基團：式(A1) Rf-[O]p-[CXY]m-[O-(CX’Y’)n]r-*，式中，*表示鍵結位置，Rf表示可以含有1個以上的氧原子之氟化烷基，p為1或0，m及n分別獨立地為1以上的整數，r為0或1以上的整數，X、X’、Y及Y’分別獨立地為H、F、CF3或C2F5，複數個X、X’、Y及Y’可以相同，亦可以不同，其中，X、X’、Y及Y’不全部為H，或A表示由式(A2)表示之基團：式(A2) R-[CFX]t-*式中，*表示鍵結位置，X為氫原子、鹵素原子或可以含有1個以上的氟原子且可以含有1個以上的氧原子之烷基、烯基、環烷基或者芳基，R為氫原子或可以含有除氟原子以外的鹵素原子且可以含有1個以上的氧原子之烷基、烯基、環烷基或者芳基，t為1以上的整數。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之容器，其還含有由式(3)表示之化合物，相對於構件總質量，該由式(3)表示之化合物的含量為0.0001質量%~0.05質量%，式(3) CH2=CXa(CF2)nYa Xa及Ya分別獨立地表示氫原子或氟原子，n表示1~8的整數。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之容器，其中將該表面的該由式(3)表示之化合物的質量基準的含量設為M3，且以該表面為基準，將位於該構件的深度方向10nm的位置上之該由式(3)表示之化合物的質量基準的含量設為M4時，M3/M4為0.50~1.50。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之容器，其中M1/M3為0.01~100。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之容器，其還含有聚合起始劑，相對於構件總質量，該聚合起始劑的含量為0.01質量ppt~200質量ppb。
  11. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之容器，其還含有鏈轉移劑，相對於構件總質量，該鏈轉移劑的含量為0.01質量ppt~100質 量ppb。
  12. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之容器，其還含有塑化劑，相對於構件總質量，該塑化劑的含量為0.01質量ppt~100質量ppb。
  13. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之容器，其用於選自包含半導體製造用藥液的製造、儲存、運輸及移送之群組中之至少1種。
  14. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之容器，其中該含氟聚合物係選自包含聚四氟乙烯、全氟烷氧基烷烴、四氟乙烯．六氟丙烯共聚物、乙烯．四氟乙烯共聚物、乙烯．三氟氯乙烯共聚物、聚三氟氯乙烯、聚偏二氟乙烯及聚氟乙烯之群組中之至少1種。
  15. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之容器，其中該構件滿足以下試驗中的要件1，試驗：以該構件的質量與含有99.99質量%以上的異丙醇之試驗溶劑的質量之質量比在將該試驗溶劑的液溫設為25℃時成為0.1之條件，經48小時將該構件浸漬於液溫為25℃的該試驗溶劑中，要件1：在浸漬後的該試驗溶劑中含有1種有機雜質之情形下，該1種有機雜質的含量在浸漬前後的增加量為1000質量ppb以下，在浸漬後的該試驗溶劑中含有2種以上的有機雜質之情形下，該2 種以上的有機雜質的總含量在浸漬前後的增加量為1000質量ppb以下。
  16. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之容器，其中該構件滿足以下試驗中的要件2，試驗：以該構件的質量與含有99.99質量%以上的異丙醇之試驗溶劑的質量之質量比在將該試驗溶劑的液溫設為25℃時成為0.1之條件，經48小時將該構件浸漬於液溫為25℃的該試驗溶劑中，要件2：在浸漬後的該試驗溶劑中含有1種金屬離子之情形下，該1種金屬離子的含量在浸漬前後的增加量為10質量ppb以下，在浸漬後的該試驗溶劑中含有2種以上的金屬離子之情形下，該2種以上的金屬離子的總含量在浸漬前後的增加量為10質量ppb以下。
  17. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之容器，其中該構件滿足以下試驗中的要件3，試驗：以該構件的質量與含有99.99質量%以上的異丙醇之試驗溶劑的質量之質量比在將該試驗溶劑的液溫設為25℃時成為0.1之條件，經48小時將該構件浸漬於液溫為25℃的該試驗溶劑中，要件3：在浸漬後的該試驗溶劑中含有1種金屬粒子之情形下，該1種金屬粒子的含量在浸漬前後的增加量為10質量ppb以下，在浸漬後的該試驗溶劑中含有2種以上的金屬粒子之情形下，該2種以上的金屬粒子的總含量在浸漬前後的增加量為10質量ppb以下。
  18. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之容器，其中該構件滿足以下試驗中的要件4， 試驗：以該構件的質量與含有99.99質量%以上的異丙醇之試驗溶劑的質量之質量比在將該試驗溶劑的液溫設為25℃時成為0.1之條件，經48小時將該構件浸漬於液溫為25℃的該試驗溶劑中，要件4：在浸漬後的該試驗溶劑中含有1種氟化物離子之情形下，該1種氟化物離子的含量在浸漬前後的增加量為10質量ppm以下，在浸漬後的試驗溶劑中含有2種以上的氟化物離子之情形下，該2種以上的氟化物離子的總含量在浸漬前後的增加量為10質量ppm以下。
  19. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之容器，其含有基材和配置於該基材上之被覆層，該被覆層含有該含氟聚合物及該界面活性劑。
  20. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之容器，其用於選自包括含有有機溶劑之藥液的製造、儲存、運輸及移送之群組中之至少1種，該有機溶劑為選自包含丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、環戊酮、環己酮、γ-丁內酯、二異戊基醚、乙酸丁酯、乙酸異戊酯、異丙醇、4-甲基-2-戊醇、二甲基亞碸、N-甲基-2-吡咯啶酮、二乙二醇、乙二醇、二丙二醇、丙二醇、碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、環丁碸、環庚酮及2-庚酮之群組中之至少1種。
  21. 一種構件，其含有含氟聚合物和含有氟原子之界面活性劑，其中在該構件的至少一部分表面中， 將該表面的該界面活性劑的質量基準的含量設為M1，且以該表面為基準，將位於該構件的深度方向10nm的位置上之該界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2為0.50~0.90，該表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數的含有原子數比X1為0.5~3.0，該含氟聚合物的重量平均分子量為40000~600000。
  22. 一種構件，其含有含氟聚合物和含有氟原子之界面活性劑，其中在該構件的至少一部分表面中，將該表面的該界面活性劑的質量基準的含量設為M1，且以該表面為基準，將位於該構件的深度方向10nm的位置上之該界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2為0.50~0.90，該表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數的含有原子數比X1為0.5~3.0，表示該界面活性劑的辛醇/水分配係數之LogPow為3.7以下。
  23. 一種構件，其含有含氟聚合物和含有氟原子之界面活性劑，其中該構件還含有由式(3)表示之化合物，在該構件的至少一部分表面中，將該表面的該界面活性劑的質量基準的含量設為M1，且以該表面為基準，將位於該構件的深度方向10nm的位置上之該界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2為0.50~0.90， 該表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數的含有原子數比X1為0.5~3.0，相對於構件總質量，該由式(3)表示之化合物的含量為0.0001質量%~0.05質量%，式(3) CH2=CXa(CF2)nYa Xa及Ya分別獨立地表示氫原子或氟原子，n表示1~8的整數。
  24. 一種藥液收容體，其具有申請專利範圍第1項至第20項中任一項所述之容器和收容於該容器中之藥液。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之藥液收容體，其中該藥液含有有機溶劑，該有機溶劑為選自包含丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、環戊酮、環己酮、γ-丁內酯、二異戊基醚、乙酸丁酯、乙酸異戊酯、異丙醇、4-甲基-2-戊醇、二甲基亞碸、N-甲基-2-吡咯啶酮、二乙二醇、乙二醇、二丙二醇、丙二醇、碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、環丁碸、環庚酮及2-庚酮之群組中之至少1種。
  26. 如申請專利範圍第24項所述之藥液收容體，其還具有：蓋，覆蓋該容器的口部；及O型環，配置於該容器與該蓋之間。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之藥液收容體，其中該O型環包括含氟聚合物。
  28. 一種藥液的純化裝置，其用於獲得對被純化物進行純化之藥液，該藥液的純化裝置具備：製造槽，儲存該被純化物；過濾器單元，對該被純化物進行純化；及管路，連結該製造槽與該過濾器單元，選自包含該製造槽、該過濾器單元及該管路之群組中之至少1種接液部由申請專利範圍第1項至第20項中任一項所述之容器形成。
  29. 一種藥液的純化裝置，其用於獲得對被純化物進行純化之藥液，該藥液的純化裝置具備：製造槽，儲存該被純化物；過濾器單元，對該被純化物進行純化；及管路，連結該製造槽與該過濾器單元，選自包含該製造槽、該過濾器單元及該管路之群組中之至少1種接液部由構件形成，該構件含有含氟聚合物和含有氟原子之界面活性劑，其中在該構件的至少一部分表面中，將該表面的該界面活性劑的質量基準的含量設為M1，且以該表面為基準，將位於該構件的深度方向10nm的位置上之該界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2為0.50~0.90，該表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數的含有原子數比X1為0.5~3.0。
  30. 一種製造槽，其由申請專利範圍第1項至第20項中任一項所述之容器形成。
  31. 一種製造槽，其由構件形成，該構件含有含氟聚合物和含有氟原子之界面活性劑，其中在該構件的至少一部分表面中，將該表面的該界面活性劑的質量基準的含量設為M1，且以該表面為基準，將位於該構件的深度方向10nm的位置上之該界面活性劑的質量基準的含量設為M2時，M1/M2為0.50~0.90，該表面的氟原子的含有原子數與碳原子的含有原子數的含有原子數比X1為0.5~3.0。
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