TWI750799B - 偏光基板,顯示面板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

偏光基板包括基板、多條第一金屬線以及多條第二金屬線。第一金屬線位於基板上，第一金屬線以第一間距排列且互相平行。第二金屬線位於第一金屬線上，第二金屬線以第二間距排列且互相平行，且第二金屬線接觸並相交於一部分的第一金屬線。

Description

偏光基板,顯示面板及其製造方法

本發明是有關於一種偏光基板、顯示面板及其製造方法。

為了達到更高層次的畫質表現，顯示器朝向高解析度發展並受到廣泛的應用。舉例而言，可應用於電競面板。解析度越高的顯示器，其線路網路越密集，使開口率越低，進而降低了光穿透效能。以8K顯示器為例，其相較於2K顯示器，開口率從70%降至44%。且解析度越高的顯示器，其線路可用寬度也將越來越窄，導致線路阻抗增加，顯示器的耗電量也將不斷攀高，並使響應速度變慢。對於追求高響應速度的電競面板而言，實為一項必須面對的重要課題。

本發明提供一種偏光基板，其具有偏光及遮蔽光線的效果。

本發明的偏光基板包括基板、多條第一金屬線以及多條第二金屬線。第一金屬線位於基板上，第一金屬線以第一間距排列且互相平行。第二金屬線位於第一金屬線上，第二金屬線以第二間距排列且互相平行，且第二金屬線接觸並相交於一部分的第一金屬線。

基於上述，由於可見光穿過第一金屬線後，垂直於第一金屬線方向的偏振光會因金屬表面電漿共振而得以穿透，平行於第一金屬線方向的偏振光會被排斥回射，達到P波(TM波)與S波(TE波)分離，因此可達到偏光的效果。而到達第二金屬線的偏振光又會因為平行於第二金屬線而被排斥回射而無法穿透第二金屬線，進而達到偏光及遮蔽光線的效果。

本發明提供一種顯示面板，其可降低共用電位的阻值。

本發明提供一種顯示面板的製造方法，其可降低共用電位的阻值。

本發明的顯示面板包括如前所述之偏光基板、陣列基板及顯示介質。陣列基板包括基底及位於基底上的畫素陣列。顯示介質位於偏光基板及陣列基板之間。

本發明的顯示面板的製造方法包括以下步驟。形成多條第一金屬線於基板上，其中第一金屬線彼此隔開且互相平行。形成圖案化硬遮罩層於第一金屬線上，並露出一部分的第一金屬線。形成多條第二金屬線於第一金屬線上，其中第二金屬線彼此隔開且互相平行，且第二金屬線接觸並相交於此部分的第一金屬線。將基板與陣列基板對組。

基於上述，第一金屬線及第二金屬線連接共用電位(VCOM)。第一金屬線接觸第二金屬線，因此兩者可共同作為共用電極。在顯示面板是大尺寸顯示面板的實施例中，可避免共用電極(即第一金屬線、第二金屬線)的面積增加所造成的共用電極阻值大幅提高的問題。

第1圖是依照本發明一實施例的顯示面板10的俯視示意圖。顯示面板10包括顯示區AA及非顯示區NA，非顯示區NA環繞顯示區AA。顯示面板10具有多個畫素單元PX，各畫素單元PX呈陣列排列於顯示區AA中。圖中之畫素單元PX的數量僅為示意，而非用以限制本發明。第2圖、第3A圖、第4圖至第11A圖、第12A圖、第13A圖、第14A圖、第14B圖及第15圖繪示沿著第1圖的剖線I-I’的製造流程的剖面示意圖。第3B圖是第3A圖的立體示意圖，第11B圖是第11A圖的立體示意圖，第12B圖是第12A圖的立體示意圖，第13B圖是第13A圖的立體示意圖。請先參照第2圖，形成第一金屬層102於基板100上。於本實施例中，第一金屬層102是全面地形成於基板100上。第一金屬層102的電阻低於氧化銦錫（Indium-Tin Oxide，ITO）的電阻。舉例而言，第一金屬層102包括鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鋼(Fe)、鎳(Ni)及其組合。

接著，請參照第3A圖及第3B圖，進行奈米壓印製程N1，以形成多條第一金屬線102A於基板100上。為了清楚說明，第3B圖中繪示了第一方向D1及第二方向D2。於本實施例中，第一方向D1和第二方向D2相交。舉例而言，第一方向D1和第二方向D2垂直。第一金屬線102A沿著第一方向D1以第一間距P1排列且互相平行。第一金屬線102A實質上平行於第二方向D2。於本實施例中，第一間距P1為500埃(Å)至3000埃(Å)。第一金屬線102A具有相對的第一側壁SW1及第二側壁SW2，此處的第一間距P1指的是二條相鄰的第一金屬線102A的各第一側壁SW1之間的沿著第一方向D1的距離。於本實施例中，二條相鄰的第一金屬線102A之間的最短距離S1和第一間距P1之間的比值為0.3至0.7。此處的二條相鄰的第一金屬線102A之間的最短距離S1指的是二條相鄰的第一金屬線102A的互相面對的第一側壁SW1及第二側壁SW2之間的距離。於本實施例中，第一金屬線102A的厚度H1為500埃(Å)至5000埃(Å)。

接著，請參照第4圖，全面地形成硬遮罩層104於第一金屬線102A上。硬遮罩層104的材料可包括氧化矽(SiO _x)。

請參照第5圖，全面地形成光阻材料層106於硬遮罩層104上。光阻材料層106與硬遮罩層104完全重疊。

請參照第6圖，進行曝光顯影製程ED1，以形成圖案化光阻層106A，圖案化光阻層106A具有開口圖案OP1。

請參照第7圖，以圖案化光阻層106A為罩幕對硬遮罩層104進行蝕刻製程E1，以形成圖案化硬遮罩層104A於第一金屬線102A上，並露出一部分的第一金屬線102A。舉例而言，圖案化硬遮罩層104A具有開口圖案OP2對應開口圖案OP1(見第5圖)，而一部分的第一金屬線102A透過圖案化硬遮罩層104A中的開口圖案OP2露出。蝕刻製程E1為過蝕刻製程，藉此完全地移除位於開口圖案OP2的第一金屬線102A上的硬遮罩層104，以露出第一金屬線102A的頂面，以確保之後要形成的第二金屬線(見第11A圖及第11B圖)可與第一金屬線102A接觸。

請參照第8圖，全面地形成第二金屬層108於圖案化硬遮罩層104A及第一金屬線102A上，且一部分的第二金屬層108接觸一部分的第一金屬線102A。舉例而言，一部分的第二金屬層108自圖案化硬遮罩層104A的頂面延伸至並填滿圖案化硬遮罩層104A的開口圖案OP2，並透過圖案化硬遮罩層104A中的開口圖案OP2接觸一部分的第一金屬線102A。第二金屬層108的材料為低電阻材料，且第二金屬層108的電阻低於氧化銦錫（Indium-Tin Oxide，ITO）的電阻。舉例而言，第二金屬層108的材料包括鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鋼(Fe)、鎳(Ni)及其組合。

於本實施例中，硬遮罩層104的沉積(見第4圖)、蝕刻製程E1(見第7圖)以及形成第二金屬層108的製程順序不可調換，由於硬遮罩層104的材料為氧化矽，可藉由硬遮罩層104與第一金屬線102A的高蝕刻比，有效防止第一金屬線102A在蝕刻製程E1中遭到破壞。

請參照第9圖，全面地形成光阻材料層110於第二金屬層108上。光阻材料層110與第二金屬層108完全重疊。

請參照第10圖，進行奈米壓印製程N2，以形成圖案化光阻層110A。於本實施例中，圖案化光阻層110A沿著第二方向D2間隔地排列。

請參照第11A圖及第11B圖，以圖案化光阻層110A為罩幕對第二金屬層108進行蝕刻製程E2，以形成多條第二金屬線108A於第一金屬線102A上，其中第二金屬線108A彼此隔開且互相平行，且第二金屬線108A接觸並相交於一部分的第一金屬線102A。由於可見光穿過第一金屬線102A後，垂直於第一金屬線102A方向的偏振光會因金屬表面電漿共振而得以穿透，平行於第一金屬線102A方向的偏振光會被排斥回射，達到P波(TM波)與S波(TE波)分離，因此可達到偏光的效果。而到達第二金屬線108A的偏振光又會因為平行於第二金屬線108而被排斥回射而無法穿透第二金屬線108，進而達到遮蔽光線的效果。

舉例而言，第二金屬線108A以第二間距P2排列且互相平行。第二金屬線108A實質上平行於第一方向D1。換言之，各第二金屬線108A垂直於各第一金屬線102A。於本實施例中，第二間距P2為500埃(Å)至3000埃(Å)。第二金屬線108A具有相對的第三側壁SW3及第四側壁SW4，此處的第二間距P2指的是二條相鄰的第二金屬線108A的各第三側壁SW3之間的沿著第二方向D2的距離。於本實施例中，二條相鄰的第二金屬線108A之間的最短距離S2和第二間距P2之間的比值為0至0.9。此處的二條相鄰的第二金屬線108A之間的最短距離S2指的是二條相鄰的第二金屬線108A的互相面對的第三側壁SW3及第四側壁SW4之間的距離。於本實施例中，第二金屬線108A的厚度H2為500埃(Å)至5000埃(Å)。

第二金屬線108A的分布寬度W2小於第一金屬線102A的分布寬度W1。換言之，第二金屬線108A之最外側者之間的距離小於第一金屬線102A之最外側者之間的距離。於本實施例中，第二金屬線108A之最外側者之間的距離為1微米至3微米。舉例而言，第二金屬線108A之最外側者之間的距離為2微米。

請參照第12A圖及第12B圖，移除圖案化硬遮罩層104A，以露出第一金屬線102A。於此，便完成了偏光基板12。

請一併參照第13A圖及第13B圖，形成多個彩色色阻112於第一金屬線102A及第二金屬線108A上，各彩色色阻112彼此隔開。換言之，各彩色色阻112之間具有間隔GP。彩色色阻112重疊於各第一金屬線102A，且第二金屬線108A中的至少兩條位於各彩色色阻112之間的間隔GP中，使得此至少兩條第二金屬線108A透過間隔GP露出，達到遮蔽各彩色色阻112之間(例如間隔GP)的光線的功能。

如前所述，由於可見光穿過第一金屬線102A後，垂直於第一金屬線102A方向的偏振光會因金屬表面電漿共振而得以穿透，接著通過各彩色色阻112，達到顯示彩色畫面的效果，而到達第二金屬線108A的偏振光會因為平行於第二金屬線108A而被排斥回射，而達到遮蔽光線的效果。第二金屬線108A的分布寬度W1是由曝光顯影製程ED1(見第5圖)所控制，因此可控制第二金屬線108A的分布寬度W1足夠小，可避免影響顯示面板10的開口率。在顯示面板10是高解析度顯示面板的實施例中，由於第二金屬線108A的材料光學密度(optical density，OD)比起樹脂所製成之黑色矩陣的材料光學密度高，所以膜厚度(例如厚度H2)夠小可維持彩色色阻112的良好平坦性，而避免了解析度不良的問題。

請參照第14A圖，形成保護層114於彩色色阻112及第二金屬線108A上，保護層114填入各彩色色阻112之間的間隔GP中，且填入各第二金屬線108A之間。於其他實施例中，還形成導電圖案116(見第14B圖)於第二金屬線108A上，導電圖案116填入各彩色色阻112之間的間隔GP中，且填入各第二金屬線108A之間。

第一金屬線102A及第二金屬線108A連接共用電位(VCOM)。舉例而言，第一金屬線102A及第二金屬線108A可透過導電圖案116連接至共用電位。第一金屬線102A接觸第二金屬線108A，因此兩者可共同作為共用電極，使共用電位之電場更為均勻，提升線路穩定性。於本實施例中，第一金屬線102A及第二金屬線108A的電阻低於氧化銦錫（Indium-Tin Oxide，ITO）的電阻，因此可以降低共用電位的阻值，在顯示面板10是大尺寸顯示面板的實施例中，可避免共用電極(即第一金屬線102A、第二金屬線108A)的面積增加所造成的共用電極阻值大幅提高的問題。且由於消耗功率正比於電阻，因此可降低顯示面板10的消耗功率。進一步而言，顯示面板10的響應頻率反比於電容時間常數(τ=RC)，第一金屬線102A及第二金屬線108A降低共用電位的阻值及電容值，如此一來，可提升顯示面板10的響應頻率及響應速度。

請參照第15圖，接著，將偏光基板12與陣列基板14對組，並形成顯示介質16於陣列基板14及偏光基板12之間。於此，便完成了顯示面板10。

為了清楚說明，第16圖繪示了陣列基板14的部分構件的立體示意圖。請一併參考第15圖及第16圖，陣列基板14包括依序設置於基底200上的多條第三金屬線202及薄膜電晶體T。薄膜電晶體T包括依序設置於基底200上的閘極GE、閘極絕緣層GI、半導體層SC、源極SE與汲極DE。汲極DE透過走線132連接至外部電路。於本實施例中，第三金屬線202沿著第二方向D2以第三間距P3排列且互相平行。第三金屬線202實質上平行於第一方向D1。第三金屬線202的分布面積大於顯示面板10的顯示區AA(見第1圖)的面積，舉例而言，第三金屬線202分布於顯示區AA且分布於非顯示區NA(見第1圖)，且第三金屬線202連接共用電位(VCOM)，可作為共用電極。於本實施例中，第三金屬線202亦作為下偏光片使用。舉例而言，第三金屬線202和第一金屬線102A相交，因此，S波會被第三金屬線202反射，使顯示面板10的最終穿透光帶有S波回收(recycle)的效益。

第17圖是依照本發明另一實施例的顯示面板10a的剖面示意圖。第17圖的顯示面板10a和第15圖的顯示面板10的主要差異在於，彩色色阻112配置於基板100及第一金屬線102A之間。各彩色色阻112之間具有黑色矩陣BM，顯示面板10a還包括絕緣層120，絕緣層120位於彩色色阻112及第一金屬線102A之間。

第18圖是依照本發明另一實施例的顯示面板10b的剖面示意圖。第18圖的顯示面板10b和第17圖的顯示面板10的主要差異在於，彩色色阻112及第一金屬線102A、第二金屬線108A分別位於基板100的相異側。各彩色色阻112之間具有黑色矩陣BM。顯示面板10b還包括絕緣層120，絕緣層120覆蓋彩色色阻112。

第19圖及第20A圖是依照本發明另一實施例的顯示面板20的製造流程的剖面示意圖。第20B圖是第20A圖的立體示意圖。第21圖及第22圖是依照本發明另一實施例的顯示面板20的製造流程的立體示意圖。第23A圖及第23B圖是依照本發明另一實施例的顯示面板20的剖面示意圖。在此必須說明的是，第19圖至第23B圖的實施例沿用第1圖至第16圖的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明，關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

請參照第19圖，依序整面地形成反射層122及第一金屬層102於基板100上，也就是說，第一金屬層102形成於反射層122上。

請參照第20A圖及第20B圖，對反射層122及第一金屬層102進行奈米壓印製程N3，以形成多條反射線122A及多條第一金屬線102A於基板100上。反射線122A實質上平行於第一金屬線102A，且反射線122A的反射率低於第一金屬線102A的反射率。舉例而言，反射線122A的材料為鎳(Ni)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、上述材料之氧化物、上述材料組成之合金或者是上述材料組成之合金之氧化物。舉例而言，反射線122A的材料可包括鉬氧鉭(MoO _xTa)。於反射線122A的材料包括鉬氧鉭的實施例中，反射線122A的厚度H3為50奈米至250奈米，例如為75奈米，反射線122A的反射率為12.7%至13.1%，例如為12.9%。於本實施例中，第一金屬線102A及反射線122A的厚度總和(即厚度H1和厚度H3的總和)為100奈米至500奈米。藉由採用反射線122A，可降低反射率，而增加顯示面板20的對比，使顯示面板20可運用於大尺寸高解析度顯示器。

請參照第21圖，形成多條第二金屬線108A於第一金屬線102A上，第二金屬線108A的形成方法如前所述，故於此不再贅述。於此，便形成了偏光基板22。

請參照第22圖，形成彩色色阻112於第一金屬線102A及第二金屬線108A上，彩色色阻112的形成方法如前所述，故於此不再贅述。

請參照第23A圖，形成保護層114於彩色色阻112及第二金屬線108A上，保護層114填入各彩色色阻112之間的間隔GP中，且填入各第二金屬線108A之間。於其他實施例中，還形成導電圖案116(見第23B圖)於第二金屬線108A上，導電圖案116填入各彩色色阻112之間的間隔GP中，且填入各第二金屬線108A之間。

請參照第24圖，接著，將偏光基板22與陣列基板14對組，並形成顯示介質16於陣列基板14及偏光基板22之間。於此，便完成了顯示面板20。

第25圖是依照本發明另一實施例的顯示面板20a的剖面示意圖。第25圖的顯示面板20a和第24圖的顯示面板20的主要差異在於，彩色色阻112配置於基板100及第一金屬線102A之間。各彩色色阻112之間具有黑色矩陣BM，顯示面板20a還包括絕緣層120，絕緣層120位於彩色色阻112及第一金屬線102A之間。

第26圖是依照本發明另一實施例的顯示面板20b的剖面示意圖。第26圖的顯示面板20b和第24圖的顯示面板20的主要差異在於，彩色色阻112及第一金屬線102A、第二金屬線108A分別位於基板100的相異側。各彩色色阻112之間具有黑色矩陣BM。顯示面板20b還包括絕緣層120，絕緣層120覆蓋彩色色阻112。

第27圖至第41圖是依照本發明另一實施例的顯示面板30的製造方法的剖面示意圖。第31B圖是第31A圖的立體示意圖，第38B圖是第38A圖的立體示意圖，第39B圖是第39A圖的立體示意圖。在此必須說明的是，第27圖至第41圖的實施例沿用第1圖至第16圖的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明，關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

請先參照第27圖，形成第一金屬層102於基板100上。於本實施例中，第一金屬層102是全面地形成於基板100上。

請參照第28圖，全面地形成硬遮罩層104於第一金屬層102上。硬遮罩層104的材料可包括氧化矽(SiO _x)。硬遮罩層104可提升第一金屬線102A(見第31A圖及第31B圖)的結構深度，藉此提高顯示面板30之消光比。

請參照第29圖，全面地形成光阻材料層106於第一金屬層102上。

請參照第30圖，接著，對光阻材料層106進行奈米壓印製程N3，以形成圖案化光阻層106A於硬遮罩層104上。

請參照第31A及第31B圖，接著，以圖案化光阻層106A為罩幕蝕刻硬遮罩層104及第一金屬層102，以形成多條第一金屬線102A於基板100上，並移除圖案化光阻層106A。第一金屬線102A以第一間距P1排列且互相平行。第一金屬線102A實質上平行於第二方向D2。於本實施例中，第一間距P1為500埃(Å)至3000埃(Å)。舉例而言，第一金屬線102A具有相對的第一側壁SW1及第二側壁SW2，此處的第一間距P1指的是二條相鄰的第一金屬線102A的第一側壁SW1之間的沿著第一方向D1的距離。於本實施例中，二條相鄰的第一金屬線102A之間的最短距離S1和第一間距P1之間的比值為0至0.9。此處的二條相鄰的第一金屬線102A之間的最短距離S1指的是二條相鄰的第一金屬線102A的互相面對的第一側壁SW1及第二側壁SW2之間的距離。於本實施例中，第一金屬線102A的厚度H1為500埃(Å)至5000埃(Å)。

第一金屬線102A的分布寬度W3(即第一金屬線102A之最外側者之間的距離)為1微米至3微米。舉例而言，分布寬度W3為2微米。分布寬度W3是由奈米壓印製程N3所控制，因此可控制第一金屬線102A的分布寬度W3足夠小，可避免影響顯示面板30的開口率。

請參照第32圖，接著，形成保護層(over coating layer)124於基板100及第一金屬線102A上，且保護層124填入兩相鄰的第一金屬線102A之間的間隙中並覆蓋各第一金屬線102A的頂面。

請參照第33圖，接著，形成圖案化光阻層126於保護層124上。圖案化光阻層126具有開口圖案OP3，開口圖案OP3在基板100的正投影重疊於第一金屬線102A在基板100的正投影。

請參照第34圖，接著，以圖案化光阻層126為罩幕對保護層124進行過蝕刻製程，藉此完全地移除位於第一金屬線102A上的保護層124，以露出第一金屬線102A的頂面，以確保之後要形成的第二金屬線(見第38A圖及第38B圖)可與第一金屬線102A接觸。

請參照第35圖，形成第二金屬層108於保護層124及第一金屬線102A上，使第二金屬層108接觸各第一金屬線102A的頂面。形成第二金屬層108的方法例如可使用濺鍍法(sputtering)。

請參照第36圖，全面地形成硬遮罩層128於第二金屬層108上。硬遮罩層128用於提升二金屬線108A(見第38A圖及第38B圖)的結構深度，以提高顯示面板30之消光比。

請參照第37圖，形成圖案化光阻層130於硬遮罩層128上。圖案化光阻層130可藉由先整面地形成光阻材料於硬遮罩層128上，接著對光阻材料進行奈米壓印製程所形成。

請參照第38A圖及第38B圖，接著，以圖案化光阻層130為罩幕蝕刻硬遮罩層128及第二金屬層108，以形成多條第二金屬線108A於基板100上，並移除圖案化光阻層130，於此，便完成了偏光基板32。各第二金屬線108A接觸並相交於每一條第一金屬線102A。其中第二金屬線108A彼此隔開且互相平行。由於可見光穿過第一金屬線102A後，垂直於第一金屬線102A方向的偏振光會因金屬表面電漿共振而得以穿透，平行於第一金屬線102A方向的偏振光會被排斥回射，達到P波(TM波)與S波(TE波)分離，因此可達到偏光的效果。而到達第二金屬線108A的偏振光又會因為平行於第二金屬線108而被排斥回射而無法穿透第二金屬線108，進而達到偏光及遮蔽光線的效果。

舉例而言，第二金屬線108A以第二間距P2排列且互相平行。第二金屬線108A實質上平行於第二方向D2。換言之，各第二金屬線108A垂直於各第一金屬線102A。於本實施例中，第二間距P2為500埃(Å)至3000埃(Å)。第二金屬線108A具有相對的第三側壁SW3及第四側壁SW4，此處的第二間距P2指的是二條相鄰的第二金屬線108A的各第三側壁SW3之間的沿著第二方向D2的距離。於本實施例中，二條相鄰的第二金屬線108A之間的最短距離S2和第二間距P2之間的比值為0.3至0.7。此處的二條相鄰的第二金屬線108A之間的最短距離S2指的是二條相鄰的第二金屬線108A的互相面對的第三側壁SW3及第四側壁SW4之間的距離。於本實施例中，第二金屬線108A的厚度H2為500埃(Å)至5000埃(Å)。

第二金屬線108A的分布寬度W4大於第一金屬線102A的分布寬度W3。換言之，第二金屬線108A之最外側者之間的距離大於第一金屬線102A之最外側者之間的距離。

請參照第39A及第39B圖，形成多個彩色色阻112於第二金屬線108A上，各彩色色阻112彼此隔開。換言之，各彩色色阻112之間具有間隔GP。彩色色阻112重疊於各第二金屬線108A，各第二金屬線108A的一部分透過彩色色阻112露出。第一金屬線102A中的至少兩條位於各彩色色阻112之間的間隔GP中。換言之，第一金屬線102A中的至少兩條在基板100的正投影重疊於彩色色阻112在基板100的正投影。

請參照第40A圖，形成保護層114於彩色色阻112及第二金屬線108A上，保護層114填入各彩色色阻112之間的間隔GP中，且填入各第二金屬線108A之間。於其他實施例中，還形成導電圖案116(見第40B圖)於第二金屬線108A上，導電圖案116填入各彩色色阻112之間的間隔GP中，且填入各第二金屬線108A之間。

請參照第41圖，接著，將偏光基板32與陣列基板14對組，並形成顯示介質16於陣列基板14及偏光基板32之間。於此，便完成了顯示面板30。

第42圖是依照本發明另一實施例的顯示面板30a的剖面示意圖。第42圖的顯示面板30a和第41圖的顯示面板30的主要差異在於，彩色色阻112配置於基板100及第一金屬線102A之間。各彩色色阻112之間具有黑色矩陣BM，顯示面板30a還包括絕緣層120，絕緣層120位於彩色色阻112及第一金屬線102A之間。

第43圖是依照本發明另一實施例的顯示面板30b的剖面示意圖。第43圖的顯示面板30b和第41圖的顯示面板30b的主要差異在於，彩色色阻112及第一金屬線102A、第二金屬線108A分別位於基板100的相異側。各彩色色阻112之間具有黑色矩陣BM。顯示面板30b還包括絕緣層120，絕緣層120覆蓋彩色色阻112。

第44圖至第50圖是依照本發明依實施例之顯示面板40的製造方法的部分的剖面示意圖及立體示意圖，其中第45B圖是第45A圖的立體示意圖。在此必須說明的是，第44圖至第50圖的實施例沿用第1圖至第13圖的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明，關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

請參照第44圖，依序整面地形成反射層122及第一金屬層102於基板100上，也就是說，第一金屬層102形成於反射層122上。

請參照第45A圖及第45B圖，進行奈米壓印製程N4，以形成多條反射線122A及多條第一金屬線102A於基板100上。

請參照第46圖，形成保護層124於基板100上，保護層124位於第一金屬線102A之二側。

請參照第47圖，形成多條第二金屬線108A於保護層124及第一金屬線102A上。各第二金屬線108A接觸並相交於每一條第一金屬線102A。於此，便完成了偏光基板42。

請參照第48圖，形成彩色色阻112於第二金屬線108A上。

請參照第49A圖，形成保護層114於彩色色阻112及第二金屬線108A上，保護層114填入各彩色色阻112之間的間隔GP中，且填入各第二金屬線108A之間。於其他實施例中，還形成導電圖案116(見第49B圖)於第二金屬線108A上，導電圖案116填入各彩色色阻112之間的間隔GP中，且填入各第二金屬線108A之間。

請參照第50圖，接著，將偏光基板42與陣列基板14對組，並形成顯示介質16於陣列基板14及偏光基板42之間。於此，便完成了顯示面板40。

第51圖是依照本發明另一實施例的顯示面板40a的剖面示意圖。第51圖的顯示面板40a和第50圖的顯示面板40的主要差異在於，彩色色阻112配置於基板100及第一金屬線102A之間。各彩色色阻112之間具有黑色矩陣BM，顯示面板40a還包括絕緣層120，絕緣層120位於彩色色阻112及第一金屬線102A之間。

第52圖是依照本發明另一實施例的顯示面板40b的剖面示意圖。第52圖的顯示面板40b和第51圖的顯示面板40的主要差異在於，彩色色阻112及第一金屬線102A、第二金屬線108A分別位於基板100的相異側。各彩色色阻112之間具有黑色矩陣BM。顯示面板30b還包括絕緣層120，絕緣層120覆蓋彩色色阻112。

綜上所述，在本發明一實施例的偏光基板中，由於第一金屬線以第一間距排列且互相平行。第二金屬線位於第一金屬線上，第二金屬線以第二間距排列且互相平行，且第二金屬線接觸並相交於一部分的第一金屬線。可見光穿過第一金屬線後，垂直於第一金屬線方向的偏振光會因金屬表面電漿共振而得以穿透，平行於第一金屬線方向的偏振光會被排斥回射，達到P波(TM波)與S波(TE波)分離。而到達第二金屬線的偏振光又會因為平行於第二金屬線而被排斥回射，進而達到偏光及遮蔽光線的效果。在本發明一實施例的顯示面板及其製造方法中，第一金屬線接觸第二金屬線，因此兩者可共同作為共用電極。在顯示面板是大尺寸顯示面板的實施例中，可避免共用電極(即第一金屬線、第二金屬線)的面積增加所造成的共用電極阻值大幅提高的問題，且由於消耗功率正比於電阻，因此可降低顯示面板的消耗功率。

10,10a,10b:顯示面板

12:偏光基板

14:陣列基板

16:顯示介質

20,20a,20b:顯示面板

22:偏光基板

30,30a,30b:顯示面板

32:偏光基板

40,40a,40b:顯示面板

42:偏光基板

100:基板

102:第一金屬層

102A:第一金屬線

104:硬遮罩層

104A:圖案化硬遮罩層

106:光阻材料層

106A:圖案化光阻層

108:第二金屬層

108A:第二金屬線

110:光阻材料層

110A:圖案化光阻層

112:彩色色阻

114:保護層

116:導電圖案

120:絕緣層

122:反射層

122A:反射線

124:保護層

126:圖案化光阻層

128:硬遮罩層

130:圖案化光阻層

132:走線

200:基底

202:第三金屬線

AA:顯示區

BM:黑色矩陣

D1:第一方向

D2:第二方向

DE:汲極

E1,E2:蝕刻製程

ED1:曝光顯影製程

GE:閘極

GI:閘極絕緣層

GP:間隔

H1,H2,H3:厚度

I-I’:剖線

N1,N2,N3,N4:奈米壓印製程

NA:非顯示區

OP1,OP2,OP3:開口圖案

P1:第一間距

P2:第二間距

PX:畫素單元

S1,S2:最短距離

SC:半導體層

SE:源極

SW1:第一側壁

SW2:第二側壁

SW3:第三側壁

SW4:第四側壁

T:薄膜電晶體

W1,W2,W3,W4:分布寬度

閱讀以下詳細敘述並搭配對應之圖式，可了解本揭露之多個樣態。需留意的是，圖式中的多個特徵並未依照該業界領域之標準作法繪製實際比例。事實上，所述之特徵的尺寸可以任意的增加或減少以利於討論的清晰性。 第1圖是依照本發明一實施例的顯示面板的俯視示意圖。 第2圖繪示沿著第1圖的剖線I-I’的製造流程的剖面示意圖。 第3A圖繪示沿著第1圖的剖線I-I’的製造流程的剖面示意圖。 第3B圖是第3A圖的立體示意圖。 第4圖至第11A圖繪示沿著第1圖的剖線I-I’的製造流程的剖面示意圖。 第11B圖是第11A圖的立體示意圖。 第12A圖繪示沿著第1圖的剖線I-I’的製造流程的剖面示意圖。 第12B圖是第12A圖的立體示意圖。 第13A圖繪示沿著第1圖的剖線I-I’的製造流程的剖面示意圖。 第13B圖是第13A圖的立體示意圖。 第14A圖、第14B圖及第15圖繪示沿著第1圖的剖線I-I’的製造流程的剖面示意圖。 第16圖是陣列基板的部分構件的立體示意圖。 第17圖是依照本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。 第18圖是依照本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。 第19圖及第20A圖是依照本發明另一實施例的顯示面板的製造流程的剖面示意圖。 第20B圖是第20A圖的立體示意圖。 第21圖及第22圖是依照本發明另一實施例的顯示面板的製造流程的立體示意圖。 第23A圖至第26圖是依照本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。 第27圖至第31A圖是依照本發明另一實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。 第31B圖是第31A圖的立體示意圖。 第32圖至第38A圖是依照本發明另一實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。 第38B圖是第38A圖的立體示意圖。 第39A圖是依照本發明另一實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。 第39B圖是第39A圖的立體示意圖。 第40A圖及第40B圖是依照本發明另一實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。 第41圖至第43圖是依照本發明另一實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。 第44圖及第45A圖是依照本發明另一實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。 第45B圖是第45A圖的立體示意圖。 第46圖至第48圖是依照本發明另一實施例的顯示面板的製造方法的立體示意圖。 第49A圖及第49B圖是依照本發明另一實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。 第50圖至第52圖是依照本發明另一實施例的顯示面板的製造方法的剖面示意圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

12:偏光基板

100:基板

102A:第一金屬線

108A:第二金屬線

D1:第一方向

D2:第二方向

Claims (10)

1. 一種偏光基板，包括：一基板；多條第一金屬線，位於該基板上，其中該些第一金屬線以一第一間距排列且互相平行；以及多條第二金屬線，位於該些第一金屬線上，其中該些第二金屬線以一第二間距排列且互相平行，且該些第二金屬線接觸並垂直於一部分的該些第一金屬線。
2. 如請求項1所述之偏光基板，其中該第一間距為500埃(Å)至3000埃(Å)。
3. 如請求項1所述之偏光基板，其中該第二間距為500埃(Å)至3000埃(Å)。
4. 如請求項1所述之偏光基板，進一步包括：多條反射線，位於該基板及該些第一金屬線之間，其中該些反射線的反射率低於該些第一金屬線的反射率。
5. 如請求項1所述之偏光基板，其中該些第二金屬線之最外側者之間的距離為1微米至3微米。
6. 一種顯示面板，包括：如請求項1至5任一項中所述之偏光基板； 一陣列基板，包括一基底及位於該基底上的一畫素陣列；以及一顯示介質，位於該偏光基板及該陣列基板之間。
7. 如請求項6所述之顯示面板，還包括：多個彩色色阻，重疊於各該第一金屬線，其中該些第二金屬線中的至少兩條位於各該彩色色阻之間。
8. 一種顯示面板的製造方法，包括：形成多條第一金屬線於一基板上，其中該些第一金屬線彼此隔開且互相平行；形成一圖案化硬遮罩層於該些第一金屬線上，並露出一部分的該些第一金屬線；形成多條第二金屬線於該些第一金屬線上，其中該些第二金屬線彼此隔開且互相平行，且該些第二金屬線接觸並相交於該部分的該些第一金屬線；以及將該基板與一陣列基板對組。
9. 如請求項8所述之方法，還包括：在形成該些第一金屬線之前，形成多條反射線於該基板上，其中該些反射線實質上平行於該些第一金屬線，且該些反射線的反射率低於該些第一金屬線的反射率；以及形成一顯示介質於該陣列基板及該基板之間。
10. 如請求項8所述之方法，其中形成該圖案化硬遮罩層於該些第一金屬線上時，該圖案化硬遮罩層填入相鄰二條該些第一金屬線之間。

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