CN112817081A - 偏光基板、显示面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

偏光基板包括基板、多条第一金属线以及多条第二金属线。第一金属线位于基板上，第一金属线以第一间距排列且互相平行。第二金属线位于第一金属线上，第二金属线以第二间距排列且互相平行，且第二金属线接触并相交于一部分的第一金属线。

Description

偏光基板、显示面板及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种偏光基板、显示面板及其制造方法。

背景技术

为了达到更高层次的画质表现，显示器朝向高解析度发展并受到广泛的应用。举例而言，可应用于电竞面板。解析度越高的显示器，其线路网越密集，使开口率越低，进而降低了光穿透效能。以8K显示器为例，其相较于2K显示器，开口率从70％降至44％。且解析度越高的显示器，其线路可用宽度也将越来越窄，导致线路阻抗增加，显示器的耗电量也将不断攀高，并使响应速度变慢。对于追求高响应速度的电竞面板而言，实为一项必须面对的重要课题。

发明内容

本发明提供一种偏光基板，其具有偏光及遮蔽光线的效果。

本发明的偏光基板包括基板、多条第一金属线以及多条第二金属线。第一金属线位于基板上，第一金属线以第一间距排列且互相平行。第二金属线位于第一金属线上，第二金属线以第二间距排列且互相平行，且第二金属线接触并相交于一部分的第一金属线。

基于上述，由于可见光穿过第一金属线后，垂直于第一金属线方向的偏振光会因金属表面等离子体共振而得以穿透，平行于第一金属线方向的偏振光会被排斥回射，达到P波(TM波)与S波(TE波)分离，因此可达到偏光的效果。而到达第二金属线的偏振光又会因为平行于第二金属线而被排斥回射而无法穿透第二金属线，进而达到偏光及遮蔽光线的效果。

本发明提供一种显示面板，其可降低共用电位的阻值。

本发明提供一种显示面板的制造方法，其可降低共用电位的阻值。

本发明的显示面板包括如前所述的偏光基板、阵列基板及显示介质。阵列基板包括基底及位于基底上的像素阵列。显示介质位于偏光基板及阵列基板之间。

本发明的显示面板的制造方法包括以下步骤。形成多条第一金属线于基板上，其中第一金属线彼此隔开且互相平行。形成图案化硬遮罩层于第一金属线上，并露出一部分的第一金属线。形成多条第二金属线于第一金属线上，其中第二金属线彼此隔开且互相平行，且第二金属线接触并相交于此部分的第一金属线。将基板与阵列基板对组。

基于上述，第一金属线及第二金属线连接共用电位(VCOM)。第一金属线接触第二金属线，因此两者可共同作为共用电极。在显示面板是大尺寸显示面板的实施例中，可避免共用电极(即第一金属线、第二金属线)的面积增加所造成的共用电极阻值大幅提高的问题。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

阅读以下详细叙述并搭配对应的附图，可了解本揭露的多个样态。需留意的是，附图中的多个特征并未依照该业界领域的标准作法绘制实际比例。事实上，所述的特征的尺寸可以任意的增加或减少以利于讨论的清晰性。

图1是依照本发明一实施例的显示面板的俯视示意图。

图2是沿着图1的剖线I-I’的制造流程的剖面示意图。

图3A是沿着图1的剖线I-I’的制造流程的剖面示意图。

图3B是图3A的立体示意图。

图4至图11A是沿着图1的剖线I-I’的制造流程的剖面示意图。

图11B是图11A的立体示意图。

图12A是沿着图1的剖线I-I’的制造流程的剖面示意图。

图12B是图12A的立体示意图。

图13A是沿着图1的剖线I-I’的制造流程的剖面示意图。

图13B是图13A的立体示意图。

图14A、图14B及图15是沿着图1的剖线I-I’的制造流程的剖面示意图。

图16是阵列基板的部分构件的立体示意图。

图17是依照本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。

图18是依照本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。

图19及图20A是依照本发明另一实施例的显示面板的制造流程的剖面示意图。

图20B是图20A的立体示意图。

图21及图22是依照本发明另一实施例的显示面板的制造流程的立体示意图。

图23A至图26是依照本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。

图27至图31A是依照本发明另一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图。

图31B是图31A的立体示意图。

图32至图38A是依照本发明另一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图。

图38B是图38A的立体示意图。

图39A是依照本发明另一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图。

图39B是图39A的立体示意图。

图40A及图40B是依照本发明另一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图。

图41至图43是依照本发明另一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图。

图44及图45A是依照本发明另一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图。

图45B是图45A的立体示意图。

图46至图48是依照本发明另一实施例的显示面板的制造方法的立体示意图。

图49A及图49B是依照本发明另一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图。

图50至图52是依照本发明另一实施例的显示面板的制造方法的剖面示意图。

其中，附图标记：

10,10a,10b:显示面板

12:偏光基板

14:阵列基板

16:显示介质

20,20a,20b:显示面板

22:偏光基板

30,30a,30b:显示面板

32:偏光基板

40,40a,40b:显示面板

42:偏光基板

100:基板

102:第一金属层

102A:第一金属线

104:硬遮罩层

104A:图案化硬遮罩层

106:光阻材料层

106A:图案化光阻层

108:第二金属层

108A:第二金属线

110:光阻材料层

110A:图案化光阻层

112:彩色色阻

114:保护层

116:导电图案

120:绝缘层

122:反射层

122A:反射线

124:保护层

126:图案化光阻层

128:硬遮罩层

130:图案化光阻层

132:走线

200:基底

202:第三金属线

AA:显示区

BM:黑色矩阵

D1:第一方向

D2:第二方向

DE:漏极

E1,E2:蚀刻制程

ED1:曝光显影制程

GE:栅极

GI:栅极绝缘层

GP:间隔

H1,H2,H3:厚度

I-I’:剖线

N1,N2,N3,N4:纳米压印制程

NA:非显示区

OP1,OP2,OP3:开口图案

P1:第一间距

P2:第二间距

PX:像素单元

S1,S2:最短距离

SC:半导体层

SE:源极

SW1:第一侧壁

SW2:第二侧壁

SW3:第三侧壁

SW4:第四侧壁

T:薄膜晶体管

W1,W2,W3,W4:分布宽度

具体实施方式

下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：

图1是依照本发明一实施例的显示面板10的俯视示意图。显示面板10包括显示区AA及非显示区NA，非显示区NA环绕显示区AA。显示面板10具有多个像素单元PX，各像素单元PX呈阵列排列于显示区AA中。图中的像素单元PX的数量仅为示意，而非用以限制本发明。图2、图3A、图4至图11A、图12A、图13A、图14A、图14B及图15绘示沿着图1的剖线I-I’的制造流程的剖面示意图。图3B是图3A的立体示意图，图11B是图11A的立体示意图，图12B是图12A的立体示意图，图13B是图13A的立体示意图。请先参照图2，形成第一金属层102于基板100上。于本实施例中，第一金属层102是全面地形成于基板100上。第一金属层102的电阻低于氧化铟锡(Indium-Tin Oxide，ITO)的电阻。举例而言，第一金属层102包括铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铬(Cr)、钢(Fe)、镍(Ni)及其组合。

接着，请参照图3A及图3B，进行纳米压印制程N1，以形成多条第一金属线102A于基板100上。为了清楚说明，图3B中绘示了第一方向D1及第二方向D2。于本实施例中，第一方向D1和第二方向D2相交。举例而言，第一方向D1和第二方向D2垂直。第一金属线102A沿着第一方向D1以第一间距P1排列且互相平行。第一金属线102A实质上平行于第二方向D2。于本实施例中，第一间距P1为

至

第一金属线102A具有相对的第一侧壁SW1及第二侧壁SW2，此处的第一间距P1指的是二条相邻的第一金属线102A的各第一侧壁SW1之间的沿着第一方向D1的距离。于本实施例中，二条相邻的第一金属线102A之间的最短距离S1和第一间距P1之间的比值为0.3至0.7。此处的二条相邻的第一金属线102A之间的最短距离S1指的是二条相邻的第一金属线102A的互相面对的第一侧壁SW1及第二侧壁SW2之间的距离。于本实施例中，第一金属线102A的厚度H1为

至

接着，请参照图4，全面地形成硬遮罩层104于第一金属线102A上。硬遮罩层104的材料可包括氧化硅(SiO_x)。

请参照第5图，全面地形成光阻材料层106于硬遮罩层104上。光阻材料层106与硬遮罩层104完全重叠。

请参照第6图，进行曝光显影制程ED1，以形成图案化光阻层106A，图案化光阻层106A具有开口图案OP1。

请参照第7图，以图案化光阻层106A为罩幕对硬遮罩层104进行蚀刻制程E1，以形成图案化硬遮罩层104A于第一金属线102A上，并露出一部分的第一金属线102A。举例而言，图案化硬遮罩层104A具有开口图案OP2对应开口图案OP1(见第5图)，而一部分的第一金属线102A通过图案化硬遮罩层104A中的开口图案OP2露出。蚀刻制程E1为过蚀刻制程，藉此完全地移除位于开口图案OP2的第一金属线102A上的硬遮罩层104，以露出第一金属线102A的顶面，以确保之后要形成的第二金属线(见图11A及图11B)可与第一金属线102A接触。

请参照第8图，全面地形成第二金属层108于图案化硬遮罩层104A及第一金属线102A上，且一部分的第二金属层108接触一部分的第一金属线102A。举例而言，一部分的第二金属层108自图案化硬遮罩层104A的顶面延伸至并填满图案化硬遮罩层104A的开口图案OP2，并通过图案化硬遮罩层104A中的开口图案OP2接触一部分的第一金属线102A。第二金属层108的材料为低电阻材料，且第二金属层108的电阻低于氧化铟锡(Indium-Tin Oxide，ITO)的电阻。举例而言，第二金属层108的材料包括铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铬(Cr)、钢(Fe)、镍(Ni)及其组合。

于本实施例中，硬遮罩层104的沉积(见图4)、蚀刻制程E1(见第7图)以及形成第二金属层108的制程顺序不可调换，由于硬遮罩层104的材料为氧化硅，可通过硬遮罩层104与第一金属线102A的高蚀刻比，有效防止第一金属线102A在蚀刻制程E1中遭到破坏。

请参照第9图，全面地形成光阻材料层110于第二金属层108上。光阻材料层110与第二金属层108完全重叠。

请参照第10图，进行纳米压印制程N2，以形成图案化光阻层110A。于本实施例中，图案化光阻层110A沿着第二方向D2间隔地排列。

请参照图11A及图11B，以图案化光阻层110A为罩幕对第二金属层108进行蚀刻制程E2，以形成多条第二金属线108A于第一金属线102A上，其中第二金属线108A彼此隔开且互相平行，且第二金属线108A接触并相交于一部分的第一金属线102A。由于可见光穿过第一金属线102A后，垂直于第一金属线102A方向的偏振光会因金属表面等离子体共振而得以穿透，平行于第一金属线102A方向的偏振光会被排斥回射，达到P波(TM波)与S波(TE波)分离，因此可达到偏光的效果。而到达第二金属线108A的偏振光又会因为平行于第二金属线108而被排斥回射而无法穿透第二金属线108，进而达到遮蔽光线的效果。

举例而言，第二金属线108A以第二间距P2排列且互相平行。第二金属线108A实质上平行于第一方向D1。换言之，各第二金属线108A垂直于各第一金属线102A。于本实施例中，第二间距P2为

至

第二金属线108A具有相对的第三侧壁SW3及第四侧壁SW4，此处的第二间距P2指的是二条相邻的第二金属线108A的各第三侧壁SW3之间的沿着第二方向D2的距离。于本实施例中，二条相邻的第二金属线108A之间的最短距离S2和第二间距P2之间的比值为0至0.9。此处的二条相邻的第二金属线108A之间的最短距离S2指的是二条相邻的第二金属线108A的互相面对的第三侧壁SW3及第四侧壁SW4之间的距离。于本实施例中，第二金属线108A的厚度H2为

至

第二金属线108A的分布宽度W2小于第一金属线102A的分布宽度W1。换言之，第二金属线108A之最外侧者之间的距离小于第一金属线102A的最外侧者之间的距离。于本实施例中，第二金属线108A的最外侧者之间的距离为1微米至3微米。举例而言，第二金属线108A的最外侧者之间的距离为2微米。

请参照图12A及图12B，移除图案化硬遮罩层104A，以露出第一金属线102A。于此，便完成了偏光基板12。

请一并参照图13A及图13B，形成多个彩色色阻112于第一金属线102A及第二金属线108A上，各彩色色阻112彼此隔开。换言之，各彩色色阻112之间具有间隔GP。彩色色阻112重叠于各第一金属线102A，且第二金属线108A中的至少两条位于各彩色色阻112之间的间隔GP中，使得此至少两条第二金属线108A通过间隔GP露出，达到遮蔽各彩色色阻112之间(例如间隔GP)的光线的功能。

如前所述，由于可见光穿过第一金属线102A后，垂直于第一金属线102A方向的偏振光会因金属表面等离子体共振而得以穿透，接着通过各彩色色阻112，达到显示彩色画面的效果，而到达第二金属线108A的偏振光会因为平行于第二金属线108A而被排斥回射，而达到遮蔽光线的效果。第二金属线108A的分布宽度W1是由曝光显影制程ED1(见第5图)所控制，因此可控制第二金属线108A的分布宽度W1足够小，可避免影响显示面板10的开口率。在显示面板10是高解析度显示面板的实施例中，由于第二金属线108A的材料光学密度(optical density，OD)比起树脂所制成的黑色矩阵的材料光学密度高，所以膜厚度(例如厚度H2)够小可维持彩色色阻112的良好平坦性，而避免了解析度不良的问题。

请参照图14A，形成保护层114于彩色色阻112及第二金属线108A上，保护层114填入各彩色色阻112之间的间隔GP中，且填入各第二金属线108A之间。于其他实施例中，还形成导电图案116(见图14B)于第二金属线108A上，导电图案116填入各彩色色阻112之间的间隔GP中，且填入各第二金属线108A之间。

第一金属线102A及第二金属线108A连接共用电位(VCOM)。举例而言，第一金属线102A及第二金属线108A可通过导电图案116连接至共用电位。第一金属线102A接触第二金属线108A，因此两者可共同作为共用电极，使共用电位之电场更为均匀，提升线路稳定性。于本实施例中，第一金属线102A及第二金属线108A的电阻低于氧化铟锡(Indium-TinOxide，ITO)的电阻，因此可以降低共用电位的阻值，在显示面板10是大尺寸显示面板的实施例中，可避免共用电极(即第一金属线102A、第二金属线108A)的面积增加所造成的共用电极阻值大幅提高的问题。且由于消耗功率正比于电阻，因此可降低显示面板10的消耗功率。进一步而言，显示面板10的响应频率反比于电容时间常数(τ＝RC)，第一金属线102A及第二金属线108A降低共用电位的阻值及电容值，如此一来，可提升显示面板10的响应频率及响应速度。

请参照图15，接着，将偏光基板12与阵列基板14对组，并形成显示介质16于阵列基板14及偏光基板12之间。于此，便完成了显示面板10。

为了清楚说明，图16绘示了阵列基板14的部分构件的立体示意图。请一并参考图15及图16，阵列基板14包括依序设置于基底200上的多条第三金属线202及薄膜晶体管T。薄膜晶体管T包括依序设置于基底200上的栅极GE、栅极绝缘层GI、半导体层SC、源极SE与漏极DE。漏极DE通过走线132连接至外部电路。于本实施例中，第三金属线202沿着第二方向D2以第三间距P3排列且互相平行。第三金属线202实质上平行于第一方向D1。第三金属线202的分布面积大于显示面板10的显示区AA(见图1)的面积，举例而言，第三金属线202分布于显示区AA且分布于非显示区NA(见图1)，且第三金属线202连接共用电位(VCOM)，可作为共用电极。于本实施例中，第三金属线202亦作为下偏光片使用。举例而言，第三金属线202和第一金属线102A相交，因此，S波会被第三金属线202反射，使显示面板10的最终穿透光带有S波回收(recycle)的效益。

图17是依照本发明另一实施例的显示面板10a的剖面示意图。图17的显示面板10a和图15的显示面板10的主要差异在于，彩色色阻112配置于基板100及第一金属线102A之间。各彩色色阻112之间具有黑色矩阵BM，显示面板10a还包括绝缘层120，绝缘层120位于彩色色阻112及第一金属线102A之间。

图18是依照本发明另一实施例的显示面板10b的剖面示意图。图18的显示面板10b和图17的显示面板10的主要差异在于，彩色色阻112及第一金属线102A、第二金属线108A分别位于基板100的相异侧。各彩色色阻112之间具有黑色矩阵BM。显示面板10b还包括绝缘层120，绝缘层120覆盖彩色色阻112。

图19及图20A是依照本发明另一实施例的显示面板20的制造流程的剖面示意图。图20B是图20A的立体示意图。图21及图22是依照本发明另一实施例的显示面板20的制造流程的立体示意图。图23A及第23B图是依照本发明另一实施例的显示面板20的剖面示意图。在此必须说明的是，图19至第23B图的实施例沿用图1至图16的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明，关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

请参照图19，依序整面地形成反射层122及第一金属层102于基板100上，也就是说，第一金属层102形成于反射层122上。

请参照图20A及图20B，对反射层122及第一金属层102进行纳米压印制程N3，以形成多条反射线122A及多条第一金属线102A于基板100上。反射线122A实质上平行于第一金属线102A，且反射线122A的反射率低于第一金属线102A的反射率。举例而言，反射线122A的材料为镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)、上述材料的氧化物、上述材料组成之合金或者是上述材料组成的合金氧化物。举例而言，反射线122A的材料可包括钼氧钽(MoO_xTa)。于反射线122A的材料包括钼氧钽的实施例中，反射线122A的厚度H3为50纳米至250纳米，例如为75纳米，反射线122A的反射率为12.7％至13.1％，例如为12.9％。于本实施例中，第一金属线102A及反射线122A的厚度总和(即厚度H1和厚度H3的总和)为100纳米至500纳米。通过采用反射线122A，可降低反射率，而增加显示面板20的对比，使显示面板20可运用于大尺寸高解析度显示器。

请参照图21，形成多条第二金属线108A于第一金属线102A上，第二金属线108A的形成方法如前所述，故于此不再赘述。于此，便形成了偏光基板22。

请参照图22，形成彩色色阻112于第一金属线102A及第二金属线108A上，彩色色阻112的形成方法如前所述，故于此不再赘述。

请参照图23A，形成保护层114于彩色色阻112及第二金属线108A上，保护层114填入各彩色色阻112之间的间隔GP中，且填入各第二金属线108A之间。于其他实施例中，还形成导电图案116(见第23B图)于第二金属线108A上，导电图案116填入各彩色色阻112之间的间隔GP中，且填入各第二金属线108A之间。

请参照第24图，接着，将偏光基板22与阵列基板14对组，并形成显示介质16于阵列基板14及偏光基板22之间。于此，便完成了显示面板20。

第25图是依照本发明另一实施例的显示面板20a的剖面示意图。第25图的显示面板20a和第24图的显示面板20的主要差异在于，彩色色阻112配置于基板100及第一金属线102A之间。各彩色色阻112之间具有黑色矩阵BM，显示面板20a还包括绝缘层120，绝缘层120位于彩色色阻112及第一金属线102A之间。

图26是依照本发明另一实施例的显示面板20b的剖面示意图。图26的显示面板20b和第24图的显示面板20的主要差异在于，彩色色阻112及第一金属线102A、第二金属线108A分别位于基板100的相异侧。各彩色色阻112之间具有黑色矩阵BM。显示面板20b还包括绝缘层120，绝缘层120覆盖彩色色阻112。

图27至图41是依照本发明另一实施例的显示面板30的制造方法的剖面示意图。图31B是图31A的立体示意图，图38B是图38A的立体示意图，图39B是图39A的立体示意图。在此必须说明的是，图27至图41的实施例沿用图1至图16的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明，关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

请先参照图27，形成第一金属层102于基板100上。于本实施例中，第一金属层102是全面地形成于基板100上。

请参照第28图，全面地形成硬遮罩层104于第一金属层102上。硬遮罩层104的材料可包括氧化硅(SiO_x)。硬遮罩层104可提升第一金属线102A(见图31A及图31B)的结构深度，藉此提高显示面板30之消光比。

请参照第29图，全面地形成光阻材料层106于第一金属层102上。

请参照第30图，接着，对光阻材料层106进行纳米压印制程N3，以形成图案化光阻层106A于硬遮罩层104上。

请参照第31A及图31B，接着，以图案化光阻层106A为罩幕蚀刻硬遮罩层104及第一金属层102，以形成多条第一金属线102A于基板100上，并移除图案化光阻层106A。第一金属线102A以第一间距P1排列且互相平行。第一金属线102A实质上平行于第二方向D2。于本实施例中，第一间距P1为

至

举例而言，第一金属线102A具有相对的第一侧壁SW1及第二侧壁SW2，此处的第一间距P1指的是二条相邻的第一金属线102A的第一侧壁SW1之间的沿着第一方向D1的距离。于本实施例中，二条相邻的第一金属线102A之间的最短距离S1和第一间距P1之间的比值为0至0.9。此处的二条相邻的第一金属线102A之间的最短距离S1指的是二条相邻的第一金属线102A的互相面对的第一侧壁SW1及第二侧壁SW2之间的距离。于本实施例中，第一金属线102A的厚度H1为

至

第一金属线102A的分布宽度W3(即第一金属线102A之最外侧者之间的距离)为1微米至3微米。举例而言，分布宽度W3为2微米。分布宽度W3是由纳米压印制程N3所控制，因此可控制第一金属线102A的分布宽度W3足够小，可避免影响显示面板30的开口率。

请参照图32，接着，形成保护层(over coating layer)124于基板100及第一金属线102A上，且保护层124填入两相邻的第一金属线102A之间的间隙中并覆盖各第一金属线102A的顶面。

请参照第33图，接着，形成图案化光阻层126于保护层124上。图案化光阻层126具有开口图案OP3，开口图案OP3在基板100的正投影重叠于第一金属线102A在基板100的正投影。

请参照第34图，接着，以图案化光阻层126为罩幕对保护层124进行过蚀刻制程，藉此完全地移除位于第一金属线102A上的保护层124，以露出第一金属线102A的顶面，以确保之后要形成的第二金属线(见图38A及图38B)可与第一金属线102A接触。

请参照第35图，形成第二金属层108于保护层124及第一金属线102A上，使第二金属层108接触各第一金属线102A的顶面。形成第二金属层108的方法例如可使用溅镀法(sputtering)。

请参照第36图，全面地形成硬遮罩层128于第二金属层108上。硬遮罩层128用于提升二金属线108A(见图38A及图38B)的结构深度，以提高显示面板30之消光比。

请参照第37图，形成图案化光阻层130于硬遮罩层128上。图案化光阻层130可通过先整面地形成光阻材料于硬遮罩层128上，接着对光阻材料进行纳米压印制程所形成。

请参照图38A及图38B，接着，以图案化光阻层130为罩幕蚀刻硬遮罩层128及第二金属层108，以形成多条第二金属线108A于基板100上，并移除图案化光阻层130，于此，便完成了偏光基板32。各第二金属线108A接触并相交于每一条第一金属线102A。其中第二金属线108A彼此隔开且互相平行。由于可见光穿过第一金属线102A后，垂直于第一金属线102A方向的偏振光会因金属表面等离子体共振而得以穿透，平行于第一金属线102A方向的偏振光会被排斥回射，达到P波(TM波)与S波(TE波)分离，因此可达到偏光的效果。而到达第二金属线108A的偏振光又会因为平行于第二金属线108而被排斥回射而无法穿透第二金属线108，进而达到偏光及遮蔽光线的效果。

举例而言，第二金属线108A以第二间距P2排列且互相平行。第二金属线108A实质上平行于第二方向D2。换言之，各第二金属线108A垂直于各第一金属线102A。于本实施例中，第二间距P2为

至

第二金属线108A具有相对的第三侧壁SW3及第四侧壁SW4，此处的第二间距P2指的是二条相邻的第二金属线108A的各第三侧壁SW3之间的沿着第二方向D2的距离。于本实施例中，二条相邻的第二金属线108A之间的最短距离S2和第二间距P2之间的比值为0.3至0.7。此处的二条相邻的第二金属线108A之间的最短距离S2指的是二条相邻的第二金属线108A的互相面对的第三侧壁SW3及第四侧壁SW4之间的距离。于本实施例中，第二金属线108A的厚度H2为

至

第二金属线108A的分布宽度W4大于第一金属线102A的分布宽度W3。换言之，第二金属线108A之最外侧者之间的距离大于第一金属线102A之最外侧者之间的距离。

请参照第39A及图39B，形成多个彩色色阻112于第二金属线108A上，各彩色色阻112彼此隔开。换言之，各彩色色阻112之间具有间隔GP。彩色色阻112重叠于各第二金属线108A，各第二金属线108A的一部分通过彩色色阻112露出。第一金属线102A中的至少两条位于各彩色色阻112之间的间隔GP中。换言之，第一金属线102A中的至少两条在基板100的正投影重叠于彩色色阻112在基板100的正投影。

请参照图40A，形成保护层114于彩色色阻112及第二金属线108A上，保护层114填入各彩色色阻112之间的间隔GP中，且填入各第二金属线108A之间。于其他实施例中，还形成导电图案116(见图40B)于第二金属线108A上，导电图案116填入各彩色色阻112之间的间隔GP中，且填入各第二金属线108A之间。

请参照图41，接着，将偏光基板32与阵列基板14对组，并形成显示介质16于阵列基板14及偏光基板32之间。于此，便完成了显示面板30。

第42图是依照本发明另一实施例的显示面板30a的剖面示意图。第42图的显示面板30a和图41的显示面板30的主要差异在于，彩色色阻112配置于基板100及第一金属线102A之间。各彩色色阻112之间具有黑色矩阵BM，显示面板30a还包括绝缘层120，绝缘层120位于彩色色阻112及第一金属线102A之间。

图43是依照本发明另一实施例的显示面板30b的剖面示意图。图43的显示面板30b和图41的显示面板30b的主要差异在于，彩色色阻112及第一金属线102A、第二金属线108A分别位于基板100的相异侧。各彩色色阻112之间具有黑色矩阵BM。显示面板30b还包括绝缘层120，绝缘层120覆盖彩色色阻112。

图44至图50是依照本发明依实施例之显示面板40的制造方法的部分的剖面示意图及立体示意图，其中图45B是图45A的立体示意图。在此必须说明的是，图44至图50的实施例沿用图1至第13图的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明，关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

请参照图44，依序整面地形成反射层122及第一金属层102于基板100上，也就是说，第一金属层102形成于反射层122上。

请参照图45A及图45B，进行纳米压印制程N4，以形成多条反射线122A及多条第一金属线102A于基板100上。

请参照图46，形成保护层124于基板100上，保护层124位于第一金属线102A之二侧。

请参照第47图，形成多条第二金属线108A于保护层124及第一金属线102A上。各第二金属线108A接触并相交于每一条第一金属线102A。于此，便完成了偏光基板42。

请参照图48，形成彩色色阻112于第二金属线108A上。

请参照图49A，形成保护层114于彩色色阻112及第二金属线108A上，保护层114填入各彩色色阻112之间的间隔GP中，且填入各第二金属线108A之间。于其他实施例中，还形成导电图案116(见图49B)于第二金属线108A上，导电图案116填入各彩色色阻112之间的间隔GP中，且填入各第二金属线108A之间。

请参照图50，接着，将偏光基板42与阵列基板14对组，并形成显示介质16于阵列基板14及偏光基板42之间。于此，便完成了显示面板40。

第51图是依照本发明另一实施例的显示面板40a的剖面示意图。第51图的显示面板40a和图50的显示面板40的主要差异在于，彩色色阻112配置于基板100及第一金属线102A之间。各彩色色阻112之间具有黑色矩阵BM，显示面板40a还包括绝缘层120，绝缘层120位于彩色色阻112及第一金属线102A之间。

图52是依照本发明另一实施例的显示面板40b的剖面示意图。图52的显示面板40b和第51图的显示面板40的主要差异在于，彩色色阻112及第一金属线102A、第二金属线108A分别位于基板100的相异侧。各彩色色阻112之间具有黑色矩阵BM。显示面板30b还包括绝缘层120，绝缘层120覆盖彩色色阻112。

综上所述，在本发明一实施例的偏光基板中，由于第一金属线以第一间距排列且互相平行。第二金属线位于第一金属线上，第二金属线以第二间距排列且互相平行，且第二金属线接触并相交于一部分的第一金属线。可见光穿过第一金属线后，垂直于第一金属线方向的偏振光会因金属表面等离子体共振而得以穿透，平行于第一金属线方向的偏振光会被排斥回射，达到P波(TM波)与S波(TE波)分离。而到达第二金属线的偏振光又会因为平行于第二金属线而被排斥回射，进而达到偏光及遮蔽光线的效果。在本发明一实施例的显示面板及其制造方法中，第一金属线接触第二金属线，因此两者可共同作为共用电极。在显示面板是大尺寸显示面板的实施例中，可避免共用电极(即第一金属线、第二金属线)的面积增加所造成的共用电极阻值大幅提高的问题，且由于消耗功率正比于电阻，因此可降低显示面板的消耗功率。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种偏光基板，其特征在于，包括：

一基板；

多条第一金属线，位于该基板上，其中该些第一金属线以一第一间距排列且互相平行；以及

多条第二金属线，位于该些第一金属线上，其中该些第二金属线以一第二间距排列且互相平行，且该些第二金属线接触并相交于一部分的该些第一金属线。

2.如权利要求1所述的偏光基板，其特征在于，该第一间距为500埃

至3000埃

3.如权利要求1所述的偏光基板，其特征在于，该第二间距为500埃

至3000埃

4.如权利要求1所述的偏光基板，其特征在于，进一步包括：

多条反射线，位于该基板及该些第一金属线之间，其中该些反射线的反射率低于该些第一金属线的反射率。

5.如权利要求1所述的偏光基板，其特征在于，该些第二金属线之最外侧者之间的距离为1微米至3微米。

6.一种显示面板，其特征在于，包括：

如权利要求1至5任一项中所述的偏光基板；

一阵列基板，包括一基底及位于该基底上的一像素阵列；以及

一显示介质，位于该偏光基板及该阵列基板之间。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，还包括：

多个彩色色阻，重叠于各该第一金属线，其中该些第二金属线中的至少两条位于各该彩色色阻之间。

8.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：

形成多条第一金属线于一基板上，其中该些第一金属线彼此隔开且互相平行；

形成一图案化硬遮罩层于该些第一金属线上，并露出一部分的该些第一金属线；

形成多条第二金属线于该些第一金属线上，其中该些第二金属线彼此隔开且互相平行，且该些第二金属线接触并相交于该部分的该些第一金属线；以及

将该基板与一阵列基板对组。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：

在形成该些第一金属线之前，形成多条反射线于该基板上，其中该些反射线实质上平行于该些第一金属线，且该些反射线的反射率低于该些第一金属线的反射率；以及

形成一显示介质于该阵列基板及该基板之间。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，形成该图案化硬遮罩层于该些第一金属线上时，该图案化硬遮罩层填入相邻二条该些第一金属线之间。

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