TWI745885B - 化學機械研磨裝置及其活化拋光墊的方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種化學機械研磨裝置，包含：拋光墊、上轉盤及圓盤。 上轉盤設置於拋光墊上方。圓盤配置以對拋光墊進行活化製程，圓盤具有第一表面及相對於第一表面的第二表面。第一表面耦接至上轉盤，第二表面朝向拋光墊。第二表面包含多個第一研磨微結構，第一研磨微結構以一週期距離(Pitch)沿第一方向重覆地佈置。

Description

化學機械研磨裝置及其活化拋光墊的方法

本發明關於一種化學機械研磨裝置，特別有關於一種用於活化拋光墊的裝置及其方法。

隨著電子產品發展日新月異，元件的尺寸也逐漸縮小到次微米的階段，在積體電路的製造過程中，常使用化學機械拋光(Chemical mechanical polishing，CMP)作為達到晶圓表面的全面平坦化(Global planarization)的方法，目前此製程已是晶圓製造中不可或缺的步驟。

在CMP製程中，拋光漿料(Polish-Slurry)除了必須被吸附且佈滿於拋光墊(polish-pad)上的纖維中，還必須完全滲入至拋光墊的孔隙中，再搭配相對應的拋光參數才可以達到表面無刮痕且全面平坦化之晶圓。然而，隨著拋光時間與次數的增加，導致拋光墊表面孔徑的阻塞。此將造成拋光後之晶圓的表面平坦度不佳或是刮傷嚴重，而必須更換拋光墊。更換至新的拋光 墊之初期，因為拋光漿料尚未完全吸附至拋光墊上，或是拋光墊表面的纖毛與微孔隙不潔，使得晶圓在CMP之後，表面缺陷度的表現不佳。習知的方法係使用檔片(Dummy Wafer)置於新的拋光墊上進行拋光，經一段時間的拋光後，待整片拋光墊皆完全吸附拋光漿料，新的拋光墊才能供產線上使用，此動作稱為拋光墊活化(activated-pad)，但使用檔片活化的方法耗時且效果不佳。

另一種習知的方法係使用鑽石碟(dresser)刷洗拋光墊，可以將表面纖維絨毛清洗乾淨，但價格昂貴，且加工不易，對於孔隙內之清潔仍不盡理想。有鑑於此，目前需要一種新的活化拋光墊的方法及裝置。

在本發明內容的各種實施例中，一種化學機械研磨裝置，包含：拋光墊、上轉盤及圓盤。上轉盤設置於拋光墊上方。圓盤配置以對拋光墊進行活化製程，圓盤具有第一表面耦接至上轉盤，以及相對於第一表面的第二表面朝向拋光墊。第二表面包含多個第一研磨微結構，第一研磨微結構以一週期距離(Pitch)沿第一方向重覆地佈置。

在本發明內容的多個實施例中，各第一研磨微結構為選自由圓柱、圓錐、三角形柱、三角錐、四角柱、四角錐、多邊形柱及多邊形錐所組成的群組；以及第一研 磨微結構以週期距離沿垂直於第一方向的第二方向重覆地佈置，使得第一研磨微結構以陣列的方式佈置在第二表面上。

在本發明內容的多個實施例中，第一研磨微結構沿垂直於第一方向的第二方向延伸，並橫越圓盤。

在本發明內容的多個實施例中，各第一研磨微結構包含第一側面、第二側面及頂表面，頂表面連接第一側面與第二側面，且第一側面及第二側面分別垂直於頂表面。

在本發明內容的多個實施例中，各第一研磨微結構包含第一側面、第二側面及頂表面，頂表面連接第一側面與第二側面，第一側面及第二側面分別與頂表面形成第一夾角及第二夾角，第一夾角及第二夾角各自為約95度至約135度，且第一夾角實質上等於第二夾角。

在本發明內容的多個實施例中，各第一研磨微結構包含第一斜面、第二斜面及稜部，其中第一斜面與第二斜面相交於稜部，且稜部沿第二方向延伸；第一斜面與第二斜面形成約30度至約150度之夾角，且第一研磨微結構彼此鄰接；以及第一斜面的寬度實質上等於第二斜面的寬度。

在本發明內容的多個實施例中，各第一研磨微結構包含第一側面、第二側面及稜部，其中第一側面與第二側面相交於稜部，且稜部沿第二方向延伸；第一側面與第二側面形成約25度至約65度之夾角，且第一研磨微結 構彼此鄰接；以及第一斜面實質上垂直於第一表面，且第一斜面的寬度實質上小於第二斜面的寬度。

在本發明內容的多個實施例中，第二表面更包含多個第二研磨微結構，且第一研磨微結構與第二研磨微結構以圓盤的直徑為對稱軸而互為鏡像。

在本發明內容的多個實施例中，各第一研磨微結構具有高度為約0.1mm至約100mm的範圍內；以及第一研磨微結構的週期距離為約0.1mm至約100mm的範圍內。

在本發明內容的多個實施例中，圓盤為高分子聚合物或合成樹脂所製成。

在本發明內容的多個實施例中，圓盤的直徑大於上轉盤之半徑，且小於或等於上轉盤的直徑。

在本發明內容的多個實施例中，一種活化拋光墊的方法，包含：提供化學機械研磨裝置，具有上文所述的圓盤、上轉盤以及拋光墊；使用圓盤之第二表面對拋光墊進行活化製程；在活化製程之後，將晶圓置於化學機械研磨裝置進行拋光；以及在拋光之後，檢驗晶圓的表面缺陷。

在本發明內容的多個實施例中，活化製程包含：施行下壓壓力於上轉盤使得圓盤緊密地與拋光墊接觸；以及導入純水或拋光漿料，使其分佈於圓盤與拋光墊之間。

在本發明內容的多個實施例中，進行活化製程的期間為約20分鐘至約40分鐘。

在本發明內容的多個實施例中，在檢驗晶圓的表面缺陷之後，使用圓盤對拋光墊再次進行活化製程。

以下將以實施方式對上述之說明做詳細的描述，並對本發明之技術方案提供更進一步的解釋。

10:上轉盤

12:圓盤

12A:第一表面

12B:第二表面

14:下拋盤

16:拋光墊

18:化學研磨液供應源

18’:化學研磨液

30:第一研磨微結構

31:第二研磨微結構

35:第一側面、第一斜面

35D:寬度

36:第二側面、第二斜面

36D:寬度

38:頂表面、稜部

80:晶圓

82:蠟

100:化學機械研磨裝置

601:方向

602:方向

A:線圖案

B:空隙

D:對稱軸

h:高度

M100:方法

P:週期距離

S102:操作

S104:操作

S106:操作

S108:操作

θ 1:第一夾角

θ 2:第二夾角

θ 3:第三夾角

θ 4:第四夾角

為使本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，請詳閱以下的詳細敘述並搭配對應的圖式。

第1圖繪示根據本發明一些實施的化學機械研磨裝置100。

第2A圖繪示根據本發明一些實施例之用於化學機械研磨裝置100的圓盤之第二表面的上視圖。第2B至2E圖繪示根據本發明的多個實施例之用於化學機械研磨裝置100的圓盤之第二表面的剖面圖。

第3A圖繪示根據本發明一些實施例之用於化學機械研磨裝置100的圓盤的第二表面的上視圖。第3B至3D圖繪示根據本發明的多個實施例之用於圓盤的第二表面的研磨微結構。

第4圖繪示根據本發明一些實施之使用化學機械研磨裝置100的活化拋光墊的方法M100之流程圖。

第5圖繪示根據本發明的一些實施例之使用化學機械研磨裝置100進行晶圓拋光的示意圖。

在實施方式與申請專利範圍中，除非內文中對於冠詞有所特別限定，否則「一」與「該」可泛指單一個或複數個。

關於本文中所使用之「約」、「大約」或「大致」的用語一般通常係指數值之誤差或範圍約百分之二十以內，較佳地是約百分之十以內，更佳地則是約百分五之以內。

一般而言，研磨(Polishing；Lapping)和拋光(Polishing)是利用「磨粒(Abrasive particle)」，把材料從工件上精確地移除，以產生預期的尺寸、形狀，或者是表面。在本揭示內容中，研磨、拋光、磨光及研光等術語可互換使用。

本發明內容提供一種用於活化拋光墊的裝置及使用所述裝置對拋光墊進行活化的方法，特別針對一段時間未使用的拋光墊或者全新的拋光墊進行活化。使用具有立體圖案的圓盤對欲進行活化的拋光墊進行活化製程，可以減少未活化之拋光墊所導致晶圓表面的缺陷。

第1圖繪示根據本發明一些實施例的化學機械研磨裝置100。化學機械研磨裝置100包含拋光墊16、上轉盤10及圓盤12。上轉盤10設置於拋光墊16上方。圓盤12具有第一表面12A以及相對於第一表面12A的第二表面12B。第一表面12A耦接至上轉盤10，第二表面 12B朝向拋光墊16。圓盤12配置以對拋光墊16進行活化製程，上轉盤10可以轉動，並且帶動圓盤12轉動。

圓盤12為可拆卸式，無需進行活化製程時，圓盤12可以從上轉盤10卸除。在一些實施例中，拋光墊16可為一段時間未使用的拋光墊或者全新的拋光墊或任何需要活化的拋光墊。

在一些實施例中，化學機械研磨裝置100更包含下拋盤14，拋光墊16設置於下拋盤14上方。下拋盤14可以轉動，並且帶動拋光墊16轉動。

在一些實施例中，化學機械研磨裝置100更包含化學研磨液供應源18，設置在拋光墊16周圍，配置以供應化學研磨液18’。在一些實施例中，化學研磨液供應源18設置於拋光墊16上方。

在一些實施例中，圓盤12的厚度為約10mm至約100mm。較佳的厚度為約25mm、約40mm、約60mm或約80mm。

在多個實施例中，圓盤12的直徑大於上轉盤10之半徑，且小於或等於上轉盤10的直徑。舉例來說，圓盤12的直徑為上轉盤10之直徑的60%、70%、80%、90%或100%。

在特定的實施例中，圓盤12的厚度為約25mm，直徑為約514mm。

在多個實施例中，圓盤12為高分子聚合物、合成樹脂、橡膠或任何非具有完全剛性之材料所製成。舉例 來說，圓盤12的材料可為塑膠材質，例如：PP、PE、PET、壓克力等。在其他實施例中，圓盤12的材料可為鐵氟龍(Teflon^TM)。

再次參照第1圖，圓盤12的第二表面12B包含多個第一研磨微結構30，用於對欲進行活化的拋光墊16進行活化製程。

第2A圖繪示根據本發明一些實施例之用於化學機械研磨裝置100的圓盤12之第二表面12B的上視圖。第2B至2E圖繪示根據本發明的多個實施例之用於化學機械研磨裝置100的圓盤之第二表面12B的剖面圖。

如第2A圖所示，第二表面12B包含多個第一研磨微結構30，第一研磨微結構30以一週期距離(Pitch)沿方向602重覆地佈置。在一些實施例中，第一研磨微結構30沿垂直方向602的方向601延伸，並橫越圓盤12。

根據拋光墊的材料、孔隙、壓縮比，第一研磨微結構30可以為不同的設計。沿著方向602切割第一研磨微結構30，可以得到第二表面12B的剖面圖。第2B至2E圖展示不同設計的第二表面12B，應該理解的是，第2A至2E圖的第一研磨微結構30的為示例性的，並不意於限制本發明。針對不同類型的拋光墊可以使用不同設計的第一研磨微結構30進行活化製程。

請參照第2B圖，各第一研磨微結構30包含第一側面35、第二側面36及頂表面38，頂表面38連接第一側 面35與第二側面36，且第一側面35及第二側面36分別垂直於頂表面38。

請參照第2C圖，與第2B圖的差異在於，第一側面35及第二側面36分別與頂表面38形成第一夾角θ 1及第二夾角θ 2。在一些實施例中，第一夾角θ 1及第二夾角θ 2各自為約95度至約135度。較佳的數值為約100度、約105度、約110度、約115度、約120度、約125度或者約130度。在一些實施例中，第一夾角θ 1實質上等於第二夾角θ 2。

在一些實施例中，第2B圖及第2C圖中的各第一研磨微結構30具有高度h為約0.1mm至約100mm的範圍內。較佳的數值為約0.1mm、約10mm、約20mm、約30mm、約40mm、約50mm、約60mm、約70mm、約80mm或者約90mm。

在一些實施例中，第2B圖及第2C圖中多個第一研磨微結構30的週期距離P為約0.1mm至約100mm的範圍內。較佳的數值為約0.1mm、約10mm、約20mm、約30mm、約40mm、約50mm、約60mm、約70mm、約80mm或者約90mm。

在一些實施例中，第2B圖及第2C圖中多個第一研磨微結構30在所述週期距離P的範圍內，線圖案A與空隙B(Line/Space)的比值為約0.1至約0.9的範圍內，較佳的數值為約0.2、約0.4、約0.6或者約0.8。

請參照第2D圖，各第一研磨微結構30包含第一斜面35、第二斜面36及稜部38，第一斜面35與第二斜面36相交於稜部38，且稜部38沿方向601延伸。在一些實施例中，第一斜面35與第二斜面36形成第三夾角θ 3。在一些實施例中，第三夾角θ 3為約30度至約150度的範圍內。較佳的數值為約40度、約50度、約60度、約70度、約80度、約90度、約100度、約110度、約120度、約130度或者約140度。

如第2D圖所示，第一研磨微結構30彼此鄰接。在一些實施例中，第一斜面35的寬度35D實質上等於第二斜面36的寬度36D。

在一些實施例中，第2D圖的各第一研磨微結構30具有高度h為約0.1mm至約100mm的範圍內。較佳的數值為約0.1mm、約10mm、約20mm、約30mm、約40mm、約50mm、約60mm、約70mm、約80mm或者約90mm。

在一些實施例中，第2D圖的多個第一研磨微結構30的週期距離P分別為約0.1mm至約100mm的範圍內。較佳的數值分別為約0.1mm、約10mm、約20mm、約30mm、約40mm、約50mm、約60mm、約70mm、約80mm或者約90mm。

請參照第2E圖，各第一研磨微結構30包含第一側面35、第二側面36及稜部38，第一側面35與第二側面36相交於稜部38，且稜部38沿方向601延伸。第一側 面35與第二側面36形成第四夾角θ 4。在一些實施例中，第四夾角θ 4為約25度至約65度的範圍內。較佳的數值為約30度、約35度、約40度、約45度、約50度、約55度或者約60度。

如第2E圖所示，第一研磨微結構30彼此鄰接。在一些實施例中，第一斜面35實質上垂直於第一表面12A。在一些實施例中，第一斜面35的寬度35D實質上小於第二斜面36的寬度36D。

繼續參照第2E圖，在一些實施例中，第二表面12B更包含多個第二研磨微結構31，且第一研磨微結構30與第二研磨微結構31以圓盤的直徑(未繪示)為對稱軸而互為鏡像。在剖面圖第2E圖中，第一研磨微結構30與第二研磨微結構31以對稱軸D而互為鏡像。

在一些實施例中，第2E圖中的各第一研磨微結構30及各第二研磨微結構31分別具有高度h為約0.1mm至約100mm的範圍內。較佳的數值為約0.1mm、約10mm、約20mm、約30mm、約40mm、約50mm、約60mm、約70mm、約80mm或者約90mm。

在一些實施例中，由於第2E圖的第一研磨微結構30及第二研磨微結構31以對稱軸D互為鏡像，因此第一研磨微結構30的週期距離P1及第二研磨微結構31的週期距離P2實質上相等。所述的週期距離在為約0.1mm至約100mm的範圍內。較佳的數值分別為約0.1mm、 約10mm、約20mm、約30mm、約40mm、約50mm、約60mm、約70mm、約80mm或者約90mm。

第3A圖繪示根據本發明一些實施例之用於化學機械研磨裝置100的圓盤12的第二表面12B的上視圖。第3B至3D圖繪示根據本發明的多個實施例之用於圓盤12的第二表面12B的研磨微結構。

如第3A圖所示，第一研磨微結構30以一週期距離分別沿方向601及方向602重覆地佈置，使得第一研磨微結構30以陣列的方式佈置在第二表面12B上。再次參照第2A圖，第一研磨微結構30為連續的長條方形圖案。而第3A圖所示的第一研磨微結構30為不連續的規則圖案，例如，不連續的長條圖案。

在一些實施例中，如第3B圖所示，第一研磨微結構30的形狀為重覆佈置的圓柱或圓錐。

在一些實施例中，如第3C圖所示，第一研磨微結構30的形狀為重覆佈置的三角柱或三角錐。

在一些實施例中，如第3D圖所示，第一研磨微結構30的形狀可為重覆佈置的四角柱或四角錐。

在一些實施例中，圖案化層可以為兩種或兩種以上的圖案特徵所組成。舉例來說，圖案化層包含圓柱或方柱。在一些實施例中，第一研磨微結構30為選自由圓柱、圓錐、三角形柱、三角錐、四角柱、四角錐、多邊形柱及多邊形錐所組成的群組。然而本發明的圖案化層 具有不僅限於上述所描述之圖案特徵，但不可以為封閉圖案。

在一些實施例中，第3A圖及第3D圖中的各第一研磨微結構30具有高度為約0.1mm至約100mm的範圍內。較佳的數值為約0.1mm、約10mm、約20mm、約30mm、約40mm、約50mm、約60mm、約70mm、約80mm或者約90mm。

在一些實施例中，第3A圖及第3D圖中的多個第一研磨微結構30的週期距離為約0.1mm至約100mm的範圍內。較佳的數值為約0.1mm、約10mm、約20mm、約30mm、約40mm、約50mm、約60mm、約70mm、約80mm或者約90mm。

在一些實施例中，在上述週期距離的範圍內，線圖案與空隙(Line/Space)的比值為約0.1至約0.9的範圍內，較佳的數值為約0.2、約0.3、約0.4、約0.6或者約0.8。

第4圖繪示根據本發明一些實施之使用化學機械研磨裝置100的活化拋光墊16的方法M100之流程圖。方法M100包含操作S102、操作S104、操作S106及操作S108。

方法M100開始於操作S102，如第1圖所示，提供化學機械研磨裝置100，具有上文所述的圓盤12、上轉盤10以及拋光墊16。可放置欲進行活化之拋光墊16在 下拋盤14上方。圓盤12可以為如第2A圖至第3D圖所示的各種實施例。

接續操作S104，如第1圖所示，使用圓盤12對拋光墊16進行活化製程。活化製程包含施行下壓壓力於上轉盤10使得圓盤12緊密地與拋光墊16接觸。在一些實施例中，下壓壓力為約1至約500Ppa。在一些實施例中，上轉盤10的轉速為約25rpm至約55rpm。在一些實施例中，下拋盤14的轉速為約12rpm至約28rpm。

如第1圖所示，活化製程包含同時導入純水或拋光漿料18’，使其分佈於圓盤12與拋光墊16之間。在一些實施例中，漿料為鹼性溶液且包含二氧化矽微粒。

在一些實施例中，在活化製程中使用圓盤12的第二表面12B對拋光墊16進行研磨的時間為約20分鐘至約40分鐘。

第5圖繪示根據本發明的一些實施例之使用化學機械研磨裝置100進行晶圓拋光的示意圖。

方法M100接續操作S106，在活化製程之後，卸除上轉盤10上的圓盤12。接著，如第5圖所示，將晶圓80置於化學機械研磨裝置100進行拋光製程。詳細地說，使用蠟82將晶圓80貼附於上轉盤10，接著，將上轉盤10下壓至拋光墊16上，並且施行下壓壓力於上轉盤10使得圓盤12緊密地與拋光墊16接觸，同時導入純水或拋光漿料，使其分佈於圓盤12與拋光墊16之間。值得 注意的是，為簡化說明，如第5圖所示的化學機械研磨裝置100僅繪示二個上轉盤10，化學機械研磨裝置100可以是具有四個上轉盤10的設備。在一些實施例中，四個上轉盤10在拋光墊16上方以互相對稱的方式佈置。

接續操作S108，在拋光之後，使用表面缺陷檢測儀(SP1)驗證活化製程的效果。舉例來說，使用光學顯微鏡來檢示晶圓80的表面缺陷。從操作S104至操作S108，係為活化製程的一個循環。值得注意是，在操作S108之後，若晶圓80的表面缺陷未能滿足製程需求，可以使用圓盤12對拋光墊16再次進行活化製程，之後，再次檢驗晶圓80的表面缺陷，以驗證活化製程的效果。換句話說，可以執行另一個循環的活化製程以滿足製程需求。在多個實施例中，本發明的活化製程可視拋光墊材料、孔隙、壓縮比的不同而進行至少一次或一次以上的活化製程循環。

表一揭示本發明之活化方法M100的效果。本發明的實施例使用具有研磨微結構的圓盤12來活化拋光墊16。實施例使用的圓盤12係具有如第2D圖所示的錐形條式圖案，其中週期距離P為約30mm且高度h為約3mm。圓盤12的厚度為約25mm，直徑為約514mm。在活化拋光墊16及研磨晶圓80時，使用的化學研磨液18’為含有二氧化矽微粒的鹼性溶液；上轉盤10的轉速為約25rpm至約55rpm；下拋盤14的轉速為約12rpm至約28rpm。

表一的實施例使用圓盤12活化拋光墊16約8分鐘之後，接著，對檔片進行研磨約40分鐘之後，檢驗測試片的表面缺陷。比較例1及比較例2皆使用檔片來活化拋光墊16，使用檔片研磨拋光墊16分別為約100分鐘及120之後，直接檢驗檔片的表面缺陷。

表一、本發明方法之活化方法以及晶圓表面缺陷

如表一所示，在相同的表面缺陷容忍規格(0.12um)下，本發明實施例提供的方法需要較少的製程時間來達到大於80%的合格率。例如，本發明提供的方法所需的製程時間為48分鐘，而習知的方法所需的製程時間為120分鐘。

綜上所述，本發明內容揭示的用於活化拋光墊的裝置與方法，在替換新的拋光墊或是使用時的保養上，可以用於活化拋光墊，並將拋光墊更快速地導入量產。除了減少活化時間，以及大量減少於拋光時於晶圓上產生的細微刮痕，也可以清除拋光墊中的微粒，清除累積的拋光漿料結晶，藉此延長拋光墊之壽命，進而達到提高化學機械研磨製程的量產能力。

雖然本發明內容已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明內容，任何熟習此技藝者，於不脫離本發明內容的精神和範圍內，當可作各種的變動與潤飾，因此本發明內容的保護範圍當視後附的申請專利範圍及其均等方案所界定者為準。

10:上轉盤

12:圓盤

12A:第一表面

12B:第二表面

14:下拋盤

16:拋光墊

18:化學研磨液供應源

18’:化學研磨液

100:化學機械研磨裝置

Claims (13)

1. 一種化學機械研磨裝置，包含：一拋光墊；一上轉盤，設置於該拋光墊上方；以及一圓盤，具有大於該上轉盤半徑且小於或等於該上轉盤直徑的直徑，配置以對該拋光墊進行一活化製程，包含：一第一表面，耦接至該上轉盤；以及一第二表面，相對於該第一表面並朝向該拋光墊；其中該第二表面包含多個以一週期距離(Pitch)沿一第一方向重覆地佈置之第一研磨微結構，該些第一研磨微結構以一週期距離(Pitch)沿一第一方向重覆地佈置。
2. 如請求項1所述的化學機械研磨裝置，其中，各該第一研磨微結構為選自由圓柱、圓錐、三角形柱、三角錐、四角柱、四角錐、多邊形柱及多邊形錐所組成的群組；以及該些第一研磨微結構以該週期距離沿垂直於該第一方向的一第二方向重覆地佈置，使得該些第一研磨微結構以陣列的方式佈置在該第二表面上。
3. 如請求項1所述的化學機械研磨裝置，其中該些第一研磨微結構沿垂直於該第一方向的一第二方向延 伸，並橫越該圓盤。
4. 如請求項3所述的化學機械研磨裝置，其中各該第一研磨微結構包含一第一側面、一第二側面及一頂表面，該頂表面連接該第一側面與該第二側面，且該第一側面及該第二側面分別垂直於該頂表面。
5. 如請求項3所述的化學機械研磨裝置，其中各該第一研磨微結構包含一第一側面、一第二側面及一頂表面，該頂表面連接該第一側面與該第二側面，該第一側面及該第二側面分別與該頂表面形成一第一夾角及一第二夾角，該第一夾角及該第二夾角各自為約95度至約135度，且該第一夾角實質上等於該第二夾角。
6. 如請求項3所述的化學機械研磨裝置，其中各該第一研磨微結構包含一第一斜面、一第二斜面及一稜部，其中該第一斜面與該第二斜面相交於該稜部，且該稜部沿該第二方向延伸；該第一斜面與該第二斜面形成約30度至約150度之夾角，且該些第一研磨微結構彼此鄰接；以及該第一斜面的寬度實質上等於該第二斜面的寬度。
7. 如請求項3所述的化學機械研磨裝置，其中各該第一研磨微結構包含一第一側面、一第二側面及一稜部，其中該第一側面與該第二側面相交於該稜部，且該 稜部沿該第二方向延伸；該第一側面與該第二側面形成約25度至約65度之夾角，且該些第一研磨微結構彼此鄰接；以及該第一斜面實質上垂直於該第一表面，且第一斜面的寬度實質上小於該第二斜面的寬度。
8. 如請求項7所述的化學機械研磨裝置，其中該第二表面更包含：多個第二研磨微結構，且該些第一研磨微結構與該些第二研磨微結構以該圓盤的一直徑為對稱軸而互為鏡像。
9. 如請求項1所述的化學機械研磨裝置，其中，各該第一研磨微結構具有一高度為約0.1mm至約100mm的範圍內；以及該些第一研磨微結構的該週期距離為約0.1mm至約100mm的範圍內。
10. 如請求項1所述的化學機械研磨裝置，其中該圓盤為高分子聚合物或合成樹脂所製成。
11. 一種活化拋光墊的方法，包含：提供如申請專利範圍第1項至第11項之任一項所述的化學機械研磨裝置；使用該圓盤之該第二表面對該拋光墊進行一活化製 程；在該活化製程之後，將一晶圓置於該化學機械研磨裝置進行拋光；以及在該拋光之後，檢驗該晶圓的表面缺陷，並使用該圓盤對該拋光墊再次進行該活化製程。
12. 如請求項11所述的方法，其中該活化製程包含：施行一下壓壓力於該上轉盤使得該圓盤緊密地與該拋光墊接觸；以及導入一純水或一拋光漿料，使其分佈於該圓盤與該拋光墊之間。
13. 如請求項11所述的方法，其中進行該活化製程的一期間為約20分鐘至約40分鐘。

Images