TWI745570B - 真空泵及使用於其之葉片零件及轉子、以及固定之葉片 - Google Patents

真空泵及使用於其之葉片零件及轉子、以及固定之葉片 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種較佳之真空泵及使用於其之葉片零件及轉子、以及固定之葉片，其不會損害真空泵之氣體分子排氣性能，可有效防止粒子自真空泵向真空腔室逆流，防止因逆流之粒子對真空腔室內造繩污染。 真空泵於吸氣口至排氣口之間，具有作為將氣體分子排氣之機構發揮功能之複數個排氣段PT，且於複數個排氣段PT中最上段排氣段PT(PT1)至吸氣口之間，具備葉片NB作為於氣體分子之排氣方向移送粒子之粒子移送段，該葉片NB與構成最上段排氣段PT1之旋轉葉片7(71、75)一起旋轉，且其片數少於構成最上段排氣段PT1之旋轉葉片7之片數。

Description

真空泵及使用於其之葉片零件及轉子、以及固定之葉片
本發明係關於作為半導體製造裝置、平板顯示器製造裝置、太陽能板製造裝置中之製程腔室、其他真空腔室之氣體排氣機構使用之真空泵，尤其係關於不損害真空泵之氣體分子排氣性能，可有效防止粒子(微粒)自真空泵向腔室之逆流，防止因逆流之粒子導致之腔室內污染之較佳者。
渦輪分子泵或螺紋槽式泵等真空泵多用於需要高真空之真空腔室之排氣。圖18係採用先前之真空泵作為真空腔室之氣體排氣機構之排氣系統之概要圖，圖19(a)係於圖18所示之先前之真空泵之最上段排氣段自圖18之箭頭D方向觀察旋轉葉片之狀態之模式圖，圖19(b)係位於圖19(a)所示之旋轉葉片之上端面側(吸氣口側)之葉片邊緣部之放大圖。 構成圖18之排氣系統之先前之真空泵Z於吸氣口2至排氣口3之間，具有作為將氣體分子排氣之機構發揮功能之複數個排氣段PT。 先前之真空泵Z之各排氣段PT成為針對每個排氣段PT，藉由以特定間隔放射狀配置之複數片旋轉葉片7與固定葉片8而將氣體分子排氣之構造。 如上述之氣體分子之排氣構造中，旋轉葉片7一體形成於藉由磁性軸承等軸承機構可旋轉地被支持之轉子6之外周面，且與轉子6一起高速旋轉。另一方面，固定葉片8係固定於外裝殼體1之內面(例如參照專利文獻1)。 但，於圖18之排氣系統中，假設於真空腔室CH內進行CVD等化學製程，藉此二次生成之微粒子狀之製程副生成物浮游、擴散於真空腔室CH內，利用因自重或氣體分子之移送效果而向真空泵Z之吸氣口2落下。又，假設附著、堆積於真空腔室CH之內壁面之堆積物，或附著、堆積於壓力調整閥BL之堆積物等亦因振動等而被剝落，因自重而向真空泵Z之吸氣口2落下。 且，因如上述之落下而來到吸氣口2之粒子自吸氣口2進而落下，如圖19(a)所示，入射至最上段排氣段PT(PT1)。若如此入射之粒子Pa與高速旋轉之該排氣段PT(PT1)之旋轉葉片7碰撞，則經碰撞之粒子如圖19(b)所示，與位於旋轉葉片7之上端面側之葉片邊緣部EG碰撞而彈開，於吸氣口2方向彈回而逆流，有因此種逆流粒子而真空腔室CH內被污染之虞。 作為防止因如上述之逆流粒子導致之真空腔室CH內污染之機構，於先前之真空腔室Z中，作為構成最上段排氣段PT(PT1)之旋轉葉片7之具體構成，例如採用圖19(b)所示之旋轉葉片7。 於圖19(b)所示之旋轉葉片7中，作為減少如上述逆流之粒子比率之機構，係對葉片邊緣部EG設置利用機械加工之倒角部MS(例如參照專利文獻1)。 但，若參照專利文獻1之段落0026至段落0027之記載，則旋轉葉片7之葉片邊緣部EG附近之粒子之可碰撞區域極小(0.3 mm以下)。該碰撞區域為與最大可實用(量產)地機械加工而製作之邊緣之倒角相同程度之尺寸。 於專利文獻1記載之先前之真空泵中，為了對如上述僅於極小之可碰撞區域限定倒角之切削範圍，且降低粒子向吸氣口側之反射概率，而形成為使該倒角面相對於旋轉體(4)之軸向成平行(參照本案之圖19(b))或朝向氣體分子排氣方向即朝下(參照本案之圖20)。 但，因倒角部MS之機械加工時產生之加工邊緣部變鈍，或用以提高旋轉葉片7表面之耐蝕性之鍍敷，而無法避免使倒角部MS之上部MC變為凸圓弧面之形狀。落下至此種凸圓弧面之粒子因與凸圓弧面碰撞而彈開，彈回至吸氣口2側，向真空腔室CH方向逆流，故根據如專利文獻1記載之先前之真空泵般於葉片邊緣部EG設置倒角部MS之構成，無法有效防止粒子自真空泵Z向真空腔室CH之逆流，未充分防止因逆流之粒子導致之真空腔室CH內之污染。 尤其，若參照專利文獻1之圖1至圖3，則倒角部之倒角面(28a)如上述，形成為相對於旋轉體(4)之軸向平行或朝下(分子排氣方向)，故粒子入射至該倒角面(28a)後，於水平方向或稍朝下游反射。該情形時，由於粒子之朝下游之速度較小，故有於反射後與旋轉方向前方之旋轉葉片(相同文獻1之圖3上，左側之旋轉葉片28)之背面(朝旋轉方向背側之吸氣口方向之斜面。以下亦相同)再碰撞，於吸氣口側再反射之虞。 但，作為減少如上述逆流粒子之比率之構成，考慮全體擴大構成最上段排氣段PT(PT1)之旋轉葉片7之配置間隔之構成，或降低旋轉葉片7之周速之構成，但根據該等構成，均會產生損及作為真空泵Z之氣體分子排氣性能之問題。 又，作為用以減少如上述逆流粒子之比率之具體構成，如圖20所示，亦考慮使上述倒角部MS向分子排氣方向朝下以機械加工而傾斜之構成。但，根據此種構成，由於旋轉葉片7之上端7A面與倒角部MS之面(倒角面)所成之角度為銳角，故易產生因機械加工之毛刺，因加工成本提高，又，機械加工時產生之加工邊緣部之變鈍，或因上述之鍍敷使凸圓弧面之曲率變大，而帶來導致逆流粒子之比例反而增大之反效果。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利第5463037號公報
[發明所欲解決之問題] 本發明係鑑於上述問題而完成者，其目的係提供一種較佳之真空泵及具備使用於其之葉片之零件及轉子、以及固定之葉片，其不會損害真空泵之氣體分子排氣性能，可有效防止粒子自真空泵向真空腔室之逆流，防止因逆流粒子導致之真空腔室內之污染。 [解決問題之技術手段] 為達成上述目的，本發明(1)係提供一種真空泵，其特徵係於吸氣口至排氣口之間，具有作為將氣體分子排氣之機構發揮功能之複數個排氣段，上述複數個排氣段為依每個排氣段，藉由以特定間隔放射狀配置之複數片旋轉葉片與固定葉片而將上述氣體分子排氣之構造，且，於上述複數個排氣段中最上段排氣段至上述吸氣口之間，具備葉片作為於上述氣體分子之排氣方向移送粒子之粒子移送機構，該葉片與構成上述最上段排氣段之上述旋轉葉片一起旋轉，且其片數少於構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片之片數。 或其特徵在於，作為上述排氣段之一部分，於上述最上段排氣段，構成於上述氣體分子之排氣方向移送粒子之粒子移送段。 於上述本發明(1)中，亦可為：構成上述粒子移送段之上述葉片係與構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片隣接設置。 於上述本發明(1)中，亦可為：對於構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片中之至少任一片旋轉葉片全體或其一部分，一體設置構成上述粒子移送段之上述葉片。 於上述本發明(1)中，亦可為：於構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片中，與構成上述粒子移送段之上述葉片隣接之旋轉葉片之高度係藉由構成上述粒子移送段之上述葉片而延長，藉此，構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片成為該等全體而言上游端之高度不同之參差構造。 於上述本發明(1)中，亦可為：於構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片中，因上述參差構造而上游端變高之旋轉葉片，與位於該旋轉葉片之旋轉行進方向前側之旋轉葉片之配置間隔，設定為較其他上述複數片旋轉葉片之配置間隔更廣。 於上述本發明(1)中，亦可為：於構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片中，位於因上述參差構造而上游端變高之旋轉葉片之旋轉行進方向前側之上述旋轉葉片之下游端，較其他上述複數片旋轉葉片之下游端更朝上述吸氣口方向退縮。 於上述本發明(1)中，亦可為：於構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片中，以因上述參差構造而上游端變高之旋轉葉片之下游端係以較其他上述複數片旋轉葉片之下游端更長之方式延長。 於上述本發明(1)中，亦可為：成為因上述參差構造而階差之高度階梯狀變化之構成。 於上述本發明(1)中，亦可為：成為因上述參差構造而階差之高度錐狀變化之構成。 於上述本發明(1)中，亦可為：對於構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片中之至少任一片旋轉葉片全體或其一部分，作為不同零件而安裝有構成上述粒子移送段之上述葉片。 於上述本發明(1)中，亦可為：構成上述粒子移送段之上述葉片之仰角設定為小於構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片之仰角。 於上述本發明(1)中，亦可為：構成上述粒子移送段之上述葉片設置於自構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片離開之位置。 本發明(2)係一種葉片零件，其使用於上述本發明(1)之真空泵，且具備構成上述粒子移送段。 本發明(3)係一種真空泵，其特徵係於吸氣口至排氣口之間，具有作為將氣體分子排氣之機構發揮功能之複數個排氣段，上述複數個排氣段為依每個排氣段，藉由以特定間隔放射狀配置之複數片旋轉葉片與固定葉片而將上述氣體分子排氣之構造，且，藉由降低構成最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片中，至少一部分上游端之高度，而成為該等全體而言上游端之高度不同之參差構造，且成為於上述氣體分子之排氣方向移送粒子之粒子移送段。 於上述本發明(3)中，亦可為：成為因上述參差構造而階差之高度階梯狀變化之構成。 於上述本發明(3)中，亦可為：成為因上述參差構造而階差之高度錐狀變化之構成。 本發明(4)係一種轉子，其係上述本發明(1)或上述本發明(3)之真空泵所使用且具備構成上述粒子移送段之上述葉片。 於上述本發明(1)或上述本發明(3)中，亦可為：於上述最上段排氣段之上游，設有以與構成該最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片以逆向之角度傾斜之固定之葉片，作為反射機構。 本發明(5)係一種固定葉片，其係使用於上述本發明(1)或上述本發明(3)之真空泵者，且於上述最上段排氣段之上游，作為上述反射機構，以與構成該最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片以逆向之角度傾斜。 [發明之效果] 於本發明中，可提供一種真空泵及使用於其之葉片零件及轉子，如上述，作為於氣體分子之排氣方向移送粒子之粒子移送段，係採用具備如下葉片之構成：與構成最上段排氣段之旋轉葉片一起旋轉，且片數少於構成最上段排氣段之旋轉葉片之片數，或具備如下葉片之構成：一體設置於構成最上段排氣段之旋轉葉片，故不會損及真空泵之氣體分子排氣性能，可有效防止粒子自真空泵向真空腔室之逆流，可較佳地防止因逆流之粒子導致之真空腔室內之污染。 且，即使粒子移送段成為與排氣段分開設置之構造及與排氣段成一體之構造之任一者，亦可較原來之排氣段構造更提高排氣性能。 其理由如下述《理由1》及《理由2》。 《理由1》 於本發明中，由於粒子移送段與複數個排氣段分開設置，故作為可效率良好地排氣自吸氣口落下之粒子之機構，例如無需進行如擴大構成最上段排氣段之旋轉葉片之配置間隔等，降低排氣段之分子排氣性能之設計變更等，而可藉由以成為對氣體分子之排氣最佳之條件之方式設計之複數個排氣段，而效率良好地將氣體分子排氣。 《理由2》 於本發明中，藉由構成粒子移送段之葉片之片數少於構成最上段排氣段之旋轉葉片之片數，而使構成粒子移送段之葉片之配置間隔設定為廣於構成最上段排氣段之旋轉葉片之配置間隔。因此，將粒子移送段之粒子之可碰撞區域(=葉片之配置間隔×粒子之落下速度/葉片之旋轉速度)，與最上段排氣段之粒子之可碰撞區域(=旋轉葉片之配置間隔×粒子之落下速度/旋轉葉片之旋轉速度)進行比較之情形時，由於粒子之可碰撞區域係前者，即粒子移送段之粒子之可碰撞區域變得較大，故於粒子移送段與排氣段之比較中，粒子移送段因與葉片之碰撞而於排氣方向(具體而言係排氣段之方向)反射之粒子，亦即排氣方向反射粒子之比率較高，因與葉片碰撞而於吸氣口方向彈回之粒子，即逆流粒子之比率變低。總之其理由係若粒子之可碰撞區域較廣，則旋轉葉片或葉片中與朝分子排氣方向傾斜之斜面碰撞而於氣體分子排氣方向反射之概率更高於與在吸氣口方向逆流之概率較高之面(具體而言係上述倒角面及位於倒角部上部之凸圓弧面)碰撞之概率。
以下，一面參照隨附圖式，一面針對用以實施本發明之最佳形態進行詳細說明。於本實施形態中，作為真空泵之一例，使用具備包含複數個排氣段之渦輪分子泵部與螺紋槽排氣段之所謂複合翼型渦輪分子泵作為排氣機構進行說明。另，於本實施形態中，亦可應用於僅具有渦輪分子泵部之泵。 圖1係應用本發明之真空泵之剖視圖。 若參照圖1，則該圖之真空泵P1具備剖面筒狀之外裝殼體1；配置於外裝殼體1內之轉子6；可旋轉地支持轉子6之支持機構；及旋轉驅動轉子6之驅動機構。 外裝殼體1成為以緊固螺栓於其筒軸方向一體連結筒狀之泵殼1A與有底筒狀之泵座1B之有底圓筒形，泵殼1A之上端部側作為用以吸氣氣體之吸氣口2而開口，又，於泵座1B之下端部側，設置用以向外裝殼體1外將氣體排氣之排氣口3。 吸氣口2經由壓力調整閥BL(參照圖18)，與如半導體製造裝置之製程腔室等成高真空之真空腔室CH(參照圖18)連接。排氣口3與未圖示之輔助泵連通連接。 於泵殼1A內之中央部設有內置各種電氣組件之圓筒狀定子柱4。於圖1之真空泵P1中，將定子柱4形成作為與泵座1B分開之零件，且螺固固定於泵座1B之內底，藉此而將定子柱4立設於泵座1B上，但作為其他實施形態，亦可將該定子柱4一體立設於泵座1B之內底。 於定子柱4之外側設有上述轉子6。轉子6內包於泵殼1A及泵座1B，且成為包圍定子柱4之外周之圓筒形狀。 於定子柱4之内側設有轉子軸5。轉子軸5以其上端部朝向吸氣口2之方向且其下端部朝向泵座1B之方向之方式配置。又，轉子軸5藉由磁性軸承(具體而言為眾所周知之2組徑向磁性軸承MB1與1組軸向磁性軸承MB2)而被可旋轉地支持。再者，於定子柱4之內側設有驅動馬達MO，轉子軸5藉由該驅動馬達MO而繞其軸心旋轉驅動。 轉子5之上端部自定子柱4之圓筒上端面向上方突出，轉子6之上端側以螺栓等緊固機構對該突出之轉子軸5之上端部一體固定。因此，轉子6經由轉子軸5以磁性軸承(徑向磁性軸承MB1、軸向磁性軸承MB2)被可旋轉地支持，又，於該支持狀態下，若啟動驅動馬達MO，則轉子6可與轉子軸5一體地繞該轉子軸心旋轉。總之，於圖1之真空泵P1中，轉子軸5與磁性軸承作為可旋轉地支持轉子6之支持機構發揮功能，再者，驅動馬達MO作為旋轉驅動轉子6之驅動機構發揮功能。 且，圖1之真空泵P1於吸氣口2至排氣口3之間，具備作為將氣體分子排氣之機構發揮功能之複數個排氣段PT。 又，於圖1之真空泵P1中，於複數個排氣段PT之下游部，具體而言，於複數個排氣段PT中最下段之排氣段PT(PTn)至排氣口3之間，設有螺紋槽泵段PS。 再者，於圖1之真空泵P1中，於複數個排氣段PT之上游部，具體而言，於複數個排氣段PT中最上段之排氣段PT(PT1)至吸氣口2之間，設有於氣體分子之排氣方向移送粒子之粒子移送段PN。最上段之排氣段PT(PT1)與粒子移動段PN亦可為一體設置之構造。 《排氣段之細節》 圖1之真空泵P1於較轉子6之大致中間更上游係作為複數個排氣段PT發揮功能。以下，詳細說明複數個排氣段PT。 於較轉子6之大致中間更上游之轉子6之外周面，設有與轉子6一體旋轉之複數片旋轉葉片7，該等旋轉葉片7係依每個排氣段PT(PT1、PT2、…PTn)，以轉子6之旋轉中心軸(具體而言為轉子軸5之軸心)或外裝殼體1之軸心(以下稱為「真空泵軸心」)為中心以特定間隔放射狀配置。 另一方面，於泵殼1A之內周側設有複數片固定葉片8，該等固定葉片8亦又與旋轉葉片7相同地，依每個排氣段PT(PT1、PT2、…PTn)，以真空泵軸心為中心以等間隔放射狀配置。 即，圖1之真空泵P1之各排氣段PT(PT1、PT2、…PTn)於自吸氣口2至排氣口3之間設置多段，且依每個排氣段PT(PT1、PT2、…PTn)具備以特定間隔放射狀配置之複數片旋轉葉片7與固定葉片8，成為藉此將氣體分子排氣之構造。 任一旋轉葉片7皆為以與轉子6之外徑加工部一體地以切削加工切出形成之葉片狀切削加工品，且以對氣體分子之排氣最佳之角度傾斜。任一固定葉片8亦皆以對氣體分子之排氣最佳之角度傾斜。 《複數個排氣段之排氣動作說明》 包含以上構成之複數個排氣段PT中，於最上段排氣段PT(PT1)中，藉由驅動馬達MO之啟動，複數片旋轉葉片7與轉子軸5及轉子6一體高速旋轉，藉由旋轉葉片7之旋轉方向朝前且朝下(自吸氣口2向排氣口3之方向，以下簡稱為朝下)之傾斜面，對自吸氣口2入射之氣體分子賦予朝下方向且切線方向之運動量。藉由設置於固定葉片8之旋轉葉片7與在旋轉方向逆向之朝下之傾斜面，將具有該朝下方向之運動量之氣體分子送入下個排氣段PT(PT2)。又，在下個排氣段PT(PT2)及之後的排氣段PT亦與最上段排氣段PT(PT1)相同，使旋轉葉片7旋轉，進行如上述之藉由旋轉葉片7向氣體分子賦予運動量，及藉由固定葉片8進行氣體分子之送入動作，從而以使吸氣口2附近之氣體分子向轉子6之下游依序移行之方式被排氣。 《螺紋槽泵層之詳情》 於圖1之真空泵P1中，以較轉子6之大致中間更下游作為螺紋槽泵段PS發揮功能之方式構成。以下，詳細說明螺紋槽泵段PS。 螺紋槽泵段PS於轉子6之外周側(具體而言，係較轉子6之大致中間更下游之轉子6部分之外周側)具有螺紋槽排氣部定子9作為形成螺紋槽排氣流路R之機構，該螺紋槽排氣部定子9係作為固定構件安裝於外裝殼體1之內周側。 螺紋槽排氣部定子9係以其內周面與轉子6之外周面對向之方式配置之圓筒形固定構件，以包圍較轉子6之大致中間更下游之轉子6部分之方式配置。 且，較轉子6之大致中間更下游之轉子6部分係作為螺紋槽排氣部PS之旋轉構件而旋轉之部分，經由特定之間隙插入、收納於螺紋槽排氣部定子9之內側。 於螺紋槽排氣部定子9之內周部，形成變化成深度朝下方小徑化之圓錐形狀之螺紋槽91。該螺紋槽91自螺紋槽排氣部定子9之上端向下端螺旋狀刻設。 藉由具備如上述之螺紋槽91之螺紋槽排氣部定子9，而於轉子6之外周側形成用以氣體排氣之螺紋槽排氣流路R。另，雖省略圖示，但亦可構成為藉由於轉子6之外周面形成先前說明之螺紋槽91，而設置如上述之螺紋槽排氣流路R。 於螺紋槽排氣部PS，藉由螺紋槽91與轉子6之外周面之牽制效應，一面壓縮氣體一面移送，故螺紋槽91之深度設定為於螺紋槽排氣流路R之上游入口側(靠近吸氣口2之流路開口端)最深，於其下游出口側(靠近排氣口3之流路開口端)變得最淺。 螺紋槽排氣流路R之入口(上游開口端)向構成最下段排氣段PTn之固定葉片8E與螺紋槽排氣部定子9之間的間隙(以下稱為「最終間隙GE」)開口，又，該螺紋槽流路R之出口(下游開口端)通過泵內排氣口側流路S與排氣口3連通。 泵內排氣口側流路S係藉由於轉子6或螺紋槽排氣部定子9之下端部與泵座1B之內底部之間設置特定之間隙(於圖1之真空泵P1中，繞定子柱4之下部外周一周之形態之間隙)，而自螺紋槽排氣流路R之出口形成至排氣口3。 《螺紋槽排氣部之排氣動作說明》 藉由先前說明之複數個排氣段PT之排氣動作之移送，而到達上述最終間隙GE之氣體分子移行至螺紋槽排氣流路R。移行之氣體分子藉由利用轉子6之旋轉產生之牽制效應，而自遷移流壓縮成黏性流，且向泵內排氣口側流路S移行。且，到達泵內排氣口側流路S之氣體分子流入排氣口3，通過未圖示之輔助泵向外裝殼體1外排氣。 《粒子移送段之細節》 圖2(a)係自轉子之外周面側觀察圖1之真空泵之粒子移送段之狀態之說明圖，圖2(b)係該圖(a)之A箭視圖，圖2(c)係該圖(a)之B箭視圖。 若參照圖2(a)，則圖1之真空泵P1之粒子移送段PN成為具備葉片NB之構造，該葉片NB與構成最上段排氣段PT(PT1)之旋轉葉片7一起旋轉，且片數少於構成最上段排氣段PT(PT1)之旋轉葉片7之片數。 構成粒子移送段PN之旋轉葉片7之片數如上述，少於構成最上段排氣段PT(PT1)之旋轉葉片7之片數，故設定為構成粒子移送段PN之旋轉葉片7之配置間隔L2較構成最上段排氣段PT(PT1)之旋轉葉片7之配置間隔L1更廣(L1＜L2)。 於圖1之真空泵P1中，作為構成粒子移送段PN之葉片NB之具體構成，該葉片NB如圖2(a)與構成最上段排氣段PT(PT1)之旋轉葉片7隣接設置。 藉由採用如上述之隣接構造，而於圖1之真空泵P1中，構成最上段排氣段PT(PT1)之旋轉葉片7中，與構成粒子移送段PN之葉片NB隣接之旋轉葉片7(71、74)之高度因構成粒子移送段PN之葉片NB而延長，藉此，構成最上段排氣段PT(PT1)之複數片旋轉葉片7成為該等全體而言上游端7A之高度不同之參差構造。 作為如上述之隣接之具體構成例，於圖1之真空泵P1中，採用如圖2(a)之上述葉片NB與旋轉葉片7作為一個零件一體設置之構造。 即，於圖1之真空泵P1中，採用如下構造：如圖2(a)所示，對於構成最上段排氣段PT(PT1)之複數片旋轉葉片7、7…中，至少任一片旋轉葉片7(71、74)全體(具體而言，係旋轉葉片7之直徑D方向及厚度T方向全體)，一體設置構成粒子移送段PN之葉片NB(以下稱為「葉片一體構造」)。 於圖2(a)之例中，揭示有如下之構成：藉由採用如上述之葉片一體構造，位於2片旋轉葉片72、73兩側之2片旋轉葉片71、74之上游端7A高於其他旋轉葉片72、73、75之上游端7A，但並非限定於此。位於上游端7A之較高旋轉葉片71、74之間之旋轉葉片72、73之片數可視需要適當增減。 《粒子移送層之動作說明》 若參照圖18，則假設藉由真空腔室CH內之化學製程而二次生成之微粒子狀製程副生成物浮游、擴散於真空腔室CH內，利用自重或因氣體分子之移送效果而向真空泵P1之吸氣口2落下。又，假設附著堆積於真空腔室CH之內壁面之堆積物，或附著堆積於壓力調整閥BL之堆積物等亦因振動等而被剝落，因自重而向真空泵P1之吸氣口2落下。 若參照圖2(a)，則藉由如上述之落下而來到吸氣口2之粒子Pa進而自吸氣口2落下，首先入射至粒子移送段PN。且，入射之粒子Pa與構成粒子移送段PN之葉片NB碰撞。 此時，於粒子移送段PN中，對葉片NB碰撞之複數個粒子中，藉由因葉片NB之旋轉而與位於行進方向前側之該葉片NB之斜面FS(以下稱為「葉片NB之前斜面FS」)碰撞，而使於氣體分子排氣方向反射之粒子(以下稱為「排氣方向反射粒子」)之比率增加，向吸氣口2方向彈回之粒子(以下稱為「逆流粒子」)之比率減少。其理由如下述《探討1》及《探討2》。 《探討1》 於該探討1中，針對構成粒子移送段PN之葉片NB與構成最上段排氣段PT(PT1)之旋轉葉片7隣接設置之構造例進行檢討。 於圖1之真空泵P1中省略粒子移送段PN之情形(相當於以往之真空泵)時，基於下式(1)特定出最上段排氣段PT(PT1)之粒子可碰撞區域Z1(參照圖2(a))。 另一方面，如圖1之真空泵P1，具備粒子移送段PN之情形(相當於本發明之真空泵)時，基於下式(2)特定出該粒子移送段PN之粒子可碰撞區域Z2(參照圖2(a))。 Z1=L1×Vp/Vr …式(1) Z2=L2×Vp/Vr …式(2) L1：旋轉葉片7之配置間隔 L2：葉片NB之配置間隔 Vp：粒子Pa之落下速度 Vr：旋轉葉片7、葉片NB之旋轉速度(周速) 於圖1之真空泵P1中，如上述，構成粒子移送段PN之葉片NB之片數少於構成最上段排氣段PT1之旋轉葉片7之片數，從而構成粒子移送段PN之葉片NB之配置間隔L2設定為較構成最上段排氣段PT1之旋轉葉片7之配置間隔L1更廣。 若考慮該點而比較檢討上式(1)與上式(2)，則因相較於Z1，Z2較大(Z2＞Z1)，故如上述，於粒子移送段PN中，排氣方向反射粒子之比率增加，逆流粒子之比率減少。總之其理由係若粒子之可碰撞區域擴大，則與旋轉葉片7或葉片NB中朝氣體分子排氣方向傾斜之斜面碰撞而向氣體分子排氣方向反射之概率高於與向吸氣口2方向逆流之概率較高之面(具體而言係上述倒角面及位於倒角部上部之凸圓弧面)碰撞之概率。 《探討2》 圖3係不具備粒子移送段之真空泵(相當於以往之真空泵)中，落下之粒子之可碰撞區域之說明圖，圖4係具備粒子移送段之圖1之真空泵(相當於本發明之真空泵)中，落下之粒子之可碰撞區域之說明圖。 於探討2中，針對上述之參差構造進行檢討。 若參照圖3，則於不具備上述之參差構造，亦即省略粒子移送段PN之真空泵(相當於以往之真空泵)中，以下式(3)求得最上段排氣段P(PT1)之直徑D部(參照圖2(c))之粒子可碰撞區域Zp1。 Zp1=｛(πD/N-T)Vp｝/(Vr) …式(3) N：構成最上段排氣段之旋轉葉片7之片數 D：直徑D部之尺寸(參照圖2(c)) T：構成最上段排氣段之旋轉葉片7之直徑D部之軸直角厚度(參照圖2(c)) Vp：粒子之落下速度 Vr：旋轉葉片7之直徑D部之旋轉速度(周速) 若參照圖4，則基於下式(4)特定出上述參差構造之階差高度(突出高度)Zp2。 下式(4)係將圖2(a)之2片旋轉葉片72、73想為如圖3之n片旋轉葉片7、7…，應用於位於n片旋轉葉片7、7之兩側之旋轉葉片71、74之上游端7A高於其他旋轉葉片(71、74以外)之上游端之參差構造者。 Zp2=｛(πD・n/N)Vp｝/(Vr) …式(4) n：位於上游端較高之旋轉葉片71、74之間之旋轉葉片之片數 D：直徑D部之尺寸(參照圖2(c)) N：構成最上段排氣段之旋轉葉片7之片數 Vp：粒子Pa之落下速度 Vr：旋轉葉片7之直徑D部之旋轉速度(周速) 於圖2(c)之直徑D部，若如圖4將n片旋轉葉片7與位於其兩側之旋轉葉片7(71、74)之階差設為Zp2以上，則落下至符號71與74之旋轉葉片間之空間(圖2中相當於L2)之粒子不與n片旋轉葉片7碰撞，而碰撞至符號74之旋轉葉片之前面。且，粒子向符號74之旋轉葉片之前面之可碰撞區域係以下式(5)之後述Zp3特定。 於具備上述參差構造亦即具備粒子移送段PN之圖1之真空泵(相當於本發明之真空泵)中，構成最上段排氣段PT(PT1)之複數片旋轉葉片7成為該等全體而言上游端7A之高度不同之參差構造。該參差構造係如上述，與構成粒子移送段PN之葉片NB隣接之旋轉葉片7之高度因上述葉片NB而延長者，故於該探討2中，認為“存在有上游端高出葉片NB之高度Zp2量的旋轉葉片”。 如此想法之情形時，最上段排氣段PT(PT1)之直徑D部(參照圖2(c))之粒子之可碰撞區域Zp3(參照圖4)係基於下式(5)特定。 Zp3=[｛(πD(n+1)/N-T)｝Vp]/(Vr) …式(5) N：構成最上段排氣段之旋轉葉片7之片數 D：直徑D部之尺寸(參照圖2(c)) T：構成最上段排氣段之旋轉葉片7之直徑D部之軸直角厚度(參照圖2(c)) Vp：粒子之落下速度 Vr：旋轉葉片7之直徑D部之旋轉速度(周速) n：位於上游端較高之旋轉葉片71、74之間之旋轉葉片之片數 若參照圖4，則自直徑D部(參照圖2)之旋轉葉片7之旋轉速度Vr與粒子之落下速度Vp，求得自旋轉葉片7觀察之粒子之相對速度Vc。於圖4中，若將上游端較高之旋轉葉片7(71、74)之間隔或區間設為葉片間隔L'，則自圖4之A地點入射之粒子(葉片間隔L'內可入射(落下)至最下游側之粒子)落下至葉片間隔L'之範圍內位於旋轉葉片7(74)末端之延長線上之B'地點。旋轉葉片7(74)之上端面7A至B'地點之落下距離成為以上式(5)求得之Zp3。於具備粒子移送段PN之圖1之真空泵(相當於本發明之真空泵)中，由於在該Zp3之範圍內並無倒角等之葉片面，故落下至B'地點之粒子可進而落下，最終與旋轉葉片7(74)之前面，具體而言與該旋轉葉片7(74)之朝下斜面之C'地點碰撞。 如由以上之說明可知，於具備粒子移送段PN之圖1之真空泵(相當於本發明之真空泵)中，旋轉葉片7(74)之上端面7A至C'地點之粒子之落下距離Zp4成為該粒子之可碰撞區域，該可碰撞區域(落下距離Zp4)大於由上式(5)所得之可碰撞區域Zp3。 總之，若將因上述參差構造之階差之高度設為Zp2，則自圖4之A點入射之粒子碰撞至B點，但若將此階差設為Zp2以上，則該粒子不與n片旋轉葉片7碰撞，而與旋轉葉片7(74)之前面(例如旋轉葉片7(74)之朝下斜面之C'地點)碰撞。 此處，比較檢討上式(3)與上式(5)。此時，若為簡化而考慮忽視上式(3)與上式(5)中之旋轉葉片7之厚度T，則如上述採用階差之高度為Zp2以上之參差構造之情形時，即上式(5)之情形時，與上式(3)之情形相比，粒子Pa之可碰撞區域擴大為(n+1)倍，故排氣方向反射粒子之比率增加，逆流粒子之比率減少。總之，其理由係若粒子之可碰撞區域擴大，則與旋轉葉片7或葉片NB中朝分子排氣方向傾斜之斜面碰撞而於氣體分子排氣方向反射之概率更高於較與於吸氣口2方向逆流之概率較高之面(具體而言係於先前例中說明之倒角面及位於倒角部上部之凸圓弧面)碰撞之概率。 另，即使係葉片NB與旋轉葉片7分開設置之構造，上述動作亦相同。 《粒子移送段PN之其他實施形態(其1)》 於圖1之真空泵P1中，作為粒子移送段PN之具體構成，採用對旋轉葉片7全體設置葉片NB之構成，但並非限定於此。例如，如圖5(a)、(b)、(c)所示，亦可採用於旋轉葉片7之長度L方向之一部分設置葉片NB之構成，或如該圖(d)、(e)所示，於旋轉葉片7之厚度T方向之一部分設置葉片NB之構成，藉由此種構成亦可獲得上述之作用效果(排氣方向反射粒子之比率增加，逆流粒子之比率減少)。 《粒子移送段PN之其他實施形態(其2)》 於圖1之真空泵中，如圖2(a)所示，作為構成最上段排氣段PT(PT1)之複數片旋轉葉片7之具體構成，係以複數片旋轉葉片7之間隔為相同間隔之方式構成，但並非限定於此。例如如圖6所示，因上述參差構造而上游端變高之旋轉葉片7(74)與位於該旋轉葉片7(74)之旋轉行進方向前側之旋轉葉片73(以下稱為「先行葉片7(73)」)之配置間隔，可設定為較其他旋轉葉片7之配置間隔更寬。 參照圖6，採用如上述之配置間隔之設定之情形時，如上述與葉片NB之前斜面FS碰撞而反射之排氣方向反射粒子不易與先行葉片7(73)碰撞，且在與先行葉片7(73)之背面(朝旋轉方向背側之吸氣口2方向之斜面，以下亦同)碰撞而反射下向吸氣口2方向彈回之粒子(此亦為逆流粒子之一種)減少，粒子之排氣效率進而提高。 《粒子移送段PN之其他實施形態(其3)》 於圖1之真空泵中，如圖2(a)所示，作為構成最上段排氣段PT(PT1)之複數片旋轉葉片7之具體構成，係以複數片旋轉葉片7之下游端7B為相同高度之方式構成，但並非限定於此。例如如圖7(a)所示，亦可採用先行葉片7(73)之下游端7B較其他旋轉葉片7之下游端7B更為於吸氣口2方向退縮之構成(以下稱為「底部上升構造」)，或如圖7(b)所示，亦可設為切削先行葉片7(73)之下游端7B之一部分之底部上升構造。 參照圖7(a)、(b)，採用如上述之底部上升構造之情形亦如上述，與葉片NB之前斜面FS碰撞而反射之排氣方向反射粒子不易與先行葉片7(73)之背面碰撞，且在與先行葉片7(73)之背面碰撞而反射下向吸氣口2方向彈回之粒子(此亦為逆流粒子之一種)減少，粒子之排氣效率進而提高。 《粒子移送段PN之其他實施形態(其4)》 於圖1之真空泵P1中，採用複數片旋轉葉片7作為全體其上游端7A成為參差構造之構成，亦即，旋轉葉片7之上游端7A因葉片NB而延長並變高之構造(以下稱為「單側延長葉片構造」)，但並非限定於此。 例如，除如上述之單側延長葉片構造外，如圖8所示，進而亦可採用以因上述之參差構造而上游端7A變高之旋轉葉片7(71、74)之下游端7B延長為較其他旋轉葉片7 (72、73、75)之下游端7B更長之構造(以下稱為「兩側延長葉片構造」)。作為此種兩側延長葉片構造之具體構成例，另，於圖8中，因藉由獲得上述參差構造所使用之葉片NB同等之葉片NB而延長旋轉葉片7(71、74)之下游端7B，但並非限定於此種延長之形態。 但，因旋轉葉片7與轉子6一體旋轉，故因此旋轉而產生之離心力自旋轉葉片7之固定端向自由端之方向作用，或自旋轉葉片7之旋轉中心(具體而言係轉子軸5之軸心)向放射方向作用。一般之旋轉葉片7係以其形狀與旋轉軸(具體而言係轉子軸5)成直角且繞放射方向之直線(以下為葉片之形狀中心)為對稱之方式設置。此係對於因如上述之旋轉產生之離心力，使得旋轉葉片7所產生之力之力矩繞旋轉葉片之形狀中心變得不平衡，用以降低由此而於旋轉葉片7之根部(固定端)產生扭矩、疲勞破損等風險之措施。 於先前說明之單側延長葉片構造中，僅旋轉葉片7之上游端7A延長，故易產生繞旋轉葉片7之形狀中心之扭矩之不平衡，認為因此種扭矩而可能於旋轉葉片7之固定端附近，亦即位於轉子6之外周面側之部分產生疲勞破損等之旋轉葉片7之損傷。 相對於此，於先前說明之兩側延長葉片構造中，於旋轉葉片7(71、74)之上游端7A與下游端7B兩者設有同等之葉片NB，故不易產生如上述之扭轉力，亦不易因扭轉力而產生疲勞破損等之旋轉葉片7之損傷。 《粒子移送段PN之其他實施形態(其5)》 於圖1之真空泵P1中，作為構成粒子移送段PN之葉片NB之具體構成，作為該葉片NB與構成最上段排氣段PT1之旋轉葉片7隣接設置之構成，及其隣接之具體構成例，係採用葉片NB與旋轉葉片7作為一個零件一體設置之構造(參照圖2(a))，但並非限定於此。 作為如上述之隣接之具體其他構成例，亦可採用如下構成：例如如圖9(a)所示，對於構成最上段排氣段PT(PT1)之複數片旋轉葉片7中之至少任一片旋轉葉片7(71、74)全體或其一部分，構成粒子移送段PN之葉片NB係作為不同零件安裝。於此種不同零件之構成中，上述“旋轉葉片全體或其一部分”之解釋係基於上述《粒子移送段PN之其他實施形態(其1)》之說明，故省略其詳細說明。 採用作為上述不同零件構成之上述葉片NB之情形亦又藉由作為其不同零件之葉片NB，構成最上段排氣段PT(PT1)之複數片旋轉葉片7成為其上游端7A之高度不同之參差構造，故獲得上述之作用效果(排氣方向反射粒子之比率增加、逆流粒子之比率減少)。 採用如上述作為不同零件構成之葉片NB之情形時，亦有於構成粒子移送段PN之葉片NB與構成最上段排氣層PT(PT1)之旋轉葉片7(71)之間，例如如圖9(b)產生間隙，或如圖9(c)產生相對偏移之情形。產生該間隙或偏移之構成亦包含於上述“隣接”中，獲得上述之作用效果(排氣方向反射粒子之比率增加、逆流粒子之比率減少)。如上述之間隙或偏移有根據設計上需要而積極設置之情形，及與加工精度之關係而必然設計之情形。 於如上述將構成粒子移送段PN之葉片NB作為不同零件之構成，亦可應用先前說明之《粒子移送段PN之其他實施形態(其1)》至《粒子移送段PN之其他實施形態(其4)》之構成。 採用如上述作為不同零件而構成之葉片NB之構成中，該葉片NB，亦即構成粒子移送段PN之葉片NB與構成最上段排氣段PT(PT1)之旋轉葉片7(71)成為各個葉片面直接對向之構造，於如此直接對向之葉片面之間例如不介隔如固定葉片8之固定零件。該點於先前說明之葉片一體構造(參照圖2(a))中亦同樣。 《粒子移送段PN之其他實施形態(其6)》 於圖1之真空泵中，作為粒子移送段PN之具體構成，係採用構成粒子移送段PN之葉片NB與構成最上段排氣段PT(PT1)之旋轉葉片7隣接設置之構成，但並非限定於此。 例如如圖10所示，構成粒子移送段PN之葉片NB亦可採用設置於自構成最上段排氣段PT(PT1)之旋轉葉片7離開特定距離之位置之構成，藉由此種構成，亦可獲得上述之作用效果(排氣方向反射粒子之比率增加、逆流粒子之比率減少)。 《粒子移送段PN之其他實施形態(其7)》 如先前說明之圖9(a)，於構成粒子移送段PN之葉片NB作為不同零件而安裝之構成中，該葉片NB之具體安裝構造採用如下方式：例如如圖11所示，準備可嵌入至轉子6上端面之凹部61之第1安裝構件62，於第1安裝構件62之外周面(具體而言係設置於第1安裝構件62之外周之凸緣62A之外周面)支持上述葉片NB，且於將第1安裝構件62嵌入至上述凹部61之狀態下，以螺栓BT螺固固定第1安裝構件62與轉子軸5之前端。 於使用如上述之第1安裝構件62之葉片NB之安裝方式中，氣體可能滯留於轉子6上端面之凹部61內，故較佳為於第1安裝構件62設置排氣孔63，或於第1安裝構件62之凸緣62A與轉子6上端面之間設置排氣孔64等排氣機構。 為了取得包含轉子6或旋轉葉片7等之旋轉體全體之旋轉平衡，圖11所示之葉片NB以自其旋轉體之旋轉中心觀察以如圖12成旋轉對稱之方式配置。對於此種配置構成，亦可應用於先前說明之圖1至圖10(除圖3外)之葉片NB或後述之圖13、圖4之葉片NB。 《粒子移送段PN之其他實施形態(其8)》 對於如上述作為不同零件而構成之葉片NB之具體安裝構造，例如亦可採用圖13所示之安裝構造。於該圖13之安裝構造中，準備可對轉子軸5之前端安裝之第2安裝構件65，於該第2安裝構件65之外周面支持上述葉片NB，且以螺栓BT螺固固定第2安裝構件65與轉子軸5之前端。 《粒子移送段PN之其他實施形態(其9)》 再者，作為以不同零件構成之上述葉片之具體安裝構造，雖省略圖示，但亦可採用對轉子6之吸氣口側之上端部以螺栓螺固固定上述葉片之方式。 《粒子移送段PN之其他實施形態(其10)》 於圖1之真空泵P1中，如圖2(a)所示，係採用以構成粒子移送段PN之葉片NB之仰角θ1與構成最上段排氣段PT(PT1)之複數片旋轉葉片7之仰角θ2成同等角度之方式設定之構成(θ1=θ2)，但並非限定於此。 亦可構成為例如如圖14所示之仰角之設定，亦即以構成粒子移送段PN之葉片NB之仰角θ1小於構成最上段排氣段PT(PT1)之旋轉葉片7之仰角θ2之方式設定(θ1＜θ2)。 採用如上述仰角之構成之情形時，成為構成粒子移送段PN之葉片NB相對於構成最上段排氣段PT(PT1)之旋轉葉片7(71、74)懸突之形態，由於較先行葉片之方向，更朝葉片下端間之空間之方向，亦即更向靠近旋轉體(具體而言係包含轉子6或旋轉葉片7等之旋轉體)之軸向朝下之方向之角度反射，故與葉片NB之前斜面FS之碰撞而反射之排氣方向反射粒子不易與先行葉片7(73)之背面碰撞，而使因與先行葉片7(73)之碰撞而反射並向吸氣口2方向彈回之粒子(此亦為逆流粒子之一種)減少，粒子之排氣效率進而提高。 又，如上述之仰角之設定不僅應用於如圖14之葉片NB作為不同零件設置之構成，亦可應用於如圖6之葉片NB與旋轉葉片7一體設置之構成。 《粒子移送段PN之其他實施形態(其11-1及11-2)》 先前說明之因參差構造所致之階差高度(深度)不限於1種，亦可為複數種階差之高度(深度)組合之構造。例如，可形成階梯狀(參照圖15)，亦可形成如高度變化成錐狀之形狀(參照圖16)。再者，雖省略圖示，但作為複數種階差之高度(深度)之組合例，亦可採用以此種階差之高度(深度)變得散亂之方式設定之構成(階差高度或深度不均一之構成)。總之，複數種階差之高度(深度)之組合可視需要而適當變更。又，亦可根據旋轉葉片之半徑方向位置，改變階差之高度。 圖15係粒子移送段PN之其他實施形態(其11-1)，具體而言，係作為複數種階差之高度之組合例，階差之高度變化成階梯狀之構成之說明圖。又，圖16係粒子移送段PN之其他實施形態(其11-2)，具體而言，係作為複數種階差之高度之組合例，階差之高度變化成錐狀之構成之說明圖。 此處，例如若參照圖4，則於該圖4之例中，因上述之參差構造而使上游端7A變高之旋轉葉片7(71、74)與位於其之間之旋轉葉片7、7之階差之高度(深度)以一律相同之Zp2或Zp2以上之Zp3之方式構成。 相對於此，若參照圖15，則於該圖15之例中，採用於第n片旋轉葉片7(80)中因上述參差構造所致之階差之高度(深度)成Zp2以上之方式變化成階梯狀(h1＜h2＜h3)之構成(以下稱為「階梯形狀型構成」)。 因此，於該階梯形狀型構成中，因參差構造而上游端7A變高之旋轉葉片7(76、80)與位於其之間之旋轉葉片7(77、78、79)之階差之高度(深度)h1、h2、h3並非一律相同，而是向旋轉葉片7之旋轉方向依序逐段變低(變深)之方式設定。採用如此設定之階梯形狀型構成之情形時，亦由圖15所示之微粒子Pa之飛跡可知，微粒子Pa不與旋轉葉片7(77、78、79)碰撞，獲得上述之作用效果(排氣方向反射粒子之比率增加、逆流粒子之比率減少)。 採用上述階梯形狀型構成之情形時，位於上游端7A變高之旋轉葉片7(76、80)之間之旋轉葉片7(77、78、79)之上游端7A皆以無傾斜之平面構成。 若參照圖16，則於該圖16之例中，採用以於第n片旋轉葉片7(80)中因參差構造所致之階差之高度(深度)成Zp2以上之方式變化成錐狀(h4＜h5＜h6)之構成(以下稱為「錐形狀型構成」)。 因此，於該錐形狀型構成中，因上述參差構造而上游端7A變高之旋轉葉片7 (76、80)與位於其之間之旋轉葉片7 (77、78、79)之階差之高度(深度)h4、h5、h6並非一律相同，而是向旋轉葉片7之旋轉方向連續變低(變深)之方式設定。採用如此設定之錐形狀型構成之情形時，如由圖16所示之微粒子Pa之飛跡可知，微粒子Pa不與旋轉葉片7(77、78、79)碰撞，獲得上述之作用效果(排氣方向反射粒子之比率增加、逆流粒子之比率減少)。 採用上述錐形狀型構成之情形時，位於上游端7A變高之旋轉葉片7(76、80)之間之旋轉葉片7(77、78、79)之上游端7A皆以按特定角度傾斜之傾斜面構成。 然而，旋轉葉片7之配置間隔與高度之比率係設定為可將氣體分子有效地移送至下游側之最佳值，故若旋轉葉片7之高度不同，則導致一部分旋轉葉片7自最佳設定值偏離，有帶來作為真空泵全體之排氣性能降低之虞。藉此，就確保排氣性能上，旋轉葉片7之高度差較小較好。 該點於先前說明之圖15之階梯形狀型構成，或圖16之錐形狀型構成中，由於採用第n片旋轉葉片7(80)中因參差構造所致之階差之高度成Zp2以上之方式變化成階梯狀或錐狀之構成，故例如採用後述之減高式參差構造之情形時，旋轉葉片7之高度差亦變小，不易產生排氣性能之降低。另，圖15之階梯形狀型構成或圖16之錐形狀型構成不僅採用後述之減高式參差構造，當然亦可採用上述之參差構造。 《粒子移送段PN附近之本發明之其他實施形態》 圖17係粒子移送段PN附近之本發明之其他實施形態之說明圖。於該圖17之實施形態中，於最上段排氣段PT(PT1)之上游(具體而言係較粒子移送段PN更上游)，作為反射機構RF，設有以與構成最上段排氣段PT(PT1)之複數片旋轉葉片7逆向之角度傾斜之固定之葉片RF1(以下稱為「固定反射葉片RF1」)。 若參照圖17，則微粒子Pa於構成排氣段PT(PT1)之旋轉葉片7(以下稱為「最上段旋轉葉片7」)於下游方向反射，向構成相同排氣段PT(PT1)之固定葉片8(以下稱為「最上段固定葉片8」)之方向移行。此時，移行之一部分微粒子Pa如圖17所示，藉由於最上段固定葉片8之背面或上端面再反射，不入射至最上段旋轉葉片7之前面，而以特定速度於最上段旋轉葉片7之間抽出，向吸氣口2或其之前的真空腔室CH之方向逆流之概率較高。 作為防止如上述之因於最上段固定葉片8之再反射所致之微粒子Pa(以下稱為「再反射微粒子Pa」)逆流之機構，反射機構RF發揮功能。即，再反射微粒子Pa如圖17所示，於固定反射葉片RF1反射，再次向最上段排氣段PT(PT1)之方向移行。 但，如上述逆流之再反射微粒子Pa如上述以特定速度貫穿最上段旋轉葉片7之間，故作為該貫穿所需要之速度成分，具有與最上段旋轉葉片之傾斜並行(旋轉方向)之速度成分。由此，於圖17之實施形態中，如上述，構成為固定反射葉片RF1成以與最上段旋轉葉片7逆向之角度傾斜之形狀，藉此而可以固定反射葉片RF1有效地捕捉逆流之再反射微粒子Pa。 固定反射葉片RF1之片數與傾斜角度等可考慮因固定反射葉片RF1所致之微粒子Pa之反射或作為真空泵全體之排氣效率等，視需要而適當變更。 於圖17之實施形態中，採用於真空泵P1之較吸氣口2更下游設置反射機構RF，於真空泵PI內配置反射機構RF之構成，但並非限定於此。雖省略圖示，但反射機構RF亦可設置於例如連接真空泵P1與真空腔室CH之路徑之中途。 本發明不限於以上說明之實施形態，於本發明之技術性思想內可由本領域中具有通常知識者進行各種變形。 例如，先前說明之《粒子移送段PN之其他實施形態(其1)》至《粒子移送段PN之其他實施形態(其11-2)》之構成，以及《粒子移送段PN附近之本發明之其他實施形態》之構成，可視需要而適當組合使用。 以上說明之實施形態之真空泵於吸氣口2至排氣口3之間，具有作為將氣體分子排氣之機構發揮功能之複數個排氣段PT，該複數個排氣段PT成為針對每個排氣段PT，藉由以特定間隔放射狀配置之複數片旋轉葉片7與固定葉片8而將氣體分子排氣之構造。於包含此種構造之複數個排氣段PT中，藉由減高式參差構造，亦即使構成最上段排氣段PT1之複數片旋轉葉片7中之至少一部分上游端7A之高度減低(減高)，而成為作為該等全體上游端7A之高度不同之參差構造，亦可成為於氣體分子之排氣方向移送粒子之粒子移送段。此種粒子移送段亦與上述粒子移送段PN同等地發揮功能。
1‧‧‧外裝殼體1A‧‧‧泵殼1B‧‧‧泵座2‧‧‧吸氣口3‧‧‧排氣口4‧‧‧定子柱5‧‧‧轉子軸6‧‧‧轉子7‧‧‧旋轉葉片7A‧‧‧上端7B‧‧‧下游端8、8E‧‧‧固定葉片9‧‧‧螺紋槽排氣部定子61‧‧‧轉子上端面之凹部62‧‧‧第1安裝構件62A‧‧‧凸緣63‧‧‧排氣孔64‧‧‧排氣槽65‧‧‧第2安裝構件71～80‧‧‧旋轉葉片91‧‧‧螺紋槽A、B、C‧‧‧箭頭B'、C'‧‧‧地點BL‧‧‧壓力調整閥BT‧‧‧螺栓CH‧‧‧真空腔室D‧‧‧旋轉葉片之直徑EG‧‧‧葉片邊緣部FS‧‧‧構成粒子移送段之葉片之前斜面GE‧‧‧最終間隙h1～h5‧‧‧深度L'‧‧‧葉片間隔L1‧‧‧構成最上段排氣段之旋轉葉片之配置間隔L2‧‧‧構成粒子移送段之旋轉葉片之配置間隔MB1‧‧‧徑向磁性軸承MB2‧‧‧軸向磁性軸承MC‧‧‧倒角部之上部MO‧‧‧驅動馬達MS‧‧‧倒角部NB‧‧‧葉片P1‧‧‧真空泵Pa‧‧‧微粒子PN‧‧‧粒子移送段PS‧‧‧螺紋槽泵段PT‧‧‧排氣段PT1‧‧‧最上段之排氣段PTn‧‧‧最下段之排氣段R‧‧‧螺紋槽排氣流路RF‧‧‧反射機構RF1‧‧‧固定反射葉片S‧‧‧泵內排氣口側流路T‧‧‧厚度Vc‧‧‧相對速度Vp‧‧‧粒子Pa之落下速度Vr‧‧‧旋轉葉片7、葉片NB之旋轉速度(周速)Z‧‧‧先前之真空泵Z1、Z2‧‧‧粒子之可碰撞區域Zp1‧‧‧粒子之可碰撞區域Zp2‧‧‧參差構造之階差之高度Zp3‧‧‧粒子之可碰撞區域Zp4‧‧‧落下距離θ1、θ2‧‧‧仰角
圖1係應用本發明之真空泵之剖視圖。 圖2(a)係自轉子之外周面側觀察圖1之真空泵之粒子移送段之狀態之說明圖，(b)係圖2(a)之A箭視圖，(c)係圖2(a)之B箭視圖。 圖3係不具備粒子移送段之真空泵(相當於先前之真空泵)中落下之粒子之可碰撞區域之說明圖。 圖4係具備粒子移送段之圖1之真空泵(相當於本發明之真空泵)中落下之粒子之可碰撞區域之說明圖。 圖5(a)、(b)、(c)、(d)及(e)係粒子移送段之其他實施形態(其1)之說明圖。 圖6係粒子移送段之其他實施形態(其2)之說明圖。 圖7(a)、(b)係粒子移送段之其他實施形態(其3)之說明圖。 圖8係粒子移送段之其他實施形態(其4)之說明圖。 圖9(a)、(b)及(c)係粒子移送段之其他實施形態(其5)之說明圖。 圖10係粒子移送段之其他實施形態(其6)之說明圖。 圖11係粒子移送段之其他實施形態(其7)之說明圖。 圖12係圖11之C箭視圖。 圖13係粒子移送段之其他實施形態(其8)之說明圖。 圖14係粒子移送段之其他實施形態(其10)之說明圖。 圖15係粒子移送段之其他實施形態(其11-1)之說明圖。 圖16係粒子移送段之其他實施形態(其11-2)之說明圖。 圖17係粒子移送段附近之本發明之其他實施形態之說明圖。 圖18係採用先前之真空泵作為真空腔室之氣體排氣機構之排氣系統之概要圖。 圖19(a)係於圖18所示之先前之真空泵之最上段排氣段自圖18之箭頭D方向觀察排氣段之旋轉葉片之狀態之模式圖，(b)係位於圖19(a)所示之旋轉葉片之上端面側之葉片邊緣部之放大圖。 圖20係使倒角部向分子排氣方向朝下以機械加工傾斜之狀態之說明圖。
7‧‧‧旋轉葉片
7A‧‧‧上端
7B‧‧‧下游端
71~75‧‧‧旋轉葉片
A、B‧‧‧箭頭
FS‧‧‧構成粒子移送段之葉片之前斜面
L1‧‧‧構成最上段排氣段之旋轉葉片之配置間隔
NB‧‧‧葉片
Pa‧‧‧微粒子
PN‧‧‧粒子移送段
PT‧‧‧排氣段
PT1‧‧‧最上段之排氣段
T‧‧‧厚度
Vp‧‧‧粒子Pa之落下速度
Vr‧‧‧旋轉葉片7、葉片NB之旋轉速度(周速)
Z1、Z2‧‧‧粒子之可碰撞區域

Claims (19)

  1. 一種真空泵，其特徵係於吸氣口至排氣口之間，具有複數個排氣段，該複數個排氣段作為將氣體分子排氣之機構發揮功能，上述複數個排氣段為依每個排氣段，藉由以特定間隔放射狀配置之複數片旋轉葉片與固定葉片而將上述氣體分子排氣之構造，且於上述複數個排氣段中最上段排氣段至上述吸氣口之間，具備作為於上述氣體分子之排氣方向移送粒子之粒子移送段之葉片，該葉片與構成上述最上段排氣段之上述複數旋轉葉片一起旋轉，且其片數少於構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片之片數，於上述葉片以入射角與反射角相等之方式進行反射之上述粒子進入流路，該流路係至少一部分由與上述葉片鄰接之上述旋轉葉片、及位於與上述葉片鄰接之上述旋轉葉片之因旋轉之行進方向前側之上述旋轉葉片所劃分。
  2. 如請求項1之真空泵，其中構成上述粒子移送段之上述葉片係與構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片隣接設置。
  3. 如請求項1或2之真空泵，其中對於構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片中之至少任一片旋轉葉片全體或其一部分，一體設置構成上述粒子移送段之上述葉片。
  4. 如請求項1或2之真空泵，其中於構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片中，與構成上述粒子移送段之上述葉片隣接之旋轉葉片之高度係藉由構成上述粒子移送段之上述葉片而延長，藉此，構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片成為該等全體而言上游端之高度不同之參差構造。
  5. 如請求項4之真空泵，其中於構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片中，因上述參差構造而上游端變高之旋轉葉片，與位於該旋轉葉片之旋轉行進方向前側之旋轉葉片之配置間隔，設定為較其他上述複數片旋轉葉片之配置間隔更廣。
  6. 如請求項4之真空泵，其中於構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片中，位於因上述參差構造而上游端變高之旋轉葉片之旋轉行進方向前側之上述旋轉葉片之下游端，較其他上述複數片旋轉葉片之下游端更朝上述吸氣口方向退縮。
  7. 如請求項4之真空泵，其中於構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片中，因上述參差構造而上游端變高之旋轉葉片之下游端係以較其他上述複數片旋轉葉片之下游端更長之方式延長。
  8. 如請求項4之真空泵，其中成為因上述參差構造而階差之高度階梯狀變化之構成。
  9. 如請求項4之真空泵，其中成為因上述參差構造而階差之高度錐狀變化之構成。
  10. 如請求項1或2之真空泵，其中對於構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片中之至少任一片旋轉葉片全體或其一部分，作為不同零件而安裝構成上述粒子移送段之上述葉片。
  11. 如請求項1或2之真空泵，其中構成上述粒子移送段之上述葉片之仰角設定為小於構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片之仰角。
  12. 如請求項1或2之真空泵，其中構成上述粒子移送段之上述葉片設置於自構成上述最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片離開之位置。
  13. 一種葉片零件，其使用於如請求項1至12中任一項之真空泵，且具備構成上述粒子移送段之上述葉片。
  14. 一種真空泵，其特徵係於吸氣口至排氣口之間，具有複數個排氣段，該複數個排氣段作為將氣體分子排氣之機構發揮功能，上述複數個排氣段為依每個排氣段，藉由以特定間隔放射狀配置之複數片旋轉葉片與固 定葉片而將上述氣體分子排氣之構造，且藉由降低構成最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片中之至少一部分上游端之高度，而成為該等全體而言上游端之高度不同之參差構造，且成為於上述氣體分子之排氣方向移送粒子之粒子移送段，於上述高度不同之參差構造中之高度較高之旋轉葉片以入射角與反射角相等之方式進行反射之上述粒子進入流路，該流路係至少一部分由上述高度較高之旋轉葉片、及位於上述高度較高之旋轉葉片之因旋轉之行進方向前側之上述旋轉葉片所劃分。
  15. 如請求項14之真空泵，其中成為因上述參差構造而階差之高度階梯狀變化之構成。
  16. 如請求項14之真空泵，其中成為因上述參差構造而階差之高度錐狀變化之構成。
  17. 一種轉子，其使用於如請求項1至12 、 14至16中任一項之真空泵，且具備構成上述粒子移送段之上述葉片。
  18. 如請求項1至2、14至16中任一項之真空泵，其中於上述最上段排氣段之上游，設有以與構成該最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片逆向之角度傾斜之固定之葉片，作為反射機構。
  19. 一種固定葉片，其特徵在於，其係使用於如請求項18之真空泵者，且 於上述最上段排氣段之上游，作為上述反射機構，以與構成該最上段排氣段之上述複數片旋轉葉片逆向之角度傾斜。
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