TWI743020B - 用於大溫度範圍夾具之多流體冷卻系統 - Google Patents

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威廉 大衛斯 李
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美商艾克塞利斯科技公司
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Abstract

本發明係關於一種靜電夾緊系統，其具有靜電夾具，該靜電夾具具有一或多個電極及夾緊表面以及穿過該靜電夾具之一或多個流體通道。複數個流體源具有與其相關聯之各別的複數個流體，其中所述複數個流體中之每一者在化學上彼此相異，且具有與其相關聯之各別的可行流體溫度範圍。熱單元經配置以將所述複數個流體加熱及/或冷卻至一或多個預定溫度設定點。閥門總成經配置以使所述複數個流體源中之每一者選擇性地流體耦接至該靜電夾具之所述一或多個流體通道。控制器亦經配置以經由對該閥門總成之控制使該靜電夾具之所述一或多個流體通道與所述複數個流體源中之所選一或多者選擇性地流體耦接。

Description

用於大溫度範圍夾具之多流體冷卻系統
本揭露內容大體係關於工件載具，且更特定而言係關於靜電夾具，其經配置以在大溫度範圍內使複數種冷卻劑穿過其中流動。
在半導體工業中常常利用工件支撐件來在基於電漿或基於真空之半導體製程(諸如離子佈植、蝕刻、化學氣相沉積(CVD)等等)期間支撐及夾緊工件或基板。例如，靜電夾板(ESC)在工件與ESC之間施加靜電夾緊力，以在處理期間將工件靜電吸引至ESC之夾緊表面。往往合乎需要的是，在處理期間冷卻或加熱工件，其中使流體流過ESC內之流體路徑，以便在工件駐留於ESC上的同時提供對工件之冷卻或加熱。
本揭露內容詳述工件支撐件，其在半導體處理系統中用於在寬溫度範圍下支撐且均勻冷卻或加熱安置於其上之工件。因此，以下提出本揭露內容之簡化要旨，以便提供對本發明之一些觀點的基本理解。此要旨並非本發明之詳盡綜述。其既不欲認定本發明之重要或關鍵要素，亦不欲描繪本發明之範疇。該要旨之目的係以簡化形式提出本發明之一些概念，以作為稍後提出的更詳細描述之序部。
根據一個示範性觀點，揭露靜電夾緊系統，其中提供靜電夾具，該靜電夾具具有一或多個電極及夾緊表面。該靜電夾具經配置以經由流過一或多個電極之電流來支撐且靜電夾緊連至該靜電夾具之工件。該靜電夾具例如包含穿過其中之一或多個流體通道。
複數個流體源例如具有與其相關聯的各別複數個流體。在一個實例中，複數個流體中之每一者在化學上彼此相異，且具有與其相關聯的各別可行流體溫度範圍。熱單元進一步配置來將複數個流體加熱及/或冷卻至一或多個預定溫度設定點。
根據另一示範性觀點，進一步提供閥門總成，其中該閥門總成包含一或多個自動閥門，其經配置以使複數個流體源中之每一者選擇性地流體耦接至該靜電夾具之一或多個流體通道。
此外，控制器經配置以基於一或多個沖洗條件來選擇性地打開及關閉一或多個自動閥門。因此，該靜電夾具之一或多個流體通道與該複數個流體源中之所選一或多者選擇性地流體耦接。一或多個沖洗條件例如係基於沖洗演算法及查找表中之一或多者，該查找表使與複數個流體中之每一者相關聯的可行流體溫度範圍及化學相容性相關於與該靜電夾具上工件之處理相關聯的一或多個預定製程溫度。
以上要旨僅僅意欲給出本發明之一些實施例之一些特徵的簡要綜述，且其他實施例可包含就上述特徵而言的另外及/或不同的特徵。詳言之，該要旨不應解釋為限制本申請案之範疇。因此，為實現前述及相關目的，本發明包含下文描述且尤其在申請專利範圍中指出的特徵。以下描述及附圖詳細闡述本發明之某些說明性實施例。然而，此等實施例指示 的是可使用本發明之原理的各種方式中之一些方式。當結合圖式來考慮時，本發明之其他目的、優點及新穎特徵將自本發明之以下詳述變得顯而易見。
100:靜電夾緊系統
102:靜電夾具(ESC)
104:電極
106:工件
108:表面
110:電源
112:流體通道
114A~114n:流體源
116:流體
116A~116n:流體
118:閥門總成
120:自動閥門
122:熱單元
124:控制器
200:處理系統
201:離子佈植系統
202:終端件
204:射束線總成
206:末端站
208:離子源
210:電源
212:離子束
214:束操控設備
216:孔口
218:工件
220:夾具
222:製程腔室
224:製程環境
230:受控溫度夾具
232:外部環境
234:熱系統
236:控制器
圖1為根據本揭露內容之若干觀點的示範性靜電夾緊系統之方塊圖。
圖2為根據本揭露內容之各種其他觀點的包含示範性靜電夾緊系統之處理系統之方塊圖。
在一些半導體製程(諸如離子佈植製程)中，合乎需要可為在工件(例如，半導體晶圓)與在處理期間固持工件之支撐件之間提供熱路徑(例如，冷卻路徑或加熱路徑)，以便在工件處維持預定溫度。本揭露內容提供靜電夾具，其具有安置於其中之流體，其中當流體相對於工件之表面行進時，流體於工件支撐件內之流動係維持於實質上恆定質量流率下。
因此，本揭露內容大體係關於在半導體處理系統中用於支撐工件且在工件與靜電夾具之間傳遞熱能之系統、設備及方法。因此，現在將參考圖式對本發明進行描述，其中相同參考數字可始終用於指代相同元件。應瞭解，對此等觀點之描述僅僅為說明性的且其不應以限制性意義來解釋。在以下描述中，出於解釋之目的，闡述許多特定細節以便提供對本發明之透徹理解。然而，對熟悉該項技術者而言顯然的是，本發明可在沒有此等具體細節的情況下實施。此外，本發明之範疇不意欲由下文參考隨附圖式描述的實施例或實例限制，而意欲僅由隨附申請專利範圍及其等效 物限制。
亦應注意，提供圖式以給出對本揭露內容之實施例之一些觀點的圖解說明，且因此該等圖式僅視為示意性的。詳言之，在圖式中所示的元件未必相互按比例繪製，且圖式中各種元件之佈置係選擇來提供對各別實施例之清楚理解，而不欲解釋為對根據本發明之實施例的實行方式中各種組件之實際相對位置的必要表示。此外，除非另外具體說明，否則本文所述的各種實施例及實例之特徵可彼此組合。
亦應理解的是，在以下描述中，在圖式中所示或本文所述的功能方塊、裝置、組件、電路元件或其他實體或功能單元之間的任何直接連接或耦接亦可藉由間接連接或耦接來實行。此外，應瞭解，圖式中所示的功能方塊或單元可在一個實施例中作為單獨特徵或電路來實行，且可另外或替代地在另一實施例中以共同特徵或電路來完全或部分地實行。例如，若干功能方塊可實行為通用處理器(諸如訊號處理器)上運行之軟體。除非有相反說明，否則在以下說明書中描述為基於導線的任何連接亦可實行為無線通訊。
在半導體處理中，靜電夾具或夾板(ESC)不僅經實行以支撐且維持工件之位置，而且可進一步用於在處理之前、期間或之後加熱或冷卻工件。然而，一些製程係於顯著高溫或低溫(例如，-100℃至+500℃)下執行。然而，在利用單一流體之習知系統中，可證明此種大溫度範圍操作為困難的，因為該單一流體必須在整個溫度範圍內充當熱傳遞流體。例如，水在0℃或0℃以下凍結成固態，但當其為液體或呈兩相(液體-蒸氣)流時，其作為冷卻流體表現良好。然而，若需要冷卻至0℃以下，則必須將具有較 低冰點之不同流體用作熱傳遞流體。同樣地，極高溫度得益於在顯著高溫下沸騰的高溫相容流體。因此，本揭露內容以迄今未見之方式提供系統及設備，其經配置以使用複數個流體在大溫度範圍內加熱及/或冷卻工件。
現參考圖式，圖1例示根據本揭露內容之若干觀點的示範性靜電夾緊系統100。根據一個實例，該靜電夾緊系統包含靜電夾具(ESC)102，該靜電夾具包含一或多個電極104，該等電極經配置以藉由電源110、經由流過一或多個電極之電流將工件106靜電吸引至該靜電夾具之表面108。如上所述，在各種半導體製程中，合乎期望的是經由流過ESC之流體來加熱及/或冷卻ESC 102，以便該流體充當熱傳遞介質，從而在處理(諸如，離子佈植)之前、同時或之後加熱及/或冷卻工件106。例如，本揭露內容之靜電夾緊系統100容易能夠在極大溫度範圍內(例如，-100℃至+500℃)執行。
本揭露內容之ESC 102包含穿過其中的一或多個流體通道112(亦稱為通路或路徑)。進一步提供複數個流體源114A至114n，該等流體源具有與其相關聯的各別複數個流體116A至116n，其中該複數個流體中之每一者在化學上彼此相異，且各自具有針對不同溫度範圍加以最佳化的與其相關聯的各別可行流體溫度範圍。
例如，複數個流體116包含水、碳氟化合物、空氣、壓縮乾燥空氣(CDA)、乾燥氮、氬及各種其他液體及氣體中之一或多者，該等流體各自具有與複數個流體中之剩餘者不同的沸點及/或冰點，及/或適合於沖洗一或多個流體通道112，從而防止凍結或在不同溫度下進行操作之其他有害效應。換言之，與各個流體116相關聯的可行流體溫度範圍包含液體溫度 範圍及氣體溫度範圍中之一或多者，在該液體溫度範圍及氣體溫度範圍內，複數個流體中之每一者在大氣壓力或其他高壓或低壓下保持呈液態及氣態中之一或多者。
根據一個實例，提供閥門總成118，且該閥門總成經配置以使複數個流體源114中之每一者選擇性地流體耦接至ESC 102之一或多個流體通道112。例如，閥門總成118包含與複數個流體源114及一或多個流體通道112相關聯的一或多個自動閥門120。進一步提供熱單元122，其與一或多個流體通道112流體連通，且經配置以將複數個流體116加熱及/或冷卻至一或多個預定溫度設定點。雖然圖1中例示一個熱單元122，但應理解，亦可預期複數個熱單元，其中各個熱單元與各別流體源114相關聯。
另外，提供控制器124，其經配置以經由對閥門總成118之控制而使ESC 102之一或多個流體通道112與複數個流體源114中之所選一或多者選擇性地流體耦接。例如，控制器124經配置以打開及關閉一或多個自動閥門120，其中使ESC 102之一或多個流體通道112選擇性地流體耦接至複數個流體源114中之所選一或多者。
根據一個示範性觀點，控制器124經配置以基於一或多個沖洗條件來打開及關閉一或多個自動閥門120。一或多個沖洗條件例如包含複數個流體之間的化學相容性。或者，在另一實例中，一或多個沖洗條件包含以下一或多者：複數個流體116中之一或多者的沸點及冰點。
在另一實例中，一或多個沖洗條件係基於沖洗演算法及查找表中之一或多者，該查找表使與複數個流體116中之每一者相關聯的可行流體溫度範圍相關於與ESC 102上工件106之處理相關聯的一或多個預定製 程溫度。例如，控制器124經配置以在滿足一或多個沖洗條件中之至少一者時，用複數個流體中之第二者116B自ESC 102之一或多個流體通道112沖洗複數個流體中之第一者116A。控制器124可進一步經配置以基於滿足一或多個沖洗條件中之至少另一者，用複數個流體中之第三者116C自靜電夾具102之一或多個流體通道112沖洗複數個流體中之第一者及第二者116A、116B的一或多者。因此可預期可提供任何數量之流體116及流體源114，且視為落入本揭露內容之範疇內。
根據一個實例，以上論述之沖洗演算法包含計時序列，該計時序列與在一或多個自動閥門120打開及/或關閉期間的時間長度相關聯。另外，該沖洗演算法可包含各種其他準則或指令，諸如與複數個流體116彼此之化學相容性相關的準則。查找表例如可進一步使與熱單元122相關聯的一或多個預定溫度設定點相關於與複數個流體116中之每一者相關聯的可行流體溫度範圍，以及一或多個預定處理溫度。
在另一實例中，控制器124進一步經配置以控制熱單元122。例如，控制器124經配置以至少部分地基於複數個流體源114中之所選一或多者來控制熱單元122。在另一實例中，控制器經配置以控制以下：將與複數個流體源114中之所選一或多者相關聯的複數個流體116中之一或多者加熱及/或冷卻至一或多個預定溫度設定點。
根據又一實例，一或多個流體通道112包含複數個分立流體通道(未圖示)，其中閥門總成118經配置以使複數個流體源114中之一或多者選擇性地流體耦接至ESC 102之複數個分立流體通道中之一或多者。例如，ESC 102可包含用於複數個流體116中之每一者的兩個或兩個以上不同 冷卻路徑。因此，閥門總成118經配置以基於所要處理條件來允許流體116之切換或調換。因而，氣體(例如，空氣、CDA、乾燥氮、氬等)可用作複數個流體116中之一者以用於清洗ESC 102，從而在引入新的流體之前自ESC中清除一個流體。
在使用用於複數個流體116之不同通路之系統中，可包括類似的沖淨方案。此種沖淨方案對於諸如水之流體116而言可為十分重要的，因為水在凍結時具有膨脹之趨勢。然而，在其他情形中，沖淨可不為必要的。例如，若使用在凍結時收縮之流體116，則此種液體可能不會由於以下而損害系統100：使其簡單就地保留在適當位置(例如，不停止流體流動，但不將其自系統100沖淨)從而不允許其凍結。此情形自熱傳遞之觀點而言亦可為有利的，原因在於現在可以其他方式成為空閒之空間(例如，一或多個流體通道112)將在其中具有材料，從而有助於熱之傳遞。
此外，因為流體116之熱性質可隨溫度而變為可能的，所以可希望調換流體以在給定溫度範圍內最佳化熱傳遞。同樣地，合乎需要的可為基於製程參數來調換流體116，該等製程參數諸如可需要流體(例如，水)之高流量的高功率離子佈植，而低功率離子佈植可藉由流動氣體(例如，氮)而充分地冷卻。
根據本揭露內容之另一觀點，圖2例示示範性處理系統200，其中可有利地實行圖1之靜電夾緊系統100。在本實例中，圖2之處理系統200包含離子佈植系統201，然而亦可預期各種其他類型之處理系統，諸如電漿處理系統、反應性離子蝕刻(RIE)系統或其他半導體處理系統。離子佈植系統201例如包含終端件202、射束線總成204及末端站206。
一般而言，在終端件202中之離子源208耦接至電源210，以將摻雜劑氣體離子化成複數個離子且形成離子束212。本實例中之離子束212經由束操控設備214導向且朝向末端站206離開孔口216。在末端站206中，離子束212轟擊工件218(例如，半導體，諸如矽晶圓、顯示面板等)，該工件選擇性地夾緊或安裝至夾具220(例如，靜電夾具或ESC，諸如圖1之ESC 102)。一旦嵌入至圖2之工件218的晶格之中，經佈植離子改變該工件之物理及/或化學性質。因此，離子佈植係用於半導體裝置製作及金屬表面精整(metal finishing)以及在材料科學研究中之各種應用。
本揭露內容之離子束212可採取各種形式，諸如筆形束或點束、帶狀束、掃描束或將離子導向末端站206之各種其他形式，且預期所有此類形式落入本揭露內容之範疇內。
根據一個示範性觀點，末端站206包含製程腔室222(諸如真空腔室)，其中製程環境224與製程腔室相關聯。製程環境224通常存在於製程腔室222內，且在一個實例中，其包含由真空源(例如，真空泵)產生的真空，該真空源耦接至製程腔室且經配置以實質上抽空該製程腔室。
在利用離子佈植系統201之佈植期間，在帶電離子與工件碰撞時，可以熱形式在工件218上累積能量。若缺少對策，則此種熱可潛在地使工件218翹曲或開裂，在一些實行方式中，此可致使工件無價值(或價值顯著地更低)。熱可進一步使劑量不同於所要劑量之離子遞送至工件218，從而可使功能性改變成與所要者不同。例如，若需要在工件218之外表面正下方的極薄區域中佈植1×1017原子/cm2之劑量，則不合需要的加熱可致使經遞送離子自該極薄區域中擴散而出，已使得實際達成之劑量小於1× 1017原子/cm2。實際上，不合需要的加熱可在大於所要者之區域上「塗抹」所佈植電荷，從而使有效劑量減小至所要者以下。由於對工件218之不合需要的加熱，亦可發生其他不合需要的效應。進一步合乎需要的可為，在低於或高於周圍溫度之溫度下佈植離子，諸如用以允許工件218之表面進行所要非晶體化，從而允許先進CMOS積體電路裝置製造中之超淺結面形成。在此類狀況下，工件218之冷卻為合乎需要的。在其他情況下，合乎期望的是在佈植或其他處理期間進一步加熱工件218以便輔助處理(例如，諸如向碳化矽中之高溫佈植)。
因此，根據另一個實例，夾具220包含受控溫度夾具230，其中該受控溫度夾具經配置以支撐工件，且在工件暴露於離子束212期間，選擇性地冷卻、加熱或以其他方式維持在製程腔室222內之工件218上之預定溫度。因而，應注意，本實例中之受控溫度夾具230可包含經配置以支撐及冷卻工件218之亞周圍溫度夾具，或經配置以支撐及加熱在製程腔室222內之工件的超周圍溫度夾具。在另一實例中，受控溫度夾具230可不向工件提供加熱或冷卻。
例如，受控溫度夾具230包含靜電夾具102，該靜電夾具經配置以使工件218冷卻或加熱至處理溫度，該處理溫度分別顯著低於或高於周圍或外部環境232(例如，亦稱為「大氣環境」)之周圍或大氣溫度。可進一步提供熱系統234，其中，在另一實例中，該熱系統經配置以將受控溫度夾具230以及駐留於其上之工件218冷卻或加熱至處理溫度。例如，圖2之受控溫度夾具230及熱系統234可包含圖1之靜電夾緊系統100的一些或所有構組件。在一個實例中，靜電夾緊系統100進一步經由與處理系統 200之各種控制觀點相關聯的控制器236來控制。
儘管已就某一或某些實施例而言展示並描述本發明，但應注意，上述實施例僅用作用於本發明之一些實施例之實行方式的實例，且本發明之應用不限於此等實施例。尤其就由上述組件(總成、裝置、電路等等)執行的各種功能而言，除非另外指示，否則用於描述此等組件之術語(包括對「手段」之提及)意欲對應於執行所述組件之規定功能(即，功能上等效)的任何組件，即便在結構上不等效於執行本文所示的本發明之示範性實施例之功能的揭露結構亦是如此。此外，雖然本發明之特定特徵可僅就若干實施例中之一來揭露，但此特徵可在需要時且對任何給定或特定應用為有利時與其他實施例之一或多個其他特徵組合。因此，本發明不限於上述實施例，而意欲僅由隨附申請專利範圍及其等效物限制。
100:靜電夾緊系統
102:靜電夾具(ESC)
104:電極
106:工件
108:表面
110:電源
112:流體通道
114A~114n:流體源
116A~116n:流體
118:閥門總成
120:自動閥門
122:熱單元
124:控制器

Claims (15)

  1. 一種靜電夾緊系統，其包含：一靜電夾具，其具有一或多個電極及一夾緊表面，其中該靜電夾具經配置以經由流過所述一或多個電極之一電流來支撐且靜電地夾緊其上之一工件，且其中該靜電夾具包含穿過其中的一或多個流體通道；複數個流體源，其具有與其相關聯之各別的複數個流體，其中所述複數個流體中之每一者在化學上彼此相異，且具有與其相關聯之一各別的可行流體溫度範圍；一熱單元，其經配置以將所述複數個流體加熱及/或冷卻至一或多個預定溫度設定點；一閥門總成，其經配置以使所述複數個流體源中之每一者選擇性地流體耦接至該靜電夾具之所述一或多個流體通道；以及一控制器，其經配置以經由對該閥門總成之一控制使該靜電夾具之所述一或多個流體通道與所述複數個流體源中之所選一或多者選擇性地流體耦接；其中該控制器經配置以在滿足一或多個沖洗條件中之至少一者時，用所述複數個流體中之第二者自該靜電夾具之所述一或多個流體通道沖洗所述複數個流體中之第一者；其中所述一或多個沖洗條件包含所述複數個流體之間的一化學相容性或所述複數個流體中之一或多者的沸點及/或冰點；且所述一或多個沖洗條件係基於一沖洗演算法及一查找表中之一或多者，該查找表使與所述複數個流體中之每一者相關聯的所述可行流體溫度 範圍相關於與該靜電夾具上該工件之一處理相關聯的一或多個預定製程溫度。
  2. 如申請專利範圍第1項之靜電夾緊系統，其中該閥門總成包含一或多個自動閥門，其中該控制器經配置以打開及關閉所述一或多個自動閥門，其中使該靜電夾具之所述一或多個流體通道選擇性地流體耦接至所述複數個流體源中之該所選一或多者。
  3. 如申請專利範圍第2項之靜電夾緊系統，其中該控制器經配置以基於所述一或多個沖洗條件來打開及關閉所述一或多個自動閥門。
  4. 如申請專利範圍第1項之靜電夾緊系統，其中該控制器進一步經配置以基於滿足所述一或多個沖洗條件中之至少另一者時，用所述複數個流體中之第三者自該靜電夾具之所述一或多個流體通道沖洗所述複數個流體中之該第一者及該第二者中的一或多者。
  5. 如申請專利範圍第1項之靜電夾緊系統，其中該沖洗演算法包含一計時序列，該計時序列與在所述一或多個自動閥門打開及/或關閉期間的一時間長度相關聯。
  6. 如申請專利範圍第1項之靜電夾緊系統，其中該查找表進一步使所述一或多個預定溫度設定點相關於與所述複數個流體中之每一者及所述一或多個預定製程溫度相關聯的所述可行流體溫度範圍。
  7. 如申請專利範圍第1項之靜電夾緊系統，其中該控制器進一步經配置以控制該熱單元，其中將與所述複數個流體源中之該所選一或多者相關聯的所述複數個流體中之所述一或多者加熱及/或冷卻至所述一或多個預定溫度設定點。
  8. 如申請專利範圍第1項之靜電夾緊系統，其中該控制器進一步經配置以至少部分地基於所述複數個流體源中之該所選一或多者來控制該熱單元。
  9. 如申請專利範圍第1項之靜電夾緊系統，其中所述複數個流體中之一者的一沸點不同於所述複數個流體中之剩餘者的一沸點。
  10. 如申請專利範圍第1項之靜電夾緊系統，其中所述複數個流體中之一者的一冰點不同於所述複數個流體中之剩餘者的一冰點。
  11. 如申請專利範圍第1項之靜電夾緊系統，其中所述一或多個流體通道包含複數個分立流體通道，且其中該閥門總成經配置以使所述複數個流體源中之一或多者選擇性地流體耦接至該靜電夾具之所述複數個分立流體通道中之一或多者。
  12. 如申請專利範圍第1項之靜電夾緊系統，其中所述複數個流體中之每一者的所述可行流體溫度範圍包含一溫度範圍，在該溫度範圍下，所述複數個流體中之所述每一者保持呈液態及氣態中之一或多者。
  13. 一種靜電夾緊系統，其包含：一靜電夾具，其具有一或多個電極及一夾緊表面，其中該靜電夾具經配置以經由流過所述一或多個電極之一電流來支撐且靜電地夾緊其上之一工件，且其中該靜電夾具包含穿過其中的一或多個流體通道；複數個流體源，其具有與其相關聯之各別的複數個流體，其中所述複數個流體中之每一者在化學上彼此相異，且具有與其相關聯之一各別的可行流體溫度範圍；一熱單元，其經配置以將所述複數個流體加熱及/或冷卻至一或多個預 定溫度設定點；一閥門總成，其包含一或多個自動閥門，所述一或多個自動閥門經配置以使所述複數個流體源中之每一者選擇性地流體耦接至該靜電夾具之所述一或多個流體通道；以及一控制器，其經配置以基於一或多個沖洗條件來選擇性地打開及關閉所述一或多個自動閥門，其中使該靜電夾具之所述一或多個流體通道與所述複數個流體源中之所選一或多者選擇性地流體耦接；其中該控制器經配置以在滿足所述一或多個沖洗條件中之至少一者時，用所述複數個流體中之第二者自該靜電夾具之所述一或多個流體通道沖洗所述複數個流體中之第一者；所述一或多個沖洗條件包含所述複數個流體之間的一化學相容性或所述複數個流體中之一或多者的沸點及/或冰點；且所述一或多個沖洗條件係基於一沖洗演算法及一查找表中之一或多者，該查找表使與所述複數個流體中之每一者相關聯的所述可行流體溫度範圍相關於與該靜電夾具上該工件之一處理相關聯的一或多個預定製程溫度。
  14. 如申請專利範圍第13項之靜電夾緊系統，其中所述複數個流體中之每一者的所述可行流體溫度範圍包含一液體溫度範圍，在該液體溫度範圍下，所述複數個流體中之所述每一者保持呈一液態。
  15. 一種靜電夾緊系統，其包含：一靜電夾具，其具有一或多個電極及一夾緊表面，其中該靜電夾具經配置以經由流過所述一或多個電極之一電流來支撐且靜電地夾緊其上之一 工件，且其中該靜電夾具包含穿過其中的一或多個流體通道；複數個流體源，其具有與其相關聯之各別的複數個流體，其中所述複數個流體中之每一者在化學上彼此相異，且具有與其相關聯之一各別的可行流體溫度範圍；一熱單元，其經配置以將所述複數個流體加熱及/或冷卻至一或多個預定溫度設定點；一閥門總成，其包含一或多個自動閥門，所述一或多個自動閥門經配置以使所述複數個流體源中之每一者選擇性地流體耦接至該靜電夾具之所述一或多個流體通道；以及一控制器，其經配置以基於一或多個沖洗條件來選擇性地打開及關閉所述一或多個自動閥門，其中使該靜電夾具之所述一或多個流體通道與所述複數個流體源中之所選一或多者選擇性地流體耦接，其中所述一或多個沖洗條件係基於一沖洗演算法及一查找表中之一或多者，該查找表使與所述複數個流體中之每一者相關聯的所述可行流體溫度範圍及化學相容性相關於與該靜電夾具上之該工件的一處理相關聯的一或多個預定製程溫度；且其中該控制器經配置以在滿足所述一或多個沖洗條件中之至少一者時，用所述複數個流體中之第二者自該靜電夾具之所述一或多個流體通道沖洗所述複數個流體中之第一者。
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