TWI742875B - 高分子複合基材表面之金屬線路及其形成方法 - Google Patents
高分子複合基材表面之金屬線路及其形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI742875B TWI742875B TW109135125A TW109135125A TWI742875B TW I742875 B TWI742875 B TW I742875B TW 109135125 A TW109135125 A TW 109135125A TW 109135125 A TW109135125 A TW 109135125A TW I742875 B TWI742875 B TW I742875B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- metal
- polymer composite
- circuit
- layer
- composite substrate
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
一種高分子複合基材表面之金屬線路及其形成方法。所述高分子複合基材表面之金屬線路包括：高分子複合層及金屬線路層。所述金屬線路層由金屬件以金屬加工方式塑型，並結合至所述高分子複合層表面上。所述金屬線路層形成有一或多個線路溝槽，所述高分子複合層形成有一或多個鼓包，且相對應的所述鼓包於相對應的所述線路溝槽處變形鼓起。
Description
本發明涉及金屬線路及其形成方法，具體來說是涉及高分子複合基材表面之金屬線路及其形成方法。
目前金屬線路的加工，通常是以蝕刻及微影製程或CNC雕刻的加工方式來完成。蝕刻及微影製程中，印刷線路通常會受網板的張力及印刷次數影響線路相對位置而降低其精度。CNC雕刻線路方式則可達到較高的精度，但不適合量產。
有鑑於此，本發明人本於多年從事相關產品之開發與設計，有感上述缺失之可改善，乃特潛心研究並配合學理之運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺失之本發明。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種高分子複合基材表面之金屬線路及其形成方法。
為了解決上述的技術問題，本發明提供一種高分子複合基材表面之金屬線路，包括：一高分子複合層；及一金屬線路層，其由金屬件以金屬加工方式塑型，並結合至所述高分子複合層表面上；其中，所述金屬線路層形成有一或多個線路溝槽，所述高分子複合層形成有一或多個鼓包，且相對應的所述鼓包於相對應的所述線路溝槽處變形鼓起。
在一優選實施例中，所述高分子複合層為環氧樹脂層、聚醯亞胺層、聚丙烯層的其中之一。
在一優選實施例中，所述高分子複合層包含有填料，所述填料選自氧化鋁、氮化鋁、氮化矽、碳化矽、氮化硼的至少其一。
在一優選實施例中，所述金屬線路層為一沖壓金屬件加工所形成。
在一優選實施例中，所述金屬線路層為一鍛造金屬件加工所形成。
在一優選實施例中，所述鼓包的鼓起高度設為0.01~3mm。
為了解決上述的技術問題，本發明另提供一種高分子複合基材表面之金屬線路形成方法，包括：(a)以金屬加工方式預成型有一或多個線路凹槽的一金屬件；(b)將所述金屬件結合至一高分子複合層表面上，使所述高分子複合層表面相對應一或多個所述線路凹槽變形鼓起有一或多個鼓包；(c)移除部分所述金屬件，以露出一或多個線路溝槽而形成為一具圖案化線路的金屬線路層，且相對應的所述鼓包於相對應的所述線路溝槽處變形鼓起。
在一優選實施例中，所述金屬件是以沖壓方式預成型有多個所述線路凹槽的沖壓金屬件。
在一優選實施例中，所述金屬件是以鍛造方式預成型有多個所述線路凹槽的鍛造金屬件。
在一優選實施例中，是以銑削、刨削、或切削方式來移除部分所述金屬件。
本發明的有益效果至少在於，本發明提供的高分子複合基材表面之金屬線路，其金屬線路層由金屬件以金屬加工方式塑型，並結合至高分子複合層表面上，且金屬線路層形成有一或多個線路溝槽，高分子複合層形成有一或多個鼓包，且相對應的鼓包於相對應的線路溝槽處變形鼓起。藉此，可達到高精度線路且適合量產，並同時可達到增加線路間的絕緣性之效果。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
請參考圖1，本發明實施例提供一種高分子複合基材表面之金屬線路。如圖1所示，根據本發明實施例所提供的高分子複合基材表面之金屬線路，其具有高分子複合層10及金屬線路層20。
在本實施例中，所述高分子複合層10可以是環氧樹脂層(epoxy-based composite)。並且，所述高分子複合層10可以包含有填料(filler)，如氧化鋁、氮化鋁、氮化矽、碳化矽、氮化硼的至少其一。在其它實施例中，所述高分子複合層10可以是聚醯亞胺層(polyimide-based composite)、或是聚丙烯層(PP-based composite)。
所述金屬線路層20形成在所述高分子複合層10表面上。在一實施例中，所述金屬線路層20可以是以沖壓方式預成型有多個線路凹槽的一沖壓金屬件加工所形成。在另一實施例中，所述金屬線路層20可以是以鍛造方式預成型有多個線路凹槽的一鍛造金屬件加工所形成。藉此，可達到高精度線路且適合量產。
進一步來說，所述金屬線路層20為沖壓金屬件或鍛造金屬件以熱壓方式結合至所述高分子複合層10表面上，可大幅節省加工工時成本。並且，所述金屬線路層20形成有一或多個線路溝槽201，所述高分子複合層10形成有一或多個鼓包101，且相對應的所述鼓包101於相對應的所述線路溝槽201處變形鼓起。
更進一步來說，由於以所述高分子複合層10作為基底，其具有彈性及絕緣性且於熱壓後會使所述高分子複合層10於所述線路溝槽201處變形鼓起有所述鼓包101。藉此，除了可達到使所述金屬線路層20結合至所述高分子複合層10表面上，且同時可達到增加線路間的絕緣性之效果。
並且，為了更增加線路間的絕緣性，本實施例的所述鼓包101的鼓起高度設置為0.01~3mm，可達到更增加線路間的絕緣性之效果。
請參考圖2至圖5，本發明實施例提供一種高分子複合基材表面之金屬線路形成方法，主要包括以下步驟：
(a)以金屬加工方式預先成型有一或多個線路凹槽200的一金屬件M1。在本實施例中，所述金屬件M1是以沖壓方式(metal stamping process)預先成型有一或多個所述線路凹槽200的金屬件。因此，本實施例的所述金屬件M1為一沖壓金屬件(stamped metal article)。
(b)將所述金屬件M1結合至一高分子複合層10表面上，使所述高分子複合層10相對應一或多個所述線路凹槽200變形鼓起有一或多個鼓包101。
(c)移除部分所述金屬件M1，以露出一或多個線路溝槽201而形成為一具圖案化線路的金屬線路層20，且相對應的所述鼓包101於相對應的所述線路溝槽201處變形鼓起，從而得以增加線路間的絕緣性之效果。在本實施例中，可以利用任何加工方式移除部分所述金屬件M1，例如可以是以銑削、刨削、或大面積切削方式來移除部分所述金屬件M1。
請參考圖6至圖9，本發明實施例另提供一種高分子複合基材表面之金屬線路形成方法，主要包括以下步驟：
(a)以金屬加工方式預先成型有一或多個線路凹槽200的一金屬件M2。在本實施例中，所述金屬件M2是以鍛造方式(metal forging process)預成型有一或多個所述線路凹槽200的鍛造金屬件。因此，本實施例的所述金屬件M2為一鍛造金屬件(forged metal article)。
(b)將所述金屬件M2結合至一高分子複合層10表面上，使所述高分子複合層10表面相對應一或多個所述線路凹槽200變形鼓起有一或多個鼓包101。
(c)移除部分所述金屬件M2，以露出一或多個線路溝槽201而形成為一具圖案化線路的金屬線路層20，且相對應的所述鼓包201於相對應的所述線路溝槽201處變形鼓起，從而得以增加線路間的絕緣性之效果。在本實施例中，可以利用任何加工方式移除部分所述金屬件M2，例如可以是以銑削、刨削、或大面積切削方式來移除部分所述金屬件M2。
綜合以上所述，本發明提供的高分子複合基材表面之金屬線路，其金屬線路層20由金屬件以金屬加工方式塑型，並結合至高分子複合層10表面上，且金屬線路層20形成有一或多個線路溝槽201，高分子複合層10形成有一或多個鼓包101，且相對應的鼓包101於相對應的線路溝槽201處變形鼓起。藉此，可達到高精度線路且適合量產，並同時可達到增加線路間的絕緣性之效果。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
10:高分子複合層
101:鼓包
20:金屬線路層
200:線路凹槽
201:線路溝槽
M1,M2:金屬件
圖1為本發明一實施例的高分子複合基材表面之金屬線路的側視示意圖。
圖2至圖5為本發明一實施例的高分子複合基材表面之金屬線路的形成過程示意圖。
圖6至圖9為本發明另一實施例的高分子複合基材表面之金屬線路的形成過程示意圖。
10:高分子複合層
101:鼓包
20:金屬線路層
201:線路溝槽
Claims (9)
- 一種高分子複合基材表面之金屬線路，包括：一高分子複合層；及一金屬線路層，其由金屬件以金屬加工方式塑型，並結合至所述高分子複合層表面上；其中，所述金屬線路層形成有一或多個線路溝槽，所述高分子複合層形成有一或多個鼓包，且相對應的所述鼓包於相對應的所述線路溝槽處變形鼓起；其中，所述鼓包的鼓起高度設置為0.01~3mm。
- 如請求項1所述的高分子複合基材表面之金屬線路，其中，所述高分子複合層為環氧樹脂層、聚醯亞胺層、聚丙烯層的其中之一。
- 如請求項2所述的高分子複合基材表面之金屬線路，其中，所述高分子複合層包含有填料，所述填料選自氧化鋁、氮化鋁、氮化矽、碳化矽、氮化硼的至少其一。
- 如請求項1所述的高分子複合基材表面之金屬線路，其中，所述金屬線路層為一沖壓金屬件加工所形成。
- 如請求項1所述的高分子複合基材表面之金屬線路，其中，所述金屬線路層為一鍛造金屬件加工所形成。
- 一種高分子複合基材表面之金屬線路形成方法，包括：(a)以金屬加工方式預成型有一或多個線路凹槽的一金屬件；(b)將所述金屬件結合至一高分子複合層表面上，使所述高分子複合層表面相對應一或多個所述線路凹槽變形鼓起有一或多個鼓包；(c)移除部分所述金屬件，以露出一或多個線路溝槽而形成為一具圖案化線路的金屬線路層，且相對應的所述鼓包於相對應的所述線路溝槽處變形鼓起。
- 如請求項6所述的高分子複合基材表面之金屬線路形成方法， 其中，所述金屬件是以沖壓方式預成型有多個所述線路凹槽的沖壓金屬件。
- 如請求項6所述的高分子複合基材表面之金屬線路形成方法，其中，所述金屬件是以鍛造方式預成型有多個所述線路凹槽的鍛造金屬件。
- 如請求項6所述的高分子複合基材表面之金屬線路形成方法，其中，是以銑削、刨削、或切削方式來移除部分所述金屬件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW109135125A TWI742875B (zh) | 2020-10-12 | 2020-10-12 | 高分子複合基材表面之金屬線路及其形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW109135125A TWI742875B (zh) | 2020-10-12 | 2020-10-12 | 高分子複合基材表面之金屬線路及其形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI742875B true TWI742875B (zh) | 2021-10-11 |
| TW202215917A TW202215917A (zh) | 2022-04-16 |
Family
ID=80782548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109135125A TWI742875B (zh) | 2020-10-12 | 2020-10-12 | 高分子複合基材表面之金屬線路及其形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI742875B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200621895A (en) * | 2004-10-18 | 2006-07-01 | Molecular Imprints Inc | Low-k dielectric functional imprinting materials |
| TWM607559U (zh) * | 2020-10-12 | 2021-02-11 | 艾姆勒車電股份有限公司 | 高分子複合基材表面之金屬線路 |
-
2020
- 2020-10-12 TW TW109135125A patent/TWI742875B/zh active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200621895A (en) * | 2004-10-18 | 2006-07-01 | Molecular Imprints Inc | Low-k dielectric functional imprinting materials |
| TWM607559U (zh) * | 2020-10-12 | 2021-02-11 | 艾姆勒車電股份有限公司 | 高分子複合基材表面之金屬線路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202215917A (zh) | 2022-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWM607559U (zh) | 高分子複合基材表面之金屬線路 | |
| US20180233279A1 (en) | Manufacture method of coil component, and coil component | |
| CN103747620B (zh) | 一种局部无胶的补强片的制备方法 | |
| WO2010140243A1 (ja) | 分割固定子及びその製造方法 | |
| CN105268865B (zh) | 汽车外覆盖件特征线区域的模具型面的设计方法 | |
| TWI742875B (zh) | 高分子複合基材表面之金屬線路及其形成方法 | |
| JP2007258587A (ja) | リードフレームおよびその製造方法並びにリードフレームを備えた半導体装置 | |
| JP3339173B2 (ja) | リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体装置 | |
| CN207709674U (zh) | 一种铁质零件冲压模具 | |
| JP2012018629A (ja) | Ｉｃタグ及びその製造方法 | |
| CN108617074A (zh) | 一种柔性线路板加工工艺 | |
| JP2018202435A (ja) | プレス成形品の製造方法 | |
| US20130344295A1 (en) | Lattice grid caul for honeycomb composite structure | |
| US11310916B1 (en) | Metal circuit on polymer composite substrate surface and method for manufacturing the same | |
| CN110064692B (zh) | 一种应用于屏蔽罩凸包的制造方法 | |
| TWI267888B (en) | Ultra-thin plastic key module and its manufacturing method | |
| CN110682705A (zh) | 一种立体效果精密印刷工艺及产品 | |
| CN105290236B (zh) | 汽车外覆盖件特征线区域的模具型面的设计方法 | |
| TWI559836B (zh) | 電子裝置的機殼的製造方法及應用其形成的機殼 | |
| CN108960006B (zh) | 指纹识别模块及其制作方法 | |
| CN206199997U (zh) | 一种冲压模具 | |
| CN205902033U (zh) | 头戴耳机 | |
| JP2006269718A (ja) | 接着剤付き金属板製造用のプレス用金型およびこれを用いた接着剤付き金属板の製造方法 | |
| TWM652792U (zh) | 精密元件上片用的壓合治具結構 | |
| JP4058953B2 (ja) | 薄肉部品の製造方法 |