TWI742524B - 電子束裝置及圖像處理方法 - Google Patents
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Abstract
[課題]於電子束裝置,即使偏移量為次像素量的情況下,仍防止使圖像移動所致的測長值的變化。
[解決手段]進行透過像素插值濾波器使圖像偏移像素間的像素偏移量的次像素偏移處理、和就偏移後的圖像的頻率特性進行校正的頻率校正處理而取得校正圖像。
Description
本發明涉及電子束裝置及圖像處理方法。
近年來,形成於半導體基板、絕緣體基板上的圖案尺寸漸趨微細化,使用掃描電子顯微鏡而為的觀察、尺寸測定方面亦漸趨於要求高倍率。
掃描電子顯微鏡為如下的裝置:放射微細地聚焦於樣品的電子束,檢測出因電子束照射而產生的二次電子及反射電子,基於檢測量進行亮度調變而形成圖像。
以高倍率觀察樣品時,有時隨時間的經過發生應觀察的微細圖案的圖像發生移動的現象,即發生所謂的像漂移。為此,產生圖像模糊、伴隨其之測長精度降低如此的問題。
例如,欲以10萬倍的觀察倍率取得512×512像素的畫格圖像時,1像素的大小在樣品上為約2.6nm。當前的尺寸算出的精度雖要求0.5nm以下,惟於像漂移明顯的圖案,在取得1個畫格圖像的時間(40毫秒)內觀察到1~2nm程度的像漂移。於如此的漂移圖案算出尺寸時,產生2nm程度的尺寸偏差。像漂移的產生因素的主要原因方
面,舉例電子束照射帶來的樣品之帶電。
於專利文獻1已揭露一種手法,為了一面使搭載樣品的樣品台移動一面進行樣品表面的圖像(畫格圖像)取得,在取得積算圖像之際,將取得的複數個圖像(畫格圖像)每數個分組而分別作成積算圖像,算出積算圖像間的像移動量而算出像移動量與攝像個數的關係式,基於關係式算出複數個圖像的移動量,該移動量份將圖像進行校正並積算。
透過使用此技術,即使由於使樣品台移動致使像在觀察視野內移動,仍可獲得像模糊小的積算圖像。另外,樣品台雖未移動惟由於樣品的帶電等的影響致使觀察到如像發生移動的情況下,容易類推仍同樣地獲得像模糊小的積算圖像。
另外,在專利文獻2已提出一種方法,透過將畫格圖像間的移動量轉換為視場圖像間的移動而加以使用,從而提高測長精度。專利文獻2的方法對於在專利文獻1的方法中測長精度會不充分的高倍率(尤其,在觀察視野1微米程度以下明顯)下的測長精度提升為有效。
[專利文獻1]日本特開2006-308471號公報
[專利文獻2]WO2010/070815號公報
[發明所欲解決之問題]
於上述專利文獻1及專利文獻2,雖已記載算出圖像的移動量而使圖像移動(偏移),惟未記載有關圖像的移動方法。於任一個方法,皆使用圖像處理而使取得的圖像移動。使圖像移動的量(以下稱為偏移量)為整數像素量時,使圖像的像素值按原樣移動至別的像素位置即可。此情況下,不需要考量使圖像移動所致的測長值的變化。
然而,偏移量成為次像素量(像素與像素之間的位置)的情況下,予以移動的圖像的各像素的像素值需要從存在的周圍的像素位置的像素值進行插值(透過像素插值濾波器之插值)而作成。由於使用於像素值的插值的像素插值濾波器,使得相對於予以移動前的圖像的頻率特性,予以移動後的圖像的頻率特性發生變化的情況下,判明存在測長值發生變化如此的課題。
由於圖像的移動處理使得測長值產生變化時,不僅無法獲得正確的測長值,亦招致即使為相同的樣品仍每次進行測長時測長值不同之測長再現性的不良化。
本發明之目的在於,於電子束裝置,即使偏移量為次像素量的情況下,仍防止使圖像移動所致的測長值的變化。
[解決問題之技術手段]
本發明的一態樣的電子束裝置為一種電子束裝置,其為具有電子顯微鏡部與控制部者,前述電子顯微鏡部以電子束進行掃描而照射於樣品,檢測從前述樣品放出的信號,前述控制部具有:資料處理部,其將以前述電子顯微鏡部檢測出的信號轉換為圖像;和校正演算處理部,其進行透過像素插值濾波器使前述圖像偏移像素間的像素偏移量的次像素偏移處理、和就偏移後的圖像的頻率特性進行校正的頻率校正處理而取得校正圖像。
本發明的一態樣的圖像處理方法為一種圖像處理方法,其為使用具有電子顯微鏡部與控制部的電子束裝置者,前述電子顯微鏡部以電子束進行掃描而照射於樣品,檢測從前述樣品放出的信號,前述控制部將以前述電子顯微鏡部檢測出的信號轉換為圖像,進行透過像素插值濾波器使前述圖像偏移像素間的像素偏移量的次像素偏移處理、和就偏移後的圖像的頻率特性進行校正的頻率校正處理而取得校正圖像。
[對照先前技術之功效]
依本發明之一態樣時,於電子束裝置,即使偏移量為次像素量的情況下,仍可防止使圖像移動所致的測長值的變化。
以下,就實施例使用圖式進行說明。
[實施例1]
參照圖1,就實施例1的電子束裝置的整體構成進行說明。
電子束裝置為具備漂移校正功能之掃描電子顯微鏡。電子束裝置是即使發生像漂移(在樣品觀察時像伴隨時間的經過而移動的現象),仍透過算出漂移量而進行校正從而可獲得鮮明的畫格圖像。
於此,「漂移量」為示於圖2的畫格圖像間的圖案的位置偏移量(移動量)及視場圖像間的移動量。
如示於圖1,為掃描電子顯微鏡之電子束裝置具有電子顯微鏡部101、控制部102及顯示部103。從電子源104放出的電子束在被以聚焦透鏡105、接物鏡107收束後,照射於被載於樣品台109之樣品108。電子束是透過偏向器106就樣品108上二維地進行掃描。從樣品108產生的二次電子及反射電子被以檢測器110進行檢測,在資料處理部111將信號進行亮度調變而轉換為畫格圖像,儲存於圖像記憶部112。
保存於圖像記憶部112的畫格圖像於校正演算處理部113被漂移校正,於監視器114顯示校正圖像。資料處理部111及校正演算處理部113的功能可由CPU分別執行。圖像記憶部112可設於與CPU連接的記憶體部。另外,亦可分別以專用硬體構成。
在使用了掃描電子顯微鏡的計測,一般而言使用將觀察視野掃描複數次而獲得的畫格圖像。此處的「計測」為例如形成於半導體晶圓上的圖案尺寸的算出。將樣品108掃描複數次而獲得的畫格圖像比起僅掃描1次而獲得的畫格圖像,成為S/N比佳的畫格圖像,故獲得高的尺寸精度。然而,在掃描中樣品108的帶電進行的情況下,由於帶電使得掃描位置偏移,獲得模糊的畫格圖像。即使使用此模糊的畫格圖像而算出尺寸,仍無法保證高的尺寸精度。為此,使用圖像處理將每1次掃描的畫格圖像進行校正而予以重疊,在複數次掃描時獲得鮮明的畫格圖像。
參照圖2,就畫格圖像間的漂移量進行說明。在圖2,將觀察圖案分類為一維與二維而定義漂移量。
於此,一維圖案為在畫格圖像的某一方向幾乎一樣的圖案,舉例如例示於圖2(a)的線圖案。另一方面,二維圖案為一維圖案以外的全部該當,舉例如例示於圖2(b)的點圖案。在圖2,以可分辨第1個畫格圖像與第2個畫格圖像的圖案的位置關係的方式進行繪示。
在圖2(a)的線圖案,即使在線條的長邊方向發生漂移仍無法算出漂移量,故在與長邊方向垂直的方向算出漂移量。此處,比起第1個圖案,第2個圖案往右方偏移,該移動量的dx即為漂移量。
另一方面,在圖2(b)的點圖案,圖案的漂移為二維方向。此處,比起第1個圖案,第2個圖案往右上方偏移,該移動量dxy即為漂移量。漂移量dxy可分解為畫格圖像的橫向的漂移量dx與縱向的漂移量dy。漂移校正是使第二個畫格圖像偏移前述漂移量而予以重疊於第一個畫格圖像從而進行。將此使圖像偏移漂移量的處理稱為漂移校正。
接著,就以掃描電子顯微鏡獲得的圖像的種類,與圖像的形成過程進行組合而說明。
圖像的種類方面,分類為畫格圖像與視場圖像,畫格圖像相當於將觀察視野整體一次掃描而獲得的圖像。視場圖像定義為將視野的一部分一次掃描獲得的圖像,亦即定義為構成畫格圖像的要素圖像。畫格圖像將全視場圖像總合而被作成。並且,對畫格圖像或視場圖像進行漂移校正(例如,專利文獻1及專利文獻2參照)。
要進行漂移校正,需要使圖像偏移的處理。在實施例1,著眼於使圖像偏移的處理與測長值的關係。使圖像移動的量(偏移量)為整數像素量時,使圖像的像素值按原樣移動至別的像素位置即可,故使圖像移動因此測長值不會變化。然而,偏移量成為次像素量(像素與像素之間的位置)的情況下,予以移動的圖像的各像素的像素值需要從予以移動前的圖像的像素值進行插值(透過像素插值濾波器之插值)而作成。圖像的移動與座標系的轉換等價,故以座標系的轉換進行說明。
示出使用從附近4像素的線性插值而進行從偏移前的座標系(u,v)往使圖像偏移後的座標系(x’,y’)的轉換之例。
新的像素的像素值f’(x’,y’)被透過從對應之原圖像的位置的距離而插值。與如示於圖3般座標變換後(圖像偏移後)的新的像素位置對應的原圖像的像素位置該當於像素間的A點(x’,y’)時,在予以移動前的圖像上不存在如此的位置。為此,以依從周圍的4像素的距離之加權平均求出(x’,y’)位置的像素值。使座標變換前的像素值為f、使座標變換後的亮度值為f’、並使x、y的整數部分為u、v、使小數部分分別為α、β時,轉換式為如以下的(數1)。
f,(x’,y’)=f(u,v).(1-α).(1-β)+f(u+1,v)α.(1-β)+f(u,v+1).(1-α).β+f(u+1,v+1).α.β式(數1)
如後述之,此轉換作用為對於原圖像之低通濾波器,故使圖像移動前的圖像的頻率特性、和予以移動後的圖像的頻率特性產生變化。圖像的頻率特性產生變化時,由於測長時的邊緣鈍化等的影響,產生測長值發生變化如此的課題。
圖像的頻率特性因像素插值如何變化是將如示於圖4的以像素值顯示頻率特性的圖案以像素插值濾波器進行處理從而可得知。
此圖案稱為CZP(Circular Zone Plate),是為了以目視確認因圖像處理所致的圖像的頻率特性變化而一般上使用的圖像。一般而言,以使圖像之中心為直流成分,且圖像端為圖像的最高頻率(奈奎斯特頻率)的方式構成圖像。於此,對測長值造成變化者透過實驗可得知為直流至奈奎斯特頻率的一半程度(取樣頻率的1/4程度)的頻率。於像素插值濾波器,考慮一般而言採用無方向依存性
者(濾波係數為上下左右對稱者),從圖4(a)切出將此CZP的一部分切出的如圖4(b)的圖像圖案而使用。
如圖4(b),使用CZP的一部分,使得可在像素插值濾波器的低通濾波器不具有充分的阻止域的情況下,防止發生高頻率部分被混疊為低頻率而被觀測的混疊失真使得圖像方面不易分辨頻率特性的變化。
例如,將使用以上述的(數1)表示的線性插值在水平方向及垂直方向分別偏移0.5像素的情況下的CZP的圖像處理結果示於圖5。
對於為未使像素偏移的圖像之圖5(a),以線性插值偏移的圖像成為圖5(b)。頻率的變化是捕捉該亮度值的變化即可,圖像的水平方向的頻率特性的變化方面,可分辨圖5(a)、圖5(b)的圖像上端的亮度值的變化即可。就對於個別的圖像之上端的水平像素位置之亮度值的變化進行繪圖者即為圖5(c)。
透過繪製將個別的水平位置上的亮度值的最大值平順地連結的曲線,使得可看出頻率的變化。圖5(b)的左端方面,可得知與圖5(a)的亮度值相同,而隨著往右(隨著朝往頻率高方)亮度值降低。此亮度值的降低為因像素插值濾波器而產生的頻率特性的變化。
可分辨在個別的頻率的變化量,故只要以消除此變化的方式校正圖5(a)的頻率特性,即可作成具有與圖5(a)相同的頻率特性之圖5(b)。此頻率特性的變化因像素插值濾波器的構成方法(本次之例為線性插值)與插值位置而定,故即使為使用相同的像素插值濾波器而進行處理的其他圖像,於能以此CZP進行計測的頻率範圍內,仍可就頻率特性與像素插值前同樣地進行校正。
參照圖6,就在圖1的校正演算處理部113實施的漂移校正(圖像移動)的處理進行說明。
圖像A(601)為漂移校正前的圖像。圖像A’(604)為漂移校正後的圖像。次像素偏移處理(602)為透過像素插值使圖像移動(偏移)的處理。頻率校正處理(603)為將偏移後的圖像的頻率特性進行校正的處理。像素偏移量(608)為使圖像偏移之量(例如,以記載於專利文獻1、專利文獻2的方法算出即可)。
在歷來的漂移校正處理,依像素偏移量(608),透過次像素偏移處理(602)使圖像A(601)移動,輸出為圖像A’(604)。
相對於此,在實施例1,以與使圖像A(601)偏移相同的像素偏移量(608),透過與使圖像A(601)偏移相同的次像素偏移處理(602),使頻率特性算出用的特定的圖像C(605)移動。圖像C方面,使用前述CZP等可在圖像的頻率特性方面分辨變化的圖案。從將圖像C(605)進行偏移處理後的圖像算出頻率特性(607),輸出頻率校正用的資訊(此處為頻率校正表609)。
於此,將頻率校正表(609)之例示於圖9。
頻率校正表(609)的大小雖為任意,惟其最大值與處理的圖像的尺寸相同。此頻率校正表(609)保存圖像的每個頻率的校正係數。校正係數表示相對於對應的頻率之放大率,校正係數為1的情況下,表示對該頻率不進行任何動作。
對基於此頻率校正表(609)使圖像A偏移後的圖像的頻率特性進行校正(603),輸出偏移後的圖像A’(604)。實施頻率校正處理(603),使得在對測長值差造成影響的頻率範圍內,圖像A(601)與圖像A’(604)的頻率特性成為相同,不會發生測長值差。頻率校正處理(603)可為使用FFT(fast Fourier transform:高速傅立葉變換)而指定特定的頻率的放大率的方式,亦可為使用FIR(Finite Impulse Response)濾波器之方式。
在圖10示出使用FFT的情況下的頻率校正處理(603)之例。
進行次像素偏移的圖像被透過FFT轉換為頻率空間圖像(1001)。在此階段,圖像的各像素成為頻率的資訊,故將與該頻率對應之校正係數從頻率校正表(609)讀出,對頻率空間圖像的振幅乘上校正係數。將校正係數乘算後的頻率空間圖像透過逆FFT處理轉換為實空間圖像(1002)從而進行頻率特性的校正。
頻率特性算出處理(607)如以CZP之例表示,將圖像的亮度值的最大值平順地連結從而作成之面表示二維的頻率特性的變化,故作成該變化變平坦之係數(一般而言倒數)即可。作成的係數作為校正係數被按對應頻率保存於頻率校正表(609)。
依實施例1時,在透過漂移校正使圖像偏移前後不會發生測長值差。為此,不僅在掃描電子顯微鏡之測長精度提升,亦可提高測長再現性。
[實施例2]
參照圖7,就實施例2的漂移校正(圖像移動)的處理進行說明。於此,漂移校正(圖像移動)的處理是以圖1的校正演算處理部113實施。
像素插值濾波器的頻率特性為已知的情況下,就透過像素插值而作成的圖像的頻率特性進行校正,從而可抑制測長值的變化。然而,一般情況下,像素插值濾波器的頻率特性恐因進行插值的像素位置和像素插值濾波器的構成方法而發生變化。為此,以往任意的位置的圖像偏移為前提的情況下,事前準備就圖像的頻率特性進行校正的濾波器變困難。在專利文獻1及專利文獻2算出的圖像的移動量在考量圖像時間上連續移動時,本來應成為往任意的位置的次像素量的移動量。
如在實施例1示出,像素插值濾波器的頻率校正處理(603)是透過像素偏移量(608)與像素插值濾波器的構成資訊(609)無歧異地決定。像素偏移量(608)為漂移校正處理的情況下,一般而言成為實數值,惟進行使漂移量的小數值為0.1大小等的量化時,只要具有有限個數的頻率校正表609時即可進行頻率校正處理。例如,考慮如示於圖7般構成次像素偏移方法。
預先對於在實施例1的方法成為候補之漂移校正的小數值作成頻率表,將該等進行基於像素偏移量(608)與像素插值濾波器的構成資訊(701)選擇頻率校正表609的處理(702)即可。
於實施例2,如將頻率校正表609示於圖11,預先準備為每個水平方向的次像素偏移量dx、和垂直方向的次像素偏移量dy的組合具有固定值的校正係數之校正表群。頻率校正表選擇處理(702)是從此等之中,依次像素偏移量,選擇一個校正表而輸出為頻率校正表(609)。
作成次像素偏移處理(602)與校正表群之際的次像素偏移處理不同的情況下,對應的校正表亦不同。為此,透過像素插值濾波器的構成資訊(701),將如示於圖11的校正表群本身切換為別的校正表群。
依實施例2時,在透過漂移校正使圖像偏移前後不會發生測長值差。為此,不僅在掃描電子顯微鏡之測長精度提升,亦可提高測長再現性。
[實施例3]
參照圖8,說明有關實施例3。圖8為進行漂移校正的環境設定之GUI(Graphical User Interface)的一例。
首先,於圖像觀察時,透過開關判定是不執行漂移校正。漂移校正方法方面,選擇畫格探索方法、視場探索方法、及將此等組合的方法中的任一者。
接著,作成作為漂移校正時的圖像偏移方法可選擇像素單位偏移、次像素偏移、含頻率特性校正之次像素偏移等。
像素單位偏移為就畫格或視場間的移動探索結果將值四捨五入為整數像素單位而使圖像移動的方法。此方法僅管不會成為本來的偏移量,不會因使圖像移動的處理而產生測長值差。
次像素偏移為將畫格或視場間的移動探索結果,按原樣或四捨五入為決定的少數像素精度後,使用像素插值濾波器,就圖像進行次像素偏移的方法。在此方法下,有時由於次像素圖像偏移,產生測長值差。
表示對含頻率特性校正之次像素偏移、上述次像素偏移後的圖像,採用應用以實施例1構成的頻率特性校正濾波器者。在此方法下,在進行次像素偏移前與後不會產生測長值的差。
透過設定如在實施例3說明的環境設定畫面,使得可設定漂移校正時的圖像偏移方法的具體的手法。另外,GUI方面,可共用圖1的顯示部103的監視器114。
依上述實施例時,於像漂移校正處理,即使在將複數個畫格圖像或視場圖像予以次像素量移動的情況下,測長值在使圖像移動的前後仍不會變化。此結果,可使測長再現性提升。
以上,本發明提供在不使測長值變化之下就圖像進行次像素量偏移的方法。以實施例1及實施例2示出的往在掃描型電子顯微鏡之像漂移校正的應用為其一例,當然一般而言可應用於使用了圖像的次像素偏移處理之測長處理。
101:電子顯微鏡部
102:控制部
103:顯示部
104:電子源
105:聚焦透鏡
106:偏向器
107:接物鏡
108:樣品
109:樣品台
110:檢測器
111:資料處理部
112:圖像記憶部
113:校正演算處理部
114:監視器
601:漂移校正前的圖像
602:透過像素插值使圖像移動的處理
603:將頻率特性進行校正的處理
604:漂移校正後的圖像
605:頻率特性測定用圖像
607:頻率特性算出處理
608:圖像偏移量
609:漂移校正後的圖像
701:像素插值濾波器的構成資訊
702:頻率校正表切換處理
1001:將圖像轉換為頻率空間圖像之處理
1002:將頻率空間圖像轉換為實空間圖像之處理
[圖1]就實施例1的電子束裝置的整體構成進行繪示的圖。
[圖2]漂移量的概念圖,(a)示出線圖案,(b)示出點圖案。
[圖3]就次像素插值方法進行說明的圖。
[圖4]就為了以圖像視看頻率特性用的CZP(Circular Zone Plate)之例進行繪示的圖。
[圖5]就插值濾波器所致的部分的CZP的變化進行繪示的圖。
[圖6]就實施例1的漂移校正的處理進行說明的圖。
[圖7]就實施例2的漂移校正的處理進行說明的圖。
[圖8]就設定漂移校正條件的GUI的一例進行繪示的圖。
[圖9]就頻率校正表的一例進行繪示的圖。
[圖10]就實施例1中的圖像的頻率特性校正處理的一例進行繪示的圖。
[圖11]就實施例2中的頻率校正表選擇處理的一例進行說明的圖。
601:漂移校正前的圖像
602:透過像素插值使圖像移動的處理
603:將頻率特性進行校正的處理
604:漂移校正後的圖像
605:頻率特性測定用圖像
607:頻率特性算出處理
608:圖像偏移量
609:漂移校正後的圖像
Claims (15)
- 一種電子束裝置,其為具有電子顯微鏡部與控制部者,前述電子顯微鏡部以電子束進行掃描而照射於樣品,檢測從前述樣品放出的信號,前述控制部具有:資料處理部,其將以前述電子顯微鏡部檢測出的信號轉換為圖像;和校正演算處理部,其進行次像素偏移處理與頻率校正處理而取得校正圖像,前述次像素偏移處理為透過像素插值濾波器使前述圖像偏移像素間的像素偏移量者,前述頻率校正處理為以偏移前後的圖像的空間頻率特性在對測長值差造成影響的頻率範圍內成為相同的方式進行校正者。
- 如請求項1的電子束裝置,其中,前述校正演算處理部:對頻率校正用的特定圖像進行前述次像素偏移處理,進行從偏移後的前述特定圖像算出特定圖像頻率特性而輸出頻率校正資訊的頻率特性算出處理,使用儲存前述頻率校正資訊的頻率校正表而透過前述頻率校正處理校正前述空間頻率特性,前述頻率校正資訊為用於消除偏移前後的前述特定圖像的頻率特性的變化者。
- 如請求項2的電子束裝置,其中,前述頻率校正表儲存每個頻率的校正係數作為前述頻率校正資 訊,使用前述校正係數校正前述頻率特性。
- 如請求項3的電子束裝置,其中,前述頻率校正處理:將前述偏移後的圖像轉換為頻率空間圖像,將與前述頻率對應之前述校正係數從前述頻率校正表讀出,對前述頻率空間圖像的振幅乘上前述校正係數,將乘上前述校正係數後的頻率空間圖像轉換為實空間圖像從而校正前述頻率特性。
- 如請求項3的電子束裝置,其中,前述頻率校正表儲存相對於前述頻率之放大率作為前述校正係數。
- 如請求項2的電子束裝置,其中,前述校正演算處理部使用具有可分辨前述特定圖像的頻率特性的變化的圖案之圖像作為前述特定圖像,進行前述次像素偏移處理。
- 如請求項2的電子束裝置,其中,前述校正演算處理部使用在空間頻率的範圍中最低頻率為直流且最高頻率為取樣頻率之圖像的一部分作為前述特定圖像,進行前述次像素偏移處理。
- 如請求項1的電子束裝置,其中,前述校正演算處理部:根據前述像素偏移量與前述像素插值濾波器的構成資訊,從按前述像素偏移量儲存頻率校正資訊的複數個頻率校正表之中選擇一個頻率校正表的頻率校正表選擇處理, 根據儲存於在前述頻率校正表選擇處理進行選擇的前述頻率校正表的前述頻率校正資訊,透過前述頻率校正處理校正前述頻率特性。
- 如請求項8的電子束裝置,其中,前述頻率校正表被預先準備為按水平方向的前述像素偏移量和垂直方向的前述像素偏移量的組合具有校正係數的校正表群,前述頻率校正表選擇處理是從前述校正表群之中選擇與前述像素偏移量對應的一個前述校正表。
- 如請求項1的電子束裝置,其中,前述資料處理部將以前述電子顯微鏡部檢測出的信號轉換為畫格圖像及構成前述畫格圖像之視場圖像,前述校正演算處理部根據前述畫格圖像間或前述視場圖像間的前述像素偏移量,進行前述次像素偏移處理。
- 如請求項1的電子束裝置,其進一步具有顯示資訊的顯示部,前述控制部進一步具有保存前述圖像的圖像記憶部,前述校正演算處理部對保存於前述圖像記憶部的前述圖像,進行前述次像素偏移處理與前述頻率校正處理而取得前述校正圖像,前述顯示部顯示前述校正圖像。
- 如請求項11的電子束裝置,其中,前述顯示部顯示可執行前述次像素偏移處理與前述頻率校正處理的校正條件設定畫面。
- 一種圖像處理方法,其為使用具有電子顯微鏡部與控制部的電子束裝置者,前述電子顯微鏡部以電子束進行掃描而照射於樣品,檢測從前述樣品放出的信號,前述控制部將以前述電子顯微鏡部檢測出的信號轉換為圖像,進行次像素偏移處理與頻率校正處理而取得校正圖像,前述次像素偏移處理為透過像素插值濾波器使前述圖像偏移像素間的像素偏移量者,前述頻率校正處理為以偏移前後的圖像的空間頻率特性在對測長值差造成影響的頻率範圍內成為相同的方式進行校正者。
- 如請求項13的圖像處理方法,其中,對頻率校正用的特定圖像進行前述次像素偏移處理,進行從偏移後的前述特定圖像算出特定圖像頻率特性而輸出頻率校正資訊的頻率特性算出處理,使用儲存前述頻率校正資訊的頻率校正表,透過前述頻率校正處理校正前述空間頻率特性,前述頻率校正資訊為用於消除偏移前後的前述特定圖像的頻率特性的變化者。
- 如請求項13的圖像處理方法,其中,根據前述像素偏移量與前述像素插值濾波器的構成資訊,從按前述像素偏移量儲存頻率校正資訊的複數個頻率校正表之中選擇一個頻率校正表的頻率校正表選擇處理,根據儲存於在前述頻率校正表選擇處理進行選擇的前述頻率校正表的前述頻率校正資訊,透過前述頻率校正處 理校正前述頻率特性。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7834317B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-11-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Scanning electron microscope and system for inspecting semiconductor device |
WO2011148975A1 (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 画像処理装置、荷電粒子線装置、荷電粒子線装置調整用試料、およびその製造方法 |
WO2012098605A1 (ja) * | 2011-01-21 | 2012-07-26 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 回路パターン検査装置およびその検査方法 |
CN102930507A (zh) * | 2011-08-08 | 2013-02-13 | 佳能株式会社 | 图像处理方法、图像处理装置和图像拾取装置 |
US20130322737A1 (en) * | 2012-05-30 | 2013-12-05 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection method and defect inspection apparatus |
TW201835676A (zh) * | 2017-02-22 | 2018-10-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 計算度量衡 |
CN108921794A (zh) * | 2018-05-14 | 2018-11-30 | 清华大学 | 扫描成像模式下的动态图像重建方法及装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6194718B1 (en) * | 1998-09-23 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Method for reducing aliasing effects in scanning beam microscopy |
US7463773B2 (en) * | 2003-11-26 | 2008-12-09 | Drvision Technologies Llc | Fast high precision matching method |
US7809155B2 (en) * | 2004-06-30 | 2010-10-05 | Intel Corporation | Computing a higher resolution image from multiple lower resolution images using model-base, robust Bayesian estimation |
JP4607624B2 (ja) * | 2005-03-08 | 2011-01-05 | 日本電子株式会社 | 走査型電子顕微鏡 |
JP4490864B2 (ja) | 2005-04-28 | 2010-06-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 画像形成方法 |
WO2009157217A1 (ja) * | 2008-06-27 | 2009-12-30 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 画像補正処理装置及び画像補正処理方法 |
JP5080657B2 (ja) * | 2008-12-15 | 2012-11-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
JP5537448B2 (ja) * | 2011-01-21 | 2014-07-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、及び画像解析装置 |
JP5537460B2 (ja) * | 2011-02-17 | 2014-07-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線顕微鏡及びそれを用いた計測画像の補正方法 |
JP6130120B2 (ja) * | 2012-10-02 | 2017-05-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 画像処理装置、画像処理方法、及びコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
CN107105987B (zh) * | 2015-01-08 | 2019-11-15 | 奥林巴斯株式会社 | 图像处理装置及其工作方法、记录介质和内窥镜装置 |
JP6499871B2 (ja) * | 2015-01-26 | 2019-04-10 | 株式会社ホロン | 画像振動低減装置 |
-
2019
- 2019-03-22 JP JP2019054942A patent/JP7077260B2/ja active Active
-
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- 2020-01-31 TW TW109102980A patent/TWI742524B/zh active
- 2020-03-05 US US16/810,246 patent/US11011346B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7834317B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-11-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Scanning electron microscope and system for inspecting semiconductor device |
WO2011148975A1 (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 画像処理装置、荷電粒子線装置、荷電粒子線装置調整用試料、およびその製造方法 |
WO2012098605A1 (ja) * | 2011-01-21 | 2012-07-26 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 回路パターン検査装置およびその検査方法 |
CN102930507A (zh) * | 2011-08-08 | 2013-02-13 | 佳能株式会社 | 图像处理方法、图像处理装置和图像拾取装置 |
US20130322737A1 (en) * | 2012-05-30 | 2013-12-05 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection method and defect inspection apparatus |
TW201835676A (zh) * | 2017-02-22 | 2018-10-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 計算度量衡 |
CN108921794A (zh) * | 2018-05-14 | 2018-11-30 | 清华大学 | 扫描成像模式下的动态图像重建方法及装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102319824B1 (ko) | 2021-11-02 |
TW202103207A (zh) | 2021-01-16 |
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