TWI742193B - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI742193B
TWI742193B TW106138853A TW106138853A TWI742193B TW I742193 B TWI742193 B TW I742193B TW 106138853 A TW106138853 A TW 106138853A TW 106138853 A TW106138853 A TW 106138853A TW I742193 B TWI742193 B TW I742193B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processing
fluid
container body
cover member
wafer
Prior art date
Application number
TW106138853A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201830562A (zh
Inventor
岡村聰
枇杷聰
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201830562A publication Critical patent/TW201830562A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI742193B publication Critical patent/TWI742193B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0021—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by liquid gases or supercritical fluids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明提供一種可容易地進行處理容器之維修作業的基板處理裝置。 基板處理裝置3具有：容器本體311，其收容基板W且使用高壓之處理流體對基板W進行處理；及搬送口312，用以將基板W搬入容器本體311內及搬出。在容器本體311中與搬送口312不同之位置設有開口321。開口321被第二蓋構件322封閉。

Description

基板處理裝置
本發明係關於基板處理裝置。
在作為基板之半導體晶圓(以下稱為晶圓)等之表面上形成積體電路之積層構造的半導體裝置製程中，進行藉由藥液等之沖洗液去除晶圓表面之微小廢料或自然氧化膜等，利用液體處理晶圓表面的液處理步驟。
在如此液處理步驟中去除殘留於晶圓表面上之液體時，使用超臨界狀態之處理流體的方法是習知的。
例如專利文獻1揭示使超臨界狀態之流體與基板接觸，接著去除殘留在基板上之液體的基板處理裝置。此外，專利文獻2揭示利用超臨界流體由基板上溶解有機溶劑而使基板乾燥的基板處理裝置。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2013－12538號公報 [專利文獻2] 日本特開2013－16798號公報
[發明所欲解決的問題] 但是，以往，在使用超臨界狀態之流體的基板處理裝置中，因為處理容器內部為高壓，所以為了提高處理容器之耐壓性，使基板之搬送口面積減少。因此，有處理容器內之維修作業不容易進行的問題。
本發明係在如此背景下作成，且目的為提供可容易地進行處理容器內之維修作業的基板處理裝置。 [解決問題的手段]
本發明之一態樣係關於基板處理裝置，且在基板處理裝置中具有：容器本體，其收容基板且使用高壓之處理流體對前述基板進行處理；搬送口，用以將前述基板搬入前述容器本體內及搬出；及開口，其設置在前述容器本體中與前述搬送口不同之位置；及蓋構件，其封閉前述開口。 [發明的功效]
依據本發明，可容易地進行處理容器內之維修作業。
以下，參照圖式說明本發明之一實施形態。此外，為方便容易圖示及了解，在添附於本說明書之圖式所示的結構中包含尺寸及比例尺等由實物之尺寸及比例尺等變更的部分。
[沖洗處理系統之結構] 圖1係顯示沖洗處理系統1之全體結構的橫截平面圖。
沖洗處理系統1具有：多數沖洗裝置2(在圖1所示之例中有2台沖洗裝置2)，其供給沖洗液至晶圓W以進行沖洗處理；及多數超臨界處理裝置3(在圖1所示之例中有2台超臨界處理裝置3)，其使殘留在沖洗處理後之晶圓W上的防止乾燥用液體(在本實施形態中係IPA：異丙醇)與超臨界狀態之處理流體(在本實施形態中係CO2 ：二氧化碳)接觸而去除。
在該沖洗處理系統1中，FOUP(前開式晶圓傳送盒)100載置在載置部11上，且收納於該FOUP 100中之晶圓W透過搬入搬出部12及傳送部13傳送至沖洗處理部14及超臨界處理部15。在沖洗處理部14及超臨界處理部15中，先將晶圓W搬入設於沖洗處理部14中之沖洗裝置2並接受沖洗處理，然後，搬入設於超臨界處理部15中之超臨界處理裝置3並接收由晶圓W上方去除IPA之乾燥處理。圖1中，符號「121」表示在FOUP 100與傳送部13間搬送晶圓W之第一搬送機構，且符號「131」表示傳送架，該傳送架具有作為暫時載置在搬入搬出部12與沖洗處理部14及超臨界處理部15間搬送之晶圓W的緩衝的功能。
晶圓搬送路162連接於傳送部13之開口部，且沿著晶圓搬送路162設置沖洗處理部14及超臨界處理部15。在沖洗處理部14中，隔著該晶圓搬送路162各設置1台沖洗裝置2，因此總共設置2台沖洗裝置2。另一方面，在超臨界處理部15中，隔著晶圓搬送路162各配置1台具有作為進行由晶圓W去除IPA之乾燥處理的基板處理裝置的機能的超臨界處理裝置3，因此總共設置2台超臨界處理裝置3。第二搬送機構161配置在晶圓搬送路162中，且第二搬送機構161設置成可在晶圓搬送路162內移動。藉由第二搬送機構161收取載置在傳送架131上之晶圓W，且第二搬送機構161將晶圓W搬入沖洗裝置2及超臨界處理裝置3。此外，沖洗裝置2及超臨界處理裝置3之數目及配置態樣沒有特別限制，可依據每單位時間之晶圓W處理片數及各沖洗裝置2及超臨界處理裝置3之處理時間等，用適當態樣配置適當數目之沖洗裝置2及超臨界處理裝置3。
沖洗裝置2係例如組配成藉由旋轉沖洗來逐一沖洗晶圓W之單片式裝置。此時，在將晶圓W保持於水平之狀態下一面使其環繞垂直軸線旋轉，一面在適當時間對晶圓W之處理面供給沖洗用藥液或用以沖走藥液之清洗液，藉此可進行晶圓W之沖洗處理。在沖洗裝置2中使用之藥液及清洗液沒有特別限制。例如，供給鹼性藥液之SC1液(即，氨水與雙氧水之混合液)至晶圓W，可由晶圓W去除顆粒及有機性污染物質等。然後，供給作為清洗液之去離子水(DIW：DeIonized Water)至晶圓W，可由晶圓W沖走SC1液。此外，供給酸性藥液之稀氟酸水溶液(DHF：稀氫氟酸(Diluted HydroFluoric acid))至晶圓W以去除自然氧化膜，然後，亦可供給DIW至晶圓W並由晶圓W沖走稀氟酸水溶液。
此外，沖洗裝置2在結束DIW之清洗處理後，一面使晶圓W旋轉，一面供給IPA至晶圓W作為防止乾燥用之液體，將殘存在晶圓W之處理面上的DIW置換為IPA。然後，緩慢地停止晶圓W之旋轉。此時，供給充足量之IPA至晶圓W，使形成半導體圖案之晶圓W的表面成為充滿IPA之狀態，藉此在晶圓W之表面形成IPA之液膜。晶圓W維持充滿IPA之狀態，且藉由第二搬送機構161由沖洗裝置2搬出。
如此賦予晶圓W之表面的IPA具有防止晶圓W之乾燥的功能。特別地，為防止由於由沖洗裝置2搬送晶圓W至超臨界處理裝置3時之IPA蒸發而在晶圓W上產生所謂圖案倒塌，沖洗裝置2賦予充分量之IPA在晶圓W上，使具有比較大厚度之IPA膜形成在晶圓W之表面上。
藉由第二搬送機構161，將由沖洗裝置2搬出之晶圓W在充滿IPA之狀態下搬入超臨界處理裝置3之處理容器內，接著在超臨界處理裝置3中進行IPA之乾燥處理。
[超臨界處理裝置] 接著，詳細說明在超臨界處理裝置(基板處理裝置)3中使用超臨界流體之乾燥處理。首先，說明在超臨界處理裝置3中搬入晶圓W之處理容器的結構例。
圖2係顯示超臨界處理裝置3之一處理容器301例的外觀立體圖，且圖3係顯示一處理容器301例的截面圖。
處理容器301收容晶圓W且使用超臨界流體等之高壓處理流體對晶圓W進行處理。該處理容器301具有：框體狀之容器本體311，其收容晶圓W；搬送口312，用以將晶圓W搬入容器本體311內及搬出；保持板316，其保持處理對象之晶圓W呈橫向；及第一蓋構件315，其支持該保持板316且在將晶圓W搬入容器本體311內時密閉搬送口312。此外，維修用開口(開口)321設置在容器本體311中與搬送口312不同之位置。除了維修時等以外，藉由第二蓋構件322封閉該維修用開口321。
容器本體311收容晶圓W且進行對晶圓W使用處理流體之處理。容器本體311係例如內部形成可收容直徑300mm之晶圓W的處理空間319的容器。上述搬送口312及維修用開口321(例如與搬送口312相同大小及形狀之開口)分別形成在處理空間319之兩端且連通於處理空間319。
此外，排出埠314設置在容器本體311中搬送口312側之壁部中。排出埠314連接於設置在處理容器301下游側的用以流通處理流體之排出側供給管線65(請參照圖6)。此外，雖然圖2顯示2個排出埠314，但排出埠314之數目沒有特別限制。
用以分別嵌入後述第一鎖板327之嵌入孔325、323形成在分別位於搬送口312之上側及下側的第一上側塊312a及第一下側塊312b中。各嵌入孔325、323朝上下方向(相對於晶圓W之面垂直的方向)分別貫穿第一上側塊312a及第一下側塊312b。
保持板316係組配成在保持晶圓W之狀態下可用水平狀態配置在容器本體311之處理空間319內的薄板狀構件，且連結於第一蓋構件315。此外，排出口316a設置在保持板316之第一蓋構件315側。
第一蓋構件收容空間324形成在容器本體311中前側(Y方向負側)之區域。將保持板316搬入處理容器301內並對晶圓W進行超臨界處理時，第一蓋構件315收容在第一蓋構件收容空間324中。此時，第一蓋構件315藉由封閉搬送口312來密閉處理空間319。
第一鎖板327設於處理容器301之前側。該第一鎖板327具有在使保持板316移動到處理位置時，作為限制第一蓋構件315因容器本體311內之壓力而移動的限制構件的功能。該第一鎖板327嵌入第一下側塊312b之嵌入孔323及第一上側塊312a之嵌入孔325。此時，第一鎖板327具有作為閂之功能，因此可限制第一蓋構件315及保持板316之前後方向(圖2及圖3中之Y方向)的移動。此外，在嵌入嵌入孔323、325而推壓第一蓋構件315之鎖定位置與由該鎖定位置朝下方側退避而釋放第一蓋構件315之釋放位置間，第一鎖板327藉由升降機構326朝上下方向移動。在該例子中，藉由第一鎖板327、嵌入孔323、325及升降機構326，構成限制第一蓋構件315因容器本體311內之壓力而移動的限制機構。此外，因為在嵌入孔323、325中設有用以插脫第一鎖板327所需之間距，所以嵌入孔323、325與位於鎖定位置之第一鎖板327間形成少許間隙C1(圖3)。另外，為方便圖示，在圖3中誇大地畫出間隙C1。
維修用開口321設置在容器本體311之壁面，與搬送口312對向之位置。藉由維修用開口321與搬送口312如此對向，容器本體311被第一蓋構件315及第二蓋構件322密閉時，處理空間319之壓力大致均等地施加在容器本體311之內面上。因此，可防止應力集中在容器本體311之特定位置。但是，維修用開口321亦可設置在與搬送口312對向之位置以外的地方，例如相對於晶圓W之行進方向(Y方向)的側邊壁面上。
第二上側塊321a及第二下側塊321b分別位於維修用開口321之上側及下側。用以嵌入第二鎖板337之嵌入孔335、333分別形成在該第二上側塊321a及第二下側塊321b中。各嵌入孔335、333朝上下方向(相對於晶圓W之面垂直的方向)分別貫穿第二上側塊321a及第二下側塊321b。
第二蓋構件收容空間334形成在容器本體311中內側(Y方向正側)之區域。除了維修時等以外，第二蓋構件322收容在第二蓋構件收容空間334內且封閉維修用開口321。此外，供給埠313設置於第二蓋構件322中。供給埠313設置於處理容器301之上游側，且連接於用以流通處理流體之第一供給管線63(請參照圖6)。另外，雖然圖2顯示2個供給埠313，但供給埠313之數目沒有特別限制。
第二鎖板337具有作為限制第二蓋構件322因容器本體311內之壓力而移動的限制構件的功能。該第二鎖板337嵌入維修用開口321周圍之嵌入孔333、335。此時，第二鎖板337具有作為閂之功能，因此可限制第二蓋構件322之前後方向(Y方向)的移動。此外，第二鎖板337係組配成在嵌入嵌入孔333、335而推壓第二蓋構件322之鎖定位置與由該鎖定位置朝下方側退避而釋放第二蓋構件322之釋放位置間，朝上下方向移動。在本實施形態中，雖然可手動地移動第二鎖板337，但亦可設置與升降機構326大致相同之升降機構，使其自動地移動。此外，因為在嵌入孔333、335中設有用以插脫第二鎖板337所需之間距，所以嵌入孔333、335與位於鎖定位置之第一鎖板327間形成少許間隙C2(圖3)。另外，為方便圖示，在圖3中誇大地畫出間隙C2。
在本實施形態中，第二蓋構件322連接於第一供給管線63，且多數開孔332設置在第二蓋構件322中。該第二蓋構件322具有作為供給來自第一供給管線63之處理流體至容器本體311內部的流體供給集管的功能。藉此，維修時拆卸第二蓋構件322之際，可容易地進行開孔332之清掃等之維修作業。此外，連通於排出埠314之流體排出集管318設置在容器本體311內之搬送口312側的壁部中。該流體排出集管318中亦設有多數開孔。
第二蓋構件322及流體排出集管318設置成互相對向。具有作為流體供給部之機能的第二蓋構件322實質地向水平方向供給處理流體至容器本體311內。在此所謂水平方向係與重力作用之垂直方向垂直的方向，通常是與保持在保持板316上之晶圓W的平坦表面延伸方向平行的方向。具有作為排出容器本體311內流體之流體排出部的機能的流體排出集管318使容器本體311內之流體通過設置在保持板316中之排出口316a，並引導至容器本體311外而排出。透過流體排出集管318排出至容器本體311外的流體中，除了透過第二蓋構件322供給至容器本體311內之處理流體以外，亦包含由晶圓W之表面溶入處理流體之IPA。藉由如此由第二蓋構件322之開孔332供給處理流體至容器本體311內，容器本體311內形成與晶圓W表面大致平行地流動之處理流體的層流。
此外，真空吸引管348、349分別連接於容器本體311中搬送口312側之側面及維修用開口321側之側面。真空吸引管348、349分別連通於容器本體311中第一蓋構件收容空間324側之面及第二蓋構件收容空間334側之面。該真空吸引管348、349具有分別藉由真空吸引力將第一蓋構件315及第二蓋構件322吸引至容器本體311側的功能。
此外，供給處理流體至容器本體311內部之底面側流體供給部341形成在容器本體311之底面。底面側流體供給部341連接於供給高壓流體至容器本體311內之第二供給管線64(請參照圖6)。底面側流體供給部341實質地由下方向上方供給處理流體至容器本體311內。由底面側流體供給部341供給之處理流體由晶圓W之背面通過設於保持板316之排出口316a而轉入晶圓W之表面，接著與來自第二蓋構件322之處理流體一起通過設於保持板316中之排出口316a而由流體排出集管318排出。底面側流體供給部341之位置宜例如在導入容器本體311內之晶圓W的下方，且以晶圓W之中心部的下方更佳。藉此，可使來自底面側流體供給部341之處理流體均一地轉入晶圓W之表面。
如圖3所示地，由例如帶式加熱器等之電阻發熱體形成的加熱器345設置在容器本體311之上下兩面。加熱器345與電源部346連接，且可增減電源部346之輸出，將容器本體311及處理空間319之溫度維持在例如100℃至300℃之範圍內。
[維修用開口周邊之結構] 接著，參照圖4及圖5，進一步說明維修用開口321之周圍的結構。
如圖4及圖5所示地，包圍對應於維修用開口321周緣之位置的凹部328形成在第二蓋構件322中之處理空間319側的側壁中。藉由在該凹部328內嵌入密封構件329，密封構件329可配置在抵接維修用開口321周圍之側壁面的第二蓋構件322側之側壁面。
密封構件329形成環狀而可包圍維修用開口321。此外，密封構件329之截面形狀呈U形。在圖4及圖5所示之密封構件329中，沿著環狀密封構件329之內周面形成U形缺口329a。換言之，圍成U狀之內部空間(缺口329a)形成在密封構件329中。
藉由使用設有該密封構件329之第二蓋構件322來封閉維修用開口321之周圍，密封構件329以封閉第二蓋構件322與處理空間319間之間隙的方式，配置在第二蓋構件322與容器本體311之對向面間。此外，因為該間隙形成在容器本體311內之維修用開口321周圍，所以沿著密封構件329之內周面形成的缺口329a成為與該處理空間319連通之狀態。
缺口329a與處理空間319連通之密封構件329暴露於處理流體之環境氣體中，而有時處理流體會溶出樹脂及橡膠等成分或其中包含之不純物。因此，密封構件329係用具有對液體IPA或處理流體具有耐蝕性之樹脂至少構成向處理空間319開口之缺口329a的內側。如此之樹脂可舉例如：聚醯亞胺、聚乙烯、聚丙烯、對二甲苯、聚醚醚酮(PEEK)，且宜使用即使有成分微量溶出至處理流體中，對半導體裝置之影響亦小的非氟系樹脂。
以下，說明在處理容器301內使用高壓之處理流體對晶圓W進行處理時，具有密封構件329之處理容器301的作用。
首先，高壓之處理流體未供給至處理空間319中且容器本體311內之壓力未升高時，藉由來自真空吸引管349(圖2及圖3)之吸引力，將第二蓋構件322吸引至容器本體311側。此時，如圖4所示地，第二蓋構件322及容器本體311之側壁面直接對向而擠壓密封構件329，並氣密地封閉維修用開口321之周圍。被第二蓋構件322及容器本體311擠壓之密封構件329朝缺口329a變窄之方向變形。缺口329a未完全關閉時，處理空間319內之環境氣體在此時透過第二蓋構件322與容器本體311間之間隙流入缺口329a內。
另一方面，由第二蓋構件322供給高壓之處理流體至處理空間319內時，第二蓋構件322朝遠離維修用開口321之方向移動。即，第二蓋構件322藉由從處理流體接受之壓力，只移動維修用開口321周圍之嵌入孔325、323與第二鎖板337間的間隙C2(圖3)部分。藉由第二蓋構件322之移動，第二蓋構件322與容器本體311間之間隙擴大時，缺口329a藉由具有彈性之密封構件329的復原力擴大，接著處理空間319之環境氣體(處理流體)亦如圖5所示地進入缺口329a(內部空間)內。
處理流體進入缺口329a內時，由缺口329a之內側撐大密封構件329，因此產生使密封構件329之外周面(與缺口329a相反側之面)朝向第二蓋構件322之凹部328側的面及容器本體311之側壁面推壓的力。藉此，密封構件329之外周面密接於第二蓋構件322及容器本體311等，並氣密地封閉該等第二蓋構件322與容器本體311間之間隙。此種密封構件329具有可藉由從處理流體接受之力變形的彈性，且可對抗處理空間319與外部之壓力差(例如大約16至20MPa)而維持氣密地封閉間隙的狀態。
此外，在本實施形態中，與維修用開口321同樣地，容器本體311之搬送口312亦被第一蓋構件315所密閉。
即，如圖3所示地，包圍對應於搬送口312周緣之位置的凹部338形成在第一蓋構件315之處理空間319側的側壁中。藉由在該凹部338內嵌入密封構件339，密封構件339配置在抵接搬送口312周圍之側壁面的第一蓋構件315側的側壁面。
密封構件339形成環狀而可包圍搬送口312。此外，密封構件339之截面形狀呈U形。如此，藉由使用設有密封構件339之第一蓋構件315來封閉搬送口312，密封構件339以封閉第一蓋構件315與搬送口312間之間隙的方式，配置在第一蓋構件315與容器本體311之對向面間。此外，使用第一蓋構件315及密封構件339來封閉搬送口312之結構與用以封閉上述維修用開口321之結構大致相同。
[超臨界處理裝置之系統全體結構] 圖6係顯示超臨界處理裝置3之系統全體結構例的圖。
流體供給槽51設在處理容器301上游側，且由流體供給槽51供給處理流體至超臨界處理裝置3中用以流通處理流體之供給管線。流體供給槽51與處理容器301間由上游側向下游側依序設置流通開關閥52a、孔口55a、過濾器57及流通開關閥52b。此外，在此所謂上游側及下游側之用語係以供給管線中之處理流體的流動方向為基準。
流通開關閥52a係調整來自流體供給槽51之處理流體供給的開及關的閥，且在開狀態時處理流體流入下游側之供給管線，而在關狀態時使處理流體不流入下游側之供給管線。流通開關閥52a在開狀態時，例如大約16至20MPa(百萬帕)之高壓處理流體由流體供給槽51透過流通開關閥52a供給至供給管線。孔口55a具有調整由流體供給槽51供給之處理流體壓力的功能，且可使壓力調整至例如大約16MPa之處理流體在孔口55a下游側之供給管線中流通。過濾器57去除由孔口55a送出之處理流體包含的異物，使清潔之處理流體流至下游側。
流通開關閥52b係調整處理流體供給至處理容器301之開及關的閥。由流通開關閥52b延伸至處理容器301之第一供給管線63連接於上述圖2及圖3所示之供給埠313，且來自流通開關閥52b之處理流體透過圖2及圖3所示之供給埠313及第二蓋構件322供給至處理容器301之容器本體311內。
此外，在圖6所示之超臨界處理裝置3中，供給管線在過濾器57與流通開關閥52b之間分歧。即，透過流通開關閥52c及孔口55b連接於處理容器301之供給管線(第二供給管線64)、透過流通開關閥52d及止回閥58a連接於吹掃裝置62之供給管線及透過流通開關閥52e及孔口55c連接於外部之供給管線由過濾器57與流通開關閥52b間之供給管線分歧並延伸。
透過流通開關閥52c及孔口55b連接於處理容器301之第二供給管線64連接於上述圖2及圖3所示之底面側流體供給部341，且來自流通開關閥52c之處理流體透過圖2及圖3所示之底面側流體供給部341供給至處理容器301之容器本體311內。第二供給管線64亦可作為用以供給處理流體至處理容器301之輔助流路使用。例如，如處理流體開始供給至處理容器301等地，使比較多量之處理流體供給至處理容器301時調整流通開關閥52c成開狀態，可供給藉由孔口55b調整壓力後之處理流體至處理容器301。
透過流通開關閥52d及止回閥58a連接於吹掃裝置62之供給管線係用以供給氮等惰性氣體至處理容器301的流路，且可在停止由流體供給槽51對處理容器301供給處理流體之期間活用。例如用惰性氣體充滿處理容器301並保持清潔狀態時，調整流通開關閥52d及流通開關閥52b成開狀態，因此由吹掃裝置62送入供給管線之惰性氣體可透過止回閥58a、流通開關閥52d及流通開關閥52b供給至處理容器301。
透過流通開關閥52e及孔口55c連接於外部之供給管線係用以由供給管線排出處理流體之流路。例如，在超臨界處理裝置3之電源關閉時，排出殘存於流通開關閥52a與流通開關閥52b間之供給管線內的處理流體至外部之際，調整流通開關閥52e成開狀態，因此流通開關閥52a與流通開關閥52b間之供給管線可連通於外部。
在處理容器301之下游側，由上游側向下游側依序設置流通開關閥52f、排氣調整閥59、濃度量測感測器60及流通開關閥52g。
流通開關閥52f係調整處理流體由處理容器301排出之開及關的閥。由處理容器301排出處理流體時調整流通開關閥52f成開狀態，而未由處理容器301排出處理流體時調整流通開關閥52f成關狀態。此外，在處理容器301與流通開關閥52f間延伸之供給管線(排出側供給管線65)連接於圖2及圖3所示之排出埠314。處理容器301之容器本體311內的流體透過圖2及圖3所示之流體排出集管318及排出埠314向流通開關閥52f傳送。
排氣調整閥59係調整流體由處理容器301排出之量的閥，且例如可由背壓閥構成。排氣調整閥59之開度可依據希望流體由處理容器301之排出量，在控制部4之控制下適當地調整。在本實施形態中，例如處理容器301內之流體壓力到達預定之壓力，接著進行由處理容器301排出流體之處理。因此，排氣調整閥59在處理容器301內之流體壓力到達預定之壓力時，可調整開度使開狀態轉變成關狀態來使流體停止由處理容器301排出。
濃度量測感測器60係量測由排氣調整閥59送出之流體包含的IPA濃度的感測器。
流通開關閥52g係調整流體由處理容器301排出至外部之開及關的閥。排出流體至外部時調整流通開關閥52g成開狀態，而未排出流體時調整流通開關閥52g成關狀態。此外，排氣調整針閥61a及止回閥58b設置在流通開關閥52g之下游側。排氣調整針閥61a係調整透過流通開關閥52g傳送之流體排出至外部的量的閥，且排氣調整針閥61a之開度可依據希望之流體排出量來調整。止回閥58b係防止排出之流體逆流的閥，並具有確實地排出流體至外部的功能。
此外，在圖6所示之超臨界處理裝置3中，供給管線在濃度量測感測器60與流通開關閥52g之間分歧。即，透過流通開關閥52h連接於外部之供給管線、透過流通開關閥52i連接於外部之供給管線及透過流通開關閥52j連接於外部之供給管線由濃度量測感測器60與流通開關閥52g間之供給管線分歧並延伸。
與流通開關閥52g同樣地，流通開關閥52h及流通開關閥52i係調整流體排出至外部之開及關的閥。排氣調整針閥61b及止回閥58c設置在流通開關閥52h之下游側，進行流體排出量調整之及防止流體之逆流。止回閥58d設置在流通開關閥52i之下游側，且防止流體之逆流。流通開關閥52j亦為調整流體排出至外部之開及關的閥，且孔口55d設置在流通開關閥52j之下游側，因此流體可由流通開關閥52j透過孔口55d排出至外部。但是，在圖6所示之例子中，流體先透過流通開關閥52g、流通開關閥52h及流通開關閥52i送至外部與流體先透過流通開關閥52j送至外部不同。因此，流體可例如透過流通開關閥52g、流通開關閥52h及流通開關閥52i送至未圖示之回收裝置，另一方面，亦可透過流通開關閥52j放出至大氣中。
由處理容器301排出流體時，調整流通開關閥52g、流通開關閥52h、流通開關閥52i及流通開關閥52j中之1個以上的閥成開狀態。特別在超臨界處理裝置3之電源關閉時，調整流通開關閥52j成開狀態，亦可將殘存在濃度量測感測器60與流通開關閥52g間之供給管線中的流體排出至外部。
此外，在上述供給管線之各種位置設置檢測流體壓力之壓力感測器及檢測流體溫度之溫度感測器。在圖6所示之例子中，壓力感測器53a及溫度感測器54a設置在流通開關閥52a與孔口55a之間，壓力感測器53b及溫度感測器54b設置在孔口55a與過濾器57之間，壓力感測器53c設置在過濾器57與流通開關閥52b之間，溫度感測器54c設置在流通開關閥52b與處理容器301之間，且溫度感測器54d設置在孔口55b與處理容器301之間。此外，壓力感測器53d及溫度感測器54f設置在處理容器301與流通開關閥52f之間，且壓力感測器53e及溫度感測器54g設置在濃度量測感測器60與流通開關閥52g之間。另外，設置用以檢測處理容器301內部之容器本體311內的流體溫度的溫度感測器54e。
此外，在超臨界處理裝置3中處理流體流過之任意位置設置加熱器H。在圖6中，雖然加熱器H顯示在處理容器301上游側之供給管線(即，流通開關閥52a與孔口55a之間、孔口55a與過濾器57之間、過濾器57與流通開關閥52b之間及流通開關閥52b與處理容器301之間)中，但加熱器H亦可設置在包含處理容器301及處理容器301下游側之供給管線的其他位置。因此，由流體供給槽51供給之處理流體到排出至外部的全部流路中均可設置加熱器H。此外，特別由調整供給至處理容器301之處理流體溫度的觀點來看，加熱器H宜設置在可調整流過處理容器301上游側之處理流體溫度的位置。
此外，安全閥56a設置在孔口55a與過濾器57之間，安全閥56b設置在處理容器301與流通開關閥52f之間，且安全閥56c設置在濃度量測感測器60與流通開關閥52g之間。該等安全閥56a至56c具有在供給管線內之壓力過大等之異常時使供給管線連通於外部，將供給管線內之流體緊急地排出至外部的功能。
[超臨界乾燥處理] 接著，說明使用超臨界狀態之處理流體的IPA之乾燥機構。
圖7係用以說明IPA之乾燥機構的圖，且係簡略地顯示作為晶圓具有之凹部的圖案P的放大截面圖。
在超臨界處理裝置3中超臨界狀態之處理流體R開始導入處理容器301之容器本體311內時，如圖7(a)所示地，只有IPA填充在圖案P之間。
圖案P間之IPA藉由與超臨界狀態之處理流體R接觸，慢慢地溶解於處理流體R中，接著如圖7(b)所示地慢慢地與處理流體R置換。此時，在圖案P間，除了IPA及處理流體R以外，亦存在IPA與處理流體R混合之狀態的混合流體M。
接著，隨著在圖案P間由IPA置換成處理流體R，由圖案P間去除IPA，最後如圖7(c)所示地，圖案P間只被超臨界狀態之處理流體R充滿。
由圖案P間去除IPA後，藉由使容器本體311內之壓力降低至大氣壓，如圖7(d)所示地，處理流體R由超臨界狀態變化至氣體狀態，因此圖案P間只被氣體佔據。如此可去除圖案P間之IPA，且晶圓W之乾燥處理結束。
以上述圖7(a)至(d)所示之機構為背景，本實施形態之超臨界處理裝置3如下所述地進行IPA之乾燥處理。
即，藉由超臨界處理裝置3進行之基板處理方法具有以下步驟：將在圖案P中充滿防止乾燥用IPA之晶圓W搬入處理容器301之容器本體311內；透過流體供給部(即流體供給槽51、流通開關閥52a、流通開關閥52b及第二蓋構件322)供給超臨界狀態之處理流體至容器本體311內；及在容器本體311內，使用超臨界狀態之處理流體進行由晶圓W去除IPA之乾燥處理。
即，先將在沖洗裝置2中實施沖洗處理後之晶圓W搬送至超臨界處理裝置3中。在該沖洗裝置2中，依序進行例如藉由鹼性藥液之SC1液去除顆粒及有機性污染物質等、藉由清洗液之去離子水(DIW)清洗沖洗、藉由酸性藥液之稀氟酸水溶液(DHF)去除自然氧化膜、藉由DIW清洗沖洗，最後在晶圓表面上充滿IPA。接著晶圓W在此狀態下原樣地由沖洗裝置2搬出，並搬送至超臨界處理裝置3之處理容器301。
搬送至該處理容器301係例如使用第二搬送機構161來進行(請參照圖1)。搬送晶圓至處理容器301時，第二搬送機構161將晶圓W傳送至在傳送位置待機之保持板316後，由保持板316之上方位置退避。
接著，使保持板316朝水平方向滑動，並使保持板316移動到容器本體311內之處理位置。此時，第一蓋構件315收容在第一蓋構件收容空間324內並覆蓋搬送口312。接著，藉由來自真空吸引管348(圖2及圖3)之吸引力，吸引第一蓋構件315至容器本體311，並藉由第一蓋構件315封閉搬送口312。接著，藉由升降機構326使第一鎖板327上升到鎖定位置，使第一鎖板327與第一蓋構件315之前面抵接並限制第一蓋構件315之移動。
接著，充滿在晶圓W表面上之IPA乾燥前，開啟流通開關閥52b、52c並透過第一供給管線63、第二供給管線64供給高壓之處理流體至處理空間319中。藉此，使處理空間319內之壓力升壓到例如大約14至16MPa。隨著處理空間319之加壓，設置在第一蓋構件315之凹部338中的截面U形密封構件339被撐大，因此氣密地封閉第一蓋構件315與容器本體311間之間隙。
另一方面，在處理空間319內，供給至該處理空間319內之處理流體與充滿在晶圓W上之IPA接觸時，充滿之IPA慢慢地溶解於處理流體中，並與處理流體慢慢地置換。接著，隨著在晶圓W之圖案間由IPA置換成處理流體，由圖案間去除IPA，最後圖案P間只被超臨界狀態之處理流體充滿。結果，雖然晶圓W之表面由液體之IPA置換成處理流體，但在平衡狀態下在液體IPA與處理流體之間未形成界面，因此可在不引起圖案倒塌之情形下將晶圓W表面之流體置換成處理流體。
然後，供給處理流體至處理空間319內後經過預先設定之時間，晶圓W之表面成為被處理流體置換之狀態後，開啟流通開關閥52f使處理空間319內之環境氣體由流體排出集管318朝向容器本體311外排出。藉此，容器本體311內之壓力逐漸地降低，且處理空間319內之處理流體由超臨界之狀態變化成氣體之狀態。此時，因為超臨界狀態與氣體之間未形成界面，所以可在使表面張力未作用在形成於晶圓W之圖案上的情形下乾燥晶圓W。
藉由以上之程序，結束晶圓W之超臨界處理後，為排出殘存於處理空間319中之氣體的處理流體，由未圖示之吹掃氣體供給管線供給N2 氣體並朝向流體排出集管318進行吹掃。接著，只進行N2 氣體之供給預定時間並結束吹掃，並且在容器本體311內回復至大氣壓後，使第一鎖板327下降到釋放位置。接著，使保持板316朝水平方向移動到傳送位置，並使用第二搬送機構161搬出超臨界處理結束後之晶圓W。
但是，進行上述超臨界處理期間，第二鎖板337通常上升到鎖定位置。藉此第二鎖板337與第二蓋構件322抵接並限制第二蓋構件322之移動。接著，高壓之處理流體未供給至處理空間319中且容器本體311內之壓力未升高時，第二蓋構件322及容器本體311之側壁面直接對向而擠壓密封構件329，並氣密地封閉維修用開口321之周圍。
另一方面，供給高壓之處理流體至處理空間319中時，第二蓋構件322只朝遠離處理空間319之方向(Y方向正側)移動維修用開口321周圍之嵌入孔335、333與第二鎖板337間的間隙C2部分。藉由第二蓋構件322移動，第二蓋構件322與容器本體311間之間隙擴大。此時，缺口329a藉由具有彈性之密封構件329的復原力擴大，因此密封構件329之外周面密接於第二蓋構件322及容器本體311等並氣密地封閉該等第二蓋構件322與容器本體311間之間隙。如此，進行上述超臨界處理期間，第二蓋構件322可維持原本封閉維修用開口321的狀態。
[維修時之作用] 接著，說明上述超臨界處理結束，進行處理容器301之維修時的作用。
首先，使處理空間319開放於大氣壓。接著，藉由升降機構326使第一鎖板327由嵌入孔323、325朝下方側移動，進入釋放第一蓋構件315之釋放位置。接著，使第一蓋構件315及保持板316朝前側(Y方向負側)移動。藉此，由處理空間319取出保持板316，使第一蓋構件315離開搬送口312(圖8(a))。
接著，使第二鎖板337由嵌入孔333、335朝下方側移動，進入釋放第二蓋構件322之釋放位置。接著，使第二蓋構件322朝內側(Y方向正側)移動，使第二蓋構件322離開維修用開口321(圖8(b))。
接著，由維修用開口321插入清掃夾具及工具等，進行處理空間319內之維修作業(清掃、調整等)。在本實施形態中，因為可只藉由使第二鎖板337朝下方側移動並拆卸第二蓋構件322來進入處理空間319之內部，所以可容易地進行如此之維修作業。此外，因為供給埠313連接於第二蓋構件322，所以亦可與上述處理空間319內之維修作業一起，容易地進行供給埠313及開孔332等之維修作業(清掃、調整等)。
如此結束維修作業後，藉由上述相反之步驟分別對容器本體311安裝第二蓋構件322及第一蓋構件315。即，首先使第二蓋構件322朝前側(Y方向負側)移動，並藉由第二蓋構件322覆蓋維修用開口321。接著，藉由來自真空吸引管349之吸引力，將第二蓋構件322吸引至容器本體311側。接著，使第二鎖板337上升並使第二鎖板337嵌入嵌入孔333、335內，藉此進入推壓第二蓋構件322之鎖定位置。藉此，氣密地封閉維修用開口321之周圍。
接著，藉由使第一蓋構件315及保持板316朝內側(Y方向正側)移動，使保持板316進入處理空間319內並且藉由第一蓋構件315覆蓋搬送口312。接著，藉由來自真空吸引管348之吸引力，將第一蓋構件315吸引至容器本體311側。接著，藉由升降機構326使第一鎖板327上升，使第一鎖板327嵌入嵌入孔323、325並進入鎖定位置。如此，氣密地封閉搬送口312之周圍，再密閉處理空間319。然後，可依需要進行上述超臨界處理。
如以上說明地，依據本實施形態，維修用開口321設置在容器本體311中與搬送口312不同之位置，且維修用開口321被第二蓋構件322封閉。藉此，只拆卸第二蓋構件322便可容易地進入容器本體311之處理空間319。此時，可容易地進行容器本體311之維修作業，因此可提高維修作業之作業效率。
此外，依據本實施形態，設置限制第二蓋構件322因容器本體311內之壓力而移動的第二鎖板337。藉此，可藉由第二鎖板337防止第二蓋構件322移動，因此可防止第二蓋構件322因容器本體311內之壓力而脫離維修用開口321的缺點。
此外，依據本實施形態，嵌入孔323、325設置在容器本體311中，且第二鎖板337藉由嵌入嵌入孔323、325來限制第二蓋構件322。藉此，可藉由從嵌入孔323、325抽出第二鎖板337而由維修用開口321拆卸第二蓋構件322。此時，不需要進行例如拆卸螺栓作業等，因此可容易地進行維修作業。
此外，依據本實施形態，供給處理流體至容器本體311內之第一供給管線63透過供給埠313連接於第二蓋構件322。藉此，由維修用開口321拆卸第二蓋構件322時，亦可一起進行對供給埠313等用以供給處理流體之構件的維修作業。
此外，依據本實施形態，維修用開口321設置在與搬送口312對向之位置。藉此，可防止應力在提高容器本體311之壓力時集中在維修用開口321等特定之位置，因此可提高容器本體311之耐久性。
此外，依據本實施形態，供給處理流體至容器本體311內之第二供給管線64透過底面側流體供給部341連接於容器本體311之底面。藉此，亦可由晶圓W之背面側輔助地供給處理流體至容器本體311內，因此可使供給處理流體至處理容器301之程序多樣化。例如，可在開始供給處理流體至處理容器301時等用低流速供給處理流體至晶圓W之際使用底面側流體供給部341，此時，可更確實地防止晶圓W之圖案部的倒塌。
[處理容器之變形例] 接著，藉由圖9說明超臨界處理裝置3之處理容器301的變形例。圖9係顯示處理容器301之變形例的側面圖。在圖9中，與圖1至圖8所示之實施形態相同的部分賦予相同之符號。
在圖9中，處理容器301載置在腔室基座402上，且腔室基座402相對於主基座401分開地配置在主基座401之上方。該主基座401係成為設置處理容器301之基準的構件，且例如水平地固定在沖洗處理系統1內。多數位準調整機構403、404設置在主基座401與腔室基座402之間。該等位準調整機構403、404微調處理容器301及腔室基座402對主基座401之位置位準(角度或高度位置)，且由位於處理容器301下方之第一位準調整機構403及在水平方向上與處理容器301分開之第二位準調整機構404構成。其中第一位準調整機構403主要支持作為重量物之處理容器301且調整其高度方向位置，並具有比第二位準調整機構404高之耐負載性。此外，雖然第一位準調整機構403在圖9中只顯示1個，但亦可設置多數第一位準調整機構403。此外，第二位準調整機構404調整腔室基座402全體之位準。雖然在圖9中顯示4個第二位準調整機構404，但第二位準調整機構404之數目不限於此。
此外，在圖9中，處理容器301之容器本體311全體形成1個塊狀。容器本體311中處理空間319之上方及下方分別各形成2個加熱器用開口411。各加熱器用開口411沿搬送口312之長邊方向(與圖9之紙面垂直的方向)細長地延伸。各加熱器用開口411分別遊嵌細長之加熱器用塊412。即，與加熱器用塊412之長邊方向垂直的截面形狀形成為比加熱器用開口411稍小，藉此加熱器用塊412可相對加熱器用開口411自由插脫。例如由電阻發熱體形成之加熱器345設置在各加熱器用塊412中。來自該加熱器345之熱係透過加熱器用塊412對容器本體311傳達。此外，各加熱器用塊412宜由鋁等熱傳導性良好之金屬形成。
多數螺孔414貫穿形成在容器本體311之頂面中，且螺栓或螺絲等推壓構件413螺合在各螺孔414中。此外，藉由對螺孔414螺入各推壓構件413，推壓構件413之前端可朝下方推壓加熱器用塊412。藉此，加熱器用塊412可相對容器本體311固定成不動。此時，即使加熱器用塊412之位置朝加熱器用塊412之長邊方向(與圖9之紙面垂直的方向)稍微偏離，亦可將加熱器用塊412確實地固定在容器本體311上。此外，藉由朝下方推壓加熱器用塊412，加熱器用塊412之下面可對容器本體311確實地密接，因此可有效率地對容器本體311傳達來自加熱器345之熱。此外，雖然未圖示，但容器本體311底面的結構亦大致相同。即，多數螺孔貫穿形成在容器本體311之底面中，且藉由螺合於各螺孔中之推壓構件，可朝上方推壓加熱器用塊412。
接著，藉由圖10說明超臨界處理裝置3之處理容器301的另一變形例。圖10係顯示處理容器301之另一變形例的截面圖。在圖10中，與圖1至圖8所示之實施形態相同的部分賦予相同之符號。
在圖10中，流體排出管501設置在容器本體311內之搬送口312側來取代流體排出集管318(圖2及圖3)。此時，流體排出管501由大致圓筒形之構件形成。此外，細長收容溝502沿搬送口312之長邊方向(X方向)形成在搬送口312側附近之處理空間319的底面中。流體排出管501可分離地收容在該收容溝502中。多數開孔503沿長邊方向大致等間隔地設置在流體排出管501中。該流體排出管501具有作為排出容器本體311內流體之流體排出部的機能，且處理空間319內之流體透過開孔503排出至容器本體311之外側。
流體排出管501之兩端部分別安裝圓形之固定環504。此外，在圖10中只顯示1個固定環504。安裝孔505形成在固定環504中朝向容器本體311側之面中，且安裝孔505與外側開口部506連通。流體排出管501之一端部插入安裝孔505中，且藉由配置於安裝孔505內之襯墊507，氣密地密接流體排出管501及外側開口部506。此外，在外側開口部506之周圍，排出埠314藉由例如熔接固定在固定環504中。如此，來自處理空間319之流體可依序透過流體排出管501、安裝孔505、外側開口部506及排出埠314排出至外側。
各固定環504分別收容在形成在容器本體311之側面的凹陷部508中，並藉由螺栓等之安裝構件511固定在容器本體311中。此外，襯墊509嵌入固定環504中容器本體311側之面，且藉由該襯墊509氣密地密接固定環504及容器本體311。
在圖10中，藉由從容器本體311拆卸固定環504，可由容器本體311拆卸流體排出管501。藉此，可簡單地實施流體排出管501之清掃作業及交換作業等。此外，可容易地形成流體排出管501之開孔503。
本發明不限於上述實施形態及變形例，且亦包含加上所屬技術領域中具有通常知識者可想到之各種變形的各種態樣，而且由本發明達成之效果亦不限於上述事項。因此，在不脫離本發明之技術思想及宗旨的範圍內，可對申請專利範圍及說明書記載之各要素進行各種追加、變更及部份之刪除。
例如，乾燥處理使用之處理流體可為CO2 以外之流體，且可使用可在超臨界狀態去除充滿基板凹部之防止乾燥用液體的任意流體作為處理流體。此外，防止乾燥用之液體亦不限於IPA，可使用可作為防止乾燥用液體使用之任意液體。
此外，在上述說明中，雖然維修用開口321係與搬送口312之開口相同大小的開口，但維修用開口321之大小、形狀不限於此。維修用開口321可設置成可取出收容於容器本體311中之晶圓W的大小或形狀或可取出破裂之晶圓W破片的大小或形狀，或者，可形成可插入清掃夾具及工具等並進行處理空間319內部之維修作業(清掃、調整等)的大小或形狀。
此外，在上述實施形態及變形例中，雖然本發明適用於基板處理裝置及基板處理方法，但本發明之適用對象沒有特別限制。例如，本發明亦可適用於用以使電腦實行上述基板處理方法之程式及記錄如此程式之電腦可讀取的非暫時記錄媒體等。
1‧‧‧沖洗處理系統2‧‧‧沖洗裝置3‧‧‧超臨界處理裝置(基板處理裝置)4‧‧‧控制部11‧‧‧載置部12‧‧‧搬入搬出部13‧‧‧傳送部14‧‧‧沖洗處理部15‧‧‧超臨界處理部51‧‧‧流體供給槽52a‧‧‧流通開關閥52b‧‧‧流通開關閥52c‧‧‧流通開關閥52d‧‧‧流通開關閥52e‧‧‧流通開關閥52f‧‧‧流通開關閥52g‧‧‧流通開關閥52h‧‧‧流通開關閥52i‧‧‧流通開關閥52j‧‧‧流通開關閥53a‧‧‧壓力感測器53b‧‧‧壓力感測器53c‧‧‧壓力感測器53d‧‧‧壓力感測器53e‧‧‧壓力感測器54a‧‧‧溫度感測器54b‧‧‧溫度感測器54c‧‧‧溫度感測器54d‧‧‧溫度感測器54e‧‧‧溫度感測器54f‧‧‧溫度感測器54g‧‧‧溫度感測器55a‧‧‧孔口55b‧‧‧孔口55c‧‧‧孔口55d‧‧‧孔口56a‧‧‧安全閥56b‧‧‧安全閥56c‧‧‧安全閥57‧‧‧過濾器58a‧‧‧止回閥58b‧‧‧止回閥58c‧‧‧止回閥58d‧‧‧止回閥59‧‧‧排氣調整閥60‧‧‧濃度量測感測器61a‧‧‧排氣調整針閥61b‧‧‧排氣調整針閥62‧‧‧吹掃裝置63‧‧‧第一供給管線64‧‧‧第二供給管線65‧‧‧排出側供給管線100‧‧‧FOUP(前開式晶圓傳送盒)121‧‧‧第一搬送機構131‧‧‧傳送架161‧‧‧第二搬送機構162‧‧‧晶圓搬送路301‧‧‧處理容器311‧‧‧容器本體312‧‧‧搬送口312a‧‧‧第一上側塊312b‧‧‧第一下側塊313‧‧‧供給埠314‧‧‧排出埠315‧‧‧第一蓋構件316‧‧‧保持板316a‧‧‧排出口318‧‧‧流體排出集管319‧‧‧處理空間321‧‧‧維修用開口(開口)321a‧‧‧第二上側塊321b‧‧‧第二下側塊322‧‧‧第二蓋構件323、325‧‧‧嵌入孔324‧‧‧第一蓋構件收容空間326‧‧‧升降機構327‧‧‧第一鎖板328‧‧‧凹部329‧‧‧密封構件329a‧‧‧缺口332‧‧‧開孔333、335‧‧‧嵌入孔334‧‧‧第二蓋構件收容空間337‧‧‧第二鎖板338‧‧‧凹部339‧‧‧密封構件341‧‧‧底面側流體供給部345‧‧‧加熱器346‧‧‧電源部348、349‧‧‧真空吸引管401‧‧‧主基座402‧‧‧腔室基座403‧‧‧第一位準調整機構404‧‧‧第二位準調整機構411‧‧‧加熱器用開口412‧‧‧加熱器用塊413‧‧‧推壓構件414‧‧‧螺孔501‧‧‧流體排出管502‧‧‧收容溝503‧‧‧開孔504‧‧‧固定環505‧‧‧安裝孔506‧‧‧外側開口部507‧‧‧襯墊508‧‧‧凹陷部509‧‧‧襯墊511‧‧‧安裝構件C1‧‧‧間隙C2‧‧‧間隙H‧‧‧加熱器M‧‧‧混合流體P‧‧‧圖案R‧‧‧處理流體W‧‧‧晶圓
圖1係顯示沖洗處理系統之全體結構的橫截平面圖。 圖2係顯示超臨界處理裝置之一處理容器例的外觀立體圖。 圖3係顯示超臨界處理裝置之一處理容器例的截面圖。 圖4係顯示處理容器之維修用開口周圍的截面圖。 圖5係顯示處理容器之維修用開口周圍的截面圖。 圖6係顯示超臨界處理裝置之系統全體結構例的圖。 圖7(a)~(d)係用以說明IPA之乾燥機構的圖，且係簡略地顯示作為晶圓具有之凹部的圖案的放大截面圖。 圖8(a)、(b)係顯示維修超臨界處理裝置之處理容器時的作用的截面圖。 圖9係顯示超臨界處理裝置之處理容器的變形例的側面圖。 圖10係顯示超臨界處理裝置之處理容器的變形例的圖，且係顯示排出容器本體內流體之流體排出部周邊的截面圖。
4‧‧‧控制部
63‧‧‧第一供給管線
64‧‧‧第二供給管線
65‧‧‧排出側供給管線
301‧‧‧處理容器
311‧‧‧容器本體
312‧‧‧搬送口
312a‧‧‧第一上側塊
312b‧‧‧第一下側塊
313‧‧‧供給埠
314‧‧‧排出埠
315‧‧‧第一蓋構件
316‧‧‧保持板
318‧‧‧流體排出集管
319‧‧‧處理空間
321‧‧‧維修用開口(開口)
321a‧‧‧第二上側塊
321b‧‧‧第二下側塊
322‧‧‧第二蓋構件
323、325‧‧‧嵌入孔
324‧‧‧第一蓋構件收容空間
327‧‧‧第一鎖板
328‧‧‧凹部
329‧‧‧密封構件
332‧‧‧開孔
333、335‧‧‧嵌入孔
334‧‧‧第二蓋構件收容空間
337‧‧‧第二鎖板
338‧‧‧凹部
339‧‧‧密封構件
341‧‧‧底面側流體供給部
345‧‧‧加熱器
346‧‧‧電源部
348、349‧‧‧真空吸引管
C1‧‧‧間隙
C2‧‧‧間隙
W‧‧‧晶圓

Claims (6)

  1. 一種基板處理裝置，具有：容器本體，其收容基板且使用高壓之處理流體對該基板進行處理，該容器本體設置嵌入孔；搬送口，用以將該基板搬入該容器本體內及搬出；開口，其設置在該容器本體中與該搬送口不同之位置；蓋構件，其封閉該開口；密封構件，其設置在該蓋構件與該容器本體之間、且在該開口周圍；及限制構件，其嵌入該嵌入孔來將該蓋構件之移動限制在預定範圍內。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該限制構件限制該蓋構件因該容器本體內之壓力而在該預定範圍內移動。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該密封構件沿著其內周面形成U形缺口。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，於該蓋構件連接將該處理流體供給至該容器本體內之第一供給管線。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，該開口設置在與該搬送口對向之位置。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，於該容器本體之底面連接將該處理流體供給至該容器本體內之第二供給管線。
TW106138853A 2016-11-16 2017-11-10 基板處理裝置 TWI742193B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-223277 2016-11-16
JP2016223277A JP2018082043A (ja) 2016-11-16 2016-11-16 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201830562A TW201830562A (zh) 2018-08-16
TWI742193B true TWI742193B (zh) 2021-10-11

Family

ID=62106962

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106138853A TWI742193B (zh) 2016-11-16 2017-11-10 基板處理裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10381246B2 (zh)
JP (1) JP2018082043A (zh)
KR (2) KR102477383B1 (zh)
CN (2) CN108074843B (zh)
TW (1) TWI742193B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102400186B1 (ko) * 2017-06-19 2022-05-20 삼성전자주식회사 공정 챔버 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP7190977B2 (ja) * 2019-06-28 2022-12-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7224246B2 (ja) 2019-06-28 2023-02-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7236338B2 (ja) * 2019-06-28 2023-03-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7308688B2 (ja) * 2019-08-05 2023-07-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板乾燥方法
JP7353213B2 (ja) * 2020-02-28 2023-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7386120B2 (ja) * 2020-04-02 2023-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
TWI764656B (zh) 2020-04-02 2022-05-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置
JP2022103636A (ja) 2020-12-28 2022-07-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR20230025563A (ko) * 2021-08-12 2023-02-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013033963A (ja) * 2011-07-29 2013-02-14 Semes Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2014107488A (ja) * 2012-11-29 2014-06-09 Tokyo Electron Ltd 高圧容器、基板処理装置及び高圧容器の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4997842B2 (ja) * 2005-10-18 2012-08-08 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2010021385A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5146522B2 (ja) * 2010-11-26 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5522124B2 (ja) 2011-06-28 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP5544666B2 (ja) 2011-06-30 2014-07-09 セメス株式会社 基板処理装置
KR101329304B1 (ko) * 2011-07-29 2013-11-14 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
KR101373730B1 (ko) * 2011-07-29 2014-03-14 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5712902B2 (ja) * 2011-11-10 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5935676B2 (ja) * 2012-12-07 2016-06-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板装置の運用方法及び記憶媒体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013033963A (ja) * 2011-07-29 2013-02-14 Semes Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2014107488A (ja) * 2012-11-29 2014-06-09 Tokyo Electron Ltd 高圧容器、基板処理装置及び高圧容器の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10381246B2 (en) 2019-08-13
CN118231291A (zh) 2024-06-21
KR20220165684A (ko) 2022-12-15
TW201830562A (zh) 2018-08-16
JP2018082043A (ja) 2018-05-24
KR102539404B1 (ko) 2023-06-01
US20180138060A1 (en) 2018-05-17
KR20180055723A (ko) 2018-05-25
CN108074843B (zh) 2024-03-15
CN108074843A (zh) 2018-05-25
KR102477383B1 (ko) 2022-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI742193B (zh) 基板處理裝置
TWI720261B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
CN108074844B (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
TWI766903B (zh) 超臨界流體製造裝置及基板處理裝置
JP7362300B2 (ja) 基板処理装置及びその制御方法
CN108074840B (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
CN107895686B (zh) 基板处理方法、基板处理装置以及记录介质
KR101506203B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
US20050111935A1 (en) Apparatus and method for improved wafer transport ambient
CN110828332B (zh) 基片处理装置的颗粒除去方法和基片处理装置
KR101171218B1 (ko) 전면 개방 통합 포드 방식 웨이퍼 캐리어의 내부 정화 장치 및 방법
KR102581314B1 (ko) 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 시스템
JP7371172B2 (ja) 基板処理装置
JP2023105681A (ja) 基板処理方法及びイオン液体
JP4347787B2 (ja) 基板処理装置
JP2023026368A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法