TWI739040B - 導電性接著劑層 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在提升對被接著體的暫時定位步驟後的密著性，並防止暫時定位步驟後的導電性接著劑層之錯位。作為解決手段之本發明之導電性接著劑層，其特徵在於由含有黏結劑樹脂與導電性填料的導電性接著劑構成，並且表面之偏斜度Ssk為-3.5以上且2.7以下。

Description

導電性接著劑層
發明領域 本揭示發明是有關於導電性接著劑層、電磁波屏蔽膜及屏蔽配線基板。
背景技術 於印刷配線基板中大多使用導電性接著劑。此種導電性接著劑例如作為形成於絕緣保護層表面的導電性接著劑層之原料而使用在電磁波屏蔽膜等。該電磁波屏蔽膜例如接著於印刷配線基板而使導電性接著劑層與印刷配線基板之接地電路導通。
不過，在將電磁波屏蔽膜接著於印刷配線基板等時，通常會在暫時定位固定於預定位置後，藉由比暫時定位固定時更嚴苛之加壓加熱條件進行壓製。
然而，於習知電磁波屏蔽膜中，大多著眼於改良加壓加熱後的接著強度，雖然加壓加熱後的接著強度高，但暫時定位固定後的接著強度差，即使一度暫時定位，當移動基板時，仍有電磁波屏蔽膜剝落而要重新作業之虞。
故，為了改良與印刷配線基板等被接著體之接著強度，揭示的是用表面粗度Ra來規定導電性接著劑層之表面性狀(例如參照專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本特開2017-25280號公報
發明概要 發明欲解決之課題 然而，即使導電性接著劑層之表面粗度Ra在特定範圍，亦會有暫時定位步驟後的接著強度差且於暫時定位步驟後產生導電性接著劑層錯位之虞。
本揭示發明是有鑑於此點而成，其目的在提升對被接著體的暫時定位步驟後的密著性，藉此防止暫時定位步驟後的導電性接著劑層之錯位。
用以解決課題之手段 本揭示發明之導電性接著劑層之一態樣之特徵在於由含有黏結劑樹脂與導電性填料的導電性接著劑構成，並且表面之偏斜度Ssk為-3.5以上且2.7以下。
於本揭示發明之導電性接著劑層之一態樣中，表面之最大峰高Sp可設為1.3μm以上且30μm以下。
於本揭示發明之導電性接著劑層之一態樣中，平均粒徑D50可設為3μm以上且20μm以下，並且於前述導電性接著劑中的含有率可設為10質量%以上且80質量%以下。
本揭示發明之電磁波屏蔽膜之一態樣之特徵在於具備：絕緣保護層；及本揭示發明之導電性接著劑層，其設置於該絕緣保護層之表面。
本揭示發明之屏蔽配線基板之一態樣之特徵在於具備：印刷配線基板，其設置有接地電路；及本揭示發明之電磁波屏蔽膜，其以與前述接地電路導通之方式接著於前述印刷配線基板。
發明效果 依據本揭示發明，對被接著體的暫時定位步驟後的密著性優異，可防止暫時定位步驟後的導電性接著劑層之錯位。
用以實施發明之形態 以下，詳細說明本揭示發明之實施形態。以下較佳實施形態的說明在本質上不過是例示，絕非意圖限制本揭示發明、其適用物或其用途。
＜導電性接著劑層＞ (偏斜度Ssk) 本實施形態之導電性接著劑層之特徵在於其表面之偏斜度Ssk為-3.5以上且2.7以下。如圖1所示，本實施形態之導電性接著劑層100具有由凸部100a(峰部)及凹部100b(谷部)所構成的凹凸表面，作為特定其表面性狀參數的偏斜度Ssk會被控制在特定範圍，故，對被接著體(未圖示)的暫時定位步驟後的密著性優異，可防止暫時定位步驟後的導電性接著劑層100之錯位。
偏斜度Ssk是顯示以凹凸表面之平均面為基準的高度分布之對稱性，當偏斜度Ssk為0時，則為高度分布呈上下對稱(正規分布)的表面，另一方面，當小於0時，則為細小谷部多的表面，當大於0時，則為細小峰部多的表面。
當導電性接著劑層100表面之偏斜度Ssk之絕對值大時，即，若為峰部或谷部多的凹凸表面，則與被接著體間之接著面積會減小，對被接著體的暫時定位步驟後的接著強度變得不足。
故，令導電性接著劑層100之表面為偏斜度Ssk在以0為中心之特定範圍，亦即高度分布呈上下較為對稱的表面，藉此可增加與被接著體間之接著面積，而可提升對被接著體的暫時定位步驟後的密著性。
故，藉由減少谷部而接近於高度分布呈上下對稱的表面，會增加與被接著體間之接著面積，提升對被接著體的暫時定位步驟後的密著性，若由此觀點來看，則偏斜度Ssk為-3.5以上，理想的是-3以上，較為理想的是-2.5以上，更為理想的是-2以上。又，藉由減少峰部而接近於高度分布呈上下對稱的表面，會增加與被接著體間之接著面積，提升對被接著體的暫時定位步驟後的密著性，若由此觀點來看，則為2.7以下，理想的是2.5以下，較為理想的是2以下，更為理想的是1.5以下。
另，於本說明書中，「被接著體」意指例如形成印刷配線基板之基底層的聚醯亞胺膜等樹脂膜、形成接地電路的銅箔等金屬層等。
又，於本說明書中，「暫時定位步驟」意指在最終固定步驟前進行的步驟，例如藉由2片已加熱至120℃的加熱板(未圖示)自上下方向夾持導電性接著劑層100與被接著體，並以壓力0.5MPa按壓5秒鐘。
再者，於本說明書中，「對被接著體的暫時定位步驟後的密著性優異」意指暫時定位步驟後的導電性接著劑層100與被接著體之180°剝離強度為0.5N/cm以上。此時，可防止暫時定位步驟後的導電性接著劑層100之錯位。另，剝離強度之具體測定方法藉由以下實施例來說明。
(最大峰高Sp) 又，本實施形態之導電性接著劑層100表面之最大峰高Sp宜為1.3μm以上且30μm以下。依此，本實施形態之導電性接著劑層100藉由將作為特定其表面性狀參數的最大峰高Sp控制在特定範圍，可進一步地提升對被接著體的暫時定位步驟後的密著性，從而進一步地防止暫時定位步驟後的導電性接著劑層100之錯位。
最大峰高Sp顯示距離凹凸表面之平均面的峰高最大值，最大峰高Sp越大，越會構成具有高峰的表面。
當導電性接著劑層100表面之最大峰高Sp大時，即，若為具有高峰的表面，則其高峰會變成障礙而與被接著體間之接著面積會減小，因此，對被接著體的暫時定位步驟後的接著強度變得不足。
故，令導電性接著劑層100之表面為最大峰高Sp在特定範圍，即最高峰之峰高較低的表面，藉此可進一步地增加與被接著體間之接著面積，從而進一步地提升對被接著體的暫時定位步驟後的密著性。
故，若由進一步地增加與被接著體間之接著面積以進一步地提升對被接著體的暫時定位步驟後的密著性之觀點來看，則最大峰高Sp宜為1.3μm以上，較為理想的是1.6μm以上。又，藉由接近於最高峰之峰高較低的表面，會進一步地增加與被接著體間之接著面積從而進一步地提升對被接著體的暫時定位步驟後的密著性，若由此觀點來看，則宜為30μm以下，較為理想的是25μm以下。
(其他參數) 另，作為特定導電性接著劑層100之表面性狀的參數，除了偏斜度Ssk及最大峰高Sp外，例如還可舉最大谷深Sv、顯示最大峰高Sp與最大谷深Sv之和的最大高度Sz等，惟本揭示發明並非僅限於前述例示。
另一方面，本發明之發明人發現，如後述各實施例及各比較例中所示，算術平均Sa與對被接著體的暫時定位步驟後的密著性無關。其理由是算術平均Sa係表示各點(峰部與谷部)相對於凹凸表面之平均面的高度差之絕對值的平均，因此，即便是該值小之情形時，有時亦包含具有相同程度之高峰與深谷的凹凸表面。此時，吾人認為其高峰與深谷會變成障礙以致與被接著體間之接著面積減小，對被接著體的暫時定位步驟後的接著強度會變得不足。故，算術平均Sa並不適合作為特定導電性接著劑層100之表面性狀的參數，該參數是用以獲得能防止暫時定位步驟後的導電性接著劑層100之錯位的接著強度。
另，本揭示發明之表面性狀為根據ISO 25178-6：2010所測得之值，具體的測定方法藉由以下實施例來說明。
本實施形態之導電性接著劑層100由含有黏結劑樹脂110與導電性填料120的導電性接著劑形成。
(黏結劑樹脂) 黏結劑樹脂110並無特殊限制，可使用被運用在導電性接著劑的各種樹脂。此種樹脂例如可使用聚苯乙烯系、醋酸乙烯酯系、聚酯系、聚乙烯系、聚丙烯系、聚醯胺系、橡膠系或丙烯酸系等熱塑性樹脂；酚系、環氧系、胺甲酸乙酯系、三聚氰胺系或醇酸系等熱硬化性樹脂等。該等黏結劑樹脂110可分別單獨使用，亦可併用2種以上。
又，出於將導電性接著劑層100之表面性狀(偏斜度Ssk及最大峰高Sp)調整為預定狀態之觀點，在不妨礙本發明效果的範圍內，可於黏結劑樹脂110中添加樹脂微粒子或無機微粒子。樹脂微粒子例如可列舉：丙烯酸樹脂微粒子、聚丙烯腈微粒子、聚胺甲酸乙酯微粒子、聚醯胺微粒子或聚醯亞胺微粒子等。又，無機微粒子例如可列舉：碳酸鈣微粒子、矽酸鈣微粒子、黏土、高嶺土、滑石、二氧化矽微粒子、玻璃微粒子、矽藻土、雲母粉、氧化鋁微粒子、氧化鎂微粒子、氧化鋅微粒子、硫酸鋇微粒子、硫酸鋁微粒子、硫酸鈣微粒子或碳酸鎂微粒子等。該等樹脂微粒子及無機微粒子可分別單獨使用，亦可併用2種以上。
(導電性填料) 導電性填料120並無特殊限制，可使用被運用在導電性接著劑的金屬填料、被覆金屬的樹脂填料、碳填料及該等之混合物等。金屬填料例如可列舉：銅粉、銀粉、鎳粉、銀包銅粉、金包銅粉、銀包鎳粉或金包鎳粉等。該等金屬粉例如可藉由電解法、霧化法或還原法等來製作。該等導電性填料120可分別單獨使用，亦可併用2種以上。於該等之中，理想的是銀粉、銀包銅粉及銅粉，較為理想的是銀包銅粉。
導電性填料120之形狀可列舉如：球狀、橢圓狀、小片狀、纖維狀或樹枝狀(枝晶狀)等。又，亦可設為金屬奈米粒子。金屬奈米粒子例如可舉銀奈米粒子或金奈米粒子等。
導電性填料120之平均粒徑D50(中值粒徑)宜為3μm以上，較為理想的是5μm以上，且宜為20μm以下，較為理想的是15μm以下。另，導電性填料120之平均粒徑D50例如可藉由雷射繞射式粒徑分布測定裝置或流動式粒子影像分析裝置等一般使用的方法進行測定。
又，導電性填料120之平均粒徑D50可依照導電性接著劑層100之厚度等適當地設定。具體而言，當導電性接著劑層100之厚度為5μm左右時，理想的是3μm左右，較為理想的是5μm左右。又，當導電性接著劑層100之厚度為15~60μm左右時，理想的是20μm左右，較為理想的是15μm左右。
導電性接著劑中導電性填料120之含有率並無特殊限制，可依照導電性接著劑之用途適當地設定，理想的是10質量%以上，且理想的是80質量%以下，較為理想的是75質量%以下，更為理想的是70質量%以下。另，導電性接著劑層100可為各向異性導電性接著劑層、各向同性導電性接著劑層中之任一者；以各向異性導電性接著劑層作使用時，導電性接著劑中導電性填料120之含有率宜為10質量%以上，較為理想的是15質量%以上，更為理想的是20質量%以上，且宜為45質量%以下，較為理想的是40質量%以下，更為理想的是35質量%以下。以各向同性導電性接著劑層作使用時，導電性接著劑中導電性填料120之含有率宜為50質量%以上，較為理想的是55質量%以上，更為理想的是60質量%以上，且宜為80質量%以下，較為理想的是75質量%以下，更為理想的是70質量%以下。
藉由將導電性填料120之平均粒徑D50與導電性接著劑中導電性填料120之含有率分別設為上述特定範圍，可實現具有足可防止暫時定位步驟後導電性接著劑層100錯位之偏斜度Ssk的導電性接著劑層100。
(任意成分) 在不妨礙本發明效果的範圍內，可於導電性接著劑中添加例如消泡劑、抗氧化劑、黏度調整劑、稀釋劑、防沈劑、調平劑、耦合劑、著色劑或阻燃劑等。該等任意成分可分別單獨使用，亦可併用2種以上。於該等之中，特別是由賦予導電性接著劑阻燃性之觀點來看，宜添加阻燃劑。
此種阻燃劑例如可列舉：三聚氰胺三聚氰酸鹽或多磷酸三聚氰胺等氮系阻燃劑；氫氧化鎂或氫氧化鋁等金屬水合物；磷酸酯、紅磷或磷酸鹽化合物等磷系阻燃劑等。於該等阻燃劑中，理想的是磷酸鹽化合物。
當阻燃劑加入導電性接著劑中時，宜相對於黏結劑樹脂110的量100質量份，添加10質量份~60質量份。
＜導電性接著劑層之形成方法＞ 其次，說明使用含有黏結劑樹脂110及導電性填料120的導電性接著劑來形成本實施形態之導電性接著劑層100的方法。
(導電性接著劑之調製步驟) 首先，調製使黏結劑樹脂110溶解於溶劑中以成為預定濃度而成的黏結劑樹脂溶液。溶劑例如可列舉：甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、丙醇或二甲基甲醯胺等，惟本揭示發明並非僅限於前述例示。另，溶液中的黏結劑樹脂110之濃度可依照導電性接著劑層100之厚度等適當地設定。
接著，在經前述調製出的黏結劑樹脂溶液中，添加導電性填料120、視需要之任意成分而獲得混合懸浮液，將該混合懸浮液攪拌混合，來調製導電性接著劑。
(導電性接著劑之塗覆步驟) 其次，將經前述調製出的導電性接著劑塗覆於基層130上。基層130例如可使用樹脂製之片或膜等。構成片或膜的材料例如可使用聚酯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、聚醯胺系樹脂、丙烯酸系樹脂等熱塑性樹脂及/或熱硬化性樹脂等。於基層130之表面，亦可藉由一般所用之壓紋加工施以凹凸之微細圖案。另，當形成電磁波屏蔽膜時，則將導電性接著劑塗覆於後述絕緣保護層或屏蔽層上。
於基層130表面，視需要亦可施行脫模處理。脫模處理例如可於基層130表面形成由矽系脫模劑、非矽系脫模劑或三聚氰胺系脫模劑等所構成的層體。藉由對基層130表面施行脫模處理，在將形成於基層130上的導電性接著劑層100黏貼於被接著體後，可輕易地剝離基層130。
又，於基層130表面，視需要亦可設有黏著劑層。藉由於基層130表面設有黏著劑層，可防止基層130意外自導電性接著劑層100剝落。此種黏著劑例如可使用丙烯酸系黏著劑或聚酯系黏著劑等公知黏著劑。
另，基層130之厚度並無特殊限制，可適當地考慮使用容易度而決定。
於基層130上塗覆導電性接著劑的方法並無特殊限制，例如可使用唇口塗佈、缺角輪塗佈、凹版塗佈或狹縫式模具塗佈等方法。
(導電性接著劑之乾燥步驟) 最後，藉由使已塗覆於基層130上的導電性接著劑加熱乾燥而除去溶劑，可形成本實施形態之導電性接著劑層100。乾燥方法例如可列舉：溫風乾燥、紅外線乾燥、烘箱乾燥、熱板乾燥或真空乾燥等。
依上述所製得之本實施形態之導電性接著劑層100之厚度可依照導電性填料120之粒徑來調整。若由實現良好導電性之觀點來看，則導電性接著劑層100之厚度宜為導電性填料120之平均粒徑D50的5.5倍以下，較為理想的是3.5倍以下。又，宜為導電性填料120之平均粒徑D50的+70μm以下(即，在將導電性填料120之平均粒徑D50設為dμm時，為d+70μm以下)，較為理想的是+60μm以下(d+60μm以下)。若由進行良好塗覆之觀點來看，則導電性接著劑層100之厚度宜為導電性填料120之平均粒徑D50的0.6倍以上，較為理想的是0.7倍以上。又，宜為導電性填料120之平均粒徑D50的-7μm以上(d-7μm以上)，較為理想的是-5μm以上(d-5μm以上)。
另，視需要，亦可於導電性接著劑層100中之位在要貼合基層130之面的相反側的表面貼合剝離基材(分離膜)(未圖示)。剝離基材例如可列舉：於聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯等基底膜上，在其要貼合於導電性接著劑層100之側的表面塗覆有矽系或非矽系脫模劑抑或丙烯酸系或聚酯系等黏著劑者等。藉由將剝離基材貼合於導電性接著劑層100之表面，可防止導電性接著劑層100之表面損傷或是附著異物。另，剝離基材之厚度並無特殊限制，可適當地考慮使用容易度而決定。
又，於以上說明中顯示出下述例子，即：藉由於基層130上塗佈導電性接著劑並進行乾燥而形成具有預定偏斜度Ssk的導電性接著劑層100，然而，亦可使用剝離基材來形成。此時，使用具有微細圖案的剝離基材，並將微細圖案轉印於導電性接著劑層100之表面，藉此，亦可將導電性接著劑層100之表面性狀作成預定狀態。
如以上所說明，本揭示發明之導電性接著劑層100其表面之偏斜度Ssk為-3.5以上且2.7以下，因此，對被接著體的暫時定位步驟後的密著性優異。依此，本揭示發明之導電性接著劑層100可防止暫時定位步驟後的導電性接著劑層100之錯位，因此，例如可適當地使用在電磁波屏蔽膜等。
＜電磁波屏蔽膜＞ 如圖2所示，本實施形態之電磁波屏蔽膜200之特徵在於具有：絕緣保護層210；及導電性接著劑層100，其設置於絕緣保護層210之表面。依此，本實施形態之電磁波屏蔽膜200具有本實施形態之導電性接著劑層100作為導電性接著劑層，因此，對印刷配線基板等被接著體(未圖示)的暫時定位步驟後的密著性優異，可防止暫時定位步驟後的導電性接著劑層100、亦即電磁波屏蔽膜200之錯位。
又，將本實施形態之電磁波屏蔽膜200以與印刷配線基板(未圖示)之接地電路導通之方式接著本實施形態之導電性接著劑層100，藉此，可使該導電性接著劑層100發揮屏蔽電磁波的機能。另，如圖3所示，本實施形態之電磁波屏蔽膜200亦可於絕緣保護層210與導電性接著劑層100間設置屏蔽層220。
(絕緣保護層) 絕緣保護層210只要具有充分之絕緣性且可保護導電性接著劑層100及屏蔽層220，則無特殊限制，例如可使用熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性能量線硬化性樹脂等來形成。
絕緣保護層210亦可為材質或硬度抑或彈性模數等物性不同的2層以上積層構造。舉例言之，若作成硬度低的外層與硬度高的內層之積層構造，則外層具有緩衝效果，因此，可在將電磁波屏蔽膜200於印刷配線基板上加熱加壓之步驟時緩和施加於屏蔽層220的壓力。故，可抑制屏蔽層220因設置於印刷配線基板的高低差而受到破壞。
絕緣保護層210之厚度並無特殊限制，可視需要適當地設定，理想的是1μm以上，較為理想的是4μm以上，且理想的是20μm以下，較為理想的是10μm以下，更為理想的是5μm以下。藉由將絕緣保護層210之厚度設為1μm以上，可充分地保護導電性接著劑層100及屏蔽層220。又，藉由將絕緣保護層210之厚度設為20μm以下，可確保電磁波屏蔽膜200之撓曲性，從而容易將本實施形態之電磁波屏蔽膜200應用在要求撓曲性的構件、例如撓性印刷配線基板等。
(屏蔽層) 屏蔽層220只要具有導電性即可，例如可藉由金屬薄膜、導電性填料、金屬蒸鍍膜等來構成。金屬薄膜例如可藉由鎳、銅、銀、錫、金、鈀、鋁、鉻、鈦、鋅等中之任一者或是含有2種以上的合金來構成。金屬薄膜例如可藉由使用金屬箔或利用加成法堆積金屬來製造。加成法例如可使用電鍍法、無電鍍敷法、濺鍍法、電子束蒸鍍法、真空蒸鍍法、化學氣相沈積(CVD)法或金屬有機氣相沈積(MOCVD)法等。
當屏蔽層220由導電性填料構成時，例如可使用金屬填料、被覆金屬的樹脂填料、碳填料及該等之混合物等。金屬填料例如包括：銅粉、銀粉、鎳粉、銀包銅粉、金包銅粉、銀包鎳粉或金包鎳粉等，該等金屬粉可藉由電解法、霧化法、還原法來作成。金屬粉之形狀可列舉如：球狀、小片狀、纖維狀或樹枝狀等。又，亦可設為金屬奈米粒子。金屬奈米粒子例如可舉銀奈米粒子或金奈米粒子等。
屏蔽層220之金屬材料及厚度可依照所要求之電磁屏蔽效應及反覆撓曲、滑動耐性適當地選擇，厚度可設為0.1μm~12μm左右。
另，亦可作成不具屏蔽層220而是使本實施形態之導電性接著劑層100發揮作為屏蔽層之機能的電磁波屏蔽膜200。
＜電磁波屏蔽膜之形成方法＞ 其次，說明形成本實施形態之電磁波屏蔽膜200的方法。首先，利用一般所用之方法，於支持膜(未圖示)上依序形成絕緣保護層210、視需要之屏蔽層220，藉此製得積層體。支持膜可使用與上述基層130相同的樹脂製片或膜。又，支持膜亦可使用其表面具有微細圖案的支持體膜(轉印膜)。此時，藉由將微細圖案轉印於絕緣保護層210之表面，可將絕緣保護層210之表面性狀作成預定狀態。
接著，將經前述所形成之積層體作為基層，且於該基層上，以與上述導電性接著劑層100之形成方法相同之方式形成本實施形態之導電性接著劑層100，藉此，可製得本實施形態之電磁波屏蔽膜200。
如以上所說明，本揭示發明之電磁波屏蔽膜200具有本揭示發明之導電性接著劑層100作為導電性接著劑層，因此，對被接著體的暫時定位步驟後的密著性優異，可防止暫時定位步驟後的導電性接著劑層100、亦即電磁波屏蔽膜200之錯位。故，本揭示發明之電磁波屏蔽膜200可作成一導通導電性接著劑層100與印刷配線基板之接地電路而使導電性接著劑層100發揮屏蔽電磁波之機能的屏蔽配線基板。
＜屏蔽配線基板＞ 如圖4所示，本實施形態之屏蔽配線基板400具有：印刷配線基板300，其具有接地電路320a；及本實施形態之電磁波屏蔽膜200，其以與接地電路320a導通之方式接著於印刷配線基板300。另，電磁波屏蔽膜200亦可具有屏蔽層220。
印刷配線基板300例如具有：基底層310；印刷電路320，其包含形成於基底層310上的接地電路320a與信號電路320b；及絕緣層330，其以露出接地電路320a之至少一部分之方式覆蓋基底層310。另，印刷配線基板300可為撓性基板，亦可為剛性基板。
基底層310及絕緣層330可為任意者，例如可設為樹脂膜等。此時，可藉由聚丙烯、交聯聚乙烯、聚酯、聚苯并咪唑、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚醚醯亞胺或聚伸苯硫等樹脂來形成。印刷電路320例如可作成形成於基底層310上的銅配線圖案等。
在將本實施形態之電磁波屏蔽膜200接著於印刷配線基板300時，係以與接地電路320a導通之方式配置電磁波屏蔽膜200。具體而言，將電磁波屏蔽膜200之導電性接著劑層100配置於接地電路320a上。又，藉由2片已加熱至預定溫度(例如120℃)的加熱板(未圖示)，自上下方向夾持電磁波屏蔽膜200與印刷配線基板300，並以預定壓力(例如0.5MPa)短時間(例如5秒鐘)按壓。藉此，電磁波屏蔽膜200可暫時定位固定於印刷配線基板300。
此時，本實施形態之屏蔽配線基板400由於印刷配線基板300與本實施形態之電磁波屏蔽膜200是透過本實施形態之導電性接著劑層100接著，因此，對印刷配線基板300(被接著體)的暫時定位步驟後的密著性優異，可防止暫時定位步驟後的電磁波屏蔽膜200之錯位。故，呈現電磁波屏蔽膜200已暫時定位固定於印刷配線基板300之狀態的屏蔽配線基板400在進行最終固定之前，例如可重疊屏蔽配線基板400彼此來進行保管。
接著，將2片加熱板之溫度設為比暫時定位固定時更高溫的預定溫度(例如170℃)，並以預定壓力(例如3MPa)加壓預定時間(例如30分)。藉此，可將電磁波屏蔽膜200確實地固定於印刷配線基板300。
＜其他實施形態＞ 本實施形態之導電性接著劑層100並不限用於電磁波屏蔽膜及屏蔽配線基板，舉例言之，於撓性印刷配線基板上黏貼由不鏽鋼等構成的導電性(金屬)補強板時，就可用於該黏貼上。此時，可使導電性(金屬)補強板發揮屏蔽電磁波之機能。
實施例 以下，利用實施例，詳細說明本發明。以下實施例為例示，並非意圖限制本發明。
＜導電性接著劑之調製步驟＞ 使預定的黏結劑樹脂溶解於作為溶劑之甲苯或甲基乙基酮中而做成預定的固體成分濃度，以調製出黏結劑樹脂溶液。於所得黏結劑樹脂溶液中，添加預定導電性填料及視需要之任意成分，並使用行星式攪拌、脫泡裝置混合攪拌，藉此，調製出導電性接著劑。
＜電磁波屏蔽膜之製作＞ 使用厚度為60μm且已於表面施行脫模處理的PET膜作為支持膜。於支持膜上，塗佈含有二氧化矽粒子、雙酚A型環氧系樹脂及甲基乙基酮的保護層用組成物(固體成分量30質量%)，並進行加熱乾燥，藉此形成絕緣保護層。其次，於絕緣保護層之表面形成厚度為0.5μm的銅箔作為屏蔽層，藉此製得積層體(基層)。接著，於所得積層體之屏蔽層表面，塗佈經前述調製出的導電性接著劑且進行乾燥而形成預定厚度之導電性接著劑層，藉此製得電磁波屏蔽膜。
使用前述所製得之電磁波屏蔽膜，並藉由以下方法，評價導電性接著劑層之厚度、表面性狀及對被接著體的暫時定位步驟後的密著性。
＜導電性接著劑層之厚度＞ 將形成導電性接著劑層後的電磁波屏蔽膜之厚度減去形成導電性接著劑層前的積層體之厚度的值，設為導電性接著劑層之厚度。另，各個厚度是使用測微計[三豐(MITUTOYO)(股)製造，商品名：MDH-25]，根據JIS C2151進行測定。
＜導電性接著劑層之表面性狀＞ 使用共焦顯微鏡(雷瑟科(Lasertec)公司製造，OPTELICS HYBRID，物鏡20倍)，測定導電性接著劑層表面之任意5處。然後，利用數據分析軟體(LMeye7)進行表面之傾斜改正，並根據ISO 25178-6：2010，求取偏斜度Ssk、最大峰高Sp及算術平均Sa。另，S型濾波器之截止波長設為0.0025mm，L型濾波器之截止波長設為0.8mm。又，各數值設為測定5處所得之值的平均值。
＜對被接著體的暫時定位步驟後的密著性＞ 藉由180°剝離試驗，測定導電性接著劑層對被接著體的暫時定位步驟後的密著性。具體而言，首先，利用壓機於溫度：120℃、時間：5秒、壓力：0.5MPa之條件下，將電磁波屏蔽膜之導電性接著劑層與作為被接著體的單面覆銅積層板[尼關(NIKKAN)工業(股)製造，製品名：F30VC1 25RC1 1/2(H)]之聚醯亞胺面暫時定位固定，藉此，製得試驗用試料。
其次，利用拉伸試驗機[島津製作所(股)製造，商品名：AGS-X50S]，於室溫下朝剝離角度：180°方向以拉伸速度：50mm/分將前述所製得之試驗用試料自單面覆銅積層板側剝下，並測定其斷裂時的180°剝離強度(最大值)，且根據以下評價基準，評價對被接著體的暫時定位步驟後的密著性。
(評價基準) ○：即使180°剝離強度為0.5N/cm，於導電性接著劑層與被接著體的界面亦未發生剝離(暫時定位步驟後導電性接著劑層與被接著體的180°剝離強度為0.5N/cm以上)。 ×：180°剝離強度小於0.5N/cm，且於導電性接著劑層與被接著體的界面發生剝離。
(實施例1) 黏結劑樹脂使用環氧系樹脂，導電性填料則使用平均粒徑D50為12μm且形狀為枝晶狀的銀包銅粉。導電性接著劑中導電性填料之含有率設為10質量%。
於實施例1中製得的導電性接著劑層(各向異性)其厚度為17μm，且其表面之偏斜度Ssk為1.10、最大峰高Sp為11.87以及算術平均Sa為2.30。
又，於實施例1中製得的導電性接著劑層即使在180°剝離強度為3.23N/cm下，其與被接著體間的界面亦未發生剝離(評價結果：○)，因此，對被接著體的暫時定位步驟後的密著性非常良好。
(實施例2) 黏結劑樹脂使用環氧系樹脂，導電性填料則使用平均粒徑D50為5μm且形狀為球狀及橢圓狀的銀包銅粉。導電性接著劑中導電性填料之含有率設為30質量%。
於實施例2中製得的導電性接著劑層(各向異性)其厚度為5μm，且其表面之偏斜度Ssk為1.50、最大峰高Sp為9.38以及算術平均Sa為0.55。
又，於實施例2中製得的導電性接著劑層即使在180°剝離強度為5.74N/cm下，其與被接著體間的界面亦未發生剝離(評價結果：○)，因此，對被接著體的暫時定位步驟後的密著性非常良好。
(實施例3) 黏結劑樹脂使用環氧系樹脂，導電性填料則使用平均粒徑D50為12μm且形狀為枝晶狀的銀包銅粉。導電性接著劑中導電性填料之含有率設為15質量%。
於實施例3中製得的導電性接著劑層(各向異性)其厚度為15μm，且其表面之偏斜度Ssk為2.31、最大峰高Sp為12.05以及算術平均Sa為1.40。
又，於實施例3中製得的導電性接著劑層即使在180°剝離強度為2.91N/cm下，其與被接著體間的界面亦未發生剝離(評價結果：○)，因此，對被接著體的暫時定位步驟後的密著性非常良好。
(實施例4) 黏結劑樹脂使用環氧系樹脂，導電性填料則使用平均粒徑D50為6μm且形狀為枝晶狀的銀包銅粉。導電性接著劑中導電性填料之含有率設為65質量%。
於實施例4中製得的導電性接著劑層(各向同性)其厚度為15μm，且其表面之偏斜度Ssk為-0.31、最大峰高Sp為1.67以及算術平均Sa為0.17。
又，於實施例4中製得的導電性接著劑層即使在180°剝離強度為4.50N/cm下，其與被接著體間的界面亦未發生剝離(評價結果：○)，因此，對被接著體的暫時定位步驟後的密著性非常良好。
(實施例5) 黏結劑樹脂使用環氧系樹脂，導電性填料則使用平均粒徑D50為6μm且形狀為枝晶狀的銀包銅粉。導電性接著劑中導電性填料之含有率設為70質量%。
於實施例5中製得的導電性接著劑層(各向同性)其厚度為15μm，且其表面之偏斜度Ssk為-2.47、最大峰高Sp為1.66以及算術平均Sa為0.15。
又，於實施例5中製得的導電性接著劑層即使在180°剝離強度為1.93N/cm下，其與被接著體間的界面亦未發生剝離(評價結果：○)，因此，對被接著體的暫時定位步驟後的密著性非常良好。
(實施例6) 黏結劑樹脂使用環氧系樹脂，導電性填料則使用平均粒徑D50為15μm且形狀為枝晶狀的銀包銅粉。導電性接著劑中導電性填料之含有率設為70質量%。
於實施例6中製得的導電性接著劑層(各向同性)其厚度為60μm，且其表面之偏斜度Ssk為-0.18、最大峰高Sp為11.21以及算術平均Sa為2.82。
又，於實施例6中製得的導電性接著劑層雖於與被接著體間的界面發生剝離，但其斷裂時的180°剝離強度為0.5N/cm以上的1.03N/cm(評價結果：○)，因此，對被接著體的暫時定位步驟後的密著性良好。
(實施例7) 黏結劑樹脂使用環氧系樹脂，導電性填料則使用平均粒徑D50為8μm且形狀為枝晶狀的銀包銅粉。導電性接著劑中導電性填料之含有率設為60質量%。
於實施例7中製得的導電性接著劑層(各向同性)其厚度為15μm，且其表面之偏斜度Ssk為-2.83、最大峰高Sp為3.94以及算術平均Sa為1.25。
又，於實施例7中製得的導電性接著劑層即使在180°剝離強度為1.85N/cm下，其與被接著體間的界面亦未發生剝離(評價結果：○)，因此，對被接著體的暫時定位步驟後的密著性非常良好。
(實施例8) 黏結劑樹脂使用環氧系樹脂，導電性填料則使用平均粒徑D50為12μm且形狀為枝晶狀的銀包銅粉。導電性接著劑中導電性填料之含有率設為70質量%。
於實施例8中製得的導電性接著劑層(各向同性)其厚度為60μm，且其表面之偏斜度Ssk為-0.55、最大峰高Sp為17.27以及算術平均Sa為5.26。
又，於實施例8中製得的導電性接著劑層即使在180°剝離強度為4.23N/cm下，其與被接著體間的界面亦未發生剝離(評價結果：○)，因此，對被接著體的暫時定位步驟後的密著性非常良好。
(實施例9) 黏結劑樹脂使用含有平均粒徑D50為22μm之二氧化矽粒子1質量%的環氧系樹脂，導電性填料則使用平均粒徑D50為12μm且形狀為枝晶狀的銀包銅粉。導電性接著劑中導電性填料之含有率設為15質量%。
於實施例9中製得的導電性接著劑層(各向異性)其厚度為36μm，且其表面之偏斜度Ssk為1.36、最大峰高Sp為16.37以及算術平均Sa為2.15。
又，於實施例9中製得的導電性接著劑層即使在180°剝離強度為4.28N/cm下，其與被接著體間的界面亦未發生剝離(評價結果：○)，因此，對被接著體的暫時定位步驟後的密著性非常良好。
(實施例10) 黏結劑樹脂使用含有平均粒徑D50為22μm之二氧化矽粒子2質量%的環氧系樹脂，導電性填料則使用平均粒徑D50為12μm且形狀為枝晶狀的銀包銅粉。導電性接著劑中導電性填料之含有率設為15質量%。
於實施例10中製得的導電性接著劑層(各向異性)其厚度為40μm，且其表面之偏斜度Ssk為1.65、最大峰高Sp為22.94以及算術平均Sa為2.44。
又，於實施例10中製得的導電性接著劑層即使在180°剝離強度為4.51N/cm下，其與被接著體間的界面亦未發生剝離(評價結果：○)，因此，對被接著體的暫時定位步驟後的密著性非常良好。
(比較例1) 黏結劑樹脂使用環氧系樹脂，導電性填料則使用平均粒徑D50為15μm且形狀為球狀及橢圓狀的銀包銅粉。導電性接著劑中導電性填料之含有率設為5質量%。
於比較例1中製得的導電性接著劑層(各向異性)其厚度為15μm，且其表面之偏斜度Ssk為4.05、最大峰高Sp為17.81以及算術平均Sa為0.98。
又，於比較例1中製得的導電性接著劑層在180°剝離強度為小於0.5N/cm的0.01N/cm下，其與被接著體間的界面發生剝離(評價結果：×)，因此，對被接著體的暫時定位步驟後的密著性不良。
(比較例2) 黏結劑樹脂使用環氧系樹脂，導電性填料則使用平均粒徑D50為23μm且形狀為橢圓狀的銀包鎳粉。導電性接著劑中導電性填料之含有率設為35質量%。
於比較例2中製得的導電性接著劑層(各向異性)其厚度為30μm，且其表面之偏斜度Ssk為4.01、最大峰高Sp為29.54以及算術平均Sa為1.63。
又，於比較例2中製得的導電性接著劑層在180°剝離強度為小於0.5N/cm的0.13N/cm下，其與被接著體間的界面發生剝離(評價結果：×)，因此，對被接著體的暫時定位步驟後的密著性不良。
表1中顯示各實施例及各比較例所用之導電性填料之組成及導電性接著劑層之物性。
[表1]
Figure 02_image001
產業上之可利用性 本揭示發明之導電性接著劑層對被接著體的暫時定位步驟後的密著性優異，可防止暫時定位步驟後的導電性接著劑層之錯位，因此是極為有用的。
100‧‧‧導電性接著劑層 100a‧‧‧凸部 100b‧‧‧凹部 110‧‧‧黏結劑樹脂 120‧‧‧導電性填料 130‧‧‧基層 200‧‧‧電磁波屏蔽膜 210‧‧‧絕緣保護層 220‧‧‧屏蔽層 300‧‧‧印刷配線基板 310‧‧‧基底層 320‧‧‧印刷電路 320a‧‧‧接地電路 320b‧‧‧信號電路 330‧‧‧絕緣層 400‧‧‧屏蔽配線基板
圖1為顯示形成於基層上的導電性接著劑層之一實施形態的截面圖。 圖2為一實施形態之電磁波屏蔽膜之截面圖。 圖3為顯示電磁波屏蔽膜之其他實施形態的截面圖。 圖4為一實施形態之屏蔽配線基板之截面圖。
100‧‧‧導電性接著劑層
100a‧‧‧凸部
100b‧‧‧凹部
110‧‧‧黏結劑樹脂
120‧‧‧導電性填料
130‧‧‧基層

Claims (3)

  1. 一種導電性接著劑層，其特徵在於係由含有黏結劑樹脂與導電性填料的導電性接著劑構成，並且表面之偏斜度Ssk為-3.5以上且2.7以下，表面之最大峰高Sp為1.3μm以上且30μm以下；前述導電性填料係選自於由銅粉、銀粉、銀包銅粉、金包銅粉所構成群組中之至少一種，形狀為枝晶狀，平均粒徑D50為3μm以上且20μm以下；前述導電性接著劑中前述導電性填料之含有率為10質量%以上且35質量%以下。
  2. 一種電磁波屏蔽膜，其特徵在於具備：絕緣保護層；及如請求項1之導電性接著劑層，其設置於該絕緣保護層之表面。
  3. 一種屏蔽配線基板，其特徵在於具備：印刷配線基板，其設置有接地電路；及如請求項2之電磁波屏蔽膜，其以與前述接地電路導通之方式接著於前述印刷配線基板。
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