TWI735682B - 求基板處理裝置之流量控制器所輸出之氣體之輸出流量之方法 - Google Patents
求基板處理裝置之流量控制器所輸出之氣體之輸出流量之方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI735682B TWI735682B TW106135048A TW106135048A TWI735682B TW I735682 B TWI735682 B TW I735682B TW 106135048 A TW106135048 A TW 106135048A TW 106135048 A TW106135048 A TW 106135048A TW I735682 B TWI735682 B TW I735682B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- pressure
- chamber
- flow rate
- pressure sensor
- controller
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B49/00—Control, e.g. of pump delivery, or pump pressure of, or safety measures for, machines, pumps, or pumping installations, not otherwise provided for, or of interest apart from, groups F04B1/00 - F04B47/00
- F04B49/06—Control using electricity
- F04B49/065—Control using electricity and making use of computers
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B41/00—Pumping installations or systems specially adapted for elastic fluids
- F04B41/02—Pumping installations or systems specially adapted for elastic fluids having reservoirs
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B49/00—Control, e.g. of pump delivery, or pump pressure of, or safety measures for, machines, pumps, or pumping installations, not otherwise provided for, or of interest apart from, groups F04B1/00 - F04B47/00
- F04B49/08—Regulating by delivery pressure
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D7/00—Control of flow
- G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
- G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
- G05D7/0623—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the set value given to the control element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
- B81C1/00523—Etching material
- B81C1/00531—Dry etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
- C04B41/5338—Etching
- C04B41/5346—Dry etching
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B2205/00—Fluid parameters
- F04B2205/06—Pressure in a (hydraulic) circuit
- F04B2205/063—Pressure in a (hydraulic) circuit in a reservoir linked to the pump outlet
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B2205/00—Fluid parameters
- F04B2205/09—Flow through the pump
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Flow Control (AREA)
Abstract
於一實施形態之方法中,根據流量控制器所指定之設定流量自第1壓力感測器及第2壓力感測器選擇壓力感測器。第2壓力感測器能夠測定之最大壓力大於第1壓力感測器能夠測定之最大壓力。又,根據設定流量決定應達到之腔室之最大壓力。以與設定流量對應之輸出流量自流量控制器開始對腔室輸入氣體,而於關閉設置於腔室與排氣裝置之間的壓力控制器後至達到目標壓力為止之期間,藉由所選擇之壓力感測器測定腔室之壓力。並且,根據腔室之壓力相對於時間之上升率而求出流量控制器之輸出流量。
Description
本發明之實施形態係關於一種求基板處理裝置之流量控制器所輸出之氣體之輸出流量之方法。
於半導體器件等電子器件之製造中使用基板處理裝置。於使用基板處理裝置之基板處理中,通常將基板配置於腔室內,並向該腔室供給氣體。供給至腔室之氣體之流量由流量控制器予以控制。流量控制器係根據所指定之設定流量控制氣體之輸出流量。 供給至腔室之氣體之流量係對基板處理之製程結果造成影響之重要因素。因此,流量控制器之輸出流量必須適時地被校準。為此,必須求出流量控制器之輸出流量。作為求流量控制器之輸出流量之方法,已知有所謂之增層法。關於增層法,記載於日本專利特開2002-296096號公報及日本專利5538119號說明書中。 增層法係以與設定流量對應之輸出流量自流量控制器輸出氣體,並將該氣體供給至具有已知容積之罐之內部空間。並且,於對罐供給氣體之過程中,藉由壓力感測器取得該內部空間之壓力之測定值。然後,根據所取得之測定值求出該內部空間之壓力相對於時間之上升率,使用該壓力之上升率求出輸出流量。再者,作為增層法中所利用之罐,存在使用基板處理裝置之腔室本體之情形,或者亦存在使用專用於增層法之罐之情形。
由於在增層法中必須求出壓力之上升率,故而為了精度良好地求出流量控制器之輸出流量,必須確保壓力自初始壓力達到最終壓力為止之期間之時間長度為足夠之時間長度。然而,於流量控制器將大流量之氣體輸出至腔室之情形時,腔室之壓力急遽上升,因此,無法確保自初始壓力達到最終壓力為止之期間之時間長度為足夠之時間長度。結果,於流量控制器將大流量之氣體輸出至腔室之情形時,無法精度良好地求出輸出流量。因此,要求即便於流量控制器將大流量之氣體輸出至腔室之情形時,亦精度良好地求出流量控制器之輸出流量。 於一態樣中,提供一種求基板處理裝置之流量控制器所輸出之氣體之輸出流量之方法。基板處理裝置具備腔室本體、流量控制器、壓力控制器、排氣裝置、第1壓力感測器、及第2壓力感測器。腔室本體提供其內部空間作為腔室。流量控制器構成為根據所指定之設定流量控制要供給至腔室之氣體之輸出流量。壓力控制器連接於腔室。排氣裝置經由壓力控制器而連接於腔室。第1壓力感測器係測定腔室之壓力之感測器。第2壓力感測器係測定腔室之壓力之感測器,且能夠測定較第1壓力感測器能測定之最大壓力高之最大壓力。 一態樣之方法包含如下步驟:(i)根據流量控制器所指定之設定流量,自第1壓力感測器及第2壓力感測器選擇壓力感測器,且於設定流量小於閾值之情形時選擇第1壓力感測器,於設定流量為閾值以上之情形時選擇第2壓力感測器;(ii)根據設定流量決定腔室之壓力應達到之目標壓力,目標壓力係以與設定流量之大小成比例或者根據設定流量之大小呈階段性地變大之方式被決定;(iii)以與設定流量對應之流量自流量控制器開始向腔室導入氣體;(iv)關閉壓力控制器;及(v)根據於自關閉壓力控制器之時點起至腔室之壓力達到目標壓力之時點為止之期間內由所選擇之壓力感測器測定出之腔室之壓力之測定值導出腔室之壓力相對於時間之上升率,使用該上升率算出流量控制器之輸出流量。 於一態樣之方法中,除使用第1壓力感測器以外,還使用有能夠測定相對較大之最大壓力之第2壓力感測器。該方法中,於流量控制器所指定之設定流量大於閾值之情形時,選擇第2壓力感測器,且將腔室之壓力應達到之目標壓力設定為較大之壓力。因此,確保腔室之壓力自關閉壓力控制器之時點之初始壓力達到目標壓力為止之期間之時間長度為足夠之時間長度。因此,即便於流量控制器將大流量之氣體輸出至腔室之情形時,亦能夠精度良好地求出腔室之壓力相對於時間之上升率,進而能夠精度良好地求出流量控制器之輸出流量。 於一實施形態中,目標壓力係藉由使用設定流量參照以上述期間具有特定時間長度以上之時間長度之方式預先規定流量與目標壓力之關係之表而決定。 於一實施形態中,進而包含如下步驟,即,以於上述期間內獲得腔室之壓力之複數個且特定個數之測定值之方式決定取樣間隔。壓力之上升率係根據藉由所選擇之壓力感測器於上述期間內以該取樣間隔測定出之腔室之壓力之複數個測定值而導出。 於一實施形態中,第1壓力感測器與第2壓力感測器中之一者和腔室之間的流路長度Lb、及第1壓力感測器與第2壓力感測器中之另一者和腔室之間的流路長度Ls滿足Lb≧Ls且0.54≦Ls/Lb≦1。根據該實施形態,由第1壓力感測器獲得之腔室壓力之測定值與由第2壓力感測器獲得之腔室壓力之測定值之間的差變得足夠小。再者,Lb可為234.8 mm以下。 於一實施形態中,第2壓力感測器能夠測定之最大壓力為1000 Torr(133300 Pa)以上。
以下,參照圖式對各種實施形態詳細地進行說明。再者,於各圖式中對相同或相當之部分標註相同之符號。 圖1係表示一實施形態之求基板處理裝置之流量控制器所輸出之氣體之輸出流量之方法的流程圖。圖1所示之方法MT係藉由所謂之增層法求基板處理裝置之流量控制器之輸出流量的方法。基板處理裝置可為任意之基板處理裝置。基板處理裝置可為例如電漿處理裝置。 圖2係概略地表示可應用圖1所示之方法之基板處理裝置之一例的圖。圖2所示之基板處理裝置10具備腔室本體12、複數個流量控制器14、壓力控制器16、排氣裝置18、第1壓力感測器20、及第2壓力感測器22。 腔室本體12為容器,提供其內部空間作為腔室12c。於腔室12c內設置有載台24。載台24構成為支持配置於腔室12c內之基板W。 複數個流量控制器14之各者係根據所指定之設定流量調整供給至腔室12c之氣體之輸出流量的裝置。複數個流量控制器14之各者可為質量流量控制器或壓力控制式之流量控制器。再者,基板處理裝置10所具備之流量控制器14之個數可為一以上之任意個數。 於複數個流量控制器14之各者之上游側(一次側)設置有一次閥26。複數個流量控制器14之各者經由一次閥26而連接於氣體源28。氣體源28係基板處理用氣體之源。於複數個流量控制器14之各者之下游側(二次側)設置有二次閥30。複數個流量控制器14之各者經由二次閥30及配管32而連接於腔室12c。 第1壓力感測器20及第2壓力感測器22係測定腔室12c之壓力並輸出該壓力之測定值之感測器。第1壓力感測器20及第2壓力感測器22之各者例如可為電容測壓計。第2壓力感測器22能夠測定較第1壓力感測器20能測定之最大壓力高之最大壓力。第1壓力感測器20能夠測定之最大壓力為例如1333 Pa(10 Torr),第2壓力感測器22能夠測定之最大壓力為例如133300 Pa(1000 Torr)以上。 於第1壓力感測器20連接有配管36a之一端。配管36a之另一端連接於閥38。閥38例如為二通閥。於閥38連接有配管36b之一端。配管36b之另一端連接於配管40。於第2壓力感測器22連接有配管42a之一端。配管42a之另一端連接於閥44。閥44例如為二通閥。於閥44連接有配管42b之一端。配管42b之另一端連接於配管40。配管40連接於腔室12c。因此,供給至腔室12c之氣體之一部分能夠到達至第1壓力感測器20及第2壓力感測器22。 壓力控制器16連接於腔室12c。壓力控制器16例如為自動壓力控制器,具有壓力控制閥。於壓力控制器16之下游側設置有閥46。壓力控制器16經由閥46而連接於排氣裝置18。排氣裝置18可包含乾式真空泵、渦輪分子泵等一個以上之排氣裝置。 於一實施形態中,基板處理裝置10可進而具備控制部50。控制部50構成為於基板處理及下述方法MT之執行過程中對基板處理裝置10之各部進行控制。控制部50亦可為電腦裝置,可具備處理器50p、記憶體等記憶裝置50s、鍵盤等輸入裝置等。於記憶裝置50s記憶有基板處理中由處理器執行之控制程式、及基板處理用之製程參數資料。又,於記憶裝置50s中記憶有用以執行方法MT之程式、及方法MT中所利用之資料。 以下,以求基板處理裝置10之一個流量控制器14之輸出流量之情形為例,對方法MT進行說明。方法MT可藉由控制部50對基板處理裝置10之各部進行控制而自動地執行。 方法MT中,於算出流量控制器14之輸出流量時利用腔室12c之容積。腔室12c之容積可為事先規定之已知容積。方法MT中,亦可於執行圖1所示之第一個步驟之前求出腔室12c之容積。以下,一面參照圖3,一面對求腔室12c之容積之處理進行說明。圖3係表示求腔室之容積之處理之一例的流程圖。 圖3所示之處理SP可藉由控制部50對基板處理裝置10之各部進行控制而自動地執行。圖3所示之處理SP係以步驟S101開始。於步驟S101中,進行腔室12c之排氣。具體而言,於步驟S101中,打開閥38、閥44、閥46及壓力控制器16之壓力控制閥,使排氣裝置18作動。又,於步驟S101中,關閉一次閥26。再者,於步驟S101中,二次閥30既可關閉亦可打開。 於接下來之步驟S102中,決定流量控制器14所指定之設定流量。設定流量例如由操作員決定,並被輸入至控制部50。於步驟S102中決定之設定流量與在下述方法MT之步驟S2中決定之設定流量相同。 於接下來之步驟S103中,進行壓力感測器之選擇。具體而言,於步驟S103中,根據設定流量與閾值之比較結果,選擇第1壓力感測器20或第2壓力感測器。再者,步驟S103中之壓力感測器之選擇係與下述方法MT之步驟S3中之壓力感測器之選擇同樣地進行,因此,關於其詳情,請參照下文中有關步驟S3之說明。 於接下來之步驟S104中,決定腔室12c之壓力應達到之目標壓力。於步驟S104中,根據步驟S102中決定之設定流量決定目標壓力。再者,步驟S104中之目標壓力之決定係與下述方法MT之步驟S4中之目標壓力之決定同樣地進行,因此,關於其詳情,請參照下文中有關步驟S4之說明。 於接下來之步驟S105中,進行壓力控制器16之調整。具體而言,以於下述步驟S106中開始對腔室12c導入氣體之後腔室12c之壓力成為特定壓力之方式,調整壓力控制器16之壓力控制閥之開度。 於接下來之步驟S106中,開始對腔室12c導入氣體。具體而言,於步驟S106中,打開設置於一個流量控制器14之上游之一次閥26及設置於該流量控制器14之下游側之二次閥30,由該流量控制器14以與設定流量對應之輸出流量開始輸出氣體。再者,關閉設置於其他流量控制器14之上游之一次閥26及設置於該等其他流量控制器14之下游側之二次閥30。 於接下來之步驟S107中,判定腔室12c之壓力是否穩定為特定壓力。於步驟S107中,例如當在步驟S106中開始導入氣體之後已經過特定時間時,判定為腔室12c之壓力已穩定。或者,於步驟S107中,根據由第1壓力感測器20或第2壓力感測器22取得之腔室12c之壓力之測定值求出腔室12c之壓力相對於特定壓力之變動量,於該變動量小於特定值之情形時,判定為腔室12c之壓力已穩定。於步驟S107中判定為腔室12c之壓力不穩定之情形時,再次重複進行步驟S107之判定直至腔室12c之壓力穩定為止。另一方面,於步驟S107中判定為腔室12c之壓力已穩定之情形時,處理移行至步驟S108。 於步驟S108中,關閉壓力控制器16之壓力控制閥。於接下來之步驟S109中,判定腔室12c之壓力是否已達到目標壓力。具體而言,判定由步驟S103中所選擇之壓力感測器取得之腔室12c之壓力之測定值是否已達到目標壓力。於步驟S109中判定為腔室12c之壓力未達到目標壓力之情形時,再次重複進行步驟S109之判定直至腔室12c之壓力達到目標壓力為止。另一方面,於步驟S109中判定為腔室12c之壓力已達到目標壓力之情形時,處理移行至步驟S110。 於步驟S110中,決定取樣間隔。具體而言,於步驟S110中,以如下方式決定取樣間隔,即,於自壓力控制器16之壓力控制閥被關閉之時點起至腔室12c之壓力達到目標壓力之時點為止之期間內,獲得複數個且特定個數之取樣值(腔室12c之壓力之測定值)。例如,以於該期間內獲得10個取樣值之方式決定取樣間隔。 於接下來之步驟S111中,進行腔室12c之排氣。步驟S111係與步驟S101相同之步驟。於接下來之步驟S112中,進行壓力控制器16之調整。於步驟S112中,以於下述步驟S113中開始對腔室12c導入氣體之後腔室12c之壓力成為特定壓力之方式,調整壓力控制器16之壓力控制閥之開度。 於接下來之步驟S113中,開始對腔室12c導入氣體。步驟S113係與步驟S106相同之步驟,開始自一個流量控制器14以與設定流量相應之輸出流量輸出氣體。於接下來之步驟S114中,判定腔室12c之壓力是否穩定為特定壓力。步驟S114係與步驟S107相同之步驟。於接下來之步驟S115中,關閉壓力控制器16之壓力控制閥。步驟S115係與步驟S108相同之步驟。 於接下來之步驟S116中,以於步驟S110中決定之取樣間隔藉由在步驟S103中所選擇之壓力感測器取得腔室12c之壓力之測定值、即進行腔室12c之壓力之取樣。 於接下來之步驟S117中,判定步驟S116中所取得之壓力之測定值是否已達到目標壓力。於在步驟S117中判定為腔室12c之壓力未達到目標壓力之情形時,重複進行步驟S116之取樣。另一方面,於在步驟S117中判定為腔室12c之壓力已達到目標壓力之情形時,處理移行至步驟S118。 於步驟S118中,算出腔室12c之容積V。腔室12c之容積V係藉由下式(1)而算出。 V=KQ/(ΔP/Δt) …(1) (1)式係根據氣體之狀態方程式而導出之式子。(1)式中,Q係流量控制器14所指定之設定流量。(1)式中,ΔP/Δt係腔室12c之壓力相對於時間之上升率。ΔP/Δt係根據藉由重複進行步驟S116而取得之腔室12c之壓力之複數個測定值、及分別取得該等複數個測定值之複數個時點而求出。例如,於具有時間軸與壓力軸之正交雙軸座標系統中,可針對分別包含複數個時點中之一個時點及複數個測定值中之於該一個時點取得之測定值的複數個資料,將直線擬合,求出該直線之斜率作為ΔP/Δt。又,(1)式中,K係由下式(2)定義。 K=RT/(22.4×103
) …(2) (2)式中,R係氣體常數,為62.36(Torr・l・mol- 1
・K- 1
)。又,T係腔室12c中之氣體之溫度,可藉由連接於腔室12c之溫度感測器進行測定,或者亦可為固定溫度(例如22℃)。於T為22℃之情形時,K為0.82(Torr)。 以下,再次參照圖1,對方法MT進行說明。方法MT中,如圖1所示,執行步驟S1。步驟S1係與處理SP之步驟S101相同之步驟。於接下來之步驟S2中,決定流量控制器14所指定之設定流量。於步驟S2中決定之設定流量係與在處理SP之步驟S102中決定之設定流量相同之設定流量。於一實施形態中,在步驟S102中由操作員輸入至控制部50之設定流量亦被用於步驟S2中。 於接下來之步驟S3中,進行壓力感測器之選擇。具體而言,於步驟S3中,根據設定流量與閾值之比較結果,選擇第1壓力感測器20或第2壓力感測器。於設定流量小於閾值之情形時,選擇第1壓力感測器20。另一方面,於設定流量為閾值以上之情形時,選擇第2壓力感測器22。閾值例如為1000 sccm。 於接下來之步驟S4中,決定腔室12c之壓力應達到之目標壓力。於步驟S4中,根據在步驟S2中決定之設定流量而決定目標壓力。目標壓力係以與所指定之設定流量之大小成比例或根據該設定流量之大小呈階段性地變大之方式設定。例如,藉由利用控制部50對輸出與流量成比例或根據流量之大小呈階段性地變大之目標壓力之函數輸入設定流量,而決定目標壓力。或者,藉由利用控制部50,使用設定流量參照預先規定流量與目標壓力之關係之表50t,而決定目標壓力。再者,該表50t係記憶於控制部50之記憶裝置50s。該表係以在下述步驟S15中關閉壓力控制器16之壓力控制閥之時點起至腔室12c之壓力達到目標壓力之時點為止之期間具有特定時間長度以上之時間長度之方式,預先規定流量與目標壓力之關係。再者,特定時間長度可為20秒以上之時間長度。 接下來之步驟S5係與處理SP之步驟S105相同之步驟。於步驟S5中,進行壓力控制器16之調整。具體而言,以於下述步驟S6中開始對腔室12c導入氣體之後腔室12c之壓力成為特定壓力之方式,調整壓力控制器16之壓力控制閥之開度。 接下來之步驟S6係與處理SP之步驟S106相同之步驟。於步驟S6中,開始對腔室12c導入氣體。具體而言,於步驟S6中,打開設置於一個流量控制器14之上游之一次閥26及設置於該流量控制器14之下游側之二次閥30,由該流量控制器14以與設定流量相應之輸出流量開始輸出氣體。再者,設置於其他流量控制器14之上游之一次閥26及設置於該等其他流量控制器14之下游側之二次閥30被關閉。 接下來之步驟S7係與處理SP之步驟S107相同之步驟。於步驟S7中,判定腔室12c之壓力是否穩定為特定壓力。於步驟S7中,例如當於步驟S6中開始導入氣體之後已經過特定時間時,判定為腔室12c之壓力已穩定。或者,於步驟S7中,根據由第1壓力感測器20或第2壓力感測器22取得之腔室12c之壓力之測定值求出腔室12c之壓力相對於特定壓力之變動量,於該變動量小於特定值之情形時,判定為腔室12c之壓力已穩定。於步驟S7中判定為腔室12c之壓力不穩定之情形時,再次重複步驟S7之判定直至腔室12c之壓力穩定為止。另一方面,於步驟S7中判定為腔室12c之壓力已穩定之情形時,處理移行至步驟S8。 步驟S8係與處理SP之步驟S108相同之步驟。於步驟S8中,關閉壓力控制器16之壓力控制閥。接下來之步驟S9係與處理SP之步驟S109相同之步驟。於步驟S9中,判定腔室12c之壓力是否已達到目標壓力。具體而言,判定由步驟S3中所選擇之壓力感測器取得之腔室12c之壓力之測定值是否已達到目標壓力。於步驟S9中判定為腔室12c之壓力未達到目標壓力之情形時,再次重複步驟S9之判定直至腔室12c之壓力達到目標壓力為止。另一方面,於步驟S9中判定為腔室12c之壓力已達到目標壓力之情形時,處理移行至步驟S10。 步驟S10係與處理SP之步驟S110相同之步驟。於步驟S10中,決定取樣間隔。具體而言,於步驟S10中,以如下方式決定取樣間隔,即,於壓力控制器16之壓力控制閥被關閉之時點起至腔室12c之壓力達到目標壓力之時點為止之期間內,獲得複數個且特定個數之取樣值(腔室12c之壓力之測定值)。例如,以於該期間內獲得10個取樣值之方式決定取樣間隔。 接下來之步驟S11係與步驟S1相同之步驟。於步驟S11中,進行腔室12c之排氣。接下來之步驟S12係與步驟S5相同之步驟。於步驟S12中,進行壓力控制器16之調整。於步驟S12中,以於在下述步驟S13中開始對腔室12c導入氣體之後腔室12c之壓力成為特定壓力之方式,調整壓力控制器16之壓力控制閥之開度。 接下來之步驟S13係與步驟S6相同之步驟。於步驟S6中,開始對腔室12c導入氣體。具體而言,於步驟S13中,開始自一個流量控制器14以與設定流量相應之輸出流量輸出氣體。接下來之步驟S14係與步驟S7相同之步驟。於步驟S14中,判定腔室12c之壓力是否穩定為特定壓力。接下來之步驟S15係與步驟S8相同之步驟。於步驟S15中,關閉壓力控制器16之壓力控制閥。 於接下來之步驟S16中,以在步驟S10中決定之取樣間隔藉由步驟S3中所選擇之壓力感測器取得腔室12c之壓力之測定值、即進行腔室12c之壓力之取樣。 於接下來之步驟S17中,判定步驟S16中所取得之壓力之測定值是否已達到目標壓力。於步驟S17中判定為腔室12c之壓力未達到目標壓力之情形時,重複進行步驟S16之取樣。另一方面,於步驟S17中判定為腔室12c之壓力已達到目標壓力之情形時,處理移行至步驟S18。 於步驟S18中,算出流量控制器14之輸出流量Q。流量控制器14之輸出流量Q係利用下式(3)而算出。 Q=V/K×(ΔP/Δt) …(3) (3)式係根據氣體之狀態方程式而導出之式子。(3)式中,V係腔室12c之已知容積。容積V可為藉由處理SP而求出之容積。(1)式中,ΔP/Δt係腔室12c之壓力相對於時間之上升率。ΔP/Δt係根據藉由重複進行步驟S16而取得之腔室12c之壓力之複數個測定值、與分別取得該等複數個測定值之複數個時點而求出。例如,於具有時間軸及壓力軸之正交雙軸座標系統中,可針對分別包含複數個時點中之一個時點與複數個測定值中之於該一個時點取得之測定值的複數個資料,將直線擬合,求出該直線之斜率作為ΔP/Δt。又,(3)式中,K係由式(2)定義。式(2)中,T可藉由連接於腔室12c之溫度感測器進行測定,或者亦可為固定溫度(例如22℃)。於T為22℃之情形時,K為0.82(Torr)。 方法MT中,除使用第1壓力感測器20以外,還使用有能夠測定相對較大之最大壓力之第2壓力感測器22。該方法中,於流量控制器14所指定之設定流量大於閾值之情形時,選擇第2壓力感測器22,且將腔室12c之壓力應達到之目標壓力設定為較大之壓力。因此,確保腔室12c之壓力自壓力控制器16之壓力控制閥被關閉之時點之初始壓力達到目標壓力為止之期間之時間長度為足夠之時間長度。因此,即便於流量控制器14將大流量之氣體輸出至腔室之情形時,亦能夠精度良好地求出腔室之壓力相對於時間之上升率,進而能夠精度良好地求出流量控制器14之輸出流量。 以下,針對有關向腔室填充氣體之時間長度與腔室之到達壓力之關係的兩個模擬之結果進行說明。 於第1模擬中,以氣體之流量作為參數,求出對容積為20升之腔室填充氣體之時間長度與腔室之到達壓力。圖4係表示第1模擬之結果之曲線圖。圖4之曲線圖之橫軸係填充氣體之時間長度,縱軸係腔室之到達壓力。 於第2模擬中,以腔室之容積作為參數,求出對腔室填充流量為30 slm之氣體之時間長度與腔室之到達壓力。圖5係表示第2模擬之結果之曲線圖。圖5之曲線圖之橫軸係填充氣體之時間長度,縱軸係腔室之到達壓力。 如圖4所示,對於容積為20升之腔室,即便將用於第1模擬之流量中最大之64000 sccm之流量之氣體填充至腔室之時間長度為20秒,腔室之到達壓力亦為1000 Torr以下。又,如圖5所示,即便對用於第2模擬之腔室之容積中最小之10升之腔室填充流量為30 slm之氣體之時間長度為20秒,腔室之到達壓力亦為1000 Torr以下。因此,可確認,於第2壓力感測器能夠測定之最大壓力為1000 Torr(133300 Pa)以上之情形時,即便自流量控制器對容積相當小之腔室供給流量相當大之氣體,亦能夠確保腔室之壓力自初始壓力達到最終之到達壓力(目標壓力)為止之期間之時間長度為足夠長之時間長度,進而能夠精度良好地求出流量控制器之輸出流量。 以下,對第1壓力感測器20與第2壓力感測器22中之一者和腔室12c之間的流路長度Lb、及第1壓力感測器20與第2壓力感測器22中之另一者和腔室12c之間的流路長度Ls較理想之滿足之關係進行說明。 於腔室12c之壓力處於第1壓力感測器20能夠測定之範圍且處於第2壓力感測器22能夠測定之範圍之情形時,較理想為第1壓力感測器20之腔室12c之壓力之測定值P1與第2壓力感測器22之腔室12c之壓力之測定值P2相同。因此,流路長度Ls與流路長度Lb較理想為相同。 然而,根據基板處理裝置10之零件之佈局情況,存在無法使流路長度Lb與流路長度Ls相同之情形。於流路長度Lb與流路長度Ls之間存在差之情形時,腔室12c與第1壓力感測器20之間之流路的導流和腔室12c與第2壓力感測器22之間之流路的導流產生差。因此,測定值P1與測定值P2之間產生差。於運用方法MT時,在腔室12c之壓力處於第1壓力感測器20能夠測定之範圍且處於第2壓力感測器22能夠測定之範圍之情形時,測定值P1與測定值P2之間的差所能容許之最大值為15 mTorr。 於基板處理裝置10之一例中,當流路長度Lb即腔室12c與第1壓力感測器20之間的流路長度為220.4 mm,流路長度Ls即腔室12c與第2壓力感測器22之間的流路長度為127.0 mm時,測定值P1與測定值P2之間的差為13 mTorr。該差係運用方法MT時能夠容許之差。 根據以上內容,導出以下之式(4)。 (220.4-127.0)/127.0︰13=r︰15 …(4) 式(4)中,r為0.8485。並且,流路長度Lb之最大值即Lmax根據下述之式(5)而成為234.8 mm。 (Lmax-127.0)/127.0=0.8485 …(5) 又,能夠容許之Ls/Lb之最小值根據127.0/234.8而成為0.54。 因此,於一實施形態中,流路長度Lb及流路長度Ls係以滿足Lb≧Ls且0.54≦Ls/Lb≦1之方式設定。又,於一實施形態中,流路長度Lb可為234.8 mm以下。 以上,對各種實施形態進行了說明,但並不限定於上述實施形態而能夠構成各種變化態樣。例如,方法MT中用以算出流量控制器14之輸出流量之腔室12c之容積可不藉由處理SP求出,亦可為於執行方法MT之前已知之數值。
10‧‧‧基板處理裝置12‧‧‧腔室本體12c‧‧‧腔室14‧‧‧流量控制器16‧‧‧壓力控制器18‧‧‧排氣裝置20‧‧‧第1壓力感測器22‧‧‧第2壓力感測器24‧‧‧載台26‧‧‧一次閥28‧‧‧氣體源30‧‧‧二次閥32‧‧‧配管36a‧‧‧配管36b‧‧‧配管38‧‧‧閥40‧‧‧配管42a‧‧‧配管42b‧‧‧配管44‧‧‧閥46‧‧‧閥50‧‧‧控制部50p‧‧‧處理器50s‧‧‧記憶裝置50t‧‧‧表MT‧‧‧方法S1~S18‧‧‧步驟S101~S118‧‧‧步驟SP‧‧‧處理W‧‧‧基板
圖1係表示一實施形態之求基板處理裝置之流量控制器所輸出之氣體之輸出流量之方法的流程圖。 圖2係概略地表示可應用圖1所示之方法之基板處理裝置之一例的圖。 圖3係表示求腔室之容積之處理之一例的流程圖。 圖4係表示第1模擬之結果之曲線圖。 圖5係表示第2模擬之結果之曲線圖。
MT‧‧‧方法
S1~S18‧‧‧步驟
Claims (6)
- 一種求基板處理裝置之流量控制器所輸出之氣體之輸出流量之方法,且上述基板處理裝置具備:腔室本體,其提供腔室,該腔室用來在該腔室中處理基板;上述流量控制器,其根據所指定之設定流量而控制供給至上述腔室之氣體之輸出流量;壓力控制器,其連接於上述腔室;排氣裝置,其經由上述壓力控制器而連接於上述腔室;第1壓力感測器,其測定上述腔室之壓力;及第2壓力感測器,其測定上述腔室之壓力,且能夠測定較上述第1壓力感測器能測定之最大壓力高之最大壓力;且該方法包含如下步驟:根據上述流量控制器所指定之設定流量,自上述第1壓力感測器及上述第2壓力感測器選擇壓力感測器,且於上述設定流量小於閾值之情形時選擇上述第1壓力感測器,於上述設定流量為上述閾值以上之情形時選擇上述第2壓力感測器;根據上述設定流量決定上述腔室之壓力應達到之目標壓力;以與上述設定流量對應之流量開始自上述流量控制器向上述腔室導入氣體;關閉上述壓力控制器;及使用於自關閉上述壓力控制器之時點起至上述腔室之壓力達到上述 目標壓力之時點為止之期間,由所選擇之上述壓力感測器測定出之上述腔室之壓力之測定值所導出的該腔室之壓力相對於時間之上升率,算出上述流量控制器之輸出流量。
- 如請求項1之方法,其中上述目標壓力係藉由使用上述設定流量參照以上述期間具有特定時間長度以上之時間長度之方式預先規定流量與目標壓力之關係之表而決定。
- 如請求項1或2之方法,其進而包含如下步驟,即,以於上述期間內獲得上述腔室之壓力之複數個且特定個數之測定值之方式決定取樣間隔,且上述壓力之上升率係根據藉由所選擇之上述壓力感測器於上述期間內以上述取樣間隔測定出之上述腔室之壓力之複數個測定值而導出。
- 如請求項1之方法,其中上述第1壓力感測器與上述第2壓力感測器中之一者和上述腔室之間的流路長度Lb、以及上述第1壓力感測器與上述第2壓力感測器中之另一者和上述腔室之間的流路長度Ls滿足Lb≧Ls且0.54≦Ls/Lb≦1。
- 如請求項4之方法,其中上述Lb為234.8mm以下。
- 如請求項1之方法,其中上述第2壓力感測器能夠測定之最大壓力為133300Pa以上。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP??2016-202567 | 2016-10-14 | ||
JP2016202567A JP6767232B2 (ja) | 2016-10-14 | 2016-10-14 | 基板処理装置の流量制御器によって出力されるガスの出力流量を求める方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201827970A TW201827970A (zh) | 2018-08-01 |
TWI735682B true TWI735682B (zh) | 2021-08-11 |
Family
ID=61904362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106135048A TWI735682B (zh) | 2016-10-14 | 2017-10-13 | 求基板處理裝置之流量控制器所輸出之氣體之輸出流量之方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10316835B2 (zh) |
JP (1) | JP6767232B2 (zh) |
KR (1) | KR102415608B1 (zh) |
TW (1) | TWI735682B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7068062B2 (ja) * | 2018-06-18 | 2022-05-16 | 株式会社堀場製作所 | 流体制御装置、及び、流量比率制御装置 |
US10760944B2 (en) * | 2018-08-07 | 2020-09-01 | Lam Research Corporation | Hybrid flow metrology for improved chamber matching |
JP2020148473A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 複数のチャンバ圧力センサを校正する方法及び基板処理システム |
CN112017934B (zh) * | 2019-05-29 | 2024-06-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 压力控制方法及系统 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005056031A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Fujikin Inc | チャンバへのガス供給装置及びこれを用いたチャンバの内圧制御方法 |
JP5538119B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2014-07-02 | 株式会社フジキン | ガス供給装置用流量制御器の校正方法及び流量計測方法 |
TW201506568A (zh) * | 2013-03-25 | 2015-02-16 | Fujikin Kk | 具流量監測器之流量控制裝置 |
WO2016072451A1 (ja) * | 2014-11-05 | 2016-05-12 | Ckd株式会社 | 流量検定ユニット |
WO2016113560A1 (en) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | Fathom Systems Limited | Determining the partial pressure of a gas, calibrating a pressure sensor |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3621812B2 (ja) * | 1997-08-05 | 2005-02-16 | 株式会社鷺宮製作所 | Sf6 ガスの状態監視装置及びsf6 ガスの状態監視装置の制御方法 |
JP2002296096A (ja) | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理装置 |
JP3956349B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2007-08-08 | 本田技研工業株式会社 | ガス圧力検出装置 |
JP4648098B2 (ja) * | 2005-06-06 | 2011-03-09 | シーケーディ株式会社 | 流量制御機器絶対流量検定システム |
US7891228B2 (en) * | 2008-11-18 | 2011-02-22 | Mks Instruments, Inc. | Dual-mode mass flow verification and mass flow delivery system and method |
US9772629B2 (en) * | 2011-09-29 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Methods for monitoring a flow controller coupled to a process chamber |
-
2016
- 2016-10-14 JP JP2016202567A patent/JP6767232B2/ja active Active
-
2017
- 2017-10-11 KR KR1020170129720A patent/KR102415608B1/ko active IP Right Grant
- 2017-10-12 US US15/782,168 patent/US10316835B2/en active Active
- 2017-10-13 TW TW106135048A patent/TWI735682B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005056031A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Fujikin Inc | チャンバへのガス供給装置及びこれを用いたチャンバの内圧制御方法 |
JP5538119B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2014-07-02 | 株式会社フジキン | ガス供給装置用流量制御器の校正方法及び流量計測方法 |
TW201506568A (zh) * | 2013-03-25 | 2015-02-16 | Fujikin Kk | 具流量監測器之流量控制裝置 |
TWI507836B (zh) * | 2013-03-25 | 2015-11-11 | Fujikin Kk | Flow control device with flow monitor |
WO2016072451A1 (ja) * | 2014-11-05 | 2016-05-12 | Ckd株式会社 | 流量検定ユニット |
WO2016113560A1 (en) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | Fathom Systems Limited | Determining the partial pressure of a gas, calibrating a pressure sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6767232B2 (ja) | 2020-10-14 |
US10316835B2 (en) | 2019-06-11 |
TW201827970A (zh) | 2018-08-01 |
US20180106247A1 (en) | 2018-04-19 |
KR102415608B1 (ko) | 2022-07-04 |
KR20180041583A (ko) | 2018-04-24 |
JP2018063642A (ja) | 2018-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI735682B (zh) | 求基板處理裝置之流量控制器所輸出之氣體之輸出流量之方法 | |
KR101472146B1 (ko) | 실제 흐름 검증을 실시하는 방법 | |
TWI642910B (zh) | 流量控制機器、流量控制機器的流量校正方法、流量測定機器及使用流量測定機器的流量測定方法 | |
US10876870B2 (en) | Method of determining flow rate of a gas in a substrate processing system | |
JP6916964B2 (ja) | 遮断弁を用いたパルスガス供給方法および装置 | |
JP5538119B2 (ja) | ガス供給装置用流量制御器の校正方法及び流量計測方法 | |
US7881886B1 (en) | Methods for performing transient flow prediction and verification using discharge coefficients | |
US11519773B2 (en) | Methods, systems, and apparatus for mass flow verification based on choked flow | |
KR102187959B1 (ko) | 과도 가스 흐름의 계측 방법 | |
JP6821027B2 (ja) | 質量流量を広範囲で検証するための方法および装置 | |
JP2010282243A (ja) | 真空容器のシミュレーション装置 | |
US11555755B2 (en) | Method of calibrating multiple chamber pressure sensors | |
US10090178B2 (en) | Gas temperature measurement method and gas introduction system | |
KR20230042422A (ko) | 압력 조절식 유동 제어기 | |
TWI837862B (zh) | 用於基於壓力衰減速率來進行質量流驗證的方法、電子裝置製造系統及非暫態電腦可讀儲存媒體 | |
TWI416619B (zh) | 執行實際流動驗證的方法 | |
KR20150146048A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
TW202309482A (zh) | 用於基於壓力衰減速率來進行質量流驗證的方法、系統及設備 | |
KR20180068877A (ko) | 유체 특성 측정 시스템, 유체 특성 측정 시스템용 프로그램이 기억된 프로그램 기억 매체, 및 유체 특성 측정 방법 |