TWI734541B - 用於光微影的製程液體組成物及使用該組成物的圖案形成方法 - Google Patents
用於光微影的製程液體組成物及使用該組成物的圖案形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI734541B TWI734541B TW109121913A TW109121913A TWI734541B TW I734541 B TWI734541 B TW I734541B TW 109121913 A TW109121913 A TW 109121913A TW 109121913 A TW109121913 A TW 109121913A TW I734541 B TWI734541 B TW I734541B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- triol
- liquid composition
- photoresist
- process liquid
- triphenol
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 title description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 title description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 66
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 39
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 150000004072 triols Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 11
- -1 tetraol derivatives Substances 0.000 claims description 34
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 28
- UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N Erythritol Natural products OCC(O)C(O)CO UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000004386 Erythritol Substances 0.000 claims description 23
- 235000019414 erythritol Nutrition 0.000 claims description 23
- 229940009714 erythritol Drugs 0.000 claims description 23
- UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N erythritol Chemical compound OC[C@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N 0.000 claims description 22
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 20
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 17
- ARXKVVRQIIOZGF-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-butanetriol Chemical compound OCCC(O)CO ARXKVVRQIIOZGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 claims description 16
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N hexane Substances CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 10
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 claims description 9
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 9
- ZWVMLYRJXORSEP-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-Hexanetriol Chemical compound OCCCCC(O)CO ZWVMLYRJXORSEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LMMTVYUCEFJZLC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-pentanetriol Chemical compound OCCC(O)CCO LMMTVYUCEFJZLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QJGNMNVVLILWRD-QPJJXVBHSA-N 3,7-Dimethyl-3-octene-1,2,6,7-tetrol Chemical compound OCC(O)C(/C)=C/CC(O)C(C)(C)O QJGNMNVVLILWRD-QPJJXVBHSA-N 0.000 claims description 8
- GTTSNKDQDACYLV-UHFFFAOYSA-N Trihydroxybutane Chemical compound CCCC(O)(O)O GTTSNKDQDACYLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- CLQZEZFINZCXFG-UHFFFAOYSA-N butane-1,1,4-triol Chemical compound OCCCC(O)O CLQZEZFINZCXFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- CAPUIYPMKMKPHD-UHFFFAOYSA-N hex-3-yne-1,2,5,6-tetrol Chemical compound OCC(O)C#CC(O)CO CAPUIYPMKMKPHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XYXCXCJKZRDVPU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,2,3-triol Chemical compound CCCC(O)C(O)CO XYXCXCJKZRDVPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KJPYHRLBRSHUOV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,3,4-triol Chemical compound CCC(O)C(O)CCO KJPYHRLBRSHUOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XAQMOASESLUBBN-UHFFFAOYSA-N hexane-1,4,5-triol Chemical compound CC(O)C(O)CCCO XAQMOASESLUBBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QPNQLFAXFXPMSV-UHFFFAOYSA-N hexane-2,3,4-triol Chemical compound CCC(O)C(O)C(C)O QPNQLFAXFXPMSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WEAYWASEBDOLRG-UHFFFAOYSA-N pentane-1,2,5-triol Chemical compound OCCCC(O)CO WEAYWASEBDOLRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- MEQXNRAKVNDUFL-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylhept-3-ene-2,4,6-triol Chemical compound CC(C)(O)CC(O)=CC(C)(C)O MEQXNRAKVNDUFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- OOJRTGIXWIUBGG-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1,2,3-triol Chemical compound OCC(O)(C)CO OOJRTGIXWIUBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- JJAIIULJXXEFLV-UHFFFAOYSA-N pentane-2,3,4-triol Chemical compound CC(O)C(O)C(C)O JJAIIULJXXEFLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- YBFNKEDZANIOFQ-UHFFFAOYSA-N 4-propan-2-ylcyclohex-4-ene-1,2,3-triol Chemical compound C(C)(C)C1=CCC(C(C1O)O)O YBFNKEDZANIOFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JBDKPEZNPQMBLO-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylhex-3-yne-1,2,5,6-tetrol Chemical compound CC(O)(CO)C#CC(C)(O)CO JBDKPEZNPQMBLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YVBCULSIZWMTFY-UHFFFAOYSA-N 4-Heptanol Natural products CCCC(O)CCC YVBCULSIZWMTFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical compound ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 4
- VPJIDASIZYCWGX-UHFFFAOYSA-N octane-1,4,7-triol Chemical compound CC(O)CCC(O)CCCO VPJIDASIZYCWGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- RZKSECIXORKHQS-UHFFFAOYSA-N Heptan-3-ol Chemical compound CCCCC(O)CC RZKSECIXORKHQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- LTBLRTCVEAUSON-UHFFFAOYSA-N heptane-1,4,7-triol Chemical compound OCCCC(O)CCCO LTBLRTCVEAUSON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- AMXRXGOSEWMPEF-UHFFFAOYSA-N hexane-1,2,5,6-tetrol Chemical compound OCC(O)CCC(O)CO AMXRXGOSEWMPEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 32
- 238000011161 development Methods 0.000 description 14
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 14
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 5
- SYRVWXFZYGDVTF-UHFFFAOYSA-N 5-isopropyl-2-methyl-5-cyclohexene-1,2,4-triol Chemical compound CC(C)C1=CC(O)C(C)(O)CC1O SYRVWXFZYGDVTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HXYCHJFUBNTKQR-UHFFFAOYSA-N heptane-1,2,3-triol Chemical compound CCCCC(O)C(O)CO HXYCHJFUBNTKQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCCMFJOOYZBMME-UHFFFAOYSA-N heptane-1,2,4-triol Chemical compound CCCC(O)CC(O)CO YCCMFJOOYZBMME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JLNBMESXSVZYNQ-UHFFFAOYSA-N heptane-1,2,6-triol Chemical compound CC(O)CCCC(O)CO JLNBMESXSVZYNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- LLCVXVJLWNBXGO-UHFFFAOYSA-N heptane-1,3,5-triol Chemical compound CCC(O)CC(O)CCO LLCVXVJLWNBXGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DSNDTZRJRVQFEQ-UHFFFAOYSA-N heptane-2,3,4-triol Chemical compound CCCC(O)C(O)C(C)O DSNDTZRJRVQFEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ACJYCDKJLOEELU-UHFFFAOYSA-N octane-1,3,5-triol Chemical compound CCCC(O)CC(O)CCO ACJYCDKJLOEELU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- JSROVSVUVVOFLB-UHFFFAOYSA-N CC(C(C1)O)(C=CC1O)O Chemical compound CC(C(C1)O)(C=CC1O)O JSROVSVUVVOFLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBNODPCLDUGXEQ-UHFFFAOYSA-N CC(C)C(CC=CC1O)(C1O)O Chemical compound CC(C)C(CC=CC1O)(C1O)O XBNODPCLDUGXEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001734 carboxylic acid salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- FFYZXNOAFYCXEV-UHFFFAOYSA-N heptane-2,4,6-triol Chemical compound CC(O)CC(O)CC(C)O FFYZXNOAFYCXEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIZVMOZAXAMASY-UHFFFAOYSA-N hex-5-en-1-ol Chemical compound OCCCCC=C UIZVMOZAXAMASY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBRIOQFOSCKZFN-UHFFFAOYSA-N hexane-1,2,3,4-tetrol Chemical compound CCC(O)C(O)C(O)CO VBRIOQFOSCKZFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLMXGBGAZRVYIX-UHFFFAOYSA-N hexane-1,2,3,6-tetrol Chemical compound OCCCC(O)C(O)CO RLMXGBGAZRVYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAYNRXAZCTXWFR-UHFFFAOYSA-N hexane-1,2,4,5-tetrol Chemical compound CC(O)C(O)CC(O)CO SAYNRXAZCTXWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYCULGZHSJZNKH-UHFFFAOYSA-N hexane-1,2,4,6-tetrol Chemical compound OCCC(O)CC(O)CO FYCULGZHSJZNKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZQPAZWGRJYTLN-UHFFFAOYSA-N hexane-2,3,4,5-tetrol Chemical compound CC(O)C(O)C(O)C(C)O TZQPAZWGRJYTLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- GKCGJDQACNSNBB-UHFFFAOYSA-N octane-1,2,8-triol Chemical compound OCCCCCCC(O)CO GKCGJDQACNSNBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N phloroglucinol Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1 QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
- G03F7/405—Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/002—Surface-active compounds containing sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/004—Surface-active compounds containing F
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
- C11D3/2003—Alcohols; Phenols
- C11D3/2065—Polyhydric alcohols
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
本發明涉及一種用於改善光阻劑圖案的剝離缺陷程度的製程液體組成物及使用該組成物的圖案形成方法，其中，該製程液體組成物用於改善在光阻劑製程中的光阻劑圖案的剝離缺陷，該光阻劑圖案具有與光阻劑表面的水的接觸角成75°以上的疏水性，更具體地，該製程液體組成物包含：0.00001至0.1重量%的氟系界面活性劑、0.00001至1.0重量%之由三元醇衍生物、四元醇衍生物或它們的混合物所組成的群組中選出的物質、以及餘量的水，且表面張力為45mN/m以下，接觸角為65°以下。
Description
本發明涉及一種製程液體組成物及使用該組成物的光阻劑圖案形成方法，該組成物用於改善光阻劑圖案製程中的光阻劑圖案的剝離缺陷，該光阻劑圖案具有與光阻劑表面的水的接觸角成75°以上的疏水性。
通常，半導體是透過以193nm、248nm或365nm等波長帶的紫外線作為曝光光源的微影製程製造，為了減少關鍵尺寸(以下稱為CD：Critical Dimension)而展開的競爭非常激烈。
因此，為了形成更加精細的圖案，需要更小波長帶的光源，目前，利用極紫外線(EUV,extreme ultra violet,13.5nm波長)光源的微影技術正得到活躍應用，利用該技術能夠實現更加精細的波長。
但是，用於極紫外線的光阻劑的蝕刻(etching)耐性仍未得到改善，對於具有大縱橫比的光阻劑圖案的需求仍持續存在，因此存在著在顯影期間容易發生圖案剝離的缺陷，且缺陷數量增加，從而在製造過程中大幅減少製程餘裕(process margin)的問題。
因此，需要開發出能夠改善在精細圖案形成期間發生的剝離缺陷的程度並減少缺陷數量的技術。為了改善圖案剝離缺陷的程度並減少缺陷數量，最佳可以提高光阻劑的性能，但是也不能忽視能夠滿足所有性能的新型光阻劑的開發困難的現實。
儘管仍存在新型光阻劑的開發必要性，但是，透過其他方法來改善圖案剝離程度並減少缺陷數量的努力從未停止。
本發明的目的在於開發一種製程液體組成物及使用該組成物的光阻劑圖案形成方法，該組成物用於改善光阻劑顯影後所產生的圖案的剝離缺陷程度，該圖案具有與光阻劑表面的水的接觸角成75°以上的疏水性。
在顯影製程中使用的水系製程液體組成物中，使用了多種界面活性劑，但本發明使用氟系界面活性劑製造出有效的製程液體組成物。
在主要使用超純水的水系製程液體組成物中，當使用接近疏水性的烴系界面活性劑時，可以誘導光阻劑壁面的疏水化，從而使圖案的溶解(melting)及崩塌減少。然而，由於烴系界面活性劑自身凝聚的傾向大，導致製程液體組成物的物性不均勻，在使用期間反而存在由於凝聚的烴系界面活性劑而引起缺陷(defect)的可能性。即，當使用烴系界面活性劑時，為了改善溶解而需要增大使用量時，可能會對光阻劑造成損害(Damage)。此外，當為了減少毛細管力而以降低製程液體組成物的表面張力為目的，過量地使用不適合的界面活性劑時，可能由於引起圖案的溶解而進一步引起圖案的崩塌。
本發明中使用了氟系界面活性劑，在此基礎上使用由三元醇(Triol)衍生物、四元醇(Tetraol)衍生物或它們的混合物所組成的群組中選出的物質，確認了改善圖案剝離缺陷的程度的效果優異。已經發現這是由於相比烴系界面活性劑降低了表面張力和接觸角，增加了滲透力和擴散性，從而有助於精細圖案的形成的結果。
目前使用在大部分微影顯影程序中的典型顯影液，是以純水作為基質，將四甲基氫氧化銨稀釋為一定濃度來使用(在大部分製程中，混合2.38重量%的四甲基氫氧化銨和97.62重量%的水來使用)。
在微影製程中，對具有與光阻劑表面的水的接觸角成75°以上的疏水性的光阻劑圖案進行顯影後，在接著繼續單獨使用純水洗滌時確認了圖案剝離缺陷；甚至顯影後接著連續使用或者在使用純水處理後接著連續使用在純水中含有四甲基氫氧化銨的製程液體組成物時，也確認了圖案的崩塌。
可以推測含有四甲基氫氧化銨的製程液體組成物會弱化所曝光的精細圖案，使得毛細管力大或者不均勻，從而導致圖案的崩塌。
因此，為了改善所曝光圖案的崩塌，並進一步改善製程中所需的光阻劑圖案的線寬粗糙度(LWR,Line Width Roughness)和缺陷，需要找到相比於四甲基氫氧化銨對曝光圖案產生的影響相對更小的鹼性物質。
本發明確認了使用氟系界面活性劑，在此基礎上使用由三元醇(Triol)衍生物、四元醇(Tetraol)衍生物或它們的混合物所組成的群組中選出的物質時，能夠改善LWR或包含圖案崩塌的缺陷。
根據本發明一較佳實施例，提供一種用於改善光阻劑顯影期間發生的光阻劑圖案的剝離缺陷程度的製程液體組成物，該組成物包含：0.00001至0.1重量%的氟系界面活性劑；0.00001至1.0重量%之由三元醇(Triol)衍生物、四元醇(Tetraol)衍生物或它們的混合物所組成的群組中選出的物質；以及餘量的水，且表面張力為45mN/m(毫牛頓/公尺，毫牛頓/公尺=1/1000牛頓/公尺)以下，接觸角為65°以下。
此外，根據本發明更佳的第二實施例，提供一種用於改善光阻劑顯影期間發生的光阻劑圖案的剝離缺陷程度的製程液體組成物，該組成物包含：0.0001至0.1重量%的氟系界面活性劑；0.00001至1.0重量%之由三元醇(Triol)衍生物、四元醇(Tetraol)衍生物或它們的混合物所組成的群組中選出的物質；以及餘量的水，且表面張力為45mN/m以下，接觸角為65°以下。
並且，根據本發明最佳的第三實施例，提供一種用於改善光阻劑顯影期間發生的光阻劑圖案的剝離缺陷程度的製程液體組成物，該組成物包含：0.001至0.1重量%的氟系界面活性劑；0.00001至1.0重量%之由三元醇(Triol)衍生物、四元醇(Tetraol)衍生物或它們的混合物所組成的群組中選出的物質；以及餘量的水，且表面張力為45mN/m以下，接觸角為65°以下。
並且，根據本發明最佳的第四實施例，提供一種用於改善光阻劑顯影期間發生的光阻劑圖案的剝離缺陷程度的製程液體組成物，該組成物包含：0.001至0.1重量%的氟系界面活性劑；0.0001至1.0重量%之由三元醇(Triol)衍生物、四元醇(Tetraol)衍生物或它們的混合物所組成的群組中選出的物質；以及餘量的水，且表面張力為45mN/m以下，接觸角為65°以下。
並且，根據本發明最佳的第五實施例，提供一種用於改善光阻劑顯影期間發生的光阻劑圖案的剝離缺陷程度的製程液體組成物，該組成物包含：0.001至0.1重量%的氟系界面活性劑；0.001至1.0重量%之由三元醇(Triol)
衍生物、四元醇(Tetraol)衍生物或它們的混合物所組成的群組中選出的物質；以及餘量的水，且表面張力為45mN/m以下，接觸角為65°以下。
根據上述實施例的氟系界面活性劑可以選自氟丙烯酸羧酸鹽(Fluoroacryl carboxylate)、氟烷基醚(Fluoroalkyl ether)、氟亞烷基醚(Fluoroalkylene ether)、氟烷基硫酸鹽(Fluoroalkyl sulfate)、氟烷基磷酸鹽(Fluoroalkyl phosphate)、氟丙烯酸共聚物(Fluoroacryl co-polymer)、含氟共聚物(Fluoro co-polymer)、全氟酸(perfluorinated acid)、全氟羧酸鹽(perfluorinated carboxylate)、全氟磺酸鹽(perfluorianted sulfonate)或它們的混合物所組成的群組。
根據上述實施例的三元醇衍生物是C3~C10三元醇衍生物，可以選自由1,2,3-丙三醇、1,2,4-丁三醇、1,1,4-丁三醇、1,3,5-戊三醇、1,2,5-戊三醇、2,3,4-戊三醇、1,2,3-己三醇、1,2,6-己三醇、1,3,4-己三醇、1,4,5-己三醇、2,3,4-己三醇、1,2,3-庚三醇、1,2,4-庚三醇、1,2,6-庚三醇、1,3,5-庚三醇、1,4,7-庚三醇、2,3,4-庚三醇、2,4,6-庚三醇、1,2,8-辛三醇、1,3,5-辛三醇、1,4,7-辛三醇、丁-1,1,1-三醇、2-甲基-1,2,3-丙三醇、5-甲基己-1,2,3-三醇、2,6-二甲基-3-庚烯-2,4,6-三醇、苯-1,3,5-三酚、2-甲基-苯-1,2,3-三酚、5-甲基-苯-1,2,3-三酚、2,4,6-三甲基苯-1,3,5-三酚、萘-1,4,5-三酚、5,6,7,8-四氫萘-1,6,7-三酚、5-羥甲基苯-1,2,3-三酚、5-異丙基-2-甲基-5-環己烯-1,2,4-三醇、4-異丙基-4-環己烯-1,2,3-三醇或它們的混合物所組成的群組。
根據上述實施例的四元醇衍生物是C4~C14四元醇衍生物，選自由1,2,3,4-丁四醇、1,2,3,4-戊四醇、1,2,4,5-戊四醇、1,2,3,4-己四醇、1,2,3,5-己四醇、1,2,3,6-己四醇、1,2,4,5-己四醇、1,2,4,6-己四醇、1,2,5,6-己四醇、1,3,4,5-己四醇、1,3,4,6-己四醇、2,3,4,5-己四醇、1,2,6,7-庚四醇、2,3,4,5-庚四醇、1,1,1,2-辛四醇、1,2,7,8-辛四醇、1,2,3,8-辛四醇、1,3,5,7-辛四醇、2,3,5,7-辛四醇、4,5,6,7-辛四醇、3,7-二甲基-3-辛烯-1,2,6,7-四醇、3-己炔-1,2,5,6-四醇、2,5-二甲基-3-己炔-1,2,5,6-四醇、蒽-1,4,9,10-四酚或它們的混合物所組成的群組。
本發明提供一種光阻劑圖案形成方法，該方法包括：(a)在半導體基板上塗佈光阻劑以形成光阻劑膜；(b)對所述光阻劑膜進行曝光、顯影以形成光阻劑圖案；以及(c)使用所述用於改善光阻劑圖案的剝離缺陷的製程液體組成物對所述光阻劑圖案進行洗滌。
圖案崩塌的原因被認為是由於在顯影後使用純水洗滌圖案時，在圖案之間產生的毛細管力而引起的，但是經過長期無數的研究可知僅減少毛細管力也無法完全改善圖案崩塌及減少缺陷數量。
在為了減少毛細管力而以降低製程液體組成物的表面張力為目的，過量地使用不適合的界面活性劑時，可能引起圖案的溶解，從而進一步引起圖案剝離的缺陷。
為了改善圖案剝離缺陷並減少缺陷數量，重要的是選擇一種能夠降低製程液體組成物的表面張力並防止光阻劑圖案溶解的界面活性劑。
本發明的製程液體組成物對光阻劑具有優異的效果，尤其是對於具有與光阻劑表面的水的接觸角成75°以上的疏水性的光阻劑，具有改善該光阻劑的顯影期間發生的圖案剝離缺陷的效果。
本發明的製程液體組成物，在使用具有與光阻劑表面的水的接觸角成75°以上的疏水性的光阻劑來形成圖案時，具有改善圖案剝離缺陷的效果，這是單獨使用光阻劑無法達到的效果，尤其是，包括使用這種製程液體組成物進行洗滌步驟的光阻劑圖案形成方法，顯示出大幅降低生產成本的效果。
圖1是評估根據實施例1之光阻劑圖案的剝離結果。
圖2是評估根據比較實驗例1之光阻劑圖案的剝離結果。
以下詳細說明本發明。
經過無數研究開發出的本發明，涉及一種用於改善光阻劑圖案的剝離缺陷的製程液體組成物，該組成物包含：0.00001至0.1重量%的氟系界面活性劑，選自由氟丙烯酸羧酸鹽(Fluoroacryl carboxylate)、氟烷基醚(Fluoroalkyl ether)、氟亞烷基醚(Fluoroalkylene ether)、氟烷基硫酸鹽(Fluoroalkyl sulfate)、氟烷基磷酸鹽(Fluoroalkyl phosphate)、氟丙烯酸共聚物(Fluoroacryl co-polymer)、含氟共聚物(Fluoro co-polymer)、全氟酸(perfluorinated acid)、全氟羧酸鹽(perfluorinated carboxylate)、全氟磺酸鹽(perfluorianted sulfonate)
或他們的混合物所組成的群組；0.00001至1.0重量%的三元醇衍生物或四元醇衍生物或者它們的混合物；以及餘量的水；其中，該三元醇衍生物是C3~C10三元醇衍生物，選自由1,2,3-丙三醇、1,2,4-丁三醇、1,1,4-丁三醇、1,3,5-戊三醇、1,2,5-戊三醇、2,3,4-戊三醇、1,2,3-己三醇、1,2,6-己三醇、1,3,4-己三醇、1,4,5-己三醇、2,3,4-己三醇、1,2,3-庚三醇、1,2,4-庚三醇、1,2,6-庚三醇、1,3,5-庚三醇、1,4,7-庚三醇、2,3,4-庚三醇、2,4,6-庚三醇、1,2,8-辛三醇、1,3,5-辛三醇、1,4,7-辛三醇、丁-1,1,1-三醇、2-甲基-1,2,3-丙三醇、5-甲基己-1,2,3-三醇、2,6-二甲基-3-庚烯-2,4,6-三醇、苯-1,3,5-三酚、2-甲基-苯-1,2,3-三酚、5-甲基-苯-1,2,3-三酚、2,4,6-三甲基苯-1,3,5-三酚、萘-1,4,5-三酚、5,6,7,8-四氫萘-1,6,7-三酚、5-羥甲基苯-1,2,3-三酚、5-異丙基-2-甲基-5-環己烯-1,2,4-三醇、4-異丙基-4-環己烯-1,2,3-三醇或它們的混合物所組成的群組；該四元醇衍生物是C4~C14四元醇衍生物，選自由1,2,3,4-丁四醇、1,2,3,4-戊四醇、1,2,4,5-戊四醇、1,2,3,4-己四醇、1,2,3,5-己四醇、1,2,3,6-己四醇、1,2,4,5-己四醇、1,2,4,6-己四醇、1,2,5,6-己四醇、1,3,4,5-己四醇、1,3,4,6-己四醇、2,3,4,5-己四醇、1,2,6,7-庚四醇、2,3,4,5-庚四醇、1,1,1,2-辛四醇、1,2,7,8-辛四醇、1,2,3,8-辛四醇、1,3,5,7-辛四醇、2,3,5,7-辛四醇、4,5,6,7-辛四醇、3,7-二甲基-3-辛烯-1,2,6,7-四醇、3-己炔-1,2,5,6-四醇、2,5-二甲基-3-己炔-1,2,5,6-四醇、蒽-1,4,9,10-四酚或它們的混合物所組成的群組。這種本發明的製程液體組成物的組成成分及組成比按照實施例1至實施例80設定，與此相對的組成成分及組成比按照比較例1至比較例13設定。
以下對本發明的較佳實施例及用於與之比較的比較例進行詳細說明。但是下列實施例僅是本發明的較佳實施例，本發明並不由這些實施例限定。
[實施例1]
按照下列方法，製造含有0.001重量%的氟丙烯酸羧酸鹽、0.01重量%的1,2,3-丙三醇之用於改善光阻劑圖案的崩塌程度的製程液體組成物。
將0.001重量%的氟丙烯酸羧酸鹽、0.01重量%的1,2,3-丙三醇加到餘量的蒸餾水中，攪拌5小時後，經0.01um過濾器去除精細固體雜質，製造用於改善光阻劑圖案的崩塌程度的製程液體組成物。
[實施例2~實施例80]
按照表1至表15記載的組成，製造用於改善與實施例1相同的光阻劑圖案的缺陷程度的製程液體組成物。
[比較例1]
準備通常在半導體元件製造過程的顯影程序中用作最後洗滌液的蒸餾水。
[比較例2~比較例13]
為了與實施例進行比較，按照表1至表15記載的組成，以與實施例1相同的方法製造製程液體組成物。
[實驗例1~實驗例80、比較實驗例1~比較實驗例13]
對實施例1~實施例80及比較例1~比較例13中，其上形成有圖案的矽晶圓進行圖案剝離缺陷的測定，以實驗例1~實驗例80、比較實驗例1~比較實驗例13表示，並將結果記載於表16。
(1)防止圖案剝離的確認
在將曝光能量與焦點分開(
)後，利用關鍵尺寸掃描式電子顯微鏡(CD-SEM,Hitachi)，測定了全部89個區塊中圖案沒有崩塌的區塊(block)數量。
(2)透明度
用肉眼觀察所製造的製程液體組成物的透明度，並表示為透明或不透明。
(3)表面張力、接觸角
利用表面張力測定儀(K-100,Kruss公司產品)、接觸角測定儀(DSA-100,Kruss公司產品)，分別測定所製造的製程液體組成物的表面張力和接觸角。
表1
表2
表3
表4
表5
表6
表7
表8
表9
表10
表11
表12
表13
表14
表15
[實驗例1~實驗例80，比較實驗例1~比較實驗例13]
對實施例1~實施例80及比較例1~比較例13中，其上形成有圖案的矽晶圓進行圖案剝離缺陷程度及透明度、接觸角、表面張力的測定，以實驗例1~實驗例80、比較實驗例1~比較實驗例13表示，並將結果記載於表16。
(1)防止圖案剝離的確認
在將曝光能量與焦點分開(
)後，利用關鍵尺寸掃描式電子顯微鏡(CD-SEM,Hitachi)，測定了全部89個區塊中圖案沒有崩塌的區塊(block)數量。
(2)透明度
用肉眼觀察所製造的製程液體組成物的透明度，並表示為透明或不透明。
(3)接觸角、表面張力
利用接觸角測定儀(DSA-100,Kruss公司產品)、表面張力測定儀(K-100,Kruss公司產品)，分別測定所製造的製程液體組成物的接觸角和表面張力。
表16
基於長期無數的研究結果，透過將實驗例1至實驗例80與比較實驗例1至比較實驗例13進行比較，結果可以發現全部89個區塊中，沒有圖案崩塌的區塊數量為50個以上，且透明度為透明，即，顯示優異的改善效果。與實驗例1至實驗例60對應的製程液體組成物包含：0.00001至0.1重量%的氟系界面活性劑，選自由氟丙烯酸羧酸鹽(Fluoroacryl carboxylate)、氟烷基醚(Fluoroalkyl ether)、氟亞烷基醚(Fluoroalkylene ether)、氟烷基硫酸鹽(Fluoroalkyl sulfate)、氟烷基磷酸鹽(Fluoroalkyl phosphate)、氟丙烯酸共聚物(Fluoroacryl co-polymer)、含氟共聚物(Fluoro co-polymer)、全氟酸(perfluorinated acid)、全氟羧酸鹽(perfluorinated carboxylate)、全氟磺酸鹽(perfluorianted sulfonate)或他們的混合物所組成的群組；0.00001至1.0重量%的三元醇衍生物或四元醇衍生物或者它們的混合物；以及98.9至99.99998重量%的水；其中，該三元醇衍生物是C3~C10三元醇衍生物，選自由1,2,3-丙三醇、1,2,4-丁三醇、1,1,4-丁三醇、1,3,5-戊三醇、1,2,5-戊三醇、2,3,4-戊三醇、1,2,3-己三醇、1,2,6-己三醇、1,3,4-己三醇、1,4,5-己三醇、2,3,4-己三醇、1,2,3-庚三醇、1,2,4-庚三醇、1,2,6-庚三醇、1,3,5-庚三醇、1,4,7-庚三醇、2,3,4-庚三醇、2,4,6-庚三醇、1,2,8-辛三醇、1,3,5-辛三醇、1,4,7-辛三醇、丁-1,1,1-三醇、2-甲基-1,2,3-丙三醇、5-甲基己-1,2,3-三醇、2,6-二甲基-3-庚烯-2,4,6-三醇、苯-1,3,5-三酚、2-甲基-苯-1,2,3-三酚、5-甲基-苯-1,2,3-三酚、2,4,6-三甲基苯-1,3,5-三酚、萘-1,4,5-三酚、5,6,7,8-四氫萘-1,6,7-三酚、5-羥甲基苯-1,2,3-三酚、5-異丙基-2-甲基-5-環己烯-1,2,4-三醇、4-異丙基-4-環己烯-1,2,3-三醇或它們的混合物所組成的群組；該四元醇衍生物是C4~C14四元醇衍生物，選自由1,2,3,4-丁四醇、1,2,3,4-戊四醇、1,2,4,5-戊四醇、1,2,3,4-己四醇、1,2,3,5-己四醇、1,2,3,6-己四醇、1,2,4,5-己四醇、1,2,4,6-己四醇、1,2,5,6-己四醇、1,3,4,5-己四醇、1,3,4,6-己四醇、2,3,4,5-己四醇、1,2,6,7-庚四醇、2,3,4,5-庚四醇、1,1,1,2-辛四醇、1,2,7,8-辛四醇、1,2,3,8-辛四醇、1,3,5,7-辛四醇、2,3,5,7-辛四醇、4,5,6,7-辛四醇、3,7-二甲基-3-辛烯-1,2,6,7-四醇、3-己炔-1,2,5,6-四醇、2,5-二甲基-3-己炔-1,2,5,6-四醇、蒽-1,4,9,10-四酚或它們的混合物所組成的群組。此時，發現相比於比較實驗例1至比較實驗例13，確認改善了圖案剝離缺陷。
此外，與實驗例1至實驗例80對應的製程液體組成物包含：0.0001至0.1重量%的氟系界面活性劑，選自由氟丙烯酸羧酸鹽(Fluoroacryl
carboxylate)、氟烷基醚(Fluoroalkyl ether)、氟亞烷基醚(Fluoroalkylene ether)、氟烷基硫酸鹽(Fluoroalkyl sulfate)、氟烷基磷酸鹽(Fluoroalkyl phosphate)、氟丙烯酸共聚物(Fluoroacryl co-polymer)、含氟共聚物(Fluoro co-polymer)、全氟酸(perfluorinated acid)、全氟羧酸鹽(perfluorinated carboxylate)、全氟磺酸鹽(perfluorianted sulfonate)或他們的混合物所組成的群組；0.00001至1.0重量%的三元醇衍生物或四元醇衍生物或者它們的混合物；以及餘量的水；其中，該三元醇衍生物是C3~C10三元醇衍生物，選自由1,2,3-丙三醇、1,2,4-丁三醇、1,1,4-丁三醇、1,3,5-戊三醇、1,2,5-戊三醇、2,3,4-戊三醇、1,2,3-己三醇、1,2,6-己三醇、1,3,4-己三醇、1,4,5-己三醇、2,3,4-己三醇、1,2,3-庚三醇、1,2,4-庚三醇、1,2,6-庚三醇、1,3,5-庚三醇、1,4,7-庚三醇、2,3,4-庚三醇、2,4,6-庚三醇、1,2,8-辛三醇、1,3,5-辛三醇、1,4,7-辛三醇、丁-1,1,1-三醇、2-甲基-1,2,3-丙三醇、5-甲基己-1,2,3-三醇、2,6-二甲基-3-庚烯-2,4,6-三醇、苯-1,3,5-三酚、2-甲基-苯-1,2,3-三酚、5-甲基-苯-1,2,3-三酚、2,4,6-三甲基苯-1,3,5-三酚、萘-1,4,5-三酚、5,6,7,8-四氫萘-1,6,7-三酚、5-羥甲基苯-1,2,3-三酚、5-異丙基-2-甲基-5-環己烯-1,2,4-三醇、4-異丙基-4-環己烯-1,2,3-三醇或它們的混合物所組成的群組；該四元醇衍生物是C4~C14四元醇，選自由1,2,3,4-丁四醇、1,2,3,4-戊四醇、1,2,4,5-戊四醇、1,2,3,4-己四醇、1,2,3,5-己四醇、1,2,3,6-己四醇、1,2,4,5-己四醇、1,2,4,6-己四醇、1,2,5,6-己四醇、1,3,4,5-己四醇、1,3,4,6-己四醇、2,3,4,5-己四醇、1,2,6,7-庚四醇、2,3,4,5-庚四醇、1,1,1,2-辛四醇、1,2,7,8-辛四醇、1,2,3,8-辛四醇、1,3,5,7-辛四醇、2,3,5,7-辛四醇、4,5,6,7-辛四醇、3,7-二甲基-3-辛烯-1,2,6,7-四醇、3-己炔-1,2,5,6-四醇、2,5-二甲基-3-己炔-1,2,5,6-四醇、蒽-1,4,9,10-四酚或它們的混合物所組成的群組。此時，發現相比於比較實驗例1至比較實驗例13，可以確認圖案剝離缺陷的改善效果理想地增加。
並且，與實驗例1至實驗例80對應的製程液體組成物包含：0.001至0.1重量%的氟系界面活性劑，選自由氟丙烯酸羧酸鹽(Fluoroacryl carboxylate)、氟烷基醚(Fluoroalkyl ether)、氟亞烷基醚(Fluoroalkylene ether)、氟烷基硫酸鹽(Fluoroalkyl sulfate)、氟烷基磷酸鹽(Fluoroalkyl phosphate)、氟丙烯酸共聚物(Fluoroacryl co-polymer)、含氟共聚物(Fluoro co-polymer)、全氟酸(perfluorinated acid)、全氟羧酸鹽(perfluorinated carboxylate)、全氟磺酸鹽(perfluorianted sulfonate)或他們的混合物所組成的群組；0.00001至1.0
重量%的三元醇衍生物或四元醇衍生物或者它們的混合物；以及餘量的水；其中，該三元醇衍生物是C3~C10三元醇衍生物，選自由1,2,3-丙三醇、1,2,4-丁三醇、1,1,4-丁三醇、1,3,5-戊三醇、1,2,5-戊三醇、2,3,4-戊三醇、1,2,3-己三醇、1,2,6-己三醇、1,3,4-己三醇、1,4,5-己三醇、2,3,4-己三醇、1,2,3-庚三醇、1,2,4-庚三醇、1,2,6-庚三醇、1,3,5-庚三醇、1,4,7-庚三醇、2,3,4-庚三醇、2,4,6-庚三醇、1,2,8-辛三醇、1,3,5-辛三醇、1,4,7-辛三醇、丁-1,1,1-三醇、2-甲基-1,2,3-丙三醇、5-甲基己-1,2,3-三醇、2,6-二甲基-3-庚烯-2,4,6-三醇、苯-1,3,5-三酚、2-甲基-苯-1,2,3-三酚、5-甲基-苯-1,2,3-三酚、2,4,6-三甲基苯-1,3,5-三酚、萘-1,4,5-三酚、5,6,7,8-四氫萘-1,6,7-三酚、5-羥甲基苯-1,2,3-三酚、5-異丙基-2-甲基-5-環己烯-1,2,4-三醇、4-異丙基-4-環己烯-1,2,3-三醇或它們的混合物所組成的群組；該四元醇衍生物是C4~C14四元醇衍生物，選自由1,2,3,4-丁四醇、1,2,3,4-戊四醇、1,2,4,5-戊四醇、1,2,3,4-己四醇、1,2,3,5-己四醇、1,2,3,6-己四醇、1,2,4,5-己四醇、1,2,4,6-己四醇、1,2,5,6-己四醇、1,3,4,5-己四醇、1,3,4,6-己四醇、2,3,4,5-己四醇、1,2,6,7-庚四醇、2,3,4,5-庚四醇、1,1,1,2-辛四醇、1,2,7,8-辛四醇、1,2,3,8-辛四醇、1,3,5,7-辛四醇、2,3,5,7-辛四醇、4,5,6,7-辛四醇、3,7-二甲基-3-辛烯-1,2,6,7-四醇、3-己炔-1,2,5,6-四醇、2,5-二甲基-3-己炔-1,2,5,6-四醇、蒽-1,4,9,10-四酚或它們的混合物所組成的群組。此時，發現相比於比較實驗例1至比較實驗例13，可以確認圖案剝離缺陷的改善效果更加理想的增加。
並且，與實驗例1至實驗例80對應的製程液體組成物包含：0.001至0.1重量%的氟系界面活性劑，選自由氟丙烯酸羧酸鹽(Fluoroacryl carboxylate)、氟烷基醚(Fluoroalkyl ether)、氟亞烷基醚(Fluoroalkylene ether)、氟烷基硫酸鹽(Fluoroalkyl sulfate)、氟烷基磷酸鹽(Fluoroalkyl phosphate)、氟丙烯酸共聚物(Fluoroacryl co-polymer)、含氟共聚物(Fluoro co-polymer)、全氟酸(perfluorinated acid)、全氟羧酸鹽(perfluorinated carboxylate)、全氟磺酸鹽(perfluorianted sulfonate)或他們的混合物所組成的群組；0.0001至1.0重量%的三元醇衍生物或四元醇衍生物或者它們的混合物；以及餘量的水；其中，該三元醇衍生物是C3~C10三元醇衍生物，選自由1,2,3-丙三醇、1,2,4-丁三醇、1,1,4-丁三醇、1,3,5-戊三醇、1,2,5-戊三醇、2,3,4-戊三醇、1,2,3-己三醇、1,2,6-己三醇、1,3,4-己三醇、1,4,5-己三醇、2,3,4-己三醇、1,2,3-庚三醇、1,2,4-庚三醇、1,2,6-庚三醇、1,3,5-庚三醇、1,4,7-庚三醇、2,3,4-庚三醇、2,4,6-庚三醇、
1,2,8-辛三醇、1,3,5-辛三醇、1,4,7-辛三醇、丁-1,1,1-三醇、2-甲基-1,2,3-丙三醇、5-甲基己-1,2,3-三醇、2,6-二甲基-3-庚烯-2,4,6-三醇、苯-1,3,5-三酚、2-甲基-苯-1,2,3-三酚、5-甲基-苯-1,2,3-三酚、2,4,6-三甲基苯-1,3,5-三酚、萘-1,4,5-三酚、5,6,7,8-四氫萘-1,6,7-三酚、5-羥甲基苯-1,2,3-三酚、5-異丙基-2-甲基-5-環己烯-1,2,4-三醇、4-異丙基-4-環己烯-1,2,3-三醇或它們的混合物所組成的群組；該四元醇衍生物是C4~C14四元醇衍生物，選自由1,2,3,4-丁四醇、1,2,3,4-戊四醇、1,2,4,5-戊四醇、1,2,3,4-己四醇、1,2,3,5-己四醇、1,2,3,6-己四醇、1,2,4,5-己四醇、1,2,4,6-己四醇、1,2,5,6-己四醇、1,3,4,5-己四醇、1,3,4,6-己四醇、2,3,4,5-己四醇、1,2,6,7-庚四醇、2,3,4,5-庚四醇、1,1,1,2-辛四醇、1,2,7,8-辛四醇、1,2,3,8-辛四醇、1,3,5,7-辛四醇、2,3,5,7-辛四醇、4,5,6,7-辛四醇、3,7-二甲基-3-辛烯-1,2,6,7-四醇、3-己炔-1,2,5,6-四醇、2,5-二甲基-3-己炔-1,2,5,6-四醇、蒽-1,4,9,10-四酚或它們的混合物所組成的群組。此時，發現相比於比較實驗例1至比較實驗例13，可以確認圖案剝離缺陷的改善效果更加進一步理想的增加。
並且，與實驗例1至實驗例80對應的製程液體組成物包含：0.001至0.1重量%的氟系界面活性劑，選自由氟丙烯酸羧酸鹽(Fluoroacryl carboxylate)、氟烷基醚(Fluoroalkyl ether)、氟亞烷基醚(Fluoroalkylene ether)、氟烷基硫酸鹽(Fluoroalkyl sulfate)、氟烷基磷酸鹽(Fluoroalkyl phosphate)、氟丙烯酸共聚物(Fluoroacryl co-polymer)、含氟共聚物(Fluoro co-polymer)、全氟酸(perfluorinated acid)、全氟羧酸鹽(perfluorinated carboxylate)、全氟磺酸鹽(perfluorianted sulfonate)或他們的混合物所組成的群組；0.001至1.0重量%的三元醇衍生物或四元醇衍生物或者它們的混合物；以及餘量的水；其中，該三元醇衍生物是C3~C10三元醇衍生物，選自由1,2,3-丙三醇、1,2,4-丁三醇、1,1,4-丁三醇、1,3,5-戊三醇、1,2,5-戊三醇、2,3,4-戊三醇、1,2,3-己三醇、1,2,6-己三醇、1,3,4-己三醇、1,4,5-己三醇、2,3,4-己三醇、1,2,3-庚三醇、1,2,4-庚三醇、1,2,6-庚三醇、1,3,5-庚三醇、1,4,7-庚三醇、2,3,4-庚三醇、2,4,6-庚三醇、1,2,8-辛三醇、1,3,5-辛三醇、1,4,7-辛三醇、丁-1,1,1-三醇、2-甲基-1,2,3-丙三醇、5-甲基己-1,2,3-三醇、2,6-二甲基-3-庚烯-2,4,6-三醇、苯-1,3,5-三酚、2-甲基-苯-1,2,3-三酚、5-甲基-苯-1,2,3-三酚、2,4,6-三甲基苯-1,3,5-三酚、萘-1,4,5-三酚、5,6,7,8-四氫萘-1,6,7-三酚、5-羥甲基苯-1,2,3-三酚、5-異丙基-2-甲基-5-環己烯-1,2,4-三醇、4-異丙基-4-環己烯-1,2,3-三醇或它們的混合物所組成的群組；該四元醇衍生
物是C4~C14四元醇衍生物，選自由1,2,3,4-丁四醇、1,2,3,4-戊四醇、1,2,4,5-戊四醇、1,2,3,4-己四醇、1,2,3,5-己四醇、1,2,3,6-己四醇、1,2,4,5-己四醇、1,2,4,6-己四醇、1,2,5,6-己四醇、1,3,4,5-己四醇、1,3,4,6-己四醇、2,3,4,5-己四醇、1,2,6,7-庚四醇、2,3,4,5-庚四醇、1,1,1,2-辛四醇、1,2,7,8-辛四醇、1,2,3,8-辛四醇、1,3,5,7-辛四醇、2,3,5,7-辛四醇、4,5,6,7-辛四醇、3,7-二甲基-3-辛烯-1,2,6,7-四醇、3-己炔-1,2,5,6-四醇、2,5-二甲基-3-己炔-1,2,5,6-四醇、蒽-1,4,9,10-四酚或它們的混合物所組成的群組。此時，發現相比於比較實驗例1至比較實驗例13，可以確認圖案剝離缺陷的改善效果最理想的增加。
評估根據實施例1之光阻劑圖案的崩塌程度的結果如圖1所示，沒有發生圖案崩塌的區塊(bolck)的數量測定為82個，顯示出最優異的效果。
評估根據比較實驗例1之光阻劑圖案的崩塌程度的結果如圖2所示，沒有發生圖案崩塌的區塊(bolck)的數量測定為45個。
以上對本發明的特定部分詳細說明，對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者顯而易見的是，這種具體技術僅僅是較佳的實施形態而已，本發明的範圍並不由此界定。因此本發明實質的保護範圍是由隨附的申請專利範圍及其均等物來界定。
Claims (8)
- 一種製程液體組成物，用於改善包含界面活性劑的光阻劑圖案的剝離缺陷，其為在光阻劑圖案製程中用於改善光阻劑圖案的剝離缺陷的製程液體組成物，該光阻劑圖案具有與光阻劑表面的水的接觸角成75°以上的疏水性，該製程液體組成物的表面張力為45mN/m以下，且接觸角為65°以下，其中，該製程液體組成物包含：0.00001至0.1重量%的氟系界面活性劑；0.00001至1.0重量%之由三元醇衍生物、四元醇衍生物或它們的混合物所組成的群組中選出的物質；以及餘量的水。
- 如請求項1所述之製程液體組成物，其中，該氟系界面活性劑的含量為0.0001至0.1重量%。
- 如請求項2所述之製程液體組成物，其中，該氟系界面活性劑的含量為0.001至0.1重量%。
- 如請求項3所述之製程液體組成物，其中，該由三元醇衍生物、四元醇衍生物或它們的混合物所組成的群組中選出的物質的含量為0.0001至1.0重量%。
- 如請求項4所述之製程液體組成物，其中，該由三元醇衍生物、四元醇衍生物或它們的混合物所組成的群組中選出的物質的含量為0.001至1.0重量%。
- 如請求項1所述之製程液體組成物，其中，所述氟系界面活性劑係選自由氟丙烯酸羧酸鹽(Fluoroacryl carboxylate)、氟烷基醚(Fluoroalkyl ether)、氟亞烷基醚(Fluoroalkylene ether)、氟烷基硫酸鹽(Fluoroalkyl sulfate)、氟烷基磷酸鹽(Fluoroalkyl phosphate)、氟丙烯酸共聚物(Fluoroacryl co-polymer)、含氟共聚物(Fluoro co-polymer)、全氟酸(perfluorinated acid)、全氟羧酸鹽(perfluorinated carboxylate)、全氟磺酸鹽(perfluorianted sulfonate)或它們的混合物所組成的群組。
- 如請求項1所述之製程液體組成物，其中，所述三元醇衍生物和所述四元醇衍生物分別為：C3~C10三元醇衍生物，選自由1,2,3-丙三醇、1,2,4-丁三醇、1,1,4-丁三醇、1,3,5-戊三醇、1,2,5-戊三醇、2,3,4-戊三醇、1,2,3-己三醇、1,2,6-己三醇、1,3,4-己三醇、1,4,5-己三醇、2,3,4-己三醇、1,2,3-庚三醇、1,2,4-庚三醇、1,2,6-庚三醇、1,3,5-庚三醇、1,4,7-庚三醇、2,3,4-庚三醇、2,4,6-庚三醇、1,2,8-辛三醇、1,3,5-辛三醇、1,4,7-辛三醇、丁-1,1,1-三醇、2-甲基-1,2,3-丙三醇、5-甲基己-1,2,3-三醇、2,6-二甲基-3-庚烯-2,4,6-三醇、苯-1,3,5-三酚、2-甲基-苯-1,2,3-三酚、5-甲基-苯-1,2,3-三酚、2,4,6-三甲基苯-1,3,5-三酚、萘-1,4,5-三酚、5,6,7,8-四氫萘-1,6,7-三酚、5-羥甲基苯-1,2,3-三酚、5-異丙基-2-甲基-5-環己烯-1,2,4-三醇、4-異丙基-4-環己烯-1,2,3-三醇或它們的混合物所組成的群組；以及C4~C14四元醇衍生物，選自由1,2,3,4-丁四醇、1,2,3,4-戊四醇、1,2,4,5-戊四醇、1,2,3,4-己四醇、1,2,3,5-己四醇、1,2,3,6-己四醇、1,2,4,5-己四醇、1,2,4,6-己四醇、1,2,5,6-己四醇、1,3,4,5-己四醇、1,3,4,6-己四醇、2,3,4,5-己四醇、1,2,6,7-庚四醇、2,3,4,5-庚四醇、1,1,1,2-辛四醇、1,2,7,8-辛四醇、1,2,3,8-辛四醇、1,3,5,7-辛四醇、2,3,5,7-辛四醇、4,5,6,7-辛四醇、3,7-二甲基-3-辛烯-1,2,6,7-四醇、3-己炔-1,2,5,6-四醇、2,5-二甲基-3-己炔-1,2,5,6-四醇、蒽-1,4,9,10-四酚或它們的混合物所組成的群組。
- 一種光阻劑圖案形成方法，包括：(a)在半導體基板上塗佈光阻劑以形成光阻劑膜；(b)對所述光阻劑膜進行曝光、顯影以形成光阻劑圖案；以及(c)使用如請求項1至7中任一項所述之製程液體組成物對所述光阻劑圖案進行洗滌。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2019-0118885 | 2019-09-26 | ||
| KR1020190118885A KR102100432B1 (ko) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 포토 리소그래피용 공정액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202113051A TW202113051A (zh) | 2021-04-01 |
| TWI734541B true TWI734541B (zh) | 2021-07-21 |
Family
ID=70678809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109121913A TWI734541B (zh) | 2019-09-26 | 2020-06-29 | 用於光微影的製程液體組成物及使用該組成物的圖案形成方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220342313A1 (zh) |
| EP (1) | EP4036648A4 (zh) |
| JP (1) | JP7349013B2 (zh) |
| KR (1) | KR102100432B1 (zh) |
| CN (1) | CN114450640A (zh) |
| TW (1) | TWI734541B (zh) |
| WO (1) | WO2021060672A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102251232B1 (ko) * | 2020-09-11 | 2021-05-12 | 영창케미칼 주식회사 | 극자외선 포토 리소그래피용 공정액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
| KR102547094B1 (ko) * | 2022-11-18 | 2023-06-23 | 와이씨켐 주식회사 | 극자외선 리소그래피용 린스액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011197103A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 感光性樹脂凸版印刷版の製造方法 |
| TW201510213A (zh) * | 2013-07-11 | 2015-03-16 | Basf Se | 於光罩清潔之調配物中具有至少三條短鏈全氟基團之界面活性劑的用途 |
| TW201936915A (zh) * | 2017-11-28 | 2019-09-16 | 德商巴斯夫歐洲公司 | 包含一級和二級界面活性劑之用於清理或清洗產品的組成物 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4495777B2 (ja) * | 1997-08-08 | 2010-07-07 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成体およびパターン形成方法 |
| TW591341B (en) * | 2001-09-26 | 2004-06-11 | Shipley Co Llc | Coating compositions for use with an overcoated photoresist |
| KR100610453B1 (ko) * | 2001-12-12 | 2006-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정액 조성물 |
| JP3858730B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2006-12-20 | 富士通株式会社 | レジストパターン改善化材料およびそれを用いたパターンの製造方法 |
| JP3707780B2 (ja) * | 2002-06-24 | 2005-10-19 | 東京応化工業株式会社 | パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法 |
| KR20080009970A (ko) * | 2006-07-25 | 2008-01-30 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 현상액 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴형성 방법 |
| KR20090017129A (ko) * | 2007-08-14 | 2009-02-18 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 포토레지스트 린스용 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트패턴 형성방법 |
| JP2009194049A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Sanyo Chem Ind Ltd | 銅配線半導体用洗浄剤 |
| EP2479616A1 (en) * | 2011-01-25 | 2012-07-25 | Basf Se | The use of surfactants having at least three short-chain perfluorinated groups Rf for manufacturing integrated circuits having patterns with line-space dimensions below 50 nm |
| US9454082B2 (en) * | 2013-01-29 | 2016-09-27 | 3M Innovative Properties Company | Surfactants and methods of making and using same |
| JP2016183258A (ja) * | 2015-03-26 | 2016-10-20 | Jnc株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物 |
| US20170066208A1 (en) * | 2015-09-08 | 2017-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
| JP2017187609A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | ギャップフィリング組成物および低分子化合物を用いたパターン形成方法 |
| EP3472671B1 (en) * | 2016-06-20 | 2024-06-26 | Merck Patent GmbH | A rinse composition, a method for forming resist patterns and a method for making semiconductor devices |
-
2019
- 2019-09-26 KR KR1020190118885A patent/KR102100432B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-06-24 WO PCT/KR2020/008142 patent/WO2021060672A1/ko unknown
- 2020-06-24 CN CN202080068084.6A patent/CN114450640A/zh active Pending
- 2020-06-24 EP EP20867611.4A patent/EP4036648A4/en active Pending
- 2020-06-24 JP JP2022516312A patent/JP7349013B2/ja active Active
- 2020-06-24 US US17/641,229 patent/US20220342313A1/en active Pending
- 2020-06-29 TW TW109121913A patent/TWI734541B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011197103A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 感光性樹脂凸版印刷版の製造方法 |
| TW201510213A (zh) * | 2013-07-11 | 2015-03-16 | Basf Se | 於光罩清潔之調配物中具有至少三條短鏈全氟基團之界面活性劑的用途 |
| TW201936915A (zh) * | 2017-11-28 | 2019-09-16 | 德商巴斯夫歐洲公司 | 包含一級和二級界面活性劑之用於清理或清洗產品的組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP4036648A1 (en) | 2022-08-03 |
| JP2022548257A (ja) | 2022-11-17 |
| JP7349013B2 (ja) | 2023-09-21 |
| EP4036648A4 (en) | 2023-04-05 |
| CN114450640A (zh) | 2022-05-06 |
| US20220342313A1 (en) | 2022-10-27 |
| TW202113051A (zh) | 2021-04-01 |
| KR102100432B1 (ko) | 2020-05-15 |
| WO2021060672A1 (ko) | 2021-04-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI734541B (zh) | 用於光微影的製程液體組成物及使用該組成物的圖案形成方法 | |
| TWI780850B (zh) | 用於極紫外線微影技術的製程溶液組成物及利用該組成物的圖案形成方法 | |
| CN108885410A (zh) | 电子材料制造用药液的制造方法、图案形成方法、半导体装置的制造方法、电子材料制造用药液、容器及品质检查方法 | |
| JP2005220350A (ja) | 洗浄液組成物及びこれを用いた半導体装置の洗浄方法 | |
| JP2023025168A (ja) | 極紫外線リソグラフィー用工程液組成物、及びこれを用いるパターン形成方法 | |
| TW202421767A (zh) | 用於極紫外線微影技術的清洗組成物及利用該組成物的圖案形成方法 | |
| TWI726755B (zh) | 用於微影的製程液體組成物及使用該組成物的圖案形成方法 | |
| US11624984B2 (en) | Process liquid composition for extreme ultraviolet lithography and pattern forming method using same | |
| TWI718754B (zh) | 用於極紫外光微影的製程液體及使用該製程液體的圖案形成方法 | |
| JPH08305032A (ja) | 反射防止コーティング用組成物 | |
| TWI326011B (en) | Process for preventing development defects and composition used therein | |
| TW201932997A (zh) | 用於以極紫外線形成光敏光阻圖案的顯影劑組成物 | |
| JP2010102048A (ja) | レジスト膜の保護層用トップコート組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |