TWI732549B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI732549B
TWI732549B TW109115780A TW109115780A TWI732549B TW I732549 B TWI732549 B TW I732549B TW 109115780 A TW109115780 A TW 109115780A TW 109115780 A TW109115780 A TW 109115780A TW I732549 B TWI732549 B TW I732549B
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朴容煥
李聖俊
金鍾石
鄭銀愛
鄭昌容
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南韓商三星顯示器有限公司
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    • G06F2203/04102—Flexible digitiser, i.e. constructional details for allowing the whole digitising part of a device to be flexed or rolled like a sheet of paper
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    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
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    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
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    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
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    • H10K2102/311—Flexible OLED
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    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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Abstract

顯示裝置包括基底構件、電路層、顯示層、薄膜封裝層以及觸碰 傳感器層。基底構件包括第一區域以及鄰近第一區域設置的第二區域。電路層設置在基底構件上以覆蓋第一區域並暴露第二區域。顯示層設置在電路層上以顯示影像。薄膜封裝層設置在顯示層上。觸碰傳感器層設置在薄膜封裝層上且包括從薄膜封裝層的上部延伸以覆蓋暴露的第二區域的至少一部分的有機層。

Description

顯示裝置
相關申請的交叉引用
本申請要求於2016年7月29日提交的韓國專利申請No.10-2016-0097459的優先權和權益，該申請透過引用併入本文，用於所有目的，如同在此完全闡述。
示例性實施例係關於顯示設備。更具體地，本公開係關於能夠防止或減少裝置中的裂縫的發生的顯示裝置。
已經開發了用於諸如電視機、行動電話、平板電腦、導航單元、遊戲單元等的多媒體裝置的各種顯示裝置。作為顯示裝置的輸入裝置，鍵盤或滑鼠被廣泛使用。近年來，觸碰面板經常以作為顯示裝置的輸入裝置來使用。
本背景技術部分中公開的上述資訊僅用於增強對本發明概念的背景的理解，因此，對於本領域普通技術人員而言，它可以包含不形成在該國已知的習知技術的資訊。
示例性實施例提供了一種能夠防止當顯示裝置彎曲或折疊時發生斷裂的顯示裝置。
其他方面將在下面的詳細描述中闡述，並且部分地將從本公開中顯而易見，或者可以透過本發明構思的實踐來了解。
本發明的示例性實施例公開了一種顯示裝置，包括基底構件，電路層，顯示層，薄膜封裝層和觸碰傳感器層。基底構件包括第一區域和鄰近第一區域設置的第二區域。電路層設置在基底構件上以覆蓋第一區域並暴露第二區域。顯示層設置在電路層上以顯示影像。薄膜封裝層設置在顯示層上。觸碰傳感器層設置在薄膜封裝層上，並且包括從薄膜封裝層的上部延伸以覆蓋暴露的第二區域的至少一部分的有機層。
根據上述，當裝置彎曲或折疊時，可以防止顯示裝置中的斷裂。
上述一般性地描述和以下的詳細描述是示例性和說明性的，並且旨在提供申請專利範圍的主題的進一步說明。
10:第一絕緣層
20:第二絕緣層
30:第三絕緣層
AE:第一電極
AM1:第一黏合構件
AM2:第二黏合構件
AM3:第三黏合構件
AR1:第一區域
AR2:第二區域
AR1-1:第一子區域
AR1-2:第二子區域
BA:彎曲區域
BA1:第一彎曲區域
BA2:第二彎曲區域
BFL:緩衝層
BFL-A:第一緩衝部分
BFL-B:第二緩衝部分
BFL-OP:開口
BSM:基底構件
BS1-L:第一顯示面板表面
BS1-U:第二顯示面板表面
CE:第二電極
CH:接觸孔
CH1:第一接觸孔
CH2:第二接觸孔
CH3:第三接觸孔
CH4:第四接觸孔
CH5:第五接觸孔
CH6:第六接觸孔
CH7:第六接觸孔
CL:訊號線
CM-C:衝擊-吸收構件
CP1:第一連接部件
CP2:第二連接部件
Cst:儲存電容器
DA:顯示區域
DD:顯示裝置
DD-1:顯示裝置
DD-2:顯示裝置
DD-DA:顯示區域
DD-NDA:非顯示區域
DE:輸出電極
DE1:第一輸出電極
DE2:第二輸出電極
DE6:第六輸出電極
DL:數據線
DM:顯示模組
DM1:第一屏障部分
DM2:第二屏障部分
DM2-L1:第二屏障部分DM2的第一層
DM2-L2:第二屏障部分DM2的第二層
DM-C:減震構件
DM-CC:覆蓋構件
DM-CP:絕緣圖案
DM-C1:絕緣圖案DM-CP中的第一層
DM-C2:絕緣圖案DM-CP中的第二層
DP:有機發光顯示面板
DP-CL:電路層
DP-OLED:顯示層
DR1:第一方向
DR2:第二方向
DR3:第三方向
DR4:第四方向
DR5:第五方向
ECL:電子控制層
E-CNT:連接電極
EL:發光線
ELVSS:第二電壓
EML:有機發光層
EU:發光單元
E-VSS:電源線
GDC:閘極驅動電路
GE:控制電極
GE1:第一控制電極
GE2:第二控制電極
GE6:第六控制電極
GL:閘極線
HCL:控制層
IM:影像
IS:顯示表面
IOL1~IOLn:無機薄層
IOL3:第二無機薄層
IOL10:第一無機薄層
IOL20:第二無機薄層
LM:光學構件
NBA:非彎曲區域
NDA:非顯示區域
NPXA:非發光區域
OL1~OLn-1:有機薄層
OL1:第一有機薄層
OL2:第二有機薄層
OP:觸碰開口
OS-L:第一外表面
OSP:半導體圖案
OSP1:第一半導體圖案
OSP2:第二半導體圖案
OSP6:第六半導體圖案
OS-U:第二外表面
PADa:接墊部分
PD:接墊部分
PDL:像素限定層
PM:保護膜
PX:像素
PXA:發光區域
S1:第一無機薄層IOL1的第一子層
S2:第一無機薄層IOL1的第二子層
S10:第一無機薄層IOL10的第一子層
S20:第一無機薄層IOL10的第二子層
S100:第二無機薄層IOL20的第一子層
S200:第二無機薄層IOL20的第二子層
SE:輸入電極
SE1:第一輸入電極
SE2:第二輸入電極
SE6:第六輸入電極
SL:觸碰訊號線
SL-D:控制訊號線
SL1-1~SL1-4:第一觸碰訊號線
SL2-1至SL2-5:第二觸碰訊號線
SL-VDD:電壓線
SL-Vint:初始化電壓線
SP:觸碰傳感器部件
SP1:第一觸碰傳感器部件
SP2:第二觸碰傳感器部件
SP1-A:第一延伸部件
SP1-B:第二延伸部件
SUB:基底層
T1~T7:薄膜電晶體
TE1-1~TE1-4:第一觸碰電極
TE2-1~TE2-5:第二觸碰電極
TFE:薄膜封裝層
TFE1:薄膜封裝層
TFE2:薄膜封裝層
TFE3:薄膜封裝層
TH1:通孔
TH2:通孔
TR:薄膜電晶體
TS:觸碰傳感器層
TS-CL1:第一導電層
TS-CL2:第二導電層
TS-IL1:第一觸碰絕緣層
TS-IL2:第二觸碰絕緣層(有機層)
TS-OP:觸碰開口
WM:視窗
被包括以提供對本發明構思的進一步理解並被併入並構成本說明書的一部分的圖式繪示了本發明構思的示例性實施例，並且與描述一起用於解釋本發明概念的原理。
第1A圖係繪示根據本公開的示例性實施例的顯示裝置的透視圖。
第1B圖係繪示根據本公開的示例性實施例的顯示裝置的截面圖。
第2A圖係繪示根據本公開的示例性實施例的顯示裝置的透視圖。
第2B圖係繪示根據本公開的示例性實施例的顯示裝置的截面圖。
第3A圖以及第3B圖係繪示根據本公開的示例性實施例的顯示裝置的透視圖。
第4A圖係繪示根據本公開的示例性實施例的有機發光顯示面板的平面圖。
第4B圖係繪示根據本公開的示例性實施例的顯示模組的橫截面圖。
第5A圖係繪示根據本公開的示例性實施例的像素的等效電路圖。
第5B圖係繪示根據本公開的示例性實施例的有機發光顯示面板的一部分的截面圖。
第5C圖係繪示根據本公開的示例性實施例的有機發光顯示面板的一部分的橫截面圖。
第6A、6B以及6C圖係繪示根據本公開的示例性實施例的薄膜封裝層的橫截面圖。
第7A圖係繪示根據本公開的示例性實施例的觸碰傳感器層的橫截面圖。
第7B、7C、7D以及7E圖係繪示根據本公開的示例性實施例的觸碰傳感器層的平面圖。
第7F圖係繪示第7E圖的區域BB的局部放大圖。
第8A、8B、8C以及8D圖係繪示第4B圖的區域AA的局部放大圖。
第9A、9B、9C、9D、9E、9F、9G、9H以及9I圖係繪示第8C圖所示的顯示模組的製造方法的橫截面圖。
在下面的描述中，為了說明的目的，闡述了許多具體細節，以便提供對各種示例性實施例的透徹理解。然而，顯而易見的是，可以在沒有這些具體細節或以一個或多個等效佈置的情況下實踐各種示例性實施例。在其他實例中，以方塊圖形式繪示了習知的結構和裝置，以避免不必要地模糊各種示例性實施例。
在圖式中，為了清楚和描述的目的，層、膜、面板、區域等的尺寸和相對尺寸可能被誇大。同樣地，相同的標記符號表示相同的元件。
當元件或層被稱為“上”、“連接到”或“耦合到”另一元件或層時，其可以直接在另一元件或層上、連接到或耦合到另一元件或層，或者可存在中間的元件或層。然而，當元件或層被稱為“直接在…上”、“直接連接到”或“直接耦合到”另一元件或層時，則不存在中間元件或層。為了本公開的目的，“X、Y和Z中的至少一個”和“選自X、Y和Z的至少一個”可以被解釋為僅X、僅Y、僅Z，或X、Y和Z兩個以上的任意組合，例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文所用，相同的數字在整個過程中都是相同的元件，術語“和/或”包括一個或多個相關列出的項目的任何一個和所有組合。
儘管術語第一，第二等可以用於描述各種元件、元件、區域、層和/或部分，但這些元件、元件、區域、層和/或部分不應受限於這些術語。這些術語用於將一個元件、元件、區域、層和/或部分與另一個元件、元件、區域、層和/或部分區分開來。因此，下面討論的第一元件、元件、區域、層和/或部分可以被稱為第二元件、元件、區域、層和/或部分，而不脫離本公開的教導。
為了描述的目的，空間相對術語，例如“下面”、“下面”、“下面”、“上面”、“上部”等等可以用於描述的目的，並且因此如圖式所示，描述一個元件或特徵與另一個元件或特徵的關係。空間相對術語旨在包括在使 用、操作和/或製造中除了圖式所示的取向之外的設備的不同取向。例如，如果圖式中的設備被翻轉，則被描述為其它元件或特徵“下方”或“下方”的元件將被定向在其他元件或特徵之“上”。因此，示例性術語“下面”可以包括上下兩方向定向。此外，設備可以以其它方式定向(例如，旋轉90度或以其他方向旋轉)，並且因此本文中使用的空間相對描述符號被相應地解釋。
本文使用的術語是用於描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，單數形式“一”、“一”和“該”也旨在包括複數形式，除非上下文另有明確指示。此外，術語“包括”、“包含”、“包括”和/或“包括”當在本說明書中使用時，指定所述特徵、整數、步驟、操作、元件、元件和/或組的存在但不排除存在或添加一個或多個其它特徵、整體、步驟、操作、元件、元件和/或其組合。
本文參考作為理想化示例性實施例和/或中間結構的示意圖的截面圖來描述各種示例性實施例。因此，作為例如製造技術和/或公差的結果的圖示的形狀的變化是被預期的。因此，本文公開的示例性實施例不應被解釋為限於特定的所示形狀的區域，而是包括由例如製造產生的形狀偏差。圖式中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀並不旨在說明裝置的區域的實際形狀，而不是限制性的。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本公開內容的一部分的本領域普通技術人員通常理解的相同的含義。諸如常用詞典中定義的術語應被解釋為具有與其在相關領域的背景下的含義一致的含義，並且不會以理想化或過度形式的意義來解釋，除非本文明確定義。
在下文中，將參照圖式詳細說明本發明。
第1A圖係繪示根據本公開的示例性實施例的顯示裝置DD的透視圖。
參考第1A圖，顯示裝置DD包括複數個區域。顯示裝置DD包括顯示影像IM的顯示區域DD-DA和鄰近顯示區域DD-DA設置的非顯示區域DD-NDA。影像IM不顯示在非顯示區域DD-NDA中。第1A圖係繪示作為影像IM的花瓶的影像。顯示區域DD-DA具有例如大致四邊形的形狀，非顯示區域DD-NDA包圍顯示區域DD-DA，但是本發明不限於此。
顯示裝置DD具有其一部分彎曲的形狀。例如，如第1A圖所示，顯示裝置DD包括具有彎曲形狀的彎曲區域BA和具有平坦形狀的非彎曲區域NBA。彎曲區域BA設置成與非彎曲區域NBA的至少一側相鄰。根據另一示例性實施例，可以省略彎曲區域BA和非彎曲區域NBA。
非彎曲區域NBA基本上平行於由第一方向DR1和第二方向DR2限定的表面。與非彎曲區域NBA垂直的方向表示第三方向DR3。在每個構件中，透過第三方向DR3將前表面與後表面區分開。從非彎曲區域NBA彎曲的彎曲區域BA將影像IM顯示至與第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3相交的第四方向DR4上。然而，由第一至第四方向DR1至DR4指示的方向是相對於彼此的術語，因此第一至第四方向DR1至DR4可以改變為其他方向。
第1B圖係繪示第1A圖所示的顯示裝置DD的截面圖。第1B圖係繪示由第一方向DR1和第三方向DR3限定的橫截面。
參考第1B圖，顯示裝置DD包括保護膜PM、顯示模組DM、光學構件LM，視窗WM、第一黏合構件AM1、第二黏合構件AM2和第三黏合構件AM3。顯示模組DM設置在保護膜PM和光學構件LM之間。光學構件LM設置在顯示模組DM和視窗WM之間。第一黏合構件AM1將顯示模組DM和保護膜PM連 接，第二黏合構件AM2耦合顯示模組DM和光學構件LM，並且第三黏合構件AM3耦合光學構件LM和視窗WM。
保護膜PM保護顯示模組DM。保護膜PM包括暴露於外部的第一外表面OS-L和黏附到第一黏合構件AM1的黏合表面。保護膜PM防止外部濕氣進入顯示模組DM並吸收外部衝擊。
保護膜PM可以包括作為基底基板的塑料膜。保護膜PM可以包括塑料膜，其包括選自聚醚碸(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亞胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚(亞芳基醚碸)及其混合物之一。
保護膜PM的材料可以包括有機材料和無機材料的混合材料，而不限於塑料樹脂。保護膜PM包括填充在有機層的孔中的多孔有機層和無機材料。保護膜PM還可以包括形成在塑料膜中的功能層。功能層包括樹脂層。功能層透過塗佈法形成。在一個示例性實施例中，可以省略保護膜PM。
視窗WM保護顯示模組DM免受外部衝擊，並向使用者提供輸入表面。視窗WM提供暴露於外部的第二外表面OS-U和黏附到第三黏合構件AM3的黏合表面。第1A圖所示的顯示表面IS可以是第1B圖所示的第二外表面OS-U。
視窗WM可以包括塑料膜。視窗WM可以具有多層結構，其可以包括玻璃基板、塑料膜或塑料基板。視窗WM還可以包括邊框圖案。視窗WM的多層結構可以透過連續製程或使用黏合劑的黏合製程形成。
光學構件LM減小外部光的反射率。光學構件LM至少包括偏振膜。光學構件LM還包括延遲膜。在本示例性實施例中，可以省略光學構件LM。
顯示模組DM包括有機發光顯示面板DP和觸碰傳感器層TS。觸碰傳感器層TS直接設置在有機發光顯示面板DP上。在下面的描述中，表述“第一元件直接設置在第二元件上”是指第一和第二元件透過連續製程形成，而不透過使用單獨的黏合劑層彼此附著。
有機發光顯示面板DP產生對應於輸入到其上的影像數據的影像IM(參考第1A圖)。有機發光顯示面板DP包括在厚度方向DR3上的第一顯示面板表面BS1-L和面對第一顯示面板BS1-L的第二顯示面板表面BS1-U。在本示例性實施例中，有機發光顯示面板DP將被描述為顯示面板的代表性示例，但是顯示面板不應限於有機發光顯示面板。
觸碰傳感器層TS獲得外部輸入的坐標資訊。觸碰傳感器層TS以靜電電容方式感測外部輸入。
儘管圖式中未繪示，但根據本示例性實施例的顯示模組DM還可以包括抗反射層。抗反射層可以包括濾光片或導電層/絕緣層/導電層的堆疊結構。抗反射層吸收或偏振來自其外部的光，以降低外部光的反射率。抗反射層可以代替光學構件LM的功能。
第一、第二和第三黏合劑構件AM1、AM2和AM3中的每一個可以是但不限於有機黏合劑層，例如光學透明黏合劑膜(OCA)、光學透明樹脂(OCR)或壓敏黏合膜(PSA)。有機黏合劑層可以包括聚氨酯類黏合劑材料、聚丙烯酸類黏合劑材料、聚酯類黏合劑材料、聚環氧類黏合劑材料或聚乙酸乙烯酯類黏合劑材料。因此，有機黏合劑層可以對應於一個有機層。
雖然圖式中未繪示，顯示設備DD還可以包括支撐功能層的框架結構，以維持第1A和1B圖所示的狀態。框架結構可以具有接合結構或鉸鏈結構。
顯示裝置DD的彎曲區域BA可以具有以預定的曲率半徑彎曲的形狀。或者，彎曲區域BA可以具有彎曲的形狀，使得隨著離非彎曲區域NBA的距離增加，曲率半徑減小。然而，彎曲區域BA可以以各種曲率半徑彎曲。
在本示例性實施例中，可以省略保護膜PM、黏合構件AM1、AM2和AM3、光學構件LM和視窗WM中的至少一個。根據本示例性實施例的顯示裝置可以包括各種構件的組合，並且不應該限於特定的結構。
第2A圖係繪示根據本公開的示例性實施例的顯示裝置DD-1的透視圖。第2B圖係繪示根據本公開的示例性實施例的顯示裝置DD-1的橫截面圖。在下文中，將參照第2A和2B圖詳細描述顯示裝置DD-1。在第2A和2B圖中，相同的圖式標記表示第1A和1B圖中相同的元件。因此，將省略對相同元件的詳細描述。
參考第2A圖，顯示裝置DD-1包括一個非彎曲區域NBA，以及設置在非彎曲區域NBA的相對側表面處的第一和第二彎曲區域BA1和BA2。第2B圖繪示了由第一和第三方向DR1和DR3限定的橫截面。
顯示裝置DD-1包括第一彎曲區域BA1和第二彎曲區域BA2。第一和第二彎曲區域BA1和BA2被限定為彼此間隔開，使得非彎曲區域NBA設置在第一和第二彎曲區域BA1和BA2之間。第一彎曲區域BA1鄰近非彎曲區域NBA的一側設置，並且朝向第四方向DR4彎曲成凸形。第二彎曲區域BA2設置成與非彎曲區域NBA的另一側相鄰，並且朝向第五方向DR5彎曲成凸形。
顯示裝置DD-1大致上具有朝向第三方向DR3上的凸形形狀。同時，根據示例性實施例，顯示設備DD-1可以根據第一和第二彎曲區域BA1和BA2中的每一個的形狀具有向上凹形。根據本示例性實施例的顯示裝置DD-1可以具有各種形狀，並且不應限於具體實施例。
儘管第1A至2B圖係繪示作為顯示裝置DD和DD-1的代表性示例的彎曲顯示裝置，顯示裝置DD和DD-1可以是可折疊顯示裝置或可滾動顯示裝置。此外，本示例性實施例示出了可撓式顯示裝置，但是不應限制於此。也就是說，根據本示例性實施例的顯示裝置DD可以是平坦的剛性顯示裝置或彎曲的剛性顯示裝置。根據本示例性實施例的顯示設備DD可以應用於諸如電視機、監視器等的大型電子產品，以及諸如行動電話、平板電腦、汽車導航、遊戲機、智能手錶等的中小型電子產品。
第3A和3B圖係繪示根據本公開的示例性實施例的顯示裝置DD-2的透視圖。第3A圖係繪示處於展開狀態的顯示裝置DD-2，第3B圖係繪示處於彎曲狀態的顯示裝置DD-2。
顯示裝置DD-2包括一個彎曲區域BA和一個非彎曲區域NBA。顯示裝置DD-2的非顯示區域DD-NDA彎曲。然而，在本示例性實施例中，可以改變顯示裝置DD-2的彎曲區域。
顯示裝置DD-2可以在操作時固定在一個狀態。顯示裝置DD-2可以在如第3B圖所示的彎曲狀態下操作。顯示裝置DD-2可以在被彎曲的同時固定在框架上，並且框架可以耦合到電子裝置的殼體。
根據本示例性實施例的顯示設備DD-2可以具有與第1B圖所示的基本上相同的橫截面結構。然而，非彎曲區域NBA和彎曲區域BA可以具有彼此不同的堆疊結構。例如，非彎曲區域NBA可以具有與第1B圖所示的基本上相同的橫截面結構，並且彎曲區域BA可以具有與第1B圖所示不同的橫截面結構。光學構件LM和視窗WM可以不設置在彎曲區域BA中。也就是說，光學構件LM和視窗WM可以僅設置在非彎曲區域NBA中。第二和第三黏合構件AM2和AM3可以不設置在彎曲區域BA中。如上所述，由於第1B圖所示的元件中的至少一個元 件可以僅與非彎曲區域NBA重疊，並且可以不與彎曲區域BA重疊，所以當與非彎曲區域NBA相比時，彎曲區域BA可以具有相對較小的厚度。因此，彎曲區域BA可以容易地彎曲。
第4A圖係繪示根據本公開的示例性實施例的有機發光顯示面板DP的平面圖，以及第4B圖係繪示根據本公開的示例性實施例的顯示模組DM的橫截面圖。
參考第4A圖，當在平面圖中觀看時，有機發光顯示面板DP包括顯示區域DA和非顯示區域NDA。有機發光顯示面板DP的顯示區域DA和非顯示區域NDA分別對應於顯示裝置DD(參照第1A圖)的顯示區域DD-DA(參照第1A圖)和非顯示區域DD-NDA(參照第1A圖)。有機發光顯示面板DP的顯示區域DA和非顯示區域NDA不需要與顯示裝置DD(參照第1A圖)的顯示區域DD-DA(參照第1A圖)和非顯示區域DD-NDA(參照第1A圖)相同，並且可以根據有機發光顯示面板DP的結構和設計來改變有機發光顯示面板DP的顯示區域DA和非顯示區域NDA。
有機發光顯示面板DP包括複數個像素PX。將像素PX排列在其中的區域稱為顯示區域DA。在本示例性實施例中，非顯示區域NDA沿著顯示區域DA的邊緣限定。
有機發光顯示面板DP包括閘極線GL、數據線DL、發光線EL、控制訊號線SL-D、初始化電壓線SL-Vint、電壓線SL-VDD、電源線E-VSS和接墊部分PD。
每個閘極線GL連接到像素PX的對應像素，並且每條數據線DL連接到像素PX的相應像素。每個發光線EL被佈置成基本上平行於閘極線GL中對應的閘極線。控制訊號線SL-D向閘極驅動電路GDC施加控制訊號。初始化電壓線 SL-Vint向像素PX施加初始化電壓。電壓線SL-VDD連接到像素PX以向像素PX施加第一電壓。電壓線SL-VDD包括沿第一方向DR1延伸的複數條線和沿第二方向DR2延伸的複數條線。電源線E-VSS設置在非顯示區域NDA中以圍繞顯示區域DA的三個側面。電源線E-VSS向像素PX施加共同電壓(例如，第二電壓)。共同電壓低於第一電壓。
閘極驅動電路GDC設置在非顯示區域NDA的一個側部，並連接到閘極線GL和發光線EL。閘極線GL、數據線DL、發光線EL、控制訊號線SL-D、初始化電壓線SL-Vint和電壓線SL-VDD中的一些被佈置在同一層上，並且閘極線GL、數據線DL、發光線EL、控制訊號線SL-D、初始化電壓線SL-Vint和電壓線SL-VDD中的其他被佈置在不同層上。
接墊部分PD連接到數據線DL、控制訊號線SL-D、初始化電壓線SL-Vint和電壓線SL-VDD的一端。
參見第4B圖，有機發光顯示面板DP包括基底構件BSM、設置在基底構件BSM上的電路層DP-CL、顯示層DP-OLED和薄膜封裝層TFE。
基底構件BSM包括至少一個塑料膜。基底構件BSM可以是可撓性基板，並且可以包括塑料基板、玻璃基板、金屬基板或有機/無機混合材料基板。塑料基板包括丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、聚異戊二烯、乙烯基類樹脂、環氧類樹脂、氨基甲酸酯類樹脂、纖維素系樹脂、矽氧烷類樹脂樹脂、聚酰亞胺系樹脂、聚酰胺系樹脂以及苝系樹脂中的至少一個。
電路層DP-CL包括複數個絕緣層、複數個導電層和半導體層。電路層DP-CL的導電層可以形成像素的訊號線或控制電路。
顯示層DP-OLED包括複數個有機發光二極體。
薄膜封裝層TFE封裝顯示層DP-OLED。薄膜封裝層TFE包括無機層和有機層。薄膜封裝層TFE包括至少兩個無機層和設置在它們之間的有機層。無機層保護顯示層DP-OLED免受濕氣和氧氣的影響，有機層保護顯示層DP-OLED免受諸如灰塵等異物的影響。無機層可以包括氮化矽層、氮氧化矽層和氧化矽層。有機層可以包括丙烯酸類有機材料，但不限於此。
觸碰傳感器層TS直接設置在薄膜封裝層TFE上。觸碰傳感器層TS包括觸碰傳感器和觸碰訊號線。觸碰傳感器和觸碰訊號線具有單層結構或多層結構。
觸碰傳感器和觸碰訊號線可以包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、銦錫氧化鋅(ITZO)、PEDOT、金屬納米線、和石墨烯。觸碰傳感器和觸碰訊號線可以包括金屬層，例如鉬、銀、鈦、銅、鋁或其合金。觸碰傳感器和觸碰訊號線可以具有相同的層結構或不同的層結構。稍後將詳細描述觸碰傳感器層TS。
第5A圖係繪示根據本公開的示例性實施例的像素的等效電路圖。
第5A圖係繪示連接到數據線DL(參見第4A圖)中的第k個數據線DLk的第i個像素PXi。
第i個像素PXi包括有機發光二極體OLED和控制有機發光二極體OLED的像素驅動電路。像素驅動電路包括七個薄膜電晶體T1至T7和一個儲存電容器Cst。第一薄膜電晶體T1控制施加到有機發光二極體OLED的驅動電流。第二薄膜電晶體T2的輸出電極電連接到有機發光二極體OLED。第二薄膜電晶體T2的輸出電極直接接觸有機發光二極體OLED的第一電極，或者通過另一個電晶體例如第六薄膜電晶體T6連接到有機發光二極體OLED的第一電極。
控制電晶體的控制電極接收控制訊號。施加到第i個像素PXi的控制訊號包括第i-1個閘極訊號Si-1、第i個閘極訊號Si、第i+1個閘極訊號Si+1、數據訊號Dk、以及第i個發光控制訊號Ei。在本示例性實施例中，控制薄膜電晶體包括第一薄膜電晶體T1和第三至第七薄膜電晶體T3至T7。
第一薄膜電晶體T1包括連接到第k條數據線DLk的輸入電極、連接到第i條閘極線GLi的控制電極和連接到第二薄膜電晶體T2的輸出電極的輸出電極。第一薄膜電晶體T1被施加到第i條閘極線GLi的閘極訊號Si(以下稱為“第i個閘極訊號”)導通，以將施加到第k條數據線上的數據訊號Dk施加到儲存電容器Cst。
第5B圖係繪示表示根據本公開的示例性實施例的有機發光顯示面板的一部分的截面圖，以及第5C圖係繪示表示根據本公開的示例性實施例的有機發光顯示面板的一部分的截面圖。詳細地，第5B圖係繪示與第5A圖所示的等效電路的第一薄膜電晶體T1相對應的部分的橫截面。第5C圖係繪示對應於第5A圖所示等效電路的第二薄膜電晶體T2、第六薄膜電晶體T6和有機發光二極體OLED的部分的橫截面。
參考第5B和5C圖，緩衝層BFL設置在基底層SUB上。緩衝層BFL提高了基底層SUB與導電圖案或半導體圖案之間的耦合力。緩衝層BFL包括無機層。雖然圖式中未繪示，但也可以在基底層SUB上進一步設置阻擋層，以防止異物進入。可以選擇性地設置或省略緩衝層BFL和阻擋層。
第一薄膜電晶體T1的半導體圖案OSP1(以下稱為“第一半導體圖案”)、第二薄膜電晶體T2的半導體圖案OSP2(以下稱為“第二半導體圖案”)和第六薄膜電晶體T6的半導體圖案OSP6(以下稱為“第六半導體圖案”) 配置在緩衝層BFL上，第一半導體圖案OSP1、第二半導體圖案OSP2以及第六半導體圖案OSP6可以包括非晶矽、多晶矽或金屬氧化物半導體。
第一絕緣層10設置在第一半導體圖案OSP1、第二半導體圖案OSP2和第六半導體圖案OSP6上。在第5B和5C圖中，第一絕緣層10以層的形式提供以覆蓋第一半導體圖案OSP1、第二半導體圖案OSP2和第六半導體圖案OSP6，但是本發明不應限於此。也就是說，第一絕緣層10可以以對應於第一半導體圖案OSP1、第二半導體圖案OSP2和第六半導體圖案OSP6的圖案形式提供。
第一絕緣層10可以包括複數個無機薄層。無機薄層包括氮化矽層、氧氮化矽層和氧化矽層。
第一薄膜電晶體T1的控制電極GE1(以下稱為“第一控制電極”)、第二薄膜電晶體T2的控制電極GE2(以下稱為“第二控制電極”)、第六薄膜電晶體T6的控制電極GE6(以下稱為“第六控制電極”)設置在第一絕緣層10上。第一控制電極GE1、第二控制電極GE2和第六控制電極GE6透過與閘極線GL(參照第4A圖)相同的光刻製程形成。
第二絕緣層20設置在第一絕緣層10上方以覆蓋第一控制電極GE1、第二控制電極GE2和第六控制電極GE6。第二絕緣層20提供平坦的上表面。第二絕緣層20包括有機材料和/或無機材料。
第一薄膜電晶體T1的輸入電極SE1(以下稱為“第一輸入電極”)和輸出電極DE1(以下稱為“第一輸出電極”)、第二薄膜電晶體T2的輸入電極SE2(以下稱為“第二輸入電極”)和輸出電極DE2(以下稱為“第二輸出電極”)和第六薄膜電晶體T6的輸入電極SE6(以下稱為“第六輸入電極”)和輸出電極DE6(以下稱為“第六輸出電極”)配置在第二絕緣層20上。
第一輸入電極SE1和第一輸出電極DE1分別透過第一和第二絕緣層10和20形成的第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2連接到第一半導體圖案OSP1。第二輸入電極SE2和第二輸出電極DE2分別透過第一和第二絕緣層10和20形成的第三接觸孔CH3和第四接觸孔CH4連接到第二半導體圖案OSP2。第六輸入電極SE6和第六輸出電極DE6分別透過第一和第二絕緣層10和20形成的第五接觸孔CH5和第六接觸孔CH6連接到第六半導體圖案OSP6。另一個示例性實施例中，第一、第二和第六薄膜電晶體T1、T2和T6中的每一個可以具有底閘結構。
第三絕緣層30設置在第二絕緣層20上方以覆蓋第一輸入電極SE1、第二輸入電極SE2、第六輸入電極SE6、第一輸出電極DE1、第二輸出電極DE2和第六輸出電極DE6。第三絕緣層30包括有機層和/或無機層。特別地，為了提供平坦表面，第三絕緣層30可以包括有機材料。
可以根據像素的電路結構省略第一絕緣層10、第二絕緣層20和第三絕緣層30中的一個。第二和第三絕緣層20和30中的每一個可以被稱為中間層。中間層設置在導電圖案之間，例如上和下導電圖案之間，以使導電圖案彼此絕緣。
像素限定層PDL和有機發光二極體OLED設置在第三絕緣層30上。第一電極AE設置在第三絕緣層30上。通過第三絕緣層30限定第七接觸孔CH7，並通過第七接觸孔CH7將第一電極AE連接到第六輸出電極DE6。像素限定層PDL設置有穿過其定義的開口OP。第一電極AE的至少一部分通過像素限定層PDL的開口OP露出。
當在平面圖中觀察時，像素PX設置在像素區域中。像素區域包括發光區域PXA和與發光區域PXA相鄰的非發光區域NPXA。非發光區域NPXA圍 繞發光區域PXA。在本示例性實施例中，發光區域PXA被限定為對應於透過開口OP暴露的第一電極AE的一部分。
電洞控制層HCL通常設置在發光區PXA和非發光區NPXA中。儘管在圖式中未繪示，但像素PX(參見第4A圖)中通常可以形成共同層，例如電洞控制層HCL。
有機發光層EML設置在電洞控制層HCL上。有機發光層EML設置在與開口OP對應的區域中。也就是說，有機發光層EML可以被圖案化成複數個部分，並且這些部分可以分別設置在像素PX中。在本示例性實施例中，示出了圖案化有機發光層EML作為代表性示例，但是有機發光層EML通常可以設置在像素PX中。在這種情況下，有機發光層EML可以產生白光。此外，有機發光層EML可以具有多層結構。
電子控制層ECL設置在有機發光層EML上。儘管圖式中未繪示，電子控制層ECL通常可以設置在像素PX中(參見第4A圖)。
第二電極CE設置在電子控制層ECL上。第二電極CE通常設置在像素PX中。
薄膜封裝層TFE設置在第二電極CE上。薄膜封裝層TFE通常設置在像素PX中。薄膜封裝層TFE包括至少一個無機層和至少一個有機層。薄膜封裝層TFE可以包括複數個無機層和與無機層交替層疊的複數個有機層。
在本示例性實施例中，薄膜封裝層TFE可以直接覆蓋第二電極CE。在本示例性實施例中，可以在薄膜封裝層TFE和第二電極CE之間進一步設置覆蓋層以覆蓋第二電極CE。在這種情況下，薄膜封裝層TFE可以直接覆蓋覆蓋層。
第6A至6C圖係繪示表示根據本公開的示例性實施例的薄膜封裝層的橫截面圖。在下文中，將參照第6A至6C圖詳細描述根據本公開的薄膜封裝層TFE1、TFE2和TFE3。
參考第6A圖，薄膜封裝層TFE1包括n個無機薄層IOL1~IOLn，n個無機薄層IOL1~IOLn中的第一無機薄膜IOL1與第二電極CE(參照第6C圖)接觸。第一無機薄層IOL1可以稱為“下無機薄層”，n個無機薄層IOL1~IOLn中的除了第一無機薄層IOL1以外的無機薄層可以稱為“上無機薄膜層”。
薄膜封裝層TFE1包括n-1個有機薄層OL1至OLn-1，並且n-1個有機薄層OL1至OLn-1與n個無機薄層IOL1至IOLn交替佈置。n-1個有機薄層OL1~OLn-1中的每一個可以具有比n個無機薄層IOL1~IOLn中的每一個的厚度大的厚度。
n個無機薄層IOL1至IOLn中的每一個可以具有包含一種類型的材料的單層結構或包含多種不同類型的材料的多層結構。可以透過沉積有機單體形成n-1個有機薄層OL1至OLn-1中的每一個。例如，可以使用噴墨印刷法或透過塗佈含有丙烯酸類單體的組合物來形成n-1個有機薄層OL1~OLn-1。在本示例性實施例中，薄膜封裝層TFE1還可以包括第n個有機薄層。
參考第6B和6C圖，薄膜封裝層TFE2和TFE3中的每一個包含的無機薄層可以包括相同的無機材料或彼此不同的無機材料，並且可以具有相同的厚度或不同的厚度。包含在每個薄膜封裝層TFE2和TFE3中的有機薄層可以包括彼此相同的有機材料或不同的有機材料，並且可以具有相同或不同的厚度。
如第6B圖所示，薄膜封裝層TFE2包括依次堆疊的第一無機薄層IOL1、第一有機薄層OL1、第二無機薄層IOL2、第二有機薄層OL2和第三無機薄層IOL3。
第一無機薄層IOL1可以具有雙層結構。第一子層S1和第二子層S2可以具有不同的無機材料。
如第6C圖所示，薄膜封裝層TFE2包括依次堆疊的第一無機薄層IOL10、第一有機薄層OL1和第二無機薄層IOL20。第一無機薄層IOL10可以具有雙層結構。第一子層S10和第二子層S20可以具有不同的無機材料。第二無機薄層IOL20可以具有雙層結構。第二有機薄層IOL20可以包括在彼此不同的環境中沉積的第一子層S100和第二子層S200。第一子層S100可以以較低的功率沉積，並且第二子層S200可以以高功率沉積。第一子層S100和第二子層S200可以包括相同的無機材料。
第7A圖係繪示表示根據本公開的示例性實施例的觸碰傳感器層的橫截面圖。
參考第7A圖，觸碰傳感器層TS包括第一導電層TS-CL1、第一絕緣層(以下稱為“第一觸碰絕緣層”)TS-IL1、第二導電層TS-CL2和第二絕緣層層(以下稱為“第二觸碰絕緣層”)TS-IL2。第一導電層TS-CL1直接設置在薄膜封裝層TFE上，但本發明不限於此。也就是說，可以在第一導電層TS-CL1和薄膜封裝層TFE之間進一步設置另一無機層(例如緩衝層，未繪示)。
第一導電層TS-CL1和第二導電層TS-CL2中的每一個具有在第三方向DR3上堆疊的單層結構或具有複數個層的多層結構。具有多層結構的導電層在透明導電層和金屬層中包括兩層或更多層。具有多層結構的導電層包括金屬層，金屬層包含可以彼此不同的金屬。透明導電層包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、銦錫氧化鋅(ITZO)、PEDOT、金屬納米線或石墨烯。金屬層包括鉬、銀、鈦、銅、鋁或其合金。
第一導電層TS-CL1和第二導電層TS-CL2中的每一個包括複數個圖案。在下文中，第一導電層TS-CL1包括第一導電圖案，第二導電層TS-CL2包括第二導電圖案。第一和第二導電圖案中的每一個包括觸碰電極和觸碰訊號線。
第一觸碰絕緣層TS-IL1包括無機材料或有機材料。無機材料包括氧化鋁、氧化鈦、氧化矽、氮氧化矽、氧化鋯和氧化鉿中的至少一種。有機材料包括丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、聚異戊二烯、乙烯基類樹脂、環氧類樹脂、氨基甲酸酯類樹脂、纖維素系樹脂、矽氧烷類樹脂、聚酰亞胺系樹脂、聚酰胺系樹脂、以及苝系樹脂中的至少一個。
第二觸碰絕緣層TS-IL2具有單層結構或多層結構。有機材料包括丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、聚異戊二烯、乙烯基類樹脂、環氧類樹脂、氨基甲酸酯類樹脂、纖維素系樹脂、矽氧烷類樹脂、聚酰亞胺系樹脂、聚酰胺系樹脂、以及苝系樹脂中的至少一個。
第一觸碰絕緣層TS-IL1和第二觸碰絕緣層TS-IL2中的每一個具有單層結構或多層結構。第一觸碰絕緣層TS-IL1包括無機層和有機層中的至少一個。第二觸碰絕緣層TS-IL2包括至少一個有機層。無機層和有機層透過化學氣相沉積法形成。
如果第一觸碰絕緣層TS-IL1絕緣第一導電層TS-CL1和第二導電層TS-CL2，則第一觸碰絕緣層TS-IL1不應該被限制為特定形狀。根據第一和第二導電圖案的形狀來決定第一觸碰絕緣層TS-IL1的形狀。第一觸碰絕緣層TS-IL1完全覆蓋薄膜封裝層TFE或包括複數個絕緣圖案。絕緣圖案與後述的第一連接部件CP1和第二連接部件CP2重疊。
在本示例性實施例中，已經描述了雙層型觸碰傳感器層，但是觸碰傳感器層不應限於雙層型。單層型觸碰傳感器層包括導電層和覆蓋導電層的 絕緣層。導電層包括連接到觸碰傳感器的觸碰傳感器和觸碰訊號線。單層型觸碰傳感器層使用自容法獲得坐標資訊。
第7B至7E圖係繪示表示根據本公開的示例性實施例的觸碰傳感器層的平面圖。
參考第7B圖，觸碰傳感器層TS包括第一觸碰電極TE1-1至TE1-4、連接到第一觸碰電極TE1-1至TE1-4的第一觸碰訊號線SL1-1至SL1-4、第二觸碰電極TE2-1至TE2-5、連接到第二觸碰電極TE2-1至TE2-5的第二觸碰訊號線SL2-1至SL2-5、以及連接到第一觸碰訊號線SL1-1至SL1-4和第二觸碰訊號線SL2-1至SL2-5的接墊部分PADa。第7B圖係繪示配置以包括四個第一觸碰電極TE1-1至TE1-4和五個第二觸碰電極TE2-1至TE2-5的觸碰傳感器層TS，但是第一觸碰電極的數量和第二觸碰電極的數量不應限於此。
第一觸碰電極TE1-1至TE1-4中的每一個具有限定多個觸碰開口的網格形狀。第一觸碰電極TE1-1至TE1-4中的每一個包括複數個第一觸碰傳感器部件SP1和複數個第一連接部件CP1。第一觸碰傳感器部件SP1沿第一方向DR1佈置。第一連接部件CP1中的每一個在第一觸碰傳感器部件SP1之間連接彼此相鄰的兩個第一觸碰傳感器部件SP1。儘管未詳細繪示，但是第一觸碰訊號線SL1-1至SL1-4可以具有網格(mesh)形狀。
第二觸碰電極TE2-1至TE2-5在與第一觸碰電極TE1-1至TE1-4交叉的同時與第一觸碰電極TE1-1至TE1-4絕緣。第二觸碰電極TE2-1至TE2-5中的每一個具有限定多個觸碰開口的網格形狀。第二觸碰電極TE2-1至TE2-5中的每一個包括複數個第二觸碰傳感器部件SP2和複數個第二連接部件CP2。第二觸碰傳感器部件SP2佈置在第二方向DR2上。第二連接部件CP2中的每一個連接第二 觸碰傳感器部SP2中彼此相鄰的兩個第二觸碰傳感器部SP2。儘管未詳細繪示，但是第二觸碰訊號線SL2-1至SL2-5可以具有網格形狀。
第一觸碰電極TE1-1至TE1-4電容耦合到第二觸碰電極TE2-1至TE2-5。當觸碰感測訊號施加到第一觸碰電極TE1-1至TE1-4時，在第一觸碰傳感器部件SP1和第二觸碰傳感器部件SP2之間形成電容器。
透過圖案化第7A圖所示的第一導電層TS-CL1形成第一觸碰傳感器部件SP1、第一連接部件CP1、第一觸碰訊號線SL1-1至SL1-4、第二觸碰傳感器部件SP2、第二連接部件CP2和第二觸碰訊號線SL2-1至SL2-5的一部分，透過圖形化第7A圖所示的第二導電層TS-CL2形成第一觸碰傳感器部件SP1、第一連接部件CP1、第一觸碰訊號線SL1-1至SL1-4、第二觸碰傳感器部件SP2、第二連接部件CP2和第二觸碰訊號線SL2-1至SL2-5的其他部分。
為了電性連接設置在不同層上的導電圖案，可以透過第7A圖所示的第一觸碰絕緣層TS-IL1形成接觸孔。在下文中，將參照第7C至7E圖描述觸碰傳感器層TS。
參見第7C圖，第一導電圖案設置在薄膜封裝層TFE上。第一導電圖案包括第二連接部件CP2。第二連接部件CP2直接設置在薄膜封裝層TFE上。參考第7D圖，第一觸碰絕緣層TS-IL1設置在薄膜封裝層TFE上以覆蓋第二連接部件CP2。通過第一觸碰絕緣層TS-IL1限定接觸孔CH，以部分地暴露第二連接部件CP2。接觸孔CH由光刻製程形成。
參見第7E圖，第二導電圖案設置在第一觸碰絕緣層TS-IL1上。第二導電圖案包括第一觸碰傳感器部件SP1、第一連接部件CP1、第一觸碰訊號線SL1-1至SL1-4、第二觸碰傳感器部件SP2和第二觸碰訊號線SL2-1至SL2-5。雖然 沒有單獨繪示，但是第二觸碰絕緣層TS-IL2還被佈置在第一觸碰絕緣層TS-IL1上以覆蓋第二導電圖案。稍後將詳細描述第二觸碰絕緣層TS-IL2。
根據本公開的另一示例性實施例，第一導電圖案包括第一觸碰電極TE1-1至TE1-4以及第一觸碰訊號線SL1-1至SL1-4。第二導電圖案包括第二觸碰電極TE2-1至TE2-5和第二觸碰訊號線SL2-1至SL2-5。在這種情況下，接觸孔CH沒有限定在第一接觸絕緣層TS-IL1中。
另外，根據本公開的另一示例性實施例，第一導電圖案和第二導電圖案可以相對於彼此改變。也就是說，第二導電圖案可以包括第二連接部件CP2。
第7F圖是表示第7E圖中的區域BB的局部放大圖。
參考第7F圖，第一觸碰傳感器部件SP1與非發光區域NPXA重疊。第一觸碰傳感器部件SP1包括沿著與第一和第二方向DR1和DR2交叉的第六方向DR6上延伸的複數個第一延伸部件SP1-A和沿著與第六方向DR6交叉的第七方向DR7上延伸的複數個第二延伸部件SP1-B。第一延伸部件SP1-A和第二延伸部件SP1-B可以被定義為網格線。每個網格線具有幾微米的線寬。
第一延伸部件SP1-A連接到第二延伸部件SP1-B以限定複數個觸碰開口TS-OP。換句話說，第一觸碰傳感器部件SP1具有由觸碰開口TS-OP限定的網格形狀。觸碰開口TS-OP對應於發光區域PXA以一對一方式對應，但是它們不應該被限制到此。也就是說，一個觸碰開口TS-OP可以對應於兩個或更多個發光區域PXA。
發光區域PXA可以具有各種尺寸。例如，在發光區域PXA中，發出藍色光的發光區域PXA的尺寸可能與發出紅色光的發光區域PXA的尺寸不同。因此，觸碰開口TS-OP可以具有各種尺寸。在第7F圖中，發光區域PXA具有 各種尺寸，但是發光區域PXA都可以具有相同的尺寸，並且觸碰開口OP也可以都具有相同的尺寸。
第8A至8D圖係繪示代表根據本公開的示例性實施例的顯示裝置的截面圖。為了便於說明，第8A至8D圖係繪示對應於第4B圖中的區域AA的橫截面。在下文中，將參照第8A至8D圖詳細描述根據本公開的各種實施例的顯示裝置。在第8A至8D圖中，相同的圖式標記表示第1A至7F圖中相同的元件。因此，將省略對相同元件的詳細描述。
參考第8A至8D圖，顯示裝置包括基底構件BSM、電路層DP-CL、顯示層DP-OLED、薄膜封裝層TFE和觸碰傳感器層TS。
基座構件BSM包括第一區域AR1和第二區域AR2。第一區域AR1包括第一子區域AR1-1和第二子區域AR1-2。第一區域AR1包括顯示區域和非顯示區域。第一子區域AR1-1對應於顯示區域。第二子區域AR1-2對應於第一非顯示區域。第二區域AR2對應於第二非顯示區域。第二區域AR2可以對應於顯示裝置的最外區域。
基底構件BSM包括基底層SUB和緩衝層BFL。
基底層SUB可以是可撓式基板，並且可以包括塑料基板、玻璃基板、金屬基板或有機/無機混合材料基板。塑料基板包括丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、聚異戊二烯、乙烯基類樹脂、環氧類樹脂、氨基甲酸酯類樹脂、纖維素系樹脂、矽氧烷類樹脂、聚酰亞胺系樹脂、聚酰胺系樹脂、以及苝系樹脂中的至少一個。緩衝層BFL包括無機材料。緩衝層BFL可以包括氧化矽或氮化矽。
在第8A至8D圖中，緩衝層BFL被作為功能層設置在基底層SUB上，但也可以設置阻擋層作為功能層。根據另一示例性實施例，可以從顯示裝置中省略緩衝層BFL。
在第8A至8D圖中，第二區域AR2具有平坦的形狀，但是第二區域AR2可以在第三方向DR3上以固定的曲率彎曲。
電路層DP-CL設置在基底構件BSM上。電路層DP-CL覆蓋第一區域AR1並暴露第二區域AR2。電路層DP-CL覆蓋第一子區域AR1-1和第二子區域AR1-2。電路層DP-CL露出第二區域AR2。
電路層DP-CL包括薄膜電晶體TR、導線E-VSS和CL、以及至少一個絕緣層。
薄膜電晶體TR的半導體圖案OSP設置在基底層SUB上。半導體圖案OSP包括非晶矽、多晶矽或金屬氧化物半導體。絕緣層包括第一絕緣層10和第二絕緣層20。第一絕緣層10的端部和第二絕緣層20的端部彼此平行排列。換句話說，第一絕緣層10的一端和第二絕緣層20的一端鄰近顯示裝置的外部部分設置。電路層DP-CL的端部由設置在第一絕緣層10的端部和第二絕緣層20的端部之間的最外側位置處的絕緣層的端部限定。絕緣層的端部限定了第一區域AR1和第二區域AR2之間的邊界。絕緣層的端部限定第二子區域AR1-2和第二區域AR2的端部。
第一絕緣層10設置在基底層SUB之上以覆蓋半導體圖案OSP。第一絕緣層10包括有機層和/或無機層。第一絕緣層10包括複數個無機薄層。無機薄層包括氮化矽層和氧化矽層。
薄膜電晶體TR的控制電極GE設置在第一絕緣層10上。控制電極GE透過與閘極線GL(參見第4A圖)相同的光刻製程形成。控制電極GE包括與閘極線相同的材料和相同的堆疊結構，並且設置在同一層上。
第二絕緣層20設置在第一絕緣層10上以覆蓋控制電極GE。第二絕緣層20包括有機層和/或無機層。第二絕緣層20包括複數個無機薄層。無機薄層包括氮化矽層和氧化矽層。第二絕緣層20包括與第一絕緣層10不同的材料。
薄膜電晶體TR的輸入電極SE和輸出電極DE設置在第二絕緣層20上。訊號線CL和電源線E-VSS設置在第二絕緣層20上。
第一屏障部分DM1和第二屏障部分DM2設置在第二子區域AR1-2中。當從平面圖中觀察時，第一和第二屏障部分DM1和DM2設置成圍繞第一子區域AR1-1。當有機單體被印刷以形成薄膜封裝層TFE的有機薄層OL1時，第一和第二屏障部分DM1和DM2可以防止有機單體溢出。
第一屏障部分DM1設置在電源線E-VSS上。第一屏障部分DM1具有單層結構，並且基本上同時形成像素限定層PDL。亦即，若將第一屏障部分DM1和第二屏障部分DM2視為圖案部，則圖案部設置於電路層CP-CL上，並與第二子區域AR1-2重疊，且圖案部包含至少一屏障。
第二屏障部分DM2設置在第一屏障部分DM1的外側。例如，第二屏障部分DM2與第一子區域AR1-1之間的距離大於第一屏障部分DM1和第一子區域AR1-1之間的距離。
第二屏障部分DM2覆蓋電源線E-VSS的一部分。第二屏障部分DM2包括複數個層，例如第一層DM2-L1和第二層DM2-L2。
第三絕緣層30設置在第二絕緣層20上以覆蓋輸入電極SE和輸出電極DE。第三絕緣層30包括有機層和/或無機層。第三絕緣層30包括提供平坦表面的有機材料。
可以根據像素的電路結構省略第一絕緣層10、第二絕緣層20、和第三絕緣層30中的一個。第二和第三絕緣層20和30中的每一個可以被稱為“中間層”。中間層設置在導電圖案之間，例如上和下導電圖案之間，以使導電圖案彼此絕緣。
顯示層DP-OLED設置在第三絕緣層30上。像素限定層PDL和有機發光二極體OLED設置在第三絕緣層30上。第一電極AE設置在第三絕緣層30上。通過由第三絕緣層30限定的接觸孔，第一電極AE連接到輸出電極DE。發光區域限定在像素限定層PDL中。第一電極AE的至少一部分透過像素限定層PDL的發光區域露出。
發光單元EU設置在第一電極AE上。第二電極CE設置在發光單元EU上。雖然圖式中未繪示，但是發光單元EU可以包括如第5C圖所示的電洞控制層HCL、有機發光層EML和電子控制層ECL。
連接電極E-CNT設置在與第一電極AE相同的層上。第一電極AE和連接電極E-CNT設置在第三絕緣層30上。透過相同的製程形成第一電極AE和連接電極E-CNT。連接電極E-CNT電性連接到電源線E-VSS。連接電極E-CNT從電源線E-VSS接收第二電壓ELVSS(參照第5A圖)。儘管在圖式中未繪示，連接電極E-CNT設置成與第二屏障部分DM2的第一層DM2-L1部分重疊。
在本示例性實施例中，薄膜封裝層TFE直接覆蓋第二電極CE。在本示例性實施例中，可以進一步設置覆蓋層以覆蓋第二電極CE。在這種情況下，薄膜封裝層TFE直接覆蓋覆蓋層。薄膜封裝層TFE包括依次層疊的第一無機薄層IOL10、第一有機薄層OL1和第二無機薄層IOL20，但不限於此。薄膜封裝層TFE可以包括複數個無機薄層和複數個有機薄層。
薄膜封裝層TFE的一端設置在第一區域AR1上。薄膜封裝層TFE的端部設置成比第一和第二絕緣層10和20的端部更靠近顯示裝置的中心。
觸碰傳感器層TS設置在薄膜封裝層TFE上。觸碰傳感器層TS包括第一觸碰絕緣層TS-IL1、設置在第一觸碰絕緣層TS-IL1上的複數個導電圖案、以及設置在導電圖案上的第二觸碰絕緣層TS-IL2。導電圖案包括設置在第一子區域AR1-1中的觸碰傳感器部件SP和設置在第二子區域AR1-2中的觸碰訊號線SL。例如，當第一觸碰絕緣層TS-IL1選用前述之無機層實施時，其可稱為“無機絕緣層”。亦即，無機絕緣層可設置於導電圖案與薄膜封裝層TFE之間。
觸碰傳感器部件SP對應於第7A至7F圖所示的第一觸碰傳感器部件SP1和第二觸碰傳感器部件SP2，並且觸碰訊號線SL對應於第7A和7F圖所示的第一觸碰訊號線SL1-1至SL1-4和第二觸碰訊號線SL2-1至SL2-5。儘管在圖式中未繪示，但是導電圖案還可以包括佈置在第一觸碰絕緣層TS-IL1和薄膜封裝層TFE之間的圖案。在下文中，將省略關於觸碰傳感器部件SP和觸碰訊號線SL的重複說明。
第一觸碰絕緣層TS-IL1的一端設置在第一區域AR1中。第一觸碰絕緣層TS-IL1的端部設置在第二子區域AR1-2中。第一觸碰絕緣層TS-IL1的端部被排列成平行於薄膜封裝層TFE的端部。也就是說，無機絕緣層的一端部在截面圖中觀察時平行對準於薄膜封裝層TFE的端部。第一觸碰絕緣層TS-IL1的端部設置成比第一絕緣層10和第二絕緣層20的端部更靠近顯示裝置的中心。
第二觸碰絕緣層TS-IL2包括有機材料。以下，為了便於說明，將第二觸碰絕緣層TS-IL2稱為“有機層”。有機層TS-IL2與第一子區域AR1-1和第二子區域AR1-2重疊。有機層TS-IL2與第二區域AR2的至少一部分重疊。有機層TS-IL2覆蓋第二區域AR2。有機層TS-IL2設置成與觸碰傳感器層TS的上部直接 接觸。有機層TS-IL2直接與第一觸碰絕緣層TS-IL1和佈置在第一觸碰絕緣層TS-IL1上的導電圖案接觸並覆蓋。有機層TS-IL2與第一觸碰絕緣層TS-IL1的一部分接觸並且覆蓋設置在第一觸碰絕緣層TS-IL1上的觸碰傳感器部件SP和觸碰訊號線SL。也就是說，有機層覆蓋無機絕緣層的一端部。
有機層TS-IL2與絕緣層的整個表面重疊。有機層TS-IL2與第一絕緣層10和第二絕緣層20完全重疊。當在如第8A圖所示的平面圖中觀察時，有機層TS-IL2與第二區域AR2完全重疊以覆蓋顯示裝置的末端。作為另一示例，當在平面圖中觀察時，有機層TS-IL2可以與第二區域AR2的一部分重疊，如第8B至8D圖所示。有機層TS-IL2可以設置成覆蓋薄膜封裝層TFE和觸碰傳感器層TS的端部。
儘管圖式中未繪示，但是接墊部分PD(參見第4A圖)和控制訊號線SL-D(參見第4A圖)可以設置在第8A至8D圖所示的區域，以及顯示面板DP的最外部分的其他區域中。接墊部分PD被設置成與第二區域AR2重疊。在這種情況下，可以將有機層TS-IL2設置成不與接墊部分PD重疊。有機層TS-IL2可露出接墊部分PD。暴露的接墊部分PD可以輕易地並且電性地連接到外部電性元件。
參考第8B圖，顯示裝置還可以包括設置在基底層SUB的第二區域上的減震構件。減震構件設置在基底層SUB的第二區域AR2上。減震構件包括複數個絕緣圖案DM-CP。減震構件吸收在顯示裝置外部產生的衝擊，以防止在絕緣層中發生斷裂。
絕緣圖案DM-CP佈置在第一方向DR1上並且彼此間隔開。在本示例性實施例中，第二區域AR2的彎曲軸沿著第二方向DR2被限定。絕緣圖案DM-CP在第一方向DR1上彼此間隔開，並在第二方向DR2上延伸。絕緣圖案 DM-CP在平行於彎曲軸線的方向上延伸並且在與彎曲軸線交叉的方向上彼此間隔開，因此可能會減小由絕緣圖案DM-CP對顯示裝置施加的影響。
有機層TS-IL2覆蓋減震構件的側表面和上表面。有機層TS-IL2覆蓋減震構件的各絕緣圖案DM-CP。在絕緣圖案DM-CP之間限定了空間。絕緣圖案DM-CP以規律的間隔彼此間隔開，但是絕緣圖案DM-CP之間的間隔可能不是固定的。有機層TS-IL2可以填充絕緣圖案DM-CP之間的空間。有機層TS-IL2具有等於或大於絕緣圖案DM-CP的厚度，以完全覆蓋絕緣圖案DM-CP。
絕緣圖案DM-CP中的每一個包括第一層DM-C1和第二層DM-C2。第一和第二層DM-C1和CM-C2依次層疊。第一層DM-C1具有與第一絕緣層10相同的厚度。第二層DM-C2具有與第二絕緣層20相同的厚度。基底構件BSM的上表面與圖案部的上表面之間的第一距離，大於基底構件BSM的上表面與減震構件DM-C的上表面之間的第二距離。
絕緣圖案DM-CP包括與第一和第二絕緣層10和20相同的材料。第一層DM-C1包括與第一絕緣層10相同的材料。第二層DM-C2包括與第二絕緣層20相同的材料。第一層DM-C1透過與第一絕緣層10相同的製程形成，並且第二層DM-C2透過與第二絕緣層20相同的製程形成。
參考第8C圖，減震構件DM-C還可以包括覆蓋絕緣圖案DM-CP的覆蓋構件DM-CC。覆蓋構件DM-CC覆蓋絕緣圖案DM-CP的整個表面，以防止異物與絕緣圖案DM-CP接觸。覆蓋構件DM-CC與第二區域重疊。覆蓋構件DM-CC與第一區域部分地重疊。覆蓋構件DM-CC與第二子區域AR1-2部分重疊。
有機層TS-IL2覆蓋覆蓋構件DM-CC的側表面和上表面。由於有機層TS-IL2覆蓋覆蓋構件DM-CC的側表面和上表面，有機層TS-IL2可以完全覆蓋減震構件DM-C，而不會使減震構件DM-C露出。
參考第8D圖，根據本示例性實施例的顯示裝置的緩衝層BFL包括第一緩衝部分BFL-A和第二緩衝部分BFL-B。第一緩衝部分BFL-A與第二緩衝部分BFL-B間隔開。在第一緩衝部分BFL-A和第二緩衝部分BFL-B之間定義至少一個開口BFL-OP。
第一緩衝部分BFL-A設置在第二區域AR2中。第一緩衝部分BFL-A與第二區域AR2重疊。在第二區域AR2中定義了開口BFL-OP。開口BFL-OP在第一方向DR1上具有預定的寬度，並且在第二方向DR2上延伸。
有機層TS-IL2填充在開口BFL-OP中。由於有機層TS-IL2填充在開口BFL-OP中，有機層TS-IL2覆蓋第一和第二緩衝部分BFL-A和BFL-B的暴露的側表面。
根據本示例性實施例的有機層TS-IL2覆蓋在基底構件BSM上產生台階差的構件。因此，有機層TS-IL2覆蓋電路層DP-CL的端部，這導致基底構件BSM上的台階差，如第8A圖所示，並且覆蓋減震構件DM-C，如第8B和8C圖所。此外，如第8D圖所示，有機層TS-IL2覆蓋通過基底構件BSM限定的開口BFL-OP，並且因此，可以覆蓋凹陷台階差。
在本示例性實施例中，設置在觸碰傳感器層TS上的有機層TS-IL2覆蓋作為顯示模組DM的最外部的第二區域AR2，並且因此，可以防止在外部發生斷裂。特別地，在第二區域AR2中設置減震構件DM-C或者在第二區域AR2中限定緩衝層BFL的開口BFL-OP的情況下，有機層TS-IL2覆蓋衝擊-吸收構件CM-C，或者填充在開口BFL-OP中以減輕在彎曲顯示裝置時產生的應力，因此可以防止在外部發生斷裂。
在下文中，將詳細描述製造顯示裝置的方法。
第9A至9I圖係繪示製造如第8C圖所示的顯示模組的方法的截面圖。
參考第9A和9B圖，製備基底層SUB。諸如緩衝層BFL的功能層可以進一步設置在基底層SUB的一個表面上。至少半導體圖案OSP形成在基底層SUB上，並且第一絕緣層10形成在基底層SUB上以覆蓋半導體圖案OSP。
參考第9C圖，控制電極GE形成在第一絕緣層10上。控制電極GE形成為設置在半導體圖案OSP上。控制電極GE以光刻製程形成。第二絕緣層20形成為覆蓋形成在第一絕緣層10上的控制電極GE。第一絕緣層10的端部和第二絕緣層20的端部彼此平行排列。作為另一示例，第一絕緣層10和第二絕緣層20中的每一個可以形成為與基底層SUB完全重疊。
參考第9D圖，顯示裝置的製造方法包括第一絕緣層10和第二絕緣層20的蝕刻部分。在蝕刻製程中，第一絕緣層10和第二絕緣層20的外部被部分蝕刻以形成絕緣圖案DM-CP。絕緣圖案DM-CP包括第一層DM-C1和第二層DM-C2。透過蝕刻第一絕緣層10的部分以形成第一層DM-C1，並且透過蝕刻第二絕緣層20的部分以形成第二層DM-C2。在蝕刻製程中，通孔TH1是透過蝕刻第一和第二絕緣層10和20以暴露半導體圖案OSP的一部分而形成。絕緣圖案DM-CP可以與形成電路層DP-CL的第一和第二絕緣層10和20一起使用一個光罩並且基本上同時形成。因此，可以縮短製造時間，並且可以降低製造成本。
參考第9E圖，在第二絕緣層20上形成輸出電極DE、輸入電極SE、訊號線CL和電源線E-VSS。第三絕緣層30形成在第二絕緣層20的上方，以覆蓋薄膜電晶體TR和訊號線CL。第三絕緣層30形成為與第一絕緣層10和第二絕緣層20完全重疊並且被圖案化。在這種情況下，可以形成第二屏障部分DM2(參照第8C圖)的第一層DM2-L1和減震構件DM-C的覆蓋構件DM-CC。第二屏障部分 的第一層DM2-L1形成為與電源線E-VSS的一部分重疊。第三絕緣層30、第二屏障部分的第一層DM2-L1和覆蓋構件DM-CC包括相同的材料。在蝕刻製程中，通過第三絕緣層30形成通孔TH2，以暴露輸入電極SE的一部分。
參考第9F圖，形成了連接到輸出電極DE和連接電極E-CNT中的一個的第一電極AE。第一電極AE和連接電極E-CNT形成在同一層上。第一電極AE和連接電極E-CNT形成在第三絕緣層30上。第一電極AE通過第三絕緣層30連接到薄膜電晶體TR。
連接電極E-CNT電性連接到電源線E-VSS。連接電極E-CNT從電源線E-VSS接收第二電壓ELVSS(參照第5A圖)。儘管圖式中未繪示，連接電極E-CNT形成為部分地設置在第二屏障部分DM2的第一層DM2-L1上。
發光單元EU、像素限定層PDL和第二電極CE形成在第三絕緣層30上。發光單元EU形成在第一電極AE和第二電極CE之間。在形成像素定義層PDL的過程中，形成了與電源線E-VSS重疊的第一屏障部分DM1，以及與第二屏障部分DM2的第一層DM2-L1重疊的第二層DM2-L2。像素定義層PDL、第一屏障部分DM1和第二層DM2-L2可以透過相同的材料形成並且可以包括相同的材料。
參考第9G圖，在顯示層DP-OLED上形成薄膜封裝層TFE。薄膜封裝層TFE透過依次形成第一無機薄層IOL10、第一有機薄層OL1和第二無機薄層IOL20而形成。透過在第一無機薄膜IOL10上提供液體有機單體以形成第一有機薄層OL1。有機單體不透過第一和第二屏障部分DM1和DM2流過第一和第二屏障部分DM1和DM2，因此有機單體穩定地形成為具有預定的厚度。
參考第9H圖，在薄膜封裝層TFE上形成第一觸碰絕緣層TS-IL1和導電圖案。第一觸碰絕緣層TS-IL1形成在薄膜封裝層TFE上，訊號線SL和觸碰傳 感器部件SP形成在第一觸碰絕緣層TS-IL1上。觸碰傳感器部件SP形成在第一子區域AR1-1上，訊號線SL形成在第二子區域AR1-2上。
參考第9I圖，有機層TS-IL2形成在第一觸碰絕緣層TS-IL1上。有機層TS-IL2形成在第一觸碰絕緣層TS-IL1上，以完全覆蓋導電圖案。
有機層TS-IL2形成為與第一絕緣層10和第二絕緣層20完全重疊。有機層TS-IL2形成為與第一子區域AR1-1、第二子區域AR1-2和第二區域AR2重疊。
形成有機層TS-IL2以覆蓋形成在第二區域AR2上的減震構件DM-C。有機層TS-IL2完全覆蓋電路層DP-CL，並且從觸碰傳感器層TS延伸以覆蓋減震構件DM-C的側表面和上表面。如上所述，由於有機層TS-IL2覆蓋了設置在最外側位置並且在基底構件BSM上產生台階差的緩衝構件DM-C，所以可以減輕在彎曲顯示裝置時產生的應力。因此，可以防止在外部發生裂縫。
儘管本文已經描述了某些示例性實施例和實現，但是從該描述中，其他實施例和修改將是顯而易見的。因此，本發明的概念不限於這些實施例，而是限於所提出的申請專利範圍的更廣泛的範圍和各種明顯的修改和等同的佈置。
10:第一絕緣層
20:第二絕緣層
30:第三絕緣層
AE:第一電極
AR1:第一區域
AR2:第二區域
AR1-1:第一子區域
AR1-2:第二子區域
BFL:緩衝層
BSM:基底構件
CE:第二電極
CL:訊號線
DE:輸出電極
DM1:第一屏障部分
DM2:第二屏障部分
DM2-L1:第二屏障部分DM2的第一層
DM2-L2:第二屏障部分DM2的第二層
DM-C:減震構件
DM-CC:覆蓋構件
DM-CP:絕緣圖案
DM-C1:絕緣圖案DM-CP中的第一層
DM-C2:絕緣圖案DM-CP中的第二層
DP-CL:電路層
DP-OLED:顯示層
DR1:第一方向
DR2:第二方向
DR3:第三方向
EU:發光單元
E-VSS:電源線
GE:控制電極
IOL10:第一無機薄層
IOL20:第二無機薄層
OL1~OLn-1:有機薄層
OL1:第一有機薄層
OSP:半導體圖案
PDL:像素限定層
SE:輸入電極
SL:觸碰訊號線
SP:觸碰傳感器部件
SUB:基底層
TFE:薄膜封裝層
TR:薄膜電晶體
TS:觸碰傳感器層
TS-IL1:第一觸碰絕緣層
TS-IL2:第二觸碰絕緣層(有機層)

Claims (19)

  1. 一種顯示裝置，其包括：一基底構件；一電路層，設置在該基底構件上；一減震構件，包含設置在該基底構件上的複數個絕緣圖案及覆蓋該複數個絕緣圖案的一覆蓋構件；一顯示層，設置在該電路層上；以及一絕緣層，設置在該顯示層上並覆蓋該減震構件，其中，在平面圖中觀察時，該減震構件與該顯示層間隔開。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其進一步包含設置在該顯示層上並感應外部輸入的複數個導電圖案。
  3. 如請求項2所述之顯示裝置，其進一步包含設置在該顯示層及該複數個導電圖案之間的一薄膜封裝層，其中該複數個導電圖案直接設置在該薄膜封裝層上。
  4. 如請求項2項所述之顯示裝置，其進一步包含設置在該顯示層及該複數個導電圖之間的一薄膜封裝層；以及設置在該薄膜封裝層及該導電圖案的一觸碰絕緣層，其中該複數個導電圖案直接設置在該觸碰絕緣層上。
  5. 如請求項4所述之顯示裝置，其中該觸碰絕緣層的端部與該薄膜絕緣層的一端部平行排列。
  6. 如請求項2所述之顯示裝置，其中該複數個導電圖案設置在該顯示層及該絕緣層之間。
  7. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該絕緣層為一有機層。
  8. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該複數個絕緣圖案係沿著一第一方向彼此間隔開而設置且該複數個絕緣圖案設置的該基底構件的一個區域基於在與該第一方向交叉的一第二方向上延伸的一軸而彎曲。
  9. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該覆蓋構件覆蓋該複數個絕緣圖案中的每一個的上表面及側表面。
  10. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該絕緣層覆蓋該覆蓋構件的上表面及側表面。
  11. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該覆蓋構件填充在該複數個絕緣圖案之間的每個空間中。
  12. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該覆蓋構件的一部分係覆蓋該電路層的一部分。
  13. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該絕緣層覆蓋該電路層的一端部、該顯示層的一端部及該減震構件的一端部。
  14. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該絕緣層的最大厚度較該減震構件的最大厚度薄。
  15. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該複數個絕緣圖案中的每一個包含一第一層及設置在該第一層上的一第二層。
  16. 如請求項1所述之顯示裝置，其中在平面圖中觀察時，該減震構件及該電路層不彼此重疊。
  17. 一種顯示裝置，其包含：一基底構件； 一電路層，設置在該基底構件上；一減震構件，包含設置在該基底構件上的複數個絕緣圖案及覆蓋該複數個絕緣圖案的一覆蓋構件；一顯示層，設置在該電路層上；一薄膜封裝層，設置在該顯示層上；以及一觸碰傳感器層，設置在該薄膜封裝層上並包含複數個導電圖案及覆蓋該減震構件的一絕緣層。
  18. 如請求項17所述之顯示裝置，其中，在平面圖中觀察時，該減震構件與該電路層間隔開。
  19. 一種顯示裝置，其包含：一基底構件，包括一第一區域以及鄰近該第一區域設置的一第二區域，該第一區域包括一第一子區域以及圍繞該第一子區域的一第二子區域；一電路層，設置在該基底構件上以覆蓋該第一區域並暴露該第二區域；一顯示層，設置在該電路層上以顯示影像並與該第一子區域重疊；一薄膜封裝層，設置在該顯示層上以封裝該顯示層；一觸碰傳感器層，包含設置在該薄膜封裝層上的一導電圖案、以及一有機層以覆蓋該導電圖案；以及一減震構件，設置在該第二區域上；其中，該有機層從該薄膜封裝層的上部延伸以覆蓋該薄膜封裝層的一端部、該減震構件的上表面及側表面兩者、以及經暴露的該第二區域的至少一部分。
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