TWI731102B - 用於定位積體電路晶圓的裝置及用於檢驗積體電路晶圓且包含此定位裝置的設備 - Google Patents
用於定位積體電路晶圓的裝置及用於檢驗積體電路晶圓且包含此定位裝置的設備 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI731102B TWI731102B TW106119440A TW106119440A TWI731102B TW I731102 B TWI731102 B TW I731102B TW 106119440 A TW106119440 A TW 106119440A TW 106119440 A TW106119440 A TW 106119440A TW I731102 B TWI731102 B TW I731102B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- positioning
- support
- base
- vertical direction
- wafer
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
- G01R31/2891—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks related to sensing or controlling of force, position, temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0608—Height gauges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本發明涉及一種用於定位積體電路晶圓(W)的裝置(100),包括:- 稱為上部的基座(102)和稱為下部的基座(106),其佈置為在稱為垂直的方向(Z)上彼此間隔一距離,以便在所述基座(102,106)之間留下自由空間;- 支撐件(110),其設置成在所述上部(102)和下部(106)基座之間可移動的,並且包括用於接收待檢驗的所述晶圓(W)的位置(112);- 用於定位所述支撐件(110)之至少一個第一定位裝置(118),其使所述支撐件(110)在所述垂直方向(Z)上抵靠所述上部基座(102)或與所述上部基座(102)配合來定位;以及- 用於定位所述支撐件(110)之至少一個第二定位裝置(122),其使所述支撐件(110)在所述垂直方向(Z)上抵靠所述下部基座(106)
或與所述下部基座(106)配合來定位。
它還涉及一種用於實現這種定位裝置的積體電路晶圓的檢驗設備。
Description
本發明涉及一種用於定位積體電路晶圓的裝置,特別是考慮到檢驗設備中的所述積體電路晶圓的檢驗。它還涉及用於檢驗積體電路晶圓的設備,所述設備例如為包含這種裝置的光學輪廓測定(profilometry)設備。
本發明的領域更具體而非限制性地涉及微電子和整合式光學元件工業的檢驗設備。
電子或光學積體電路通常以積體電路晶圓的形式產生。
積體電路晶圓可以包括晶圓,所述晶圓是半導體的切片(slice)或晶圓和/或在其表面上的介電質材料,特別是藉由沉積或蝕刻操作來生成積體電路的圖案和元件。
一種積體電路晶圓還可以包括根據製造步驟,例如,- 晶圓元件或切割晶圓部件,其佈置在諸如另一晶圓或膜的支撐件上;- 預先生產的積體電路堆疊;或者- 以共同矩陣配置的具有積體電路和連接元件的複合結構。
在製造步驟期間,通常需要檢驗積體電路晶圓的一個或多個表面,以便例如鑑定(characterize)或證實在所述表面上產生的圖案、監測晶圓的厚度等。特別地,可能有必要確定在晶圓的一面上產生的溝槽或標記是否具有深度或高度方面的期望特性。這樣的檢驗例如可以透過光學輪廓測定裝置來實現。針對其他類型的裝置的其他理由,也可能需要檢驗晶圓的表面。
考慮到存在於晶圓表面上的圖案的非常小的尺寸,需要非常精確地定位晶圓,並且非常靠近用於檢驗的感測器或多個感測器。此外,當想要去檢驗晶圓的表面區域的不同區域或甚至整個表面區域時,還需要相對於感測器快速移動晶圓。
現在,用於定位當前使用的積體電路晶圓的裝置無法允許這些待符合的要求。
本發明的目的是克服這個缺陷。
本發明的另一個目的是提出一種用於定位的積體電路晶圓且具有簡單架構以及允許快速且準確地定位所述晶圓之裝置。
本發明的又一個目的是提出具有簡單架構的晶圓定位裝置,但允許同時檢驗晶圓的兩個面。
使用用於定位積體電路晶圓的裝置來實現這些目標中的至少一個,所述裝置包括:- 稱為上部基座的基座和稱為下部基座的基座,其佈置成在稱為垂直方向的方向上彼此間隔一距離,以便在所述基座之間留下自由空
間;- 支撐件,其設置成在所述上部基座和所述下部基座之間為可移動的,並且包括用於接收待檢驗的所述晶圓的位置;- 用於定位所述支撐件之至少一個第一裝置,其使所述支撐件在所述垂直方向上抵靠所述上部基座或與所述上部基座配合來定位;和- 用於定位所述支撐件之至少一個第二裝置,其使所述支撐件在所述垂直方向上抵靠所述下部基座或與所述下部基座配合來定位。
因此,根據本發明的裝置包括兩個基座,每個基座用作在垂直方向上定位積體電路晶圓的定位參考。這兩個基座偏移,使得晶圓在檢驗期間位於所述基座之間。因此,晶圓沿著垂直方向在兩個方向上定位,這允許更準確和更快的定位。
此外,在檢驗期間,晶圓位於上部基座和下部基座之間。結果,藉由配備具有感測器的每個基座而使感測器朝向另一個基座,可以對晶圓的兩個面進行同時檢驗。也可以進行晶圓的厚度測量或從晶圓的一面到另一面的透射測量。
在下文中,用語“檢驗”可以表示透過光學、電性(電容、電感等)或聲學裝置所進行的測量、視覺化、成像等的所有操作,例如:- 晶圓的圖案或層上厚度、高度或深度的測量,- 晶圓的平面上的尺寸(圖案、結構、區域等)測量,- 元件或圖案的表面狀況的視覺化、存在或不存在,- 元件或圖案的位置,以及- 檢測缺陷或顆粒。
在下文中,上部基座的“下表面”是位於可移動支撐件和下部基座的一側上之上部基座的面;下部基座的“上表面”是位於支撐件和上部基座的一側上之下部基座的面。
在本申請中,使用表述“垂直方向”或“水平方向”來避免編輯負擔,並不意味著空間中的絕對方位。最多,垂直方向是垂直於晶圓平面的方向,水平方向是平行於由晶圓形成的平面的方向。
上部基座的下表面可以平行於下部基座的上表面。
優選地,垂直方向是晶圓的檢驗方向。
特別地,當晶圓佈置在接收位置中時,垂直方向可以垂直於由所述晶圓形成的平面,及/或垂直於上部基座的下表面,及/或垂直於下部基座的上表面。
可以提供以便接收至少一個用於檢驗晶圓表面的感測器或者可以配備有至少一個用於檢驗晶圓表面的感測器之至少一個基座,特別是每個基座皆是如此。
特別地,可以提供以便接收包括依次或同時使用的一個或多個感測器的測量頭或者可以配備有包括依次或同時使用的一個或多個感測器的測量頭之上部基座。以下將這種配備上部基座的測量頭稱為“上測量頭”。
類似地,可以提供以便接收包括依次或同時使用的一個或多個感測器的測量頭或者可以配備有包括依次或同時使用的一個或多個感測器的測量頭之下部基座。以下將這樣配備下部基座的測量頭稱為“下測量頭”。
在一個實施例中,上和下測量頭可以彼此對準,特別是在晶圓的平面中。
在根據本發明的裝置的優選版本中,上部基座和下部基座也可以在垂直於垂直方向的另一方向(稱為水平方向)上相對於彼此偏移。
所述水平方向優選地是在所述基底之間引入晶圓的方向。
特別地,當晶圓佈置在接收位置中時,水平方向可以平行於由晶圓形成的平面,及/或平行於上部基座的下表面,及/或下部基座的上表面。
特別地,基座可以在所述水平方向上彼此間隔一距離,使得在所述水平方向上所述基座之間存在自由空間。
有利的是,在這個版本中:- 上測量頭可以佈置在所述上部基座的靠近下部基座的邊緣處;及/或- 下測量頭可以佈置在所述下部基座的靠近上部基座的邊緣處。
這種測量頭的定位允許簡單的架構,但提供同時檢驗晶圓的兩個面的可能性。事實上,這樣的定位使得同時檢驗晶圓的兩面是可能的,而且避免在上部基座和下部基座之一者中設置通孔之需求。
根據一有利的特徵,可以調整在所述水平方向上的基座之間的距離,使得測量頭在所述水平方向上彼此對準,更具體地在晶圓的平面中彼此對準。
優選地,下部基座和上部基座可以連接在一起以形成單件(single-piece)單元。
根據實施例,上部基座和下部基座可以透過兩個連接臂在每個基座的兩個相對的邊緣處連接在一起。
每個連接臂可以在下部基座和上部基座之間沿水平方向延伸。
特別地,連接臂可以彼此平行。
由上部和下部基座和可選的連接臂形成的單件組件可以透過單件加工獲得。
或者,單件組件可以由單獨製造的幾個部件形成,並且例如透過結合或透過螺紋轉緊(screwing)而組裝在一起。
上部和底部基座中的至少一個可以由花崗岩或大理石製成。
或者或另外,上部基底和下部基底中的至少一個可以由金屬材料或由對磁力敏感的材料製成。
下部基座的上表面可以矯正以提供更大的平整度或規律性。上部基座的下表面可以矯正以提供更大的平整度或規律性。
有利地,所述至少一個第一定位裝置可以包括在所述垂直方向上用以黏附到所述上表面或保持與所述上表面一起的至少一個黏附裝置,所述黏附裝置在垂直於所述垂直方向的至少一個方向上(特別是在垂直於所述垂直方向的所有方向上)是自由平移運動;另外,所述至少一個第二定位裝置包括在所述垂直方向上黏附到所述下表面或保持與所述下表面一起的至少一個黏附裝置,所述黏附裝置在垂直於所述垂直方向的至少一個方向上(特別是在垂直於所述垂直方向的所有方向上)是自由平移運動。
優選地,這種自由平移運動的黏附(或保持)裝置可以是產生與基座非接觸式黏附(或保持)的裝置。這種非接觸式黏附(或保持)裝置具有與基座零摩擦,因此更準確和更快的定位,但仍消耗較少能量。
根據特別有利的版本,自由平移運動的至少一個黏附(或保持)裝置可以包括真空空氣軸承。
根據替代方案,自由平移運動的至少一個黏附(或保持)裝置可以包括與鄰接基座的抗摩擦軸承相關聯的真空空氣軸承。
根據另一替代方案,當基底包括對磁吸引敏感的材料時,對所述基座自由平移運動的至少一個黏附(或保持)裝置可以包括真空空氣軸承。
當然,這些實施例是非限制性的,並且可以使用自由平移運動的其它黏附裝置。
有利地,第一和第二定位裝置可以固定到支撐件且在垂直於垂直方向之水平方向上佈置在接收位置的每一側上。
因此,提高了晶圓支撐件以及晶圓的定位精準度和穩定性。
當基座在水平方向上彼此偏移時,所述水平方向可以是在基座之間引入晶圓的方向,第一和第二定位裝置可以固定到支撐件且在所述水平方向上佈置在接收位置的每一側上。
優選地,第一和第二定位裝置可以佈置在支撐件的兩個相對面上,從而甚至進一步改善所獲得的定位。
此外,至少一個第一定位裝置可以有利地包括多個定位裝置。至少一個第二定位裝置可以有利地包括多個定位裝置。
在這種情況下,至少兩個第一定位裝置可以有利地在垂直於垂直方向的水平方向上佈置在接收位置的每一側上。因此,提高了晶圓支撐件以及晶圓的定位精準度和穩定性。
當是在這種情況下,前述水平方向擇優地垂直於基座會彼此偏移的水平方向。
優選地,接收位置可以被至少部分地穿孔,以允許在每個基座的一側上將佈置於其中的晶圓存取。
因此,有可能從所述基座中的一個基座存取晶圓的面中之一及從另一個基座存取所述晶圓的相對面(特別是,可以同時對晶圓的兩個面存取)。然後可以同時檢驗晶圓的兩個面。
根據本發明的裝置可以有利地包括相對於基座的支撐件的位移模組,特別是電動的,以產生所述支撐件在垂直於第一和第二水平方向的平移,其中所述第一和第二水平方向彼此垂直且垂直於垂直方向。
水平方向中的一個可以是在基座之間引入晶圓的方向。
根據實施例,支撐件可以透過在所述第一水平方向上的第一和第二滑動連桿而固定到位移模組,所述第一和第二滑動連桿基本上彼此平行且佈置在支撐件的每一側上。
根據實施例,第一滑動連桿可以是剛性的,並且第二滑動連桿可以是可撓性的。
使用與可撓性連桿相關聯的剛性連桿可以實現準確的定位,同時透過可撓性連桿吸收所述滑動連桿的平行度的缺陷。
剛性滑動連桿可以由第一滑動件提供,支撐件可以直接或間
接地固定在該第一滑動件上。
可撓性滑動連桿可以由與彈簧葉片組合的第二滑動件提供。
優選地,當是在這種情況下,第一水平方向可以是基座彼此偏移的水平方向。
有利地,支撐件可以透過在第二水平方向上的滑動連桿而固定到位移模組。
根據實施例,滑動連桿至少在第二水平方向以外的方向上可以是可撓性的。
這種滑動連桿的可撓性使得可以吸收基座的平坦度或平行度的缺陷,特別是上部基座的下表面和下部基座的上表面。
該滑動連桿可以由與彈簧葉片組合的第三滑動件提供。
優選地,支撐件可以僅沿其切片之一或其邊緣之一而固定到位移模組。
因此,支撐件的其他邊緣/切片是自由的。換句話說,具有位移模組的支撐件的緊固點被最小化。結果,支撐件相對於每個基座的定位係以更高的精度和更少的約束實現。
根據非限制性實施例,支撐件可以透過其邊緣之一經由彈簧片而固定到第三滑動件。第三滑動件可以在以下位置處被固定:- 在其之一端部,固定到第一滑動件;及- 在其另一端,透過彈簧片固定到第二滑動件。
位移模組可以有利地固定到基座中之一者,及/或與至少一個連接臂固定。
例如,位移模組可以例如經由第一和第二滑動件固定到上部基座的下表面或下部基座的上表面。
或者,位移模組可以固定到框架,例如檢驗設備的框架,根據本發明的裝置也是被佈置於框架上。
根據本發明的另一態樣,提出了一種用於積體電路晶圓的檢驗設備,特別是光學檢驗設備,其包括根據本發明的定位裝置。
定位裝置的至少一個基座(特別是每個基座)可以配備有包括至少一個感測器的光學頭,特別是可移除或可折卸的光學頭。
檢驗設備可以是用於鑑定積體電路晶圓的設備,更具體地,涉及用於測量與積體電路晶圓相關的至少一個物理參數或至少一個存在於所述積體電路晶圓的面上的圖案的設備。
檢驗設備可以包括例如:- 光干涉儀設備,- 用於成像積體電路晶圓的設備;或- 用於測量積體電路晶圓厚度的儀器。
此外,檢驗設備可以實現對積體電路晶圓的面之檢驗,或同時對所述晶圓的兩個面之檢驗。
100:裝置
102:基座/上部基座
104:測量頭/上測量頭
106:基座/下部基座
108:測量頭/下測量頭
110:支撐件/晶圓支撐件
112:接收殼體
114:邊緣
116:邊緣
118:第一定位裝置
1181:第一定位裝置
1182:第一定位裝置
120:表面/下表面
122:第二定位裝置
1221:第二定位裝置
1222:第二定位裝置
124:表面/上表面
200:單件組件
202:連接臂
204:連接臂
300:晶圓支撐件
400:位移模組
402:滑動件/第一滑動件
404:滑動件/第二滑動件
406:滑動件/第三滑動件
408:彈簧片
410:彈簧片
500:裝置
W:晶圓/積體電路晶圓
其他優點和特徵將在對實施例的詳細描述和附圖的審視下變得顯而易見,這些例子不是限制性的,其中:- 圖1是根據本發明的裝置的原理的非限制性實施例的橫截面的示意圖。
- 圖2是能夠用於根據本發明的裝置中的上部基座和下部基座的非限制性實施例的立體視圖的示意圖;- 圖3是能夠用於根據本發明的裝置中的晶圓支撐件的非限制性實施例的立體視圖的示意圖;- 圖4a和4b是能夠用在根據本發明的裝置中的晶圓支撐件的位移模組的非限制性實施例的不同視圖中的示意圖;及- 圖5是根據本發明的裝置的非限制性實施例的示意圖。
眾所周知的是,以下將要描述的實施例決不是限制性的。如果特徵的選擇足以賦予技術優點或足以相對於現有技術的狀態來區分本發明的話,則可以設想僅包括下文所述特徵的選擇而不考慮所描述的其它特徵之本發明的變換。此選擇包括至少一個特徵(優選為功能特徵)而不具有結構細節,或者僅僅具有一部分結構細節,如果僅有此部分就足以賦予技術優點或足以相對於現有技術的狀態區分本發明的話。
特別地,從技術角度來看,如果沒有對變換和實施例的組合表示異議,則所有變換和所有實施例可以組合在一起。
在附圖中,幾個附圖中通用的元件維持相同的參考符號。
參考附圖描述的實施例描述了意圖去定位晶圓的定位裝置,充分理解的是,這種裝置可用於定位所有類型的積體電路晶圓。
圖1是根據本發明的定位裝置的原理的非限制性實施例的橫截面的示意圖。
圖1所示的裝置100包括稱為上部基座的基座102,其配備
有稱為上測量頭的測量頭104,所述測量頭包括至少一個感測器,特別是光學感測器。
裝置100還包括稱為下部基座的基座106,其備配有稱為下測量頭的測量頭108,所述測量頭包括至少一個感測器,特別是光學感測器。
定位裝置100還包括支撐件110,其包括經穿孔的接收殼體112,其被提供來接收待透過測量頭104和108檢驗的晶圓W(或任何其它類型的積體電路晶圓W)。
如圖1所示,上部基座102和下部基座106是在稱為垂直方向的方向(圖1中標為“Z”)上彼此偏移,所述垂直方向垂直於由支撐件110所形成的平面。特別地,基座102和106可以在Z方向上彼此間隔一距離,使得在所述基座102和106之間存在有自由空間。因此,晶圓支撐件110可以插入在基座102和106之間,特別是在水平方向(圖1中標為“X”),所述水平方向垂直於垂直方向Z且平行於由晶圓支撐件110所形成的平面。
垂直方向Z是檢驗佈置在支撐件110的接收殼體112中的晶圓W的方向。
仍然在圖1所示的非限制性示例中,上部基座102和下部基座106在水平方向X上彼此偏移。特別地,基座102和106位於X方向上彼此間隔一距離,使得在所述基座102和106之間存在有自由空間。
上測量頭104佈置在上部基座102上且佈置在上部基座102的靠近下部基座106的邊緣114的一側上,並且上測量頭104以垂直方向Z朝向位於基座102和106之間的支撐件110。類似地,下測量頭108佈置在
下部基座106上且佈置在下部基座106的靠近上部基座102的邊緣116的一側上,並且下測量頭108朝向位於基座102和106之間的支撐件110。
優選地,選擇基座102和106之間的距離使得測量頭104和108在水平方向X上對準。另外,測量頭104和108也可以在水平方向(標號為Y)上對準,所述水平方向Y垂直於方向X、Z並且平行於由晶圓支撐件110所形成的平面。因此,測量頭104和108在垂直於垂直方向Z的平面中對準,所述平面包括水平方向X和Y且對應於晶圓W的平面。
支撐件110還配備有一個或多個第一定位裝置118,其用於相對於上部基座102定位支撐件110。特別地,第一定位裝置118相對於上部基座102的表面120(稱為下表面)產生支撐件110的定位,所述下表面位於支撐件110的一側上。
支撐件110還配備有一個或多個第二定位裝置122,其用於相對於下部基座106定位支撐件110。特別地,第二定位裝置122相對於下部基座106的表面124(稱為上表面)產生支撐件110的定位,所述上表面位於支撐件110的一側上。
根據優選實施例,每個第一定位裝置118以自由平移運動方式可以執行所述支撐件110與表面120的遠程保持(或黏附);每個第二定位裝置122以自由平移運動方式可以執行所述支撐件110與表面124的遠程保持(或黏附)。
如圖1所示,至少一個第一定位裝置118和至少一個第二定位裝置位於水平方向X上的接收殼體112的每一側上,因而是晶圓W的每側。因此,獲得的定位更加穩定和更精確。
當然,裝置100還包括用於基座102和106之間移動支撐件的模組,在圖1中未示出。這種位移模組的非限制性實施例在下面描述的圖4a-4b中提出。
每個基座可以由大理石或花崗岩製成,也可以由對磁力敏感的材料製成。
優選地,上部基座102的下表面120可以被修整,以便將平坦度的缺陷減少到最大化減少。下部基座106的上表面124可以被修整,以便將平坦度的缺陷減少到最大化減少。
在圖1所示的示例中,基座102和106中的每一個分別配備有測量頭104和108。或者,只有一個基座可以配備有測量頭。
圖2是上部和下部基座的非限制性實施例的立體視圖的示意圖。
在圖2中,僅示出了基座102和106。晶圓支架以及測量頭未示出。
如圖2所示,基座102和106連接在一起以形成單件組件200。
在圖2所示的示例中,基座102和106透過在上部基座102和下部基座106之間沿X方向延伸的兩個連接臂202和204連接在一起。每個連接臂202和204沿方向X產生在下部基座106的邊緣和上部基座102的邊緣的連結。
圖2所示的單件組件200可以藉由組裝(例如藉由接合)多個獨立生產的零件來獲得。
或者,圖2所示的單件組件200可以透過加工單件(諸如一塊大理石或花崗岩)來獲得。
圖3是能夠用於根據本發明的定位裝置的晶圓支撐件的非限制性實施例的立體視圖的示意圖;圖3所示的晶圓支撐件300可以例如是圖1中的晶圓支撐件110。
晶圓支撐件300包括在水平方向Y上佈置在接收位置112的每一側上的兩個第一定位裝置1181和1182。每個第一定位裝置1181-1182是真空空氣軸承,其在方向Z的兩個方位上對上部基座102的下表面120產生吸附,但仍保持與所述表面120相距一距離。
晶圓支撐件300包括在水平方向Y上佈置在接收位置112的每一側上的兩個第二定位裝置1221和1222。每個第二定位裝置1221-1222是真空空氣軸承,其在方向Z的兩個方位上對下部基座106的上表面124產生吸附,但仍保持與所述表面124相距一距離。
第一定位裝置1181-1182佈置在支撐件300的面上,其中所述支撐件300的面與佈置有第二定位裝置1221-1222的支撐件的面相對。
或者,每個第一定位裝置1181-1182(或每個第二定位裝置1221-1222)可以包括:- 真空空氣軸承,其與抗摩擦軸承組合而與表面120(或表面124)接觸;- 磁體或電磁體,其與抗摩擦軸承組合而與表面120(或表面124)接觸;或者
- 與空氣軸承組合的磁體或電磁體。
支撐件300可以由鋁、金屬或塑料製成。
圖4a-4b是能夠用於根據本發明的定位裝置中的晶圓支撐件的位移模組的非限制性實施例的示意圖。
圖4a是具有圖3的晶圓支撐件300的位移模組400的立體俯視圖。圖4b是具有圖3的晶圓支撐件300的位移模組400的立體仰視圖。
位移模組400包括彼此平行且在水平方向X上延伸的第一和第二滑動件,以及沿水平方向Y延伸的第三滑動件406。
晶圓支撐件300通過其邊緣之一(例如第一定位裝置1181-1182所在側的邊緣上)沿Y方向可滑動地連接到第三滑動件406。如圖4b所示,支撐件300經由彈簧片408固定到滑動件406,所述彈簧片408允許所述支撐件300圍繞Y方向且沿著Y方向彎曲,以便吸收表面120和124的平坦度的缺陷。
微測精密電動機(micrometric precision motor)(未示出)允許支撐件300在方向Y上沿著滑動件406移位。
第三滑動件406在以下位置處被固定的:- 在其之一端部,固定到第一滑動件402;及- 在其另一端,如圖4b所示的透過彈簧片410固定到第二滑動件404,所述彈簧片允許滑動件402和404的平行度的缺陷被吸收。
例如佈置在第一滑動件402的側面上的微測量精密電動機(未示出)允許第三滑動件406和支撐件300的組件在方向X上沿著滑動件402和404移動。
圖5是根據本發明的裝置的非限制性實施例的立體視圖的示意圖。
圖5所示的裝置500包括圖2的單件組件200、圖3的支撐件300和圖4的位移模組400。
在圖5所示的示例中,裝置500僅包括上測量頭104,並且不包括下測量頭。
在所示的示例中,位移模組400剛性地固定在連接上部基座102和下部基座106的臂202和204的內表面上,其中下部基座106在上部基座102下方。
測量頭部的上測量頭104和/或下測量頭105可以包括光學元件(例如透鏡或物鏡),使得可以產生用於測量及/或檢驗的一個或多個光路。
根據實施例,這些光路可以疊加(利用公共光學元件)以便能夠同時使用及/或分開使用。
因此,上測量頭104及/或下測量頭105可以特別地包括機械元件,例如透鏡轉台(如圖5所示),使得可以改變所使用的光學元件。
根據本發明的定位裝置可用於任何用於檢驗晶圓(更廣泛的是積體電路晶圓)的裝置中,包括例如:- 光學干涉測量輪廓儀,可以在晶圓(或積體電路晶圓)的一面或兩面上進行形狀或厚度的全場測量;- 具有光譜或時間領域檢測的低相干干涉儀,可以用可見光或紅外波長的測量光束進行距離、高度或厚度的測量;
- 共聚焦或彩色共聚焦型的測量裝置;- 透過偏轉測量、結構化光投射或三角測量來測量變形或距離的裝置;- 用於對晶圓(或積體電路晶圓)的面進行成像的裝置;- 用於監測晶圓(積體電路晶圓)的厚度的裝置;或- 透過測量散射光來檢測缺陷的裝置。
當然,本發明不限於剛才所述的實施例,在不超出本發明的範圍的情況下,可以對這些實施例進行各種調整。
100:裝置
102:基座/上部基座
104:測量頭/上測量頭
106:基座/下部基座
108:測量頭/下測量頭
110:支撐件/晶圓支撐件
112:接收殼體
114:邊緣
116:邊緣
118:第一定位裝置
120:表面/下表面
122:第二定位裝置
124:表面/上表面
Claims (14)
- 一種用於定位積體電路晶圓(W)的裝置(100,500),包括:- 稱為上部基座的基座(102)和稱為下部基座的基座(106),其佈置為在稱為垂直方向的方向(Z)上彼此間隔一距離,以便在所述基座(102,106)之間留下自由空間;- 支撐件(110,300),其設置成在所述上部基座(102)和所述下部基座(106)之間為可移動的,並且包括用於接收待檢驗的所述晶圓(W)的位置(112);- 所述支撐件(110,300)的至少一個第一定位裝置(118),其在所述垂直方向(Z)上抵靠所述上部基座(102)或與所述上部基座(102)配合;以及- 所述支撐件(110,300)的至少一個第二定位裝置(122),其在所述垂直方向(Z)上抵靠所述下部基座(106)或與所述下部基座(106)配合,其中,所述至少一個第一定位裝置(118)包括在所述垂直方向(Z)上至少一個黏附到所述上部基座(102)的黏附裝置,所述至少一個第一定位裝置的所述黏附裝置在垂直於所述垂直方向的至少一個方向上,特別是在垂直於所述垂直方向的所有方向上,可以自由平移;另外,所述至少一個第二定位裝置(122)包括在所述垂直方向(Z)上至少一個黏附到所述下部基座(106)的黏附裝置,所述至少一個第二定位裝置的所述黏附裝置在垂直於所述垂直方向的至少一個方向上,特別是在垂直於所述垂直方向的所有方向上, 可以自由平移。
- 根據請求項1所述的裝置(100,500),其中,所述上部基座(102)和所述下部基座(106)在稱為水平方向的另一方向(X)上彼此偏移,所述另一方向(X)垂直於所述垂直方向(Z)。
- 根據請求項1或2所述的裝置(100,500),其中,所述上部基座(102)和所述下部基座(106)連接在一起以形成單件組件(200)。
- 根據請求項1或2所述的裝置(100,500),其中,提供以便接收用於檢驗所述晶圓(W)的表面之至少一個感測器(104,108)的至少一個所述基座(102,106),特別是每個基座(102,106)皆是如此。
- 根據前述請求項1所述的裝置(100,500),其中,自由平移的至少一個所述黏附裝置包括真空空氣軸承。
- 根據請求項1或2所述的裝置(100,500),其中,將所述第一定位裝置(118)和所述第二定位裝置(122)固定到所述支撐件(110,300)且在垂直於所述垂直方向(Y)的水平方向(X)上佈置在所述接收位置(112)的每一側上。
- 根據請求項1或2所述的裝置(100,500),其中,所述至少一個第一定位裝置(118)包括多個定位裝置,至少兩個第一定位裝置(1181,1182)佈置在垂直於所述垂直方向(Z)的水平方向(Y)上的所述接收位置(112)的每一側上;另外,所述至少一個第二定位裝置(122)包括多個定位裝置,至少兩個第二定位裝置(1221,1222)佈置在垂直於所述垂直方向(Z)的水平方向(Y)上的所述接收位置(112)的每一側上。
- 根據請求項1或2所述的裝置(100,500),其中,所述接收位置(112) 被至少部分地穿孔,以允許在每個基座(102,106)的一側上將佈置於其中的晶圓(W)存取。
- 根據請求項1或2所述的裝置(100,500),其中,所述裝置包括用於相對於所述基座(102,106)移動所述支撐件(300)的模組(400),所述模組產生所述支撐件(300)在第一水平方向(X)和第二水平方向(Y)上的平移,其中所述第一水平方向和所述第二水平方向相互垂直並且皆垂直於所述垂直方向(Z)。
- 根據請求項9所述的裝置(100,500),其中,所述支撐件(300)藉由在所述第一水平方向(X)上的第一滑動連桿(402)和第二滑動連桿(404)而固定到所述位移模組(400),所述第一滑動連桿(402)和所述第二滑動連桿(404)彼此基本上平行且佈置在所述支撐件(300)的每一側上,所述第一滑動連桿(402)是剛性的,並且所述第二滑動連桿(404)是可撓性的。
- 根據請求項9所述的裝置(100,500),其中,在所述第二水平方向(Y)上,所述支撐件(300)藉由可撓性滑動連桿(406)而固定到所述位移模組(400)。
- 根據請求項9所述的裝置(100,500),其中,所述支撐件(300)僅沿著其外緣之一或其邊緣之一固定到所述位移模組(400)。
- 根據請求項9所述的裝置(100,500),其中,所述位移模組(400)被牢固地固定到所述基座(102,106)中的一個。
- 一種用於積體電路晶圓(W)的檢測設備,特別是光學檢測設備,包括:- 根據請求項1至13中任一項所述的定位裝置(100,500);以及 - 至少一個基座(102,106),固定到所述基座(102,106)的至少一個感測器(104,108)。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1655670 | 2016-06-17 | ||
??1655670 | 2016-06-17 | ||
FR1655670A FR3052869B1 (fr) | 2016-06-17 | 2016-06-17 | Dispositif de positionnement d'une plaquette de circuit integre, et appareil d'inspection d'une plaquette de circuit integre comprenant un tel dispositif de positionnement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201809708A TW201809708A (zh) | 2018-03-16 |
TWI731102B true TWI731102B (zh) | 2021-06-21 |
Family
ID=56611457
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106119440A TWI731102B (zh) | 2016-06-17 | 2017-06-12 | 用於定位積體電路晶圓的裝置及用於檢驗積體電路晶圓且包含此定位裝置的設備 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10684233B2 (zh) |
EP (1) | EP3472633B1 (zh) |
CN (1) | CN109313231B (zh) |
FR (1) | FR3052869B1 (zh) |
TW (1) | TWI731102B (zh) |
WO (1) | WO2017215941A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7143831B2 (ja) * | 2019-10-11 | 2022-09-29 | 信越半導体株式会社 | ウェーハ形状の測定方法 |
TWI735361B (zh) * | 2020-04-27 | 2021-08-01 | 大陸商上海新昇半導體科技有限公司 | 一種對晶圓進行定位的方法和半導體製造設備 |
CN112858880A (zh) * | 2021-01-12 | 2021-05-28 | 安徽华为硕半导体科技有限公司 | 一种集成电路的测试装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1167564A (zh) * | 1995-12-27 | 1997-12-10 | 株式会社信浓电子 | 集成电路块定位方法和采用该方法的集成电路块输送装置 |
US6183189B1 (en) * | 1998-11-27 | 2001-02-06 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Self aligning wafer chuck design for wafer processing tools |
US20020005166A1 (en) * | 2000-07-11 | 2002-01-17 | Takashi Kisaichi | Semiconductor manufactring apparatus, and positioning jig used for same |
US20020104229A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-08-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | System and method for detecting position of semiconductor wafer |
TW200731452A (en) * | 2005-12-02 | 2007-08-16 | Nitto Denko Corp | Method for determining position of semiconductor wafer, and apparatus using the same |
TW201543032A (zh) * | 2014-04-04 | 2015-11-16 | Nordson Corp | 用於檢測半導體晶圓的x射線檢測裝置(六) |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2260386Y (zh) * | 1995-11-16 | 1997-08-20 | 中国科学院高能物理研究所 | 半导体加工的对准装置 |
JPH10224099A (ja) * | 1997-02-04 | 1998-08-21 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | 回路部品装着方法および回路部品装着システム |
WO2002031227A2 (en) * | 2000-10-12 | 2002-04-18 | Applied Materials, Inc. | Deposition uniformity control for electroplating apparatus, and associated method |
KR20050084304A (ko) * | 2002-12-16 | 2005-08-26 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 높은 위치 정밀도로 물체를 처리하는 장치 |
US7138629B2 (en) * | 2003-04-22 | 2006-11-21 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
CN100474551C (zh) * | 2006-08-23 | 2009-04-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 定位校准装置及定位校准系统 |
CN101276774B (zh) * | 2007-03-28 | 2010-04-07 | 沈阳芯源先进半导体技术有限公司 | 晶片自动定位控制装置及其控制方法 |
CN101424511B (zh) * | 2008-12-16 | 2010-09-08 | 桂林电子科技大学 | Ic芯片引脚共面性检测仪 |
CN101556933A (zh) * | 2009-05-15 | 2009-10-14 | 东南大学 | 一种运动解耦的xy向精密定位平台 |
US9859141B2 (en) * | 2010-04-15 | 2018-01-02 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Apparatus and method for aligning and centering wafers |
FR3026481B1 (fr) * | 2014-09-25 | 2021-12-24 | Fogale Nanotech | Dispositif et procede de profilometrie de surface pour le controle de wafers en cours de process |
JP6515007B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2019-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハ検査方法及びウエハ検査装置 |
-
2016
- 2016-06-17 FR FR1655670A patent/FR3052869B1/fr active Active
-
2017
- 2017-06-01 EP EP17730710.5A patent/EP3472633B1/fr active Active
- 2017-06-01 US US16/319,455 patent/US10684233B2/en active Active
- 2017-06-01 CN CN201780037424.7A patent/CN109313231B/zh active Active
- 2017-06-01 WO PCT/EP2017/063352 patent/WO2017215941A1/fr unknown
- 2017-06-12 TW TW106119440A patent/TWI731102B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1167564A (zh) * | 1995-12-27 | 1997-12-10 | 株式会社信浓电子 | 集成电路块定位方法和采用该方法的集成电路块输送装置 |
US6183189B1 (en) * | 1998-11-27 | 2001-02-06 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Self aligning wafer chuck design for wafer processing tools |
US20020005166A1 (en) * | 2000-07-11 | 2002-01-17 | Takashi Kisaichi | Semiconductor manufactring apparatus, and positioning jig used for same |
US20020104229A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-08-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | System and method for detecting position of semiconductor wafer |
TW200731452A (en) * | 2005-12-02 | 2007-08-16 | Nitto Denko Corp | Method for determining position of semiconductor wafer, and apparatus using the same |
TW201543032A (zh) * | 2014-04-04 | 2015-11-16 | Nordson Corp | 用於檢測半導體晶圓的x射線檢測裝置(六) |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2017215941A1 (fr) | 2017-12-21 |
EP3472633B1 (fr) | 2022-08-03 |
US10684233B2 (en) | 2020-06-16 |
EP3472633A1 (fr) | 2019-04-24 |
CN109313231A (zh) | 2019-02-05 |
CN109313231B (zh) | 2021-07-09 |
TW201809708A (zh) | 2018-03-16 |
FR3052869B1 (fr) | 2018-06-22 |
FR3052869A1 (fr) | 2017-12-22 |
US20190219520A1 (en) | 2019-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI731102B (zh) | 用於定位積體電路晶圓的裝置及用於檢驗積體電路晶圓且包含此定位裝置的設備 | |
TWI517290B (zh) | A substrate position alignment device, a substrate alignment method, and a manufacturing method of a multilayer semiconductor | |
US9418882B2 (en) | Device and method for aligning substrates | |
TWI381166B (zh) | 檢查用固持構件及檢查用固持構件之製造方法 | |
JP5353892B2 (ja) | アラインメント装置およびアラインメント方法 | |
TW201403090A (zh) | 晶圓檢查裝置 | |
TWI467679B (zh) | 晶片層積元件檢查方法和晶片層積元件再配列單元以及晶片層積元件用檢查裝置 | |
JP2019527482A (ja) | ボンディング位置合わせのためのデバイスおよび方法 | |
JP6334695B2 (ja) | ウェーハを位置合わせおよび中心化するための装置および方法 | |
JP2022536569A (ja) | 半導体産業におけるウェハ幾何学形状測定のためのツールアーキテクチャ | |
JPWO2020084983A1 (ja) | 基板貼り合わせ装置、算出装置、基板貼り合わせ方法および算出方法 | |
JP5943030B2 (ja) | 基板重ね合わせ装置、基板重ね合わせ方法、及びデバイスの製造方法 | |
KR20200052958A (ko) | 적층 기판의 제조 방법, 제조 장치, 및 프로그램 | |
JP5600952B2 (ja) | 位置検出装置、基板貼り合わせ装置、位置検出方法、基板貼り合わせ方法、及びデバイスの製造方法 | |
JP6275632B2 (ja) | 常温接合装置及び常温接合方法 | |
JP5531508B2 (ja) | 基板重ね合わせ装置、基板重ね合わせ方法、及びデバイスの製造方法 | |
TWI386276B (zh) | 層積接合裝置用治具 | |
US8875979B2 (en) | Apparatus and method for determining an alignment of a bondhead of a die bonder relative to a workchuck | |
JP6101603B2 (ja) | ステージ装置および荷電粒子線装置 | |
JP2006267032A (ja) | 保持ヘッドの角度測定方法および保持ヘッドの角度測定装置 | |
JP2009177166A (ja) | 検査装置 | |
KR20100105223A (ko) | 프로브 유닛 제조 방법 및 프로브 유닛 제조 장치 | |
JP2013106007A (ja) | ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2010261915A (ja) | 基板検査装置 | |
JP6917706B2 (ja) | 吸着圧力分布の測定方法 |