TWI726600B - 多光束雷射剝離裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明的多光束雷射剝離裝置用於從基板剝離電子部件包括:第一雷射模組,向包括作為剝離對象的電子部件和其周圍電子部件的附著位置在內的規定範圍的第一基板區域照射第一雷射束,將多個上述電子部件的焊料加熱至規定的預熱溫度;以及第二雷射模組,向比上述第一基板區域窄的僅包括上述作為剝離對象的電子部件的附著位置的第二基板區域照射與上述第一雷射束重疊的第二雷射束,將上述作為剝離對象的電子部件的焊料追加加熱至開始熔融的剝離溫度。
Description
本發明有關雷射剝離裝置及方法,更詳細地,涉及為了解除單波束引起的基板的熱損傷並大幅改善基於雷射剝離處理的電子部件不良率而適用多雷射束的雷射剝離裝置及方法。雷射剝離裝置還稱為雷射重工(re-work)裝置。
在產業用雷射加工中,具有微米(μm)級的精密度的應用領域為微雷射加工,廣泛用於半導體產業、顯示器產業、印刷電路板(PCB)產業、智慧手機產業等。
在用於所有電子設備的儲存晶片中,為了實現集成度和性能及超高速通訊速度,技術朝向最大限度地縮小電路線寬與線寬間隔的方向發展,但,目前僅透過縮小電路線寬與線寬間隔無法實現所要求的技術水準,僅處於以垂直方向層疊多個儲存晶片的水準。臺灣積體電路製造股份有限公司(TSMC)已經研發了層疊至128層為止的層疊技術,三星電子、SK海力士等將層疊至72層為止的技術適用於大量生產。
在顯示器的情況下,在具有數百微米大小(例如,320×180μm)並用作液晶電視(LCD TV)等的背光單元(BLU)的迷你發光二極體(LED)和具有數十微米大小(例如,100×100μm,40×50μm等)且用作三原色電視
(RGB TV)或數位標牌的自發光光源的微型發光二極體使用層疊多個配線的印刷電路板。
如上所述,在焊接於具有多個內部配線層的多層印刷電路板的儲存晶片、發光二極體晶片等的一部分電子部件發生缺陷的情況下,當在以高密度配置多個電子部件的印刷電路板上僅剝離發生缺陷的相應電子部件時,由於根據雷射照射的發熱處理,可能產生不良。
圖1為配置有電子部件的多層印刷電路板的一部分區間的剖視圖。在配置於區域A的電子部件10的下部具有高密度的配線層,在配置於區域B的電子部件20的下部具有低密度的配線層。
例如,可以確認,若以20w的功率照射雷射光源,則相比於區域A,區域B的溫度急速上升。例如,在區域A的電子部件10到達適當剝離溫度的230~240℃的時間內,區域B的電子部件20過熱至300℃為止。在向基板的電子部件照射雷射束時照射1mm以下的光束大小的雷射束的情況下,用於熔融電子部件的焊料的雷射束的能源密度相對的大,在基板上根據位置的溫度偏差大,因此,即使適用相同的雷射束功率條件,根據基板上的位置發生過熱。
這種現象是內置於各區域的基板的配線層的密度引起的。在區域A中,高密度配線層順暢地執行將根據雷射照射的熱量向基板的其他部分釋放的功能,但在區域B中,由於低密度配線層,這種散熱作用不充分。
因此,當進行雷射剝離作業時,難以掌握各位置的印刷電路板內部配線結構,因此,只能透過利用相同功率的雷射光源執行雷射剝離,在此情況下,即使對區域A的電子部件10中獲取良好的剝離結果,在區域B中發生相應電子部件20過熱,甚至燃燒的現象。
在相同平面上以互不相同的密度配置晶片的柔性印刷電路板(FPCB,軟性印刷電路板)上也可觀察到與此類似的現象。即,當為了剝離位於密集地配置電子部件的區域的電子部件而照射雷射光源時,發生稀疏地配置於相鄰區域的電子部件更加過熱的現象。
本發明的目的在於,提供如下的雷射剝離裝置和方法:解除在以往的雷射剝離裝置中透過單波束的能源密度集中致使剝離位置周圍的電子部件及基板受損的問題。
本發明的目的在於,提供如下的雷射剝離裝置和方法:利用多雷射束同時或依次照射作為剝離對象的電子部件和其周圍的電子部件,以此可以改善基板上的各位置溫度偏差,從而可防止電子部件及基板受損或劣化的現象。
本發明的目的在於,提供如下的雷射剝離裝置和方法:在利用第一雷射束對剝離對象區域周圍進行充足地預熱的狀態下,利用功率更低的第二雷射束向作為剝離對象的電子部件照射,因此,相比於透過單波束照射1次雷射,可更加容易地以微細的方式控制雷射束的溫度曲線。
用於實現如上所述的目的的本發明為用於從基板剝離電子部件的多光束雷射剝離裝置,包括:第一雷射模組,向包括作為剝離對象的電子部件和其周圍電子部件的附著位置在內的規定範圍的第一基板區域照射第一雷射束,將多個上述電子部件的焊料加熱至規定的預熱溫度;以及第二雷射模組,向比上述第一基板區域窄的僅包括上述作為剝離對象的電子部件的附著位置的第二基板區域照射與上述第一雷射束重疊的第二雷射束,將上述作為剝離對象的電子部件的焊料追加加熱至開始熔融的剝離溫度。
並且,分別包括一個以上的上述第一雷射模組和上述第二雷射模組。
並且,上述第一雷射束和上述第二雷射束的照射面分別呈四邊形或圓形。
並且,上述第一基板區域的上述預熱溫度與上述第二基板區域的上述剝離溫度的溫度差為20℃至40℃。
並且,各上述雷射模組相互對稱配置,各上述雷射束具有相同的光束照射角度,具有互不相同的最大功率和波長。
並且,上述第一基板區域的上述預熱溫度與上述第二基板區域的上述剝離溫度的偏差為最大值的10%至15%。
並且,同時照射上述第一雷射束與上述第二雷射束。
並且,依次照射上述第一雷射束與上述第二雷射束。
並且,根據上述第一雷射束與上述第二雷射束的重疊的溫度曲線具有2階段的上升期和2階段的下降期。
並且,本發明還包括:攝像頭部,為了拍攝利用各上述雷射束剝離上述電子部件的過程,由至少一個攝像頭模組構成;以及雷射功率調整部,根據上述攝像頭部的輸出信號來生成用於獨立控制上述雷射照射部的各雷射模組的控制信號並向上述雷射照射部施加。
根據本發明,提供如下的雷射剝離裝置和方法:在以往的雷射剝離裝置中,透過單波束的能源密度集中解除剝離位置周圍的電子部件及基板受損的問題。
根據本發明,提供如下的雷射剝離裝置和方法:利用多雷射束同時或依次照射作為剝離對象的電子部件和其周圍的電子部件,以此可以改
善基板上的各位置溫度偏差,從而可防止電子部件及基板受損或劣化的現象。
根據本發明,提供如下的雷射剝離裝置和方法:在利用第一雷射束對剝離對象區域周圍進行充足地預熱的狀態下,利用功率更低的第二雷射束向作為剝離對象的電子部件照射,因此,相比於透過單波束照射1次雷射,可更加容易地以微細的方式控制雷射束的溫度曲線。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。
210:第一雷射束模組
100:電子部件附著區域
220:第二雷射束模組
10、20、110、120、130:電子部件
150:第一雷射束照射區域
tp:預熱溫度
tm:剝離溫度
310:第一雷射模組
311、321、331:雷射振盪器
312、322、331、光束整形器:光束整形器
313、323、333:光學透鏡模組
314、324、334:驅動裝置
315、325、335:控制裝置
316、326、336:冷卻裝置
320:第二雷射模組
330:第三雷射模組
370:雷射功率調整部
410:光纖維
420:凸鏡
440:凹鏡
450:光罩
460:變焦透鏡模組
A、B:區域
A1、A2、B1、B2、C1、C2、C3、D5:面光源
C4:正方形照射光
B2:四邊形照射光
S:成像面
S1:第一成像面
S2:第二成像面
S3:第三成像面
圖1為配置有電子部件的多層印刷電路板的一部分區間的剖視圖。
圖2a為本發明一實施例的多光束雷射剝離裝置的雙光束模組的示意圖。
圖2b為照射現有技術的單雷射束時的溫度曲線,圖2c為照射本發明一實施例的雙雷射束時的溫度曲線。
圖3為向配置有電子部件的柔性印刷電路板照射本發明一實施例的多雷射束的工序的說明圖。
圖4a及圖4b為照射現有技術的單雷射束的柔性印刷電路板和透過本發明一實施例的多光束雷射剝離裝置照射雙雷射束的柔性印刷電路板的比較圖像。
圖5a及圖5b為照射現有技術的單雷射束之後的柔性印刷電路板上的電子部件狀態和照射本發明一實施例的雙雷射束之後的柔性印刷電路板上的電子部件狀態的比較圖像。
圖6為對於0.08mm厚度的柔性印刷電路板照射現有技術的單雷射束時和照射本發明一實施例的雙雷射束時的溫度偏差實驗結果表。
圖7為對於0.6mm厚度的軟硬印刷電路板(Rigid FPCB)照射現有技術的單雷射束時和照射本發明一實施例的雙雷射束時的溫度偏差實驗結果表。
圖8為本發明一實施例的多光束雷射剝離裝置的結構圖。
圖9至圖12為可適用於本發明一實施例的多光束雷射剝離裝置的雷射光學儀的結構圖。
在本說明書中使用的術語僅用於說明特定實施例,並不限定本發明。除非在文脈上明確表示不同,單數的表達包括複數的表達。在本說明書中,「包括」、「具有」或「具備」等的術語用於指定在本說明書中記載的特徵、數字、步驟、動作、結構要素、部件或它們的組合的存在,而不是事先排除一個或一個以上的其他特徵或數字、步驟、動作、結構要素、部件或它們的組合的存在或附加可能性。
在本說明書中,除非另行定義,包括技術或科學術語的在此使用的所有術語呈現與本發明所屬技術領域的普通技術人員通常所理解的含義相同的含義。
與通常使用的詞典所定義的含義相同的術語應當解釋為具有與相關技術的前後文所具有含義一致的含義,除非在本說明書中明確定義,不應解釋為理想或過於形式上的含義。
圖2a為本發明一實施例的多光束雷射剝離裝置的雙光束模組的示意圖,圖2b為照射現有技術的單雷射束時的溫度曲線,圖2c為照射本發明一實施例的雙雷射束時的溫度曲線。
圖2a的雙光束模組包括:第一雷射束模組210,廣泛地照射作為剝離對象的電子部件及其周圍位置;以及第二雷射束模組220,僅照射作為剝離對象的電子部件附著位置,在作為剝離對象的電子部件附著位置中,第一雷射束與第二雷射束重疊。
圖2a中,第一雷射束呈四邊形,第二雷射束呈圓形,但2種雷射束也均可呈四邊形。並且,第一雷射束與第二雷射束可同時照射,還可在透過第一雷射束預熱基板之後依次照射第二雷射束。
圖2b及圖2c為照射現有技術的單雷射束時的溫度曲線與照射本發明一實例的重疊的雙雷射束時的溫度曲線的比較圖。
圖2b中,例如,向作為剝離對象的電子部件(target chip)照射20w功率的單一雷射束來加熱至使焊料熔融的規定的剝離溫度tm,在此情況下,將產生熱量向位於作為剝離對象的電子部件的周圍區域的多個電子部件傳遞的現象。
但是,圖2c中,例如,透過15w的功率的第一雷射束模組210的第一雷射束的溫度曲線將包括作為剝離對象的電子部件和其周圍區域的規定面積的基板溫度上升至低於焊料的熔點的規定的預熱溫度tp,這種預熱溫度tp需維持使在基板的內部未充分進行散熱的位置的電子部件不受損的低溫。
對此,例如,與5w的功率的第二雷射束模組220有關的第二雷射束的溫度曲線僅使作為剝離對象的電子部件附著區域(或,包括其的最接近電子部件的區域)的基板或電子部件的溫度追加上升,不是基板上的其他區域的多個電子部件受損並僅向作為剝離對象的電子部件供給剝離所需的充足的熱源。
圖3為向配置有電子部件的柔性印刷電路板照射本發明一實施例的雙雷射束的工序的說明圖。
在透過第一雷射束模組210向配置有多個電子部件110、120、130的柔性印刷電路板照射第一雷射束來使第一雷射束照射區域150的溫度維持低於焊料的熔點的規定的預熱溫度tp,如在維持在225℃的溫度的狀態下,透過第二雷射束模組220照射第二雷射束來僅對於作為剝離對象的電子部件附著區域100(或,包括其的最接近電子部件的區域)使基板或電子部件的溫度上升至剝離溫度tm,如到250℃的溫度為止,來僅使作為剝離對象的電子部件附著區域內的多個電子部件的焊料熔融。
在此情況下,優選地,為了縮短工序時間,同時照射第一雷射束與第二雷射束。
圖4a及圖4b為照射現有技術的單雷射束的柔性印刷電路板與透過本發明一實施例的多光束雷射剝離裝置照射雙雷射束的柔性印刷電路板的比較圖像。
圖4a中,具有圓形照射面的單雷射束向作為剝離對象的電子部件照射,圖4b中,具有四邊照射面的第一雷射束使包括作為剝離對象的電子部件的規定面積的基板溫度上升的同時僅向作為剝離對象的電子部件附著區域追加照射第二雷射束。
圖5a及圖5b為照射現有技術的單雷射束之後的柔性印刷電路板上的晶片狀態與照射本發明一實施例的雙雷射束之後的柔性印刷電路板上的晶片狀態的比較圖像,在圖5a的單雷射束照射結果中可確認電子部件受損,在圖5b的雙雷射束照射結果中確認電子部件未發生任何損傷。
圖6為對於0.08mm厚度的柔性印刷電路板照射現有技術的單雷射束時與照射本發明一實施例的雙雷射束時的溫度偏差實驗結果表。
圖6示出在照射雙雷射束的基板(以0.08mm厚度的柔性印刷電路板為基準)的雷射束照射面中對18個地方的溫度進行檢測並顯示(Dual)及在相同位置檢測並顯示照射現有技術的單雷射束的情況的溫度(Single)的比較實驗結果表與曲線圖。
在上述實驗中,透過現有技術的單雷射束的溫度分部為202~255℃,呈現出53℃的溫度偏差,相反,適用本發明的雙雷射束的溫度分佈為222~258℃,呈現36℃的溫度偏差。
溫度整體上從焊接對象電子部件的中心點位置1越接近雷射束照射面的邊緣位置18下降的現象相同,但是,相比於適用單雷射束的情況,在相同面積內適用雙雷射束的情況的最大及最大溫度偏差小於17℃。適用雙雷射束的情況的最低溫度為最高溫度的約86%,具有約12%的差異,但是,適用單雷射束的情況的最低溫度為最高溫度的約79%,呈現出約21%的差異。
圖7為對於0.6mm厚度的軟硬印刷電路板照射現有技術的單雷射束時與照射本發明一實施例的雙雷射束時的溫度偏差實驗結果表。
圖7示出在照射雙雷射束的基板(以0.6mm厚度的軟硬印刷電路板為基準)的雷射束照射面中對16個地方的溫度進行檢測並顯示(Dual)及在相同堆置檢測並顯示照射現有技術的單雷射束的情況的溫度(Single)的比較實驗結果表與曲線圖。
在上述實驗中,透過現有技術的單雷射束的溫度分佈為187~224℃,呈現出37℃的溫度偏差,相反,適用本發明的雙雷射束的溫度分佈為209~235℃,呈現出26℃的溫度偏差。
溫度整體上從焊接對象電子部件的中心位置1越接近雷射束照射面的邊緣位置16下降的現象相同,但是,相比於適用單雷射束的情況,在相
同面積內適用雙雷射束的情況的最大及最大溫度偏差小於11℃。適用雙雷射束的情況的最低溫度為最高溫度的約89%,具有約11%的差異,但是,適用單雷射束的情況的最低溫度為最高溫度的約83%,呈現出約27%的差異。
雖未圖示,在使用其他種類印刷電路板進行實驗的情況下,上述第一基板區域的上述預熱溫度與上述第二基板區域的上述剝離溫度的溫度差大致上為20℃至40℃(以約250℃的剝離溫度為基準),在上述第一基板區域的上述預熱溫度與上述第二基板區域的上述剝離溫度的最大偏差維持溫度最大值的10%至15%的情況下,可獲取優秀的剝離結果。
圖8為本發明一實施例的多光束雷射剝離裝置的結構圖。
圖8中,雷射照射部的各雷射模組310、320、330分別包括冷卻裝置316、326、336,雷射振盪器311、321、331,光束整形器312、322、332,光學透鏡模組313、323、333,驅動裝置314、324、334,控制裝置315、325、335以及供電部317、327、337。
以下,除必要情況之外,為了避免重複說明,在具有相同結構的各雷射模組中以第一雷射模組310為主進行說明。
雷射振盪器311生成具有規定範圍的波長和功率的雷射束。如一例,雷射振盪器可為具有「750nm至1200nm」或「1400nm至1600nm」或「1800nm至2200nm」或「2500nm至3200nm」的波長的雷射二極體(Laser Diode,LD)、稀土摻雜光纖雷射器(Rare-Earth-Doped Fiber Laser)或稀土摻雜晶體雷射器(Rare-Earth-Doped Crystal Laser),與此不同地,可包括具有755nm的波長的用於釋放變石雷射的介質或者具有1064nm或1320nm的波長的用於市場釔鋁石榴石晶體(Nd:YAG)雷射的介質。
光束整形器312(beam shape)將在雷射振盪器中發生並透過光纖維傳遞的點(spot)形態的雷射轉換為具有平頂的面光源(Area Beam)形態。光束整形器312可包括方形光管(Square Light Pipe)、繞射光學元件(Diffractive Optical Element,DOE)或微透鏡陣列(Micro-Lens Array,MLA)。
光學透鏡模組313調整在光束整形器中轉換為面光源形態的雷射束的形態和大小,來照射至安裝於印刷電路板的電子部件或照射區域。光學透鏡模組透過多個透鏡的結合構成光學儀,將透過圖9至圖12對這種光學儀的具體結構進行詳細說明。
驅動裝置314相對於照射面移動雷射模組的距離及位置,控制裝置315透過控制驅動裝置314來調整雷射束到達照射面時的光束形狀、光束面積大小、光束亮度及光束照射角度。控制裝置315控制驅動裝置314之外,還可綜合控制雷射模組310各部的工作。
另一方面,雷射功率調整部370根據透過使用人員界面接收的程序或預設的程序控制從與各雷射模組310、320、330相對應的供電部317、327、337向各雷射模組供給的電量。雷射功率調整部370從一個以上的攝像頭模組350接收照射面上的各部件、各區域或整體剝離狀態信息並據此控制各供電部317、327、337。與此不同地,從雷射功率調整部370的控制信息向各雷射模組310、320、330的控制裝置315、325、335傳遞,還可提供在各控制裝置315、325、335中控制各自對應的供電部317的反饋信號。並且,與圖8不同地,還可透過一個供電部向各雷射模組分配電力,在此情況下,需在雷射功率調整部370控制供電部。
在實現利用多光束的雷射重疊模式的情況下,雷射功率調整部370以使從各雷射模組310、320、330的雷射束具有所需的光束形狀、光束面積
大小、光束亮度及光束照射角度的方式控制各雷射模組及供電部317、327、337。雷射重疊模式利用第一雷射模組310對剝離對象位置周圍區域為止進行預熱,除在利用第二雷射模組320對更窄的剝離對象區域進行追加加熱的情況之外,也可適用於以向第一雷射模組310、第二雷射模組320、第三雷射模組330之間適當地分配預熱功能或追加加熱功能來具有所需的溫度曲線的方式控制各雷射模組的情況。
另一方面,在分配一個雷射光源來向各雷射模組輸入的情況下,雷射功率調整部370可具有用於同時調節分配的各雷射束的功率與相位的功能。在此情況下,可控制相位來顯著改善光束平坦度,來引導各雷射束之間的抵消干擾,由此,進一步增加能源效率。
另一方面,在實現多個位置同時加工模式的情況下,雷射功率調整部370以從使各雷射模組的雷射束的一部分或全部不同的方式控制各雷射束的光束形狀、光束面積大小、光束亮度、光束照射角度及光束波長中的一種以上。在此情況下,在分配一個雷射光源來向各雷射模組輸入的情況下,也可使雷射功率調整部370具有用於同時調節分配的各雷射束的輸入和相位的功能。
可透過這種功能調節雷射束的大小與功率來執行照射面內的多個電子部件與基板之間的接合或去除照射面內的多個電子部件與基板之間的接合。尤其,在從基板上去除受損的電子部件的情況下,隨著將雷射束的面積最小化為相應電子部件區域,可使透過雷射束向位於基板的相鄰的其他電子部件或正常電子部件施加的熱量最小化,由此,可僅去除作為去除對象的受損的電子部件。
另一方面,在使各雷射模組釋放具有互不相同的波長的雷射束的情況下,雷射照射部可由具有包括於電子部件的多個材料層(例:環氧塑
封料(EMC)層、矽層、焊料層)各自很好地吸收的波長的個別雷射模組構成。因此,本發明的雷射剝離裝置使電子部件的溫度和如作為印刷電路板或電子部件電極之間的連接材質的焊料(Solder)的中間接合材料的溫度選擇性地上升為不同溫度,從而可執行最佳化的接合(Attaching or Bonding)或分離(Detaching or Debonding)工序。具體地,可均透射電子部件的環氧塑封料模塑層與矽層來使焊料層吸收各雷射束的所有能源,還可使雷射束不透射環氧塑封料模塑層並對電子部件的表面進行加熱來使熱線向電子部件下部的焊接部傳遞。
另一方面,利用以上功能透過至少一個第一雷射束使包括作為剝離對象的電子部件區域和其周圍的基板的規定區域預熱至規定的預熱溫度為止之後,透過至少一個第二雷射束使作為剝離對象的電子部件區域的溫度選擇性地加熱至焊料開始熔融的剝離溫度為止,從而處於可選擇性地去除作為剝離對象的電子部件的狀態,接著,可透過規定形態的噴射裝置(未圖示)從基板去除上述作為剝離對象的電子部件。
圖9至圖12為可適用於本發明一實施例的多光束雷射剝離裝置的雷射光學儀的結構圖。
圖9為可適用於本發明的具有最簡單的結構的光學儀,若從光束傳輸光纖維410釋放的雷射束透過凸鏡420整列交點並向光束整形器430入射,則在光束整形器430將點形態的雷射束轉換為平坦(Flat-Top)形態的面光源A1,從光束整形器430輸出的正方形面光源A1透過凹鏡440放大為所需的大小以放大的面光源A2向成像面S照射。
圖10為本發明再一實施例的雷射光學儀的結構圖。
從光束整形器430的面光源B1透過凹鏡440放大為規定的大小來成為向第一成像面S1照射的面光源B2。在欲要進一步放大使用面光源B2的情
況下,面光源B2的邊緣(edge)部分的邊界隨著追加放大可能變得更加不明確,因此,為了最終照射面在第二成像面S2獲取邊緣分明的照射光,在第一成像面S1設置光罩450來修整邊緣。
透過光罩450的面光源透過由一個以上的凸鏡與凹鏡的組合構成的變焦透鏡模組460來縮小(或放大)成所要的大小,從而在配置有電子部件的第二成像面S2形成四邊形照射光B3。
圖11為本發明另一實施例的雷射光學儀的結構圖。
從光束整形器430的正方形面光源C1透過凹鏡440放大為規定大小之後,經過至少一對圓筒形透鏡470並沿著如x軸方向放大(或縮小)為矩形形狀的面光源C2,再次經過至少一對圓筒形透鏡480並沿著如y軸方向縮小(或放大),從而轉換為矩形形狀的面光源C3。
其中,圓筒形透鏡呈沿著長度方向切斷圓柱形狀的形態,根據各透鏡沿著上下方向配置的形態起到放大或縮小雷射束的功能,根據配置有圓筒形透鏡的表面上的沿著x、y軸方向配置透鏡的形態來以x軸或y軸方向調節雷射束。
接著,面光源C3透過由一個以上的凸鏡與凹鏡的組合構成的變焦透鏡模組460來放大(或縮小)成所要的大小來在配置有電子部件的第二成像面S2形成矩形照射光C4。
圖12為本發明還有一實施例的雷射光學儀的結構圖。
圖12的光學儀為添加將光罩適用於圖11的光學儀來修整雷射束的邊緣的結構的光學儀,相比於圖11的情況,可獲取具有更分明的邊緣的最終面光源D5。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,本發明所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,
當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
310:第一雷射模組
311、321、331:雷射振盪器
312、322、331:光束整形器
313、323、333:光學透鏡模組
314、324、334:驅動裝置
315、325、335:控制裝置
316、326、336:冷卻裝置
320:第二雷射模組
330:第三雷射模組
370:雷射功率調整部
Claims (6)
- 一種多光束雷射剝離裝置,包括:一個以上的第一雷射模組,向包括密集地配置於基板上的作為剝離對象的電子部件和其周圍電子部件的附著位置在內的規定範圍的第一基板區域照射第一雷射束,將多個上述電子部件的焊料加熱至規定的預熱溫度;一個以上的第二雷射模組,向比上述第一基板區域窄的僅包括上述作為剝離對象的電子部件的附著位置的第二基板區域照射比上述第一雷射束功率更低且在具有與上述第一雷射束互不相同的最大功率和波長的狀態下與上述第一雷射束同時重疊的第二雷射束,將上述作為剝離對象的電子部件的焊料追加加熱至開始熔融的剝離溫度;攝像頭部,為了拍攝利用上述第一雷射束和第二雷射束剝離上述電子部件的過程,由至少一個攝像頭模組構成;以及雷射功率調整部,根據上述攝像頭部的輸出信號來生成用於獨立控制各雷射束的形狀、重疊區域、照射角度、功率、波長以及溫度的控制信號並向上述各雷射模組施加,上述第一雷射束和上述第二雷射束的照射面藉由各雷射模組所具有的光束整形器分別呈四邊形或圓形,透過第一雷射束模組的第一雷射束的溫度曲線將包括上述作為剝離對象的電子部件和其周圍區域的規定面積的第一基板區域的溫度上升至低於焊料的熔點的規定的預熱溫度,第二雷射束的溫度曲線僅使作為上述作為剝離對象的電子部件的附著區域或包括該附著區域的最接近電子部件的區域 的第二基板區域的溫度追加上升至剝離溫度,來僅使作為剝離對象的電子部件的附著區域內的多個電子部件的焊料熔融,當照射第一雷射束和第二雷射束時,控制各雷射束的形狀、重疊區域、邊緣修整、照射角度、功率、波長以及溫度來選擇性地僅剝離所需電子部件,以防稀疏地配置於基板上的相鄰區域的周圍電子部件更加過熱。
- 如請求項1所述的多光束雷射剝離裝置,其中上述第一基板區域的上述預熱溫度與上述第二基板區域的上述剝離溫度的溫度差為20℃至40℃。
- 如請求項1所述的多光束雷射剝離裝置,其中各上述雷射模組相互對稱配置,各上述雷射束具有相同的光束照射角度,具有互不相同的最大功率和波長。
- 如請求項1所述的多光束雷射剝離裝置,其中上述第一基板區域的上述預熱溫度與上述第二基板區域的上述剝離溫度的偏差為最大值的10%至15%。
- 如請求項1所述的多光束雷射剝離裝置,其中依次照射上述第一雷射束與上述第二雷射束。
- 如請求項1所述的多光束雷射剝離裝置,其中根據上述第一雷射束與上述第二雷射束的重疊的溫度曲線具有2階段的上升期和2階段的下降期。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2019-0013549 | 2019-02-01 | ||
KR1020190013549A KR102174928B1 (ko) | 2019-02-01 | 2019-02-01 | 멀티 빔 레이저 디본딩 장치 및 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202030039A TW202030039A (zh) | 2020-08-16 |
TWI726600B true TWI726600B (zh) | 2021-05-01 |
Family
ID=70429582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109103277A TWI726600B (zh) | 2019-02-01 | 2020-02-03 | 多光束雷射剝離裝置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11699676B2 (zh) |
EP (1) | EP3919218B1 (zh) |
JP (1) | JP6916397B2 (zh) |
KR (1) | KR102174928B1 (zh) |
CN (2) | CN210470177U (zh) |
TW (1) | TWI726600B (zh) |
WO (1) | WO2020159341A1 (zh) |
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- 2019-04-04 CN CN201920452972.2U patent/CN210470177U/zh active Active
- 2019-04-04 CN CN201910271405.1A patent/CN111542216B/zh active Active
- 2019-10-09 US US16/596,925 patent/US11699676B2/en active Active
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- 2020-02-03 WO PCT/KR2020/001598 patent/WO2020159341A1/ko unknown
- 2020-02-03 TW TW109103277A patent/TWI726600B/zh active
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EP3919218B1 (en) | 2023-12-13 |
CN111542216B (zh) | 2021-05-25 |
KR102174928B1 (ko) | 2020-11-05 |
CN111542216A (zh) | 2020-08-14 |
CN210470177U (zh) | 2020-05-05 |
US11699676B2 (en) | 2023-07-11 |
WO2020159341A1 (ko) | 2020-08-06 |
TW202030039A (zh) | 2020-08-16 |
EP3919218C0 (en) | 2023-12-13 |
JP6916397B2 (ja) | 2021-08-11 |
KR20200095770A (ko) | 2020-08-11 |
JP2021514854A (ja) | 2021-06-17 |
EP3919218A1 (en) | 2021-12-08 |
EP3919218A4 (en) | 2022-05-11 |
US20200251442A1 (en) | 2020-08-06 |
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