TWI726294B - 曝光裝置及製造物品的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供了一種曝光裝置，其包括形成單元以及控制單元，形成單元被配置為在基板上的抗蝕劑膜上形成標記，控制單元被配置為藉由基於標記的測量位置將圖案投影到基板上的抗蝕劑膜上的目標位置上來執行曝光處理以形成潛像，其中，在對移除具有第一標記的第一抗蝕劑膜之後其上已形成有第二抗蝕劑膜的重工基板執行曝光處理之前，控制單元使形成單元執行在第二抗蝕劑膜上形成第二標記的形成處理，以使第二標記將被定位在重工基板上的偏離第一標記的位置的位置處。

Description

曝光裝置及製造物品的方法
本發明關於一種曝光裝置和製造物品的方法。
當要藉由使用光刻技術製造裝置(半導體裝置、液晶顯示裝置、薄膜磁頭等)時，使用曝光裝置，曝光裝置藉由經由投影光學系統將遮罩(標線片(reticle))的圖案投影到已塗覆有光阻劑的基板上，來將圖案轉印到塗覆有光阻劑的基板。
近年來，在日本專利公開第11-307449號中已提出了一種曝光裝置，其藉由在單層上多次執行曝光處理並在不執行顯影處理的情況下將在各個曝光處理中形成的潛像圖案疊加起來，來形成單層圖案。在這種曝光裝置中，在執行第一曝光處理之前形成對準(AMF：Alignment Mark Former，對準標記形成器)標記，並基於這些對準標記來管理(控制)在各個曝光處理中形成的潛像圖案的相對位置。
在曝光裝置中，可能存在在基板上塗覆的光阻劑(亦即，抗蝕劑膜)中或在曝光處理時的曝光條件(曝光狀態)中發生異常的情況。在這種情況下，執行從基板移除已經塗覆的抗蝕劑膜並在基板上再次塗覆(再次生成)抗蝕劑膜的處理，以防止在由此基板所製造的裝置中產生缺陷。這種經過抗蝕劑膜再次生成的基板被稱為“重工基板(reworked substrate)”且再次被使用。
然而，在某些情況下，在重新加工之前所形成的對準標記的影響可能會保留在重工基板中。這是因為基板表面的性質可能因為對準標記的形成而已經發生變化。因此，由於在重新加工之前所形成的對準標記的影響，在重工基板上再次形成的對準標記的檢測精度可能會降低，且可能會變得無法檢測再次形成的對準標記。
本發明提供一種有利於再次使用重工基板的曝光裝置。
根據本發明的第一態樣，提供了一種曝光裝置，其包括：形成單元，被配置為在基板上的抗蝕劑膜上形成標記；測量單元，被配置為測量由形成單元所形成的標記的位置；以及控制單元，被配置為藉由基於由測量單元所測量的標記的位置將圖案投影到基板上的抗蝕劑膜上的目標位置上來執行曝光處理以形成潛像，其中，在對移除具有第一標記的第一抗蝕劑膜之後其上已形成有第二抗蝕劑膜的重工基板執行曝光處理之前，控制單元使形成單元執行在第二抗蝕劑膜上形成第二標記的形成處理，以使第二標記將被定位在重工基板上的偏離第一標記的位置的位置處。
從參照所附圖式之例示性實施例的以下說明，本發明的進一步態樣將變得清楚明瞭。
下面將參照所附圖式描述本發明的較佳實施例。注意，在所有圖式中，相同的標號表示相同的構件，且將不會給予其重複描述。
＜第一實施例＞ 圖1是顯示作為本發明的一個態樣的曝光裝置1的佈置的示意圖。曝光裝置1是在光刻處理中所使用的微影裝置，光刻處理是像是半導體裝置或液晶顯示裝置的裝置的製造處理。藉由經由投影光學系統將遮罩圖案投影到基板上的抗蝕劑膜上，曝光裝置1執行曝光處理，在曝光處理中，在基板上的抗蝕劑膜(光阻劑)上形成潛像(潛像圖案)。如圖1所示，曝光裝置1包括照明光學系統12、遮罩台14、投影光學系統15、基板台17、標記形成單元18、標記測量單元19、以及控制單元20。
照明光學系統12藉由使用來自光源11的光照射遮罩13。遮罩台14是可在保持遮罩13的同時移動的台。藉由將已被照明光學系統12照射的遮罩13的圖案投影到基板上，投影光學系統15在基板上的抗蝕劑膜上形成潛像圖案。基板台17是可在保持基板16的同時移動的台。標記形成單元18在基板上的抗蝕劑膜上形成對準標記(在下文中稱為“AMF(Alignment Mark Former，對準標記形成器)標記”)。標記測量單元19藉由檢測形成在基板上的抗蝕劑膜上的AMF標記來測量每一個AMF標記的位置。控制單元20由，例如，包括CPU、記憶體等的電腦所形成，且通常根據儲存在儲存單元中的程式來控制曝光裝置1的各個單元。
將參照圖2描述在曝光裝置1中所執行的基本曝光處理。藉由在單層上執行兩次(多次)曝光處理，並在不執行顯影處理的情況下將在各個曝光處理中所形成的潛像圖案加起來以形成單層圖案的這種情況將在此處作為例子被說明。在這種情況下，在執行第一曝光處理之前在基板上的抗蝕劑膜上形成AMF標記，並藉由使用AMF標記為基準來控制(管理)在各個曝光處理中要形成的潛像圖案的相對位置。
在步驟S201中，將遮罩13裝載到曝光裝置1中。更具體地，遮罩運送裝置(未示出)取出儲存在遮罩儲存架中的遮罩13，並將遮罩13裝載到曝光裝置1中，以使遮罩台14保持遮罩。
在步驟S202中，將基板16裝載到曝光裝置1中。更具體地，基板運送裝置(未示出)取出儲存在盒(pod)中的基板16，並將基板16裝載到曝光裝置1中，以使基板台17保持基板。假設已經在基板16上形成(塗覆)抗蝕劑膜。
在步驟S203中，在基板上的抗蝕劑膜上形成AMF標記。更具體地，保持基板16的基板台17被移動到AMF標記形成位置(標記形成單元18的下方)，並藉由標記形成單元18在基板上的抗蝕劑膜上形成AMF標記。
在步驟S204中，測量在步驟S203中所形成的AMF標記的位置。更具體地，將保持基板16的基板台17移動到AMF標記測量位置(標記測量單元19的下方)，並藉由標記測量單元19測量在基板上的抗蝕劑膜上所形成的AMF標記的位置。
在步驟S205中，在第一層上執行第一曝光處理。更具體地，藉由使用在步驟S204中所測量的測得AMF標記位置作為基準，將保持基板16的基板台17移動到曝光基板16的位置，亦即，遮罩13的圖案投影位置(投影光學系統15的下方)。接著，藉由將遮罩13的圖案投影到基板上的抗蝕劑膜上的目標位置(部分區域)上來執行形成潛像圖案的曝光處理。
在步驟S206中，經歷步驟S205中的第一曝光處理的基板16從基板台17被收集並由基板運送裝置(未示出)保持。在步驟S207中，將保持在基板運送裝置中的基板16旋轉90°，且在此狀態下(亦即，在基板已被旋轉90°的狀態下)由基板台17保持基板16。
在步驟S208中，測量在步驟S203中所形成的AMF標記的位置。更具體地，將保持已被旋轉90°的基板16的基板台17移動到AMF標記測量位置(標記測量單元19的下方)，並藉由標記測量單元19測量在基板上的抗蝕劑膜上所形成的AMF標記的位置。
在步驟S209中，在第一層上執行第二曝光處理。更具體地，藉由使用在步驟S208中所測量的AMF標記的位置作為基準，將保持已被旋轉90°的基板16的基板台17移動到遮罩13的圖案投影位置(投影光學系統15的下方)。接著，藉由將遮罩13的圖案投影到基板上的抗蝕劑膜上的目標位置(與經歷第一曝光處理的區域不同的區域)上來執行形成潛像圖案的曝光處理。
在步驟S210中，從曝光裝置1卸載基板16。更具體地，基板運送裝置(未示出)從基板台17收集經歷第一曝光處理和第二曝光處理的基板16，並從曝光裝置1卸載基板。
將參照圖3A至圖3D描述圖2中所顯示的曝光處理之步驟S203、S204、S205及S209的細節。圖3A至圖3D顯示形成在基板上的抗蝕劑膜上的AMF標記31、32及33、標記測量單元19、以及標記測量單元19的測量範圍MR之間的相對位置關係。
如圖3A所示，在執行第一曝光處理之前，標記形成單元18在基板上的抗蝕劑膜上形成，例如，三個AMF標記31、32及33(步驟S203)。標記形成單元18在控制單元20的控制下形成三個AMF標記31、32及33，使得這些標記將落在標記測量單元19的測量範圍MR內。藉由使用來自與光源11不同的光源的光(亦即，與用於形成潛像圖案的光的波長不同的波長的光)，例如，像是雷射光束，來移除基板上的抗蝕劑膜，標記形成單元18形成AMF標記31、32及33。然而，標記形成單元18可藉由使用來自光源11的光以過度劑量(overdose)對基板上的抗蝕劑膜執行曝光來形成AMF標記31、32及33。
圖3B顯示藉由標記測量單元19檢測形成在基板上的抗蝕劑膜上的AMF標記31和32的狀態(步驟S204)。在本實施例中，每一個標記測量單元19包括藉由使用不同於來自光源11的光的波長之波長的光(非曝光光)來檢測AMF標記31、32及33的偏軸示波器(OAS，off-axis scope)。由於每一個標記測量單元19以這種方式使用非曝光光，其可測量AMF標記31、32及33的位置，而不會對基板上的抗蝕劑膜執行曝光。
注意，雖然曝光裝置1包括兩個標記形成單元18及兩個標記測量單元19，如圖1及圖3A至圖3D所示，但標記形成單元18的數量和標記測量單元19的數量均不限於特定數值。可根據要在基板上的抗蝕劑膜上形成的AMF標記的數量和位置以及測量AMF標記的位置所需的時間來佈置適當數量的標記形成單元18及標記測量單元19。
圖3C顯示處於在執行第一曝光處理之後的狀態(步驟S205)的基板16。如圖3C所示，藉由基於由標記測量單元19所測量的AMF標記31、32及33的位置將遮罩13的圖案投影到基板上的抗蝕劑膜上的目標位置上，在基板上的抗蝕劑膜上形成潛像圖案(曝光圖像)LI1。從基板台17收集經歷第一曝光處理的基板16。此時，控制單元20將獲得AMF標記31、32及33與潛像圖案LI1之間的相對位置關係。
圖3D顯示處於在執行第二曝光處理之後的狀態(步驟S209)的基板16。經歷第一次曝光處理並從基板台17被收集的基板16，例如，藉由基板運送裝置被旋轉90°並藉由基板台17保持在此狀態。雖然在本實施例中已執行第一曝光處理的曝光裝置1將執行第二曝光處理，但可在不同於曝光裝置1的另一個曝光裝置中執行第二曝光處理。
在經歷第一曝光處理的基板16被由基板台17保持之後，藉由標記測量單元19測量AMF標記31、32及33的位置。接著，基於AMF標記31、32及33的位置以及AMF標記31、32及33與潛像圖案LI1之間的相對位置關係，確定在第二曝光處理中之要在基板上的抗蝕劑膜上被形成的潛像圖案LI2的目標位置。藉由將遮罩13的圖案投影到所確定的目標位置上，在基板上的抗蝕劑膜上形成潛像圖案LI2。
以此方式，在單層上執行多次曝光處理的情況下，將管理AMF標記31至33與潛像圖案LI1之間的相對位置關係、以及AMF標記31至33與潛像圖案LI2之間的相對位置關係。
在曝光裝置1中，在某些情況下，在基板上的抗蝕劑膜中或在曝光處理時的曝光條件(曝光狀態)中可能發生異常。在這種情況下，為了防止在要由此基板16所製造的裝置中產生缺陷，將執行移除已被形成在基板16上的抗蝕劑膜(第一抗蝕劑膜)並在基板上形成(再次生成)新的抗蝕劑膜(第二抗蝕劑膜)的處理。抗蝕劑膜以此方式已被再次生成於其上的基板16被稱為“重工基板”，並被再次使用。具有再次生成的抗蝕劑膜的基板16在下文中將被稱為重工基板16A。
將參照圖4A至圖4F描述根據本實施例的重工基板和在重工基板上執行的曝光處理。如圖4A所示，在對基板16執行曝光處理之前，已藉由標記形成單元18在基板上的抗蝕劑膜上形成三個AMF標記31、32及33。如圖4B所示，藉由基於由標記測量單元19所測量的AMF標記31、32及33的位置將遮罩13的圖案投影到基板上的抗蝕劑膜上的目標位置上來形成潛像圖案LI1。注意，為了在基板上的抗蝕劑膜上的目標位置處形成潛像圖案LI1，需要獲得各種類型的校正量。校正量包括，例如，基板上的投射區域(shot region)的佈局的校正量、以及基板台17的驅動校正量，其中，基板上的投射區域的佈局的校正量可從由標記測量單元19所測量的AMF標記31、32及33的位置之相對於設計值的偏移量被獲得。
若在此處圖4B所示的曝光處理中，在基板上的抗蝕劑膜中或在曝光條件中發生異常，則如上所述地移除基板上的抗蝕劑膜。因此，雖然潛像圖案LI1將與抗蝕劑膜一起被移除，但各個AMF標記31、32及33的軌跡，亦即，標記軌跡31’、32’及33’將保留在基板上，如圖4C所示。這是因為即使在基板上沒有缺陷，由於AMF標記31、32及33的形成，基板16的表面的性質也可能已經改變。若在基板16上與標記軌跡31’、32’及33’重疊地形成新的AMF標記，則新的AMF標記的檢測精度可能降低，且由於基板16表面的性質的改變，可能變得無法檢測新的AMF標記。
因此，在本實施例中，如圖4D所示，當要在重工基板16A上(更具體地，在重工基板上的抗蝕劑膜上)形成AMF標記時，AMF標記41、42及43被形成在偏離標記軌跡31’、32’及33’的位置處。換言之，標記形成單元18將執行形成AMF標記41至43的形成處理，使得AMF標記41至43(第二標記)將被定位在重工基板16A上的偏離標記軌跡31'至33'(第一標記)的位置的位置處。在此情況下，較佳的是，形成AMF標記41至43，使得重工基板16A上的AMF標記41至43的位置不會重疊於標記軌跡31’、32’及33’。這可抑制(防止)新的AMF標記41、42及43的檢測精度降低的狀態、或者變得無法檢測新的AMF標記41、42及43的狀態。此外，較佳的是，形成AMF標記41、42及43，使得當AMF標記41、42及43的位置要藉由標記測量單元19測量時，標記軌跡31’、32’及33’將位在AMF標記41、42及43的測量範圍之外。這可抑制(防止)標記測量單元19錯誤地檢測標記軌跡31’、32’及33’。
在重工基板上的抗蝕劑膜上形成AMF標記41至43之後，基於由標記測量單元19所測量的AMF標記41至43的位置，將遮罩13的圖案投影到重工基板上的抗蝕劑膜上的目標位置上，如圖4E所示。因此，在重工基板上的抗蝕劑膜上形成潛像圖案LI3。
已形成有潛像圖案LI3的重工基板16A藉由，例如，基板運送裝置(未示出)被旋轉90°，並在此狀態下由基板台17保持。接著，如圖4F所示，基於由標記測量單元19所測量的AMF標記41至43的位置，將遮罩13的圖案投影到重工基板上的抗蝕劑膜上的目標位置上。因此，在重工基板上的抗蝕劑膜上形成潛像圖案LI4。
雖然在本實施例中在曝光裝置1(同一曝光裝置)中執行用於形成潛像圖案LI3和潛像圖案LI4的曝光處理，但本發明不限於此。例如，可在不同的曝光裝置中執行用於形成潛像圖案LI3的曝光處理以及用於形成潛像圖案LI4的曝光處理。
此外，在本實施例中，標記形成單元18在重工基板上的抗蝕劑膜上形成三個AMF標記41至43。這樣做是為了除了重工基板16A的平移方向上的位置之外，還從AMF標記41到43的位置獲得旋轉方向上的位置。因此，較佳的是，在重工基板上的抗蝕劑膜上形成至少三個AMF標記。
另外，從AMF標記的位置的測量精度的觀點來看，較佳的是，使要在重工基板上的抗蝕劑膜上形成的至少三個AMF標記之間的距離較預先確定的距離更長。同樣較佳的是，要在重工基板上的抗蝕劑膜上形成的AMF標記的數量與在重工之前在基板上的抗蝕劑膜上形成的AMF標記的數量相同。此外，較佳的是，要在重工基板上的抗蝕劑膜上形成的複數個AMF標記之間的相對距離等於在重工之前在基板上的抗蝕劑膜上形成的複數個AMF標記之間的相對距離。
＜第二實施例＞ 如圖5所示，AMF標記31、32及33的軌跡，亦即，標記軌跡31’、32’及33’分別保留在重工基板16A上。存在可藉由標記測量單元19檢測標記軌跡31’、32’及33’的可能性。換言之，可能存在可藉由標記測量單元19檢測標記軌跡31’、32’及33’的位置的情況。因此，在本實施例中，將根據標記測量單元19是否可測量保留在重工基板16A上的標記軌跡31’、32’及33’的位置來確定是否形成新的AMF標記41、42及43。
如圖6所示，在步驟S601中，標記測量單元19測量保留在重工基板16A上的標記軌跡31’、32’及33’的位置。在步驟S602中，基於在步驟S601中所獲得的測量結果，確定標記測量單元19是否可測量標記軌跡31’、32’及33’的位置。
如果標記測量單元19可測量標記軌跡31’、32’及33’的位置，則處理前進到步驟S603。在步驟S603中，藉由基於在步驟S601中所測量的標記軌跡31’、32’及33’的位置將遮罩13的圖案投影到重工基板上的抗蝕劑膜上的目標位置上，曝光處理被執行，以形成潛像圖案。
另一方面，如果標記測量單元19無法測量標記軌跡31’、32’及33’的位置，則處理前進到步驟S604。在步驟S604中，AMF標記41、42及43被形成在偏離標記軌跡31’、32’及33’的位置處。更具體地，如上所述，標記形成單元18執行形成AMF標記41至43的形成處理，使得AMF標記41至43將被定位在重工基板16A上的偏離標記軌跡31'至33'的位置的位置處。
在步驟S605中，標記測量單元19測量在步驟S604中之形成在重工基板上的抗蝕劑膜上的AMF標記41、42及43的位置。在步驟S606中，藉由基於在步驟S605中所測量的AMF標記41、42及43的位置將遮罩13的圖案投影到重工基板上的抗蝕劑膜的目標位置上，曝光處理被執行，以形成潛像圖案。
雖然在本實施例中假設標記測量單元19將能夠測量新的AMF標記，亦即，在重工基板上的抗蝕劑膜上所形成的第二AMF標記的位置，但可能存在無法測量第二AMF標記的位置的情況。在這種情況下，可確定是否可測量第二AMF標記的位置，且可在無法測量第二AMF標記的位置的情況下形成新的AMF標記(第三AMF標記)。換言之，在確定是否可測量第(N-1)AMF標記的位置之後，在無法測量第(N-1)AMF標記的位置的情況下，可形成第N AMF標記。
實施例不限於重工基板16A。即使不使用重工基板16A，本實施例也適用於無法測量AMF標記的情況。例如，確定標記測量單元19是否可測量在基板16上的抗蝕劑膜上形成的AMF標記(第一標記)的位置。如果標記測量單元19無法測量在基板16上的抗蝕劑膜上形成的AMF標記的位置，則將在基板16上的抗蝕劑膜上的偏離AMF標記的位置的位置處形成新的AMF標記(第二標記)。接著，藉由基於由標記測量單元19所測量的新的AMF標記的位置將遮罩13的圖案投影到基板16上的抗蝕劑膜上的目標位置上，曝光處理被執行，以形成潛像圖案。
＜第三實施例＞ 如圖7所示，本實施例將描述一種情況，其中，曝光裝置1在重工基板16A上執行第一曝光處理，且不同於曝光裝置1的曝光裝置1A在重工基板上執行第二曝光處理。此處的曝光裝置1A具有與曝光裝置1相同的佈置和功能。
圖8是用於說明根據本實施例之在重工基板上的曝光處理的流程圖。在步驟S801中，將重工基板16A裝載到曝光裝置1中。更具體地，藉由基板運送裝置將重工基板16A裝載到曝光裝置1中，並藉由基板台17保持重工基板16A。此時，曝光裝置1從形成AMF標記31至33的裝置(不同於曝光裝置1的另一個裝置)獲得與在重工之前在基板16的抗蝕劑膜上形成的AMF標記31至33(標記軌跡31’、32’及33’)的位置有關的位置資訊。
在步驟S802中，在曝光裝置1中，AMF標記41、42及43被形成在從保留在重工基板16A上的標記軌跡31’、32’及33’偏離的位置處。更具體地，基於在步驟S801中所獲得的位置資訊執行形成處理，以形成AMF標記41至43，使得AMF標記41至43將被定位在重工基板16A上的偏離標記軌跡31’至33’的位置的位置處。
在步驟S803中，在曝光裝置1中，測量在步驟S802中形成的形成在重工基板上的抗蝕劑膜上的AMF標記41、42及43的位置。在步驟S804中，在曝光裝置1中，在重工基板16A上執行第一曝光處理。更具體地，藉由基於在步驟S803中測量的AMF標記41、42及43的位置將遮罩13的圖案投影到重工基板上的抗蝕劑膜上的目標位置上，曝光處理被執行，以形成潛像圖案。
在步驟S805中，從曝光裝置1卸載重工基板16A。更具體地，經歷第一曝光處理的重工基板16A從基板台17被收集，並藉由基板運送裝置從曝光裝置1卸載。在步驟S806中，由基板運送裝置保持的重工基板16A被旋轉90°。
在步驟S807中，將重工基板16A被裝載到曝光裝置1A中。更具體地，已被旋轉90°的重工基板16A在此狀態下藉由基板運送裝置被裝載到曝光裝置1A中。此時，曝光裝置1A從曝光裝置1獲得與形成在重工基板16A上的抗蝕劑膜上的AMF標記41至43的位置有關的位置資訊。
在步驟S808中，在曝光裝置1A中，測量在步驟S802中的形成在重工基板上的抗蝕劑膜上的AMF標記41、42及43的位置。在步驟S809中，在曝光裝置1A中，在重工基板16A上執行第二曝光處理。更具體地，藉由基於在步驟S808中所測量的AMF標記41、42及43的位置將遮罩13的圖案投影到重工基板上的抗蝕劑膜上的目標位置上，曝光處理被執行，以形成潛像圖案。
在步驟S810中，從曝光裝置1A卸載重工基板16A。更具體地，經歷第一曝光處理和第二曝光處理的重工基板16A藉由基板運送裝置從曝光裝置1A卸載。
＜第四實施例＞ 根據本發明的實施例的製造物品的方法適用於製造，例如，裝置(半導體元件、磁性儲存介質、液晶顯示元件等)等的物品。製造物品的方法包括：藉由使用曝光裝置1、或曝光裝置1及曝光裝置1A對其上已塗覆有光阻劑的基板執行曝光的步驟，以及將經曝光的基板顯影的步驟。此外，此製造方法可包括其他已知的步驟(例如，氧化、沉積、氣相沉積、摻雜、平坦化、蝕刻、抗蝕劑移除、切割、黏合及封裝等)。根據實施例之製造物品的方法在物品的性能、品質、生產率和生產成本中的至少一個方面優於傳統方法。
＜其它實施例＞ 本發明的實施例還可藉由系統或裝置的電腦來實現，此電腦讀出並執行被記錄在儲存介質(其亦可更完整地被稱為“非暫時性電腦可讀取儲存介質”)上的電腦可執行指令(例如，一個或更多個程式)，以執行一個或多個上述實施例的功能、及／或包含用於執行一個或多個上述實施例的功能的一個或多個電路(例如，特定應用積體電路(ASIC))，且本發明的實施例可藉由系統或裝置的電腦以，例如，讀出並執行來自儲存介質的電腦可執行指令以執行一個或多個上述實施例的功能、及／或控制一個或多個電路以執行一個或多個上述實施例的功能來執行的方法而實現。電腦可包括一個或多個處理器(例如，中央處理單元(CPU)、微處理單元(MPU))，並且可包含單獨的電腦或單獨的處理器的網路，以讀出並執行電腦可執行指令。電腦可執行指令，例如，可從網路或儲存介質提供給電腦。儲存介質可包含，例如，硬碟、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、分散式運算系統的儲存器、光學碟片(例如，光碟(CD)、多樣化數位光碟(DVD)或藍光光碟(BD)TM )、快閃記憶體裝置、記憶卡等中的一個或多個。
雖然已參照例示性實施例描述本發明，但應當理解的是，本發明並不限於所揭露的例示性實施例。以下的申請專利範圍的範疇應被賦予最寬廣的解釋，以涵蓋所有這類型的修改以及等效的結構和功能。
1‧‧‧曝光裝置 1A‧‧‧曝光裝置 11‧‧‧光源 12‧‧‧照明光學系統 13‧‧‧遮罩 14‧‧‧遮罩台 15‧‧‧投影光學系統 16‧‧‧基板 16A‧‧‧重工基板 17‧‧‧基板台 18‧‧‧標記形成單元 19‧‧‧標記測量單元 20‧‧‧控制單元 31‧‧‧AMF標記 31’‧‧‧標記軌跡 32‧‧‧AMF標記 32’‧‧‧標記軌跡 33‧‧‧AMF標記 33’‧‧‧標記軌跡 41‧‧‧AMF標記 42‧‧‧AMF標記 43‧‧‧AMF標記 LI1‧‧‧潛像圖案 LI2‧‧‧潛像圖案 LI3‧‧‧潛像圖案 LI4‧‧‧潛像圖案 MR‧‧‧測量範圍 S201‧‧‧步驟 S202‧‧‧步驟 S203‧‧‧步驟 S204‧‧‧步驟 S205‧‧‧步驟 S206‧‧‧步驟 S207‧‧‧步驟 S208‧‧‧步驟 S209‧‧‧步驟 S210‧‧‧步驟 S601‧‧‧步驟 S602‧‧‧步驟 S603‧‧‧步驟 S604‧‧‧步驟 S605‧‧‧步驟 S606‧‧‧步驟 S801‧‧‧步驟 S802‧‧‧步驟 S803‧‧‧步驟 S804‧‧‧步驟 S805‧‧‧步驟 S806‧‧‧步驟 S807‧‧‧步驟 S808‧‧‧步驟 S809‧‧‧步驟 S810‧‧‧步驟
圖1是顯示作為本發明的一個態樣的曝光裝置的佈置的示意圖。
圖2是用於說明在圖1所顯示的曝光裝置中所執行的基本曝光處理的流程圖。
圖3A至圖3D是用於說明圖2所顯示的曝光處理中的步驟S203、S204、S205和S209的細節的圖。
圖4A至圖4F是用於說明根據第一實施例之在重工基板上所執行的曝光處理的圖。
圖5是顯示重工基板上的標記軌跡和形成在重工基板上的AMF標記的圖。
圖6是用於說明根據第二實施例之對重工基板所執行的處理的流程圖。
圖7是顯示根據第三實施例之在重工基板上所執行的曝光處理的概念的圖。
圖8是用於說明根據第三實施之在重工基板上所執行的曝光處理的流程圖。
16A‧‧‧重工基板
31’‧‧‧標記軌跡
32’‧‧‧標記軌跡
33’‧‧‧標記軌跡
41‧‧‧AMF標記
42‧‧‧AMF標記
43‧‧‧AMF標記
LI3‧‧‧潛像圖案
LI4‧‧‧潛像圖案

Claims (13)

  1. 一種曝光裝置，包括：形成單元，被配置為在基板上的抗蝕劑膜上形成標記；其中，在其上形成有第一標記之第一抗蝕劑膜已被移除且第二抗蝕劑膜已被形成的重工基板上，該形成單元在該第二抗蝕劑膜上形成第二標記，以使該第二標記不會重疊於已形成該第一標記的位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該形成單元在該第二抗蝕劑膜上形成至少三個第二標記。
  3. 如申請專利範圍第2項之曝光裝置，其中，該形成單元形成該至少三個第二標記，使得要形成在該第二抗蝕劑膜上的該至少三個第二標記之間的距離將較預先確定的距離更長。
  4. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該形成單元在該第二抗蝕劑膜上形成複數個第二標記，該複數個第二標記的數量等於被形成在該第一抗蝕劑膜上的複數個第一標記的數量。
  5. 如申請專利範圍第4項之曝光裝置，其中，該形成單 元形成該複數個第二標記，使得要形成在該第二抗蝕劑膜上的該複數個第二標記之間的相對距離等於被形成在該第一抗蝕劑膜上的該複數個第一標記之間的相對距離。
  6. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該形成單元藉由使用具有一波長的光在該第二抗蝕劑膜上形成該第二標記，該波長不同於在曝光處理中被使用來藉由將圖案投影到該基板上的該抗蝕劑膜上以形成潛像的光的波長。
  7. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該第一標記藉由該形成單元被形成在該第一抗蝕劑膜上。
  8. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，還包括控制單元，該控制單元被配置為藉由將圖案投影到該基板上的該抗蝕劑膜上的目標位置上來執行曝光處理，以形成潛像，其中，該第一標記藉由與該曝光裝置不同的裝置被形成，並且該控制單元從其他裝置獲得與已形成在該第一抗蝕劑膜上的該第一標記的該位置有關的位置資訊，並且該形成單元基於該位置資訊在該第二抗蝕劑膜上形成該第二標記。
  9. 一種曝光裝置，包括：形成單元，被配置為在基板上的抗蝕劑膜上形成標 記；其中，在其上形成有第一標記之第一抗蝕劑膜已被移除且第二抗蝕劑膜已被形成的重工基板上，該形成單元在該第二抗蝕劑膜上形成第二標記，使得該第一標記已被形成的位置落在當要藉由測量單元測量該第二標記的位置時之該測量單元的測量範圍之外。
  10. 一種曝光裝置，包括：形成單元，被配置為在基板上的抗蝕劑膜上形成標記；測量單元，被配置為測量由該形成單元所形成的該標記的位置；以及控制單元，被配置為藉由基於由該測量單元所測量的該標記的該位置將圖案投影到該基板上的該抗蝕劑膜上的目標位置上來執行曝光處理，以形成潛像，其中，該控制單元確定該測量單元是否能夠測量形成在該抗蝕劑膜上的第一標記的位置，當該測量單元無法測量該第一標記的該位置時，控制該形成單元在不會重疊於該第一標記已被形成在該抗蝕劑膜上的位置之位置處形成第二標記，並且基於由該測量單元所測量的該第二標記的該位置來控制該曝光處理。
  11. 如申請專利範圍第10項之曝光裝置，其中，該第一標記藉由該形成單元被形成在該抗蝕劑膜上。
  12. 一種製造物品的方法，包括：藉由使用如申請專利範圍第1項之曝光裝置將基板曝光；將經曝光的該基板顯影；以及從經顯影的該基板製造物品。
  13. 一種製造物品的方法，包括：藉由使用如申請專利範圍第10項之曝光裝置將基板曝光；將經曝光的該基板顯影；以及從經顯影的該基板製造物品。
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