JP2019184681A - 露光装置及び物品の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】リワーク基板を再利用するのに有利な露光装置を提供する。【解決手段】基板１６上のレジスト膜にマークを形成する形成部と、前記形成部によって形成されたマークの位置を計測する計測部と、前記計測部で計測されたマークの位置に基づいて、パターンを基板上のレジスト膜の目標位置に投影して潜像を形成する露光処理を行う制御部と、を有し、前記制御部は、第１マーク３１，３２，３３が形成された第１レジスト膜が除去され、第２レジスト膜が形成されたリワーク基板に対して前記露光処理を行う前に、前記リワーク基板における前記第１マークの位置からシフトした位置に第２マーク４１，４２，４３が位置するように、前記第２レジスト膜に前記第２マークを形成する形成処理を前記形成部に行わせることを特徴とする露光装置を提供する。【選択図】図４

Description

本発明は、露光装置及び物品の製造方法に関する。
フォトリソグラフィー技術を用いてデバイス（半導体デバイス、液晶表示デバイス、薄膜磁気ヘッドなど）を製造する際に、マスク（レチクル）のパターンを、投影光学系を介して、感光剤が塗布された基板に投影してパターンを転写する露光装置が使用されている。
近年では、１つの層に対する露光処理を複数回に分けて行い、現像プロセスを経ることなく各露光処理で形成された潜像パターンを足し合わせることで１つの層のパターンを形成する露光装置が提案されている（特許文献１参照）。このような露光装置では、１回目の露光処理を行う前に、アライメントマーク（ＡＭＦ：Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ Ｍａｒｋ Ｆｏｒｍｅｒ）を形成し、かかるアライメントマークを基準として各露光処理で形成される潜像パターン間の相対位置を管理（制御）している。
特開平１１−３０７４４９号公報
露光装置においては、露光処理の際に、基板上に塗布された感光剤、即ち、レジスト膜や露光条件（露光状態）に異常が発生する場合がある。このような場合、基板から製造されるデバイスに不良が発生することを防ぐために、基板上に既に塗布されているレジスト膜を基板から除去し、基板上に改めてレジスト膜を塗布（再生）する処理が行われる。このようなレジスト膜が再生された基板は、リワーク基板と呼ばれ、再利用される。
しかしながら、リワーク基板では、リワーク前に形成されたアライメントマークの影響が残っている場合がある。これは、アライメントマークを形成することによって基板の表面が変質している可能性があるからである。従って、リワーク前に形成されたアライメントマークの影響に起因して、リワーク基板に再形成されたアライメントマークの検出精度が低下したり、アライメントマークの検出ができなくなったりしてしまう。
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、リワーク基板を再利用するのに有利な露光装置を提供することを例示的目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、基板上のレジスト膜にマークを形成する形成部と、前記形成部によって形成されたマークの位置を計測する計測部と、前記計測部で計測されたマークの位置に基づいて、パターンを基板上のレジスト膜の目標位置に投影して潜像を形成する露光処理を行う制御部と、を有し、前記制御部は、第１マークが形成された第１レジスト膜が除去され、第２レジスト膜が形成されたリワーク基板に対して前記露光処理を行う前に、前記リワーク基板における前記第１マークの位置からシフトした位置に第２マークが位置するように、前記第２レジスト膜に前記第２マークを形成する形成処理を前記形成部に行わせることを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、リワーク基板を再利用するのに有利な露光装置を提供することができる。
本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。 図１に示す露光装置における基本的な露光処理を説明するためのフローチャートである。 図２に示す露光処理のＳ２０３、Ｓ２０４、Ｓ２０５及びＳ２０９を詳細に説明するための図である。 第１実施形態におけるリワーク基板に対する露光処理を説明するための図である。 リワーク基板上のマーク痕及びリワーク基板上に形成されるＡＭＦマークを示す図である。 第２実施形態におけるリワーク基板に対する処理を説明するためのフローチャートである。 第３実施形態におけるリワーク基板に対する露光処理の概念を示す図である。 第３実施形態におけるリワーク基板に対する露光処理を説明するためのフローチャートである。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の一側面としての露光装置１の構成を示す概略図である。露光装置１は、半導体デバイスや液晶表示デバイスなどのデバイスの製造工程であるフォトリソグラフィー工程に用いられるリソグラフィ装置である。露光装置１は、基板上のレジスト膜（感光剤）に、投影光学系を介してマスクのパターンを投影して潜像（潜像パターン）を形成する露光処理を行う。露光装置１は、図１に示すように、照明光学系１２と、マスクステージ１４と、投影光学系１５と、基板ステージ１７と、マーク形成部１８と、マーク計測部１９と、制御部２０とを有する。
照明光学系１２は、光源１１からの光を用いてマスク１３を照明する。マスクステージ１４は、マスク１３を保持して移動可能なステージである。投影光学系１５は、照明光学系１２によって照明されたマスク１３のパターンを基板上に投影して、基板上のレジスト膜に潜像パターンを形成する。基板ステージ１７は、基板１６を保持して移動可能なステージである。マーク形成部１８は、基板上のレジスト膜にアライメントマーク（以下、「ＡＭＦ（Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ Ｍａｒｋ Ｆｏｒｍｅｒ）マーク」と称する）を形成する。マーク計測部１９は、基板上のレジスト膜に形成されたＡＭＦマークを検出することでＡＭＦマークの位置を計測する。制御部２０は、例えば、ＣＰＵやメモリなどを含むコンピュータで構成され、記憶部に記憶されたプログラムに従って露光装置１の各部を統括的に制御する。
図２を参照して、露光装置１における基本的な露光処理について説明する。ここでは、１つの層に対する露光処理を２回（複数回）に分けて行い、現像プロセスを経ることなく各露光処理で形成された潜像パターンを足し合わせることで１つの層のパターンを形成する場合を例に説明する。この場合、１回目の露光処理を行う前に、基板上のレジスト膜にＡＭＦマークを形成し、かかるＡＭＦマークを基準として各露光処理で形成される潜像パターン間の相対位置を制御（管理）する。
Ｓ２０１では、露光装置１にマスク１３を搬入する。具体的には、マスク搬送装置（不図示）を介して、マスク保管棚に保管されているマスク１３を取り出し、かかるマスク１３を露光装置１に搬入してマスクステージ１４に保持させる。
Ｓ２０２では、露光装置１に基板１６を搬入する。具体的には、基板搬送装置（不図示）を介して、ポッドに保管されている基板１６を取り出し、かかる基板１６を露光装置１に搬入して基板ステージ１７に保持させる。なお、基板１６には、レジスト膜が形成（塗布）されているものとする。
Ｓ２０３では、基板上のレジスト膜にＡＭＦマークを形成する。具体的には、基板１６を保持した基板ステージ１７を、ＡＭＦマークの形成位置（マーク形成部１８の下）に移動させ、マーク形成部１８によって、基板上のレジスト膜にＡＭＦマークを形成する。
Ｓ２０４では、Ｓ２０３で形成したＡＭＦマークの位置を計測する。具体的には、基板１６を保持した基板ステージ１７を、ＡＭＦマークの計測位置（マーク計測部１９の下）に移動させ、マーク計測部１９によって、基板上のレジスト膜に形成したＡＭＦマークの位置を計測する。
Ｓ２０５では、第１層に対する１回目の露光処理を行う。具体的には、基板１６を保持した基板ステージ１７を、Ｓ２０４で計測したＡＭＦマークの位置を基準として、基板１６を露光する位置、即ち、マスク１３のパターンの投影位置（投影光学系１５の下）に移動させる。そして、マスク１３のパターンを基板上のレジスト膜の目標位置（一部の領域）に投影して潜像パターンを形成する露光処理を行う。
Ｓ２０６では、Ｓ２０５で１回目の露光処理が行われた基板１６を基板ステージ１７から回収して基板搬送装置（不図示）で保持する。Ｓ２０７では、基板搬送装置に保持された基板１６を９０度回転させて、その状態で（即ち、９０度回転させた）基板１６を基板ステージ１７に保持させる。
Ｓ２０８では、Ｓ２０３で形成したＡＭＦマークの位置を計測する。具体的には、９０度回転させた基板１６を保持した基板ステージ１７を、ＡＭＦマークの計測位置（マーク計測部１９の下）に移動させ、マーク計測部１９によって、基板上のレジスト膜に形成したＡＭＦマークの位置を計測する。
Ｓ２０９では、第１層に対する２回目の露光処理を行う。具体的には、９０度回転させた基板１６を保持した基板ステージ１７を、Ｓ２０８で計測したＡＭＦマークの位置を基準として、マスク１３のパターンの投影位置（投影光学系１５の下）に移動させる。そして、マスク１３のパターンを基板上のレジスト膜の目標位置（１回目の露光処理が行われた領域とは異なる領域）に投影して潜像パターンを形成する露光処理を行う。
Ｓ２１０では、露光装置１から基板１６を搬出する。具体的には、基板搬送装置（不図示）を介して、１回目の露光処理及び２回目の露光処理が行われた基板１６を基板ステージ１７から回収し、露光装置１から搬出する。
図３（ａ）乃至図３（ｄ）を参照して、図２に示す露光処理のＳ２０３、Ｓ２０４、Ｓ２０５及びＳ２０９について詳細に説明する。図３（ａ）乃至図３（ｄ）は、基板上のレジスト膜に形成されたＡＭＦマーク３１、３２及び３３と、マーク計測部１９と、マーク計測部１９の計測範囲ＭＲとの相対位置関係を示している。
図３（ａ）に示すように、１回目の露光処理を行う前に、マーク形成部１８によって、例えば、基板上のレジスト膜に３つのＡＭＦマーク３１、３２及び３３を形成する（Ｓ２０３）。マーク形成部１８は、制御部２０の制御下において、３つのＡＭＦマーク３１、３２及び３３を、マーク計測部１９の計測範囲１９ａに収まるように形成する。マーク形成部１８は、光源１１とは異なる光源からの光（即ち、潜像パターンを形成するための光の波長とは異なる波長の光）、例えば、レーザー光を用いて、基板上のレジスト膜を除去してＡＭＦマーク３１、３２及び３３を形成する。但し、マーク形成部１８は、光源１１からの光を用いて、基板上のレジスト膜をオーバドーズで露光することでＡＭＦマーク３１、３２及び３３を形成してもよい。
図３（ｂ）は、基板上のレジスト膜に形成されたＡＭＦマーク３１及び３２をマーク計測部１９で検出している状態（Ｓ２０４）を示している。マーク計測部１９は、本実施形態では、光源１１からの光の波長とは異なる波長の光（非露光光）を用いてＡＭＦマーク３１、３２及び３３を検出するオフアクシススコープ（ＯＡＳ）を含む。このように、マーク計測部１９は、非露光光を用いているため、基板上のレジスト膜を感光させずに、ＡＭＦマーク３１、３２及び３３の位置を計測することができる。
なお、図１及び図３（ａ）乃至図３（ｄ）に示すように、露光装置１は、本実施形態では、２つのマーク形成部１８と、２つのマーク計測部１９を有しているが、マーク形成部１８の数やマーク計測部１９の数を限定するものではない。基板上のレジスト膜に形成すべきＡＭＦマークの数や位置、かかるＡＭＦマークの位置の計測に要する時間などに応じて、適切な数のマーク形成部１８及びマーク計測部１９を設ければよい。
図３（ｃ）は、１回目の露光処理が行われた状態（Ｓ２０５）の基板１６を示している。図３（ｃ）に示すように、マーク計測部１９で計測されたＡＭＦマーク３１、３２及び３３の位置に基づいて、マスク１３のパターンを基板上のレジスト膜の目標位置に投影することで、基板上のレジスト膜に潜像パターン（露光像）ＬＩ１が形成される。１回目の露光処理が行われた基板１６は、基板ステージ１７から回収される。この際、制御部２０は、ＡＭＦマーク３１、３２及び３３と潜像パターンＬＩ１との相対的な位置関係を取得しておく。
図３（ｄ）は、２回目の露光処理が行われた状態（Ｓ２０９）の基板１６を示している。１回目の露光処理が行われ、基板ステージ１７から回収された基板１６は、例えば、基板搬送装置（不図示）によって９０度回転され、その状態で基板ステージ１７に保持される。本実施形態では、１回目の露光処理を行った露光装置１が２回目の露光処理を行うが、露光装置１とは異なる他の露光装置で２回目の露光処理を行ってもよい。
１回目の露光処理が行われた基板１６を基板ステージ１７に保持させたら、マーク計測部１９によってＡＭＦマーク３１、３２及び３３の位置を計測する。そして、ＡＭＦマーク３１、３２及び３３の位置と、ＡＭＦマーク３１、３２及び３３と潜像パターンＬＩ１との相対的な位置関係とに基づいて、２回目の露光処理で潜像パターンＬＩ２を形成すべき、基板上のレジスト膜の目標位置を決定する。かかる目標位置にマスク１３のパターンを投影することで、基板上のレジスト膜に潜像パターンＬＩ２が形成される。
このように、１つの層に対する露光処理を複数回に分けて行う場合においては、ＡＭＦマーク３１乃至３３と潜像パターンＬＩ１との相対的な位置関係、及び、ＡＭＦマーク３１乃至３３と潜像パターンＬＩ２との相対的な位置関係を管理する。
露光装置１においては、露光処理の際に、基板のレジスト膜や露光条件（露光状態）に異常が発生する場合がある。このような場合、基板１６から製造されるデバイスに不良が発生することを防ぐために、基板上に既に形成されているレジスト膜（第１レジスト膜）を基板１６から除去し、新たなレジスト膜（第２レジスト膜）を基板上に形成（再生）する処理が行われる。このようなレジスト膜が再生された基板１６は、リワーク基板と呼ばれ、再利用される。以下では、レジスト膜が再生された基板１６を、リワーク基板１６Ａと称する。
図４（ａ）乃至図４（ｆ）を参照して、リワーク基板、及び、本実施形態におけるリワーク基板に対する露光処理について説明する。図４（ａ）に示すように、基板１６に露光処理を行う前に、基板上のレジスト膜には、マーク形成部１８によって、例えば、３つのＡＭＦマーク３１、３２及び３２が形成される。そして、図４（ｂ）に示すように、マーク計測部１９で計測されたＡＭＦマーク３１、３２及び３３の位置に基づいて、マスク１３のパターンを基板上のレジスト膜の目標位置に投影して潜像パターンＬＩ１を形成する。なお、基板上のレジスト膜の目標位置に潜像パターンＬＩ１を形成するためには、各種の補正量を求める必要がある。かかる補正量は、例えば、マーク計測部１９で計測されたＡＭＦマーク３１、３２及び３３の位置の設計値に対するずれから得られる基板上のショット領域の配列の補正量や基板ステージ１７の駆動補正量を含む。
ここで、図４（ｂ）に示す露光処理において、基板上のレジスト膜や露光条件に異常が発生したとすると、上述したように、基板上のレジスト膜が除去される。従って、レジスト膜とともに潜像パターンＬＩ１は除去されるが、図４（ｃ）に示すように、ＡＭＦマーク３１、３２及び３３のそれぞれの痕跡、即ち、マーク痕３１’、３２’及び３３’が基板上に残る。これは、ＡＭＦマーク３１、３２及び３３を形成することによって、基板上に傷がなくても、基板１６の表面が変質している可能性があるからである。かかる基板１６に対して、新たなＡＭＦマークをマーク痕３１’、３２’及び３３’に重ねて形成した場合、基板１６の表面の変質に起因して、新たなＡＭＦマークの検出精度が低下したり、新たなＡＭＦマークの検出ができなくなったりしてしまう。
そこで、本実施形態では、図４（ｄ）に示すように、リワーク基板１６Ａに対して、詳細には、リワーク基板上のレジスト膜にＡＭＦマークを形成する場合には、マーク痕３１’、３２’及び３３’からずらして、ＡＭＦマーク４１、４２及び４３を形成する。換言すれば、リワーク基板１６Ａにおけるマーク痕３１’乃至及び３３’（第１マーク）の位置からシフトした位置にＡＭＦマーク４１乃至４３（第２マーク）が位置するように、ＡＭＦマーク４１乃至４３を形成する形成処理をマーク形成部１８に行わせる。この際、リワーク基板１６ＡにおけるＡＭＦマーク４１乃至４３の位置がマーク痕３１’、３２’及び３３’と重ならないように、ＡＭＦマーク４１乃至４３を形成するとよい。これにより、新たなＡＭＦマーク４１、４２及び４３の検出精度が低下したり、新たなＡＭＦマーク４１、４２及び４３の検出ができなくなったりしてしまうことを抑制（防止）することができる。また、マーク痕３１’、３２’及び３３’がマーク計測部１９によってＡＭＦマーク４１、４２及び４３の位置を計測する際にＡＭＦマーク４１、４２及び４３の計測範囲外に位置するように、ＡＭＦマーク４１、４２及び４３を形成するとよい。これにより、マーク計測部１９がマーク痕３１’、３２’及び３３’を誤検出してしまうことを抑制（防止）することができる。
リワーク基板上のレジスト膜にＡＭＦマーク４１乃至４３を形成したら、図４（ｅ）に示すように、マーク計測部１９で計測されたＡＭＦマーク４１乃至４３の位置に基づいて、マスク１３のパターンをリワーク基板上のレジスト膜の目標位置に投影する。これにより、リワーク基板上のレジスト膜に潜像パターンＬＩ３が形成される。
潜像パターンＬＩ３が形成されたリワーク基板１６Ａは、例えば、基板搬送装置（不図示）によって９０度回転され、その状態で基板ステージ１７に保持される。そして、図４（ｆ）に示すように、マーク計測部１９で計測されたＡＭＦマーク４１乃至４３の位置に基づいて、マスク１３のパターンをリワーク基板上のレジスト膜の目標位置に投影する。これにより、リワーク基板上のレジスト膜に潜像パターンＬＩ４が形成される。
本実施形態では、潜像パターンＬＩ３及びＬＩ４を形成する露光処理を露光装置１（同一の露光装置）で行っているが、これに限定されるものではない。例えば、潜像パターンＬＩ３を形成する露光処理と潜像パターンＬＩ４を形成する露光処理とを別の露光装置で行ってもよい。
また、本実施形態では、マーク形成部１８は、リワーク基板上のレジスト膜に３つのＡＭＦマーク４１乃至４３を形成している。これは、ＡＭＦマーク４１乃至４３の位置から、リワーク基板１６Ａの並進方向の位置に加えて、回転方向の位置を求めるためである。従って、リワーク基板上のレジスト膜には、少なくとも３つのＡＭＦマークを形成するとよい。
また、ＡＭＦマークの位置の計測精度の観点では、リワーク基板上のレジスト膜に形成される少なくとも３つのＡＭＦマーク間の距離を予め定められた距離よりも大きくするとよい。また、リワーク基板上のレジスト膜に形成されるＡＭＦマークの数は、リワーク前の基板上のレジスト膜に形成されていたＡＭＦマークの数と同じであるとよい。更には、リワーク基板上のレジスト膜に形成される複数のＡＭＦマーク間の相対距離がリワーク前の基板のレジスト膜に形成されていた複数のＡＭＦマーク間の相対距離と同じであるとよい。
＜第２実施形態＞
図５に示すように、リワーク基板１６Ａには、ＡＭＦマーク３１、３２及び３３のそれぞれの痕跡、即ち、マーク痕３１’、３２’及び３３’が残っている。かかるマーク痕３１’、３２’及び３３’は、マーク計測部１９によって検出できる可能性がある。換言すれば、マーク痕３１’、３２’及び３３’の位置を、マーク計測部１９によって計測可能である場合がある。そこで、本実施形態では、マーク計測部１９がリワーク基板１６Ａに残っているマーク痕３１’、３２’及び３３’の位置を計測可能であるか否かに応じて、新たなＡＭＦマーク４１、４２及び４３を形成するか否かを決定する。
図６に示すように、Ｓ６０１では、マーク計測部１９によって、リワーク基板１６Ａに残っているマーク痕３１’、３２’及び３３’の位置を計測する。Ｓ６０２では、Ｓ６０１で得られた計測結果に基づいて、マーク計測部１９がマーク痕３１’、３２’及び３３’の位置を計測可能であるか否かを判定する。
マーク計測部１９がマーク痕３１’、３２’及び３３’の位置を計測可能である場合には、Ｓ６０３に移行する。Ｓ６０３では、Ｓ６０１で計測されたマーク痕３１’、３２’及び３３’の位置に基づいて、マスク１３のパターンをリワーク基板上のレジスト膜の目標位置に投影して潜像パターンを形成する露光処理を行う。
一方、マーク計測部１９がマーク痕３１’、３２’及び３３’の位置を計測可能でない場合には、Ｓ６０４に移行する。Ｓ６０４では、マーク痕３１’、３２’及び３３’からずらして、ＡＭＦマーク４１、４２及び４３を形成する。具体的には、上述したように、リワーク基板１６Ａにおけるマーク痕３１’乃至及び３３’の位置からシフトした位置にＡＭＦマーク４１乃至４３が位置するように、マーク形成部１８によってＡＭＦマーク４１乃至４３を形成する形成処理を行う。
Ｓ６０５では、マーク計測部１９によって、Ｓ６０４でリワーク基板上のレジスト膜に形成したＡＭＦマーク４１、４２及び４３の位置を計測する。Ｓ６０６では、Ｓ６０５で計測されたＡＭＦマーク４１、４２及び４３の位置に基づいて、マスク１３のパターンをリワーク基板上のレジスト膜の目標位置に投影して潜像パターンを形成する露光処理を行う。
本実施形態では、マーク計測部１９がリワーク基板上のレジスト膜に形成された新たなＡＭＦマーク、即ち、２回目のＡＭＦマークの位置を計測可能であることを前提としているが、２回目のＡＭＦマークの位置を計測できないこともある。このような場合には、２回目のＡＭＦマークの位置を計測可能であるか否かを判定し、２回目のＡＭＦマークの位置を計測できない場合には、新たなＡＭＦマーク（３回目のＡＭＦマーク）を形成すればよい。換言すれば、（Ｎ−１）回目のＡＭＦマークの位置を計測可能であるか否かを判定し、（Ｎ−１）回目のＡＭＦマークの位置を計測できない場合には、Ｎ回目のＡＭＦマークを形成すればよい。
本実施形態は、リワーク基板１６Ａに限定するものではない。リワーク基板１６Ａでなくても、ＡＭＦマークが計測可能でない場合には適用可能である。例えば、マーク計測部１９が基板１６のレジスト膜に形成されているＡＭＦマーク（第１マーク）の位置を計測可能であるか否かを判定する。マーク計測部１９が基板１６のレジスト膜に形成されているＡＭＦマークの位置を計測可能でない場合には、基板１６のレジスト膜上のＡＭＦマークの位置からシフトした位置に新たなＡＭＦマーク（第２マーク）を形成する。そして、マーク計測部１９で計測された新たなＡＭＦマークの位置に基づいて、マスク１３のパターンを基板１６のレジスト膜の目標位置に投影して潜像パターンを形成する露光処理を行う。
＜第３実施形態＞
本実施形態では、図７に示すように、リワーク基板１６Ａに対して、露光装置１で１回目の露光処理を行い、露光装置１とは異なる他の露光装置１Ａで２回目の露光処理を行う場合について説明する。ここで、露光装置１Ａは、露光装置１と同等な構成及び機能を有する。
図８は、本実施形態におけるリワーク基板に対する露光処理を説明するためのフローチャートである。Ｓ８０１では、露光装置１にリワーク基板１６Ａを搬入する。具体的には、基板搬送装置を介して、リワーク基板１６Ａを露光装置１に搬入して基板ステージ１７に保持させる。この際、露光装置１は、リワーク前の基板１６のレジスト膜に形成されていたＡＭＦマーク３１乃至３３（マーク痕３１’、３２’及び３３’）の位置に関する位置情報を、ＡＭＦマーク３１乃至３３を形成した装置（露光装置１とは異なる他の装置）から取得する。
Ｓ８０２では、露光装置１において、リワーク基板１６Ａに残っているマーク痕３１’、３２’及び３３’からずらして、ＡＭＦマーク４１、４２及び４３を形成する。具体的には、Ｓ８０１で取得した位置情報に基づいて、リワーク基板１６Ａにおけるマーク痕３１’乃至及び３３’の位置からシフトした位置にＡＭＦマーク４１乃至４３が位置するように、ＡＭＦマーク４１乃至４３を形成する形成処理を行う。
Ｓ８０３では、露光装置１において、Ｓ８０２で形成したリワーク基板上のレジスト膜に形成したＡＭＦマーク４１、４２及び４３の位置を計測する。Ｓ８０４では、露光装置１において、リワーク基板１６Ａに対して１回目の露光処理を行う。具体的には、Ｓ８０３で計測されたＡＭＦマーク４１、４２及び４３の位置に基づいて、マスク１３のパターンをリワーク基板上のレジスト膜の目標位置に投影して潜像パターンを形成する露光処理を行う。
Ｓ８０５では、露光装置１からリワーク基板１６Ａを搬出する。具体的には、基板搬送装置を介して、１回目の露光処理が行われたリワーク基板１６Ａを基板ステージ１７から回収し、露光装置１から搬出する。Ｓ８０６では、基板搬送装置に保持されたリワーク基板１６Ａを９０度回転させる。
Ｓ８０７では、露光装置１Ａにリワーク基板１６Ａを搬入する。具体的には、基板搬送装置を介して、９０度回転させたリワーク基板１６Ａを、その状態で露光装置１Ａに搬入する。この際、露光装置１Ａは、リワーク基板１６Ａのレジスト膜に形成されたＡＭＦマーク４１乃至４３の位置に関する位置情報を、露光装置１から取得する。
Ｓ８０８では、露光装置１Ａにおいて、Ｓ８０２で形成したリワーク基板上のレジスト膜に形成したＡＭＦマーク４１、４２及び４３の位置を計測する。Ｓ８０９では、露光装置１Ａにおいて、リワーク基板１６Ａに対して２回目の露光処理を行う。具体的には、Ｓ８０８で計測されたＡＭＦマーク４１、４２及び４３の位置に基づいて、マスク１３のパターンをリワーク基板上のレジスト膜の目標位置に投影して潜像パターンを形成する露光処理を行う。
Ｓ８１０では、露光装置１Ａからリワーク基板１６Ａを搬出する。具体的には、基板搬送装置を介して、１回目の露光処理及び２回目の露光処理が行われたリワーク基板１６Ａを露光装置１Ａから搬出する。
＜第４実施形態＞
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、デバイス（半導体素子、磁気記憶媒体、液晶表示素子など）などの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置１や露光装置１及び１Ａを用いて、感光剤が塗布された基板を露光する工程と、露光された基板を現像する工程を含む。また、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
＜その他の実施形態＞
本発明は、上述の実施形態の１つ以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１つ以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
１：露光装置 １３：マスク １５：投影光学系 １６：基板 １８：マーク形成部 １９：マーク計測部 ２０：制御部

Claims (13)

  1. 基板上のレジスト膜にマークを形成する形成部と、
    前記形成部によって形成されたマークの位置を計測する計測部と、
    前記計測部で計測されたマークの位置に基づいて、パターンを基板上のレジスト膜の目標位置に投影して潜像を形成する露光処理を行う制御部と、を有し、
    前記制御部は、第１マークが形成された第１レジスト膜が除去され、第２レジスト膜が形成されたリワーク基板に対して前記露光処理を行う前に、前記リワーク基板における前記第１マークの位置からシフトした位置に第２マークが位置するように、前記第２レジスト膜に前記第２マークを形成する形成処理を前記形成部に行わせることを特徴とする露光装置。
  2. 前記制御部は、前記形成処理において、前記形成部によって前記第２レジスト膜に少なくとも３つの第２マークを形成することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
  3. 前記制御部は、前記第２レジスト膜に形成される前記少なくとも３つの第２マーク間の距離が予め定められた距離よりも大きくなるように、前記形成処理を行うことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
  4. 前記制御部は、前記形成処理において、前記形成部によって前記第２レジスト膜に、前記第１レジスト膜に形成されていた複数の第１マークの数と同じ数の複数の第２マークを形成することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
  5. 前記制御部は、前記第２レジスト膜に形成される前記複数の第２マーク間の相対距離が前記第１レジスト膜に形成されていた前記複数の第１マーク間の相対距離と同じになるように、前記形成処理を行うことを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
  6. 前記制御部は、前記形成処理において、前記リワーク基板における前記第２マークの位置が前記第１マークの位置と重ならないように、前記形成部によって前記第２レジスト膜に前記第２マークを形成することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の露光装置。
  7. 前記制御部は、前記形成処理において、前記第１レジスト膜に形成されていた前記第１マークの位置が前記計測部によって前記第２マークの位置を計測する際に前記計測部の計測範囲外に位置するように、前記形成部によって前記第２レジスト膜に前記第２マークを形成することを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の露光装置。
  8. 前記形成部は、前記潜像を形成するための光の波長とは異なる波長の光を用いて前記第２レジスト膜に前記第２マークを形成することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の露光装置。
  9. 前記第１マークは、前記形成部によって前記第１レジスト膜に形成されることを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の露光装置。
  10. 前記第１マークは、前記露光装置とは異なる他の装置によって形成され、
    前記制御部は、
    前記他の装置から、前記第１レジスト膜に形成されていた前記第１マークの位置に関する位置情報を取得し、
    前記形成処理において、前記位置情報に基づいて、前記形成部によって前記第２レジスト膜に前記第２マークを形成することを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の露光装置。
  11. 基板上のレジスト膜にマークを形成する形成部と、
    前記形成部で形成されたマークの位置を計測する計測部と、
    前記計測部で計測されたマークの位置に基づいて、パターンを基板上のレジスト膜の目標位置に投影して潜像を形成する露光処理を行う制御部と、を有し、
    前記制御部は、
    前記計測部が前記レジスト膜に形成されている第１マークの位置を計測可能であるか否かを判定し、
    前記計測部が前記第１マークの位置を計測可能でない場合には、前記レジスト膜上の前記第１マークの位置からシフトした位置に第２マークを形成するように前記形成部を制御し、
    前記計測部で計測された前記第２マークの位置に基づいて、前記露光処理を制御することを特徴とする露光装置。
  12. 前記第１マークは、前記形成部によって前記レジスト膜に形成されることを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。
  13. 請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
    露光した前記基板を現像する工程と、
    現像された前記基板から物品を製造する工程と、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。
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