JP2020034608A - リソグラフィ装置、および物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 生産性の低下を抑制することができるリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】 基板にパターンを形成するパターン形成処理を行うリソグラフィ装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部をクリーニングするクリーニング処理を行うクリーニング部と、前記パターン形成処理と前記クリーニング処理とを制御する制御部と、を有し、前記制御部は、第1基板に対して行われた第1パターン形成処理に適用された第1処理条件と前記第1パターン形成処理が行われた後に第2基板に対して行われた第2パターン形成処理に適用された第2処理条件とが共通でないと判定した場合に前記クリーニング処理を行い、前記第1処理条件と前記第2処理条件とが共通であると判定した場合に前記クリーニング処理を行わないことを決定する。【選択図】 図1
Description
本発明は、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。
半導体デバイス、MEMS、またはフラットパネルディスプレイなどの物品の製造において、基板上に形成するパターンの微細化が進み、リソグラフィ装置の解像力、重ね合わせ精度、生産性等に関する性能の向上への要求が高まっている。
リソグラフィ装置の一例としての露光装置においては、ウエハステージに対して、レーザ測長器を用いて並進方向の位置を精密に制御する。また、ウエハステージの鉛直方向に関しては、フォーカスセンサにより、ウエハ面と光学系像面との距離及び傾きを計測して、ウエハステージを駆動させる。そして、ウエハステージを駆動させながら同時にウエハ面が像面にならうよう、Z方向(フォーカス)及びチルト方向に逐次駆動制御される。
しかし、基板保持部であるウエハチャック上に異物が付着した状態でウエハを載せ、露光をすると局部的にフォーカス誤差が発生して解像不良となり得る。異物の一例としては、ウエハからレジストが剥離してウエハチャックに付着したものが挙げられる。フォーカス誤差により解像不良が発生すると歩留まりが発生して、生産性が低下する。
このため、ウエハチャック上の異物に関しては、生産を一時停止して、クリーニングユニットによるチャックのクリーニングが行われる。しかし、剥離したレジストなどの粘着性の高い異物はクリーニングでは除去できないことがある。また、クリーニングプレートの反り変形や製造誤差でウエハチャックとの接触が不十分となる場合にも異物が除去できないことがある。このように、異物が除去されないまま生産を続けた場合、しばしばクリーニングのために生産の一時停止が行われ、生産性が低下し得る。
特許文献1に開示されている露光装置は、フォーカスの誤差を検出することによりウエハチャック上に異物が存在するかを判断し、ウエハチャック上に異物が存在すると判断された場合、ウエハチャックのクリーニングを行う。また、特許文献1に開示されている露光装置は、ウエハチャックのクリーニングを行った後に共通の位置に異物が存在すると判定した場合にはクリーニングを行わない。
特許文献1によれば、ウエハチャックのクリーニングを行う必要がない場合であっても、ウエハチャックのクリーニングを少なくとも1回は行う必要がある。また、ウエハ上に形成されたパターンによる段差が存在している場合に、ウエハチャック上に異物が存在すると判断される可能性があった。そこで、生産性の低下を抑制できる技術が望まれていた。
そこで本発明は、生産性の低下を抑制することができるリソグラフィ装置、および物品の製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、基板にパターンを形成するパターン形成処理を行うリソグラフィ装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部をクリーニングするクリーニング処理を行うクリーニング部と、前記パターン形成処理と前記クリーニング処理とを制御する制御部と、を有し、前記制御部は、第1基板に対して行われた第1パターン形成処理に適用された第1処理条件と前記第1パターン形成処理が行われた後に第2基板に対して行われた第2パターン形成処理に適用された第2処理条件とが共通でないと判定した場合に前記クリーニング処理を行い、前記第1処理条件と前記第2処理条件とが共通であると判定した場合に前記クリーニング処理を行わないことを決定する。
本発明によれば、生産性の低下を抑制することができるリソグラフィ装置、および物品の製造方法を提供することができる。
以下に、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施に有利な具体例を示すにすぎない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。
<第1実施形態>
図1は、本実施形態における、基板にパターンを形成するリソグラフィ装置の一例である露光装置100の構成を示す図である。また、以下では、後述の投影光学系110からの光の光軸に平行な方向をZ軸方向(鉛直方向)とし、Z軸方向に垂直な平面内で互いに直交する2方向をX軸方向(水平方向)およびY軸方向(水平方向)とする。また、X軸周りの回転、Y軸周りの回転、Z軸周りの回転をそれぞれθX、θY、θZとする。X軸、Y軸、Z軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な方向、Y軸に平行な方向、Z軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θX軸、θY軸、θZ軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な軸の周りの回転、Y軸に平行な軸の周りの回転、Z軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、X軸、Y軸、Z軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θX軸、θY軸、θZ軸の値で特定されうる情報である。
図1は、本実施形態における、基板にパターンを形成するリソグラフィ装置の一例である露光装置100の構成を示す図である。また、以下では、後述の投影光学系110からの光の光軸に平行な方向をZ軸方向(鉛直方向)とし、Z軸方向に垂直な平面内で互いに直交する2方向をX軸方向(水平方向)およびY軸方向(水平方向)とする。また、X軸周りの回転、Y軸周りの回転、Z軸周りの回転をそれぞれθX、θY、θZとする。X軸、Y軸、Z軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な方向、Y軸に平行な方向、Z軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θX軸、θY軸、θZ軸に関する制御または駆動は、それぞれX軸に平行な軸の周りの回転、Y軸に平行な軸の周りの回転、Z軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、X軸、Y軸、Z軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θX軸、θY軸、θZ軸の値で特定されうる情報である。
露光装置100において、原版ステージ109は、レチクルあるいはマスク等の原版108を保持する。原版ステージ109に保持された原版108は、照明光学系114によって光源115の光を照射される。投影光学系110は、原版108を透過した光を基板であるウエハ111(基板)に照射して、原版108に形成されたパターンの像をウエハ111に投影する。ウエハ111は投影光学系110からの光により露光され、ウエハ111上にパターンが形成される。
ウエハ111はウエハチャック112(基板保持部、チャック)によって吸着され保持される。また、ウエハチャック112はウエハステージ113によって保持される。ウエハステージ113はX、Y、Z、θX、θY、θZの6軸駆動機構を有し、制御部101からの指令値に基づいて駆動する。ウエハステージ113の位置、姿勢はレーザヘッド104、105からウエハステージ113上のミラー106へ照射した光の反射光をレーザ測長器103で計測した計測結果を、位置、姿勢を示す値に変換することで求められる。制御部101はウエハステージ113の位置、姿勢をレーザ測長器103から取得し、新たな指令値を生成してフィードバックをかけることでウエハステージ113の駆動を制御する。
フォーカスセンサ107(計測部)は、ウエハステージ113によって保持されたウエハ111の高さ(Z軸方向の位置)を計測する。また、フォーカスセンサ107は、ウエハ111の高さを計測することで異物を検知するための検知部の一例を構成する。フォーカスセンサ107は、投影光学系110の射出部付近を挟むようにY軸方向に設置され、走査露光に追従して規定ピッチで片側からウエハ111に斜入射光を照射し、反対側で反射した光を取り込む。次に、取り込んだ光量から画像処理系102がZ変位量に換算し、制御部101が領域内の各点Z変位量から近似平面を算出する。そして、制御部101は、投影光学系110を通して投影された原版108の投影像にウエハ111の表面を合わせるように、ウエハステージ113のZ、θX、θYの駆動を制御する。
クリーニングユニット117(クリーニング部)は、クリーニングプレート116を保持して移動する機構を有する。クリーニングプレート116はウエハチャック112を研磨して異物を除去するための研磨部材を有する。クリーニングユニット117は、ウエハステージ113に保持されたウエハチャック112にクリーニングプレート116を接触させた状態で、ウエハステージ113又はクリーニングユニット117をXY平面方向に駆動させる。これにより、クリーニングユニット117は、ウエハチャック112上の異物を研磨して除去(クリーニング処理)する。また、クリーニングプレート116はウエハチャック112上の異物を付着させて除去するための粘着部材を有しても良い。この場合、クリーニングユニット117は、ウエハチャック112とクリーニングプレート116の粘着部材とを接触させて引き離すことで異物をクリーニングプレート116の粘着部材に付着させて除去する。
制御部101は、露光装置100の各部を統括的に制御する。制御部101は、例えばCPU101a、制御プログラムや固定的なデータを保持するROM101b、CPU101aのワークエリア及び一時的なデータを保持するRAM101cを含む。また、制御部101は、ROM101b、RAM101cよりも大容量のデータを保存することができる、不図示の磁気記憶装置(HDD)(不図示)を含む。また、制御部101は、CD、DVD、メモリカードといった外部メディアを装填してデータの読み込みや書き込みを行うドライブ装置を含む。本実施形態において、ROM101b、RAM101c、磁気記憶装置、ドライブ装置のうち少なくとも1つを記憶部として、記憶部に制御プログラム、固定的なデータ、CPU101aのワークエリア、及び一時的なデータを保持するものとする。また、制御部101は、ウエハ111へのパターン形成処理及びクリーニングユニット117によるウエハチャック112へのクリーニング処理を制御する。なお、本実施形態において、パターン形成処理にはフォーカスセンサ107を用いた投影光学系のフォーカス制御も含まれる。
図2は、ウエハ111とウエハチャック112の間に存在する異物を示す図である。ウエハ111が搬入された際、ウエハ111とウエハチャック112の間に異物801が挟まる状態になる。ウエハチャック112によってウエハ111が吸着保持されると、ウエハ111は、図2に示されるように、異物801によって持ち上がった状態になる。この状態でフォーカスセンサ107によりウエハ111の高さを計測(フォーカス計測)してウエハステージ113の駆動を制御すると、ウエハ111の目標位置と計測された位置との誤差(フォーカス誤差)が発生する。一定の大きさ以上の異物801が存在する場合、ウエハ111の高さが許容範囲外になり、フォーカス誤差が予め定めた閾値を超える(許容範囲外になる)。このフォーカス誤差が許容範囲外になった場合、XY平面における位置を異物801が存在する可能性がある位置とすることができる。また、フォーカスセンサ107により計測されたウエハ111の高さが許容範囲外になった場合に、XY平面における位置を異物801が存在する可能性がある位置とすることもできる。
図3は、ウエハ111とウエハチャック112の間に存在する異物の位置を示す図である。図3における横軸及び縦軸はそれぞれ、ウエハ111のX軸、Y軸を表す。図3において領域802はフォーカス誤差が発生したXY平面における位置を含む領域を示している。
図4は、複数のウエハ111におけるフォーカス誤差とウエハ111上の位置とを表す図である。グラフの横軸はウエハ枚数を表し、縦軸(左)はウエハ111のX、Y座標を表し、縦軸(右)はフォーカス誤差の大きさを表す。ウエハ111とウエハチャック112の間に存在する異物801の大きさは、フォーカス誤差の絶対値に比例する。図4において、閾値である−150[nm]以下のフォーカス誤差が発生した位置は、ウエハ111毎に変化はなく、異なるウエハであっても共通の位置でフォーカス誤差が検出されることを表している。よって、図2に示すように異物801はウエハ111とウエハチャック112の間に存在していると判断し得る。
しかし、ウエハ111上に形成されたパターンによる段差が存在している場合、パターンによる段差の高さが異物801の存在を判定するための閾値を超えることがある。そして、閾値を超えた高さの段差を含むパターンが共通の位置に形成された、複数のウエハ111をフォーカス計測して、共通の位置にフォーカス誤差が検出されると、異物801がウエハ111とウエハチャック112の間に存在していると誤判断され得る。
ここで、通常、共通の処理条件が適用されてパターンを形成する処理が行われる複数のウエハ111には、同一のパターンが形成されている。そこで、本実施例に係るリソグラフィ装置は、ウエハ111にパターンを形成する処理が行われる際に適用される処理条件に基づき、チャックのクリーニングを実施するかを判定する。
図5は、本実施形態におけるロット処理を示すフローチャートである。ここで、ロットとは複数のウエハ111(例えば、25枚のウエハ111)を1つのまとまりとして管理するための単位を表す。また、ロット処理とは、ロットに属する複数のウエハ111に対して、パターン形成処理(例えば、フォーカスセンサ107を用いた投影光学系のフォーカス制御やウエハ111に光を照射する露光など)を行うことを表す。また、ロットに属する複数のウエハに対しては共通の処理条件が適用されてパターン形成処理が行われる。
まず、S101において、制御部101は、1つのロットに対してロット処理を行うために露光装置100の各部を制御する。ここで、図6を用いてS101のロット処理について詳細に説明する。図6は、本実施形態におけるパターン形成処理を示すフローチャートである。S201において、制御部101は、不図示の搬送部にウエハ111をウエハチャック112に搬入させ、ウエハチャック112にウエハ111を保持させる。S202において、制御部101は、ウエハステージ113にウエハ111を移動させ、フォーカスセンサ107にウエハ111上のショット領域における高さを計測させる。ここで、ウエハ111に複数のショット領域が配置されたレイアウトの情報が予め記憶部に記憶されており、制御部はレイアウトの情報に基づきショット領域が投影光学系110からの光の光軸上に位置するようにウエハステージ113を移動させる。また、制御部101は、ウエハステージ113の移動を制御した時のショット領域の高さを計測して、目標位置と計測された位置との誤差(フォーカス誤差)を取得する。そして、制御部101は、取得されたフォーカス誤差に応じて、投影光学系110のフォーカスをウエハ111上のショット領域に合わせるために、ウエハステージ113や投影光学系110の制御(フォーカス制御)を行う。
S203において、制御部101は、ウエハ111上のショット領域に投影光学系110からの光を照射させることによりウエハ111上のショット領域を露光する。制御部101は、所定の露光量でウエハ111上のショット領域を露光するために、光源115から発振するパルスエネルギー量、発振周波数、減光フィルタ、ウエハステージ113の速度などを予め定めた項目を含む処理条件を記憶部から取得する。そして、制御部101は取得された処理条件を適用して露光装置100の各部を制御する。S204において、S203におけるショット領域の露光が完了した後に、制御部101は、フォーカスセンサ107による計測を終了する。S205において、制御部101は、取得したフォーカス誤差と予め定められた閾値と比較することにより、異物の有無、異物の位置の情報を含む異物情報を取得して記憶部に保存する。また、フォーカス誤差と比較する閾値は、処理条件によって変更されても良い。
ここで、処理条件には、前述のパルスエネルギー量等の項目の他に、例えば、ウエハステージ113によりウエハ111を移動させるときの速度、加速度、経路などを定めた項目が含まれ得る。また、処理条件には、例えば、ウエハステージ113によりウエハ111を位置決めするときの許容誤差などを定めた項目が含まれ得る。また、処理条件には、例えば、フォーカスセンサ107により計測をするときの光の照射時間、照射タイミングなどを定めた項目が含まれ得る。また、処理条件には、例えば、ウエハ111を露光するときの原版108の識別子、ウエハ111上のショット領域のレイアウト、照明モードなど定めた項目が含まれ得る。また、処理条件には、例えば、露光装置100内の温度や気圧、露光装置100の機種、制御プログラムのバージョンなどの情報に関する項目が含まれ得る。
S206において、制御部101は、ウエハ111上の全てのショット領域の露光が終了したかを判定し、ウエハ111上の全てのショット領域の露光が終了したと判定した場合はS207に進む。また、制御部101は、ウエハ111上の全てのショット領域の露光が終了していないと判定した場合はS202に処理を戻し、次のショット領域に対する露光処理を行うように制御する。S207において、制御部101は、不図示の搬送部にウエハ111をウエハチャック112から搬出させる。S208において、制御部101は、ロットの全てのウエハ111の露光が終了したかを判定し、ロットの全てのウエハ111の露光が終了したと判定した場合はS209に進む。また、制御部101は、ロットの全てのウエハ111の露光が終了していないと判定した場合はS201に処理を戻し、次のウエハに対する露光を行うように制御する。S209において、制御部101は、S205で取得した異物情報に基づいて、異物情報を取得して記憶部に保存する。
ここで、異物情報は、ロットに属する複数のウエハ111において共通の位置に存在する異物に関する情報として取得される。また、複数のウエハ111とは、ロットに属するすべてのウエハ111としても良いし、ロットに属する全てのウエハ111の数に対して、予め定めた割合以上の数のウエハ111としても良い。また、複数のウエハ111において共通の位置に存在する異物とは、ウエハ111上の座標系において、複数のウエハ111に存在する異物同士の距離が予め定めた閾値以下である異物のことである。また、異物情報には、複数の異物の位置を表す座標値の平均値または中央値を異物の位置として格納しても良いし、複数の異物のうちのいずれか1つの異物の位置として格納しても良い。また、複数のウエハ111において共通の位置に存在する異物がない場合は、異物情報には異物がないことを示す情報を格納する。
ここで、図5の説明に戻る。S102において、制御部101は、S101で行われたロット処理に関する履歴情報を記憶部に保存する。ここで、ロット処理に関する履歴情報には、ロット処理が実施されたときに適用された処理条件、異物情報が含まれる。また、ロット処理に関する履歴情報には、直前にロット処理を行ったロット(第2ロット)に関する履歴情報だけでなく、第2ロットより前にロット処理を行ったロット(第1ロット)に関する履歴情報も含まれる。また、ロット処理に関する履歴情報には少なくとも1つ以上の第1ロットに関する履歴情報が含まれる。
S103において、制御部101は、S102において記憶部に保存したロット処理に関する履歴情報に基づき、ウエハチャック112上に異物が存在するかを判定する。ここで、図7を用いてS103の異物の存在を判定する処理について詳細に説明する。図7は、本実施形態における異物801の存在を判定する処理を示すフローチャートである。S301において、制御部101は、S102において記憶部に保存されたロット処理に関する履歴情報を取得する。S302において、制御部101は、ロットに関する履歴情報に基づき、第1異物情報に含まれる異物の位置と、第2異物情報に含まれる異物の位置とを比較して、共通の位置に存在する異物があるかを判定する。制御部101は、共通の位置に存在する異物があると判定した場合はS303に処理を進め、共通の位置に存在する異物がないと判定した場合はS305に処理を進める。また、制御部101は、第1異物情報に異物がないことを示す情報が格納されていた場合もS305に処理を進める。
S303において、制御部101は、ロットに関する履歴情報に基づき、第2ロットのロット処理において適用された処理条件と、第1ロットのロット処理において適用された処理条件とを比較して、共通の処理条件であるかを判定する。ここで、処理条件を比較する第1ロットは、S302において共通の位置に異物が存在すると判定された異物情報に対応する第1ロットが選択される。制御部101は、共通の処理条件でないと判定した場合はS304に処理を進め、共通の処理条件であると判定した場合はS305に処理を進める。
ここで、共通の処理条件とは、処理条件に含まれる全ての項目が同一である場合に限られない。例えば、予め定められた処理条件の一部の項目を比較対象として、比較対象とされた処理条件の一部の項目が同一である場合に共通の処理条件であるとしても良い。例えば、ウエハ111を露光するときの原版108の識別子、ウエハ111上のショット領域のレイアウトを比較対象とすることができる。この場合、原版108の識別子とレイアウトが同一である場合に共通の処理条件であると判定される。また、処理条件に含まれる全ての項目のうち予め定めた割合以上の数の項目が同一である場合に共通の処理条件であると判定しても良い。例えば、処理条件の全ての項目のうち8割以上の項目が同一である場合に共通の処理条件であると判定される。
S304において、制御部101は、ウエハチャック112上に異物が存在すると判定する。また、S305において、制御部101は、ウエハチャック112上に異物が存在しないと判定する。このように、S303において処理条件が共通であるかを判定することにより、ウエハ111上のパターンによる段差により、ウエハチャック112上に異物が存在しない場合に異物が存在すると間違って判定されることを抑制することができる。
ここで、図5の説明に戻る。S104において、制御部101は、ウエハチャック112上に異物が存在すると判定した場合はS105に処理を進め、ウエハチャック112上に異物が存在しないと判定した場合はS106に処理を進める。S105において、制御部101は、クリーニングユニット117にウエハチャック112をクリーニングさせる。S106において、制御部101は、全てのロットについて処理が終了したかを判定する。そして、制御部101は、S106において全てのロットについて処理が終了していないと判定した場合はS101に戻り次のロットについてロット処理を行い、S106において全てのロットについてロット処理が終了したと判定した場合は終了する。
以上により、本実施形態に係るリソグラフィ装置によれば、ロット処理において適用された処理条件に基づいて、ウエハチャック上に異物が存在するかを判定してチャックのクリーニングを実施するかを決定するので、生産性の低下を抑制することができる。
<第2実施形態>
次に第2実施形態に係るリソグラフィ装置について説明する。なお、ここで言及しない事項は、第1実施形態に従い得る。
次に第2実施形態に係るリソグラフィ装置について説明する。なお、ここで言及しない事項は、第1実施形態に従い得る。
本実施形態では、異物の存在を判定する処理において、さらにクリーニング処理が行われた時刻等が記録された履歴情報(クリーニング処理に関する履歴情報)に基づき、ウエハチャック112上に異物が存在するかを判定する。図8は、本実施形態におけるロット処理を示すフローチャートである。図5に示されたフローチャートと図8に示された本実施形態におけるフローチャートとの違いは、S104において行われたクリーニング処理に関する履歴情報を保存する点である。S106において、制御部101は、S104で行われたクリーニング処理に関する履歴情報を記憶部に保存する。ここで、クリーニング処理に関する履歴情報には、クリーニング処理が行われた回数、及びクリーニング処理が行われた時刻のうち少なくとも1つが含まれる。また、クリーニング処理が行われてからロット処理が行われたロット数、及びクリーニング処理が行われてからロット処理が行われたウエハ数のうち少なくとも1つの情報が含まれても良い。
図9は、本実施形態における異物の存在を判定する処理を示すフローチャートである。図7に示されたフローチャートと図8に示されたフローチャートとの違いは、クリーニング処理に関する履歴情報に基づいてウエハチャック112上に異物が存在するかを判定する処理を行う点である。S306において、制御部101は、S106において記憶部に保存されたクリーニングに関する情報を取得して、クリーニングが行われたか判定する。制御部101は、クリーニングが行われていないと判定した場合はS305に処理を進め、クリーニングが行われたと判定した場合はウエハチャック112上に異物は存在しないとしてS304に処理を進める。ここで、クリーニングが行われたと判定した場合、クリーニングによって除去できない異物がウエハチャック112上に存在している可能性がある。その場合も制御部101がウエハチャック112上に異物が存在しないと判定することにより、不要なクリーニングを行うことを回避することができる。
また、S306において、制御部101は、クリーニングが行われた回数に基づき、クリーニングが行われたかを判定する。また、制御部101は、クリーニングが行われた時刻に基づき、最後にクリーニングが行われてから予め定められた一定の時間が経過している場合にはクリーニングが行われていないと判定しても良い。また、制御部101は、最後にクリーニングが行われてからロット処理が行われたロット数に基づき、予め定められた一定のロット数以上のロット処理が行われた場合にはクリーニングが行われていないと判定しても良い。
以上により、本実施形態に係るリソグラフィ装置によれば、さらにクリーニング処理に関する履歴情報に基づいて、ウエハチャック上に異物が存在するかを判定してクリーニングを実施するかを決定するので、生産性の低下を抑制することができる。
(物品の製造方法)
本実施例における物品の製造方法は、例えば、デバイス(半導体素子、磁気記憶媒体、液晶表示素子など)などの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置EXPを用いて、感光剤が塗布された基板を露光する(基板にパターンを形成する)工程と、露光された基板を現像する(基板の加工を行う)工程を含む。また、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど)を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性および生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
本実施例における物品の製造方法は、例えば、デバイス(半導体素子、磁気記憶媒体、液晶表示素子など)などの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置EXPを用いて、感光剤が塗布された基板を露光する(基板にパターンを形成する)工程と、露光された基板を現像する(基板の加工を行う)工程を含む。また、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど)を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性および生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。リソグラフィ装置の一例として、露光装置について説明したが、これらに限定されるものではない。
リソグラフィ装置の一例として、凹凸パターンを有するモールド(型、テンプレート)を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であっても良い。また、リソグラフィ装置の一例として、凹凸パターンがない平面部を有するモールド(平面テンプレート)を用いて基板上の組成物を平坦化するように成形する平坦化装置であってもよい。また、リソグラフィ装置の一例として、荷電粒子光学系を介して荷電粒子線(電子線やイオンビームなど)で基板に描画を行って、基板にパターン形成を行う描画装置(リソグラフィ装置)などの装置であっても良い。また、感光媒体を基板の表面上に塗布する塗布装置、パターンが転写された基板を現像する現像装置など、デバイス等の物品の製造において、前述のようなインプリント装置等の装置が実施する工程以外の工程を実施する製造装置も含みうる。
Claims (10)
- 基板にパターンを形成するパターン形成処理を行うリソグラフィ装置であって、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部をクリーニングするクリーニング処理を行うクリーニング部と、
前記パターン形成処理と前記クリーニング処理とを制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、第1基板に対して行われた第1パターン形成処理に適用された第1処理条件と前記第1パターン形成処理が行われた後に第2基板に対して行われた第2パターン形成処理に適用された第2処理条件とが共通でないと判定した場合に前記クリーニング処理を行い、前記第1処理条件と前記第2処理条件とが共通であると判定した場合に前記クリーニング処理を行わないことを決定することを特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記基板保持部によって保持された基板の高さを計測する計測部を有し、
前記制御部は、前記計測部により計測された前記第2基板の高さが許容範囲外である場合に前記クリーニング処理を行うか否かを決定することを特徴とする、請求項1に記載のリソグラフィ装置。 - 前記第1基板と前記第2基板の共通の位置において前記第1基板の高さ及び前記第2基板の高さのいずれもが前記許容範囲外である場合に前記クリーニング処理を行うか否かを決定することを特徴とする請求項2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御部は、前記第1処理条件の予め定められた項目と前記第2処理条件の前記項目とを比較した結果に基づき前記クリーニング処理を行うか否かを決定することを特徴とする、請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御部は、前記第2パターン形成処理の後に行われる、第3基板に対して行われる第3パターン形成処理の前に前記クリーニング処理を行うか否かを決定することを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御部は、前記クリーニング処理に関する履歴情報に基づき前記クリーニング処理を行わないことを決定することを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記クリーニング処理に関する履歴情報には、前記クリーニング処理が行われた時刻、前記クリーニング処理が行われた回数、前記クリーニング処理が行われてから前記パターン形成処理が行われた基板の数のうち少なくとも1つが含まれることを特徴とする請求項6に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御部は、前記パターン形成処理が行われている状態で前記計測部により前記基板の高さを計測させることを特徴とする請求項2ないし請求項7のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記リソグラフィ装置は、基板に光を照射することによりパターンを形成する露光装置であることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記工程において前記パターンが形成された基板の加工を行う工程と、
を含み、前記加工が行われた前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
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