JP7278836B2 - 露光装置、露光方法、および物品の製造方法 - Google Patents
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Description
f(x)=ax+b・・・(1)
ri=(td-di)÷td・・・(2)
tdi=td×(1-ri)÷100・・・(3)
ri=[{td×(ai÷ar)}+{ad×(ar-ai)÷ar}]÷td・・・(4)
本実施形態における物品の製造方法は、例えば、デバイス(半導体素子、磁気記憶媒体、液晶表示素子など)などの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置EXPを用いて、感光剤が塗布された基板(ウエハ)を露光する(基板にパターンを形成する)工程と、露光された基板を現像する(基板の加工を行う)工程を含む。また、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど)を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性および生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (13)
- 基板上の複数の露光領域を露光する露光装置であって、
基板に光を照射する投影光学系と、
前記投影光学系と前記基板との間の空間に酸素濃度が空気と異なる気体を供給する供給部と、
前記供給部から供給される前記気体の供給量を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記基板上の第1露光領域を露光する場合は、前記投影光学系と前記第1露光領域との間の空間の酸素濃度が第1目標濃度となるように前記供給量を第1供給量に制御し、
前記基板上の第2露光領域を露光する場合は、前記投影光学系と前記第2露光領域との間の空間の酸素濃度が第2目標濃度となるよう前記供給量を前記第1供給量とは異なる第2供給量に制御し、
前記第1目標濃度と前記第2目標濃度は、前記投影光学系と基板との間の空間の酸素濃度と基板上に形成されたパターンの線幅との関係と、前記第1露光領域又は前記第2露光領域の面積と、前記第1露光領域又は前記第2露光領域の位置とのうち少なくとも1つに基づいて互いに異なる濃度に設定される、
ことを特徴とする露光装置。 - 前記投影光学系と基板との間の空間の酸素濃度と基板上に形成されたパターンの線幅との関係は、前記投影光学系とこれから露光する第1基板とは異なる第2基板との間の空間の酸素濃度と、前記第2基板上に形成されたパターンの線幅と目標とするパターンの線幅との差分との関係であることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記空間の酸素濃度を計測する濃度計測部を有し、
前記制御部は、前記濃度計測部により計測された酸素濃度を用いて前記供給量を制御する、
ことを特徴とする、請求項1に記載の露光装置。 - 前記制御部は、前記第1露光領域を露光する場合に前記濃度計測部により計測された酸素濃度と前記第1目標濃度との差分が小さくなるように前記供給量を制御し、前記第2露光領域を露光する場合に前記濃度計測部により計測された酸素濃度と前記第2目標濃度との差分が小さくなるように前記供給量を制御する、
ことを特徴とする、請求項3に記載の露光装置。 - 前記制御部は、前記第1露光領域に対応する、前記第2基板上の第3露光領域に形成されたパターンの第1線幅、前記第2露光領域に対応する、前記第2基板上の第4露光領域に形成されたパターンの第2線幅、前記第1線幅の目標となる第1目標線幅、及び前記第2線幅の目標となる第2目標線幅に基づき、前記第1目標濃度、及び前記第2目標濃度を取得することを特徴とする、請求項2に記載の露光装置。
- 前記第1線幅と前記第1目標線幅との差分の絶対値が、前記第2線幅と前記第2目標線幅との差分の絶対値よりも大きい場合に、前記制御部は、前記第1供給量が前記第2供給量より大きくなるように制御する、
ことを特徴とする、請求項5に記載の露光装置。 - 前記第1露光領域の面積が前記第2露光領域の面積よりも小さい場合に、前記制御部は、前記第1供給量が前記第2供給量より大きくなるように制御することを特徴とする、請求項1に記載の露光装置。
- 前記第1露光領域と前記基板の中心との距離が前記第2露光領域と前記基板の中心との距離よりも大きい場合に、前記制御部は、前記第1供給量が前記第2供給量より大きくなるように制御することを特徴とする、請求項1に記載の露光装置。
- 前記第1露光領域と前記基板の外周との距離が前記第2露光領域と前記基板の外周との距離よりも小さい場合に、前記制御部は、前記第1供給量が前記第2供給量より大きくなるように制御することを特徴とする、請求項1に記載の露光装置。
- 前記第1露光領域が前記基板の外周付近にあり、前記第2露光領域が前記基板の中央付近にある場合に、前記制御部は、前記第1供給量が前記第2供給量より大きくなるように制御することを特徴とする、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記気体は、不活性ガス、酸素、空気と不活性ガスの混合気体、空気と酸素の混合気体、または不活性ガスと酸素の混合気体であることを特徴とする、請求項1乃至10のいずれか1項に記載の露光装置。
- 基板上の複数の露光領域を露光する露光方法であって、
前記基板に光を照射する投影光学系と前記基板上の第1露光領域との間の空間の酸素濃度が第1目標濃度となるように気体を供給する供給量を第1供給量に制御して前記第1露光領域を露光する工程と、
前記投影光学系と前記基板上の第2露光領域との間の空間の酸素濃度が第2目標濃度となるように前記気体を供給する供給量を前記第1供給量とは異なる第2供給量に制御して前記第2露光領域を露光する工程と、を有し、
前記第1目標濃度と前記第2目標濃度は、前記投影光学系と基板との間の空間の酸素濃度と基板上に形成されたパターンの線幅との関係と、前記第1露光領域又は前記第2露光領域の面積と、前記第1露光領域又は前記第2露光領域の位置とのうち少なくとも1つに基づいて互いに異なる濃度に設定される、
ことを特徴とする露光方法。 - 基板に光を照射する投影光学系と前記基板上の第1露光領域との間の空間の酸素濃度が第1目標濃度となるように気体を供給する供給量を第1供給量に制御して前記第1露光領域を露光する工程と、
前記投影光学系と前記基板上の第2露光領域との間の空間の酸素濃度が第2目標濃度となるように前記気体を供給する供給量を前記第1供給量とは異なる第2供給量に制御して前記第2露光領域を露光する工程と、
露光した前記基板にパターンを形成する形成工程と、
前記パターンが形成された前記基板の加工を行う加工工程と、を有し、
前記第1目標濃度と前記第2目標濃度は、前記投影光学系と基板との間の空間の酸素濃度と基板上に形成されたパターンの線幅との関係と、前記第1露光領域又は前記第2露光領域の面積と、前記第1露光領域又は前記第2露光領域の位置とのうち少なくとも1つに基づいて互いに異なる濃度に設定され、
前記加工が行われた前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
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